ES2371070T3 - Procedimiento para fabricar un blanco de pulverización catódica. - Google Patents
Procedimiento para fabricar un blanco de pulverización catódica. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2371070T3 ES2371070T3 ES04713497T ES04713497T ES2371070T3 ES 2371070 T3 ES2371070 T3 ES 2371070T3 ES 04713497 T ES04713497 T ES 04713497T ES 04713497 T ES04713497 T ES 04713497T ES 2371070 T3 ES2371070 T3 ES 2371070T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- temporary substrate
- plasma
- substrate
- target
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000007921 spray Substances 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 30
- 239000012768 molten material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- -1 video discs Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-K Arsenate3- Chemical compound [O-][As]([O-])([O-])=O DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940000489 arsenate Drugs 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L cadmium sulfate Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])(=O)=O QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000331 cadmium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000154 gallium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K gallium;phosphate Chemical compound [Ga+3].[O-]P([O-])([O-])=O LWFNJDOYCSNXDO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000002103 nanocoating Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- DBJYYRBULROVQT-UHFFFAOYSA-N platinum rhenium Chemical compound [Re].[Pt] DBJYYRBULROVQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
- C23C4/134—Plasma spraying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/18—After-treatment
- C23C4/185—Separation of the coating from the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T50/00—Aeronautics or air transport
- Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Steroid Compounds (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
Un procedimiento para la fabricación de un blanco de pulverización catódica, que comprende: i) habilitar un substrato temporal que tiene una superficie receptora de revestimiento; ii) fundir en plasma al vuelo un material de blanco seleccionado para formar el blanco de pulverización catódica en forma de polvo, produciendo gotitas de material de blanco fundido; iii) depositar dichas gotitas sobre dicha superficie receptora de revestimiento de dicho substrato temporal, produciendo un blanco de pulverización catódica compuesto de una capa de revestimiento de dicho material de blanco sobre dicha superficie receptora de revestimiento de dicho substrato temporal; iv) unir dicho substrato temporal, a través de dicha capa de revestimiento, con un material de respaldo de blanco permanente; y v) retirar dicho substrato temporal, produciendo un blanco de pulverización catódica compuesto de dicha capa de revestimiento de dicho material de blanco sobre dicho material de respaldo de blanco permanente; en donde dicho substrato temporal se ha hecho de un material de substrato seleccionado del grupo consistente en un metal refractario, una cerámica y un material compuesto basado en carbono.
Description
Procedimiento para fabricar un blanco de pulverización catódica.
CAMPO DE LA INVENCIÓN
La presente invención se refiere a blancos de pulverización catódica. Más específicamente, la presente invención se ocupa de un procedimiento para la fabricación de blancos de pulverización catódica.
ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN
Los blancos de pulverización catódica son componentes esenciales en la industria de revestimiento de película delgada. Se utilizan como fuente de materiales de alta pureza que son liberados de la superficie del blanco como resultado de su bombardeo con partículas de proyectiles energéticos tales como un haz de iones. Las partículas que se liberan, en forma de vapores, se dirigen subsiguientemente hacia la superficie de un substrato, en donde se depositan en forma de una delgada película de espesor y pureza controlados. La característica más impresionante del proceso de pulverización catódica es su universalidad. Virtualmente, cualquier material puede ser un candidato de revestimiento desde el momento que sea pasado a la fase de vapor por un intercambio de cantidad de movimiento físico en vez de por un proceso químico o térmico.
La deposición de películas delgadas utilizando técnicas de pulverización catódica es un paso esencial en un amplio rango de aplicaciones tales como capas de metalización de microcircuitos de aleación de aluminio y de metal refractario, capa de aislamiento de microcircuitos, electrodos de conducción transparentes, fibra óptica amorfa para dispositivos ópticos integrados, transductores piezoeléctricos, fotoconductores y película luminiscente para pantallas, dispositivos de memoria ópticamente direccionados, dispositivos de memoria de burbujas amorfas, resistencias y condensadores de película delgada, discos de vídeo, electrólitos sólidos, láser de película delgada y piezas elementales de máscara fotolitográfica para microcircuitos.
Los materiales de blanco varían dependiendo de la aplicación. Pueden estar formados por metales puros tales como aluminio, cobre, hierro, plata, cromo, silicio, tántalo, oro, platino renio; aleaciones y compuestos, tales como sulfato de cadmio, arseniato de galio, fosfato de galio; una amplia gama de cerámicas tales como sílice, alúmina, carburo de silicio; polímeros tales como PTFE (TeflonTM); o incluso un mosaico de materiales diferentes. Las prestaciones del blanco dependen fuertemente de la pureza del material de dicho blanco, su densidad aparente y su microestructura.
Los blancos de pulverización catódica se han fabricado tradicionalmente mediante el uso de diferentes técnicas pulvimetalúrgicas para la formación de la placa del blanco hecha de materiales de alta pureza, los cuales se montan subsiguientemente sobre el material de respaldo del blanco para una gestión apropiada del calor en sus condiciones de funcionamiento finales. La técnica es relativamente tediosa y requiere una serie de pasos para la preparación y densificación del polvo, seguido por compactación del polvo a temperatura ambiente y subsiguiente sinterización hasta el nivel de alta densidad requerido. En ciertos casos, la compactación a temperatura ambiente no es suficiente para conseguir la densidad requerida del producto final. En tales casos, es necesario recurrir a las técnicas de sinterización por prensado caliente isostático (HIP) considerablemente más complejas y costosas.
Anónmo: "Process for fabricating sputtering targets", Research Disclosure, Kenneth Mason Publications, Hampshire, GB, vol. 300, No. 82, Abril de 1989 (04-1989), XP007113644 ISSN: 0374-4353 (D1), revela un procedimiento para la fabricación de un blanco de pulverización catódica mediante deposición por pulverización en plasma de un material de blanco en forma de polvo sobre un substrato.
El documento US 3.547.720 (D8) muestra una capa de material cerámico pulverizado primero a la llama sobre un miembro de soporte temporal de material resistente a la llama.
OBJETOS DE LA INVENCIÓN
Por tanto, un objeto de la presente invención es proporcionar un procedimiento mejorado para la fabricación de blancos de pulverización catódica.
SUMARIO DE LA INVENCIÓN
El objeto se resuelve con un procedimiento según la reivindicación 1.
La presente invención se ocupa de una nueva técnica que puede utilizarse para la producción de blancos de pulverización catódica en una serie de pasos sencillos utilizando tecnología de pulverización/deposición con plasma.
Según un primer aspecto de la presente invención, se proporciona un procedimiento para la fabricación de blancos de pulverización catódica mediante la deposición con plasma del material del blanco directamente sobre el soporte del blanco, o sobre un substrato temporal, desde el cual se transfiere más tarde el depósito al respaldo final del
E04713497 03-11-2011
material del blanco.
Más específicamente, según un primer aspecto de la presente invención, se proporciona un procedimiento para la fabricación de un blanco de pulverización catódica que comprende:
i) habilitar un substrato que tiene una superficie receptora de revestimiento;
ii) fundir con plasma en vuelo un material de blanco seleccionado para formar el blanco de pulverización catódica en forma de polvo, produciendo gotitas de material fundido del blanco; y
iii) depositar las gotitas sobre dicha superficie receptora de revestimiento del substrato, produciendo un blanco de pulverización catódica compuesto de una capa de revestimiento del material del blanco sobre la superficie receptora de revestimiento del substrato.
El material de blanco depositado puede ser, por ejemplo, un metal o una aleación intermedia, una cerámica, un mosaico de diferentes metales y/o una mezcla de metales y cerámicas, o un polímero.
El paso de deposición con plasma se lleva a cabo a presión atmosférica o en condiciones de vacío suave utilizando, por ejemplo, pulverización con plasma en cc, deposición por arco transferido de cc o pulverización en plasma por inducción.
Otros objetos, ventajas y características de la presente invención resultarán más evidentes al leer la siguiente descripción no restrictiva de realizaciones preferidas de la misma, dadas a título de ejemplo solamente con referencia a los dibujos adjuntos.
BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS
En los dibujos adjuntos:
La figura 1 es un diagrama de flujo de un procedimiento para la fabricación de blancos de pulverización catódica según una realización ilustrativa de la presente invención;
La figura 2 es una vista en alzado lateral esquemático que ilustra los diversos pasos de la figura 1;
La figura 3 es una vista en planta esquemática desde arriba que ilustra los diversos pasos de la figuras 1;
La figura 4 es una vista en planta esquemática desde arriba de un substrato temporal conforme a una segunda realización ilustrativa de la presente invención;
La figura 5 es una vista en sección esquemática de un aparato de plasma en cc según una primera realización ilustrativa de un aparato de plasma que permite realizar el paso de deposición con plasma del procedimiento de la figura 1;
La figura 6 es una vista en sección esquemática de un arco transferido de cc conforme a una segunda realización ilustrativa de un aparato de plasma que permite realizar el paso de deposición con plasma del procedimiento de la figura 1;
La figura 7 es una vista en sección esquemática de un aparato de plasma por inducción de rf según una tercera realización de un aparato de plasma que permite realizar el paso de deposición con plasma del procedimiento de la figura 1;
La figura 8 es una vista en sección esquemática de una inducción de rf supersónica según una cuarta realización de un aparato de plasma que permite realizar el paso de deposición con plasma del procedimiento de la figura 1;
La figura 9 es un gráfico de perfiles radiales de material de blanco de silicio depositado sobre un substrato temporal de grafito para dos ensayos experimentales (no. 1 y no. 2);
Las figuras 10a y 10b son micrografías electrónicas del material depositado para los ensayos experimentales no. 1 y no. 2; y
La figura 11 es un gráfico de un perfil de densidad aparente para el depósito de silicio siguiendo el ensayo experimental no. 1.
DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN
Se describirá ahora con referencia a las figuras 1 a 3 un procedimiento 100 para la fabricación de blancos de pulverización catódica según una realización ilustrativa de un primer aspecto de la presente invención.
E04713497 03-11-2011
Como se ilustra en la figura 1, el proceso 100 incluye los pasos siguientes:
102 - habilitar un substrato temporal 200 que tiene una superficie 204 receptora de revestimiento;
104 - fundir con plasma el material seleccionado para formar el blanco de pulverización catódica, produciendo gotitas de material fundido;
106 - depositar las gotitas sobre la superficie 204 receptora de revestimiento del substrato temporal 200, produciendo una capa de revestimiento 206 del material sobre la superficie 204 receptora de revestimiento del blanco temporal 200;
108 - unir el blanco temporal revestido a través de su capa de revestimiento 206 a un material de respaldo permanente 208 del blanco; y
110 - retirar el substrato temporal 200, produciendo un blanco de pulverización catódica 210 que comprende la capa de revestimiento del material 206 sobre el material de respaldo permanente 204 del blanco.
Se describirá ahora cada uno de estos pasos en mayor detalle con referencia a las figuras 2 y 3.
En el paso 102 se habilita un substrato temporal 200 que tiene una superficie 204 receptora de revestimiento (véase el primer paso en las figuras 2 y 3). Aun cuando en las figuras 2 y 3 se ilustra el substrato temporal 200 como siendo un disco plano que tiene dos caras opuestas, una de las cuales es una cara 204 receptora de revestimiento, el substrato temporal puede tener otra forma que proporcione una superficie receptora de revestimiento.
Una selección apropiada del material del substrato temporal y un control de su temperatura durante el paso de deposición 106 permiten minimizar los esfuerzos y grietas internos en el material 206 del blanco que se debe depositar (pasos 104-106). Ejemplos de materiales de substratos que pueden utilizarse incluyen: metales refractarios tales como molibdeno o tungsteno; cerámicas tales como sílice, alúmina, circonia, nitruro de silicio, carburo de silicio o nitruro de boro; o materiales compuestos basados en grafito o en carbono.
El material del substrato temporal se selecciona para ofrecer resistencia a la alta temperatura implicada en el proceso de deposición y tener un coeficiente de expansión térmica similar al del material del blanco. Siempre que los coeficientes de expansión térmica del material 206 del blanco y del substrato temporal 202 sean demasiado diferentes, se ha encontrado que la aplicación de marcas a los materiales del substrato permite minimizar el desarrollo de esfuerzos internos en el depósito. En La figura 4 de los dibujos adjuntos se ilustra un substrato temporal 200' de esta clase, incluyendo marcas en espiral 202'. Las marcas pueden tener muchas formas, tales como cortes o secciones en espiral o radiales que den al substrato 200' un nivel de flexibilidad suficiente para evitar el desarrollo de esfuerzos internos en el revestimiento depositado 206.
En ciertas aplicaciones se reviste previamente el substrato temporal 100 con una delgada barrera de difusión o una capa de control no adherente de un material inerte a fin de facilitar la retirada subsiguiente del material de blanco 206 del substrato temporal 200 y/o evitar la contaminación del material de blanco depositado 206 debido a la difusión entre el substrato temporal dentro del material de blanco depositado 206. El uso de técnicas de pulverización catódica estándar o de técnicas de deposición de vapor químico (CVD) para la deposición de tal capa de control de adherencia/difusión (no mostrada) podría ser aplicado efectivamente para este propósito. El control apropiado del acabado superficial del substrato 200 podría permitir también la fácil retirada del material de blanco 206 del substrato 200 sin sacrificar este substrato 200, que podría reutilizarse en estos casos para una deposición adicional de material de blanco.
El proceso 100 incluye luego la fusión en plasma del material seleccionado para formar el blanco de pulverización catódica, la cual produce gotitas de material fundido (paso 104), y después la deposición de esas gotitas sobre la superficie 204 receptora de revestimiento del substrato temporal 200 (paso 106). El depósito 206 se acumula hasta un espesor de una capa de revestimiento del material 206 requerido por la aplicación del blanco de pulverización catódica, como se muestra en el segundo paso ilustrado en ambas figuras 2 y 3.
Una vez que se ha completado el paso de formación de revestimiento 106, la placa de blanco resultante 206 con su soporte temporal 200 es unida a un material de respaldo de blanco permanente 208 (108) a través de su capa de revestimiento 206, como se ilustra en el tercer paso de las figura 2 y 3, utilizando soldadura blanda, epoxi u otros medios o técnicas de pegado apropiados.
Se puede realizar un tratamiento térmico del depósito de material de blanco 206 antes del paso de soldadura blanda 108 sobre el soporte de material de blanco permanente 208 con el fin de aliviar esfuerzos internos del material de blanco depositado 206. Como alternativa, el depósito de material de blanco 206 puede ser provisto de marcas de alivio de esfuerzos similares a las descritas anteriormente con referencia al substrato temporal 200.
Se retira después el substrato temporal 200, por ejemplo por corrosión, mecanizado (paso 110) o uso de otro
E04713497 03-11-2011
método de retirada de material, proporcionando un blanco de pulverización catódica 210.
La superficie del blanco 210 puede ser después apropiadamente acabada, por ejemplo por rectificado y pulido.
En algunas aplicaciones la deposición en plasma del material 206 se puede ejecutar directamente sobre el material de respaldo de blanco permanente 208. Por supuesto, en esos casos no se realizan los pasos 108-110 del método
100. Una aplicación del proceso 100 puede ser en este caso particular la reconstrucción de blancos usados y agotados.
En casos en los que se realicen los pasos de depósito 104-106 directamente sobre el soporte de blanco 208, se proporciona durante estos pasos una protección térmica del soporte de blanco 208. Por ejemplo, el soporte de blanco 208 puede hacerse de molibdeno o de un material refractario apropiado que permita la deposición del material de blanco 206 sobre el substrato caliente 208.
Se efectúan los pasos 104-106 utilizando un aparato de pulverización/deposición en plasma.
En la figura 5 se muestra un primer ejemplo ilustrativo de tal aparato de plasma en forma de un chorro de plasma 300 en corriente continua (cc).
Utilizando el chorro de plasma 300, se ejecutan los pasos 106-108 del método 100 inyectando el material de blanco en forma de polvo dentro de un chorro de plasma en cc en condiciones de deposición atmosféricas o de vacío. Las partículas de polvo individuales se funden en vuelo y son aceleradas hacia el substrato 200, sobre el cual impactan formando un listón plano del material de blanco 206. El revestimiento 206 se acumula por efecto de la deposición sucesiva de esos listones hasta que se alcance el espesor de depósito requerido. La calidad del depósito, en términos de pureza y densidad aparente, depende de la pureza del material de alimentación y de las condiciones de deposición, tales como la distancia ZS de soplete de plasma a substrato, la temperatura del substrato, la composición del gas de plasma y la potencia del plasma. Condiciones de funcionamiento típicas para un aparato 300 de esta clase operando en condiciones de deposición en vacío son:
caudal de gas de plasma = 40 a 50 slpm;
composición del gas de plasma - Ar/H2 con 10 a 20% en volumen de H2;
potencia del plasma = 30-40 kW;
presión de la cámara de deposición = 6665 a 13330 Pa (50 a 100 torr);
distancia de deposición de plasma-substrato = 10 a 20 cm;
tasa de alimentación de polvo = 10 a 20 g/min; y
diámetro medio de las partículas de polvo = 30 a 50 micrómetros.
La figura 6 muestra un segundo ejemplo ilustrativo de un aparato de plasma 310 en forma de un arco de transferencia de plasma en cc. Dado que el aparato 310 de arco de plasma en cc es muy similar al aparato 300 de chorro de plasma en cc de la figura 5, se describirán aquí con más detalle solamente las diferencias entre los dos aparatos.
Con el aparato 310 de arco transferido en cc se consigue la transferencia del arco de plasma entre el cátodo del soplete de plasma y el substrato 200, el cual actúa en este caso como ánodo. Esta técnica es más propensa a la contaminación del material de blanco por el material de substrato 200, aunque se consiguen generalmente densidades de material de blanco más altas utilizando esta técnica.
La figura 7 ilustra un aparato 310 de pulverización de plasma por inducción de radiofrecuencia (rf) que puede utilizarse para realizar los pasos 106-108 del proceso 100. Con este aparato particular se genera el chorro de plasma por efecto del acoplamiento electromagnético inductivo de la energía con el gas de plasma, lo que garantiza un nivel considerablemente más alto de pureza del ambiente de plasma en comparación con la tecnología de plasma en cc. El material de blanco 206 en forma de polvo se funde en vuelo por calentamiento con el gas de plasma y es acelerado hacia el substrato 200, en el cual se acumula el depósito 206 por la formación sucesiva de listones de partículas individuales.
Según una realización más específica de pulverización en plasma por inducción bajo vacío, el soplete de plasma para inducción está montado en la parte superior de una cámara apropiada de deposición en vacío con el chorro de plasma dirigido verticalmente hacia abajo. El substrato 200 sobre el cual ha de depositarse el material de blanco 206 se coloca dentro de la cámara de deposición en vacío, montado sobre un mecanismo de traslación y rotación (no mostrado), que permite que se mantenga el substrato 200 con una orientación casi en ángulo recto con respecto a la dirección del chorro de plasma. Según esta realización específica del aparato de pulverización en plasma por
E04713497 03-11-2011
inducción bajo vacío, se ajusta el movimiento del substrato 200 de una manera que mantenga una distancia de deposición fija entre la tobera de salida del soplete de plasma y la superficie del substrato. Aunque el tamaño y la forma de los listones individuales formados dependen del diámetro particular, su temperatura y su velocidad antes de impactar en el substrato, el espesor de deposición depende de la velocidad relativa entre el substrato y el soplete de plasma. La microestructura del depósito formado depende a su vez de los parámetros de las partículas antes de su impacto en el substrato y de las condiciones del substrato. Se ha visto que la temperatura del substrato, su velocidad lineal y el ángulo de impacto de las partículas en el substrato influyen sobre las propiedades de los depósitos 206 obtenidos.
Condiciones de funcionamiento típicas de un paso de deposición en plasma por rf inductivamente acoplada utilizando un soplete de plasma para inducción PL-50 Tekna son las siguientes:
caudales del gas de plasma;
gas de envoltura = 90 slpm (Ar) + 10 slpm (H2);
gas central = 30 slpm (Ar);
gas en polvo = 9 slpm (He);
potencia de la placa de plasma = 80 kW;
presión de la cámara = 13330 Pa (100 torr);
tasa de alimentación de polvo = 30-40 g/min;
material en polvo = silicio;
distribución de tamaño de las partículas de polvo = 40-90 micrómetros;
distancia de soplete de plasma a substrato = 20 cm;
rotación del substrato = 20 rpm; y
tiempo de deposición total = 30 min.
La figura 8 ilustra un aparato 330 de pulverización en plasma por inducción de radiofrecuencia (rf) similar al aparato 320 de la figura 7 con la adicción de una tobera Laval de contracción/expansión, que permite un incremento significativo de la velocidad de las partículas antes de su impacto en el substrato 200 y da lugar a la formación de un depósito 206 con una estructura de grano significativamente más fina en comparación con la obtenida utilizando condiciones de deposición en plasma subsónico (véase la figura 7). Se puede generar también un revestimiento nanoestructurado utilizando el aparato de plasma 300 mediante el uso de polvo de alimentación nanodimensionado.
Se han realizado experimentos para demostrar la posibilidad de utilizar el procedimiento y el aparato de la presente invención para la fabricación de blancos de pulverización catódica de silicio mediante la deposición en plasma por inducción bajo vacío de polvo de silicio sobre un substrato de grafito. Estos experimentos han demostrado que podrían obtenerse densidades de blanco en exceso de 99% de la densidad teórica del silicio elemental con unos perfiles de espesor de depósito relativamente uniformes y con unas finas microestructuras de grano, tal como puede verse en las figuras 9 a 11.
La figura 9 muestra el perfil radial del material de blanco de silicio depositado sobre un substrato de grafito de 20 cm para dos ensayos de experimentación diferentes.
Las figuras 10a y 10b son micrografías electrónicas del material depositado resultantes, respectivamente, del ensayo no. 1 y del ensayo no. 2.
Finalmente, la figura 11 ilustra el perfil de densidad aparente del depósito de silicio para el ensayo no. 1. Es de hacer notar que la densidad teórica del silicio es 2,33 g/cm3.
E04713497 03-11-2011
Claims (20)
- REIVINDICACIONES1. Un procedimiento para la fabricación de un blanco de pulverización catódica, que comprende:i) habilitar un substrato temporal que tiene una superficie receptora de revestimiento;ii) fundir en plasma al vuelo un material de blanco seleccionado para formar el blanco de pulverización catódica en forma de polvo, produciendo gotitas de material de blanco fundido;iii) depositar dichas gotitas sobre dicha superficie receptora de revestimiento de dicho substrato temporal, produciendo un blanco de pulverización catódica compuesto de una capa de revestimiento de dicho material de blanco sobre dicha superficie receptora de revestimiento de dicho substrato temporal;iv) unir dicho substrato temporal, a través de dicha capa de revestimiento, con un material de respaldo de blanco permanente; yv) retirar dicho substrato temporal, produciendo un blanco de pulverización catódica compuesto de dicha capa de revestimiento de dicho material de blanco sobre dicho material de respaldo de blanco permanente;en donde dicho substrato temporal se ha hecho de un material de substrato seleccionado del grupo consistente en un metal refractario, una cerámica y un material compuesto basado en carbono.
-
- 2.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicho substrato temporal es un blanco usado y agotado.
-
- 3.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicho substrato temporal incluye características de alivio de esfuerzos.
-
- 4.
- El procedimiento según la reivindicación 3, en el que dichas características de esfuerzos tienen la forma de cortes espirales o radiales.
-
- 5.
- El procedimiento según la reivindicación 1, que comprende además la realización de un tratamiento térmico de dicha capa de revestimiento antes del paso iv).
-
- 6.
- El procedimiento según la reivindicación 1, que comprende, además, el equipamiento de dicha capa de revestimiento con marcas de alivio de esfuerzos antes del paso iv).
-
- 7.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicho substrato temporal se reviste previamente con una capa de control, con lo que, en funcionamiento, dicha capa de control permite al menos una acción de entre facilitar la retirada de dicho substrato temporal en el paso v) y evitar la contaminación de dicha capa de revestimiento impidiendo la difusión entre dicho substrato temporal y dicha capa de revestimiento.
-
- 8.
- El procedimiento según la reivindicación 7, en el que dicha capa de control se deposita sobre dicho substrato temporal por pulverización catódica o por utilización de una técnica de deposición de vapor químico.
-
- 9.
- El procedimiento según la reivindicación 7, en el que dicha capa de control está hecha de un material inerte.
-
- 10.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que, en el paso iv), la unión de dicho substrato temporal con un material de respaldo de blanco permanente a través de dicha capa de revestimiento se efectúa utilizando al menos uno de entre soldadura blanda o epoxi.
-
- 11.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que, en el paso v), se retira mecánicamente dicho substrato temporal.
-
- 12.
- El procedimiento según la reivindicación 11, en el que, en el paso v), se retira mecánicamente dicho substrato temporal por mecanización y/o corrosión.
-
- 13.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que se ejecutan los pasos ii) y iii) utilizando un aparato de plasma seleccionado del grupo que consta de un chorro de plasma en corriente continua (cc), un arco de transferencia de plasma en cc y un aparato de pulverización en plasma por inducción de radiofrecuencia (rf).
-
- 14.
- El procedimiento según la reivindicación 13, en el que se hace funcionar dicho aparato de plasma en condiciones de deposición atmosféricas o de vacío.
-
- 15.
- El procedimiento según la reivindicación 13, en el que dicho aparato de plasma es un arco de transferencia de plasma en cc en donde dicho substrato actúa como ánodo.
-
- 16.
- El procedimiento según la reivindicación 13, en el que dicho aparato de pulverización en plasma por inducción de radiofrecuencia (rf) incluye una tobera Laval de contracción/expansión prevista para hacer que dicho aparato de
pulverización en plasma por inducción de rf opere en condiciones de flujo supersónicas o subsónicas. -
- 17.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicho metal refractario es molibdeno o tungsteno.
-
- 18.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicha cerámica se selecciona del grupo que consta de sílice, alúmina, circonia, nitruro de silicio, carburo de silicio y nitruro de boro.
-
- 19.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicho material compuesto basado en carbono es grafito.
-
- 20.
- El procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicho substrato temporal es un disco generalmente plano.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US44886703P | 2003-02-24 | 2003-02-24 | |
| US448867P | 2003-02-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2371070T3 true ES2371070T3 (es) | 2011-12-27 |
Family
ID=32908664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES04713497T Expired - Lifetime ES2371070T3 (es) | 2003-02-24 | 2004-02-23 | Procedimiento para fabricar un blanco de pulverización catódica. |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7964247B2 (es) |
| EP (1) | EP1597407B1 (es) |
| JP (1) | JP4637819B2 (es) |
| AT (1) | ATE522637T1 (es) |
| CA (1) | CA2556786C (es) |
| DK (1) | DK1597407T3 (es) |
| ES (1) | ES2371070T3 (es) |
| WO (1) | WO2004074540A1 (es) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101368262B (zh) | 2005-05-05 | 2012-06-06 | H.C.施塔克有限公司 | 向表面施加涂层的方法 |
| JP5065248B2 (ja) | 2005-05-05 | 2012-10-31 | ハー．ツェー．スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基材表面の被覆法及び被覆製品 |
| US7654010B2 (en) * | 2006-02-23 | 2010-02-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate processing method, and storage medium |
| US20080078268A1 (en) | 2006-10-03 | 2008-04-03 | H.C. Starck Inc. | Process for preparing metal powders having low oxygen content, powders so-produced and uses thereof |
| US20080145688A1 (en) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | H.C. Starck Inc. | Method of joining tantalum clade steel structures |
| US8748785B2 (en) * | 2007-01-18 | 2014-06-10 | Amastan Llc | Microwave plasma apparatus and method for materials processing |
| US8197894B2 (en) | 2007-05-04 | 2012-06-12 | H.C. Starck Gmbh | Methods of forming sputtering targets |
| FR2916676B1 (fr) * | 2007-06-01 | 2011-04-15 | Goss Int Montataire Sa | Machine d'impression et procede correspondant. |
| US20090255808A1 (en) * | 2008-04-11 | 2009-10-15 | Seagate Technology Llc | Target for efficient use of precious deposition material |
| US8246903B2 (en) | 2008-09-09 | 2012-08-21 | H.C. Starck Inc. | Dynamic dehydriding of refractory metal powders |
| US8043655B2 (en) | 2008-10-06 | 2011-10-25 | H.C. Starck, Inc. | Low-energy method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes |
| FR2944293B1 (fr) * | 2009-04-10 | 2012-05-18 | Saint Gobain Coating Solutions | Procede d'elaboration par projection thermique d'une cible |
| FR2944295B1 (fr) * | 2009-04-10 | 2014-08-15 | Saint Gobain Coating Solutions | Cible a base de molybdene et procede d'elaboration par projection thermique d'une cible |
| WO2011108671A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | イマジニアリング株式会社 | 被膜形成装置、及び被膜形成物の製造方法 |
| US8241930B2 (en) * | 2011-05-31 | 2012-08-14 | Primestar Solar, Inc. | Methods of forming a window layer in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device |
| US9120183B2 (en) | 2011-09-29 | 2015-09-01 | H.C. Starck Inc. | Methods of manufacturing large-area sputtering targets |
| US10167556B2 (en) | 2014-03-14 | 2019-01-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Apparatus and method for depositing a coating on a substrate at atmospheric pressure |
| CN104762599A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀方法和蒸镀装置 |
| WO2018168963A1 (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | キヤノンオプトロン株式会社 | 親水性蒸着膜及び蒸着材料 |
| CN109440049B (zh) * | 2017-11-27 | 2020-12-01 | 常州大学 | 一种电弧喷涂与激光重熔复合制备非晶铝涂层的方法 |
| BE1026683B1 (nl) * | 2018-10-05 | 2020-05-07 | Soleras Advanced Coatings Bvba | Sputterdoel |
| US20220145446A1 (en) * | 2019-02-22 | 2022-05-12 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon | Method for producing targets for physical vapor deposition (pvd) |
| TWI752655B (zh) * | 2020-09-25 | 2022-01-11 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 鐵鉑基靶材及其製法 |
| CN112962058A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-15 | 广州市尤特新材料有限公司 | 一种制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法 |
| CA3123218A1 (en) * | 2021-06-25 | 2022-12-25 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Processes and systems for thermal spray deposition for production of heat transfer devices |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1147331A (en) * | 1965-02-26 | 1969-04-02 | Hawker Siddeley Dynamics Ltd | Improvements in or relating to the application of ceramic or glass surface-coatings |
| GB1410169A (en) * | 1971-06-17 | 1975-10-15 | Johnson Matthey Co Ltd | Method of making composite layered structures by spraying |
| US4120930A (en) * | 1974-08-08 | 1978-10-17 | Lemelson Jerome H | Method of coating a composite mold |
| JPS62161945A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-07-17 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | セラミックス系スパッタリングタ−ゲットの製造法 |
| KR920003562B1 (ko) * | 1986-03-31 | 1992-05-04 | 가부시끼가이샤 도시바 | 내마모성 표면층을 형성한 비철금속의 기계부품 |
| US5356674A (en) * | 1989-05-04 | 1994-10-18 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Raumfahrt E.V. | Process for applying ceramic coatings using a plasma jet carrying a free form non-metallic element |
| US4934049A (en) * | 1989-07-07 | 1990-06-19 | Medtronic, Inc. | Method for fabrication of a medical electrode |
| DE4115663A1 (de) | 1991-05-14 | 1992-11-19 | Leybold Ag | Verfahren zur herstellung eines targets, insbesondere eines rohrtargets einer sputtervorrichtung |
| JPH0586465A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-04-06 | Mitsubishi Materials Corp | スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法 |
| JPH06346232A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-20 | Asahi Glass Co Ltd | スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
| US5709783A (en) * | 1993-11-18 | 1998-01-20 | Mcdonnell Douglas Corporation | Preparation of sputtering targets |
| US5744777A (en) * | 1994-12-09 | 1998-04-28 | Northwestern University | Small particle plasma spray apparatus, method and coated article |
| EP0852266B1 (en) * | 1995-08-23 | 2004-10-13 | Asahi Glass Ceramics Co., Ltd. | Target, process for production thereof, and method of forming highly refractive film |
| JPH11269639A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲットの再生方法 |
| US20050208218A1 (en) * | 1999-08-21 | 2005-09-22 | Ibadex Llc. | Method for depositing boron-rich coatings |
| EP1352105A2 (en) * | 2001-01-17 | 2003-10-15 | N.V. Bekaert S.A. | Photocatalytic sputtering targets and methods for the production and use thereof |
| WO2003025244A2 (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-27 | Heraeus, Inc. | Refurbishing spent sputtering targets |
| BE1014736A5 (fr) * | 2002-03-29 | 2004-03-02 | Alloys For Technical Applic S | Procede de fabrication et de recharge de cibles pour pulverisation cathodique. |
-
2004
- 2004-02-23 AT AT04713497T patent/ATE522637T1/de active
- 2004-02-23 EP EP04713497A patent/EP1597407B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-23 ES ES04713497T patent/ES2371070T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-23 DK DK04713497.8T patent/DK1597407T3/da active
- 2004-02-23 US US10/546,639 patent/US7964247B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-23 JP JP2006501426A patent/JP4637819B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-23 WO PCT/CA2004/000251 patent/WO2004074540A1/en active Application Filing
- 2004-02-23 CA CA2556786A patent/CA2556786C/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4637819B2 (ja) | 2011-02-23 |
| CA2556786C (en) | 2012-07-24 |
| DK1597407T3 (da) | 2011-09-26 |
| JP2006518806A (ja) | 2006-08-17 |
| US7964247B2 (en) | 2011-06-21 |
| ATE522637T1 (de) | 2011-09-15 |
| CA2556786A1 (en) | 2004-09-02 |
| US20060233965A1 (en) | 2006-10-19 |
| EP1597407B1 (en) | 2011-08-31 |
| EP1597407A1 (en) | 2005-11-23 |
| WO2004074540A1 (en) | 2004-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2371070T3 (es) | Procedimiento para fabricar un blanco de pulverización catódica. | |
| KR101754430B1 (ko) | 몰리브덴을 기재로 한 타겟 및 열 투사에 의한 타겟의 제조 방법 | |
| JP5809901B2 (ja) | 積層体及び積層体の製造方法 | |
| US4911987A (en) | Metal/ceramic or ceramic/ceramic bonded structure | |
| US20080216602A1 (en) | Coating process for manufacture or reprocessing of sputter targets and x-ray anodes | |
| US20110303535A1 (en) | Sputtering targets and methods of forming the same | |
| TW201606105A (zh) | 離子輔助沉積的稀土氧化物之頂部塗層 | |
| CN108352354A (zh) | 具有沉积表面特征结构的基板支撑组件 | |
| TWI622661B (zh) | Ｗ－Ｎｉ濺鍍靶及其製法和用途 | |
| TWI498435B (zh) | 具有低溫高強度接合的濺鍍靶材組合 | |
| JP2005532242A (ja) | セラミック表面を粗くする方法 | |
| TW200307652A (en) | Quartz glass thermal sprayed parts and method for producing the same | |
| WO2007023971A1 (ja) | 熱放射特性等に優れる溶射皮膜被覆部材およびその製造方法 | |
| CN113549862B (zh) | 一种高能激光防护多层复合材料涂层结构及其制造方法 | |
| TWI677589B (zh) | 一種濺射靶材的製備方法 | |
| KR101293766B1 (ko) | 열용사 코팅재 및 그 제조방법과 코팅방법 | |
| TW201606108A (zh) | 靶及製造靶的方法 | |
| JPH10302624A (ja) | Ｘ線管陽極の製造方法 | |
| KR20210130178A (ko) | 물리 기상 증착용 타겟의 제조 방법 | |
| CN108754390A (zh) | 熔炼放射性金属用小口径石墨坩埚防护涂层的制备方法 | |
| KR102182690B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치용 내부재 및 이의 제조 방법 | |
| KR101254618B1 (ko) | 내식성 부재의 세라믹 코팅 방법 | |
| US20230234160A1 (en) | Diffusion bonding of pure metal bodies | |
| JP2013224481A (ja) | スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
| ITRM980778A1 (it) | Procedimento per la fabbricazione di elementi riflettenti. |