RU2013132695A - Микроволновые плазменные реакторы и подложки для производства синтетического алмаза - Google Patents

Микроволновые плазменные реакторы и подложки для производства синтетического алмаза Download PDF

Info

Publication number
RU2013132695A
RU2013132695A RU2013132695/07A RU2013132695A RU2013132695A RU 2013132695 A RU2013132695 A RU 2013132695A RU 2013132695/07 A RU2013132695/07 A RU 2013132695/07A RU 2013132695 A RU2013132695 A RU 2013132695A RU 2013132695 A RU2013132695 A RU 2013132695A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
range
height
growth surface
microns
Prior art date
Application number
RU2013132695/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2543986C2 (ru
Inventor
Карлтон Найджел ДОДЖ
Пол Николас ИНГЛИС
Джеффри Алан СКАРСБРУК
Тимоти Питер МОЛЛАРТ
Чарлз Саймон Джеймс ПИКЛЕС
Стивен Эдвард КОЭ
Джозеф Майкл ДОДСОН
Александр Лэмб КАЛЛЕН
Джон Роберт БРЭНДОН
Кристофер Джон Ховард УОРТ
Original Assignee
Элемент Сикс Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Элемент Сикс Лимитед filed Critical Элемент Сикс Лимитед
Publication of RU2013132695A publication Critical patent/RU2013132695A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2543986C2 publication Critical patent/RU2543986C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25—Diamond
    • C01B32/26—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/04—Diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
    • H01J37/32284—Means for controlling or selecting resonance mode
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12993—Surface feature [e.g., rough, mirror]

Abstract

1. Способ производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы, причем способ содержит:предоставление микроволнового плазменного реактора, содержащего:микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f;плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от упомянутого основания до упомянутой верхней пластины, задавая объемный резонатор, для поддержания микроволновой резонансной моды между основанием и верхней пластиной;конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру;систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда;держатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки;расположение подложки поверх поддерживающей поверхности держателя подложки, причем подложка имеет поверхность роста, на которую осаждается синтетический алмазный материал,подачу технологических газов в плазменную камеру, иподачу микроволн в плазменную камеру для формирования плазмы поверх поверхности роста подложки и выращивание синтетического алмазного материала на поверхности роста подложки,причем размеры и местоположение подложки в пределах объемного резонатора выбираются для создания профиля локализованного осесимметричного электрического поля Ez поперек поверхности роста при ее использовании, причем профиль локализованного осесимметричного электрического поля Ez содержит по существу плоский центральный участок, опоясанный кольцом бо

Claims (19)

1. Способ производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы, причем способ содержит:
предоставление микроволнового плазменного реактора, содержащего:
микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f;
плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от упомянутого основания до упомянутой верхней пластины, задавая объемный резонатор, для поддержания микроволновой резонансной моды между основанием и верхней пластиной;
конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру;
систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда;
держатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки;
расположение подложки поверх поддерживающей поверхности держателя подложки, причем подложка имеет поверхность роста, на которую осаждается синтетический алмазный материал,
подачу технологических газов в плазменную камеру, и
подачу микроволн в плазменную камеру для формирования плазмы поверх поверхности роста подложки и выращивание синтетического алмазного материала на поверхности роста подложки,
причем размеры и местоположение подложки в пределах объемного резонатора выбираются для создания профиля локализованного осесимметричного электрического поля Ez поперек поверхности роста при ее использовании, причем профиль локализованного осесимметричного электрического поля Ez содержит по существу плоский центральный участок, опоясанный кольцом большего электрического поля, при этом по существу плоский центральный участок простирается, по меньшей мере, по 60% площади поверхности роста подложки и имеет вариацию электрического поля Ez не больше, чем ±10% напряженности центрального электрического поля Ez, и кольцо большего электрического поля располагается вокруг центрального участка и имеет максимальную напряженность электрического поля Ez в пределах от 10% до 50% выше, чем напряженность центрального электрического поля Ez.
2. Способ по п.1, в котором по существу плоский центральный участок профиля локализованного осесимметричного электрического поля Ez имеет вариацию электрического поля не больше чем ±8%, 6%, 5%, 4%, 3%, 2% или 1% от напряженности центрального электрического поля Ez.
3. Способ по п.1 или 2, в котором кольцо большего электрического поля имеет максимальную напряженность электрического поля Ez в пределах от 10% до 40%, от 15% до 30% или от 15% до 25% выше, чем напряженность центрального электрического поля Ez.
4. Способ по п.1, в котором профиль локализованного осесимметричного электрического поля Ez рассчитывается выше поверхности роста подложки на высоте:
4 мм, 6 мм или 8 мм для микроволновой частоты f в диапазоне от 400 МГц до 500 МГц;
2 мм, 3 мм или 4 мм для микроволновой частоты f в диапазоне от 800 МГц до 1000 МГц; или
0,7 мм, 1,0 мм или 1,5 мм для микроволновой частоты f в диапазоне от 2300 МГц до 2600 МГц.
5. Способ по п.1,
в котором отношение диаметр подложки/высота поверхности роста подложки выше основания плазменной камеры находится в переделах от 10 до 14, от 11 до 13,5 или от 11,0 до 12,5.
6. Способ по п.5, в котором диаметр подложки находится в пределах:
от 165 мм до 415 мм, от 185 мм до 375 мм, от 205 мм до 375 мм, от 205 мм до 330 мм или от 240 мм до 330 мм для микроволновой частоты f в диапазоне 400-500 МГц;
от 80 мм до 200 мм, от 90 мм до 180 мм, от 100 мм до 180 мм, от 100 мм до 160 или от 115 мм до 160 мм для микроволновой частоты f в диапазоне 800-1000 МГц; или
от 30 мм до 75 мм, от 33 мм до 65 мм, от 37 мм до 65 мм, от 37 мм до 58 мм или от 42 мм до 58 мм для микроволновой частоты f в диапазоне 2300-2600 МГц.
7. Способ по п.5 или 6, в котором высота поверхности роста подложки выше основания плазменной камеры находится в пределах:
от 10 мм до 30 мм или от 14 мм до 27 мм для микроволновой частоты f в диапазоне 400-500 МГц;
от 5 мм до 15 мм или от 7 мм до 13 мм для микроволновой частоты f в диапазоне 800-1000 МГц; или
от 2,0 мм до 5,5 мм или от 2,5 мм до 5,0 мм для микроволновой частоты f в диапазоне 2300-2600 МГц.
8. Способ по п.7, в котором микроволновая частота f в диапазоне от 400 МГц до 500 МГц и диаметр подложки и высота поверхности роста подложки в пределах объемного резонатора выбираются так, что:
если диаметр подложки находится в пределах от 180 мм до 230 мм, высота поверхности роста находится в пределах от 14 мм до 20 мм;
если диаметр подложки находится в пределах от 230 мм до 270 мм, высота поверхности роста находится в пределах от 20 мм до 24 мм; или
если диаметр подложки находится в пределах от 270 мм до 310 мм, высота поверхности роста находится в пределах от 22 мм до 27 мм.
9. Способ по п.7, в котором микроволновая частота f в диапазоне от 800 МГц до 1000 МГц и диаметр подложки и высота поверхности роста подложки в пределах объемного резонатора выбираются так, что:
если диаметр подложки находится в пределах от 90 мм до 110 мм, высота поверхности роста находится в пределах от 7 мм до 10 мм;
если диаметр подложки находится в пределах от 110 мм до 130 мм, высота поверхности роста может находиться в пределах от 9,5 мм до 11,5 мм; или
если диаметр подложки находится в пределах от 130 мм до 150 мм, высота поверхности роста находится в пределах от 11 мм до 13 мм.
10. Способ по п.7, в котором микроволновая частота f в диапазоне от 2300 МГц до 2600 МГц и диаметр подложки и высота поверхности роста подложки в пределах объемного резонатора выбираются так, что:
если диаметр подложки находится в пределах от 30 мм до 40 мм, высота поверхности роста находится в пределах от 2,5 мм до 3,7 мм;
если диаметр подложки находится в пределах от 40 мм до 48 мм, высота поверхности роста находится в пределах от 3,5 мм до 4,2 мм; или
если диаметр подложки находится в пределах от 48 мм до 55 мм, высота поверхности роста находится в пределах от 4,0 мм до 4,8 мм.
11. Способ по п.1, в котором отношение диаметр объемного резонатора/диаметр подложки находится в пределах от 1,5 до 5, от 2,0 до 4,5 или от 2,5 до 4,0, причем диаметр объемного резонатора измеряется на высоте, меньшей, чем 50%, 40%, 30% или 20% от высоты объемного резонатора.
12. Способ по п.11, в котором диаметр объемного резонатора измеряется на высоте поверхности роста подложки.
13. Способ по п.1, дополнительно содержащий:
выполнение, по меньшей мере, двух измерений температуры, используя одно или более устройств измерения температуры, включая в себя одно или более измерений в центральной области поверхности роста подложки и одно или более измерений в периферийной области поверхности роста; и
управление разностью температур между центральной областью и периферийной областью поверхности роста подложки во время выращивания на ней CVD алмаза на основании, по меньшей мере, двух измерений температуры, используя систему управления температурой подложки.
14. Способ по п.13, в котором система управления температурой подложки используется для управления температурой поверхности роста подложки во время выращивания на ней CVD алмаза для выполнения условия: 5°C<Tc-Te<120°C; 10°C<Tc-Te<100°C; 10°C<Tc-Te<80°C; 20°C<Tc-Te<80°C или 20°C<Tc-Te<60°C, где Tc - температура в центральной области поверхности роста, и Te - температура в периферийной области поверхности роста.
15. Способ по п.13 или 14, в котором центральная область поверхности роста имеет внешний диаметр не больше, чем 50%, 40%, 30%, 20% или 10% от диаметра поверхности роста, и периферийная область поверхности роста имеет внутренний диаметр больше чем 50%, 60%, 70%, 80%, 90% или 95% от диаметра поверхности роста.
16. Способ по п.1, в котором подложка расположена поверх поддерживающей поверхности держателя подложки и отделена разделительными элементами для формирования газового зазора, имеющего высоту h между поддерживающей поверхностью держателя подложки и задней поверхностью подложки, и микроволновый плазменный реактор дополнительно содержит систему подачи газа для подачи газа в упомянутый газовый зазор, причем разделительные элементы сконфигурированы для задания центральной полости газового зазора под подложкой, в которую может втягиваться газ из системы подачи газа.
17. Способ по п.16, в котором высота h газового зазора находится в пределах от 25 мкм до 2000 мкм, от 50 мкм до 1000 мкм, от 100 мкм до 750 мкм, от 500 мкм до 750 мкм, от 600 мкм до 650 мкм, от 100 мкм до 300 мкм или от 150 мкм до 250 мкм.
18. Способ по п.16 или 17, в котором высота h газового зазора варьируется на не больше, чем 200 мкм, 150 мкм, 100 мкм, 80 мкм, 60 мкм, 40 мкм, 20 мкм, 10 мкм или 5 мкм поперек, по меньшей мере, центральной области подложки, имеющей центрированный диаметр, равный или больший, чем 60%, 70%, 80%, 90%, 95% или 99% от полного диаметра подложки.
19. Способ по п.18, в котором газовый зазор имеет центральную область с первой высотой газового зазора и периферийной областью со второй высотой газового зазора, причем первая высота газового зазора больше, чем вторая высота газового зазора.
RU2013132695/07A 2010-12-23 2011-12-14 Микроволновые плазменные реакторы и подложки для производства синтетического алмаза RU2543986C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1021913.7 2010-12-23
GBGB1021913.7A GB201021913D0 (en) 2010-12-23 2010-12-23 Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture
US201161439270P 2011-02-03 2011-02-03
US61/439,270 2011-02-03
PCT/EP2011/072818 WO2012084655A2 (en) 2010-12-23 2011-12-14 Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013132695A true RU2013132695A (ru) 2015-01-27
RU2543986C2 RU2543986C2 (ru) 2015-03-10

Family

ID=43598947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013132695/07A RU2543986C2 (ru) 2010-12-23 2011-12-14 Микроволновые плазменные реакторы и подложки для производства синтетического алмаза

Country Status (11)

Country Link
US (2) US8859058B2 (ru)
EP (1) EP2656370B1 (ru)
JP (3) JP5540162B2 (ru)
KR (1) KR101454568B1 (ru)
CN (1) CN103403837B (ru)
CA (1) CA2821617C (ru)
GB (2) GB201021913D0 (ru)
MY (1) MY167870A (ru)
RU (1) RU2543986C2 (ru)
SG (2) SG10201500277WA (ru)
WO (1) WO2012084655A2 (ru)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8316797B2 (en) 2008-06-16 2012-11-27 Board of Trustees of Michigan State University Fraunhofer USA Microwave plasma reactors
US9890457B2 (en) 2008-06-16 2018-02-13 Board Of Trustees Of Michigan State University Microwave plasma reactors
US10258959B2 (en) 2010-08-11 2019-04-16 Unit Cell Diamond Llc Methods of producing heterodiamond and apparatus therefor
GB201121642D0 (en) 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Single crtstal cvd synthetic diamond material
GB201209424D0 (en) 2012-05-28 2012-07-11 Element Six Ltd Free-standing non-planar polycrystalline synthetic diamond components
GB201214370D0 (en) * 2012-08-13 2012-09-26 Element Six Ltd Thick polycrystalline synthetic diamond wafers for heat spreading applications and microwave plasma chemical vapour deposition synthesis techniques
JP6112485B2 (ja) 2013-09-19 2017-04-12 国立研究開発法人産業技術総合研究所 単結晶ダイヤモンドの製造方法
CN103792842B (zh) * 2014-01-22 2016-08-17 清华大学 一种可用于功率场空间分布精细控制的基台及控制方法
GB201410703D0 (en) * 2014-06-16 2014-07-30 Element Six Technologies Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
DE102014223301B8 (de) 2014-11-14 2016-06-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Substrathalter, Plasmareaktor und Verfahren zur Abscheidung von Diamant
CN104775154B (zh) * 2015-04-25 2017-06-27 哈尔滨工业大学 一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法
RU2607110C1 (ru) * 2015-07-09 2017-01-10 Общество с ограниченной ответственностью "СВД.Спарк" Держатель подложки
GB201514998D0 (en) 2015-08-24 2015-10-07 Element Six Technologies Ltd Microwave generators and manufacure of synthetic diamond material
GB201516814D0 (en) * 2015-09-23 2015-11-04 Element Six Technologies Ltd Method of fabricating a plurality of single crystal CVD synthetic diamonds
GB201522502D0 (en) * 2015-12-21 2016-02-03 Element Six Technologies Ltd Thick Optical quality synethetic polycrystalline Diamond Material with low bulk absorption and low microfeature density
CN107304475B (zh) * 2016-04-21 2019-09-27 中国科学院半导体研究所 用于微波等离子体化学气相沉积设备的组合式衬底基座
ES2882037T3 (es) 2016-09-06 2021-12-01 Nano Coatings S L Sistema y método de fabricación de diamante mediante deposición química en fase vapor asistida por plasma alimentado por energía de microondas iniciado con láser
FR3060024B1 (fr) * 2016-12-09 2019-05-31 Diam Concept Reacteur modulaire pour le depot assiste par plasma microonde
CN106929828B (zh) * 2017-05-12 2023-05-23 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台
RU2694432C1 (ru) * 2018-01-18 2019-07-15 Общество С Ограниченной Ответственностью "Твинн" СВЧ плазменный реактор
CN108360064B (zh) * 2018-02-26 2020-12-29 湖北碳六科技有限公司 一种提高mpcvd制备单晶金刚石稳定性的方法
CN108554334B (zh) * 2018-04-20 2021-06-11 长沙新材料产业研究院有限公司 一种mpcvd合成设备及合成温度控制方法
CN110551987A (zh) * 2018-06-04 2019-12-10 至玥腾风科技投资集团有限公司 环形单晶无机非金属部件的制作方法、设备及飞轮
GB201904434D0 (en) * 2019-03-29 2019-05-15 Element Six Tech Ltd Polycrystalline synthetic diamond material
CN111962149A (zh) * 2020-08-11 2020-11-20 长沙新材料产业研究院有限公司 一种生长金刚石厚膜的籽晶及其制备方法与应用
RU2763103C1 (ru) * 2020-08-27 2021-12-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук" (ИОФ РАН) Способ контроля и управления температурным режимом ростовой поверхности подложки
KR102512743B1 (ko) 2020-12-18 2023-03-22 주식회사 케이디티다이아몬드 다이아몬드 합성용 마이크로파 플라즈마 cvd 장치
KR102545659B1 (ko) 2020-12-18 2023-06-20 주식회사 케이디티다이아몬드 플라즈마 cvd에 의한 다이아몬드 합성 방법
CN113481595B (zh) * 2021-06-07 2022-04-15 北京科技大学 一种M形同轴天线915MHz微波等离子体化学气相沉积装置
CN115558902A (zh) * 2022-10-26 2023-01-03 武汉莱格晶钻科技有限公司 一种适用于金刚石生长的基片台及其使用方法
CN116555735B (zh) * 2023-05-25 2023-12-05 杭州超然金刚石有限公司 一种等离子化学气相沉积系统

Family Cites Families (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62162366A (ja) 1981-09-17 1987-07-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素被膜を有する複合体
JPS61251158A (ja) 1985-04-30 1986-11-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 放熱基板
JPS62235393A (ja) 1986-04-07 1987-10-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 高硬度固体潤滑膜およびその形成方法
JPS62167886A (ja) 1986-11-19 1987-07-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素被膜を有する複合体
KR900008505B1 (ko) 1987-02-24 1990-11-24 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 탄소 석출을 위한 마이크로파 강화 cvd 방법
US5273790A (en) 1987-03-30 1993-12-28 Crystallume Method for consolidating diamond particles to form high thermal conductivity article
JPS6424094A (en) 1987-07-21 1989-01-26 Nat Inst Res Inorganic Mat Synthesizing apparatus for diamond
JPH08757B2 (ja) * 1988-12-26 1996-01-10 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドおよびその気相合成法
JPH01297141A (ja) 1988-05-25 1989-11-30 Canon Inc マイクロ波プラズマ処理装置
US5261959A (en) 1988-05-26 1993-11-16 General Electric Company Diamond crystal growth apparatus
US5258206A (en) 1989-01-13 1993-11-02 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Method and apparatus for producing diamond thin films
JPH02260470A (ja) 1989-03-30 1990-10-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光素子
EP0402867B1 (en) * 1989-06-15 1995-03-01 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for microwave processing in a magnetic field
US5273731A (en) 1989-09-14 1993-12-28 General Electric Company Substantially transparent free standing diamond films
US5091208A (en) 1990-03-05 1992-02-25 Wayne State University Novel susceptor for use in chemical vapor deposition apparatus and its method of use
JPH03281594A (ja) 1990-03-29 1991-12-12 Hitachi Ltd 発光材料及び表示装置
JPH049471A (ja) 1990-04-27 1992-01-14 Seiko Instr Inc ダイヤモンドの合成方法
US5264071A (en) 1990-06-13 1993-11-23 General Electric Company Free standing diamond sheet and method and apparatus for making same
EP0480581A1 (en) 1990-09-10 1992-04-15 Applied Science & Technology, Inc. Recirculating high velocity convective flow reactor system
EP0487292B1 (en) 1990-11-22 1996-02-14 Sumitomo Electric Industries, Limited Polycrystalline diamond tool and method for producing same
JPH04238896A (ja) 1991-01-10 1992-08-26 Nachi Fujikoshi Corp 気相法によるダイヤモンド板の製造方法
WO1992014861A1 (en) * 1991-02-26 1992-09-03 Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. Microwave plasma cvd device, and method for synthesizing diamond by device thereof
JPH0513342A (ja) 1991-06-20 1993-01-22 Kawasaki Steel Corp 半導体ダイヤモンド
CA2082711A1 (en) 1991-12-13 1993-06-14 Philip G. Kosky Cvd diamond growth on hydride-forming metal substrates
US5302803A (en) 1991-12-23 1994-04-12 Consortium For Surface Processing, Inc. Apparatus and method for uniform microwave plasma processing using TE1101 modes
US5311103A (en) 1992-06-01 1994-05-10 Board Of Trustees Operating Michigan State University Apparatus for the coating of material on a substrate using a microwave or UHF plasma
EP0582397A3 (en) 1992-08-05 1995-01-25 Crystallume CVD diamond material for radiation detector and method for manufacturing the same.
US5314652A (en) * 1992-11-10 1994-05-24 Norton Company Method for making free-standing diamond film
US5501740A (en) 1993-06-04 1996-03-26 Applied Science And Technology, Inc. Microwave plasma reactor
SE9302222L (sv) 1993-06-28 1994-08-22 Ladislav Bardos Mikrovågsapparat för plasmaprocesser
US5397396A (en) 1993-12-27 1995-03-14 General Electric Company Apparatus for chemical vapor deposition of diamond including thermal spreader
JPH07243044A (ja) * 1994-02-28 1995-09-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの気相合成法
US5587124A (en) 1994-07-05 1996-12-24 Meroth; John Method of making synthetic diamond film with reduced bowing
US5551983A (en) 1994-11-01 1996-09-03 Celestech, Inc. Method and apparatus for depositing a substance with temperature control
JP3653758B2 (ja) 1994-11-07 2005-06-02 住友電気工業株式会社 自立したダイヤモンドウェハーおよびその製造方法
US6533869B1 (en) * 1995-02-15 2003-03-18 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Apparatus and method for making free standing diamond
US5679404A (en) 1995-06-07 1997-10-21 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Method for depositing a substance with temperature control
US6132550A (en) * 1995-08-11 2000-10-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Apparatuses for desposition or etching
JP3041844B2 (ja) * 1995-08-11 2000-05-15 住友電気工業株式会社 成膜又はエッチング装置
KR970071945A (ko) 1996-02-20 1997-11-07 가나이 쯔도무 플라즈마처리방법 및 장치
KR100293033B1 (ko) 1996-03-28 2001-06-15 고지마 마타오 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법
US6106678A (en) 1996-03-29 2000-08-22 Lam Research Corporation Method of high density plasma CVD gap-filling
US5643365A (en) 1996-07-25 1997-07-01 Ceram Optec Industries Inc Method and device for plasma vapor chemical deposition of homogeneous films on large flat surfaces
GB9616043D0 (en) 1996-07-31 1996-09-11 De Beers Ind Diamond Diamond
DE19802971C2 (de) 1998-01-27 1999-12-02 Fraunhofer Ges Forschung Plasmareaktor
WO1999049705A1 (fr) 1998-03-20 1999-09-30 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement plasmique
US6582513B1 (en) 1998-05-15 2003-06-24 Apollo Diamond, Inc. System and method for producing synthetic diamond
JP3507331B2 (ja) * 1998-05-20 2004-03-15 松下電器産業株式会社 基板温度制御方法及び装置
DE19841777C1 (de) 1998-09-12 2000-01-05 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur plasmatechnischen Abscheidung von polykristallinem Diamant
US6414338B1 (en) 1998-11-30 2002-07-02 Sandia National Laboratories n-Type diamond and method for producing same
JP3496560B2 (ja) * 1999-03-12 2004-02-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6388632B1 (en) * 1999-03-30 2002-05-14 Rohm Co., Ltd. Slot antenna used for plasma surface processing apparatus
TW516113B (en) 1999-04-14 2003-01-01 Hitachi Ltd Plasma processing device and plasma processing method
KR100352985B1 (ko) 1999-04-30 2002-09-18 한국과학기술연구원 균열이 없고 평탄한 다이아몬드막 합성 방법
US6565661B1 (en) 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
US6528752B1 (en) 1999-06-18 2003-03-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP3590883B2 (ja) 1999-06-21 2004-11-17 独立行政法人 科学技術振興機構 紫外線発光デバイス及びその製造方法
FR2798552B1 (fr) 1999-09-13 2001-11-30 Centre Nat Rech Scient Dispositif assurant une division de puissance micro-onde predeterminee sur une pluralite de charges, notamment pour la production de plasma
TW480594B (en) 1999-11-30 2002-03-21 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus
GB0006318D0 (en) 2000-03-15 2000-05-03 De Beers Ind Diamond Radiation detector
JP2001267305A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US6527909B2 (en) 2000-04-27 2003-03-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP4598247B2 (ja) 2000-08-04 2010-12-15 東京エレクトロン株式会社 ラジアルアンテナ及びそれを用いたプラズマ装置
KR100375335B1 (ko) 2001-01-17 2003-03-06 한국과학기술연구원 다이아몬드막의 제조방법 및 장치
TWI272689B (en) 2001-02-16 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for transferring heat from a substrate to a chuck
JP2002265296A (ja) 2001-03-09 2002-09-18 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド薄膜及びその製造方法
US7171919B2 (en) 2001-03-27 2007-02-06 Small Business Corporation Diamond film depositing apparatus using microwaves and plasma
JP2003045810A (ja) 2001-07-31 2003-02-14 Canon Inc プラズマ処理装置
DE10138693A1 (de) 2001-08-07 2003-07-10 Schott Glas Vorrichtung zum Beschichten von Gegenständen
JP3907444B2 (ja) 2001-11-01 2007-04-18 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置及び構造体の製造方法
UA81614C2 (ru) 2001-11-07 2008-01-25 Карнеги Инститьюшн Ов Вашингтон Устройство для изготовления алмазов, узел удержания образца (варианты) и способ изготовления алмазов (варианты)
GB0130005D0 (en) 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Boron doped diamond
US6793733B2 (en) 2002-01-25 2004-09-21 Applied Materials Inc. Gas distribution showerhead
JP4009471B2 (ja) 2002-02-27 2007-11-14 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 ラビング装置
JP2003321296A (ja) 2002-04-25 2003-11-11 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイヤモンド膜及びその製造方法
FR2848335B1 (fr) 2002-12-06 2005-10-07 Centre Nat Rech Scient Procede d'elaboration de diamant de type n a haute conductivite electrique
JP2004244298A (ja) 2002-12-17 2004-09-02 Kobe Steel Ltd ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法
JP2004235434A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Rohm Co Ltd プラズマ処理装置
JP2005044822A (ja) 2003-07-22 2005-02-17 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理装置
US20050016445A1 (en) 2003-07-24 2005-01-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for producing diamond film
JP4366500B2 (ja) * 2004-02-12 2009-11-18 独立行政法人産業技術総合研究所 マイクロ波プラズマｃｖｄ装置の基板支持体
JP2006128075A (ja) 2004-10-01 2006-05-18 Seiko Epson Corp 高周波加熱装置、半導体製造装置および光源装置
JP4673111B2 (ja) 2005-03-31 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
GB0508889D0 (en) 2005-04-29 2005-06-08 Element Six Ltd Diamond transistor and method of manufacture thereof
CN101198544A (zh) * 2005-05-25 2008-06-11 卡尼吉华盛顿协会 快速生长速率的无色单晶cvd金刚石
JP4613314B2 (ja) 2005-05-26 2011-01-19 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶の製造方法
JP5376750B2 (ja) 2005-11-18 2013-12-25 出光興産株式会社 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル
JP5068458B2 (ja) 2006-01-18 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
TW200806826A (en) 2006-02-07 2008-02-01 Han H Nee Materials and methods for the manufacture of large crystal diamonds
KR100980529B1 (ko) 2006-03-27 2010-09-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP4683334B2 (ja) 2006-03-31 2011-05-18 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマ処理装置
JP2007284773A (ja) 2006-04-20 2007-11-01 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの合成方法
WO2007136732A2 (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Qualcomm Incorporated Wireless repeater with master/slave configuration
JP2007331955A (ja) 2006-06-12 2007-12-27 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ダイヤモンド製造方法
CN101385129B (zh) 2006-07-28 2011-12-28 东京毅力科创株式会社 微波等离子体源和等离子体处理装置
FR2905312B1 (fr) 2006-08-30 2008-10-31 Vernet Sa Vanne thermostatique destinee a etre interposee entre un reservoir de carburant et un moteur thermique, et circuit de circulation de carburant correspondant
JP5503287B2 (ja) 2006-09-05 2014-05-28 エレメント シックス リミテッド 固体電極
EP2108062A2 (en) 2007-01-22 2009-10-14 Element Six Limited Diamond electronic devices including a surface and methods for their manufacture
JP5142074B2 (ja) 2007-01-29 2013-02-13 住友電気工業株式会社 マイクロ波プラズマｃｖｄ装置
US7776408B2 (en) 2007-02-14 2010-08-17 Rajneesh Bhandari Method and apparatus for producing single crystalline diamonds
WO2008123605A1 (en) 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Limited Plasma process apparatus
US20080303744A1 (en) 2007-06-11 2008-12-11 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, antenna, and use of plasma processing system
US20100028556A1 (en) 2008-05-09 2010-02-04 Apollo Diamond Gemstone Corporation Chemical vapor deposition colored diamond
JP5261690B2 (ja) 2008-05-20 2013-08-14 貞雄 竹内 高強度ダイヤモンド膜工具
US8316797B2 (en) 2008-06-16 2012-11-27 Board of Trustees of Michigan State University Fraunhofer USA Microwave plasma reactors
KR101174277B1 (ko) 2008-07-09 2012-08-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP2010074154A (ja) 2008-08-22 2010-04-02 Tokyo Electron Ltd マイクロ波導入機構、マイクロ波プラズマ源およびマイクロ波プラズマ処理装置
JP2010159185A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 積層基板とその製造方法及びダイヤモンド膜とその製造方法
JP5222744B2 (ja) 2009-01-21 2013-06-26 国立大学法人東北大学 プラズマ処理装置
US8747963B2 (en) 2009-01-23 2014-06-10 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for diamond film growth

Also Published As

Publication number Publication date
CA2821617A1 (en) 2012-06-28
KR20130126675A (ko) 2013-11-20
CN103403837A (zh) 2013-11-20
JP2014503458A (ja) 2014-02-13
US8859058B2 (en) 2014-10-14
US20150061191A1 (en) 2015-03-05
EP2656370A2 (en) 2013-10-30
MY167870A (en) 2018-09-26
SG191226A1 (en) 2013-07-31
JP2014139137A (ja) 2014-07-31
WO2012084655A3 (en) 2012-08-16
US20140234556A1 (en) 2014-08-21
KR101454568B1 (ko) 2014-10-23
WO2012084655A2 (en) 2012-06-28
JP2014166958A (ja) 2014-09-11
GB2486784A (en) 2012-06-27
CN103403837B (zh) 2016-01-20
US9738970B2 (en) 2017-08-22
SG10201500277WA (en) 2015-03-30
EP2656370B1 (en) 2018-09-12
GB201121517D0 (en) 2012-01-25
GB2486784B (en) 2014-06-25
GB201021913D0 (en) 2011-02-02
JP5540162B2 (ja) 2014-07-02
RU2543986C2 (ru) 2015-03-10
CA2821617C (en) 2016-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013132695A (ru) Микроволновые плазменные реакторы и подложки для производства синтетического алмаза
MY166639A (en) A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
US11702749B2 (en) Methods and apparatus for microwave plasma assisted chemical vapor deposition reactors
US9410242B2 (en) Microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
RU2016148886A (ru) Свч-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала
US11384426B2 (en) Method for making diamond layers by CVD
JP6353986B2 (ja) 自立型ｃｖｄ多結晶ダイアモンド膜を製造する装置および方法
TWI503869B (zh) Chamber components and chemical vapor deposition equipment containing their organic compounds
WO2012084659A3 (en) A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
RU2013118642A (ru) Способ производства монокристаллических алмазов белого цвета
Vikharev et al. Multimode cavity type MPACVD reactor for large area diamond film deposition
US20140182516A1 (en) Apparatus for fabricating ingot
KR101458183B1 (ko) 탄화규소 단결정 성장 장치 및 방법
CN110983298A (zh) 一种用于微波等离子体化学气相沉积装置的样品台结构
CN206109529U (zh) 一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置
KR101926678B1 (ko) 탄화규소 에피 웨이퍼 및 이의 제조 방법
KR20110109216A (ko) 유도 결합형 플라즈마 소스형 샤워 헤드를 가지는 화학기상 증착 장치
KR102205613B1 (ko) 서셉터 및 이를 포함하는 mocvd 장치
CN106367729A (zh) 等离子体化学气相沉积装置以及成膜方法
KR20130035583A (ko) 화학 기상 증착 방법