KR20080072741A - 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치 - Google Patents

전자 부품용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 마이그레이션 방지성이 양호하고, 또한 성형성, 신뢰성도 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 그에 의해 밀봉된 전자 부품 장치를 제공하는 것으로서, (A) 에폭시 수지, (B) 상온에서 액체이며 무수산 당량이 200 이상인 환상 산무수물, (C) 커플링제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물에 관한 것이다.
액상 수지 소정물, 전자 부품 장치, 에폭시 수지, 환상 산무수물, 커플링제

Description

전자 부품용 액상 수지 조성물 및 전자 부품 장치{LIQUID RESIN COMPOSITION FOR ELECTRONIC COMPONENT AND ELECTRONIC COMPONENT DEVICE}
본 발명은, 전자 부품의 밀봉용으로 바람직한 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 이에 의해 밀봉된 전자 부품 장치에 관한 것이다.
종래부터, 트랜지스터, IC 등의 전자 부품 장치의 소자 밀봉 분야에서는 생산성, 비용 등의 면에서 수지 밀봉이 주류가 되어, 에폭시 수지 조성물이 널리 이용되고 있다. 그 이유로는, 에폭시 수지가 작업성, 성형성, 전기 특성, 내습성, 내열성, 기계 특성, 인서트품과의 접착성 등의 여러 특성에 균형이 잡혀 있기 때문이다. COB(Chip on Board), COG(Chip on Glass), TCP(Tape Carrier Package) 등의 베어 칩 실장 반도체 장치에서는 전자 부품용 액상 수지 조성물이 밀봉재로서 널리 사용되고 있다. 또한, 반도체 소자를 배선 기판에 직접 범프 접속한 반도체 장치(플립 칩)에서는 언더필제(underfill agent)로서 전자 부품용 액상 수지 조성물이 사용되고 있다.
상기 반도체 장치는 배선폭과 배선간의 피치가 좁아져서, 최첨단의 플립 칩반도체 장치에서는 피치폭이 50 ㎛ 이하인 것도 있다. 이들 반도체 장치에서는 피치가 좁아진 전극 간에 전압이 걸려, 이온 마이그레이션(migration)이 큰 문제가 되어 왔다. 특히 고온고습 하에서는 마이그레이션이 발생하기 쉬워져 반도체 장치의 불량 원인이 된다. 세선화되고 피치가 좁아지고 있는 대표적인 반도체 장치로서는 COF(Chip On Film)이 있고, COF 분야에서는 특히 마이그레이션 방지성이 중요하게 되어 있다. 마이그레이션 특성의 향상에 관해서는 종래부터 전자 부품용 액상 수지 조성물 내의 불순물 감소가 유효한 것이 알려져 있지만 고순도화만으로는 대응할 수 없게 되었다.
또한, 액상 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 경화에는 고온으로 장시간의 가열이 필요하고, 최근 들어 생산성의 향상을 목적으로 한 속경화성의 액상 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 수요가 높아지고 있다. 예를 들면 (A) 에폭시 수지 및 (B) 경화제를 필수 성분으로 하고, (B) 경화제가 알릴기 함유 페놀 수지를 함유하고, 또한 경화물 표면의 반사율이 10％ 이하인 액상 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다(일본 특허 공개 제2002-194066호 공보 참조).
<발명의 개시>
본 발명은 이러한 상황을 고려하여 이루어진 것으로, 마이그레이션 방지성이 양호하고, 그 밖의 성형성, 신뢰성도 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물 및 이에 의해 밀봉된 전자 부품 장치를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 반도체 소자 등의 전자 부품과 배선 기판과의 접착성이 양호하고, 흡수율이 작은 전자 부품용 액상 수지 조성물을 적용함으로써 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명은 이하 (1) 내지 (8)에 관한 것이다.
(1) (A) 에폭시 수지, (B) 상온에서 액체이며 무수산 당량이 200 이상인 환상 산무수물, (C) 커플링제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(2) 추가로 무기 충전제를 함유하고, 또한 무기 충전제의 배합량이 10 질량％ 이하인 상기 (1)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(3) 추가로 고무 입자를 함유하는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(4) 추가로 실리콘 변성 에폭시 수지를 함유하는 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(5) 추가로 이온 트랩제를 함유하는 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(6) 추가로 (A)와 (B)의 반응을 촉진하는 잠재성 경화 촉진제를 함유하는 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(7) 필름을 기재로 하는 배선 기판 상에 전자 부품을 직접 범프 접속한 전자 부품 장치에 이용되는 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물.
(8) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 전자 부품 장치.
본 발명에 의한 전자 부품용 액상 수지 조성물은, 마이그레이션 방지성이 양호하고 그 밖의 성형성, 신뢰성도 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물로서, 그 공업적 가치가 크다. 특히 경성 및 연성 배선판이나 유리 상에 형성된 배선에 반도체 소자를 범프 접속에 의한 플립 칩 본딩한 반도체 장치, 구체적으로는 플립 칩 BGA나 COF 등의 반도체 장치용의 언더필재로서 유용하다.
본원의 개시는, 2005년 11월 25일에 출원된 일본 특허 출원 2005-340201에 기재된 주제와 관련되어 있고, 그들의 개시 내용은 인용에 의해 본 명세서에 원용된다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명에서 이용되는 (A) 에폭시 수지는, 경화 가능한 1 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지이면 특별히 제한은 없고, 전자 부품용 액상 수지 조성물에 일반적으로 사용되고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있고, 조성물이 액상이면 고형, 액상 중의 어느 한쪽을 이용하거나 양자를 병용할 수도 있다. 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 나프탈렌디올, 수소첨가 비스페놀 A 등과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지를 비롯한 페놀류와 알데히드류를 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락 수지를 에폭시화한 노볼락형 에폭시 수지, 프탈산, 다이머산 등의 다염기산과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 디아미노디페닐메탄, 이소시아누르산 등의 폴리아민과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 올레핀 결합을 과아세트산 등의 과산으로 산화시켜서 얻어지는 선형 지방족 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
그중에서도, 저점도화 측면에서는 액상 에폭시 수지가 바람직하고, 페놀 수지와의 반응성 측면에서는 비스페놀형 액상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.
또한, 이들 에폭시 수지는, 충분히 정제되어 이온성 불순물이 적은 것이 바람직하다. 예를 들면, 유리 Na 이온 및 유리 Cl 이온은 500 ppm 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에서 이용되는 (B) 상온에서 액체이며 무수산 당량이 200 이상인 환상 산무수물로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면 무수 말레산과 디엔 화합물로부터 딜스-알더(Diels-Alder) 반응으로 얻어지고, 복수의 알킬기를 갖는 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 숙신산 등의 각종 환상 산무수물을 들 수 있다.
「환상 산무수물」이란, 무수 프탈산으로 대표되는 바와 같이 「-CO-O-CO-」의 2개의 탄소 원자 C가 각각 다른 2개의 탄소 원자와 화학 결합하여 환상으로 되어 있는 것을 나타낸다. 또한, 「무수산 당량」은, (산 무수물의 분자량)/(산 무수물 분자 내의 무수산기의 수)로 나타낸다.
이러한 화합물로는, 예를 들면, 무수산 당량이 234인 재팬 에폭시 레진 가부시끼가이샤 제조의 상품명 jER 큐어 YH306 등이 시판품으로서 입수 가능하다.
산 무수물의 무수산 당량이 200 미만인 경우, 경화물 내의 에스테르 결합이 많아지기 때문에, 고온 고습 하에서 가수분해의 영향을 받기 쉬워져서, 내습성, 특히 마이그레이션 방지성의 저하가 생기기 쉽다. 또한, 산무수물의 무수산 당량이 200 미만인 경우에는 에스테르기의 영향으로 흡수율도 높게 되고, 이것도 마이그레이션 방지성의 저하의 원인이 된다. 즉, 무수산 당량이 큰 환상 산무수물은 무수산 당량이 작은 환상 산무수물보다도 에스테르기 농도가 작아지므로, 그 경화물은 흡수율이 낮기 때문에, 물에 용출되는 Cl 등의 이온성 불순물량을 감소시킬 수 있다.
무수산 당량은 바람직하게는 200 내지 400이고, 보다 바람직하게는 200 내지 300이다.
(B) 성분의 환상 산무수물의 구조는 무수산 당량 200 이상이면 특별히 제한은 없지만, 마이그레이션 방지성 측면에서 분자 내에 염소, 브롬 등의 할로겐 원자, 에스테르 결합을 포함하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 (B) 성분 이외의 경화제를 적절하게 사용할 수가 있고, 에폭시 수지의 경화제로서 일반적으로 사용되고 있는 것을 이용할 수 있다. 예를 들면, 무수 프탈산, 무수 말레산, 메틸하이믹산 무수물, 하이믹산 무수물, 무수 숙신산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 클로렌드산 무수물, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산, 4-메틸헥사히드로 무수 프탈산, 트리알킬테트라히드로 무수 프탈산말레산 부가물, 메틸헥사히드로프탈산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 메틸테트라히드로 무수 프탈산, 수소화메틸나식산 무수물 등의 산무수물 화합물, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌트리아민, 테트라에틸렌펜타민, m-크실렌디아민, 트리메틸헥사메틸렌디아민, 2-메틸펜타메틸렌디아민, 디에틸아미노프로필아민, 이소포론디아민, 1,3-비스아미노메틸시클로헥산, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 노르보르넨디아민, 1,2-디아미노시클로헥산, 라로민, 디아미노디페닐메탄, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐술폰, 폴리옥시프로필렌디아민, 폴리옥시프로필렌트리아민, 폴리시클로헥실폴리아민 혼합물, N-아미노에틸피페라진 등의 아민 화합물, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-(2-메틸이미다조일-(1))에틸-s-트리아진, 2-페닐이미다졸린, 2,3-디히드로-1H-피롤로(1,2-a)벤즈이미다졸 등의 이미다졸 화합물, 3급 아민, DBU, 디시안디아미드, 유기산 디히드라지드, N,N-디메틸요소 유도체 등을 들 수 있다. 그 중에서도 저점도화 측면에서는 액상의 산무수물 화합물, 아민 화합물이 바람직하다.
(B) 성분, 즉 상온에서 액체이며 무수산 당량이 200 이상인 환상 산무수물의 배합량은, 그 성능을 발휘하기 위해서 (B) 성분을 포함하는 경화제 전량에 대하여 30 질량％ 이상이 바람직하고, 40 질량％ 이상이 보다 바람직하고, 60 질량％ 이상이 더욱 바람직하다.
(A) 에폭시 수지와 상온에서 액체이며 무수산 당량이 200 이상인 환상 산무수물인 (B) 성분을 포함하는 전체 경화제와의 당량비는 특별히 제한은 없지만, 각각의 미반응분을 적게 억제하기 위해서, 에폭시 수지에 대하여 경화제를 0.6 내지 1.6 당량의 범위로 설정하는 것이 바람직하고, 0.7 내지 1.4 당량이 보다 바람직하고, 0.8 내지 1.2 당량이 더욱 바람직하다. 0.6. 내지 1.6 당량의 범위로부터 벗어난 경우, 경화 반응이 불충분해져서 신뢰성이 저하되는 경향이 있다. 여기서, 당량이란 반응 당량이고, 예를 들면, 산무수물의 무수산 당량은 에폭시기 1개에 대하여 산무수물기 1개가 반응하는 것으로 하여 계산되고, 페놀 수지의 당량은 에폭시기 1개에 대하여 페놀성 수산기 1개가 반응하는 것으로 하여 계산되고, 방향족 아민의 당량은 에폭시기 1개에 대하여 아미노기의 활성 수소 1개가 반응하는 것으로 하여 계산된다.
본 발명에서 이용되는 (C) 커플링제로는 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있는데, 예를 들면, 1급 및/또는 2급 및/또는 3급 아미노기를 갖는 실란 화합물, 에폭시실란, 머캅토실란, 알킬실란, 우레이도실란, 비닐실란 등의 각종 실란계 화합물, 티탄계 화합물, 알루미늄킬레이트류, 알루미늄/지르코늄계 화합물 등을 들 수 있다.
이들을 예시하면, 비닐트리클로로실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, γ-머캅토프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필메틸디에톡시실란, γ-아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필트리에톡시실란, γ-(N,N-디메틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N,N-디에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N,N-디부틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N-메틸)아닐리노프로필메틸디메톡시실란, γ-(N-에틸)아닐리노프로필메틸디메톡시실란, N-(트리메톡시실릴프로필)에틸렌디아민, N-(디메톡시메틸실릴이소프로필)에틸렌디아민, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, 헥사메틸디실란, 비닐트리메톡시실란, γ-머캅토프로필메틸디메톡시실란 등의 실란계 커플링제, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리(N-아미노에틸-아미노에틸)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠술포닐티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트 등의 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 중의 1종을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
커플링제의 전체 배합량은, 액상 수지 조성물에 대하여 0.037 내지 5.0 질량％인 것이 바람직하고, 0.05 내지 4.75 질량％인 것이 보다 바람직하고, 0.1 내지 2.5 질량％인 것이 더욱 바람직하다. 0.037 질량％ 미만이면 기판과 액상 수지 조성물의 경화물의 밀착성이 저하되는 경향이 있고, 5.0 질량％를 초과하면 유리 전이 온도나 구부림 강도 등의 물성이 저하되는 경향이 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는 무기 충전제를 배합하는 것이 바람직하다. 무기 충전제로는, 전자 부품용 액상 수지 조성물에 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카 등의 실리카, 탄산칼슘, 탈크, 클레이, 산화 알루미나 등의 알루미나, 질화규소, 탄화규소, 질화붕소, 규산칼슘, 티탄산칼륨, 질화알루미늄, 베릴리아, 지르코니아, 지르콘, 포스테라이트, 스테어타이트, 스피넬, 멀라이트, 티타니아 등의 분체, 또는 이들을 구형화한 비드, 유리 섬유 등을 들 수 있다. 나아가서는 알콕시드 화합물의 가수분해·축합 반응에 의해 얻어지는 나노실리카 등의 무기 나노 입자를 충전제로서 이용할 수도 있다. 이들 무기 충전제는 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
무기 충전제의 형상은, 유동성 등의 성형성 측면에서 구형에 가까운 것이 바람직하다. 무기 충전제의 평균 입경은, 5 ㎚ 내지 10 ㎛의 범위가 바람직하다. 10 ㎛을 초과하면 충전재 침강을 일으키기 쉬워지는 경향이나, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 미세 간극에의 침투성·유동성이 저하되어 공극·미충전을 초래하기 쉬워지는 경향이 있다. 또한, 이들 충전제는, 필요에 따라서 표면을 커플링 처리한 것을 이용할 수도 있다. 무기 충전제의 배합량은, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 10 질량％ 이하가 바람직하고, 5 질량％ 이하가 보다 바람직하다. 또한 무기 충전제의 배합량을 0 질량％로 하는 것도 가능하다. 10 질량％를 초과한 경우, 전자 부품용 액상 수지 조성물의 경화물과 필름 기판을 이용한 연성 배선판의 선팽창 계수차가 커져 양자의 계면에서 박리가 생기기 쉽게 된다. 또한, 무기 충전제량이 많으면 액상 수지 조성물의 점도가 높아져서, 표면 장력이 높아지기 때문에 유동성이 저하되는 경향이 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는, 필요에 따라서 (A) 성분의 에폭시 수지와 (B) 성분을 포함하는 경화제의 반응을 촉진하는 경화 촉진제를 사용할 수 있다. 경화 촉진제로는, 경화성과 가용 시간을 양립하기 위해서 잠재성 경화 촉진제가 바람직하다. 잠재성 경화 촉진제란, 어떤 특정한 온도 등의 조건으로 경화 촉진 기능이 발현되는 것으로서, 예를 들면 통상의 경화 촉진제가 마이크로캡슐 등으로 보호되거나 각종 화합물이 부가된 염의 구조로 되어있는 것을 들 수 있다. 이 경우, 특정한 온도를 초과하면 마이크로캡슐이나 부가물로부터 경화 촉진제가 방출된다.
잠재성 경화 촉진제의 예로는 상온에서 고체인 아미노기를 갖는 화합물을 코어로 하고, 상온에서 고체인 에폭시 화합물의 셸을 피복하여 이루어지는 코어셸 입자를 들 수 있고, 시판품으로서 아미큐어(아지노모또 가부시끼가이샤 제조, 등록상표)나, 마이크로캡슐화된 아민을 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지에 분산시킨 노바큐어(아사히 카세이 케미컬즈 가부시끼가이샤 제조, 등록상표) 등을 사용할 수 있다.
또한 전자 부품용 액상 수지 조성물계에 불용인 고체 입자로 가열 성형 시에 해리되어 경화 촉진 작용을 발현하는 아민 화합물 또는 인 화합물의 염류 및 이들에 π 결합을 갖는 화합물을 부가하여 이루어지는 분자내 분극을 갖는 화합물을 잠재성 경화 촉진제로서 사용할 수 있다.
이들을 예시하면 1,8-디아자-비시클로(5,4,0)운데센-7,1,5-디아자-비시클로(4,3,0)노넨, 5,6-디부틸아미노-1,8-디아자-비시클로(5,4,0)운데센-7 등의 시클로아미딘 화합물과 π 결합을 갖는 화합물을 부가하여 이루어지는 분자내 분극을 갖는 화합물,
트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 삼급 아민 화합물의 유도체,
2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸 화합물의 유도체,
트리부틸포스핀, 메틸디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 디페닐포스핀, 페닐포스핀 등의 유기 포스핀 화합물에 무수 말레산, 1,4-벤조퀴논, 2,5-톨루퀴논, 1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸벤조퀴논, 2,6-디메틸벤조퀴논, 2,3-디메톡시-5-메틸-1,4-벤조퀴논, 2,3-디메톡시-1,4-벤조퀴논, 페닐-1,4-벤조퀴논 등의 퀴논 화합물, 디아조페닐메탄, 페놀 수지 등의 π 결합을 갖는 화합물을 부가하여 이루어지는, 분자내 분극을 갖는 인 화합물, 및 이들의 유도체,
트리페닐포스핀트리페닐붕소, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸테트라페닐보레이트, N-메틸모르폴린테트라페닐보레이트 등의 페닐붕소염 및 이들의 유도체 등을 들 수 있고, 이들 중의 1종을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
그 중에서도, 보존 안정성, 속경화성 측면에서는 마이크로캡슐화된 아민을 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지에 분산시킨 것이 바람직하다.
경화 촉진제의 배합량은, 경화 촉진 효과가 달성되는 양이면 특별히 제한되는 것이 아니지만, 비잠재성인 것도 포함시킨 전량으로 (A) 에폭시 수지에 대하여 0.1 내지 40 질량％가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 내지 20 질량％이다. 0.1 질량％ 미만에서는 단시간 경화성이 떨어지는 경향이 있고, 40 질량％를 초과하면 경화 속도가 너무 빨라서 제어가 곤란하게 되거나 가용 시간, 저장 기간 등의 보존 안정성이 떨어지기도 하는 경향이 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는, 에폭시 수지 경화물의 강인화나 저탄성률화를 도모하기 위해서, 공지된 각종 고무 입자를 배합할 수 있다. 상기 고무 입자는 에폭시 수지와 비상용성인 것이 경화물의 유리 전이 온도(내열성)을 낮추지 않고서 탄성률을 낮추는 데 유효하다. 구체적으로는 예를 들면, 부타디엔·아크릴로니트릴·스티렌계 공중합체나 상기 중합체의 말단 또는 측쇄에 에폭시기, 아미노기, 카르복실기, 수산기 등을 갖는 변성 공중합체, 말단 또는 측쇄에 에폭시기, 아미노기, 카르복실기, 수산기 등을 갖는 변성 실리콘계 엘라스토머 등을 들 수 있다. 고무 입자는 취급성이나 수지 성분과의 분산성 면에서, 미분말상이고, 미리 에폭시 수지나 경화제에 미세하게 분산시킨 것을 이용하는 것이 바람직하다. 수지 조성물 내에 균일하게 혼합되기 위해서, 상온에서 액상인 고무 변성 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 고무 입자의 함유에 의해서 액상 수지 조성물의 경화물과 기판 등과의 밀착성이 향상되어, 내고온 고습성 등의 신뢰성 향상이 도모된다.
또한, 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는 필요에 따라서 이온 트랩제를 IC 등의 반도체 소자의 마이그레이션 방지성, 내습성 및 고온 방치 특성을 향상시키는 관점에서 함유할 수 있다. 이온 트랩제로서는 특별히 제한은 없고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있고, 특히 하기 조성 화학식 I로 표시되는 하이드로탈사이트 또는 화학식 II로 표시되는 비스무트의 함수 산화물이 바람직하다.
Figure 112008045225910-PCT00001
(화학식 I 중, 0<X≤0.5, m은 양의 수)
Figure 112008045225910-PCT00002
(화학식 II 중, 0.9≤x≤1.1, 0.6≤y≤0.8, 0,2≤z≤0.4)
이들 이온 트랩제의 첨가량으로는 할로겐 이온 등의 음이온을 포착할 수 있는 충분한 양이면 특별히 제한은 없지만, 마이그레이션 방지성 측면에서 액상 수지 조성물에 대하여 0.1 내지 3.0 질량％가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 1.5 질량％이다. 이온 트랩제의 평균 입경은 0.1 내지 3.0 ㎛가 바람직하고, 최대입경은 10 ㎛ 이하가 바람직하다. 또한, 상기 화학식 I의 화합물은 시판품으로서 교와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조의 상품명 DHT-4A로서 입수 가능하다. 또한, 상기 화학식 II의 화합물은 시판품으로서 도아 고세이 가부시끼가이샤 제조의 상품명 IXE500으로서 입수 가능하다. 또한 필요에 따라서 그 밖의 이온 트랩제를 첨가할 수도 있다. 예를 들면, 마그네슘, 알루미늄, 티탄, 지르코늄, 안티몬 등 중에서 선택되는 원소의 함수 산화물 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는, 필요에 따라서 실리콘 변성 에폭시 수지를 첨가할 수 있다. 실리콘 변성 에폭시 수지를 첨가함으로써 액상 밀봉재의 평탄화 특성, 필렛 형성성, 공극 감소에 효과가 있다. 실리콘 변성 에폭시 수지는 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 오르가노실록산과 에폭시 수지와의 반응물로서 얻을 수 있는데, 상온에서 액상인 것이 바람직하다. 실리콘 변성 에폭시 수지는 액체의 표면에 국재화하여 액체의 표면 장력을 낮출 수 있다. 이에 의해 습윤성이 높아, 유동하기 쉬워지기 때문에, 좁은 간극으로의 침투성 향상이나 함입 공극의 감소에 효과가 있다.
여기서 에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 오르가노실록산을 예시하면, 아미노기, 카르복실기, 수산기, 페놀성 수산기, 머캅토기 등을 1 분자 내에 1개 이상갖는 디메틸실록산, 디페닐실록산, 메틸페닐실록산 등을 들 수 있다. 오르가노실록산의 중량 평균 분자량으로서는 500 내지 5000의 범위가 바람직하다. 그 이유는 500 미만이면 수지계와의 상용성이 너무 좋아져서 첨가제로서의 효과가 발휘되지 않고, 5000을 초과하면 수지계에 비상용이 되기 때문에 실리콘 변성 에폭시 수지가 성형 시에 분리되거나 스며나오게 되어, 접착성이나 외관을 손상시키기 때문이다.
실리콘 변성 에폭시 수지를 얻기 위한 에폭시 수지로는 전자 부품용 액상 수지 조성물의 수지계에 상용하는 것이면 특별히 제한은 없고, 전자 부품용 액상 수지 조성물에 일반적으로 사용되고 있는 에폭시 수지를 사용할 수 있어, 예를 들면, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 AD, 비스페놀 S, 나프탈렌디올, 수소첨가 비스페놀 A 등과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜에테르형 에폭시 수지, 오르토크레졸노볼락형 에폭시 수지를 비롯한 페놀류와 알데히드류를 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락 수지를 에폭시화한 노볼락형 에폭시 수지, 프탈산, 다이머산 등의 다염기산과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 디아미노디페닐메탄, 이소시아누르산 등의 폴리아민과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 올레핀 결합을 과아세트산 등의 과산으로 산화시켜서 얻어지는 선형 지방족 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있는데, 상온에서 액상인 것이 바람직하다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물에는, 그 밖의 첨가제로서, 염료, 카본 블랙, 산화티탄, 연단 등의 착색제, 난연제, 희석제, 다른 평탄화제, 다른 응력완화제, 소포제, 접착 촉진제 등을 필요에 따라서 배합할 수 있다.
난연제로는, 브롬화 에폭시 수지나 삼산화안티몬을 사용할 수 있지만, 비할로겐, 비안티몬 난연제를 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 적린, 페놀 수지 등의 열경화성 수지 등으로 피복된 적린, 인산에스테르, 산화트리페닐포스핀 등의 인 화합물, 멜라민, 멜라민 유도체, 멜라민 변성 페놀 수지, 트리아진환을 갖는 화합물, 시아누르산 유도체, 이소시아누르산 유도체 등의 질소 함유 화합물, 시클로포스파젠 등의 인 및 질소 함유 화합물, 디시클로펜타디에닐철 등의 금속 착체 화합물, 산화아연, 주석산아연, 붕산아연, 몰리브덴산아연 등의 아연 화합물, 산화철, 산화 몰리브덴 등의 금속 산화물, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘 등의 금속수산화물, 하기 화학식 III으로 표시되는 복합 금속수산화물 등을 들 수 있다.
Figure 112008045225910-PCT00003
(화학식 III에서, M1, M2 및 M3은 서로 다른 금속 원소를 나타내고, a, b, c, d, p, q 및 m은 양의 수, r은 0 또는 양의 수를 나타냄)
상기 화학식 III 중의 M1, M2 및 M3은 서로 다른 금속 원소이면 특별히 제한은 없지만, 난연성 측면에서는, M1이 제3 주기의 금속 원소, IIA족의 알칼리 토금속 원소, IVB족, IIB족, VIII족, IB족, IIIA족 및 IVA족에 속하는 금속 원소 중에서 선택되고, M2가 IIIB 내지 IIB족의 전이 금속 원소 중에서 선택되는 것이 바람직하 고, M1이 마그네슘, 칼슘, 알루미늄, 주석, 티탄, 철, 코발트, 니켈, 구리 및 아연 중에서 선택되고, M2가 철, 코발트, 니켈, 구리 및 아연 중에서 선택되는 것이 보다 바람직하다. 유동성 측면에서는, M1이 마그네슘, M2가 아연 또는 니켈이고, r=0인 것이 바람직하다. p, q 및 r의 몰비는 특별히 제한은 없지만, r=0이고, p/q가 1/99 내지 1/1인 것이 바람직하다. 또한, 금속 원소의 분류는, 전형 원소를 A아족, 천이 원소를 B아족으로 하는 장주기형의 주기율표에 기초하여 행하였다. 상기한 난연제는 1종을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
희석제로서, 점도 조정을 위해 에폭시기를 갖는 반응성 희석제를 혼합할 수도 있다. 에폭시기를 갖는 반응성 희석제로서는 예를 들면 n-부틸글리시딜에테르, 버사트산글리시딜에테르, 스티렌옥사이드, 에틸헥실글리시딜에테르, 페닐글리시딜에테르, 부틸페닐글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르를 들 수 있다. 이들 중의 1종을 단독으로 이용하거나 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물은, 상기 각종 성분을 균일하게 분산 혼합할 수 있는 것이면 어떠한 방법을 이용해서도 제조할 수 있는데, 일반적인 방법으로서, 소정의 배합량의 성분을 칭량하고, 분쇄기, 믹싱 롤, 유성형 믹서 등을 이용하여 혼합, 혼련하고, 필요에 따라서 탈포함으로써 얻을 수 있다.
본 발명에서 얻어지는 전자 부품용 액상 수지 조성물에 의해 소자를 밀봉하 여 얻어지는 전자 부품 장치로는, 리드 프레임, 배선된 테이프캐리어, 경성 및 연성 배선판, 유리, 실리콘 웨이퍼 등의 지지 부재에 반도체칩, 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터 등의 능동 소자, 컨덴서, 저항체, 저항 어레이, 코일, 스위치 등의 수동 소자 등의 소자를 탑재하고, 필요한 부분을 본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물로 밀봉하여 얻어지는 전자 부품 장치 등을 들 수 있다. 특히 필름을 기재로 하는 배선 기판 상에 전자 부품을 직접 범프 접속한 전자 부품 장치의 밀봉에 이용되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 경성 및 연성 배선판이나 유리 상에 형성한 배선에 반도체 소자를 범프 접속에 의한 플립 칩 본딩한 반도체 장치가 대상이 된다. 구체적인 예로서는 플립 칩 BGA나 COF(Chip On Film) 등의 반도체 장치를 들 수 있고, 특히 본 발명에서 얻어지는 전자 부품용 액상 수지 조성물은 마이그레이션 방지성이 우수한 COF용의 언더필재로서 바람직하다. 또한, 인쇄 회로판에도 본 발명의 액상 수지 조성물은 유효하게 사용할 수 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 이용하여 소자를 밀봉하는 방법으로는, 디스펜스 방식, 주형 방식, 인쇄 방식 등을 들 수 있다.
다음으로 실시예에 의해 본 발명을 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 2)
(A) 에폭시 수지로서 에폭시 당량 160의 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지(도토 가세이 가부시끼가이샤 제조의 상품명 YDF-8170C), 에폭시 당량 140의 나프탈렌 형 에폭시 수지(다이닛뽄 잉키 고교 가부시끼가이샤 제조의 상품명 HP-4032),
(B) 환상 산무수물로서 상온에서 액체이며 무수산 당량이 234인 환상 산무수물(재팬 에폭시 레진가부시끼가이샤 제조의 상품명 jER 큐어 YH306), 비교를 위한 경화제로서 상온에서 액체이며 무수산 당량 166의 환상 산무수물(히타치 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조의 상품명 HN-2200)을 준비하였다.
잠재성 경화 촉진제로서 마이크로캡슐화된 아민을 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지에 분산시킨 경화 촉진제(아사히 카세이 케미컬즈 가부시끼가이샤 제조의 등록상표 노바큐어 HX-3921HP, 경화 촉진제 1), 2-에틸-4-메틸이미다졸(시코쿠 가세이 고교 가부시끼가이샤 제조의 상품명 2E4MZ, 경화 촉진제 2),
(C) 커플링제로서 γ 글리시독시프로필트리메톡시실란(칫소 가부시끼가이샤 제조의 상품명 실라에이스 S510), 충전제로서 비표면적 1 ㎡/g, 평균 입경 4 ㎛의 구형 합성 실리카를 준비하였다.
고무 입자 성분으로서 아크릴로니트릴·부타디엔·메타크릴산·디비닐벤젠 공중합물 (JSR 가부시끼가이샤 제조의 상품명 XER-91P)을 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지(YDF-8170C)에 질량비 1/4로 미리 가열 혼융하고, 미분산시킨 고무 변성 에폭시 수지,
평탄화제로서 수산기 당량 750의 페놀 변성 실리콘(도레이·다우코닝 실리콘제 상품명 BY16-799)과 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지(YDF-8170C)를 질량비 1/1로 가열 혼융하여 얻어진 실리콘 변성 에폭시 수지,
이온 트랩제로서 비스무트계 이온 트랩제(도아 고세이 가부시끼가이샤 제조의 상품명 IXE-500)을 준비하였다.
이들을 각각 하기 표 1에 나타내는 질량부로 배합하고, 분쇄기로 혼련 분산한 후, 진공 탈포하여, 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 2의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 제조하였다.
Figure 112008045225910-PCT00004
제조된 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 2의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 다음 각 시험에 의해 평가하였다. 평가 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
(1) 점도
EMD형 회전 점도계(가부시키가이샤 토키멕 제조)를 이용하여, 25±1℃로 유지된 전자 부품용 액상 수지 조성물에 관해서, 실시예 1 내지 7, 비교예 1, 2는 100 rpm에서 1분간 회전시켰을 때의 눈금에 환산 계수 0.0125를 곱하고, 이것을 점도로 하였다.
(2) 겔화 시간
150℃의 열판 상에 0.1 g의 전자 부품용 액상 수지 조성물을 적하하고, 스패튤라로 너무 퍼지지 않도록 교반하였다. 적하한 후, 액상 수지 조성물의 점도가 높아져, 스패튤라를 위에 들어 올렸을 때에 실처럼 늘어나지 않고 끊어질 때까지의 시간을 겔화 시간으로 하였다.
(3) 접촉각
접촉각 측정 장치(교우와 가이멘 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)를 이용하여, 25±1℃에서의 적하한 수지 조성물의 유리에 대한 접촉각을 측정하였다.
(4) 흡수율
전자 부품용 액상 수지 조성물을 150℃, 2h의 조건으로 경화시켜, 50 ㎜×50 ㎜×1 ㎜의 시험편을 제조하였다. 본 시험편의 초기 중량 W1을 측정한 후, 85℃/85％의 고온 고습조에 넣고, 100h 후의 중량 W2를 측정하여, 하기 수학식에 의해 흡수율을 구하였다.
(흡수율)={(W2-W1)/W1}×100(％)
(5) 접착력
폴리이미드 필름(도레이·듀퐁 가부시끼가이샤 제조의 상품명 캡톤) 상에서 전자 부품용 액상 수지 조성물을 150℃, 2h의 조건으로 경화시키고, 폭 10 ㎜의 스트립형으로 절단하였다. 이것을 인장 시험기(시마즈 세이사꾸쇼 제조)를 이용하여, 폴리이미드 필름을 90도 상향으로 박리시키는 박리 강도를 접착력으로 하였다.
(6) 추출액 특성
150℃, 2h의 조건으로 경화시킨 전자 부품용 액상 수지 조성물의 경화물을 분쇄기로 미분쇄하여 얻어진 시료 5 g을 불소 수지제 추출 용기에 순수 50 g과 함께 넣었다. 이것을 스테인레스제 내압 용기에 넣고 밀봉한 상태에서, 100℃의 항온조 내에서 20h 추출하였다. 추출액을 여과한 것을 이용하여, 추출액 내의 Cl 이온 농도를 측정하였다.
(7) 점도 상승률
전자 부품용 액상 수지 조성물을 밀폐한 용기에 넣고, 25±1℃로 유지된 항온조에 넣었다. 소정 시간 경과 후, 점도를 측정하고, 상기 (1)의 초기 점도와의 비로 점도 상승률을 구하였다.
(8) 마이그레이션 방지성 평가
폴리이미드 필름 상에 주석 도금된 구리 배선에 의해 배선폭 15 ㎛, 배선 사이 15 ㎛의 대향 빗형 전극을 형성한 연성 배선판(신도 덴시 고교 가부시끼가이샤 제조)의 대향 전극부에 전자 부품용 액상 수지 조성물을 디스펜스 방식으로 도포하고, 150℃, 2h로 경화한 것을 시험편으로 하였다. 이 시험편을 120℃/85％의 고온 고습 하에서 직류 60 V의 전압을 걸어서 저항값을 연속적으로 측정하고, 저항값이 106Ω 이하가 된 시간에 누설이 발생했다고 판정하였다. 측정은 100h까지 행하고, 저항값이 106Ω 이하가 되지 않는 전자 부품용 액상 수지 조성물은 >100h로 하였다.
(9) 침입성
2매의 유리로 두께 20 ㎛의 SUS제 스페이서를 사이에 두고, 폭 5 ㎜의 유로를 만들었다. 이것을 70℃의 핫 플레이트 상에 수평으로 둔 후, 전자 부품용 액상 수지 조성물을 적하하여, 간극 사이에 20 ㎜까지 침입하는 시간을 측정하였다. 3분 미만을 양호, 3분 이상을 불량으로 하였다.
Figure 112008045225910-PCT00005
실시예 1 내지 7은 모두 상온에서 액체이며 무수산 당량이 234인 환상 산무수물을 이용한 전자 부품용 액상 수지 조성물인데, 상온에서 액체이며 무수산 당량이 166인 환상 산무수물을 이용한 비교예 1, 2와 비교하면 마이그레이션 방지성이 우수한 것을 알 수 있다. 이것은 흡수율이 작은 점, 추출액 특성의 Cl 이온량이 적은 점에 의한 것이라고 생각된다. 즉, 무수산 당량이 큰 환상 산무수물은 무수산 당량이 작은 환상 산무수물과 비교하여 에스테르기 농도가 작아지기 때문에, 그 경화물은 흡수율이 낮은 것으로 생각된다. 또한, 흡수성이 낮기 때문에 물에 용출되는 이온성 불순물량이 적어지고, 그 결과 추출액 특성의 Cl 이온량이 적어진 것으로 생각된다.
실시예 1과 2를 비교하면, 고무 입자를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물은 함유하지 않는 조성물보다 접착력이 높다. 이것은 고무 입자가 함유됨으로써 폴리이미드 필름과의 밀착성이 향상되었기 때문이라고 생각된다. 접착력이 향상됨으로써 고온 고습 시험, 온도 사이클 시험 등의 신뢰성 향상이 도모된다.
실시예 1과 3을 비교하면, 실리콘 변성 에폭시 수지를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물은 접촉각이 작다. 이것은, 실리콘 변성 에폭시 수지가 액체의 표면에 국재화하여, 액체의 표면 장력을 낮추었기 때문이라고 생각된다. 접촉각이 작으면 기판에 대한 습윤성이 높아서, 유동하기 쉽기 때문에, 좁은 간극으로의 침투성 향상이나 함입 공극의 감소에 효과가 있다. 실시예 1과 4를 비교하면, 이온 트랩제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물은 추출액 특성의 Cl 이온량이 적다. 이것은, 이온 트랩제의 Cl 이온을 포착하는 효과 때문이라고 생각된다. Cl 이온량 감소에 의해, 고온 고습 바이어스 시험에 있어서 마이그레이션 특성이 향상된다.
또한, 실시예 1과 5를 비교하면, 마이크로캡슐화된 아민계 잠재성 촉매를 이용한 전자 부품용 액상 수지 조성물은 점도 상승률이 낮고, 또한 겔화 시간은 짧다. 이것은, 마이크로캡슐화된 아민계 잠재성 촉매는, 40℃ 이하의 저온 영역에서는 마이크로캡슐에 의해서 보호되어 있기 때문에 촉매 기능이 매우 작고, 또한 120℃ 이상의 고온 영역에서는 마이크로캡슐이 급격히 용해되어 경화를 촉진하기 때문이라고 생각된다. 이 점에서, 본 전자 부품용 액상 수지 조성물은 실온에서 장시간 사용할 수 있고, 또한 경화 시간의 단축을 도모할 수 있기 때문에, 매우 작업성이 좋은 조성물이라고 할 수 있다.
실시예 6의 고무 변성 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지, 이온 트랩제, 마이크로캡슐화된 아민계 잠재성 촉매를 전부 함유한 전자 부품용 액상 수지 조성물은, 실시예 1 내지 5, 7, 비교예 1 내지 2와의 비교에 있어서 경화성, 흡수 특성, 접착성, 추출액 특성, 가용 시간, 마이그레이션 방지성, 침입성 모두에 우수한 특성을 발휘하는 조성물이라고 할 수 있다.
본 발명의 전자 부품용 액상 수지 조성물은, 마이그레이션 방지성이 양호하고, 그 밖의 성형성, 신뢰성에도 우수한 전자 부품용 액상 수지 조성물, 그 공업적 가치는 크다. 특히 경성 및 연성 배선판이나 유리 상에 형성된 배선에 반도체 소자를 범프 접속에 의한 플립 칩 본딩한 반도체 장치, 구체적으로는 플립 칩 BGA나 COF 등의 반도체 장치용의 언더필재로서 유용하다.

Claims (8)

  1. (A) 에폭시 수지, (B) 상온에서 액체이며 무수산 당량이 200 이상인 환상 산무수물, (C) 커플링제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 추가로 무기 충전제를 함유하고, 무기 충전제의 배합량이 10 질량％ 이하인 전자 부품용 액상 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 추가로 고무 입자를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로 실리콘 변성 에폭시 수지를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로 이온 트랩제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 추가로 (A)와 (B)의 반응을 촉진하는 잠재성 경화 촉진제를 함유하는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 필름을 기재로 하는 배선 기판 상에 전자 부품을 직접 범프 접속한 전자 부품 장치에 이용되는 전자 부품용 액상 수지 조성물.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 전자 부품용 액상 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 전자 부품 장치.
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