KR950007565Y1 - 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로 - Google Patents
저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 고안에 의한 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로 블록도.
본 고안은 반도체메모리 디바이스의 워드라인(word line) 전압공급회로를 안정적으로 동작시키기 위하여 워드라인 드라이버(driver)에 전원전압보다 높은 워드라인 구동전압을 공급하는 것에 적당하도록 한 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로에 관한 것이다.
종래의 반도체 메모리를 저전압으로 구동시키게 되면 데이터의 기록이나 판독과정에서 에러가 발생되는 경우가 많아서 안정된 작동이 어려웠다.
본 고안은 이러한 종래의 문제점을 워드라인 전압을 외부 전원전압 Vcc보다 높게 하므로써 해결하려는 것으로, 두 입력 NAND게이트와 짝수개의 인버터가 직렬로 연결되고 최종단 인버터의 출력이 NAND게이트의 하나의 입력에 연결되며, 메모리 셀의 기록 또는 판독신호가 NAND게이트의 다른 입력에 인가되며, 최종단 인버터에서 클럭(Clock)신호가 출력되는 오실레이터(oscillator)와, 오실레이터의 출력인 클럭신호를 받는 인버터 IVp와, 인버터의 출력측에 접속된 제1캐패시터 C1와, 제1캐패시터를 전원전압으로 충전시키는 제1다이오드기능소자와, 제1캐패시터 C1의 충전전압을 제2캐패시터 C2에 충전시키는 제2다이오드기능소자를 구비한 차지펌핑 (charge pumping)회로와, 그리고 워드라인 선택신호의 제어에 의하여 워드라인에 차지펌핑회로의 출력전압을 인가하는 워드라인드라이버로 이루어진다.
제1도는 본 고안에 의한 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로의 블록(block)도로, 이하 첨부된 도면을 참고로 본 고안에 의한 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로의 구성 및 동작을 설명하면 다음과 같다.
본 고안에 의한 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로는 제1도에 도시된 바와같이, 오실레이터(10)와, 차지펌핑회로(20)와, 차지펌핑회로의 출력전압을 워드라인 선택신호(Wsel)의 제어에 의하여 워드라인에 인가시키는 워드라인드라이버(30)로 구성된다.
이때, 오실레이터(10)는 2입력 NAND게이트와 짝수개의 인버터 IV1∼IVn가 직렬로 마지막단 인버터 IVn의 출력이 NAND게이트의 하나의 입력에 피드백(feed back)되도록 구성된다. 그리고 NAND 게이트의 다른 하나의 입력(A노드)에는 메모리의 판독신호주기 또는 기록신호주기 동안 "하이(high)"로 되는 작동신호가 인가된다. 즉, NAND게이트의 A노드에 작동신호가 인가되면 오실레이터(10)는 B노드에 클럭(clock)신호를 발생한다.
또한 차지펌핑회로(20)는, 오실레이터의 B노드에서 출력되는 클럭신호에 인버터 IVp의 입력이 연결되고, 이 인버터 IVp의 출력은 제1캐패시터 C1를 통하여 게이트(gate)와 소오스(source)가 같이 연결된 NMOS Q1의 게이트에 연결되고, 이 NMOS Q1의 소오스는 게이트와 소오스가 Vcc에 연결된 NMOS Q2의 드레인(drain)에 연결되며, NMOS Q1의 드레인은 접지에 연결되어 있는 제2캐패시터 C2에 연결됨과 동시에 게이트와 소오스가 Vcc에 연결되어 있는 NMOS Q3의 드레인과도 연결되며, NMOS Q1의 드레인과 접지에 연결되어 있는 제2캐패시터 C2의 연결노드가 차지펌핑회로와 출력노드(T노드)가 된다.
이때, NMOS Q1과 NMOS Q2및 NMOS Q3는 다이오드(diode) 역할을 하고, IVp의 출력이 "로우(low)"일때는 제1캐패시터 C1이 전원전압과 같은 값(Vcc)으로 충전되고 다시 인버터 IVp의 출력이 "하이"로 되면 제1캐패시터 C1의 충전전압과 인버터 IVp의 하이 출력전압 더하여져셔 제2캐패시터 C2에 충전된다. 이때, NMOS Q2는 역방향 전압이 걸리게 되므로 "오프(off)"상태로 되고 NMOS Q1은 "온(on)"상태가 된다.
그리고 차지펌핑회로의 인버터 IVP의 출력이 다시 "로우"로 되면 NMOS Q2가 "온"되어 제1캐패시터 C1을 충전하게 되고, NMOS Q1은 제2캐패시터 C2의 충전전압이 전원전압 Vcc보다 높으므로 역전압이 걸려서 "오프"된다.
이러한 과정이 반복되면서 제2캐패시터 C2에는 전원전압 Vcc보다 높은 전압이 충전되게 되고, 이는 차지펌핑회로의 출력노드인 T노드를 통하여 워드라인드라이버(30)에 인가된다.
그리고 워드라인드라이버(30)는 워드라인 WL을 선택하는 신호 Wsel를 받아서 해당하는 워드라인에 차지펌핑회로의 높은 전압을 공급한다.
본 고안에 의한 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로의 전체적인 동작은 다음과 같다.
즉, 반도체 메모리 디바이스에서 메모리 셀을 읽거나 쓰고자 할 때는 오실레이터(10)의 입력단인 NAND게이트의 A노드에 "하이"가 인가되며, 이로 인하여 오실레이터는 클럭펄스를 발생한다.
그리고 차지펌핑회로(20)에서는 오실레이터의 클럭출력을 받아서 전원전압 Vcc보다 높은 출력전압을 T노드로 출력시키고, 해당하는 메모리 셀을 선택하기 의한 워드라인 선택신호 Wsel가 인가되는 워드라인드라이버(30)에서는 해당 워드라인에 연결된 스위칭 소자가 "온"외어 전원전압 Vcc보다 높은 T노드의 차지펌핑회로(20) 출력전압이 워드라인(WL)에 공급된다.
즉, 본 고안에 의한 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로에서는 반도체 메모리 소자를 저전압으로 동작시켜도 워드라인에는 높은 전압이 인가되어 메모리 셀의 엑세스 트랜지스터의 전압강하를 없애주게 되어 메모리소자의 안정도를 증대시킬수 있게 된다.
Claims (1)
- 반도체메모리 디바이스에서 전원전압보다 높은 워드라인 구동전압을 공급하기 위한 워드라인 전압 공급회로에 있어서, 두입력 난드게이트와 짝수개의 인버터가 직렬로 연결되고 최종단 인버터의 출력이 난드게이트의 하나의 입력에 연결되며, 메모리 셀의 기록 또는 판독신호가 난드게이트의 다른 입력에 인가되어, 상기 최종단 인버터에서 클럭신호가 출력되는 오실레이터와, 상기 오실레이터의 출력인 클럭신호를 받는 인버터 IVp와, 상기 인버터의 출력측에 접속된 제1캐패시터 C1와, 상기 제1캐패시터를 전원전압으로 충전시키는 제1다이오드기능소자와, 상기 제1캐패시터 C1의 충전전압을 제2캐패시터 C2에 충전시키는 제2다이오드기능소자를 구비한 차지펌핑회로와, 그리고 워드라인 선택신호의 제어에 의하여 워드라인에 상기 차지펌핑회로의 출력전압을 인가하는 워드라인드라이버로 이루어지는 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019910023055U KR950007565Y1 (ko) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019910023055U KR950007565Y1 (ko) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930015985U KR930015985U (ko) | 1993-07-28 |
| KR950007565Y1 true KR950007565Y1 (ko) | 1995-09-13 |
Family
ID=19324853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019910023055U KR950007565Y1 (ko) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 저전압작동 반도체메모리의 워드라인 전압 공급회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950007565Y1 (ko) |
-
1991
- 1991-12-20 KR KR2019910023055U patent/KR950007565Y1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930015985U (ko) | 1993-07-28 |
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