RU2016148886A - Свч-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала - Google Patents

Свч-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала Download PDF

Info

Publication number
RU2016148886A
RU2016148886A RU2016148886A RU2016148886A RU2016148886A RU 2016148886 A RU2016148886 A RU 2016148886A RU 2016148886 A RU2016148886 A RU 2016148886A RU 2016148886 A RU2016148886 A RU 2016148886A RU 2016148886 A RU2016148886 A RU 2016148886A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
microwave
sources
reactor according
plasma chamber
plasma reactor
Prior art date
Application number
RU2016148886A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2666135C2 (ru
RU2016148886A3 (ru
Inventor
Джон Роберт БРЭНДОН
Айан ФРАЙЕЛ
Майкл Эндрю КУПЕР
Джеффри Алан СКАРСБРУК
Бен Льюлин ГРИН
Original Assignee
Элемент Сикс Текнолоджиз Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Элемент Сикс Текнолоджиз Лимитед filed Critical Элемент Сикс Текнолоджиз Лимитед
Publication of RU2016148886A3 publication Critical patent/RU2016148886A3/ru
Publication of RU2016148886A publication Critical patent/RU2016148886A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2666135C2 publication Critical patent/RU2666135C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32201—Generating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
    • C30B25/205—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer the substrate being of insulating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/04—Diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32247—Resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32266—Means for controlling power transmitted to the plasma
    • H01J37/32284—Means for controlling or selecting resonance mode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32293—Microwave generated discharge using particular waveforms, e.g. polarised waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32302—Plural frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3322—Problems associated with coating
    • H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Claims (30)

1. СВЧ-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала посредством химического парофазного осаждения, содержащий:
плазменную камеру, ограничивающую резонатор для поддержки основной СВЧ-резонансной моды, имеющей частоту f основной СВЧ-резонансной моды;
множество источников СВЧ-излучения, связанных с плазменной камерой, для генерации и подачи СВЧ-излучения с суммарной СВЧ-мощностью PT в плазменную камеру;
систему газоходов для подачи технологических газов в плазменную камеру и их отвода из нее; и
подложкодержатель, расположенный в плазменной камере и содержащий опорную поверхность для поддержки подложки, на которой при применении должен осаждаться синтетический алмазный материал,
причем множество источников СВЧ-излучения выполнены с возможностью ввода по меньшей мере 30% суммарной СВЧ-мощности PT в плазменную камеру на частоте f основной СВЧ-резонансной моды, и причем по меньшей мере некоторые из множества источников СВЧ-излучения являются твердотельными источниками СВЧ-излучения.
2. СВЧ-плазменный реактор по п. 1, в котором множество источников СВЧ-излучения выполнены с возможностью ввода по меньшей мере 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90% или 95% суммарной СВЧ-мощности PT в плазменную камеру на частоте f основной СВЧ-резонансной моды.
3. СВЧ-плазменный реактор по п. 1 или 2, в котором частота f основной СВЧ-резонансной моды имеет ширину полосы не более чем 10%, 5%, 3%, 1%, 0,5%, 0,3% или 0,2% от среднего значения частоты.
4. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором частота f основной СВЧ-резонансной моды ниже, чем 896 МГц, на по меньшей мере 10%, 20%, 30%, 40% или 50%.
5. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором твердотельные источники СВЧ-излучения выполнены с возможностью ввода менее чем 50%, 40% или 30%, но по меньшей мере 1%, 2%, 3%, 5%, 10% или 20% суммарной СВЧ-мощности PT в плазменную камеру на одной или более частотах, отличающихся от частоты основной СВЧ-резонансной моды.
6. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором по меньшей мере несколько из множества твердотельных источников СВЧ-излучения выполнены, каждый, с возможностью генерации не более чем 10%, 5%, 3% или 2% суммарной СВЧ-мощности PT.
7. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором по меньшей мере 30%, 50%, 70% или 100% суммарной СВЧ-мощности PT обеспечивается твердотельными источниками СВЧ-излучения.
8. СВЧ-плазменный реактор по любому из пп. 1-6, в котором по меньшей мере 50%, 60%, 70%, 80%, 90% или 95% суммарной СВЧ-мощности PT, вводимой в плазменную камеру на частоте f основной СВЧ-резонансной моды, обеспечивается магнетронным источником СВЧ-излучения.
9. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором с плазменной камерой связаны по меньшей мере 5, 10, 20, 30 или 50 отдельных твердотельных источников СВЧ-излучения.
10. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором твердотельные источники СВЧ-излучения являются независимо управляемыми.
11. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором твердотельные источники СВЧ-излучения выполнены с возможностью импульсной генерации СВЧ-мощности, вводимой в плазменную камеру.
12. СВЧ-плазменный реактор по п. 11, в котором твердотельные источники СВЧ-излучения выполнены с возможностью импульсной генерации СВЧ-мощности, вводимой в плазменную камеру, с частотой следования импульсов в диапазоне от 10 Гц до 1 МГц, от 100 Гц до 1 МГц или от 1 кГц до 100 кГц.
13. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором один или более из твердотельных источников СВЧ-излучения непосредственно связаны с плазменной камерой.
14. СВЧ-плазменный реактор по п. 13, в котором упомянутые твердотельные источники СВЧ-излучения магнитно связаны с плазменной камерой.
15. СВЧ-плазменный реактор по п. 14, в котором упомянутые твердотельные источники СВЧ-излучения связаны с плазменной камерой с использованием коаксиального проходного соединителя, оканчивающегося в виде рамочной антенны.
16. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором один или более из твердотельных источников СВЧ-излучения выполнены опосредованно связанными с плазменной камерой через отдельную камеру, при этом один или более из твердотельных источников СВЧ-излучения предварительно объединены в этой отдельной камере, которая связана с плазменной камерой.
17. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором резонатор плазменной камеры выполнен с возможностью поддержки резонансной моды TM011 на частоте f основной СВЧ-резонансной моды.
18. СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пунктов, в котором один или более из твердотельных источников СВЧ-излучения выполнены связанными с плазменной камерой через подложкодержатель.
19. СВЧ-плазменный реактор по п. 18, в котором предусмотрено множество подложкодержателей для поддержки множества подложек, на которых должен осаждаться синтетический алмазный материал, и твердотельные источники СВЧ-излучения выполнены связанными с плазменной камерой через множество подложкодержателей.
20. Способ изготовления синтетического алмазного материала с использованием процесса химического парофазного осаждения, включающий следующие этапы:
обеспечивают СВЧ-плазменный реактор по любому предшествующему пункту;
размещают подложку на подложкодержателе;
подают СВЧ-излучение в плазменную камеру;
подают технологические газы в плазменную камеру; и
формируют синтетический алмазный материал на подложке.
RU2016148886A 2014-06-16 2015-06-10 Свч-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала RU2666135C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1410703.1 2014-06-16
GBGB1410703.1A GB201410703D0 (en) 2014-06-16 2014-06-16 A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
PCT/EP2015/062957 WO2015193155A1 (en) 2014-06-16 2015-06-10 A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016148886A3 RU2016148886A3 (ru) 2018-07-16
RU2016148886A true RU2016148886A (ru) 2018-07-16
RU2666135C2 RU2666135C2 (ru) 2018-09-06

Family

ID=51266666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016148886A RU2666135C2 (ru) 2014-06-16 2015-06-10 Свч-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10734198B2 (ru)
EP (1) EP3155631B1 (ru)
JP (2) JP6763785B2 (ru)
KR (1) KR101854069B1 (ru)
CN (1) CN106661732B (ru)
CA (1) CA2946433C (ru)
GB (2) GB201410703D0 (ru)
RU (1) RU2666135C2 (ru)
SG (1) SG11201608578PA (ru)
WO (1) WO2015193155A1 (ru)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA020763B9 (ru) 2008-08-04 2015-05-29 Эй-Джи-Си Флет Гласс Норт Эмерике, Инк. Источник плазмы и способы нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы
GB201410703D0 (en) * 2014-06-16 2014-07-30 Element Six Technologies Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
CN107852805B (zh) 2014-12-05 2020-10-16 Agc玻璃欧洲公司 空心阴极等离子体源
KR102365939B1 (ko) 2014-12-05 2022-02-22 에이지씨 플랫 글래스 노스 아메리카, 인코퍼레이티드 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스 및 박막 코팅의 증착과 표면의 개질을 위해 거대-입자 감소 코팅을 활용하는 플라즈마 소스의 사용 방법
US9721765B2 (en) * 2015-11-16 2017-08-01 Agc Flat Glass North America, Inc. Plasma device driven by multiple-phase alternating or pulsed electrical current
US10242846B2 (en) 2015-12-18 2019-03-26 Agc Flat Glass North America, Inc. Hollow cathode ion source
US10573499B2 (en) 2015-12-18 2020-02-25 Agc Flat Glass North America, Inc. Method of extracting and accelerating ions
CN105648523A (zh) * 2016-03-02 2016-06-08 清华大学 等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置
US9831066B1 (en) * 2016-05-27 2017-11-28 Mks Instruments, Inc. Compact microwave plasma applicator utilizing conjoining electric fields
JP7111299B2 (ja) * 2016-11-14 2022-08-02 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ダイヤモンドを合成する方法及びプラズマ処理装置
US9812295B1 (en) 2016-11-15 2017-11-07 Lyten, Inc. Microwave chemical processing
RU2637187C1 (ru) * 2016-11-29 2017-11-30 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН) Плазменный свч реактор
US9997334B1 (en) 2017-02-09 2018-06-12 Lyten, Inc. Seedless particles with carbon allotropes
US9767992B1 (en) 2017-02-09 2017-09-19 Lyten, Inc. Microwave chemical processing reactor
US10920035B2 (en) 2017-03-16 2021-02-16 Lyten, Inc. Tuning deformation hysteresis in tires using graphene
JP7042282B2 (ja) 2017-03-16 2022-03-25 ライテン・インコーポレイテッド 炭素及びエラストマーの融合
WO2019126196A1 (en) 2017-12-22 2019-06-27 Lyten, Inc. Structured composite materials
JP6969743B2 (ja) * 2017-12-27 2021-11-24 旭ダイヤモンド工業株式会社 ダイヤモンド製造方法
EP3735582A4 (en) 2018-01-04 2021-11-10 Lyten, Inc. RESONANT GAS SENSOR
WO2019143559A1 (en) 2018-01-16 2019-07-25 Lyten, Inc. Microwave transparent pressure barrier
DE102018000401A1 (de) * 2018-01-19 2019-07-25 Ralf Spitzl Mikrowellenplasmavorrichtung
US10504699B2 (en) * 2018-04-20 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Phased array modular high-frequency source
NO345052B1 (en) * 2018-05-08 2020-09-07 Bergen Teknologioverfoering As Large area microwave plasma chemical vapour deposition (la mpcvd) reactor apparatus and method for providing same
CN110551987A (zh) * 2018-06-04 2019-12-10 至玥腾风科技投资集团有限公司 环形单晶无机非金属部件的制作方法、设备及飞轮
JP6991934B2 (ja) * 2018-07-02 2022-01-13 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
JP7090521B2 (ja) * 2018-09-26 2022-06-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11183369B2 (en) * 2018-12-27 2021-11-23 Industrial Technology Research Institute Focalized microwave plasma reactor
US10812020B1 (en) 2019-08-19 2020-10-20 Lyten, Inc. Energy emitter control circuit
US11348783B2 (en) 2019-09-05 2022-05-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for dynamical control of radial uniformity with two-story microwave cavities
JP7292173B2 (ja) * 2019-10-11 2023-06-16 東京エレクトロン株式会社 処理方法及びプラズマ処理装置
US20210262117A1 (en) * 2020-02-24 2021-08-26 J2 Materials, Llc Plasma shaping for diamond growth
CN111511090B (zh) * 2020-04-13 2022-05-10 北京工业大学 微波等离子体反应器
JP2022039820A (ja) * 2020-08-28 2022-03-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP7531349B2 (ja) 2020-08-28 2024-08-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN112301332A (zh) * 2020-09-25 2021-02-02 上海芯承电子科技有限公司 一种用于化学气相沉积钻石的设备工艺反应器
JP7544448B2 (ja) * 2021-01-19 2024-09-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
TWI810772B (zh) 2021-12-30 2023-08-01 日揚科技股份有限公司 一種快速退火設備
US12084759B2 (en) 2022-01-07 2024-09-10 Wave Power Technology Inc. Artificial diamond plasma production device
JP7250969B1 (ja) 2022-02-08 2023-04-03 宏碩系統股▲フン▼有限公司 人工ダイヤモンドプラズマ生成機器
CN114976559B (zh) * 2022-06-20 2024-10-15 深圳市恒运昌真空技术股份有限公司 一种微波谐振腔

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1159012A (en) * 1980-05-02 1983-12-20 Seitaro Matsuo Plasma deposition apparatus
JPS63236791A (ja) * 1987-03-24 1988-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイヤモンドの製造方法
JPS6424094A (en) * 1987-07-21 1989-01-26 Nat Inst Res Inorganic Mat Synthesizing apparatus for diamond
JPH03111577A (ja) * 1989-09-26 1991-05-13 Idemitsu Petrochem Co Ltd マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法
US5179264A (en) 1989-12-13 1993-01-12 International Business Machines Corporation Solid state microwave powered material and plasma processing systems
JPH0810634B2 (ja) 1990-06-01 1996-01-31 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション マイクロ波給電式材料／プラズマ処理システム
KR930011413B1 (ko) * 1990-09-25 1993-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법
JPH04144992A (ja) * 1990-10-01 1992-05-19 Idemitsu Petrochem Co Ltd マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法
JPH06256952A (ja) * 1993-03-04 1994-09-13 Ngk Spark Plug Co Ltd ダイヤモンド膜の製造方法
KR100363603B1 (ko) 1994-03-31 2003-03-03 유티-배텔, 엘엘씨 가변주파수마이크로파가열장치
US5558800A (en) 1995-06-19 1996-09-24 Northrop Grumman Microwave power radiator for microwave heating applications
US5907221A (en) 1995-08-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops
US5736818A (en) * 1996-03-15 1998-04-07 Board Of Trustees Operating Michigan State University Resonant radiofrequency wave plasma generating apparatus with improved stage
TW392215B (en) * 1997-02-19 2000-06-01 Anelva Corp Surface processing apparatus
US6158384A (en) 1997-06-05 2000-12-12 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with multiple small internal inductive antennas
DE19802971C2 (de) 1998-01-27 1999-12-02 Fraunhofer Ges Forschung Plasmareaktor
RU2149521C1 (ru) * 1999-02-02 2000-05-20 Аозт "Дигазкрон" Свч-плазмохимический реактор
FR2840451B1 (fr) 2002-06-04 2004-08-13 Centre Nat Rech Scient Dispositif de production d'une nappe de plasma
JP4255061B2 (ja) * 2003-05-23 2009-04-15 財団法人浜松科学技術研究振興会 マイクロ波プラズマ発生方法およびマイクロ波プラズマ発生装置
US7569800B2 (en) * 2004-11-15 2009-08-04 Yonglai Tian Method and apparatus for rapid thermal processing and bonding of materials using RF and microwaves
JP2006244891A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tokyo Electron Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
WO2006113539A2 (en) 2005-04-13 2006-10-26 Group4 Labs, Llc Semiconductor devices having gallium nitride epilayers on diamond substrates
KR101307032B1 (ko) * 2005-06-22 2013-09-11 엘리멘트 식스 리미티드 고등급의 색을 갖는 다이아몬드 층
JP4729741B2 (ja) * 2006-01-20 2011-07-20 独立行政法人産業技術総合研究所 ダイヤモンド製造方法
EP1976346A1 (en) 2007-03-30 2008-10-01 Ecole Polytechnique Apparatus for generating a plasma
KR101136823B1 (ko) 2010-07-12 2012-04-19 (주)케이엠앤아이 차량용 전동트랙의 기어박스 및 그 조립방법
GB201021913D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture
GB201021865D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021860D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for diamond synthesis
GB201021855D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd Microwave power delivery system for plasma reactors
GB201021853D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
CN103370765B (zh) 2010-12-23 2016-09-07 六号元素有限公司 控制合成金刚石材料的掺杂
FR2974701B1 (fr) * 2011-04-27 2014-03-21 Sairem Soc Pour L Applic Ind De La Rech En Electronique Et Micro Ondes Installation de production d'un plasma micro-onde
GB201121666D0 (en) 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates
GB201209424D0 (en) 2012-05-28 2012-07-11 Element Six Ltd Free-standing non-planar polycrystalline synthetic diamond components
GB201410703D0 (en) * 2014-06-16 2014-07-30 Element Six Technologies Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material

Also Published As

Publication number Publication date
KR101854069B1 (ko) 2018-05-02
GB201510084D0 (en) 2015-07-22
RU2666135C2 (ru) 2018-09-06
GB2532532B (en) 2018-10-17
SG11201608578PA (en) 2016-11-29
KR20170024580A (ko) 2017-03-07
EP3155631A1 (en) 2017-04-19
RU2016148886A3 (ru) 2018-07-16
WO2015193155A1 (en) 2015-12-23
CN106661732B (zh) 2019-03-19
GB2532532A (en) 2016-05-25
US10734198B2 (en) 2020-08-04
EP3155631B1 (en) 2020-08-05
CA2946433C (en) 2018-10-02
CA2946433A1 (en) 2015-12-23
JP6763785B2 (ja) 2020-09-30
CN106661732A (zh) 2017-05-10
US20170040145A1 (en) 2017-02-09
JP2019077951A (ja) 2019-05-23
GB201410703D0 (en) 2014-07-30
JP2017521556A (ja) 2017-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016148886A (ru) Свч-плазменный реактор для изготовления синтетического алмазного материала
MY167870A (en) Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture
WO2012084659A3 (en) A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
WO2011119611A3 (en) Dielectric deposition using a remote plasma source
US20130272928A1 (en) Apparatus for the deposition of diamonds by microwave plasma chemical vapour deposition process and substrate stage used therein
JP2015144268A5 (ru)
JP2012124168A5 (ru)
WO2011139775A3 (en) Process chamber lid design with built-in plasma source for short lifetime species
TWI460028B (zh) 基板處理裝置的清洗方法
CN1619011A (zh) 使用螺旋自谐振线圈的电离物理汽相沉积装置
RU2013118642A (ru) Способ производства монокристаллических алмазов белого цвета
WO2012036499A3 (ko) 박막 증착 장치
CN104813746A (zh) 等离子体处理装置以及方法
AR078361A1 (es) Estabilizacion de hilos de precursor poliacrilonitrilo
TW200723968A (en) Apparatus and methods for using high frequency chokes in a substrate deposition apparatus
KR101675106B1 (ko) 화학 기상 증착 장치 및 방법
JP2020534692A5 (ru)
JP5984536B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置及びカーボンナノチューブの製造方法
WO2013029593A3 (de) Vorrichtung zur erzeugung von thermodynamisch kaltem mikrowellenplasma
JP2009123906A (ja) プラズマ処理装置
CN103806093A (zh) 基于icp的化合物半导体的外延生长装置及方法
Schafer et al. Visualization of revolving modes in RF and MW nonthermal atmospheric pressure plasma jets
RU2637187C1 (ru) Плазменный свч реактор
JP2011129618A (ja) 薄膜形成装置
CN103866290B (zh) Pecvd装置、使用其制备不规则表面膜的方法及其应用