RU2172525C2 - Генератор накачки с изменяемым числом ступеней - Google Patents

Генератор накачки с изменяемым числом ступеней Download PDF

Info

Publication number
RU2172525C2
RU2172525C2 RU98108548A RU98108548A RU2172525C2 RU 2172525 C2 RU2172525 C2 RU 2172525C2 RU 98108548 A RU98108548 A RU 98108548A RU 98108548 A RU98108548 A RU 98108548A RU 2172525 C2 RU2172525 C2 RU 2172525C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
pump
generator
generators
pump generator
switches
Prior art date
Application number
RU98108548A
Other languages
English (en)
Other versions
RU98108548A (ru
Inventor
Джаханшир Дж. ДЖАВАНИФАРД
Керри Д. ТЕДРАУ
Дзин-Лиен ЛИН
Джеффри Дж. ИВРЕТТ
Грегори Э. ЭТВУД
Original Assignee
Интел Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Интел Корпорейшн filed Critical Интел Корпорейшн
Publication of RU98108548A publication Critical patent/RU98108548A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2172525C2 publication Critical patent/RU2172525C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/06—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0067—Converter structures employing plural converter units, other than for parallel operation of the units on a single load
    • H02M1/007—Plural converter units in cascade
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/285—Single converters with a plurality of output stages connected in parallel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом является обеспечение возможности получения различных уровней напряжения на выходе при заданном направлении источника питания на входе генератора накачки. Для этого генератор накачки по первому варианту содержит первый и второй генераторы накачки, первый и второй переключатели, а по второму варианту - первый генератор накачки и n генераторов накачки, n первых и n вторых переключателей. Запоминающее устройство по первому варианту содержит массив запоминающих элементов, первый и второй генераторы накачки и первый и второй переключатели, а по второму варианту - массив запоминающих элементов и генератор накачки с изменяемым количеством ступеней. 4 с. и 14 з.п.ф-лы, 2 ил., 3 табл.

Description

Настоящее изобретение относится к генераторам накачки. Более конкретно настоящее изобретение относится к предложению генератора накачки, который, в отличие от постоянного количества ступеней, имеет изменяемое количество ступеней, зависящее от уровня питания генератора накачки на входе и нужного уровня мощности на выходе генератора накачки.
Предпосылки к созданию изобретения
В настоящее время в электронной промышленности наблюдается тенденция к снижению потребностей интегральных схем в энергии. Для того, чтобы уменьшить потребление энергии, конструируются интегральные схемы, работающие на источниках питания с более низким напряжением, например 3,3 В вместо 5 В.
Однако для многих операций требуется напряжение, превышающее то, которое могут обеспечить низковольтные источники питания. Так, например, импульсное электрически стираемое программируемое ПЗУ (импульсное ЭСППЗУ) требует для операций стирания и программирования приблизительно 12 В.
Технология применения генератора накачки позволяет генерировать напряжение, величина которого превышает напряжение источника питания. Применение схемы генератора накачки позволяет генерировать 12 В из 3,3 В за счет применения одной или нескольких ступеней генератора накачки.
В области электроники часто возникает необходимость в генерировании нескольких уровней напряжений на основании одного имеющегося напряжения источника питания. Так, например, запоминающая схема компьютера может требовать одного напряжения для считывания, другого напряжения для записи и третьего напряжения для стирания. С другой стороны, различные компоненты компьютера (такие как различные типы запоминающих устройств) могут иметь потребности в питании, отличающиеся между собой и от напряжения источника питания.
Другим фактором, который следует учитывать при конструировании интегральных схем, заключается в том, что хотя существующие тенденции могут указывать на приемлемый в целом переход на другой уровень источника питания, возможно наличие установившихся основ схемы, не готовых к изменениям. Так, например, при существующей тенденции к переходу на питание напряжением 3,3 В возможно наличие установившейся основы аппаратного обеспечения, нуждающейся в питании напряжением 5 В.
Один из применяемых до сих пор способов генерирования ряда более высоких напряжений на основе одного напряжения источника питания заключается в применении ряда схем генераторов накачки, каждая из которых имеет постоянное количество ступеней. Одним из недостатков этого способа является то, что каждая схема генератора накачки требует выделенного для нее пространства в интегральной схеме. Другой недостаток заключается в том, что может оказаться невозможным использовать интегральную схему поочередно с источником питания напряжением 3,3 В и источником питания напряжением 5 В без дополнительной внешней схемы.
Другой применяемый до сих пор способ генерирования ряда более высоких напряжений на основе одного напряжения источника питания заключается в применении одной схемы генератора накачки, в котором постоянное количество ступеней используется для генерирования уровня напряжения. Другие уровни напряжения получают путем применения вместе с единственным генератором накачки схемы делителя напряжения. Один из недостатков этого способа заключается в трате энергии на схему делителя напряжения. Другой недостаток заключается в том, что способ с постоянным количеством ступеней обычно заставляет жертвовать рабочими характеристиками при одном напряжении питания для того, чтобы подстроиться под другое напряжение питания.
Сущность и цели настоящего изобретения
Описан генератор накачки с изменяемым количеством ступеней. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней включает в себя первый и второй генераторы накачки. Первый переключатель соединяет выход первого генератора накачки со входом второго генератора накачки. Второй переключатель соединяет вход первого генератора накачки со входом второго генератора накачки. Когда первый переключатель находится в первом положении и второй переключатель находится во втором положении, первый и второй генераторы накачки соединяются с общим выходным узлом последовательно. Когда первый переключатель находится во втором положении, а второй переключатели находится в первом положении, первый и второй генераторы накачки соединяются с общим выходным узлом параллельно.
Одна из целей заключается в предложении генератора накачки, который может обеспечить получение различных уровней напряжения на выходе при заданном напряжении источника питания на входе генератора накачки.
Другая цель заключается в предложении генератора накачки, который может обеспечить получение заданного уровня напряжения на выходе при различных напряжениях источника питания на входе генератора накачки.
Другие цели, особенности и преимущества настоящего изобретения станут очевидными благодаря прилагаемым чертежам приведенному ниже подробному описанию.
Краткое описание чертежей
Настоящее изобретение проиллюстрировано в качестве примера, а не ограничивающих изобретение факторов, на прилагаемых чертежах, на которых одинаковыми позициями обозначены сходные элементы и на которых:
на фиг. 1 проиллюстрирован генератор накачки с изменяемым количеством ступеней;
на фиг. 2 проиллюстрирована схема, включающая в себя генераторы накачки с изменяемым количеством ступеней, предназначенные для питания массива импульсного запоминающего устройства.
Подробное описание
На фиг. 1 показан один вариант реализации генератора накачки с изменяемым количеством ступеней. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней 100 включает в себя несколько "звеньев" (например, 162, 164). Эти звенья соединяются с общей входной шиной 160 и общим выходным узлом 150. Каждое звено включает в себя генератор накачки. Так, например, звено 162 включает в себя генератор накачки 110, а звено 164 - генератор накачки 120. Каждый генератор накачки содержит одну или несколько постоянных ступеней. На фиг. 1 первый генератор накачки 110 состоит из последовательно соединенных ступеней 112 и 114 генератора накачки. Второй генератор накачки 120 состоит из последовательно соединенных ступеней 122 и 124 генератора накачки. Напряжение источника питания, Vpp, обеспечивает напряжение питания на общей входной шине 160.
Первый переключатель 130 определяет, является ли выход первого генератора накачки входом второго генератора накачки. Второй переключатель 131 используется для подсоединения входа второго генератора накачки к Vpp. С помощью переключателей 130 и 131 генераторы накачки 110 и 120 связываются последовательно или параллельно. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней 100 может также идентифицироваться выражением "генератор со ступенями X/Y". В этом случае "X" означает количество звеньев (и, следовательно, максимальное количество генераторов накачки с постоянным числом ступеней), которые могут быть соединены последовательно. "Y" означает максимальное количество ступеней, которые могут быть связаны последовательно между общей входной шиной и общим выходным узлом. В данном примере имеются два звена. Каждое звено состоит из генератора накачки с двумя ступенями. Таким образом, генератор накачки с изменяемым количеством ступеней 100 может обозначаться также как "генератор со ступенями 2/2". Генератор накачки со ступенями 2/2 может связать все четыре ступени последовательно, или же две последовательно соединенные ступени могут быть связаны параллельно с двумя другими последовательно соединенными ступенями.
Существуют четыре возможные комбинации положений переключателей 130 и 131 (два положения, умноженные на два переключателя). Слово "включен", применяемое в отношении переключателей 130 и 131, означает, что переключатели обеспечивают путь для тока. Слово "выключен", применяемое в отношении переключателей 130 и 131, означает, что переключатели размыкают цепь. Иными словами, переключатели не пропускают через себя значительного тока. В одном варианте реализации переключатели 130 и 131 выполнены из полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (МОП-транзисторов). Для того, чтобы гарантировать пропускание через МОП-транзисторы 130 и 131 широкого диапазона напряжений, в качестве контрольного напряжения для затвора МОП-транзистора используют VOUT на общем узле 150.
За счет выбора одной из четырех комбинаций положений можно варьировать количество ступеней и соединение ступеней генератора накачки между собой. В нижеследующей таблице указаны результаты, полученные при четырех комбинациях.
Из табл. 1 видно, что если оба переключатели выключены, генератор накачки 110 будет единственным генератором накачки, выдающим напряжение на узел 150. Таким образом, поскольку генератор накачки 110 является двухступенчатым генератором накачки, эффективным результатом такой конфигурации положений переключателей 130 и 131 будет двухступенчатый генератор накачки. Такая конфигурация может использоваться в режиме экономии энергии, если генератор накачки 100 иным образом обеспечивает достаточный выход по силе тока и напряжению.
Если переключатель 130 выключен, а переключатель 131 включен, генератор накачки 120 будет подсоединен таким образом, что генераторы накачки 110 и 120 подсоединены к общему выходному узлу параллельно. Поскольку и 110, и 120 являются двухступенчатыми генераторами накачки, это означает, что генератор накачки будет в действительности четырехступенчатым генератором накачки, состоящим из соединенных параллельно двух групп из двух ступеней каждая. При такой конфигурации генератор накачки 100 выдаст на узле 150 примерно такое же выходное напряжение. Поскольку 110 и 120 подсоединены параллельно, генератор накачки 100 сможет примерно вдвое увеличить силу тока по сравнению с тем вариантом, когда работает только генератор накачки 110.
Если переключатель 130 включен, а переключатель 131 выключен, генератор накачки 120 будет подсоединен таким образом, что генераторы накачки 110 и 120 оказываются подсоединены последовательно. Иными словами, входное напряжение генератора накачки 120 будет поступать с выхода генератора накачки 110. Поскольку и 110, и 120 являются двухступенчатыми генераторами накачки, это означает, что генератор накачки будет в действительности четырехступенчатым генератором накачки, состоящим из связанных последовательно всех четырех ступеней. При такой конфигурации генератор накачки 100 выдаст на узле 150 выходное напряжение, примерно вдвое превышающее напряжение в предыдущих двух случаях. Однако генератор накачки 100 сможет выдать силу тока, составляющую лишь половину силы тока, наблюдающейся в том случае, когда генераторы накачки 110 и 120 подсоединены параллельно.
В отношении четвертой конфигурации в табл. 1 указано "н.св". "Н. св" означает, что эта конфигурация не применима, поскольку она не должна использоваться. Если оба переключателя включены, первый генератор накачки окажется закороченным, поскольку его выход будет соединен с его входом и источником напряжения. Работа в таком режиме может оказаться вредной для схемы генератора накачки в данном варианте реализации и ее следует избегать.
На фиг. 1 показаны также n-канальные МОП-транзисторы 140 и 142. Транзисторы 140 и 142 соединены по схеме диода между выходами генераторов накачки 110 и 120, соответственно, и выходным узлом 150. Это не позволяет генераторам накачки закорачивать друг друга при последовательном соединении. Так, например, если переключатель 130 включен, а переключатель 131 выключен, генератор 120 без подключенного по схеме диода транзистора 140 окажется закорочен. Если транзистор 140 отсутствует, узел 144 будет соединен с узлом 150. Узел 144 будет также соединен со входом генератора накачки 120. Поскольку выход генератора накачки 120 связан с узлом 150, это приведет к связыванию выхода генератора накачки 120 со входом генератора накачки 120. Такая конфигурация сделает генератор накачки 120 неработоспособным, в связи с чем конфигурация с последовательным подсоединением не сможет быть получена.
При наличии транзистора 140, если напряжение на узле 150 превышает напряжение на узле 144, через транзистор 140 ток проходить не сможет. Такое положение складывается при последовательном соединении генераторов накачки. При последовательном соединении генераторов накачки 110 и 120 напряжение на узле 146 будет превышать напряжение на узле 144. Если напряжение на узле 146 превышает напряжение на узле 150 на величину порогового напряжения транзистора 142, транзистор 142 будет проводящим для того, чтобы передать напряжение, имеющееся на узле 146, на узел 150 (за вычетом порогового напряжения транзистора 142). Пока напряжение на узле 144 за вычетом порогового напряжения транзистора 140 не превышает текущего напряжения на узле 150, транзистор 140 не будет проводящим, и таким образом обеспечит стабильность конфигурации последовательного соединения генераторов накачки.
Применение МОП-транзисторов с низким пороговым напряжением помогает снизить падение напряжения на транзисторах 140 и 142, благодаря чему большая доля напряжения, созданного ступенями генератора накачки, достигнет выходного узла 150. Обычные пороговые значения напряжения для МОП-транзисторов с низким пороговым напряжением составляют менее 1 В, и обычно составляют от 0,4 до 0,7 В.
В одном альтернативном варианте реализации генератор накачки 100 является отрицательным генератором накачки, выдающим от Vpp напряжение ниже нуля. В таком случае ступени генератора 112, 114, 122 и 124 являются отрицательными генераторами накачки. Vpp может быть рабочим заземлением. Для правильного функционирования в данном варианте реализации транзисторы 140 и 142 являются p-канальными МОП-транзисторами.
В другом альтернативном варианте реализации генератор накачки с изменяемым количеством ступеней может быть изготовлен с n звеньев генераторов накачки, причем каждый генератор накачки имеет y ступеней. Таким образом, согласно определению, приведенному выше, генератор накачки с изменяемым количеством ступеней является генератором с "n/y" ступенями. Путем выбора подходящих подгрупп первых и вторых переключателей n генераторов накачки можно разделить на m групп по p генераторов накачки. Каждая группа является теперь генератором накачки с изменяемым количеством ступеней "p/y". Теперь можно получить разнообразные комбинации, поскольку группы могут соединяться последовательно или параллельно. Кроме того, последовательно или параллельно могут быть соединены звенья в каждой группе. Предположим, например, что генератор накачки с изменяемым количеством ступеней состоит из 12 звеньев. Каждое звено включает в себя один генератор накачки с постоянным количеством ступеней. Каждый генератор накачки с постоянным количеством ступеней содержит 2 последовательно соединенные ступени. Это генератор с 12/2 ступеней. Таким образом, 12 генераторов накачки, имеющих по две ступени, могут быть соединены параллельно, или же все 24 ступени могут быть соединены последовательно.
12 Звеньев могут, однако, быть сгруппированы в 4 группы по три звена. Таким образом, каждая группа является генератором с 3/2 ступеней. Это означает, что в пределах выделенной группы имеются две возможные комбинации. Или все шесть ступеней могут быть соединены последовательно, или три группы по две ступени могут быть соединены параллельно. Кроме того, четыре группы могут быть соединены параллельно или последовательно. Различные комбинации легче представить себе с использованием ряда условных изображений. Значки "S" и "P" указывают, соединены ли звенья в каждой группе последовательно или параллельно. Значки
Figure 00000002
и "-" обозначают параллельное или последовательное соединение соответственно.
Таким образом семью другими возможными комбинациями с использованием этих групп являются
Figure 00000003
, S-S-S-S, и P-P-P-P, S-P-P-P, S-S-P-P, S-S-S-P. Две комбинации (т. е.
Figure 00000004
S-S-S-S) излишни при комбинациях, которые можно получить без операции разделения звеньев на группы. Этот пример, однако, иллюстрирует, каким образом за счет раздельного контролирования подгрупп звеньев можно получить по меньшей мере пять дополнительных конфигураций обеспечения энергией.
В дополнение к этим различным конфигурациям можно выбрать для обеспечения питанием подгруппу из всех звеньев. Иными словами, путем отмены выбора звеньев с помощью соответствующих вторых переключателей (т.е. их выключения) в генераторе накачки с изменяемым количеством ступеней могут использоваться не все звенья. Этот прием может быть использован для экономии энергии вместо применения в находящейся под нагрузкой схеме (напр. схеме запоминающего устройства) всех ступеней и делителя напряжения или тока. Делители напряжения и тока имеют тенденцию к потреблению энергии и должны быть по возможности исключены для того, чтобы сэкономить энергию.
Теперь формулировка оговоренного наименования "X/Y" несколько меняется. Ранее "X" означало общее количество звеньев, а каждое звено рассматривалось как генератор накачки с постоянным количеством ступеней. Теперь, однако, очевидно, что при перестраивании групп звеньев каждая группа по существу становится генератором накачки с постоянным количеством ступеней. Поэтому теперь "X/Y" означает X соединенных параллельно групп генераторов накачки, причем каждый генератор накачки в соединенной параллельно группе содержит Y последовательно соединенных ступеней.
Конструирование генератора накачки с изменяемым количеством ступеней при нужном количестве ступеней позволяет получить схему генератора накачки, которая может обеспечить нужные напряжения для схемы запоминающего устройства вне зависимости от напряжения имеющегося источника питания. Так, например, если от генератора накачки требуется получить питание напряжением 6 и 12 В, конструктор может предложить управление переключателями, позволяющими включать и выключать ступени, или изменять порядок связывания ступеней с тем, чтобы обеспечить получение на выходе генератора накачки с изменяемым количеством ступеней нужного напряжения вне зависимости от напряжения на входе. Управление переключателями должно определяться величиной напряжения имеющегося источника питания, Vpp, и требующимся напряжением на выходе генератора накачки с изменяемым количеством ступеней. Обычно напряжение, которое дает генератор накачки с изменяемым количеством ступеней, должно быть больше напряжения, требующегося для питания схемы, поскольку при регулировании выхода генератора накачки с изменяемым количеством ступеней возможны некоторые потери.
В одном варианте реализации генератор накачки с изменяемым количеством ступеней может быть использован для выдачи различных уровней напряжения, требующихся для массива импульсного запоминающего устройства. Массив импульсного запоминающего устройства состоит из запоминающих элементов, включающих полевые транзисторы с плавающим затвором. Эти транзисторы можно запрограммировать путем изменения заряда, содержащегося на плавающем затворе, а состояние (запрограммирован или стерт) можно определить путем опроса элементов. Для различных режимов работы импульсные запоминающие элементы нуждаются, в различных уровнях напряжения. Генератор (или генераторы) накачки с изменяемым количеством ступеней может выдать нужное напряжение питания для каждого режима работы массива импульсного запоминающего устройства. К этим режимам относятся считывание, программирование и стирание.
Обычно массив импульсного запоминающего устройства подразделяется на блоки, и при режиме стирания происходит стирание одного или нескольких блоков запоминающих элементов. Стирание импульсного запоминающего элемента осуществляется путем удаления с плавающего затвора избыточного заряда. Обычный способ стирания всех элементов в блоке импульсного запоминающего устройства требует подачи напряжения 12 В на выводы всех запоминающих элементов в блоке со стороны истока, в то время как выводы со стороны стока остаются плавающими, а выводы затвора замкнуты на землю.
Импульсные запоминающие элементы программируют путем размещения на плавающем затворе избытка зарядов с целью увеличения порогового напряжения импульсного запоминающего элемента. Обычно программирование осуществляют путем приложения напряжения, равного приблизительно 11-12 В, к затвору, 6-7 В к стоку и заземлением вывода со стороны истока таким образом, что электроны попадают на плавающий затвор путем инжекции горячих электронов.
Считывание импульсных запоминающих элементов осуществляется путем приложения к затвору импульсного запоминающего элемента постоянного напряжения с целью определить, находится ли импульсный запоминающий элемент в запрограммированном или стертом состоянии. При этом происходит распознавание в импульсном запоминающем элементе тока между стоком и истоком IDS. Считывание импульсного запоминающего элемента обычно требует приложения напряжения 5 В к затвору, 1 В к стоку и заземления вывода со стороны истока.
Таким образом, типичные уровни напряжения, требующиеся для применения с импульсным запоминающим устройством, равны 5 В для режима считывания и 6 и 12 В для режимов программирования и стирания. В одном из вариантов реализации питание для импульсного запоминающего устройства дают два источника. Эти источники включают линию Vсс и линию Vpp. Линия Vсс является первичным источником питания импульсного устройства. Дополнительное напряжение, которое обеспечивает питающая линия, Vpp, обычно требуется только в режиме записи или стирания в запоминающем устройстве, поскольку при этих операциях требуется более высокое напряжение. В одном варианте реализации Vсс составляет приблизительно 5 В. Однако Vpp может равняться 3,3, 5 или 12 В.
Хотя распространенным стандартным значением Vpp является напряжение 5 В, все большее распространение находит напряжение 3,3 В. Генераторы накачки с изменяемым количеством ступеней могут быть включены в импульсное запоминающее устройство с целью упрощения внешней схемы. Однако для максимизации полезности системы импульсного запоминающего устройства генератор накачки с изменяемым количеством ступеней должен быть способен генерировать приблизительно 5 В, 9 В и 12 В при напряжении источника питания или 3,3 В, или 5 В.
На фиг. 2 показана схема питания импульсного запоминающего устройства, включающая генераторы накачки с изменяемым количеством ступеней для получения напряжения 5 В, 9 В и 12 В при напряжении источника питания или 3,3 В, или 5 В. Генераторы накачки с изменяемым количеством ступеней предназначены для превышения номинальных требующихся напряжений, поскольку их вывод направлен на регулятор напряжения. Кроме того, разумные допуски на питание обычно требуют, чтобы схема функционировала должным образом, когда входное напряжение остается в заданных рамках отклонений от номинального значения (напр. 10%). Это означает, что напряжение на выходе генераторов накачки должно зависеть от входных напряжений Vpp, равных 3,3 В ± 10% или 5 В ± 10%. Если значение Vpp ниже номинального на 10%, то это означает, что импульсная схема питания должна обеспечить нужные уровни напряжения и силы тока для импульсных массивов при напряжении источника питания Vpp, равном приблизительно 3,0 В или 4,5 В.
В этом варианте реализации два генератора накачки (210, 220) используются для повышения напряжений внутренних узлов до различных уровней напряжений при режиме считывания (генераторы накачки 5 В), режиме программирования (генераторы накачки 12 В и 9 В) и режиме стирания (12 В и 9 В). При режиме считывания, когда Vcc = 3,3 В, эквивалентные ему значения должны быть доведены до 5 В. Конфигурация генераторов накачки изменяется в зависимости от Vpp (т.е. 3,3 или 5 В) и режима работы импульсного запоминающего устройства (напр. режима программирования или стирания).
Управление ступенями генераторов накачки 210 и 220 с изменяемым количеством ступеней определяется режимом работы (стирание, считывание или программирование) и уровнем Vpp. Детекторы уровня 230, 231 и 232 определяют уровни Vpp и Vcc. Детектор 230 Vpp 5/12 В применяется для того, чтобы определить, составляет ли напряжение 5 В или 12 В. Детектор 230 показывает Vpp, равное приблизительно 12 В. Генератор накачки 220 с изменяемым количеством ступеней является генератором накачки с изменяемым количеством ступеней сильного тока, применяемым при операциях считывания, программирования и стирания. Генератор накачки 210 с изменяемым количеством ступеней является генератором накачки с изменяемым количеством ступеней слабого тока, применяемым в дополнение к генератору накачки 220 только во время операций программирования и стирания. Выход детекторов Vpp выведен на схему 290, предназначенную для выбора подходящих алгоритмов стирания и программирования для различных уровней Vpp. Эти алгоритмы могут варьироваться в зависимости от Vpp и Vcc. Схема 290 управляет соответствующими переключателями (напр. переключателем 274) в соответствии с алгоритмами стирания и программирования. Эти переключатели применяются, например, для управления питанием генераторов накачки 210 и 220 и для выбора подходящего источника питания для подачи на массив импульсного запоминающего устройства по линиям 260 и 264.
Питание массива импульсного запоминающего устройства осуществляется по линиям 260, и 262, и 264. Линия 260 передает или Vpp с площадки Vpp 295, или 12 В с генераторов накачки 210 и 220 на затворы импульсных элементов. Линия 264 подает нужное напряжение на стоки и истоки во время операций по программированию и стиранию. Линия 262 подает или 5 В от генератора накачки 220, или Vcc на импульсное запоминающее устройство. Линия 282 используется для включения или выключения детектора Vcc 232.
Генераторы, управляемые напряжением (ГУН) 240 и 241, применяются для привода взаимодействующих с ними генераторов 210 и 220 соответственно. VREF используется генерирования опорного напряжения ГУН. Опорное напряжение и обратная связь с выходом генераторов накачки применяются в ГУН в качестве управляющих напряжений для того, чтобы способствовать управлению напряжением на выходе генераторов накачки 210 и 220. ГУН 242 служит резервным ГУН, когда запоминающее устройство находится в режиме хранения. В режиме хранения импульсное запоминающее устройство нуждается в гораздо меньшем токе.
Генераторы накачки с изменяемых количеством ступеней сильного и слабого тока изменяют свою конфигурацию в зависимости от режима работы и номинально установленных значений Vpp (т.е. 3,3 или 5 В). В табл. 2 показаны конфигурации генератора накачки 220 с изменяемым количеством ступеней при различных значениях Vpp и режимах работы.
В табл. 3 показаны конфигурации генератора накачки 210 с изменяемым количеством ступеней при различных значениях Vpp и режимах работы.
Таким образом, в варианте реализации, проиллюстрированном на фиг. 2, в случае, если Vpp имеет номинальное значение 5 В, генератор накачки 210 с изменяемым количеством ступеней (генератор сильного тока) конфигурирован таким образом, чтобы содержать 18 групп ступеней, соединенных параллельно, причем каждая группа при режимах программирования, сличения и стирания содержит 3 соединенных последовательно ступени.
В режиме считывания генератор накачки 220 с изменяемым количеством ступеней не используется и может быть выключен. При операции считывания Vpp может иметь нулевое значение. Следовательно, если потребуется генератор накачки 220 сильного тока, в режиме считывания он будет получать питание вместо Vpp от Vcc. Если Vcc ниже 4,0 В, (при определении детектором 3/5 В 232), то для получения напряжения 5 В для достижения эквивалентности (т.е. затворов на импульсных запоминающих элементах) на линии 262 требуется генератор накачки 220 сильного тока. В таком случае генератор накачки 220 в этом варианте реализации имеет конфигурацию 18/3. В противном случае достаточным считается Vcc и линия 262 включается для подвода эквивалентного напряжения от Vcc вместо генератора накачки 220 (который можно отключить, поскольку он больше не требуется).
В отношении вариантов реализации, приведенных выше и относящихся к массиву импульсного запоминающего устройства, то схема генератора накачки с изменяемым количеством ступеней может быть изготовлена в составе того же блока, что и массив импульсного запоминающего устройства. С другой стороны, схема генератора накачки с изменяемым количеством ступеней может быть расположена вне блока массива импульсного запоминающего устройства.
В приведенном выше подробном описании изобретение описано со ссылкой на конкретные примеры его реализации. Очевидно, однако, что можно внести в него различные модификации и изменения, не отступая от более широких рамок и существа изобретения, изложенных в. формуле изобретения. Описание и чертежи следует в соответствии с этим рассматривать в смысле иллюстративном, а не ограничительном.

Claims (18)

1. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней, имеющий первый генератор накачки и второй генератор накачки, отличающийся тем, что содержит первый переключатель, связывающий выход первого генератора накачки со входом второго генератора накачки, и второй переключатель, связывающий вход первого генератора накачки со входом второго генератора накачки, при этом первый и второй генераторы накачки связаны последовательно с общим выходным узлом при нахождении первого переключателя в первом положении и второго переключателя во втором положении, первый и второй генераторы накачки связаны параллельно с общим выходным узлом при нахождении первого переключателя во втором положении и второго переключателя в первом положении.
2. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней по п.1, отличающийся тем, что упомянутые связи первого и второго генераторов накачки с общим выходным узлом осуществлены соответственно через включенные по схеме диода первый и второй полевые транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник.
3. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней по п.1, отличающийся тем, что первый и второй переключатели содержат также транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник с низким пороговым напряжением.
4. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один из первого и второго генераторов накачки включает в себя множество ступеней, связанных последовательно.
5. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней, имеющий первый генератор накачки и n генераторов накачки, причем n больше единицы, отличающийся тем, что содержит n первых переключателей, каждый из n-1 первых переключателей связывает вход одного из n-1 генераторов накачки с выходом предшествующего генератора накачки из n генераторов накачки, причем один из первых переключателей связывает вход одного из n генераторов накачки с выходом первого генератора накачки, n вторых переключателей, каждый из которых связывает вход одного из n генераторов накачки со входом первого генератора накачки, при этом упомянутые генераторы накачки связаны последовательно с общим выходным узлом при нахождении всех первых переключателей в первом положении и вторых переключателей во втором положении, и упомянутые генераторы накачки связаны параллельно с общим выходным узлом при нахождении всех первых переключателей во втором положении и всех вторых переключателей в первом положении.
6. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней по п.5, отличающийся тем, что указанные связи упомянутых генераторов накачки с общим выходным узлом осуществлены через соответствующий включенный по схеме диода полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник.
7. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней по п.5, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один из упомянутых переключателей содержит также транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник с низким пороговым напряжением.
8. Генератор накачки с изменяемым количеством ступеней по п.5, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один из n генераторов накачки включает в себя множество ступеней, связанных последовательно.
9. Запоминающее устройство, имеющее массив запоминающих элементов и генератор накачки с изменяемым количеством ступеней, имеющий первый генератор накачки и второй генератор накачки, отличающееся тем, что генератор накачки с изменяемым количеством ступеней содержит первый переключатель, связывающий выход первого генератора накачки со входом второго генератора накачки, и второй переключатель, связывающий вход первого генератора накачки со входом второго генератора накачки, при этом первый и второй генераторы накачки связаны последовательно с выбранными запоминающими элементами массива запоминающих элементов при нахождении первого переключателя в первом положении и второго переключателя во втором положении, первый и второй генераторы накачки связаны параллельно с выбранными запоминающими элементами массива запоминающих элементов при нахождении первого переключателя во втором положении и второго переключателя в первом положении.
10. Запоминающее устройство по п.9, отличающееся тем, что массив запоминающих элементов включает в себя энергонезависимые запоминающие элементы, представляющие собой полевые транзисторы с плавающим затвором.
11. Запоминающее устройство по п.10, отличающееся тем, что упомянутые связи первого и второго генераторов накачки с выбранными запоминающими элементами массива запоминающих элементов осуществлены соответственно через включенные по схеме диода первый и второй полевые транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник.
12. Запоминающее устройство по п. 10, отличающееся тем, что первый и второй переключатели содержат также транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник с низким пороговым напряжением.
13. Запоминающее устройство по п.10, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один из первого и второго генераторов накачки включает в себя множество ступеней, связанных последовательно.
14. Запоминающее устройство, имеющее массив запоминающих элементов и генератор накачки с изменяемым количеством ступеней, имеющий первый генератор накачки и n генераторов накачки, причем n больше единицы, отличающееся тем, что генератор накачки с изменяемым количеством ступеней содержит n первых переключателей, каждый из которых соединен с одним из n генераторов накачки, при этом каждый из n-1 первых переключателей связывает вход одного из n-1 генераторов накачки с выходом предшествующего генератора накачки из n генераторов накачки, один из первых переключателей связывает вход одного из n генераторов накачки с выходом первого генератора накачки, и n вторых переключателей, каждый из которых связывает вход одного из n генераторов накачки со входом первого генератора накачки, при этом первый генератор накачки и генератор накачки из n генераторов накачки связаны последовательно с выбранными запоминающими элементами массива запоминающих элементов при нахождении соответствующего первого переключателя в первом положении и соответствующего второго переключателя во втором положении, первый генератор накачки и генератор накачки из n генераторов накачки связаны параллельно с выбранными запоминающими элементами массива запоминающих элементов при нахождении соответствующего первого переключателя во втором положении и соответствующего второго переключателя в первом положении.
15. Запоминающее устройство по п.14, отличающееся тем, что массив запоминающих элементов включает в себя энергонезависимые запоминающие элементы, представляющие собой полевые транзисторы с плавающим затвором.
16. Запоминающее устройство по п.15, отличающееся тем, что указанные связи упомянутых генераторов накачки с выбранными запоминающими элементами массива запоминающих элементов осуществлены через соответствующий включенный по схеме диода полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник.
17. Запоминающее устройство по п.15, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один из n первых и вторых переключателей содержит также транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник с низким пороговым напряжением.
18. Запоминающее устройство по п.15, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один из n+1 генераторов накачки включает в себя множество ступеней, связанных последовательно.
RU98108548A 1995-09-29 1996-09-30 Генератор накачки с изменяемым числом ступеней RU2172525C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/537,233 1995-09-29
US08/537,233 US5602794A (en) 1995-09-29 1995-09-29 Variable stage charge pump
PCT/US1996/015753 WO1997012369A1 (en) 1995-09-29 1996-09-30 Variable stage charge pump

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98108548A RU98108548A (ru) 2000-02-20
RU2172525C2 true RU2172525C2 (ru) 2001-08-20

Family

ID=24141785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98108548A RU2172525C2 (ru) 1995-09-29 1996-09-30 Генератор накачки с изменяемым числом ступеней

Country Status (9)

Country Link
US (4) US5602794A (ru)
EP (1) EP0852799B1 (ru)
JP (1) JP3766101B2 (ru)
KR (1) KR100297679B1 (ru)
AU (1) AU7251996A (ru)
DE (1) DE69620774T2 (ru)
HK (1) HK1015520A1 (ru)
RU (1) RU2172525C2 (ru)
WO (1) WO1997012369A1 (ru)

Families Citing this family (171)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0151032B1 (ko) * 1995-04-24 1999-01-15 김광호 패키지 레벨 직류전압 테스트가 가능한 반도체 메모리장치
US5602794A (en) * 1995-09-29 1997-02-11 Intel Corporation Variable stage charge pump
US5914589A (en) * 1996-09-04 1999-06-22 Stmicroelectronics, S.R.L. Voltage boosting circuit for high-potential-side MOS switching transistor
KR100246781B1 (ko) * 1996-12-28 2000-03-15 김영환 플래쉬 메모리 셀의 읽기 방법 및 읽기 전압 발생 회로
TW404063B (en) * 1997-02-27 2000-09-01 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit apparatus and semiconductor memory apparatus
JPH10247386A (ja) * 1997-03-03 1998-09-14 Mitsubishi Electric Corp 昇圧電位供給回路及び半導体記憶装置
JPH10289574A (ja) * 1997-04-10 1998-10-27 Fujitsu Ltd 電圧発生回路を有した半導体装置
FR2762457B1 (fr) * 1997-04-16 1999-05-28 Sgs Thomson Microelectronics Circuit generateur de tension du type pompe de charge
KR100264959B1 (ko) * 1997-04-30 2000-10-02 윤종용 반도체 장치의 고전압발생회로
WO1998054727A2 (en) 1997-05-30 1998-12-03 Micron Technology, Inc. 256 Meg DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
US6594168B2 (en) 1997-05-30 2003-07-15 Micron Technology, Inc. 256 Meg dynamic random access memory
US6194929B1 (en) * 1997-06-25 2001-02-27 Sun Microsystems, Inc. Delay locking using multiple control signals
JP3090097B2 (ja) * 1997-06-30 2000-09-18 日本電気株式会社 昇圧回路及びその制御方法
US6023187A (en) * 1997-12-23 2000-02-08 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Voltage pump for integrated circuit and operating method thereof
US6232826B1 (en) * 1998-01-12 2001-05-15 Intel Corporation Charge pump avoiding gain degradation due to the body effect
ITTO980077A1 (it) * 1998-01-30 1999-07-30 Sgs Thomson Microelectronics Architettura di pompe ad alta tensione per dispositivi elettronici integrati
KR100300034B1 (ko) * 1998-02-07 2001-09-06 김영환 반도체소자의기판전압인가회로
JP3223504B2 (ja) * 1998-03-31 2001-10-29 日本電気株式会社 昇圧回路
US6150835A (en) * 1998-05-08 2000-11-21 Intel Corporation Method and apparatus for fast production programming and low-voltage in-system writes for programmable logic device
KR100279296B1 (ko) * 1998-06-09 2001-01-15 윤종용 승압 전압 발생 회로
US6172553B1 (en) 1998-06-25 2001-01-09 Cypress Semiconductor Corp. High voltage steering network for EEPROM/FLASH memory
US6166982A (en) * 1998-06-25 2000-12-26 Cypress Semiconductor Corp. High voltage switch for eeprom/flash memories
US6094095A (en) * 1998-06-29 2000-07-25 Cypress Semiconductor Corp. Efficient pump for generating voltages above and/or below operating voltages
EP1783778A1 (en) * 1998-06-30 2007-05-09 SanDisk Corporation Semiconductor memory circuit with internal voltage generation according to externally applied voltage
US6208542B1 (en) 1998-06-30 2001-03-27 Sandisk Corporation Techniques for storing digital data in an analog or multilevel memory
US6160440A (en) * 1998-09-25 2000-12-12 Intel Corporation Scaleable charge pump for use with a low voltage power supply
KR100293637B1 (ko) * 1998-10-27 2001-07-12 박종섭 드레인 전압 펌핑 회로
JP3430050B2 (ja) * 1998-12-28 2003-07-28 日本電気株式会社 半導体記憶装置およびその駆動方法
US6188274B1 (en) 1999-06-04 2001-02-13 Sharp Laboratories Of America, Inc. Bootstrap capacitor power supply for low voltage mobile communications power amplifier
IT1308744B1 (it) * 1999-06-22 2002-01-10 Cselt Centro Studi Lab Telecom Pompa di corrente per circuiti ad aggancio di fase integrati.
KR100308502B1 (ko) * 1999-06-29 2001-11-01 박종섭 고전압 발생장치
US6359947B1 (en) 1999-08-31 2002-03-19 Intel Corporation Split clock buffers for a negative charge pump
JP3910765B2 (ja) * 1999-09-08 2007-04-25 株式会社東芝 電圧発生回路及びこれを用いた電圧転送回路
JP2001145335A (ja) * 1999-11-11 2001-05-25 Nec Corp 昇圧回路
US6275096B1 (en) * 1999-12-14 2001-08-14 International Business Machines Corporation Charge pump system having multiple independently activated charge pumps and corresponding method
CA2395337C (en) * 1999-12-30 2009-05-19 Ge Harris Railway Electronics, Llc Vital "and" gate apparatus and method
JP3835968B2 (ja) 2000-03-06 2006-10-18 松下電器産業株式会社 半導体集積回路
JP2002032987A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Mitsubishi Electric Corp 内部電圧発生回路
US6337595B1 (en) * 2000-07-28 2002-01-08 International Business Machines Corporation Low-power DC voltage generator system
US6525949B1 (en) 2000-12-22 2003-02-25 Matrix Semiconductor, Inc. Charge pump circuit
US6369642B1 (en) * 2000-12-26 2002-04-09 Intel Corporation Output switch for charge pump reconfiguration
JP2002238243A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Seiko Epson Corp Ｄｃ／ｄｃコンバータおよび液晶用電源装置
US6486728B2 (en) 2001-03-16 2002-11-26 Matrix Semiconductor, Inc. Multi-stage charge pump
US6927441B2 (en) * 2001-03-20 2005-08-09 Stmicroelectronics S.R.L. Variable stage charge pump
DE50113564D1 (de) * 2001-05-28 2008-03-20 Infineon Technologies Ag Ladungspumpenschaltung und Verwendung einer Ladungspumpenschaltung
US6570807B2 (en) * 2001-08-22 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Intermediate boosted array voltage
KR100404001B1 (ko) * 2001-12-29 2003-11-05 주식회사 하이닉스반도체 차지 펌프 회로
US6605984B2 (en) 2002-01-02 2003-08-12 Intel Corporation Charge pump ripple reduction
US6836176B2 (en) * 2002-01-02 2004-12-28 Intel Corporation Charge pump ripple reduction
US20030123299A1 (en) * 2002-01-02 2003-07-03 Annavajjhala Ravi P. Protection circuit
US7114084B2 (en) * 2002-03-06 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Data controlled programmable power supply
KR100422453B1 (ko) * 2002-05-17 2004-03-11 주식회사 하이닉스반도체 부스트 회로
KR100465068B1 (ko) * 2002-06-29 2005-01-06 주식회사 하이닉스반도체 펌핑 회로
KR100495854B1 (ko) * 2002-07-11 2005-06-16 주식회사 하이닉스반도체 부스팅 회로
US6937517B2 (en) * 2002-07-18 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Clock regulation scheme for varying loads
US6566847B1 (en) 2002-07-29 2003-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Low power charge pump regulating circuit
ITMI20021902A1 (it) * 2002-09-06 2004-03-07 Atmel Corp Architettura di pompa di carica modulare
US6965263B2 (en) * 2002-10-10 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Bulk node biasing method and apparatus
ITMI20022268A1 (it) * 2002-10-25 2004-04-26 Atmel Corp Circuito pompa di cariche variabile con carico dinamico
JP2004348806A (ja) * 2003-03-26 2004-12-09 Sharp Corp 半導体記憶装置およびそれを備えた携帯電子機器
US6798275B1 (en) * 2003-04-03 2004-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Fast, accurate and low power supply voltage booster using A/D converter
US6856556B1 (en) 2003-04-03 2005-02-15 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with embedded circuit for protecting against anomalies in power signal from host
US6891764B2 (en) * 2003-04-11 2005-05-10 Intel Corporation Apparatus and method to read a nonvolatile memory
JP4124692B2 (ja) 2003-04-25 2008-07-23 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US7023260B2 (en) * 2003-06-30 2006-04-04 Matrix Semiconductor, Inc. Charge pump circuit incorporating corresponding parallel charge pump stages and method therefor
KR100536603B1 (ko) * 2003-07-10 2005-12-14 삼성전자주식회사 선택 모드를 갖는 전하 펌프 회로
FR2858725B1 (fr) * 2003-08-06 2005-10-07 St Microelectronics Sa Dispositif autoreparable pour generer une haute tension, et procede de reparation d'un dispositif pour generer une haute tension.
US7645932B2 (en) * 2003-09-10 2010-01-12 Ixys Corporation Solar cell device having a charge pump
US6980045B1 (en) 2003-12-05 2005-12-27 Xilinx, Inc. Merged charge pump
KR100572323B1 (ko) * 2003-12-11 2006-04-19 삼성전자주식회사 멀티레벨 고전압 발생장치
JP4492935B2 (ja) * 2004-03-08 2010-06-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 昇圧回路および昇圧回路を備えた半導体装置
US7068094B1 (en) * 2004-03-16 2006-06-27 Marvell International Ltd. Charge-pump current source
JP2005267734A (ja) 2004-03-18 2005-09-29 Renesas Technology Corp 昇圧回路及びそれを用いた不揮発性メモリ
JP2005267821A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
US7450987B2 (en) * 2004-04-12 2008-11-11 Advanced Neuromodulation Systems, Inc. Systems and methods for precharging circuitry for pulse generation
US9533164B2 (en) * 2004-04-12 2017-01-03 Advanced Neuromodulation Systems, Inc. Method for providing multiple voltage levels during pulse generation and implantable pulse generating employing the same
CA2564473A1 (en) * 2004-05-19 2005-11-24 Baolab Microsystems S.L. Regulator circuit and corresponding uses
TWI261407B (en) * 2004-08-03 2006-09-01 Ememory Technology Inc Charge pump circuit
US7149132B2 (en) * 2004-09-24 2006-12-12 Ovonyx, Inc. Biasing circuit for use in a non-volatile memory device
US7595682B2 (en) * 2005-02-24 2009-09-29 Macronix International Co., Ltd. Multi-stage charge pump without threshold drop with frequency modulation between embedded mode operations
US20060250177A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Thorp Tyler J Methods and apparatus for dynamically reconfiguring a charge pump during output transients
KR100739241B1 (ko) * 2005-06-24 2007-07-12 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리 장치의 블록 워드라인 프리챠지 회로
US20060289107A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Dominick Summa Wallpaper border holder/positioning device
ITVA20060011A1 (it) * 2006-02-22 2007-08-23 St Microelectronics Srl Dispositivo di memoria e relativo metodo di controllo
DE602006005077D1 (de) 2006-07-27 2009-03-19 Hynix Semiconductor Inc Netzspannungsverteilungssystem mit vermindertem Widerstand für Halbleiterbauelemente
US8022739B2 (en) * 2006-09-07 2011-09-20 Agency For Science, Technology And Research Charge pump circuit
KR100809071B1 (ko) * 2006-09-25 2008-03-03 삼성전자주식회사 고전압 발생 회로를 구비하는 반도체 장치 및 그 전압 발생방법
KR100809072B1 (ko) * 2006-09-28 2008-03-03 삼성전자주식회사 고전압 발생 회로를 구비하는 반도체 장치 및 그 전압 발생방법
JP4873552B2 (ja) * 2006-10-20 2012-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 昇圧電源回路
US7579902B2 (en) * 2006-12-11 2009-08-25 Atmel Corporation Charge pump for generation of multiple output-voltage levels
US7477093B2 (en) * 2006-12-31 2009-01-13 Sandisk 3D Llc Multiple polarity reversible charge pump circuit
KR20090109547A (ko) * 2006-12-31 2009-10-20 쌘디스크 3디 엘엘씨 다중 극성의 반전 가능 전하 펌프 회로 및 관련 방법
US7495500B2 (en) * 2006-12-31 2009-02-24 Sandisk 3D Llc Method for using a multiple polarity reversible charge pump circuit
WO2008086396A2 (en) * 2007-01-09 2008-07-17 Power Monitors Inc. Method and apparatus for smart circuit breaker
KR100877623B1 (ko) * 2007-02-12 2009-01-09 삼성전자주식회사 피크 전류와 전원 노이즈를 감소시키기 위한 고전압발생회로와 그 방법
US7639540B2 (en) * 2007-02-16 2009-12-29 Mosaid Technologies Incorporated Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies
KR100866965B1 (ko) * 2007-05-02 2008-11-05 삼성전자주식회사 차지 펌프 회로 및 그 제어 방법
US7859240B1 (en) 2007-05-22 2010-12-28 Cypress Semiconductor Corporation Circuit and method for preventing reverse current flow into a voltage regulator from an output thereof
US20090027190A1 (en) * 2007-07-25 2009-01-29 Power Monitors, Inc. Method and apparatus for a low-power radio broadcast alert for monitoring systems
US7724603B2 (en) * 2007-08-03 2010-05-25 Freescale Semiconductor, Inc. Method and circuit for preventing high voltage memory disturb
US20090051414A1 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Per Olaf Pahr Dual conversion rate voltage booster apparatus and method
US20090072891A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 Srinivas Perisetty Varactor-based charge pump
US7570105B1 (en) * 2007-10-04 2009-08-04 Altera Corporation Variable current charge pump with modular switch circuit
US7889523B2 (en) * 2007-10-10 2011-02-15 Freescale Semiconductor, Inc. Variable load, variable output charge-based voltage multipliers
US7839689B2 (en) * 2008-01-31 2010-11-23 Mosaid Technologies Incorporated Power supplies in flash memory devices and systems
US7795827B2 (en) * 2008-03-03 2010-09-14 Young-Chun Jeung Control system for controlling motors for heating, ventilation and air conditioning or pump
US9202383B2 (en) * 2008-03-04 2015-12-01 Power Monitors, Inc. Method and apparatus for a voice-prompted electrical hookup
US7733712B1 (en) 2008-05-20 2010-06-08 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with embedded circuit for protecting against anomalies in power signal from host
US7969235B2 (en) * 2008-06-09 2011-06-28 Sandisk Corporation Self-adaptive multi-stage charge pump
US8710907B2 (en) * 2008-06-24 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Clock generator circuit for a charge pump
US7894285B2 (en) * 2008-11-13 2011-02-22 Micron Technology, Inc. Circuits, systems, and methods for reducing simultaneous switching output noise, power noise, or combinations thereof
JP5259505B2 (ja) * 2009-06-26 2013-08-07 株式会社東芝 半導体記憶装置
US8339183B2 (en) * 2009-07-24 2012-12-25 Sandisk Technologies Inc. Charge pump with reduced energy consumption through charge sharing and clock boosting suitable for high voltage word line in flash memories
US8013666B1 (en) * 2009-07-31 2011-09-06 Altera Corporation Low ripple charge pump
US8847671B2 (en) * 2009-09-01 2014-09-30 Aptus Power Semiconductor Methods and circuits for a low input voltage charge pump
US8773108B2 (en) * 2009-11-10 2014-07-08 Power Monitors, Inc. System, method, and apparatus for a safe powerline communications instrumentation front-end
US20110133820A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-09 Feng Pan Multi-Stage Charge Pump with Variable Number of Boosting Stages
US20110148509A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Feng Pan Techniques to Reduce Charge Pump Overshoot
JP2011138214A (ja) * 2009-12-25 2011-07-14 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JP2011222081A (ja) * 2010-04-09 2011-11-04 Toshiba Corp 半導体記憶装置
EP2413105B1 (en) 2010-07-29 2017-07-05 Power Monitors, Inc. Method and apparatus for a demand management monitoring system
US10060957B2 (en) 2010-07-29 2018-08-28 Power Monitors, Inc. Method and apparatus for a cloud-based power quality monitor
US20120026802A1 (en) * 2010-07-30 2012-02-02 Emanuele Confalonieri Managed hybrid memory with adaptive power supply
CN101944846B (zh) * 2010-09-07 2012-10-17 苏州思瑞浦微电子科技有限公司 一种0.75倍电荷泵电路
KR101666551B1 (ko) 2010-09-10 2016-10-25 삼성전자주식회사 전압 발생기, 그것을 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 전압 발생 방법
JP2012095457A (ja) * 2010-10-27 2012-05-17 Hitachi Koki Co Ltd 電源装置及びその電源装置を備えた電動工具
JP5087670B2 (ja) 2010-11-01 2012-12-05 株式会社東芝 電圧発生回路
US8294509B2 (en) 2010-12-20 2012-10-23 Sandisk Technologies Inc. Charge pump systems with reduction in inefficiencies due to charge sharing between capacitances
US8339185B2 (en) 2010-12-20 2012-12-25 Sandisk 3D Llc Charge pump system that dynamically selects number of active stages
US8847911B2 (en) 2011-04-05 2014-09-30 Cypress Semiconductor Corporation Circuit to provide signal to sense array
US8848476B2 (en) * 2011-05-11 2014-09-30 Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Flash memory device and associated charge pump circuit
KR20130022743A (ko) * 2011-08-26 2013-03-07 에스케이하이닉스 주식회사 고전압 생성회로 및 이를 구비한 반도체 장치
US8699247B2 (en) 2011-09-09 2014-04-15 Sandisk Technologies Inc. Charge pump system dynamically reconfigurable for read and program
US8400212B1 (en) 2011-09-22 2013-03-19 Sandisk Technologies Inc. High voltage charge pump regulation system with fine step adjustment
US8514628B2 (en) 2011-09-22 2013-08-20 Sandisk Technologies Inc. Dynamic switching approach to reduce area and power consumption of high voltage charge pumps
US8767354B1 (en) 2011-12-08 2014-07-01 Western Digital Technologies, Inc. Data storage device employing cascaded voltage regulators during power failure
US9093105B2 (en) 2011-12-09 2015-07-28 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive charging capacitor using motor supply voltage during power failure
GB2499653B (en) 2012-02-24 2014-01-29 Toshiba Res Europ Ltd Multilevel power supply
US8724422B1 (en) 2012-02-29 2014-05-13 Western Digital Technologies, Inc. System and method for charging back-up charge storage element for data storage device using spindle phase switching elements
US8384467B1 (en) * 2012-03-22 2013-02-26 Cypress Semiconductor Corporation Reconfigurable charge pump
US9195255B1 (en) 2012-03-22 2015-11-24 Parade Technologies, Ltd. Reconfigurable charge pump
US8710909B2 (en) 2012-09-14 2014-04-29 Sandisk Technologies Inc. Circuits for prevention of reverse leakage in Vth-cancellation charge pumps
CN103840655B (zh) * 2012-11-20 2016-08-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 电荷泵
US8836412B2 (en) 2013-02-11 2014-09-16 Sandisk 3D Llc Charge pump with a power-controlled clock buffer to reduce power consumption and output voltage ripple
US8619445B1 (en) 2013-03-15 2013-12-31 Arctic Sand Technologies, Inc. Protection of switched capacitor power converter
US8981835B2 (en) 2013-06-18 2015-03-17 Sandisk Technologies Inc. Efficient voltage doubler
US9024680B2 (en) 2013-06-24 2015-05-05 Sandisk Technologies Inc. Efficiency for charge pumps with low supply voltages
US9077238B2 (en) 2013-06-25 2015-07-07 SanDisk Technologies, Inc. Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption
US9007046B2 (en) 2013-06-27 2015-04-14 Sandisk Technologies Inc. Efficient high voltage bias regulation circuit
US8896367B1 (en) 2013-07-18 2014-11-25 Ememory Technology Inc. Charge pump system
US9083231B2 (en) 2013-09-30 2015-07-14 Sandisk Technologies Inc. Amplitude modulation for pass gate to improve charge pump efficiency
US9154027B2 (en) 2013-12-09 2015-10-06 Sandisk Technologies Inc. Dynamic load matching charge pump for reduced current consumption
US9954490B2 (en) 2014-03-27 2018-04-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Amplifier circuitry for envelope modulators, envelope modulators incorporating said amplifier circuitry and method of modulating a signal envelope
US9917507B2 (en) 2015-05-28 2018-03-13 Sandisk Technologies Llc Dynamic clock period modulation scheme for variable charge pump load currents
JP6596948B2 (ja) * 2015-06-10 2019-10-30 富士電機株式会社 半導体装置
US9647536B2 (en) 2015-07-28 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc High voltage generation using low voltage devices
US9520776B1 (en) 2015-09-18 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Selective body bias for charge pump transfer switches
US10348191B2 (en) * 2015-11-25 2019-07-09 Psemi Corporation Switched-capacitor network packaged with load
CN105336371B (zh) * 2015-11-26 2023-05-09 成都芯源系统有限公司 非易失性存储器的电压控制电路及其控制方法
CN105763040A (zh) * 2016-04-07 2016-07-13 上海华力微电子有限公司 一种提高电荷泵驱动能力的电路
US10097086B2 (en) * 2016-10-12 2018-10-09 Cypress Semiconductor Corporation Fast ramp low supply charge pump circuits
WO2018151854A1 (en) * 2017-02-16 2018-08-23 Wispry, Inc. Charge pump systems, devices, and methods
US10090759B1 (en) 2017-08-31 2018-10-02 Micron Technology, Inc. Electronic device with a reconfigurable charging mechanism
US10672453B2 (en) * 2017-12-22 2020-06-02 Nanya Technology Corporation Voltage system providing pump voltage for memory device and method for operating the same
JP7091113B2 (ja) * 2018-03-30 2022-06-27 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置、および半導体装置の制御方法
CN108448890B (zh) * 2018-04-12 2019-07-23 武汉新芯集成电路制造有限公司 电荷泵
TWI669714B (zh) * 2018-05-29 2019-08-21 力旺電子股份有限公司 電壓控制裝置及記憶體系統
US10707749B2 (en) * 2018-07-31 2020-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Charge pump, and high voltage generator and flash memory device having the same
KR102594411B1 (ko) * 2018-07-31 2023-10-27 삼성전자주식회사 전하 펌프, 및 이를 포함하는 고전압 발생기 및 플래쉬 메모리 장치
GB201820291D0 (en) 2018-12-13 2019-01-30 Dialog Semiconductor Uk Ltd A power converter
KR20220151748A (ko) * 2021-05-07 2022-11-15 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1364618A (en) * 1971-12-03 1974-08-21 Seiko Instr & Electronics Voltage boosters
US4807104A (en) * 1988-04-15 1989-02-21 Motorola, Inc. Voltage multiplying and inverting charge pump
JPH03136522A (ja) * 1989-10-23 1991-06-11 Mitsubishi Electric Corp 位相同期回路
US5008799A (en) * 1990-04-05 1991-04-16 Montalvo Antonio J Back-to-back capacitor charge pumps
KR940002859B1 (ko) * 1991-03-14 1994-04-04 삼성전자 주식회사 반도체 메모리장치에서의 워드라인 구동회로
JPH04355661A (ja) * 1991-05-31 1992-12-09 Oki Electric Ind Co Ltd チャージポンプ回路
US5301097A (en) * 1992-06-10 1994-04-05 Intel Corporation Multi-staged charge-pump with staggered clock phases for providing high current capability
JPH0721790A (ja) * 1993-07-05 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US5406517A (en) * 1993-08-23 1995-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Distributed negative gate power supply
US5553030A (en) * 1993-09-10 1996-09-03 Intel Corporation Method and apparatus for controlling the output voltage provided by a charge pump circuit
EP0647032A3 (en) * 1993-10-05 1995-07-26 Ibm Charge pump circuit with symmetrical current output for phase-controlled loop system.
US5477499A (en) * 1993-10-13 1995-12-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory architecture for a three volt flash EEPROM
US5483486A (en) * 1994-10-19 1996-01-09 Intel Corporation Charge pump circuit for providing multiple output voltages for flash memory
KR0149220B1 (ko) * 1994-12-27 1998-12-01 김주용 챠지 펌프 회로
US5602794A (en) * 1995-09-29 1997-02-11 Intel Corporation Variable stage charge pump

Also Published As

Publication number Publication date
WO1997012369A1 (en) 1997-04-03
EP0852799B1 (en) 2002-04-17
US5602794A (en) 1997-02-11
EP0852799A1 (en) 1998-07-15
DE69620774D1 (de) 2002-05-23
JP3766101B2 (ja) 2006-04-12
AU7251996A (en) 1997-04-17
US5732039A (en) 1998-03-24
DE69620774T2 (de) 2002-11-21
EP0852799A4 (en) 1999-09-15
KR100297679B1 (ko) 2001-08-07
US5781473A (en) 1998-07-14
KR19990063742A (ko) 1999-07-26
JPH11512864A (ja) 1999-11-02
HK1015520A1 (en) 1999-10-15
US5767735A (en) 1998-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2172525C2 (ru) Генератор накачки с изменяемым числом ступеней
US6927441B2 (en) Variable stage charge pump
US6188590B1 (en) Regulator system for charge pump circuits
US5280420A (en) Charge pump which operates on a low voltage power supply
US7579902B2 (en) Charge pump for generation of multiple output-voltage levels
US8351265B2 (en) Power supplies in flash memory devices and systems
US6026002A (en) Circuit configuration for supplying an electronic load circuit
KR20050061549A (ko) 동적 부하를 가진 가변 전하 펌프 회로
KR100572323B1 (ko) 멀티레벨 고전압 발생장치
JPH06261538A (ja) 高電圧チャ−ジ・ポンプ
US7439792B2 (en) High voltage generation circuit and semiconductor device having the same
US5394027A (en) High voltage charge pump and related circuitry
US6028780A (en) Two-phase clock charge pump with power regulation
US6847250B2 (en) Pumping circuit for outputting program voltage and program verify voltage of different levels
EP0786777B1 (en) Boost regulator
KR19990080741A (ko) 반도체 메모리 장치의 전압 발생 회로
KR100315901B1 (ko) 고속으로 고전압이 발생되는 부스팅 회로
JP3919991B2 (ja) フラッシュメモリ装置用多段階パルス発生回路
KR102454863B1 (ko) 차지 펌프 회로 및 이를 포함하는 내부 전압 생성 회로
US6836436B2 (en) Voltage generator for flash memory device
EP1408604B1 (en) A charge pump with current peak noise reduction
KR20010061422A (ko) 플래쉬 메모리 소자의 포지티브 차지펌프 회로
KR950007565Y1 (ko) 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로
KR20090072141A (ko) 고전압 발생기의 전류 소모 방지 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20141001