KR20130118963A - 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물의 플라즈마 처리 - Google Patents

실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물의 플라즈마 처리 Download PDF

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KR20130118963A
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

반도체 디바이스의 형성 방법이 개시된다. 전체 두께에 걸쳐 플라즈마 처리된 질화물 층을 생성하기 위해 실란과 질소 플라즈마를 이용하여 IPD 스택의 질소 층들이 증착된다. 스택의 하부 질화물 층을 질화함과 아울러, 중간 질화물 층도 질화될 수 있다. 질소 플라즈마 내의 실란으로부터 실리콘의 증착이 고밀도 플라즈마, ALD 또는 원격 플라즈마 프로세스들을 이용하여 이루어질 수 있다. 증착되는 층들에서 잔류 수소를 줄이기 위해 증착시 높은 온도를 이용할 수 있다.

Description

실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물의 플라즈마 처리{PLASMA TREATMENT OF SILICON NITRIDE AND SILICON OXYNITRIDE}
본 명세서에 개시된 실시예들은 반도체 디바이스들의 제조에 관한 것이다. 더 구체적으로, 로직 및 메모리 디바이스들을 위한 게이트 구조들과 형성 방법들이 개시되어 있다.
특히, NAND 플래시 디바이스들은 데이터 보존을 위해 산화물 및 질화물 층들을 포함하는 인터-폴리 유전체(IPD) 스택들에 의존한다. 디바이스 스케일링이 45㎚ 노드를 초과함에 따라, 예컨대, 부동 게이트 NAND 디바이스들에서의 데이터 누설로 인해 IPD 스택의 엔지니어링에 대한 관심이 증가하였다. 통상적으로, 부동 게이트 NAND 디바이스는 질화물/산화물 층들이 교번하는 스택이 위에 형성된 부동 게이트를 포함한다. 통상적으로, 이 층들은, 질화된 폴리실리콘 층이 게이트 산화물 층에 접촉하도록 하여, 디바이스 표면 위에 컨포멀하게 형성된다.
질화물 매트릭스에는 수소가 침입하거나 결합에 의해 통합될 수 있다. 증착후 질화물 어닐링이 매트릭스로부터 침입 수소를 몰아낼 수 있음에도 불구하고, 열만 이용해서는 수소-질소 결합(4eV) 또는 수소-실리콘 결합(3.29eV)이 쉽게 깨지지 않기 때문에, 수소 결합을 깰 수 없을 것이다. 그러나, 디바이스의 자연 수명과 사이클링을 통해, 이러한 수소 결합들 중 일부가 깨져서 원하지 않는 트랩을 남기게 될 것이다. 그 결과, 필름 스택 어딘가에서 원하지 않는 수소의 혼입이 발생할 뿐만 아니라, 질화물을 통한 누설이 증가하며, 이는 디바이스의 기하학적 구조가 축소될수록 점점 더 문제가 되고 있다. 소형의 기하학적 구조들에서는, 디바이스의 물리적 치수들에 의해 증착되는 질화물 두께가 제한되며, 특히 질화물을 통해, IPD를 따라서 뿐만 아니라 IPD를 통해서도 누설이 증가하도록 할 수 있다.
DPN과 RPN을 이용한 질화물 증착후 필름 처리는 간단한 열 어닐링에 의한 것보다 증착된 질화물의 습식 에칭 속도를 개선하는 것으로 나타났다. 그러나, 치밀한 Si3N4 매트릭스로 인해, 최대 개선 깊이는 20A 미만이다. Si02 치밀화와 마찬가지로, 필름을 통해 이온과 라디칼이 확산될 때, 결합 파괴와 재배열로 인해 Si3N4가 개선되는 것으로 생각된다. 그러나, Si3N4의 강한 특성이 02 및 N2와 같이 큰 분자에 대한 자연적인 스크린 역할을 하며, 국소 플라즈마에서 우세한 이온 종은 일반적으로 02+ 또는 N2+이다. 따라서, 상부(~20A)만 증착후 완전히 처리된다. 더 깊은 부분도 RPN의 경우에서 이루어지는 열 처리에 의해 개선되지만, WER의 극단적인 변화가 두 레짐(regimes)들 사이에 관찰된다. 따라서, 우수한 WER을 가진 질화물 층의 형성 방법이 필요하다.
본 명세서에 개시된 실시예들은 적어도 하나의 질화물 층을 층 두께 전체에 걸쳐 열 또는 플라즈마 처리로 처리하는 단계를 포함하는 디바이스의 형성 방법을 제공한다. 제 1 폴리실리콘 층을 기판의 열 산화물 층 상에 형성하고, 플라즈마 질화 프로세스를 이용하여 질화한다. 폴리실리콘 층 위에 CVD 프로세스를 이용하여 질화물 층을 형성한다. 질화물 층을 형성할 때, 열 또는 플라즈마 프로세스로 질화물 층으로부터 수소를 제거한다. 또한, 기판 상에 제 2 폴리실리콘 층을 형성한다. 일반적으로, 디바이스의 질화물 층들을 산화물 층들이 분리시킨다.
본 발명의 전술한 특징들이 구체적으로 이해될 수 있도록, 첨부도면들에 그 일부가 도시된 실시예들을 참조하여 위에서 약술한 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 첨부도면들은 단지 본 발명의 전형적인 실시예들을 도시하고 있을 뿐이며, 본 발명은 다른 동등한 효과를 가진 실시예들을 포함할 수 있으므로, 그 범위를 제한하는 것으로 이해되어서는 아니됨을 유의하여야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 디바이스의 단면도이다.
도 2는 여러 가지 처리를 받은 질화물 층들의 습식 에칭 속도의 상대적 감소를 나타낸 그래프이다.
도 3은 증착되고 처리된 질화물 층들의 수소 농도를 두께의 함수로 나타낸 그래프이다.
도 4는 여러 가지 프로세스들로 처리된 층들의 수소 농도를 시간의 함수로 나타낸 그래프이다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 도면들에서 공통되는 동일한 요소들은 가능한 한 동일한 참조번호들을 사용하여 표시하였다. 일 실시예에 개시된 요소들이 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에서도 유리하게 사용될 수 있음을 고려하였다.
본 명세서에 개시된 실시예들은 로직 또는 메모리 디바이스일 수 있는 반도체 디바이스의 형성 방법을 제공한다. 일부 실시예들에서, 상기 디바이스는 부동 게이트 NAND 디바이스와 같은 NAND 디바이스이다.
부동 게이트 NAND 디바이스들의 데이터 보존은 고급 노드들에서 문제가 되고 있다. 워드선을 따라 인접한 부동 게이트들 간의 누설이 연속 IPD를 통해 가능해지며, 질화물 내의 트랩에 의해 악화된다. 비트-라인 대 비트-라인의 전하 손실 억제가 부동 게이트들 간의 IPD 스택에서 하부 질화물의 제거와 관련이 있는 것으로 나타났다. 이는 필드 산화물에 대한 부동 게이트 폴리실리콘의 선택적 질화에 의해 하나의 단계로 달성되거나, 필드 산화물뿐만 아니라 폴리실리콘의 통상적인 질화에 후속하여, 인시츄 스팀 발생법(ISSG) 또는 고온 산화물 증착(HTO)과 플라즈마 처리를 통한 산화물 치밀화에 의해 다중의 단계들로 달성될 수 있다. 하부 질화물이 부동 게이트들 사이에 남지 않기 때문에, Si3N4가 트랩 밀도가 낮고 밴드 오프셋이 높은 SiOxNy로 변환되어 데이터 보존이 개선된다고 생각된다.
IPD 엔지니어링의 다른 기술은 박막 치밀화 처리들이다. 가장 일반적으로, 필름의 전기적 품질을 향상시키기 위해 증착된 산화물들을 플라즈마 산화로 처리한다. 일반적으로, 이를 산화물 치밀화 또는 플라즈마 처리라 한다. 박막들은 스택의 중간 질화물 층을 따라서도 교번하는 누설 경로들을 야기할 수 있다. 하부 산화물을 가로질러 IPD의 중간 질화물 층 속으로 전자들의 트랩 보조 열전자 방출이 인접한 부동 게이트들 사이에 추가적인 누설 경로를 생성하는 것으로 생각된다. IPD 스택의 기하학적 구조 때문에, IPD에서 하부 질화물의 부동 게이트들 사이의 질화물을 제거하기 위해 사용된 것과 동일한 방법들이 중간 질화물에 대해서는 사용될 수 없다.
도 1은 일 실시예에 따른 디바이스(100)의 단면도이다. 터널 산화물 층일 수 있는 열 산화물 층(104)이, RTP와 같은 열 프로세스를 이용하여, 실리콘 기판일 수 있는 기판(102) 상에 형성된다. 도핑될 수 있는 실리콘 층(106)이 플라즈마 강화 CVD 프로세스일 수 있는 CVD 프로세스를 이용하여 형성된다. 실리콘 층(106)은 약 200Å 내지 약 2,000Å의 두께, 예컨대, 약 1,000Å의 두께를 가질 수 있다. 실리콘 층(106)은 실란 전구체로부터 실리콘을 증착할 때 질소 플라즈마를 생성함으로써 증착시 질화될 수 있다. 질소 또는 암모니아 가스와 같은 질소 전구체가 유도 결합된 플라즈마 챔버로 제공되는 고밀도 플라즈마 프로세스가, 증착을 위해 챔버로 실란 가스를 흘리면서, 질소 플라즈마를 형성하기 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 각 사이클에서 플라즈마가 있거나 없는 상태에서 실란과 암모니아가 교번하는 ALD 프로세스가 사용될 수 있다. 마지막으로, 실란과 함께 증착 챔버로 유입되는 질소 플라즈마를 형성하기 위해, 또는 질소 함유 화합물과 실란을 포함하는 가스 혼합물과 함께 증착 챔버로 유입되는 불활성 가스 플라즈마를 형성하기 위해, 원격 플라즈마 프로세스가 사용될 수 있다.
실리콘 층(106)은, 예컨대, DPN 프로세스를 사용하여, 일부 실시예들에서 증착 후 질화될 수도 있다. 증착중 질화는 전체 층 두께에 걸쳐서 완전히 질화된 층을 만들 수 있는 반면, 증착후 질화는 실리콘 층(106) 위에 최대 약 20Å 두께의 질화된 층을 만들 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서, 실리콘 층(106)은 실리콘 층(106) 위에 표면 질화물 층(114)을 제공하는 증착이 이루어진 다음 질화된다. 두께가 약 20Å 또는 그 미만인 얇은 질화물 층이 증착후 플라즈마 처리로 그 두께 전체에 걸쳐 처리될 수 있다.
실리콘 층(106)에 도포되는 프로세스 가스의 활성화 정도에 따라, 증착 온도에 비해 온도가 일정하거나, 증가하거나, 감소될 수 있다. 일반적인 질화물 증착 프로세스는 약 700℃ 내지 약 1,000℃, 예컨대, 약 850℃와 같은, 약 600℃를 초과하는 온도에서 실시된다. 처리 프로세스의 압력은 일반적으로 약 1 내지 10 Torr이며, 프로세스는 약 1 내지 4분, 예컨대, 2분 동안 실시된다.
일반적인 원격 플라즈마 프로세스에서, 암모니아와 질소 가스의 혼합물이 기판이 수용된 프로세스 챔버로 유입된다. 상술한 모든 질화 및 플라즈마 처리 프로세스들에서, 질소 가스, 암모니아, 하이드라진 및/또는 질소 산화물들이 질소 함유 화합물들로 사용될 수 있다. 층의 질소 함량을 높이거나 층에 질소를 추가하기 위해, 그리고 층으로부터 수소를 제거하기 위해, 질소 라디칼들 및 질소 이온들과 같은 활성 질소 종들이 통상적으로 사용된다. 원한다면, 플라즈마 밀도를 높이기 위해 가스 혼합물에 헬륨 및 아르곤과 같은 불활성 종들이 포함될 수 있다. 전체 가스 혼합물이 원격 챔버에서 활성화되거나, 불활성 종들이 활성화된 다음 질소 함유 화합물과 혼합될 수 있다.
플라즈마 강화 CVD 방법일 수 있는 CVD 방법으로, 실리콘 층(106)의 표면 질화물 층(114) 위에 산화물 층(108)이 형성될 수 있다. 산화물 층(108)은 층(108)을 치밀화하기 위해 증착 후 산소 플라즈마에 노출될 수 있다. 질화물 층(110)이 증착되고, 증착된 층의 두께 전체에 걸쳐 플라즈마 처리가 이루어지도록 질소 플라즈마를 특징으로 하는 플라즈마 CVD 방법을 이용하여 처리된다. 질화물 층(110)은 약 200Å 내지 약 1,000Å, 예컨대, 약 400Å의 두께를 가질 수 있다. 상술한 바와 유사한 방법들을 이용하여 제 2 산화물 층(112)이 증착될 수 있으며, 산소 플라즈마 하에서 치밀화된 다음, DPN 프로세스를 이용하여 표면 질화되어 IPD 스택을 완성하게 된다. DPN 프로세스는 제 2 산화물 층(112) 상에 표면 질화물 층(116)을 생성한다. 그 다음, 약 200Å 내지 약 2,000Å, 예컨대, 약 1,000Å의 두께를 가진 실리콘 층(118)이 CVD에 의해 형성되고, RTP 프로세스에 의해 어닐링된다. 질화와 관련한 RTP 프로세스의 사용은 질소가 하부의 층들로 확산되는 경향을 감소시킨다.
RTP 프로세스의 일 실시예에서, 기판은 약 200℃/sec 또는 그 초과, 예컨대, 약 400℃/sec의 속도로, 약 800℃ 내지 약 1,000℃와 같은 약 700℃ 내지 약 1,100℃, 예컨대, 약 850℃의 온도로 가열된다. 이 온도는 약 5초 미만과 같은 약 10초 미만, 예컨대, 약 1초의 지속 기간 동안 유지되며, 그 다음, 기판은 약 200℃/sec 또는 그 초과, 예컨대, 약 400℃/sec의 속도로, 주변 온도일 수 있는 최종 온도로 냉각된다. 프로세스는 상술한 바와 같이 플라즈마 또는 활성화된 가스가 존재하는 상태에서 실시된다.
도 2는 여러 가지 질소 처리 이후의 질화물 층들의 습식 에칭 속도의 상대적 감소를 나타낸 그래프(200)이다. 그래프는 고온에서 실시되는 RTP 플라즈마 처리 프로세스가 저온 DPN 프로세스(204)보다 간단한 열 어닐링(202)에 비해 습식 에칭 속도(206)의 감소가 더 크다는 것을 보여준다. RTP 플라즈마 프로세스를 이용하면, 습식 에칭 속도가 최대 약 35% 감소된다.
도 3은 동일하게 처리된 층들의 수소 함량과, 습식 에칭 속도에 대한 수소 함량의 상관 관계를 나타낸 그래프이다. RTP 처리된 층의 수소 함량이 증착되기만 한(as-deposited) 질화물에 비해 최대 약 60% 감소하는 것으로 나타났다. 증착된 질화물 층의 수소 함량의 감소는 질화물 매트릭스로부터 수소가 빠져나올 때 전자 트랩이 형성될 가능성을 줄인다.
도 4는 여러 가지 프로세스들로 처리된 층들의 수소 함량을 시간의 함수로 나타낸 그래프이다. 그래프는, 이 경우에서는 원격 플라즈마인 활성 종들을 이용하여 처리된 층들의 수소 농도가 플라즈마를 이용하지 않고 유사한 온도에서 처리된 층들의 수소 농도보다 더 낮고 시간이 지남에 따라 더 안정적임을 나타낸다. 활성 종들로 처리된 층들의 감소된 수소 함량은 시간이 지남에 따라 층 속으로 그리고 층을 통해 전자가 누설될 가능성을 줄인다.
상술한 바와 같이, 증착된 층은 최대 약 20Å의 두께로 증착된 후 처리될 수 있다. 이에 따라, 상술한 프로세스들 중 임의의 프로세스에 따라, 증착된 층을 플라즈마와 같은 가스 함유 활성 종들에 대해 노출시킴으로써, 20Å 또는 그 미만의 두께로 증착된 층을 그 두께 전체에 걸쳐 처리할 수 있다. 활성 종들은 열 프로세스에 의해 형성될 수도 있다.
이상의 설명은 본 발명의 실시예들에 관한 것이나, 본 발명의 기본적인 범위를 벗어나지 않고 다른 추가적인 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (16)

  1. 디바이스를 형성하는 방법으로서,
    기판의 열 산화물 층 상에 제 1 폴리실리콘 층을 형성하는 단계;
    상기 폴리실리콘 층을 플라즈마 질화 프로세스를 사용하여 질화시켜서, 질화된 폴리실리콘 층을 형성하는 단계;
    상기 질화된 폴리실리콘 층 위에 질화물 층을 형성하는 단계;
    상기 질화물 층을 형성하면서, 열 또는 플라즈마 프로세스에서 상기 질화물 층으로부터 수소를 제거하는 단계; 및
    상기 기판 상에 제 2 폴리실리콘 층을 형성하는 단계
    를 포함하는,
    디바이스를 형성하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 질화물 층은 실리콘 질화물 층인,
    디바이스를 형성하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 질화물 층은 실리콘 산질화물 층인,
    디바이스를 형성하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 질화물 층을 질소 함유 플라즈마로 처리하는 단계를 더 포함하는,
    디바이스를 형성하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 열 또는 플라즈마 프로세스는, 상기 기판에 대해 급속 열 프로세스를 수행하면서, 상기 기판을 활성 종에 노출시키는 단계를 포함하는,
    디바이스를 형성하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 급속 열 프로세스는, 상기 기판을 적어도 약 200℃/sec의 속도(rate)로 적어도 약 600℃의 온도로 가열하는 단계를 포함하는,
    디바이스를 형성하는 방법.
  7. 용량성 디바이스에서 전자 누설을 방지하는 방법으로서,
    상기 용량성 디바이스의 중간 질화물 층을 형성하는 단계; 및
    상기 중간 질화물 층을 플라즈마에 노출시킴으로써, 상기 용량성 디바이스의 상기 중간 질화물 층으로부터 수소를 제거하는 단계
    를 포함하는,
    용량성 디바이스에서 전자 누설을 방지하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 중간 질화물 층을 형성하는 단계 후에, 상기 중간 질화물 층이 상기 플라즈마에 노출되는,
    용량성 디바이스에서 전자 누설을 방지하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 원격 플라즈마인,
    용량성 디바이스에서 전자 누설을 방지하는 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 중간 질화물 층으로부터 수소를 제거하는 단계는, 불활성 가스 플라즈마의 존재 시에, 질소 함유 가스에 상기 중간 질화물 층을 노출시키는 단계를 포함하는,
    용량성 디바이스에서 전자 누설을 방지하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 불활성 가스 플라즈마는 원격 플라즈마인,
    용량성 디바이스에서 전자 누설을 방지하는 방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 중간 질화물 층을 상기 플라즈마에 노출시키는 동안에, 상기 중간 질화물 층은 급속 열 프로세스를 겪는,
    용량성 디바이스에서 전자 누설을 방지하는 방법.
  13. 부동(floating) 게이트 디바이스를 형성하는 방법으로서,
    기판의 열 산화물 층 상에 제 1 폴리실리콘 층을 형성하는 단계;
    상기 폴리실리콘 층을 플라즈마 프로세스에 노출시킴으로써, 상기 폴리실리콘 층을 질화시켜서, 질화물 층을 형성하는 단계;
    상기 폴리실리콘 층을 질화시키면서, 상기 기판이 급속 열 프로세스를 겪게 하는 단계; 및
    상기 질화물 층 상에 제 2 폴리실리콘 층을 형성하는 단계
    를 포함하는,
    부동 게이트 디바이스를 형성하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 급속 열 프로세스 동안에, 상기 기판이 적어도 약 600℃의 온도로 가열되는,
    부동 게이트 디바이스를 형성하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세스는 원격 플라즈마 프로세스인,
    부동 게이트 디바이스를 형성하는 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세스는, 불활성 가스를 원격으로 활성화하고, 원격으로 활성화된 불활성 가스를 상기 기판을 수용하는 프로세싱 챔버에서 질소 함유 가스와 혼합하는 단계를 포함하는,
    부동 게이트 디바이스를 형성하는 방법.
KR1020137022174A 2011-01-26 2012-01-16 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물의 플라즈마 처리 KR20130118963A (ko)

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KR1020137022174A KR20130118963A (ko) 2011-01-26 2012-01-16 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물의 플라즈마 처리

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US (1) US8524589B2 (ko)
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TW (1) TWI420674B (ko)
WO (1) WO2012102892A2 (ko)

Families Citing this family (322)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9012336B2 (en) * 2013-04-08 2015-04-21 Applied Materials, Inc. Method for conformal treatment of dielectric films using inductively coupled plasma
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
KR102303983B1 (ko) 2014-09-22 2021-09-23 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 반도체 패키지
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102334110B1 (ko) 2014-10-24 2021-12-02 삼성전자주식회사 반도체 소자 형성방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10246772B2 (en) * 2015-04-01 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3D NAND memory devices
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10431695B2 (en) 2017-12-20 2019-10-01 Micron Technology, Inc. Transistors comprising at lease one of GaP, GaN, and GaAs
US10825816B2 (en) 2017-12-28 2020-11-03 Micron Technology, Inc. Recessed access devices and DRAM constructions
US10319586B1 (en) * 2018-01-02 2019-06-11 Micron Technology, Inc. Methods comprising an atomic layer deposition sequence
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US10734527B2 (en) 2018-02-06 2020-08-04 Micron Technology, Inc. Transistors comprising a pair of source/drain regions having a channel there-between
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
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KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US20230265562A1 (en) * 2022-02-22 2023-08-24 Applied Materials, Inc. Stable silicon oxynitride layers and processes of making them

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030153149A1 (en) * 2002-02-08 2003-08-14 Zhong Dong Floating gate nitridation
US6740605B1 (en) 2003-05-05 2004-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Process for reducing hydrogen contamination in dielectric materials in memory devices
KR100945999B1 (ko) * 2003-06-27 2010-03-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 절연막 형성 방법
US8138104B2 (en) * 2005-05-26 2012-03-20 Applied Materials, Inc. Method to increase silicon nitride tensile stress using nitrogen plasma in-situ treatment and ex-situ UV cure
WO2007138937A1 (en) * 2006-05-26 2007-12-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN101490808A (zh) * 2006-08-04 2009-07-22 应用材料股份有限公司 以含贵重气体的双等离子体氮化法增进cmos氮氧化硅栅介电层效能的方法
US20080032510A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Christopher Olsen Cmos sion gate dielectric performance with double plasma nitridation containing noble gas
US8252653B2 (en) 2008-10-21 2012-08-28 Applied Materials, Inc. Method of forming a non-volatile memory having a silicon nitride charge trap layer

Also Published As

Publication number Publication date
US8524589B2 (en) 2013-09-03
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