JP3691221B2 - レーザ加工方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ加工方法に係り、さらに詳しくは、プリント基板に対して複数パルスのレーザビームを用いて複数の穴を加工するレーザ加工方法であって、例えば、プリント基板のバイアホールやスルーホールの加工を行うレーザ加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、製品や部品を製造する加工工程などにおいて、レーザビームが非常に広く使用されつつある。このレーザビームは、振幅と波長が一致したコヒーレントな特殊な光であって、自然光のように振幅と波長が混在しているインコヒーレントな光と区別される。
【0003】
従来のレーザ加工方法の1つとして、複数パルスのレーザビームを用いて複数の穴を加工する場合は、各穴に対して予め設定された発振周波数に従い、予め設定された数のパルスを照射する方法がある。以下、本明細書中では、この方式を「モードA」と称する。
【0004】
また、これとは別のレーザ加工方法として、ガルバノスキャンミラーを使用する場合は、スキャンエリア内におけるすべての穴に1ショットづつレーザビームのパルスを投入し、エリア内の全穴に1ショットづつ照射した後に再び最初の穴から再度1ショットづつ照射して、設定数までこれを繰り返し行う方法がある。以下、本明細書中では、この方式を「モードB」と称する。
【0005】
そして、図15には、プリント基板に対してレーザビームを用いてバイアホールを加工した断面図が示され、(a)はプリント基板50の絶縁層が樹脂単体で構成された図であり、(b)はプリント基板62の絶縁層が無機質の基材に樹脂を含浸させたもので構成された図である。
【0006】
図において、プリント基板50または62は、コア回路基板52上に接続用ランド54が配置され、その上に絶縁層となるエポキシ樹脂56やガラスクロス66が混在したガラスエポキシ樹脂64を形成した後、レーザビームによりレーザ加工されたバイアホール58を形成し、全面にはパターンメッキ60が施されている。
【0007】
このように、図15(a),(b)に示されるプリント基板50,62に形成されたバイアホール58は、上述した「モードA」や「モードB」のレーザ加工方法を用いることにより形成することができる。特に、図15(a)のように絶縁層が樹脂単体で構成されている場合は、加工品質の上では「モードA」でも「モードB」でも差が無い。
【0008】
そのため、加工時間が短縮でき、生産性の面から「モードA」を使って、発振周波数を高くして加工することが一般的に行われている。ここで、発振周波数を高くする(高周波数)とは、発振周波数を複数の穴の位置決めに要する時間の逆数から求まる周波数以上に設定するということである。これよりも低い周波数では「モードA」の方が「モードB」よりも生産性が低下することになる。
【0009】
そこで、このような加工時間の考え方をガルバノミラーを例にとって説明する。図16には、「モードA」と「モードB」の各発振周波数に対してパルス数と加工時間との関係を示した線図が示されている。ここでは、発振周波数と加工時間の関係を2.5m秒で位置決め可能なガルバノスキャンについて示したものである。このガルバノスキャンは2.5m秒で位置決め可能であるから、その逆数をとると400Hzとなる。
【0010】
図16に示されるように、発振周波数を400Hzとすると、丁度ガルバノスキャンの周波数(繰り返しサイクル)と一致することになるため、「モードA」も「モードB」も加工時間は同じになる。発振周波数が400Hzよりも低くなる場合(図16で200Hzの場合)は、「モードA」の方が「モードB」よりも加工時間が長くなる。また、逆に発振周波数が400Hzよりも高くなる場合(図16で800Hzの場合)は、「モードA」の方が「モードB」よりも加工時間が短くなる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のレーザ加工方法にあっては、図15(b)に示されるように、プリント基板の絶縁層の基材としてガラスクロスやセラミクス等の無機質を使用しそれを樹脂に含浸させている場合、「モードA」と「モードB」とでは加工品質に大きな差が生じることがわかっている。
【0012】
現在、炭酸ガスレーザを用いてプリント基板に穴あけ加工する際に一般的に用いられるガルバノスキャン方式では、ガルバノミラーによるレーザビームの移動および位置決め時間が短く、最速で400Hz相当となる。このため、前述したように「モードA」では、400Hzよりも高い周波数に設定しなければ生産性の面でメリットが生じない。しかし、図15(b)のガラスエポキシ樹脂64などは、エポキシの分解温度が約600K(327℃)であるのに対し、ガラス転移温度は約1100K(827℃)である。
【0013】
このように著しく熱的性質が異なる材料の場合は、レーザビームの発振周波数を高くすると、レーザと材料の相互作用時間が長くなって、エポキシ部分が選択的により多く分解除去される。そのため、加工した穴の壁面にガラス繊維が突出した状況となるので、その表面にパターンメッキ60をうまく形成することができず、加工品質が劣化するという不都合があった。
【0014】
これに対して、前述した「モードB」のレーザ加工方法をガルバノスキャン方式と組み合わせた場合は、ガルバノエリア内の穴数が多いほど、同一の穴に繰り返し照射される間隔が長くなる。換言すると、それだけ加工材料が冷却されることになるため、相互作用時間が短くなってエポキシ樹脂が選択的に分解除去される現象が起き難くなり、良好な加工品質を得ることができる。ただし、「モードB」で加工する場合に、1穴当たり複数パルスを投入するケースでは、1穴/1パルスで加工可能な状況以外は加工時間が長くなってしまうため、生産性は「モードA」に比べ著しく劣化するという不都合があった。
【0015】
本発明は、かかる従来技術の有する不都合に鑑みてなされたもので、プリント基板の穴開け加工を高品質かつ生産性良く行うことができるレーザ加工方法を得ることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、この発明にかかるレーザ加工方法にあっては、プリント基板のそれぞれの穴加工位置に総パルス数(N)のレーザを照射して複数(M)個の穴を加工するレーザ加工方法であって、第1ステップでは、予め定めた発振周波数を使い、最初の穴の位置で前記総パルス数(N)をn分割した(nは2以上であり、総パルス数Nより小さい整数)パルス数(n1)のレーザを照射し、続いて、レーザ加工する他の全ての穴加工位置においてパルス数(n1)のレーザを順次照射し、さらなるステップでは、全ての穴加工位置へ総パルス数(N)をn分割したパルス数(n2、・・・、nn)のレーザを第nステップまでそれぞれ繰り返し照射し、それぞれのステップで照射した全てのパルス数の合計(n1+n2+・・・+nn)が前記総パルス数(N)と等しくなるようにレーザを照射して穴加工を行うものである。
【0017】
これによれば、プリント基板のそれぞれの穴加工位置に総パルス数(N)のレーザを照射して複数(M)個の穴を加工するもので、第1ステップでは予め定めた発振周波数を使い、最初の穴の位置で総パルス数(N)をn分割したパルス数(n1)のレーザを照射し、続いて、レーザ加工する他の全ての穴加工位置においてパルス数(n1)のレーザを順次照射し、さらなるステップでは、全ての穴加工位置へ総パルス数(N)をn分割したパルス数(n2、・・・、nn)のレーザを第nステップまでそれぞれ繰り返し照射し、それぞれのステップで照射した全てのパルス数の合計が総パルス数(N)と等しくなるようにレーザを照射して穴加工が行われる。このように、「モードA」と同じく、プリント基板の1つの穴に複数パルスのレーザを照射するが、穴を加工する際に必要な全てのパルス数のレーザを照射するのではなく、それらを分割した任意のパルス数のレーザを順次照射して第1ステップが終了し、このようなステップを複数回繰り返して、最終的に各加工穴に必要なレーザのパルス数を照射することにより最終加工深さまで加工する。その際、高品質な加工結果を得るには、材料とレーザとの相互作用時間を短くする(パルスビームの照射間隔に待ち時間を設けて材料を冷却する)必要がある。また、生産性を高めるには、この冷却時間(待ち時間)を短くする必要がある。すなわち、各ステップに分割されたレーザの任意のパルス数は、加工対象の材質、板厚、および要求品質等により決定される。
【0018】
また、この発明は、加工対象が例えば銅箔上にガラスエポキシ樹脂等の複合材料からなる絶縁層を用いたプリント基板であって、その表面にバイアホールなどを形成する場合に、レーザと材料の相互作用時間を短くして、パルスビームの照射間隔にある程度の待ち時間を設けて材料を冷却することで高品質な加工結果を得つつ、この待ち時間をできるだけ短くすることで生産性良くできる。
【0019】
つぎの発明に係るレーザ加工方法にあっては、穴を加工する複数の工程の途中で、レーザビームのパルス幅および/またはピーク出力を変更するようにしたものである。これによれば、プリント基板の穴を加工する複数工程の途中で、レーザビームのパルス幅とピーク出力の何れか一方、あるいは両方を変化させることにより、レーザビームと加工対象の材料との相互作用時間とエッチングレートとを適正に制御できるようになり、加工品質が安定するとともに、生産性を向上させることができる。
【0020】
つぎの発明に係るレーザ加工方法にあっては、所定のパルス数のレーザをそれぞれの穴加工位置に順次照射する際に、ガルバノミラーを用いてレーザをスキャンさせるようにしたものである。これによれば、ガルバノミラーを用いたガルバノスキャン方式を採用することで、レーザビームの移動と位置決め時間が短くできることから、生産性をさらに向上させることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係るレーザ加工方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0022】
実施の形態1.
まず、この実施の形態1では、上述したレーザ加工方法である「モードA」や「モードB」を用いて、種々の条件下で穴加工を行った場合の加工時間および加工品質に関する具体的なデータを説明した後、本実施の形態1に係るレーザ加工方法について説明する。ここでは、プリント基板加工用の炭酸ガスレーザを用いて、ガルバノスキャン方式によりレーザビームをスキャンさせて、プリント基板の表面に複数のバイアホールを形成するようにしたものである。
【0023】
図1には、「モードA」の加工方法を説明する概念図が示され、図2には、「モードB」の加工方法の概念図が示されている。図1および図2では、1つの加工穴に対して照射されるレーザビームの総パルス数がNパルスの場合である。
【0024】
図1において、レーザビーム10を複数(ここでは9ヶ所)のレーザ照射予定位置14に照射して穴加工を行うもので、レーザ照射予定位置14は破線の楕円で示され、1パルス分のレーザビーム10が照射された1パルス照射穴12が実線の楕円で示され、レーザ照射予定位置14に総パルス数であるNパルスのレーザビームが照射されたNパルスレーザ照射穴16を黒ベタの楕円で示してある。「モードA」によるレーザ加工方法は、図1に示されるように、レーザ照射予定位置14の1つに対してレーザビーム10をまず1パルス分照射した後、連続してNパルスを照射する(Nパルスレーザ照射穴16が1つできる)。
【0025】
つぎのレーザ照射予定位置14にレーザビームの照射位置を移動させ、Nパルスのレーザビームを照射する(Nパルスレーザ照射穴16が2つできる)。このように、全てのレーザ照射予定位置14に対して順次Nパルスのレーザビームを照射することにより、全ての照射位置がNパルスレーザ照射穴16となり、レーザ加工が終了する。
【0026】
図2の場合も同様に、レーザビーム10を複数(ここでは9ヶ所)のレーザ照射予定位置14に照射して穴加工を行うものである。この「モードB」によるレーザ加工方法は、図2に示されるように、レーザ照射予定位置14の1つに対してレーザビーム10をまず1パルス分照射して1パルス照射穴12とし、つぎのレーザ照射予定位置14にレーザビームの照射位置を移動させて1パルス分照射して1パルス照射穴12とする。
【0027】
これを、全てのレーザ照射予定位置14に対して順次1パルスのレーザビームを照射した後、再び最初の1パルス照射穴12に戻り、2パルス目のレーザビームを各加工穴に対して照射し、これをN回繰り返すことにより、全ての照射位置(加工穴)がNパルスレーザ照射穴16となり、レーザ加工が終了する。
【0028】
つぎに、「モードA」および「モードB」で穴加工を行った場合の加工時間を計算する。ここで、加工穴の総数をMとし、1つの穴当たりの加工に要するパルス数をNとし、ガルバノの能力としてエリア内でP穴/秒の位置決めが可能とした場合、「モードA」方式で加工に要する時間(At)は、設定した発振周波数をBとすると、次式(1)で表される。
【0029】
At=(1/P+(N−1)/B)×M ・・・(1)
【0030】
また、「モードB」方式で加工に要する時間(Bt)は、次式(2)で表される。
【0031】
Bt=M×N/P ・・・(2)
【0032】
ここで、加工対象である絶縁層(図15の56、64参照)の材質がFR−4であり、厚みが0.1mmのプリント基板に961穴(M=961)のバイアホールを形成する場合についての加工時間を計算することにする。1つのバイアホールを形成するのに必要なパルス総数を6(N=6)とし、ガルバノにより400穴/秒(P=400)の位置決めが可能であって、発振周波数が1000Hzとした場合、上記(1)式に代入して計算した「モードA」の加工時間(At)は、
At=(1/400+(6−1)/1000)×961=7.2秒
となる。
【0033】
また、「モードB」の加工時間は、上記(2)式に代入すると、
Bt=961×6/400=14.4秒
となる。その結果、「モードB」は「モードA」に比べおよそ2倍もの加工時間を要することが分かる。
【0034】
つぎに、実際のプリント基板に対して穴加工を行った際の加工品質について説明する。ここでは、プリント基板の絶縁層の材質がFR−4であり、基板の厚みが0.1mmであって、外層銅箔の厚みが12μmの上に絶縁層を積層した基板にバイアホール(φ0.3mm)を形成したものである。「モードA」方式で加工した場合の加工穴の状態が図3および図4に示されている。
【0035】
図3には、加工穴の穴底の状態を示す図が示され、図4には、加工穴の穴表面の状態を示す図が示され、図3および図4の(a)は5パルスの場合、(b)は6パルスの場合、(c)は8パルスの場合である。なお、図3および図4では、それぞれ1つの加工穴のみが示されているが、実際には961個の穴が加工される(ガルバノの位置決めは400穴/秒)。その際の加工条件としては、1パルス当たりのエネルギーが15mJ、パルス幅が50μ秒、発振周波数は1000Hzである。
【0036】
図3(a)に示されるように、5パルスでは穴の底部の銅箔上に除去されていないガラスクロスが存在していることが観察される。そこで、レーザビームのパルス数を増加して6パルスあるいは8パルスとすると、そのガラスクロスが除去されるのが分かる。
【0037】
また、図4に示される穴表面の観察結果では、穴の縁にガラスが球状化して付着しており、パルス数を5→6→8と増加させると、表面のエポキシ層に熱影響が生じているのが分かる。この場合の加工時間は、約7.2秒(6パルス)であって、生産性は良好であるが、加工品質は良好で無いことがわかる。
【0038】
つぎに、「モードB」方式で加工した場合の加工穴の状態が図5および図6に示されている。この場合もプリント基板の絶縁層の材質がFR−4であり、基板の厚みが0.1mmであって、外層銅箔の厚みが12μmの上に絶縁層を積層した基板にバイアホールを形成したものである。
【0039】
図5には、加工穴の穴底の状態を示す図が示され、図6には、加工穴の穴表面の状態を示す図が示され、図5および図6の(a)は6パルスの場合、(b)は10パルスの場合、(c)は12パルスの場合である。なお、図5および図6の場合も、それぞれ1つの加工穴しか示していないが、実際には961個の穴が加工される。そして、その際の加工条件は、1パルス当たりのエネルギーが15mJ、パルス幅が50μ秒である。但し、加工穴が961個あるため、1穴当たりのパルスの繰り返し周波数は約0.4Hzである。
【0040】
図5(a)および(b)に示されるように、6、10パルスでは穴の底部銅箔上に除去されていないガラスあるいは樹脂の固まりが存在していることが観察される。そこで、同図(c)に示されるように、レーザビームのパルス数を増加して12パルスとすることにより、これらを除去できることが分かる。
【0041】
また、図6に示される穴表面の観察結果では、穴の縁に付着するガラスの球状化物は少なく、パルス数を増やしても表面のエポキシ層に熱影響は生じていないことが分かる。しかし、この場合の加工時間は、961×12/400=約28.8秒となり、加工品質は良好であるが、生産性(「モードA」の約4倍)が悪くなる。
【0042】
そこで、上述した「モードA」方式による加工品質を向上させるため、レーザと材料の相互作用時間を短くするという目的で発振周波数を低くして加工した場合の結果が図7に示されている。図7は、発振周波数を1000Hz、500Hz、200Hz、20Hzとした各場合の加工品質(熱影響)を比較した図である。また、この「モードA」と比較するため、「モードB」のデータも示されている。
【0043】
図7では定量的なデータとするため、表面の穴縁からの熱影響層までの最大距離を示している。図7から明らかなように、1000〜200Hzまで熱影響層の大きさにはほとんど差が無く、20Hzあたりではじめて「モードB」の結果とほぼ同じになる。しかし、発振周波数20Hzで加工した場合の加工時間は、(1/400+(6−1)/20)×961=243秒となるため、「モードB」よりも生産性が劣化することになる。
【0044】
つぎに、「モードB」方式において生産性を向上させるため、パルスのエネルギーを高くした場合の結果が図8に示されている。ここでは、レーザビームのパルスのエネルギーを15mJ、17.5mJ、20mJの3段階で変えており、図の縦軸は、パルス数が示され、横軸は1パルス当たりのエネルギーを示している。図8中には3つの領域(I,II,III)が示されており、領域Iはパルス数とエネルギーの両方が不足しているため穴底部に樹脂が残っている領域であり、領域IIはパルス数とエネルギーとも適正で良好な品質の加工結果が得られる領域であり、領域IIIはパルス数、エネルギーとも過多であって、外層銅箔にダメージが生じている領域である(領域IIIにおける銅箔へのダメージの外観を示したのが図9である。)。
【0045】
上記した図8および図9に示されるように、1パルス当たりのエネルギーを高くすることで銅箔上の樹脂を除去するのに必要なパルス数は少なくて済むが、銅箔に対するダメージが生じやすいことがわかる。この場合において良好と判断される条件としては、17.5mJの10パルスであるが、この場合の加工時間は、961×10/400=24秒となり、16mJの場合に比べて生産性が若干向上している。しかし、それでも加工時間は、「モードA」と比べると約3.3倍となる。
【0046】
以上述べたように、図1から図9で説明した「モードA」や「モードB」を用いて、種々の条件下で穴加工を行った場合の加工時間および加工品質に関する具体的なデータを検討した結果、「モードA」、「モードB」ともに品質あるいは生産性のどちらかが欠けていることが判明した。
【0047】
つぎに、本実施の形態1に係るレーザ加工方法について詳細に説明する。図10には、実施の形態1に係るレーザ加工方法の概念図が示されている。図10における第1工程では、上述した「モードA」と同様に、n1パルスを所定の発振周波数に従って照射するようにする(図中の斜め線の楕円で示したn1パルスレーザ照射穴18)。すなわち、エリア内の全穴に対してn1パルスずつ発振周波数に従って順次照射する。
【0048】
これが終了した時点で、第2工程に移行し、再度最初の穴から所定の発振周波数に従い、エリア内の全穴に対してn2パルスずつ順次照射する(図中のハーフトーンの楕円で示した(n1+n2)パルスレーザ照射穴20)。このようにして、最後の工程まで繰り返し照射が行われ、最後の工程では、nnパルスずつレーザビームが照射される。この時の総パルス数は、n1+n2+・・・・+nn=Nとなる。そして、nは、N(総パルス数)の分割数を示している。このように、本実施の形態1では、Nパルス数をn分割して、各工程ごとのパルス数を「モードA」の形式で照射する工程が繰り返し行われる。本明細書では、このレーザ加工方法を「モードC」と称することにする。
【0049】
なお、この「モードC」は、n分割された「モードA」の集合体とも見做すことができるため、「モードC」において、n1、n2、・・・・nnパルスずつ照射する工程をそれぞれ「モードAn1」、「モードAn2」、・・・・「モードAnn」と称することにする。
【0050】
この実施の形態1に係る「モードC」の加工時間(Ct)は、次式(3)で表すことができる。
【0051】
Ct=(n/P+N/B)×M ・・・(3)
【0052】
この場合のプリント基板の絶縁層の材質は、FR−4であって、厚みが0.1mmのプリント基板に対して961穴(M=961)のバイアホールを形成する場合であり、バイアホール1穴を形成するのに必要なパルス数が6(N=6)で、ガルバノで400穴/秒(P=400)の位置決めが可能とする。
【0053】
また、この場合の発振周波数が1000Hzであり、6パルスを2パルスづつに3分割してレーザ加工を行う場合の「モードC」の加工時間(Ct)は、上記(3)式に代入して計算すると、
Ct=(3/400+6/1000)×961=13秒
となり、その結果「モードA」の約1.8倍、「モードB」の約0.9倍となる。
【0054】
図11および図12には、図3および図4と同じ条件のプリント基板(絶縁層の材質がFR−4で厚みが0.1mm、外層銅箔の厚みが12μmの上に絶縁層が積層された基板)に対して、「モードC」方式でレーザ加工を行った場合の加工穴の状態が示されている。また、その場合の加工条件も、図3および図4の場合と同様であって、1パルス当たりのエネルギーが15mJ、パルス幅が50μ秒である。
【0055】
図11および図12の(a)は、レーザビームが6パルスの場合、(b)は8パルスの場合、(c)は10パルスの場合について示してある。そして、本実施の形態1における「モードC」の各工程で照射されるパルスは、それぞれ2パルスづつで分割されているため、6パルスの場合は3分割、8パルスの場合は4分割、10パルスの場合は5分割となる。
【0056】
本実施の形態1では、「モードC」方式によりレーザ加工を行った結果、図11に示されるように、加工穴の穴底の状態を観察すると、同図(a)の6パルスの場合、穴の底部の銅箔上に除去されていないガラスクロスが残存しているが、(b)の8パルスや(c)の10パルスの場合には除去することができる。
【0057】
また、図12に示されるように、加工穴の穴表面の状態を観察すると、何れのパルス数であっても穴の縁に付着するガラスの粒状化物は、「モードA」の場合(図4参照)よりも少なく、表面のエポキシ層の熱影響層も少ないことがわかる。そして、図13は、図5と同様に熱影響層の量について示したもので、「モードB」には劣るが、「モードA」と比べると熱影響層が小さくなっている。これは、「モードC」方式の加工品質が「モードA」と「モードB」の中間状態といえる。
【0058】
また、加工時間(Ct)は、8パルスの場合は4分割となるため、Ct=(4/400+8/1000)×961=17.3秒となり、生産性は「モードA」の2.4倍、「モードB」の0.6倍(「モードB」12パルス時)となる。これは、「モードC」方式の加工時間が「モードA」と「モードB」の中間状態と言える。
【0059】
以上説明したように、本実施の形態1によると、「モードC」を用いてレーザ加工を行うことにより、生産性では「モードA」と「モードB」のほぼ中間となり、加工品質的には「モードB」に近い良好な加工結果を得ることができる。従来は「モードA」か「モードB」でレーザ加工を行っていたため、加工品質か生産性かの何れかに偏っていたが、本実施の形態1では、加工品質と生産性とを両立させることが可能となり、良好なレーザ加工を行うことができる。
【0060】
実施の形態2.
つぎに、本発明の実施の形態2を図14に基づいて説明する。まず、上記実施の形態1において、「モードB」の高エネルギー化で説明したように、1パルス当たりのエネルギーの最大値は、銅箔へのダメージを考慮して決定される。この考慮すべきダメージとは、銅箔の厚みとランド径から求まる熱容量と加工する面の銅箔の表面状態から求まるレーザ光の吸収率によって決定される。
【0061】
そして、絶縁層としてのガラスエポキシ樹脂をレーザ加工する場合は、前述したように樹脂単体(例えばエポキシ)を使用した絶縁層を加工する場合と比べると、高エネルギーが必要となり、銅箔にダメージが発生しやすくなる。また、その際に、「モードA」を用いてレーザ加工を行う場合は、連続的にパルスが照射されるため、冷却効果が低く、さらに銅箔にダメージが発生しやすくなる。
【0062】
そこで、図14には、「モードC」においてパルス幅やピーク出力を変えたことによる効果が示されている。図14では、4分割された「モードC」の各分割モードの「モードAn1」〜「モードAn4」のうち、「モードAn2」〜「モードAn4」の1パルス当たりのパルス幅、ピーク出力を「モードAn1」の場合と変えたことにより(1パルス当たりのエネルギーは一定とする)、図8と同様に3つの領域についての結果が示されている。
【0063】
図14において、領域Iは穴底部に樹脂が残っている領域であり、領域IIは良好な品質の加工結果が得られる領域である。なお、領域IIIは外層銅箔にダメージが生じたものであるが、ここでは図中に表れていない。図14に示されるように、「モードAn3」を短パルス、高ピーク化することにより、少ない分割数で高品質な加工が可能であることがわかる。ただし、短パルス、高ピーク化するほど、加工点における温度が上昇するため、銅箔のダメージが発生したり、プラズマが発生して除去能力が低下するため、被加工物の種類や加工品質状況に応じて適宜適正値を選択する必要がある。
【0064】
以上説明したように、本実施の形態2によると、「モードC」を用いてレーザ加工する際に、複数に分割した加工段階の途中で、1パルス当たりのパルス幅やピーク出力を変更することで、レーザビームと被加工物の材料との相互作用時間を適宜制御することが可能なため、加工品質の安定と生産性の向上とを調節することで、良好なレーザ加工を施すことができる。
【0065】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明に係るレーザ加工方法によれば、プリント基板の穴開け加工を高品質かつ生産性良く行うことができる。
【0066】
つぎの発明に係るレーザ加工方法によれば、レーザビームと加工対象の材料との相互作用時間とエッチングレートとを適正に制御することが可能となり、加工品質の安定とともに、生産性を向上させることができる。
つぎの発明に係るレーザ加工方法によれば、ガルバノミラーを用いたガルバノスキャン方式を採用することで、レーザビームの移動と位置決め時間が短くできることから、生産性をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 「モードA」の加工方法を説明する概念図である。
【図2】 「モードB」の加工方法を説明する概念図である。
【図3】 「モードA」で加工した場合の加工穴の穴底の状態を示す図である。
【図4】 「モードA」で加工した場合の加工穴の穴表面の状態を示す図である。
【図5】 「モードB」で加工した場合の加工穴の穴底の状態を示す図である。
【図6】 「モードB」で加工した場合の加工穴の穴表面の状態を示す図である。
【図7】 「モードA」を用いて発振周波数を低くして加工した場合の結果を示す図である。
【図8】 「モードB」を用いてパルスのエネルギーを高くした場合の結果を示す図である。
【図9】 図8に示される領域IIIにおける銅箔へのダメージの外観を示した図である。
【図10】 実施の形態1に係るレーザ加工方法の概念図である。
【図11】 「モードC」で加工した場合の加工穴の穴底の状態を示す図である。
【図12】 「モードC」で加工した場合の加工穴の穴表面の状態を示す図である。
【図13】 「モードA」と「モードB」と「モードC」における熱影響層の量について示した
図である。
【図14】 「モードC」においてパルス幅やピーク出力を変えたことによる効果を示す図である。
【図15】 プリント基板に対してレーザビームを用いてバイアホールを加工した断面図である。
【図16】 「モードA」と「モードB」の各発振周波数に対してパルス数と加工時間との関係を示した線図である。
【符号の説明】
10 レーザビーム、12 1パルス照射穴、14 レーザ照射予定位置、16 Nパルスレーザ照射穴、18 n1パルスレーザ照射穴、20 (n1+n2)パルスレーザ照射穴。
Claims (3)
- プリント基板のそれぞれの穴加工位置に総パルス数(N)のレーザを照射して複数(M)個の穴を加工するレーザ加工方法であって、
第1ステップでは、予め定めた発振周波数を使い、最初の穴の位置で前記総パルス数(N)をn分割した(nは2以上であり、総パルス数Nより小さい整数)パルス数(n1)のレーザを照射し、続いて、レーザ加工する他の全ての穴加工位置においてパルス数(n1)のレーザを順次照射し、
さらなるステップでは、全ての穴加工位置へ総パルス数(N)をn分割したパルス数(n2、・・・、nn)のレーザを第nステップまでそれぞれ繰り返し照射し、
それぞれのステップで照射した全てのパルス数の合計(n1+n2+・・・+nn)が前記総パルス数(N)と等しくなるようにレーザを照射して穴加工を行うことを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記穴を加工する複数の工程の途中で、レーザビームのパルス幅および/またはピーク出力を変更することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。
- 所定のパルス数のレーザをそれぞれの穴加工位置に順次照射する際に、ガルバノミラーを用いてレーザをスキャンさせることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25820697A JP3691221B2 (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | レーザ加工方法 |
TW086118387A TW447228B (en) | 1997-09-24 | 1997-12-06 | Laser machining method |
US08/996,817 US5939010A (en) | 1997-09-24 | 1997-12-23 | Laser machining method |
DE19802127A DE19802127C1 (de) | 1997-09-24 | 1998-01-21 | Laserbearbeitungsverfahren |
KR1019980006149A KR100265578B1 (ko) | 1997-09-24 | 1998-02-26 | 레이저 가공방법 |
CN98106323A CN1121924C (zh) | 1997-09-24 | 1998-03-31 | 激光加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25820697A JP3691221B2 (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | レーザ加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1197821A JPH1197821A (ja) | 1999-04-09 |
JP3691221B2 true JP3691221B2 (ja) | 2005-09-07 |
Family
ID=17316994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25820697A Expired - Lifetime JP3691221B2 (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | レーザ加工方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5939010A (ja) |
JP (1) | JP3691221B2 (ja) |
KR (1) | KR100265578B1 (ja) |
CN (1) | CN1121924C (ja) |
DE (1) | DE19802127C1 (ja) |
TW (1) | TW447228B (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11145581A (ja) * | 1997-11-10 | 1999-05-28 | Hitachi Seiko Ltd | プリント基板の穴明け方法および装置 |
JPH11240730A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-07 | Nec Kansai Ltd | 脆性材料の割断方法 |
TWI223581B (en) * | 1999-04-02 | 2004-11-01 | Murata Manufacturing Co | Method for machining ceramic green sheet and apparatus for machining the same |
TW482705B (en) * | 1999-05-28 | 2002-04-11 | Electro Scient Ind Inc | Beam shaping and projection imaging with solid state UV Gaussian beam to form blind vias |
JP2001105164A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ穴あけ加工方法及び加工装置 |
JP4774146B2 (ja) * | 1999-12-23 | 2011-09-14 | パナソニック株式会社 | レーザを用いて波長より小さなピッチで穴を開けるための方法および装置 |
JP4520567B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2010-08-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
US6903187B1 (en) * | 2000-07-21 | 2005-06-07 | Allergan, Inc. | Leucine-based motif and clostridial neurotoxins |
JP4683736B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2011-05-18 | 京セラ株式会社 | 穿孔方法 |
JP4780881B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2011-09-28 | 京セラ株式会社 | プリプレグシートのレーザによる穿孔方法 |
DE10209617C1 (de) * | 2002-03-05 | 2003-08-07 | Siemens Ag | Laserbeschriftungsverfahren |
JP3999999B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2007-10-31 | 新日本製鐵株式会社 | レーザ表面加工装置 |
DE10249868B3 (de) * | 2002-10-25 | 2004-04-29 | Siemens Ag | Verfahren zum Bohren von Löchern in einem aus Polymermaterial mit Glasfaserverstärkung gebildeten Substrat |
JP2005021917A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂層への穴あけ方法 |
JP2005095959A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
EP2168711A3 (de) * | 2003-10-06 | 2012-01-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Lochs |
EP2230041B1 (de) * | 2003-10-06 | 2016-02-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Lochs |
EP3047935A1 (de) * | 2003-10-06 | 2016-07-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung eines lochs |
US8237082B2 (en) * | 2004-09-02 | 2012-08-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing a hole |
EP1810774A1 (de) * | 2006-01-24 | 2007-07-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Loches |
EP1681128A1 (de) | 2005-01-14 | 2006-07-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Lochs und Vorrichtung |
CN1939644B (zh) * | 2005-09-30 | 2012-10-17 | 日立比亚机械股份有限公司 | 激光加工方法以及激光加工装置 |
EP1806203A1 (de) | 2006-01-10 | 2007-07-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Lochs |
KR100729966B1 (ko) | 2006-03-21 | 2007-06-19 | 케이 이엔지(주) | 레이저를 이용한 유리의 홀 가공방법 |
JP5659020B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2015-01-28 | オルボテック リミテッド | 多重ビーム穿孔システム |
GB2467130B (en) * | 2009-01-22 | 2012-11-28 | Cav Advanced Technologies Ltd | Method for perforating material |
DE102013104138B3 (de) * | 2013-04-24 | 2014-03-06 | Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh | Verfahren zur Einbringung einer Schwächungslinie durch Materialabtrag an einem fasrigen Überzugmaterial, insbesondere einem natürlichen Leder |
CN104646835B (zh) * | 2014-12-25 | 2016-10-05 | 深圳光韵达光电科技股份有限公司 | 一种柔性薄膜磁体的激光切割方法及系统 |
JP6711229B2 (ja) | 2016-09-30 | 2020-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | プリント基板の製造方法及び発光装置の製造方法 |
CN106338337A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-01-18 | 盐城工学院 | 一种激光打孔中在线监测打孔质量的装置及其监测方法 |
KR102260931B1 (ko) * | 2017-05-15 | 2021-06-04 | 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 | 레이저 유도 디프 반응성 에칭을 이용해 기판을 가공하기 위한, 특히 분리하기 위한 방법 |
KR20190041306A (ko) * | 2017-10-12 | 2019-04-22 | 주식회사 엘지화학 | 이종 소재 접합체의 제조방법 |
JP6769424B2 (ja) * | 2017-11-13 | 2020-10-14 | 株式会社安川電機 | レーザ加工方法、コントローラおよびロボットシステム |
CN110340520A (zh) * | 2019-06-27 | 2019-10-18 | 武汉铱科赛科技有限公司 | 一种脉冲错位激光加工方法、装置和系统 |
CN111482697A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-08-04 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种水口切割系统及切割方法 |
CN113751878A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-12-07 | 广东工业大学 | 一种覆盖膜开口图案加工方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3594261A (en) * | 1968-11-22 | 1971-07-20 | Phillips Petroleum Co | Nonwoven fabric and method of manufacturing same by perforating a thermoplastic sheet with a laser beam |
CH532993A (de) * | 1971-03-29 | 1972-08-15 | Inst Angewandte Physik | Verfahren zum Bohren von Uhrensteinen mittels Laserstrahlen und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
US3790744A (en) * | 1971-07-19 | 1974-02-05 | American Can Co | Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate |
US5037183A (en) * | 1989-02-22 | 1991-08-06 | United Technologies Corporation | Laser drilling |
US5843363A (en) * | 1995-03-31 | 1998-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Ablation patterning of multi-layered structures |
US5688463A (en) * | 1995-06-12 | 1997-11-18 | Combibloc, Inc. | Laser processing of discrete sheets of material |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP25820697A patent/JP3691221B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-06 TW TW086118387A patent/TW447228B/zh active
- 1997-12-23 US US08/996,817 patent/US5939010A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-21 DE DE19802127A patent/DE19802127C1/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-26 KR KR1019980006149A patent/KR100265578B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-31 CN CN98106323A patent/CN1121924C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1212195A (zh) | 1999-03-31 |
TW447228B (en) | 2001-07-21 |
US5939010A (en) | 1999-08-17 |
CN1121924C (zh) | 2003-09-24 |
KR19990029118A (ko) | 1999-04-26 |
DE19802127C1 (de) | 1999-04-15 |
KR100265578B1 (ko) | 2000-09-15 |
JPH1197821A (ja) | 1999-04-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040713 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050615 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080624 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090624 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100624 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100624 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110624 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120624 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130624 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |