KR20190039043A - 지문 센서들에 대한 패키징 및 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

지문 정보를 센싱하기 위한 센싱측 및 호스트 디바이스에 지문 센서 패키지를 전기적으로 접속시키기 위한 별도의 접속측을 포함하는 지문 센서 패키지가 개시된다. 지문 센서 패키지는 또한, 충진 재료에 의해 실질적으로 둘러싸이고 센싱측에 대면하는 센서 집적 회로를 포함할 수 있다. 충진 재료는 센서 집적 회로 주위의 주변 위치들에 비아들을 포함한다. 지문 센서 패키지는, 비아들에 대한 센서 집적 회로의 접속들을 재분배하는 재분배 층을 센싱측 상에 더 포함할 수 있다. 접속들은 또한 비아들을 통해 접속측 상의 볼 그리드 어레이로 지향될 수 있다. 몇몇 양태들은 또한 접속측의 주변부의 적어도 부분적으로 주위에 위치된 정전기 방전 트레이스들을 포함한다. 제조 방법이 또한 개시된다.

Description

지문 센서들에 대한 패키징 및 제조 방법{PACKAGING FOR FINGERPRINT SENSORS AND METHODS OF MANUFACTURE}
이 출원은, 발명의 명칭이 "PACKAGING FOR FINGERPRINT SENSORS AND METHODS OF MANUFACTURE" 이고 2011년 3월 16일자로 출원된 미국 가출원 61/453,460 에 대해 우선권을 주장하며, 그 전체 개시물, 명세서 및 도면이 이 출원에서 완전하게 재생되는 것처럼, 그 개시물은 모든 목적을 위해 전체로서 참조에 의해 본 명세서에 통합된다.
종래의 지문 센서들은, 사람의 터치를 수신하기 위한 노출된 상단 표면부를 갖는, 실리콘 다이와 같은 집적 회로를 포함한다. 노출된 상단 표면으로 인해, 집적 회로의 패키징이 어려워질 수 있다. 예를 들어, 종래의 패키지들은, 상단 표면의 일부를 노출시키면서 집적 회로를 캡슐화하지만, 상단 표면으로부터 집적 회로 아래의 기판 상의 주변 접속점들로의 와이어 접속들을 위한 룸을 제공해야 한다. 기판은 호스트 디바이스에 대한 지문 센서 패키지의 접속을 허용하기 위해 추가적인 접속점들을 구비한다. 센서 유닛에 대한, 특히 지문 센서들에 대한 Mathiassen 등에게 2007년 7월 31일자로 발행된 미국 특허 7,251,351; 마이크로 전기기계 디바이스의 웨이퍼 레벨 패키징에 대한 Chou 등에게 2004년 3월 23일자로 발행된 미국 특허 6,710,461 을 참조한다.
발명의 명칭이 "SWIPED APERTURE CAPACTIVE FINGERPRINT SENSING SYSTEMS AND METHODS" 이고 2006년 8월 29일자로 Benkley 에게 발행된 미국 특허 7,099,496, 및 발명의 명칭이 "FINGER SENSING ASSEMBLIES AND METHODS OF MAKING" 이고 2010년 7월 6일자로 Benkley 에게 발행된 미국 특허 7,751,601 (양자는 본 출원의 양수인에게 양도되고 참조에 의해 통합되어 있다) 에 기술된 바와 같이, 일부 지문 센서들은 플렉시블 기판의 하부측에 부착된 실리콘 다이를 제공하고, 플렉시블 기판의 상단에 걸친 사람의 터치가 실리콘 다이에 의해 간접적으로 센싱될 수 있다. 이러한 지문 센서들에서, 실리콘 다이는 플렉시블 기판을 통해 센싱하기 위해 터치될 표면 바로 아래에 부착되거나, 또는 터치될 기판으로부터 멀리서 부착되고, 실리콘 다이와 연통하는 금속 트레이스들의 별도의 어레이가 플렉시블 기판을 통해 센싱하기 위해 터치될 표면 바로 아래에 위치된다. 강성 기판들 또는 강성 베이스들이 플렉시블 기판에 커플링되거나 또는 플렉시블 기판 아래에 위치되어, 호스트 디바이스에 접속될 때의 실리콘 다이 및/또는 플렉시블 기판에 대한 지지체를 제공하여야 한다.
2008 전자 컴포넌트 기술 학회 IEEE (2008) 의 Kim 등에 의한 "Application of Through Mold Via (TMV) as PoP Base Package" 은 패키지 온 패키지 (package on package; "PoP") 디바이스에 대해 "팬 아웃 (fan-out)" 웨이퍼 레벨 패키징 ("WLFO 패키지") 배치에서의 쓰루 몰드 비아들 (through mold vias; "TMV") 의 응용을 기술한다. Kim 등에 의한 개시물은 참조에 의해 통합되어 있다.
개시된 출원내용의 양태는, 지문 정보를 센싱하기 위한 센싱측 및 호스트 디바이스에 지문 센서 패키지를 전기적으로 접속시키기 위한 별도의 접속측을 포함하는 지문 센서 패키지를 제공한다. 지문 센서 패키지는 또한, 충진 재료에 의해 실질적으로 둘러싸이고 센싱측에 대면하는 센서 집적 회로를 포함하도록 적합화되고 구성될 수 있다. 추가적으로, 충진 재료는 센서 집적 회로 주위의 주변 위치들에 비아들을 포함할 수 있다. 지문 센서 패키지는 또한, 비아들에 대해 센서 집적 회로의 접속들을 재분배하는 재분배층을 센싱측 상에 포함하도록 적합화되고 구성될 수 있다. 접속들은 또한, 비아들을 통해 접속측 상의 볼 그리드 어레이 (ball grid array) 로 지향될 수 있다. 몇몇 양태들은 또한, 접속측의 주변부 (perimeter) 의 적어도 부분적으로 주위에 위치된 정전기 방전 트레이스들을 포함한다.
본 개시물의 다른 양태는 센서들의 제조를 위해 제공한다.
참조에 의한 통합
이 명세서에 언급된 모든 공보들, 특허들, 및 특허 출원들은, 모든 가능한 목적을 위해 그리고 그 개시물이 본 출원에서 전체로서 재생된 것처럼 동일한 정도로, 각각의 개별적인 공보, 특허, 또는 특허 출원이 참조에 의해 통합되도록 구체적으로 그리고 개별적으로 나타내진 것처럼 동일한 정도로 참조에 의해 본 명세서에 통합된다.
개시된 출원내용의 신규한 특징들은 첨부된 청구항들에서 특정적으로 설명된다. 개시된 출원내용의 원리들이 이용되는 예시 실시형태들을 설명하는 하기 상세한 설명 및 첨부 도면들을 참조하여 본 개시된 출원내용의 특징들 및 이점들의 보다 양호한 이해가 획득될 것이다.
도 1 은 플러시 (flush) 구성으로 호스트 디바이스에 통합된 지문 센서 패키지의 사시도.
도 2 는 경사진 (beveled) 구성으로 호스트 디바이스에 통합된 지문 센서 패키지의 다른 사시도.
도 3 은 도 1 의 지문 센서 패키지의 접속측의 상단 사시도.
도 4 는 도 1 의 지문 센서 패키지의 단면도.
도 5 는 지문 센서 패키지들을 제조하기 위한 프로세스의 플로차트.
도 6 은 도 5 의 프로세스의 하나의 단계에 따른 실리콘 웨이퍼의 평면도.
도 7 은 도 5 의 프로세스의 다른 단계에 따른 재분배된 실리콘 다이의 평면도.
도 8 은 도 5 의 프로세스의 다른 단계에 따른 재분배된 실리콘 다이의 평면도.
도 9 는 도 5 의 프로세스의 다른 단계에 따른 재분배된 실리콘 다이의 평면도.
도 10 은 도 5 의 프로세스의 다른 단계에 따른 재분배된 실리콘 다이의 저면도.
도 11 은 도 5 의 프로세스의 다른 단계에 따른 재분배된 실리콘 다이의 부분적으로 확대된 저면도.
도 12 는 도 5 의 프로세스의 다른 단계에 따른 복수의 분리된 지문 센서 패키지들의 평면도.
도 13 은 지문 센서 패키지의 다른 실시형태의 단면도.
도 14 는 도 11 내지 도 13 의 고립된 지문 센서 패키지의 접속측의 저면도.
도 15 는 분리 이전에 도 13 의 복수의 지문 센서 패키지들의 단면도.
도 16 은 도 13 내지 도 15 의 지문 센서 패키지들의 제조 동안 분리 이전에 재분배된 실리콘 다이 및 인터포저 보드 (interposer board) 들의 분해도.
도 17a 는 도 13 내지 도 15 의 지문 센서 패키지의 인터포저 보드의 센싱측의 평면도.
도 17b 는 도 13 내지 도 15 의 지문 센서 패키지의 인터포저 보드의 접속측의 저면도.
도 18 은 개시된 출원내용의 추가적인 가능한 실시형태의 단면도.
도 19 는 개시된 출원내용의 추가적인 가능한 실시형태의 단면도.
도 20 은 개시된 출원내용의 추가적인 가능한 실시형태의 단면도.
도 21 은 복수의 주요 지문 이미징 센서 회로망 집적 회로를 형성하는 복수의 다이를 갖는 웨이퍼를 도시하는 도면.
도 22 는, 예컨대, 개시된 출원내용의 양태들에 따라 발광 다이오드들 ("LED들") 과 같은 전자 회로들, 또는 용량 결합형 드라이버들 및 픽업들과 같은 생체인식 대상물 센싱 엘리먼트들을 형성하는, 마이크로 배선들을 포함하는 2차 IC 를 도시하는 도면.
도 23 은 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 공동 몰딩된 웨이퍼 (co-molded wafer; "CMW") 로의 지문 센서의 재분배의 예를 도시하는 도면.
도 24 는 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 공동 몰딩된 웨이퍼 ("CMW") 로의 지문 센서 IC들 및 2차 IC들의 재분배를 예시하는 도면.
도 25 는 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 CMW 주위의 몰드 링의 배치를 예시하는 도면.
도 26 은 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 CMW 를 더욱 형성하기 위해 충진 재료의 주입의 예를 도시하는 도면.
도 27 은 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 공급 전기 재분배 층들 이전에 CMW 의 평면도를 예시하는 도면.
도 28 은 또한, 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따라, RDL 층들이 공급되기 이전에 CMW 의 평면도를 예시하는 도면.
도 29 는 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 CMW 상의 솔더 볼들의 배치를 예시하는 도면.
도 30 은 CMW들을 개별적인 WLFO 패키징된 디바이스들로 따로따로 쏘잉하는 평면도를 예시하는 도면.
도 31 은 CMW 를 개별적인 WLFO 패키징된 디바이스들로 쏘잉하는 저면도를 예시하는 도면.
하기 설명은 당업자가 개시된 출원내용의 실시형태들을 제작하고 이용하는 것을 가능하게 하기 위해 제시된다. 예시된 실시형태들의 다양한 변형물들이 당업자에게 용이하게 명백할 것이고, 본 명세서에서 일반적 원리들은 개시된 출원내용의 실시형태들로부터 일탈하지 않고서 다른 실시형태들 및 응용들에 적용될 수 있다. 그리하여, 개시된 출원내용의 실시형태들은 나타낸 실시형태들에 한정되도록 의도되지 않으며, 본 명세서에 개시된 원리들 및 특징들과 일치하는 최광의 범위에 부합되어야 한다. 하기 상세한 설명은 도면들을 참조하여 판독되어야 하고, 상이한 도면들에서의 동일 엘리먼트들은 동일 참조 부호들을 가진다. 반드시 일정한 비율로 있지는 않은 도면들은, 선택된 실시형태들을 나타내고, 개시된 출원내용의 실시형태들의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다. 당업자들은, 본 명세서에 제공된 실시예들이 첨부 청구항 및/또는 개시된 출원내용의 실시형태들의 범위 내에 있는 수많은 유용한 대안물들을 가짐을 인식할 것이다.
도 1 및 도 2 는 생체인식 대상물 센서 (biometric object sensor) 에 대한 패키지 (10), 예컨대, 개시된 출원내용의 양태들에 따른 지문 센서 패키지 (10) 를 예시한다. 지문 센서 패키지 (10) 는 센싱측 (12), 접속측 (14), 및 센싱측 (12) 과 접속측 (14) 사이의 몰드 충진제 재료 (16) 를 포함할 수 있다. 도 1 및 도 2 에 도시된 바와 같이, 지문 센서 패키지 (10) 는 별도의 제품 또는 디바이스 (18) (예컨대, 호스트 디바이스) 에 통합될 수 있다. 예를 들어, 접속측 (14) 은 디바이스 (18) 의 기판 (20) 에 전기적으로 커플링될 수 있고, 센싱측 (12) 은 디바이스 (18) 의 디바이스 하우징 (24) 에서의 컷아웃 (22) 을 통해 노출될 수 있다. 일 양태에 있어서, 도 1 에 도시된 바와 같이, 센싱측 (12) 은 디바이스 하우징 (24) 의 외부 표면 (23) 과 같은 평면에 있을 수 있다. 다른 양태에 있어서, 도 2 에 도시된 바와 같이, 센싱측 (12) 이 외부 표면 (23) 의 실질적으로 아래에 있을 수 있도록, 디바이스 하우징 (24) 이 컷아웃 (22) 주위에 경사져 있을 수 있고, 즉, 베벨 (27) 을 가지고 형성될 수 있다.
도 1 내지 도 3 에 도시된 바와 같이, 접속측 (14) 은, 접속측 (14) 을 디바이스 기판 (20) 에 전기적으로 커플링시키기 위한 복수의 솔더 볼들 (26) 을 포함하는 볼 그리드 어레이 (ball grid array; "BGA") (25) 를 포함할 수 있다. 또한, 도 4 에 도시된 바와 같이, 지문 센서 패키지 (10) 는 센서 집적 회로 (28), 센싱측 재분배 층 (30), 센싱측 코팅 또는 잉크 층 (32), 및 접속측 재분배 층 (34) 을 포함할 수 있다.
적어도 몇몇 양태들에 있어서, 센싱측 재분배 층 (30) 은, 금속 재분배 트레이스들 (36'), 금속 센서 어레이 (도시하지 않음), 및 옵션으로서 추가적인 금속 트레이스들 (도시하지 않음) 을 갖는 금속 층 (36) 을 포함할 수 있다. 도 4 에 도시된 바와 같이, 금속 층 (36) 은 제 1 패시베이션 층 (38) 과 제 2 패시베이션 층 (40) 사이에 위치될 수 있다. 센서 어레이 (도시하지 않음) 는, 상기에서 인용된 Benkley 참조문헌들에서 예로서 나타나 있듯이, 손가락이 센싱측 (12) 을 가로질러 이동함에 따라 지문의 리지 (ridge) 들 및 밸리 (valley) 들을 검출하기 위한 이미지 센싱 및/또는 센싱측 (12) 을 가로질러 이동하는 손가락의 속도를 검출하기 위한 속력 센싱을 제공하기 위해, 구리 트레이스들과 같은 복수의 도전성 트레이스들 (도시하지 않음) 을 포함할 수 있다.
센서 어레이 (도시하지 않음) 에 의해 센싱된 지문 정보는 무선 또는 유선 통신 기술을 통해 센서 집적 회로 (28) 로 송신될 수 있다. 예를 들어, 일 양태에 있어서, 센서 집적 회로 (28) 의 회로측 (42) (예컨대, 센싱측 (12) 에 대면하는 측) 은 무선주파수 수신기 (도시하지 않음) 를 포함할 수도 있고, 센서 어레이 (도시하지 않음) 의 각각의 트레이스는 센싱된 지문 정보를 무선주파수 수신기 (도시하지 않음) 에 송신하기 위한 무선주파수 송신기 (도시하지 않음) 를 포함할 수 있다. 다른 양태들에 있어서, 센서 집적 회로 (28) 는, 예컨대, 집적 회로 (28) 의 센서측 (42) 에 형성된, 센서 어레이 (도시하지 않음) 의 하나 이상의 무선주파수 송신기 트레이스들 (도시하지 않음) 로부터 송신된 정보를 수신하기 위해, 예컨대, 집적 회로 (28) 의 센서측 (42) 에 또한 형성된, 복수의 무선주파수 수신기들 (도시하지 않음) 을 포함할 수 있다. 센서 집적 회로 (28) 는 또한 수신된 지문 정보를 해석하기 위한 구동 및 센스 전자기기를 포함할 수 있다. 또한, 센싱측 코팅 층 (32) 은, 센서 집적 회로 (28) 및 센싱측 재분배 층 (30) 의 기계적 마멸 및/또는 기계적 마모에 대항하여 실질적인 보호를 제공할 수 있는 한편, 집적 회로 (28) 의 센서측 (42) 에 형성될 수도 있는 바와 같은 이러한 트레이스들은 층들 (30 및 32) 에 의해 유사하게 보호될 수 있다.
다른 양태들에 있어서, 센서 집적 회로 (28) 의 센서측 (42) 상의 회로망은, 지문 정보를 직접 센싱하기 위한 임베디드 픽셀 어레이 (도시하지 않음) 를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 임베디드 픽셀 어레이 (도시하지 않음) 는 센싱측 재분배 층 (30) 및/또는 센싱측 코팅 층 (32) 을 통해 지문 정보를 센싱할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 예컨대, 층들 (30 및 32) 내에 형성된 개구를 통해, 센싱하기 위해 센서 집적 회로 (28) 를 손가락이 직접 터치하도록, 임베디드 픽셀 어레이 (도시하지 않음) 는 센싱측 (12) 에 실질적으로 노출될 수 있다. 센서 집적 회로 (28) 는 또한 픽셀 어레이 (도시하지 않음) 에 의해 센싱된 지문 정보를 해석하기 위한 구동 및 센스 전자기기를 포함할 수 있다.
몰드 충진제 (16) 는 상당한 강도 및 내구성을 갖는 지문 센서 패키지 (10) 를 제공할 수 있고, 물리적 손상으로부터 센서 집적 회로 (28) 를 실질적으로 보호할 수 있다. 도 4 에 도시된 바와 같이, 몰드 충진제 (16) 는, 몰드 충진제 (16) 를 통해서 연장하는 쓰루 몰드 비아들 (through-mold vias; "TMV들") (44) 을 포함할 수 있다. TMV 비아들 (44) 은 센싱측 재분배 층 (30) 과 접속측 재분배 층 (34) 사이의 접속을 허용할 수 있다. 보다 구체적으로, 센싱측 재분배 층 (30) 은, 도 18 의 실시형태에서 또한 도시된, 본드 패드 접속들 (46') 과 같이, 센서 집적 회로 (28) 의 센서/회로측 (42) 으로부터, 비아들 (44) 에서의 주변 접속 위치들 (48) 로 재분배 접속들 (46) 을 가질 수 있다. 접속측 재분배 층 (34) 은 접속 위치들 (48) 로부터, TMV 비아들 (44) 을 통해서, 예컨대, 접속점들 (50) 에 부착된, BGA (25) 개별적인 솔더 볼들 (26) 로 재분배할 수 있다. 그 결과, 센서 집적 회로 (28) 로부터의 접속들 (46) 이 재분배 층들 (30, 34) 에 의해 접속측 (14) 상의 BGA (25) 솔더 볼 커넥터들 (26) 에 전기적으로 라우팅될 수 있다. 그후, 센서 집적 회로 (28) 에 의해 수신되고 해석된 지문 정보는 디바이스 (18) 로 BGA (25) 를 통해 디바이스 기판 (20) (예로서 도 1 에 도시됨) 으로 연통될 수 있다. 종래의 지문 센서 패키지들에 있어서, 캡슐화된 와이어 본드들 (도시하지 않음) 은 센서 집적 회로 (28) 주위의 센싱측 (12) 으로부터 접속측 (14) 으로 라우팅될 수 있다. 몇몇 양태들에 있어서, TMV 비아들 (44) 은 캡슐화된 와이어 본드 접속들 (도시하지 않음) 을 대체할 수 있어, 종래의 지문 센서 패키지들에 비교해서 지문 센서 패키지 (10) 의 두께 및/또는 면적을 상당히 감소시킬 수 있다. 또한, 도 4 에 도시된 바와 같이, TMV 비아들 (44) 은, 예를 들어, 패키지 (10) 에 더욱 구조적 강도 및 강성을 부가하기 위해, 충진제 재료 (52) 로 충진될 수 있다.
지문 센서 패키지들 (10) 내의 집적 회로들 (28) 과 같은 종래의 전자 컴포넌트들은, (예컨대, 손가락 스와이프 동안) 사람의 몸과 같은 다양한 상이한 소스들로부터의 정전기 방전 (ESD) 에 노출될 수 있다. 소스들과 접지된 집적 회로 사이의 접촉은, 집적 회로를 통해서 충분히 큰 전류를 발생시켜 현저한 손상을 야기할 수 있다. 도 3 에 도시된 바와 같이, 지문 센서 패키지 (10) 는, 접속측 (14) 의 주변부의 적어도 부분적으로 주위에, 후술되는 바와 같이, 에칭되거나 또는 다른 방식으로 형성된 ESD 방전 트레이스들 (54) 을 포함할 수 있다. ESD 방전 트레이스들 (54) 은 접지와 같은 공지된 전위에 접속될 수 있다. 예를 들어, 도 3 에 도시된 바와 같이, ESD 방전 트레이스들 (54) 은 호스트 제품 또는 디바이스 (18) 의 기판 (20) 을 통해서 공지된 전위에 대한 접속을 위한 BGA (25) 내의 각각의 솔더 볼들 (26') 에 접속될 수 있다.
사용자가 자신의 손가락을 스와이프함에 따라 ESD 가 센싱측 (12) 상에 증강될 수 있다. 가장 적은 저항의 경로가 발견되고 전하가 소산될 때까지 이러한 충전은 계속해서 전위를 증가시킬 수 있다. ESD 방전 트레이스들 (54) 은 ESD 에 대한 가장 짧은 방전 경로를 생성할 수 있고, 그리하여 센서 집적 회로 (28) 또는 지문 센싱 패키지 (10) 의 임의의 다른 컴포넌트들로 ESD 가 방전되어 잠재적으로 그들을 손상시키는 것을 방지할 수 있다. 몇몇 양태들에 있어서, ESD 방전 트레이스들 (54) 은 접속측 (14) 의 외부 주변부를 완전하게 둘러쌀 수 있다. 다른 양태들에 있어서, ESD 방전 트레이스들 (54) 은 접속측 (14) 의 외부 주변부를 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 또한, 몇몇 양태들에 있어서, ESD 방전 트레이스들 (54) 은 센싱측 (12) 상에 위치되어, 센서 어레이 (도시하지 않음) 를 완전하게 또는 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
도 5 내지 도 12 는 개시된 출원내용의 양태에 따른 지문 센서 패키지 (10) 를 제조하기 위한 웨이퍼 레벨 팬 아웃 (wafer-level fan out; "WLFO") 프로세스를 예시한다. 먼저, 도 6 에 도시된 바와 같이, 단계 56 에서, 복수의 다이 (60) (즉, 도 1, 도 2 및 도 4 의 센서 집적 회로들 (28) 과 같은 전자 회로망을 형성하는) 를 포함하는 실리콘 웨이퍼 (58) 를 프로빙하여 각각의 다이 (60) 의 기능을 시험할 수 있다. 단계 62 에서, 실리콘 웨이퍼 (58) 를 필름 (64) 상에 탑재할 수 있고, 이는 다이 (60) 의 쏘잉 (sawing) 동안 지지체를 제공한다. 단계 66 에서, 다이 (60) 를 따로따로 쏘잉하고 세정하고, 단계 68 에서, 식별 목적으로 각각의 다이 (60) 를 (예컨대, 도시하지 않은 바코드 라벨을 이용하여) 마킹할 수 있다. 단계 70 에서, 접착제를 점착 테이프 (72) 또는 분리된 다이 (60) 를 수용하기 위한 유사한 제품에 도포할 수 있다. 단계 74 에서, 도 7 에 도시된 바와 같이, 각각의 다이 (60) 사이에 충분한 간격 (76) 을 두고 점착 테이프 (72) 상에 별도의 다이 (60) 를 재분배할 수 있다. 단계 78 에서, 도 8 에 도시된 바와 같이, 점착 테이프 (72) 주위에 몰드 링 (80) 을 배치할 수 있고, 도 9 에 도시된 바와 같이, 재분배된 다이 (60) 주위 및 위에 몰드 충진제 (16) 를 충진하여 부분적으로 구성된 패키지들의 새로운 웨이퍼 (82) 를 생성할 수 있다. 몰드 충진제 (16) 는 다이 (60) 를 완전하게 커버하기 위한, 즉, 도 9 에 도시된 몰딩된 웨이퍼 (82) 의 측으로부터 다이 (60) 가 시인되지 않게 하는, 높이 또는 두께로 첨가될 수 있다. 예를 들어, 일 양태에 있어서, 몰드 충진제 (16) 는 약 700 마이크로미터와 약 800 마이크로미터 사이의 높이 또는 두께를 가질 수 있다. 단계 84 에서, 점착 테이프 (72) 로부터 새로운 웨이퍼 (82) 를 탈착, 즉, 도 9 에 도시된 것으로부터 반대측에 있는 다이 (60) 를 노출시킬 수 있다.
단계 86 및 88 에서, 도 10 에 도시된 바와 같이, 센싱측 (12) 상의 층들의 프로세싱을 위해 새로운 웨이퍼 (82) 를 뒤집을 수 있다. 보다 구체적으로, 단계 86 에서, 상기 서술된 바와 같은, 센싱측 재분배 층 (30) 을 센싱측 (12) 에 공급할 수 있다. 상기 서술된 바와 같이, 센싱측 재분배 층 (30) 은 제 1 패시베이션 층 (38) 과 제 2 패시베이션 층 (40) 사이에 위치된 금속 층 (36) 을 포함할 수 있다. 금속 층 (36) 은, 각각의 다이 (60) 의 가까이 또는 주위의 (예컨대, 다이 (60) 사이의 몰드 충진제 (16) 에서의 간격 (76) 이내의) 접속 위치들 (48) 에 대한, 본드 패드들과 같이, 각각의 다이 (60) 상의 전기 접속들 (46) 을 제공할 수 있다. 금속 층 (36) 은 또한 적절히 이미지 센서 구동 및 픽업 접속들 및/또는 속력 센서 구동 및 픽업 접속들을 제공하기 위한 센서 어레이 (도시하지 않음) 를 제공할 수 있다. 몇몇 양태들에 있어서, 센싱측 재분배 층 (30) 은 센서 집적 회로 (28) 의 전체 회로측 (42) 을 실질적으로 커버할 수 있다. 다른 양태들에 있어서, 센싱측 재분배 층 (30) 은 센서 집적 회로 (28) 상의 임베디드 픽셀 어레이를 노출시키기 위한 개구를 제공할 수 있다. 단계 88 에서, 센싱측 재분배 층 (30) 을 포함하는, 새로운 웨이퍼 (82) 의 전체 센싱 표면 (12) 은, 잉크 또는 다른 적합한 하드 코팅 재료일 수 있는 센싱측 코팅 층 (32) 으로 코팅될 수 있다. 몇몇 양태들에 있어서, 임베디드 픽셀 어레이 (도시하지 않음) 는 또한 센싱측 코팅 층 (32) 에 의해 코팅될 수 있다. 다른 양태들에 있어서, 임베디드 픽셀 어레이 (도시하지 않음) 는 노출된 채로 유지될 수 있다.
몇몇 양태들에 있어서, 센싱측 재분배 층 (30) 은 약 22.5 마이크로미터와 약 31 마이크로미터 사이의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 아몰퍼스 이산화실리콘 ("SiO2") 와 같은 유전체로 형성된 제 1 패시베이션 층 (38) 은 약 11 마이크로미터의 두께를 가질 수 있고, 금속 층 (36) 은 약 9 마이크로미터의 두께를 가질 수 있고, 예컨대, 또한 SiO2 로 형성된 제 2 패시베이션 층 (40) 은 약 11 마이크로미터의 두께를 가질 수 있다. 또한, 몇몇 양태들에 있어서, 센싱측 코팅 층 (32) 은 약 15 마이크로미터와 25 마이크로미터 사이의 두께를 가질 수 있다. 몇몇 양태들에 있어서, 제 2 패시베이션 층 (40) 및 센싱측 코팅 층 (32) 의 두께는, 예컨대, 집적 회로 (28) 의 센서측 (42) 상에 또는 금속 층 (36) 내에 형성될 수도 있는 센서 어레이 (도시하지 않음) 에 의한 지문 정보의 충분한 센싱을 허용하기에 충분히 얇을 수도 있다.
센싱측 (12) 의 프로세싱에 후속하여, 접속측 (14) 의 프로세싱을 위해 새로운 웨이퍼 (82) 를 뒤집을 수 있다. 단계 90 에서, 접속측 (14) 으로부터 몰드 충진제 (16) 를 레이저 어블레이트하여, 센싱측 (12) 상의 전기 재분배 접속 위치들 (48) 과 일직선으로 비아들 (44) 을 생성할 수 있다. 단계 94 에서 접속측 (14) 에 구리 층을 공급하는 것, 및 단계 96 에서 구리를 에칭하여, 예컨대 비아들 (44) 로부터 BGA (25) 접속점들 (50) 로 라우팅 접속들을 제공하는 것을 포함하여, 단계 92 에서는, 접속측 (14) 에 접속측 재분배 층 (34) 을 공급할 수 있다. 또한, 단계 96 에서, 구리의 에칭은, 다이 (60) 사이에, 상기 서술된 바와 같이, 정전기 방전 트레이스들 (54) 을 제공할 수 있다. 단계 98 에서, 비아들 (44) 을 충진제 재료 (52) 로 충진할 수 있고, 단계 100 에서, 예컨대, 도 4 및 도 11 에 도시된 바와 같이, BGA (25) 솔더 볼들 (26) 을 BGA (25) 접속점들 (50) 에 부착할 수 있다.
BGA (25) 솔더 볼들 (26) 의 부착에 후속하여, 단계 102 에서 추가적인 식별 정보를 이용하여 패키지들을 (예컨대, 접속측 (14) 상에서) 레이저 마킹할 수 있다. 단계 104 에서, 패키지들에 대해 최종 시험을 수행할 수 있다. 단계 106 에서, 도 12 에 도시된 바와 같이, 개별적인 지문 센서 패키지들 (10) 을 분리하고 나서, 단계 108 에서 최종 육안 검사를 실시하고 그리고 단계 110 에서 출하를 위한 포장을 실시할 수 있다.
몇몇 양태들에 있어서, 도 1 내지 도 4 에 도시된 바와 같이, 지문 센서 패키지 (10) 는 약 11 밀리미터의 길이 및 약 2.5 밀리미터의 폭을 가질 수 있다. 몇몇 양태들에서, 센서측 (12) 상에서의 센서 어레이의 면적은 약 20 마이크로미터 곱하기 약 100 마이크로미터, 또는 그 이하일 수 있다. 지문 센서 패키지 (10) 의 길이 및 폭은 종래의 지문 센서 패키지들보다 상당히 더 작을 수 있고, 이는 지문 센서 패키지 (10) 에 대한 호스트 디바이스 (18) 의 하우징 (24) 내의 보다 작은 개구 (22) 를 허락할 수 있다. 또한, 지문 센서 패키지 (10) 의 접속측 (14) 은, 개구 (22) 바로 아래의 디바이스 (18) 의 기판 (20) 에 표면 탑재될 수 있다. 그 결과, 지문 센서 패키지 (10) 는, 디바이스 기판 (20) 에 대한 접속을 위해 하우징 (24) 의 하부측 상에 추가적인 공간을 요구할 수도 있는 종래의 지문 센서 패키지들에 비교해서 더 작은 공간을 차지할 수 있다.
도 13 내지 도 17b 는 개시된 출원내용의 다른 실시형태에 따른 지문 센서 패키지 (10) 를 예시한다. 도 13 에 도시된 바와 같이, 지문 센서 패키지 (10) 는 센서 집적 회로 (28), 몰드 충전제 재료 (16), 센싱측 전기 재분배 층 (30), 센싱측 코팅 층 (32), 및 솔더 볼들 (26) 을 갖는 BGA (25) 를 포함할 수 있다. 지문 센서 패키지 (10) 는 또한 센서 집적 회로 (28) 의 양측에 인터포저 보드들 (112) 을 포함할 수 있다. 인터포저 보드들 (112) 은 도금된 및/또는 금속 충진된 비아들 (114) 을 포함할 수 있다. 센싱측 (12) 에서, 센싱측 재분배 층 (30) 은 센서 집적 회로 (28) 의 접속들 (46) 을 비아들 (114) 에 대한 접속들 (48) 과 전기적으로 접속시킬 수 있다. 일 실시형태에 있어서, 도 13 및 도 14 에 도시된 바와 같이, 접속측 (14) 에서, BGA (25) 솔더 볼들 (26) 은 비아들 (114) 각각에 대해 접속점들 (50) 에 직접 부착될 수 있다. 다른 실시형태들에 있어서, BGA (25) 솔더 볼들 (26) 은 접속측 재분배 층 (도시하지 않음) 을 통해서 비아들 (114) 에 접속될 수 있다.
도 13 에 도시된 바와 같이, 지문 센서 패키지 (10) 는 또한 ESD 방전 캐스틸레이션들 (116; ESD discharge castellations) (예컨대, 부분적인 비아들) 을 포함할 수 있다. ESD 방전 캐스틸레이션들 (116) 은 지문 센서 패키지 (10) 의 외부 에지들을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있고, ESD 에 대한 소산 통로를 제공하고 센서 집적 회로 (28) 를 보호하기 위해, 접지와 같은 공지된 전위에 전기적으로 접속될 수 있다. 몇몇 양태들에 있어서, ESD 방전 캐스틸레이션들 (116) 은, 후술되는 바와 같이, 실질적으로 절반으로 나눠진 인터포저 보드들 (112) 상의 비아들 (114) 로부터 형성될 수 있다.
도 15 에 도시된 바와 같이, 다수의 지문 센서 패키지들 (10) 이 웨이퍼 형태로 제조된 후, (예컨대, 쏘 라인들 (117; saw lines) 을 따라) 따로따로 쏘잉될 수 있다. 예를 들어, 일 실시형태에 있어서, 지문 센서 패키지 (10) 는 하기 방법에 따라 제조될 수 있다.
복수의 다이 (60) (즉, 센서 집적 회로들 (28)) 를 포함하는 실리콘 웨이퍼가 따로따로 쏘잉될 수 있고, 다이 (60) 의 회로측 (42) 이 점착 테이프에 부착되도록 다이 (60) 가 점착 테이프 또는 유사한 재료 상에서 분배될 수 있다. 또한, 인터포저 보드들 (112) 의 패널이 따로따로 나눠질 수 있고, 개별적인 인터포저 보드들 (112) 이, 예를 들어, 도 16 에 도시된 배향으로, 다이 사이에 있는 점착 테이프 상에서 분배될 수 있다. 도 17a 는 점착 테이프에 가해질 수 있고, 후술되는 바와 같이, 나중에 다이 (60) 에 전기적으로 접속될 수 있는 인터포저 보드들 (112) 의 예시 센싱측 (118) 을 예시한다. 도 17b 는, 후술되는 바와 같이, 나중에 BGA (25) 솔더 볼들 (26) 에 접속될 수 있는 인터포저 보드들 (112) 의 예시 접속측 (120) 을 예시한다.
다이 (60) 및 인터포저 보드들 (112) 이 점착 테이프 상에서 분배된 후에, 다이 (60) 와 인터포저 보드들 (112) 사이를 실질적으로 커버하고 충진하도록 몰드 충진제 (16) 가 공급되어, 서로에 관하여 적소에 다이 (60) 및 인터포저 보드들 (112) 을 실질적으로 고정시키고 그리고 새로운 웨이퍼를 생성할 수 있다. 점착 테이프가 제거될 수 있고, 센싱측 재분배 층 (30) 이 새로운 웨이퍼의 센싱측 (12) 에 공급될 수 있다. 상기 서술된 바와 같이, 센싱측 재분배 층 (30) 은 다이 (60) 및 인터포저 보드들 (112) 을 전기적으로 접속시킬 수 있다. 센싱측 재분배 층 (30) 은 또한 이미지 센서 드라이버들 및 픽업들 (도시하지 않음) 및/또는 속력 센서 드라이버들 및 픽업들 (도시하지 않음) 을 포함하는 금속 센서 어레이 (도시하지 않음) 를 포함할 수 있다. 센싱측 재분배 층 (30) 은, 예를 들어, 센싱측 코팅 층 (32) 으로 코팅될 수 있다. 새로운 웨이퍼의 접속측 (14) 을 레이저 어블레이트하여 인터포저 보드들 (112) 상의 BGA (25) 솔더 볼 (26) 접속점들 (50) 을 노출시킬 수 있고, 그후 BGA (25) 솔더 볼들 (26) 을 BGA (25) 솔더 볼 (26) 접속점들 (50) 에 적용할 수 있다. 그후, 도 15 및 도 16 에 도시된 바와 같이, 새로운 웨이퍼를 쏘 라인들 (117) 에서 따로따로 쏘잉하여, 인터포저 보드들 (112) 각각을 실질적으로 나눠서 개별적인 지문 센서 패키지들 (10) 을 분리하고 그리고 지문 센서 패키지들 (10) 각각의 외부 측벽들의 적어도 일부를 따라 ESD 방전 캐스틸레이션들 (116) 을 노출시킬 수 있다. 금속 층들이 또한 다른 측벽들 상에 부가될 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 도 13 내지 도 17b 에 도시된 바와 같이, 지문 센서 패키지 (10) 는 약 1.1 밀리미터의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 센싱측 코팅 층 (32) 은 약 25 마이크로미터 두께일 수 있고, 센싱측 재분배 층 (30) 은 약 22.5 마이크로미터 두께일 수 있고, 몰드 충진제 (16) 는 (예컨대, 약 620 마이크로미터 두께일 수 있는 센서 집적 회로 (28) 를 실질적으로 커버하기 위해) 약 800 마이크로미터 두께일 수 있고, BGA (25) 솔더 볼들 (26) 높이는 약 250 마이크로미터일 수 있다. 또한, 몇몇 양태들에 있어서, 도 13 내지 도 17b 에 도시된 바와 같이, 지문 센서 패키지 (10) 는 약 12 밀리미터 미만의 길이 및 약 3 밀리미터 미만의 폭을 가질 수 있다. 몇몇 양태들에서, 센싱측 (12) 상의 센서 어레이 (도시하지 않음) 의 면적은 약 20 마이크로미터 곱하기 약 5 마이크로미터, 또는 그 이하일 수 있다.
이제 도 18 내지 도 20 을 고려하면, 개시된 출원내용의 다른 가능한 실시형태들의 단면도들이 도시되어 있다. 도 18 에 예로서 예시되는 바와 같은, 센서 패키지 (10) 의 다른 실시형태는 다층 인쇄 회로 보드 (multilayer printed circuit board; "MLPCB") (150) 를 포함하는 접속측 (14) 을 가질 수 있다. MLPCB (150) 는 상부에, 솔더 볼 접속 패드들 (50) 상에 탑재되는, 볼 그리드 어레이 (25) 를 형성하는 솔더 볼들 (26) 을 탑재할 수도 있다. 솔더 볼 접속 패드들 (50) 은, PCB (150) 내의 내부 비아들 (도시하지 않음), 및 충진 재료 (16) 내에 형성된 TMV 비아들 (44) 을 통해서 지문 센서 WLFO 패키지의 센싱측 (14) 에서의 금속 층들에 전기적으로 접속될 수도 있다. TMV 비아들 (44) 은 솔더 (152) 를 통해서 PCB (150) 상의 전기 커넥터들 (50) 에 접속될 수도 있고, PCB (150) 는 접착제 (154) 층을 통해서 WLFO 패키지에 접속될 수도 있다. 도 18 내지 도 20 은 또한 IC 디바이스 (42) 의 실리콘에 비아들 (46) 을 접속시키는 금속 패드 (46') 를 예시한다. 도 18 내지 도 20 은 또한 SiPO 유전체층 (164) 을 예시한다. 도 19 의 WLFO 패키지는 PCB 층 (150) 내의 개구에 있는 충진 재료 (16) 를 가지므로, 충진 재료 (16) 가 IC 다이 (42) 를 둘러싸고 캡슐화하도록 한다. 또한, 도전성 재료로 충진된, PCB 층 재료에서의 쓰루 비아들 (170) 은, 패키지 (10) 의 센싱측 (12) 상의 금속 층들과 솔더 볼 탑재 플레이트들 (50) 사이의 전기 접속을 제공할 수 있다. 도 19 는 또한, 예컨대, 센서 디바이스들의 구동 플레이트들 및 픽업 플레이트들을 형성하는, 금속 패드들 (146') 에 접속된 센서 트레이스들 (146) 의 예를 예시한다. 도 20 의 WLFO 패키지는, 볼 금속 트레이스들 (50) 및 비아들 (44) 및 ECD 링 (160') 을 제외하고는, 접속측의 외부 표면으로 줄곧 연장하는 충진 층 (16) 을 예시한다.
웨이퍼 레벨 팬 아웃 ("WLFO") 구성 기술과 같이, 지지 충진제를 이용하여 구성된 패키지가 몰딩된 충진제 재료를 통해서 형성된 쓰루 몰드 비아들 ("TMV들") 로 제작된 쓰루를 사용하는 경우, 패키지가 휠씬 더 얇게 제작될 수 있다. 또한, WLFO 가 다층 인쇄 회로 보드 "PCB" 에 접속되는 경우, TMV 로 하는 것이 휠씬 더 용이해진다. 다층 PCB들은 비교적 저렴하며, 또한 패키지의 높이를 매우 용이하게 조절하기 위해 이용될 수 있다. 공통 기준 전압에 대한 접속, 예컨대, 접지된 접속 "EGND" (160) 은, 예컨대, 도 18 에서 관찰되는 바와 같이, PCB (150) 의 에지 주위에 배치될 수 있고, 또는 ESD 보호를 위해, 예컨대, 도 20 에서 관찰되는 바와 같이, 저부 립 (bottom lip) 주위의 160' 에 배치될 수 있다. TMV 를 갖는 WLFO 는 솔더 (152) 및 접착제 (154) (예컨대, 도 18 에서 관찰됨) 를 이용하여 패키지 (10) 의 PCB (150) 부에 접속될 수 있다. 그때 TMV 를 갖는 WLFO 의 두께가 상당히 감소될 수 있기 때문에, 예컨대, 도 19 및 도 20 에서 관찰되는 바와 같이, 보다 두꺼운 WLFO 플러스 TMV 패키지로부터 비용이 감소될 수 있다. 또한, 이것은 TMV 레이저 어블레이션 형성 프로세스에 필요한 시간의 양을 감소시킬 수 있다.
도 21 은 복수의 주요 지문 이미징 센서 회로망 집적 회로들을 형성하는 복수의 다이 (60) 를 갖는 웨이퍼 (58) 를 도시한다. 도 22 는, 발광 다이오드들 ("LED들") (130) 과 같은 전자 회로들, 또는 동일 패키지에 포함되고, 예컨대, 개시된 출원내용의 양태들에 따라, IC (42) 를 따라 몰딩된 충진제 재료 (16) 내에 형성되고, 그리고 실제 생체인식 대상물 센서 제어기 IC (42) 의 컴플리먼트리 또는 부수적인 또는 함께 이용되는 다른 아이템들을 포함하는, 2차 IC들 (61) 의 웨이퍼를 도시한다. 도 23 은 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 공동 몰딩된 웨이퍼 ("CMW") (72) 로의 지문 센서의 재분배의 예를 도시한다. 도 24 는 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 공동 몰딩된 웨이퍼 ("CMW") (72) 로의 지문 센서 IC들 및 2차 IC들의 재분배를 예시한다. 도 25 는 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 CMW (72) 주위의 몰드 링 (80) 의 배치를 예시한다. 도 26 은 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따른 CMW (72) 를 더욱 형성하기 위해 충진 재료 (16) 의 주입의 예를 도시한다. 도 27 은 공급 전기 재분배 층들 이전에 CMW (72) 의 평면도를 예시한다. 도 28 은 또한, 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따라, RDL 층들이 공급되기 이전에 CMW 의 평면도를 예시한다. 도 29 는 개시된 출원내용의 실시형태들의 양태들에 따라, 볼 그리드 어레이들 (25) 을 형성하기 위해 CMW (72) 상의 솔더 볼들 (26) 의 배치를 예시한다. 도 30 은 CMW들 (72) 을 개별적인 WLFO 패키징된 디바이스들 (10) 로 따로따로 쏘잉하는 것을 예시한다. 도 31 은 또한 CMW 를 개별적인 WLFO 패키징된 디바이스들로 쏘잉하는 것을 예시한다.
본 명세서에서 본 개시된 출원내용의 바람직한 실시형태들에 대해 나타내고 설명하였지만, 이러한 실시형태들은 예시만을 위해 제공된다는 것이 당업자에게 자명할 것이다. 이제, 개시된 출원내용으로부터 일탈하지 않고서 당업자에게 수많은 변경물들, 변화물들, 및 치환물들이 생각날 것이다. 개시된 출원내용을 실시할 때에 본 명세서에 기재된 개시된 출원내용의 실시형태들에 대한 다양한 대체물들이 채용될 수도 있음을 이해해야 한다. 하기 청구항들이 개시된 출원내용의 범위를 정의하고 그리고 그에 따라 이들 청구항들 및 그 등가물들의 범위 내의 방법들 및 구조들이 커버되도록 의도된다.

Claims (20)

  1. 다이 상면, 다이 바닥면, 및 다이 측면들을 포함하는 센서 다이;
    상기 다이 상면 상의 센싱 영역;
    적어도 일부분이 상기 다이 상면 위에 있는 상면 도전체;
    바닥면 연결점;
    상기 상면 도전체를 상기 바닥면 연결점에 전기적으로 연결하되, 상기 센서 다이로부터 측방향으로 위치된 도전성 비아; 및
    적어도 상기 다이 측면들을 덮는 인캡슐란트를 포함하는, 센서 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 센싱 영역을 덮는 보호 물질을 포함하는, 센서 디바이스.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 보호 물질은 상기 다이 상면의 전체를 덮는, 센서 디바이스.
  4. 제2항에 있어서,
    개재 유전체 물질을 포함하고, 그리고 상기 보호 물질은 적어도 상기 개재 유전체 물질에 의해 상기 다이 상면으로부터 분리된, 센서 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 인캡슐란트는 상기 다이 바닥면의 적어도 일부분을 덮는, 센서 디바이스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 인캡슐란트는 상기 다이 바닥면의 전체를 덮는, 센서 디바이스.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 인캡슐란트의 최하부 표면은 상기 바닥면 연결점의 최하부 표면만큼 낮은, 센서 디바이스.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 인캡슐란트의 상면은 상기 다이 상면과 실질적으로 동일 평면인, 센서 디바이스.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 바닥면 연결점에 연결된 도전성 볼을 포함하고, 상기 도전성 볼의 적어도 일부분은 상기 인캡슐란트에 내장된, 센서 디바이스.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 바닥면 연결점은 도전층을 포함하는, 센서 디바이스.
  11. 다이 상면, 다이 바닥면, 및 다이 측면들을 갖는 센서 다이;
    상기 다이 상면 상의 센싱 영역;
    적어도 일부분이 상기 다이 상면 위에 있는 상면 도전체;
    바닥면 연결점;
    상기 센서 다이에 대해 측방향으로 위치되고, 상기 상면 도전체를 상기 바닥면 연결점에 전기적으로 연결하는 도전성 비아를 포함하는 제1인터포저; 및
    적어도 상기 다이 측면들을 덮는 인캡슐란트를 포함하는, 센서 디바이스.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1인터포저는 제1인터포저 보드를 포함하는, 센서 디바이스.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 센서 다이에 대해 측방향으로 제2인터포저가 위치되고 상기 센서 다이가 상기 제1인터포저와 상기 제2인터포저의 사이에 측방향으로 있도록 위치된, 센서 디바이스.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1인터포저는 상기 다이 측면들 중 제1다이 측면을 덮고;
    상기 제2인터포저는 상기 다이 측면들 중 제2다이 측면을 덮으며;
    인터포저는 상기 다이 측면들 중 제3다이 측면을 덮지 않으며; 그리고
    인터포저는 상기 다이 측면들 중 제4다이 측면을 덮지 않는, 센서 디바이스.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1,2인터포저 각각의 적어도 하나의 각 측면은 상기 인캡슐란트로부터 노출되는, 센서 디바이스.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 인캡슐란트는 상기 제1인터포저 및 상기 다이 바닥면의 바닥면을 덮는, 센서 디바이스.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1인터포저의 상면 및 상기 다이 상면은 상기 인캡슐란트에 의해 덮이지 않는, 센서 디바이스.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제1인터포저의 상면, 상기 다이 상면, 및 상기 인캡슐란트의 상면은 동일 평면을 이루는, 센서 디바이스.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 센서 다이의 적어도 두 측면들을 측방향에서 감싸는 정전기 방전(ESD) 구조를 포함하는, 센서 디바이스.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 ESD 구조의 적어도 일부분은 상기 센서 다이로부터 측방향으로 위치되고 그리고 상기 다이 상면 및 상기 인캡슐란트의 상면보다 수직으로 더 높게 위치되는, 센서 디바이스.
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