TWI406879B - Ｃｏｆ安裝用密封劑、及使用該密封劑密封之半導體零件 - Google Patents

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Description

COF安裝用密封劑、及使用該密封劑密封之半導體零件
本發明係關於薄膜覆晶(chip on film，即COF)安裝用密封劑、以及使用此密封劑密封之半導體零件。
隨著半導體之積體度提高，密封半導體之形態係從使半導體晶片與基板以打線接合(wire bonding)而導通之針柵陣列(pin grid array)等晶片直接封裝(chip on board)方式，轉移成使半導體晶片與基板間以凸塊(bump)而導通之覆晶(flip chip)方式。在覆晶方式中，為了密封晶片與基板間之間隙，使用無溶劑型單成份環氧樹脂組成物作為密封劑(例如，參照專利文獻1、專利文獻2)。一般而言，在此等密封劑中，為了防止起因於熱應力之凸塊破壞而大量調配二氧化矽等無機填料。
另一方面，基板材料係從以往之剛性玻璃布－環氧基板等，轉移成撓性之薄膜基板。最近，COF安裝正被熱烈採用作為使用薄膜基板時之安裝方式。一般而言，COF安裝係藉由將半導體晶片之電極之Au凸塊連接於薄膜基板上之導體配線，然後在薄膜基板與半導體晶片之間隙中注入密封劑並使其硬化而進行。在COF安裝中，多將密封劑之注入與暫時硬化(100至180℃，3分鐘以上且未達30分鐘左右)以捲盤至捲盤(reel to reel)之方式進行，而後以分批處理進行主要硬化(100至180℃，30至480分鐘左右)。
若根據COF安裝，與以往相比則有可使半導體晶片之凸塊間距(pitch)、或是半導體晶片與基板之間隙窄化的優點。但是，因此，當使用調配有大量無機填料之以往之密封劑時，有不會滲入間隙之問題。
另一方面，亦有提案出不含有無機填料而適合COF安裝之密封劑。例如，提案如降低伸長率而提高對於薄膜基板之黏著性之手法(專利文獻3)，但在使用此等手法時，因在將密封劑注入時所帶入之氣泡、或使密封劑硬化時之剝落，而可能產生空孔(void)，故難以得到信賴度高之半導體零件(參照如專利文獻4)。
並且，關於COF安裝過程，由於使已注入以暫時硬化所加熱之密封劑的附有半導體晶片之薄膜基板，在直至主要硬化之分批處理前之間隔時間被保管在室溫且溫度下降，故因密封劑收縮而產生與電極之落差，相對於此落差，薄膜基板係無法適應而產生剝離，隨著電極間距變窄，所得到之COF封裝信賴度之損害變為顯著。
(專利文獻1)日本特開2002－097257號公報(專利文獻2)日本特開2001－279058號公報(專利文獻3)日本特開2002－302534號公報(專利文獻4)日本特開2004－221319號公報
本發明之目的係提供一種可解決上述問題且能得到信賴度高之半導體零件的COF安裝用密封劑，更進一步提供信賴度高之半導體零件。
本發明係關於一種COF安裝用密封劑，其含有：(A)環氧樹脂、(B)酸酐系硬化劑以及(C)咪唑(imidazole)系及/或三(triazine)系硬化促進劑，並且相對於(A)成分與(B)成分與(C)成分之合計100重量份，(C)成分為0.6至10重量份。
此外，本發明係關於一種COF安裝用密封劑，其含有：(A)環氧樹脂、(B)酸酐系硬化劑、以及(C)咪唑系及/或三系硬化促進劑，並且在150℃之凝膠時間為40至130秒，膠化之溫度依賴性(temperature dependency)為－5至－13。
再者，本發明係關於一種半導體零件之製造方法，其包括下列步驟：(1)將半導體晶片之電極連接於薄膜基板之電極的步驟；(2)在薄膜基板與半導體晶片之間注入上述COF安裝用密封劑的步驟；以及(3)將已注入COF安裝用密封劑的附有半導體晶片之薄膜基板在100至180℃進行暫時硬化3分鐘以上且未達30分鐘後放置冷卻，接著在100至180℃進行主要硬化30分鐘至480分鐘的步驟。
此外，本發明係關於使用上述COF安裝用密封劑所密封之半導體零件、以及依據上述製造方法所製造之半導體零件。
根據本發明之COF安裝用密封劑，即使在凸塊間距、或是半導體晶片與基板之間隙為狹窄時，滲透性亦充分，而關於密封劑之硬化物，可抑制空孔之產生，且充分得到與薄膜基板之黏著性，故結果可得到信賴性高之半導體零件。
在第一實施態樣中，本發明係關於一種COF安裝用密封劑，其含有：(A)環氧樹脂、(B)酸酐系硬化劑、以及(C)咪唑系及/或三系硬化促進劑，並且相對於(A)成分與(B)成分與(C)成分之合計100重量份，(C)成分為0.6至10重量份。本發明之COF安裝用密封劑通常在常溫下為液態。再者，在本說明書中，所謂在常溫下為液態，係指在10至35℃之任何溫度下顯示流動性者。
(A)環氧樹脂
(A)成分只要是在1分子中具有2個以上之環氧基之環氧化合物，則無特別限定。環氧樹脂係以在常溫下為液態為較理想，但即使在常溫下為固體者，亦可藉由其他之液狀環氧樹脂或稀釋劑所稀釋，使其在常溫示為液狀而使用。
具體而言，可例示如雙酚A型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、酚醛清漆(novolac)型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、萘型環氧樹脂、醚系或聚醚系環氧樹脂、含環氧乙烷(oxirane)環之聚丁二烯、聚矽氧(silicone)環氧共聚物樹脂等。
特別是，以在常溫下為液態之環氧樹脂而言，可例示如雙酚A型環氧樹脂之平均分子量為約400以下者；如對－環氧丙氧基苯基二甲基參－雙酚A二環氧丙基醚(p－glycidyloxyphenyldimethyltrisbisphenol A diglycidylether)等分支狀多官能雙酚A型環氧樹脂；雙酚F型環氧樹脂；酚酚醛清漆型環氧樹脂之平均分子量為約570以下者；如二氧化乙烯(3,4－環己烯)、3,4－環氧基環己基羧酸(3,4－環氧環己基)甲酯、己二酸雙(3,4－環氧基－6－甲基環己基甲基)酯、2－(3,4－環氧基環己基)5,1－螺(3,4－環氧基環己基)－間－二烷等脂環式環氧樹脂；如3,3’,5,5’－四甲基－4,4’－二環氧丙氧基聯苯等聯苯型環氧樹脂；如六氫酞酸二環氧丙酯、3－甲基六氫酞酸二環氧丙酯、六氫對酞酸二環氧丙酯等環氧丙酯型環氧樹脂、如二環氧丙基苯胺、二環氧丙基甲苯胺、三環氧丙基對胺基酚、四環氧丙基間茬二胺、四環氧丙基雙(胺基甲基)環己烷等環氧丙基胺型環氧樹脂；以及如1,3－二環氧丙基－5－甲基－5－乙基乙內醯脲等乙內醯脲(hydantoin)型環氧樹脂；含萘環環氧樹脂。此外，也能使用如1,3－雙(3－環氧丙氧基丙基)－1,1,3,3－四甲基二矽氧烷等具有聚矽氧骨架之環氧樹脂。再者，亦可例示如(聚)乙二醇二環氧丙基醚、(聚)丙二醇二環氧丙基醚、丁二醇二環氧丙基醚、新戊二醇二環氧丙基醚等二環氧化合物；如三羥甲基丙烷三環氧丙基醚、甘油三環氧丙基醚等三環氧化合物等。
從交聯密度及硬化性之觀點來看，環氧樹脂係以包含具有3個以上環氧基之環氧樹脂為較理想，且從較能降低黏度之點來看，以包含具有3個環氧基之環氧樹脂為較理想。
以具有3個環氧基之環氧樹脂而言，可列舉例如二環氧丙基苯胺之苯環係再以二環氧丙基所取代而成的環氧樹脂。具體而言，能列舉如式(1)所示之環氧樹脂： (式中，R為氫、甲基或乙基)，更具體而言，能列舉如式(1’)所示之環氧樹脂：
亦可併用在常溫下為固體或超高黏性之環氧樹脂，就如此之環氧樹脂而言，可例示如高分子量之雙酚A型環氧樹脂、酚醛清漆環氧樹脂、四溴雙酚A型環氧樹脂等。此等可與在常溫下為液態之環氧樹脂及/或稀釋劑加以組合，調節流動性而使用。
當使用在常溫下為固體或超高黏性之環氧樹脂時，以與低黏度之環氧樹脂，例如與(聚)乙二醇二環氧丙基醚、(聚)丙二醇二環氧丙基醚、丁二醇二環氧丙基醚、新戊二醇二環氧丙基醚等二環氧化合物；如三羥甲基丙烷三環氧丙基醚、甘油三環氧丙基醚等三環氧化合物等加以組合為較理想。
當使用稀釋劑時，雖可使用非反應性稀釋劑及反應性稀釋劑之任一種，但以反應性稀釋劑為較理想。在本說明書中，所謂反應性稀釋劑係指具有1個環氧基且在常溫下之黏度較低的化合物，而除了環氧基以外，因應目的可具有其他之聚合性官能基，例如乙烯基、烯丙基等烯基；或丙烯醯基、甲基丙烯醯基等不飽和羧酸殘基。以如此之反應性稀釋劑而言，可例示如正丁基環氧丙基醚、2－乙基己基環氧丙基醚、苯基環氧丙基醚、甲苯酚基環氧丙基醚(cresyl glycidyl ether)、對－第二丁基苯基環氧丙基醚、氧化苯乙烯、氧化α－蒎烯(α－pinene oxide)等單環氧化合物；如烯丙基環氧丙基醚、甲基丙烯酸環氧丙酯、1－乙烯基－3,4－環氧環己烷等具有其他官能基之單環氧化合物等。
環氧樹脂可單獨使用或併用2種以上。環氧樹脂本身以在常溫下為液態為較理想。較理想者係在環氧樹脂之整體中，30重量%以上為式(1)所示之環氧樹脂，更理想者係40至100重量%。式(1)所示之環氧樹脂與雙酚A型環氧樹脂及/或雙酚F型環氧樹脂之組合係特別理想。
(B)酸酐系硬化劑
以(B)成分而言，可例示如甲基四氫酞酸酐系、甲基六氫酞酸酐系、烷基化四氫酞酸酐系、六氫酞酸酐系、甲基5－降冰片烯－2,3－二羧酸酐(methyl 5－norbornene－2,3－dicarboxylic anhydride,亦即methyl himic anhydride)系、以烯基所取代之琥珀酸酐系、甲基耐地酸酐(methyl nadic anhydride)系、戊二酸酐系之硬化劑等。
其中，以從3,4－二甲基－6－(2－甲基－1－丙烯基)－1,2,3,6－四氫酞酸酐、1－異丙基－4－甲基－雙環[2.2.2]辛－5－烯－2,3－二羧酸酐、降冰片烯－2,3－二羧酸酐、甲基降冰片烯－2,3－二羧酸酐、氫化甲基耐地酸酐、以烯基所取代之琥珀酸酐、二乙基戊二酸酐中選出之酸酐為較理想，更理想者係3,4－二甲基－6－(2－甲基－1－丙烯基)－1,2,3,6－四氫酞酸酐、二乙基戊二酸酐或以式(2)所示之烯基所取代之琥珀酸酐： (式中，R係直鏈狀之C8 至C15 烯基)。
酸酐系硬化劑可單獨使用或併用2種以上。
(C)咪唑系及/或三系硬化促進劑
以(C)成分之咪唑系硬化促進劑而言，可例示如2－甲基咪唑、2－十一基咪唑、2－十七基咪唑、2－乙基－4－甲基咪唑、2－苯基咪唑、2－苯基－4－甲基咪唑。此外，以三系硬化促進劑而言，可列舉如2,4－二胺基－6－[2’－甲基咪唑基－(1’)]乙基均三等。此等係可單獨使用，亦可併用2種以上。
在第一實施態樣中，其特徵為使(C)成分之調配量，相對於(A)成分與(B)成分與(C)成分之合計100重量份，成為0.6至10重量份。在非填料系密封劑方面係通常注重對於特性之影響等，而以0.2至0.4重量份左右調配硬化促進劑，但本發明係藉由大量調配，而意外地發現可抑制空孔之產生且得到與薄膜基板之良好黏著性者。(C)成分之調配量，較理想為1.5至5重量份。
(A)成分與(B)成分之調配比例係無特別限定，相對於(A)成分中之環氧基1莫耳，(B)成分之酸酐系硬化劑可為0.6至1.2莫耳，較理想為0.65至1.0莫耳。
在本發明之COF安裝用密封劑中，在不損及本發明之效果之範圍內，可因應需要而含有著色劑(例如，碳黑、染料等)、阻燃劑、離子阱劑、消泡劑、調平劑(leveling agent)等。此外，為了使對於基板之黏著性提高，也可含有3－環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3－環氧丙氧基丙基(甲基)二甲氧基矽烷、2－(2,3－環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯基氧丙基三甲氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、3－(2－胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷等矽烷偶合劑等。再者，使用固態材料時，以使用已使最大長度變為1 μm以下之大小者為較理想。
本發明之COF安裝用密封劑，係在本質上不含有溶劑。所謂在本質上不含有溶劑，係指溶劑為0.2重量%以下，較理想者為0.05重量%以下。以溶劑而言，可列舉如甲基異丁基酮、甲基乙基酮、丙酮、丙二醇單乙基醚乙酸酯、乙酸3－甲基－3－甲氧基丁酯等。
此外，本發明之COF安裝用密封劑，係在本質上不含有二氧化矽等無機填料(惟，除了碳黑等顏料)，而為非填料系密封劑。所謂在本質上不含有無機填料，係指無機填料為5重量%以下，較理想的係3重量%以下，更理想者為0重量%。因此，即使在半導體晶片與薄膜基板之間隙或凸塊縫隙為狹窄時，密封劑仍能充分滲透。
從在密封時之滲透性等之觀點來看，本發明之COF安裝用密封劑之黏度(25℃、E型黏度計、轉速10rpm)以約100至2000mPa．S為較理想。
本發明之COF安裝用密封劑之製造方法係無特別限定，例如可將原料以預定之調配，投入流星型攪拌機、溶解器、珠磨機(beads mill)、缽磨機、球磨機(pot mill)、三支輥磨機(roll mill)、迴轉式混合機、二軸混合機等混合機混合而製造。
再者，以從原材料或副材料、製造步驟等中去除無可避免產生之雜質為較理想。雖然沒有限定使用耐輪等篩而過濾、利用微孔(micropore)而過濾、藉由超離心機而分離等方法，但因此，以極力將薄膜基板電極間距之1/2以上大小之雜質去除為較理想。
在第二實施態樣中，本發明係關於一種COF安裝用密封劑，其含有：(A)環氧樹脂、(B)酸酐系硬化劑、以及(C)咪唑系及/或三系硬化促進劑，並且在150℃之凝膠時間為40至130秒，膠化之溫度依賴性為－5至－13。
在本發明中，膠化之溫度依賴性，係測定關於密封劑在120、130、140、150℃之凝膠時間，並將溫度與凝膠時間之關係經由最小平方法作為近似直線時之斜率。膠化之溫度依賴性係通常為負值，而溫度越高則凝膠時間會變越短。絕對值較大之一方，意指依據溫度之凝膠時間之變化大。
凝膠時間，係依據參考JIS K 5600－9－1之以下方法所測定之值。在預定溫度之熱板上，供給COF安裝用密封劑5mg±1mg，藉由攪拌棒如畫圓般攪拌使其增加黏度。從供給至熱板上之時間點開始，直至在一面攪拌同時拿起攪拌棒使其分離時之牽絲變成5mm以下為止，以此時間作為凝膠時間。所謂COF安裝用密封劑5mg±1mg，意指供給至熱板上之COF安裝用密封劑係原則上為5mg，但容許上下1mg為止之誤差。
若在150℃之凝膠時間為40至130秒，膠化之溫度依賴性為－5至－13之範圍，則密封劑之硬化速度與硬化收縮係作用於抑制空孔產生之方向，而被認為是得到與薄膜基板之良好黏著性者。凝膠時間係較理想為50至80秒，膠化之溫度依賴性係較理想為－6至－8。
在第二實施態樣之COF安裝用密封劑中之(A)成分、(B)成分、(C)成分之例係與第一實施態樣相同。
再者，(C)成分之調配量係易反映於活性化能量，並且，其他成分為相同時，若(C)成分之調配量多，則一般而言活性化能量會有變大之傾向。以使(C)成分之調配量，相對於(A)成分與(B)成分與(C)成分之合計100重量份，成為0.6至10重量份為較理想，更理想為1.5至5重量份。關於(A)成分與(B)成分之調配比例，係與第一實施態樣相同。
再者，關於任意成分之例、COF安裝用密封劑之黏度、製造方法，係皆與第一實施態樣相同。並且，密封劑在本質上不含溶劑、以及其為非填料系，亦皆與第一實施態樣相同。
本發明之COF安裝用密封劑，例如，在裝載於薄膜基板上之半導體晶片與基板之間隙，可使用分注器從側面注入，並使其硬化而密封。注入係可在25至130℃之溫度範圍進行。在COF安裝中，間隙係通常為5至20 μm，但亦可為5 μm以下(例如3至5 μm)。此外，凸塊間距係通常為30至50 μm，但亦可為30 μm以下(例如10至30 μm)。
可使硬化之條件廣泛地變更。例如，主要硬化係可藉由在100至180℃(較理想為120至170℃)加熱30至480分鐘之時間而進行。然而，只要是可硬化，並不限於此硬化溫度，亦可以較低溫(例如65℃以上)進行。此外，使用連續硬化爐使其硬化(暫時硬化)至流動性消失後，若彙集數量以分批式硬化爐使其硬化(主要硬化)，則在生產性之點上有利。暫時硬化係可藉由在100至180℃(較佳為120至150℃)加熱3分鐘以上且未達30分鐘之時間而進行。再者，空孔係容易在暫時硬化之階段中產生，但本發明之COF安裝用密封劑係透過在此階段抑制空孔產生，而被認為是可抑制硬化物之空孔產生。
具體而言，使用本發明之COF安裝用密封劑的半導體零件的製造方法，係可列舉一種製造方法，其包括：(1)將半導體晶片之電極連接於薄膜基板之電極的步驟；(2)在薄膜基板與半導體晶片之間注入COF安裝用密封劑的步驟；以及(3)將已注入COF安裝用密封劑的附有半導體晶片之薄膜基板在100至180℃進行暫時硬化3分鐘以上且未達30分鐘後放置冷卻，接著在100至180℃進行主要硬化30分鐘至480分鐘的步驟。
在放置冷卻方面，係指在暫時硬化後、主要硬化前之保管中使溫度下降，具體而言係指使已注入COF安裝用密封劑的附有半導體晶片之薄膜基板之溫度下降至80℃以下。
在上述之製造方法中，薄膜基板係無特別限定，可列舉如聚醯亞胺基板。本發明之COF安裝用密封劑係抑制空孔之產生，且與薄膜基板之黏著性充分，即使在電極間距係15至40 μm為狹窄時，在暫時硬化後、本硬化前放置冷卻時，亦難以產生剝離，而得到信賴度高之半導體零件。
以本發明之COF安裝用密封劑所密封之半導體零件係適合作為顯示器驅動用(特別是液晶顯示器驅動用)之半導體零件，而可使用於液晶顯示模組。
(實施例)
以下，藉由實施例詳細說明本發明，但本發明係並非被此等所限定。表內所示者只要無特別說明即為重量份。
將下述表1所示之成分使用流星型攪拌機、溶解器、三支輥磨機及珠磨機混合(惟，在實施例1及2中係使用珠磨機以外者)而一致化後，使用# 500之不鏽鋼網進行過濾，之後，藉由使用真空除泡機將樹脂中之氣泡去除而得到實施例1至4之COF安裝用密封劑。
針對實施例1至4之COF安裝用密封劑，使用E型黏度計(東機產業股份公司製、機器名：TVE－22H、轉速10rpm)在25℃測定黏度。此外，凝膠時間係如下述般測定。在預定溫度之熱板(小池精密機器製作所製之加熱板HP－19U300)上，供給實施例1至4之COF密封劑5mg±1mg，且藉由攪拌棒如畫圓般攪拌，測定從供給開始直至一面攪拌同時拿起攪拌棒使其分離時之牽絲變成5mm以下為止的時間，作為凝膠時間。測定在120、130、140及150℃之凝膠時間，如第1圖所示，繪製出溫度(絕對溫度)與凝膠時間之關係，且以最小平方法計算出近似直線時之斜率，作為膠化之溫度依賴性。結果如表1所示。
此外，針對實施例1至4之COF安裝用密封劑之信賴度，從空孔及洩漏(leak)之產生來評估。
空孔係如下述般進行評估。在使具有金凸塊之LCD驅動用IC(晶片大小1.6mm×15.1mm、凸塊數726個、直線凸塊排列)與具有已鍍錫之30 μm距之銅接線之聚醯亞胺膠帶基材以金－錫共晶所連接之COF封裝上，將實施例1至4之COF安裝用密封劑5.0mg在100℃使用分注器(dispenser)注入。接著，在140℃處理5分鐘使密封劑暫時硬化。針對薄膜基板，從與半導體晶片連接側為相反之方向使用光學顯微鏡(倍率200倍)進行觀察，確認每1封裝之空孔數。空孔數與評估之關係係：◎：3個以下、○：4至10個、△：11至40個、×：41個以上。結果如表1所示。再者，實施例1至4之COF安裝用密封劑係任一者對於間隙之滲透性皆為良好。
洩漏係如下述般進行評估。在薄膜基板(於38 μm厚之聚醯亞胺薄膜(kapton film)上，形成銅/錫之型樣(8.0/0.2 μm厚)者；型樣(pattern)係寬15 μm、線間隔15 μm、型樣距30 μm)使用分注器，塗佈實施例1至4之COF安裝用密封劑5mg，接著再將38 μm厚之聚醯亞胺薄膜重疊。接著，在150℃處理30分鐘使密封劑硬化。使用離子遷移(ion migration)評估系統(ESPEC公司製)，在85℃/濕度85%之條件下，施加60V之電荷，確認絕緣電阻之狀況。◎：經過1000小時後亦保持1×109 Ω以上、×：未達1000小時即已降低至1×107 Ω以下。結果如表1所示。
環氧樹脂1：雙酚F型環氧樹脂(環氧當量165)環氧樹脂2：雙酚A型環氧樹脂(環氧當量189)環氧樹脂3： 硬化促進劑1：2－苯基－4－甲基咪唑硬化促進劑2：2,4－二胺基－6－[2’－甲基咪唑基－(1’)]－乙基均三矽烷偶合劑：3－環氧丙基丙氧基三甲氧基矽烷
本發明之COF安裝用密封劑係抑制空孔產生，且於洩漏之方面亦優良。特別是含有式(1)之環氧樹脂的實施例3及4係表示出良好結果。
第1圖係針對實施例1至4及比較例，測定在120、130、140及150℃之凝膠時間，而繪製出溫度(絕對溫度)與凝膠時間之關係的圖。
無元件符號

Claims (13)

  1. 一種COF安裝用密封劑，其含有：(A)環氧樹脂、(B)酸酐系硬化劑、以及(C)咪唑系及/或三系硬化促進劑，並且相對於(A)成分與(B)成分與(C)成分之合計100重量份，(C)成分為0.6至10重量份；其中，(A)成分的30重量%以上為下述式(1)所示之環氧樹脂 (式中，R為氫、甲基或乙基)。
  2. 一種COF安裝用密封劑，其含有：(A)環氧樹脂、(B)酸酐系硬化劑、以及(C)咪唑系及/或三系硬化促進劑，並且在150℃之凝膠時間為40至130秒，膠化之溫度依賴性為-5至-13；其中，(A)成分的30重量%以上為下述式(1)所示之環氧樹脂 (式中，R為氫、甲基或乙基)。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之COF安裝用密封劑， 其中，(C)成分含有從由2-甲基咪唑、2-十一基咪唑、2-十七基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑及2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]乙基均三所成組群中選出之1種以上。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之COF安裝用密封劑，其中，(B)成分含有從由3,4-二甲基-6-(2-甲基-1-丙烯基)-1,2,3,6-四氫酞酸酐、1-異丙基-4-甲基-雙環[2.2.2]辛-5-烯-2,3-二羧酸酐、降冰片烯-2,3-二羧酸酐、甲基降冰片烯-2,3-二羧酸酐、氫化甲基耐地酸酐、以烯基所取代之琥珀酸酐及二乙基戊二酸酐所成組群中選出之1種以上。
  5. 如申請專利範圍第3項之COF安裝用密封劑，其中，(B)成分含有從由3,4-二甲基-6-(2-甲基-1-丙烯基)-1,2,3,6-四氫酞酸酐、1-異丙基-4-甲基-雙環[2.2.2]辛-5-烯-2,3-二羧酸酐、降冰片烯-2,3-二羧酸酐、甲基降冰片烯-2,3-二羧酸酐、氫化甲基耐地酸酐、以烯基所取代之琥珀酸酐及二乙基戊二酸酐所成組群中選出之1種以上。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項之COF安裝用密封劑，其中，相對於(A)成分中之環氧基1莫耳，(B)成分為0.6至1.2莫耳。
  7. 如申請專利範圍第3項之COF安裝用密封劑，其中，相對於(A)成分中之環氧基1莫耳，(B)成分為0.6至1.2莫耳。
  8. 如申請專利範圍第4項之COF安裝用密封劑，其中， 相對於(A)成分中之環氧基1莫耳，(B)成分為0.6至1.2莫耳。
  9. 如申請專利範圍第5項之COF安裝用密封劑，其中，相對於(A)成分中之環氧基1莫耳，(B)成分為0.6至1.2莫耳。
  10. 一種半導體零件之製造方法，其包括：(1)將半導體晶片之電極連接於薄膜基板之電極的步驟；(2)在薄膜基板與半導體晶片之間注入申請專利範圍第1項至第9項中任一項之COF安裝用密封劑的步驟；以及(3)將已注入COF安裝用密封劑的附有半導體晶片之薄膜基板在100至180℃進行暫時硬化3分鐘以上且未達30分鐘後放置冷卻，接著在100至180℃進行主要硬化30分鐘至480分鐘的步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項之半導體零件之製造方法，其中，薄膜基板之電極間距為15至40μm。
  12. 一種半導體零件，其係使用申請專利範圍第1項至第9項中任一項之COF安裝用密封劑所密封。
  13. 一種半導體零件，其係依據申請專利範圍第10項或第11項之製造方法所製造。
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