MY139839A - Laser processing method and semiconductor apparatus - Google Patents

Laser processing method and semiconductor apparatus

Info

Publication number
MY139839A
MY139839A MYPI20053648A MYPI20053648A MY139839A MY 139839 A MY139839 A MY 139839A MY PI20053648 A MYPI20053648 A MY PI20053648A MY PI20053648 A MYPI20053648 A MY PI20053648A MY 139839 A MY139839 A MY 139839A
Authority
MY
Malaysia
Prior art keywords
cut
line
substrate
along
processing method
Prior art date
Application number
MYPI20053648A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Kuno
Tatsuya Suzuki
Takeshi Sakamoto
Original Assignee
Hamamatsu Photonics Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics Kk filed Critical Hamamatsu Photonics Kk
Priority to MYPI20092621A priority Critical patent/MY172847A/en
Publication of MY139839A publication Critical patent/MY139839A/en

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
    • B28D1/22—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising
    • B28D1/221—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor by cutting, e.g. incising by thermic methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222—Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • H10W42/121—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mining & Mineral Resources (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
MYPI20053648A 2004-08-06 2005-08-05 Laser processing method and semiconductor apparatus MY139839A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MYPI20092621A MY172847A (en) 2004-08-06 2005-08-05 Laser processing method and semiconductor apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004231555 2004-08-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
MY139839A true MY139839A (en) 2009-10-30

Family

ID=35787052

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MYPI20053648A MY139839A (en) 2004-08-06 2005-08-05 Laser processing method and semiconductor apparatus
MYPI20092621A MY172847A (en) 2004-08-06 2005-08-05 Laser processing method and semiconductor apparatus

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MYPI20092621A MY172847A (en) 2004-08-06 2005-08-05 Laser processing method and semiconductor apparatus

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8604383B2 (enExample)
EP (2) EP1775059B1 (enExample)
JP (2) JP4200177B2 (enExample)
KR (2) KR101109860B1 (enExample)
CN (2) CN100548564C (enExample)
MY (2) MY139839A (enExample)
TW (1) TWI376282B (enExample)
WO (1) WO2006013763A1 (enExample)

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
EP2216128B1 (en) 2002-03-12 2016-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
EP1494271B1 (en) 2002-03-12 2011-11-16 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
US8685838B2 (en) * 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
CN101862906B (zh) * 2003-07-18 2014-01-15 浜松光子学株式会社 激光加工方法、激光加工装置以及加工产品
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
CN100527360C (zh) 2004-03-30 2009-08-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
JP4200177B2 (ja) 2004-08-06 2008-12-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体装置
JP4198123B2 (ja) 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN102489883B (zh) * 2006-09-19 2015-12-02 浜松光子学株式会社 激光加工方法和激光加工装置
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2070636B1 (en) * 2006-10-04 2015-08-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
WO2010090111A1 (ja) 2009-02-09 2010-08-12 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US8341976B2 (en) 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8327666B2 (en) 2009-02-19 2012-12-11 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
KR101697383B1 (ko) * 2009-02-25 2017-01-17 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 반도체 소자의 제조 방법
KR20120004456A (ko) * 2009-03-20 2012-01-12 코닝 인코포레이티드 정밀 레이저 스코어링
KR101769158B1 (ko) 2009-04-07 2017-08-17 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치 및 레이저 가공 방법
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5379604B2 (ja) * 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
KR20120073249A (ko) 2009-08-28 2012-07-04 코닝 인코포레이티드 화학적으로 강화된 유리 기판으로부터 제품을 레이저 절단하기 위한 방법
JP5056839B2 (ja) * 2009-12-25 2012-10-24 三星ダイヤモンド工業株式会社 被加工物の加工方法および被加工物の分割方法
JP5479924B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
TWI433745B (zh) * 2010-04-16 2014-04-11 Qmc Co Ltd 雷射加工方法及雷射加工設備
JP5597051B2 (ja) * 2010-07-21 2014-10-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5696393B2 (ja) 2010-08-02 2015-04-08 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの割断方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
CN102030486B (zh) * 2010-10-15 2012-07-25 北京工业大学 一种玻璃-可伐合金激光焊接方法及其专用夹具
JP5480169B2 (ja) * 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2013058597A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP5864988B2 (ja) * 2011-09-30 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板切断方法
JP5930811B2 (ja) * 2011-11-18 2016-06-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP5472278B2 (ja) * 2011-12-15 2014-04-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置
JP5472277B2 (ja) * 2011-12-15 2014-04-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置
US9418947B2 (en) * 2012-02-27 2016-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mechanisms for forming connectors with a molding compound for package on package
JP6035127B2 (ja) * 2012-11-29 2016-11-30 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US9812361B2 (en) * 2013-09-11 2017-11-07 Nxp B.V. Combination grinding after laser (GAL) and laser on-off function to increase die strength
JP6250429B2 (ja) * 2014-02-13 2017-12-20 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6318900B2 (ja) * 2014-06-18 2018-05-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP2016054204A (ja) * 2014-09-03 2016-04-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
GB201502149D0 (en) * 2015-02-09 2015-03-25 Spi Lasers Uk Ltd Apparatus and method for laser welding
US11420894B2 (en) 2015-04-24 2022-08-23 Nanoplus Ltd. Brittle object cutting apparatus and cutting method thereof
JP2017037912A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 株式会社ディスコ 検査用ウエーハおよび検査用ウエーハの使用方法
JP6821245B2 (ja) * 2016-10-11 2021-01-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6824577B2 (ja) * 2016-11-29 2021-02-03 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
HUE067775T2 (hu) * 2017-03-03 2024-11-28 Furukawa Electric Co Ltd Hegesztõ eljárás és hegesztõ készülék
JP6957185B2 (ja) 2017-04-17 2021-11-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法及び半導体チップ
JP7130667B2 (ja) * 2017-04-20 2022-09-05 ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構成部材が設けられた固体層を薄化する方法
USD884660S1 (en) 2017-09-27 2020-05-19 Hamamatsu Photonics K.K. Light-receiving device
JP1608528S (enExample) 2017-09-27 2018-07-09
JP2018046289A (ja) * 2017-11-21 2018-03-22 エイブリック株式会社 半導体装置およびその製造方法
EP3542927A1 (de) * 2018-03-20 2019-09-25 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum selektiven bestrahlen einer materialschicht, verfahren zum bereitstellen eines datensatzes, vorrichtung und computerprogrammprodukt
JP7126750B2 (ja) * 2018-03-20 2022-08-29 株式会社ディスコ 切削装置
JP7118804B2 (ja) * 2018-08-17 2022-08-16 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法
JP7307534B2 (ja) * 2018-10-04 2023-07-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、半導体デバイス製造方法及び検査装置
JP7200670B2 (ja) * 2018-12-27 2023-01-10 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光モジュール及びその製造方法
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
DE102019201438B4 (de) * 2019-02-05 2024-05-02 Disco Corporation Verfahren zum Herstellen eines Substrats und System zum Herstellen eines Substrats
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP7168544B2 (ja) * 2019-12-06 2022-11-09 ローム株式会社 ＳｉＣ半導体装置
JP7186357B2 (ja) * 2020-05-22 2022-12-09 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法および半導体素子
EP3913660B1 (en) 2020-05-22 2024-06-19 Nichia Corporation Method of cutting semiconductor element and semiconductor element
JP7764189B2 (ja) * 2021-10-15 2025-11-05 株式会社ディスコ 単結晶シリコン基板の製造方法
JP7807212B2 (ja) * 2021-10-29 2026-01-27 株式会社ディスコ 基板の製造方法

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59212185A (ja) * 1983-05-18 1984-12-01 Inoue Japax Res Inc レ−ザ加工装置
US4546231A (en) * 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
JPS61123489A (ja) 1984-11-16 1986-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ加工装置
JPH0222301A (ja) 1988-07-12 1990-01-25 Nippon Kayaku Co Ltd 水溶性キトサンの製造方法
JPH04200177A (ja) 1990-11-29 1992-07-21 Sanyo Mach Works Ltd Ｃｃｄカメラ支持装置
US5266511A (en) * 1991-10-02 1993-11-30 Fujitsu Limited Process for manufacturing three dimensional IC's
JPH0737559A (ja) * 1993-07-21 1995-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 偏平形電池の製造法
JP2833614B2 (ja) 1994-06-30 1998-12-09 澁谷工業株式会社 レーザ加工機
KR970008386A (ko) * 1995-07-07 1997-02-24 하라 세이지 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
US6156030A (en) 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
JP3691221B2 (ja) * 1997-09-24 2005-09-07 三菱電機株式会社 レーザ加工方法
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3408805B2 (ja) * 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2002373909A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体回路装置及びその製造方法
EP2216128B1 (en) * 2002-03-12 2016-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
JP4409840B2 (ja) * 2002-03-12 2010-02-03 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
EP1494271B1 (en) * 2002-03-12 2011-11-16 Hamamatsu Photonics K.K. Method for dicing substrate
JP2003338636A (ja) * 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
JP3624909B2 (ja) * 2002-03-12 2005-03-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2003332270A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2004165227A (ja) 2002-11-08 2004-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
US20050155956A1 (en) * 2002-08-30 2005-07-21 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Laser processing method and processing device
TWI221102B (en) 2002-08-30 2004-09-21 Sumitomo Heavy Industries Laser material processing method and processing device
JP2004111601A (ja) 2002-09-18 2004-04-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイボンダ
JP2004106009A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハプローバ
JP4240362B2 (ja) * 2002-12-02 2009-03-18 住友電気工業株式会社 化合物半導体ウエハの劈開方法
TWI520269B (zh) * 2002-12-03 2016-02-01 濱松赫德尼古斯股份有限公司 Cutting method of semiconductor substrate
JP3683580B2 (ja) * 2002-12-05 2005-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP2004188422A (ja) * 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2004188475A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工方法
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
US8685838B2 (en) * 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
JP4231349B2 (ja) * 2003-07-02 2009-02-25 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびレーザー加工装置
CN101862906B (zh) * 2003-07-18 2014-01-15 浜松光子学株式会社 激光加工方法、激光加工装置以及加工产品
JP4563097B2 (ja) * 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
WO2005067113A1 (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Hamamatsu Photonics K.K. 半導体発光素子及びその製造方法
JP4598407B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) * 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2005252196A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
CN100527360C (zh) * 2004-03-30 2009-08-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法及半导体芯片
JP4536407B2 (ja) * 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
EP1748474B1 (en) * 2004-03-30 2015-05-06 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4200177B2 (ja) 2004-08-06 2008-12-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体装置
JP4741822B2 (ja) * 2004-09-02 2011-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP4754801B2 (ja) * 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) * 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) * 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4237745B2 (ja) * 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5183892B2 (ja) * 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) * 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
CN102489883B (zh) * 2006-09-19 2015-12-02 浜松光子学株式会社 激光加工方法和激光加工装置
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2070636B1 (en) * 2006-10-04 2015-08-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) * 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) * 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5241525B2 (ja) * 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN101434010A (zh) 2009-05-20
CN101434010B (zh) 2011-04-13
JPWO2006013763A1 (ja) 2008-05-01
EP2230042A3 (en) 2014-08-13
TWI376282B (en) 2012-11-11
EP2230042B1 (en) 2017-10-25
MY172847A (en) 2019-12-12
JP2006068816A (ja) 2006-03-16
US8604383B2 (en) 2013-12-10
KR101109860B1 (ko) 2012-02-21
CN100548564C (zh) 2009-10-14
EP1775059B1 (en) 2015-01-07
WO2006013763A1 (ja) 2006-02-09
US20080035611A1 (en) 2008-02-14
KR20070031467A (ko) 2007-03-19
KR20110111505A (ko) 2011-10-11
TW200613081A (en) 2006-05-01
EP2230042A2 (en) 2010-09-22
CN1993201A (zh) 2007-07-04
KR101190454B1 (ko) 2012-10-11
EP1775059A1 (en) 2007-04-18
US20140015113A1 (en) 2014-01-16
EP1775059A4 (en) 2009-09-23
JP4197693B2 (ja) 2008-12-17
JP4200177B2 (ja) 2008-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY139839A (en) Laser processing method and semiconductor apparatus
EP1649965A4 (en) LASER BEAM PROCESSING, LASER BEAM MACHINING DEVICE AND LASER MACHINED PRODUCT
EP2272618A3 (en) Method of cutting object to be processed
MY141090A (en) Laser processing method
WO2008146744A1 (ja) 切断用加工方法
EP1494271A4 (en) PROCESS FOR DISCONNECTING A SUBSTRATE
KR101881549B1 (ko) 절단방법, 가공대상물 절단방법 및 광투과성재료 절단방법
EP1609559A4 (en) METHOD OF MACHINING BY LASER BEAM
ATA9742001A (de) Verfahren zur herstellung eines zerspanungswerkzeuges
DE602004030855D1 (de) Schneidwerkzeug zur Metallbearbeitung und Verfahren zur Herstellung von Schneidwerkzeugen
WO2007038104A3 (en) Laser cutting and sawing method and apparatus
EP1609558A4 (en) METHOD OF MACHINING BY LASER BEAM
SE0101035D0 (sv) An apparatus and a method for producing a dental, restoration
TW200802675A (en) Sheet cutting device and cutting method
TW200514644A (en) Pulsed laser assisted micro precision machining process and device
Hu et al. Choose suited cutter and cutting parameter, improve the part's surface quality of precision and ultraprecision machining.
MY148590A (en) Method of forming cutting start point region and method of cutting object to be processed
TW200635690A (en) Material processing method by laser ablation and the materials processed by said processing method
TW200618916A (en) Short-wavelength laser dicing apparatus for a diamond wafer and dicing method thereof
TW200602141A (en) Milling cutter for printed circuit board and the method of combining with the jig of machine tool
TW200709880A (en) Short-wavelength laser scribing method and system for scribing ceramic substrates