JP3858705B2 - Ｃｏｆ実装用アンダ−フィル材および電子部品 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、無溶剤でかつノンフィラ−系のアンダ−フィル材及びそれを適用した電子部品に関し、さらに詳しくはポリイミドフィルム上に設けられた薄層の銅から形成された回路を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップとの隙間を埋める低弾性有機材料からなるＣＯＦ実装用アンダ−フィル材及びそれを適用した電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体を封止する形態は、半導体の集積度が高まるにつれ、従来のチップと基板とをワイヤ−ボンディングで導通させるピングリッドアレイ等のチップオンボ−ドからチップと基板間をバンプで導通させるフリップチップへ移行している。このフリップチップのスポット封止には、アンダ−フィル材料として、流動性に富んだ無溶剤型の一液性エポキシ樹脂組成物が使用されている。
【０００３】
そして、実装回路の高集積化に伴い、基板材料も従来のガラス−エポキシ等のリジッドな材料からポリイミドフィルムのようなフレキシブルなフィルム材料へと移行しつつある。しかし、これまで用いられてきたアンダ−フィル材料は、引張弾性率が大きいためにポリイミドフィルムに対する密着性、信頼性が十分ではなかった。
一方、携帯機器類の高機能化による実装回路の高集積化に伴い、銅層とポリイミドフィルム層とからなる積層体についても両層の薄肉化が求められ、アンダ−フィル材料としてもさらに低弾性率のものが求められている。
低弾性率のアンダ−フィル材料を提供するものとして、特開平９−１５３５７０号公報にブタジエン系ゴム粒子を含有するものが開示されているが、ゴム粒子の均一分散が困難であり長期の信頼性は満足するものではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、シリコンウエハ−とともにポリイミドフィルムに対する密着性が十分であり、成形加工性（低粘度、比較的短時間での侵入可能性）を有し、薄い銅層とポリイミドフィルム層とからなるフレキシブル基板に適用可能である無溶剤型のアンダ−フィル材料を提供することである。
また、この発明の他の目的は、低弾性率のアンダ−フィル材を適用した電子部品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
すなわち、この発明は、ポリイミドフィルム上に設けられた厚み９μｍ以下の銅層から形成された回路を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップとの隙間を埋める、無溶剤かつノンフィラ−系で、ポリイミドフィルムとシリコンウエハ−とをアンダ−フィル材で積層して行う密着試験でシリコンウエハ−が破壊される程の密着力を有し、硬化膜が１５０ｋｇ／ｍｍ２以下の引張弾性率を示す有機材料からなるＣＯＦ実装用アンダ−フィル材に関する。
また、この発明は、前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材を適用し、ＩＣチップを固定してなる電子部品に関する。
前記の記載において、有機材料からなるとは無機フィラ−（顔料は除く）を含まないことを意味する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下にこの発明の好ましい態様を列記する。
１）さらに、カ−ボンブラックが配合されてなる前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
２）有機材料が、低粘性エポキシ樹脂と下記式
【０００７】
【化３】
【０００８】
［式中、Ａは非対称芳香族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物残基で、Ｂはジアミノポリシロキサン残基である。］で示されるイミド単位を有し末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−である酸無水物系硬化剤とを含有してなり、室温（２５℃）において２５０ポイズ以下の粘度を有する一液性エポキシ樹脂組成物からなる前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
３）一液性エポキシ樹脂組成物が、酸無水物系硬化剤である非対称芳香族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物として、下記式
【０００９】
【化４】
【００１０】
で示される脂環式テトラカルボン酸二無水物を使用して得られる末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−を含む前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
４）一液性エポキシ樹脂組成物が、脂環式酸無水物系および／またはフェノ−ル系硬化剤を硬化剤総量でエポキシ基総量に対して１当量以下の濃度で含む前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
５）一液性エポキシ樹脂組成物が、さらに、シランカップリング剤を含む前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
【００１１】
この発明について、この発明のアンダ−フィル材を適用した一実施例であるＣＯＦの一部断面概略図である図１を用いて説明する。
図１において、アンダ−フィル材硬化物１は、ポリイミドフィルム２上に設けられた厚み９μｍ以下の銅層から形成された回路３を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップ４およびバンプ５の空隙部に充填されている。
【００１２】
この発明におけるポリイミドフィルム上に設けられた厚み９μｍ以下の銅層から形成された回路を有するフレキシブル基板は、ポリイミドフィルムと銅層とが直接積層された積層体からそれ自体公知のエッチング法によってパタ−ンを形成することによって得ることができる。
このフレキシブル基板は、厚み１〜９μｍ、特に２〜９μｍの銅層とポリイミドフィルム層とからなる積層体であり、ラミネ−ト法、キャスト法あるいはスパッタリング法によって製造される。特に、フレキシブル基板としては、厚み１〜９μｍの銅層と厚み１０〜１００μｍ、特に１０〜５０μｍのポリイミドフィルム層とからなるものが好ましい。
【００１３】
前記のエッチング法としては、例えば、積層体の金属層表面にエッチングレジストを回路パタ−ン状（配線パタ−ン状）に印刷して、配線パタ−ンが形成される部分の銅層の表面を保護するエッチングレジストの配線パタ−ンを形成した後、それ自体公知の方法でエッチング液を使用して配線が形成されない部分の金属をエッチングによにより除去し、最後にエッチングレジストを除去することによって行うことができる。
このようにして形成される配線パタ−ンは、配線パタ−ンとしての幅線が１０μｍ以下で、スペ−スが１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
前記のポリイミドフィルム層と銅層とが直接積層された積層体は、好適には、耐熱性ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、必要ならばプラズマ放電処理やコロナ放電処理などの放電処理を行った後、ポリイミド接着剤層を設けた後、このポリイミド接着剤と銅箔とを重ね合わせた後、加熱圧着することによって、あるいは、高耐熱性の芳香族ポリイミド層の少なくとも片面に熱圧着性ポリイミド層が共押出し成形法によって積層一体化された熱圧着性多層押出しポリイミドフィルムと銅箔とをダブルベルトプレスなどの熱圧着装置で積層するラミネ−ト法、銅箔に熱圧着性ポリイミド前駆体溶液を塗布−加熱乾燥後、高耐熱性芳香族ポリイミド前駆体溶液を塗布−加熱乾燥して銅箔にポリイミド層を形成するキャスト法、あるいは高耐熱性芳香族ポリイミド前駆体溶液の自己支持性膜に柔軟性ポリイミド前駆体溶液を薄く塗布−加熱乾燥した多層ポリイミドフィルムの柔軟性ポリイミド層に必要ならばプラズマ放電処理などの放電処理後に銅をスパッタリング（蒸着）しさらにメッキ処理して金属層を形成するスパッタリング法によって製造することができる。
【００１５】
この発明におけるアンダ−フィル材は、無溶剤かつノンフィラ−系で、ポリイミドフィルムとシリコンウエハ−とを積層して行う密着試験でシリコンウエハ−が破壊される程の密着力を有し、好ましくは密着強度２ｋｇ以上を有し、硬化膜が１５０ｋｇ／ｍｍ２以下、好適には１〜１５０ｋｇ／ｍｍ２の引張弾性率を示す有機材料からなるものである。
このような有機材料としては、好適には、低粘性エポキシ樹脂に、前記の末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−の酸無水物系硬化剤を混合して得られ一液性エポキシ樹脂組成物を挙げることができる。
【００１６】
前記の低粘性エポキシ樹脂としては、１分子中に２つのエポキシ基を有し室温（２５℃）で粘度が０．０１〜１２０ポイズ程度のものが含まれる。具体的には、下記式
【００１７】
【化５】
で示されるエポキシ化合物（ＣＹ１７７）、下記式
【００１８】
【化６】
で示されるエポキシ化合物（ＣＹ１７９）、下記式
【００１９】
【化７】
で示されるエポキシ化合物（ＤＹ０２６ＳＰ）などが好適に挙げられる。
【００２０】
前記の末端に酸無水物基を有するイミドオリゴマ−系硬化剤を与える非対称芳香族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物としては、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物等の非対称芳香族テトラカルボン酸二無水物や、対称芳香族テトラカルボン酸二無水物の水素還元化物、例えばジシクロヘキシル−３，３’４，４’−テトラカルボン酸二無水物［３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸テトラメチルを水素還元−加圧加熱加水分解−無水化して得られる。］、下記式
【００２１】
【化８】
で示される脂環式テトラカルボン酸二無水物（エピクロン Ｂ４４００）等が挙げられる。
【００２２】
前記の末端に酸無水物基を有するイミドオリゴマ−系硬化剤を与えるジアミノポリシロキサンとしては、下記式
Ｈ2Ｎ−Ｒ−［Ｓｉ（Ｒ1）（Ｒ2）−Ｏ−］n−Ｓｉ（Ｒ3）（Ｒ4）−Ｒ−ＮＨ2（ただし、式中のＲは炭素数２〜６個のメチレン基またはフェニレン基からなる２価の炭化水素残基を示し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は炭素数１〜５個の低級アルキル基又はフェニル基を示し、nは３〜６０の整数を示す。）で示されるジアミノポリシロキサンが挙げられる。
【００２３】
前記のジアミノポリシロキサンの具体的化合物の例としてはα，ω−ビス（２−アミノエチル) ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル) ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノフェニル) ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル) ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル) ポリジフェニルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノブチル) ポリジメチルシロキサンなどが挙げられる。
【００２４】
前記の末端に酸無水物残基を有するイミド系オリゴマ−は、好適には前記の非対称芳香族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物（Ａ成分）を一旦エステル化剤、特に炭素数４以下の一級アルコ−ルを用いて、好適には０．５〜２４時間程度還流した後反応混合物を冷却してハ−フエステル化し、得られた反応液にジアミノポリシロキサン（Ｂ成分）を両成分の組成比（Ａ／Ｂ）が１．２〜５、特に１．５〜３の範囲内となるように加え、不活性ガス流通下、初期においてハ−フエステル化用の一級アルコ−ルを留去し、最終的に１３０℃以上で２５０℃未満の温度、特に１６０〜２１０℃にて、０．５〜２４時間程度攪拌下に加熱するワンポット反応にて脱水反応させた後、反応混合物を冷却して実質的に溶媒が残存しない反応物として得ることができる。
【００２５】
前記のハ−フエステル化するエステル化剤としては、アルコ−ル性ＯＨ基を１個有する化合物、例えば、メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ル、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコ−ルエチルエ−テル、エチルカルビト−ル等、特に炭素数４以下である脂肪族アルコ−ルが挙げられる。
前記の炭素数４以下である脂肪族アルコ−ル等のエステル化剤の使用量は、テトラカルボン酸二無水物１００重量部に対して２０〜１０００重量部程度であることが好ましい。
【００２６】
前記の一液性エポキシ樹脂組成物は、低粘性エポキシ樹脂および前記末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−である酸無水物系硬化剤と共に他の硬化剤および硬化促進触媒を含有させてもよい。
このような他の硬化剤としては、脂環式酸無水物、フェノ−ル系樹脂等が挙げられる。硬化促進触媒としてはヒドラジド類、イミダゾ−ル類等が挙げられる。特に、無溶剤系一液性エポキシ樹脂組成物を得るために、油化シェルエポキシ社製の脂環式酸無水物系硬化剤（ＹＨ３０６）が好適である。
さらに、他の添加剤、例えば各種消泡剤、シランカップリング剤、顔料等を所定量含有させてもよく、特にカ−ボンブラックを含有させることが好ましい。
【００２７】
前記の各成分の使用割合は、溶剤を使用しないで室温（２５℃）程度の比較的低温で組成物が液状に保たれる割合を基準にして各成分の量が決められる。好適には、低粘性エポキシ樹脂１００重量部に対して末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−のシロキサン部の合計量が約１０〜５００量部であることが好ましい。また、脂環式酸無水物系および／またはフェノ−ル系硬化剤を併用する場合、低粘性エポキシ樹脂のエポキシの全量１当量に対して、硬化剤の官能基の全量が１当量以下、特に０．９〜１当量であることが好ましい。
また、シランカップリング剤の量は、低粘性エポキシ樹脂１００重量部に対して０．１〜２５重量部程度が好ましい。カ−ボンブラックの量は有機材料１００重量部に対して０．１〜３重量部程度が好ましい。また、他の添加剤を使用する場合には公知の一液性エポキシ樹脂組成物に適用される量を基に適宜決めればよい。
【００２８】
前記の一液性エポキシ樹脂組成物は、２５℃で粘度が約０．１〜２５０ポイズであることが成形加工性（５０〜１００℃における短時間での侵入可能性）や、その封止材特性上などから適当である。
【００２９】
この発明のアンダ−フィル材は、例えばポリイミドフィルム上に設けられた厚み９μｍ以下の銅層から形成された回路を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップおよびバンプ等の空隙部に充填し、例えば６５〜１５０℃程度の温度で２〜１２０分間程度硬化させ、好適にはついで１５０〜２００℃程度の温度で３０分間〜８時間程度加熱し硬化させて、硬化物を形成することが好ましい。前段階の硬化と後段階の硬化とを別ラインで行うことが好ましい。
この発明のアンダ−フィル材の硬化物は、いずれも５０〜１５０℃、特に５０〜２００℃において１０６ｄｙｎ／ｃｍ２以上の動的粘弾性を示し、充分な耐熱性を有するものが好ましい。
【００３０】
【実施例】
以下、実施例により、本発明のアンダ−フィル材および電子部品について詳細説明する。合成例の硬化剤の粘度は、Ｅ型粘度計を用いて６０℃で測定した。実施例中の組成物の粘度、侵入時間、硬化物の引張弾性率、密着強度についての評価は、次のように行った。
【００３１】
得られた組成物の粘度は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃で測定した。
得られた組成物の侵入時間は、ギャップ間２０μｍのガラス製の株式会社Ｅ．Ｈ．Ｃ社製液晶評価用セルを用い、８０℃のホットプレ−ト上で、組成物がギャップ間に１ｃｍまで侵入する時間を測定した。
侵入性の評価は次の通りである。良：侵入時間が１２０秒以下、不良：侵入時間が１２０秒より大
硬化物の引張弾性率は、幅４ｍｍのダンベル状に打ち抜いた試験片について、ＡＳＴＭ Ｄ８８２に準じて、オリエンテック社製ＴＥＮＳＩＬＯＮ ＵＴＭ−ＩＩ−２０を用い、チャック間３０ｍｍ、引張速度２ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定した。
【００３２】
密着強度の評価は、以下のように行った。
得られたアンダ−フィル材１を、長さ１０ｃｍ、幅１ｃｍ、厚み２５μｍのポリイミドフィルム３０上の中央部に滴下し、１ｃｍ×１ｃｍにヘき開したシリコンウェハ−２０をのせ、１３５℃のホットプレ−ト上で１５分間熱処理後、続けて１８０℃のオ−ブン中で１時間熱処理し、図２のような試験片を作製した。作製した試験片を、図３に示すように、ポリイミドフィルム３０側を上面として、シリコンウェハ−２０が上側の押え板４０より２ｍｍ出るように挟み込み、引張速度２ｍｍ／分で引張試験機によってポリイミドフィルム３０がシリコンウェハ−２０から剥離した際の荷重を測定し、密着強度とした。
また、別途に厚み２５μｍのポリイミドフィルムに代えて厚み３５μｍの電解銅箔を使用して同様に密着強度を測定した。
シリコンウエハ−が破壊する程の密着強度を示す場合を、密着力良好とした。
【００３３】
硬化物のＴｇ（ガラス転移温度）は、セイコ−インスツルメント株式会社製ＳＳＣ５２００ ＲＤＳＣ２２０Ｃにより、窒素中２０℃／分の昇温速度で測定した。
硬化物の動的粘弾性率は、レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イ−株式会社製固体粘弾性アナライザ−ＲＳＡ２を用いて、引張りモ−ドで、温度依存について測定し、昇温ステップを３℃／ステップ、周波数１０Ｈｚ、ひずみ０．０５％として測定した。
【００３４】
誘電率は、厚み１ｍｍ程度の硬化物を用い、安藤電気株式会社製誘電体損自動測定装置Ｒ−１１００により、周波数１ＫＨｚで、２３℃において測定した。
体積抵抗は、厚み１ｍｍ程度の硬化物を用い、株式会社アドバンテスト製ＴＲ−８４１１振動容量型エレクトロメ−タ−を用い、印加電圧１００Ｖで２３℃において測定した。
総合評価は、硬化物にボイドが発生せず、侵入試験結果が良好で、硬化物の絶縁特性（電気抵抗）が良好（体積抵抗率１０１５Ω・ｃｍ以上）で、引張弾性率が小さく（１５０ｋｇ／ｍｍ２以下）、硬化物が５０〜１５０℃において１０６ｄｙｎ／ｃｍ２以上の動的粘弾性で充分な耐熱性を有する場合を良好：○とし、優秀：◎、やや不良：△として表示した。
【００３５】
合成例
窒素置換した四つ口フラスコに、撹拌機、窒素導入管、還流冷却器、共栓を取り付け、脂環式テトラカルボン酸二無水物として大日本インキ化学工業株式会社社製 エピクロン Ｂ４４００を３７．９０ｇ（１４３．４ｍｍｏｌ）、メタノ−ル５０ｇを入れ、還流した。３時間後、室温まで冷却し、還流冷却器を水分離器付きの還流冷却器に換え、消泡剤（ダウコ−ニングアジア株式会社ＦＳアンチフォ−ム ＤＢ−１００）を０．１０ｇ、ジアミノポリシロキサン［東レ・ダウコ−ニングシリコ−ン株式会社アミノ変性シリコ−ンオイル ＢＹ１６−８５３Ｕ、前述の化学式でＲ＝Ｃ3Ｈ6、Ｒ1〜Ｒ4＝ＣＨ3、アミン価４５１］６４．６８ｇ（７１．７１ｍｍｏｌ）を加え、１時間かけてメタノ−ルを留去した。続けて１９０℃まで昇温し、水を留去しながら、１時間反応させ、９７．８９ｇ（収率９７．９０％）の茶褐色の粘調物を得た。この生成物（ＳｉＢ）の６０℃での粘度は、３１１ポイズであった。
【００３６】
実施例１
低粘性エポキシ樹脂としてＤＹ０２６ＳＰ（チバスペシャリティケミカルズ株式会社製）を１００ｇ、酸無水物系硬化剤として合成例１で得たＳｉＢを１４０ｇ、脂環式酸無水物として油化シェルエポキシ株式会社社製エピキュアＹＨ３０６を１４１ｇ、硬化促進触媒として四国化成工業株式会社社製キュアゾ−ル２Ｅ４ＭＺを１ｇ、シランカップリング剤として信越化学工業株式会社社製ＫＢＭ４０３を７．６ｇ混合、均一にした後、ＡＤＶＡＮＴＥＣ ＴＯＹＯ社製ＦＩＬＴＥＲ ＰＡＰＥＲ ４０８（孔径５μｍ）を用いてろ過し、真空脱法を行った。得られた無溶剤型一液性エポキシ樹脂組成物の粘度は、３．１ｐｏｉｓｅ、２０μｍギャップへの侵入性を有していた。
この組成物を、１００℃ホットプレ−ト上で１時間、さらに１８０℃のオ−ブン中で２時間硬化し硬化物を得た。この硬化物の引張弾性率は２３ｋｇ／ｍｍ2であった。また、この硬化物のＴｇは３５℃、誘電率は３．４、体積抵抗率は１．８×１０１５Ω・ｃｍであった。
また、別途この組成物を１５０℃での硬化時間（ゲル化時間）を測定したところ、５分であった。
【００３７】
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン及び２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の熱圧着性ポリイミド用ポリアミック酸溶液とｐ−フェニレンジアミン及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の高耐熱性芳香族ポリイミド用ポリアミック酸溶液とから共押出し成形法によって得られた、厚み構成が３μｍ／１４μｍ／３μｍ（合計２０μｍ）で熱圧着性ポリイミドのＴｇが２５０℃の熱圧着性多層ポリイミドフィルムと、厚み９μｍの電解銅箔（三井金属鉱業社製）とをダブルベルトプレスを使用して連続的に加圧下に熱圧着−冷却して積層した片面銅張りフレキシブル積層体から、常法によって厚み９μｍの銅箔から形成される回路を有するＦＰＣを得た。
このＦＰＣに前記の無溶剤型一液性エポキシ樹脂組成物をアンダ−フィル材として適用して、ＩＣチップおよびバンプとの空隙部に充填し、硬化して、電子部品を得た。
【００３８】
実施例２〜３、および比較例
実施例１においてＤＹ０２６ＳＰに代えて、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製アラルダイトＣＹ１７７あるいはＣＹ１７９を用いたか、ＳｉＢを使用しないでＹＨ３０６の量を増やして、表１の配合にした以外は実施例１と同様の手法により無溶剤型一液性エポキシ樹脂組成物を得た。得られた無溶剤型一液性エポキシ樹脂組成物を用いて、実施例１と同様の手法により、組成物の粘度、侵入時間、密着性、硬化物の引張弾性率について評価した。これらの結果を表１に示した。
実施例１〜３で得られたアンダ−フィル材の硬化物は、いずれも５０〜２００℃において１０６ｄｙｎ／ｃｍ２以上の動的粘弾性を示し、充分な耐熱性を有することが示された。
【００３９】
【表１】
【００４０】
実施例４
実施例１の有機組成物に対して０．７重量％の量のカ−ボンブラックを添加し均一に混合して、一液性エポキシ樹脂組成物からなるアンダ−フィル材を得た。
この組成物について評価したところ、侵入性、機械物性、密着力、電気特性がほぼ実施例１と同等であり、良好であった。
上記の結果は、各実施例で得られたアンダ−フィル材およびその硬化物は、良好な成形加工性および密着力を維持し、比較例と比較して低弾性率であることを示す。また、実施例１〜４の密着強度は、いずれも２ｋｇ以上であった。
【００４１】
【発明の効果】
この発明によれば、以上のような構成を有しているので、、硬化物の弾性率が小さく、シリコンウエハ−とともにポリイミドフィルムに対する密着性が十分であり、組成物の成形加工性：低粘度、比較低短時間での進入可能性を有する無溶剤型のアンダ−フィル材をを得ることができる。
また、この発明によれば、封止材が低弾性率で密着強度の大きい電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、ポリイミドフィルム上に設けられた銅層から形成された回路を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップおよびバンプの空隙部に充填されているアンダ−フィル材からなる硬化物で封止した態様の概略図である。
【図２】図２は、この発明の１実施例であるアンダ−フィル材料を使用し、硬化して硬化物を作製した態様の一例を試験片とした概略図を示すものであり、図２（ａ）は該試験片の平面図であり、図２（ｂ）は該試験片の断面図である。
【図３】図３は、実施例において作製した試験片（実施例に対応）について密着強度を測定する状態を示す概略図である。
【符号の説明】
１ アンダ−フィル材硬化物
２ ポリイミドフィルム
３ 銅層から形成された回路
４ ＩＣチップ
５ バンプ
20 シリコンウエハ−
30 ポリイミドフィルム
40 押え板
50 治具
60 スペ−サ−
【発明の属する技術分野】
この発明は、無溶剤でかつノンフィラ−系のアンダ−フィル材及びそれを適用した電子部品に関し、さらに詳しくはポリイミドフィルム上に設けられた薄層の銅から形成された回路を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップとの隙間を埋める低弾性有機材料からなるＣＯＦ実装用アンダ−フィル材及びそれを適用した電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体を封止する形態は、半導体の集積度が高まるにつれ、従来のチップと基板とをワイヤ−ボンディングで導通させるピングリッドアレイ等のチップオンボ−ドからチップと基板間をバンプで導通させるフリップチップへ移行している。このフリップチップのスポット封止には、アンダ−フィル材料として、流動性に富んだ無溶剤型の一液性エポキシ樹脂組成物が使用されている。
【０００３】
そして、実装回路の高集積化に伴い、基板材料も従来のガラス−エポキシ等のリジッドな材料からポリイミドフィルムのようなフレキシブルなフィルム材料へと移行しつつある。しかし、これまで用いられてきたアンダ−フィル材料は、引張弾性率が大きいためにポリイミドフィルムに対する密着性、信頼性が十分ではなかった。
一方、携帯機器類の高機能化による実装回路の高集積化に伴い、銅層とポリイミドフィルム層とからなる積層体についても両層の薄肉化が求められ、アンダ−フィル材料としてもさらに低弾性率のものが求められている。
低弾性率のアンダ−フィル材料を提供するものとして、特開平９−１５３５７０号公報にブタジエン系ゴム粒子を含有するものが開示されているが、ゴム粒子の均一分散が困難であり長期の信頼性は満足するものではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、シリコンウエハ−とともにポリイミドフィルムに対する密着性が十分であり、成形加工性（低粘度、比較的短時間での侵入可能性）を有し、薄い銅層とポリイミドフィルム層とからなるフレキシブル基板に適用可能である無溶剤型のアンダ−フィル材料を提供することである。
また、この発明の他の目的は、低弾性率のアンダ−フィル材を適用した電子部品を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
すなわち、この発明は、ポリイミドフィルム上に設けられた厚み９μｍ以下の銅層から形成された回路を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップとの隙間を埋める、無溶剤かつノンフィラ−系で、ポリイミドフィルムとシリコンウエハ−とをアンダ−フィル材で積層して行う密着試験でシリコンウエハ−が破壊される程の密着力を有し、硬化膜が１５０ｋｇ／ｍｍ２以下の引張弾性率を示す有機材料からなるＣＯＦ実装用アンダ−フィル材に関する。
また、この発明は、前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材を適用し、ＩＣチップを固定してなる電子部品に関する。
前記の記載において、有機材料からなるとは無機フィラ−（顔料は除く）を含まないことを意味する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下にこの発明の好ましい態様を列記する。
１）さらに、カ−ボンブラックが配合されてなる前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
２）有機材料が、低粘性エポキシ樹脂と下記式
【０００７】
【化３】
［式中、Ａは非対称芳香族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物残基で、Ｂはジアミノポリシロキサン残基である。］で示されるイミド単位を有し末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−である酸無水物系硬化剤とを含有してなり、室温（２５℃）において２５０ポイズ以下の粘度を有する一液性エポキシ樹脂組成物からなる前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
３）一液性エポキシ樹脂組成物が、酸無水物系硬化剤である非対称芳香族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物として、下記式
【０００９】
【化４】
で示される脂環式テトラカルボン酸二無水物を使用して得られる末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−を含む前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
４）一液性エポキシ樹脂組成物が、脂環式酸無水物系および／またはフェノ−ル系硬化剤を硬化剤総量でエポキシ基総量に対して１当量以下の濃度で含む前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
５）一液性エポキシ樹脂組成物が、さらに、シランカップリング剤を含む前記のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
【００１１】
この発明について、この発明のアンダ−フィル材を適用した一実施例であるＣＯＦの一部断面概略図である図１を用いて説明する。
図１において、アンダ−フィル材硬化物１は、ポリイミドフィルム２上に設けられた厚み９μｍ以下の銅層から形成された回路３を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップ４およびバンプ５の空隙部に充填されている。
【００１２】
この発明におけるポリイミドフィルム上に設けられた厚み９μｍ以下の銅層から形成された回路を有するフレキシブル基板は、ポリイミドフィルムと銅層とが直接積層された積層体からそれ自体公知のエッチング法によってパタ−ンを形成することによって得ることができる。
このフレキシブル基板は、厚み１〜９μｍ、特に２〜９μｍの銅層とポリイミドフィルム層とからなる積層体であり、ラミネ−ト法、キャスト法あるいはスパッタリング法によって製造される。特に、フレキシブル基板としては、厚み１〜９μｍの銅層と厚み１０〜１００μｍ、特に１０〜５０μｍのポリイミドフィルム層とからなるものが好ましい。
【００１３】
前記のエッチング法としては、例えば、積層体の金属層表面にエッチングレジストを回路パタ−ン状（配線パタ−ン状）に印刷して、配線パタ−ンが形成される部分の銅層の表面を保護するエッチングレジストの配線パタ−ンを形成した後、それ自体公知の方法でエッチング液を使用して配線が形成されない部分の金属をエッチングによにより除去し、最後にエッチングレジストを除去することによって行うことができる。
このようにして形成される配線パタ−ンは、配線パタ−ンとしての幅線が１０μｍ以下で、スペ−スが１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
前記のポリイミドフィルム層と銅層とが直接積層された積層体は、好適には、耐熱性ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、必要ならばプラズマ放電処理やコロナ放電処理などの放電処理を行った後、ポリイミド接着剤層を設けた後、このポリイミド接着剤と銅箔とを重ね合わせた後、加熱圧着することによって、あるいは、高耐熱性の芳香族ポリイミド層の少なくとも片面に熱圧着性ポリイミド層が共押出し成形法によって積層一体化された熱圧着性多層押出しポリイミドフィルムと銅箔とをダブルベルトプレスなどの熱圧着装置で積層するラミネ−ト法、銅箔に熱圧着性ポリイミド前駆体溶液を塗布−加熱乾燥後、高耐熱性芳香族ポリイミド前駆体溶液を塗布−加熱乾燥して銅箔にポリイミド層を形成するキャスト法、あるいは高耐熱性芳香族ポリイミド前駆体溶液の自己支持性膜に柔軟性ポリイミド前駆体溶液を薄く塗布−加熱乾燥した多層ポリイミドフィルムの柔軟性ポリイミド層に必要ならばプラズマ放電処理などの放電処理後に銅をスパッタリング（蒸着）しさらにメッキ処理して金属層を形成するスパッタリング法によって製造することができる。
【００１５】
この発明におけるアンダ−フィル材は、無溶剤かつノンフィラ−系で、ポリイミドフィルムとシリコンウエハ−とを積層して行う密着試験でシリコンウエハ−が破壊される程の密着力を有し、好ましくは密着強度２ｋｇ以上を有し、硬化膜が１５０ｋｇ／ｍｍ２以下、好適には１〜１５０ｋｇ／ｍｍ２の引張弾性率を示す有機材料からなるものである。
このような有機材料としては、好適には、低粘性エポキシ樹脂に、前記の末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−の酸無水物系硬化剤を混合して得られ一液性エポキシ樹脂組成物を挙げることができる。
【００１６】
前記の低粘性エポキシ樹脂としては、１分子中に２つのエポキシ基を有し室温（２５℃）で粘度が０．０１〜１２０ポイズ程度のものが含まれる。具体的には、下記式
【００１７】
【化５】
【００１８】
【化６】
【００１９】
【化７】
【００２０】
前記の末端に酸無水物基を有するイミドオリゴマ−系硬化剤を与える非対称芳香族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物としては、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物等の非対称芳香族テトラカルボン酸二無水物や、対称芳香族テトラカルボン酸二無水物の水素還元化物、例えばジシクロヘキシル−３，３’４，４’−テトラカルボン酸二無水物［３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸テトラメチルを水素還元−加圧加熱加水分解−無水化して得られる。］、下記式
【００２１】
【化８】
【００２２】
前記の末端に酸無水物基を有するイミドオリゴマ−系硬化剤を与えるジアミノポリシロキサンとしては、下記式
Ｈ2Ｎ−Ｒ−［Ｓｉ（Ｒ1）（Ｒ2）−Ｏ−］n−Ｓｉ（Ｒ3）（Ｒ4）−Ｒ−ＮＨ2（ただし、式中のＲは炭素数２〜６個のメチレン基またはフェニレン基からなる２価の炭化水素残基を示し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は炭素数１〜５個の低級アルキル基又はフェニル基を示し、nは３〜６０の整数を示す。）で示されるジアミノポリシロキサンが挙げられる。
【００２３】
前記のジアミノポリシロキサンの具体的化合物の例としてはα，ω−ビス（２−アミノエチル) ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル) ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノフェニル) ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル) ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル) ポリジフェニルシロキサン、α，ω−ビス（４−アミノブチル) ポリジメチルシロキサンなどが挙げられる。
【００２４】
前記の末端に酸無水物残基を有するイミド系オリゴマ−は、好適には前記の非対称芳香族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物（Ａ成分）を一旦エステル化剤、特に炭素数４以下の一級アルコ−ルを用いて、好適には０．５〜２４時間程度還流した後反応混合物を冷却してハ−フエステル化し、得られた反応液にジアミノポリシロキサン（Ｂ成分）を両成分の組成比（Ａ／Ｂ）が１．２〜５、特に１．５〜３の範囲内となるように加え、不活性ガス流通下、初期においてハ−フエステル化用の一級アルコ−ルを留去し、最終的に１３０℃以上で２５０℃未満の温度、特に１６０〜２１０℃にて、０．５〜２４時間程度攪拌下に加熱するワンポット反応にて脱水反応させた後、反応混合物を冷却して実質的に溶媒が残存しない反応物として得ることができる。
【００２５】
前記のハ−フエステル化するエステル化剤としては、アルコ−ル性ＯＨ基を１個有する化合物、例えば、メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ル、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコ−ルエチルエ−テル、エチルカルビト−ル等、特に炭素数４以下である脂肪族アルコ−ルが挙げられる。
前記の炭素数４以下である脂肪族アルコ−ル等のエステル化剤の使用量は、テトラカルボン酸二無水物１００重量部に対して２０〜１０００重量部程度であることが好ましい。
【００２６】
前記の一液性エポキシ樹脂組成物は、低粘性エポキシ樹脂および前記末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−である酸無水物系硬化剤と共に他の硬化剤および硬化促進触媒を含有させてもよい。
このような他の硬化剤としては、脂環式酸無水物、フェノ−ル系樹脂等が挙げられる。硬化促進触媒としてはヒドラジド類、イミダゾ−ル類等が挙げられる。特に、無溶剤系一液性エポキシ樹脂組成物を得るために、油化シェルエポキシ社製の脂環式酸無水物系硬化剤（ＹＨ３０６）が好適である。
さらに、他の添加剤、例えば各種消泡剤、シランカップリング剤、顔料等を所定量含有させてもよく、特にカ−ボンブラックを含有させることが好ましい。
【００２７】
前記の各成分の使用割合は、溶剤を使用しないで室温（２５℃）程度の比較的低温で組成物が液状に保たれる割合を基準にして各成分の量が決められる。好適には、低粘性エポキシ樹脂１００重量部に対して末端に酸無水物基を有するイミド系オリゴマ−のシロキサン部の合計量が約１０〜５００量部であることが好ましい。また、脂環式酸無水物系および／またはフェノ−ル系硬化剤を併用する場合、低粘性エポキシ樹脂のエポキシの全量１当量に対して、硬化剤の官能基の全量が１当量以下、特に０．９〜１当量であることが好ましい。
また、シランカップリング剤の量は、低粘性エポキシ樹脂１００重量部に対して０．１〜２５重量部程度が好ましい。カ−ボンブラックの量は有機材料１００重量部に対して０．１〜３重量部程度が好ましい。また、他の添加剤を使用する場合には公知の一液性エポキシ樹脂組成物に適用される量を基に適宜決めればよい。
【００２８】
前記の一液性エポキシ樹脂組成物は、２５℃で粘度が約０．１〜２５０ポイズであることが成形加工性（５０〜１００℃における短時間での侵入可能性）や、その封止材特性上などから適当である。
【００２９】
この発明のアンダ−フィル材は、例えばポリイミドフィルム上に設けられた厚み９μｍ以下の銅層から形成された回路を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップおよびバンプ等の空隙部に充填し、例えば６５〜１５０℃程度の温度で２〜１２０分間程度硬化させ、好適にはついで１５０〜２００℃程度の温度で３０分間〜８時間程度加熱し硬化させて、硬化物を形成することが好ましい。前段階の硬化と後段階の硬化とを別ラインで行うことが好ましい。
この発明のアンダ−フィル材の硬化物は、いずれも５０〜１５０℃、特に５０〜２００℃において１０６ｄｙｎ／ｃｍ２以上の動的粘弾性を示し、充分な耐熱性を有するものが好ましい。
【００３０】
【実施例】
以下、実施例により、本発明のアンダ−フィル材および電子部品について詳細説明する。合成例の硬化剤の粘度は、Ｅ型粘度計を用いて６０℃で測定した。実施例中の組成物の粘度、侵入時間、硬化物の引張弾性率、密着強度についての評価は、次のように行った。
【００３１】
得られた組成物の粘度は、Ｅ型粘度計を用いて２５℃で測定した。
得られた組成物の侵入時間は、ギャップ間２０μｍのガラス製の株式会社Ｅ．Ｈ．Ｃ社製液晶評価用セルを用い、８０℃のホットプレ−ト上で、組成物がギャップ間に１ｃｍまで侵入する時間を測定した。
侵入性の評価は次の通りである。良：侵入時間が１２０秒以下、不良：侵入時間が１２０秒より大
硬化物の引張弾性率は、幅４ｍｍのダンベル状に打ち抜いた試験片について、ＡＳＴＭ Ｄ８８２に準じて、オリエンテック社製ＴＥＮＳＩＬＯＮ ＵＴＭ−ＩＩ−２０を用い、チャック間３０ｍｍ、引張速度２ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定した。
【００３２】
密着強度の評価は、以下のように行った。
得られたアンダ−フィル材１を、長さ１０ｃｍ、幅１ｃｍ、厚み２５μｍのポリイミドフィルム３０上の中央部に滴下し、１ｃｍ×１ｃｍにヘき開したシリコンウェハ−２０をのせ、１３５℃のホットプレ−ト上で１５分間熱処理後、続けて１８０℃のオ−ブン中で１時間熱処理し、図２のような試験片を作製した。作製した試験片を、図３に示すように、ポリイミドフィルム３０側を上面として、シリコンウェハ−２０が上側の押え板４０より２ｍｍ出るように挟み込み、引張速度２ｍｍ／分で引張試験機によってポリイミドフィルム３０がシリコンウェハ−２０から剥離した際の荷重を測定し、密着強度とした。
また、別途に厚み２５μｍのポリイミドフィルムに代えて厚み３５μｍの電解銅箔を使用して同様に密着強度を測定した。
シリコンウエハ−が破壊する程の密着強度を示す場合を、密着力良好とした。
【００３３】
硬化物のＴｇ（ガラス転移温度）は、セイコ−インスツルメント株式会社製ＳＳＣ５２００ ＲＤＳＣ２２０Ｃにより、窒素中２０℃／分の昇温速度で測定した。
硬化物の動的粘弾性率は、レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イ−株式会社製固体粘弾性アナライザ−ＲＳＡ２を用いて、引張りモ−ドで、温度依存について測定し、昇温ステップを３℃／ステップ、周波数１０Ｈｚ、ひずみ０．０５％として測定した。
【００３４】
誘電率は、厚み１ｍｍ程度の硬化物を用い、安藤電気株式会社製誘電体損自動測定装置Ｒ−１１００により、周波数１ＫＨｚで、２３℃において測定した。
体積抵抗は、厚み１ｍｍ程度の硬化物を用い、株式会社アドバンテスト製ＴＲ−８４１１振動容量型エレクトロメ−タ−を用い、印加電圧１００Ｖで２３℃において測定した。
総合評価は、硬化物にボイドが発生せず、侵入試験結果が良好で、硬化物の絶縁特性（電気抵抗）が良好（体積抵抗率１０１５Ω・ｃｍ以上）で、引張弾性率が小さく（１５０ｋｇ／ｍｍ２以下）、硬化物が５０〜１５０℃において１０６ｄｙｎ／ｃｍ２以上の動的粘弾性で充分な耐熱性を有する場合を良好：○とし、優秀：◎、やや不良：△として表示した。
【００３５】
合成例
窒素置換した四つ口フラスコに、撹拌機、窒素導入管、還流冷却器、共栓を取り付け、脂環式テトラカルボン酸二無水物として大日本インキ化学工業株式会社社製 エピクロン Ｂ４４００を３７．９０ｇ（１４３．４ｍｍｏｌ）、メタノ−ル５０ｇを入れ、還流した。３時間後、室温まで冷却し、還流冷却器を水分離器付きの還流冷却器に換え、消泡剤（ダウコ−ニングアジア株式会社ＦＳアンチフォ−ム ＤＢ−１００）を０．１０ｇ、ジアミノポリシロキサン［東レ・ダウコ−ニングシリコ−ン株式会社アミノ変性シリコ−ンオイル ＢＹ１６−８５３Ｕ、前述の化学式でＲ＝Ｃ3Ｈ6、Ｒ1〜Ｒ4＝ＣＨ3、アミン価４５１］６４．６８ｇ（７１．７１ｍｍｏｌ）を加え、１時間かけてメタノ−ルを留去した。続けて１９０℃まで昇温し、水を留去しながら、１時間反応させ、９７．８９ｇ（収率９７．９０％）の茶褐色の粘調物を得た。この生成物（ＳｉＢ）の６０℃での粘度は、３１１ポイズであった。
【００３６】
実施例１
低粘性エポキシ樹脂としてＤＹ０２６ＳＰ（チバスペシャリティケミカルズ株式会社製）を１００ｇ、酸無水物系硬化剤として合成例１で得たＳｉＢを１４０ｇ、脂環式酸無水物として油化シェルエポキシ株式会社社製エピキュアＹＨ３０６を１４１ｇ、硬化促進触媒として四国化成工業株式会社社製キュアゾ−ル２Ｅ４ＭＺを１ｇ、シランカップリング剤として信越化学工業株式会社社製ＫＢＭ４０３を７．６ｇ混合、均一にした後、ＡＤＶＡＮＴＥＣ ＴＯＹＯ社製ＦＩＬＴＥＲ ＰＡＰＥＲ ４０８（孔径５μｍ）を用いてろ過し、真空脱法を行った。得られた無溶剤型一液性エポキシ樹脂組成物の粘度は、３．１ｐｏｉｓｅ、２０μｍギャップへの侵入性を有していた。
この組成物を、１００℃ホットプレ−ト上で１時間、さらに１８０℃のオ−ブン中で２時間硬化し硬化物を得た。この硬化物の引張弾性率は２３ｋｇ／ｍｍ2であった。また、この硬化物のＴｇは３５℃、誘電率は３．４、体積抵抗率は１．８×１０１５Ω・ｃｍであった。
また、別途この組成物を１５０℃での硬化時間（ゲル化時間）を測定したところ、５分であった。
【００３７】
１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン及び２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の熱圧着性ポリイミド用ポリアミック酸溶液とｐ−フェニレンジアミン及び３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物の高耐熱性芳香族ポリイミド用ポリアミック酸溶液とから共押出し成形法によって得られた、厚み構成が３μｍ／１４μｍ／３μｍ（合計２０μｍ）で熱圧着性ポリイミドのＴｇが２５０℃の熱圧着性多層ポリイミドフィルムと、厚み９μｍの電解銅箔（三井金属鉱業社製）とをダブルベルトプレスを使用して連続的に加圧下に熱圧着−冷却して積層した片面銅張りフレキシブル積層体から、常法によって厚み９μｍの銅箔から形成される回路を有するＦＰＣを得た。
このＦＰＣに前記の無溶剤型一液性エポキシ樹脂組成物をアンダ−フィル材として適用して、ＩＣチップおよびバンプとの空隙部に充填し、硬化して、電子部品を得た。
【００３８】
実施例２〜３、および比較例
実施例１においてＤＹ０２６ＳＰに代えて、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製アラルダイトＣＹ１７７あるいはＣＹ１７９を用いたか、ＳｉＢを使用しないでＹＨ３０６の量を増やして、表１の配合にした以外は実施例１と同様の手法により無溶剤型一液性エポキシ樹脂組成物を得た。得られた無溶剤型一液性エポキシ樹脂組成物を用いて、実施例１と同様の手法により、組成物の粘度、侵入時間、密着性、硬化物の引張弾性率について評価した。これらの結果を表１に示した。
実施例１〜３で得られたアンダ−フィル材の硬化物は、いずれも５０〜２００℃において１０６ｄｙｎ／ｃｍ２以上の動的粘弾性を示し、充分な耐熱性を有することが示された。
【００３９】
【表１】
実施例４
実施例１の有機組成物に対して０．７重量％の量のカ−ボンブラックを添加し均一に混合して、一液性エポキシ樹脂組成物からなるアンダ−フィル材を得た。
この組成物について評価したところ、侵入性、機械物性、密着力、電気特性がほぼ実施例１と同等であり、良好であった。
上記の結果は、各実施例で得られたアンダ−フィル材およびその硬化物は、良好な成形加工性および密着力を維持し、比較例と比較して低弾性率であることを示す。また、実施例１〜４の密着強度は、いずれも２ｋｇ以上であった。
【００４１】
【発明の効果】
この発明によれば、以上のような構成を有しているので、、硬化物の弾性率が小さく、シリコンウエハ−とともにポリイミドフィルムに対する密着性が十分であり、組成物の成形加工性：低粘度、比較低短時間での進入可能性を有する無溶剤型のアンダ−フィル材をを得ることができる。
また、この発明によれば、封止材が低弾性率で密着強度の大きい電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、ポリイミドフィルム上に設けられた銅層から形成された回路を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップおよびバンプの空隙部に充填されているアンダ−フィル材からなる硬化物で封止した態様の概略図である。
【図２】図２は、この発明の１実施例であるアンダ−フィル材料を使用し、硬化して硬化物を作製した態様の一例を試験片とした概略図を示すものであり、図２（ａ）は該試験片の平面図であり、図２（ｂ）は該試験片の断面図である。
【図３】図３は、実施例において作製した試験片（実施例に対応）について密着強度を測定する状態を示す概略図である。
【符号の説明】
１ アンダ−フィル材硬化物
２ ポリイミドフィルム
３ 銅層から形成された回路
４ ＩＣチップ
５ バンプ
20 シリコンウエハ−
30 ポリイミドフィルム
40 押え板
50 治具
60 スペ−サ−
Claims (5)
- ポリイミドフィルム上に設けられた厚み９μｍ以下の銅層から形成された回路を有するフレキシブル基板とその上に設けられたＩＣチップとの隙間を埋める、無溶剤かつノンフィラ−系で、ポリイミドフィルムとシリコンウエハ−とをアンダ−フィル材で積層して行う密着試験でシリコンウエハ−が破壊される程の密着力を有し、硬化膜が１５０ｋｇ／ｍｍ２以下の引張弾性率を示す、室温（２５℃）で粘度が０．０１〜１２０ポイズの低粘性エポキシ樹脂と下記式
- さらに、カ−ボンブラックが配合されてなる請求項１記載のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
- 一液性エポキシ樹脂組成物が、酸無水物系硬化剤である非対称芳香族又は脂環式テトラカルボン酸二無水物として、下記式
- 一液性エポキシ樹脂組成物が、脂環式酸無水物系および／またはフェノ−ル系硬化剤を硬化剤総量でエポキシ基総量に対して１当量以下の濃度で含む請求項１記載のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
- 一液性エポキシ樹脂組成物が、さらに、シランカップリング剤を含む請求項１記載のＣＯＦ実装用アンダ−フィル材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002017947A JP3858705B2 (ja) | 2001-01-29 | 2002-01-28 | Ｃｏｆ実装用アンダ−フィル材および電子部品 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-20399 | 2001-01-29 | ||
| JP2001020399 | 2001-01-29 | ||
| JP2002017947A JP3858705B2 (ja) | 2001-01-29 | 2002-01-28 | Ｃｏｆ実装用アンダ−フィル材および電子部品 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006083731A Division JP4389892B2 (ja) | 2001-01-29 | 2006-03-24 | Ｃｏｆ用フレキシブル基板および電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002302534A JP2002302534A (ja) | 2002-10-18 |
| JP3858705B2 true JP3858705B2 (ja) | 2006-12-20 |
Family
ID=26608454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002017947A Expired - Fee Related JP3858705B2 (ja) | 2001-01-29 | 2002-01-28 | Ｃｏｆ実装用アンダ−フィル材および電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3858705B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4451214B2 (ja) | 2004-05-21 | 2010-04-14 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JP2006216720A (ja) | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2007061037A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
| WO2007132827A1 (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Namics Corporation | Ｃｏｆ実装用封止剤、及びこれを用いて封止した半導体部品 |
| JP5014945B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2012-08-29 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| JP2009242685A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Nagase Chemtex Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JP4771100B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2011-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 無溶剤型ポリイミドシリコーン系樹脂組成物及びその硬化物 |
| JP5296116B2 (ja) * | 2011-02-16 | 2013-09-25 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
| US8470936B2 (en) * | 2011-07-29 | 2013-06-25 | Namics Corporation | Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation |
| WO2019142423A1 (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | セメダイン株式会社 | 実装体 |
-
2002
- 2002-01-28 JP JP2002017947A patent/JP3858705B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002302534A (ja) | 2002-10-18 |
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Legal Events
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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