JP5141904B2 - 両面フォトマスク基板の作製方法 - Google Patents
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が合致するように前記両面フォトマスク基板を配置する工程と、前記マスター基板に形成された前記第2面アライメントマーク型と前記重ね合わせ用アライメントマーク型に基づいて、前記両面フォトマスク基板に第2面アライメントマークと重ね合わせ用アライメントマークとを転写露光する工程と、からなることを特徴とする。
第1面レジスト層12が、また第2面遮光層13に第2面レジスト層14が塗膜されたものから作成が開始される場合について説明するが、本発明の作製方法は、これに限定されるものではなく、適当なタイミングで第2面遮光層などをスパッタリングで形成することも可能である。
合わせを行う必要がある。このための方法を以下に示す。
4は第2アライメントマーク、65、66は重ね合わせ用アライメントマークを示している。
た様子を示す図であり、図11は両面フォトマスク基板の第2面に第2面本パターンが形
成された様子を示す図である。15はレジスト層、26は第2面本パターンを示している。
(1)マスター基板ホルダー38が傾いていることに伴うズレ。
(2)光学観測装置でXの位置に焦点を合わせるときと、Yの位置に焦点を合わせるときとで生じるズレ。(光学観測装置で対物レンズを光軸方向に前後させるときの機械的機構に伴うズレ。)
本実施形態では、以上のような両面フォトマスク基板の厚さ方向における観測位置の相違に伴うズレ量を予め把握しておく。そして、第1面アライメントマーク23、24の観測位置と、第2面アライメントマーク型33、34の観測位置とを合わせる時においては
、このズレ量分を調整して、フォトマスク基板ホルダー50の配置を調整する。
Claims (3)
- 第1面と第2面の両方に遮光パターンが形成される両面フォトマスク基板を作製する方法であって、
電子線描画装置により前記両面フォトマスク基板の第1面に第1面本パターンと共に第1面アライメントマークを描画する工程と、
第2面アライメントマーク型と重ね合わせ用アライメントマーク型とが形成されたマスター基板を光学観測装置により観測し、前記第2面アライメントマーク型の光学観測像の観測位置が所定位置となるように調整する工程と、
前記光学観測装置により観測し、前記観測位置と、前記第1面アライメントマークとが合致するように前記両面フォトマスク基板を配置する工程と、
前記マスター基板に形成された前記第2面アライメントマーク型と前記重ね合わせ用アライメントマーク型に基づいて、前記両面フォトマスク基板に第2面アライメントマークと重ね合わせ用アライメントマークとを転写露光する工程と、からなることを特徴とする両面フォトマスク基板の作製方法。 - 第1面と第2面の両方に遮光パターンが形成される両面フォトマスク基板を作製する方法であって、
電子線描画装置により前記両面フォトマスク基板の第1面に第1面本パターンと共に第1面アライメントマークを描画する工程と、
第2面アライメントマーク型と重ね合わせ用アライメントマーク型とが形成されたマスター基板を光学観測装置により観測し、前記第2面アライメントマーク型の光学観測像の観測位置が所定位置となるように調整する工程と、
前記両面フォトマスク基板の厚さ方向における観測位置の相違に伴うズレ量を把握する工程と、
前記光学観測装置により観測し、前記観測位置と、前記第1面アライメントマークとが合致するように前記両面フォトマスク基板を配置する工程と、
前記両面フォトマスク基板を前記ズレ量分変位させる工程と、
前記マスター基板に形成された前記第2面アライメントマーク型と前記重ね合わせ用アライメントマーク型に基づいて、前記両面フォトマスク基板に第2面アライメントマークと重ね合わせ用アライメントマークとを転写露光する工程と、からなることを特徴とする両面フォトマスク基板の作製方法。 - 第1面と第2面の両方に遮光パターンが形成される両面フォトマスク基板を作製する方法であって、
電子線描画装置により前記両面フォトマスク基板の第1面に第1面本パターンと共に第1面アライメントマークを描画する工程と、
第2面アライメントマーク型と重ね合わせ用アライメントマーク型とが形成されたマスター基板を光学観測装置により観測し、前記第2面アライメントマーク型の光学観測像の観測位置が所定位置となるように調整する工程と、
前記両面フォトマスク基板の厚さ方向における観測位置の相違に伴うズレ量を把握する工程と、
前記光学観測装置により観測し、前記観測位置と、前記第1面アライメントマークとが合致するように前記両面フォトマスク基板を配置する工程と、
前記マスター基板に形成された前記第2面アライメントマーク型と前記重ね合わせ用アライメントマーク型に基づいて、前記両面フォトマスク基板に第2面アライメントマークと重ね合わせ用アライメントマークとを、前記両面フォトマスク基板の前記ズレ量分を補正しつつ転写露光する工程と、からなることを特徴とする両面フォトマスク基板の作製方法。
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