JPWO2007132827A1

JPWO2007132827A1 - Ｃｏｆ実装用封止剤、及びこれを用いて封止した半導体部品

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Publication number: JPWO2007132827A1
Application number: JP2008515553A
Authority: JP
Inventors: 英典飯田; 敏行佐藤; 寛史高杉; 洋希本間
Original assignee: Namics Corp
Current assignee: Namics Corp
Priority date: 2006-05-15
Filing date: 2007-05-15
Publication date: 2009-09-24
Anticipated expiration: 2027-05-15
Also published as: KR20090015062A; TW200745197A; TWI406879B; KR101373791B1; JP5317695B2; WO2007132827A1

Abstract

信頼性の高い半導体部品を得ることのできるＣＯＦ実装用封止剤、さらには信頼性の高い半導体部品を提供する。本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物系硬化剤並びに（Ｃ）イミダゾール系及び／又はトリアジン系硬化促進剤を含み、（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計１００重量部に対して、（Ｃ）成分が０．６〜１０重量部である、ＣＯＦ実装用封止剤に関する。また、本発明は、１５０℃におけるゲルタイムが４０〜１３０秒であり、ゲル化の温度依存性が−５〜−１３であるＣＯＦ実装用封止剤に関する。

Description

本発明は、チップオンフィルム（ＣＯＦ）実装用封止剤、及びこの封止剤を用いて封止した半導体部品に関する。

半導体の集積度の高まりに伴い、半導体を封止する形態は、半導体チップと基板とをワイヤーボンディングで導通させるピングリッドアレイ等のチップオンボード方式から、半導体チップと基板間をバンプで導通させるフリップチップ方式へ移行している。フリップチップ方式においては、チップと基板の間の隙間を封止するため、封止剤として無溶剤型の一液性エポキシ樹脂組成物が使用されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。一般に、これらの封止剤には、熱応力に起因するバンプの破壊を防ぐためにシリカ等の無機フィラーが多量に配合されている。

一方、基板材料は、従来のリジッドなガラス布−エポキシ基板等から、フレキシブルなフィルム基板へ移行している。最近では、フィルム基板を使用した場合の実装方式として、ＣＯＦ実装が盛んに採用されている。ＣＯＦ実装は、一般に、フィルム基板上の導体配線に、半導体チップの電極のＡｕバンプを接続し、その後、フィルム基板と半導体チップとの隙間に封止剤を注入し、硬化させることにより行なわれる。ＣＯＦ実装では、封止剤の注入と仮硬化（１００〜１８０℃、３分以上、３０分未満程度）を、リール・ツー・リールで行ない、その後にバッチ処理で本硬化（１００〜１８０℃、３０〜４８０分程度）をすることが多い。

ＣＯＦ実装によれば、従来よりも、半導体チップのバンプのピッチや、半導体チップと基板の隙間を狭くすることができるという利点がある。しかし、このため、無機フィラーが多量に配合された従来の封止剤を使用した場合、隙間に浸入していかないという問題があった。

一方、無機フィラーを含有させず、ＣＯＦ実装に適した封止剤も提案されている。例えば、引張弾性率を下げてフィルム基板に対する密着性を高める手法が提言されているが（特許文献３）、これらを用いた場合においても、封止剤を流し込む際に巻き込まれる気泡や、封止剤を硬化させる際の剥離によって、ボイドが発生しうるため、信頼性の高い半導体部品を得ることが困難であった（例えば特許文献４参照）。

さらに、ＣＯＦ実装の工程に関しては、仮硬化で加熱された封止剤注入済み半導体チップ付きフィルム基板が、本硬化でのバッチ処理までの間に室温で保管されて温度が下がることにより、封止剤の収縮によって生ずる電極との段差に対してフィルム基板が追従できずに剥離が生じて、得られたＣＯＦパッケージの信頼性を損なうことが、電極ピッチが狭くなるに従い、顕著となってきていた。
特開２００２−０９７２５７号公報特開２００１−２７９０５８号公報特開２００２−３０２５３４号公報特開２００４−２２１３１９号公報

本発明の目的は、上記の問題を解決し、信頼性の高い半導体部品を得ることのできるＣＯＦ実装用封止剤、さらには信頼性の高い半導体部品を提供するものである。

本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物系硬化剤並びに（Ｃ）イミダゾール系及び／又はトリアジン系硬化促進剤を含み、（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計１００重量部に対して、（Ｃ）成分が０．６〜１０重量部である、ＣＯＦ実装用封止剤に関する。

また、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物系硬化剤並びに（Ｃ）イミダゾール系及び／又はトリアジン系硬化促進剤を含み、１５０℃におけるゲルタイムが４０〜１３０秒であり、ゲル化の温度依存性が−５〜−１３であるＣＯＦ実装用封止剤に関する。

さらに、本発明は、（１）フィルム基板の電極に半導体チップの電極を接続する工程、（２）フィルム基板と半導体チップの間に上記ＣＯＦ実装用封止剤を注入する工程、及び（３）ＣＯＦ実装用封止剤注入済み半導体チップ付きフィルム基板を１００〜１８０℃で３分以上、３０分未満で仮硬化した後、放冷し、次いで１００〜１８０℃で３０〜４８０分間本硬化する工程を含む、半導体部品の製造方法に関する。

また、本発明は、上記ＣＯＦ実装用封止剤を使用して封止された半導体部品、及び上記製造方法によって製造された半導体部品に関する。

本発明のＣＯＦ実装用封止剤によれば、バンプピッチや、半導体チップと基板の隙間が狭い場合でも浸入性が十分であり、封止剤の硬化物について、ボイドの発生が抑制され、かつフィルム基板との密着性が十分に得られ、その結果、信頼性の高い半導体部品が得られる。

実施例１〜４及び比較例について、１２０、１３０、１４０及び１５０℃でのゲルタイムを測定し、温度（絶対温度）とゲルタイムの関係をプロットした図である。

第一の実施態様において、本発明は（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物系硬化剤並びに（Ｃ）イミダゾール系及び／又はトリアジン系硬化促進剤を含み、（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計１００重量部に対して、（Ｃ）成分が０．６〜１０重量部である、ＣＯＦ実装用封止剤に関する。本発明のＣＯＦ実装用封止剤は、通常、常温で液状である。なお、本明細書において、常温で液状とは、１０〜３５℃のいずれかで流動性を示すことをいう。

（Ａ）エポキシ樹脂
（Ａ）成分は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物であれば、特に限定されない。エポキシ樹脂は、常温で液状であることが好ましいが、常温で固体のものであっても、他の液状のエポキシ樹脂又は希釈剤により希釈し、常温で液状を示すようにして用いることができる。

具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、エーテル系又はポリエーテル系エポキシ樹脂、オキシラン環含有ポリブタジエン、シリコーンエポキシコポリマー樹脂等が例示される。

特に、常温で液状であるエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の平均分子量が約４００以下のもの；ｐ−グリシジルオキシフェニルジメチルトリスビスフェノールＡジグリシジルエーテルのような分岐状多官能ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂の平均分子量が約５７０以下のもの；ビニル（３，４−シクロヘキセン）ジオキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルカルボン酸（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル、アジピン酸ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）５，１−スピロ（３，４−エポキシシクロヘキシル）−ｍ−ジオキサンのような脂環式エポキシ樹脂；３，３′，５，５′−テトラメチル−４，４′−ジグリシジルオキシビフェニルのようなビフェニル型エポキシ樹脂；ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、３−メチルヘキサヒドロフタル酸ジグリシジル、ヘキサヒドロテレフタル酸ジグリシジルのようなグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ジグリシジルアニリン、ジグリシジルトルイジン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、テトラグリシジルビス（アミノメチル）シクロヘキサンのようなグリシジルアミン型エポキシ樹脂；並びに１，３−ジグリシジル−５−メチル−５−エチルヒダントインのようなヒダントイン型エポキシ樹脂；ナフタレン環含有エポキシ樹脂が例示される。また、１，３−ビス（３−グリシドキシプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンのようなシリコーン骨格をもつエポキシ樹脂も使用することができる。さらに、（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物等も例示される。

エポキシ樹脂は、架橋密度及び硬化性の点から、３個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましく、粘度を比較的小さくすることができる点から３個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。

３個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、ジグリシジルアニリンのベンゼン環が、さらにジグリジル基で置換されたエポキシ樹脂が挙げられる。具体的には、式（１）：

（式中、Ｒは、水素、メチル基又はエチル基である）で示されるエポキシ樹脂であり、より具体的には、式（１’）：

で示されるエポキシ樹脂が挙げられる。

常温で固体ないし超高粘性のエポキシ樹脂を併用することも可能であり、そのようなエポキシ樹脂として、高分子量のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が例示される。これらは、常温で液体であるエポキシ樹脂及び／又は希釈剤と組み合わせて、流動性を調節して使用することができる。

常温で固体ないし超高粘性であるエポキシ樹脂を用いる場合、低粘度のエポキシ樹脂、例えば、（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールジグルシジルエーテル、ブタンジオールグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルのようなジエポキシド化合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルのようなトリエポキシド化合物等と組み合わせることが好ましい。

希釈剤を用いる場合、非反応性希釈剤及び反応性希釈剤のいずれをも使用することができるが、反応性希釈剤が好ましい。本明細書において、反応性希釈剤とは、１個のエポキシ基を有する、常温で比較的低粘度の化合物のことをいうものとし、目的に応じて、エポキシ基以外に、他の重合性官能基、たとえばビニル、アリル等のアルケニル基；又はアクリロイル、メタクリロイル等の不飽和カルボン酸残基を有していてもよい。このような反応性希釈剤としては、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、α−ピネンオキシドのようなモノエポキシド化合物；アリルグリシジルエーテル、メタクリル酸グリシジル、１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサンのような他の官能基を有するモノエポキシド化合物等が例示される。

エポキシ樹脂は、単独でも、２種以上併用してもよい。エポキシ樹脂自体が、常温で液状であることが好ましい。好ましくは、エポキシ樹脂の全体中、３０重量％以上が式（１）で示されるエポキシ樹脂であり、より好ましくは４０〜１００重量％である。式（１）で示されるエポキシ樹脂とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び／又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との組み合わせが特に好ましい。

（Ｂ）酸無水物系硬化剤
（Ｂ）成分しては、メチルテトラヒドロフタル酸無水物系、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物系、アルキル化テトラヒドロフタル酸無水物系、ヘキサヒドロフタル酸無水物系、メチルハイミック酸無水物系、アルケニル基で置換されたコハク酸無水物系、メチルナジック酸無水物系、グルタル酸無水物系の硬化剤等が例示される。

中でも、３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロペニル）−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、１−イソプロピル−４−メチル−ビシクロ［２．２．２］オクト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物、ノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、メチルノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、アルケニル基で置換されたコハク酸無水物、ジエチルグルタル酸無水物から選ばれる酸無水物が好ましく、より好ましくは、３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロペニル）−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、ジエチルグルタル酸無水物又は式（２）：

（式中、Ｒは、直鎖状のＣ_８〜Ｃ_１５アルケニル基である）で示されるアルケニルで置換されたコハク酸無水物である。

酸無水物系硬化剤は、単独でも、２種以上併用してもよい。

（Ｃ）イミダゾール系及び／又はトリアジン系硬化促進剤
（Ｃ）成分のイミダゾール系硬化促進剤としては２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾールを例示することができる。またトリアジン系硬化促進剤としては、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジン等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

第一の実施態様においては、（Ｃ）成分の配合量を、（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分との合計１００重量部に対して、０．６〜１０重量部とすることを特徴とする。ノンフィラー系の封止剤では通常、特性への影響等を配慮して、硬化促進剤は０．２〜０．４重量部程度で配合されるが、本発明は、多量に配合することにより、予想外にボイドの発生が抑制され、フィルム基板との良好な接着性が得られることを見出したものである。（Ｃ）成分の配合量は、好ましくは１．５〜５重量部である。

（Ａ）成分と（Ｂ）成分の配合割合は、特に限定されず、（Ａ）成分中のエポキシ基１モルに対して、（Ｂ）成分の酸無水物系硬化剤が０．６〜１．２モルであることができ、好ましくは０．６５〜１．０モルである。

本発明のＣＯＦ実装用封止剤には、本発明の効果を損なわない範囲で必要に応じて、着色剤（例えば、カーボンブラック、染料等）、難燃剤、イオントラップ剤、消泡剤、レべリング剤等を含有させてもよい。また、基板への接着性を向上させるために、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（メチル）ジメトキシシラン、２−（２，３−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤等を含有させてもよい。なお、固形の材料を使用する場合は、最大長さが1μm以下の大きさにしたものを用いるようにすることが好ましい。

本発明のＣＯＦ実装用封止剤は、本質的に溶剤を含まない。本質的に溶剤を含まないとは、溶剤が０．２重量％以下であることをいい、好ましくは０．０５重量％以下である。溶剤としては、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、アセチルケトン、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート等が揚げられる。

また、本発明のＣＯＦ実装用封止剤は、本質的にシリカ等の無機フィラー（ただし、カーボンブラック等の顔料を除く）を含まない、ノンフィラー系の封止剤である。本質的に無機フィラーを含まないとは、無機フィラーが５重量％以下であることをいい、好ましくは３重量％以下であり、より好ましくは０重量％である。これにより、半導体チップとフィルム基板の隙間やバンプギャップが狭い場合であっても、封止剤が十分に浸入することができる。

本発明のＣＯＦ実装用封止剤は、粘度（２５℃、Ｅ型粘度計、回転数１０rpm）が、約１００〜２０００mPa・Sであることが、封止における浸入性等の点から好ましい。

本発明のＣＯＦ実装用封止剤の製造方法は、特に限定されず、例えば原料を、所定の配合で、流星型攪拌機、ディソルバー、ビーズミル、ライカイ機、ポットミル、三本ロールミル、回転式混合機、二軸ミキサー等の混合機に投入し、混合して、製造することができる。

なお、原材料や副材料、製造工程等から不可避的に生ずる不純物を除去することが好ましい。ナイロンなどのスクリーンを使用した濾過、ミクロポアを利用した濾過、超遠心分離器による分離など方法は限定されないが、これにより、フィルム基板の電極ピッチの１／２以上の大きさの不純物を極力、除去することが好ましい。

第二の実施態様において、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物系硬化剤並びに（Ｃ）イミダゾール系及び／又はトリアジン系硬化促進剤を含み、１５０℃におけるゲルタイムが４０〜１３０秒であり、ゲル化の温度依存性が−５〜−１３であるＣＯＦ実装用封止剤に関する。

本発明において、ゲル化の温度依存性は、封止剤について１２０、１３０、１４０及び１５０℃でのゲルタイムを測定し、温度とゲルタイムの関係を最小二乗法により直線近似した際の傾きとする。ゲル化の温度依存性は、通常、負の値であり、温度が高い程、ゲルタイムは短くなる。絶対値が大きい方が、温度によるゲルタイムの変化が大きいことを意味する。

ゲルタイムは、ＪＩＳＫ５６００−９−１を参考にした以下の方法によって測定した値とする。所定温度の熱板上に、ＣＯＦ実装用封止剤５mg±１mgを供給し、攪拌棒によって円を描くようにして攪拌し、増粘させる。熱板上への供給の時点から、攪拌しながら攪拌棒を持ち上げて、引き離した場合に、糸引きが５mm以下となるまでの時間をゲルタイムとする。ＣＯＦ実装用封止剤５mg±１mgとは、熱板上に供給するＣＯＦ実装用封止剤は、原則、５mgであるが、前後１mgまでの誤差は許容することを意味する。

１５０℃におけるゲルタイムが４０〜１３０秒であり、ゲル化の温度依存性が−５〜−１３の範囲にあると、封止剤の硬化速度と硬化収縮とが、ボイドの発生を抑制する方向に作用し、フィルム基板との良好な接着性が得られるものと考えられる。ゲルタイムは、好ましくは５０〜８０秒であり、ゲル化の温度依存性は、好ましくは−６〜−８である。

第二の実施態様のＣＯＦ実装用封止剤における、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分の例は、第一の実施態様と同様である。

なお、（Ｃ）成分の配合量は、活性化エネルギーに反映しやすく、他の成分が同一の場合、（Ｃ）成分の配合量が多いと一般に、活性化エネルギーは大きくなる傾向にある。（Ｃ）成分の配合量を、（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分との合計１００重量部に対して、０．６〜１０重量部とすることが好ましく、より好ましくは１．５〜５重量部である。（Ａ）成分と（Ｂ）成分との配合割合については、第一の実施態様と同様である。

なお、任意成分の例、ＣＯＦ実装用封止剤の粘度、製造方法については、第一の実施態様と同様である。さらに、封止剤が、本質的に溶剤を含まないこと、ノンフィラー系であることも、第一の実施態様と同様である。

本発明のＣＯＦ実装用封止剤は、例えば、フィルム基板上に搭載した半導体チップと基板との隙間にディスペンサ等を用いて、横から注入し、硬化させて封止することができる。注入は、２５〜１３０℃の温度範囲で行うことができる。隙間は、ＣＯＦ実装では、通常、５〜２０μmであるが、５μm以下、例えば３〜５μmにも対応可能である。また、バンプピッチは、通常、３０〜５０μmであるが、３０μm以下、例えば１０〜３０μmにも対応可能である。

硬化の条件は、幅広く変更させることができる。例えば、本硬化は、１００〜１８０℃、好ましくは１２０〜１７０℃で、３０〜４８０分の時間、加熱することにより行うことができる。しかしながら、硬化するのであれば、この硬化温度には限られず、より低温（例えば、６５℃以上）でもよい。また、連続硬化炉を用いて流動性がなくなるまで硬化（仮硬化）させた後、数量をまとめてバッチ式硬化炉にて硬化（本硬化）させると生産性の点で有利である。仮硬化は、１００〜１８０℃、好ましくは１２０〜１５０℃で、３分以上、３０分未満の時間で加熱することにより行うことができる。なお、ボイドは、仮硬化の段階において発生しやすいが、本発明のＣＯＦ実装用封止剤は、この段階でのボイド発生の抑制を通じて、硬化物についてのボイド発生を抑制することが可能となると考えられる。

具体的には、本発明のＣＯＦ実装用封止剤を用いた半導体部品の製造方法として、
（１）フィルム基板の電極に半導体チップの電極を接続する工程、
（２）フィルム基板と半導体チップの間にＣＯＦ実装用封止剤を注入する工程、及び
（３）ＣＯＦ実装用封止剤注入済み半導体チップ付きフィルム基板を１００〜１８０℃で３分以上、３０分未満で仮硬化した後、放冷し、次いで１００〜１８０℃で３０〜４８０分間本硬化する工程を含む、製造方法が挙げられる。放冷には、仮硬化後本硬化前の保管中に温度が下がることをいい、具体的にはＣＯＦ実装用封止剤注入済み半導体チップ付きフィルム基板の温度が８０℃以下まで下がることを指す。

上記の製造方法において、フィルム基板は特に限定されず、例えばポリイミド基板が挙げられる。本発明のＣＯＦ実装用封止剤は、ボイドの発生が抑制され、フィルム基板との密着性が十分であり、電極ピッチが１５〜４０μｍと狭い場合であっても、仮硬化後、本硬化前に放冷した際に剥離が生じにくく、信頼性の高い半導体部品が得られる。

本発明のＣＯＦ実装用封止剤で封止された半導体部品は、表示体駆動用、特に液晶表示体駆動用の半導体部品として適しており、液晶表示モジュールに使用することができる。

以下、実施例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。表示は、断りのない限り、重量部である。

下記表１に示す成分を、流星型攪拌機、ディソルバー、三本ロールミル及びビーズミルを用いて混合し（ただし、実施例１及び２ではビーズミル以外のものを使用）、均一にした後、＃５００のステンレスメッシュを用いて濾過を行い、その後、真空脱泡機を用いて樹脂中の気泡を除くことにより実施例１〜４のＣＯＦ実装用封止剤を得た。

実施例１〜４のＣＯＦ実装用封止剤について、粘度をＥ型粘度計（東機産業（株）社製、機器名：ＴＶＥ−２２Ｈ、回転数１０rpm）を用いて２５℃で測定した。また、ゲルタイムは以下のようにして測定した。所定温度の熱板（小池精密機器製作所製ホットプレートＨＰ−１９Ｕ３００）上に、実施例１〜４のＣＯＦ封止剤５mg±１mgを供給し、攪拌棒によって円を描くようにして攪拌し、供給から、攪拌しながら攪拌棒を持ち上げて引き離した場合に糸引きが５mm以下となるまでの時間を測定して、ゲルタイムとした。１２０、１３０、１４０及び１５０℃でのゲルタイムを測定し、図１に示すように、温度（絶対温度）とゲルタイムの関係をプロットし、最小二乗法により直線近似した際の傾きを算出して、ゲル化の温度依存性とした。結果を表１に示す。

また、実施例１〜４のＣＯＦ実装用封止剤の信頼性について、ボイド及びリークの発生の点から評価した。

ボイドは、以下のようにして評価した。金バンプを有するＬＣＤドライバ用ＩＣ（チップサイズ１．６mm×１５．１mm、バンプ数７２６個、ストレートバンプ配列）とスズメッキされた３０μmピッチの銅配線を持つポリイミドテープ基材とが金−スズ共晶接続されたＣＯＦパッケージに、実施例１〜４のＣＯＦ実装用封止剤５．０mgを、１００℃で、ディスペンサを用いて流し込んだ。次いで、１４０℃で５分間処理し、封止剤を仮硬化させた。フィルム基板について、半導体チップが接続された側とは反対の方向から光学顕微鏡（倍率２００倍）を用いて観察し、１パッケージ当たりのボイドの数を確認した。ボイドの数と評価の関係は、◎：３個以下、○：４〜１０個、△：１１〜４０個、×：４１個以上である。結果を表１に示す。なお、実施例１〜４のＣＯＦ実装用封止剤はいずれも隙間への浸入性は良好であった。

リークは、以下のようにして評価した。フィルム基板（３８μm厚カプトンフィルムに、銅／スズのパターン（８．０／０．２μm厚）を形成したもの。パターンは、幅１５μm、線間隔１５μm、パターンピッチ３０μm）に、ディスペンサを用いて、実施例１〜４のＣＯＦ実装用封止剤５mgを塗布し、次いで３８μm厚カプトンフィルムをさらに重ねた。次いで、１５０℃で３０分間処理し、封止剤を硬化させた。イオンマイグレーション評価システム（ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、８５℃／湿度８５％の条件下で、６０Ｖの電荷を印可し、絶縁抵抗の状況を確認した。◎：１０００時間経過後も１×１０⁹Ω以上を保持、×：１０００時間未満で１×１０⁷Ω以下まで低下である。結果を表１に示す。

エポキシ樹脂１：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６５）
エポキシ樹脂２：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８９）
エポキシ樹脂３：

酸無水物系硬化剤：３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロペニル）−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物

硬化促進剤１：２−フェニル−４−メチルイミダゾール
硬化促進剤２：２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン

シランカップリング剤：３-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン

本発明のＣＯＦ実装用封止剤は、ボイド発生が抑制され、リークの点でも優れていた。特に、式（１）のエポキシ樹脂を含む実施例３及び４は良好な結果を示した。

Claims

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物系硬化剤並びに（Ｃ）イミダゾール系及び／又はトリアジン系硬化促進剤を含み、（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計１００重量部に対して、（Ｃ）成分が０．６〜１０重量部である、ＣＯＦ実装用封止剤。
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物系硬化剤並びに（Ｃ）イミダゾール系及び／又はトリアジン系硬化促進剤を含み、１５０℃におけるゲルタイムが４０〜１３０秒であり、ゲル化の温度依存性が−５〜−１３であるＣＯＦ実装用封止剤。
（Ｃ）成分が、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール及び２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕エチル−ｓ−トリアジンからなる群より選択される１種以上を含む、請求項１又は２記載のＣＯＦ実装用封止剤。
（Ａ）成分が、下記式（１）：

（式中、Ｒは、水素、メチル基又はエチル基である）で示されるエポキシ樹脂を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載のＣＯＦ実装用封止剤。
（Ｂ）成分が、３，４−ジメチル−６−（２−メチル−１−プロペニル）−１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、１−イソプロピル−４−メチル−ビシクロ〔２．２．２〕オクト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物、ノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、メチルノルボルナン−２，３−ジカルボン酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、アルケニル基で置換されたコハク酸無水物及びジエチルグルタル酸無水物からなる群より選択される１種以上を含む、請求項１〜４のいずれか１項記載のＣＯＦ実装用封止剤。
（Ａ）成分中のエポキシ基１モルに対して、（Ｂ）成分が０．６〜１．２モルである、請求項１〜５のいずれか１項記載のＣＯＦ実装用封止剤。
（１）フィルム基板の電極に半導体チップの電極を接続する工程、
（２）フィルム基板と半導体チップの間に請求項１〜６のいずれか１項記載のＣＯＦ実装用封止剤を注入する工程、及び
（３）ＣＯＦ実装用封止剤注入済み半導体チップ付きフィルム基板を１００〜１８０℃で３分以上、３０分未満で仮硬化した後、放冷し、次いで１００〜１８０℃で３０分〜４８０分間本硬化する工程
を含む、半導体部品の製造方法。
フィルム基板の電極ピッチが１５〜４０μｍである、請求項７記載の半導体部品の製造方法。
請求項１〜６のいずれか１項記載のＣＯＦ実装用封止剤を使用して封止された半導体部品。
請求項７又は８記載の製造方法によって、製造された半導体部品。