TW200416497A - Exposure apparatus and manufacturing method of device - Google Patents

Description

200416497 玖、發明說明： [發明所屬之技術領域】 本發明，係關於在將投影光學系統與基板間之至少一 部分以液體加以充滿，以投影光學系統所投影之圖案像來 使基板曝光之曝光裝置’此曝光裝置所使用之液體除去I 置、以及使用此曝光裝置之元件製造方法。 【先前技術】 半導體元件及液晶顯示元件，係使用將光罩上形成之 圖案轉印至感光性基板上之所謂的微影法來加以製造。此 微影製程中所使用之曝光裝置，具有支持光罩之光罩載台 與支持基板之基板載台，一邊逐次移動光罩載台及基板載 台、一邊透過投影光學系統將光罩圖案轉印至基板。近年 來，為因應元件圖案更進一步之高積體化，皆要求投影光 學系統具有更高的解像度。投影光學系統之解像度，隨著 所使用之曝光《皮長越余豆、投影光學系統之孔徑數越大而越 高。因此，隨著積體電路之微細化，投影曝光裝置所使用 之曝光波長亦年年短波長化，且投影光學系統之孔徑數亦 曰大目4雖仍以krF準分子雷射248nm之曝光波長為 主流，但波長更短之ArF準分子雷射之193謂亦日漸實用 ^又在進行曝光呤，與解像度同樣的，焦深（DOF)亦 非常重要。解像度R及焦深s分別以下式定義。 R= kl · λ/ΝΑ ⑴ δ= 士k2 · λ/ΝΑ2 (2) 此處’λ係曝光波長、ΝΑ係投影光學系統之孔徑數、 200416497 k1，k2係製程系數。根據式⑴、式⑺可知，為提高解像度 R，而縮短曝光波長人、加大孔徑數NA時，焦深§將變窄 若焦深變得過窄的話，欲將基板表面對齊投影光學系 統之像面將會非常困難，而有曝光動作時限界（贿 足之虞。因此，作為一種實質上縮短曝光波長且使焦深廣 之方法，例如於國際公開第99/49504號中提出了 —種浸 沒法。此浸沒法，係將投影光學系統之下面與晶圓表面： 間，以水、或有機溶媒等液體加以充滿，利用曝光用光在 液體中之波長為空氣中之1/n倍(n係液體之折射率，一 般為1.2〜i.6左右）之特性，來提昇解像度且將焦深擴大至 約η倍的方法。 然而’使用上述浸沒法來對基板進行曝光處理時，在 曝先處理後有時會產生液體殘存在基板表面之情形。在此 殘存液體附著在基板的狀態 送中液體自基板落下，因㈣’有可能在搬 ^+ 4 0液體使得搬送路徑周邊之 二衣* 置及構件生鏽’或無法維持配置曝光裳置之環境的潔 淨度專不良情形。或者，因落 ' U洛下的液體使得曝光裝置 周圍％境產生變化（濕度變化 , .,, # ^ ;予心腧形。备濕度產生變化 、 如载σ位置測量所使用之光干、、牛# f p u 吐砍細 ΙΑ、 尤十/步儀先程上之空氣產 益去满、、、法以良好的精度進行載台位置測量，而產生 無法獲得期望之圖案轉印精度的問題。此 後，在液體附著在基板的狀g h先處理

At ^ M . 彳如進行顯影的話，有可 月匕產生無法製造具有既定性能的元件。 200416497 【發明内容】 本發明有鑑於上述問題，其目的在提供一種在投影光 學系統與基板之間充滿液體之狀態下進行曝光處理時，能 抑制因曝光後附著於基板之液體導致元件之惡化的裝置， 裝有該裝置之曝光裝置，以及使用此曝光裝置之元件製造 方法。 < 為解決上述課題，本發明係採用對應圖丨〜圖丨5所示 之各實施形態的以下構成。但賦予各要件後括號内之符號 僅係例示該要件，並無限定各要件之意圖。 本發明第1態樣之曝光裝置（EX)，係透過液體（5〇)將 圖案像轉印至基板（P)上以使基板（P)曝光，其特徵在於， 具備： 投影光學系統（pL)，係將圖案像投影至基板（p); 連接部（IF)，係與用來處理曝光後基板（p)之處理裝置 (C/ D)連接；以及 液體除去裝置（1〇〇，22，33，34)，係在透過該連接部 GF)將基板（P)搬送至處理裝置（C/D)之前，用來除去附著 在基板（P)之液體（5〇)。 根據本發明，由於設置了液體除去裝置來在將已施以 曝光處理之基板搬送至處理裝置（對該基板進行既定之處理 )刖’除去附著在基板之液體，因此能在除去液體後之狀態 對基板進行既定之處理。因此，能製造具有所期性能之元 件。 本發明第2態樣之曝光裝置（sys，EX)，係透過液體 200416497 (50)將圖案像轉印至基板（P)上以使基板（p)曝光，其特徵在 於，具備： 投影光學系統（PL)，係將圖案像投影至基板（p); 液體除去裝置（100, 22, 33, 34)，係用來除去附著在曝 光後基板（P)之液體（50); 第1搬送構件（H2, 43)，係將曝光後基板（p)搬送至液 體除去裝置（100, 22, 33, 34);以及 第2搬送構件（H3, 44)，係將以液體除去裝置（1()〇, 22 33, 34)除去液體（50)之基板（P)搬離液體除去裝置（1〇〇, 33, 34)。 ’ ’ 根據本發明，由於設置了用來除去基板曝光後附著在 基板之曝光用液體的液體除去裝置，因此能抑制基板搬送 中液體從基板落下造成環境變化等不良情形之產生。此時 ，可使用第1搬送構件將以浸沒法曝光處理、附著液體之 基板搬送至液體除去裝置。然後，使用不同於第丨搬送構 件之第2搬送構件來搬送以液體除去裝置除去液體後之基 板，即能在不使液體附著於基板的狀態下將此基板搬送至 既定位置。此外，本發明中，該第丨搬送裝置，其至少部 分表面以具有拒水（液體）性者較佳。 本發明第3態樣之曝光裝置（SYS，Εχ) ’係透過液體 (5〇)將圖案像轉印至基板（P)上以使基板（p)曝光，其特徵在 於，具備·· 投影光學系統（PL)，係將圖案像投影至基板（p); 搬送系統（H)，係搬送曝光後基板（p);以及 200416497 液體除去裝置（100, 22, 33, 34)，係設於基板（p)之搬送 路徑’用來除去附著在基板（p)之液體（5〇); 該液體除去裝置（100, 22, 33, 34)，具有覆蓋基板（p)周 圍之至少一部分的覆蓋件（25，30，40)，以防止進行液體 (50)之去除時液體（5〇)飛散。 根據本發明，由於在搬送基板之搬送系統之搬送路徑 途中，設置了用來除去附著在基板之曝光用液體的液體除 去裝置’因此能同時進行以曝光裝置（曝光裝置本體）進行 之曝光處理，與使用搬送路徑途中所設之液體除去裝置進 仃之液體除去處理。因此，能在不降低生產率之情形下進 订各處理。此時，由於液體除去裝置具有防止液體飛散之 覆蓋機構，因此能防止液體飛散至搬送路徑周圍。故能防 止濕度變化等之環境變化及裝置鏽蝕等之產生。此外，本 發明中，該覆蓋機構最好是包含處理室。 ^上述第1〜第3態樣之曝光裝置中，該液體除去裝置 最好疋具備將該曝光後基板加以洗淨之洗淨裝置；在該洗 乎裝置進行該基板之洗淨後，除去附著於該基板之洗淨液 者較佳。 本發明第4態樣之曝光裝置（SYS，ex)，係透過液體 (50)將圖案像轉印至基板（p)上以使基板（p)曝光，其特徵在 於，具備·· 投影光學系統（PL)，係將圖案像投影至基板（P); 基板載台（PST)，係用以保持基板（p);以及 液體除去裝置（22)，係在從基板載台（pST)搬出曝光後 200416497 基板（P)之前，除去附著在基板（p)之液體（5〇)。 出 送 根據本發明’藉由在從進行曝光處理之基板载台搬 基板之前，除去附著在基板之液體，㈣抑在基㈣ 中產生液體從基板落下等之不良情形。 上述第1〜第4態樣之曝光裝置中，於該曝光後，附 著該液體之基板可相對水平面以既定角度加以搬送。或者 ，该液體除去裝置，可使用吹散、吸引、及/或乾燥等方 式，來除去該基板上之液體。

本發明第5態樣之曝光裝置（SYS，Εχ)，係透過液體 (50)將圖案像轉印至基板（p)上以使基板（p)曝光，其特徵在 於，具備： 投影光學系統（PL)，係將圖案像投影至基板（p); 搬送系統（H)，係搬送曝光後基板（p);以及 液體處理機構，係在基板（P)搬送路徑下之至少一部分 ，處理從曝光後基板（P)落下之液體（5〇)。

根據本發明’在以搬送糸統搬送曝光後基板時，即使 液體附著在基板，亦能藉由液體處理機構來處理搬送中從 基板落下之液體，而得以防止液體飛散至搬送路徑周圍。 因此能防止濕度變化等之環境變化及裝置鏽蝕等之產生。 該液體處理機構，可藉由配置在該搬送路徑下之至少一部 分的導水構件，與排出透過該導水構件所回收之液體的排 出機構來構成。 本發明第6態樣之曝光裝置（EX)，係透過液體（5〇)將 圖案像轉印至基板（P)上以使基板（P)曝光，其特徵在於， 11 200416497 具備： 投影光學系統（PL)，係將圖案像投影至基板（p);以及 洗淨裝置（丨50)，係在將基板（p)搬出至用來處理曝光 後基板（P)之處理裝置（C/D)前，將曝光後基板（p)加以洗 淨。 根據本發明，能洗掉浸沒曝光中、或曝光後基板之搬 送中附著在基板表面之異物f，而送出潔淨之基板。特別 是在浸沒曝光所使用之液體係水以外之液體，例如係杉木 油（cedar ml)或氟素系油等之有機系液體的情形時，為避免 對其後之基板處理造成影響，最好是能以洗淨裝置來除去 5亥寺液體。 本發明第7態樣之曝光褒置（SYS，EX)，係透過液體 ⑼）將圖案像轉印至基板（p)上以使基板（p)曝光，其特徵在 於，具備： 投影光學系統（PL)，係將圖案像投影至基板（p); 弟1搬送構件（H2，43)，係搬送附著液體（5〇)之基板 (p);以及 第2搬送構件（H1，H2,44)，係搬送未附著液 基板（P)。 根據本發明，由於係分開使用用來搬送附著液體之基 =的第1搬送辑件，與用來搬送未附著液體之基板的第1 =迗構件，因此能防止液體附著於第2搬送構件、或防止 液體附著於以f 2搬送構件搬送之基板，而得以抑制液體 之擴散、飛散。 12 200416497 本發明帛8態樣之曝光裝置（SYS，EX)，係透過液體 (5〇)對基板（P)上照射曝光用光以使基板（p)曝光， 於，具備·· ^ ' 第1保持構件（PST1)，係可保持基板（p)而移動； 第2保持構件（PST2)，係可保持基板（1>)而移動；以及 液體除去裝置（100, 30)，係在該第1保持構件所保持 之基板進行曝光時，進行該帛2保持構件所保持之已結束 曝光之基板上所附著之液體的去除。

根據本發明，可藉由同時進行一保持構件所保持之逢 板的曝光處理，與另—保持構件所保持之曝光後基板㈣ 體除去處理之至少—部分，而得以抑制裝置生產率之降伯 本發明第9態樣之液體除去裝置（1〇〇)，係與透過液體 (5〇)將圖案像轉印至基板（p)上以使基板（p)曝光之曝光裳置 (EX)—起使用者，其特徵在於，具備·· 保持部（21，36, 43)，係保持被曝光之基板;以及 液體去除機構（22, 33, 34, 37, 38)，係除去基板（p)上存 _ 在之曝光用液體（5〇)。 、狀本發明第10態樣之曝光系統，其具備：本發明之曝 光衣置，以及進行曝光後基板之處理的處理裝置。該處理 I置’至少包含將感光性材料塗布於基板之基材的塗布裝 置、及將已曝光之基板加以顯影的顯影裝置中之至少一者 〇 本發明所提供之元件製造方法，係以使用上述態樣之 13 200416497 曝光裝置為其特徵。根據本發明的話’由於能抑制因附著 在基板之液體導致曝光處理環境之變化、或對曝光處理後 基板之既定處理（顯影處理等）造成的影響，因 此表造具 有所期性能之元件。 【實施方式】 《弟1實施形態》 以下，參照圖式，說明本發明之曝光裝置及元件製造 方法。圖1，係顯示具備本發明之曝光裝置之元件製造系 統之一實施形態、由側方所視的概略構成圖，圖2係從上 鲁 方觀察圖1的圖。 ” < 圖1、圖2中，元件製造裝系統SYS，具備曝光裝置 EX — SYS，與塗布顯影裝置C/D— SYS。曝光裝置— SYs，具備··形成為與塗布顯影裝置c/d—sys之連接部 的介面部1F，以液體50充滿投影光學系統PL與基板p之 間、透過投影光學系統PL與液體5〇將圖案像投影至基板 P上以曝光基板P的曝光裝置本體EX，在介面部IF與曝 光羞置本肢EX之間搬送基板p的搬送系統H，設在搬送 _ 系統Η之搬送路徑途中、用以除去附著在基板p之液體的 收體除去裝置1〇〇，以及統籌控制曝光裝置ex_sys全體 之動作的控制裝置c〇NT。塗布顯影裝置C/D—SYS，呈 1 *光處理前之基板P塗布光阻（感光劑）的塗布裝置C 旦與在曝光裝置本體EX中對曝光處理後之基板p進行顯 知處理的顯影裝置（處理裝置）D。曝光裝置本體EX係配置 承/爭度X到管理之第1處理室（chanlber)裝置CH1内部 14 200416497 。另一方面，塗布裝置C及顯影裝置D係配置在不同於第 1處理室裝置CH1之第2處理室裝置CH2内部。又，收納 曝光裝置本體EX之第丨處理室裝置CH1、與收納塗布裳 置C及顯影裝置D之第2處理室裝置CH2，係透過介面部 IF連接。在以下之說明中，將收納在第2處理室裝置匸的 内。卩之塗布裝置C及顯影裝置d併稱為「塗布顯影裝置〔 /D」。 、 如圖1所示，曝光裝置本體ΕΧ，具備··以曝光用光 EL照射光罩載台MST所支持之光罩Μ的照明光學系統江 ，將將以曝光用光EL照明之光罩Μ之圖案像投影至基板

Ρ上的投影光學系統PL，以及支持基板Ρ的基板載台=ST 。本實施形態之曝光裝置本體EX，係採用具有2個美板 載台PST1，PST2之所謂的雙載台系統。作為雙載台系= 具體構成，已揭示於日本專利特開平1〇-163〇99號公報、 特開平HK214783號公報、特表2〇〇〇_5〇5958號公報、美 國專利第6,341007號、M〇M41號、6,549,269號及 6,590,634號等文獻，可參照該等文獻之記載。本案在申'主 國法令允許範圍内，㈣料美料叙記㈣為本^ 記載之-部分。本發明可採周上述文獻所揭示之雙載" 統。又，本實施形態之曝光裝置本體Εχ，係一邊：二 Μ與基板Ρ於掃描方向以彼此不同 个丨』之面向（反方向）同步移 動，-邊將光罩Μ上所形成之圖案曝光至基板ρ的掃描型 曝光裝置（所謂之掃描步進器）。以下之說明中，係於 面内取光罩Μ與基板Ρ之同步移動方向（掃描方向）為^轴 15 方向於水平面内取與父 非掃描方向)、取與X轴及二之方向為γ轴方向( 統扛之光輛AX 方：轴方向垂直且與投影光學系 軸、Y轴、及z 古A 向為z軸方向。此外，取繞x 方向。又，㈠ 刀別為方向、ΘΥ方向、及θΖ J 又此處所指之「其4C ^ Λ . 光阻者，所喟之「i」匕3在半導體晶圓上塗布 板上之元件則包含其上形成欲縮小投影至基 凡1千圖案的標線片。 搬送系統Η，且備.膝通止士 於）基板載台PST之第處理前之基板Ρ搬入（裝載 搬送系統H1，將曝光處理後之美 板Ρ從基板載台pst搬屮土 搬出（卸下）、並搬送至液體除去裝置 弟2搬达裝置H2，以及在液體除去裝置100血介面 部、1F之間搬送基板P之第3搬送裳置。第！、第第3 搬以置HI、H2、H3係設在第丨處理室裝置cm内部。 :k布』〜衣置本H C/D施以光阻塗布處理之基板p， 係透過）ι面部IF而被送至第3搬送裝置们。此處，在第 1第2處理室裝置CHI、CH2與介面部if面對之部分， 分別設有開口部及開關此開口部之擋門（shutter)。在基板P 對介面部IF之搬送動作中擋門呈開放狀態。帛3搬送裝置 ，係將曝光處理前之基板p透過液體除去裝置1〇〇送至 第1搬迗裝置H1。又，從第3搬送裝置H3將基板p交至 第1搬送裝置H1時，不過透過液體除去裝置1〇〇，而透過 未圖不之其他搬送裝置、或中繼裝置來交至第1搬送裝置 H1亦可。第1搬送裝置hi，將交來之基板P裝載於曝光 裝置本體EX之基板載台PST。曝光處理後之基板p係以 16 200416497 第2搬送裝置H2來從基板載台PST卸下。第2搬送裝置 H2將卸下之基板P透過液體除去裝置1〇〇送至第3搬送裝 置H3。被第3搬送裝置H3搬送之基板P，透過介面部IF 被運至塗布顯影裝置本體C/D(點影裝置D)。顯影裝置D 則對被送來的基板p施以顯影處理。 又，由於係分開使用將曝光處理前未濕之基板p搬入 基板載台PST之第i搬送裝置H1、與將曝光處理後有可 月b已濕之基板P從基板載台pS丁搬出之第2搬送裝置扣 ，因此液體不會附著在第！搬送裝置（搬送構件）H1，能防 止液體附著在以第1搬送裝置H1所搬送之基板p背面等

圖3，係曝光裝置本體Εχ之概略構成目。照明光學 系統IL，係用來以曝光用光EL照明被光罩載台Μ§τ所支 持之光罩Μ，具有··曝光用光源，用以使曝光用光源所射 出之光束照度均勻化之光學積分器，用以將來自光學積分 恭之曝光用光EL加以聚光之聚光透鏡，中繼透鏡系統， 及可k視野光闌（用來將曝光用光EL照射於光罩Μ上之照 明區域設定成狹縫狀）等。光罩Μ上之既定照明區域，係 使用照明光學系統IL卩照度分佈均句之曝光用光E]L來加 以照明。從照明光學系統IL射出之曝光用光EL，例如係 使用從水㈣射出之紫外線帶之亮線（g、線、h、線、！線）以 及KrF準为子雷射光（波長248_等之遠紫外光光）

ArF準刀子田射光（波長193nm)及F2雷射光（波長 1 5 7nm)等之真空务、外光等。本實施形態，係使用準分 17 200416497 子雷射光。 光罩載台MST係用來支持光罩M，能在與投影光學 =、，先PL之光軸Αχ垂直的平面内，亦即能在乂丫平面内進 =維移動及ΘΖ方向之微小旋轉。光罩載台MST係以線 L馬達等之光罩載台驅動裝置MSTD來加以驅動。光罩載 2 上光罩M之2維方向位置、及旋轉角，係以雷射 干涉儀即時加以測量’測量結果被送至控制裝置C0NT。 控制裝置CONT，榍擔Φ Μ工、土戌 ^ ^ 根據田射干涉儀之測量結果來驅動光罩 =口驅動裝置MSTD，據以進行光罩載台_所支持之光 罩Μ之定位。 投影光學系統PL’係以既定投影倍率β將光罩μ之圖 曝光至基板Ρ ’以複數個光學元件（透鏡)構成，此 开寻=元件係以金屬構件之鏡筒ΡΚ來加以支持。本實施 ^ f彡” _例如1/4或1/5之縮小純。又 又办光子系統PL可以是等倍系統或放大系統任一者， 射一鏡來構成亦可。此外，在本實施形態之投影光 二=側（基板P側），光學元件（透鏡）6〇係從鏡筒 筒p:。。此先學兀件6❻係以能裝卸(更換)之方式設於鏡 基板載台P S T係用爽古j主| & 用耒支持基板P，具備··透過基板保 ，具來保持基板？之2载台51，用以支持z載台之灯載 ps /及用以保持XY载台52之基座53。基板载台 知以線性馬達等之基板載台驅動裝置加以驅動 土板载台驅動褒置阶〇係以控制裝置⑽丁加以控制 18 200416497 。藉驅動Z載台51，來控制Z載台51所保持之基板？在 z方向之位置（焦點位置）、以及0χ，向之位置。此 外’藉驅動ΧΥ載台52,來控制基板？在χγ方向之位置（ 與投影光學系，统PL像面實質上平行方向之位置）。亦即， Z載台51，係控制基板P之焦點位置及傾斜角，以自動對 '、、、方式及自動调平方式將基& p <表面對齊投影光學系統 PL之像面，XY載台52，則係進行基板轴方向及γ 軸方向的定位。此外，當然也可將z載台與χγ載台設置 成一體。 又 基板载台PST(Z載台51)上設有移動鏡54。又，在移 動鏡54之對向位置設有雷射干涉儀55。基板載台psT上 基板P之2維方向位置及旋轉角，係以雷射干涉儀55即 時加以測量’測量結果輸出至控制裝！ c〇NT。控制系統 CONT根據雷射干涉儀55之測量結果動基板載台驅動裝 置psti^，來進行基板載台PST所支持之基板p的定位。 本實施形態，為實質上縮短曝光波長以提昇解像度， 且為了只質上獲得較廣之焦深，而採用了浸沒法。因此， 至少在將光罩M之圖案像轉印至基板p上之期間，係將基 板j表面與投影光學系統PL之基板側光學元件（透鏡 之前端面（下面）7之間，以既定液體5〇加以充滿。如前所 述，從投影光學系統PL前端側露出透鏡6〇，液體5〇僅接 觸透鏡60。據此，得以防止由金屬製成之鏡筒ρκ的腐蝕 。本實施形態+，液體50係使用純水。純水，不僅能使 ArF雷射光穿透，例如在使用從水銀燈射出之紫外線帶亮 19 200416497 雷射光（波長248nm)等 EL時，亦能使此曝光 線（g線、h線、i線）及準分子 遠紫外線（DUV光）來作為曝光用光 用光EL穿透。 ，其 A ^ m ^ X 丄 ’其中’液體供應裝置1係用爽脾 于用木將既定之液體50供應至 投影光學系統PL前端面（透鏡6〇 兑 60之則端面）7與基板P間 之空間5 6，液體回收裝置2則孫田卡 衣置z W係用來回收空56之液體50 。液體供應裝置1，係用來將液 灯欲篮5〇充滿於投影光學系統 PL與基板ρ間之至少一部分，具備收納液體5〇之容写、 加塵泵等。於液體供應裝置1連接供應管3之-端，於供 應管3之另一端則連接了供應嘴4。液體供應裝置i係透 k i、應g 3及供應嘴4 ’將液體5〇供應至空間％。 液體回收裝置2，具備吸引卜及用來儲存所回收之 =體5G的容器等。於液體回收裝置2連接回收管6之一 :’於回收管6之另一端則連接了回收嘴5、液體回收裝 係透過回收管6及回收嘴5，來回收空間56之液體 0奴將液體50充滿於空間56時，控制裝置c〇nt即驅 液體供應裳置卜透過供應管3及供應嘴4,對空間56 供應每時間單位 、、 干证既疋里心欣體50，並驅動液體回收裝置2 ’透過回收总 < —曰 吕6及回收嘴5從空間50回收每單位時間既 疋I之液辦 sn U。據此，在投影光學系統PL前端面7盥基 板P間之空門以职 四匕、麥 二間56配置液體5〇。 投影井與彡 ^ α 予糸統PL最下端之透鏡60，其前端部6〇Α係 在w描方向毯 Θ下所需部分，形成為於γ方向（非掃描方向） 20 200416497 細2之矩形。於掃描曝光時，光罩M之部分圖案像被投影 於前端部60A正下方之矩形投影區域，相對於投影光學系 統PL，光罩M係於一χ方向（或+χ方向）以速度v移動， 基板Ρ則與此同步，透過ΧΥ載台52於+ X方向（或—χ 方向）以速度β· ν(β係投影倍率）移動。在對一個曝光照射 區域之曝光結束後，藉由純ρ之步進移動將下—個曝光 照射區域移動至掃描開始位置，之後即以步進掃描方式依 序：行對各曝光照射區域之曝光。本實施形態中，液體 之流動方向’係設定成沿基板Ρ之移動方向 移動方向之同一方向。 圖4’係顯示投影光學系統pL之透鏡⑽前端部· 、在X軸方向供應液體50之供應嘴4(4A〜4C)、與用以回 收液體50之回收嘴5(5A, 5B)之位置關係的圖。圖4中， 透鏡60之前端部60A之形狀，係於γ轴方向細長之矩形 軸方向挾著投影光學系統PL之透鏡6〇之前端部 6〇Α的方式’在+ Χ方向侧配置有3個供應嘴从〜化，在 方向側配置有2個回收嘴5A，5B。又，供應嘴4A〜 4C係透過供應管3連接於

履體供應裝置1，回收嘴5A，5B 則仏透過回收管4連接於液 ^ 队在罝Z。人，在將供應 〜與回收嘴5A，5B相對前端部6〇A中心旋轉大致 180度之位置，配置有供應 角δΑ 8C及回收嘴9A 9B。 供應嘴4A〜4C與回收嘴9八肩係於Y軸方向交互 排列，供應嘴8A〜8C與回收嘴5A，5B係於γ軸方向交互 排列’供應me係透過供應tlG連接於液體供應裝 21 200416497 置1，回收嘴9A，9B則係透過回收管Π連接於液體回收 裝置2。又，由嘴部供應之液體，應避免在投影光學系統 PL與基板Ρ之間產生氣體部分。 於曝光裝置本體ΕΧ中，在使基板Ρ往箭頭Xa(參照 圖4)所示之掃描方向（一X方向）移動來進行掃描曝光時， 係使用供應管3、供應嘴4A〜4C、回收管4、及回收嘴 5A，5B ’以液體供應裝置1及液體供應裝置2進行液體5〇 之供應及回收。亦即，在基板P往_ χ方向移動時，透過 供應管3及供應嘴4(4Α〜4C)從液體供應裝置1將液體5〇 t、應至投影光學系統pL與基板ρ之間，且透過回收嘴 (’ 5B)及回收管6將液體50回收至液體回收裝置2，使 液體5〇往一 X方向流動以充滿透鏡60與基板P之間。另 方面，在使基板P往箭頭Xb所示之掃描方向χ方向） 移動來進行掃描曝光時，係使用供應管10、供應嘴8Α〜 8C、回收管11、及回收嘴9Α，9Β，以液體供應裝置！及 才夜^ in置2進行液體5G之供應及回收。亦即，在基 y + X方向移動時，透過供應管及供應嘴8(8a〜 從液體供應裝置1將液體50供應至投影光學系統PL …基板F之間’且透過回收嘴9(9A，9B)及回收管11將液 肢50回收至液體 、广触μ 亡廿 收表置2，液體50往+ X方向流動以 兄滿透鏡60與基板ρ P之間。如此，控制裝置CONT，使用 液體供應裝置1及 /夜體回收裝置2，沿基板ρ之移動方向 注入液體50。此時，加， 例如從液體供應裝置1透過供應嘴4 斤i、應之液體5 〇，係卩、左 ’、思著基板P往一χ方向之移動而被吸 22 200416497 "L二3 56，因此即使液體供應裝置〗之供應能量小， 亦月匕权易的將液體供應至㈣56。此外，視掃描方 切換液體5〇之流動方向，則無論在從+ χ方向、或〜X二 向之任一方 夺 万 句掃描基板Ρ時，皆能以液體5〇將透鏡6〇 前端面7盥其4ε;Τ)>βθ々丄 ^ ^ ，、暴板ρ之間予以充滿，獲得高解像度及廣的焦 深0 “、、 、接者，參照圖5說明第1實施形態之曝光裝置所 之液體除去裝置100°液體除去裝置100係設在搬送系統 Η之搬迗路經途中，用來除去使用浸沒法加以曝光處理後 之基板Ρ上所附著之液體5G。本實施形態中，液體除去裳 置〇〇係°又在第2搬送裝置H2與第3搬送裝置H3之n。 液體除去裝詈〗ηΛ θ μ & 置1⑻，具備··載台裝置20，設於載台裝置

用以保持基板P夕π二丄丄A U 之下面中央部的保持具部21，與用來使保 立了基板Ρ之保持具部21旋轉的旋轉機構22。於保持具 部佯：ί:設有構成真空吸引裝置之一部分的真空吸附;: :持一"i吸附基板Ρ之下面中央部加以保持。旋轉 構22係由設在載台裝置2〇内部之馬 轉:接於保持具…轴部一保持具部二I: 。而戰台裝置20、伴掊且邹1 β 得 保持兴邛Zl及旋轉機構22係設在覆苔 機構之處理室25内部， 是皿 體吸引透過流路28設有液 罝y於机路28設有閥28A 〇 =二:降。保持有基板ρ之保持具部21台 衣置2W基板Ρ即自載台裝置2〇離開，而 23 200416497 轉機構22之驅動進行旋轉。另—方面，保持具部2 ^下降 時，基板P係被設在載台裝置2〇上面之第2保持具部μ 所保持。 處理室25，具備形成在第2搬送裝置H2側之第i開 口邛26，與形成在第3搬送裝置H3側之第2開口部。 於第1開口部26，設有用來開關此第i開口部26之第工 擔門26A ’於第2開口冑27，設有用來開關此第2開口部 27之第2擋門27A。第1、第2擋門26A，27A之開關動作 係以控制裝置C0NT加以控制。當第i擋門26A開放時， 第2搬送裝置H2即能透過第丨開口部26進入液體除去裝 置100之載台裝置2〇。亦即，第2搬送裝置H2能透過第 1開口部26將基板p搬入液體除去裝置丨〇〇之載台裝置 2〇。第3搬送裝置H3能透過第2開口部27進入液體除去 裝置100之載台裝置20。亦即，第3搬送裝置H3能透過 第2開口部27將基板P搬出液體除去裝置100之載台裝 置20。另一方面，關閉第i、第2擋門26A，27八即能將處 理室25内部加以密閉。 接著，使用圖1及圖2，來說明具備曝光裝置本體Εχ 及具備液體除去裝置i00之元件製造系統SYS之動作。 曝光裝置本體EX中，保持在基板載台PST1之基板p ，係以浸沒法加以曝光，與此同時（並行），對保持在基板 載台PST2之基板p，則進行對準標記之檢測及表面資訊 (AF(自動對焦）/ AL(自動调平）資訊）之測量。圖1係顯示 基板載台PST1在曝光裝置本體（曝光站）ΕΧ進行曝光動作 24 200416497 ’基板載台PST2在測量站進行測量動作的情形。於曝光 裝置本體，係進行液體供應裝置丨之液體供應與液體回收 裝置2之液體回收，投影光學系統pL像面側之曝光用光 之光程被液體50所充滿。當基板載台PSTi所保持之基板 P之曝光處理結束時，即停止液體供應裝置丨之液體供應 、液體口收裝置2進行液體回收。液體回收裝置2進行 之液體回收結束後，基板載台PST1即從曝光裝置本體ΕΧ 退避，且結束各種測量之基板載台PST2投入曝光裝置本 體（曝光站）EX。在基板載台PST1上結束曝光處理之基板p ，從基板載台PST1被卸至第2搬送裝置H2。結束曝光處 理後基板P之卸載的基板載台pS1，從第1搬送裝置m 接過未曝光之基板p，開始在測量站之各種測量。被卸至 第2搬送裝置之基板p上附著有些微之以液體回收裝 置2無法完全回收之液體5〇，以第2搬 送至液體除去裝置1〇。。以此方式，與基板載台二： 持之基板p之曝光處理、及基板載台PST1所保持之未曝 光之基板P之各種測量並行，以液體除去裝置1〇〇進行剛 結束曝光處理之基板P上所殘留之液體的除去。 在對巷板載口 pST2所保持之基板p上從液體供應裝 置1開始供應液體50時，不在基板載台PST1進行實質的 測量動作，而僅移動基板載台pST1、或僅停止基板載台 PST1亦可。據此，即能防止從液體供應裝置1開始對基板 載台PST2上供應液體時所產生的振動，對測量站之基板 載台PST1之測量動作造成影響。此外，在停止對基板載 25 200416497 台PST2上之液體供應時，若在測量站之基板載台PST1之 測量動作尚未結束的話，可在停止液體供應時，不在基板 載台則進行實質的測量動作，而僅移動基板载台PST1 、或僅停止基板載台PST1。 &制裝置CONT，隨著第2搬送裝置H2接近液體除 去^置100而將第1撞門26A予以開放（參照圖5)。此時 第2擋門27A為關閉狀態。第2搬送裝置H2，透過第1 開口部26將基板P交至液體除去裝置1〇〇之載台裝置μ 。此，，保持具部21下降’以載台裝置2〇上之保持具部 2 1第2保持具部24來保持基板ρ。 第2搬送衣置Η2在將基板ρ交至載台裝置μ後，透 過第1開口部26從處理室25退出。第2搬送裝置Η2從 處理室25退出後，控制裝置c〇NT即關閉第工擋門編 據此處理至25内部即被密閉。處理室25内部密閉後 ，控，裝CQNT即使保持具部21上昇。隨著保持具部ρ ^上昇’被此保持具部21吸附保持之基板ρ亦相對载台 裝置2〇而上昇。然後，控制裝置20驅動旋轉機構22，將 保，具口P 21與基板ρ _起往0 z方向旋轉。旋轉機構η 使基板Ρ旋轉’藉由離心力作用將附著在基板ρ上下兩面 之液體50從基板ρ甩出。以此方式，除去附著在基板之 ㈣50°此時，由於基板Ρ係配置在作為覆蓋機構之處理 至25内部’因此從基板ρ甩出之液體5〇不會飛散至周圍 〇 從基板Ρ飛出之液體50係以連接在處理室25之液體 26 200416497 25内 吸引裝置29加以回收。液體吸引裝29，係將處理室 部之氣體與飛散之液體50 -起吸引，來回收從基板？甩 的進行處理 據此，由於 出之液體50。此處，液體吸引裝置29係持續 室25内部氣體及飛散之液體50的吸引動作。 液體50不會留在處理室25之内壁或底部等處理室25之 内部，因此處理室25内部之濕度不會有大的變動。又， 在播門26A，27A之開放時，處王里t 25内之潮濕氣體亦不 會流出至處理室25外。

在基板P旋轉既定時間（或既定轉數）後，控制裝置 CONT即停止旋轉機構22之驅動，使基板p與保持具部 21 —起下降。接著，控制裝置c〇NT將第2擋門27A予 以開放。f 2擋門27A開放後，帛3搬送裝置(第2搬送 構件）H3即透過第2開口部27進入載台裝置2〇，來保持 載台裝置20上已除去液體5〇之基板p。保持基板p(已使 用液體除去裝置100除去液體5〇)之第3搬送裝置H3，透 過第2開口部27將基板p從處理室25内部搬出。 如圖1所示，已使用液體除去裝置1〇〇除去液體5〇 之基板P，透過介面部IF被運至塗布顯影裝置。塗 布顯影裝置C/D(顯影裝置D)對運來之基板p施以顯影處 理。以此方式，本實施形態之曝光裝置EX—SYS，透過介 面部IF將基板P搬出至曝光裝置Εχ— SYS之前，以液體 除去裝置100來除去附著在基板p之液體5〇。 如以上之說明，由於所採取的方式係在將於曝光裝置 本體EX施以曝光處理後之基板p搬送至塗布顯影裝置c 27 / D(顯影裝置D)之命 基板P之液體50 W液體除去裝置100來除去附著在 。又，藓由 此能排除液體50對顯影處理之影塑 體50二/_除去以1⑼來除去附著在基板p二 處理室：:=板内:搬送中液體從基板。落下，造成第！ 徑上各裝置及構度變化（環境變化）、或使搬送路 置及構件鏽蝕等不良情形之產生。 來搬送，除去、=:體：之基板？係以第2搬送裝置H2 置扣之第3搬衫置\之3基太板/係以不同於第2搬送裝 H3不合^ 衣置H3來加以搬送，因第3搬送裝置 不曰曝路於液體50。是故’以第3搬送裝置们來搬送 5。如：二有液體5〇之附著，此外，能確實防止液體 送裝置H3之搬送路徑上之飛散。 ^由於液體除去裝置1〇〇係設置在搬送系統h之搬 达^途中’因此’以曝光裝置本體Εχ進行之曝光處理 ”液粗除去裝置1GG進行之液體除去處理能同時進行。 因此’能在不降低生產率之情形下實行各處理。此外，由 於液體除去處理係在處理室25内部進行，因此能防止液 體50飛散至周圍。 又，本實施形態中，在將曝光處理後之基板p搬送至 作為處理裝置之塗布顯影裝置C/D一SYS時，雖係說明 為透過作為連接部之介面部IF來進行搬送，但在例如介面 部IF係設在塗布顯影裝置C/D—SYS之情形，或塗布顯 影裝置C/D-SYS不透過介面部IF而直接連接在曝光裝 置EX— SYS之情形，或處理裝置為基板收納裝置、而不 28 200416497 透過介面部IF來將曝光處理後之基板p搬送至基板收納裝 置之情形等時，第i處理室CH1之開口部即為曝光裝置 EX— SYS之連接部。 又，上述實施形態中，雖係採用雙載台系統， 麸 亦可採用單載台系統。 田…、 如前所述，本實施形態之液體50係以純水構成。使 用純水之優點在於，在半導體製造工廠能容易的大量取得 且對基板P上之光阻及光學元件（透鏡）等沒有不良影響 。此外，純水不至於對環境造成不良影響，且由於雜質之 含量極低，因此亦可期待對基板p之表面、及對設在投影 光學系統PL前端面之光學元件表面的洗淨作用。 又，純水（水）對波長為193nm左右之曝光用光EL的 折射率η被認為在左右，而作為曝光用光el 之光漁而使用ArF準分子雷射光（波長193nm)時，在基板 P上為l/η，亦即WSnm之波長經純水而成為131〜 1 3 4nm左右之短波長，能獲得高的解像度。再者，由於焦 深與空氣中相較約為η倍，亦即被放大約ι·47〜144倍左 右，因此只要能確保與在空氣中使用時相同程度之焦深即 可之情形時，能更進一步的增加投影光學系統pL之孔徑 數，就此點而言，亦能提昇解像度。 上述實施形態中，雖於投影光學系統PL之前端安裝 有透鏡60，但作為安裝於投影光學系統PL前端之光學元 件，亦可是用來調整投影光學系統PL之光學特性，例如 调整像差（球面像差、慧形像差等）所使用之光學板。或者 29 200416497 ，亦可是能使曝光用光；EL穿透之平杆伞&4 便宜之η 牙透之+订千面板。以較透鏡 之千订平面板來作為與液體5〇 在曝光…X之搬送、組裝、調整時等 件：則 平面板附著會使投 射ρ使在5亥平行

在基…之…=t: 率、曝光用光EL 矽系有機物望、：Ί刀佈之均勻性降低的物質(例如 ’、有機物4 )時，只要在供

行平面板^ 〃之前一刻更換該平 可，〃、使用透鏡作為與液體50接 件的情形相較，且有f“、… 接觸之先予7C -有更換成本較低之優點。亦即，由於曝

:EL之照射而從光阻產生之飛散粒子、或液 之附著會污染與液體5〇接觸之光學元件表面，而 作為此光風-、1 若使用便宜的平行平面板來 ”、、予^牛，則與透鏡相較不但更換零件的成本低， 且_更換所需時間，抑制維修保養費用(運轉成本)的 上歼及生產率之降低。

在因液體50 <流動而使投影光學系統前端之光 學兀件與基板P間之壓力較大時，亦可不採取更換該光學 兀件之構成’而堅固的固定光學元件以避免因該壓力而移 動。

、貝知形怨’雖係採取投影光學系統PL與基板P

表面=被/夜體50充滿之構成，但亦可是例如在基板P 表Γ"凌由平行平面板構成之覆蓋玻璃而充滿液體5〇之 構成。 又上述實施形態中，上述嘴部之形狀並無特別之限 定，例如，亦B — A i山 J疋在則、部60A之長邊以二對嘴部來進行 30 200416497 液體之供應或回收。又，此日士 , ‘ 此日守，為了在+ X方向、—X方 向之任一方向皆能進行 篮5 0之供應及回收，可將供庫 嘴與回收嘴上下並排配置。 Μ 《第2實施形態》 接著，一邊參日召圖 < …、ΰ 6 ’ 一邊說明本發明第2實施形態 之曝光裝置所使用之液體险 聪除去裝置100。於以下之說明中 ，除液體除去裝置100 μ ’由於與第1實施形態相同或同 等，因此簡化或省略該等之說明。 圖6中’液體除去裝置10〇具備蓋部30，該蓋部30 係構成覆蓋基Ρ周圍之覆蓋機構之—部分，以避免在進 行附者於基板P之液辦^ 饮骽50的除去時液體5()之飛散。本實 施形態之液體除去裝置〗π 、 衣置100不具有處理室25。蓋部3〇係 :成為俯視大致呈圓環狀，該圓環内部具有袋冑繼。於 盖部30之袋部3〇Α連接液體吸引裝置29。此外，蓋部30 :配置在形成於載台裝置2〇之凹部31，而能設置成藉由 什降機構32來相對載台梦 罕乂 口戒置20歼降（伸出沒入）。進行液 月豆除去處理時，隨菩仅枝 者保持具部21之上昇，蓋部30亦一起 。由於蓋部30係設置成覆蓋基板ρ之周圍，因此， -土板r之旋轉而被甩出之液體5〇會被回收至蓋部之 袋部30Α。回收至势却Q Α 芏衣4 30Α之液體50再以液體吸引裝置 29加以回收。 如以上之δ兄明’作為覆蓋機構，亦可使用覆基板Ρ周 息Ρ 3 0如此’與第1實施形態中說明之處理室2 5 相較，旎以簡易之構成防止液體50飛散至周圍。 31 416497 《第3實施形態》 接者’一邊簽照圖7，-邊說明本發明第3實施形態 之曝光裝置所使用之液體除去裝置1〇〇。本實施形態之特 徵部分，係構成液體除去裝s刚之旋轉機構22及蓋部 3〇 ’被設置在進行曝光處理之曝光裝置本冑Εχ之基板载 σ P S T。由於曝光裝晉太雜v # /置本體EX之構造與第丨實施形態相 同，因此省略其說明。 圖7⑷中，基板載台PST，具備保持基板p之保持具 部21及第2保持具部24、與能收容蓋部30之凹部31。 · 且如圖7⑷所示，對保持在保持具部21及第2保持具部 24之基板P透過投影光學系統pL及液體5〇,轉印圖案之 像。對基板p之曝光處理結束後，控制裝置c〇nt即如圖 7(b)所示’停止從液體供應裝置i對投影光學系統孔與基 板P之間供應液體50 ’且以液體回收裝置2回收基板p上 之液50 °玄回收作業結束後，使基板載台pST從投影光 子系PL之正下方退出。接著，控制裝置c〇nt使保持基 板P之保持具部21上昇且使蓋部3〇 _併上昇，驅動旋轉修 機構22使基板p旋轉。據此，將未能以液體回收裝置2 完全回收而附著在基板P之液體5G，從基板p除去。然後 ，在除去附著在基板p之液體5〇後，第2搬送裝置把將 基板P從基板載台PST搬出。 如以上之說明，亦可將液體除去裝置1〇〇設在基板載 台PST。然後，藉由在從進行曝光處理之基板載台PST搬 出基板P之4，除去附著在基板p之液體5〇，即能抑制在 32 200416497 丞板P之搬送中產生液體5G從基板p落下等之不良情形 。此外’本實施形態中’由於曝光裝置本冑Εχ係採用雙 載台系統，因此能同時進行在第！基板載台pSTi之曝光 處理、與在第2 |板載纟PST2之液體除去處理，能在不 降低生產率的情形下實行全體之處理。 又’第3實施形態中，雖係採用了在從基板載台psT 搬送曝光處理後之基板P之前，為除切著在基板p之液 體50而使基板p旋轉之機構，但亦可設置吹掉液體之吹 風機、或設置不同於液體回收裝置2之用來吸引基板p上 之殘留液體的機構，或者亦可併用該兩者。 《第4實施形態》 接著，一邊參照圖8, 一邊說明本發明第4實施形態 之曝光裝置所使用之液體除去裝置1〇〇。圖8所示之液體 除去裝置100,係設在搬送系統H之搬送路徑途中、第2 搬送系統H2與第3搬送系統H3之間，具備處理室乃之 構成。由於曝光裝置本體Εχ之構造與第丨實施形態相同 ’因此省略其說明。 圖8中，液體除去裝置1〇〇具備第j吹出部33與第2 吹出部34，第1吹出部33係對基板ρ表面（上面）噴吹氣 月且以吹掉附著在基板ρ表面之液體50，第2吹出部34則 係對基板Ρ背面（下面）噴吹氣體以吹掉附著在基板ρ背面 之液體50。第1、第2吹出部33，34係分別透過流路連接 氣版供應裝置3 5。流路中，設有用以除去對基板ρ喷吹之 氣體中異物（雜質及油霧）的過濾器。此外，氣體供應裝置 33 200416497 35係將乾燥的氣體 施形態中，氣體供應裝置二/二吹出部Μ。本實 35係仏應乾燥空氣。 圖’係從上方觀致闽〇 > 士 - «, '、圖8之處理室25的圖。如圖9戶/f 不，基板P係被料U ^ ΰ 9所 加以保持(圖8中未圖 置”由方向之兩端部 P ^ s 保持鏟置36)。第2搬送裝置H2 基板^保持U 36,保持μ % 2 又’以保持裝置36保持之基板板:。 。第1吹出部33,具備以Μ …Η3 部Μ、與在噴嘴本體部33八：=;方向之贺嘴本體 個喷嘴孔33Β。從氣體供二Α之長邊方向並列設置之複數 複數個喷嘴孔33Β 燥空氣分 貝角孔33B吹出。第2吹 — 出部33同等之構成，具有以γ姑古 ' 八有與第1吹 本體部與複數個噴嘴孔。 向為長邊方向之噴嘴 以保持裝置36保持之基板ρ與第ι、第2 34係被設置成能相對移動。本 人部33， 出部33, 34係相對保拄壯班 Τ苐1、苐2吹 向掃描移動。又，亦可:二:保:之基板p於〜方 i基板二相對第^、第2吹出部33,34移動，使 弟/ W，34與保持裳置^之雙方 使弟 ，…明具有上述構成之液體除去褒 。弟2搬送將附著有液體5〇之基 _之動作 控制裝置CONT使第]、# 土 至保持裝置36。 f ^# ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 1TZIV 7 f ^3 6 4嘴吹之氣體’係從傾斜方向吹至基板。表面:::。3: 34 200416497 制裝置CONT係使第1、麓9 , A 。 竹便弟1弟2吹出部33, 34 —邊在x轴方 向移動-邊對保持裝置36所保持之基板ρ喷吹氣體。此 時，由於第卜第2吹出部33, 34之喷嘴本體部長度遠大 於基板Ρ，因此能對基板ρ之矣 . 极之表、背面全面噴吹氣體。藉 由喷吹之氣體’吹掉附著在基板p之液體5〇。被吹掉的液 體5〇以液體吸引裝置29加以回收。除去液體50後之基 板P被交至第3搬送裝置H3。 《第5實施形態》 接著，一邊參照圖1 〇，一邊士 瓊5兄明本發明第5實施形態 之曝光裝置所使用之液體除去裝置1GG。圖ig中，液體除 去裝置1GG ’具備：透過流路連接於液體吸引裝置乃、用 以吸引为別附者在基板P表面及背 今w久月面之液體50的第1、第 2吸引部37，38，盘用以丄 卜 使處理至25内部乾燥的乾燥裝置 39。第1、第2吸引部37，38 #执罢士处』

係5又置成旎相對基板P於X 軸方向移動。在除去附著於基板 汉^之/夜體5 0時，控制裝 置CONT係在使第}、第2吸 次W。卩37, 接近基板p之狀 態下，驅動液體吸引裝置29。據此 爆此，附者於基板p之液體 5 0即透過第1、第2吸引部3 7 1 ^ , ，38被吸引至液體吸引裝置 29。然後，使第1、第2吸引部37 38 4 /，Μ相對基板P於X軸 方向移動，一邊以液體吸引裝置 衣置29進打吸引動作。此時 ’乾燥裝置39係對處理室25内部供應乾燥之氣體（乾燥空 氣）。驅動乾燥裝置39來使處理t25内部乾燥，能促進液 體5〇從基板P之去除。由於曝光妒 p 攻置本體EX之構造與第 1實施形態相同，因此省略其說明。 35 200416497 又’使關ig㈣之㈣基板 ’仗體50的吸弓|勤 作、與使用圖8說明之吹出部之氣體吹出動作介 ^ 斗、上备 人出動作，亦可同時 進仃。或者，在進行吸引動作及氣體吹出動 ，再進行另一方亦可。此外，可 方後 之女 進仃使用乾燥裝置39 之乾知動作，亦可在吸引動作或 乾少品@^ Ep _人出動作之前後進行 乾紅動作。亦即，可將吸引動作、 作i鱼# _ > 、 &動作及氣體吹出動 作（人掉液體之動作）加以適當組合進行。 《第6實施形態》 接著，一邊參照圖n，一邊 之珉亦狀罢糾搞 邊次明本發明第6實施形態 之曝先衣置所使用之液體除去裝 俨FX夕接、止代μ 置100 〇由於曝光裝置本 月且ΕΧ之構造與第丨實施形態 1 1 Φ , ^ ^ ^ X 因此，略其說明。圖 中’液體除去裝置100，且借· 34、盘收㈣第i g… 1卜第2吹出部33, 施开二: 弟2吹出部33, 34之處理室40。本實 轭形‘％之處理室4〇，具備偏 閜η加μ 軸方向形成之第1、第2 幵^ 4 1，42。又，本實施形態之第j 雖去执罢抹0日 〜艾弟1、第2開口部41，42 r , ^ j」°又置擋門。此外，本實施 八忐中之弟2搬送裝置H2，具備 透讲楚1 μ 爾此在保持基板Ρ之狀態下 透過弟1開口部41插入處理室 #u, #4ϋ内邛之臂部（第1搬送構 仵。臂邵43，係在相對水 产之灿& 卸（X f平面）以傾斜既定角 心，抵i送以浸沒法加以曝 之基板P，脾甘4 Ψ先處理、附著有液體50 版Ρ將其插入處理室 伴持糾装士 内此處，第1開口部41( 保持附者有液體5〇之基板ρ z i π #邛43所插入之開口）係於 軸方向形成在第2開口部42 Μ ΪΨ ^ An 之下方，臂部43係以插入 至4〇之方向的前方（搬送方向# 乃向則方）為上方進行搬送。 36 200416497 然後’臂部43在維持基板 第2吹出部A34移動基板貝斜狀悲下相對第卜 對移動之基板p噴吹氣體。藉由氣體之弟2吹出部33,34 基板P之液體50。此時，由於基板p二，除去附著在 體％會因本身重量而容易的往基二為=二因此液 動，而促進液體50從基板p 、斜方向下側移 體50藉……η 從基板P除去之液 L力=内部’以作為回收袭置之液體吸引裝 置29加以回收。又，在基板ρ 本身重量往基…傾斜方向下側恕下使液體5。以 Wr加々卜側移動’對集中在此傾斜 =ΓΓ50嗔吹氣體亦可。此外，亦可併用上述 乾知動作。亦即’作為液體除去

Put 之㈣除去㈣ y吏用基板p之方疋轉、基板p之傾斜、吸引動作、乾燥 力、及乳體吹出動作（吹掉液體之動作）之任一方法，亦 可將該等方法加以適當組合運用。 除去液體50後之基板ρ之一端部，會從第2開口部 42心室4〇外部e在第2開口部42附近，設有作 為弟3搬达裝置H3之臂部（第2搬送構件）料。除去液體 50後之基板P從臂部43直接交至臂部44。 又，此處，雖係說明在插入處理室4〇時係使基板p ㈣來加㈣送’但亦可在處理t 4〇以外之位置，使附 者有液體5G之基ρ相對水平面傾斜既定角度之狀態下 加以搬送。如此，附著在基板p之液體5〇 _會在搬送中 因本身重罝而脫離基板ρ。此時，係在搬送路徑中設置回 收裝置’以回收因本身重量而脫離基板p之液體5〇。又， 37 200416497 搬运基板p時相對水平面之傾斜角度可任意設定，可以是 90度。亦即，亦可以垂直立起的狀態搬送基板p。

上述各實施形態中，用來搬送附著有液體5()之基板p 的第2搬送裝置H2及臂部43表面，最好是具有拒水性。 如此，在搬送基板P時，即使附著在該基板p之液體5〇 附著至第2搬送裝置H2(臂部43)，亦能立刻且容易的從該 第2搬送裝置H2(臂部43)除去液體5〇。因此，能防止附 著在第2搬送裝置H2(臂部43)之液體50，附著（再附著）於 基板P等不良情形之發生。作為使第2搬送裝置H2(臂部 43)表面具有拒水性之拒水處理（拒液處理），例如有使用具 拒水性材料之塗層處理。具有拒水性之材料，例如有氟素 系化合物及矽化物、或聚乙烯及丙烯系樹脂等之合成樹脂 等。又，為進行表面處理之薄膜可以是單層膜、亦可是由 複數層構成之膜。此外，對第2搬送裝置H2(臂部43)之表 面全體、或其一部分施以拒水處理皆可。 《第7實施形態》

麥照圖11說明之實施形態中，係在基板p之傾斜狀 態下加以搬送，或以其搬送路徑中所設之液體除去裝置 來使基板p傾斜’但如圖12所示，在基板p之曝光結 束後、搬送（卸下）基板p之前，將保持基板p(附著有液體 5〇)之基板載台PST(Z載台51)加以傾斜 — 亦可。基板載台PST(Z載台51)，係將基板p保持在% 面之大致中央部，於基板P之周圍，形成有能回收液體5〇 之圓環狀液體回收口（回收槽）73，於該回收槽73中配置有 38 200416497 液體吸收構件7 之一端舆回收枰載台51内部形成有流路，該流路 外部之液體回：機構/ 一端則連接於設在Z載台” 空系統(吸引二構：液體回收機構’具備真空果等之真 液體吸收構件7?、與用來收納所回收之液體的容器等。 料所構成，能伴持：Μ由多孔質陶究或海锦等多孔性材 於Z載台Π定量之液體5〇。又，Z載台5丨上， 73)之間，設有^呆持之基板P與液體吸收構件川回收槽 ,A °有以既定寬度圍繞此基板P外周之if狀的Μβλ 板部79。辅助板部 ^之衣狀的輔助 所保持之基板…Λ : 係設定為與Ζ載台51 表面南度大致一致。又，W —命— 此輔助板部79外周之方弋罟 疋見度圍繞 …，其作用在；^ 體吸收構件71(回收槽 收 '及收（回收）未能以液體回收裝置2完全回 收之液體50。又，圖12中，在ζ載台 口 有延伸於γ軸方A x側i而部设 x輪方Λ 方向之移動鏡54X’在γ側端部設有延伸於

2之移動鏡54Y，雷射干儀對此等移動鏡 4Y =射雷射光’來檢測基板載台阶之乂轴方向及 向的位置。 平 基板Ρ之曝光結束後，在從圖12所示之ζ載台51(基 ^裁台PST)搬送(卸下）基板ρ之前，ζ載台51，藉由設於 :Ζ載台51之調平機構而傾斜，ζ載台51上之基板Ρ亦 隨之傾斜。如此’曝光結束後殘留在基板Ρ上之液體50， 即會因重力作用（本身重量）流至回收槽73而被回收。又， 在曝光結束後、進行搬送前之ζ載台51之傾斜動作（液體 °文動作）日^·右Ej Ζ載台51之傾斜，而例如有投影光學 39 200416497 系統PL之前端部與Z載台51(基板P)彼此接觸（碰觸）之虞 牯，使Z載台51(基板載台PST)退避至投影光學系統PL 之正下方，在與投影光學系統PL分離之位置進行前述傾 斜動作亦可。此種實施形態時，基板載台及該傾斜控制具 有液體除去裝置之功能。 又，上述貫施形態中，係藉由基板載台PST(Z載台 5 1)之傾斜來使基板P傾斜，以除去基板p上之液體，但如 曰本專利特開平1-214042號公報之揭示般，在保持基板p 上下動作（為進行基板P之裝載及卸下）之基板支持構件係 設於基板載台PST之情形時，藉由該基板支持構件之傾斜 來使基板P傾斜亦可。又，在從基板載台pST搬出基板p 之鈿’喷吹乾餘空氣或溫風來使其乾燥亦可。亦即，作為 在從基板載台PST搬出基板p前之液體除去動作，可使用 基板P之旋轉、吹掉液體、吸引液體、基板p之傾斜、及 噴吹氣體來使基板P乾燥之任一方法，亦可將該等方法適 當組合運用。 《第8實施形態》 接著，參照圖13來說明本發明第8實施形態之曝光 裝置。本貫施形悲之特徵部分，係具備液體除去裝置1 〇〇 ’且在曝光裝置本體EX與液體除去裝置1〇〇之搬送路徑 途中，設有使用洗淨液來洗淨曝光處理後之基板p的洗淨 裝置150。又’本貫施形態中除使用單一基板載台PST以 外，曝光裝置本體EX與第1實施形態相同。 圖13中，洗淨裝置150具備：處理室151，以及設在 200416497 處理至1 5 1内部、對搬送至處理室丨5丨内部之基板p供應 洗淨液的洗淨液供應裝置丨52。洗淨液供應裝置丨52，係 退休基板p之上面及下面分別供應洗淨液。處理室i5i， 具備開口在曝光裝置本體Εχ側之第i開口部153、與開 口在液體除去裝置1 〇〇側之第2開口部i 54。於第i、第2 開口部153，154，分別設有用來打開及關閉第j、第2開 口部153，154之擋門153A，154A。以曝光裝置本體Εχ進 打曝光處理後之基板Ρ，被第5搬送裝置（未圖示）透過第工 開口邛153搬送至洗淨裝置15〇之處理室151内部。於處 理室151内部設有保持基板p之保持裝置，基板p在被此 保持裝置保持之狀態下，使用洗淨液來加以洗淨處理。洗 爭處理後之基板p被第2搬送裝置搬送至液體除去裝置 100。液體除去裝置100除去附著在基板p之洗淨液。 此處，在曝光裝置本體EX依據浸沒法之曝光處理， /…使用Jc以外之液體來作為液冑5 〇。本實施形態中，係 使用說素系油來作為液體5〇。例如，若曝光用光虹之光 源：F2雷射光時，由於此雷射光不會穿透水，因此使 用旎使h雷射光穿之氟素系油來作為液體50，即能進行 :光處理。如此，可使用水以外之物來作為液體5〇。又， :液體50,亦可使用對曝光用光EL具有穿透性且折射 可能：高、並且對投影光學系統PL及基板p表面所 :之先阻安定之例如杉木油（eedar叫。又，若使用不同於 之液妝來作為液體5〇時可在以洗淨裝置對基板p 也以洗淨處理後，進行液體除去處理。以此方式，藉由基 41 200416497 板P之洗淨，即能在浸沒曝光中、或基板P之搬送中洗掉 附著在基板p之異物等，其後之液體去除亦能順暢的進行 ，而得以從曝光裝置送出未附著液體或異物之潔淨的基= 液體除去裝置1 〇〇，可使用設於實施形態丨〜6之任一 曝光裝置的液體除去裝置⑽。又，基板p的洗淨、^ 者在基板P之液體的去除，可在相同場所進行。例如，可 在處理室25中，進行洗淨與液體去除。

《第9實施形態》 接著，參照目14’說明本發明第9實施形態之曝光裝 置及70件製造系統。本實施形態之特徵部分，係在搬送系 統η(用以將基板P搬送至液體除去裝置丨⑼）之搬送路打 ’設置用來處理從曝光後基Ρ落下之液體的液體處理機 構⑽。又，本實施形態中，係設置2個基板載台PST1, PST2 ’曝光裝置本體與實施形態1相同。 圖14中，液體處理機構16〇 儒配置在搬送系統

之搬送路徑下的導水料161，以及將透過導水構件 回收之液體50從導水構件161加以排出之液體吸引絮 W。本實施形態中，導水構件161係設置在基板載 PST1，PST2與液體除去裝置1〇〇 , 衣i 1U0之間，也就是說，係韵 在第2搬送裝置H2之搬送路秤 、降位之下。導水構件161倍 置在處理室裝置CH1内部， 丨夜體吸引裝置162則係設置 處理室裝置CH1外部。導太播姓> y V JC構件1 6丨與液體吸引裝置 係透過管線163連接，於瞢 、線163，吾又有用來關閉此管 42 200416497 163之流路的閥163A。 在以第2搬送裝置H2搬送曝光後附著有液體5〇之基 板P的途中，液體50雖有可能從基板p落下，但可以導 水構件161來回收該落下之液體5G。使用導水構件161來 :收落下之液冑5〇,能防止液體5G飛散至搬送路徑周圍 不良情形。此外，液體吸引裝置162能吸引設在處理 至破置CH1内部之導水構件161上之液體5〇將其排出至 處理至裝4 CH1外部，以避免液冑5〇 #在處理室裝置 CH1内部之導水構件161，而防止在處理室裝置chi内部 產生/m度變動（環境變動）之不良情形。此處，液體吸引裝 置162，能連續的進行被回收至導水構件ι61之液體5〇之 吸引動作，亦能僅在事先設定之既定期間内斷續的進行吸 引動作。藉由連續進行之吸引動作，液體5〇不致於積在 導水構件1 6 1，因此更進一步的防止處理室裝置1内部 之溫度變動。另一方面，例如在曝光裝置本體Εχ進行基 板P之曝光中，不以液體吸引裝置162進行吸引動作（排出 動作），而僅在曝光以外之期間進行吸引動作，即能防止吸 引動作所產生之振動對曝光精度造成影響。 又，導構件161，雖以設在搬送基板p(有可能附著液 體之基板）之搬送路徑下之全面較佳，但亦可局部的、分散 的設置在易受從基板P落下之液體影響的位置。此外，作 為搬送路徑下之液體處理機構1 60，並不限於導水構件 161及液體吸引裝置162，只要是能回收從基板p等落下 之液體的構成即可。 43 200416497 液體除去裝置100，可使用設在第i〜第6實施形態 之任一曝光裝置的液體除去裝置1〇〇。又，將第i〜第6 實施形態所使用之洗淨裝置設在搬送路徑中亦可。 又，上述實施形態中，液體除去裝置1〇〇,雖係用來 除去以液體EJ收裝i 2無法完全回收’而附著（殘留）在基 板P之液體，但液體回收裝置2並非絕對必要的。 又，作為上述各實施形態之基板p，不僅是半導體元 件製造用之半導體晶圓’亦可適用顯示元件用之玻璃基板 、薄膜磁頭用陶竟晶圓、或用於曝光裝置之光罩或標線片 · 原板（合成石英、矽晶圓）等。 又，上述實施形態中，雖係採用在投影光學系統 與基板P之間局部的充滿液體之曝光裝置，但本發明亦能 適用於將保持有曝光對象基板之載台在液槽中移動之浸沒 曝光裝置，或適用於在載台上形成既定深度之液體槽二 其中保持基板之浸沒曝光裝置。作為將保持有曝光對象基 板之載台在液槽中移動之浸沒曝光裝置’例如已詳細的2 示於日本專利特開平6指873號公報中，而作為在載台上❿ 形成既定深度之液體槽、於其中保持基板之浸沒曝光裝置 ，例如已詳細的揭示於特開平1〇·3〇3Π4號公報或美國專 利5,825,⑷號公報中，本案在中請國法令允許範圍内， 援用該等公報之揭示作為本說明書記載之一部分。 作為曝光裝置（曝光裝置本體）Εχ，除可使用同步移動 光罩Μ與絲Ρ來掃描曝光光罩Μ之圖案的步=描 (step & scan)方式之掃描型曝光裝置（掃描步進器）外，亦^ 44 200416497 適用在光罩Μ與基板P靜止狀態下將光罩M之圖案予以 一次性的曝光，並使基板P依序步進移動之步進重複㈨邛 & repeat)方式之投影曝光裝置（步進器）。此外，本發明亦 能適用於在基板P上將至少2個圖案加以部分重疊轉印之 步進接合（step & stitch)方式之曝光裝置。 作為曝光裝置EX之種類，本發明並不限於將半導體 元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用的曝光裝置， 亦能廣泛的適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之 曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件（CCD)或標線 片、光罩等的曝光裝置等。

於基板載台PST或光罩載台MST使用線性馬達時， 無論是採用空氣懸浮型（使用空氣軸承）或磁氣懸浮型（使用 羅倫兹力或反作用）之任-種皆可。又，各載台PST、MST ，可以是沿導軌移動之型式、或不設置導執之無導執型式 者皆可。使用線性馬達之例，已揭示於美國專利第 5,623,853號及第5,528，118號），纟案在中請國法令允許範 圍内，援用該等美國專利之揭示作為本說明書記載之一部 分。 作為各載台PST、MST之驅動機構，可使用將磁石2 維配置之磁石單元、與將線圈2 $配置之電樞單元予以對 向，藉電磁力來驅動各載台PST、MST之平面馬達。此時

，將磁石單元與電樞單元之任一方接觸於載台psT、MST ，將磁石單元與電柩單元之另一方設在载台PST、MST之 移動面側即可。 45 200416497 因基板載台PST之移動所產生之反作用力，可使用框 架構件將其機械性的釋放至地面，以避免傳至投影光學系 統扛。此反作用力之處理方法，例如已詳細的揭示於日本 專利特開平8-166475號（美國專利第5,528，118號）公報中 本案在申凊國之法令允許範圍内，援用此美國專利之揭 示，作為本說明書之部分記載。又，因光罩載台麟之移 動所產生之反作用力’可使用框架構件將其機械性的釋放 面以避免傳至投影光學系統PL。此反作用力之處理 方法’例如已詳細的揭示於日本專利特时8_遍24號（孀 =專利第5,874,82〇號）公報中，本案在申請國之法令允 Ήϋ圍内’板用此美國專利之揭示，作為本說明書之 記載。 如 >上述般，本案實施形態之曝光裝置Εχ，係將包含 ^案申請專利範圍所例舉之各構成要素的各種次系統，以 能保持既定機械精度、電氣精度、光學精度之方式，加以 組裝製造。為讀保上述各種精度，於此組裝之前後，對各 種光學系統進行用以達成光學精度之調整，對各種機械系、鲁 統進行用以達成機械精度之調整’對各種電氣系統則進行 用達成各種電氣精度之調整。各種次系統組裝至曝光裝置 之步驟，包含各種次系統彼此間之機械連接、電氣迴路之 連接、氣壓迴路之連接等。此各種次系統組裝至曝光裝置 之步驟前，當然有各個次系統之組袭步驟。各種次系統組 I至曝光裝置之步驟結束後，即進行综合調整，以確保曝 光裝置舔之各種精度。X，曝光裝置的製造以在溫度及清 46 200416497 潔度等受到管理的無塵室中進行較佳。 半導體元件等之微元件，係如圖15所示，經微元件 之功能、性能設計步驟201，根據此設計步驟製作光罩（標 線片）的步驟202，製造基板（元件之基材）的步驟203，使 用前述實施形態之曝光裝置EX將光罩之圖案曝光至基板 的曝光處理步驟204，元件組裝步驟（切割製程、結合製程 、封裝製程）205，檢查步驟206而製造。 根據本發明’能防止曝光處理環境變動及液體飛散至 周。因此’能防止因為此環境變動及液體飛散導致曝光處 理精度之降低，製造出具有期望性能之元件。此外，由於 能將未附著液體或異物之基板從曝光裝置送出，因此能製 ^出具有期望性能之元件。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 第1圖’係顯示作為本發明曝光裝置之元件製造系統 之一實施形態的概略構成圖。 第2圖，係從上方觀察第i圖的圖。 第3圖，係顯示進行曝光處理之曝光裝置本體之一實 施形態的概略構成圖。 第4圖，係顯示供應嘴及回收嘴之配置例的圖。 第5圖’係顯示本發明之液體除去裝置之一實施形態 的概略構成圖。 第6圖，係顯示本發明之液體除去裝置之另一實施形 態的概略構成圖。 47 200416497 第圖⑷（b)，係顯示本發明之液體除去 實施形態的概略構成 ^ 之另一 圖 第8圖，係顯示本發明之液體除去裝置 態的概略構成圖。 第9圖，係顯示本發 態的概略構成圖。 之另一實施形 明之液體除去裝置之另一實 施形 第10圖，係顯示本發明之液體除去裝置之另一實施 形態的概略構成圖。

第11圖，係顯示本發明之液體除去裝置之另一實施 形態的概略構成圖。 第12圖’係顯示本發明之液體除去裝置之另一實施 形態的概略構成圖。 第13圖’係顯示作為本發明曝光裝置之元件製造系 統之另一實施形態的概略構成圖。 第丨4圖’係顯示作為本發明曝光裝置之元件製造系 統之另一實施形態的概略構成圖。

第1 5圖’係顯示半導體元件之一製程例的流程圖。 (二）元件代表符號 1 液體供應裝置 2 液體回收農置 3, 10 供應管 4(4A 〜4C)，8A 〜8C, 13, 14 供應嘴 5(5A，5B)，9A，9B，15，16 回收嘴 11 回收管 48 200416497 20 載台裝置 21 保持具部 22 旋轉機構 23 軸部 24 第2保持具部 25, 40, 151 處理室 26 第1開口部 26A，27A 第1、第2擋門 27 第2開口部 28 流路 28A 閥 29, 162 液體吸引裝置 30 蓋部 30A 袋部 31 凹部 32 昇降機構 33, 34 第1、第2吹出部 33A 喷嘴本體部 33B 噴嘴孔 35 氣體供應裝置 36 保持裝置 37, 38 第1、第2吸引部 39 乾燥裝置 41，42 處理室40之第1、第2開口部

49 200416497 43, 44 臂部 50 液體 51 Z載台 52 XY載台 54 移動鏡 55 雷射干涉器 56 空間 60 透鏡 60A 透鏡之前端部 71 液體吸收構件 73 回收槽 79 輔助板部 100 液體除去裝置 150 洗淨裝置 152 洗淨液供應裝置 153, 154 處理室151之第1 153A，154A 擋門 160 液體處理機構 161 導水構件 163 管線 163A 閥 ΑΧ 光軸 C/D 塗布顯影裝置本體 C/D-SYS 塗布顯影裝置 200416497 CONT 控制裝置 CHI 第1處理室裝置 CH2 第2處理室裝置 EL 曝光用光 EX 曝光裝置本體 H 搬送系統 HI 〜H3 第1〜第3搬送裝置 IF 介面部 IL 照明光學系統 M 光罩 MST 光罩載台 P 基板 PL 投影光學系統 PST1 第1基板載台 PST2 第2基板載台 SYS 元件製造系統 51

Claims (1)

1. 200416497 拾、申請專利範圍： 1 · 一種曝光裝置，係透過液體將圖案像轉印至基板 上以使基板曝光，其特徵在於，具備： 投影光學系統，係將圖案像投影至基板； 連接部，係與用來處理曝光後基板之處理裝置連接； 以及 液體除去裝置，係在透過該連接部將基板搬送至處理 裝置之前，用來除去附著在基板之液體。 2 · —種曝光裝置，係透過液體將圖案像轉印至基板 _ 上以使基板曝光，其特徵在於，具備： 投影光學系統，係將圖案像投影至基板； 液體除去裝置，係用來除去附著在曝光後基板之液體 第1搬送構件，係將曝光後基板搬送至液體除去裝置 ;以及 第2搬送構件，係將以液體除去裝置除去液體之基板 搬離液體除去裝置。 φ 3 ·如申請專利範圍第2項之曝光裝置，其中，該第i 搬送構件表面之至少一部分具有拒水性。 4 · 一種曝光裝置，係透過液體將圖案像轉印至基板 上以使基板曝光，其特徵在於，具備·· 投影光學系統，係將圖案像投影至基板； 搬送系統，係搬送曝光後基板；以及 液體除去I置’係設於基板之搬送路徑，用來除去附 52 200416497 著在基板之液體； 该液體除去裝置，具有覆蓋基板周圍之至少一部分的 覆蓋件，以防止進行液體之去除時液體飛散。 5 ·如申請專利範圍第4項之曝光裝置，其中，該覆 蓋機構包含處理室。 6 ·如申請專利範圍第1、2《4項中任-項之曝光裝 /、中忒液體除去裝置具備將該曝光後基板加以洗淨 之洗淨裝置； 在°亥洗淨I置進行該基板之洗淨後，除去附著於該基籲 板之洗淨液。 7 · 一種曝光裝置，係透過液體將圖案像轉印至基板 上以使基板曝光，其特徵在於，具備： 投影光學系統，係將圖案像投影至基板； 基板載台，係用以保持基板；以及 液體除去裝置，係在從基板載台搬出曝光後基板之前 ’除去附著在基板之液體。 8 ·如申請專利範圍第i、2、4 $戈7項中任一項之曝鲁 光衣置其中，於该曝光後，附著該液體之基板係相對水 平面以既定角度加以搬送。 9 ·如申請專利範圍第丨、2、4或7項中任一項之曝 光裝置’其中，該液體除去裝置係吸引該基板上之液體。 1 〇 ·如申請專利範圍第1、2、4或7項中任一項之曝 光裝置，其中，該液體除去裝置係使該基板上之液體乾燥 53 2(Km()4y/ 光裝置 申M專利範圍第1、2、4或7項中任一項之曝 12其中’該液體除去裝置係吹散該基板上之液體。 光裴置 申％專利範圍第1、2、4或7項中任一項之曝 旋轅夕其中’該液體除去裝置包含使附著該液體之基板 <旋轉機構。 光裴置 申％專利範圍第1、2、4或7項中任一項之曝 斜。 其中’該液體除去裝置係使附著該液體之基板傾

   光裝置如申請專利範圍第1、2、4或7項中任一項之曝 之、六 /、中’该液體除去裝置係除去附著在該基板兩面 、〉夜體。 光穿置士申叫專利範圍第1、2、4或7項中任一項之曝 乏υ 一中’該液體除去裝置係除去附著在該基板裏面 <液體。 光壯 彡申明專利範圍帛1、2、4或7項中任-項之曝

   與。 一 T ’進一步具備供應該液體之液體供應裝置， H夜體供應裝置所供應之液體的液體回收裝置； 4 /液體除去I置，係在該基板之曝結束後，進行未被 體W彳又裝罝所回收，而殘留在該基板表面之液體的去 除。 S 17.如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，進 V /、備保持基板之第i保持構件，與保持基板之第2保 持構件； 該液體除去裝置，係在一保持構件所保持之基板的曝 54 200416497 光中，進行另—保持構件所保持之基板上所附著之液體的 去除。 、，Μ ·如申請專利範圍第j、2、4力7項中任一項之曝 光裝置’其中’進—步具備保持基板之第1保持構件，與 保持基板之第2保持構件； 該液體除去裳置，係在一保持構件所保持之基板的曝 光中，進行另一保持構件所保持之基板上所附著之液體 去除。

   19 ·如申請專利範圍第丨項之曝光裝置，其中，進一 步具備基板載台，於基板載台設有該液體除去裝置。 2〇·如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，係於 該基板載台設有該液體除去裝置。 21 · —種曝光裝置，係透過液體將圖案像轉印至基核 上以使基板曝光，其特徵在於，具備： 土 投影光學系統，係將圖案像投影至基板； 搬送系統，係搬送曝光後基板；以及

   液體處理機構，係在基板搬送路徑下之 、一 夕一部分， 處理從曝光後基板落下之液體。 22 ·如申請專利範圍第21項之曝光 ^ 直’兴中，該 液體處理機構，具有配置在該搬送路徑下 卜之至少一部分的 導水構件，與排出透過該導水構件所回收之 /從肢的排出機 構。 23 · —種曝光裝置，係透過液體將圖幸 水像轉印至基相 上以使基板曝光，其特徵在於，具備·· 55 200416497 投影光學系統，係將圖案像投影至基板；以及 洗〉尹裝置，係在將基板搬出至用來處理曝光後基板之 處理裝置前，將曝光後基板加以洗淨。 24 ·如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中，該 洗淨裝置係使用洗淨液來進行該基板之洗淨。 25 ·如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中，該 洗淨裝置係設在該曝光後基板之搬送路徑中。 26如申明專利範圍第23〜25項中任一項之曝光裝 置，其中，該液體不同於水。 27 · —種曝光裝置，係透過液體將圖案像轉印至基板 上以使基板曝光，其特徵在於，具備： 投影光m係將圖案像投影至基板； 第1搬送構件，係搬送附著液體之基板；以及 第2搬送構件，係搬送未附著液體之基板。 28 ·如中请專利範圍帛27㉟之曝光裝置，其中，進 步具備用以除去存在於基板上之曝光用液體的液體 裝置； 該第i搬送構件，係將附著有液體之基板 體除去裝置。 夜 第 板 步 搬 29如申D月專利範圍第27項之曝光裝置，盆中，兮 搬送構件之至少部分表面具有拒水性。 、- 30·如巾請專利範圍第27歡曝光裝置，其中 具備液體處理機構，其係配置在該第丨搬送機構之其 送路徑下之至少―部分，用以處理從基板落下之液體Γ 56 200416497 ^ 種曝光裝置’係透過液體對基板上照射曝光用 光以使基板曝光，其特徵在於，具備·· 第1保持構件，係可保持基板而移動； 第2保持構件，係可保持基板而移動；以及 —液體除去裝置，係在該第1保持構件所保持之基板進 订曝光日守，進饤該第2保持構件所保持之已結束曝光之基 板上所附著之液體的去除。 32 · —種元件製造方法，其特徵在於·· 係使用申請專利範圍帛1、2、4、7、21、23、27或 3 1項中任一項之曝光裝置。 33 · 一種液體除去裝置，係與透過液體將圖案像轉印 至基板上以使基板曝光之曝光U一起使用#，其特徵在 於，具備·· 保持部，係保持被曝光之基板；以及 液體去除機構，係除去基板上存在之曝光用液體。 34·如申請專利範圍第33項之液體除去裝置，其中 ，進一步具備包圍液體去除機構覆蓋件。 35 ·如申請專利範圍第33項之液體除去裝置，其中 ，進一艾具備將基板搬送至該保持部之搬送裝置。 36 · —種曝光系統，其特徵在於，具備·· 曝光裝置，係申請專利範圍第！、2、4、7、21、、 2 7或31項中任一項所記載者；以及 處理裝置，係進行曝光後基板之處理。 37 ·如申請專利範圍第36項之曝光系統，其中，該 57 200416497 處理裝置至少包含將感光性材料塗布於基板之基材的塗布 裝置、及將已曝光之基板加以顯影的顯影裝置中之至少一 者。 拾壹、圖式： 如次頁。

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