KR20150127690A - 기계적으로 생성된 정렬 표식 방법 및 정렬 시스템 - Google Patents

기계적으로 생성된 정렬 표식 방법 및 정렬 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20150127690A
KR20150127690A KR1020157028358A KR20157028358A KR20150127690A KR 20150127690 A KR20150127690 A KR 20150127690A KR 1020157028358 A KR1020157028358 A KR 1020157028358A KR 20157028358 A KR20157028358 A KR 20157028358A KR 20150127690 A KR20150127690 A KR 20150127690A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
workpiece
exposure
layer
coordinate system
writing
Prior art date
Application number
KR1020157028358A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102253995B1 (ko
Inventor
토르브요른 잔트스트룀
Original Assignee
마이크로닉 마이데이타 에이비
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크로닉 마이데이타 에이비 filed Critical 마이크로닉 마이데이타 에이비
Publication of KR20150127690A publication Critical patent/KR20150127690A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102253995B1 publication Critical patent/KR102253995B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Abstract

개시된 기술은 무라(mura)라고 알려진 가시적 아티팩트(artifacts)를 감소시키는데 사용될 수 있는 방법들 및 시스템들에 관련된다. 특히, 본 기술은 가공품(workpiece) 상에서 노출 또는 방사 민감 물질의 층의 외관을 물리적으로 수정하고, 그리고나서 이러한 정렬 마크들 또는 이들 마크들의 전사된 직접 또는 반전된 이미지들을 이용하여, 기입 시스템 내에서 가공품의 물리적 이동에 뒤이어, 노출 기입 패스들 사이에서 기입 좌표계를 재정렬함으로써 정렬 마크를 생성하는 것에 관련된다. 위에서 설명된 물리적 수정은 상기 층으로 마크를 기계적으로 가압하는 것, 상기 층을 에싱(ash)하거나 어블레이션(ablate)하기 위해 레이저를 이용하는 것, 또는 상기 레이저의 표면에 잉크 또는 다른 물질을 가하는 것을 포함한다.

Description

기계적으로 생성된 정렬 표식 방법 및 정렬 시스템{MECHANICALLY PRODUCED ALIGNMENT FIDUCIAL METHOD AND ALIGNMENT SYSTEM}
본 출원은 2013년 3월 12일에 출원된 미국 가출원 제61/777,469호의 우선권을 주장하며, 이는 본 명세서에 참조로서 통합된다.
본 출원은 발명의 명칭 "무라(mura) 검출 및 계측을 위한 방법 및 장치"인 미국특허 제8,160,351호(MLSE 1078-2, P00314) 및 발명의 명칭 PSM 정렬 방법 및 장치인 미국 특허 제7,411,651호(MLSE 1042-2, P00183)에 관련된다. 본 출원은 또한 본 출원의 발명자와 동일한 발명자에 의한, 발명의 명칭 "교차 기입(writing) 전략"인 미국 특허 출원 제13/314,063호(MLSE 11 18-2, P00377) 및 발명의 명칭 "기입 장치 및 방법" (HDP drum)에 관련된다. 본 출원은 또한 본 출원의 발명자와 동일한 발명자에 의한, 발명의 명칭이 "감소된 무라 결함을 갖도록 포토마스크들을 기입하기 위한 방법 및 장치"(MLSE 1140-1, P)인 미국 가출원에 관련된다. 이들 출원들은 본 명세서에 참조로서 결합된다.
개시된 기술은 무라(mura)라고 알려진 가시적 아티팩트(artifacts)를 감소시키는데 사용될 수 있는 방법들 및 시스템들에 관련된다. 특히, 본 기술은 가공품(workpiece) 상에서 노출 또는 방사 민감 물질의 층의 외관을 물리적으로 수정하고, 그리고나서 이러한 정렬 마크들 또는 이들 마크들의 전사된 직접 또는 반전된 이미지들을 이용하여, 기입 시스템 내에서 가공품의 물리적 이동에 뒤이어, 노출 기입 패스들 사이에서 기입 좌표계를 재정렬함으로써 정렬 마크를 생성하는 것에 관련된다. 위에서 설명된 물리적 수정은 상기 층으로 마크를 기계적으로 가압하는 것, 상기 층을 에싱(ash)하거나 어블레이션(ablate)하기 위해 레이저를 이용하는 것, 또는 상기 레이저의 표면에 잉크 또는 다른 물질을 가하는 것을 포함한다.
종래의 정렬 시스템들은 기판에 천공된 구멍들과 같이, 기판 제조사에 의해 기판에 부가된 정밀하게 위치된 관련 마크들에 종종 관련되어 왔다. 이러한 마크는 하나 이상의 노출 민감 층들과 마스크 기판 위에 부가되는 다른 물질들을 통하여 검출될 필요가 있었다. 레티클(reticle), 마스크 및 다른 가공품들에 부가되는 다양한 범위의 마크 형태들이 기술되어 왔다. 통상, 기판 상에 노출되는 제 1 층에 정렬 마크들이 사진공정에 의해 부가되어 왔다. 정렬을 위한 다양한 광학수단이 또한 기술되어 왔다.
소형 피처(features)를 기입하기 위한 우수한 정렬 시스템, 특히 대면적 마스크를 위한 우수한 정렬 시스템을 제공하려는 기회들이 일어나고 있다. 더 적은 가시적 인공물들을 생성하는 우수한 마스크들이 그 결과물이 된다.
다시 말하면, 개시된 기술은 무라(mura)라고 알려진 가시적 아티팩트(artifacts)를 감소시키는데 사용될 수 있는 방법들 및 시스템들에 관련된다. 특히, 본 기술은 가공품(workpiece) 상에서 노출 또는 방사 민감 물질의 층의 외관을 물리적으로 수정하고, 그리고나서 이러한 정렬 마크들 또는 이들 마크들의 전사된 직접 또는 반전된 이미지들을 이용하여, 기입 시스템 내에서 가공품의 물리적 이동에 뒤이어, 노출 기입 패스들 사이에서 기입 좌표계를 재정렬함으로써 정렬 마크를 생성하는 것에 관련된다. 위에서 설명된 물리적 수정은 상기 층으로 마크를 기계적으로 가압하는 것, 상기 층을 에싱(ash)하거나 어블레이션(ablate)하기 위해 레이저를 이용하는 것, 또는 상기 레이저의 표면에 잉크 또는 다른 물질을 가하는 것을 포함한다. 개시된 기술의 특별한 양상들은 청구범위, 상세한 설명 및 도면에서 상술된다.
도1은 레지스트-코팅 표면의 기계적 압인(indentation)을 도시하며, 상기 압인은 하부(underlying) 물질에 도달하기에 충분할 정도의 깊이를 갖는다.
도2는 툴이 제거된 후의 압인을 도시한다.
도3은 광학적 검출기 또는 카메라(300)가 어떻게 압인(200)의 위치를 파악하고 측정하는지를 도시한다. 도3은 또한 어떻게 포토레지스트가 패턴(340 및 345)을 이용하여 노출되는지를 도시한다.
도4는 노출된 영역을 개방시키는 현상 후와 에칭 도중의 가공품을 도시하며, 에칭시 에칭 매체(405)가 막(105)(예를들어 크롬 막)을 소모하며 레지스트가 노출되었고(410, 411) 또한 레지스트가 압인된(415) 트렌치를 개방시킨다.
도5는 제2 막(500)과 제 2층의 포토레지스트(505)가 증착된 곳에서 잔류 레지스트가 제거되는 것을 도시한다. 카메라(300)는 에칭에 의해 크롬 내로 전사된 표식점을 검출 및 측정하며, 제 2층의 패턴(530, 535)의 기입이 표식(510)에 대한 정렬 후에 수행된다.
도6은 정확히 중첩되는 두개의 패턴들을 도시한다.
도7은 압인 툴을 이용하여 미리 결정된 충격 에너지로 단일 히트(hit)를 관리하기 위한 개념적 장치를 도시한다.
도8은 프로세스 도중의 다양한 단계들에서의 표식들의 그룹을 도시하며, 도8A는 레지스트 내의 압인을, 도8B는 도3의 광학적 이미지를, 도8C는 에칭 전의 하부 막 내의 압인을, 도8D는 도5의 에칭된 표식들의 광학적 이미지를 도시한다.
도9는 상이한 경사 앵글(angle)을 갖는 두개의 패스들을 이용한 가공품의 경사 기입을 도시한다.
도10은 화학적 프로세싱없이 광학적으로 가시적인 표식들을 형성하기 위한 수개의 방법들을 도시한다.
도11은 레지스트의 노출, 레지스트의 현상 및 에칭 도중에 쉐도잉(shadowing)에 의해, 형성된 것들을 하부 층들로 전사하는 부가적 표식들에 기초하는 예시적 프로세스를 도시한다.
도12는 노출 민감 층의 표면을 물리적으로 수정하는 수개의 표식들의 예들을 도시한다. 도12A 내지 도12D는 상이한 툴들을 이용한 압인의 예들을 도시한다. 도12E는 예시적인 부가적 방법, 예를들어 분사(jetting), 입자들에 의한 더스팅(dusting), 레이저 유도 전방 전사(laser induced forward transfer) 등에 의해 형성된 표식을 도시한다.
도13은 본 혁신적 방법을 이용한 예시적 프로세스의 흐름도를 도시한다.
도14는 양자화(quantization) 또는 그리드 스냅(grid snap)에 종종 관련되는 작은 시스템적 에러들로부터 넓은 면적에 걸쳐 시각적으로 인지가능한 패턴들을 생성하는 무라의 문제점을 개념적으로 도시한다.
도15는 기입되는 패턴의 피처 기하에 대한 작은 기입 회전에 의해 어떻게 가시적으로 인지가능한 패턴들이 영향을 받는지를 개념적으로 도시한다.
도16은 피처 기하에 대하여 기입 그리드의 상당한 회전에 의해 시각적으로 인지가능한 패턴들이 상당히 감소하는 것을 개념적으로 도시한다.
본원의 상세한 설명이 도면을 참조하여 설명된다. 바람직한 실시예들이 개시된 기술을 설명하기 위해 기재되나 본원의 권리범위를 한정하기 위한 것이 아니며 이는 청구범위에 의해서 정해진다. 본 기술분야의 통상의 기술자는 본원 상세한 설명에 대한 다양한 균등 변형들을 이해할 수 있을 것이다.
개시된 기술은 가공품 위에 형성된 노출 민감 층 내 또는 상에 광학적으로 가시적인 표식들을 형성하기 위하여 건식 방법들을 사용한다. 이들 건식 방법들은 노출 민감 층의 물리적 수정 또는 층의 기계적 수정으로 대안적으로 불릴 수 있다. 상기 층은 레지스트 층과 같은, 방사 민감 층으로 대안적으로 불릴 수 있다.
일부 실시예들에서, 노출 민감 층에 적용된 현상 단계들이 노출 민감 층 하부의 불투명 또는 위상 시프팅(shifting) 층(일반적으로 제 1 패터닝 층으로 불림)에 광학적으로 가시적인 표식들의 전사를 야기한다. 예를들어, 불투명 층의 일부를 제거함에 의해 패턴을 형성하는, 노출 민감 층의 습식 에칭은 표식이 크롬을 에천트(echant)에 노출시키는 경우, 레지스트 내에 형성된 표식을 레지스트 아래의 크롬 층으로 양각 전사(positively transfer)할 수 있다. 다른 실시예에서, 노출 민감 층의 습식 에칭은, 레지스트 상에 잉크 젯팅하고, 레지스트를 노출시키고, 잉크 마크들 사이의 공간의 크롬으로 에칭시킴으로서 형성되는 표식들의 그룹의 인버스(inverse) 전사를 형성할 수 있다. 양각 전사 및 음각 전사 모두가 이러한 처리에 약간의 수정을 가하여 사용될 수 있다.
노출 민감 층 내 또는 상의 광학적으로 가시적인 표식들은, 직접 또는 반전되어(inversely) 전사되는 것에 상관없이, 표식들이 크롬과 같은 불투명 층으로 또는 위상 시프팅 층으로 전사된 후에 제 2 패턴을 기입(writing)하는 경우 검출될 수 있다. 표식들의 검출 및 표식들로의 정렬은 예를들어 제 1 패터닝 단계가 제 2 레지스트 층 적용 뒤인 경우에 유용하다. 전사된 광학적으로 가시적인 표식들은 제 2 패턴을 제 1 패턴에 정렬하는데 이용된다. 마스크 또는 레티클(reticle)을 이용하는 경우, 이것은, 마스크가 부분적으로 불투명인(회색) 영역들과 접하는 불투명 영역들을 갖거나 위상 시프팅 피처(feature)들이 불투명 피처들과 결합하는 경우에 유용할 수 있다. 다른 실제적인 용도들을 또한 가질 수 있을 것이다.
노출 민감 층 내 또는 상의 광학적으로 가시적인 표식들은 전사 없이 검출될 수 있으며 가공품의 기계적 회전에 의해 분리된 두 개의 노출들을 이용하여 단일 층을 기입하는 경우에 효과적으로 사용될 수 있다. 예를들어, 가공품이 목적하는 패턴으로 제 1 경사 앵글로 위치되는 경우 패턴이 기입될 수 있다. 제 2 경사 앵글로 목적하는 패턴으로 기입하기 위한 준비를 위해 가공품이 회전될 수 있다. 노출 민감 층 내 또는 상의 광학적으로 가시적인 표식들은 가공품의 물리적 회전 이전에, 제 1 및 제 2 기입 패스들을 정밀하게 정렬시키는데 이용될 수 있다. 스테이지 상의 가공품은 목적하는 패턴 내의 피처들의 1차 또는 2차 축에 대해 5도, 10도, 적어도 10도, 또는 10 내지 45도의 앵글로 회전될 수 있다.
광학적으로 가시적인 표식들은 노출 민감 층이 적용된 후 그리고 가공품이 패터닝 장치로부터 제거되기 이전에 다양한 횟수로 적용될 수 있다. 예를들어, 레지스트가 이미 적용된 상태로 마스크 블랭크(blank)가 패터닝 숍(shop)에 도달하는 경우, 광학적으로 가시적인 표식들은 블랭크의 공급자에 의해 적용될 수 있다. 대안적으로, 마스크는 제 1 기입 패스(pass) 바로 전에 패터닝 장치에 인접한 워크스테이션(workstation)에서 적용될 수 있다. 또는, 광학적으로 가시적인 표식들을 형성하기 위한 툴이 기입 장치에 통합되어, 제 2 기입 패스 전, 도중 또는 후에 형성될 수 있다. 광학적으로 가시적인 표식들의 위치는 제 1 기입 패스에서 기입된 패턴에 대하여 상대적으로 측정된다. 패턴되고 있는 가공품에 대한 상대적인 표식들의 위치는 임계적인 것은 아닌데, 이는 기입 패스들 사이에서 가공품의 기계적 회전을 이용하여, 연속 층들에서의 기입 패스 및 단일 층 상의 다중 기입 패스 모두를 위해서 패턴에 대한 상대적인 위치가 기입 패스들 사이에서 정렬을 위해 용이하게 이용될 수 있기 때문이다.
광학적으로 가시적인 표식들을 형성하기 위해서 다양한 방법들이 포토레지스트 층의 표면의 물리적 수정에 의해, 레이저 어블레이션에 의해, 더스팅, 스프레잉, 잉크-젯팅 또는 유사한 기술들에 의한 미세 패턴의 증착에 의해, 또는 기계적 압인에 의해 이용가능하다. 기계적 압인은 높은 광학적 콘트라스트(contrast)를 갖는 소형 마크들을 제공하며 압인이 포토레지스트 내에, 포토레지스트를 통해 패턴될 막으로 또는 기판으로 다른 폴리머 막들 및 에치 마스크들 내에, 또는 기판으로 형성될 수 있기 때문에 탄력적이다. 하나의 실시예는, 제 1 막, 예를들어 블랙 크롬이 패턴되고 제 2의 감쇄된 층이 상기 패턴된 크롬의 상부 상에 증착되고 상이하나 매우 높게 요구되는 중첩(overlay) 정밀도를 갖는 제 2 패턴을 이용하여 패턴되는 곳에서 위상-시프트 또는 하프-톤(half-tone) 마스크들을 기입하는 것이다.
예를들어 락웰(Rockwell) 경도 테스터와 유사한 날카로운 다이아몬드 피라미드(pyramid)에 의한 기계적 압인이 포토레지스트 내에 마크를 형성하며, 이것은 광학 센서를 이용하여 용이하게 파악될 수 있다. 불필요한 중복(redundancy) 및 에러를 제거하기 위하여, 표식은 예를들어 10개 미만, 100개 미만, 5개 초과, 20개 초과의 다수의 압인 마크들로 이루어 질 수 있다. 광학 센서는 카메라, 현미경, 라인 스캔 카메라(line scan camera) 또는 광학적 기입기 내의 기입 빔의 반사일 수 있다.
압인이 적절한 힘 또는 충격으로 수행되는 경우, 압인은 포토레지스트를 관통하여 하부 막, 예를들어 크롬으로 들어갈 수 있다. 이 금속은 경질이며 압인기(indenter)의 팁(tip) 주변의 압력은 매우 높아서, 포토레지스트를 팁으로부터 떨어지게 밀어내어 팁과 크롬 간에 경성(hard) 접촉이 일어나게 된다. 팁이 후퇴하는 경우, 레지스트 내의 압인, 크롬 내의 작은 압인 및 레지스트를 관통하여 크롬 금속까지의 구멍이 남게된다. 다양한 형상의 마크들을 레지스트에 압인하여 형성하는 수개의 도면들이 도시된다. 다른 도면들은 레지스트 상에 잉크 또는 다른 재료를 젯팅하는 것을 도시한다.
개시된 기술은 건식 방법에 의해 가공품의 노출 민감 층 내에 광학적으로 가시적인 표식들을 형성하고 가공품 상에서 표식들의 위치를 측정하는 방법 및 기입 시스템을 또한 포함한다. 제 1 노출 패턴은 표식들이 형성되기 전 또는 후에 형성될 수 있다. 가공품이, 동일한 층 또는 제 2 층에 대한 것일 수 있는 제 2 노출을 위해, 리로딩(reload)되는 경우에 표식들의 위치가 재측정된다. 표식들의 측정된 위치는 제 2 노출을 정렬하기 위해 사용된다. 통상적으로, 기계적 에러 또는 바이어스(bias)가 노출들 모두에 동일하게 도입되고 중첩 에러들 또는 오정렬(misalignment)을 일으키지 않는다. 측정과 기입 간에 콘트라스트 에러, 예를들어 위치 오프셋이 존재하는 경우에, 종래 이용되는 방법에서는, 이러한 에러가 층들 간의 중첩 에러로 가게된다. 개시된 기술에서는, 콘트라스트 에러가 기입 동작들 모두로 동일하게 가게되므로, 이로 인해 차이(differential) 에러들이 감소하게 된다. 넌-콘트라스트(non-contrast) 에러가 존재하는 경우에, 표식들을 측정하고 기입하는 절차가 층들 모두에서 동일하기 때문에, 열적 표류(drift), 메모리 효과, 및 동일한 시스템적이나 알려지지 않은 효과들의 차이 영향을 감소시켜서 이러한 에러가 역시 감소하게 된다.
개시된 기술은 건식 방법에 의해 가공품 상에 제 1 광학적으로 가시적인 표식들을 형성하고 표식들의 위치를 측정하는 방법 및 기입 시스템을 또한 포함한다. 제 1 층의 노출에 뒤이어, 화학적 처리 이후에 제 2 광학적으로 가시적인 표식들을 형성하기 위해 표식들이 전사된다. 제 2 표식들의 위치들은 재측정되고 측정된 위치들은 제 2 층을 정렬하는데 이용된다. 전사된 표식들은 어떻게 형성되었는지에 따라, 직접 또는 반전되어 전사될 수 있다. 통상적으로, 기계 에러 또는 바이어스가 노출들 모두에 동일하게 도입되고 중첩 에러들 또는 오정렬을 일으키지 않는다. 하나의 예시적 상황은 기입 동작들 사이에서 그리드(grid)의 회전을 이용하여 두 개의 층들을 기입하는 것이고, 또다른 상황은 제 1 크롬 층이 패턴되고 처리되며, 반투명 층 또는 위상-시프팅 층과 같은 제 2 층이 증착되고, 새로운 포토레지스트가 증착되고 제 2 층이 패턴되어 포토마스크를 형성하는 것이다.
패터닝 후에, 마스크의 노출 민감 층이 현상되어 레지스트 패턴이 형성된다. 크롬과 같은, 레지스트 아래의 제 1 패터닝 층이 레지스트 내의 개구를 관통하여 에칭된다. 에칭 프로세스는 또한 압인된 개구를 관통하여 크롬을 에칭하여, 의도적으로 형성된 핀홀(pinhole)을 형성할 것이다. 통상, 이것은 언더컷팅(undercutting)으로 인해, 레지스트 내의 개구보다 다소 더 크고 더 라운딩된(rounded), 크롬 막 내의 에칭된 구멍을 형성한다. 이들 에칭된 구멍들은 뒤이은 패터닝 단계들에서 표식들로서 이용될 수 있다.
흡수 또는 위상-시프팅 물질의 층이 패턴된 크롬 상에 증착되며, 크롬의 에칭된 표면에 대해 정합될 것이다. 제 2 막이 반사에 있어 불투명하다고 하더라도, 바깥쪽 표면이 크롬 표면의 형상을 반사할 것이며 크롬 막 바로 아래의 피처들에 가시적인 가시성을 제공할 것이다. 따라서, 표식들은 가시적일 것이며 제 2 층 패터닝은 상기 표식들을 정렬을 위해 사용할 수 있다.
개시된 기술은 또한 단일 노출 민감 층의 노출들 사이에서 물리적으로 회전되는 가공품을 이용하여 다수의 노출 패스들에서 패턴을 기입하기 위한 방법 및 기입 시스템을 포함한다. 표식들은 화학적 현상 또는 레지스트에서 크롬으로의 전사 없이 기입 패스를 정렬하는데 이용될 수 있다.
개시된 기술을 적용함으로써, 높은 충실도로 기입기 자체의 특성을 억제하면서 패턴이 기입될 수 있다. 기입 패스들 사이에서 적어도 한번 가공품이 물리적으로 회전되면서, 패턴이 수회(패스), 적어도 2회 기입된다. 개시된 기술을 적용함으로써, 기입이 시작된 후에(또는 회전 바로 전에) 표식들이 형성될 수 있으며 패스들의 극도로 정밀한 회전을 이용하여 정밀하게 패스들을 정렬하는데 표식들이 이용될 수 있다.
혁신적 표식들이 표식들에 대해 할당된 영역이 소형이 되도록 매우 컴팩트(compact)하게 형성될 수 있다. 종래 기술의 정렬과 대비하여, 표식들은 어떠한 위치 정확성을 갖도록 형성될 필요가 없다. 표식들의 기능은 두 개의 기입 패스들의 좌표계들이 서로 정렬되도록 단지 허용하는 것이다. 하나의 패스 내의 기하학적 정밀성이 기입 시스템의 스테이지에 의해 제공된다. 따라서, 표식들은 기입기 외부의 스테이션에서 형성될 수 있다. 왜냐하면 제어된 충격 시스템에서 사용하기에 기계적 압인이 바람직하기 때문이다. 압인기가 스프링의 말단의 작은 질량에 부착될 수 있다. 상기 스프링은 인장력이 걸렸다 해제되며 압인기가 표면을 1회 히트하도록 타격하고, 바운스 백(bounce back)하고, 스프링이 적절한 감쇄를 갖기 때문에 다시 히트하지 않게 된다. 이러한 운동은 압전 또는 전자기적 액츄에이터를 이용하여 축방향이거나, 측방향 구동을 갖는 판스프링(leaf spring)을 이용하여 측방향일 수 있다.
개시된 기술을 이용함으로써, 층들 사이에서 가공품의 물리적 이동을 갖는 동일한 가공품 상에서 두 개의 광학적으로 노출된 패턴 층들 사이의 에러들을 감소시키는 문제가, 가공품 상에서 광학적으로 가시적인 표식들을 건식 방법에 의해 형성하고, 제 1층의 노출 이후에 가공품을 기입기로부터 제거하기 전에 표식들의 위치들을 측정하고, 가공품이 예를들어 제 2층의 추가적인 노출 기입을 위해 로딩되는 경우 표시들의 위치를 재측정함에 의해 해결될 수 있다. 제 2 층을 정렬하기 위해 상기 측정된 위치를 이용함으로써, 다수의 기계 에러들이 층들 모두에서 동일하게 도입되고 중첩 에러들이 일어나지 않게 된다.
유사하게, 층들의 기입 사이에서 가공품의 화학적 처리를 이용하여 동일한 가공품 상에서 두 개의 광학적으로 노출된 패턴 층들 사이의 에러들을 감소시키는 문제가, 가공품 상에서 제 1 광학적으로 가시적인 표식들을 건식 방법에 의해 형성하고, 가공품이 제 1 층의 노출을 위해 기입기로 로딩되면서 이들 위치들을 측정하고, 제 1 광학적으로 가시적인 표식들을 상기 화학적 처리 이후에 제 2 광학적으로 가시적인 표식들로 제 1 광학적으로 가시적인 표식들을 전사하고, 가공품이 제 2 층의 기입을 위해 로딩되는 경우 이들의 위치들을 재측정함으로써 해소될 수 있다. 제 2 층을 정렬하기 위해 상기 측정된 위치들을 이용함으로써, 동일하거나 반전된 구조들이 층들 모두의 기입 도중에 가시적이게 되며, 표식들, 위치 측정 시스템 및 기입 시스템과 관련된 많은 에러들 또는 바이어스들이 층들 모두에서 동일하게 도입된다. 동일한 에러들 또는 바이어스들은 중첩 에러들을 일으키지 않는다.
이제 도면으로 돌아가면, 도1은 레지스트-코팅 표면의 기계적 압인(indentation)을 도시하며, 상기 압인은 하부 물질에 도달하기에 충분할 정도의 깊이를 갖는다. 기판(100)은 통상적으로 크롬인 제1 패터닝 물질(105)로 덮힌다. 제 1 패터닝 층(105)은 노출 또는 방사(radiation) 민감 층(110)으로 덮힌다. 적어도 상기 노출 민감 층(110)에 기계적 압인을 생성하기 위해 팁(tip: 115)이 이용된다. 본 도면에서, 팁의 말단(120)이 노출 민감 층을 통과하여 제1 패터닝 층(105)까지 관통된다. 상기 팁은 램(ram: 125) 상에 장착되며, 기계적 압인을 야기하도록 힘(130)이 가해진다. 본 도면에서 팁은 원뿔 또는 피라미드 형상으로 도시되었으나, 보다 원통형인 형상이 또한 이용될 수 있을 것이다.
도2는 툴이 제거된 후의 압인을 도시한다. 기계적 압인(200)은 팁(115)의 형상에 정합(conform)된다. 본 도면은 노출 민감 층(110)을 통하여 제1 패터닝 층(115)까지 연장됨으로써 압인(120)이 형성되는 기계적 압인을 도시한다. 기계적 압인은 제 1 패터닝 층에 도달하는 습식 에칭을 가능하게 한다. 제1 패터닝 층의 압인 때문에 습식 에칭이 효과적이어야만 할 필요는 없을 것이다. 예를들어 실린더 형상 압인이 제1 패터닝 층을 습식 에칭에 충분히 노출시킬 수 있다. 실린더 형상 압인은 습식 에칭 대신에 건식 에칭이 사용되는 경우 보다 바람직할 것이다.
도3은 광학적 검출기 또는 카메라(300)가 어떻게 압인(200)의 위치를 파악하고 측정하는지를 도시한다. 도3은 또한 어떻게 포토레지스트가 패턴(340 및 345)을 이용하여 노출되는지를 도시한다. 정렬 마크(200)의 위치의 측정 및 패턴(340, 345)의 노출을 모두 수행하기 위한 광학수단(310, 335)은 동일할 수 있다. 압인(200)의 위치를 측정하기 위해 사용되는 경우에, 방사 민감층(110)의 표면으로부터 복귀한 일루미네이션(illumination)은 빔 스플리터(beam splitter: 315)에 의해 패스(320)를 따라 카메라(300)로 지향된다. 패턴(340, 345)을 기입하기 위해 사용되는 경우에, 조절된(modulated) 방사(350, 351)는 광학수단(335)을 통하여 초점 맞춰진다. 제 1 좌표계에서 패턴(340, 345)에 대한 압인(200)의 위치의 측정 및 기입 모두를 수행하기 위해 동일한 광학수단이 이용된다.
도4는 현상 후의 가공품을 도시한다. 현상에 의해 노출된 영역들(340, 345)이 에칭되어 개구부들(400, 401)이 생성된다. 상기 에칭은 개구부들 아래의 제1 패터닝 층(410, 411)의 일부를 또한 제거한다. 유사하게, 습식 에천트(etchant: 405)가 압인을 통하여 제1 패터닝 층(501)으로 수반되어(402) 레지스트가 압인되었던 제1 패터닝 층으로의 표식의 전사(415)를 생성한다.
도5는 제1 레지스트 층이 제거된 후의 증착된 제2 막(500)을 도시한다. 제2 막(500)을 뒤덮는 포토레지스트의 제2 층(505)이 도시된다. 제2 막(515)의 표면은 제1 패터닝 층(105)과 정합된다. 상기 표면(510)은 이전 도면들에서의 압인에 정합되며 또한 패턴 노출(340, 345)로부터 야기된 개구부들(410, 411)에 정합된다(530, 535). 카메라(300)가 표식 점들을 검출 및 측정한다. 제2 레지스트 층의 패턴(540, 545)의 기입은 조절된 방사(520, 525)를 이용하여 표시(510)의 정렬 후에 수행된다. 제2 막(500)은 위상 시프팅(shifting) 층, 부분 흡수 층 또는 시프터(shifter) 위의 크롬일 수 있다. 본 실시예에서, 방사 노출이 레지스트 층(505)을 표식(510)의 영역에 노출시키더라도, 방사 노출이 표식의 이미지를 형성하는데 이용될 수 있다.
도6은 기판(100) 위의 마스크(500)의 두 개의 패터닝 층들을 도시한다. 본 도면에서, 압인(200)은 제2 패터닝 층 막(500)의 압인(615)으로서 여전히 보이고 있다. 제2 막(60)의 개구부들은 불투명 층 상의 부분 불투명 층의 경우에, 전-투과(full transmission: 600), 부분 투과(610) 및 비-투과(non-transmission: 605)와 같은 적어도 3개의 투과 타입들을 마스크에 제공한다. 3개의 투과 모드들은 패터닝 층들 중 하나 또는 모두가 위상 시프팅 물질을 포함하는 경우 물론 상이할 것이다.
도7은 압인 툴을 이용하여 기지의(known) 충격 에너지로 단일 히트(hit)를 관리하기 위한 개념적 장치를 도시한다. 기판(100), 노출 민감 층(110), 팁(115), 압인(120), 및 램(125)을 포함하는 수개의 피처들은 이전 도면들로부터 알려진 것들이다. 본 도면에서, 판 스프링(leaf spring) 또는 유사한 물질(705)에 솔레노이드(700)에 의해 힘(710)이 걸린다. 솔레노이드가 해제되는 때에, 노출 민감 층(110)을 접촉하는 위치(715)로 램이 이동한다. 도면의 오른쪽에, 솔레노이드에서 실제 사용된 전류(720)와 스프링 부재(705)의 변이(displacement)가 도시되어 있다. 구동 전류(720)는 계단 함수로서 도시되어 있다. 암(705)의 응답은 중립 위치(732), 발사 대기 위치(735)로부터 접촉 위치(740)로 이동한다. 접촉 이후에, 균형 위치(745)로 이동할 것이다. 바운스(bounce)가 최소화되도록 조치가 취해질 수 있다.
도8은 프로세스 도중의 다양한 단계들에서의 표식들의 그룹을 도시한다. 도8A는 레지스트 내의 압인들을 개념적으로 도시하며, 개별적 표식들(800, 801, 802)은 그룹(805)을 형성한다. 도8B는 상기 압인들로부터 야기되는 것이 예상되는 광학적 이미지를 도시한다. 그룹(815) 내의 개별적 이미지들(810, 811, 812)이 이들 개별적 표식에 대응한다. 조치에 의해 기준점(816)이 결정될 수 있다. 도8C는 에칭 전의 하부 제1 패터닝 층 내의 압인을 도시한다. 제1 패터닝 층(820, 821, 822)에 인상(impression)이 존재한다면, 임의의 제1 노출 민감 층(800, 801, 802) 내의 대응하는 인상보다 더 작은 단면을 가질 것이다. 도8D는 도5에 도시된 바와 같이 에칭에 의해 전사된 표식들의 광학적 이미지(830, 831, 832)를 도시한다. 이들 전사된 표식들은 그룹(835)을 형성하며, 이로부터 기준점(836)이 결정될 수 있다.
도9는 상이한 경사 앵글(angle)을 갖는 두개의 패스들을 이용한 가공품의 경사 기입을 도시한다. 본 구현예에서, 마스크 블랭크(blank)가 상이한 경사 앵글들을 생성하기 위해 회전된다. 스토리보드(storyboard)는 7개의 단계들을 보여준다. 제 1 단계는 제 1 경사 앵글로 스테이지 상에서 G8 크기 마스크와 같은 블랭크를 위치시키는 것이다. 마스크가 특정 앵글로 위치되기 때문에, G8 마스크에 대해 P10 스테이지와 같이, 스테이지는 마스크보다 크다. 제 2 단계는 마스크 상에 정렬 마크를 형성하는 것이다. 이 단계는 위에서 설명한 바와 같이, 방사 민감 층의 적용이후에 별도의 스테이션에서 수행되거나, 또는 상기 스테이지 상에서 수행될 수 있다. 제 3 단계는 정렬 마스크의 위치를 측정하고 제 1 코트(court) 시스템에 대한 상대적 위치를 기록하는 것이다. 정렬 마스크의 형성이 기입 좌표계에 대한 상대적인 가공품의 위치를 방해하지 않는다면, 제 2 및 제 3 단계가 제 4 단계의 제 1 노출에 뒤이어 나올 수 있다는 점을 유의해야 한다. 제 5 단계는 블랭크를 제 2 경사 앵글로 돌리는 것을 포함한다. 제 6 단계에서, 정렬 마크가 위치되고 측정된다. 제 1 노출을 이용한 제 2 노출의 정렬을 용이하게 하기 위하여 제 2 좌표계가 설정되거나 제 1 좌표계가 재배향된다. 제 7 단계는 제 4 단계의 동일 층의 제 2 노출일 수 있는 제 2노출을 기입하는 것을 포함하거나, 노출 민감 물질의 제 2 층 상에 기입하는 것을 포함한다.
도10A~도10D는 화학적 프로세싱없이 광학적으로 가시적인 표식들을 형성하기 위한 수개의 방법들을 도시한다. 도10A는 기판에 대해 수직으로 타격하는 램을 이용하는 것을 도시한다. 스프링 또는 압전 액추에이터와 같은 충격에 의해 포인트(point)가 방사 민감 층을 관통하여 하방으로 가압한다. 도10B는 램이 암을 타격하여 팁이 방사 민감 층을 관통하여 하방으로 가압하게 하는 대안적인 기계 장치를 도시한다. 도10C는 제 1 패턴 전사 층 또는 노출 민감 층의 레이저 에싱, 에칭 또는 어블레이션(ablation) 또는 다른 레이저 마킹의 사용을 도시한다. 도10D는 잉크 젯팅과 같은 프로세스를 사용하여 표면 상에 입자, 액체 또는 막을 증착하는 것을 도시한다. 상기 표면은 방사 민감 층의 표면일 수 있다.
도11A~도11F는 레지스트의 노출, 레지스트의 현상 및 에칭 도중에 쉐도잉(shadowing)에 의해, 추가적인 표식들의 하부 측들로의 인버스 전사(inverse transfer)를 이용하는, 추가적인 표식들에 기초하는 예시적 프로세스를 도시한다. 도11A에서, 표식(110)이 잉크젯 헤드(1115)와 같은 장치를 이용하여 표면에 부가된다. 도11B에서, 노출 전 또는 후에, 표식으로부터의 반사광(1125)을 기록하고 그 위치를 기록하기 위하여 카메라(1120)가 이용될 수 있다. 본 도면은 노출 전에 표식의 위치를 기록하는 것으로 도시하고 있으나, 노출 후에도 또한 가능할 것이다. 도11C에서, 부가적인 표식들(1110) 간의 노출 방사(1132)가 인버스 표식 패턴(1137)을 생성하는데 사용될 수 있다. 동일한 노출 단계에서, 조절된 방사(1130)가 유용한 패턴(1135)을 형성하는데 사용될 수 있다. 도11D에서, 노출된 레지스트가 현상되고 제 1 패턴 층의 일부가 제거되어, 기판이 노출되게 된다. 표식 영역에서, 패턴화되지 않은(un-patterned) 영역(1140)은 추가적인 표식들이 레지스트의 노출을 방지한 영역에 대응된다. 기판의 나머지 영역(1145)은 통상의 방법을 이용하여 패턴화된다. 도11E에서, 제 1 패터닝 층의 에칭에 정합(conform)되도록 제 2 패터닝 층이 부가되어 있다. 제 2 층은 표식 영역(1140) 및 기판의 나머지 영역(1145) 모두에 대해 정합된다. 위에서 설명된 바와 같이, 표식 영역의 정합 윤곽(conformal contour)은 검출되어 제 2 노출을 위한 좌표계를 설정하는데, 예를들어 제 2 패터닝 층을 패터닝하는데 이용될 수 있다. 도11F는 도6과 유사하며, 3개의 노출 영역들(1130, 1132, 및 1134)을 도시한다. 이들 영역들에는, 노(no) 패터닝 층, 제 2 패터닝 층, 및 제 1 패터닝 층 상의 제 2 패터닝 층이 각각 존재한다.
도12는 노출 민감 층의 표면을 물리적으로 수정하는 수개의 표식들의 예들을 도시한다. 도12A 내지 도12D는 상이한 툴들을 이용한 압인의 예들을 도시한다. 도12E는 예시적인 부가적 방법, 예를들어 분사(jetting), 입자들에 의한 더스팅(dusting), 레이저 유도 전방 전사(laser induced forward transfer) 등에 의해 형성된 표식을 도시한다.
도13은 예시적 프로세스의 상위 레벨 흐름도를 도시한다. 상기 흐름도의 상부 절반부에서, "양자를 수행"에 의해 선행되는 병렬 경로들은 다양한 순서로 수행될 수 있는 단계들을 나타낸다. 위에서 설명된 바와 같이, 광학적으로 가시적인 표식들은 기입 시스템에 가공품을 로딩하고 제 1 패턴 층을 기입하기 전 또는 후에 형성될 수 있다. 상기 단계들의 순서에 상관없이, 표식들의 위치는 제 1 노출을 기입하는데 사용된 것과 동일한 좌표계에서 기록된다. 표식들이 제 1 좌표계를 정의하지 않기 때문에, 표식들이 정밀하게 형성될 필요가 없다. 제 1 좌표계는 기입 시스템의 정밀한 스테이지 및 스테이지 계측학(metrology)에 의해 정의된다. 제 2 좌표계가 제 2 좌표계에 대하여 정밀하게 위치할 수 있도록, 제 1 좌표계의 위치를 제 1 기입 동작으로부터 제 2 기입 동작으로 전달하는데 표식들이 이용된다. 제 1 및 제 2 좌표계는 높은 정밀도로 일치하도록 정렬될 수 있거나, 높은 정밀도로 상대적인 병진이동(translation) 또는 회전이 주어질 수 있다. 또한, 표식들의 위치가 제 1 좌표계에서 알려진 경우에, 스테이지 계측학에 의해 일반적으로 정의되는 제 2 좌표계는, 제 1 좌표계와 일치되도록 하거나, 가능하게는 병진이동 및/또는 회전 이후에 높은 정밀도로 수정되도록, 축척(scale), 직교성(orthogonality), 및 키스톤(keystone) 및 다른 왜곡들을 보상할 수 있다. 이것은 도13에 도시된 바와 같이 "제 2 층을 정렬"에 포함될 수 있다.
상기 흐름도의 하부 절반부는 결합될 수 있으나 반드시 결합될 필요는 없는 대안적인 프로세스를 나타낸다. 좌측 분기는 도9에 도시된 바와 같은 회전과 같이, 가공품을 물리적으로 이동시키는 것을 설명한다. 우측 분기는 가공품이 기입 시스템으로 복귀하기 전에 물리적 이동(가공품의 제거) 및 화학적 처리 모두를수행하는 것을 포함한다. 상기 두 개의 경로들은 표식들의 좌표의 측정, 제 2 노출의 제 1 노출에의 정렬, 및 제 2 노출의 기입을 위해 합류된다.
도14A 내지 도14C는 양자화(quantization) 또는 그리드 스냅(grid snap)에 종종 관련되는 작은 시스템적 에러들로부터 넓은 면적에 걸쳐 시각적으로 인지가능한 패턴들을 생성하는 무라(mura)의 문제점을 개념적으로 도시한다. 도14A에서, 하부 라인 세트는 상부 라인 세트에 대해 약 0.6도만큼 회전된다. 이에 의해 수직 라인들이 다른 라인들과 동상(in phase) 또는 이상(out of phase)으로 이동함에 따라, 시각적으로 인지가능한 띠(banding)가 야기된다. 라인들이 정렬되거나, 또는 동상인 경우에, 패턴은 밝은 회색이 된다. 라인들이 이상이 되는 경우에, 띠가 나타난다. 작은 시스템적 에러를 갖는 패턴들이 도14B에서 확대되는 경우에, 패터닝이 더욱 구별되게 된다. 마지막으로, 도14C는 라인들의 세트 모두가 수직에서 1도만큼 회전되도록 기입함으로써 어떻게 오정렬(misalignment)의 시스템적 에러가 완화될 수 있는지 도시한다. 이 배향에서, 가시적 패턴이 시프트한다.
도15A~도15C는 기입되는 패턴의 피처 기하에 대하여 5도 회전에 의해 어떻게 가시적으로 인지가능한 패턴들이 영향을 받는지를 개념적으로 도시한다. 도15C가 도15A를 반복한다는 것을 유의해야 한다. 패턴은 더 가늘어 지며 덜 인지가능하게 된다.
도16A~도16C는 피처 기하에 대하여 기입 그리드의 25도 회전에 의해 시각적으로 인지가능한 패턴들이 상당히 감소하는 것을 개념적으로 도시한다.
이들 개념적 도면들은 도면을 보는 사람이 작은 시스템적 에러들을 인지할 수 있음을 알려준다. 사실, 사람의 눈은 시스템적 에러가 식별하거나 설명하기에 너무 작은 경우라도 시스템적 에러의 존재를 매우 예민하게 감지할 수 있다. 사람의 눈으로 라인들 간의 간격을 파악할 수 없는 회절 패턴의 경우에도 사람의 눈은 소위 무라 패턴을 감지한다. 이러한 시각적 인지의 민감성을 감안하였을 때, 인지가능한 패턴들 대신에, 노이즈를 억제하도록 시스템적 에러를 감소시키는 조치를 적용하는 것이 유용하다.
특정 구현예들
개시된 기술은 방법 또는 방법을 구현하도록 조정된 시스템에 의해 구현될 수 있다.
개시된 기술의 하나의 구현예는 두 개의 노출 패터닝 동작들 사이에서 가공품을 정렬하는 방법이다. 본 방법은 가공품 상의 노출 민감 층 내 또는 상에 건식 방법에 의해 표식들을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 제 1 노출을 상기 가공품 상에 적용하기 위해 기입 시스템에 의해 사용되는 제 1 좌표계에서 상기 표식들의 제 1 위치 정보를 측정 및 기록하는 단계를 또한 포함한다. 상기 방법과 결합하여, 가공품은 상기 기입 시스템 내에서 물리적으로 이동되고 재위치되며, 이것은 추가적인 정렬을 필요로 한다. 상기 방법은 상기 표식들의, 또는 상기 가공품의 다른 층 상으로의 상기 표식들로부터의 전사의 제 2 위치 정보를 측정 및 기록하고 상기 제 1 좌표계에 대하여 제 2 좌표계를 정렬하기 위하여 상기 제 2 위치 정보를 이용하는 단계를 또한 포함한다. 상기 정렬은 상기 제 2 정보에 기초하여 제 2 좌표계를 병진이동 및/또는 회전시키는 것을 포함하며, 그리고 축척(scale), 직교성(orthogonality), 및 키스톤(keystone) 및 다른 왜곡들의 미세한 수정을 또한 선택적으로 포함할 수 있다. 상기 방법은 상기 제 2 좌표계를 이용하여 상기 가공품에 제 2 노출을 적용하는 단계를 선택적으로 포함한다.
상기 방법 및 아래의 변형예들중 임의의 변형예는 평판-패널 디스플레이의 전자적 구조를 형성하기 위해 가공품 상에 노출된 패턴들을 처리함에 의해 확장될 수 있다. 이러한 전자적 구조는 발광 다이오들, 플라즈마 셀들, 또는 액정 셔터들(shutters)일 수 있으나 이로 한정되는 것은 아니다. 이러한 전자적 구조는 필터들 또는 제어 컴포넌트들일 수 있다.
위에서 설명한 방법들은 하나 또는 그 이상의 아래의 특징들과 결합될 수 있다. 일부 구현예들에서, 건식 방법은 포토레지스트의 폴리머 층에 상기 표식들을 형성한다.
일부 구현예들에서, 상기 건식 방법은 기계적 압인에 의해 상기 표식들을 형성한다. 상기 기계적 압인은 상기 노출 민감 층을 통하여 상기 가공품 상의 제 1 패터닝 층을 노출시킬 수 있다. 또는, 상기 기계적 압인은 상기 노출 민감 층 하부의(underlying), 상기 가공품 상의 제 1 패터닝 층을 적어도 부분적으로 관통할 수 있다.
일부 구현예들에서, 상기 건식 방법은 상기 노출 민감 층 상에 물질을 증착함에 의해 상기 표식들을 형성한다.
일부 구현예들에서, 상기 건식 방법은 상기 노출 민감 층의 레이저 에싱(ashing) 또는 어블레이션(ablation)에 의해 상기 표식들을 형성한다.
기입 시스템으로부터의 상기 가공품의 물리적 제거는 두 개의 패턴 층들 상의 노출들의 기입 사이의 처리 단계들 하에 상기 가공품이 놓이게하는 것을 포함한다. 이것은 적어도 하나의 에칭 단계를 포함할 수 있으며, 상기 에칭은 상기 노출 민감 층 하부의 패터닝 층 상으로 상기 표식들 또는 상기 표식들로부터의 반전된 패턴을 전사한다.
상기 가공품이 상기 기입 시스템에서 대치되는 경우에, 상기 가공품은 상기 노출 민감 층의 두 개의 노출들의 기입 사이에서 회전될 수 있다.
상기 방법을 적용함으로써, 상기 위치 정보를 측정 및 기록하는 단계는 상기 노출 민감 층에 대한 상기 노출들의 기입과 광학적 컴포넌트들을 공유할 수 있다.
두 개의 패터닝 층들의 패터닝은 상기 가공품 및 패터팅 층들을 통한 적어도 3개 타입의 투과성(transmissiveness)을 생성할 수 있다. 일부 구현예들에서, 상기 3개 타입의 투과성은 투명(clear), 회색(반투명, 부분적으로 불투명) 및 흑색(불투명)이다. 일부 구현예들에서, 하나 이상의 투과성 타입들은 위상 시프팅을 포함한다.
상기 방법 및 위에서 설명된 상기 방법의 임의의 양태들은 정렬 및 기입 시스템에서 구현될 수 있다. 일 구현에서, 시스템이 두 개의 노출 패터닝 동작들 사이에서 가공품을 정렬한다. 이 시스템은 노출 민감 층 내 또는 상에 표식들을 형성하기 위해 가공품 상의 노출 민감 층을 물리적으로 수정하는 건식 표식 형성 스테이션을 포함한다. 이하에서 설명되는 바와 같이, 상기 건식 표식 형성 스테이션은 기계적 가압(press), 레이저 에싱 또는 어블레이션 툴 또는 잉크젯 또는 다른 물질 증착/프린팅 헤드를 포함할 수 있다. 상기 시스템은 기입 시스템을 이용한 노출을 위해 상기 가공품을 수용하는 스테이지를 추가로 포함한다. 상기 시스템은 제 1 노출을 상기 가공품 상에 적용하기 위해 상기 기입 시스템에 의해 사용되는 제 1 좌표계에서 상기 표식들의 제 1 위치 정보를 측정 및 기록하는 광학수단, 검출기 및 위치 프로세서를 포함한다. 상기 광학수단, 검출기 및 위치 프로세서는 상기 스테이지 상에서 상기 가공품을 재위치시킨 후에 상기 표식들의, 또는 상기 가공품의 다른 층 상으로의 상기 표식들로부터의 전사의 제 2 위치 정보를 추가로 측정 및 기록한다. 상기 시스템은 상기 제 1 좌표계에 대하여 제 2 좌표계를 정렬하기 위하여, 그리고 상기 제 2 좌표계를 이용하여 상기 가공품에 제 2 노출을 적용하기 위하여, 상기 제 2 위치 정보를 이용하는 노출 제어기를 포함한다.
상기 시스템은 하나 이상의 아래 특징들과 결합될 수 있다. 일 구현예에서, 상기 건식 표식 형성 스테이션은 포토레지스트의 폴리머 층을 물리적으로 수정한다. 상기 건식 표식 형성 스테이션은 기계적 압인에 의해 상기 표식들을 형성하는 포인트(point) 및 램(ram)을 포함할 수 있다. 상기 기계적 압인은 상기 노출 민감 층을 통하여 상기 가공품 상의 제 1 패터닝 층을 노출시킬 수 있다. 또는, 상기 기계적 압인은 상기 노출 민감 층 하부의, 상기 가공품 상의 제 1 패터닝 층을 적어도 부분적으로 관통할 수 있다.
일부 구현들에서, 상기 건식 표식 형성 스테이션은 상기 노출 민감 층 상에 물질을 증착하는 기입 헤드를 포함한다.
일부 구현들에서, 상기 건식 표식 형성 스테이션은 상기 노출 민감 층을 에싱 또는 어블레이션하는 레이저 및 광학수단을 포함한다.
상기 시스템의 광학수단, 검출기 및 위치 프로세서는 상기 노출 민감 층의 두 개의 노출들의 기입 사이에서 상기 가공품의 회전을 추가로 추정할 수 있다. 또는, 상기 광학수단, 검출기 및 위치 프로세서는 상기 가공품 상의 두 개의 상이한 상기 노출 민감 층들로의 노출들의 기입 사이에서 상기 가공품의 회전을 추가로 추정할 수 있다.
상기 검출기 및 상기 위치 프로세서와 함께 사용되는 상기 광학수단은 상기 노출들을 상기 노출 민감 층에 적용하기 위해 기입 시스템에 의해 또한 사용된다.
상기 시스템을 이용하여 두 개의 패터닝 층들을 패터닝하는 것은, 위에서 설명한 바와 같이, 상기 가공품 및 패터팅 층들을 통한 적어도 3개 타입의 투과성을 생성할 수 있다.
개시된 기술은 위에서 상술한 구현예들 및 실시예들을 참조하여 설명되었으나, 이러한 실시예들은 권리범위를 제한하기 위한 것이 아니라 예시를 위한 것으로 의도된다. 컴퓨터-지원 프로세싱이 상술된 구현예들에 연관된다. 본 기술분야의 통상의 기술자에게 수정 및 결합이 용이하게 착상될 수 있으며, 이러한 수정 및 결합은 개시된 기술사상과 청구범위 내일 것이다.

Claims (31)

  1. 두 개의 노출 패터닝 동작들 사이에서 가공품(workpiece)을 정렬하는 방법으로서,
    가공품 상의 노출 민감 층 내 또는 상에 건식 방법에 의해 표식들(fiducials)을 형성하는 단계;
    제 1 노출을 상기 가공품 상에 적용하기 위해 기입(writing) 시스템에 의해 사용되는 제 1 좌표계에서 상기 표식들의 제 1 위치 정보를 측정 및 기록하는 단계;
    상기 기입 시스템 내에서 상기 가공품을 물리적으로 이동시키고 재위치시키는 단계;
    상기 표식들의, 또는 상기 가공품의 다른 층 상으로의 상기 표식들로부터의 전사의 제 2 위치 정보를 측정 및 기록하는 단계;
    상기 제 1 좌표계에 대하여 제 2 좌표계를 정렬하기 위하여 상기 제 2 위치 정보를 이용하는 단계; 및
    상기 제 2 좌표계를 이용하여 상기 가공품에 제 2 노출을 적용하는 단계를 포함하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 건식 방법은 포토레지스트의 폴리머 층에 상기 표식들을 형성하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 건식 방법은 기계적 압인(indentation)에 의해 상기 표식들을 형성하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 건식 방법은 상기 노출 민감 층을 통하여 상기 가공품 상의 제 1 패터닝 층을 노출시키는 기계적 압인에 의해 상기 표식들을 형성하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 건식 방법은 상기 노출 민감 층 하부의(underlying), 상기 가공품 상의 제 1 패터닝 층을 적어도 부분적으로 관통하는 기계적 압인에 의해 상기 표식들을 형성하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 건식 방법은 상기 노출 민감 층 상에 물질을 증착함에 의해 상기 표식들을 형성하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 건식 방법은 상기 노출 민감 층의 레이저 에싱(ashing) 또는 어블레이션(ablation)에 의해 상기 표식들을 형성하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 가공품은 상기 기입 시스템으로부터 물리적으로 제거되며 두 개의 패턴 층들 상의 노출들의 기입 사이의 처리 단계들 하에 놓이는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 가공품은 상기 노출 민감 층의 두 개의 노출들의 기입 사이에서 상기 기입 시스템으로부터 물리적으로 제거되고 에칭되며, 상기 에칭은 상기 노출 민감 층 하부의 패터닝 층 상으로 상기 표식들 또는 상기 표식들로부터의 반전된 패턴을 전사하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 가공품은 상기 기입 시스템으로부터 물리적으로 제거되며 상기 노출 민감 층의 두 개의 노출들의 기입 사이에서 회전되는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 위치 정보를 측정 및 기록하는 단계는 상기 노출 민감 층에 대한 노출들의 기입과 광학적 컴포넌트들을 공유하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 가공품은 포토마스크이며, 상기 방법은,
    두 개의 패터닝 층들을 패터닝하고 상기 가공품 및 패터팅 층들을 통한 적어도 3개 타입들의 투과성(transmissiveness)을 생성하는 단계를 더 포함하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은,
    평판 패널 디스플레이의 전자적 구조를 생성하기 위해 상기 가공품 상의 노출된 패턴들을 처리하는 단계를 더 포함하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    생성된 전자적 구조가 트랜지스터들, 발광 다이오들, 플라즈마 셀들, 액정 셔터들(shutters), 또는 필터들인,
    가공품을 정렬하는 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은,
    상기 제 2 좌표계를 상기 제 1 좌표계에 대해 정렬시키는 경우 상기 가공품의 왜곡을 보상하기 위해 상기 제 2 위치 정보를 이용하는 단계를 더 포함하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 좌표계를 상기 제 1 좌표계에 대해 정렬시키기 위해 상기 제 2 위치 정보를 이용하는 단계는 상기 제 2 위치 정보를 이용하여 상기 가공품의 축척(scale), 직교성(orthogonality) 또는 키스톤(keystone) 왜곡에 대해 상기 제 2 좌표계를 조정하는 단계를 더 포함하는,
    가공품을 정렬하는 방법.
  17. 두 개의 노출 패터닝 동작들 사이에서 가공품을 정렬하는 시스템으로서,
    노출 민감 층 내 또는 상에 표식들을 형성하기 위해 가공품 상의 노출 민감 층을 물리적으로 수정하는 건식 표식 형성 스테이션;
    기입 시스템을 이용한 노출을 위해 상기 가공품을 수용하는 스테이지;
    제 1 노출을 상기 가공품 상에 적용하기 위해 상기 기입 시스템에 의해 사용되는 제 1 좌표계에서 상기 표식들의 제 1 위치 정보를 측정 및 기록하는 광학수단, 검출기 및 위치 프로세서 ― 상기 광학수단, 검출기 및 위치 프로세서는 상기 스테이지 상에서 상기 가공품을 재위치시킨 후에 상기 표식들의, 또는 상기 가공품의 다른 층 상으로의 상기 표식들로부터의 전사의 제 2 위치 정보를 추가로 측정 및 기록함 ― ; 및
    상기 제 1 좌표계에 대하여 제 2 좌표계를 정렬하기 위하여, 그리고 상기 제 2 좌표계를 이용하여 상기 가공품에 제 2 노출을 적용하기 위하여, 상기 제 2 위치 정보를 이용하는 노출 제어기를 포함하는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 건식 표식 형성 스테이션은 포토레지스트의 폴리머 층을 물리적으로 수정하는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 건식 표식 형성 스테이션은 기계적 압인에 의해 상기 표식들을 형성하는 포인트(point) 및 램(ram)을 포함하는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  20. 제 17 항에 있어서,
    기계적 압인이 상기 노출 민감 층을 통하여 상기 가공품 상의 제 1 패터닝 층을 노출시키는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  21. 제 17 항에 있어서,
    기계적 압인이 상기 노출 민감 층 하부의, 상기 가공품 상의 제 1 패터닝 층을 적어도 부분적으로 관통하는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  22. 제 17 항에 있어서,
    상기 건식 표식 형성 스테이션은 상기 노출 민감 층 상에 물질을 증착하는 기입 헤드를 포함하는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  23. 제 17 항에 있어서,
    상기 건식 표식 형성 스테이션은 상기 노출 민감 층을 에싱 또는 어블레이션하는 레이저 및 광학수단을 포함하는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  24. 제 17 항에 있어서,
    상기 광학수단, 검출기 및 위치 프로세서는 상기 노출 민감 층의 두 개의 노출들의 기입 사이에서 상기 가공품의 회전을 추가로 추정하는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  25. 제 17 항에 있어서,
    상기 광학수단, 검출기 및 위치 프로세서는 상기 가공품 상의 두 개의 상이한 상기 노출 민감 층들로의 노출들의 기입 사이에서 상기 가공품의 회전을 추가로 추정하는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  26. 제 17 항에 있어서,
    상기 검출기 및 상기 위치 프로세서와 함께 사용되는 상기 광학수단은 노출들을 상기 노출 민감 층에 적용하기 위해 기입 시스템에 의해 또한 사용되는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  27. 제 17 항에 있어서,
    상기 가공품은 포토마스크이며,
    상기 가공품 및 패터팅 층들을 통한 적어도 3개 타입의 투과성을 생성하는 상기 시스템을 이용하여 두 개의 패터닝 층들을 패터닝하는 것을 더 포함하는,
    가공품을 정렬하는 시스템.
  28. 두 개의 노출 패터닝 동작들을 가공품 상에서 정렬시키는 방법으로서,
    가공품 상의 노출 민감 층 상에 건식 방법에 의해 표식들을 형성하는 단계;
    제 1 노출을 상기 가공품 상에 적용하기 위해 기입 시스템에 의해 사용되는 제 1 좌표계에서 상기 표식들의 제 1 위치 정보를 측정 및 기록하는 단계;
    상기 표식들의 제 2 위치 정보를 측정 및 기록하는 단계;
    상기 제 1 좌표계에 대하여 제 2 좌표계를 정렬하기 위하여 상기 제 2 위치 정보를 이용하는 단계; 및
    상기 제 2 좌표계를 이용하여 상기 가공품에 제 2 노출을 적용하는 단계를 포함하는,
    정렬 방법.
  29. 제 28항에 있어서,
    상기 표식들은 기계적 압인에 의해 형성되는,
    정렬 방법.
  30. 제 28항에 있어서,
    상기 표식들은 레이저 에싱 또는 어블레이션에 의해 형성되는,
    정렬 방법.
  31. 제 28항에 있어서,
    상기 표식들은 상기 가공품 상의 물질 증착에 형성되는,
    정렬 방법.
KR1020157028358A 2013-03-12 2014-03-11 기계적으로 생성된 정렬 표식 방법 및 정렬 시스템 KR102253995B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361777469P 2013-03-12 2013-03-12
US61/777,469 2013-03-12
PCT/EP2014/054748 WO2014140046A2 (en) 2013-03-12 2014-03-11 Mechanically produced alignment fiducial method and device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150127690A true KR20150127690A (ko) 2015-11-17
KR102253995B1 KR102253995B1 (ko) 2021-05-18

Family

ID=50440633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157028358A KR102253995B1 (ko) 2013-03-12 2014-03-11 기계적으로 생성된 정렬 표식 방법 및 정렬 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9459540B2 (ko)
EP (1) EP2972589B1 (ko)
JP (2) JP6453780B2 (ko)
KR (1) KR102253995B1 (ko)
CN (1) CN105143987B (ko)
WO (1) WO2014140046A2 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6713251B2 (ja) * 2015-03-30 2020-06-24 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法
US20190147206A1 (en) * 2015-09-15 2019-05-16 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Information storage device and information readout device
WO2018075100A1 (en) * 2016-06-21 2018-04-26 The Regents Of The University Of California Mems-based spatial light modulator and method of forming

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051845A (en) * 1998-03-25 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for selectively marking a semiconductor wafer
JP2003209049A (ja) * 2002-01-17 2003-07-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び製造用マスクセット
US20060007431A1 (en) * 2001-09-20 2006-01-12 Smith Adlai H Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field scanning distortion
KR20060016281A (ko) * 2004-08-17 2006-02-22 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼
JP2010044274A (ja) * 2008-08-15 2010-02-25 Shin-Etsu Chemical Co Ltd グレートーンマスクブランク、グレートーンマスク、及び製品加工標識又は製品情報標識の形成方法

Family Cites Families (137)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4131782A (en) 1976-05-03 1978-12-26 Lasag Ag Method of and apparatus for machining large numbers of holes of precisely controlled size by coherent radiation
US4322260A (en) 1979-04-04 1982-03-30 Monsanto Company Process for the continuous extrusion forming of a plastic double-walled foam-core conduit
US4431923A (en) * 1980-05-13 1984-02-14 Hughes Aircraft Company Alignment process using serial detection of repetitively patterned alignment marks
US4377736A (en) 1981-08-14 1983-03-22 General Electric Company Method and apparatus for removing material from a surface
LU84687A1 (fr) 1983-03-11 1984-11-14 Centre Rech Metallurgique Procede pour ameliorer l'etat de surface d'un cylindre
US4533813A (en) 1983-09-06 1985-08-06 Illinois Tool Works Inc. Optical selective demetallization apparatus
US4652722A (en) 1984-04-05 1987-03-24 Videojet Systems International, Inc. Laser marking apparatus
US4734746A (en) 1985-06-24 1988-03-29 Nippon Kogaku K. K. Exposure method and system for photolithography
JPS6214102A (ja) * 1985-07-11 1987-01-22 Seikosha Co Ltd カラーフイルタ製造用フオトマスク
US4758705A (en) 1985-08-06 1988-07-19 Eastman Kodak Company Method and apparatus for texturing a roller
US4812661A (en) 1986-08-20 1989-03-14 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for hybrid I.C. lithography
JPH0671038B2 (ja) 1987-03-31 1994-09-07 株式会社東芝 結晶欠陥認識処理方法
US4977458A (en) 1988-11-16 1990-12-11 Eastman Kodak Company Apparatus for addressing a font to suppress Moire patterns occurring thereby and a method for use therein
JPH02308291A (ja) 1989-05-24 1990-12-21 Onoda Cement Co Ltd 複写機用熱定着ロール及びその製造方法
FR2657219B1 (fr) 1990-01-11 1994-02-18 Gim Industrie Sa Procede de fabrication de circuits imprimes souples, circuit imprime fabrique par ce procede, et dispositif pour la mise en óoeuvre de ce procede.
US5049901A (en) 1990-07-02 1991-09-17 Creo Products Inc. Light modulator using large area light sources
EP0473287A1 (en) 1990-08-09 1992-03-04 Cmb Foodcan Plc Apparatus and method for monitoring laser material processing
WO1992008322A1 (en) 1990-10-30 1992-05-14 Simco/Ramic Corporation Color line scan video camera for inspection system
US5147680A (en) 1990-11-13 1992-09-15 Paul Slysh Laser assisted masking process
JP2810532B2 (ja) 1990-11-29 1998-10-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置
JP2918366B2 (ja) 1991-09-04 1999-07-12 大日本スクリーン製造株式会社 円筒内面走査型画像記録装置
EP0558781B1 (en) 1992-03-05 1998-08-05 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for exposure of substrates
US5668588A (en) 1993-04-01 1997-09-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Spiral scanning image recording apparatus and image recording method
IL106188A (en) 1993-06-30 1996-10-31 Scitex Corp Ltd Internal drum indicator
JPH07101032A (ja) 1993-09-30 1995-04-18 Sony Corp レーザ製版装置及び刷版
JPH08327996A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Hitachi Ltd 液晶表示装置の製造方法
US5917935A (en) 1995-06-13 1999-06-29 Photon Dynamics, Inc. Mura detection apparatus and method
JPH0927447A (ja) 1995-07-11 1997-01-28 Nikon Corp ステージ駆動制御装置
US5733711A (en) * 1996-01-02 1998-03-31 Micron Technology, Inc. Process for forming both fixed and variable patterns on a single photoresist resin mask
JPH1067087A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Dainippon Printing Co Ltd トンボマーク形成方法及び印刷版並びにトンボマーク描画装置
MY125599A (en) 1996-12-19 2006-08-30 Ibiden Co Ltd Printed circuit boards and method of producing the same
US5868075A (en) 1997-02-26 1999-02-09 Presstek, Inc. Method and apparatus for imaging a seamless print medium
US6154561A (en) 1997-04-07 2000-11-28 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for detecting Mura defects
JPH10300447A (ja) 1997-04-23 1998-11-13 K L Ee Akurotetsuku:Kk 表面パターンむら検出方法及び装置
SE508228C2 (sv) 1997-05-07 1998-09-14 Inst Verkstadstek Forsk Ivf Anordning för detektering och beräkning av en laserstråles fokusläge, form och effektfördelning
DK0981895T3 (da) 1997-05-14 2002-05-27 Luescher Ursula System til belysning af trykplader og dettes anvendelse
US6586702B2 (en) 1997-09-25 2003-07-01 Laser Electro Optic Application Technology Company High density pixel array and laser micro-milling method for fabricating array
JPH11176751A (ja) * 1997-10-09 1999-07-02 Canon Inc 露光方法
JPH11186142A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Science & Tech Agency パターン形成方法および装置
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
AU2958299A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device
US6066830A (en) 1998-06-04 2000-05-23 Astronics Corporation Laser etching of electroluminescent lamp electrode structures, and electroluminescent lamps produced thereby
DE69921739T2 (de) 1998-07-03 2005-11-03 Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara Bildaufzeichnungsgerät
US6130405A (en) 1998-09-10 2000-10-10 Chromalloy Gas Turbine Corporation Laser drilling holes in a cylindrical workpiece
US6489984B1 (en) 1998-12-29 2002-12-03 Kenneth C. Johnson Pixel cross talk suppression in digital microprinters
US6635311B1 (en) 1999-01-07 2003-10-21 Northwestern University Methods utilizing scanning probe microscope tips and products therefor or products thereby
US6424879B1 (en) 1999-04-13 2002-07-23 Applied Materials, Inc. System and method to correct for distortion caused by bulk heating in a substrate
AU4715300A (en) 1999-05-03 2000-11-17 Etec Systems, Inc. Microfabricated template for multiple charged particle beam calibrations and shielded charged particle beam lithography
US6765945B2 (en) 1999-09-27 2004-07-20 Cymer, Inc. Injection seeded F2 laser with pre-injection filter
IL130340A0 (en) 1999-06-07 2000-06-01 Scitex Corp Ltd Multibeam multi-wavelength internal drum recording apparatus
US6985261B2 (en) 2000-03-08 2006-01-10 Esko-Graphics A/S Method and apparatus for seamless imaging of sleeves as used in flexography
US6625181B1 (en) 2000-10-23 2003-09-23 U.C. Laser Ltd. Method and apparatus for multi-beam laser machining
JP2002311597A (ja) 2001-04-13 2002-10-23 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 製版装置
JP4041336B2 (ja) 2001-06-29 2008-01-30 シャープ株式会社 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法
EP1406083B1 (en) 2001-07-09 2010-01-27 Yoshiro Yamada Surface inspection apparatus and method
JP3431075B2 (ja) 2001-08-27 2003-07-28 科学技術振興事業団 液晶ディスプレイパネルムラの分類処理方法、その装置及びプログラム
JP4083427B2 (ja) 2001-12-27 2008-04-30 旭化成ケミカルズ株式会社 高精細グリッド線パターン作成プログラム
US6900826B2 (en) 2002-02-19 2005-05-31 Presstek, Inc. Multiple resolution helical imaging system and method
US6709962B2 (en) 2002-03-19 2004-03-23 N. Edward Berg Process for manufacturing printed circuit boards
JP3731566B2 (ja) 2002-06-28 2006-01-05 ソニー株式会社 露光方法、マスク製造方法および半導体装置の製造方法
JP2004098559A (ja) 2002-09-11 2004-04-02 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録方法と画像記録装置
JP2004175078A (ja) 2002-11-29 2004-06-24 Fuji Photo Film Co Ltd 画像露光方法および画像露光装置
CA2448193A1 (en) 2002-12-09 2004-06-09 Heidelberger Druckmaschinen Aktiengesellschaft Method and device for imaging a printing form
US7308157B2 (en) 2003-02-03 2007-12-11 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for optical inspection of a display
US7068363B2 (en) * 2003-06-06 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
TWI286663B (en) * 2003-06-30 2007-09-11 Hoya Corp Method for manufacturing gray tone mask, and gray tone mask
CN1780935B (zh) 2003-07-16 2010-05-05 柯尼卡美能达控股株式会社 薄膜制造方法以及具有由此薄膜制造方法形成的薄膜的基材
JP2005055881A (ja) 2003-07-22 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 描画方法および描画装置
JP4348476B2 (ja) 2003-07-25 2009-10-21 株式会社オーク製作所 パターン描画装置
EP1652006A1 (en) 2003-08-04 2006-05-03 Micronic Laser Systems Ab Psm alignment method and device
CN100510967C (zh) * 2003-08-04 2009-07-08 麦克罗尼克激光系统公司 相移掩模对准方法和器件
JP4312535B2 (ja) 2003-08-06 2009-08-12 シャープ株式会社 パターン露光装置
JP4203649B2 (ja) 2003-09-05 2009-01-07 株式会社オーク製作所 多重露光描画方法及び多重露光描画装置
US20050104953A1 (en) 2003-09-16 2005-05-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image exposure method and image exposure apparatus
US20050088664A1 (en) 2003-10-27 2005-04-28 Lars Stiblert Method for writing a pattern on a surface intended for use in exposure equipment and for measuring the physical properties of the surface
JP2005203697A (ja) 2004-01-19 2005-07-28 Fuji Photo Film Co Ltd マルチビーム露光装置
DE102004008074A1 (de) 2004-02-19 2005-09-15 Heidelberger Druckmaschinen Ag Verfahren und Testform zum Abgleichen der Belichtungsköpfe in einem Belichter für Druckvorlagen
JP4124747B2 (ja) 2004-02-23 2008-07-23 ライトロン株式会社 微細構造検査装置及び微細構造検査方法
US20050191771A1 (en) * 2004-03-01 2005-09-01 Ming Li Ultrafast laser direct writing method for modifying existing microstructures on a submicron scale
SE525264C2 (sv) 2004-03-01 2005-01-18 Novaseptic Ab Anordning för att skära/skjuva produktklungor och/eller -ämnen till mindre partiklar
US7561251B2 (en) 2004-03-29 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005291874A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Hoya Corp パターンのムラ欠陥検査方法及び装置
US6822192B1 (en) 2004-04-19 2004-11-23 Acme Services Company, Llp Laser engraving of ceramic articles
JP4480002B2 (ja) 2004-05-28 2010-06-16 Ｈｏｙａ株式会社 ムラ欠陥検査方法及び装置、並びにフォトマスクの製造方法
JP4480001B2 (ja) 2004-05-28 2010-06-16 Ｈｏｙａ株式会社 ムラ欠陥検査マスク、ムラ欠陥検査装置及び方法、並びにフォトマスクの製造方法
CN100557690C (zh) * 2004-06-22 2009-11-04 国际商业机器公司 数据存储设备和用于操作数据存储设备的方法
JP2004351938A (ja) 2004-07-20 2004-12-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 製版装置
US7420676B2 (en) * 2004-07-28 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Alignment method, method of measuring front to backside alignment error, method of detecting non-orthogonality, method of calibration, and lithographic apparatus
DE102004038629A1 (de) * 2004-08-09 2006-03-09 Airbus Deutschland Gmbh Heizmanschette zum Aufschrumpfen von Schrumpfschlauchverbindungen
US7625063B2 (en) 2004-11-04 2009-12-01 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for an inkjet head support having an inkjet head capable of independent lateral movement
JP4480009B2 (ja) 2004-12-06 2010-06-16 Ｈｏｙａ株式会社 欠陥検査装置及び方法、並びにフォトマスクの製造方法
JP4583155B2 (ja) 2004-12-13 2010-11-17 Ｈｏｙａ株式会社 欠陥検査方法及びシステム、並びにフォトマスクの製造方法
US7394479B2 (en) 2005-03-02 2008-07-01 Marken Corporation Pulsed laser printing
JP4628824B2 (ja) 2005-03-10 2011-02-09 富士フイルム株式会社 フイルムの欠陥検査装置及びフイルムの製造方法
JP4501798B2 (ja) 2005-07-08 2010-07-14 王子製紙株式会社 インクジェット記録体
US20100141732A1 (en) 2005-07-25 2010-06-10 Fujifilm Corporation Image recording device and method
WO2007050023A1 (en) 2005-10-26 2007-05-03 Micronic Laser Systems Ab Writing apparatuses and methods
US8122846B2 (en) * 2005-10-26 2012-02-28 Micronic Mydata AB Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates
US8253768B2 (en) 2005-12-09 2012-08-28 Ricoh Company, Ltd. Optical scanner and image forming apparatus
US7806731B2 (en) 2005-12-29 2010-10-05 Sandisk Corporation Rounded contact fingers on substrate/PCB for crack prevention
JP2007248943A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Hoya Corp パターン形成方法及びグレートーンマスクの製造方法
US20080199068A1 (en) 2007-01-10 2008-08-21 Duquette David W Inspection System
DE102007010906A1 (de) 2007-03-05 2008-09-11 Seereal Technologies S.A. Abbildungsvorrichtung zum Beeinflussen von auftreffendem Licht
EP2147296A1 (en) 2007-04-18 2010-01-27 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for mura detection and metrology
US8330782B2 (en) 2007-04-26 2012-12-11 Kodak Graphics Communications Canada Company Imaging a plurality of images using a plurality of non-parallel scan paths
US7835054B2 (en) 2007-07-02 2010-11-16 Texas Instruments Incorporated Optical architecture having a rotating polygon for use in imaging systems
JP2009099939A (ja) * 2007-09-25 2009-05-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd アライメントマーク形成装置
CN101446768A (zh) * 2007-11-27 2009-06-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 零层对准标记及制作方法
JP2009238777A (ja) * 2008-03-25 2009-10-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2009239247A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP5711533B2 (ja) 2008-05-09 2015-05-07 Hoya株式会社 反射型マスク、反射型マスクブランク及びその製造方法
EP2151717A1 (en) 2008-08-05 2010-02-10 ASML Holding N.V. Full wafer width scanning using step and scan system
US8442302B2 (en) 2008-12-05 2013-05-14 Micronic Laser Systems Method and device using rotating printing arm to project or view image across a workpiece
WO2010092188A1 (en) 2009-02-16 2010-08-19 Micronic Laser Systems Ab Improved slm device and method
JP5182143B2 (ja) 2009-02-19 2013-04-10 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
IL198719A0 (en) 2009-05-12 2010-02-17 Orbotech Ltd Optical imaging system
NL2004531A (nl) 2009-05-29 2010-11-30 Asml Netherlands Bv Apparatus and method for providing resist alignment marks in a double patterning lithographic process.
US8076776B2 (en) * 2009-06-16 2011-12-13 Intel Corporation Integrated circuit package having security feature and method of manufacturing same
JP5284212B2 (ja) 2009-07-29 2013-09-11 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
EP2511756A4 (en) 2010-01-15 2013-06-12 Sharp Kk LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
KR102146638B1 (ko) * 2010-02-26 2020-08-20 마이크로닉 아베 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치
US8767175B2 (en) 2010-03-05 2014-07-01 Micronic Laser Systems Ab 1.5D SLM for lithography
JP5382456B2 (ja) * 2010-04-08 2014-01-08 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
US8283192B2 (en) 2010-06-02 2012-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming pattern and method of producing solid-state image pickup device
JP5664088B2 (ja) * 2010-09-30 2015-02-04 大日本印刷株式会社 アライメントマーク基板、素子、および素子の製造方法
US20120140193A1 (en) 2010-12-03 2012-06-07 Nanya Technology Corporation Dynamic wafer alignment method in exposure scanner system
EP2649494B1 (en) 2010-12-07 2014-08-20 Micronic Mydata AB Criss-cross writing strategy
JP5737922B2 (ja) 2010-12-14 2015-06-17 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体デバイスの製造方法
US8967992B2 (en) 2011-04-25 2015-03-03 Canon Nanotechnologies, Inc. Optically absorptive material for alignment marks
JP5455973B2 (ja) 2011-05-27 2014-03-26 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
US8779556B2 (en) * 2011-05-27 2014-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure designs and methods for integrated circuit alignment
JP5162006B2 (ja) 2011-06-01 2013-03-13 キヤノン株式会社 検出装置、露光装置、および、デバイスの製造方法
JP2012256737A (ja) 2011-06-09 2012-12-27 Sony Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI484536B (zh) 2011-06-30 2015-05-11 Toshiba Kk 模板基板及其製造方法
WO2013031863A1 (ja) * 2011-09-01 2013-03-07 旭硝子株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランクの品質管理方法
US8736084B2 (en) * 2011-12-08 2014-05-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for E-beam in-chip overlay mark
WO2014140047A2 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Micronic Mydata AB Method and device for writing photomasks with reduced mura errors

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6051845A (en) * 1998-03-25 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for selectively marking a semiconductor wafer
US20060007431A1 (en) * 2001-09-20 2006-01-12 Smith Adlai H Method and apparatus for self-referenced dynamic step and scan intra-field scanning distortion
JP2003209049A (ja) * 2002-01-17 2003-07-25 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び製造用マスクセット
KR20060016281A (ko) * 2004-08-17 2006-02-22 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼
JP2010044274A (ja) * 2008-08-15 2010-02-25 Shin-Etsu Chemical Co Ltd グレートーンマスクブランク、グレートーンマスク、及び製品加工標識又は製品情報標識の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016515223A (ja) 2016-05-26
JP6778733B2 (ja) 2020-11-04
CN105143987A (zh) 2015-12-09
EP2972589A2 (en) 2016-01-20
US20140268088A1 (en) 2014-09-18
JP2019056924A (ja) 2019-04-11
WO2014140046A2 (en) 2014-09-18
EP2972589B1 (en) 2017-05-03
US9459540B2 (en) 2016-10-04
KR102253995B1 (ko) 2021-05-18
WO2014140046A3 (en) 2014-12-11
CN105143987B (zh) 2017-10-20
JP6453780B2 (ja) 2019-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5353230B2 (ja) フォトマスクのパタン位置補正方法および位置補正されたフォトマスク
JP6778733B2 (ja) 機械的に形成されるアライメント基準体の方法及び装置
CN105511238B (zh) 光刻对准标记结构及形成方法、半导体结构的形成方法
US9164373B2 (en) Method and device for writing photomasks with reduced mura errors
JP2009212518A (ja) アラインメントマークを設ける方法、デバイス製造方法及びリソグラフィ装置
JP7286604B2 (ja) 反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP5659086B2 (ja) 反射型マスクの欠陥修正方法
TWI295749B (en) Alignment method of exposure mask and manufacturing method of thin film element substrate
TW200827951A (en) Method for determination of residual errors
KR101308862B1 (ko) 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 및 표시 장치의 제조 방법
US20090220866A1 (en) Pre-alignment marking and inspection to improve mask substrate defect tolerance
WO2015146140A1 (ja) Ｅｕｖマスクの位相欠陥評価方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスクブランク及びｅｕｖマスク
KR20100036190A (ko) 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법
TWI828940B (zh) 反射型光罩基板之製造方法、反射型光罩基板及反射型光罩之製造方法
US10359694B2 (en) Lithographic mask for EUV lithography
US9086639B2 (en) Fabrication of on-product aberration monitors with nanomachining
Yan EUVL ML mask blank fiducial mark application for ML defect mitigation
JP6492086B2 (ja) マスク上の構造体の位置を測定し、それによってマスク製造誤差を決定する方法
CN109791378A (zh) 对准标记恢复方法和光刻设备
JP2010204257A (ja) 両面にパターンを有するフォトマスクの作製方法およびフォトマスク
JP2010164675A (ja) フォトマスクブランクス、フォトマスクの位置合わせ方法、両面フォトマスクの製造方法
JP5196159B2 (ja) フォトマスク基板の作製方法及びその方法により作製されたフォトマスク基板
JP5141904B2 (ja) 両面フォトマスク基板の作製方法
JP2007147941A (ja) フォーカスモニターマークを有するフォトマスク及び転写シミュレーション方法
JP2010282115A (ja) 露光マスク、フォーカス測定方法、露光装置管理方法及び電子デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant