JP2001131767A - 金属皮膜形成方法 - Google Patents
金属皮膜形成方法Info
- Publication number
- JP2001131767A JP2001131767A JP31891099A JP31891099A JP2001131767A JP 2001131767 A JP2001131767 A JP 2001131767A JP 31891099 A JP31891099 A JP 31891099A JP 31891099 A JP31891099 A JP 31891099A JP 2001131767 A JP2001131767 A JP 2001131767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal powder
- processing
- metal
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安全で良好な加工効率を有する金属皮膜形成
方法を提供すること。 【解決手段】 加工室（３）内において、噴射ノズル
（２）より金属パウダーを噴射させるとともに、該噴射
させた金属パウダーを加工基板（４）に吹きつけること
により、前記金属パウダーが前記加工基板に衝突した際
に生じる衝突熱にて加工基板表面に金属皮膜を形成させ
る方法において、前記加工室（３）内の圧力を大気圧の
半分以下にした状態で前記噴射ノズル（２）より金属パ
ウダーを噴射させて加工基板（４）に吹きつけることを
特徴とする。
方法を提供すること。 【解決手段】 加工室（３）内において、噴射ノズル
（２）より金属パウダーを噴射させるとともに、該噴射
させた金属パウダーを加工基板（４）に吹きつけること
により、前記金属パウダーが前記加工基板に衝突した際
に生じる衝突熱にて加工基板表面に金属皮膜を形成させ
る方法において、前記加工室（３）内の圧力を大気圧の
半分以下にした状態で前記噴射ノズル（２）より金属パ
ウダーを噴射させて加工基板（４）に吹きつけることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の配線等
に使用される金属皮膜形成方法に係り、より詳しくは、
加工する基材を大気圧の半分以下の雰囲気内にセット
し、この状態において金属パウダーを加工基板に吹きつ
け、衝突熱により加工基板上に金属皮膜を形成させる金
属皮膜形成方法に関する。
に使用される金属皮膜形成方法に係り、より詳しくは、
加工する基材を大気圧の半分以下の雰囲気内にセット
し、この状態において金属パウダーを加工基板に吹きつ
け、衝突熱により加工基板上に金属皮膜を形成させる金
属皮膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、電子部品の配線等に使用され
る金属皮膜形成方法としては、金属を真空中で加熱蒸発
させて基板上に金属皮膜を形成させる真空蒸着法が行わ
れている。
る金属皮膜形成方法としては、金属を真空中で加熱蒸発
させて基板上に金属皮膜を形成させる真空蒸着法が行わ
れている。
【０００３】またその他、金属パウダーを大気中で基板
に吹きつけることによる衝突熱で基板に金属皮膜を形成
させる方法も提案されている（特開平１０−２８０１６
５号参照）。
に吹きつけることによる衝突熱で基板に金属皮膜を形成
させる方法も提案されている（特開平１０−２８０１６
５号参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術の真空蒸着による金属皮膜形成方法では、加工室
内を高真空にする必要が有り、また、真空中で高温によ
り金属を蒸発させる必要が有るために、装置が高価にな
りエネルギーコストも高くなるという問題点がある。ま
た、金属皮膜形成の過程において基板を固定する治具等
にも金属皮膜が付着していき、そのために、定期的に、
治具に付着した金属皮膜を剥がす必要が有り作業が煩雑
にならざるを得ない。
来技術の真空蒸着による金属皮膜形成方法では、加工室
内を高真空にする必要が有り、また、真空中で高温によ
り金属を蒸発させる必要が有るために、装置が高価にな
りエネルギーコストも高くなるという問題点がある。ま
た、金属皮膜形成の過程において基板を固定する治具等
にも金属皮膜が付着していき、そのために、定期的に、
治具に付着した金属皮膜を剥がす必要が有り作業が煩雑
にならざるを得ない。
【０００５】一方、前記特開平１０−２８０１６５に
は、金属パウダーを噴射して金属皮膜を形成させる方法
が提案されているが、この方法ではパウダー粒子径が２
０μｍ以上と大きな粒子径に限定されている一方、実際
に電気部品等の配線に使用する場合は少なくとも２０μ
ｍ以下の細かい粒径の金属パウダーを使用する必要が有
るために、前記特開平１０−２８０１６５号に開示され
た方法では実用性に欠けるという問題点がある。
は、金属パウダーを噴射して金属皮膜を形成させる方法
が提案されているが、この方法ではパウダー粒子径が２
０μｍ以上と大きな粒子径に限定されている一方、実際
に電気部品等の配線に使用する場合は少なくとも２０μ
ｍ以下の細かい粒径の金属パウダーを使用する必要が有
るために、前記特開平１０−２８０１６５号に開示され
た方法では実用性に欠けるという問題点がある。
【０００６】また、一方、パウダーの粒子径が小さくし
た場合にはパウダーの表面積が増えるため、これを大気
中にて金属パウダーを噴射すると、金属パウダーが酸化
して基板に付着しないようになるという問題点がある。
た場合にはパウダーの表面積が増えるため、これを大気
中にて金属パウダーを噴射すると、金属パウダーが酸化
して基板に付着しないようになるという問題点がある。
【０００７】更に、金属パウダーが基板に衝突すると瞬
間に金属の表面が高温になるが、大気中での空気により
すぐ冷却されるために、付着の膜厚を厚くすることは困
難である。
間に金属の表面が高温になるが、大気中での空気により
すぐ冷却されるために、付着の膜厚を厚くすることは困
難である。
【０００８】更にまた、金属パウダーの粒径が小さい場
合には、大気中においてこれを噴射することによる加工
では、空気抵抗により噴射させた金属パウダーが途中で
失速してしまい、高速で基板に金属パウダーを衝突させ
ることができなくなる。
合には、大気中においてこれを噴射することによる加工
では、空気抵抗により噴射させた金属パウダーが途中で
失速してしまい、高速で基板に金属パウダーを衝突させ
ることができなくなる。
【０００９】また、粒子径が小さな金属パウダーは酸化
しやすく微粒のパウダーを噴射すると燃焼する可能性が
あるために、大気中での加工は危険を伴う。
しやすく微粒のパウダーを噴射すると燃焼する可能性が
あるために、大気中での加工は危険を伴う。
【００１０】本発明は、従来におけるこのような問題点
を解決するためになされたものであり、安全で良好な加
工効率を有する金属皮膜形成方法を提供することを課題
としている。
を解決するためになされたものであり、安全で良好な加
工効率を有する金属皮膜形成方法を提供することを課題
としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、加工する基材
（以下「加工基板」という。）を大気圧の半分以下の雰
囲気内にセットし、この状態において、平均粒子径が２
０μｍ以下の錫・インジウム・亜鉛・銀・金・鉛・アル
ミニウム・銅・ニッケル等の金属及び金属合金の微粒子
（以下「金属パウダー」という。）を、前記加工基板に
向けて噴射ノズルから噴射させることにより、加工基板
上に金属皮膜を形成させることを特徴とする。
（以下「加工基板」という。）を大気圧の半分以下の雰
囲気内にセットし、この状態において、平均粒子径が２
０μｍ以下の錫・インジウム・亜鉛・銀・金・鉛・アル
ミニウム・銅・ニッケル等の金属及び金属合金の微粒子
（以下「金属パウダー」という。）を、前記加工基板に
向けて噴射ノズルから噴射させることにより、加工基板
上に金属皮膜を形成させることを特徴とする。
【００１２】加工室内の圧力が大気圧の半分より高い場
合には、加工室内の空気抵抗により噴射した金属パウダ
ーの失速が大きくなり好ましくないが、本発明では、加
工基板を大気圧の半分以下の負圧の雰囲気内にセットす
ることを特徴としているため、加工時に金属パウダーが
空気抵抗により失速することが少なくなり、その結果と
して、効率の良い加工が可能になる。
合には、加工室内の空気抵抗により噴射した金属パウダ
ーの失速が大きくなり好ましくないが、本発明では、加
工基板を大気圧の半分以下の負圧の雰囲気内にセットす
ることを特徴としているため、加工時に金属パウダーが
空気抵抗により失速することが少なくなり、その結果と
して、効率の良い加工が可能になる。
【００１３】また、本発明では、加工基板を大気圧の半
分以下の雰囲気内にセットするために、加工中に加工室
が加圧になることがなく、加工室からパウダーが吹出す
可能性はない。
分以下の雰囲気内にセットするために、加工中に加工室
が加圧になることがなく、加工室からパウダーが吹出す
可能性はない。
【００１４】更に、本発明では加工室の雰囲気が大気圧
の半分以下となるため、雰囲気内の酸素濃度が低くなり
金属パウダーが酸化されにくくなり、さらに空気による
熱の放散が少なく金属の衝突熱の放散が少なくなり金属
膜を厚く付着させることが可能となる。
の半分以下となるため、雰囲気内の酸素濃度が低くなり
金属パウダーが酸化されにくくなり、さらに空気による
熱の放散が少なく金属の衝突熱の放散が少なくなり金属
膜を厚く付着させることが可能となる。
【００１５】また、金属パウダーを噴射させる際には、
噴射ノズルの内部を窒素ガス・アルゴンガス・ヘリウム
ガス・ネオンガス等の不活性ガスの雰囲気とするとよ
く、これにより、加工室内の雰囲気を外部の雰囲気より
低い酸素分圧にすることができて、その結果、金属パウ
ダーを吹き付けて基材に付着させる際艱難であった酸化
しやすい金属微粉末を使用することも可能である。
噴射ノズルの内部を窒素ガス・アルゴンガス・ヘリウム
ガス・ネオンガス等の不活性ガスの雰囲気とするとよ
く、これにより、加工室内の雰囲気を外部の雰囲気より
低い酸素分圧にすることができて、その結果、金属パウ
ダーを吹き付けて基材に付着させる際艱難であった酸化
しやすい金属微粉末を使用することも可能である。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の金属皮膜形成方法の実施
の形態について図を参照して説明すると、図１は本実施
形態の金属皮膜形成方法を実施するために用いられる金
属皮膜形成装置のブロック図であり、図において３は、
加工基板に金属皮膜を形成するために用いられる加工室
である。
の形態について図を参照して説明すると、図１は本実施
形態の金属皮膜形成方法を実施するために用いられる金
属皮膜形成装置のブロック図であり、図において３は、
加工基板に金属皮膜を形成するために用いられる加工室
である。
【００１７】また、１は、加工室３内に金属パウダーと
ガスを導入するためのパウダー導入管であり、このパウ
ダー導入管１の先端部には噴射ノズル２が連結され、こ
れにより、前記パウダー導入管１を介して加工室３内に
金属パウダーを噴射可能としている。
ガスを導入するためのパウダー導入管であり、このパウ
ダー導入管１の先端部には噴射ノズル２が連結され、こ
れにより、前記パウダー導入管１を介して加工室３内に
金属パウダーを噴射可能としている。
【００１８】また、図において５は基板固定台であり、
この基板固定台５には、加工基板を固定するために用い
られる真空パイプ６が備えられている。そして、図に示
されているように、前記基板固定台５上に、加工基板４
が固定される。
この基板固定台５には、加工基板を固定するために用い
られる真空パイプ６が備えられている。そして、図に示
されているように、前記基板固定台５上に、加工基板４
が固定される。
【００１９】また、前記加工室３の下方にはホッパーが
備えられるとともに、このホッパーには導管７が連結さ
れており、これにより、導管７を介して、加工基板４に
金属皮膜を形成するために用いられた金属パウダー及び
ガス１２を排出可能としている。
備えられるとともに、このホッパーには導管７が連結さ
れており、これにより、導管７を介して、加工基板４に
金属皮膜を形成するために用いられた金属パウダー及び
ガス１２を排出可能としている。
【００２０】そして、本実施形態における金属皮膜形成
方法では、このような構成の装置において、まず、図示
しない真空ポンプ等を用いて加工室３内を大気圧の半分
以下の真空状態に維持しておく。
方法では、このような構成の装置において、まず、図示
しない真空ポンプ等を用いて加工室３内を大気圧の半分
以下の真空状態に維持しておく。
【００２１】そして、この状態において、平均粒子径が
２０μｍ以下の錫・インジウム・亜鉛・鉛・銀・金・ア
ルミニウム・銅・ニッケル等の金属パウダーを噴射ノズ
ル２より噴射するとともに、この金属パウダーを、セラ
ミック・ガラス・シリコンウェハー・化合物半導体等の
加工基板上に吹きつけ、これにより、加工基板４上に金
属皮膜を形成させる。
２０μｍ以下の錫・インジウム・亜鉛・鉛・銀・金・ア
ルミニウム・銅・ニッケル等の金属パウダーを噴射ノズ
ル２より噴射するとともに、この金属パウダーを、セラ
ミック・ガラス・シリコンウェハー・化合物半導体等の
加工基板上に吹きつけ、これにより、加工基板４上に金
属皮膜を形成させる。
【００２２】なおこの際、前記噴射ノズル２の内部を不
活性ガスの雰囲気とするとよく、このように、噴射ノズ
ル２の内部を窒素ガス・アルゴンガス・ヘリウムガス・
ネオンガス等の不活性ガスの雰囲気とすることにより、
加工室内の雰囲気が外部の雰囲気より酸素分圧を低くで
き、金属パウダーを吹き付けて基材に付着させる際艱難
であった酸化しやすい金属微粉末を使用することも可能
である。
活性ガスの雰囲気とするとよく、このように、噴射ノズ
ル２の内部を窒素ガス・アルゴンガス・ヘリウムガス・
ネオンガス等の不活性ガスの雰囲気とすることにより、
加工室内の雰囲気が外部の雰囲気より酸素分圧を低くで
き、金属パウダーを吹き付けて基材に付着させる際艱難
であった酸化しやすい金属微粉末を使用することも可能
である。
【００２３】また、噴射ノズル２から金属パウダーを噴
射させる方法としては、例えば、前記加工室３内の負圧
力により噴射ノズル２から金属パウダーを吸い込むとと
もに、この吸い込んだ金属パウダーを加工基板に吹き付
ける方法や、圧縮空気・窒素ガス・アルゴンガス等の高
圧ガスをパウダー導入管１からパウダー噴射ノズル２へ
導入して、これによりパウダー噴射ノズル２より加工室
３内へ噴射する方法が考えられる。
射させる方法としては、例えば、前記加工室３内の負圧
力により噴射ノズル２から金属パウダーを吸い込むとと
もに、この吸い込んだ金属パウダーを加工基板に吹き付
ける方法や、圧縮空気・窒素ガス・アルゴンガス等の高
圧ガスをパウダー導入管１からパウダー噴射ノズル２へ
導入して、これによりパウダー噴射ノズル２より加工室
３内へ噴射する方法が考えられる。
【００２４】更に、金属皮膜形成に際しては、予めレジ
ストにて加工基板４にパターンを施し、所定部分のみに
金属パウダーを吹き付けることにより、所望する箇所に
金属パターンを形成するようにしても良い。
ストにて加工基板４にパターンを施し、所定部分のみに
金属パウダーを吹き付けることにより、所望する箇所に
金属パターンを形成するようにしても良い。
【００２５】また、加工基板４上に金属皮膜を形成した
後に、電気鍍金もしくは無電解鍍金を施し、これにより
金属付着後の加工基板の膜厚を厚くしたり、他の金属を
付着させても良い。
後に、電気鍍金もしくは無電解鍍金を施し、これにより
金属付着後の加工基板の膜厚を厚くしたり、他の金属を
付着させても良い。
【００２６】
【実施例】［実施例１］本発明の第一の実施例では、シ
リコンウェハー・ガラス基板・セラミック基板等の加工
基板上にレジストにてパターニングを行った。
リコンウェハー・ガラス基板・セラミック基板等の加工
基板上にレジストにてパターニングを行った。
【００２７】なお、レジストにてパターニングする方法
としてはスクリーン印刷等の印刷によりレジストインク
をパターン印刷する方法と感光性レジストを使用してパ
ターニングする方法があり、また、感光性レジストを使
用してレジストを塗布する方法としてはロールコーター
やテーブルコーターやスピンコーターを使用して感光性
レジストを塗布してから乾燥後パターンを形成させる方
法と感光性ドライフィルムをラミネートして露光により
パターンを形成させる方法がある。
としてはスクリーン印刷等の印刷によりレジストインク
をパターン印刷する方法と感光性レジストを使用してパ
ターニングする方法があり、また、感光性レジストを使
用してレジストを塗布する方法としてはロールコーター
やテーブルコーターやスピンコーターを使用して感光性
レジストを塗布してから乾燥後パターンを形成させる方
法と感光性ドライフィルムをラミネートして露光により
パターンを形成させる方法がある。
【００２８】本実施例においては、まず、加工基板４上
に加工部分以外をレジストにてマスキングを行い、加工
基板４を加工室３内に置くとともに加工基板固定台５に
固定した後に、加工室３内を大気圧の半分以下の真空に
する。
に加工部分以外をレジストにてマスキングを行い、加工
基板４を加工室３内に置くとともに加工基板固定台５に
固定した後に、加工室３内を大気圧の半分以下の真空に
する。
【００２９】そうすると、加工室３内を真空にすること
により、図示しないパウダー供給タンク内の金属パウダ
ーとパウダー供給タンク内の雰囲気ガスとがパウダー導
入管１から引き込まれるとともに、この引き込まれた金
属パウダーは、加工基板４に向けて、噴射ノズル２より
噴射されて加工基板４に衝突する。そして、その衝突の
際に生じる衝突熱により、加工基板４上に金属皮膜が形
成される。
により、図示しないパウダー供給タンク内の金属パウダ
ーとパウダー供給タンク内の雰囲気ガスとがパウダー導
入管１から引き込まれるとともに、この引き込まれた金
属パウダーは、加工基板４に向けて、噴射ノズル２より
噴射されて加工基板４に衝突する。そして、その衝突の
際に生じる衝突熱により、加工基板４上に金属皮膜が形
成される。
【００３０】そしてその際、本実施例では、加工室３内
を大気圧の半分以下の負圧にしているために、噴射され
た金属微粒子パウダーは空気抵抗を受けることが少な
く、その結果、失速することなく効率良く加工基板に衝
突して衝突熱で基板に金属皮膜を形成することができ
る。
を大気圧の半分以下の負圧にしているために、噴射され
た金属微粒子パウダーは空気抵抗を受けることが少な
く、その結果、失速することなく効率良く加工基板に衝
突して衝突熱で基板に金属皮膜を形成することができ
る。
【００３１】また雰囲気が大気圧の半分以下のため衝突
熱が放散しにくく熱効率がよくなり金属皮膜が付着しや
すくなるとともに、酸素分圧が低いために金属パウダー
は酸化しにくく、安定した加工が行える。
熱が放散しにくく熱効率がよくなり金属皮膜が付着しや
すくなるとともに、酸素分圧が低いために金属パウダー
は酸化しにくく、安定した加工が行える。
【００３２】なお、本実施例においては、スクリーン印
刷にて加工基板に早川ゴム製レジストインクで３インチ
シリコンウェハーにパターン印刷を行い、紫外線にて露
光してレジストインクを硬化させた。
刷にて加工基板に早川ゴム製レジストインクで３インチ
シリコンウェハーにパターン印刷を行い、紫外線にて露
光してレジストインクを硬化させた。
【００３３】また、基板４を加工室に入れ加工基板固定
台に基板を乗せ真空ポンプにて約１０２Ｐａで基板を真
空吸着した。
台に基板を乗せ真空ポンプにて約１０２Ｐａで基板を真
空吸着した。
【００３４】更に、加工室を約１０３Ｐａの真空状態に
してパウダー噴射ノズルより粒子径が１０μｍの錫粒子
を基板に噴射させて基板上に錫のパターンを形成させ
た。（１気圧＝１０５Ｐａ）
してパウダー噴射ノズルより粒子径が１０μｍの錫粒子
を基板に噴射させて基板上に錫のパターンを形成させ
た。（１気圧＝１０５Ｐａ）
【００３５】そして、加工条件としては、金属パウダー
噴射量を約３００ｇ／ｍｉｎとし、パウダー噴射ノズル
と基板との距離を２０ｍｍに設定した。
噴射量を約３００ｇ／ｍｉｎとし、パウダー噴射ノズル
と基板との距離を２０ｍｍに設定した。
【００３６】［実施例２］上記実施例１と同じように、
レジストにてパターニング後に加工基板４を加工室３内
に置き基板固定台５に固定して、加工室３内を大気圧の
半分以下の真空にする。
レジストにてパターニング後に加工基板４を加工室３内
に置き基板固定台５に固定して、加工室３内を大気圧の
半分以下の真空にする。
【００３７】次に、金属パウダーと圧縮空気・窒素ガス
・アルゴンガス等の高圧ガスをパウダー導入管１からパ
ウダー噴射ノズル２へ導入して、パウダー噴射ノズル２
より加工室３内へ噴射する。
・アルゴンガス等の高圧ガスをパウダー導入管１からパ
ウダー噴射ノズル２へ導入して、パウダー噴射ノズル２
より加工室３内へ噴射する。
【００３８】そうすると、噴射された微粒子パウダーは
真空チャンバー内のガス圧が低いため空気抵抗が少なく
失速することなく効率良く加工基板に衝突して衝突熱に
て基板上に金属皮膜を形成することができる。
真空チャンバー内のガス圧が低いため空気抵抗が少なく
失速することなく効率良く加工基板に衝突して衝突熱に
て基板上に金属皮膜を形成することができる。
【００３９】また雰囲気が大気圧の半分以下のため衝突
熱が放散しにくく熱効率がよくなり金属皮膜が付着しや
すくなるとともに、酸素分圧が低いため金属パウダーは
酸化しにくく安定した加工が行える。
熱が放散しにくく熱効率がよくなり金属皮膜が付着しや
すくなるとともに、酸素分圧が低いため金属パウダーは
酸化しにくく安定した加工が行える。
【００４０】特に噴射ガスに窒素ガス・アルゴンガス・
ネオンガス・ヘリウムガス・水素ガス等の非酸化性のガ
スもしくは不活性ガスを使用すれば金属パウダーを全く
酸化させることなく安定した金属の付着加工を行うこと
ができる。
ネオンガス・ヘリウムガス・水素ガス等の非酸化性のガ
スもしくは不活性ガスを使用すれば金属パウダーを全く
酸化させることなく安定した金属の付着加工を行うこと
ができる。
【００４１】なお、本実施例においては、厚み０．５ミ
リで４インチガラス基板に東京応化工業製ドライフィル
ムＢＦ−４０５を使用してパターニングを行った。
リで４インチガラス基板に東京応化工業製ドライフィル
ムＢＦ−４０５を使用してパターニングを行った。
【００４２】また、基板を真空チャンバーに入れ加工基
板固定台に基板を乗せ真空ポンプにて約１０２Ｐａで基
板を真空吸着した。
板固定台に基板を乗せ真空ポンプにて約１０２Ｐａで基
板を真空吸着した。
【００４３】そして、真空チャンバーを約１０３Ｐａの
真空状態にしてパウダー噴射ノズルより窒素ガスを使用
して３ｋｇ／ｃｍ２の圧力にて平均粒径３μｍの銅のパ
ウダーを基板に噴射させて銅の配線パターンを形成させ
た。（１気圧＝１０５Ｐａ）
真空状態にしてパウダー噴射ノズルより窒素ガスを使用
して３ｋｇ／ｃｍ２の圧力にて平均粒径３μｍの銅のパ
ウダーを基板に噴射させて銅の配線パターンを形成させ
た。（１気圧＝１０５Ｐａ）
【００４４】そして、加工条件としては、パウダー噴射
量を約４００ｇ／ｍｉｎとし、パウダー噴射ノズルと基
板との距離を８０ｍｍに設定した。
量を約４００ｇ／ｍｉｎとし、パウダー噴射ノズルと基
板との距離を８０ｍｍに設定した。
【００４５】［実施例３］なお、前述した実施例１及び
実施例２において加工基板４上に金属皮膜を形成した後
に、電気鍍金もしくは無電解鍍金を施し、これにより金
属付着後の加工基板の膜厚を厚くしたり、他の金属を付
着させても良い。
実施例２において加工基板４上に金属皮膜を形成した後
に、電気鍍金もしくは無電解鍍金を施し、これにより金
属付着後の加工基板の膜厚を厚くしたり、他の金属を付
着させても良い。
【００４６】例えば、無電解鍍金の場合はニッケル及び
銅の場合はそのまま無電解鍍金にて膜厚を厚くすること
ができる。
銅の場合はそのまま無電解鍍金にて膜厚を厚くすること
ができる。
【００４７】また、その他の金属の場合は塩化パラジウ
ム溶液に一度浸漬して金属表面にパラジウム膜を形成さ
せてから無電解鍍金液にて金属皮膜上に無電解鍍金を行
うことが望ましい。
ム溶液に一度浸漬して金属表面にパラジウム膜を形成さ
せてから無電解鍍金液にて金属皮膜上に無電解鍍金を行
うことが望ましい。
【００４８】なお、本実施例においては、実施例２の条
件でガラス基板上に膜厚が約０．５μｍの銅の配線パタ
ーンを形成後、銅の無電解鍍金浴に入れて膜厚約２μｍ
鍍金を行い合計２．５μｍの膜厚の銅配線パターンを形
成させた。
件でガラス基板上に膜厚が約０．５μｍの銅の配線パタ
ーンを形成後、銅の無電解鍍金浴に入れて膜厚約２μｍ
鍍金を行い合計２．５μｍの膜厚の銅配線パターンを形
成させた。
【００４９】
【発明の効果】本発明の金属皮膜形成方法は以上説明し
た形態で実施され、以下に記載するような効果を奏す
る。
た形態で実施され、以下に記載するような効果を奏す
る。
【００５０】本発明では、加工基板を大気圧の半分以下
の負圧の雰囲気内にセットした状態で金属パウダーを噴
射させ、これにより加工基板上に金属皮膜を形成するこ
とを特徴としているため、加工時に金属パウダーが空気
抵抗により失速することが少なくなり、その結果とし
て、効率の良い加工が可能になる。
の負圧の雰囲気内にセットした状態で金属パウダーを噴
射させ、これにより加工基板上に金属皮膜を形成するこ
とを特徴としているため、加工時に金属パウダーが空気
抵抗により失速することが少なくなり、その結果とし
て、効率の良い加工が可能になる。
【００５１】また、本発明では、加工基板を大気圧の半
分以下の雰囲気内にセットするために、加工中に加工室
が加圧になることがなく、加工室からパウダーが吹出す
可能性はない。
分以下の雰囲気内にセットするために、加工中に加工室
が加圧になることがなく、加工室からパウダーが吹出す
可能性はない。
【００５２】更に、本発明では加工室の雰囲気が大気圧
の半分以下となるため、雰囲気内の酸素濃度が低くなり
金属パウダーが酸化されにくくなり、さらに空気による
熱の放散が少なく金属の衝突熱の放散が少なくなり金属
膜を厚く付着させることが可能となる。
の半分以下となるため、雰囲気内の酸素濃度が低くなり
金属パウダーが酸化されにくくなり、さらに空気による
熱の放散が少なく金属の衝突熱の放散が少なくなり金属
膜を厚く付着させることが可能となる。
【００５３】またこの際に、噴射ノズルの内部を不活性
ガスの雰囲気とするとよく、ノズル内部を窒素ガス・ア
ルゴンガス・ヘリウムガス・ネオンガス等の不活性ガス
の雰囲気とすることにより、加工室内の雰囲気が外部の
雰囲気より酸素分圧を低くでき、金属パウダーを吹き付
けて基材に付着させる際困難であった酸化しやすい金属
微粉末を使用することも可能である。
ガスの雰囲気とするとよく、ノズル内部を窒素ガス・ア
ルゴンガス・ヘリウムガス・ネオンガス等の不活性ガス
の雰囲気とすることにより、加工室内の雰囲気が外部の
雰囲気より酸素分圧を低くでき、金属パウダーを吹き付
けて基材に付着させる際困難であった酸化しやすい金属
微粉末を使用することも可能である。
【図１】本発明の金属皮膜形成方法の実施例を説明する
ための図である。
ための図である。
１ パウダー導入管 ２ パウダー噴射ノズル ３ 加工室 ４ 加工基板 ５ 加工基板固定台 ６ 基板固定用真空パイプ ７ 導管 １２ 排出される金属パウダー及びガス
Claims (7)
- 【請求項１】加工室（３）内において、噴射ノズル
（２）より金属パウダーを噴射させるとともに、該噴射
させた金属パウダーを加工基板（４）に吹きつけること
により、前記金属パウダーが前記加工基板に衝突した際
に生じる衝突熱にて前記加工基板（４）表面に金属皮膜
を形成させる金属皮膜形成方法において、前記加工室
（３）内の圧力を大気圧の半分以下にした状態で前記噴
射ノズル（２）より金属パウダーを噴射させて加工基板
（４）に吹きつけることを特徴とする金属皮膜形成方
法。 - 【請求項２】加工室（３）内において、噴射ノズル
（２）より金属パウダーを噴射させるとともに、該噴射
させた金属パウダーを加工基板（４）に吹きつけること
により、前記金属パウダーが前記加工基板に衝突した際
に生じる衝突熱にて前記加工基板（４）表面に金属皮膜
を形成させる金属皮膜形成方法において、前記加工室
（３）内の圧力を大気圧の半分以下にした状態で前記噴
射ノズル（２）より金属パウダーを噴射させて加工基板
（４）に吹きつけることにより前記加工基板（４）に金
属皮膜を形成し、その後、前記金属皮膜を形成した加工
基板（４）に電気鍍金もしくは無電解鍍金を施すことを
特徴とする金属皮膜形成方法。 - 【請求項３】前記金属パウダーの平均粒径を２０μｍ以
下とすることを特徴とすることを特徴とする請求項１又
は請求項２に記載の金属皮膜形成方法。 - 【請求項４】前記噴射ノズル（２）の内部を不活性ガス
の雰囲気とすることを特徴とする請求項１乃至請求項３
のいずれかに記載の金属皮膜形成方法。 - 【請求項５】前記加工室（３）内の雰囲気を外部の雰囲
気より低い酸素分圧としたことを特徴とする請求項１乃
至請求項４のいずれかに記載の金属皮膜形成方法。 - 【請求項６】前記加工室（３）内の負圧力により噴射ノ
ズル（２）から金属パウダーを吸い込むとともに、この
吸い込んだ金属パウダーを加工基板に吹き付けることを
特徴とした請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の金
属皮膜形成方法。 - 【請求項７】前記加工基板（４）にパターンを施し、所
定部分のみに金属パウダーを吹き付けることにより、所
望する箇所に金属皮膜を形成することを特徴とする請求
項１乃至請求項６のいずれかに記載の金属皮膜形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31891099A JP2001131767A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | 金属皮膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31891099A JP2001131767A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | 金属皮膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001131767A true JP2001131767A (ja) | 2001-05-15 |
Family
ID=18104347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31891099A Pending JP2001131767A (ja) | 1999-11-09 | 1999-11-09 | 金属皮膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001131767A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008540823A (ja) * | 2005-05-05 | 2008-11-20 | ハー．ツェー．スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | スパッタターゲット及びｘ線アノードを製造又は再処理するための被覆方法 |
| JP2008540822A (ja) * | 2005-05-05 | 2008-11-20 | ハー．ツェー．スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基材表面の被覆法及び被覆製品 |
-
1999
- 1999-11-09 JP JP31891099A patent/JP2001131767A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008540823A (ja) * | 2005-05-05 | 2008-11-20 | ハー．ツェー．スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | スパッタターゲット及びｘ線アノードを製造又は再処理するための被覆方法 |
| JP2008540822A (ja) * | 2005-05-05 | 2008-11-20 | ハー．ツェー．スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基材表面の被覆法及び被覆製品 |
| KR101342314B1 (ko) * | 2005-05-05 | 2013-12-16 | 하.체. 스타르크 게엠베하 | 기판 표면의 코팅 방법 및 코팅된 제품 |
| KR101342823B1 (ko) * | 2005-05-05 | 2013-12-17 | 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨 | 스퍼터 타깃과 ｘ-레이 애노드의 제조 또는 재처리를 위한코팅 공정 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7412983B2 (en) | Pattern forming method and apparatus, and device fabrication method and device | |
| US8021715B2 (en) | Cold gas spraying method | |
| JP4942263B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| US20060251823A1 (en) | Kinetic spray application of coatings onto covered materials | |
| JP2007110063A (ja) | フォトレジスト溶液を効率的に用いた噴射式フォトレジストコーティング装置および方法 | |
| JP4248037B2 (ja) | 金属被膜の形成方法 | |
| KR20010070288A (ko) | 금속 성분 함유 용액, 금속 박막 형성 방법 및 장치 | |
| WO2004070809A1 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
| JPWO2004050352A1 (ja) | 積層体、プリント配線板およびそれらの製造方法 | |
| US20180332711A1 (en) | Method for creating patterned coatings on a molded article, and device for carrying out said method | |
| JP2004160388A (ja) | 薄膜の作成方法と作成装置 | |
| CN106537555A (zh) | 薄型基板及其制造方法、以及基板的输送方法 | |
| TWI315085B (ja) | ||
| JP2000306809A5 (ja) | 基板処理方法 | |
| US6598314B1 (en) | Method of drying wafers | |
| JP2001131767A (ja) | 金属皮膜形成方法 | |
| Morita et al. | Direct formation of conductor films by laser sublimating of ceramics | |
| JPH06122956A (ja) | プラズマ溶射方法及び溶射製膜装置 | |
| JP2010283312A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2007119871A (ja) | 金属被膜形成方法及び金属被膜による電極パターン形成方法 | |
| JP3314017B2 (ja) | 窒化処理における窒化防止方法 | |
| JP3492076B2 (ja) | 逆スパッタリング方法 | |
| JP2001138242A (ja) | 加工方法及びそれに用いる加工装置 | |
| EP0768708A2 (en) | Method for forming bumps on substrates for electronic components | |
| JP2001158974A (ja) | 防食方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061024 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080402 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090428 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091016 |