JP2004322106A - レーザ加工方法およびレーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工方法およびレーザ加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004322106A JP2004322106A JP2003116166A JP2003116166A JP2004322106A JP 2004322106 A JP2004322106 A JP 2004322106A JP 2003116166 A JP2003116166 A JP 2003116166A JP 2003116166 A JP2003116166 A JP 2003116166A JP 2004322106 A JP2004322106 A JP 2004322106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiated
- laser beam
- region
- irradiation
- pulse laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
【課題】コンフォーマル基板に多数個のビアホールを効率的に形成できるとともに、高品質なビアホールを形成できるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】穴開け加工すべき点について表面の被覆層が除去された開口を有するコンフォーマル基板に、パルスレーザビームで穴を形成する。パルスレーザビームの1ショットで照射される被照射領域は、開口を複数個含む大きさであり、相互に連続するショットの2つの被照射領域が相互に重ならないように、かつ、1つの開口に少なくとも2ショットのパルスレーザビームが入射するように、被照射領域を被加工面内で移動させる。
【選択図】 図2
【解決手段】穴開け加工すべき点について表面の被覆層が除去された開口を有するコンフォーマル基板に、パルスレーザビームで穴を形成する。パルスレーザビームの1ショットで照射される被照射領域は、開口を複数個含む大きさであり、相互に連続するショットの2つの被照射領域が相互に重ならないように、かつ、1つの開口に少なくとも2ショットのパルスレーザビームが入射するように、被照射領域を被加工面内で移動させる。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザ加工方法およびレーザ加工装置に関し、特にコンフォーマル基板に穴開け加工するためのレーザ加工方法およびレーザ加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
多層配線基板にビアホールを形成するために、レーザが用いられている。例えば炭酸ガス(CO2)レーザ発振器から放射された赤外線パルスレーザビームを、多層配線基板の樹脂層に照射する。レーザビームが照射された部分の有機物は熱分解、除去される。その位置に穴を開けることができる。
【0003】
基板上に形成するビアホールの個数は、数万個以上に上ることがある。そのため、1穴ずつビアホールを形成する方法よりも、一度に多数個のビアホールを形成できる方法が望ましい。
【0004】
例えば特許文献1には、以下に説明するように、表面に銅箔が積層されたコンフォーマル基板に対して、レーザビームを用い、一度に多数個のビアホールを形成する技術が開示されている。
【0005】
ビアホールを形成する部分の銅箔をエッチング等で除去し、銅箔の下の樹脂層を露出させたコンフォーマル基板を準備する。当該基板をXYステージ上に載置し、コンフォーマル基板の表面におけるビーム断面が長方形に整形されたCO2レーザ等のレーザビームを照射する。基板表面の銅箔がマスクとして機能し、ビアホール形成部の樹脂層のみを熱分解、除去できる。長方形のビーム断面内に位置する複数のビアホール形成部に同時にレーザビームが照射され、穴開け加工ができる。XYステージを、レーザビーム断面の長方形の短辺方向および長辺方向に適宜動かし、ビームの被照射領域を移動させながら穴開け加工ができる。多数個のビアホールを高速に形成できる。
【0006】
また、特許文献2には、レーザ発振器からのレーザビームを反射ミラー等を含む光学経路を経由させてX−Yスキャナあるいはガルバノスキャナと呼ばれるスキャン光学系に導き、このスキャン光学系によりレーザビームを振らせて、そのレーザビームをfθレンズと呼ばれる加工レンズを通して多層プリント配線基板の穴を形成すべき被加工点の1つずつに照射することにより、樹脂層に穴開けを行うレーザ加工装置が開示されている。コンフォーマル基板にビアホールを形成する加工では、特許文献2に記載されたようなレーザ加工装置も従来広く用いられている。
【0007】
【特許文献1】特開平9−29473号公報
【特許文献2】特開平10−58178号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ビアホール形成部に対し短時間に集中してレーザビーム照射を行うと、蓄熱の影響により、形成されるビアホールの内壁形状は樽状となってしまう。ビアホール形成の後工程において、ビアホールの底面に露出した内層銅配線層との導通を取るために、ビアホールの内壁には銅めっきが施されるが、ビアホールが樽状となるとこのめっきの密着性が低下する等の弊害が生じる。
【0009】
また、特許文献2に開示されているような、ガルバノスキャナとfθレンズとを組み合わせたレーザ加工装置は、fθレンズが高価なため、装置が高価なものとなる。低コストで作製できるレーザ加工装置が望まれる。
【0010】
本発明の目的は、コンフォーマル基板に多数個のビアホールを効率的に形成できるとともに、高品質なビアホールを形成できるレーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供することである。
【0011】
本発明の他の目的は、低コストで作製できるレーザ加工装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、第1の材料で形成された層と、該層の表面上に形成され、該第1の材料よりもレーザ照射によって除去されにくい第2の材料で形成され、複数の開口を有する被覆膜とを含む加工対象物の表面に、パルスレーザビームを照射し、該複数の開口の底面に露出した該層に穴を形成するレーザ加工方法において、前記パルスレーザビームの1ショットで照射される被照射領域は、前記被覆膜に形成された開口を複数個含む大きさであり、連続する2つのショットで照射される2つの被照射領域が相互に重ならないように、かつ、1つの開口に少なくとも2ショットのパルスレーザビームが入射するように、被照射領域を前記加工対象物の表面内で移動させることを特徴とするレーザ加工方法が提供される。
【0013】
本発明の他の観点によれば、第1の材料で形成された層と、該層の表面上に形成され、該第1の材料よりもレーザ照射によって除去されにくい第2の材料で形成され、複数の開口を有する被覆膜とを含む加工対象物の表面に、パルスレーザビームを照射し、該複数の開口の底面に露出した該層に穴を形成するレーザ加工方法において、前記パルスレーザビームの1ショットで照射される被照射領域は、前記被覆膜に形成された開口を複数個含む大きさであり、連続する2つのショットで照射される2つの被照射領域が相互に重ならないようにして、前記パルスレーザビームの被照射領域を前記加工対象物の表面内の第1の方向に移動させながら、複数ショットの照射を行う第1の走査工程を行い、前記第1の走査工程の各ショットで照射された領域を、前記第1の方向に、部分的に重なるようにずらした領域に、パルスレーザビームが入射するように、複数ショットの照射を行う第2の走査工程を行うことを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
【0014】
ビアホールを形成すべき複数の開口に対して同時にパルスレーザビームを照射するので、時間効率を高めて穴開け加工できる。また、同一の開口には相互に連続したショットのパルスレーザビームが照射されず、1つの開口の底面に穴を開けるのに必要な複数回のショットが、時間間隔を開けて照射される。これにより、蓄熱の影響が低減され、形成されるビアホールの形状が樽状になる等の不具合を抑制できる。高品質なビアホールを形成できる。
【0015】
本発明の他の観点によれば、加工対象物を保持するステージと、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射したパルスレーザビームの断面形状を整形するビーム整形器と、前記ビーム整形器から出射したパルスレーザビームを前記ステージに保持された加工対象物の表面に集光させる加工レンズと、前記加工レンズから出射したパルスレーザビームの進行方向を振り、前記ステージに保持された加工対象物の表面にパルスレーザビームを入射させる移動機構と、前記移動機構から出射したパルスレーザビームが、入射角8度以内で加工対象物の表面に入射するように、前記移動機構を制御して、パルスレーザビームの進行方向を振らせる制御装置とを有するレーザ加工装置が提供される。
【0016】
加工レンズに、シリンドリカルレンズ等の安価なレンズを用いることができるため、低コストで作製できるレーザ加工装置となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1(A)に、本発明の実施例によるレーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源1が、パルスレーザビームplを出射する。レーザ光源1は、CO2レーザ発振器であり、TEA(Transversely Excited Atmospheric Pressure)モードのCO2レーザ発振器や、RF−CO2レーザ発振器を用いることができる。1パルス当たりのエネルギは例えば1.0Jとする。
【0018】
パルスレーザビームplは、ビーム整形器2に入射する。ビーム整形器2は、レーザビームの断面形状を整形する。ビーム整形器2を通過したレーザビームは、シリンドリカルレンズ等の集光レンズ3に入射し収束する。
【0019】
集光レンズ3を通過したレーザビームは、折り返しミラー4で反射されガルバノスキャナ5に入射する。ガルバノスキャナ5は、レーザビームの進行方向を1次元の方向(図1(A)においてはX軸の方向)に振ることができる。なお、ガルバノスキャナ5は、レーザビームの進行方向を特定の一次元方向(X軸方向)に限らず、二次元平面内(図のXY平面内)に振れるものであってよい。
【0020】
ガルバノスキャナ5を通過したパルスレーザビームplは、加工対象物6の表面である被加工面に集光される。被加工面は、図のXY平面と平行である。
【0021】
ガルバノスキャナ5がレーザビームの進行方向をX軸方向に振ることにより、被加工面をX軸方向に走査しながらレーザビームを照射できる。被加工面におけるビーム断面の形状は、例えばX軸方向の長さ0.5mm、Y軸方向の長さ10mmの長尺とする。またレーザビームの1パルスあたりのエネルギ密度は、被加工面において、例えば10J/cm2とする。
【0022】
図1(B)は、加工対象物6の構成を概略的に示す断面図である。加工対象物6は、コンフォーマル基板と呼ばれるものであって、ポリイミド樹脂、ガラスクロス入りエポキシ樹脂等からなる絶縁基板11中に、銅等からなる内層配線層12が埋設されており、絶縁基板11の表面上に銅箔からなる被覆膜13が形成されている。被覆膜13の一部がケミカルエッチング等により除去され、開口14が形成されている。開口14の底面に、絶縁基板11の表面が露出している。開口14の底面に露出した樹脂を除去して内層配線層12を露出させ、ビアホールを形成する。
【0023】
図1(A)のガルバノスキャナ5を通過したパルスレーザビームplが、加工対象物6の被加工面に照射される。CO2レーザは銅にほとんど吸収されないため、被覆膜13上に照射されたレーザビームは反射する。一方、開口14に入射したレーザビームは、露出している樹脂を熱分解し除去する。内層配線層12の表面が露出するまで掘り進み、ビアホールを形成できる。このように被覆膜13がマスクとして機能することにより、被加工面の開口14の底に選択的にビアホールを形成できる。
【0024】
また、複数の開口14を同時に照射できる長尺のビームを用いることにより、複数のビアホールを効率的に形成することができる。
【0025】
ビアホールの形成には、複数回のパルスレーザビームの照射が必要となる。例えば被加工面でのパルスエネルギ密度10J/cm2でパルスレーザビームを照射して、絶縁基板11を60μm掘って内層配線層12を露出させるとき、絶縁基板11がポリイミド樹脂からなる場合であれば、3ショット程度の照射を要する。また、絶縁基板11がガラスクロス入りエポキシ樹脂からなる場合であれば、5ショット程度の照射を要する。
【0026】
パルスレーザビーム照射に伴い、開口14の近傍には熱が蓄積される。短い時間間隔で複数ショットのパルスレーザビームを入射させてビアホールを形成すると、蓄熱の影響によりビアホールの形状は樽状となる。ビアホールの品質が低下する。
【0027】
図1(A)に戻って、説明を続ける。ガルバノスキャナの振り角を、被加工面に垂直に入射するレーザビームの向きと、ガルバノスキャナ5を出射したレーザビームが進む向きとのなす角と定める。なお、被加工面に垂直に入射するレーザビームの向きは、被加工面の、加工対象物6の内側を向く法線の向きと一致する。振り角の符号は、レーザビームがX軸正方向に向かって振られる場合を正と定める。振り角ゼロのとき、レーザビームは被加工面に対し垂直に(Z軸正方向から)入射する。なお、この振り角の大きさは、被加工面に入射するレーザビームの入射角に一致する。
【0028】
レーザビームが、ゼロではない入射角で被加工面に入射すると、形成されるビアホールは斜めに傾く。ビアホールの傾きがある程度以上大きくなると、ビアホール内壁へのめっきの密着性が低下する等、品質の低下を招く。したがって、ガルバノスキャナの振り角の大きさは微小に抑える必要がある。
【0029】
ビアホールの品質を確保するために、ガルバノスキャナの振り角の大きさ(被加工面に入射するレーザビームの入射角)は、好ましくは約8°以下に抑える。さらに好ましくは約5°以下に抑える。以下、振り角(入射角)は微小であるとして説明を続ける。
【0030】
図1(A)に示したレーザ加工装置では、被加工面に垂直に近い角度でレーザビームを照射し、かつ、ガルバノスキャナでレーザビームを振ってレーザを照射できる範囲を広くするために、ガルバノスキャナと被加工面との距離を長くする。
【0031】
例えば、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離を300mm程度に設定することにより、±約5°の振り角で、被加工面のX軸方向50mmに亘る領域を走査できる。
【0032】
なお、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離を300mmよりもさらに長くすれば、±約5°よりも小さい振り角で、被加工面のX軸方向50mmに亘る領域を走査することができる。同じ広さの領域を、ガルバノスキャナをより小さい振り角で振って走査すれば、加工速度の向上が期待される。
【0033】
また、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離を300mmよりもさらに長くすれば、±約5°の振り角で、被加工面のX軸方向50mm以上に亘る領域を走査することもできる。
【0034】
図1(A)に示すレーザ加工装置は、加工レンズである集光レンズ3に、安価なレンズ(例えば、シリンドリカルレンズ)を用いることができ、低コストで作製することができる。
【0035】
集光レンズ3の焦点距離は、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離よりも長くすることが好ましい。例えば、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離を300mmに設定したとき、集光レンズ3として、焦点距離が400mmのものを用いる。
【0036】
なお、従来広く用いられている、ガルバノスキャナで振られたレーザビームをfθレンズで集光させて1穴ずつの穴開け加工を行うレーザ加工装置においては、通常、例えば、fθレンズは焦点距離が約100mmのものが用いられ、ガルバノスキャナの走査でレーザビームを照射できる被加工面の領域は50mm角程度の正方形に設定され、ガルバノスキャナの振り角は±10°程度である。fθレンズは高価であるため、このようなレーザ加工装置は高価なものとなる。
【0037】
さて、加工対象物6はXYステージ7の上に載置されている。XYステージ7は、加工対象物6を被加工面に平行な二次元平面内(図のXY平面内)で移動させることができる。XYステージ7で加工対象物6を移動させることにより、ガルバノスキャナ5が走査できる領域よりも広い範囲に亘り、被加工面へレーザを照射してビアホールを形成できる。
【0038】
制御装置8により、レーザ光源1を制御し、所望のタイミング、パルスエネルギでパルスレーザビームを出射させることができる。パルスエネルギを変化させることにより、被加工面に照射されるレーザビームのパルスエネルギ密度を変えることができる。また、制御装置8により、ガルバノスキャナ5を制御し、所望のタイミングで所望の振り角となるように動作させることができる。
【0039】
次に、本発明の第1の実施例によるレーザ加工方法について説明する。本実施例では、被加工面のある領域にビアホールを形成するために、3回のガルバノスキャナの走査を行う。
【0040】
図2(A)の上段、中段、下段に示す図はそれぞれ、図1(A)に示す加工対象物6の被加工面のガルバノスキャナ直下の領域を、図1(A)に示すZ軸の正方向(ガルバノスキャナ5側)から見た平面図である。上段、中段、下段の図はそれぞれ、ガルバノスキャナの走査の1回目、2回目、3回目に対応している。ガルバノスキャナによる走査によって走査領域20内がレーザビームで照射される。走査領域20は、図のX軸方向、Y軸方向に平行な辺を持つ矩形の領域である。走査領域20内に多数存在する開口14に、所望の深さの穴を掘り、ビアホールを形成する。走査領域20内に示す矩形S11、S12等はそれぞれ、レーザビームの1ショットで照射される領域を表わす。
【0041】
ガルバノスキャナの1回の走査では、振り角を初期値−θ°から最終値θ°(θは正の値)まで段階的に増加させ、各振り角において1ショットのレーザビームを照射する。1回の走査でM個の領域が照射される。この工程を繰り返し、同一の走査領域20を3回走査する。なお、図2(A)中の矢印は、1〜3回目の走査で照射される照射領域の移動方向を示している。
【0042】
本実施例において、走査領域20に照射される各ショットのビームの断面形状は矩形状に整形されている。ビーム断面内の強度はほぼ均一であるとみなせるものとする。各ショットのビーム断面は、どれも同一の大きさ、形状であるとみなす。ビーム断面の短辺、長辺はそれぞれ図に示すX軸、Y軸と平行とする。被加工面におけるパルスエネルギ密度は、すべてのショットにおいて一定とし、3回の照射でビアホールを形成できるような大きさとする。
【0043】
まず、1回目の走査において、振り角の初期値−θ°で最初の照射領域S11を照射する。照射領域S11内に存在する複数の開口14の底面に露出した絶縁基板11にレーザ照射を行うことができる。
【0044】
次いで振り角を所定量増加させ、照射領域S12を照射する。照射領域S12は、前回のショットにおける照射領域S11と接する。照射領域S12内に存在する複数の開口14の底面に露出した絶縁基板11にレーザ照射を行うことができる。
【0045】
以後同様に、次のショットの照射領域が前のショットの照射領域と接するようにガルバノスキャナの振り角を段階的に変化させながら、パルスレーザの照射を繰り返す。ガルバノスキャナの振り角が+θ°に到達すると、1回目の走査の最後の照射領域S1Mが照射される。なお、照射領域S12〜S1Mの間にある他の照射領域、開口の図示は省略している。
【0046】
このように1回目の走査で、走査領域20内のすべての開口14に1回のレーザ照射を行うことができる。すべての開口に対し、所望の深さの約1/3まで穴を掘ることができる。
【0047】
次に、ガルバノスキャナの振り角を初期の−θ°に戻した後、2回目の走査を開始する。ここで、振り角を+θ°から−θ°まで戻す動作は高速で行うことができる。ガルバノスキャナが例えば500Hzで応答する場合、2msで戻すことができる。なお、XYステージを用いて例えば50mmの領域を移動させる場合には、少なくとも数百msを要する。
【0048】
2回目の走査においても1回目の走査と同様の手順で、振り角を−θ°から+θ°まで増加させながらパルスレーザ照射を繰り返す。2回目の走査において順次照射される照射領域S21〜S2Mはそれぞれ、1回目の走査で照射された照射領域S11〜S1Mに一致する。2回目の走査が終了すると、各穴に対する2回目のレーザ照射が終了する。走査領域20内のすべての開口14に対し、所望の深さの約2/3まで穴を掘ることができる。
【0049】
2回目の走査が終了した後、再びガルバノスキャナの振り角を初期の−θ°に戻し、1、2回目と同様の手順で3回目の走査を行う。3回目の走査において順次照射される照射領域S31〜S3Mはそれぞれ、2回目の走査で照射された照射領域S21〜S2Mに一致する。3回目の走査が終了すると、走査領域20内のすべての開口14に対し、所望の深さのビアホールが形成される。
【0050】
1ショットのビームで照射される領域を、複数の開口に同時に照射できる形状および大きさとすることにより、多数個のビアホールを効率的に形成できる。
【0051】
さて、上記工程において、ある開口14に照射される2回目のパルスレーザは、当該開口14に1回目の照射が行われた後、ガルバノスキャナの走査1回分に相当する待ち時間を経て照射される。3回目の照射も同様に、2回目の照射から走査1回分の時間を経て照射される。この待ち時間の間に、前回のパルスレーザ照射に伴い開口に蓄積された熱が拡散する。このように、連続して同一開口に照射される複数回のパルスレーザ照射の間に待ち時間を設けることで、各回のレーザ照射に伴う蓄熱の影響を低減させてビアホールを形成できる。ビアホールの内壁形状が樽状となることを抑制できる。
【0052】
なお、振り角を−θ°から+θ°まで増加させたが、振り角の変化のさせ方はこの順序に限らない。例えば、初期値を0°として+θ°まで増加させながらレーザを照射し、+θ°に到達したらレーザ照射を止め−θ°まで移動させ、再び−θ°から0°まで増加させながらレーザを照射する順序で、1回分のパルスレーザ照射を行ってもよい。
【0053】
上述の実施例では、ガルバノスキャナの振り角を段階的に(離散的に)変化させたが、例えば以下に説明するような方法で、振り角を連続的に変化させて、穴開け加工を実施してもよい。ここで、レーザ光源から出射されるレーザビームのパルスの繰返し周波数が一定である場合を説明する。
【0054】
βを正の値とする。一回の走査において、ガルバノスキャナの振り角を、−θ−β°から+θ+β°まで連続的に増加させる。
【0055】
まず、振り角を−θ−β°から−θ°まで振る間に、ガルバノスキャナの振り角の角速度をゼロから所定の値ωまで加速させる。この間は、レーザビームをレーザ光源から出射させない。
【0056】
次に、等角速度ωで、振り角を−θ°から+θ°まで振りながら、レーザビームをレーザ光源から出射させる。図2(A)の走査領域20内に、レーザが照射される。なお、θは微小であるため、走査領域20内は、等速度で走査されると考えてよい。パルスレーザビームの繰返し周波数が一定であるので、各ショットはほぼ等しい中心間隔で走査領域20内に照射される。
【0057】
角速度ωは、連続する2つのショットで照射される被加工面の領域が、互いに接するように定める。この角速度ωで振り角を増加させていくことにより、被加工面に均一なエネルギ密度でレーザビームが照射される。なお、角速度がωよりも大きくなれば、連続する2つのショットで照射される被加工面の領域は、互いに離れて接しなくなる。角速度がωよりも小さくなれば、連続する2つのショットで照射される被加工面の領域は、互いに重なり合う。
【0058】
その後、振り角を+θ°から+θ+β°まで振る間に、角速度をωからゼロまで減速させる。この間は、レーザビームをレーザ光源から出射させない。
【0059】
このようにして、走査領域20内全体に、均一なエネルギ密度でレーザビームを照射して、ほぼ均一な深さの穴を形成することができる。
【0060】
ガルバノスキャナの動作の立ち上がり時および立ち下がり時は、短い時間ではあるが、角速度を一定にできない。そこで、等角速度で振り角を−θ°から+θ°まで振る前後に、振り角をβだけ余分に振っている。このβは、例えば0.1°程度の小さな値に設定できる。
【0061】
振り角を−θ°から+θ°まで振る間の角速度は、等角速度とせず、被加工面のビーム照射領域が厳密に等速度で移動するような角速度となるように調節してもよい。
【0062】
なお、被加工面のビーム照射領域の移動速度を一定にすることは、ガルバノスキャナを用いて行う方が、XYステージを用いて行うよりも効率的にできる。XYステージを用いて行う場合には、XYステージを一定速度で移動させる必要がある。しかし、XYステージは重く、加減速に時間がかかるため、等速運動する時間の割合を大きくできない。また、上述したように、ガルバノスキャナの動作は、XYステージの動作に比べれば高速であるため、ビーム照射領域の移動速度は、ガルバノスキャナを用いる場合の方が、XYステージを用いる場合に比べて高速にできる。
【0063】
上述の実施例では3回の走査を行ったが、走査回数は3回に限らない。走査回数は、加工対象物の構成素材、照射するパルスレーザのエネルギ密度等に応じて適宜定めればよい。
【0064】
なお、以上説明した工程でビアホールが形成されるのは、ガルバノスキャナが走査する被加工面の一部に限られるが、XYステージで加工対象物を適宜移動させ、上記の工程を繰り返し実施することにより、より広い領域に対してもビアホールを形成できる。
【0065】
図2(B)に一例を示す。走査領域20−1のビアホール形成が終了したら、XYステージをX軸負方向に移動させることにより、走査領域20−1に接する走査領域20−2に対してビアホールを形成できる。
【0066】
ここで、走査領域20−1に対して振り角を−θ°から+θ°まで増加させてレーザ照射を行った場合、走査領域20−2に対しては、再び振り角を−θ°から+θ°まで増加させてレーザを照射してもよいが、+θから°−θ°まで減少させてレーザを照射してもよい。このとき、走査領域20−1での振り角の最終値+θ°が走査領域20−2での初期値となるため、走査領域20−2の加工開始時に振り角を戻す工程が省略される。
【0067】
あるいは、走査領域20−1、20−2両方に対して、振り角を0°から+θ°まで増加させ、次に−θ°から0°まで増加させながらレーザ照射を行ってもよい。走査領域20−1の最終の振り角と走査領域20−2の初期の振り角がともに0°となるため、走査領域20−2の加工開始時に振り角を設定する工程が省略される。
【0068】
以後順次XYステージをX軸負方向に移動させていき、走査領域20−3、20−4のビアホール形成を行うことができる。加工すべき領域の右端である20−4に達したら、次にXYステージをY軸正方向に移動させ、走査領域20−5にビアホールを形成できる。このようにして、被加工面の任意の領域に対してビアホールを形成できる。
【0069】
さて、第1の実施例によるレーザ加工方法で用いたレーザビームの、被加工面におけるパルスエネルギ密度は、矩形内では均一、矩形外ではゼロであるものとした。しかし、1ショットのビームで照射される領域内のパルスエネルギ密度を均一にすることは容易ではない。パルスエネルギ密度がビームの中央部で高く、周辺部で低くなる分布を持ったビームを用いることも実際には多い。
【0070】
このようなビームを用いた場合、ビームの中央部に形成される穴が最も深く、ビームの周辺部に向かうにしたがい、形成される穴は浅くなるであろう。第1の実施例の方法によりビアホールを形成すると、各ビーム照射領域の中央と周辺とでビアホールの深さが不均一となってしまうことが考えられる。
【0071】
次に、1ショットのビームで照射される領域のパルスエネルギ密度の不均一性を考慮した、第2の実施例によるレーザ加工方法について説明する。本実施例においても、3回のガルバノスキャナの走査によりビアホールを形成する場合を説明する。各回の走査において、振り角を段階的に増加させながらM回のパルスレーザ照射を行うことは第1の実施例と同様であるが、本実施例では各回に走査される領域を少しずつずらしていくことにより、被加工面に照射されるエネルギ密度の均一化を図り、形成されるビアホールの深さの均一化を図る。
【0072】
第2の実施例においても、各ショットで照射されるビーム照射領域は矩形状である。ビーム照射領域の短辺方向のパルスエネルギ密度分布がガウス分布型であるとする。ビーム照射領域の短辺方向の幅は、1パルスで照射されるエネルギ密度が絶縁基板11を加工できる閾値以上となる領域の幅wで定める。長辺方向のエネルギ密度分布は、ビーム照射領域内では均一、ビーム照射領域外ではゼロとみなせるものとする。どのビーム照射領域も同一の大きさ、形状であり、また同一のパルスエネルギ密度分布を持っているとみなす。ビーム照射領域の短辺、長辺はそれぞれ図1(A)に示すX軸、Y軸と平行とする。
【0073】
図3(A)の上段、中段、下段に示す図はそれぞれ、図2(A)と同様、図1(A)に示す加工対象物6の被加工面のガルバノスキャナ直下の領域を、図1(A)に示すZ軸の正方向(ガルバノスキャナ5側)から見た平面図である。ガルバノスキャナが1回目、2回目、3回目に走査する領域をそれぞれ、上段の走査領域20a、中段の走査領域20b、下段の走査領域20cとして示す。走査領域20a、20b、20cは、図のX軸方向、Y軸方向に平行な辺を持つ矩形の領域である。走査領域20bは走査領域20aを長さw/3だけX軸正方向(右方向)に移動した領域に一致し、走査領域20cは走査領域20bを長さw/3だけ右方向に移動した領域に一致する。走査領域20aの左端から20cの右端までが、本実施例においてガルバノスキャナが走査する領域の全体となる。
【0074】
まず1回目の走査において、振り角を初期値−θ°−α1°から最終値+θ°−α2°(θ、α1、α2は正の値)まで増加させる。振り角−θ°−α1°において最初の照射領域S11を照射する。次いで振り角を所定量増加させ、照射領域S12を照射する。照射領域S12は、照射領域S11を右方向にwずらした領域に一致する。
【0075】
以後同様に、ガルバノスキャナの振り角を段階的に変化させながら、次のショットの照射領域が直前のショットの照射領域を右にwずらした領域と一致するようにしてパルスレーザの照射を繰り返す。ガルバノスキャナの振り角が+θ°−α2°に到達したら、1回目の走査の最後の照射領域S1Mが照射される。
【0076】
図4(A)は、1回目の走査において走査領域20aに形成される穴の深さのX軸方向の分布を概略的に示すグラフである。グラフの下側に、対応する走査領域20aと各照射領域を示す。6つの照射領域が照射される場合(M=6)を例として示す。
【0077】
各照射領域に照射されるパルスレーザビームのエネルギ密度分布は、各照射領域の中心で最大となり、両端では絶縁樹脂11が加工できる閾値まで減少する。したがって、各照射領域内に形成される穴の深さの分布は、各照射領域の中心で最大となり、両端ではゼロに近いと考えてよいであろう。また、各照射領域には、同一のエネルギ密度分布でレーザビームが照射されるので、穴の深さのX軸方向の分布は、各照射領域の幅wごとに周期的に繰り返す形状となると考えられる。
【0078】
分布30aは、この状況を概略的に示す。なおここで、上記のような性質を持つ分布30aの形状として、コサイン関数の形状を仮定して説明しているが、実際の分布がコサイン関数の形状となることを意味しない。
【0079】
さて、1回目の走査が終了したら、図3(A)の中段に示すように、次にガルバノスキャナの振り角を2回目の走査の初期値に設定し、2回目の走査を開始する。2回目の走査で振り角は、初期値−θ°から最終値+θ°まで増加させる。まず振り角−θ°で照射領域S21を照射する。振り角−θ°で照射されるこの照射領域S21は、1回目の走査の最初に振り角−θ°−α1°で照射される照射領域S11を右にw/3ずらした領域に一致する。
【0080】
ここで、この長さw/3は、1つの照射領域のX軸方向の幅wを、ガルバノスキャナの走査回数3で除した長さである。
【0081】
以後ガルバノスキャナの振り角を段階的に変化させながら、次のショットの照射領域が直前のショットの照射領域を右にwずらした領域に一致するようにしてパルスレーザの照射を繰り返す。ガルバノスキャナの振り角が+θ°に到達したら、2回目の走査の最後の照射領域S2Mが照射される。照射領域S2Mは、1回目の走査の最後に振り角θ°−α2°で照射される照射領域S1Mを右にw/3ずらした領域に一致する。
【0082】
2回目の走査が終了したら、ガルバノスキャナの振り角を3回目の走査の初期値に設定し、3回目の走査を開始する。3回目の走査で振り角は、初期値−θ°+α2°から最終値+θ°+α1°まで増加させる。まず振り角−θ°+α2°で照射領域S31を照射する。振り角−θ°+α2°で照射されるこの照射領域S31は、2回目の走査の最初に振り角−θ°で照射される照射領域S21を右にw/3ずらした領域に一致する。
【0083】
以後、ガルバノスキャナの振り角を段階的に変化させながら、次のショットの照射領域が直前のショットの照射領域を右にwずらした領域に一致するようにしてパルスレーザの照射を繰り返す。ガルバノスキャナの振り角が+θ°+α1°に到達したら、3回目の走査の最後の照射領域S3Mが照射される。照射領域S3Mは、2回目の走査の最後に振り角θ°で照射される照射領域S2Mを右にw/3ずらした領域に一致する。
【0084】
図4(B)は、1〜3回目の走査によって走査領域全体(走査領域20aの左端から20cの右端まで)に形成される穴の深さのX軸方向の分布を概略的に示すグラフである。分布30a、30b、30cはそれぞれ、1回目、2回目、3回目の走査時に走査領域20a、20b、20cに形成される穴の深さのX軸方向の分布を概略的に示す。分布30bは分布30aを右方向にw/3だけ平行移動した形状、分布30cは分布30bを右方向にw/3だけ平行移動した形状となる。
【0085】
グラフの下側に、分布30a、30b、30cそれぞれに対応する走査領域20a、20b、20cと各照射領域を示す。各走査領域でそれぞれ6つの照射領域が照射される場合を例として示す。また、走査領域20aの左端から20cの右端までである全体の走査領域20を示す。
【0086】
図4(A)を参照して説明したように、分布30aは、各照射領域の中心でピークを有し、各照射領域の両端ではゼロに近づき、各照射領域の幅wごとに凹凸が周期的に繰り返す、不均一な形状である。分布30b、30cについても同様である。しかし、X軸方向にw/3ずつずれた分布30a、30b、30cを累積することにより、各分布が有する凹凸がほぼ相殺される。
【0087】
分布31は、3回目までの走査が終了した時点で、走査領域20に形成された穴の累積の深さの分布を示す。分布31において、両端を除き、分布30a、30b、30cそれぞれの凹凸が相殺されて、走査領域20の全体に亘り、ほぼ均一な深さの穴が形成されることがわかる。
【0088】
なお、分布31において両端は均一ではないが、均一でない部分の長さは、両端でそれぞれ照射領域1つ分の幅w程度にとどまる。さて実際には、ガルバノスキャナに走査されるX軸方向の長さは例えば50mm程度、1つの照射領域の幅wは例えば0.5mm程度となるので、全体の走査領域20の長さは照射領域の幅100個分程度に相当することになる。したがって、照射領域2個分程の両端部はごく一部とみなせる。走査領域20のほぼ全域に亘りほぼ均一な深さの穴を形成することができる。
【0089】
走査領域20の端の、浅い穴が形成される領域には、被加工点が存在しないようにしておくことができる。端の領域をマスクで覆い、加工されないようにしておいてもよい。なお、走査領域20の端に、被加工点(開口)があってもよい。例えば、1回だけレーザが照射されてできた浅い穴は、その後の加工に用いないようにすればよい。
【0090】
このように、各回の走査領域をずらしながら複数回のガルバノスキャナの走査を行うことにより、各ショットで照射されるエネルギの密度の不均一性を相殺し、走査領域全体に亘ってほぼ均一となる深さのビアホールを形成できる。このとき、各走査の累積で得られる均一な穴の深さが、ビアホールの所望の深さとなるように設定する。品質のばらつきを抑制して多数個のビアホールを形成できる。
【0091】
第1の実施例と同じように、ある開口へのレーザ照射が終了すると、当該開口への次回のレーザ照射までに、走査1回分に要する程度の待ち時間が挿入される。短時間に集中して1つの開口にエネルギが照射されないため、蓄熱の影響を低減させてビアホールを形成できる。これにより、ビアホールの内壁形状が樽状となることを抑制できる。
【0092】
本実施例では、ガルバノスキャナの走査回数を3回としたが、その他の走査回数としてもよい。走査回数がNであるとき、各回の走査の走査領域を前回の走査領域からずらす長さを、照射領域の幅をwとして、w/Nとすればよい。
【0093】
図4(B)を用いて説明したように、走査領域20の端部に形成される穴は浅くなってしまうが、XYステージを移動し、隣接する領域にビアホールを形成するためのレーザ照射を行うことにより、端部に形成された穴も均一な深さとすることができる。
【0094】
図3(B)に一例を示す。まず、走査領域20−1a、20−1b、20−1cに対してガルバノスキャナの走査を実施し、ビアホール形成を行う。走査領域20−1a、20−1b、20−1cはそれぞれ、図3(A)に示す走査領域20a、20b、20cと同様の領域である。図3(A)について説明したのと同様な手順でガルバノスキャナの走査を行う。走査領域20−1aの左端から走査領域20−1cの右端までの領域が加工される。この領域を、最初の加工領域と呼ぶ。最初の加工領域の右端部では、形成される穴の深さの分布は立ち下がっている。
【0095】
次に、XYステージを、走査領域20−1a(あるいは20−1b、20−1c)のX軸方向に平行な辺の長さ分、X軸負方向に移動する。再び図3(A)について説明したのと同様な手順で3回のガルバノスキャナの走査を行う。走査領域20−1a、20−1b、20−1cにそれぞれ接する走査領域20−2a、20−2b、20−2cが走査され、レーザが照射される。走査領域20−2aの左端から走査領域20−2cの右端までの領域が加工される。この領域を、次の加工領域と呼ぶ。次の加工領域の左端部では、形成される穴の深さの分布は立ち上がっている。
【0096】
この2回の加工が終了すると、最初の加工領域の右端部に形成される穴の深さの分布の立ち下がりと、次の加工領域の左端部に形成される穴の深さの分布の立ち上がりとが累積される。最初の加工領域の右端部と次の加工領域の左端部における穴の深さの均一化を図ることができる。
【0097】
なお、均一な深さの穴が得られることは例えば次のように理解できる。この2回の加工は、まず走査領域20−1aの左端から20−2aの右端までを走査し、次に走査領域20−1bの左端から20−2bの右端までを走査し、その次に走査領域20−1cの左端から20−2cの右端までを走査する1回の加工と同様と捉えられる。このような3回の走査からなる1回の加工を考えると、最初の加工領域の右端部と次の加工領域の左端部は、端部ではなくなる。したがって、均一な深さの穴が形成される。
【0098】
矩形状の断面のビームの、一辺の方向のエネルギ密度分布がガウス分布である場合を説明したが、他の一辺の方向のエネルギ密度もガウス分布であってよい。その場合には、両辺の方向ともに走査領域をずらしながらレーザ照射を行えばよい。
【0099】
ビームのエネルギ密度分布が中央部で高く、周辺部で低くなる例としてガウス分布について説明したが、他の分布であっても本実施例の方法は有効と考えられる。
【0100】
なお、第1の実施例に関して説明したのと同様に、第2の実施例で説明した走査の工程を、ガルバノスキャナの振り角を連続的に変化させて行い、穴開け加工を実施してもよい。
【0101】
次に、第2の実施例の変形例によるレーザ加工方法について説明する。第2の実施例では、連続したショットで照射される2つの照射領域の中心間隔がwとなるよう照射した。本変形例では、連続して照射される2つの照射領域の中心間隔が2wとなるよう照射する。図3(A)に示した各回の走査領域を、奇数番目の照射領域からなる領域と、偶数番目の照射領域からなる領域とに分けてレーザ照射を行う。以下、照射領域の数Mが6の場合を例に説明する。走査回数は3回の2倍の6回となる。
【0102】
図5に示す6つの段は上から順に、1〜6回目の走査を表わしている。1、2回目は同一の走査領域20a、3、4回目は同一の走査領域20b、5、6回目は同一の走査領域20cが走査される。最上段に示すように、まず1回目の走査において、照射領域S11、S13、S15を照射する。次に上から2段目に示すように、2回目の走査において照射領域S12、S14、S16を照射する。連続して照射される2つの照射領域の中心間隔は2wとなる。
【0103】
以後順次、3回目の走査で照射領域S21、S23、S25を、4回目の走査で照射領域S22、S24、S26を、5回目の走査で照射領域S31、S33、S35を、6回目の走査で照射領域S32、S34、S36を照射する。なお、わかりやすくするため、各照射領域には斜線をつけて示す。
【0104】
例えば照射領域S13は、照射領域S11照射の直後に照射されるが、照射領域S13とS11とは、照射領域S12を間に挟んで、離れている。したがって、照射領域S13内の場所では、照射領域S11の照射に伴う蓄熱の影響は小さい。同様に、照射領域S13内の場所では、照射領域S13を照射したの直後に照射される照射領域S15の照射に伴う蓄熱の影響も小さい。
【0105】
また、例えば2回目の走査で照射される照射領域S12は、1回目の走査で照射される照射領域S11とS13との間の領域である。照射領域S11とS13のそれぞれに照射されるショット間ではエネルギ密度分布の重なりが小さいため、照射領域S12内の場所において1回目の走査に伴い蓄積される熱量は少ない。さらに、照射領域S12は、照射領域S11およびS13の照射から走査1回分の時間を経て照射される。したがって、照射領域S12内の場所では、照射領域S12に隣接する照射領域S11およびS13に照射されたパルスレーザビームによる蓄熱の影響は小さい。
【0106】
このように、1回の走査において連続して照射する2つの照射領域間の距離を長くすることにより、蓄熱の影響を低減できる。また、前回の走査時にレーザを照射した照射領域の間の領域を次回に走査することにより、蓄熱の影響を低減できる。ビアホールの内壁形状が樽状となることを抑制できる。
【0107】
本変形例で最終的に形成されるビアホールの深さのX軸方向の分布は、第2の実施例で説明した図4(B)の分布31と変わらないと考えてよいであろう。したがって、本変形例においても走査領域20の全体に亘り、ほぼ均一な深さのビアホールを形成することができる。品質のばらつきを抑制して多数個のビアホールを形成できる。
【0108】
以上説明した第1、第2の実施例、変形例によるレーザ加工方法では、ビアホール形成のためのガルバノスキャナの走査全体を複数回の走査に分けて実施する形で説明したが、この走査全体を一連の工程として捉えることもできる。穴開け加工の全体は、明確に複数回の走査に分けられる形で実施しなくてもよい。各照射領域を照射する順番は変更してもかまわない。ただし、パルスレーザビームの連続するショットの各々が照射する領域は、相互に重ならないようにする。
【0109】
被加工面上のパルスレーザビームの1ショットで照射される領域の形状、大きさは、上記の実施例、変形例で説明したものに限らない。ただし、パルスレーザビームの1ショットで照射される領域に、ビアホールを形成すべき開口が複数含まれるようにすることが、穴開け加工の時間効率を高めるために好ましい。
【0110】
穴開け加工にCO2レーザを用い、加工対象物表面の被覆層として銅箔を用いる場合を例に説明したが、加工に用いるレーザと被覆層の素材とは他の組合せでもよい。被覆層の下の、穴を形成すべき素材を除去できるレーザであれば、加工に用いることができる。また、穴を形成すべき素材よりもレーザに加工されにくい素材であれば、被覆層として用いることができる。
【0111】
照射するパルスレーザビームのパルスエネルギ密度が高くなりすぎると、銅箔からなる被覆膜であっても加工されてしまう。被加工面におけるパルスエネルギ密度は、被覆膜は除去せず、被覆膜に形成された開口の底面に露出した絶縁基板には穴を開けられる大きさとする。
【0112】
以上説明した第1、第2の実施例、変形例によるレーザ加工方法では、ガルバノスキャナをX軸方向のみに振り1次元方向の走査を行ったが、Y軸方向にも振ることにより2次元方向の走査を行ってもよい。X軸方向を主走査方向、Y軸方向を副走査方向としてガルバノスキャナの走査を行うことにより、XYステージを動かさずに、被加工面上のより広い領域に対してレーザを照射することができる。ただし、このときも、被加工面に入射するレーザビームの入射角は、約8°以内となるようにすることが好ましい。
【0113】
また、ガルバノスキャナを振って、被加工面にレーザを照射するときには、XYステージを停止させておく例を説明したが、必要に応じて、例えばより高速に加工を行うために、ガルバノスキャナとXYステージを同期させて、同時に動作するようにしてもよい。
【0114】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば種々の変更、改良、組合せが可能なことは当業者に自明であろう。
【0115】
【発明の効果】
複数の開口に対して同時にパルスレーザビームを照射するので、コンフォーマル基板に多数個のビアホールを効率的に形成できる。
【0116】
また、同一の開口には相互に連続したショットのパルスレーザビームが照射されず、1つのビアホールを形成するのに必要な複数回のショットが、時間間隔を開けて照射される。これにより、蓄熱の影響が低減され、形成されるビアホールの形状が樽状になる等の不具合を抑制できる。高品質なビアホールを形成できる。
【0117】
加工レンズとして、高価なfθレンズを用いず、例えば、安価なシリンドリカルレンズを用いることができるため、低コストで作製できるレーザ加工装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例によるレーザ加工装置の構成を示すブロック図である。
【図2】第1の実施例によるレーザ加工方法を示す図である。
【図3】第2の実施例によるレーザ加工方法を示す図である。
【図4】第2の実施例において被加工面に形成された穴の深さの分布を示すグラフである。
【図5】第2の実施例の変形例によるレーザ加工方法を示す図である。
【符号の説明】
1 レーザ光源
2 ビーム整形器
3 集光レンズ
4 折り返しミラー
5 ガルバノスキャナ
6 加工対象物
7 XYステージ
8 制御装置
pl パルスレーザビーム
11 絶縁基板
12 内層配線層
13 被覆膜
14 開口
20 走査領域
S11 照射領域
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザ加工方法およびレーザ加工装置に関し、特にコンフォーマル基板に穴開け加工するためのレーザ加工方法およびレーザ加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
多層配線基板にビアホールを形成するために、レーザが用いられている。例えば炭酸ガス(CO2)レーザ発振器から放射された赤外線パルスレーザビームを、多層配線基板の樹脂層に照射する。レーザビームが照射された部分の有機物は熱分解、除去される。その位置に穴を開けることができる。
【0003】
基板上に形成するビアホールの個数は、数万個以上に上ることがある。そのため、1穴ずつビアホールを形成する方法よりも、一度に多数個のビアホールを形成できる方法が望ましい。
【0004】
例えば特許文献1には、以下に説明するように、表面に銅箔が積層されたコンフォーマル基板に対して、レーザビームを用い、一度に多数個のビアホールを形成する技術が開示されている。
【0005】
ビアホールを形成する部分の銅箔をエッチング等で除去し、銅箔の下の樹脂層を露出させたコンフォーマル基板を準備する。当該基板をXYステージ上に載置し、コンフォーマル基板の表面におけるビーム断面が長方形に整形されたCO2レーザ等のレーザビームを照射する。基板表面の銅箔がマスクとして機能し、ビアホール形成部の樹脂層のみを熱分解、除去できる。長方形のビーム断面内に位置する複数のビアホール形成部に同時にレーザビームが照射され、穴開け加工ができる。XYステージを、レーザビーム断面の長方形の短辺方向および長辺方向に適宜動かし、ビームの被照射領域を移動させながら穴開け加工ができる。多数個のビアホールを高速に形成できる。
【0006】
また、特許文献2には、レーザ発振器からのレーザビームを反射ミラー等を含む光学経路を経由させてX−Yスキャナあるいはガルバノスキャナと呼ばれるスキャン光学系に導き、このスキャン光学系によりレーザビームを振らせて、そのレーザビームをfθレンズと呼ばれる加工レンズを通して多層プリント配線基板の穴を形成すべき被加工点の1つずつに照射することにより、樹脂層に穴開けを行うレーザ加工装置が開示されている。コンフォーマル基板にビアホールを形成する加工では、特許文献2に記載されたようなレーザ加工装置も従来広く用いられている。
【0007】
【特許文献1】特開平9−29473号公報
【特許文献2】特開平10−58178号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ビアホール形成部に対し短時間に集中してレーザビーム照射を行うと、蓄熱の影響により、形成されるビアホールの内壁形状は樽状となってしまう。ビアホール形成の後工程において、ビアホールの底面に露出した内層銅配線層との導通を取るために、ビアホールの内壁には銅めっきが施されるが、ビアホールが樽状となるとこのめっきの密着性が低下する等の弊害が生じる。
【0009】
また、特許文献2に開示されているような、ガルバノスキャナとfθレンズとを組み合わせたレーザ加工装置は、fθレンズが高価なため、装置が高価なものとなる。低コストで作製できるレーザ加工装置が望まれる。
【0010】
本発明の目的は、コンフォーマル基板に多数個のビアホールを効率的に形成できるとともに、高品質なビアホールを形成できるレーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供することである。
【0011】
本発明の他の目的は、低コストで作製できるレーザ加工装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、第1の材料で形成された層と、該層の表面上に形成され、該第1の材料よりもレーザ照射によって除去されにくい第2の材料で形成され、複数の開口を有する被覆膜とを含む加工対象物の表面に、パルスレーザビームを照射し、該複数の開口の底面に露出した該層に穴を形成するレーザ加工方法において、前記パルスレーザビームの1ショットで照射される被照射領域は、前記被覆膜に形成された開口を複数個含む大きさであり、連続する2つのショットで照射される2つの被照射領域が相互に重ならないように、かつ、1つの開口に少なくとも2ショットのパルスレーザビームが入射するように、被照射領域を前記加工対象物の表面内で移動させることを特徴とするレーザ加工方法が提供される。
【0013】
本発明の他の観点によれば、第1の材料で形成された層と、該層の表面上に形成され、該第1の材料よりもレーザ照射によって除去されにくい第2の材料で形成され、複数の開口を有する被覆膜とを含む加工対象物の表面に、パルスレーザビームを照射し、該複数の開口の底面に露出した該層に穴を形成するレーザ加工方法において、前記パルスレーザビームの1ショットで照射される被照射領域は、前記被覆膜に形成された開口を複数個含む大きさであり、連続する2つのショットで照射される2つの被照射領域が相互に重ならないようにして、前記パルスレーザビームの被照射領域を前記加工対象物の表面内の第1の方向に移動させながら、複数ショットの照射を行う第1の走査工程を行い、前記第1の走査工程の各ショットで照射された領域を、前記第1の方向に、部分的に重なるようにずらした領域に、パルスレーザビームが入射するように、複数ショットの照射を行う第2の走査工程を行うことを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
【0014】
ビアホールを形成すべき複数の開口に対して同時にパルスレーザビームを照射するので、時間効率を高めて穴開け加工できる。また、同一の開口には相互に連続したショットのパルスレーザビームが照射されず、1つの開口の底面に穴を開けるのに必要な複数回のショットが、時間間隔を開けて照射される。これにより、蓄熱の影響が低減され、形成されるビアホールの形状が樽状になる等の不具合を抑制できる。高品質なビアホールを形成できる。
【0015】
本発明の他の観点によれば、加工対象物を保持するステージと、パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射したパルスレーザビームの断面形状を整形するビーム整形器と、前記ビーム整形器から出射したパルスレーザビームを前記ステージに保持された加工対象物の表面に集光させる加工レンズと、前記加工レンズから出射したパルスレーザビームの進行方向を振り、前記ステージに保持された加工対象物の表面にパルスレーザビームを入射させる移動機構と、前記移動機構から出射したパルスレーザビームが、入射角8度以内で加工対象物の表面に入射するように、前記移動機構を制御して、パルスレーザビームの進行方向を振らせる制御装置とを有するレーザ加工装置が提供される。
【0016】
加工レンズに、シリンドリカルレンズ等の安価なレンズを用いることができるため、低コストで作製できるレーザ加工装置となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1(A)に、本発明の実施例によるレーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源1が、パルスレーザビームplを出射する。レーザ光源1は、CO2レーザ発振器であり、TEA(Transversely Excited Atmospheric Pressure)モードのCO2レーザ発振器や、RF−CO2レーザ発振器を用いることができる。1パルス当たりのエネルギは例えば1.0Jとする。
【0018】
パルスレーザビームplは、ビーム整形器2に入射する。ビーム整形器2は、レーザビームの断面形状を整形する。ビーム整形器2を通過したレーザビームは、シリンドリカルレンズ等の集光レンズ3に入射し収束する。
【0019】
集光レンズ3を通過したレーザビームは、折り返しミラー4で反射されガルバノスキャナ5に入射する。ガルバノスキャナ5は、レーザビームの進行方向を1次元の方向(図1(A)においてはX軸の方向)に振ることができる。なお、ガルバノスキャナ5は、レーザビームの進行方向を特定の一次元方向(X軸方向)に限らず、二次元平面内(図のXY平面内)に振れるものであってよい。
【0020】
ガルバノスキャナ5を通過したパルスレーザビームplは、加工対象物6の表面である被加工面に集光される。被加工面は、図のXY平面と平行である。
【0021】
ガルバノスキャナ5がレーザビームの進行方向をX軸方向に振ることにより、被加工面をX軸方向に走査しながらレーザビームを照射できる。被加工面におけるビーム断面の形状は、例えばX軸方向の長さ0.5mm、Y軸方向の長さ10mmの長尺とする。またレーザビームの1パルスあたりのエネルギ密度は、被加工面において、例えば10J/cm2とする。
【0022】
図1(B)は、加工対象物6の構成を概略的に示す断面図である。加工対象物6は、コンフォーマル基板と呼ばれるものであって、ポリイミド樹脂、ガラスクロス入りエポキシ樹脂等からなる絶縁基板11中に、銅等からなる内層配線層12が埋設されており、絶縁基板11の表面上に銅箔からなる被覆膜13が形成されている。被覆膜13の一部がケミカルエッチング等により除去され、開口14が形成されている。開口14の底面に、絶縁基板11の表面が露出している。開口14の底面に露出した樹脂を除去して内層配線層12を露出させ、ビアホールを形成する。
【0023】
図1(A)のガルバノスキャナ5を通過したパルスレーザビームplが、加工対象物6の被加工面に照射される。CO2レーザは銅にほとんど吸収されないため、被覆膜13上に照射されたレーザビームは反射する。一方、開口14に入射したレーザビームは、露出している樹脂を熱分解し除去する。内層配線層12の表面が露出するまで掘り進み、ビアホールを形成できる。このように被覆膜13がマスクとして機能することにより、被加工面の開口14の底に選択的にビアホールを形成できる。
【0024】
また、複数の開口14を同時に照射できる長尺のビームを用いることにより、複数のビアホールを効率的に形成することができる。
【0025】
ビアホールの形成には、複数回のパルスレーザビームの照射が必要となる。例えば被加工面でのパルスエネルギ密度10J/cm2でパルスレーザビームを照射して、絶縁基板11を60μm掘って内層配線層12を露出させるとき、絶縁基板11がポリイミド樹脂からなる場合であれば、3ショット程度の照射を要する。また、絶縁基板11がガラスクロス入りエポキシ樹脂からなる場合であれば、5ショット程度の照射を要する。
【0026】
パルスレーザビーム照射に伴い、開口14の近傍には熱が蓄積される。短い時間間隔で複数ショットのパルスレーザビームを入射させてビアホールを形成すると、蓄熱の影響によりビアホールの形状は樽状となる。ビアホールの品質が低下する。
【0027】
図1(A)に戻って、説明を続ける。ガルバノスキャナの振り角を、被加工面に垂直に入射するレーザビームの向きと、ガルバノスキャナ5を出射したレーザビームが進む向きとのなす角と定める。なお、被加工面に垂直に入射するレーザビームの向きは、被加工面の、加工対象物6の内側を向く法線の向きと一致する。振り角の符号は、レーザビームがX軸正方向に向かって振られる場合を正と定める。振り角ゼロのとき、レーザビームは被加工面に対し垂直に(Z軸正方向から)入射する。なお、この振り角の大きさは、被加工面に入射するレーザビームの入射角に一致する。
【0028】
レーザビームが、ゼロではない入射角で被加工面に入射すると、形成されるビアホールは斜めに傾く。ビアホールの傾きがある程度以上大きくなると、ビアホール内壁へのめっきの密着性が低下する等、品質の低下を招く。したがって、ガルバノスキャナの振り角の大きさは微小に抑える必要がある。
【0029】
ビアホールの品質を確保するために、ガルバノスキャナの振り角の大きさ(被加工面に入射するレーザビームの入射角)は、好ましくは約8°以下に抑える。さらに好ましくは約5°以下に抑える。以下、振り角(入射角)は微小であるとして説明を続ける。
【0030】
図1(A)に示したレーザ加工装置では、被加工面に垂直に近い角度でレーザビームを照射し、かつ、ガルバノスキャナでレーザビームを振ってレーザを照射できる範囲を広くするために、ガルバノスキャナと被加工面との距離を長くする。
【0031】
例えば、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離を300mm程度に設定することにより、±約5°の振り角で、被加工面のX軸方向50mmに亘る領域を走査できる。
【0032】
なお、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離を300mmよりもさらに長くすれば、±約5°よりも小さい振り角で、被加工面のX軸方向50mmに亘る領域を走査することができる。同じ広さの領域を、ガルバノスキャナをより小さい振り角で振って走査すれば、加工速度の向上が期待される。
【0033】
また、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離を300mmよりもさらに長くすれば、±約5°の振り角で、被加工面のX軸方向50mm以上に亘る領域を走査することもできる。
【0034】
図1(A)に示すレーザ加工装置は、加工レンズである集光レンズ3に、安価なレンズ(例えば、シリンドリカルレンズ)を用いることができ、低コストで作製することができる。
【0035】
集光レンズ3の焦点距離は、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離よりも長くすることが好ましい。例えば、ガルバノスキャナ5のレーザビーム出射位置と被加工面との距離を300mmに設定したとき、集光レンズ3として、焦点距離が400mmのものを用いる。
【0036】
なお、従来広く用いられている、ガルバノスキャナで振られたレーザビームをfθレンズで集光させて1穴ずつの穴開け加工を行うレーザ加工装置においては、通常、例えば、fθレンズは焦点距離が約100mmのものが用いられ、ガルバノスキャナの走査でレーザビームを照射できる被加工面の領域は50mm角程度の正方形に設定され、ガルバノスキャナの振り角は±10°程度である。fθレンズは高価であるため、このようなレーザ加工装置は高価なものとなる。
【0037】
さて、加工対象物6はXYステージ7の上に載置されている。XYステージ7は、加工対象物6を被加工面に平行な二次元平面内(図のXY平面内)で移動させることができる。XYステージ7で加工対象物6を移動させることにより、ガルバノスキャナ5が走査できる領域よりも広い範囲に亘り、被加工面へレーザを照射してビアホールを形成できる。
【0038】
制御装置8により、レーザ光源1を制御し、所望のタイミング、パルスエネルギでパルスレーザビームを出射させることができる。パルスエネルギを変化させることにより、被加工面に照射されるレーザビームのパルスエネルギ密度を変えることができる。また、制御装置8により、ガルバノスキャナ5を制御し、所望のタイミングで所望の振り角となるように動作させることができる。
【0039】
次に、本発明の第1の実施例によるレーザ加工方法について説明する。本実施例では、被加工面のある領域にビアホールを形成するために、3回のガルバノスキャナの走査を行う。
【0040】
図2(A)の上段、中段、下段に示す図はそれぞれ、図1(A)に示す加工対象物6の被加工面のガルバノスキャナ直下の領域を、図1(A)に示すZ軸の正方向(ガルバノスキャナ5側)から見た平面図である。上段、中段、下段の図はそれぞれ、ガルバノスキャナの走査の1回目、2回目、3回目に対応している。ガルバノスキャナによる走査によって走査領域20内がレーザビームで照射される。走査領域20は、図のX軸方向、Y軸方向に平行な辺を持つ矩形の領域である。走査領域20内に多数存在する開口14に、所望の深さの穴を掘り、ビアホールを形成する。走査領域20内に示す矩形S11、S12等はそれぞれ、レーザビームの1ショットで照射される領域を表わす。
【0041】
ガルバノスキャナの1回の走査では、振り角を初期値−θ°から最終値θ°(θは正の値)まで段階的に増加させ、各振り角において1ショットのレーザビームを照射する。1回の走査でM個の領域が照射される。この工程を繰り返し、同一の走査領域20を3回走査する。なお、図2(A)中の矢印は、1〜3回目の走査で照射される照射領域の移動方向を示している。
【0042】
本実施例において、走査領域20に照射される各ショットのビームの断面形状は矩形状に整形されている。ビーム断面内の強度はほぼ均一であるとみなせるものとする。各ショットのビーム断面は、どれも同一の大きさ、形状であるとみなす。ビーム断面の短辺、長辺はそれぞれ図に示すX軸、Y軸と平行とする。被加工面におけるパルスエネルギ密度は、すべてのショットにおいて一定とし、3回の照射でビアホールを形成できるような大きさとする。
【0043】
まず、1回目の走査において、振り角の初期値−θ°で最初の照射領域S11を照射する。照射領域S11内に存在する複数の開口14の底面に露出した絶縁基板11にレーザ照射を行うことができる。
【0044】
次いで振り角を所定量増加させ、照射領域S12を照射する。照射領域S12は、前回のショットにおける照射領域S11と接する。照射領域S12内に存在する複数の開口14の底面に露出した絶縁基板11にレーザ照射を行うことができる。
【0045】
以後同様に、次のショットの照射領域が前のショットの照射領域と接するようにガルバノスキャナの振り角を段階的に変化させながら、パルスレーザの照射を繰り返す。ガルバノスキャナの振り角が+θ°に到達すると、1回目の走査の最後の照射領域S1Mが照射される。なお、照射領域S12〜S1Mの間にある他の照射領域、開口の図示は省略している。
【0046】
このように1回目の走査で、走査領域20内のすべての開口14に1回のレーザ照射を行うことができる。すべての開口に対し、所望の深さの約1/3まで穴を掘ることができる。
【0047】
次に、ガルバノスキャナの振り角を初期の−θ°に戻した後、2回目の走査を開始する。ここで、振り角を+θ°から−θ°まで戻す動作は高速で行うことができる。ガルバノスキャナが例えば500Hzで応答する場合、2msで戻すことができる。なお、XYステージを用いて例えば50mmの領域を移動させる場合には、少なくとも数百msを要する。
【0048】
2回目の走査においても1回目の走査と同様の手順で、振り角を−θ°から+θ°まで増加させながらパルスレーザ照射を繰り返す。2回目の走査において順次照射される照射領域S21〜S2Mはそれぞれ、1回目の走査で照射された照射領域S11〜S1Mに一致する。2回目の走査が終了すると、各穴に対する2回目のレーザ照射が終了する。走査領域20内のすべての開口14に対し、所望の深さの約2/3まで穴を掘ることができる。
【0049】
2回目の走査が終了した後、再びガルバノスキャナの振り角を初期の−θ°に戻し、1、2回目と同様の手順で3回目の走査を行う。3回目の走査において順次照射される照射領域S31〜S3Mはそれぞれ、2回目の走査で照射された照射領域S21〜S2Mに一致する。3回目の走査が終了すると、走査領域20内のすべての開口14に対し、所望の深さのビアホールが形成される。
【0050】
1ショットのビームで照射される領域を、複数の開口に同時に照射できる形状および大きさとすることにより、多数個のビアホールを効率的に形成できる。
【0051】
さて、上記工程において、ある開口14に照射される2回目のパルスレーザは、当該開口14に1回目の照射が行われた後、ガルバノスキャナの走査1回分に相当する待ち時間を経て照射される。3回目の照射も同様に、2回目の照射から走査1回分の時間を経て照射される。この待ち時間の間に、前回のパルスレーザ照射に伴い開口に蓄積された熱が拡散する。このように、連続して同一開口に照射される複数回のパルスレーザ照射の間に待ち時間を設けることで、各回のレーザ照射に伴う蓄熱の影響を低減させてビアホールを形成できる。ビアホールの内壁形状が樽状となることを抑制できる。
【0052】
なお、振り角を−θ°から+θ°まで増加させたが、振り角の変化のさせ方はこの順序に限らない。例えば、初期値を0°として+θ°まで増加させながらレーザを照射し、+θ°に到達したらレーザ照射を止め−θ°まで移動させ、再び−θ°から0°まで増加させながらレーザを照射する順序で、1回分のパルスレーザ照射を行ってもよい。
【0053】
上述の実施例では、ガルバノスキャナの振り角を段階的に(離散的に)変化させたが、例えば以下に説明するような方法で、振り角を連続的に変化させて、穴開け加工を実施してもよい。ここで、レーザ光源から出射されるレーザビームのパルスの繰返し周波数が一定である場合を説明する。
【0054】
βを正の値とする。一回の走査において、ガルバノスキャナの振り角を、−θ−β°から+θ+β°まで連続的に増加させる。
【0055】
まず、振り角を−θ−β°から−θ°まで振る間に、ガルバノスキャナの振り角の角速度をゼロから所定の値ωまで加速させる。この間は、レーザビームをレーザ光源から出射させない。
【0056】
次に、等角速度ωで、振り角を−θ°から+θ°まで振りながら、レーザビームをレーザ光源から出射させる。図2(A)の走査領域20内に、レーザが照射される。なお、θは微小であるため、走査領域20内は、等速度で走査されると考えてよい。パルスレーザビームの繰返し周波数が一定であるので、各ショットはほぼ等しい中心間隔で走査領域20内に照射される。
【0057】
角速度ωは、連続する2つのショットで照射される被加工面の領域が、互いに接するように定める。この角速度ωで振り角を増加させていくことにより、被加工面に均一なエネルギ密度でレーザビームが照射される。なお、角速度がωよりも大きくなれば、連続する2つのショットで照射される被加工面の領域は、互いに離れて接しなくなる。角速度がωよりも小さくなれば、連続する2つのショットで照射される被加工面の領域は、互いに重なり合う。
【0058】
その後、振り角を+θ°から+θ+β°まで振る間に、角速度をωからゼロまで減速させる。この間は、レーザビームをレーザ光源から出射させない。
【0059】
このようにして、走査領域20内全体に、均一なエネルギ密度でレーザビームを照射して、ほぼ均一な深さの穴を形成することができる。
【0060】
ガルバノスキャナの動作の立ち上がり時および立ち下がり時は、短い時間ではあるが、角速度を一定にできない。そこで、等角速度で振り角を−θ°から+θ°まで振る前後に、振り角をβだけ余分に振っている。このβは、例えば0.1°程度の小さな値に設定できる。
【0061】
振り角を−θ°から+θ°まで振る間の角速度は、等角速度とせず、被加工面のビーム照射領域が厳密に等速度で移動するような角速度となるように調節してもよい。
【0062】
なお、被加工面のビーム照射領域の移動速度を一定にすることは、ガルバノスキャナを用いて行う方が、XYステージを用いて行うよりも効率的にできる。XYステージを用いて行う場合には、XYステージを一定速度で移動させる必要がある。しかし、XYステージは重く、加減速に時間がかかるため、等速運動する時間の割合を大きくできない。また、上述したように、ガルバノスキャナの動作は、XYステージの動作に比べれば高速であるため、ビーム照射領域の移動速度は、ガルバノスキャナを用いる場合の方が、XYステージを用いる場合に比べて高速にできる。
【0063】
上述の実施例では3回の走査を行ったが、走査回数は3回に限らない。走査回数は、加工対象物の構成素材、照射するパルスレーザのエネルギ密度等に応じて適宜定めればよい。
【0064】
なお、以上説明した工程でビアホールが形成されるのは、ガルバノスキャナが走査する被加工面の一部に限られるが、XYステージで加工対象物を適宜移動させ、上記の工程を繰り返し実施することにより、より広い領域に対してもビアホールを形成できる。
【0065】
図2(B)に一例を示す。走査領域20−1のビアホール形成が終了したら、XYステージをX軸負方向に移動させることにより、走査領域20−1に接する走査領域20−2に対してビアホールを形成できる。
【0066】
ここで、走査領域20−1に対して振り角を−θ°から+θ°まで増加させてレーザ照射を行った場合、走査領域20−2に対しては、再び振り角を−θ°から+θ°まで増加させてレーザを照射してもよいが、+θから°−θ°まで減少させてレーザを照射してもよい。このとき、走査領域20−1での振り角の最終値+θ°が走査領域20−2での初期値となるため、走査領域20−2の加工開始時に振り角を戻す工程が省略される。
【0067】
あるいは、走査領域20−1、20−2両方に対して、振り角を0°から+θ°まで増加させ、次に−θ°から0°まで増加させながらレーザ照射を行ってもよい。走査領域20−1の最終の振り角と走査領域20−2の初期の振り角がともに0°となるため、走査領域20−2の加工開始時に振り角を設定する工程が省略される。
【0068】
以後順次XYステージをX軸負方向に移動させていき、走査領域20−3、20−4のビアホール形成を行うことができる。加工すべき領域の右端である20−4に達したら、次にXYステージをY軸正方向に移動させ、走査領域20−5にビアホールを形成できる。このようにして、被加工面の任意の領域に対してビアホールを形成できる。
【0069】
さて、第1の実施例によるレーザ加工方法で用いたレーザビームの、被加工面におけるパルスエネルギ密度は、矩形内では均一、矩形外ではゼロであるものとした。しかし、1ショットのビームで照射される領域内のパルスエネルギ密度を均一にすることは容易ではない。パルスエネルギ密度がビームの中央部で高く、周辺部で低くなる分布を持ったビームを用いることも実際には多い。
【0070】
このようなビームを用いた場合、ビームの中央部に形成される穴が最も深く、ビームの周辺部に向かうにしたがい、形成される穴は浅くなるであろう。第1の実施例の方法によりビアホールを形成すると、各ビーム照射領域の中央と周辺とでビアホールの深さが不均一となってしまうことが考えられる。
【0071】
次に、1ショットのビームで照射される領域のパルスエネルギ密度の不均一性を考慮した、第2の実施例によるレーザ加工方法について説明する。本実施例においても、3回のガルバノスキャナの走査によりビアホールを形成する場合を説明する。各回の走査において、振り角を段階的に増加させながらM回のパルスレーザ照射を行うことは第1の実施例と同様であるが、本実施例では各回に走査される領域を少しずつずらしていくことにより、被加工面に照射されるエネルギ密度の均一化を図り、形成されるビアホールの深さの均一化を図る。
【0072】
第2の実施例においても、各ショットで照射されるビーム照射領域は矩形状である。ビーム照射領域の短辺方向のパルスエネルギ密度分布がガウス分布型であるとする。ビーム照射領域の短辺方向の幅は、1パルスで照射されるエネルギ密度が絶縁基板11を加工できる閾値以上となる領域の幅wで定める。長辺方向のエネルギ密度分布は、ビーム照射領域内では均一、ビーム照射領域外ではゼロとみなせるものとする。どのビーム照射領域も同一の大きさ、形状であり、また同一のパルスエネルギ密度分布を持っているとみなす。ビーム照射領域の短辺、長辺はそれぞれ図1(A)に示すX軸、Y軸と平行とする。
【0073】
図3(A)の上段、中段、下段に示す図はそれぞれ、図2(A)と同様、図1(A)に示す加工対象物6の被加工面のガルバノスキャナ直下の領域を、図1(A)に示すZ軸の正方向(ガルバノスキャナ5側)から見た平面図である。ガルバノスキャナが1回目、2回目、3回目に走査する領域をそれぞれ、上段の走査領域20a、中段の走査領域20b、下段の走査領域20cとして示す。走査領域20a、20b、20cは、図のX軸方向、Y軸方向に平行な辺を持つ矩形の領域である。走査領域20bは走査領域20aを長さw/3だけX軸正方向(右方向)に移動した領域に一致し、走査領域20cは走査領域20bを長さw/3だけ右方向に移動した領域に一致する。走査領域20aの左端から20cの右端までが、本実施例においてガルバノスキャナが走査する領域の全体となる。
【0074】
まず1回目の走査において、振り角を初期値−θ°−α1°から最終値+θ°−α2°(θ、α1、α2は正の値)まで増加させる。振り角−θ°−α1°において最初の照射領域S11を照射する。次いで振り角を所定量増加させ、照射領域S12を照射する。照射領域S12は、照射領域S11を右方向にwずらした領域に一致する。
【0075】
以後同様に、ガルバノスキャナの振り角を段階的に変化させながら、次のショットの照射領域が直前のショットの照射領域を右にwずらした領域と一致するようにしてパルスレーザの照射を繰り返す。ガルバノスキャナの振り角が+θ°−α2°に到達したら、1回目の走査の最後の照射領域S1Mが照射される。
【0076】
図4(A)は、1回目の走査において走査領域20aに形成される穴の深さのX軸方向の分布を概略的に示すグラフである。グラフの下側に、対応する走査領域20aと各照射領域を示す。6つの照射領域が照射される場合(M=6)を例として示す。
【0077】
各照射領域に照射されるパルスレーザビームのエネルギ密度分布は、各照射領域の中心で最大となり、両端では絶縁樹脂11が加工できる閾値まで減少する。したがって、各照射領域内に形成される穴の深さの分布は、各照射領域の中心で最大となり、両端ではゼロに近いと考えてよいであろう。また、各照射領域には、同一のエネルギ密度分布でレーザビームが照射されるので、穴の深さのX軸方向の分布は、各照射領域の幅wごとに周期的に繰り返す形状となると考えられる。
【0078】
分布30aは、この状況を概略的に示す。なおここで、上記のような性質を持つ分布30aの形状として、コサイン関数の形状を仮定して説明しているが、実際の分布がコサイン関数の形状となることを意味しない。
【0079】
さて、1回目の走査が終了したら、図3(A)の中段に示すように、次にガルバノスキャナの振り角を2回目の走査の初期値に設定し、2回目の走査を開始する。2回目の走査で振り角は、初期値−θ°から最終値+θ°まで増加させる。まず振り角−θ°で照射領域S21を照射する。振り角−θ°で照射されるこの照射領域S21は、1回目の走査の最初に振り角−θ°−α1°で照射される照射領域S11を右にw/3ずらした領域に一致する。
【0080】
ここで、この長さw/3は、1つの照射領域のX軸方向の幅wを、ガルバノスキャナの走査回数3で除した長さである。
【0081】
以後ガルバノスキャナの振り角を段階的に変化させながら、次のショットの照射領域が直前のショットの照射領域を右にwずらした領域に一致するようにしてパルスレーザの照射を繰り返す。ガルバノスキャナの振り角が+θ°に到達したら、2回目の走査の最後の照射領域S2Mが照射される。照射領域S2Mは、1回目の走査の最後に振り角θ°−α2°で照射される照射領域S1Mを右にw/3ずらした領域に一致する。
【0082】
2回目の走査が終了したら、ガルバノスキャナの振り角を3回目の走査の初期値に設定し、3回目の走査を開始する。3回目の走査で振り角は、初期値−θ°+α2°から最終値+θ°+α1°まで増加させる。まず振り角−θ°+α2°で照射領域S31を照射する。振り角−θ°+α2°で照射されるこの照射領域S31は、2回目の走査の最初に振り角−θ°で照射される照射領域S21を右にw/3ずらした領域に一致する。
【0083】
以後、ガルバノスキャナの振り角を段階的に変化させながら、次のショットの照射領域が直前のショットの照射領域を右にwずらした領域に一致するようにしてパルスレーザの照射を繰り返す。ガルバノスキャナの振り角が+θ°+α1°に到達したら、3回目の走査の最後の照射領域S3Mが照射される。照射領域S3Mは、2回目の走査の最後に振り角θ°で照射される照射領域S2Mを右にw/3ずらした領域に一致する。
【0084】
図4(B)は、1〜3回目の走査によって走査領域全体(走査領域20aの左端から20cの右端まで)に形成される穴の深さのX軸方向の分布を概略的に示すグラフである。分布30a、30b、30cはそれぞれ、1回目、2回目、3回目の走査時に走査領域20a、20b、20cに形成される穴の深さのX軸方向の分布を概略的に示す。分布30bは分布30aを右方向にw/3だけ平行移動した形状、分布30cは分布30bを右方向にw/3だけ平行移動した形状となる。
【0085】
グラフの下側に、分布30a、30b、30cそれぞれに対応する走査領域20a、20b、20cと各照射領域を示す。各走査領域でそれぞれ6つの照射領域が照射される場合を例として示す。また、走査領域20aの左端から20cの右端までである全体の走査領域20を示す。
【0086】
図4(A)を参照して説明したように、分布30aは、各照射領域の中心でピークを有し、各照射領域の両端ではゼロに近づき、各照射領域の幅wごとに凹凸が周期的に繰り返す、不均一な形状である。分布30b、30cについても同様である。しかし、X軸方向にw/3ずつずれた分布30a、30b、30cを累積することにより、各分布が有する凹凸がほぼ相殺される。
【0087】
分布31は、3回目までの走査が終了した時点で、走査領域20に形成された穴の累積の深さの分布を示す。分布31において、両端を除き、分布30a、30b、30cそれぞれの凹凸が相殺されて、走査領域20の全体に亘り、ほぼ均一な深さの穴が形成されることがわかる。
【0088】
なお、分布31において両端は均一ではないが、均一でない部分の長さは、両端でそれぞれ照射領域1つ分の幅w程度にとどまる。さて実際には、ガルバノスキャナに走査されるX軸方向の長さは例えば50mm程度、1つの照射領域の幅wは例えば0.5mm程度となるので、全体の走査領域20の長さは照射領域の幅100個分程度に相当することになる。したがって、照射領域2個分程の両端部はごく一部とみなせる。走査領域20のほぼ全域に亘りほぼ均一な深さの穴を形成することができる。
【0089】
走査領域20の端の、浅い穴が形成される領域には、被加工点が存在しないようにしておくことができる。端の領域をマスクで覆い、加工されないようにしておいてもよい。なお、走査領域20の端に、被加工点(開口)があってもよい。例えば、1回だけレーザが照射されてできた浅い穴は、その後の加工に用いないようにすればよい。
【0090】
このように、各回の走査領域をずらしながら複数回のガルバノスキャナの走査を行うことにより、各ショットで照射されるエネルギの密度の不均一性を相殺し、走査領域全体に亘ってほぼ均一となる深さのビアホールを形成できる。このとき、各走査の累積で得られる均一な穴の深さが、ビアホールの所望の深さとなるように設定する。品質のばらつきを抑制して多数個のビアホールを形成できる。
【0091】
第1の実施例と同じように、ある開口へのレーザ照射が終了すると、当該開口への次回のレーザ照射までに、走査1回分に要する程度の待ち時間が挿入される。短時間に集中して1つの開口にエネルギが照射されないため、蓄熱の影響を低減させてビアホールを形成できる。これにより、ビアホールの内壁形状が樽状となることを抑制できる。
【0092】
本実施例では、ガルバノスキャナの走査回数を3回としたが、その他の走査回数としてもよい。走査回数がNであるとき、各回の走査の走査領域を前回の走査領域からずらす長さを、照射領域の幅をwとして、w/Nとすればよい。
【0093】
図4(B)を用いて説明したように、走査領域20の端部に形成される穴は浅くなってしまうが、XYステージを移動し、隣接する領域にビアホールを形成するためのレーザ照射を行うことにより、端部に形成された穴も均一な深さとすることができる。
【0094】
図3(B)に一例を示す。まず、走査領域20−1a、20−1b、20−1cに対してガルバノスキャナの走査を実施し、ビアホール形成を行う。走査領域20−1a、20−1b、20−1cはそれぞれ、図3(A)に示す走査領域20a、20b、20cと同様の領域である。図3(A)について説明したのと同様な手順でガルバノスキャナの走査を行う。走査領域20−1aの左端から走査領域20−1cの右端までの領域が加工される。この領域を、最初の加工領域と呼ぶ。最初の加工領域の右端部では、形成される穴の深さの分布は立ち下がっている。
【0095】
次に、XYステージを、走査領域20−1a(あるいは20−1b、20−1c)のX軸方向に平行な辺の長さ分、X軸負方向に移動する。再び図3(A)について説明したのと同様な手順で3回のガルバノスキャナの走査を行う。走査領域20−1a、20−1b、20−1cにそれぞれ接する走査領域20−2a、20−2b、20−2cが走査され、レーザが照射される。走査領域20−2aの左端から走査領域20−2cの右端までの領域が加工される。この領域を、次の加工領域と呼ぶ。次の加工領域の左端部では、形成される穴の深さの分布は立ち上がっている。
【0096】
この2回の加工が終了すると、最初の加工領域の右端部に形成される穴の深さの分布の立ち下がりと、次の加工領域の左端部に形成される穴の深さの分布の立ち上がりとが累積される。最初の加工領域の右端部と次の加工領域の左端部における穴の深さの均一化を図ることができる。
【0097】
なお、均一な深さの穴が得られることは例えば次のように理解できる。この2回の加工は、まず走査領域20−1aの左端から20−2aの右端までを走査し、次に走査領域20−1bの左端から20−2bの右端までを走査し、その次に走査領域20−1cの左端から20−2cの右端までを走査する1回の加工と同様と捉えられる。このような3回の走査からなる1回の加工を考えると、最初の加工領域の右端部と次の加工領域の左端部は、端部ではなくなる。したがって、均一な深さの穴が形成される。
【0098】
矩形状の断面のビームの、一辺の方向のエネルギ密度分布がガウス分布である場合を説明したが、他の一辺の方向のエネルギ密度もガウス分布であってよい。その場合には、両辺の方向ともに走査領域をずらしながらレーザ照射を行えばよい。
【0099】
ビームのエネルギ密度分布が中央部で高く、周辺部で低くなる例としてガウス分布について説明したが、他の分布であっても本実施例の方法は有効と考えられる。
【0100】
なお、第1の実施例に関して説明したのと同様に、第2の実施例で説明した走査の工程を、ガルバノスキャナの振り角を連続的に変化させて行い、穴開け加工を実施してもよい。
【0101】
次に、第2の実施例の変形例によるレーザ加工方法について説明する。第2の実施例では、連続したショットで照射される2つの照射領域の中心間隔がwとなるよう照射した。本変形例では、連続して照射される2つの照射領域の中心間隔が2wとなるよう照射する。図3(A)に示した各回の走査領域を、奇数番目の照射領域からなる領域と、偶数番目の照射領域からなる領域とに分けてレーザ照射を行う。以下、照射領域の数Mが6の場合を例に説明する。走査回数は3回の2倍の6回となる。
【0102】
図5に示す6つの段は上から順に、1〜6回目の走査を表わしている。1、2回目は同一の走査領域20a、3、4回目は同一の走査領域20b、5、6回目は同一の走査領域20cが走査される。最上段に示すように、まず1回目の走査において、照射領域S11、S13、S15を照射する。次に上から2段目に示すように、2回目の走査において照射領域S12、S14、S16を照射する。連続して照射される2つの照射領域の中心間隔は2wとなる。
【0103】
以後順次、3回目の走査で照射領域S21、S23、S25を、4回目の走査で照射領域S22、S24、S26を、5回目の走査で照射領域S31、S33、S35を、6回目の走査で照射領域S32、S34、S36を照射する。なお、わかりやすくするため、各照射領域には斜線をつけて示す。
【0104】
例えば照射領域S13は、照射領域S11照射の直後に照射されるが、照射領域S13とS11とは、照射領域S12を間に挟んで、離れている。したがって、照射領域S13内の場所では、照射領域S11の照射に伴う蓄熱の影響は小さい。同様に、照射領域S13内の場所では、照射領域S13を照射したの直後に照射される照射領域S15の照射に伴う蓄熱の影響も小さい。
【0105】
また、例えば2回目の走査で照射される照射領域S12は、1回目の走査で照射される照射領域S11とS13との間の領域である。照射領域S11とS13のそれぞれに照射されるショット間ではエネルギ密度分布の重なりが小さいため、照射領域S12内の場所において1回目の走査に伴い蓄積される熱量は少ない。さらに、照射領域S12は、照射領域S11およびS13の照射から走査1回分の時間を経て照射される。したがって、照射領域S12内の場所では、照射領域S12に隣接する照射領域S11およびS13に照射されたパルスレーザビームによる蓄熱の影響は小さい。
【0106】
このように、1回の走査において連続して照射する2つの照射領域間の距離を長くすることにより、蓄熱の影響を低減できる。また、前回の走査時にレーザを照射した照射領域の間の領域を次回に走査することにより、蓄熱の影響を低減できる。ビアホールの内壁形状が樽状となることを抑制できる。
【0107】
本変形例で最終的に形成されるビアホールの深さのX軸方向の分布は、第2の実施例で説明した図4(B)の分布31と変わらないと考えてよいであろう。したがって、本変形例においても走査領域20の全体に亘り、ほぼ均一な深さのビアホールを形成することができる。品質のばらつきを抑制して多数個のビアホールを形成できる。
【0108】
以上説明した第1、第2の実施例、変形例によるレーザ加工方法では、ビアホール形成のためのガルバノスキャナの走査全体を複数回の走査に分けて実施する形で説明したが、この走査全体を一連の工程として捉えることもできる。穴開け加工の全体は、明確に複数回の走査に分けられる形で実施しなくてもよい。各照射領域を照射する順番は変更してもかまわない。ただし、パルスレーザビームの連続するショットの各々が照射する領域は、相互に重ならないようにする。
【0109】
被加工面上のパルスレーザビームの1ショットで照射される領域の形状、大きさは、上記の実施例、変形例で説明したものに限らない。ただし、パルスレーザビームの1ショットで照射される領域に、ビアホールを形成すべき開口が複数含まれるようにすることが、穴開け加工の時間効率を高めるために好ましい。
【0110】
穴開け加工にCO2レーザを用い、加工対象物表面の被覆層として銅箔を用いる場合を例に説明したが、加工に用いるレーザと被覆層の素材とは他の組合せでもよい。被覆層の下の、穴を形成すべき素材を除去できるレーザであれば、加工に用いることができる。また、穴を形成すべき素材よりもレーザに加工されにくい素材であれば、被覆層として用いることができる。
【0111】
照射するパルスレーザビームのパルスエネルギ密度が高くなりすぎると、銅箔からなる被覆膜であっても加工されてしまう。被加工面におけるパルスエネルギ密度は、被覆膜は除去せず、被覆膜に形成された開口の底面に露出した絶縁基板には穴を開けられる大きさとする。
【0112】
以上説明した第1、第2の実施例、変形例によるレーザ加工方法では、ガルバノスキャナをX軸方向のみに振り1次元方向の走査を行ったが、Y軸方向にも振ることにより2次元方向の走査を行ってもよい。X軸方向を主走査方向、Y軸方向を副走査方向としてガルバノスキャナの走査を行うことにより、XYステージを動かさずに、被加工面上のより広い領域に対してレーザを照射することができる。ただし、このときも、被加工面に入射するレーザビームの入射角は、約8°以内となるようにすることが好ましい。
【0113】
また、ガルバノスキャナを振って、被加工面にレーザを照射するときには、XYステージを停止させておく例を説明したが、必要に応じて、例えばより高速に加工を行うために、ガルバノスキャナとXYステージを同期させて、同時に動作するようにしてもよい。
【0114】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば種々の変更、改良、組合せが可能なことは当業者に自明であろう。
【0115】
【発明の効果】
複数の開口に対して同時にパルスレーザビームを照射するので、コンフォーマル基板に多数個のビアホールを効率的に形成できる。
【0116】
また、同一の開口には相互に連続したショットのパルスレーザビームが照射されず、1つのビアホールを形成するのに必要な複数回のショットが、時間間隔を開けて照射される。これにより、蓄熱の影響が低減され、形成されるビアホールの形状が樽状になる等の不具合を抑制できる。高品質なビアホールを形成できる。
【0117】
加工レンズとして、高価なfθレンズを用いず、例えば、安価なシリンドリカルレンズを用いることができるため、低コストで作製できるレーザ加工装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例によるレーザ加工装置の構成を示すブロック図である。
【図2】第1の実施例によるレーザ加工方法を示す図である。
【図3】第2の実施例によるレーザ加工方法を示す図である。
【図4】第2の実施例において被加工面に形成された穴の深さの分布を示すグラフである。
【図5】第2の実施例の変形例によるレーザ加工方法を示す図である。
【符号の説明】
1 レーザ光源
2 ビーム整形器
3 集光レンズ
4 折り返しミラー
5 ガルバノスキャナ
6 加工対象物
7 XYステージ
8 制御装置
pl パルスレーザビーム
11 絶縁基板
12 内層配線層
13 被覆膜
14 開口
20 走査領域
S11 照射領域
Claims (8)
- 第1の材料で形成された層と、該層の表面上に形成され、該第1の材料よりもレーザ照射によって除去されにくい第2の材料で形成され、複数の開口を有する被覆膜とを含む加工対象物の表面に、パルスレーザビームを照射し、該複数の開口の底面に露出した該層に穴を形成するレーザ加工方法において、
前記パルスレーザビームの1ショットで照射される被照射領域は、前記被覆膜に形成された開口を複数個含む大きさであり、連続する2つのショットで照射される2つの被照射領域が相互に重ならないように、かつ、1つの開口に少なくとも2ショットのパルスレーザビームが入射するように、被照射領域を前記加工対象物の表面内で移動させることを特徴とするレーザ加工方法。 - 第1の材料で形成された層と、該層の表面上に形成され、該第1の材料よりもレーザ照射によって除去されにくい第2の材料で形成され、複数の開口を有する被覆膜とを含む加工対象物の表面に、パルスレーザビームを照射し、該複数の開口の底面に露出した該層に穴を形成するレーザ加工方法において、
前記パルスレーザビームの1ショットで照射される被照射領域は、前記被覆膜に形成された開口を複数個含む大きさであり、連続する2つのショットで照射される2つの被照射領域が相互に重ならないようにして、
前記パルスレーザビームの被照射領域を前記加工対象物の表面内の第1の方向に移動させながら、複数ショットの照射を行う第1の走査工程を行い、
前記第1の走査工程の各ショットで照射された領域を、前記第1の方向に、部分的に重なるようにずらした領域に、パルスレーザビームが入射するように、複数ショットの照射を行う第2の走査工程を行うことを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記パルスレーザビームの被照射領域の、前記第1の方向に関する幅がwであり、
前記第2の走査工程で照射される被照射領域が、前記第1の走査工程で照射された対応する被照射領域からずれている量がw/N(Nは2以上の自然数)であり、
さらに、前回の走査工程で照射された被照射領域からのずれ量がw/Nになるようにずらした領域にレーザビームが入射するように照射を行う走査工程を、1回または複数回実行する請求項2記載のレーザ加工方法。 - 加工対象物を保持するステージと、
パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射したパルスレーザビームの断面形状を整形するビーム整形器と、
前記ビーム整形器から出射したパルスレーザビームを前記ステージに保持された加工対象物の表面に入射させるとともに、パルスレーザビームの1ショットにより照射される被照射領域を加工対象物の表面上で移動させることができる移動機構と、
前記パルスレーザビームの連続する2つのショットで照射される2つの被照射領域が重ならないように、かつ、パルスレーザビームの被照射領域を加工対象物の表面内の第1の方向に移動させながら、複数ショットの照射を行う第1の走査と、前記第1の走査の各ショットで照射された領域を、前記第1の方向に、部分的に重なるようにずらした領域に、パルスレーザビームが入射するように、複数ショットの照射を行う第2の走査とを行わせるように、前記移動機構を制御する第1の制御装置と
を有するレーザ加工装置。 - 前記ビーム整形器は、パルスレーザビームの被照射領域の、前記第1の方向に関する幅がwとなるように、レーザビームの断面形状を整形し、前記第1の制御装置は、前記第2の走査で照射される被照射領域が、前記第1の走査で照射された対応する被照射領域からずれている量をw/N(Nは2以上の自然数)とし、さらに、前回の走査で照射された被照射領域からのずれ量がw/Nになるようにずらした領域にレーザビームが入射するように照射を行う走査を、1回または複数回実行させるように、前記移動機構を制御する請求項4記載のレーザ加工装置。
- 前記第1の制御装置は、前記加工対象物の表面に照射されるレーザビームのパルスエネルギ密度を変えることができる請求項4または5に記載のレーザ加工装置。
- 加工対象物を保持するステージと、
パルスレーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射したパルスレーザビームの断面形状を整形するビーム整形器と、
前記ビーム整形器から出射したパルスレーザビームを前記ステージに保持された加工対象物の表面に集光させる加工レンズと、
前記加工レンズから出射したパルスレーザビームの進行方向を振り、前記ステージに保持された加工対象物の表面にパルスレーザビームを入射させる移動機構と、
前記移動機構から出射したパルスレーザビームが、入射角8度以内で加工対象物の表面に入射するように、前記移動機構を制御して、パルスレーザビームの進行方向を振らせる制御装置と
を有するレーザ加工装置。 - 前記制御装置は、パルスレーザビームの連続する2つのショットで照射される2つの被照射領域が重ならないように、かつ、パルスレーザビームの被照射領域を加工対象物の表面内の第1の方向に移動させながら、複数ショットの照射を行う第1の走査と、前記第1の走査の各ショットで照射された領域を、前記第1の方向に、部分的に重なるようにずらした領域に、パルスレーザビームが入射するように、複数ショットの照射を行う第2の走査とを行わせるように、前記移動機構を制御する請求項7記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003116166A JP2004322106A (ja) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003116166A JP2004322106A (ja) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004322106A true JP2004322106A (ja) | 2004-11-18 |
Family
ID=33496502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003116166A Pending JP2004322106A (ja) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004322106A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008212999A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2011036869A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法 |
WO2011158539A1 (ja) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | オムロン株式会社 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
JP5042013B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2012-10-03 | パナソニック株式会社 | レーザ加熱装置 |
WO2013108437A1 (ja) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | パナソニック デバイスSunx 株式会社 | レーザ加工装置 |
JP2015089565A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射方法および装置 |
JP2016055303A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | コンフォーマルマスク材料のレーザ加工方法 |
JP2017159318A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ加工装置 |
JP2019534225A (ja) * | 2016-09-26 | 2019-11-28 | サン−ゴバン グラス フランス | ガラス層のためのパターン化された機能性コーティングの製造装置及び製造方法 |
JP2020184624A (ja) * | 2019-04-30 | 2020-11-12 | セメス カンパニー,リミテッド | 膜質除去方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
-
2003
- 2003-04-21 JP JP2003116166A patent/JP2004322106A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5042013B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2012-10-03 | パナソニック株式会社 | レーザ加熱装置 |
JP2008212999A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2011036869A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法 |
WO2011158539A1 (ja) * | 2010-06-17 | 2011-12-22 | オムロン株式会社 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
JP2012000640A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Omron Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
CN103068515A (zh) * | 2010-06-17 | 2013-04-24 | 欧姆龙株式会社 | 激光加工装置以及激光加工方法 |
WO2013108437A1 (ja) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | パナソニック デバイスSunx 株式会社 | レーザ加工装置 |
JP2015089565A (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-11 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ照射方法および装置 |
JP2016055303A (ja) * | 2014-09-08 | 2016-04-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | コンフォーマルマスク材料のレーザ加工方法 |
JP2017159318A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ加工装置 |
JP2019534225A (ja) * | 2016-09-26 | 2019-11-28 | サン−ゴバン グラス フランス | ガラス層のためのパターン化された機能性コーティングの製造装置及び製造方法 |
US11362473B2 (en) | 2016-09-26 | 2022-06-14 | Saint-Gobain Glass France | Device and method for producing a patterned functional coating for a glass layer |
JP7216637B2 (ja) | 2016-09-26 | 2023-02-01 | サン-ゴバン グラス フランス | ガラス層のためのパターン化された機能性コーティングの製造装置及び製造方法 |
JP2020184624A (ja) * | 2019-04-30 | 2020-11-12 | セメス カンパニー,リミテッド | 膜質除去方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
JP7275068B2 (ja) | 2019-04-30 | 2023-05-17 | セメス カンパニー,リミテッド | 膜質除去方法、基板処理方法、及び基板処理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4643889B2 (ja) | レーザ加工システム及び方法 | |
KR101318612B1 (ko) | 레이저가공방법 | |
KR100265578B1 (ko) | 레이저 가공방법 | |
JP2013529137A (ja) | レーザパルスの系列を用いて穿孔する方法及び装置 | |
US20040112881A1 (en) | Circle laser trepanning | |
JP7098093B2 (ja) | プリント基板のレーザ加工方法およびプリント基板のレーザ加工機 | |
JP2004322106A (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
JP2017080796A (ja) | 加工樹脂基板の製造方法およびレーザー加工装置 | |
TWI669180B (zh) | 雷射加工方法 | |
JP5197271B2 (ja) | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 | |
JP4827650B2 (ja) | レーザ加工方法及び加工装置 | |
JP2018016525A (ja) | 脆性材料基板のレーザー加工方法およびレーザー加工装置 | |
KR102311128B1 (ko) | 취성재료 기판의 레이저 가공방법 및 레이저 가공장치 | |
JP2007111749A (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
JP5923765B2 (ja) | ガラス基板のレーザ加工装置 | |
JP2012045554A (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
WO2002083355A1 (en) | Circle laser trepanning | |
JP3368425B2 (ja) | レーザスキャン方法 | |
JP2004209508A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP2719272B2 (ja) | レーザを用いたプリント配線板のパターン切断方法およびパターン切断装置 | |
KR102353478B1 (ko) | 취성재료 기판의 레이저 가공방법 및 레이저 가공장치 | |
JP2002273590A (ja) | レーザ加工方法及び加工装置 | |
JP3978152B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP5261532B2 (ja) | レーザスクライブ方法及びレーザ加工装置 | |
JP3378243B1 (ja) | レーザ加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050927 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060207 |