JP3885452B2 - 結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン融液を冷却して一方向に徐々に凝固する結晶シリコンの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
多結晶シリコン太陽電池は、今日最も多く製造されている太陽電池である。
多結晶シリコン太陽電池の発電素子(ソーラー・セル)では、多結晶シリコンの品質がその性能を大きく左右する。そのため、多結晶シリコンの製造には、これまで様々な改良がなされてきたが、今日、多結晶シリコンの製造における最大の課題は、結晶中の不純物元素の低減および結晶性の向上である。
【0003】
多結晶シリコンの製造工程は、大きく分けて、金属シリコンから高純度シリコンを製造するプロセスとその高純度シリコンの融液を一方向凝固法により固化するプロセスの2段階に分けられるが、従来、不純物元素を低減するために、前者のプロセスにおいて、金属シリコンを塩酸と反応させてトリクロロ・シランとしてガス化し、そのガスを精留し、水素ガスと反応させながら、ガスから析出させた高純度シリコンを製造している。
【0004】
また、不純物元素を低減するために、一方向凝固時に、シリコン融液を攪拌しながら行うことも有効である。
攪拌の方法としては、例えば、特開昭61ー141612号公報に鋳型を回転する方法が、特開平5ー254817号公報に磁界の作用でシリコン融液内に攪拌力を発生させる方法が、特開平10ー182135号公報にシリコン融液内の固液界面より上部にランスを差し込んで不活性ガスを吹き込む方法が開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、第一の方法は、設備コストやメンテナンス方法に問題があり、製造コストが高くなるという問題がある。第二の方法も、設備コストが高いという問題がある。第三の方法は、ランスが溶融してシリコン融液内で不純物となり純度が低減するという問題がある。
【0006】
また、酸素濃度が高い場合、太陽電池のセル特性は低下する。しかし、主な原料としている単結晶シリコンのスクラップである塊状リメルトには多量の酸素が溶け込んでいることから、これを溶解、一方向凝固時に低減する必要があった。さらに、不活性ガスで溶湯表面を覆っていない場合、COガス、SiOガス等が侵入して、シリコン融液内の不純物濃度が増加し、前記セル特性が低下するという問題がある。
【0007】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、不純物濃度が低く、結晶性が高い高品質の多結晶シリコンを安価で容易に製造できる結晶シリコンの製造方法を提供する事を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、以下の構成を採用した。請求項1に記載の結晶シリコンの製造方法は、鋳型に収容したシリコン融液に該鋳型の内側底面から上方に正の温度勾配を付与して、前記鋳型の内側底面から上方に前記シリコン融液を結晶化する結晶シリコンの製造方法において、前記シリコン融液表面の上方にサセプターを配置し、該サセプターの一部から該サセプターと前記シリコン融液との間の空間に不活性ガスを導入し、
前記結晶化の際に、前記シリコン融液表面に上方から不活性ガスを吹き付けて、該表面をキャビティが形成される程度に揺動させることを特徴とする。この結晶シリコンの製造方法では、シリコン融液表面近傍の不活性ガスは、サセプターがあるために周囲に拡散していくことが抑制され、長時間シリコン融液表面を覆うことができる。従って、少ない流量の不活性ガスによって、効果的に周囲雰囲気中のCOガス及びSiOガスがシリコン融液内に侵入するのが防止される。また、Arガス等の不活性ガスをシリコン融液表面に吹き付け、その表面をキャビティが形成される程度に揺動させることにより、シリコン融液表面が常に新生面になるので、シリコン融液内部で発生するSiOガスの周囲雰囲気への排出が促進され、シリコン融液内の不純物であるOを効果的に除去することができる。また、ガス供給ランスをシリコン融液中に入れないので、ガス供給ランスから不純物がシリコン融液内に混入することがない。
【0009】
請求項2に記載の結晶シリコンの製造方法は、請求項1に記載の結晶シリコンの製造方法において、前記シリコン融液表面を不活性ガスで覆うことを特徴とする。
この結晶シリコンの製造方法では、シリコン融液表面をArガス等の不活性ガスで覆うので、周囲雰囲気中のCOガス及びSiOガス等の不純物ガスがシリコン融液内に侵入するのが防止される。
【0011】
請求項3に記載の結晶シリコンの製造方法は、請求項1または請求項2に記載の結晶シリコンの製造方法において、前記鋳型内のシリコンの固液界面の上昇に応じて吹き付ける不活性ガスの流量を少なくすることを特徴とする。この結晶シリコンの製造方法では、吹き付けられる不活性ガスによって固液界面が乱されることが抑制される。
【0012】
請求項4に記載の結晶シリコンの製造方法は、請求項1から請求項3のいずれかに記載の結晶シリコンの製造方法において、前記吹き付ける不活性ガスの流量、該不活性ガスをシリコン融液表面へ導くガス供給ランスの内半径、および、ランス口のシリコン融液表面からの距離とが、
3≦f/(rH)≦60
(ただし、f[l/min]:吹き付ける不活性ガスの流量
r[cm] :ランスの内半径
H[cm] :ランス口のシリコン融液表面からの距離 )
の条件を満たすことを特徴とする。この結晶シリコンの製造方法では、吹き付ける不活性ガスの流量、ガス供給ランスの内半径、および、ランス口の融液表面からの距離が、シリコン融液内部で発生するSiOガスの周囲雰囲気への排出を促進するために有効かつ適切な条件の下でシリコン融液表面を揺動させるので、シリコン融液内の不純物であるOを低減することができる。
【0013】
請求項5に記載の結晶シリコンの製造方法は、請求項4に記載の結晶シリコンの製造方法において、前記ランスの本数が、前記シリコン融液の表面積に応じて1本または複数本であることを特徴とする。この結晶シリコンの製造方法では、シリコン融液の表面積に応じて、シリコン融液内部で発生するSiOガスの周囲雰囲気への排出を促進するために有効かつ適切な本数のランスによりシリコン融液表面を揺動させるので、シリコン融液内の不純物であるOを低減することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る結晶シリコンの製造方法の好適な実施の形態を図を参照して説明する。
【0015】
図1は、本発明の結晶シリコンの製造方法において、使用する結晶シリコン製造装置の鋳型周辺部の正面の概略断面図である。
図中、符号1は図示していないチャンバーの内部に設置された鋳型、2aは該鋳型の上方に配置された上ヒーター、2bは冷却板の下部に載置された下ヒーター、3は鋳型の下部に配置された冷却板、4は鋳型1、上ヒーター2a、下ヒーター2b、冷却板3を囲む保温材、5は保温材4の外部から挿入され鋳型1の上方に配置されたガス供給ランス、および6はガス供給ランス5を中央部で嵌合し、鋳型1の開口部1aの大部分を塞ぐように鋳型1の開口部1a近傍に配置されたサセプターである。
【0016】
このような構成の装置を用いて、結晶シリコンを製造する場合には、まず、鋳型1内に原料の固体シリコンを収容する。そして、雰囲気ガスとして不活性ガスを図示していないチャンバー上部からチャンバー内に流入し、鋳型1内の固体シリコンを上ヒーター2a、下ヒーター2bにより加熱して溶融し、鋳型1内の固体シリコンをシリコン融液10とする。次に、ガス供給ランス5から不活性ガスとして例えばArガスを供給して、シリコン融液10の表面をそのArガスで覆い、図2において矢印で示すようなガスの流れを作り、かつ、吹き付けるガスにより、融液表面にキャビティが形成するように湯面揺動させる。次いで、下ヒーター2bによる加熱をとき、冷却板3により鋳型1内ののシリコン融液10の冷却を開始する。このとき、シリコン融液10は冷却板3により鋳型1の底部1aから冷却される。鋳型1内のシリコン融液10は、底部1bから上方へ形成された正の温度勾配に沿って、一方向に結晶化していく。
【0017】
上記のように、シリコン融液10表面にガス供給ランス5によって上方からArガスを吹き付けるので、シリコン融液10表面に揺動が発生しシリコン融液表面に常に新生面ができる。そのため、シリコン融液内部で発生するSiOガスの周囲雰囲気への排出が促進され、シリコン融液内の不純物であるOを効果的に除去することができる。また、このガスの流れによりCOガスの周囲雰囲気からの混入を防止することができる。この状態で凝固を進行させるので、凝固完了後の結晶シリコンのインゴットは、CやOの不純物濃度が低くなる。さらに、この場合は、不純物が少ないので、結晶性がよい高品質の結晶シリコンが製造される。
【0018】
さらには、鋳型1の開口部1aはサセプター6により大部分が塞がれ、ガス供給ランス5から供給された不活性ガスはシリコン融液10表面を覆うので、COガスやSiOガス等が表面からシリコン融液10内に混入することが防止される。
【0019】
また、不活性ガスをシリコン融液表面に吹き付けるためには、鋳型の上方にランスを設置すればよいので、安価で容易にできる。
脱酸を行うためにも、鋳型1の開口部1aを完全に塞がないで図2のようなガス流の流れを作る必要がある。
【0020】
【実施例】
本発明に係る上述のような結晶シリコン製造装置により実際に結晶シリコンのインゴットを製造した。鋳型は石英製で約17x17x11[cm]のものを使用し、原料の固体シリコンには半導体用シリコン単結晶の端材3kgを使用した。ヒーターを1hで1500℃まで昇温し、その後約1.5h後に原料の溶解を完了した。所定のガス流量は、溶解完了後に設定した。チャンバー内の雰囲気ガスとしてArガスを用いた。
【0021】
ガス供給ランス5は、その先端がシリコン融液の液面から上方へH=1.0、5.0、12.0、20[cm]の位置に配し、Arガスをガス流量f=2、10、40、60[l/min]で液面に吹き付けた。さらに、ガス供給ランス5の内半径は、r=0.25、0.5[cm]のものを用いた。
ただし、固液界面の上昇に応じて、ガス流量を順次減じた。これにより、固液界面が乱されることが防止されるので、結晶性がよい結晶シリコンの製造が可能になる。
また、比較として、ガス供給ランスの内半径をr=0.25[cm]としてシリコン融液の液面ななめ上方300mmのところに配し、ガス流量10[l/min]の場合も、実施した。
【0022】
こうして得られたシリコンインゴットの不純物濃度の結果を表1に示す。
得られたインゴットの高さは、約5cmとなった。本発明および比較例ともに、インゴット底より2.0[cm]の位置のウェーハについてその面内中心部のC濃度及びO濃度を測定した。
【表1】
【0023】
表1中で、◎は、5.0≦f/(rH)≦25を満たす条件、○は、3.0≦f/(rH)≦60を満たす条件である。*は溶湯がスプラッシュし、上ヒーターに溶湯が飛散した条件である。表1の上半部はC濃度を、下半部はOの濃度を示している。また、各濃度の右下の数字はf/(rH)の値を示している。
【0024】
本発明において、3>f/(rH)の条件を満たす場合は、C濃度及びO濃度共に高い。一方、3≦f/(rH)<5の条件を満たす場合は、C濃度及びO濃度はかなり減少している。さらに、5.0≦f/(rH)≦25の条件を満たす場合は、C濃度及びO濃度は、3>f/(rH)の場合に比べ、ほぼ半減している。また、f/(rH)>25の条件を満たす場合は、C濃度及びO濃度は共にさらに減少しているが、固液界面を乱さないようにする調節が困難であったため、セル内の結晶性が乱れてしまい、セル特性が低下した。
【0025】
本実施例から、3.0≦f/(rH)≦60の条件を満たす場合、結晶シリコンインゴット中のC濃度及びO濃度は従来例に比較して低減されていることがわかる。特に、5.0≦f/(rH)≦25の条件を満たす場合は、大きく低減されている。
【0026】
さらにrが大きい場合には不純物濃度も高くなり、rが3[cm]以上の場合には従来例に比べて不純物濃度の低減効果がみられない。
【0027】
尚、サセプターは、図4に示されたように、その径の一部が鋳型の開口部の径より大きくて、鋳型の開口部に載置できるタイプのものでもよい。
ガス供給ランスは、シリコン融液の表面積が大きい場合には複数本使用してもよい。
【0028】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る結晶シリコンの製造方法によれば、以下のような効果を奏する。
【0029】
請求項1に記載の結晶シリコンの製造方法によれば、少ない流量の不活性ガスによって、周囲雰囲気中のCOガス及びSiOガスがシリコン融液内に侵入するのが防止されるという効果が得られる。また、結晶化の際に、シリコン融液内部で発生するSiOガスの周囲雰囲気への排出を促進して、該融液内の不純物であるOを効果的に除去しながら凝固結晶化するので、不純物濃度が低く、結晶性のよい結晶シリコンが製造できるという効果が得られる。
【0030】
請求項2に記載の結晶シリコンの製造方法によれば、周囲雰囲気中のCOガス及びSiOガス等の不純物ガスがシリコン融液内に侵入することが防止されるという効果が得られる。
【0032】
請求項3に記載の結晶シリコンの製造方法によれば、吹き付けられる不活性ガスによって固液界面が乱されることが抑制されるので、結晶性のよい結晶シリコンが製造できるという効果が得られる。
【0033】
請求項4に記載の結晶シリコンの製造方法によれば、吹き付ける不活性ガスの流量、ガス供給ランスの内半径、および、ランス口の融液表面からの距離が、シリコン融液内部で発生するSiOガスの周囲雰囲気への排出を促進するようなシリコン融液表面の有効かつ適切な揺動をさせて、シリコン融液内の不純物であるOを除去するので、O濃度が大きく低減された結晶シリコンを製造することができるという効果が得られる。
【0034】
請求項5に記載の結晶シリコンの製造方法では、シリコン融液の表面積に応じて、シリコン融液内部で発生するSiOガスの周囲雰囲気への排出を促進するために有効かつ適切な本数のランスによりシリコン融液表面を揺動させるので、シリコン融液内の不純物であるOを低減することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る結晶シリコンの製造方法の実施形態において使用する結晶シリコン製造装置の鋳型周辺部の正面の概略断面図である。
【図2】 図1をガス供給ランスの方向から視た平面図で、ガスの流れを説明するための図である。
【図3】 ガス流量と固液界面の位置の関係を示す図である。
【図4】 (a)本発明に係る結晶シリコンの製造方法の実施形態において使用する結晶シリコン製造装置が備えたサセプターの他の実施例の正面の概略断面図である。(b)(a)の平面図であり、ガスの流れを示す図である。
【符号の説明】
1 鋳型
2a 上ヒーター
2b 下ヒーター
3 冷却板
4 保温材
5 ガス供給ランス
6 サセプター
10 シリコン融液
10a 固相
10b 液相
11 固液界面
Claims (5)
- 鋳型に収容したシリコン融液に該鋳型の内側底面から上方に正の温度勾配を付与して、前記鋳型の内側底面から上方に前記シリコン融液を結晶化する結晶シリコンの製造方法において、
前記シリコン融液表面の上方にサセプターを配置し、該サセプターの一部から該サセプターと前記シリコン融液との間の空間に不活性ガスを導入し、
前記結晶化の際に、前記シリコン融液表面に上方から不活性ガスを吹き付けて、該表面をキャビティが形成される程度に揺動させることを特徴とする結晶シリコンの製造方法。 - 請求項1に記載の結晶シリコンの製造方法において、前記シリコン融液表面を不活性ガスで覆うことを特徴とする結晶シリコンの製造方法。
- 請求項1または請求項2に記載の結晶シリコンの製造方法において、前記鋳型内のシリコンの固液界面の上昇に応じて吹き付ける不活性ガスの流量を少なくすることを特徴とする結晶シリコンの製造方法。
- 請求項1から請求項3のいずれかに記載の結晶シリコンの製造方法において、前記吹き付ける不活性ガスの流量、該不活性ガスをシリコン融液表面へ導くガス供給ランスの内半径、および、ランス口のシリコン融液表面からの距離とが、
3≦f/(rH)≦60
(ただし、f[l/min]:吹き付ける不活性ガスの流量
r[cm] :ランスの内半径
H[cm] :ランス口のシリコン融液表面からの距離 )
の条件を満たすことを特徴とする結晶シリコンの製造方法。 - 請求項4に記載の結晶シリコンの製造方法において、前記ランスの本数が、前記シリコン融液の表面積に応じて1本または複数本であることを特徴とする結晶シリコンの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000054820A JP3885452B2 (ja) | 1999-04-30 | 2000-02-29 | 結晶シリコンの製造方法 |
DE60015228T DE60015228T2 (de) | 1999-04-30 | 2000-03-21 | Verfahren zur Herstellung von kristallinem Silizium |
EP00106163A EP1048758B1 (en) | 1999-04-30 | 2000-03-21 | Method for producing crystalline silicon |
US09/551,568 US6383285B1 (en) | 1999-04-30 | 2000-04-18 | Method for producing crystalline silicon |
US10/103,797 US6540828B2 (en) | 1999-04-30 | 2002-03-25 | Method for producing crystalline silicon |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-125339 | 1999-04-30 | ||
JP12533999 | 1999-04-30 | ||
JP2000054820A JP3885452B2 (ja) | 1999-04-30 | 2000-02-29 | 結晶シリコンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001010810A JP2001010810A (ja) | 2001-01-16 |
JP3885452B2 true JP3885452B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=26461798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000054820A Expired - Lifetime JP3885452B2 (ja) | 1999-04-30 | 2000-02-29 | 結晶シリコンの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6383285B1 (ja) |
EP (1) | EP1048758B1 (ja) |
JP (1) | JP3885452B2 (ja) |
DE (1) | DE60015228T2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4953522B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2012-06-13 | シャープ株式会社 | 溶融シリコンの精製方法および溶融シリコン精製装置 |
JP4357810B2 (ja) * | 2002-07-25 | 2009-11-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 鋳造装置及び鋳造方法 |
JP4777880B2 (ja) | 2004-03-29 | 2011-09-21 | 京セラ株式会社 | シリコン鋳造装置およびシリコンインゴットの製造方法 |
EP1851367B1 (de) * | 2005-02-03 | 2012-08-08 | Rec Scanwafer AS | Verfahren und vorrichtung zum herstellen gerichtet erstarrter blöcke aus halbleitermaterialien |
DE102005013410B4 (de) * | 2005-03-23 | 2008-01-31 | Deutsche Solar Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Kristallisieren von Nichteisenmetallen |
WO2007010622A1 (ja) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Kyocera Corporation | 多結晶シリコン基板及びその製造方法、並びに光電変換素子及び光電変換モジュール |
WO2007061037A1 (ja) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 電子部品用液状樹脂組成物及び電子部品装置 |
FR2895749B1 (fr) * | 2006-01-04 | 2008-05-02 | Apollon Solar Soc Par Actions | Dispositif et procede de fabrication d'un bloc de materiau cristallin |
US8057598B2 (en) * | 2006-06-13 | 2011-11-15 | Young Sang Cho | Manufacturing equipment for polysilicon ingot |
KR100853019B1 (ko) | 2007-01-19 | 2008-08-19 | 주식회사 글로실 | 태양전지용 다결정 실리콘 주괴 제조 방법 |
US20080178793A1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-07-31 | Calisolar, Inc. | Method and system for forming a higher purity semiconductor ingot using low purity semiconductor feedstock |
DE102007020006A1 (de) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von poly- oder multikristallinem Silizium, dadurch hergestellter Masseblock (Ingot) sowie Wafer aus poly- oder multikristallinem Silizium, und Verwendung zur Herstellung von Solarzellen |
CN101755077A (zh) * | 2007-07-20 | 2010-06-23 | Bp北美公司 | 从籽晶制造浇铸硅的方法和装置 |
TW200930850A (en) * | 2008-01-03 | 2009-07-16 | Green Energy Technology Inc | Cooling structure for body of crystal growth furnace |
ATE553234T1 (de) * | 2008-02-14 | 2012-04-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und verfahren zur herstellung von kristallinen körpern durch gerichtete erstarrung |
US8317920B2 (en) | 2008-09-19 | 2012-11-27 | Memc Singapore Pte. Ltd. | Directional solidification furnace for reducing melt contamination and reducing wafer contamination |
EP2492242A4 (en) | 2009-10-19 | 2015-07-22 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | OVEN FOR MELTING SILICON OR A SILICON-BASED ALLOY |
JP5371701B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2013-12-18 | 三菱マテリアルテクノ株式会社 | 多結晶シリコンインゴットの製造装置及び多結晶シリコンインゴットの製造方法 |
JP5606976B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-10-15 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコンインゴット製造装置、シリコンインゴットの製造方法 |
KR101964999B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2019-04-02 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 주조 장치 및 주조 방법 |
JP6064596B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2017-01-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 鋳造装置及び鋳造方法 |
JP5979664B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2016-08-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | シリコン結晶鋳造炉 |
FR3010092B1 (fr) * | 2013-09-02 | 2017-05-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de traitement de la surface libre d'un materiau |
CA3023602C (en) | 2016-05-20 | 2021-07-06 | Nano One Materials Corp. | Fine and ultrafine powders and nanopowders of lithium metal oxides for battery applications |
WO2021031140A1 (zh) | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 眉山博雅新材料有限公司 | 开放式温场 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2619611B2 (ja) * | 1993-05-31 | 1997-06-11 | 住友シチックス株式会社 | 単結晶の製造装置および製造方法 |
DE19607098C2 (de) * | 1996-02-24 | 1999-06-17 | Ald Vacuum Techn Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum gerichteten Erstarren einer Schmelze aus Silizium zu einem Block in einem bodenlosen metallischen Kaltwandtiegel |
EP0869102B1 (en) * | 1996-10-14 | 2002-05-22 | Kawasaki Steel Corporation | Process and apparatus for preparing polycrystalline silicon and process for preparing silicon substrate for solar cell |
JPH10182135A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-07 | Kawasaki Steel Corp | シリコンの凝固精製方法 |
CA2232777C (en) * | 1997-03-24 | 2001-05-15 | Hiroyuki Baba | Method for producing silicon for use in solar cells |
JP3520957B2 (ja) * | 1997-06-23 | 2004-04-19 | シャープ株式会社 | 多結晶半導体インゴットの製造方法および装置 |
-
2000
- 2000-02-29 JP JP2000054820A patent/JP3885452B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-21 EP EP00106163A patent/EP1048758B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-21 DE DE60015228T patent/DE60015228T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-04-18 US US09/551,568 patent/US6383285B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-25 US US10/103,797 patent/US6540828B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1048758A1 (en) | 2000-11-02 |
JP2001010810A (ja) | 2001-01-16 |
US6540828B2 (en) | 2003-04-01 |
DE60015228T2 (de) | 2005-03-10 |
US6383285B1 (en) | 2002-05-07 |
EP1048758B1 (en) | 2004-10-27 |
US20020139297A1 (en) | 2002-10-03 |
DE60015228D1 (de) | 2004-12-02 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101201 Year of fee payment: 4 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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