JP2013211366A - 静電塗布方法を用いた薄膜形成方法 - Google Patents

静電塗布方法を用いた薄膜形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013211366A
JP2013211366A JP2012079815A JP2012079815A JP2013211366A JP 2013211366 A JP2013211366 A JP 2013211366A JP 2012079815 A JP2012079815 A JP 2012079815A JP 2012079815 A JP2012079815 A JP 2012079815A JP 2013211366 A JP2013211366 A JP 2013211366A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coating
film
resist
solvent
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012079815A
Other languages
English (en)
Inventor
Masumi Yanagisawa
真澄 柳沢
Tomonori Kawakami
友則 川上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HAMAMATSU NANO TECHNOLOGY Inc
Engineering System Co Ltd
Original Assignee
HAMAMATSU NANO TECHNOLOGY Inc
Engineering System Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HAMAMATSU NANO TECHNOLOGY Inc, Engineering System Co Ltd filed Critical HAMAMATSU NANO TECHNOLOGY Inc
Priority to JP2012079815A priority Critical patent/JP2013211366A/ja
Publication of JP2013211366A publication Critical patent/JP2013211366A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】媒体表面に、均一な膜質で表面平滑度の高い薄膜を形成できる静電塗布方法を用いた薄膜形成方法を提案すること。
【解決手段】レジスト膜形成方法は、静電帯電させた状態の塗布液を、逆極性に静電帯電させた薄膜形成対象の媒体の塗布面に向けて霧化状態で吹き付けて、塗布液の溶媒に溶解あるいは分散している塗布液固形成分を塗布面に静電吸着させて堆積する静電塗布工程ST1と、塗布面に堆積した塗布液固形成分からなる塗膜を、塗布液の溶媒蒸気に晒して湿潤させることで、当該塗膜の膜質の均一化および表面の平滑化を図る塗膜湿潤工程ST2とを備えている。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウエハなどの媒体の表面にレジスト膜などの薄膜を形成する薄膜形成方法に関し、特に、凹凸のある媒体表面に、均一な膜厚で、膜質の均一性および表面平滑度の高い薄膜を形成するのに適した静電塗布方法を用いた薄膜形成方法に関する。
媒体表面、例えば半導体ウエハの表面にレジスト膜を塗布する方法としては一般的にスピンコーティングが採用されている。しかしながら、スピンコーティングによってビアホール等の凹凸のある塗布面に塗膜を形成する場合には、塗布面の凹部、凸部の出隅部分、入隅部分などの膜厚が不均一になりやすく、全体として均一な膜厚の塗膜を形成することが困難な場合がある。
特に、特許文献1に開示されているようなタイコウエハと呼ばれているウエハの場合には、その一方の面には、変形防止のための外周縁に沿って環状突起が形成されている。スピンコーティングによって当該表面にレジスト膜等の塗膜を形成すると、レジスト液が環状突起の内側に溜まってしまい、表面全体に均一な膜厚のレジスト膜を形成することができない。
ここで、特許文献2に開示のレジスト塗布装置は、静電塗布法を利用することで凹凸のあるウエハ表面に均一な膜厚のレジスト膜を形成するようにしている。静電塗布法は、塗布液を霧化して静電帯電させ、これを逆極性に静電帯電させたウエハなどの媒体の表面に静電吸着させて当該表面に堆積させることで塗膜を形成する方法である。
静電塗布法において、スプレーノズルから吹き出されたレジスト液の各液滴は、そこに集まっているレジスト液中の固形成分同士(レジスト剤粒子同士)が電気的に反発しながら分裂を繰り返す。液滴の分裂に伴ってレジスト液の溶剤が徐々に蒸散して消失する。このため、電圧、塗布流量、スプレーノズルから塗布面までの距離等の条件を適切に設定しておくことにより、レジスト液の固形成分が乾燥した状態で塗布面に塗布される。換言すると、レジスト液に含まれているレジスト剤粒子のみが塗布面に静電吸着されて堆積してレジスト膜が形成される。
特開2010−98056号公報 特開2010−114245号公報
このように、静電塗布法を用いることにより、スピンコーティングの場合に比べて、凹凸のあるウエハ表面に対して均一な膜厚のレジスト膜を形成することが可能である。しかしながら、静電塗布法では、上記のように、スプレーノズルから吹き出されたレジスト液の液滴が徐々に分裂して細分化する過程で溶剤が蒸発して失われ、所定の乾燥状態でレジスト液固形成分がウエハ表面に静電吸着されて堆積する。湿潤状態のレジスト液が塗布された場合には、溶剤の流動性、表面張力等によって、塗膜の膜質の均一性、塗膜表面の平滑性が改善される。しかし、乾燥状態のレジスト液固形成分がウエハ表面に堆積して積層する場合に、固形成分の堆積密度、堆積状態が不均一の場合には、得られた塗膜の膜質の均一性、塗膜表面の平滑度が低いという問題点がある。
なお、レジスト液などの塗布液を湿潤状態で塗布面に塗布する方法、例えば、塗布液を微小液滴あるいはミストの状態で塗布面に吹き付けて塗布する方法を採用した場合においても、塗膜に必要とされる平滑度が得られない場合がある。例えば、インクジェットヘッドなどを用いてレジスト液を微小液滴の状態でウエハ表面に吐出するディスペンス機構を用いて面塗りを行った場合に十分な平滑度の塗膜が得られない場合がある。
本発明の課題は、これらの点に鑑みて、媒体表面、特に凹凸のある媒体表面に、均一な膜厚で、膜質の均一度および表面の平滑度が高い薄膜を形成することのできる静電塗布方法を用いた薄膜形成方法を提案することにある。
上記の課題を解決するために、本発明の静電塗布方法を用いた薄膜形成方法は、静電塗布方法によって媒体の塗布面に塗布液固形成分を堆積して所定厚さの塗膜を形成する静電塗布工程を行った後に、得られた塗膜を、塗布液の溶媒蒸気に晒すことで湿潤させ、これによって、当該塗膜の膜質の均一化および表面の平滑化を図る塗膜湿潤工程を行うことを特徴としている。
ここで、塗膜湿潤工程において塗膜を溶剤によって短時間で効率良く湿潤させるために、塗布液溶媒の飽和蒸気雰囲気中に晒すことが望ましい。
また、塗膜を湿潤させて、その膜質の均一化および表面の平滑化を図った後は、当該塗膜から溶剤を蒸発させて当該塗膜を乾燥させる乾燥工程を行うことが望ましい。
本発明による薄膜形成方法は、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成するために用いるのに適している。特に、タイコウエハと呼ばれる外周縁に変形防止用の環状突起が形成されているウエハ表面にレジスト膜を形成するために用いるのに適している。
本発明の薄膜形成方法では、静電塗布方法によって塗膜を形成した後に、当該塗膜を塗布液の溶媒によって湿潤させるようにしている。これによって、塗膜の膜厚の一層の均一化を図ることができ、また、塗膜の膜質の均一化および表面平滑化を図ることができる。
本発明を適用したレジスト膜形成工程を示す概略工程図である。 図1の静電塗布工程に用いるレジスト塗布装置の一例を示す説明図である。
以下に、図面を参照して、本発明の方法を用いてタイコウエハの表面にレジスト膜を形成する方法の実施の形態を説明する。
(レジスト膜形成方法)
図1を参照して本実施の形態に係るレジスト膜形成方法の工程を説明する。まず、静電塗布工程ST1では、静電帯電した状態のレジスト液を、逆極性に静電帯電した状態のタイコウエハのウエハ表面に対して霧化状態で吹き付けて、レジスト液溶媒に溶解あるいは分散しているレジスト液固形成分をウエハ表面に静電吸着させて堆積する。
レジスト液はスプレーノズルから吹き出される前に静電帯電させておいてもよいし、スプレーノズルから吹き出されて霧状になった状態で静電帯電させてもよい。勿論、帯電状態のレジスト液をスプレーノズルから吹き出すと共に、吹き出された霧化した状態のレジスト液を更に帯電するようにしてもよい。また、高圧のキャリアガスによってレジスト液を吹き出すことでレジスト液を霧状にすることができるが、例えば超音波振動子を用いてレジスト液を霧状のミストにすることもできる。また、バッチ式の場合には、シリンジ等を用いて定量ずつレジスト液をスプレーノズルに供給してもよい。
先に述べたように、スプレーノズルから吹き出されたレジスト液の各微小液滴は、そこに集まっているレジスト液固形成分同士(レジスト剤粒子同士)が電気的に反発し合って、徐々に分裂を繰り返す。この分裂に伴ってレジスト液に含まれている溶剤が徐々に蒸散する。スプレーノズルとウエハ表面の間に加える電圧、スプレーノズルから吹き出されるレジスト液の流量・流速、スプレーノズルからウエハ表面までの距離等の条件を適切に設定しておくことにより、レジスト液に含まれているレジスト剤粒子のみが塗布面に静電吸着されて堆積して、タイコウエハの表面全体に均一な厚さのレジスト膜が形成される。
この次に行われる塗膜湿潤工程ST2では、形成されたレジスト膜を、レジスト膜溶媒の蒸気に晒して湿潤させる。例えば、レジスト膜が形成されたタイコウエハを、レジスト液溶媒の飽和蒸気雰囲気とされた密閉処理室内に所定時間入れて湿潤処理を行う。あるいは、タイコウエハに形成されたレジスト膜に対して、スプレーガン等によってレジスト液溶媒の飽和蒸気を吹き付けることで湿潤処理を行うことも可能である。塗膜湿潤工程ST2を行うことで、レジスト膜の膜厚の均一性を更に高めることができる。また、レジスト膜の膜質の均一度および表面の平滑度を改善することができる。
この後に行われる乾燥工程ST3では、湿潤状態のレジスト膜から溶剤を蒸発させて当該レジスト膜を乾燥させる。レジスト膜が形成されたタイコウエハをヒータープレート等の熱源に接触させて加熱する方法、赤外線ヒーター、熱風等によって非接触形態で加熱する方法を採用することができる。または、塗膜湿潤工程ST2において密閉処理室内でレジスト膜を湿潤させた後に、密閉処理室内を真空引きして溶剤を乾燥除去するようにしてもよい。
(レジスト膜塗布装置の例)
図2は、静電塗布工程ST1において用いるのに適したレジスト塗布装置の一例を示す説明図である。レジスト塗布装置1は、複数本のスプレーノズル2を備えたノズルユニット3、塗布対象のウエハ4を載せるウエハ載置台(ウエハチャック)5、スプレーノズル2とウエハ載置台5を逆極性で帯電させるための帯電用電源装置6、および、各部の駆動制御を司るコンピュータを中心に構成されている駆動制御装置7を備えている。また、ノズルユニット3にレジスト液8aを供給するためのレジスト液タンク8および液供給ポンプ9と、各スプレーノズル2からレジスト液8aをミスト状に噴出するために用いるキャリアガス10aをノズルユニット3に供給するためのキャリアガスタンク10およびガス供給ポンプ11を備えている。
ウエハ載置台5は、そのウエハ載置面5aが上向きで水平となるように配置されている。ウエハ載置面5aの真上にノズルユニット3が配置されており、そのスプレーノズル2の中心軸線はウエハ載置面5aに垂直な向きに設定されている。ウエハ載置台5およびノズルユニット3は、昇降機構12によって相対的に上下方向に移動可能であり、ウエハ載置台5に設置したウエハ4の塗布面4aとスプレーノズル2のノズル開口2aとの間隔を調整できるようになっている。
なお、スプレーノズル2を1本とすることも可能である。また、ウエハ載置台5を、その中心回りに回転可能な回転台、平面方向に移動可能なステージとすることも可能である。この場合には、スプレーノズル2によってレジスト液をウエハ4の塗布面4aに吹き付けながら、ウエハ載置台5を回転あるいは移動させることで、広い面積の塗布面4aにレジスト膜を形成することができる。
ノズルユニット3のスプレーノズル2は、合成樹脂、エラストマー等の絶縁性素材からなるノズル本体2bと、このノズル本体2bの外周面を覆う状態に形成した導電性皮膜からなるノズル側電極2cとを備えている。ウエハ載置台5は絶縁素材からなり、その平坦なウエハ載置面5aには台側電極13の表面が露出した状態で埋め込まれている。動作状態においては、帯電用電源装置6によって、ノズル側電極2cと台側電極13の間には直流高電圧が印加され、スプレーノズル2から吹き出されるレジスト液は例えば正に帯電される。ウエハ載置面5aに設置したウエハ4は、これとは逆の極性、例えば負に帯電された状態になる。
ここで、塗布対象の媒体であるウエハ4は例えばタイコウエハと呼ばれるウエハであり、薄い円盤状の本体部分4bの外周縁に沿って、本体部分4bよりも厚い変形防止用の環状突起4cが直角に突出している断面形状をしている。図示の例では、環状突起4cが突出している側が塗布面4aであり、当該塗布面4aが上向きとなるようにウエハ載置台5に設置される。
なお、本例ではウエハ載置台5の真上にノズルユニット3を配置し、ウエハ4の塗布面4aを上向きの状態でレジスト液を塗布する構成であるが、これとは異なる配置関係を採用することも可能である。例えば、上向きにノズルユニット3を配置し、この真上の位置において、塗布面4aを下向き状態でウエハ4の外周縁部分を支持し、この状態で塗布面4aにレジスト液を塗布することができる。ウエハ4における塗布面4aとは反対側の面が回路面となっており、当該回路面をウエハ載置台5のウエハ載置面5aに直接に接触させることが望ましくない場合などに有効である。また、ノズルユニット3とウエハ載置台5を、上下方向ではなく、左右方向あるいは傾斜した方向から対峙する配置関係を採用することが有効な場合もある。さらに、ウエハ4の塗布面4aに対して垂直な方向からレジスト液を塗布する代わりに、斜め方向からレジスト液を塗布することが有効な場合もある。
この構成のレジスト塗布装置1を用いたレジスト塗布動作においては、ウエハ載置台5のウエハ載置面5aに、塗布面4aが上向きとなる状態でウエハ4が設置される。また、帯電用電源装置6によって、ノズル側電極2cと台側電極13の間の直流高電圧が印加される。この状態で、液供給ポンプ9を駆動してレジスト液タンク8からレジスト液8aをノズルユニット3の各スプレーノズル2に圧送すると共に、ガス供給ポンプ11を駆動してキャリアガスタンク10からキャリアガス10aをノズルユニット3の各スプレーノズル2に圧送する。
各スプレーノズル2からはレジスト液8aがウエハ4の塗布面4aに向けて霧化状態で噴出される。各スプレーノズル2を通過してノズル開口2aから吹き出される間に、ノズル側電極2cによって吹き出されるレジスト液8aが正に帯電される。ウエハ載置台5上のウエハ4の塗布面4aは逆極性の負に帯電されているので、吹き出されたレジスト液8aの各微小液滴は静電吸引力によって塗布面4aに吸引される。
ここで、各スプレーノズル2から吹き出されたレジスト液8aの各微小液滴は、そこに集まっている帯電状態のレジスト液固形成分が相互に電気的に反発し合って分裂を繰り返しながら、塗布面4aに向かう。分裂に伴ってレジスト液8aに含まれている溶剤が徐々に蒸散する。本例では、帯電用電源装置6を制御して、スプレーノズル2と塗布面4aの間に加えられる電圧を調整し、液供給ポンプ9、ガス供給ポンプ11を制御してスプレーノズル2から吹き出されるレジスト液8aの流量・流速を調整し、昇降機構12によってスプレーノズル2のノズル開口2aから塗布面4aまでの距離を調整することで、溶媒が除去されてレジスト液固形成分のみが実質的に塗布面4aに静電吸着されて堆積するようにしてある。レジスト液8aの粘度・濃度、溶媒の種類、レジスト液固形成分の種類、スプレーノズル径など、その他の条件に応じて適切に調整することが望ましいことは勿論である。
(その他の実施の形態)
上記の例はウエハ表面にレジスト膜を形成する場合のものであるが、本発明の方法は、レジスト液以外の塗布液を用いて、半導体基板、ガラス基板等の各種素材からなる媒体の表面に薄膜を形成する場合にも適用することができる。例えば、有機材料を含む塗布液を用いて半導体基板表面に有機機能性の薄膜を形成でき、導電性高分子材料を含む塗布液を用いて基板上に導電性有機薄膜を形成することができる。
なお、塗布液に含まれる固形成分は、例えば、高分子材料、有機材料、無機材料の場合があり、これらの混合物の場合もある。塗布液溶媒としては、静電塗布の際に噴霧後に塗布面に到達する間に揮発しやすい比較的低沸点のものを用いることが望ましい。また、スプレーノズルから吹き出された液滴が小さい程、均一で平滑な薄膜が形成されるので、塗布液固形成分の溶解度の高い溶媒を用いることが望ましい。
1 レジスト塗布装置
2 スプレーノズル
2a ノズル開口
2b ノズル本体
2c ノズル側電極
3 ノズルユニット
4 ウエハ
4a 塗布面
4b 本体部分
4c 環状突起
5 ウエハ載置台
5a ウエハ載置面
6 帯電用電源装置
7 駆動制御装置
8 レジスト液タンク
8a レジスト液
9 液供給ポンプ
10 キャリアガスタンク
10a キャリアガス
11 ガス供給ポンプ
12 昇降機構
13 台側電極

Claims (5)

  1. 静電帯電した状態の塗布液を、逆極性に静電帯電した薄膜形成対象の媒体の塗布面に対して霧化状態で吹き付けて、前記塗布液の溶媒に溶解あるいは分散している塗布液固形成分を前記塗布面に静電吸着させて堆積する静電塗布工程と、
    前記塗布面に堆積した前記塗布液固形成分からなる塗膜を、前記溶媒の蒸気に晒して湿潤させることで、当該塗膜の膜質の均一化および表面の平滑化を図る塗膜湿潤工程とを備えていることを特徴とする静電塗布方法を用いた薄膜形成方法。
  2. 請求項1において、
    前記塗膜湿潤工程では、前記塗膜を、前記溶媒の蒸気雰囲気中に晒すことを特徴とする静電塗布方法を用いた薄膜形成方法。
  3. 請求項1または2において、
    前記溶媒によって湿潤させた後の前記塗膜から前記溶媒を蒸発させて乾燥する乾燥工程を備えていることを特徴とする静電塗布方法を用いた薄膜形成方法。
  4. 請求項1ないし3のうちのいずれかの項において、
    前記媒体は半導体基板あるいはガラス基板であり、
    前記塗布液はレジスト液であり、
    前記媒体の少なくとも一方の表面が前記塗布面であり、
    前記薄膜は前記塗布面に形成したレジスト膜であることを特徴とする静電塗布方法を用いた薄膜形成方法。
  5. 請求項4において、
    前記媒体の前記塗布面は、外周縁全周に亘って変形防止用の突起が形成されていることを特徴とする静電塗布方法を用いた薄膜形成方法。
JP2012079815A 2012-03-30 2012-03-30 静電塗布方法を用いた薄膜形成方法 Pending JP2013211366A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012079815A JP2013211366A (ja) 2012-03-30 2012-03-30 静電塗布方法を用いた薄膜形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012079815A JP2013211366A (ja) 2012-03-30 2012-03-30 静電塗布方法を用いた薄膜形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013211366A true JP2013211366A (ja) 2013-10-10

Family

ID=49528966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012079815A Pending JP2013211366A (ja) 2012-03-30 2012-03-30 静電塗布方法を用いた薄膜形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2013211366A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016184679A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社テックインテック 熱処理装置
CN112888191A (zh) * 2021-01-11 2021-06-01 深圳市卡迪森机器人有限公司 一种多段式强静电线路板油墨涂布方法、装置及制品

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0780384A (ja) * 1993-09-10 1995-03-28 Hirata Corp 流体塗布装置
JP2003297725A (ja) * 2002-04-02 2003-10-17 Toshiba Corp 固形膜形成方法
JP2008042818A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 感光剤塗布方法、圧電振動片の製造方法および圧電デバイスの製造方法、並びに圧電振動片および圧電デバイス
JP2008055268A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 感光剤塗布方法、圧電振動片の製造方法および圧電デバイスの製造方法、並びに圧電振動片および圧電デバイス
JP2010098056A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Tokyo Electron Ltd 載置台
JP2010114245A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd レジスト塗布装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0780384A (ja) * 1993-09-10 1995-03-28 Hirata Corp 流体塗布装置
JP2003297725A (ja) * 2002-04-02 2003-10-17 Toshiba Corp 固形膜形成方法
JP2008042818A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 感光剤塗布方法、圧電振動片の製造方法および圧電デバイスの製造方法、並びに圧電振動片および圧電デバイス
JP2008055268A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 感光剤塗布方法、圧電振動片の製造方法および圧電デバイスの製造方法、並びに圧電振動片および圧電デバイス
JP2010098056A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Tokyo Electron Ltd 載置台
JP2010114245A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd レジスト塗布装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016184679A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 株式会社テックインテック 熱処理装置
CN112888191A (zh) * 2021-01-11 2021-06-01 深圳市卡迪森机器人有限公司 一种多段式强静电线路板油墨涂布方法、装置及制品
CN112888191B (zh) * 2021-01-11 2022-02-11 深圳市卡迪森机器人有限公司 一种多段式强静电线路板油墨涂布方法、装置及制品

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5491189B2 (ja) 固定化装置
KR102151325B1 (ko) 미스트 도포 성막 장치 및 미스트 도포 성막 방법
JP2007110063A (ja) フォトレジスト溶液を効率的に用いた噴射式フォトレジストコーティング装置および方法
US9343339B2 (en) Coating method and coating apparatus
EP2766130B1 (en) Apparatus and process for depositing a thin layer of resist on a substrate
CN101791604A (zh) 基于超声波振动台的液体材料薄膜喷涂装置及方法
JPH08153669A (ja) 薄膜形成方法及び形成装置
JP2015217360A (ja) 蛍光体層の成膜装置、及び、蛍光体層の成膜方法
WO2018011854A1 (ja) ミスト塗布成膜装置及びミスト塗布成膜方法
JP2012135704A (ja) エレクトロスプレーデポジション装置
JP2013211366A (ja) 静電塗布方法を用いた薄膜形成方法
JP2003164791A (ja) 塗布方法及び塗布装置
US20070054050A1 (en) Photoresist coating apparatus and method
CN114178067B (zh) 纳米压印胶体溅射装置及方法
JP2010042325A (ja) 塗布方法および塗布装置
JP5802787B1 (ja) 液塗布方法、及び、液塗布装置
JP5912321B2 (ja) レジスト膜の形成方法、および、静電噴霧装置
JP2015115462A (ja) 塗布装置および塗布方法
JP5570907B2 (ja) パターン修正装置およびパターン修正方法
JP2008279395A (ja) 機能性材料膜形成装置、高分子膜形成方法及び当該装置を用いて、当該方法にて形成された膜
JP6909584B2 (ja) 塗布液塗布方法
JP2011181271A (ja) Esd有機el装置及び方法
US6558877B1 (en) Jet coating method for semiconductor processing
KR100730296B1 (ko) 슬릿노즐 정전분사법을 이용한 미소박막 제조장치 및 방법
JPH07115051A (ja) 薬液塗布方法及び薬液塗布装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20141111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20141111

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150929

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160209