JP3347651B2 - 電子部品用接着テープ - Google Patents

電子部品用接着テープ

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を構成
するＴＡＢ用テープ、リードフレーム固定用テープ、リ
ードフレーム周辺の部材間、例えば、リードピン、半導
体チップ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自身等の接
着に使用するための電子部品用接着テープに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置内において
使用される接着テープ等には、リードフレーム固定用接
着テープ、ＴＡＢテープ等があり、例えば、リードフレ
ーム固定用接着テープの場合には、リードフレームのリ
ードピンを固定し、リードフレーム自体および半導体ア
センブリ工程全体の生産歩留まりおよび生産性の向上を
目的として使用されており、一般にリードフレームメー
カーでリードフレーム上にテーピングされ、半導体メー
カーにて、ＩＣ搭載後、樹脂封止される。そのためリー
ドフレーム固定用接着テープには、半導体レベルでの一
般的な信頼性およびテーピング作業性は勿論のこと、テ
ーピング直後の十分な室温接着力および半導体装置組立
工程における加熱に耐えうる十分な耐熱性等が要求され
る。
【０００３】従来、この様な用途に使用される接着テー
プとしては、例えば、ポリイミドフィルム等の支持体上
に、ポリアクリロニトリル、ポリアクリル酸エステル或
いはアクリロニトリル−ブタジエン共重合体等の合成ゴ
ム系樹脂等の単独または他の樹脂で変性したもの、或い
は他の樹脂又は他の硬化成分と混合したものからなる接
着剤を塗布し、Ｂステージ状態としたものが使用されて
いる。最近では、高信頼性で高耐熱性の熱可塑性ポリイ
ミド樹脂を用いた両面接着テープ等も使用されるように
なっている。
【０００４】近年、図１〜３に示されるような構造の樹
脂封止型半導体装置（半導体パッケージ）が開発され製
造されている。図１においては、リードピン３と金属放
熱板２とが、接着層６によって接続され、半導体チップ
１が金属放熱板２上に搭載されており、半導体チップ１
とリードピン３との間のボンディングワイヤー４と共
に、樹脂５によって封止された構造を有している。図２
においては、リードフレームのリードピン３が半導体チ
ップ１と、接着層６によって固定されおり、ボンディン
グワイヤー４と共に、樹脂５によって封止された構造を
有している。また、図３においては、ダイパッド７の上
に半導体チップ１が搭載され、また電極８が接着層６に
よって固定されており、半導体チップ１と電極８との間
および電極８とリードピン３との間が、それぞれボンデ
ィングワイヤー４によって連結され、それらが樹脂５に
よって封止された構造を有している。なお、一般に接着
層６には、単層の接着剤または両面接着テープが使用さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これら図１〜図３に示
される構造の樹脂封止型半導体装置における接着層にお
いて、従来の熱硬化型の接着剤を塗布した接着テープを
使用した場合には、耐熱性が充分でないため、発生する
ガスがリードピンを汚染して接着力の低下を招いたり、
パッケージクラックの発生原因になる等の問題点があ
る。そのため、充分な耐熱性および信頼性等を有する電
子部品用接着剤およびそれを用いた電子部品用接着テー
プの出現が望まれている。
【０００６】本発明者等は、先に下記式（１ａ）、（１
ｂ）、（２ａ）および式（２ｂ）で表される構造単位か
らなるポリイミド樹脂よりなる接着剤を用いた接着テー
プの発明（特開平８−３２５５３３号公報、特開平９−
６７５５９号公報）を行うことにより、上記の課題を解
消させることができた。
【０００７】しかしながら、これらの接着テープにも未
だ問題があることが判明した。すなわち、ベースフィル
ムとして耐熱性フィルムを用い、その上に接着層を設け
た接着テープの場合には、耐熱性フィルムと接着剤層の
界面で界面剥離が起こりやすいという問題があった。特
に湿熱時の界面剥離は、パッケージの信頼性を著しく低
下させることから大きな問題となっている。更に、熱圧
着の工程が２度必要であるため、１回目に圧着した樹脂
が２度目の加熱時に軟化して、リードピンの移動や歪み
が生じるのを抑制することができないという問題があっ
た。この問題を解決するための対策として、絶縁性のベ
ースフィルムの両面に異なるガラス転移温度を有する樹
脂からなる接着剤層を設けた両面テープ等が提案されて
いる。しかしながら、これらの両面テープは、両面の樹
脂の熱膨張の差を吸収しきれず、リードフレームが反る
等の問題がある。また、接着剤単層のテープの場合は、
加熱圧着の際に、例えば、リードフレームが接着層中に
埋没または貫通し、絶縁性の確保が困難になるという問
題がある。更に、極力低温での圧着の要求を満たすため
に、接着剤のガラス転移温度（以後、「Ｔｇ」と称す
る）を低下させると、逆に高温での接着力の確保が困難
になるという欠点もある。
【０００８】一方、特開平９−４０９３１号公報には、
２，２−ビスフタル酸ヘキサフルオロイソプロピリデン
二無水物と４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−
テトライソプロピルジフェニルメタンおよびシロキサン
ジアミンからなるポリイミドにシランカップリング剤を
加えたワニスが記載されている。この場合、接着剤がワ
ニスであってテープで供給されないため、チップ上でパ
ターニングが必要であり、工程が煩雑である。また、ベ
ースフィルムが無いため、ワイヤーボンディング不良が
起こりやすいという問題があった。
【０００９】本発明は、上記のような問題点を解決する
ことを目的としてなされたものである。すなわち、本発
明の目的は、比較的低温において接着可能であり、絶縁
性が確保でき、湿熱時の界面剥離を起こさず、充分な信
頼性を有する電子部品用接着テープを提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の電子部品用接着
テープは、耐熱性フィルムの少なくとも一面に積層した
接着層が、下記式（１ａ）で表される構造単位および下
記式（１ｂ）で表される構造単位の少なくとも１種の９
０〜５０モル％と、下記式（２ａ）で表される構造単位
および下記式（２ｂ）で表される構造単位の少なくとも
１種の１０〜５０モル％とを含有する少なくとも１つの
ポリイミドと、該ポリイミド１００重量部に対し０．１
〜１５重量部のシランカップリング剤とよりなることを
特徴とする。
【００１１】
【化４】
【００１２】［式中、Ａｒは、下記構造から選ばれる芳
香環を有する二価の基を示す。
【化５】 （式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、それぞれ同じで
も異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアル
キル基又はアルコキシ基を示すが、Ｒ1 〜Ｒ4 の全ての
基が同時に水素原子であることはない。）］
【００１３】
【化６】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
レン基がＳｉに結合している−ＣＨ2 ＯＣ6 Ｈ4 −を示
し、ｎは１〜２０の整数を意味する。）
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明の電子部品用接着テープに使
用されるポリイミドは、式（１ａ）で表される構造単位
および式（１ｂ）で表される構造単位の少なくとも１種
を９０〜５０モル％含有し、また、式（２ａ）で表され
る構造単位および式（２ｂ）で表される構造単位の少な
くとも１種を１０〜５０モル％含有するものである。こ
のポリイミドにおいては、式（１ａ）、式（１ｂ）、式
（２ａ）および式（２ｂ）の構造単位が、全ポリイミド
の７０モル％以上含まれていることが好ましい。本発明
に使用される上記ポリイミドにおいて、式（１ａ）また
は式（１ｂ）で表される構造単位が多いほどＴｇが高く
なり、一方、式（２ａ）または式（２ｂ）で表される構
造単位が多いほどＴｇが低くなる。したがって、本発明
においては、上記各式で表される構造単位の含有する割
合を種々変更することにより、上記ポリイミドのＴｇを
制御することが可能であり、その結果、接着テープの貼
り付け温度を制御することが可能である。
【００１５】また、本発明の電子部品用接着テープの接
着層は、上記ポリイミド１００重量部に対し０．１〜１
５重量部のシランカップリング剤を含有することが必要
である。
【００１６】本発明において使用する上記ポリイミド
は、一般的なポリイミドの製造方法を用いることにより
製造することができる。すなわち、各構造単位に対応す
るテトラカルボン酸二無水物と、各構造単位に対応する
ジアミン又はジイソシアナートとから合成することがで
きる。具体的には、上記ポリイミドは、テトラカルボン
酸二無水物として、３，３′、４，４′−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物およびエチレングリコ
ールビストリメリテート二無水物と、下記式（３）で表
される化合物および下記式（４）で表されるシロキサン
系化合物とを反応させることにより製造することができ
る。
【００１７】Ｙ−Ａｒ−Ｙ （３） （式中、Ａｒは前記したと同意義を有し、Ｙはアミノ基
またはイソシアナート基を示す。）
【化７】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
レン基がＳｉに結合している−ＣＨ2 ＯＣ6 Ｈ4 −を示
し、ｎは１〜２０の整数を意味する。Ｙはアミノ基また
はイソシアナート基を示す。）
【００１８】また、上記式（３）で表される化合物は、
Ａｒとしては上記した芳香環を有する構造から選ばれた
二価の基で示されるものである。このうち、官能基Ｙが
アミノ基であるジアミン類としては、具体的には次のも
のがあげられる。すなわち、３，３′−ジアミノビフェ
ニル、３，４′−ジアミノビフェニル、４，４′−ジア
ミノビフェニル、３，３′−オキシジアニリン、３，
４′−オキシジアニリン、４，４′−オキシジアニリ
ン、３，３′−ジアミノジフェニルメタン、３，４′−
ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルメタン、３，３′−ジアミノ−２，２′，４，４′
−テトラメチルジフェニルメタン、３，３′−ジアミノ
−２，２′，４，４′−テトラエチルジフェニルメタ
ン、３，３′−ジアミノ−２，２′，４，４′−テトラ
プロピルジフェニルメタン、３，３′−ジアミノ−２，
２′，４，４′−テトライソプロピルジフェニルメタ
ン、３，３′−ジアミノ−２，２′，４，４′−テトラ
ブチルジフェニルメタン、３，４′−ジアミノ−２，
３′，４，５′−テトラメチルジフェニルメタン、３，
４′−ジアミノ−２，３′，４，５′−テトラエチルジ
フェニルメタン、３，４′−ジアミノ−２，３′，４，
５′−テトラプロピルジフェニルメタン、３，４′−ジ
アミノ−２，３′，４，５′−テトライソプロピルジフ
ェニルメタン、３，４′−ジアミノ−２，３′，４，
５′−テトラブチルジフェニルメタン、４，４′−ジア
ミノ−３，３′，５，５′−テトラメチルジフェニルメ
タン、４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テト
ラエチルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，
３′，５，５′−テトラプロピルジフェニルメタン、
４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトライソ
プロピルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，
３′，５，５′−テトラブチルジフェニルメタン、４，
４′−ジアミノ−３，３′−ジエチル−５，５′−ジメ
チルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′
−ジメチルジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−
３，３′−ジエチルジフェニルメタン、４，４′−ジア
ミノ−３，３′，５，５′−テトラメトキシジフェニル
メタン、４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テ
トラエトキシジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ−
３，３′，５，５′−テトラプロポキシジフェニルメタ
ン、４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラ
イソプロポキシジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ
−３，３′，５，５′−テトラブトキシジフェニルメタ
ン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジメトキシジフェ
ニルメタン、４，４′−ジアミノ−３，３′−ジエトキ
シジフェニルメタン、３，３′−ジアミノジフェニルス
ルフィド、３，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、
４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−
ジアミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフ
ェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベ
ンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、
１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，
９−ビス（３−アミノフェニル）フルオレン、９，９−
ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、１，３−ビス
［１−（３−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベ
ンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−
１−メチルエチル］ベンゼン、１，４−ビス［１−（３
−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、
１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン、３，３′−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、３，３′−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、３，４′−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、３，４′−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ビフェニル、３，３′−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ジフェニルエーテル、３，３′−ビス（４−ア
ミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４′−ビス
（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，
４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテ
ル、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニ
ルエーテル、４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）
ジフェニルエーテル、ビス［４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［３−（３
−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビ
ス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパ
ン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（３
−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−
（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル］ヘキサフルオロプロパン等があげられる。
【００１９】また、式（３）で表される化合物におい
て、官能基Ｙがイソシアナート基であるジイソシアナー
ト類としては、上記に示したジアミン類において、「ア
ミノ」を「イソシアナート」に置き換えたものをあげる
ことができる。
【００２０】ポリイミドの製造原料として使用する上記
式（４）で表されるシロキサン系化合物において、官能
基Ｙがアミノ基であるジアミン類としては、ビス（３−
アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（１
０−アミノデカメチレン）テトラメチルジシロキサン、
アミノプロピル末端基を有するジメチルシロキサン４量
体および８量体、ビス（３−アミノフェノキシメチル）
テトラメチルジシロキサン等があげられ、これらを併用
することも可能である。また、式（４）で表される化合
物において、官能基Ｙがイソシアナート基であるジイソ
シアナート類としては、上記に示したジアミン類におい
て、「アミノ」を「イソシアナート」に置き換えたもの
をあげることができる。
【００２１】上記式（３）および式（４）で表される化
合物において、官能基Ｙがイソシアナート基であるジイ
ソシアナート類は、上記例示した対応するジアミンを常
法に従いホスゲンと反応させることにより容易に製造す
ることができる。
【００２２】本発明で使用されるポリイミドは、次の様
にして製造することができる。原料として、テトラカル
ボン酸二無水物とジアミンとを使用する場合、これらを
有機溶媒中、必要に応じてトリブチルアミン、トリエチ
ルアミン、亜リン酸トリフェニル等の触媒存在下（反応
物の２０重量％以下）で、１００℃以上、好ましくは１
８０℃以上に加熱し、直接ポリイミドを得る方法、テト
ラカルボン酸二無水物とジアミンとを有機溶媒中、１０
０℃以下で反応させポリイミドの前駆体であるポリアミ
ド酸を得た後、必要に応じてｐ−トルエンスルホン酸等
の脱水触媒（テトラカルボン酸二無水物の１〜５倍モ
ル）を加え、加熱によりイミド化を行うことによりポリ
イミドを得る方法、或いはこのポリアミド酸を、無水酢
酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合
物等の脱水閉環剤と、必要に応じてピリジン、イソキノ
リン、イミダゾール、トリエチルアミン等の閉環触媒
（脱水閉環剤および閉環触媒はテトラカルボン酸二無水
物の２〜１０倍モル）を添加して、比較的低温（室温〜
１００℃程度）で閉環させる方法等が使用できる。
【００２３】上記の反応に用いる有機溶媒としては、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン等の非プロトン
性極性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノール、
ｐ−クロロフェノール等のフェノール系溶媒等があげら
れる。また、必要に応じて、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、メチル
セロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール、塩化メチレン、クロロホル
ム、トリクレン、ニトロベンゼン等を先の溶媒に混合し
て用いることも可能である。
【００２４】また、原料として、テトラカルボン酸二無
水物とジイソシアナートとを使用する場合には、上記し
たポリイミドを直接得る方法に準じて製造することが可
能であり、このときの反応温度は室温以上、特に６０℃
以上であることが好ましい。テトラカルボン酸二無水物
とジアミン或いはジイソシアナートとの反応は等モル量
で反応させることにより、高重合度のポリイミドを得る
ことが可能であるが、必要に応じて何れか一方が１０モ
ル％以下の範囲で過剰量用いてポリイミドを製造するこ
とも可能である。
【００２５】本発明に使用される上記ポリイミドの分子
量は、ポリイミドを構成する構造単位の種類によって成
膜性の発現が異なるので、成膜性に応じて適宜設定する
ことが好ましい。本発明の電子部品用接着テープに使用
する場合、接着層にはある程度の成膜性が必要であり、
また、耐熱性も必要であるので、あまり低分子量のもの
は好ましくない。本発明においては、一般的には、数平
均分子量が４，０００ないし４００，０００の範囲であ
り、好ましくは、８，０００〜２００，０００の範囲で
ある。数平均分子量が４００，０００よりも大きくなる
と、溶融時の粘性が高すぎて電子部品用接着テープの作
製に際して加工性が悪くなり、また、接着性も低下す
る。なお、分子量の測定に用いたＧＰＣ測定条件は後記
する表２の後に示している。
【００２６】本発明において、接着層には、上記ポリイ
ミドを１種のみ単独で含有させてもよいが、Ｔｇを調節
するためにそれらポリイミドの２種類以上を適宜混合し
て含有させることができる。
【００２７】また、本発明の電子部品用接着テープの接
着層に含有させるシランカップリング剤としては、例え
ば次のものがあげられる。すなわち、Ｎ−（２−アミノ
エチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−ア
ミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−アミ
ノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等のアミノシラン類、３−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシド
キシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプ
ロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロ
ピルメチルジエトキシシラン等のエポキシシラン類、３
−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカ
プトプロピルトリエトキシシラン等のメルカプトシラン
類、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、
３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビ
ニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン等のビニル
シラン類等があげられる。
【００２８】これらのシランカップリング剤は、接着剤
層を構成するポリイミド１００重量部に対して、０．１
ないし１５重量部の範囲の含有量になるように添加され
る。より好ましい含有量は、０．１ないし５重量部の範
囲である。シランカップリング剤の含有量が０．１重量
部よりも少なくなると、樹脂の流動性が高すぎ高温での
絶縁の確保が困難になり、また高温での接着力が確保で
きなくなる。更に、ベースフィルムとの密着性も低下す
る。また、添加量が１５重量部を越えると、接着剤が硬
くなり接着力が低下したり、テーピング時およびワイヤ
ーボンディング時にリードフレームを汚染する等の問題
が生じる。
【００２９】本発明の電子部品用接着テープにおいて、
接着層には、接着時の特性を制御するために、粒径１μ
ｍ以下のフィラーを含ませてもよい。使用することがで
きるフィラーとしては、例えば、シリカ、石英粉、マイ
カ、アルミナ、ダイヤモンド粉、ジルコン粉、炭酸カル
シウム、酸化マグネシウム、フッ素樹脂等があげられ
る。これらフィラーを配合する場合の含有量は、接着層
の全固形分１００重量部に対して０．１〜５０重量部、
すなわち０．１〜５０重量％の範囲が好ましく、より好
ましくは０．４〜２５重量％の範囲である。フィラーの
含有量が５０重量％よりも多くなると、接着力の低下が
著しくなり、一方、０．１重量％未満ではフィラー添加
の効果が得られなくなる。
【００３０】本発明の電子部品用接着テープは、種々の
方法によって製造することができる。例えば、耐熱性フ
ィルムの片面に接着層を有する電子部品用接着テープを
製造する場合は、上記ポリイミド、シランカップリング
剤および所望によって添加されるフィラーを含有する塗
工用ワニスを耐熱性フィルムの一面に塗布し乾燥する方
法、または上記ポリイミド、シランカップリング剤およ
び所望によって添加されるフィラーより予め作成された
接着剤フィルムを耐熱性フィルムの上に重ねて熱圧着す
る方法等が使用できる。また、耐熱性フィルムの両面に
接着層を有する電子部品用両面接着テープを製造する場
合は、例えば、耐熱性フィルムの両面に、上記塗工用ワ
ニスを塗布し、乾燥する方法、耐熱性フィルムの両面
に、それぞれ異なるガラス転移温度を有する接着剤を用
いて調製した２つの塗工用ワニスを別々に塗布し、乾燥
する方法、或いは上記した予め作成された接着剤フィル
ムを耐熱性フィルムの両面に重ねて熱圧着する方法等が
使用できる。本発明の電子部品用接着テープの厚さは、
必要に応じて適宜調整すればよいが、通常、総厚で１５
〜２５０μｍであり、また、接着層の厚さは最低限の接
着力を維持するために５μｍ以上であることが必要であ
る。
【００３１】本発明において、塗工によって接着層を形
成する場合、ポリイミドおよびシランカップリング剤を
適当な溶媒に溶解させ、所望によりフィラーを添加した
塗工用ワニスが用いられるが、使用する溶媒としては、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミ
ド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン等の非プロ
トン性極性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノー
ル、ｐ−クロロフェノール等のフェノール系溶媒、イソ
ホロン、シクロヘキサノン、カルビトールアセテート、
ジグライム、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の広範
な有機溶媒があげられる。更にこれらの有機溶媒に、メ
タノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコー
ル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等エス
テル系溶媒、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニト
リル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン系
溶媒等を、ポリイミド等が析出しない程度に混合して用
いることもできる。塗工用ワニスにおけるポリイミド等
の濃度および塗工用ワニスの粘度については、塗工条件
に合わせて適宜変更することが好ましい。
【００３２】耐熱性フィルムとしては、電気絶縁性のも
のが好ましく、例えば、ポリイミド、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリエーテル、ポリパラバン酸、ポリエチ
レンテレフタレート等の耐熱性樹脂フィルム、エポキシ
樹脂−ガラスクロス、エポキシ樹脂−ポリイミド−ガラ
スクロス等の複合耐熱フィルムがあげられる。これらの
耐熱フィルムは、厚さ５〜１５０μｍの範囲、特に１０
〜７５μｍの範囲のものが好ましく使用できる。
【００３３】本発明の電子部品用接着テープにおいて
は、接着層の上に膜厚１〜２００μｍの剥離性シートを
保護層として設けることも可能である。具体的にはポリ
エチレン、ポリプロピレン、フッ素系樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリイミド等の樹脂フィルム、紙、
およびそれらの表面にシリコーン系離型剤を用いて離型
処理を施したものが使用される。
【００３４】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。先ず、本発明に用いられるポリイミドの製造につい
て述べる。 合成例１ 撹拌機を備えたフラスコに、３，４′−ジアミノビフェ
ニル１２．３４ｇ（６７ミリモル）と１，３−ビス（３
−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチル
ジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）と３，３′，
４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−
２−ピロリドン３００ｍｌとを氷温下で導入し撹拌を１
時間続けた。次いでこの溶液を室温で３時間反応させポ
リアミド酸を合成した。得られたポリアミド酸に５０ｍ
ｌのトルエンと１．０ｇのｐ−トルエンスルホン酸を加
え、１６０℃に加熱する。トルエンと共沸してきた水分
を分離しながらイミド化反応を３時間行った。トルエン
を留去し、得られたポリイミドワニスをメタノール中に
注ぎ、得られた沈殿を分離、粉砕、洗浄、乾燥させる工
程を経ることにより、上記した式で表される各構造単位
のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表される
ポリイミド５０．０ｇ（収率９５％）を得た。赤外吸収
スペクトルを測定したところ、１７１８および１７８３
ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、そ
の分子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定
した。それらの結果を表１に示す。このポリイミドをテ
トラヒドロフランに２５重量％の濃度になるように溶解
してポリイミド溶液を得た。
【００３５】合成例２ ４，４′−オキシジアニリン１３．４１ｇ（６７ミリモ
ル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３，−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３
ミリモル）、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモ
ル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用
いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が
（１ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表されるポリイミド
５１．０ｇ（収率９５％）を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、
ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。それ
らの結果を表１に示す。このポリイミドをテトラヒドロ
フランに２５重量％の濃度になるように溶解してポリイ
ミド溶液を得た。
【００３６】合成例３ ４，４′−ジアミノジフェニルメタン１３．２９ｇ（６
７ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサン８．２０
ｇ（３３ミリモル）、３，３′，４，４′−ジフェニル
スルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１０
０ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００
ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモ
ル比が（１ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表されるポリ
イミド５２．０ｇ（収率９７％）を得た。赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、１７１８、１７８３ｃｍ-1に
典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表１に示す。このポリイミドをテトラヒ
ドロフランに２５重量％の濃度になるように溶解してポ
リイミド溶液を得た。
【００３７】合成例４ ４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド１４．４９ｇ
（６７ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサン
８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３
ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリド
ン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造
単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表さ
れるポリイミド５１．０ｇ（収率９３％）を得た。赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７１８および１７
８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミ
ドをテトラヒドロフランに２５重量％の濃度になるよう
に溶解してポリイミド溶液を得た。
【００３８】合成例５ ３，３′−ジアミノジフェニルスルホン１６．６４ｇ
（６７ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサン
８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３
ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリド
ン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造
単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表さ
れるポリイミド５１．５ｇ（収率９０％）を得た。赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７１８および１７
８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミ
ドをテトラヒドロフランに２５重量％の濃度になるよう
に溶解してポリイミド溶液を得た。
【００３９】合成例６ ２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン１５．１
６ｇ（６７ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサン
８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，３′，４，４′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８３
ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリド
ン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造
単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表さ
れるポリイミド５４．０ｇ（収率９７％）を得た。赤外
吸収スペクトルを測定したところ、１７１８および１７
８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミ
ドをテトラヒドロフランに２５重量％の濃度になるよう
に溶解してポリイミド溶液を得た。
【００４０】合成例７ ２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン２２．４０ｇ（６７ミリモル）、１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメ
チルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メ
チル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例１と
同様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）
＝６７：３３で表されるポリイミド６０．０ｇ（収率９
５％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、
１７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収
が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度およ
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重量％
の濃度になるように溶解してポリイミド溶液を得た。
【００４１】合成例８ １，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン１９．
５８ｇ（６７ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサ
ン８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，３′，４，４′−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８
３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリ
ドン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構
造単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表
されるポリイミド５８．０ｇ（収率９７％）を得た。赤
外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８および１
７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミ
ドをテトラヒドロフランに２５重量％の濃度になるよう
に溶解してポリイミド溶液を得た。
【００４２】合成例９ １，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン１９．
５８ｇ（６７ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサ
ン８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，３′，４，４′−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８
３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリ
ドン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構
造単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表
されるポリイミド５８．０ｇ（収率９７％）を得た。赤
外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８および１
７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミ
ドをテトラヒドロフランに２５重量％の濃度になるよう
に溶解してポリイミド溶液を得た。
【００４３】合成例１０ １，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン２３．０８ｇ（６７ミリモル）、
１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，
３，−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリ
モル）、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）
およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１
ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表されるポリイミド６
２．５ｇ（収率９８％）を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典型
的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、ガ
ラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。それら
の結果を表１に示す。このポリイミドをテトラヒドロフ
ランに２５重量％の濃度になるように溶解してポリイミ
ド溶液を得た。
【００４４】合成例１１ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル２
４．６８ｇ（６７ミリモル）、１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロ
キサン８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３
５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−
ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝６７：３
３で表されるポリイミド６４．０ｇ（収率９８％）を得
た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８お
よび１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、その分子量、ガラス転移温度および熱分解開
始温度を測定した。それらの結果を表１に示す。このポ
リイミドをテトラヒドロフランに２５重量％の濃度にな
るように溶解してポリイミド溶液を得た。
【００４５】合成例１２ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエ
ーテル２５．７５ｇ（６７ミリモル）、１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメ
チルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メ
チル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例１と
同様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）
＝６７：３３で表されるポリイミド６４．０ｇ（収率９
７％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、
１７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収
が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度およ
び熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重量％
の濃度になるように溶解してポリイミド溶液を得た。
【００４６】合成例１３ ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン２８．９８ｇ（６７ミリモル）、１，３−ビス（３−
アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジ
シロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，３′，
４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水
物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−
２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝６
７：３３で表されるポリイミド６５．０ｇ（収率９４
％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、その分子量、ガラス転移温度および
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重量％
の濃度になるように溶解して本発明に用いられるポリイ
ミド溶液を得た。
【００４７】合成例１４ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２７．５０ｇ（６７ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３ミリモル）、
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例
１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２
ａ）＝６７：３３で表されるポリイミド６５．０ｇ（収
率９６％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度
および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１
に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重
量％の濃度になるように溶解してポリイミド溶液を得
た。
【００４８】合成例１５ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン３４．７４ｇ（６７ミリモ
ル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３，−テトラメチルジシロキサン８．２０ｇ（３３
ミリモル）、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモ
ル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用
いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が
（１ａ）：（２ａ）＝６７：３３で表されるポリイミド
７４．０ｇ（収率９８％）を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、
ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。それ
らの結果を表１に示す。このポリイミドをテトラヒドロ
フランに２５重量％の濃度になるように溶解してポリイ
ミド溶液を得た。
【００４９】合成例１６ ９，９−ビス（４−アミノフェノキシ）フルオレン２
３．３５ｇ（６７ミリモル）、１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロ
キサン８．２０ｇ（３３ミリモル）、３，３′，４，
４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３
５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−
ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法
で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝６７：３
３で表されるポリイミド６０．５ｇ（収率９５％）を得
た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８お
よび１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。また、その分子量、ガラス転移温度および熱分解開
始温度を測定した。それらの結果を表１に示す。このポ
リイミドをテトラヒドロフランに２５重量％の濃度にな
るように溶解してポリイミド溶液を得た。
【００５０】合成例１７ ３，４′−ジアミノビフェニル１３．８２ｇ（７５ミリ
モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，
１，３，３，−テトラメチルジシロキサン６．２１ｇ
（２５ミリモル）、エチレングリコールビストリメリテ
ート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例
１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１ｂ）：（２
ｂ）＝７５：２５で表されるポリイミド５４．０ｇ（収
率９４％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度
および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１
に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重
量％の濃度になるように溶解してポリイミド溶液を得
た。
【００５１】合成例１８ ４，４′−オキシジアニリン１５．０２ｇ（７５ミリモ
ル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３，−テトラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５
ミリモル）、エチレングリコールビストリメリテート二
無水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチ
ル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例１と同
様の方法で各構造単位のモル比が（１ｂ）：（２ｂ）＝
７５：２５で表されるポリイミド５２．０ｇ（収率８９
％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、その分子量、ガラス転移温度および
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表１に示
す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重量％
の濃度になるように溶解してポリイミド溶液を得た。
【００５２】合成例１９ ４，４′−ジアミノジフェニルメタン１４．８７ｇ（７
５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサン６．２１
ｇ（２５ミリモル）、エチレングリコールビストリメリ
テート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）および
Ｎ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成
例１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１ｂ）：
（２ｂ）＝７５：２５で表されるポリイミド５５．０ｇ
（収率９４％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定した
ところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移
温度および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を
表１に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２
５重量％の濃度になるように溶解してポリイミド溶液を
得た。
【００５３】合成例２０ ４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド１６．２２ｇ
（７５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサン
６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレングリコールビス
トリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモ
ル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用
いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が
（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表されるポリイミド
５４．０ｇ（収率９０％）を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、
ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。それ
らの結果を表１に示す。このポリイミドをテトラヒドロ
フランに２５重量％の濃度になるように溶解してポリイ
ミド溶液を得た。
【００５４】合成例２１ ３，３′−ジアミノジフェニルスルホン１８．６３ｇ
（７５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプロピ
ル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサン
６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレングリコールビス
トリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモ
ル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用
いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が
（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表されるポリイミド
５５．５ｇ（収率８９％）を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、
ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。それ
らの結果を表１に示す。このポリイミドをテトラヒドロ
フランに２５重量％の濃度になるように溶解してポリイ
ミド溶液を得た。
【００５５】合成例２２ ２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン１６．９
７ｇ（７５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプロ
ピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサン
６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレングリコールビス
トリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモ
ル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用
いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が
（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表されるポリイミド
５７．０ｇ（収率９４％）を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、
ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。それ
らの結果を表１に示す。このポリイミドをテトラヒドロ
フランに２５重量％の濃度になるように溶解してポリイ
ミド溶液を得た。
【００５６】合成例２３ ２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン２５．０７ｇ（７５ミリモル）、１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメ
チルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレ
ングリコールビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ
（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン
３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造単
位のモル比が（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表され
るポリイミド６７．０ｇ（収率９８％）を得た。赤外吸
収スペクトルを測定したところ、１７１８および１７８
３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、
その分子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度を測
定した。それらの結果を表１に示す。このポリイミドを
テトラヒドロフランに２５重量％の濃度になるように溶
解してポリイミド溶液を得た。
【００５７】合成例２４ １，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン２１．
９２ｇ（７５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサ
ン６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレングリコールビ
ストリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモ
ル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用
いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が
（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表されるポリイミド
６２．０ｇ（収率９５％）を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、
ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。それ
らの結果を表１に示す。このポリイミドをテトラヒドロ
フランに２５重量％の濃度になるように溶解してポリイ
ミド溶液を得た。
【００５８】合成例２５ １，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン２１．
９２ｇ（７５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサ
ン６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレングリコールビ
ストリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミリモ
ル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用
いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が
（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表されるポリイミド
６４．０ｇ（収率９７％）を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、
ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。それ
らの結果を表２に示す。このポリイミドをテトラヒドロ
フランに２５重量％の濃度になるように溶解してポリイ
ミド溶液を得た。
【００５９】合成例２６ １，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン２５．８４ｇ（７５ミリモル）、
１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，
３，−テトラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリ
モル）、エチレングリコールビストリメリテート二無水
物４１．０３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−
２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の
方法で各構造単位のモル比が（１ｂ）：（２ｂ）＝７
５：２５で表されるポリイミド６７．０ｇ（収率９６
％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、その分子量、ガラス転移温度および
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重量％
の濃度になるように溶解してポリイミド溶液を得た。
【００６０】合成例２７ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル２
７．６３ｇ（７５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロ
キサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレングリコー
ルビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミ
リモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌ
を用いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比
が（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表されるポリイミ
ド６９．５ｇ（収率９８％）を得た。赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に
典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表２に示す。このポリイミドをテトラヒ
ドロフランに２５重量％の濃度になるように溶解してポ
リイミド溶液を得た。
【００６１】合成例２８ ４，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエ
ーテル２８．８２ｇ（７５ミリモル）、１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメ
チルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレ
ングリコールビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ
（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン
３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造単
位のモル比が（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表され
るポリイミド７０．０ｇ（収率９７％）を得た。赤外吸
収スペクトルを測定したところ、１７１８および１７８
３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、
その分子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度を測
定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミドを
テトラヒドロフランに２５重量％の濃度になるように溶
解してポリイミド溶液を得た。
【００６２】合成例２９ ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホ
ン３２．０８ｇ（７５ミリモル）、１，３−ビス（３−
アミノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジ
シロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレングリ
コールビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１０
０ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００
ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモ
ル比が（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表されるポリ
イミド７４．０ｇ（収率９７％）を得た。赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ
-1に典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分
子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定し
た。それらの結果を表２に示す。このポリイミドをテト
ラヒドロフランに２５重量％の濃度になるように溶解し
てポリイミド溶液を得た。
【００６３】合成例３０ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７８ｇ（７５ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、エ
チレングリコールビストリメリテート二無水物４１．０
３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリ
ドン３００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構
造単位のモル比が（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表
されるポリイミド７３．０ｇ（収率９８％）を得た。赤
外吸収スペクトルを測定したところ、１７１８および１
７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が認められた。ま
た、その分子量、ガラス転移温度および熱分解開始温度
を測定した。それらの結果を表２に示す。このポリイミ
ドをテトラヒドロフランに２５重量％の濃度になるよう
に溶解してポリイミド溶液を得た。
【００６４】合成例３１ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン３８．８９ｇ（７５ミリモ
ル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３，−テトラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５
ミリモル）、エチレングリコールビストリメリテート二
無水物４１．０３ｇ（１００ミリモル）およびＮ−メチ
ル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例１と同
様の方法で各構造単位のモル比が（１ｂ）：（２ｂ）＝
７５：２５で表されるポリイミド８０．０ｇ（収率９７
％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、その分子量、ガラス転移温度および
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重量％
の濃度になるように溶解してポリイミド溶液を得た。
【００６５】合成例３２ ９，９−ビス（４−アミノフェノキシ）フルオレン２
６．１４ｇ（７５ミリモル）、１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロ
キサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、エチレングリコー
ルビストリメリテート二無水物４１．０３ｇ（１００ミ
リモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌ
を用いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比
が（１ｂ）：（２ｂ）＝７５：２５で表されるポリイミ
ド６６．０ｇ（収率９５％）を得た。赤外吸収スペクト
ルを測定したところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に
典型的なイミドの吸収が認められた。また、その分子
量、ガラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。
それらの結果を表２に示す。このポリイミドをテトラヒ
ドロフランに２５重量％の濃度になるように溶解して本
発明に用いられるポリイミド溶液を得た。
【００６６】合成例３３ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン２０．５３ｇ（５０ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン１２．４３ｇ（５０ミリモル）、
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例
１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２
ａ）＝５０：５０で表されるポリイミド６１．０ｇ（収
率９３％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１５および１７８６ｃｍ-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度
および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２
に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重
量％の濃度になるように溶解して本発明に用いられるポ
リイミド溶液を得た。
【００６７】合成例３４ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例
１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２
ａ）＝７５：２５で表されるポリイミド６５．０ｇ（収
率９４％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７２０および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度
および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２
に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重
量％の濃度になるように溶解して本発明に用いられるポ
リイミド溶液を得た。
【００６８】合成例３５ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３２．８４ｇ（８０ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン４．９７ｇ（２０ミリモル）、
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例
１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２
ａ）＝８０：２０で表されるポリイミド６８．０ｇ（収
率９７％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７２０および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度
および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２
に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重
量％の濃度になるように溶解して本発明に用いられるポ
リイミド溶液を得た。
【００６９】合成例３６ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３６．９５ｇ（９０ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン２．４９ｇ（１０ミリモル）、
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例
１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２
ａ）＝９０：１０で表されるポリイミド６９．０ｇ（収
率９７％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７２０および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度
および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２
に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重
量％の濃度になるように溶解して本発明に用いられるポ
リイミド溶液を得た。
【００７０】合成例３７ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物１７．９１ｇ（５０ミリモル）、エチレン
グリコールビストリメリテート二無水物２０．５３ｇ
（５０ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造単位
のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２
ｂ）］＝７５：２５で表されるポリイミド６８．５ｇ
（収率９５％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定した
ところ、１７１５および１７８６ｃｍ-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移
温度および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を
表２に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２
５重量％の濃度になるように溶解して本発明に用いられ
るポリイミド溶液を得た。
【００７１】合成例３８ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物８．９６ｇ（２５ミリモル）、エチレング
リコールビストリメリテート二無水物３０．７７ｇ（７
５ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００
ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造単位のモ
ル比率が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２
ｂ）］＝７５：２５で表されるポリイミド６９．５ｇ
（収率９５％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定した
ところ、１７１５および１７８６ｃｍ-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移
温度および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を
表２に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２
５重量％の濃度になるように溶解して本発明に用いられ
るポリイミド溶液を得た。
【００７２】合成例３９ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，−テト
ラメチルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、
３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物２６．８７ｇ（７５ミリモル）、エチレン
グリコールビストリメリテート二無水物１０．２６ｇ
（２５ミリモル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン３
００ｍｌを用いて、合成例１と同様の方法で各構造単位
のモル比が［（１ａ）＋（１ｂ）］：［（２ａ）＋（２
ｂ）］＝７５：２５で表されるポリイミド６６．０ｇ
（収率９４％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定した
ところ、１７１５および１７８６ｃｍ-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移
温度および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を
表２に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２
５重量％の濃度になるように溶解して本発明に用いられ
るポリイミド溶液を得た。
【００７３】合成例４０ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）、１，３−
ビス（３−アミノフェノキシメチル）−１，１，３，
３，−テトラメチルジシロキサン９．４２ｇ（２５ミリ
モル）、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）
およびＮ−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用い
て、合成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１
ａ）：（２ａ）＝７５：２５で表されるポリイミド６
９．０ｇ（収率９５％）を得た。赤外吸収スペクトルを
測定したところ、１７２０および１７８３ｃｍ-1に典型
的なイミドの吸収が認められた。また、その分子量、ガ
ラス転移温度および熱分解開始温度を測定した。それら
の結果を表２に示す。このポリイミドをテトラヒドロフ
ランに２５重量％の濃度になるように溶解して本発明に
用いられるポリイミド溶液を得た。
【００７４】合成例４１ ２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］プロパン３０．７９ｇ（７５ミリモル）、下記一般
式（５）で示されるアミノプロピル末端のジメチルシロ
キサン４量体１０．７２ｇ（２５ミリモル）、
【化８】 ３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物３５．８３ｇ（１００ミリモル）およびＮ
−メチル−２−ピロリドン３００ｍｌを用いて、合成例
１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２
ａ）＝７５：２５の本発明のポリイミド６７．０ｇ（収
率９１％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、１７１２および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの
吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移温度
および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２
に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重
量％の濃度になるように溶解して本発明に用いられるポ
リイミド溶液を得た。
【００７５】合成例４２ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン７．７６ｇ（２５ミリモル）、ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン６．２１ｇ（２５ミリモル）、３，
３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物１７．９１ｇ（５０ミリモル）およびＮ−メチ
ル−２−ピロリドン１５０ｍｌを用いて、合成例１と同
様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：（２ａ）＝
５０：５０で表されるポリイミド２７．４ｇ（収率９１
％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、１
７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミドの吸収が
認められた。また、その分子量、ガラス転移温度および
熱分解開始温度を測定した。それらの結果を表２に示
す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２５重量％
の濃度になるように溶解して本発明に用いられるポリイ
ミド溶液を得た。
【００７６】合成例４３ ４，４′−ジアミノ−３，３′，５，５′−テトラエチ
ルジフェニルメタン１１．６４ｇ（３７．５ミリモ
ル）、ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサン３．１１ｇ（１２．５ミリモ
ル）、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸二無水物１７．９１ｇ（５０ミリモル）およ
びＮ−メチル−２−ピロリドン１５０ｍｌを用いて、合
成例１と同様の方法で各構造単位のモル比が（１ａ）：
（２ａ）＝７５：２５で表されるポリイミド２９．６ｇ
（収率９２％）を得た。赤外吸収スペクトルを測定した
ところ、１７１８および１７８３ｃｍ-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。また、その分子量、ガラス転移
温度および熱分解開始温度を測定した。それらの結果を
表２に示す。このポリイミドをテトラヒドロフランに２
５重量％の濃度になるように溶解して本発明に用いられ
るポリイミド溶液を得た。
【００７７】
【表１】
【００７８】
【表２】
【００７９】表１および２において、ポリイミドの分子
量測定は、ＧＰＣにて行った。テトラヒドロフランを溶
離液とし、カラムはＳｈｏｄｅｘ８０Ｍ×２を使用し
た。数平均分子量の標準物質にはポリスチレンを用い
た。Ｔｇは示差熱分析（窒素中、１０℃／分で昇温）に
より測定した。また、熱分解開始温度は熱重量分析（窒
素中、１０℃／分で昇温）により測定した。
【００８０】接着テープ作製例 実施例１ 合成例１で得られたポリイミド溶液１ｋｇに３−アミノ
プロピルトリエトキシシラン０．７５ｇを加えて塗工用
ワニスを得た。これを、厚さ５０μｍのポリイミドフィ
ルムに乾燥時の厚さが２５μｍになるようにバーコータ
ーで塗布し、熱風循環型乾燥機にて１５０℃で５分間乾
燥し、ポリイミドフィルムの一面に接着層を作製した。
次いで、ポリイミドフィルムの他面に、上記の塗工用ワ
ニスを乾燥時の厚さが２５μｍになるように塗布し、熱
風循環型乾燥機にて１５０℃で１０分間乾燥し、総厚１
００μｍの両面接着テープを作製した。
【００８１】実施例２〜４３ 合成例２〜４３で得られたポリイミド溶液に、表３およ
び表４に示すシランカップリング剤を、ポリイミド１０
０重量部に対する添加量が表３および表４に示す重量部
になるように配合して各塗工用ワニスを得た。この塗工
用ワニスを使用した以外は、実施例１と同様にして両面
接着テープを作製した。
【００８２】実施例４４合成例４２で得られたポリイミ
ド溶液１ｋｇに、３−アミノプロピルトリエト キシシラン０．７５ｇを添加し、さらに粒径０．０７μ
ｍのシリカフィラー（荒川化学社製）を全固形分に対し
て１０重量％になるように加えて塗工用ワニスを得た。
この塗工用ワニスを用いて実施例１と同様にして両面接
着テープを作製した。
【００８３】実施例４５ 合成例３４で得られたポリイミド溶液を使用した以外
は、実施例４４と同様にして両面接着テープを作製し
た。
【００８４】実施例４６ フィラーとして、粒径０．０５μｍのアルミナフィラー
（昭和電工製）を全固形分に対して１０重量％になるよ
うに加えた以外は、実施例４４と同様にして両面接着テ
ープを作製した。
【００８５】実施例４７ 合成例１４で得られたポリイミド溶液１ｋｇに、３−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン０．７５ｇを添加し、
さらに粒径０．０７μｍのシリカフィラー（荒川化学社
製）を全固形分に対して０．３重量％になるように加え
て塗工用ワニスを得た。この塗工用ワニスを用いて実施
例１と同様にして両面接着テープを作製した。
【００８６】実施例４８ 合成例４２で得られたポリイミド溶液を使用した以外
は、実施例４７と同様にして両面接着テープを作製し
た。
【００８７】実施例４９ ポリイミドフィルムを厚さ２５μｍのものに、総厚を７
５μｍに変えた以外は、実施例４２と全く同様にして、
両面接着テープを作製した。
【００８８】実施例５０ ポリイミドフィルムを厚さ２５μｍのものに、接着層の
厚さを１７μｍに、総厚を５９μｍに変えた以外は、実
施例４２と全く同様にして両面接着テープを作製した。
【００８９】実施例１〜５０において使用したポリイミ
ド溶液、シランカップリング剤、フィラーの種類および
その添加量を、それぞれ表３および表４にまとめて示
す。
【００９０】
【表３】
【００９１】
【表４】
【００９２】比較例１〜３ 合成例１、合成例１４および合成例４２で得られたポリ
イミド溶液のみを使用して、シランカップリング剤を使
用しないで実施例１と同様にして、比較用の接着テープ
を作製した。 比較例４ 実施例４２でシランカップリング剤の量を２０重量部に
した以外は実施例１と同様にして、比較用の接着テープ
を作製した。
【００９３】なお、比較例１〜４において使用したポリ
イミド溶液、シランカップリング剤およびフィラーの添
加量を表５に示す。
【００９４】
【表５】
【００９５】上記各実施例および比較例で得られた接着
テープを評価するために、以下の作業を行った。 （リードフレームの組み立て） 図２に示す半導体パッケージに用いられるリードフレー
ムを、次に示す手順で組み立てた。 （ａ）接着テープの打ち抜き 金型による接着テープの打ち抜き。 （ｂ）リードフレーム組み立て 所定の形状に打ち抜いた接着テープをリードフレームに
位置合わせし、加熱したホットプレート上で加熱加圧し
て、リードフレームと接着テープを貼り合わせる（窒素
雰囲気下、４ｋｇｆ／ｃｍ2 ／１秒）ことによりリード
フレームを組み立てた。この時の接着温度は各接着層に
使用したポリイミドのＴｇより１００℃高い温度に設定
した。
【００９６】（半導体パッケージの組み立て） 次に、上記で得られたリードフレームを使用し、以下の
手順で半導体パッケージを組み立てた。 （ａ）ダイボンディング 半導体チップを、各接着層に使用したポリイミドのＴｇ
より１００℃高い温度で窒素雰囲気下、２ｋｇｆ／ｃｍ
2 ／２秒の条件でリードフレームの所定の位置に接着し
た。 （ｂ）ワイヤーボンディング ワイヤーボンダーにより、金線で半導体チップ上のワイ
ヤーパッドとインナーリード線端部の銀メッキ部分とを
配線した。 （ｃ）モールディング エポキシ系モールド剤でトランスファーモールドした。 （ｄ）仕上げ工程 ホーミング、ダムカット、アウターリード部のメッキ等
の工程を含め、パッケージに仕上げた。
【００９７】（接着テープおよび半導体パッケージ（ｎ
＝１０）の評価結果） （Ａ）接着力 銅板にリードフレーム組み立て時の条件で接着テープを
貼り付け（テーピング）した後、その１０ｍｍ幅のテー
プの室温における９０°ピール強度を測定した。その結
果、実施例１〜５０の接着テープの強度は、３５〜５０
ｇ／１０ｍｍで接着テープが破壊するモードであるのに
対して、比較例１〜３の場合は２５〜５０ｇ／１０ｍｍ
で変動幅が大きく、ベースフィルムと接着層の間で剥離
していた。また、比較例４では１０〜３５ｇ／１０ｍｍ
で変動幅が大きいと共に接着力が不足していた。
【００９８】（Ｂ）リードの埋没状態 ダイボンディング後のチップとリードフレームの距離を
測定したところ、実施例１〜５０の接着テープではテー
プの層厚±１０μｍであったが、比較例１〜４ではテー
プの層厚±２０μｍで厚さの精度が悪かった。
【００９９】（Ｃ）半導体パッケージの評価 前述のようにして得られたパッケージに対して、ＰＣＢ
Ｔ試験（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｂｉａｓｅ
ｄ Ｔｅｓｔ）を行った。この電気的信頼性テストは、
５ボルトに印加し、１２１℃、２ａｔｍ、１００％ＲＨ
の条件下で行った。その結果、実施例１〜５０の場合
は、１０００時間経過後もショートは生じなかった。こ
れに対し、比較例１〜４ではショートは発生しなかった
が、ポリイミドフィルムと接着層との界面で剥離してい
るものがそれぞれ３個ずつあることが確認された。ま
た、−５０〜１６０℃のサーマルサイクル試験を行った
ところ、実施例１〜５０の場合は、１０００サイクル経
過後も変化は生じなかったが、比較例１〜４では、ポリ
イミドフィルムと接着層との界面で剥離しているものが
それぞれ８個ずつあることが確認された。
【０１００】以上の結果から、本発明の接着テープを用
いた場合には、半導体パッケージを良好に作製すること
ができるのに対し、比較例の接着テープを用いた場合に
は、リードが埋め込まれて寸法精度が保てなかったり、
電気的信頼性試験で界面剥離が発生する、接着力の変動
が大きい等の問題があり、電子部品作製の用途に適して
いないことが明らかである。
【０１０１】
【発明の効果】本発明の電子部品用接着テープは、上記
した試験結果に見られるように、充分な耐熱性および接
着性を有しており、湿熱時において接着層と耐熱性フィ
ルムとの界面において界面剥離を生じることがない。し
たがって、本発明の電子部品用接着テープは、十分な絶
縁性が確保でき、電子部品の接着に極めて高い信頼性を
示すので、例えば、リードフレーム固定用テープ用、Ｔ
ＡＢテープ用、半導体装置を構成するリードフレーム周
辺の部材間、すなわちリードピン、半導体チップ搭載用
基板、放熱板、半導体チップ自身等の接着に好適に使用
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明または従来の接着テープを使用した樹
脂封止型半導体装置の一例の断面図である。
【図２】 本発明または従来の接着テープを使用した樹
脂封止型半導体装置の他の一例の断面図である。
【図３】 本発明または従来の接着テープを使用した樹
脂封止型半導体装置のさらに他の一例の断面図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ、２…金属放熱板、３…リードピン、
４…ボンディングワイヤー、５…樹脂、６…接着層、７
…ダイパッド、８…電極。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−27427（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−62324（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−325533（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−67559（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−245070（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−148566（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−179651（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−149759（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−1723（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−333553（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09J 7/02 C09J 179/08 H01L 21/52 H01L 21/60 311

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 耐熱性フィルムの少なくとも一面に積層
    した接着層が、下記式（１ａ）で表される構造単位およ
    び下記式（１ｂ）で表される構造単位の少なくとも１種
    の９０〜５０モル％と、下記式（２ａ）で表される構造
    単位および下記式（２ｂ）で表される構造単位の少なく
    とも１種の１０〜５０モル％とを含有する少なくとも１
    つのポリイミドと、該ポリイミド１００重量部に対し
    ０．１〜１５重量部のシランカップリング剤とよりなる
    ことを特徴とする電子部品用接着テープ。 【化１】 ［式中、Ａｒは、下記構造から選ばれる芳香環を有する
    二価の基を示す。 【化２】 （式中Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＲ4 は、それぞれ同じで
    も異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアル
    キル基又はアルコキシ基を示すが、Ｒ1 〜Ｒ4 の全ての
    基が同時に水素原子であることはない。）］ 【化３】 （式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキレン基またはメチ
    レン基がＳｉに結合している−ＣＨ2 ＯＣ6 Ｈ4 −を示
    し、ｎは１〜２０の整数を意味する。）
  2. 【請求項２】 耐熱性フィルムが、ポリイミド樹脂フィ
    ルムであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品
    用接着テープ。
  3. 【請求項３】 接着層に含有させるシランカップリング
    剤がアルコキシシラン系カップリング剤であることを特
    徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品用接
    着テープ。
  4. 【請求項４】 接着層に、粒径１μｍ以下のフィラー
    ０．１〜５０重量％が含まれることを特徴とする請求項
    １ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品用接着テ
    ープ。
  5. 【請求項５】 接着層の表面に剥離性シートを設けたこ
    とを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記
    載の電子部品用接着テープ。
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