JP2007110063A - フォトレジスト溶液を効率的に用いた噴射式フォトレジストコーティング装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、フォトレジスト溶液を効率的に用いる噴射式フォトレジストコーティング装置および方法に関する。
【解決手段】上部の接地されたプレート230とイオン化されたソルベント蒸気の誘導管241を用い、下部の所定電圧でバイアスされた基板220と上部の噴射ノズル240の間にイオン化されたソルベント蒸気の雰囲気を維持させ、噴射されたPR液滴の損失を最小化すると同時に、基板前面が均一にPRでコーティングされるようにする。
【選択図】図2
【解決手段】上部の接地されたプレート230とイオン化されたソルベント蒸気の誘導管241を用い、下部の所定電圧でバイアスされた基板220と上部の噴射ノズル240の間にイオン化されたソルベント蒸気の雰囲気を維持させ、噴射されたPR液滴の損失を最小化すると同時に、基板前面が均一にPRでコーティングされるようにする。
【選択図】図2
Description
本発明は、PR(Photoresist)コーティング装置および方法に関する。
PRコーティングは、半導体、LCD(Liqiud Crystal Display)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)などのパターン工程などに広く用いられている。直接回路素子の金属、酸化膜、またはビアホール(via hole)などのパターンのために、PR溶液(liquid photoresist)が半導体ウエハまたはガラス基板上に均一にコーティングされた後、露光および現像工程によって必要な部分のみが残り、残りは除去される。
図1は、従来技術による噴射式PRコーティング装置(100)を示した図である。前記PRコーティング装置(100)においては、噴射ノズル(110)が所定のホルダ(130)上に搖動しないように置かれたウエハなどの基板(120)に向かってPR溶液を噴射する。この時、基板(120)上に均一に広がるPR液滴によって、基板(120)全面がPRでコーティングされる。その後、熱処理、露光および現像工程を経て、基板(120)上に必要なパターンが生成される。
図1の噴射ノズル(110)として、超音波噴射ノズルあるいはオリフィス(Orifice)管を用いた噴射ノズルなどが用いられることがある。このような噴霧方式は、噴射量が比較的多く、短時間でウエハ全面に対してPRコーティングを遂行することができる。
しかし、このような従来のPRコーティング装置(100)においては、図1に示すような気流に沿って基板(120)外にPR液滴が噴射されてしまう。よって、噴射ノズル(110)で生成された微細なPR液滴が基板(120)に到逹する前に蒸発するなどしてPR溶液が損失するという問題点がある。このようなPR溶液の損失は、製造費用を増加させる原因となっている。
しかし、このような従来のPRコーティング装置(100)においては、図1に示すような気流に沿って基板(120)外にPR液滴が噴射されてしまう。よって、噴射ノズル(110)で生成された微細なPR液滴が基板(120)に到逹する前に蒸発するなどしてPR溶液が損失するという問題点がある。このようなPR溶液の損失は、製造費用を増加させる原因となっている。
この問題を解決するために、日立(Hitachi)の特許文献1によると、いわゆるエレクトロスプレー(Electro−spray)を用いたPRコーティング方法技術が開示されている。特許文献1の方法によれば、噴射ノズルに加えた高電圧により噴射ノズルとウエハとの間に形成された電場を用い、噴射ノズルから出るPR液滴がウエハに付着する確率を高めることができる。
特開平8−153669号公報
しかし、このような従来技術においても、噴射ノズルとウエハとの間の適切なコーティング雰囲気が大きく改善されず、微量のPR液滴が蒸発するという問題点を完全に解決することができずにいる。また、噴射方法の特性上、噴射するPRの流量を容易に調節することができず極微量を噴射するため、短時間でウエハ全面に対して均一にPRコーティングを遂行することができないという問題点を有している。
従って、本発明は、上述した問題点を解決するためのものであり、PR溶液を效率的に用いることができるPRコーティング装置及びPRコーティング方法を提供することを目的とする。
前記のような本発明の目的を達成するため、本願第1発明によるPRコーティング装置は、基板を支えるためのホルダと、前記ホルダと所定距離で離隔しており、複数の穴を有するプレートと、前記プレート内の所定部分に設置され、外側に蒸気の誘導管を有し、前記基板にPR溶液を噴射するための少なくとも1つの噴射ノズルとを含み、PRコーティング工程時、前記ホルダと前記プレートは互いに異なる電圧でバイアスされ、前記噴射ノズルの外側の前記誘導管を介してイオン化されたソルベント蒸気が供給されることを特徴とする。
噴射ノズルを取り囲む誘電管からソルベント溶液が出射され、内側の噴射ノズルからPR液滴が射出されるため、PR液滴がソルベント溶液に取り囲まれながら基板の方へ向かう。よって、PR液滴は基板側に近いところまで導入された後、基板に沿うように進む。よって、PR液滴は蒸発により失われる前に、効率よく基板に塗布される。また、PR液滴は、帯電されたソルベント溶液により帯電したり、ソルベント溶液と対をなす。基板を支持するホルダには電圧が印加されており、PR液滴は基板に引きつけられ、基板に沿うように拡散する。よって、PR液滴を効率よく基板上に塗布することができる。
発明2は、発明1において、ソルベント蒸気をイオン化し、前記誘導管に前記イオン化されたソルベント蒸気を供給する単極性帯電器をさらに含むことを特徴とするフォトレジストコーティング装置を提供する。
単極性帯電器によりプラス又はマイナスのいずれかによりソルベント蒸気を帯電させることで、帯電したソルベント蒸気とともに、所定の電圧が印加されたホルダ上の基板にPR液滴を導入することができる。よって、PR液滴を基板に沿うように拡散させて、効率よく基板上に塗布することができる。
単極性帯電器によりプラス又はマイナスのいずれかによりソルベント蒸気を帯電させることで、帯電したソルベント蒸気とともに、所定の電圧が印加されたホルダ上の基板にPR液滴を導入することができる。よって、PR液滴を基板に沿うように拡散させて、効率よく基板上に塗布することができる。
発明3は、発明1において、前記プレートの穴は、前記プレートの片側から流れる気流が前記穴を通過して前記ホルダに向かうようにした穴であることを特徴とするフォトレジストコーティング装置を提供する。
プレートに配置された穴により、所定方向に流れる気流を形成し、この気流に乗せてPR液滴及びソルベント蒸気を拡散することができる。
プレートに配置された穴により、所定方向に流れる気流を形成し、この気流に乗せてPR液滴及びソルベント蒸気を拡散することができる。
発明4は、発明1において、前記ホルダは、前記プレートより高い準位でバイアスされ、
前記イオン化されたソルベント蒸気は、単極性で帯電されたことを特徴とするフォトレジストコーティング装置を提供する。
ホルダとプレートとの間に電圧の勾配があるため、帯電されたソルベント蒸気を所定の方向に移動させることができる。例えば、ホルダにプラスの電圧を印加し、プレートを接地し、ソルベント蒸気をマイナスに帯電させると、ソルベント蒸気をホルダ側に移動させることができる。これにより、ソルベント蒸気とともにPR液滴をホルダ上の基板側に移動させ、基板に沿うように拡散させて、効率よく基板上に塗布することができる。
前記イオン化されたソルベント蒸気は、単極性で帯電されたことを特徴とするフォトレジストコーティング装置を提供する。
ホルダとプレートとの間に電圧の勾配があるため、帯電されたソルベント蒸気を所定の方向に移動させることができる。例えば、ホルダにプラスの電圧を印加し、プレートを接地し、ソルベント蒸気をマイナスに帯電させると、ソルベント蒸気をホルダ側に移動させることができる。これにより、ソルベント蒸気とともにPR液滴をホルダ上の基板側に移動させ、基板に沿うように拡散させて、効率よく基板上に塗布することができる。
発明5は、発明1において、前記少なくとも1つの噴射ノズルが2つ以上の噴射ノズルで構成される場合、前記噴射ノズルそれぞれは、前記基板の所定領域にPR溶液を噴射して前記基板全面をPRでコーティングすることができる。
発明6は、発明1において、前記少なくとも1つの噴射ノズルが1つの噴射ノズルである場合、前記噴射ノズルと前記プレートは、移送手段によって水平方向に往復運動し、前記ホルダは回転手段によって回転することによって、前記基板全面をPRでコーティングすることができる。
発明6は、発明1において、前記少なくとも1つの噴射ノズルが1つの噴射ノズルである場合、前記噴射ノズルと前記プレートは、移送手段によって水平方向に往復運動し、前記ホルダは回転手段によって回転することによって、前記基板全面をPRでコーティングすることができる。
発明7は、発明1において、前記ホルダ周囲に前記ホルダと所定距離で離隔して設置される制御電極をさらに含むことを特徴とするフォトレジストコーティング装置を提供する。
PR液滴は、ホルダ上の基板のエッジ部分と制御電極との間の空間を通過するように制御されるため、より基板に沿うように進行する。よって、制御電極を設けることで、より基板側にPR液滴を近づけて基板に効率よく塗布させることができる。
PR液滴は、ホルダ上の基板のエッジ部分と制御電極との間の空間を通過するように制御されるため、より基板に沿うように進行する。よって、制御電極を設けることで、より基板側にPR液滴を近づけて基板に効率よく塗布させることができる。
発明8は、発明7において、前記制御電極は、前記ホルダと前記プレートがバイアスされた電圧の間の所定電圧でバイアスされることを特徴とするフォトレジストコーティング装置を提供する。
前記のような本願第9発明の他の目的を達成するため、本発明によるPRコーティング方法は、ホルダと所定距離で離隔しており、複数の穴を有するプレートを用い、前記プレート内の所定部分に設置された少なくとも1つの噴射ノズルと前記ホルダの間にイオン化されたソルベント蒸気の雰囲気を形成する段階と、前記少なくとも1つの噴射ノズルを介して前記ホルダに置かれた基板にPR溶液を噴射する段階とを含む。
前記のような本願第9発明の他の目的を達成するため、本発明によるPRコーティング方法は、ホルダと所定距離で離隔しており、複数の穴を有するプレートを用い、前記プレート内の所定部分に設置された少なくとも1つの噴射ノズルと前記ホルダの間にイオン化されたソルベント蒸気の雰囲気を形成する段階と、前記少なくとも1つの噴射ノズルを介して前記ホルダに置かれた基板にPR溶液を噴射する段階とを含む。
発明10は、発明9において、前記イオン化されたソルベント蒸気の雰囲気を形成する段階は、前記ホルダと前記プレートを互いに異なる電圧でバイアスする段階と、前記プレートの片側から前記プレートの穴を通過して前記ホルダに向かう気流を供給する段階と、前記少なくとも1つの噴射ノズルの外側に設置された誘導管を介してイオン化されたソルベント蒸気を供給する段階とを含む。
発明11は、発明9において、前記ホルダは、前記プレートより高い準位でバイアスされ、前記イオン化されたソルベント蒸気は、単極性で帯電されたことを特徴とするフォトレジストコーティング方法を提供する。
発明12は、発明9において、前記少なくとも1つの噴射ノズルは、2つ以上の噴射ノズルから構成され、前記噴射ノズルのそれぞれが前記基板の所定領域にPR溶液を噴射して前記基板前面をPRでコーティングすることを特徴とするフォトレジストコーティング方法を提供する。
発明12は、発明9において、前記少なくとも1つの噴射ノズルは、2つ以上の噴射ノズルから構成され、前記噴射ノズルのそれぞれが前記基板の所定領域にPR溶液を噴射して前記基板前面をPRでコーティングすることを特徴とするフォトレジストコーティング方法を提供する。
発明13は、発明9において、前記少なくとも1つの噴射ノズルは、1つの噴射ノズルであり、記噴射ノズルと前記プレートは、移送手段によって水平方向に往復運動し、前記ホルダは、回転手段によって回転することを特徴とするフォトレジストコーティング方法を提供する。
発明14は、発明9において、制御電極を用いて前記ホルダに置かれた基板のエッジ部分と前記制御電極の間に前記イオン化されたソルベント蒸気を誘導する段階をさらに含むことを特徴とするフォトレジストコーティング方法を提供する。
発明14は、発明9において、制御電極を用いて前記ホルダに置かれた基板のエッジ部分と前記制御電極の間に前記イオン化されたソルベント蒸気を誘導する段階をさらに含むことを特徴とするフォトレジストコーティング方法を提供する。
発明15は、発明14において、前記制御電極は、前記ホルダと前記プレートがバイアスされた電圧の間の所定電圧でバイアスされることを特徴とするフォトレジストコーティング方法を提供する。
本発明を用いれば、PR溶液を效率的に用いることができるPRコーティング装置及びPRコーティング方法を提供することができる。
以下、添付された図面および添付図面に記載された内容を参照し、本発明の好ましい実施例を詳細に説明するが、本発明が実施例によって制限されたり限定されるものではない。各図面に提示された同一な参照符号は、同一な部材を示す。
図2は、本発明の一実施例による噴射式PRコーティング装置(200)を示す。図2を参照すると、前記PRコーティング装置(200)は、ホルダ(holder)(210)、プレート(plate)(230)、イオン化されたソルベント(solvent)蒸気の誘導管(241)、噴射ノズル(spray nozzle)(240)、および単極性帯電器(unipolar charger)(250)を含む。単極性帯電器は、ソルベント蒸気をマイナス又はプラスのいずれかの極性に帯電させる。
図2は、本発明の一実施例による噴射式PRコーティング装置(200)を示す。図2を参照すると、前記PRコーティング装置(200)は、ホルダ(holder)(210)、プレート(plate)(230)、イオン化されたソルベント(solvent)蒸気の誘導管(241)、噴射ノズル(spray nozzle)(240)、および単極性帯電器(unipolar charger)(250)を含む。単極性帯電器は、ソルベント蒸気をマイナス又はプラスのいずれかの極性に帯電させる。
前記ホルダ(210)は、PRコーティング工程時、半導体ウエハやガラス基板などのような所定の基板(220)を支えるための手段である。周知されているように、前記ホルダ(210)に連結された真空ポンプ(未図示)によって、前記基板(220)がPRコーティング工程中に揺動しないように固定される。PRコーティング工程時、前記ホルダ(210)は、前記イオン化されたソルベント蒸気の極性によって所定電圧(+Vあるいは−V)でバイアスされる。
前記プレート(230)は、図3のように複数の穴を有する金属板形態である。前記プレート(230)は、前記ホルダ(210)上に所定距離だけ離隔するように設置される。前記プレート(230)の穴は、前記プレート(230)の上側から流れる気流が前記穴を通過して前記ホルダ(210)に向かうようにした穴である。前記PRコーティング装置(200)は、外部気流が存在するクリーンルーム(clean room)の中の、密閉された所定の空間に設置されるのが好ましい。しかし、前記PRコーティング装置(200)は、外部気流が存在するクリーンルーム内の開放された空間にも設置されることがある。周知されているように、クリーンルーム内または前記PRコーティング装置(200)が設置される密閉された空間に流れる外部気流は、噴射されたPR液滴など、不必要な粒子が無作為に運動することなく、方向性を有して落下するようにする。
PRコーティング工程時、前記プレート(230)は接地(GND)されることがある。しかし、これに限定されず、前記ホルダ(210)と前記プレート(230)との間に所定サイズの電場が形成されるようにするために、前記ホルダ(210)と前記プレート(230)とに異なる電圧がバイアスされることもある。例えば、前記ホルダ(210)と前記プレート(230)との間に生成しようとする電場の方向によって、前記プレート(230)は、前記ホルダ(210)にバイアスされる電圧(+Vあるいは−V)より小さかったり大きかったりする異なる電圧でバイアスされる。
前記噴射ノズル(240)は、外側を取り囲むようにイオン化されたソルベント蒸気が供給されるようにする前記誘導管(241)を有する。前記誘導管(241)と前記噴射ノズル(240)とは一体化して形成されており、図3のように前記プレート(230)内の中央部分に設置される。
前記単極性帯電器(unipolar charger)(250)は、ソルベント蒸気をイオン化して前記誘導管(241)に前記イオン化されたソルベント蒸気を供給する。前記ソルベント蒸気としては、前記噴射ノズル(240)から噴射され、基板(220)にコーティングされるPRの感光性に影響を及ぼさない程度の適切な物質が選択される。前記ソルベント蒸気は、様々な方法でイオン化される。例えば、ソルベント蒸気は、コロナ(corona)放電によってイオン化されることがある。または、放射性元素(radioactive source)から出る電子と衝突させてソルベント蒸気をイオン化させることもある。その他にも、光イオン化器(photo ionizer)を用いて高エネルギー光子と衝突させる方法でソルベント蒸気をイオン化させることもある。
PRコーティング工程において、前記噴射ノズル(240)と前記基板(220)が置かれたホルダ(210)との間には、イオン化されたソルベント蒸気の雰囲気が形成される。例えば、前記ホルダ(210)を所定電圧(例えば、300ボルト)でバイアスし、前記プレート(230)を接地(GND)に連結する場合、前記ホルダ(210)から前記プレート(230)に向かう所定の電場が形成される。この時、所定の気流が前記プレート(230)の穴を通過して前記ホルダ(210)に向かっている。前記イオン化されたソルベント蒸気は、この気流に乗って、前記噴射ノズル(240)の外側に設置された誘導管(241)を介して供給される。よって、前記噴射ノズル(240)と前記基板(220)が置かれたホルダ(210)との間には、PRコーティングのための適切な雰囲気が形成される。
前記単極性帯電器(unipolar charger)(250)は、ソルベント蒸気をイオン化して前記誘導管(241)に前記イオン化されたソルベント蒸気を供給する。前記ソルベント蒸気としては、前記噴射ノズル(240)から噴射され、基板(220)にコーティングされるPRの感光性に影響を及ぼさない程度の適切な物質が選択される。前記ソルベント蒸気は、様々な方法でイオン化される。例えば、ソルベント蒸気は、コロナ(corona)放電によってイオン化されることがある。または、放射性元素(radioactive source)から出る電子と衝突させてソルベント蒸気をイオン化させることもある。その他にも、光イオン化器(photo ionizer)を用いて高エネルギー光子と衝突させる方法でソルベント蒸気をイオン化させることもある。
PRコーティング工程において、前記噴射ノズル(240)と前記基板(220)が置かれたホルダ(210)との間には、イオン化されたソルベント蒸気の雰囲気が形成される。例えば、前記ホルダ(210)を所定電圧(例えば、300ボルト)でバイアスし、前記プレート(230)を接地(GND)に連結する場合、前記ホルダ(210)から前記プレート(230)に向かう所定の電場が形成される。この時、所定の気流が前記プレート(230)の穴を通過して前記ホルダ(210)に向かっている。前記イオン化されたソルベント蒸気は、この気流に乗って、前記噴射ノズル(240)の外側に設置された誘導管(241)を介して供給される。よって、前記噴射ノズル(240)と前記基板(220)が置かれたホルダ(210)との間には、PRコーティングのための適切な雰囲気が形成される。
すなわち、前記イオン化されたソルベント蒸気が前記単極性帯電器(250)によって陰極性で帯電されて供給される時、前記ホルダ(210)から前記プレート(230)に向かう電場によって、前記陰極性ソルベント蒸気が前記ホルダ(210)に置かれた基板(220)側に向かうようになる。このような雰囲気で、前記噴射ノズル(240)は、前記基板(220)に向かってPR溶液を噴射する。この時、前記噴射ノズル(240)から出て広がるPR液滴は、前記イオン化されたソルベント蒸気の雰囲気により前記基板(220)に付着する。
前記噴射ノズル(240)から出射されるPR液滴は、前記基板(220)上で広がりながら蒸発が抑制され、前記基板(220)外への損失が最小化する。前記PR液滴が上下左右に広がって行く時、前記陰極性ソルベント蒸気と衝突することがある。この時、前記PR液滴は、衝突によって同じ電荷で荷電(charge)されて陰極性になったり、あるいは前記陰極性ソルベント蒸気に付着したりする。これによって、前記PR液滴も前記電場によって前記基板(220)に向かう確率が高くなる。これは、基板(220)外に広がって行くPR液滴の量を最小化する役割をなすことができ、これによって気流に沿ってPR液滴が損失される量を最小化することができる。
前記ホルダ(210)に置かれる半導体ウエハやガラス基板が大面積である場合には、図2のように1つの噴射ノズル(240)のみで基板全体のPRコーティングをカバーすることができないことがある。このような時には、図4または図6のような形態の本発明の他の実施例によるPRコーティング装置(400、600)が適用されることもある。
図4のように、大面積の基板(420)にPRコーティングをするためのPRコーティング装置(400)は、基板(420)を支えるためのホルダ(410)、プレート(430)、イオン化されたソルベント蒸気の誘導管(441、451、461)、および噴射ノズル(440、450、460)を含む。前記噴射ノズル(440、450、460)は、少なくとも1つ以上である。その他にも、前記誘導管(441、451、461)にイオン化されたソルベント蒸気を供給するために、図2のような単極性帯電器(未図示)が含まれることがある。
図4のように、大面積の基板(420)にPRコーティングをするためのPRコーティング装置(400)は、基板(420)を支えるためのホルダ(410)、プレート(430)、イオン化されたソルベント蒸気の誘導管(441、451、461)、および噴射ノズル(440、450、460)を含む。前記噴射ノズル(440、450、460)は、少なくとも1つ以上である。その他にも、前記誘導管(441、451、461)にイオン化されたソルベント蒸気を供給するために、図2のような単極性帯電器(未図示)が含まれることがある。
前記PRコーティング装置(400)は、図2と同様に作動する。ただし、前記噴射ノズル(440、450、460)のそれぞれは、外側にイオン化されたソルベント蒸気の誘導管(441/451/461)を有する。前記それぞれの誘導管(441/451/461)を有する前記噴射ノズル(440、450、460)は、前記プレート(430)内の所定部分に設置される。
PRコーティング工程において、前記噴射ノズル(440、450、460)のそれぞれは、図5のように、前記基板(420)の所定領域にPR溶液を噴射する方式で前記基板(420)全面がPRコーティングされるようにすることができる。例えば、前記第1噴射ノズル(440)は前記基板(420)のA領域をPRコーティングし、前記第2噴射ノズル(450)は前記基板(420)のB領域をPRコーティングし、前記第3噴射ノズル(460)は前記基板(420)のC領域をPRコーティングする。
ここで、前記複数の噴射ノズル(440、450、460)の個数が3つであると仮定されたが、前記基板(420)全体をカバーすることができるのであれば、2つもしくは4つ以上の噴射ノズルを用いることもできる。
ここで、前記複数の噴射ノズル(440、450、460)の個数が3つであると仮定されたが、前記基板(420)全体をカバーすることができるのであれば、2つもしくは4つ以上の噴射ノズルを用いることもできる。
一方、図6のように、大面積の基板(620)にPRコーティングするための他のPRコーティング装置(600)は、基板(620)を支えるためのホルダ(610)、プレート(630)、イオン化されたソルベント蒸気の誘導管(641)、噴射ノズル(640)およびモータ(motor)(650)を含む。その他にも、前記誘導管(641)にイオン化されたソルベント蒸気を供給するために、図2のような単極性帯電器(未図示)が含まれることもある。
前記PRコーティング装置(600)も、やはり図2と同様に作動する。ただし、前記大面積の基板(620)全面をPRコーティングするため、前記噴射ノズル(640)及び前記プレート(630)は所定の移送手段(未図示)によって水平方向に往復運動する。そして、前記モータ(650)は前記ホルダ(610)に連結された回転軸のための所定のバー(bar)を回転させることによって、前記基板(620)が置かれたホルダ(610)を回転させる。
この時、図7のような形態で前記大面積の基板(620)全面がPRコーティングされる。例えば、前記噴射ノズル(640)と前記プレート(630)が片側方向(例えば右側)に移送される間、前記噴射ノズル(640)がPR溶液を噴射すると、前記基板(620)のA領域がPRコーティングされ、前記噴射ノズル(640)と前記プレート(630)が他側方向(例えば左側)に移送される間には、前記基板(620)のB領域がPRコーティングされ、再び前記噴射ノズル(640)と前記プレート(630)が前記片側方向(例えば右側)に移送される間には、前記基板(620)のC領域がPRコーティングされるなどする。
ここで、前記噴射ノズル(640)と前記プレート(630)は、前記基板(620)全体をカバーすることができるのであれば、往復せずに片側方向にのみ移送されることもあり、あるいはさらに多い往復運動も可能である。
図8は、本発明のさらに他の実施例による噴射式PRコーティング装置(800)を示す。図8を参照すると、前記PRコーティング装置(800)は、基板(820)を支えるためのホルダ(810)、プレート(830)、イオン化されたソルベント蒸気の誘導管(841)、噴射ノズル(840)および制御電極(850)を含む。その他にも、前記誘導管(841)にイオン化されたソルベント蒸気を供給するために、図2のような単極性帯電器(未図示)が含まれることもある。
図8は、本発明のさらに他の実施例による噴射式PRコーティング装置(800)を示す。図8を参照すると、前記PRコーティング装置(800)は、基板(820)を支えるためのホルダ(810)、プレート(830)、イオン化されたソルベント蒸気の誘導管(841)、噴射ノズル(840)および制御電極(850)を含む。その他にも、前記誘導管(841)にイオン化されたソルベント蒸気を供給するために、図2のような単極性帯電器(未図示)が含まれることもある。
前記PRコーティング装置(800)も、やはり図2と同様に作動する。ただし、図9のように、前記PRコーティング装置(800)は、前記ホルダ(810)周囲に前記ホルダ(810)と所定距離で離隔して設置された制御電極(850)を有する。
図8のように、前記制御電極(850)によってホルダ(810)との間に形成される電場は、前記ホルダ(810)に置かれた基板(820)のエッジ部分と前記制御電極(850)との間に陰極性ソルベント蒸気(851)が集まるように誘導する。このため、前記制御電極(850)には、前記ホルダ(810)と前記プレート(830)がバイアスされた電圧の間の所定電圧でバイアスされる。例えば、前記ホルダ(810)に300ボルトおよび前記プレート(830)に接地が連結された場合に、前記制御電極(850)には200ボルトでバイアスされる。
図8のように、前記制御電極(850)によってホルダ(810)との間に形成される電場は、前記ホルダ(810)に置かれた基板(820)のエッジ部分と前記制御電極(850)との間に陰極性ソルベント蒸気(851)が集まるように誘導する。このため、前記制御電極(850)には、前記ホルダ(810)と前記プレート(830)がバイアスされた電圧の間の所定電圧でバイアスされる。例えば、前記ホルダ(810)に300ボルトおよび前記プレート(830)に接地が連結された場合に、前記制御電極(850)には200ボルトでバイアスされる。
PRコーティング工程過程中、前記ホルダ(810)に置かれた基板(820)のエッジ部分と前記制御電極(850)の間に誘導された前記イオン化されたソルベント蒸気(851)によってPR液滴が前記基板(820)のエッジ部分に向かう確率をさらに高める。前記PR液滴が上下左右に広がって行く時、前記基板(820)のエッジ部分に到逹するPR液滴は、前記陰極性ソルベント蒸気(851)と衝突しながら予め荷電されたり、あるいは前記陰極性ソルベント蒸気と付着する。そのため、前記PR液滴は、前記基板(820)のエッジ部分に形成された電場内から基板(820)外に向かうよりは、前記基板(820)に付着する確率が高くなる。つまり、PR液滴は、基板(820)のエッジ部分と前記制御電極(850)との間の空間を通過するように制御されるため、より基板に沿うように進行する。例えば、制御電極(850)が無い場合には、基板から離れた部分を進むPR液滴も存在する可能性があるが、制御電極を設けることで、より基板側にPR液滴を近づけて基板に効率よく塗布させることができる。従って、蒸発したり気流に沿って前記基板(820)外に損失したりするPR液滴の量が最小化する。
図8のように、前記制御電極(850)を前記ホルダ(810)周囲に設置する構造は、図4のように、複数の噴射ノズル(440、450、460)を用いる構造であったり、図6のようにホルダ(610)が回転して噴射ノズル(640)が往復運動する構造でも適用される。
上述したように、本発明の実施例によるPRコーティング装置(200/400/600/800)においては、上部の接地されたプレート(230/430/630/830)とイオン化されたソルベント蒸気の誘導管(241/441/641/841)を用い、下部の所定電圧でバイアスされた基板(220/420/620/820)と上部の噴射ノズルの間(240/440/640/840)にイオン化されたソルベント蒸気の雰囲気を維持させ、噴射されたPR液滴の損失を最小化すると同時に、基板(220/420/620/820)全面が均一にPRでコーティングされるようにする。
上述したように、本発明の実施例によるPRコーティング装置(200/400/600/800)においては、上部の接地されたプレート(230/430/630/830)とイオン化されたソルベント蒸気の誘導管(241/441/641/841)を用い、下部の所定電圧でバイアスされた基板(220/420/620/820)と上部の噴射ノズルの間(240/440/640/840)にイオン化されたソルベント蒸気の雰囲気を維持させ、噴射されたPR液滴の損失を最小化すると同時に、基板(220/420/620/820)全面が均一にPRでコーティングされるようにする。
噴射ノズルを取り囲む誘電管からソルベント溶液が出射され、内側の噴射ノズルからPR液滴が射出されるため、PR液滴がソルベント溶液に取り囲まれながら基板の方へ向かう。よって、従来のように噴射ノズルから射出された直後から拡散するように基板に進行するのではない。つまり、従来のように基板の上方でPR液滴が拡散するのではなく、本発明によれば、PR液滴は基板側に近いところまで導入された後、基板に沿うように進む。よって、PR液滴は蒸発により失われる前に、効率よく基板に塗布される。また、PR液滴は、帯電されたソルベント溶液により帯電したり、ソルベント溶液と対をなす。基板を支持するホルダには電圧が印加されており、PR液滴は基板に引きつけられ、基板に沿うように拡散する。よって、PR液滴を効率よく基板上に塗布することができる。
なお、蒸気では単極性帯電器250はソルベント溶液を陰極に帯電させるが、陽極に帯電させるようにしても良い。この場合、ホルダの電圧よりもプレートの電圧が高くなるように設定する。
また、PR液滴そのものを蒸気化して帯電させる場合には、コストが高くなり、帯電そのものを一定させ難いという短所を有するが、本発明の場合には低コストで均一にPR液滴を塗布することが可能である。
以上のように、本発明は、限定された実施例と図面によって説明されたが、本発明は前記の実施例に限定されるものでなく、本発明が属する分野で通常の知識を有する者にとっては、このような記載から多様な修正および変形が可能であるだろう。そのため、本発明の範囲は、説明された実施例に制限されてはならず、添付の特許請求の範囲のみならず、特許請求の範囲と均等なものによって解釈されるべきであることはいうまでもない。
また、PR液滴そのものを蒸気化して帯電させる場合には、コストが高くなり、帯電そのものを一定させ難いという短所を有するが、本発明の場合には低コストで均一にPR液滴を塗布することが可能である。
以上のように、本発明は、限定された実施例と図面によって説明されたが、本発明は前記の実施例に限定されるものでなく、本発明が属する分野で通常の知識を有する者にとっては、このような記載から多様な修正および変形が可能であるだろう。そのため、本発明の範囲は、説明された実施例に制限されてはならず、添付の特許請求の範囲のみならず、特許請求の範囲と均等なものによって解釈されるべきであることはいうまでもない。
上述したように、本発明によるPRコーティング装置および方法においては、噴射ノズルと基板が置かれたホルダの間に形成されるイオン化されたソルベント蒸気の雰囲気によってPR液滴が蒸発したり気流に沿って損失したりしないようにして基板に付着する確立を高めることによって、PR溶液を節約して半導体回路などの製造費用を節減することができる効果がある。
100、200、400、600、800:噴射式PRコーティング装置
110、240、440、450、460、640:噴射ノズル
120、220、420、620、820:基板
130、630:固定ホルダ
210、410、610、810:ホルダ
230、430、830:プレート
241、441、450、460、640、841:誘導管
250:単極性帯電器
850:制御電極
851:陰極性ソルベント蒸気
110、240、440、450、460、640:噴射ノズル
120、220、420、620、820:基板
130、630:固定ホルダ
210、410、610、810:ホルダ
230、430、830:プレート
241、441、450、460、640、841:誘導管
250:単極性帯電器
850:制御電極
851:陰極性ソルベント蒸気
Claims (15)
- 基板を支えるためのホルダと、
前記ホルダと所定距離で離隔しており、複数の穴を有するプレートと、
前記プレート内の所定部分に設置され、外側に蒸気の誘導管を有し、前記基板にPR溶液の噴射のための少なくとも1つの噴射ノズルとを含み、
PRコーティング工程時、前記ホルダと前記プレートは互いに異なる電圧でバイアスされ、前記噴射ノズル外側の前記誘導管を介してイオン化されたソルベント蒸気が供給されることを特徴とするフォトレジストコーティング装置。 - ソルベント蒸気をイオン化し、前記誘導管に前記イオン化されたソルベント蒸気を供給する単極性帯電器をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフォトレジストコーティング装置。
- 前記プレートの穴は、前記プレートの片側から流れる気流が前記穴を通過して前記ホルダに向かうようにした穴であることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジストコーティング装置。
- 前記ホルダは、前記プレートより高い準位でバイアスされ、
前記イオン化されたソルベント蒸気は、単極性で帯電されたことを特徴とする請求項1に記載のフォトレジストコーティング装置。 - 前記少なくとも1つの噴射ノズルは、2つ以上の噴射ノズルで構成され、
前記噴射ノズルのそれぞれが前記基板の所定領域にPR溶液を噴射して前記基板全面をPRでコーティングすることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジストコーティング装置。 - 前記少なくとも1つの噴射ノズルは、1つの噴射ノズルであり、
前記噴射ノズルと前記プレートは、移送手段によって水平方向に往復運動し、
前記ホルダは、回転手段によって回転することを特徴とする請求項1に記載のフォトレジストコーティング装置。 - 前記ホルダ周囲に前記ホルダと所定距離で離隔して設置される制御電極をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフォトレジストコーティング装置。
- 前記制御電極は、前記ホルダと前記プレートがバイアスされた電圧の間の所定電圧でバイアスされることを特徴とする請求項7に記載のフォトレジストコーティング装置。
- ホルダと所定距離で離隔しており、複数の穴を有するプレートを用い、前記プレート内の所定部分に設置された少なくとも1つの噴射ノズルと前記ホルダの間にイオン化されたソルベント蒸気の雰囲気を形成する段階と、
前記少なくとも1つの噴射ノズルを介して前記ホルダに置かれた基板にPR溶液を噴射する段階とを含むことを特徴とするフォトレジストコーティング方法。 - 前記イオン化されたソルベント蒸気の雰囲気を形成する段階は、
前記ホルダと前記プレートを互いに異なる電圧でバイアスする段階と、
前記プレートの片側から前記プレートの穴を通過して前記ホルダに向かう気流を供給する段階と、
前記少なくとも1つの噴射ノズルの外側に設置された誘導管を介してイオン化されたソルベント蒸気を供給する段階とを含むことを特徴とする請求項9に記載のフォトレジストコーティング方法。 - 前記ホルダは、前記プレートより高い準位でバイアスされ、
前記イオン化されたソルベント蒸気は、単極性で帯電されたことを特徴とする請求項9に記載のフォトレジストコーティング方法。 - 前記少なくとも1つの噴射ノズルは、2つ以上の噴射ノズルから構成され、
前記噴射ノズルのそれぞれが前記基板の所定領域にPR溶液を噴射して前記基板前面をPRでコーティングすることを特徴とする請求項9に記載のフォトレジストコーティング方法。 - 前記少なくとも1つの噴射ノズルは、1つの噴射ノズルであり、
前記噴射ノズルと前記プレートは、移送手段によって水平方向に往復運動し、
前記ホルダは、回転手段によって回転することを特徴とする請求項9に記載のフォトレジストコーティング方法。 - 制御電極を用いて前記ホルダに置かれた基板のエッジ部分と前記制御電極の間に前記イオン化されたソルベント蒸気を誘導する段階をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載のフォトレジストコーティング方法。
- 前記制御電極は、前記ホルダと前記プレートがバイアスされた電圧の間の所定電圧でバイアスされることを特徴とする請求項14に記載のフォトレジストコーティング方法。
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WO2013055307A2 (en) | 2010-08-05 | 2013-04-18 | Solexel, Inc. | Backplane reinforcement and interconnects for solar cells |
US9748414B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-08-29 | Arthur R. Zingher | Self-activated front surface bias for a solar cell |
US9589852B2 (en) * | 2013-07-22 | 2017-03-07 | Cree, Inc. | Electrostatic phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating |
DE102014113927B4 (de) * | 2014-09-25 | 2023-10-05 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Verfahren zum Beschichten eines Substrats sowie Beschichtungsanlage |
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Legal Events
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