JP4673111B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本発明は，プラズマを生成して基板に対して成膜などの処理を施すプラズマ処理装置に関する。

例えばＬＣＤ装置などの製造工程においては，マイクロ波を利用して処理室内にプラズマを発生させ，ＬＣＤ基板に対してＣＶＤ処理やエッチング処理等を施す装置が用いられている。かようなプラズマ処理装置の一例として，処理容器の上方に設けた導波管からスロットを通じて誘電体にマイクロ波を伝播させ，処理容器内に供給された処理ガスをマイクロ波のエネルギー（電磁界）によってプラズマ化させる構成が知られている。さらに，このような装置に関して，基板などの大型化に伴って大型化した処理容器に十分なマイクロ波を供給するため，複数のマイクロ波源を備え，各マイクロ波源に接続された導波管からマイクロ波を供給する構成が提案されている（例えば，特許文献１参照。）。また，プラズマ処理装置では，導波管，マイクロ波源と導波管との間を接続する伝送導波管，処理容器等を含む負荷のインピーダンスが，マイクロ波源のインピーダンスと整合していないと，処理容器からマイクロ波源に向かう反射波が生じるため，処理容器内にマイクロ波が効率的に供給されなくなる問題がある。かかる問題を解決すべく，伝送導波管内の反射波を検出する反射波検出部と，反射波検出部の検出値に基づいて伝送導波管のインピーダンスを調整するチューナを備えた構成が提案されている（例えば，特許文献２参照。）。

特開２００４−２００６４６号公報 特開平９−１９０９００号公報

しかしながら，従来のプラズマ処理装置にあっては，複数のマイクロ波源を備えた場合，反射波だけでなく，他のマイクロ波源から供給されたマイクロ波も，伝送導波管内に侵入する現象がある。この場合，反射波検出部は，他のマイクロ波源からの侵入波と実際の反射波との合成波を反射波として検出してしまう。そのため，チューナによるインピーダンス整合が正確に行われなくなり，反射波が適切に抑制されず，処理容器にマイクロ波のエネルギーを効率良く供給できなくなる問題があった。

本発明の目的は，複数のマイクロ波源を備えた場合も，処理容器にマイクロ波のエネルギーを効率的に供給できるプラズマ処理装置を提供することにある。

上記課題を解決するため，本発明によれば，基板を収納する処理容器内の処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化させ，基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，前記処理容器にマイクロ波を供給する複数のマイクロ波源を備え，前記各マイクロ波源から処理容器にマイクロ波を伝送させる伝送導波管に，前記伝送導波管のインピーダンスを調整する駆動部材を有するチューナ部をそれぞれ備え，前記各チューナ部における前記駆動部材の駆動範囲は，前記複数のマイクロ波源のうち該チューナ部に対応するマイクロ波源のみから供給されるマイクロ波によって前記処理容器内の処理ガスをプラズマ化させたときに前記処理容器からの反射波が抑制される範囲内でのみ，それぞれ制限されることを特徴とする，プラズマ処理装置が提供される。

このプラズマ処理装置にあっては，前記駆動部材は，ＥチューナもしくはＥＨチューナにおけるショート板，又は，スタブチューナのスタブ棒であっても良い。

また，前記基板の上方に複数の誘電体が配置され，それら複数の誘電体毎に，前記各マイクロ波源から供給されたマイクロ波を誘電体に伝播させるスロットが設けられていることとしても良い。さらに，前記伝送導波管から供給されたマイクロ波を導入する導波管を複数備え，それら複数の導波管毎に複数の誘電体をそれぞれ設け，かつ各誘電体毎に１または２以上のスロットを設けても良い。

本発明によれば，複数のマイクロ波源から互いに異なる周波数のマイクロ波を供給し，フィルタ部によって他のマイクロ波源からの侵入波が抑制される構成としたので，実際の反射波を反射波検出部で精度良く検出することができる。従って，チューナ部によって実際の反射波を適切に抑制し，処理容器にマイクロ波のエネルギーを効率的に供給することができる。

また，本発明によれば，チューナ部を制限された範囲内で調節する構成としたことにより，他のマイクロ波源からの侵入波が侵入しても，侵入波の影響によりチューナの調節が悪化することを防止できる。従って，チューナ部によって反射波を適切に抑制し，処理容器にマイクロ波のエネルギーを効率的に供給することができる。

以下，本発明の第一の実施の形態を，プラズマ処理の一例であるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行うプラズマ処理装置１に基づいて説明する。図１は，本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置１の概略的な構成を示した縦断面図である。図２は，このプラズマ処理装置１が備える蓋体３の下面に支持された複数の誘電体２２の配置を示す下面図，及び，マイクロ波源５２，５４からマイクロ波を伝送させるための伝送導波管５１，５３の構成を示している。

このプラズマ処理装置１は，上部が開口した有底立方体形状の処理容器２と，この処理容器２の上方を塞ぐ蓋体３を備えている。これら処理容器２と蓋体３は例えばアルミニウム（Ａｌ）からなり，いずれも接地された状態になっている。

処理容器２の内部には，基板として例えばガラス基板（以下「基板」という）Ｇを載置するための載置台としてのサセプタ４が設けられている。このサセプタ４は例えば窒化アルミニウムからなり，その内部には，基板Ｇを静電吸着すると共に処理容器２の内部に所定のバイアス電圧を印加させるための給電部５と，基板Ｇを所定の温度に加熱するヒータ６が設けられている。給電部５には，処理容器２の外部に設けられたバイアス印加用の高周波電源７がコンデンサ等を備えた整合器７’を介して接続されると共に，と静電吸着用の高圧直流電源８がコイル８’を介して接続されている。ヒータ６には，同様に処理容器２の外部に設けられた交流電源９が接続されている。

サセプタ４は，処理容器２の外部下方に設けられた昇降プレート１０の上に，筒体１１を介して支持されており，昇降プレート１０と一体的に昇降することによって，処理容器２内におけるサセプタ４の高さが調整される。但し，処理容器２の底面と昇降プレート１０との間には，べローズ１２が装着してあるので，処理容器２内の気密性は保持されている。

処理容器２の底部には，処理容器２の外部に設けられた真空ポンプなどの排気装置（図示せず）によって処理容器２内の雰囲気を排気するための排気口１３が設けられている。また，処理容器２内においてサセプタ４の周囲には，処理容器２内におけるガスの流れを好ましい状態に制御するための整流板１４が設けられている。

蓋体３は，蓋本体２０の下面に薄板状のスロットアンテナ２１を取り付け，更にスロットアンテナ２１の下面に，複数枚の誘電体２２を取り付けた構成である。なお，蓋本体２０とスロットアンテナ２１は，一体的に構成される。蓋本体２０，スロットアンテナ２１は，それぞれ導体，例えばアルミニウム等の金属からなる。図１に示すように処理容器２の上方を蓋体３によって塞いだ状態では，蓋本体２０の下面周辺部と処理容器２の上面との間に配置されたＯリング２３によって，処理容器２内の気密性が保持されている。

蓋本体２０の下面には，マイクロ波を導入する複数本の導波管２５が形成されている。この実施の形態では，何れも直線上に延びる６本の導波管２５を有しており，各導波管２５同士が互いに平行となるように並列に配置されている。また各導波管２５は，断面形状が矩形状のいわゆる矩形導波管に構成されており，例えばＴＥ１０モードの場合であれば，各導波管２５の断面形状（矩形状）の長辺方向がＨ面で水平となり，短辺方向がＥ面で垂直となるように配置される。なお，長辺方向と短辺方向をどのように配置するかは，モードによって変わる。また各導波管２５の内部は，例えばＡｌ_２Ｏ_３，石英，フッ素樹脂などによって充填されている。

その他，蓋本体２０の内部には，処理容器２の外部に設けられた冷却水供給源２８から冷却水が循環供給される水路２９と，同様に処理容器２の外部に設けられた処理ガス供給源３０から処理ガスが供給されるガス流路３１が設けられている。本実施の形態においては，処理ガス供給源３０として，アルゴンガス供給源３５，成膜ガスとしてのシランガス供給源３６および水素ガス供給源３７が用意され，各々バルブ３５ａ，３６ａ，３７ａ，マスフローコントローラ３５ｂ，３６ｂ，３７ｂ，バルブ３５ｃ，３６ｃ，３７ｃを介して，ガス流路３１に接続されている。

蓋本体２０の下面に一体的に形成されたスロットアンテナ２１には，透孔としての複数のスロット４０が，等間隔に配置されている。各スロット４０同士の間隔は，例えばλｇ／２（λｇは，各導波管２５における管内波長）に設定される。この形態では，各スロット４０は，平面視でスリット形状の長孔に形成され，各スロット４０の長手方向が導波管２５の幅方向に向けられて配置されている。また，各導波管２５毎に，それぞれ複数のスロット４０が形成され，図示の形態では，６本の各導波管２５について，それぞれ６個ずつのスロット４０が設けられており，合計で６×６＝３６箇所のスロット４０が，蓋本体２０の下面全体に均一に分布して配置されている。

図２に示されるように，この形態では，スロットアンテナ２１の下面に対して，正方形の平板状をなす複数枚の誘電体２２を取り付けた構成になっている。各誘電体２２は，例えば石英ガラス，ＡｌＮ，Ａｌ_２Ｏ_３，サファイア，ＳｉＮ，セラミックス等からなる。各誘電体２２は，スロットアンテナ２１に形成された各スロット４０毎に一枚ずつ取り付けられている。このため図示の形態では，合計で６×６＝３６枚の誘電体２２が，蓋本体２０の下面全体に均一に分布して配置されている。このように，各導波管２５毎に複数の誘電体２２を設けると，各誘電体２２を小型化かつ軽量化することができ，プラズマ処理装置１の製造も容易かつ低コストとなる。また，各誘電体２２の面積が小さいため，各誘電体２２の表面全体にマイクロ波を確実に伝播させることができる効果がある。

各誘電体２２は，格子状に形成された支持部材４５によって支持されることにより，スロットアンテナ２１の下面に取付けられた状態を維持している。支持部材４５は，例えばアルミニウムからなり，スロットアンテナ２１と共に接地された状態になっている。この支持部材４５によって各誘電体２２の下面周辺部を下から支持することにより，各誘電体２２の下面の大部分を処理容器２内に露出させた状態にさせている。

このように格子状に形成された支持部材４５の各交差点部分には，各誘電体２２の周囲において処理容器２内に処理ガスを供給するためのガス噴射口４６がそれぞれ設けられており，蓋本体２０の下面全体にガス噴射口４６が均一に分布して配置されている。先に説明した処理ガス供給源３０からガス流路３１に供給された処理ガスは，各ガス噴射口４６から処理容器２内に噴射されるようになっている。このように支持部材４５にガス噴射口４６を設けると，処理容器２内の誘電体２２と基板Ｇとの間に処理ガス供給用のシャワヘッドなどを配置する必要がなく，装置を簡略化できる。また，シャワヘッドなどを省略することにより，誘電体２２と基板Ｇとの距離を短くでき，成膜処理やエッチング処理速度の向上，装置の小型化，処理ガスの少量化がはかれる。

図２に示されるように，先に説明した６本の導波管２５のうち，左側の３本の導波管２５の端部には，マイクロ波を伝送させる伝送導波管５１の端部がそれぞれ接続されており，処理容器２の外部に設けられたマイクロ波源５２で発生させた周波数ｆ１のマイクロ波が，この伝送導波管５１を経て３本の導波管２５にそれぞれ分配されて導入される。また，６本の導波管２５のうち，右側の３本の導波管２５の端部には，マイクロ波を伝送させる伝送導波管５３の端部がそれぞれ接続されており，処理容器２の外部に設けられたマイクロ波源５４で発生させた周波数ｆ２のマイクロ波が，この伝送導波管５３を経て３本の導波管２５にそれぞれ分配されて導入される。周波数ｆ１，ｆ２は，互いに異なる周波数である。

マイクロ波源５２，５４としては，一般に周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を供給するマイクロ波供給装置が量産されているので，これを用いることにより安価に製造できる。また，このようなマイクロ波供給装置は，わずかに周波数を変更することが可能であり，マイクロ波源５２，５４の周波数ｆ１，ｆ２を互いに異なるものに設定することが可能である。周波数ｆ１，ｆ２は，例えばｆ１＝２．４ＧＨｚ，ｆ２＝２．５ＧＨｚに設定すれば良い。また，ｆ１＝２．４ＧＨｚ，ｆ２＝２．４５ＧＨｚとしても良い。

伝送導波管５１は，断面形状が矩形状に形成されたいわゆる矩形導波管であり，例えばＴＥ１０モードの場合であれば，各伝送導波管５１の断面形状（矩形状）の長辺方向がＨ面（磁界面）で水平となり，短辺方向がＥ面（電界面）で垂直となるように配置される。なお，長辺方向と短辺方向をどのように配置するかは，モードによって変わる。また各伝送導波管５１の内面は，例えばＡｌ_２Ｏ_３，石英，フッ素樹脂などによって被覆されている。図２に示すように，伝送導波管５１には，処理容器２から反射してマイクロ波源５２側に向かう反射波の電力を検出する反射波検出部６１，及び，伝送導波管５１のインピーダンスを調整するチューナ部６２が介設されている。さらに，反射波検出部６１と処理容器２との間に，周波数ｆ１のマイクロ波だけを選択的に通過させるフィルタ部６３が介設されている。図１に示す例では，マイクロ波源５２と３本の導波管２５との間において，マイクロ波源５２側から反射波検出部６１，チューナ部６２，フィルタ部６３の順に設けられている。反射波検出部６１としては，例えば方向性結合器などを用いることができる。

図３に示すように，チューナ部６２は，Ｅ面を調整する電界面調整器７１と，Ｅ面に直交するＨ面を調整する磁界面調整器７２とを備えた公知のＥＨチューナである。電界面調整器７１は，伝送導波管５１に対して直交した状態でＥ面から分岐させた断面矩形状の調整管８１を備えている。調整管８１内にはショート板８２（短絡板）が備えられている。ショート板８２は，ショート板駆動機構８３の駆動により調整管８１の長さ方向に沿って移動可能である。磁界面調整器７２は，伝送導波管５１に対して直交した状態でＨ面から分岐させた断面矩形状の調整管８５を備えている。調整管８５内にはショート板８６が備えられている。ショート板８６は，ショート板駆動機構８７の駆動により調整管８５の長さ方向に沿って移動可能である。そして，各ショート板８２，８６を調整管８１，８５に沿って適宜移動させることにより，電界及び磁界の位相を調整することができ，ひいては，伝送導波管５１内のインピーダンスを変化させることができる構成となっている。即ち，伝送導波管５１，導波管２５，処理容器２を含む負荷全体のインピーダンスを，マイクロ波源５２のインピーダンスと整合させることで，反射波の発生を防止できる構成になっている。

チューナ部６２におけるショート板８２，８６の位置，即ち，伝送導波管５１のＥ面とショート板８２との間の距離Ｌ_Ｅと，伝送導波管５１のＨ面とショート板８６との間の距離Ｌ_Ｈとは，制御部９０の制御命令によってショート板駆動機構８３，８７が駆動されることにより調節される。また，制御部９０には，反射波検出部６１の検出値が送信される。制御部９０は，反射波検出部６１の検出値に基づいてチューナ部６２を制御するようになっている。

図２に示したフィルタ部６３は，周波数ｆ１を含む帯域のマイクロ波を通過させ，例えば周波数ｆ２等を含む他の帯域の電磁波を抑制する構成となっている。即ち，マイクロ波源５２から供給されるマイクロ波及びその反射波は通過させるが，例えばマイクロ波源５４から供給され処理容器２，導波管２５を介して伝送導波管５１に侵入するマイクロ波は抑制し，反射波検出部６１側に侵入させないようになっている。

伝送導波管５３は，伝送導波管５１とほぼ同様の構成を有している。即ち，断面略矩形状に形成され，処理容器２から反射してマイクロ波源５４側に向かう反射波の電力を検出する反射波検出部１０１，及び，伝送導波管５３のインピーダンスを調整するチューナ部１０２が介設されている。さらに，反射波検出部１０１と処理容器２との間に，周波数ｆ２のマイクロ波だけを選択的に通過させるフィルタ部１０３が介設されている。図１に示す例では，マイクロ波源５４と導波管２５との間において，マイクロ波源５４側から反射波検出部１０１，チューナ部１０２，フィルタ部１０３の順に設けられている。反射波検出部１０１は反射波検出部６１とほぼ同様の構成を有する。チューナ部１０２は，図３に示したチューナ部６２とほぼ同様の構成を有するＥＨチューナであり，伝送導波管５３のＥ面から分岐させた調整管８１と調整管８１内で移動可能なショート板８２とを有する電界面調整器７１，及び，伝送導波管５３のＨ面から分岐させた調整管８５と調整管８５内で移動可能なショート板８６とを有する磁界面調整器７２を備えている。チューナ部１０２におけるショート板８２，８６の位置は，制御部１０５の制御命令によってチューナ部１０２のショート板駆動機構８３，８７が駆動されることにより調節される。制御部１０５は，反射波検出部１０１の検出値に基づいてチューナ部１０２を制御する。

さて，以上のように構成された本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置１において，例えばアモルファスシリコン成膜する場合について説明する。処理する際には，処理容器２内のサセプタ４上に基板Ｇを載置し，処理ガス供給源３０からガス流路３１からガス配管４７，ガス噴射口４６を経て所定の処理ガス，例えばアルゴンガス／シランガス／水素の混合ガスを処理容器２内に供給しつつ，排気口１３から排気して処理容器２内を所定の圧力に設定する。この場合，蓋本体２０の下面全体に分布して配置されているガス噴射口４６から処理ガスを噴き出すことにより，サセプタ４上に載置された基板Ｇの表面全体に処理ガスを満遍なく供給することができる。そして，このように処理ガスを処理容器２内に供給する一方で，ヒータ６によって基板Ｇを所定の温度に加熱する。

また，図２に示したマイクロ波源５２，５４からそれぞれ周波数ｆ１，ｆ２のマイクロ波が同時に供給される。周波数ｆ１のマイクロ波は，マイクロ波源５２から伝送導波管５１内に供給され，反射波検出部６１，チューナ部６２，フィルタ部６３を通過して，左側の３本の導波管２５にそれぞれ導入され，各スロット４０を通じて各誘電体２２に伝播される。周波数ｆ２のマイクロ波は，マイクロ波源５４から伝送導波管５３内に供給され，反射波検出部１０１，チューナ部１０２，フィルタ部１０３を通過して，右側の３本の導波管２５にそれぞれ導入され，各スロット４０を通じて各誘電体２２に伝播される。

こうして，各誘電体２２に伝播されたマイクロ波のエネルギーによって，処理容器２内に電磁界が形成され，処理容器２内の前記処理ガスをプラズマ化することにより，基板Ｇ上の表面に対して，アモルファスシリコン成膜が行われる。この場合，例えば０．７ｅＶ〜２．０ｅＶの低電子温度，１０^１１〜１０^１３ｃｍ^−３の高密度プラズマによって，基板Ｇへのダメージの少ない均一な成膜が行える。アモルファスシリコン成膜の条件は，例えば処理容器２内の圧力については，５〜１００Ｐａ，好ましくは１０〜６０Ｐａ，基板Ｇの温度については，２００〜３００℃，好ましくは２５０〜３００℃，マイクロ波源の出力については，５００〜５０００Ｗ，好ましくは１５００〜２５００Ｗが適当である。

ところで，処理容器２内では，プラズマの状態によってインピーダンスが変動する。この処理容器２と伝送導波管５１，導波管２５，誘電体２２等を含む負荷のインピーダンスがマイクロ波源５２，５４のインピーダンスと整合していない状態で，マイクロ波源５２，５４からマイクロ波が供給されると，供給したマイクロ波の一部が処理容器２から反射され，各伝送導波管５１，５３内に反射波が発生する。かかる反射波を抑制するため，チューナ部６２，１０２によるインピーダンスの調整が以下のように行われる。

先ず，伝送導波管５１においては，マイクロ波源５２から供給された周波数ｆ１のマイクロ波の反射波が発生する。この反射波は，フィルタ部６３，チューナ部６２を通過して，反射波検出部６１によって検出される。制御部９０は，反射波検出部６１の検出値を監視しながら，チューナ部６２のショート板８２，８６の位置を調節して，反射波を低減させる制御を行う。チューナ部６２が調節されると，伝送導波管５１のインピーダンスが変化する。これにより，伝送導波管５１，導波管２５，誘電体２２，処理容器２内を含む負荷のインピーダンス全体が調整され，マイクロ波源５２のインピーダンスと整合されると，反射波が抑制される。

また，伝送導波管５１内には，周波数ｆ１の反射波の他に，マイクロ波源５４から処理容器２内に供給された周波数ｆ２のマイクロ波の一部が，誘電体２２，スロット４０，導波管２５を介して侵入して，マイクロ波源５２側に向かって進行する。しかし，この周波数ｆ２の侵入波はフィルタ部６３を通過できず，反射波検出部６１側には侵入しない。そのため，反射波検出部６１では侵入波の電力は検出されず，実際の反射波の電力が精度良く検出される。従って，制御部９０は実際の反射波の検出値に基づいてチューナ部６２を調節するので，伝送導波管５１のインピーダンスが適切に調整される。

同様に，伝送導波管５３でも，フィルタ部１０３が設けられていることにより，インピーダンスが適切に調整される。即ち，伝送導波管５３においては，マイクロ波源５４から供給された周波数ｆ２のマイクロ波の反射波が発生し，また，マイクロ波源５２から処理容器２内に供給された周波数ｆ１のマイクロ波の一部が侵入するが，侵入波はフィルタ部１０３を通過できず，周波数がｆ２である反射波はフィルタ部１０３を通過できる。そのため，反射波検出部１０１では侵入波の電力は検出されず，実際の反射波の電力が精度良く検出される。制御部１０５は実際の反射波に基づいてチューナ部１０２を調節し，伝送導波管５３のインピーダンスを適切に調整する。そして，伝送導波管５３，導波管２５，誘電体２２，処理容器２内を含む負荷のインピーダンス全体がマイクロ波源５４のインピーダンスと整合されることにより，伝送導波管５３内の反射波が抑制される。

かかるプラズマ処理装置１によれば，２個のマイクロ波源５２，５４から互いに異なる周波数ｆ１，ｆ２のマイクロ波をそれぞれ供給する構成とし，かつ，各マイクロ波源５２，５４に対応させて各伝送導波管５１，５３に設けたフィルタ部６３，１０３によって，他のマイクロ波源からの異なる周波数の侵入波が抑制される構成としたので，各伝送導波管５１，５３における実際の反射波を各反射波検出部６１，１０１で精度良く検出することができる。従って，各伝送導波管５１，５３において，チューナ部６２，１０２によるインピーダンスの調整が精度良く行われ，反射波を適切に抑制できるので，各マイクロ波源５２，５４から供給されたマイクロ波の一部が無効電力になることを防止でき，各周波数ｆ１，ｆ２のマイクロ波のエネルギーを処理容器２内の処理ガスに効率的に供給することができる。

次に，本発明の第二の実施の形態を説明する。図４は，第二の実施の形態にかかるプラズマ処理装置１２０が備える伝送導波管５１，５３の構成を示している。この第二の実施形態にかかるプラズマ処理装置１２０は，伝送導波管５１，５３にフィルタ部６３，１０３が設けられていない点を除けば，図１に示した第一の実施の形態にかかるプラズマ処理装置１とほぼ同様の構成を有する。よって，図４中に共通の符号を付することにより，重複した説明を省略する。

プラズマ処理装置１２０の伝送導波管５１，５３には，図３に示したチューナ部６２，１０２がそれぞれ設けられている。制御部９０，１０５は，基板Ｇのプラズマ処理を行う際，各チューナ部６２，１０２を制限された範囲内で調節するように予め設定される。

チューナ部６２の調節の範囲は，以下のような実験による方法で設定しても良い。先ず，マイクロ波源５２，５４のうち，チューナ部６２に対応するマイクロ波源５２のみからマイクロ波を供給して処理容器２内の処理ガスをプラズマ化させる試験を行う。即ち，伝送導波管５１内に他のマイクロ波源からの侵入波が侵入せず，反射波のみが発生する状態にする。そして，この状態でチューナ部６２の調節を行い，反射波が好適に抑制されるときの伝送導波管５１のＥ面とショート板８２との間の距離Ｌ_Ｅ，及び，伝送導波管５１のＨ面とショート板８６との間の距離Ｌ_Ｈを調べる。この実験結果に基づき，距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈの制約範囲を設定する。例えば，反射波が抑制される最適な距離Ｌ_ＥO，Ｌ_ＨOを求め，図５に示すように，距離Ｌ_Ｅの制約範囲は距離Ｌ_ＥOを含む範囲Ｌ_Ｅmin＜Ｌ_Ｅ＜Ｌ_Ｅmax（Ｌ_Ｅmin＜Ｌ_ＥO＜Ｌ_Ｅmax）とし，距離Ｌ_Ｈの制約範囲は距離Ｌ_ＨOを含む範囲Ｌ_Hmin＜Ｌ_H＜Ｌ_Hmax（Ｌ_Hmin＜Ｌ_HO＜Ｌ_Hmax）と決定する。そして，チューナ部６２の調節状態がその制約範囲内にあるとき，即ち，距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈの関係が図５においてＬ_Ｅmin＜Ｌ_Ｅ＜Ｌ_Ｅmax，Ｌ_Hmin＜Ｌ_H＜Ｌ_Hmaxとなる方形の領域Ａ内にあるときのみ，反射波検出部６１の検出値に基づいて各ショート板駆動機構８３，８７の駆動量を調節するように，制御部９０の制御条件を設定する。なお，距離Ｌ_ＥO，Ｌ_ＨOの好ましい制約範囲は，処理容器２内で行われる処理のプロセスによって異なるので，処理容器２内で行われるプロセスの種類ごとに実験を行い，各プロセスにおける距離Ｌ_ＥO，Ｌ_ＨOの制約範囲をそれぞれ調べることが望ましい。

伝送導波管５３のチューナ部１０２における調節の範囲も，同様にして決定できる。即ち，チューナ部１０２に対応するマイクロ波源５４のみからマイクロ波を供給して処理容器２内の処理ガスをプラズマ化させた状態で，伝送導波管５３のチューナ部１０２の調節を行い，反射波が適切に抑制されるときの伝送導波管５３のＥ面とショート板８２との間の距離Ｌ_Ｅ，及び，伝送導波管５３のＨ面とショート板８６との間の距離Ｌ_Ｈを調べる。この実験結果より，伝送導波管５３のチューナ部１０２における距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈの制約範囲を決定し，チューナ部１０２の調節状態が例えばＬ_Ｅmin＜Ｌ_Ｅ＜Ｌ_Ｅmax，Ｌ_Hmin＜Ｌ_H＜Ｌ_Hmaxとなる領域Ａ内にあるときのみ，各ショート板駆動機構８３，８７の駆動量を調節するように，制御部１０５の制御条件を設定する。

かかる構成において，基板Ｇのプラズマ処理を行う際，マイクロ波源５２，５４からそれぞれマイクロ波が同時に供給され，伝送導波管５１において反射波が発生するとともに，マイクロ波源５４から処理容器２内に供給されたマイクロ波の一部が侵入すると，反射波検出部６１は，実際の反射波と侵入波の合成波の電力を，反射波の電力として検出する。従って，実際の反射波の電力より大きな電力が検出される。制御部９０は，予め制限された範囲内でのみ，反射波検出部６１の検出値に基づいてチューナ部６２の各ショート板駆動機構８３，８７の駆動量を調節し，これにより，ショート板８２，８６の距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが調節される。また，制御部９０は，予め制限された範囲から逸脱しなければ検出値に相当する反射波を抑制することができないと判断したときは，ショート板駆動機構８３，８７の駆動を停止させる。チューナ部６２では，停止させたときの調節状態が維持される。

ここで，制御部９０に制限を与えない場合は，侵入波の影響により実際より大きく検出された反射波検出部６１の検出値に応じて，図５において点線で示すように，チューナ部６２における距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが必要以上に大きく調節されてしまう。この場合，マイクロ波の供給効率が悪化する。しかし，制御部９０が上述したような制限を受けている場合は，図５において実線で示すように，距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが領域Ａ内にあるときだけ，反射波検出部６１の検出値に応じて距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが調節され，距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが領域Ａを逸脱しなければ検出値の反射波を抑制できないと制御部９０で判断されたときは，調節が停止され，距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが領域Ａの境界に位置する値にある状態が維持される。従って，距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが必要以上に調節されないので，マイクロ波の供給効率が良好に維持される。

同様に，伝送導波管５３において反射波が発生するとともに，マイクロ波源５２から処理容器２内に供給されたマイクロ波の一部が侵入すると，反射波検出部１０１は，実際の反射波と侵入波の合成波の電力を，反射波の電力として検出する。制御部１０５は，予め制限された範囲内でのみ，反射波検出部１０１の検出値に基づいてチューナ部１０２の各ショート板駆動機構８３，８７の駆動量を調節するが，予め制限された範囲を逸脱しなければ検出値の反射波を抑制できないと判断したときは，ショート板駆動機構８３，８７の駆動を停止させる。即ち，図５において実線で示すように，距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが領域Ａ内にあるときだけ，反射波検出部１０１の検出値に応じて距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが調節され，距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが領域Ａを逸脱しなければ検出値の反射波を抑制できないと制御部１０５で判断されたときは，調節が停止され，領域Ａの境界における状態が維持される。従って，チューナ部１０２の距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが必要以上に調節されないので，マイクロ波源５４からのマイクロ波の供給効率が良好に維持される。

かかるプラズマ処理装置１２０によれば，ショート板８２，８６が制限された領域Ａ内にある範囲でチューナ部６２，１０２を調節する構成としたことにより，他のマイクロ波源からの侵入波が侵入しても，侵入波の影響によりチューニングが悪化することを防止できる。従って，各伝送導波管５１，５３において，チューナ部６２，１０２によるインピーダンスの調整が好適に行われ，反射波を適切に抑制できるので，各マイクロ波源５２，５４から供給されたマイクロ波の一部が無効電力になることを抑制して，マイクロ波のエネルギーを処理容器２内の処理ガスに効率的に供給することができる。

なお，プラズマ処理装置１２０においては，マイクロ波源５２，５４が供給するマイクロ波の周波数は，互いに異なっていても同一であっても良い。いずれの場合も，チューナ部６２，１０２のショート板８２，８６を制限された範囲Ａ内でチューニングすることにより，チューニングが悪化することを防止できる。

また，上記の第二の実施形態では，距離Ｌ_Ｅ，Ｌ_Ｈが図５に示した方形の領域Ａ内にある範囲でチューナ部６２，１０２を調節する場合を説明したが，チューナ部６２，１０２の調節を制限する方法は，かかるものに限定されない。例えば，図５における領域Ａの形状は，距離Ｌ_ＥＯ，Ｌ_ＨＯを中心とした略円形の領域にしても良い。

また，上記の第二の実施形態では，チューナ部６２，１０２としてＥＨチューナを用いる場合を説明したが，例えばＥチューナ，スタブチューナ等の他のインピーダンス整合器を用いても良い。チューナ部６２，１０２としてＥチューナを用いる場合は，ＥＨチューナと同様に，各ショート板の位置を制限することで，チューニングの範囲を制限すれば良い。また，チューナ部６２，１０２としてスタブチューナを用いる場合は，各スタブ棒の挿入長を制限することで，チューニングの範囲を制限すれば良い。また，チューナ部６２，１０２の種類は，互いに異なるものであっても良い。

図６は，ＥＨチューナに代えてチューナ部６２’，１０２’として設けられたＥチューナの一例を示している。チューナ部６２’は，Ｅ面を調整する４つの調整器１３１Ａ〜１３１Ｄを備えた公知のフォーＥチューナである。調整器１３１Ａは，伝送導波管５１に対して直交した状態でＥ面から分岐させた断面矩形状の調整管１３５を備えている。調整管１３５内には，調整管１３５の長さ方向に沿って移動可能なショート板１３６（短絡板）が備えられている。調整器１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄも，調整器１３１Ａとほぼ同様の構成であり，伝送導波管５１に対して直交した状態でＥ面から分岐させた断面矩形状の調整管１３５と，調整管１３５内で移動可能なショート板１３６とをそれぞれ備えている。調整器１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄは，マイクロ波源５２側から導波管２５側に向かってこの順に並べて設けられている。なお，調整器１３１Ａの調整管１３５と調整器１３１Ｂの調整管１３５との間の間隔はλｇ_２／４（λｇ_２は，マイクロ波源５２から供給されたマイクロ波の伝送導波管５１における管内波長），調整器１３１Ｂの調整管１３５と調整器１３１Ｃの調整管１３５との間の間隔はλｇ_２／８，調整器１３１Ｃの調整管１３５と調整器１３１Ｄの調整管１３５との間の間隔はλｇ_２／４となっている。マイクロ波源５２と調整器１３１Ａとの間には，反射波検出部６１’が設けられている。

調整器１３１Ａ，１３１Ｂの各ショート板１３６は，ショート板駆動機構１３７の駆動によって移動させられる。調整器１３１Ａのショート板１３６の動作と，調整器１３１Ａに隣接する調整器１３１Ｂのショート板１３６の動作とは，互いに連動させられており，例えば調整器１３１Ａのショート板１３６が距離ｍだけＥ面から離隔する向きに移動させられたとき，調整器１３１Ｂのショート板１３６がＥ面に近接する向きに距離１／２ｍだけ移動させられるようになっている。また，調整器１３１Ｃ，１３１Ｄの各ショート板１３６は，ショート板駆動機構１３８の駆動によって移動させられる。調整器１３１Ｃのショート板１３６の動作と，調整器１３１Ｃに隣接する調整器１３１Ｄのショート板１３６の動作とは，互いに連動させられており，例えば調整器１３１Ｃのショート板１３６が距離ｎだけＥ面から離隔する向きに移動させられたとき，調整器１３１Ｄのショート板１３６がＥ面に近接する向きに距離２ｎだけ移動させられるようになっている。そして，かかるショート板駆動機構１３７，１３８によって各調整器１３１Ａ〜１３１Ｄのショート板１３６を適宜移動させることにより，電界及び磁界の位相を調整することができ，ひいては，伝送導波管５１内のインピーダンスを変化させることができる構成となっている。即ち，伝送導波管５１，導波管２５，処理容器２を含む負荷全体のインピーダンスを，マイクロ波源５２のインピーダンスと整合させることで，反射波の発生を防止できる構成になっている。なお，このように，調整器１３１Ａ，１３１Ｂ同士，及び，調整器１３１Ｃ，１３１Ｄ同士を連動させることにより，チューナ部の制御を簡単にすることができる。

各調整器１３１Ａ〜１３１Ｄのショート板１３６の位置は，制御部９０’の制御命令によってショート板駆動機構１３７，１３８が駆動されることにより調節される。また，制御部９０’には，反射波検出部６１’の検出値が送信される。制御部９０’は，反射波検出部６１’の検出値に基づいてチューナ部６２’を制御するようになっている。

チューナ部１０２’は，チューナ部６２’とほぼ同様の構成を有するＥチューナであり，伝送導波管５３のＥ面から分岐させた調整管１３５と調整管１３５内で移動可能なショート板１３６とを有する４つの調整器１３１Ａ〜１３１Ｄを備えている。チューナ部１０２’においては，調整器１３１Ａの調整管１３５と調整器１３１Ｂの調整管１３５との間の間隔はλｇ_３／４（λｇ_３は，マイクロ波源５４から供給されたマイクロ波の伝送導波管５３における管内波長），調整器１３１Ｂの調整管１３５と調整器１３１Ｃの調整管１３５との間の間隔はλｇ_３／８，調整器１３１Ｃの調整管１３５と調整器１３１Ｄの調整管１３５との間の間隔はλｇ_３／４となっている。チューナ部１０２’における各調整器１３１Ａ〜１３１Ｄのショート板１３６の位置は，制御部１０５’の制御命令によってチューナ部１０２’のショート板駆動機構１３７，１３８が駆動されることにより調節される。制御部１０５’は，反射波検出部１０１’の検出値に基づいてチューナ部１０２’を制御する。

制御部９０’，１０５’は，基板Ｇのプラズマ処理を行う際，各チューナ部６２’，１０２’を制限された範囲内で調節するように予め設定される。チューナ部６２’の調節の範囲は，以下のような実験による方法で設定しても良い。先ず，マイクロ波源５２，５４のうち，チューナ部６２’に対応するマイクロ波源５２のみからマイクロ波を供給して処理容器２内の処理ガスをプラズマ化させる試験を行う。即ち，伝送導波管５１内に他のマイクロ波源からの侵入波が侵入せず，反射波のみが発生する状態にする。そして，この状態でチューナ部６２’の調節を行い，反射波が好適に抑制されるときの各調整器１３１Ａ〜１３１Ｄのショート板１３６の位置関係，例えば，伝送導波管５１のＥ面と調整器１３１Ａのショート板１３６との間の距離Ｌ_ＥＡ，及び，伝送導波管５１のＥ面と調整器１３１Ｃのショート板１３６との間の距離Ｌ_ＥＣを調べる。この実験結果に基づき，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣの制約範囲を設定する。例えば，反射波が抑制される最適な距離Ｌ_ＥＡ０，Ｌ_ＥＣ０を求め，図５に示すように，距離Ｌ_ＥＡの制約範囲は距離Ｌ_ＥＡOを含む範囲Ｌ_ＥＡmin＜Ｌ_ＥＡ＜Ｌ_ＥＡmax（Ｌ_ＥＡmin＜Ｌ_ＥＡO＜Ｌ_ＥＡmax）とし，距離Ｌ_ＥＣの制約範囲は距離Ｌ_ＥＣOを含む範囲Ｌ_ＥＣmin＜Ｌ_ＥＣ＜Ｌ_ＥＣmax（Ｌ_ＥＣmin＜Ｌ_ＥＣO＜Ｌ_ＥＣmax）と決定する。そして，チューナ部６２’の調節状態がその制約範囲内にあるとき，即ち，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣの関係が図７においてＬ_ＥＡmin＜Ｌ_ＥＡ＜Ｌ_ＥＡmax，Ｌ_ＥＣmin＜Ｌ_ＥＣ＜Ｌ_ＥＣmaxとなる方形の領域Ａ２内にあるときのみ，反射波検出部６１’の検出値に基づいて各ショート板駆動機構１３７，１３８の駆動量を調節するように，制御部９０’の制御条件を設定する。なお，伝送導波管５１のＥ面と調整器１３１Ｂのショート板１３６との間の距離Ｌ_ＥＢ，伝送導波管５１のＥ面と調整器１３１Ｄのショート板１３６との間の距離Ｌ_ＥＤは，それぞれ距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣと一定の関係にあるので，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣが領域Ａ２に制限されることで，距離Ｌ_ＥＢ，Ｌ_ＥＤも，領域Ａ２に連関した所定の範囲内に制限されることとなる。

伝送導波管５３のチューナ部１０２’における調節の範囲も，同様にして決定できる。即ち，チューナ部１０２’に対応するマイクロ波源５４のみからマイクロ波を供給して処理容器２内の処理ガスをプラズマ化させた状態で，伝送導波管５３のチューナ部１０２の調節を行い，反射波が適切に抑制されるときの伝送導波管５３のＥ面と調整器１３１Ａのショート板１３６との間の距離Ｌ_ＥＡ，及び，伝送導波管５１のＥ面と調整器１３１Ｃのショート板１３６との間の距離Ｌ_ＥＣを調べる。この実験結果より，伝送導波管５３のチューナ部１０２’における距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣの制約範囲を決定し，チューナ部１０２’の調節状態が例えばＬ_ＥＡmin＜Ｌ_ＥＡ＜Ｌ_ＥＡmax，Ｌ_ＥＣmin＜Ｌ_ＥＣ＜Ｌ_ＥＣmaxとなる領域Ａ２内にあるときのみ，各ショート板駆動機構１３７，１３８の駆動量を調節するように，制御部１０５’の制御条件を設定する。なお，上記のチューナ部６２’，１０２’の調節を制限する方法は，かかるものに限定されない。例えば，図７における領域Ａ２の形状は，距離Ｌ_ＥＡＯ，Ｌ_ＥＣＯを中心とした略円形の領域にしても良い。

かかる構成において，基板Ｇのプラズマ処理を行う際，制御部９０’は，予め制限された範囲内でのみ，反射波検出部６１’の検出値に基づいてチューナ部６２’の各ショート板駆動機構１３７，１３８の駆動量を調節し，これにより，調整器１３１Ａ〜１３１Ｄのショート板１３６の距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＢ，Ｌ_ＥＣ，Ｌ_ＥＤが調節される。また，制御部９０’は，予め制限された範囲から逸脱しなければ検出値に相当する反射波を抑制することができないと判断したときは，ショート板駆動機構１３７，１３８の駆動を停止させる。チューナ部６２’では，停止させたときの調節状態が維持される。例えば制御部９０’が上述したような制限を受けている場合は，図７において実線で示すように，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣが領域Ａ２内にあるときだけ，反射波検出部６１’の検出値に応じて距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＢ，Ｌ_ＥＣ，Ｌ_ＥＤが調節され，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣが領域Ａ２を逸脱しなければ検出値の反射波を抑制できないと制御部９０’で判断されたときは，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＢ，Ｌ_ＥＣ，Ｌ_ＥＤの調節が停止され，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣが領域Ａ２の境界に位置する値にある状態が維持される。従って，伝送導波管５１に他のマイクロ波源５４からの侵入波が侵入しても，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＢ，Ｌ_ＥＣ，Ｌ_ＥＤが必要以上に調節されないので，侵入波の影響によりチューニングが悪化することを防止でき，マイクロ波源５２からのマイクロ波の供給効率が良好に維持される。

同様に，制御部１０５’は，予め制限された範囲内でのみ，反射波検出部１０１’の検出値に基づいてチューナ部１０２’の各ショート板駆動機構１３７，１３８の駆動量を調節するが，予め制限された範囲を逸脱しなければ検出値の反射波を抑制できないと判断したときは，ショート板駆動機構１３７，１３８の駆動を停止させる。即ち，図７において実線で示すように，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣが領域Ａ２内にあるときだけ，反射波検出部１０１の検出値に応じてＬ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣが調節され，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＣが領域Ａ２を逸脱しなければ検出値の反射波を抑制できないと制御部１０５’で判断されたときは，距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＢ，Ｌ_ＥＣ，Ｌ_ＥＤの調節が停止され，領域Ａ２の境界における状態が維持される。従って，伝送導波管５３に他のマイクロ波源５２からの侵入波が侵入しても，チューナ部１０２’の距離Ｌ_ＥＡ，Ｌ_ＥＢ，Ｌ_ＥＣ，Ｌ_ＥＤが必要以上に調節されないので，侵入波の影響によりチューニングが悪化することを防止でき，マイクロ波源５４からのマイクロ波の供給効率が良好に維持される。

なお，以上では調整器１３１Ａ，１３１Ｃの各ショート板１３６の位置に基づいて，チューナ部６２’（１０２’）の調節を制限することとしたが，かかる制限は，他の調整器同士の組み合わせに基づいて設定しても良い。例えば，調整器１３１Ａ（又は１３１Ｂ）と調整器１３１Ｄの各ショート板１３６の位置に基づいて制限しても良い。

以上，本発明にかかる第一及び第二の実施の形態の好適な例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，上記第一及び第二の実施形態では，６本の導波管２５のそれぞれに対して何れも６個ずつの誘電体２２とスロット４０を設けたが，導波管２５は任意の複数本で良く，また，各導波管２５毎に設けられる誘電体２２やスロット４０の個数も，１個又は任意の複数個で良い。また，各導波管２５毎に設けられる誘電体２２の個数は互いに同じでも異なっていても良い。また，各誘電体２２毎にスロット３０を一つずつ設けた例を示したが，各誘電体２２毎に複数のスロット３０をそれぞれ設けても良いし，また，各誘電体２２毎に設けられるスロット３０の個数が異なっていても良い。

第一及び第二の実施形態では，２個のマイクロ波源５２，５４を備える構成としたが，マイクロ波源の個数は任意の複数で良い。また，１つのマイクロ波源５２（５４）から３本の導波管２５に対してマイクロ波を導入する構成としたが，１つのマイクロ波源からマイクロ波が導入される導波管の本数は，１本又は任意の複数本であっても良い。各マイクロ波源毎のマイクロ波が導入される導波管の本数は，互いに同じでも異なっていても良い。

第一及び第二の実施形態では，スロットアンテナ２１に複数のスロット４０を導波管２５毎に等間隔に配置した構成としたが，スロットを渦巻状や同心円状に配置したいわゆるラジアルラインスロットアンテナを構成することもできる。また，誘電体２２の形状は正方形でなくても良く，例えば長方形，三角形，任意の多角形，円板，楕円等としても良い。また，各誘電体２２同士は互いに同じ形状でも，異なる形状でも良い。

以上に示した第一の実施形態では，チューナ部６２，１０２としてはＥＨチューナを用いることとしたが，例えばＥチューナ，スタブチューナ等の他のインピーダンス整合器を用いても良い。Ｅチューナとしては，例えば第二の実施形態中で説明したフォーＥチューナ（図６）を用いても良い。

また，上記第一の実施形態では，伝送導波管５１，５３においてフィルタ部６３，１０３によって侵入波を抑制することで反射波を精度良く検出し，インピーダンス調整の高精度化を図ることとし，第二の実施形態では，伝送導波管５１，５３におけるチューナ部６２，１０２（６２’，１０２’）の調節を制限することで，インピーダンス調整の悪化防止を図ることとしたが，伝送導波管５１，５３は，互いに異なる構成であっても良い。即ち，複数の伝送導波管に対して，第一の実施形態における伝送導波管の構成，第二の実施形態における伝送導波管の構成のいずれかを別々に適用しても良い。例えば，伝送導波管５１には第一の実施形態に示したフィルタ部６３を有する構成を適用し，他方の伝送導波管５３にはフィルタ部１０３を設けず，制御部１０５（１０５’）に対して第二の実施形態に示した制限付きの制御を行うように設定する。なお，この場合，マイクロ波源５２，５４が供給するマイクロ波の周波数は互いに異なっている必要がある。このような形態にしても，チューナ部６２，１０２（６２’，１０２’）によって反射波を適切に抑制し，処理容器２に各マイクロ波源５２，５４からのマイクロ波のエネルギーを効率的に供給することができる。逆に，伝送導波管５３に第一の実施形態に示したフィルタ部１０３を有する構成を適用し，他方の伝送導波管５１にはフィルタ部６３を設けず，制御部９０（９０’）に対して第二の実施形態に示した制限付きの制御を行うように設定しても良い。また，各伝送導波管５１，５３に設けるチューナ部は，互いに異なる種類のインピーダンス整合器であっても良い。例えば，伝送導波管５１に設けるチューナ部はＥＨチューナとし，伝送導波管５３に設けるチューナ部はＥチューナとしても良く，逆に，伝送導波管５１に設けるチューナ部をＥチューナとし，伝送導波管５３に設けるチューナ部をＥＨチューナとしても良い。

第一及び第二の実施形態では，プラズマ処理の一例であるアモルファスシリコン成膜を行うものについて説明したが，本発明は，アモルファスシリコン成膜の他，酸化膜成膜，ポリシリコン成膜，シランアンモニア処理，シラン水素処理，酸化膜処理，シラン酸素処理，その他のＣＶＤ処理の他，エッチング処理にも適用できる。

本発明は，例えばＣＶＤ処理，エッチング処理に適用できる。

第一の実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略的な構成を示した縦断面図である。 第一の実施形態にかかる蓋体の下面に支持された複数の誘電体，及び，マイクロ波源，伝送導波管の構成を説明する説明図である。 チューナ部の構成を示した斜視図である。 第二の実施形態にかかるプラズマ処理装置における蓋体の下面に支持された複数の誘電体，及び，マイクロ波源，伝送導波管の構成を説明する説明図である。 電界面調整器のショート板の位置（距離Ｌ_Ｅ）を横軸とし，磁界面調整器のショート板の位置（距離Ｌ_Ｈ）を縦軸として示し，各ショート板の位置に関する制約範囲の一例を説明したグラフである。 Ｅチューナの一例の構成を示した概略断面図である。 Ｅチューナにおける調整器のショート板の位置（距離Ｌ_ＥＡ）を横軸とし，他の調整器のショート板の位置（距離Ｌ_ＥＣ）を縦軸として示し，各ショート板の位置に関する制約範囲の一例を説明したグラフである。

符号の説明

Ａ 領域
ｆ１，ｆ２ マイクロ波の周波数
Ｇ 基板
Ｌ_Ｅ 伝送導波管のＥ面とショート板との間の距離
Ｌ_Ｈ 伝送導波管のＨ面とショート板との間の距離
１ プラズマ処理装置
２ 処理容器
３ 蓋体
４ サセプタ
１３ 排気口
２０ 蓋本体
２１ スロットアンテナ
２２ 誘電体
２５ 導波管
４０ スロット
４６ ガス噴射口
５１，５３ 伝送導波管
５２，５４ マイクロ波源
６１，１０１ 反射波検出部
６２，１０２ チューナ部
６３，１０３ フィルタ部
７１ 電界面調整器
７２ 磁界面調整器
８２，８６ ショート板
９０，１０５ 制御部

Claims (4)

1. 基板を収納する処理容器内の処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化させ，基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
   前記処理容器にマイクロ波を供給する複数のマイクロ波源を備え，
   前記各マイクロ波源から処理容器にマイクロ波を伝送させる伝送導波管に，前記伝送導波管のインピーダンスを調整する駆動部材を有するチューナ部をそれぞれ備え，
   前記各チューナ部における前記駆動部材の駆動範囲は，前記複数のマイクロ波源のうち該チューナ部に対応するマイクロ波源のみから供給されるマイクロ波によって前記処理容器内の処理ガスをプラズマ化させたときに前記処理容器からの反射波が抑制される範囲内でのみ，それぞれ制限されることを特徴とする，プラズマ処理装置。
2. 前記駆動部材は，ＥチューナもしくはＥＨチューナにおけるショート板，又は，スタブチューナのスタブ棒であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
3. 前記基板の上方に複数の誘電体が配置され，それら複数の誘電体毎に，前記各マイクロ波源から供給されたマイクロ波を誘電体に伝播させるスロットが設けられていることを特徴とする，請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
4. 前記伝送導波管から供給されたマイクロ波を導入する導波管を複数備え，それら複数の導波管毎に複数の誘電体をそれぞれ設け，かつ各誘電体毎に１または２以上のスロットを設けたことを特徴とする，請求項３に記載のプラズマ処理装置。
   

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