RU2007144640A - Способ нанесения покрытий для изготовления или восстановления мишеней распыления и анодов рентгеновских трубок - Google Patents

Способ нанесения покрытий для изготовления или восстановления мишеней распыления и анодов рентгеновских трубок Download PDF

Info

Publication number
RU2007144640A
RU2007144640A RU2007144640/02A RU2007144640A RU2007144640A RU 2007144640 A RU2007144640 A RU 2007144640A RU 2007144640/02 A RU2007144640/02 A RU 2007144640/02A RU 2007144640 A RU2007144640 A RU 2007144640A RU 2007144640 A RU2007144640 A RU 2007144640A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
powder
microns
less
gas
niobium
Prior art date
Application number
RU2007144640/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2418886C2 (ru
Inventor
Штефан ЦИММЕРМАНН (DE)
Штефан ЦИММЕРМАНН
Уве ПАПП (DE)
Уве ПАПП
Ханс КЕЛЛЕР (DE)
Ханс КЕЛЛЕР
Стивен Альфред МИЛЛЕР (US)
Стивен Альфред МИЛЛЕР
Original Assignee
Х.К. Штарк Гмбх (De)
Х.К. Штарк Гмбх
Х.К. Штарк Инк. (US)
Х.К. Штарк Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Х.К. Штарк Гмбх (De), Х.К. Штарк Гмбх, Х.К. Штарк Инк. (US), Х.К. Штарк Инк. filed Critical Х.К. Штарк Гмбх (De)
Publication of RU2007144640A publication Critical patent/RU2007144640A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2418886C2 publication Critical patent/RU2418886C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00—X-ray tubes
    • H01J35/02—Details
    • H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
    • H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
    • H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
    • H01J35/108—Substrates for and bonding of emissive target, e.g. composite structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00—X-ray tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2235/00—X-ray tubes
    • H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
    • H01J2235/081—Target material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2235/00—X-ray tubes
    • H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
    • H01J2235/083—Bonding or fixing with the support or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2235/00—X-ray tubes
    • H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
    • H01J2235/085—Target treatment, e.g. ageing, heating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

1. Способ восстановления или изготовления мишени распыления или анода рентгеновской трубки, в котором поток газа образует газопорошковую смесь с порошком из материала, выбранного из группы, состоящей из ниобия, тантала, вольфрама, молибдена, титана, циркония, смесей двух или более из них и их сплавов с по меньшей мере двумя из них или с другими металлами, причем порошок имеет размер частиц от 0,5 до 150 мкм, и в котором газовому потоку сообщают сверхзвуковую скорость и направляют сверхзвуковую струю на поверхность объекта, подлежащего восстановлению или изготовлению. ! 2. Способ по п.1, в котором порошок добавляют в газ в таком количестве, что обеспечивают плотность потока частиц в диапазоне от 0,01 до 200 г/(с·см2), предпочтительно от 0,01 до 100 г/(с·см2), более предпочтительно от 0,01 до 20 г/(с·см2) и наиболее предпочтительно от 0,05 до 17 г/(с·см2). ! 3. Способ по п.1, в котором распыление включает стадии: ! обеспечения распылительного отверстия смежно поверхности, на которую должно быть путем распыления нанесено покрытие; ! подведения к распылительному отверстию порошка дисперсного материала, выбранного из группы, состоящей из ниобия, тантала, вольфрама, молибдена, титана, циркония, смесей по меньшей мере двух из них или их сплавов друг с другом или с другими металлами, причем порошок имеет размер частиц от 0,5 до 150 мкм и порошок находится под давлением; ! подведения инертного газа под давлением к распылительному отверстию для создания статического давления у распылительного отверстия и формирование распыленной струи указанного дисперсного материала и газа на покрываемую поверхность; и ! размещения распылительного отверстия в зоне низк

Claims (30)

1. Способ восстановления или изготовления мишени распыления или анода рентгеновской трубки, в котором поток газа образует газопорошковую смесь с порошком из материала, выбранного из группы, состоящей из ниобия, тантала, вольфрама, молибдена, титана, циркония, смесей двух или более из них и их сплавов с по меньшей мере двумя из них или с другими металлами, причем порошок имеет размер частиц от 0,5 до 150 мкм, и в котором газовому потоку сообщают сверхзвуковую скорость и направляют сверхзвуковую струю на поверхность объекта, подлежащего восстановлению или изготовлению.
2. Способ по п.1, в котором порошок добавляют в газ в таком количестве, что обеспечивают плотность потока частиц в диапазоне от 0,01 до 200 г/(с·см2), предпочтительно от 0,01 до 100 г/(с·см2), более предпочтительно от 0,01 до 20 г/(с·см2) и наиболее предпочтительно от 0,05 до 17 г/(с·см2).
3. Способ по п.1, в котором распыление включает стадии:
обеспечения распылительного отверстия смежно поверхности, на которую должно быть путем распыления нанесено покрытие;
подведения к распылительному отверстию порошка дисперсного материала, выбранного из группы, состоящей из ниобия, тантала, вольфрама, молибдена, титана, циркония, смесей по меньшей мере двух из них или их сплавов друг с другом или с другими металлами, причем порошок имеет размер частиц от 0,5 до 150 мкм и порошок находится под давлением;
подведения инертного газа под давлением к распылительному отверстию для создания статического давления у распылительного отверстия и формирование распыленной струи указанного дисперсного материала и газа на покрываемую поверхность; и
размещения распылительного отверстия в зоне низкого давления окружающей среды, которое составляет менее 1 атм и которое, по существу, меньше, чем статическое давление у распылительного отверстия, для обеспечения существенного ускорения распыленной струи указанного дисперсного материала и газа на покрываемую поверхность.
4. Способ по п.1, в котором распыление осуществляют с использованием пушки холодного распыления, причем и покрываемую мишень и пушку холодного распыления располагают в вакуумной камере при давлении ниже 80 кПа, предпочтительно от 0,1 до 50 кПа и наиболее предпочтительно от 2 до 10 кПа.
5. Способ по п.1, в котором частицы порошка, ударяющиеся о поверхность объекта, образуют слой.
6. Способ по п.1, в котором перед восстановлением опорную пластину или другие имеющиеся компоненты конструкции не удаляют.
7. Способ по п.1, в котором скорость порошка в газопорошковой смеси составляет от 300 до 2000 м/с, предпочтительно от 300 до 1200 м/с.
8. Способ по п.1, в котором нанесенный слой имеет размер частиц от 5 до 150 мкм, предпочтительно от 10 до 50 мкм или от 10 до 32 мкм, или от 10 до 38 мкм, или от 10 до 25 мкм, или от 5 до 15 мкм.
9. Способ по п.1, в котором металлический порошок содержит газовые примеси в количестве от 200 до 2500 ч. мил, в пересчете на массу.
10. Способ по п.1, в котором металлический порошок имеет содержание кислорода менее 1000 ч.мил, или менее 500 ч.мил, или менее 300 ч.мил, в частности менее 100 ч.мил.
11. Способ по п.1, в котором нанесенный слой имеет содержание кислорода менее 1000 ч.мил, или менее 500 ч.мил, или менее 300 ч.мил, более конкретно менее 100 ч.мил.
12. Способ по п.1, в котором нанесенный слой имеет содержание газовых примесей, отличающееся не более чем на 50% от содержания газовых примесей в исходном порошке.
13. Способ по п.1, в котором нанесенный слой имеет содержание газовых примесей, отличающееся не более чем на 20% или не более чем на 10% или не более чем на 5%, или не более чем на 1% от содержания газовых примесей в исходном порошке.
14. Способ по п.1, в котором нанесенный слой имеет содержание кислорода, отличающееся не более чем на 5%, более конкретно не более чем на 1% от содержания кислорода в исходном порошке.
15. Способ по п.1, в котором содержание кислорода в нанесенном слое не превышает 100 ч. мил.
16. Способ по п.1, в котором нанесенный металлический слой содержит тантал или ниобий.
17. Способ по п.1, в котором толщина слоя составляет от 10 мкм до 10 мм или от 50 мкм до 5 мм.
18. Способ по одному из пп.1-17, в котором слои наносят холодным распылением на поверхность покрываемого объекта, предпочтительно слои тантала или ниобия.
19. Способ по п.18, в котором полученные слои имеют содержание кислорода ниже 1000 ч.мил.
20. Способ применения порошка из материала, выбранного из группы, состоящей из ниобия, тантала, вольфрама, молибдена, титана, циркония или их сплавов друг с другом или с другими металлами, с размером частиц 150 мкм или менее, в способе согласно одному или более из предшествующих пунктов.
21. Способ применения порошка из материала, выбранного из группы, состоящей из ниобия, тантала, вольфрама, молибдена, титана, циркония или их сплавов друг с другом или с другими металлами, с размером частиц 150 мкм или менее, для изготовления или восстановления мишеней распыления или анодных пластин рентгеновских трубок, предпочтительно вращающихся анодных пластин рентгеновских трубок.
22. Способ по п.20 или 21, в котором применяемый металлический порошок имеет содержание кислорода 300 ч. мил или менее и размер частиц 150 мкм или менее.
23. Способ по п.20 или 21, в котором применяют ниобиевый или танталовый порошок, имеющий размер частиц 150 мкм или менее и содержание кислорода менее 300 ч. мил.
24. Способ применения по п.20 или 21, в котором применяют вольфрамовый или молибденовый порошок, имеющий размер частиц от 0,5 до 150 мкм, предпочтительно от 3 до 75 мкм, в частности от 5 до 50 мкм, или от 10 до 32 мкм, или от 10 до 38 мкм, или от 10 до 25 мкм, или от 5 до 15 мкм и содержание кислорода 500 ч. мил или менее.
25. Способ применения по п.20 или 21, в котором металлический порошок представляет собой сплав следующего состава: молибден - от 94 до 99 мас.%, предпочтительно от 95 до 97 мас.%, ниобий - от 1 до 6 мас.%, предпочтительно от 2 до 4 мас.%, цирконий - от 0,05 до 1 мас.%, предпочтительно от 0,05 до 0,02 мас.%.
26. Способ применения по п.20 или 21, в котором металлический порошок представляет собой сплав, псевдосплав или порошковую смесь огнеупорного металла, выбранного из группы, состоящей из ниобия, тантала, вольфрама, молибдена, циркония и титана, с металлом, выбранным из группы, состоящей из кобальта, никеля, родия, палладия, платины, меди, серебра и золота.
27. Способ применения по п.20 или 21, в котором металлический порошок включает вольфраморениевый сплав.
28. Способ применения по п.20 или 21, в котором металлический порошок включает смесь титанового порошка с вольфрамовым порошком или молибденовым порошком.
29. Слой огнеупорного металла на мишени распыления или на аноде рентгеновской трубки, получаемый способом по одному или более из предшествующих пп.1-19.
30. Мишень распыления или анод рентгеновской трубки, содержащая по меньшей мере один слой огнеупорных металлов ниобия, тантала, вольфрама, молибдена, титана, циркония, смесей двух или более из них, или сплавов двух или более из них, или сплавов с другими металлами, обработанная или восстановленная с использованием способа по одному или более из предшествующих пп.1-19.
RU2007144640/02A 2005-05-05 2006-04-28 Способ нанесения покрытий для изготовления или восстановления мишеней распыления и анодов рентгеновских трубок RU2418886C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US67805205P 2005-05-05 2005-05-05
US60/678,052 2005-05-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007144640A true RU2007144640A (ru) 2009-06-10
RU2418886C2 RU2418886C2 (ru) 2011-05-20

Family

ID=36999989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007144640/02A RU2418886C2 (ru) 2005-05-05 2006-04-28 Способ нанесения покрытий для изготовления или восстановления мишеней распыления и анодов рентгеновских трубок

Country Status (16)

Country Link
US (1) US7910051B2 (ru)
EP (1) EP1880036A2 (ru)
JP (1) JP4904341B2 (ru)
KR (1) KR101342823B1 (ru)
CN (2) CN101287857B (ru)
AU (1) AU2006243448B2 (ru)
BR (1) BRPI0611451A2 (ru)
CA (1) CA2607091C (ru)
HK (1) HK1123830A1 (ru)
IL (1) IL186909A0 (ru)
MX (1) MX2007013601A (ru)
NO (1) NO20076128L (ru)
RU (1) RU2418886C2 (ru)
TW (1) TWI403598B (ru)
WO (1) WO2006117145A2 (ru)
ZA (1) ZA200709470B (ru)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030002043A1 (en) * 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
EP1880035B1 (en) 2005-05-05 2021-01-20 Höganäs Germany GmbH Method for coating a substrate surface and coated product
CA2607091C (en) 2005-05-05 2014-08-12 H.C. Starck Gmbh Coating process for manufacture or reprocessing of sputter targets and x-ray anodes
US7837929B2 (en) * 2005-10-20 2010-11-23 H.C. Starck Inc. Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets
US20080078268A1 (en) 2006-10-03 2008-04-03 H.C. Starck Inc. Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof
MX2009004773A (es) * 2006-11-07 2009-05-21 Starck H C Gmbh Metodo para revestir una superficie de sustrato y producto revestido.
US20080145688A1 (en) 2006-12-13 2008-06-19 H.C. Starck Inc. Method of joining tantalum clade steel structures
WO2008081585A1 (ja) * 2007-01-05 2008-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba スパッタリングターゲットとその製造方法
US8784729B2 (en) * 2007-01-16 2014-07-22 H.C. Starck Inc. High density refractory metals and alloys sputtering targets
US8197894B2 (en) * 2007-05-04 2012-06-12 H.C. Starck Gmbh Methods of forming sputtering targets
CZ2007356A3 (cs) * 2007-05-22 2008-12-03 Safina, A. S. Zpusob výroby naprašovacích targetu
FR2920440B1 (fr) * 2007-08-31 2010-11-05 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement anti-corrosion d'une piece par depot d'une couche de zirconium et/ou d'alliage de zirconium
KR100994973B1 (ko) * 2008-05-20 2010-11-18 한양대학교 산학협력단 초음속 유동 적층성형기술을 이용한 스퍼터링 타겟의제조방법
DE102008024504A1 (de) * 2008-05-21 2009-11-26 Linde Ag Verfahren und Vorrichtung zum Kaltgasspritzen
US8246903B2 (en) 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
US8043655B2 (en) 2008-10-06 2011-10-25 H.C. Starck, Inc. Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes
FR2944293B1 (fr) 2009-04-10 2012-05-18 Saint Gobain Coating Solutions Procede d'elaboration par projection thermique d'une cible
FR2944294A1 (fr) * 2009-04-10 2010-10-15 Saint Gobain Couche obtenue par pulverisation d'une cible comprenant au moins un compose a base d'une poudre de molybdene
FR2944295B1 (fr) 2009-04-10 2014-08-15 Saint Gobain Coating Solutions Cible a base de molybdene et procede d'elaboration par projection thermique d'une cible
DE102009037894A1 (de) * 2009-08-18 2011-02-24 Mtu Aero Engines Gmbh Dünnwandiges Strukturbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102009057444A1 (de) * 2009-12-08 2011-06-09 Dürr Systems GmbH Lackieranlagenbauteil mit einer Oberflächenbeschichtung
US8449817B2 (en) 2010-06-30 2013-05-28 H.C. Stark, Inc. Molybdenum-containing targets comprising three metal elements
US8449818B2 (en) 2010-06-30 2013-05-28 H. C. Starck, Inc. Molybdenum containing targets
JP5702964B2 (ja) * 2010-07-27 2015-04-15 日本発條株式会社 アース電極の接点及びその製造方法
KR20140001246A (ko) 2011-05-10 2014-01-06 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 멀티-블록 스퍼터링 타겟 및 이에 관한 제조방법 및 물품
US20140126702A1 (en) * 2011-06-08 2014-05-08 Comet Holding Ag X-ray emitter
US9120183B2 (en) 2011-09-29 2015-09-01 H.C. Starck Inc. Methods of manufacturing large-area sputtering targets
KR20140054419A (ko) * 2011-10-14 2014-05-08 가부시키가이샤 아루박 타겟 어셈블리 및 그 제조 방법
US9162286B2 (en) * 2011-12-05 2015-10-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Glass substrate film sputtering target and preparing method thereof
US20130156967A1 (en) * 2011-12-16 2013-06-20 Christopher Michaluk Spray rejuvenation of sputtering targets
JP5958822B2 (ja) * 2011-12-22 2016-08-02 日立金属株式会社 Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびＭｏ合金スパッタリングターゲット材
CN102615288A (zh) * 2012-03-26 2012-08-01 宁波福沃德新材料科技有限公司 一种冷喷涂用球形金属钼颗粒的制备方法
AU2013243224C1 (en) 2012-04-04 2018-02-01 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation A process for producing a titanium load-bearing structure
US9334565B2 (en) * 2012-05-09 2016-05-10 H.C. Starck Inc. Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles
US9335296B2 (en) 2012-10-10 2016-05-10 Westinghouse Electric Company Llc Systems and methods for steam generator tube analysis for detection of tube degradation
CN103060793A (zh) * 2013-02-01 2013-04-24 基迈克材料科技（苏州）有限公司 一种以冷喷涂方法制备的难熔金属旋转溅射靶材
JP6284004B2 (ja) * 2013-02-15 2018-02-28 日立金属株式会社 Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびＭｏ合金スパッタリングターゲット材
US20140315392A1 (en) * 2013-04-22 2014-10-23 Lam Research Corporation Cold spray barrier coated component of a plasma processing chamber and method of manufacture thereof
CN103215614B (zh) * 2013-04-27 2015-05-27 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 一种含冷喷涂钽中间层的金属氧化物阳极的制备方法
JP2016531203A (ja) 2013-08-01 2016-10-06 エイチ．シー． スターク インコーポレイテッド スパッタリングターゲットの部分的スプレー修復
RU2542196C1 (ru) * 2013-12-19 2015-02-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт машиноведения им. А.А. Благонравова Российской академии наук (ИМАШ РАН) Способ нанесения покрытия на стальную основу
RU2013158730A (ru) * 2013-12-27 2015-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева" (национальный исследовательский университет)" (СГАУ) Способ изготовления катодной мишени для распыления керамических материалов
FR3018081B1 (fr) * 2014-03-03 2020-04-17 Acerde Procede de reparation d'une anode pour l'emission de rayons x et anode reparee
EP3129176A1 (en) 2014-04-11 2017-02-15 H.C. Starck Inc. High purity refractory metal sputtering targets which have a uniform random texture manufactured by hot isostatic pressing high purity refractory metal powders
CN105895474A (zh) * 2014-05-06 2016-08-24 苏州艾默特材料技术有限公司 一种x射线管阳极靶的制备方法
WO2016000004A2 (de) * 2014-07-03 2016-01-07 Plansee Se Verfahren zur herstellung einer schicht
AT14346U1 (de) 2014-07-08 2015-09-15 Plansee Se Target und Verfahren zur Herstellung eines Targets
US10501827B2 (en) * 2014-09-29 2019-12-10 The United Statesd of America as represented by the Secretary of the Army Method to join dissimilar materials by the cold spray process
CZ306441B6 (cs) * 2014-12-05 2017-01-25 Safina, A.S. Způsob výroby kovového tělesa s homogenní, jemnozrnnou strukturou pomocí technologie Cold Spray, kovové těleso takto vyrobené, a způsob opravy použitých kovových odprášených těles
CN104805406B (zh) * 2015-04-17 2017-06-06 无锡舒玛天科新能源技术有限公司 铝钪旋转靶材及其制备方法
CN104894448B (zh) * 2015-06-10 2018-07-06 深圳市威勒科技股份有限公司 一种钒硅合金靶材及其制备方法
CN104894449A (zh) * 2015-06-10 2015-09-09 深圳市威勒达科技开发有限公司 一种钒钼合金靶材及其制备方法
CN107849689A (zh) * 2015-07-27 2018-03-27 日立金属株式会社 靶材
EP3339469A4 (en) * 2016-03-25 2019-03-27 JX Nippon Mining & Metals Corporation TI-TA ALLOY SPUTTER TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
FR3062324B1 (fr) * 2017-01-30 2019-03-22 Safran Aircraft Engines Procede de fabrication de pieces realisees en metallurgie des poudres comportant l’application d'un revetement
US11935662B2 (en) 2019-07-02 2024-03-19 Westinghouse Electric Company Llc Elongate SiC fuel elements
WO2021055284A1 (en) 2019-09-19 2021-03-25 Westinghouse Electric Company Llc Apparatus for performing in-situ adhesion test of cold spray deposits and method of employing
CN110983277A (zh) * 2019-12-30 2020-04-10 广州市尤特新材料有限公司 一种用于钕铁硼永磁材料的旋转稀土靶材及制备方法和修复方法
CN111118460B (zh) * 2020-01-10 2022-06-03 广州市尤特新材料有限公司 一种旋转钛靶及其制备方法
CN111235536B (zh) * 2020-03-17 2021-11-12 贵研铂业股份有限公司 一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法
CA3230518A1 (en) * 2021-09-03 2023-03-09 Christian Moreau Method and system for cold deposition of powdered materials on a substrate
CN114196925A (zh) * 2021-12-13 2022-03-18 广东省科学院新材料研究所 一种含稀土金属的铜镍合金靶材、其制备方法及应用
CN114686740B (zh) * 2022-04-02 2022-10-04 太原理工大学 一种高温抗磨钼合金涂层及其制备方法

Family Cites Families (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3990784A (en) * 1974-06-05 1976-11-09 Optical Coating Laboratory, Inc. Coated architectural glass system and method
US4011981A (en) * 1975-03-27 1977-03-15 Olin Corporation Process for bonding titanium, tantalum, and alloys thereof
US4073427A (en) * 1976-10-07 1978-02-14 Fansteel Inc. Lined equipment with triclad wall construction
US4140172A (en) * 1976-12-23 1979-02-20 Fansteel Inc. Liners and tube supports for industrial and chemical process equipment
US4291104A (en) * 1978-04-17 1981-09-22 Fansteel Inc. Brazed corrosion resistant lined equipment
US4202932A (en) * 1978-07-21 1980-05-13 Xerox Corporation Magnetic recording medium
DE3130392C2 (de) * 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
US4459062A (en) 1981-09-11 1984-07-10 Monsanto Company Clad metal joint closure
CA1202599A (en) 1982-06-10 1986-04-01 Michael G. Down Upgrading titanium, zirconium and hafnium powders by plasma processing
DE3309891A1 (de) * 1983-03-18 1984-10-31 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur herstellung von ventilmetallanoden fuer elektrolytkondensatoren
US4508563A (en) * 1984-03-19 1985-04-02 Sprague Electric Company Reducing the oxygen content of tantalum
US4818629A (en) * 1985-08-26 1989-04-04 Fansteel Inc. Joint construction for lined equipment
US4722756A (en) * 1987-02-27 1988-02-02 Cabot Corp Method for deoxidizing tantalum material
US4915745A (en) * 1988-09-22 1990-04-10 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell and method of making
US5242481A (en) * 1989-06-26 1993-09-07 Cabot Corporation Method of making powders and products of tantalum and niobium
US5147125A (en) * 1989-08-24 1992-09-15 Viratec Thin Films, Inc. Multilayer anti-reflection coating using zinc oxide to provide ultraviolet blocking
US4964906A (en) * 1989-09-26 1990-10-23 Fife James A Method for controlling the oxygen content of tantalum material
JP3031474B2 (ja) * 1989-12-26 2000-04-10 株式会社東芝 高純度タンタル材，タンタルターゲット，薄膜および半導体装置の製造方法
WO1991019016A1 (en) * 1990-05-19 1991-12-12 Institut Teoreticheskoi I Prikladnoi Mekhaniki Sibirskogo Otdelenia Akademii Nauk Sssr Method and device for coating
US5091244A (en) * 1990-08-10 1992-02-25 Viratec Thin Films, Inc. Electrically-conductive, light-attenuating antireflection coating
US5270858A (en) 1990-10-11 1993-12-14 Viratec Thin Films Inc D.C. reactively sputtered antireflection coatings
US5612254A (en) * 1992-06-29 1997-03-18 Intel Corporation Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate
US5693203A (en) 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
US5305946A (en) * 1992-11-05 1994-04-26 Nooter Corporation Welding process for clad metals
US5679473A (en) * 1993-04-01 1997-10-21 Asahi Komag Co., Ltd. Magnetic recording medium and method for its production
JPH06346232A (ja) * 1993-06-11 1994-12-20 Asahi Glass Co Ltd スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
US5466355A (en) * 1993-07-15 1995-11-14 Japan Energy Corporation Mosaic target
US6103392A (en) 1994-12-22 2000-08-15 Osram Sylvania Inc. Tungsten-copper composite powder
US5795626A (en) * 1995-04-28 1998-08-18 Innovative Technology Inc. Coating or ablation applicator with a debris recovery attachment
US5993513A (en) * 1996-04-05 1999-11-30 Cabot Corporation Method for controlling the oxygen content in valve metal materials
US5954856A (en) * 1996-04-25 1999-09-21 Cabot Corporation Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom
US5859654A (en) * 1996-10-31 1999-01-12 Hewlett-Packard Company Print head for ink-jet printing a method for making print heads
KR100522066B1 (ko) * 1997-02-19 2005-10-18 하.체. 스타르크 게엠베하 탄탈 분말, 그의 제조 방법 및 그로부터 얻어진 소결 양극
US5972065A (en) * 1997-07-10 1999-10-26 The Regents Of The University Of California Purification of tantalum by plasma arc melting
WO1999027579A1 (en) * 1997-11-26 1999-06-03 Applied Materials, Inc. Damage-free sculptured coating deposition
US6911124B2 (en) * 1998-09-24 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Method of depositing a TaN seed layer
JPH11269639A (ja) * 1998-03-24 1999-10-05 Sumitomo Metal Mining Co Ltd スパッタリングターゲットの再生方法
US6171363B1 (en) * 1998-05-06 2001-01-09 H. C. Starck, Inc. Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium
US6189663B1 (en) * 1998-06-08 2001-02-20 General Motors Corporation Spray coatings for suspension damper rods
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
FR2785897B1 (fr) * 1998-11-16 2000-12-08 Commissariat Energie Atomique Couche mince d'oxyde d'hafnium et procede de depot
US6328927B1 (en) 1998-12-24 2001-12-11 Praxair Technology, Inc. Method of making high-density, high-purity tungsten sputter targets
US6197082B1 (en) * 1999-02-17 2001-03-06 H.C. Starck, Inc. Refining of tantalum and tantalum scrap with carbon
US6558447B1 (en) * 1999-05-05 2003-05-06 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
US6139913A (en) * 1999-06-29 2000-10-31 National Center For Manufacturing Sciences Kinetic spray coating method and apparatus
JP2001020065A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Hitachi Metals Ltd スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料
US6521173B2 (en) * 1999-08-19 2003-02-18 H.C. Starck, Inc. Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
US6261337B1 (en) * 1999-08-19 2001-07-17 Prabhat Kumar Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
JP2001085378A (ja) * 1999-09-13 2001-03-30 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
US6258402B1 (en) * 1999-10-12 2001-07-10 Nakhleh Hussary Method for repairing spray-formed steel tooling
JP2001131767A (ja) * 1999-11-09 2001-05-15 Takuo Hashiguchi 金属皮膜形成方法
RU2166421C1 (ru) 1999-12-06 2001-05-10 Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева Способ восстановления изделий
US6855236B2 (en) * 1999-12-28 2005-02-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Components for vacuum deposition apparatus and vacuum deposition apparatus therewith, and target apparatus
US6331233B1 (en) * 2000-02-02 2001-12-18 Honeywell International Inc. Tantalum sputtering target with fine grains and uniform texture and method of manufacture
US7122069B2 (en) 2000-03-29 2006-10-17 Osram Sylvania Inc. Mo-Cu composite powder
US6502767B2 (en) * 2000-05-03 2003-01-07 Asb Industries Advanced cold spray system
US20030023132A1 (en) * 2000-05-31 2003-01-30 Melvin David B. Cyclic device for restructuring heart chamber geometry
JP2001347672A (ja) 2000-06-07 2001-12-18 Fuji Photo Film Co Ltd インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッドの製造方法ならびにインクジェットプリンタ
AU2001294817A1 (en) * 2000-09-27 2002-04-08 Nup2 Incorporated Fabrication of semiconductor devices
US6498091B1 (en) * 2000-11-01 2002-12-24 Applied Materials, Inc. Method of using a barrier sputter reactor to remove an underlying barrier layer
US6669782B1 (en) 2000-11-15 2003-12-30 Randhir P. S. Thakur Method and apparatus to control the formation of layers useful in integrated circuits
US6491208B2 (en) 2000-12-05 2002-12-10 Siemens Westinghouse Power Corporation Cold spray repair process
CN2454045Y (zh) * 2000-12-08 2001-10-17 大连理工大学 超音速冷喷涂装置
US6444259B1 (en) * 2001-01-30 2002-09-03 Siemens Westinghouse Power Corporation Thermal barrier coating applied with cold spray technique
US7794554B2 (en) * 2001-02-14 2010-09-14 H.C. Starck Inc. Rejuvenation of refractory metal products
PT1362132E (pt) 2001-02-14 2006-09-29 Starck H C Inc Regeneracao de um alvo de pulverizacao de tantalo
NZ527628A (en) * 2001-02-20 2004-07-30 H Refractory metal plates with uniform texture and methods of making the same
US6915964B2 (en) * 2001-04-24 2005-07-12 Innovative Technology, Inc. System and process for solid-state deposition and consolidation of high velocity powder particles using thermal plastic deformation
US6722584B2 (en) * 2001-05-02 2004-04-20 Asb Industries, Inc. Cold spray system nozzle
US7053294B2 (en) * 2001-07-13 2006-05-30 Midwest Research Institute Thin-film solar cell fabricated on a flexible metallic substrate
CN1608141A (zh) * 2001-09-17 2005-04-20 黑罗伊斯有限公司 废弃溅射靶的修复
US6770154B2 (en) * 2001-09-18 2004-08-03 Praxair S.T. Technology, Inc. Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target
US7081148B2 (en) * 2001-09-18 2006-07-25 Praxair S.T. Technology, Inc. Textured-grain-powder metallurgy tantalum sputter target
US6861101B1 (en) * 2002-01-08 2005-03-01 Flame Spray Industries, Inc. Plasma spray method for applying a coating utilizing particle kinetics
US6986471B1 (en) * 2002-01-08 2006-01-17 Flame Spray Industries, Inc. Rotary plasma spray method and apparatus for applying a coating utilizing particle kinetics
MXPA04007103A (es) * 2002-01-24 2004-10-29 Starck H C Inc Afino de metales refractarios y aleaciones por formacion y fusion por laser.
US6627814B1 (en) * 2002-03-22 2003-09-30 David H. Stark Hermetically sealed micro-device package with window
BE1014736A5 (fr) 2002-03-29 2004-03-02 Alloys For Technical Applic S Procede de fabrication et de recharge de cibles pour pulverisation cathodique.
US6896933B2 (en) * 2002-04-05 2005-05-24 Delphi Technologies, Inc. Method of maintaining a non-obstructed interior opening in kinetic spray nozzles
JP3898082B2 (ja) * 2002-04-12 2007-03-28 株式会社東芝 複合金属の製造方法及び複合金属部材
US20030219542A1 (en) * 2002-05-25 2003-11-27 Ewasyshyn Frank J. Method of forming dense coatings by powder spraying
DE10224777A1 (de) * 2002-06-04 2003-12-18 Linde Ag Verfahren und Vorrichtung zum Kaltgasspritzen
DE10224780A1 (de) 2002-06-04 2003-12-18 Linde Ag Verfahren und Vorrichtung zum Kaltgasspritzen
US6759085B2 (en) * 2002-06-17 2004-07-06 Sulzer Metco (Us) Inc. Method and apparatus for low pressure cold spraying
US7128988B2 (en) * 2002-08-29 2006-10-31 Lambeth Systems Magnetic material structures, devices and methods
JP4883546B2 (ja) * 2002-09-20 2012-02-22 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 タンタルスパッタリングターゲットの製造方法
US7108893B2 (en) * 2002-09-23 2006-09-19 Delphi Technologies, Inc. Spray system with combined kinetic spray and thermal spray ability
US20040065546A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Michaluk Christopher A. Method to recover spent components of a sputter target
CA2444917A1 (en) 2002-10-18 2004-04-18 United Technologies Corporation Cold sprayed copper for rocket engine applications
US6749002B2 (en) * 2002-10-21 2004-06-15 Ford Motor Company Method of spray joining articles
DE10253794B4 (de) 2002-11-19 2005-03-17 Hühne, Erwin Dieter Niedertemperatur Hochgeschwindigkeits-Flammspritzsystem
TW571342B (en) * 2002-12-18 2004-01-11 Au Optronics Corp Method of forming a thin film transistor
TWI341337B (en) * 2003-01-07 2011-05-01 Cabot Corp Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
CN100471986C (zh) * 2003-02-20 2009-03-25 贝卡尔特股份有限公司 制造溅射靶的方法
ES2371070T3 (es) * 2003-02-24 2011-12-27 Tekna Plasma Systems Inc. Procedimiento para fabricar un blanco de pulverización catódica.
JP4422975B2 (ja) * 2003-04-03 2010-03-03 株式会社コベルコ科研 スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4008388B2 (ja) * 2003-06-30 2007-11-14 シャープ株式会社 半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置、液晶モジュール
US7170915B2 (en) * 2003-07-23 2007-01-30 Intel Corporation Anti-reflective (AR) coating for high index gain media
US7208230B2 (en) * 2003-08-29 2007-04-24 General Electric Company Optical reflector for reducing radiation heat transfer to hot engine parts
US7128948B2 (en) * 2003-10-20 2006-10-31 The Boeing Company Sprayed preforms for forming structural members
WO2005073418A1 (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Nippon Tungsten Co., Ltd. タングステン系焼結体およびその製造方法
US6905728B1 (en) * 2004-03-22 2005-06-14 Honeywell International, Inc. Cold gas-dynamic spray repair on gas turbine engine components
US20050220995A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-06 Yiping Hu Cold gas-dynamic spraying of wear resistant alloys on turbine blades
US20060021870A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Profile detection and refurbishment of deposition targets
US20060045785A1 (en) * 2004-08-30 2006-03-02 Yiping Hu Method for repairing titanium alloy components
US20060042728A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Brad Lemon Molybdenum sputtering targets
US20060090593A1 (en) * 2004-11-03 2006-05-04 Junhai Liu Cold spray formation of thin metal coatings
US20060121187A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Haynes Jeffrey D Vacuum cold spray process
US7479299B2 (en) * 2005-01-26 2009-01-20 Honeywell International Inc. Methods of forming high strength coatings
US7399335B2 (en) * 2005-03-22 2008-07-15 H.C. Starck Inc. Method of preparing primary refractory metal
CA2607091C (en) 2005-05-05 2014-08-12 H.C. Starck Gmbh Coating process for manufacture or reprocessing of sputter targets and x-ray anodes
EP1880035B1 (en) * 2005-05-05 2021-01-20 Höganäs Germany GmbH Method for coating a substrate surface and coated product
US20060251872A1 (en) 2005-05-05 2006-11-09 Wang Jenn Y Conductive barrier layer, especially an alloy of ruthenium and tantalum and sputter deposition thereof
US7837929B2 (en) * 2005-10-20 2010-11-23 H.C. Starck Inc. Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets
US20080078268A1 (en) * 2006-10-03 2008-04-03 H.C. Starck Inc. Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof
MX2009004773A (es) * 2006-11-07 2009-05-21 Starck H C Gmbh Metodo para revestir una superficie de sustrato y producto revestido.
US20080145688A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 H.C. Starck Inc. Method of joining tantalum clade steel structures
US8784729B2 (en) * 2007-01-16 2014-07-22 H.C. Starck Inc. High density refractory metals and alloys sputtering targets
US8197894B2 (en) 2007-05-04 2012-06-12 H.C. Starck Gmbh Methods of forming sputtering targets
US8246903B2 (en) * 2008-09-09 2012-08-21 H.C. Starck Inc. Dynamic dehydriding of refractory metal powders
US8043655B2 (en) * 2008-10-06 2011-10-25 H.C. Starck, Inc. Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes

Also Published As

Publication number Publication date
CA2607091A1 (en) 2006-11-09
JP4904341B2 (ja) 2012-03-28
CN101287857A (zh) 2008-10-15
IL186909A0 (en) 2008-02-09
JP2008540823A (ja) 2008-11-20
CA2607091C (en) 2014-08-12
NO20076128L (no) 2008-01-29
KR101342823B1 (ko) 2013-12-17
CN101368262B (zh) 2012-06-06
AU2006243448B2 (en) 2011-09-01
ZA200709470B (en) 2009-06-24
BRPI0611451A2 (pt) 2010-09-08
MX2007013601A (es) 2008-03-18
EP1880036A2 (en) 2008-01-23
HK1123830A1 (en) 2009-06-26
TW200710244A (en) 2007-03-16
AU2006243448A1 (en) 2006-11-09
US7910051B2 (en) 2011-03-22
TWI403598B (zh) 2013-08-01
CN101368262A (zh) 2009-02-18
RU2418886C2 (ru) 2011-05-20
WO2006117145A3 (en) 2007-01-11
CN101287857B (zh) 2011-07-13
KR20080006624A (ko) 2008-01-16
WO2006117145A2 (en) 2006-11-09
US20080216602A1 (en) 2008-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007144640A (ru) Способ нанесения покрытий для изготовления или восстановления мишеней распыления и анодов рентгеновских трубок
RU2469126C2 (ru) Способ нанесения покрытия на поверхность субстрата и продукт с покрытием
US8802191B2 (en) Method for coating a substrate surface and coated product
JP2008540822A5 (ru)
EP3049544A1 (en) Self-peening feedstock materials for cold spray deposition
JP5679395B2 (ja) コールドスプレー用粉末
US7211338B2 (en) Hard, ductile coating system
CZ2007356A3 (cs) Zpusob výroby naprašovacích targetu
JP3881858B2 (ja) 耐食性に優れる炭化物サーメット溶射皮膜被覆部材
JP2016056396A (ja) 水反応性Ａｌ合金溶射膜の製造方法、及び成膜室用構成部材
TH63628B (th) กระบวนการเคลือบสำหรับผลิตหรือผ่านกระบวนการซ้ำเป้าการฉาบด้วยโลหะและแอโนดของรังสีเอ็กซ์
TH84447A (th) กระบวนการเคลือบสำหรับผลิตหรือผ่านกระบวนการซ้ำเป้าการฉาบด้วยโลหะและแอโนดของรังสีเอ็กซ์

Legal Events

Date Code Title Description
TK4A Correction to the publication in the bulletin (patent)

Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL: 14-2011

PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20181210