KR930020453A - 내부전원전압 발생회로 - Google Patents

내부전원전압 발생회로 Download PDF

Info

Publication number
KR930020453A
KR930020453A KR1019920023717A KR920023717A KR930020453A KR 930020453 A KR930020453 A KR 930020453A KR 1019920023717 A KR1019920023717 A KR 1019920023717A KR 920023717 A KR920023717 A KR 920023717A KR 930020453 A KR930020453 A KR 930020453A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
burn
power supply
supply voltage
output
Prior art date
Application number
KR1019920023717A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950004858B1 (ko
Inventor
박찬종
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019920023717A priority Critical patent/KR950004858B1/ko
Publication of KR930020453A publication Critical patent/KR930020453A/ko
Priority to JP30886893A priority patent/JP3729278B2/ja
Priority to US08/177,354 priority patent/US5448199A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR950004858B1 publication Critical patent/KR950004858B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/26—Current mirrors
    • G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/462—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
    • G05F1/465—Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators

Abstract

본 발명은 고집적 반도체 메모리 장치내에 구비되는 내부전원전압 발생회로에서 특히 내부 번-인접압의 설정이 간단하게 이루어지는 내부 전원전압 발생회로에 관한 것으로, 이를 위하여 복수개의 다이오드로 이루어지는 번-인전압제어부에 내부 번-인전압의 설정에 따라 상기의 각 다이오드의 갯수를 선택화하기 위한 소정의 스위치로서의 퓨우즈를 구비하여 상기 퓨우즈의 스위칭동작에 의해서 상기의 각 다이오드가 선택적으로 인에이블되게 하므로서, 내부 번-인전압의 조절이 용이하게 이루어지고 또한 외부 전원 전압에 따라 메탈층의 변경없이 다양한 번-인전압의 선택이 이루어지게 하여, 내부 전원 전압 발생회로의 번-인 테스트시 초래되었던 시간적인 손실뿐만 아니라 경제적인 손실을 방지하게 되는 효과가 있다. 또한 번-인 모드로의 진입을 용이하게 하는 효과가 있다.

Description

내부전원전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 내부전원전압 발생회로의 일 실시예.
제4도는 본 발명에 의한 내부전원전압 발생회로의 다른 실시예.

Claims (11)

  1. 다수개의 직렬연결된 다이오드로 이루어진 번-인전압제어부를 가지는 내부 전원전압 발생회로에 있어서, 상기 번-인전압제어부에 내부 번-인전압의 설정에 따라 상기의 각 다이오드의 갯수를 선택화하기 위한 소정의 스위치를 구비하여, 상기 스위치의 스위칭동작에 의해서 상기의 각 다이오드가 선택적으로 인에이블되므로서 상기 내부 번-인전압의 조절이 이루어짐을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스위치가 퓨우즈로 이루어짐을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  3. 다수개의 직렬연결된 다이오드로 이루어진 번-인전압제어부를 가지고 번-인테스트시 칩내부에 칩외부인 가 전압이 공급되도록 동작하는 내부전원전압이 발생회로에 있어서, 상기 번-인 전압 제어부에 내부 번-인전압의 설정에 따라 상기의 각 다이오드의 갯수를 선택화하기 위한 퓨우즈를 구비하고 상기 퓨우즈의 스위칭 동작에 의해서 상기의 각 다이오드가 선택적으로 인에이블됨을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 퓨우즈가 상기 다수개의 직렬 연결된 다이오드의 출력단자마다 각각 구비됨을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  5. 소정의 기준전압신호를 출력하는 기준전압 발생회로를 가지는 내부전원전압 발생회로에 있어서, 상기 기준전압신호를 입력하는 레벨변환부와, 상기 기준전압신호를 일 입력하여 외부전원전압의 전압레벨을 검출하는 외부전압검출부와, 상기 기준전압신호를 일 입력하여 번-인모드의 인에이블을 결정하는 번-인모드설정부와, 상기 외부전압검출부 및 번-인모드설정부의 각 출력신호를 입력하여 소정의 번-인신호를 출력하는 번-인신호발생부와, 상기 번-인신호발생부의 제어를 받아 상기 레벨변환부의 출력레벨을 조절하는 번-인전압제어부와, 상기 레벨변환부의 출력신호를 입력하여 내부전원전압을 출력하는 내부전압출력부를 구비함을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 번-인모드설정부가, 전원전압단에 연결되는 퓨우즈를 적어도 구비하여, 상기 퓨우즈의 절단유무에 따라 출력레벨이 결정됨을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  7. 제5항에 있어서, 상기 외부전원전압검출부가, 전원전압단과 접지전압단사이에 직렬로 연결되는 다수개의 다이오드와, 상기 다수개의 다이오드중 전원전압의 전압레벨강하정도에 따라 임의의 하나의 다이오드의 출력측에 연결되는 출력라인과, 상기 하나의 다이오드의 입력측과 상기 출력라인사이에 형성되는 스위치로 이로어짐을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  8. 소정의 기준전압신호를 출력하는 기준전압 발생회로를 적어도 가지는 내부 전원전압 발생회로에 있어서, 상기 기준전압신호를 입력하고 외부전원전압이 소정의 제1전압레벨이하에서는 외부전원전압레벨과 동일한 전압레벨을 출력하고 상기 외부전원전압이 상기 제1전압레벨이상에서는 내부전원전압을 출력하는 레벨변환부와, 상기 기준전압신호를 일 입력하고 외부전원전압의 전압레벨이 소정의 제2전압레벨에 도달하면 출력신호가 반전되어 출력하되 그 출력레벨을 변환시킬 수 있는 제1스위치를 적어도 포함하여 외부전원전압의 전압레벨을 검출하는 외부전압검출부와 상기 기준전압신호를 일 입력하고 소정의 제2스위치를 구비하여 상기 제2스위치의 절단유무에 따라 출력레벨이 결정되며 번-인모드의 인에이블을 결정하는 번-인모드 설정부와, 상기 외부전압검출부 및 번-인모드설정부의 각 출력신호를 입력하여 소정의 번-인신호를 출력하는 번-인신호발생부와, 상기 번-인신호발생부의 제어를 받아 상기 레벨변환부의 출력레벨을 조절하는 번-인전압제어부와, 상기 레벨변환부의 출력신호를 입력하여 내부전원전압을 출력하는 내부전압출력부를 구비함을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 외부전원전압검출부가, 전원전압단과 접지전압단사이에 직렬로 연결되는 다수개의 다이오드와, 상기 다수개의 다이오드중 전원전압의 전압레벨강하정도에 따라 임의의 하나의 다이오드의 출력측에 연결되는 출력라인으로 이루어지고, 상기 하나의 다이오드의 입력측과 상기 출력라인사이에 형성되는 상기 스위치가 형성됨을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  10. 제8항에 있어서, 상기 번-인신호발생부가, 상기 외부전압검출부 및 번-인 모드설정부의 각 출력신호를 입력하는 노아게이트로 이루어짐을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
  11. 제8항에 있어서, 상기 번-인 전압제어부가, 상기 외부전원전압단과의 상기 레벨변환부의 출력라인사이에 직렬로 연결되는 다수개의 다이오드와, 내부 번-인전압의 설정에 따라 상기의 각 다이오드의 갯수를 선택화하기 위한 퓨유즈를 각각 구비하고, 상기 퓨유즈의 스위칭 동작에 의해서 상기의 각 다이오드가 선택적으로 인에이블됨을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920023717A 1992-03-17 1992-12-09 내부전원전압 발생회로 KR950004858B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920023717A KR950004858B1 (ko) 1992-03-17 1992-12-09 내부전원전압 발생회로
JP30886893A JP3729278B2 (ja) 1992-12-09 1993-12-09 内部電源電圧発生回路
US08/177,354 US5448199A (en) 1992-12-09 1994-01-03 Internal supply voltage generation circuit

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR920004338 1992-03-17
KR92-4338 1992-03-17
KR1019920023717A KR950004858B1 (ko) 1992-03-17 1992-12-09 내부전원전압 발생회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930020453A true KR930020453A (ko) 1993-10-19
KR950004858B1 KR950004858B1 (ko) 1995-05-15

Family

ID=19345051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920023717A KR950004858B1 (ko) 1992-03-17 1992-12-09 내부전원전압 발생회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5448199A (ko)
JP (1) JP3729278B2 (ko)
KR (1) KR950004858B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6470465B1 (en) 1998-12-30 2002-10-22 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Parallel test circuit of semiconductor memory device
KR100498418B1 (ko) * 1997-12-27 2005-09-08 삼성전자주식회사 기준전압발생장치
KR100530868B1 (ko) * 1997-07-31 2006-02-09 삼성전자주식회사 내부 전원 전압 발생 회로들을 갖는 반도체 장치

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3156447B2 (ja) * 1993-06-17 2001-04-16 富士通株式会社 半導体集積回路
US5642073A (en) * 1993-12-06 1997-06-24 Micron Technology, Inc. System powered with inter-coupled charge pumps
US5625305A (en) * 1994-10-20 1997-04-29 Acer Incorporated Load detection apparatus
JP3301874B2 (ja) * 1994-12-19 2002-07-15 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその検査方法
KR0158478B1 (ko) * 1994-12-21 1999-02-01 김광호 반도체 메모리장치의 기판전압 조절회로
KR0146203B1 (ko) * 1995-06-26 1998-12-01 김광호 반도체 집적회로의 회로소자값 조정회로
JP3629308B2 (ja) * 1995-08-29 2005-03-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその試験方法
US5745499A (en) * 1995-10-11 1998-04-28 Micron Technology, Inc. Supervoltage detection circuit having a multi-level reference voltage
KR100214466B1 (ko) * 1995-12-26 1999-08-02 구본준 반도체 메모리의 셀프 번인회로
JP3670067B2 (ja) * 1995-12-28 2005-07-13 シャープ株式会社 集積回路装置
US5892394A (en) * 1996-07-19 1999-04-06 Holtek Microelectronics Inc. Intelligent bias voltage generating circuit
JP3516556B2 (ja) * 1996-08-02 2004-04-05 沖電気工業株式会社 内部電源回路
KR100234389B1 (ko) * 1996-09-13 1999-12-15 윤종용 전압 검출 회로
JP3963990B2 (ja) * 1997-01-07 2007-08-22 株式会社ルネサステクノロジ 内部電源電圧発生回路
KR100269296B1 (ko) * 1997-04-22 2000-10-16 윤종용 메모리집적회로의승압전원회로및승압전원의전하량제어방법
JP2002501654A (ja) * 1997-05-30 2002-01-15 ミクロン テクノロジー，インコーポレイテッド ２５６Ｍｅｇダイナミックランダムアクセスメモリ
US5949725A (en) * 1997-08-20 1999-09-07 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reprogramming a supervoltage circuit
JPH11238379A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Oki Electric Ind Co Ltd 電源回路およびクロック信号検出回路
US6297671B1 (en) * 1998-09-01 2001-10-02 Texas Instruments Incorporated Level detection by voltage addition/subtraction
US6400171B2 (en) * 1999-03-22 2002-06-04 International Business Machines Corp. Method and system for processing integrated circuits
KR100302617B1 (ko) * 1999-09-01 2001-11-01 김영환 번인 테스트 회로
JP2001189099A (ja) * 2000-01-04 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路、半導体記憶装置及びそのバーンイン方法
JP2002032988A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Mitsubishi Electric Corp 内部電圧発生回路
DE10218097B4 (de) * 2002-04-23 2004-02-26 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur Spannungsregelung
US6933769B2 (en) * 2003-08-26 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Bandgap reference circuit
KR100587072B1 (ko) * 2004-04-19 2006-06-08 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 발생기의 동작을 제어하는 장치
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
KR100873613B1 (ko) * 2006-11-14 2008-12-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 전압 생성 회로 및 방법
US8055070B2 (en) * 2007-01-05 2011-11-08 Geo Semiconductor Inc. Color and geometry distortion correction system and method
US20080238530A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Renesas Technology Corp. Semiconductor Device Generating Voltage for Temperature Compensation
US8836410B2 (en) * 2007-08-20 2014-09-16 Hynix Semiconductor Inc. Internal voltage compensation circuit
KR101062775B1 (ko) * 2009-12-28 2011-09-06 주식회사 하이닉스반도체 퓨즈 회로 및 그 제어 방법
JP7164264B2 (ja) * 2019-03-28 2022-11-01 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4543594A (en) * 1982-09-07 1985-09-24 Intel Corporation Fusible link employing capacitor structure
US5270983A (en) * 1990-09-13 1993-12-14 Ncr Corporation Single element security fusible link

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100530868B1 (ko) * 1997-07-31 2006-02-09 삼성전자주식회사 내부 전원 전압 발생 회로들을 갖는 반도체 장치
KR100498418B1 (ko) * 1997-12-27 2005-09-08 삼성전자주식회사 기준전압발생장치
US6470465B1 (en) 1998-12-30 2002-10-22 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Parallel test circuit of semiconductor memory device

Also Published As

Publication number Publication date
US5448199A (en) 1995-09-05
JPH06215569A (ja) 1994-08-05
KR950004858B1 (ko) 1995-05-15
JP3729278B2 (ja) 2005-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930020453A (ko) 내부전원전압 발생회로
US6518746B2 (en) Integrated circuit device having a burn-in mode for which entry into and exit from can be controlled
KR920020521A (ko) 반도체집적회로
KR920005170A (ko) 전력 상승동안 금지된 테스트 모드의 진입을 가지는 반도체 메모리
KR920006991A (ko) 반도체메모리 장치의 고전압발생회로
US20070018508A1 (en) Method and apparatus for mode selection for high voltage integrated circuits
KR970011885A (ko) 반도체 집적회로의 시험 방법 및 장치
KR950015694A (ko) 번-인회로를 가지는 반도체 메모리장치 및 그 번-인방법
KR930020695A (ko) 반도체 기억장치
US5844429A (en) Burn-in sensing circuit
GB2294371A (en) Fault detecting power switch driver
KR960002366A (ko) 반도체 장치
US6205039B1 (en) Device for supervising a high voltage converter station
KR100414739B1 (ko) 반도체 메모리 소자의 내부전압 발생 장치
US5455502A (en) High speed, large-current power control circuit
US6744271B2 (en) Internal generation of reference voltage
KR100387192B1 (ko) 내부 전원 회로를 가진 반도체장치
JPH03283562A (ja) 半導体集積回路装置
KR19990046939A (ko) 반도체 메모리 장치
JP3170583B2 (ja) 半導体集積回路試験方法及び装置
KR970017647A (ko) 반도체 메모리 장치의 센스앰프 제어회로
KR960039004A (ko) 반도체 메모리장치의 퓨즈 상태 감지회로
EP0553220B1 (en) Device for establishing a current in an analogue part of an integrated logic and analogue circuit
KR940022580A (ko) 반도체기억장치
KR100554846B1 (ko) 네가티브 워드라인 전압 검출 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110429

Year of fee payment: 17

LAPS Lapse due to unpaid annual fee