JP5261690B2 - 高強度ダイヤモンド膜工具 - Google Patents
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このような現状において、出願人らは、単結晶ダイヤモンドにおいて高強度ダイヤモンド膜の合成技術(出願番号:2004−317959)やダイヤモンド膜の効率的な研磨技術(出願番号:2004−314637)提案している。しかしながら、上記ドライプレス加工に対する現場技術者のニーズを満たすまでに至っていないのが実情である。
なお、本発明において、「工具」とは、塑性加工用の各種ダイス、すなわち打ち抜きダイス・ポンチ、絞りダイス、引抜きダイスなどの優れた耐欠損性と耐摩耗性が要求される各種金型類を含む概念とする。
また本発明の他の特徴は、さらにボロン添加による導電性付与により電気加工を可能にしたことにある。
本発明を実施するダイヤモンドの合成方法、およびボロンドープ源については、特別な制約は無い。一般に広く知られているマイクロ波プラズマ法、熱フィラメント法、燃焼炎法等いずれの合成方法でも可能である。
また、ボロンドープ源としてはジボラン:B2H6等のボロンを含むガスの場合は直接反応容器に供給できる。トリメチルボロン: B(CH3)3 、トリメトキシボロン:B(OCH3)3等の液体材料であれば水素で希釈して供給することが可能である。ホウ酸等の固体原料はエタノールやアセトン等に溶解して水素をキャリアガスとして供給する等いずれの原料を用いることも可能である。
また、ボロンを合成雰囲気中に供給することで、ダイヤモンド膜の付着力、合成速度当には何らの悪影響を及ぼすことはない。したがって、既存の付着力向上のための基板処理、核発生密度向上のための基板処理等を併用することが可能である。
ダイヤモンドの原料はCH4メタンを用い、供給するB/C(ボロン炭素)の割合を所定の範囲として、所望の膜厚たとえば10〜60μmを合成する。合成条件の一例を挙げると、基板温度:900℃、合成圧力:50torr,水素濃度:150secm、メタン流量:1.5secm、ボロン濃度:500〜27200ppmのごとくである。
図1に合成雰囲気中のボロン濃度を変化させて合成した多結晶ダイヤモンド膜のラマンスペクトルを対比して示す。なお、このときのダイヤモンドピーク(1332cm-1)の半価幅は、0 ppmの場合で6.74cm-1であったのに対して、1000 ppmで5.42cm-1、2200 ppmで6.21cm-1、4400 ppmで11.62cm-1となった。半価幅の減少は結晶性が向上したことを意味している。
すなわち、ダイヤモンドの原料である炭素に対して1000ないし2500ppmのボロンを合成雰囲気中に添加して合成したダイヤモンドは、結晶性の向上によりノンドープに比べて20%程度破壊強度が向上し、かつ数Ω/cmという良好な電気伝導性を兼ね備えていることがわかる。
このような現状に鑑みて、本発明におけるボロンドープダイヤモンド膜は、好ましくは、ボロンをドーピングしない場合をベースにボロン添加により半価幅が減少し、かつ電気抵抗が数10Ω/cm以下、好ましくは数Ω/cm以下の条件を満たすことが望ましい。
合成雰囲気中のボロン濃度(C/B)は2500 ppmとした。基板にはK10相当の超硬合金を用い、約12時間の合成を行うことで、厚さ12μmのボロンドープダイヤモンド膜を合成した。電気抵抗は1.5Ω/cmであった。このダイヤモンド膜について、通常の放電加工機を用いて直径3mmの銅電極を用いて放電加工を行った。
この放電加工結果を図4に示す。合成後のボロンドーピングダイヤモンド膜表面には、特有の凹凸面が認められるのに対して、通常の放電加工機を用いて直径3mmの銅電極を用いて放電加工を行った結果、放電加工後のボロンドーピングダイヤモンド膜表面は平滑化されていることがわかる。すなわち、数Ω/cm程度の電気抵抗を示すダイヤモンド膜を電気加工により加工可能であることが実証されている。
Claims (2)
- 多結晶ダイヤモンド膜または単結晶ダイヤモンド膜を工具全体にコーティングした、塑性加工用の高強度ダイヤモンド膜工具において、炭素に対して1000ないし2200ppmのボロンを合成雰囲気中に添加することにより、熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド膜に、ラマン分光分析により得られるダイヤモンドピークの半価幅が5.42cm −1 から6.21cm −1 の範囲になる量のボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させたことを特徴とする高強度ダイヤモンド膜工具。
- ボロン添加による導電性付与により電気加工を可能にした請求項1に記載の高強度ダイヤモンド膜工具。
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