JPH06122956A - プラズマ溶射方法及び溶射製膜装置 - Google Patents
プラズマ溶射方法及び溶射製膜装置Info
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- JPH06122956A JPH06122956A JP4274019A JP27401992A JPH06122956A JP H06122956 A JPH06122956 A JP H06122956A JP 4274019 A JP4274019 A JP 4274019A JP 27401992 A JP27401992 A JP 27401992A JP H06122956 A JPH06122956 A JP H06122956A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，プラズマ溶射で製膜する場合のプ
ラズマ溶射方法と装置に関するものであり，特に熱に弱
い基板に、高付着力で製膜できる製膜装置に関するもの
である 【構成】 プラズマジェットにより粉末を溶融させ、高
速で基板に衝突させて皮膜を形成するプラズマ溶射法で
あって、前記プラズマジェット１７が基板１８に衝突す
る近傍の、ジェット内粒子が完全溶融している領域２７
よりも半径方向で外側の領域２５に、ジェット噴出方向
と略同軸方向に、冷却あるいは雰囲気制御ガスを噴出さ
せながら製膜を行うプラズマ溶射方法であり、さらに冷
却あるいは雰囲気制御ガスの噴出速度が、プラズマジェ
ット中心領域の軸方向速度よりも小さく、噴出ノズル１
９が位置するジェット領域のジェットの軸方向速度より
も大きく、冷却あるいは雰囲気制御ガスの噴出ノズル出
口端と基板との距離が、噴出ノズル１９からのジェット
２９のポテンシャルコア領域内であるプラズマ溶射方法
と装置である。
ラズマ溶射方法と装置に関するものであり，特に熱に弱
い基板に、高付着力で製膜できる製膜装置に関するもの
である 【構成】 プラズマジェットにより粉末を溶融させ、高
速で基板に衝突させて皮膜を形成するプラズマ溶射法で
あって、前記プラズマジェット１７が基板１８に衝突す
る近傍の、ジェット内粒子が完全溶融している領域２７
よりも半径方向で外側の領域２５に、ジェット噴出方向
と略同軸方向に、冷却あるいは雰囲気制御ガスを噴出さ
せながら製膜を行うプラズマ溶射方法であり、さらに冷
却あるいは雰囲気制御ガスの噴出速度が、プラズマジェ
ット中心領域の軸方向速度よりも小さく、噴出ノズル１
９が位置するジェット領域のジェットの軸方向速度より
も大きく、冷却あるいは雰囲気制御ガスの噴出ノズル出
口端と基板との距離が、噴出ノズル１９からのジェット
２９のポテンシャルコア領域内であるプラズマ溶射方法
と装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的絶縁、熱的絶
縁、耐摩耗、耐蝕等や機能膜をプラズマ溶射方法および
それを用いた製膜装置に関するものであり、特に熱に弱
い基板材料に金属材料やセラミック材料を熱負荷無しに
製膜できる溶射方法、装置に関するものである。
縁、耐摩耗、耐蝕等や機能膜をプラズマ溶射方法および
それを用いた製膜装置に関するものであり、特に熱に弱
い基板材料に金属材料やセラミック材料を熱負荷無しに
製膜できる溶射方法、装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、溶射技術は例えば耐摩耗、耐絶縁
膜等の製膜手法として広く利用され、燃焼ガスをその溶
融手段として使うガス溶射や電気エネルギーをその溶融
エネルギーとして使う電気式溶射等に大きく分類され
る。さらに電気式溶射ではアーク溶射やプラズマ溶射等
が一般的であり、特に最近では溶射皮膜の膜質等からプ
ラズマ溶射法が注目されている。図３はプラズマ溶射装
置の従来例を示したものである。水冷された陰極１と水
冷された陽極２の間に電源３によって直流アーク４を発
生させ、後方から送給するプラズマ作動ガス５をアーク
４によって熱し、アークプラズマジェット６としてノズ
ル７から噴出させる。溶射材料は粉末で、キャリアガス
８にのせてプラズマジェット６の中に吹き込み加熱溶融
し、かつ加速して基板９表面に高速で衝突させて皮膜を
形成するものである。この時作動ガスとしてはアルゴン
や窒素あるいはこれらのガスにヘリウム、水素を加えて
いる場合が多い。
膜等の製膜手法として広く利用され、燃焼ガスをその溶
融手段として使うガス溶射や電気エネルギーをその溶融
エネルギーとして使う電気式溶射等に大きく分類され
る。さらに電気式溶射ではアーク溶射やプラズマ溶射等
が一般的であり、特に最近では溶射皮膜の膜質等からプ
ラズマ溶射法が注目されている。図３はプラズマ溶射装
置の従来例を示したものである。水冷された陰極１と水
冷された陽極２の間に電源３によって直流アーク４を発
生させ、後方から送給するプラズマ作動ガス５をアーク
４によって熱し、アークプラズマジェット６としてノズ
ル７から噴出させる。溶射材料は粉末で、キャリアガス
８にのせてプラズマジェット６の中に吹き込み加熱溶融
し、かつ加速して基板９表面に高速で衝突させて皮膜を
形成するものである。この時作動ガスとしてはアルゴン
や窒素あるいはこれらのガスにヘリウム、水素を加えて
いる場合が多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
プラズマ溶射トーチを備えた溶射方法及び溶射装置にお
いては、ノズル７から噴出されるプラズマジェット６
は、条件にもよるが概略１万℃以上にも達し、実際に基
板に到達するジェットの領域でも、ジェット自身は数千
℃にもなる。またキャリアガス８によってジェット６中
に投入されて加熱溶融された粒子も数千℃の温度を有し
ている。この様に、基板に対しては、ジェットの熱負荷
とともに、粒子の熱負荷が付加され基板は大きく温度上
昇するものである。この温度上昇を抑えるために、基板
９あるいはトーチ本体１０を出来るだけ高速に移動させ
ながら製膜し、単位時間の基板９への熱入力を低減させ
て温度上昇を抑える方法や、基板裏面１１にガスあるい
は冷却液体を吹き付けて強制的に冷却する方法等があ
る。また特願平３ー１１９８５０の従来例に示すよう
に、基板表面に冷却ガスを吹き付けて冷却する方法もあ
る。
プラズマ溶射トーチを備えた溶射方法及び溶射装置にお
いては、ノズル７から噴出されるプラズマジェット６
は、条件にもよるが概略１万℃以上にも達し、実際に基
板に到達するジェットの領域でも、ジェット自身は数千
℃にもなる。またキャリアガス８によってジェット６中
に投入されて加熱溶融された粒子も数千℃の温度を有し
ている。この様に、基板に対しては、ジェットの熱負荷
とともに、粒子の熱負荷が付加され基板は大きく温度上
昇するものである。この温度上昇を抑えるために、基板
９あるいはトーチ本体１０を出来るだけ高速に移動させ
ながら製膜し、単位時間の基板９への熱入力を低減させ
て温度上昇を抑える方法や、基板裏面１１にガスあるい
は冷却液体を吹き付けて強制的に冷却する方法等があ
る。また特願平３ー１１９８５０の従来例に示すよう
に、基板表面に冷却ガスを吹き付けて冷却する方法もあ
る。
【０００４】しかしながら前記の基板を高速に移動させ
る方法では、一回当りの製膜厚さが小さくなるために、
移動の回数を多数にする必要があり、その結果基板への
熱が蓄積されて最終的には基板温度が上昇するものであ
る。また基板裏面にガスや冷却液体を吹き付けて冷却す
る方法では、例えば基板が孔あき基板であるような場合
にはガスあるいは冷却液体がジェット側に抜けてしま
い、溶射効率が大きく落ちるといった欠点があるもので
あった。
る方法では、一回当りの製膜厚さが小さくなるために、
移動の回数を多数にする必要があり、その結果基板への
熱が蓄積されて最終的には基板温度が上昇するものであ
る。また基板裏面にガスや冷却液体を吹き付けて冷却す
る方法では、例えば基板が孔あき基板であるような場合
にはガスあるいは冷却液体がジェット側に抜けてしま
い、溶射効率が大きく落ちるといった欠点があるもので
あった。
【０００５】一方基板表面に冷却ガスを吹き付ける従来
の方式では、確かに上記のような欠点は除かれるもの
の、単に冷却ガスを吹き付けるだけでは、冷却ガス量が
過大になったり、あるいは溶射効率が極端に低下した
り、また溶射膜質が低下するといった課題を有してい
た。
の方式では、確かに上記のような欠点は除かれるもの
の、単に冷却ガスを吹き付けるだけでは、冷却ガス量が
過大になったり、あるいは溶射効率が極端に低下した
り、また溶射膜質が低下するといった課題を有してい
た。
【０００６】本発明はかかる点に鑑み、プラズマ溶射に
おいて基板に熱ダメージを与えることなく、更に膜質の
優れた溶射皮膜が形成できるプラズマ溶射方法および溶
射製膜装置を提供することを目的とするものである。
おいて基板に熱ダメージを与えることなく、更に膜質の
優れた溶射皮膜が形成できるプラズマ溶射方法および溶
射製膜装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】プラズマジェットにより
粉末を溶融させ、高速で基板に衝突させて皮膜を形成す
るプラズマ溶射法であって、前記プラズマジェットが基
板に衝突する近傍の、ジェット内粒子が完全溶融してい
る領域よりも半径方向で外側の領域に、ジェット噴出方
向と略同軸方向に、冷却あるいは雰囲気制御ガスを噴出
させながら製膜を行うプラズマ溶射方法であり、さらに
冷却あるいは雰囲気制御ガスの噴出速度が、プラズマジ
ェット中心領域の軸方向速度よりも小さく、噴出ノズル
が位置するジェット領域のジェットの軸方向速度よりも
大きく、冷却あるいは雰囲気制御ガスの噴出ノズル出口
端と基板との距離が、噴出ノズルからのジェットのポテ
ンシャルコア領域内であるプラズマ溶射方法と装置であ
る。
粉末を溶融させ、高速で基板に衝突させて皮膜を形成す
るプラズマ溶射法であって、前記プラズマジェットが基
板に衝突する近傍の、ジェット内粒子が完全溶融してい
る領域よりも半径方向で外側の領域に、ジェット噴出方
向と略同軸方向に、冷却あるいは雰囲気制御ガスを噴出
させながら製膜を行うプラズマ溶射方法であり、さらに
冷却あるいは雰囲気制御ガスの噴出速度が、プラズマジ
ェット中心領域の軸方向速度よりも小さく、噴出ノズル
が位置するジェット領域のジェットの軸方向速度よりも
大きく、冷却あるいは雰囲気制御ガスの噴出ノズル出口
端と基板との距離が、噴出ノズルからのジェットのポテ
ンシャルコア領域内であるプラズマ溶射方法と装置であ
る。
【０００８】
【作用】冷却あるいは雰囲気制御ガス噴出ノズルを、ジ
ェット内粒子が完全溶融している領域よりも半径方向で
外側の領域に設け、さらにその噴出速度を規定している
ために、溶射膜質を低下させることなく、高速高温の粒
子領域を基板に付着させることが出来るため、基板前処
理が要らず、基板に熱ダメージを与えることなく溶射が
可能となるものである。
ェット内粒子が完全溶融している領域よりも半径方向で
外側の領域に設け、さらにその噴出速度を規定している
ために、溶射膜質を低下させることなく、高速高温の粒
子領域を基板に付着させることが出来るため、基板前処
理が要らず、基板に熱ダメージを与えることなく溶射が
可能となるものである。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の第１の実施例における溶射
製膜装置の構成を示すものである。１２はトーチ本体部
であり、内部には陰極１３および陽極１４さらには溶射
粉末供給ポート１５より構成されており、プラズマ噴出
ノズル１６よりプラズマジェット１７が噴出される。ま
たジェット１７の下流側に基板１８が設けられており、
基板１８面から所定距離だけ離し、さらにプラズマジェ
ット１７の外周領域にプラズマジェット１７の噴出方向
と略同方向に冷却あるいは雰囲気制御ガスを噴出する噴
出ノズル１９を設けている。
製膜装置の構成を示すものである。１２はトーチ本体部
であり、内部には陰極１３および陽極１４さらには溶射
粉末供給ポート１５より構成されており、プラズマ噴出
ノズル１６よりプラズマジェット１７が噴出される。ま
たジェット１７の下流側に基板１８が設けられており、
基板１８面から所定距離だけ離し、さらにプラズマジェ
ット１７の外周領域にプラズマジェット１７の噴出方向
と略同方向に冷却あるいは雰囲気制御ガスを噴出する噴
出ノズル１９を設けている。
【００１０】以上のように構成されたこの実施例のプラ
ズマ溶射方法および溶射製膜装置において，以下その動
作を説明する。
ズマ溶射方法および溶射製膜装置において，以下その動
作を説明する。
【００１１】まずＡｒやＨｅなどのプラズマ作動ガス２
０を導入経路２１より供給するとともに、別置きあるい
は直流電源に内蔵されたパルス電流発生機等によって、
前記陰極１３と陽極１４間にアーク２２を発生させ、前
記プラズマ作動ガス２０を熱プラズマとし、プラズマ噴
出ノズル１６よりプラズマジェット１７を形成させる。
次にトーチ本体１２の内部あるいは外部に設けた溶射粉
末材料供給ポート２３より溶射用の粉末材料２４をプラ
ズマジェット１７中に供給し溶融させる。溶融した粉末
材料２４はプラズマジェット１７の流れに乗り、加速さ
れ基板１８に向けて飛行し、基板１８に衝突し、皮膜３
０を形成するものである。この時プラズマジェット１７
はプラズマ噴出ノズル１６より噴出された後、図に示す
ように広がり、その外周領域はジェット自身が、低温で
低速な領域２５となり、それ故その領域の溶射用粉末材
料２６自身も、基板に付着はするが付着力が低く膜質の
悪い皮膜を形成する。この時我々の実験結果によれば、
基板１８に与える熱負荷の殆どがプラズマジェット１７
の有している熱が基板に衝突熱伝達することにより伝熱
される熱負荷であり、溶融粒子の基板に与える熱負荷は
小さいことが判っている。さらにプラズマジェット１７
中の粉末溶射材料２３が完全溶融している領域２７のジ
ェットが保有している熱量よりも、粒子が溶融していな
い領域２５のジェットの保有している熱量の方が多く、
基板への熱ダメージを防ぐという観点では、ジェットが
基板に到達する前にこの不用熱負荷領域２５を冷却する
ことが重要であるということが判った。
０を導入経路２１より供給するとともに、別置きあるい
は直流電源に内蔵されたパルス電流発生機等によって、
前記陰極１３と陽極１４間にアーク２２を発生させ、前
記プラズマ作動ガス２０を熱プラズマとし、プラズマ噴
出ノズル１６よりプラズマジェット１７を形成させる。
次にトーチ本体１２の内部あるいは外部に設けた溶射粉
末材料供給ポート２３より溶射用の粉末材料２４をプラ
ズマジェット１７中に供給し溶融させる。溶融した粉末
材料２４はプラズマジェット１７の流れに乗り、加速さ
れ基板１８に向けて飛行し、基板１８に衝突し、皮膜３
０を形成するものである。この時プラズマジェット１７
はプラズマ噴出ノズル１６より噴出された後、図に示す
ように広がり、その外周領域はジェット自身が、低温で
低速な領域２５となり、それ故その領域の溶射用粉末材
料２６自身も、基板に付着はするが付着力が低く膜質の
悪い皮膜を形成する。この時我々の実験結果によれば、
基板１８に与える熱負荷の殆どがプラズマジェット１７
の有している熱が基板に衝突熱伝達することにより伝熱
される熱負荷であり、溶融粒子の基板に与える熱負荷は
小さいことが判っている。さらにプラズマジェット１７
中の粉末溶射材料２３が完全溶融している領域２７のジ
ェットが保有している熱量よりも、粒子が溶融していな
い領域２５のジェットの保有している熱量の方が多く、
基板への熱ダメージを防ぐという観点では、ジェットが
基板に到達する前にこの不用熱負荷領域２５を冷却する
ことが重要であるということが判った。
【００１２】そこで本発明では、プラズマジェット１７
が基板１８に衝突する近傍の、ジェット内粒子が完全溶
融している粒子の高温高速領域２７よりも半径方向で外
側の領域に、プラズマジェット１７の噴出方向と略同軸
方向に、冷却ガス２８を噴出させる冷却ガス噴出ノズル
１９を設けているものである。さらに前記冷却ガス噴出
ノズル１９での噴出速度が、プラズマジェット１７の中
心領域の軸方向速度よりも小さく、冷却ガス噴出ノズル
１９が位置するプラズマジェット１７領域のプラズマジ
ェット１７の軸方向速度よりも大きく、冷却ガス２８の
噴出ノズル１９出口端と基板１８との距離が、噴出ノズ
ル１９からの冷却ガスジェット２９のポテンシャルコア
領域内に存在するものである。
が基板１８に衝突する近傍の、ジェット内粒子が完全溶
融している粒子の高温高速領域２７よりも半径方向で外
側の領域に、プラズマジェット１７の噴出方向と略同軸
方向に、冷却ガス２８を噴出させる冷却ガス噴出ノズル
１９を設けているものである。さらに前記冷却ガス噴出
ノズル１９での噴出速度が、プラズマジェット１７の中
心領域の軸方向速度よりも小さく、冷却ガス噴出ノズル
１９が位置するプラズマジェット１７領域のプラズマジ
ェット１７の軸方向速度よりも大きく、冷却ガス２８の
噴出ノズル１９出口端と基板１８との距離が、噴出ノズ
ル１９からの冷却ガスジェット２９のポテンシャルコア
領域内に存在するものである。
【００１３】この様に冷却ガス噴出ノズル１９を設け、
さらにその噴出速度を上記の如く制御することにより、
基板１８に対する熱ダメージが大幅に軽減されるもので
ある。
さらにその噴出速度を上記の如く制御することにより、
基板１８に対する熱ダメージが大幅に軽減されるもので
ある。
【００１４】また本発明によれば、従来の溶射では必須
条件であった基板１８の下地処理すなわち付着力確保の
ための表面粗面化の工程が不必要となるものであった。
これは次のような理由によるものと考えられる。すなわ
ち従来は前述の粒子の不完全溶融でなお且つ粒子速度の
遅い領域までも、成膜に利用していたために、実際に溶
射する場合には、基板あるいはトーチ本体を移動させな
がら溶射成膜を行なうが、その時基板への初期形成膜と
してそれらの粒子による膜が形成され、その膜質によっ
て付着力が決定されていたためである。図２は従来のい
わゆる低温溶射膜と本発明の装置で作成した膜との付着
力を比較した図である。基板は板厚が0.2mmの金属板で
あり、バインダー層としてNiCrAlを設けその上にAl2O3
を溶射したものであり、バインダー層の厚みを横軸とし
て示している。この時従来の溶射膜では基板を表面エッチン
ク゛によってRa=0.6程度の粗面化しているが、本発明の方
法では粗面化をしておらず、その時基板の表面粗さはRa
=0.05であった。図より本発明の溶射膜は下地処理無し
にも関わらず、付着力が大きく優れた性能を有している
ことがわかる。この様に本発明の方法によれば、溶射効
率は若干低減するが、下地処理の不要性を考えるとトー
タルとして大きな効果を有する溶射成膜法である。
条件であった基板１８の下地処理すなわち付着力確保の
ための表面粗面化の工程が不必要となるものであった。
これは次のような理由によるものと考えられる。すなわ
ち従来は前述の粒子の不完全溶融でなお且つ粒子速度の
遅い領域までも、成膜に利用していたために、実際に溶
射する場合には、基板あるいはトーチ本体を移動させな
がら溶射成膜を行なうが、その時基板への初期形成膜と
してそれらの粒子による膜が形成され、その膜質によっ
て付着力が決定されていたためである。図２は従来のい
わゆる低温溶射膜と本発明の装置で作成した膜との付着
力を比較した図である。基板は板厚が0.2mmの金属板で
あり、バインダー層としてNiCrAlを設けその上にAl2O3
を溶射したものであり、バインダー層の厚みを横軸とし
て示している。この時従来の溶射膜では基板を表面エッチン
ク゛によってRa=0.6程度の粗面化しているが、本発明の方
法では粗面化をしておらず、その時基板の表面粗さはRa
=0.05であった。図より本発明の溶射膜は下地処理無し
にも関わらず、付着力が大きく優れた性能を有している
ことがわかる。この様に本発明の方法によれば、溶射効
率は若干低減するが、下地処理の不要性を考えるとトー
タルとして大きな効果を有する溶射成膜法である。
【００１５】また本発明では、さらに前記冷却ガス噴出
ノズル１９での噴出速度が、プラズマジェット１７の中
心領域の軸方向速度よりも小さく、冷却ガス噴出ノズル
１９が位置するプラズマジェット１７領域のプラズマジ
ェット１７の軸方向速度よりも大きく、噴出ノズル１９
出口端と基板１８との距離が、噴出ノズル１９からの冷
却ガスジェット２９のポテンシャルコア領域内に存在す
る様にしていることから、実際に溶射成膜している領域
に冷却ガスの流れの影響を与えることがないために高品
質な皮膜を形成できるとともに、ポテンシャルコア領域
の速度で基板を冷却するために、その冷却効率が大きく
なるものである。
ノズル１９での噴出速度が、プラズマジェット１７の中
心領域の軸方向速度よりも小さく、冷却ガス噴出ノズル
１９が位置するプラズマジェット１７領域のプラズマジ
ェット１７の軸方向速度よりも大きく、噴出ノズル１９
出口端と基板１８との距離が、噴出ノズル１９からの冷
却ガスジェット２９のポテンシャルコア領域内に存在す
る様にしていることから、実際に溶射成膜している領域
に冷却ガスの流れの影響を与えることがないために高品
質な皮膜を形成できるとともに、ポテンシャルコア領域
の速度で基板を冷却するために、その冷却効率が大きく
なるものである。
【００１６】本発明において冷却ガスの種類は特に限定
しないが、例えば大気圧溶射の場合にはコンプレッサー
を利用した圧縮空気でもよく、また溶射雰囲気を制御し
たり減圧中で行なう場合などは、不活性なアルゴンや窒
素等を用いてもよい。
しないが、例えば大気圧溶射の場合にはコンプレッサー
を利用した圧縮空気でもよく、また溶射雰囲気を制御し
たり減圧中で行なう場合などは、不活性なアルゴンや窒
素等を用いてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
プラズマ溶射製膜が熱に弱い基板に適用できるととも
に、下地処理無しで高付着力な皮膜形成ができる装置を
提供することができるなど，その実用的効果は大なるも
のがある。
プラズマ溶射製膜が熱に弱い基板に適用できるととも
に、下地処理無しで高付着力な皮膜形成ができる装置を
提供することができるなど，その実用的効果は大なるも
のがある。
【図１】本発明の一実施例の溶射成膜装置を示す構成図
【図２】従来の溶射膜と本発明による溶射膜との付着力
の比較図
の比較図
【図３】従来のプラズマ溶射装置を示す構成図
１２ トーチ本体 １３ 陰極 １４ 陽極 １７ プラズマジェット １８ 基板 １９ 冷却ガス噴出ノズル
Claims (6)
- 【請求項１】プラズマジェットにより粉末を溶融させ、
高速で基板に衝突させて皮膜を形成するプラズマ溶射法
であって、前記プラズマジェットが基板に衝突する近傍
のジェット外周領域に、ジェット噴出方向と略同軸方向
に、冷却あるいは雰囲気制御ガスを噴出させながら製膜
を行うプラズマ溶射方法。 - 【請求項２】ジェット外周領域とは、ジェット内粒子が
完全溶融している領域よりも、半径方向で外側であるこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマ溶射方法。 - 【請求項３】冷却あるいは雰囲気制御ガスの噴出速度
が、プラズマジェット中心領域の軸方向速度よりも小さ
く、噴出ノズルが位置するジェット領域のジェットの軸
方向速度よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の
プラズマ溶射方法。 - 【請求項４】冷却あるいは雰囲気制御ガスの噴出ノズル
出口端と基板との距離が、噴出ノズルからのジェットの
ポテンシャルコア領域内であることを特徴とする請求項
１記載のプラズマ溶射方法。 - 【請求項５】陰極と陽極より成るプラズマジェット発生
トーチと、発生するプラズマジェット内に溶射粒子を供
給する粒子供給ポートを具備し、ジェットが基板に到達
する近傍のジェット外周領域に、ジェットの噴出軸方向
と略同軸方向にガスを噴出させるガス噴出ノズルを、基
板と所定距離離して設けたことを特徴とする溶射製膜装
置。 - 【請求項６】ガス噴出ノズルは、トーチあるいは基板の
進行方向の前部、後部の少なくとも２カ所以上に設けら
れていることを特徴とする請求項５記載の溶射製膜装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274019A JPH06122956A (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | プラズマ溶射方法及び溶射製膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274019A JPH06122956A (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | プラズマ溶射方法及び溶射製膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06122956A true JPH06122956A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17535830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4274019A Pending JPH06122956A (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | プラズマ溶射方法及び溶射製膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06122956A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100317693B1 (ko) * | 1998-03-23 | 2002-04-24 | 김창준 | 플라스마코팅방법 |
| JP2007500791A (ja) * | 2003-07-31 | 2007-01-18 | プラックセアー エス．ティ．テクノロジー、 インコーポレイテッド | 吹き付け装置において流出液をシールドする方法 |
| JP2007217748A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Taiheiyo Cement Corp | マシナブルセラミックス基板への溶射皮膜の形成方法 |
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1992
- 1992-10-13 JP JP4274019A patent/JPH06122956A/ja active Pending
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