JPS63146917A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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JPS63146917A
JPS63146917A JP29369886A JP29369886A JPS63146917A JP S63146917 A JPS63146917 A JP S63146917A JP 29369886 A JP29369886 A JP 29369886A JP 29369886 A JP29369886 A JP 29369886A JP S63146917 A JPS63146917 A JP S63146917A
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JP
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epoxy resin
ion exchange
ions
resin composition
inorganic ion
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JP29369886A
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Hirohiko Kagawa
香川 裕彦
Yasuhiro Kyotani
京谷 靖宏
Munetomo Torii
鳥井 宗朝
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、半導体封止用に用いられるエポキシ樹脂組成
物に関するものである。
[背景技術] 半導体封止のほとんどはエポキシ樹脂を用いておこなわ
れており、最近のエポキシ樹脂封止材料の技術的進歩は
目覚ましい。しかし、最近の半導体パッケージの動向は
、スモールアウトラインパッケージ(s o p )や
フラットパッケージ(FP)に代表されるように小型・
薄型化の傾向にある。これらのパッケージはデュアルイ
ンラインパッケージ(DIP)と異なって、回路板上に
面実装で直接半田付けするという実装形態となり、リー
ドへの半田処理のためにパッケージ全体を半田浴に浸漬
する方法がとられている。従って半田浸漬後の耐湿性を
保証することがエポキシ樹脂封止材料に要求されること
になる。
耐湿性が必要とされる主な理由は、半導体の回路に使用
されるアルミニウム配線の腐食を防止することにある。
例えば、半田浸漬による熱ひずみで半導体のリードとエ
ポキシ樹脂封止材料との密着性が低下し、ここから浸入
する湿気がアルミニウム配線を腐食するように作用する
。ここで、アルミニウム腐食を非常に加速するのはエポ
キシ樹脂封止材料に中に含有されるイオン性の不純物で
ある。エポキシ樹脂は一般にエピクロルヒドリンを原料
の一つとして合成されており、このエピクロルヒドリン
に起因して塩素が不純物として含有されることは避けら
れない。そしてこの塩素はエボキシリ(脂にエポキシ基
と開環反応することによって加水分解性塩素として結合
しており、多湿な環境で熱にさらされると容易に加水分
解されて塩素イオンとなり、この塩素イオンによってア
ルミニウム配線が腐食されるのである。このためにエポ
キシ樹脂の純度を高める努力がなされているが、満足で
きる結果を得るには至っておらず、しがも半田処理時に
7ラツクス中の塩素成分が半田の際の高温で密着性の低
下したリードとエポキシ樹脂封止材料との開から浸入す
ることもあるために、エポキシ樹脂の純度を高めるだけ
では本質的な解決にはならないものである。
そこで本発明者等は、エポキシ樹脂封止材料に含まれる
不純物イオンや7ラツクスの浸入などとともに浸入する
不純物イオンをイオン交換して捕捉することによって腐
食作用が発揮されない状態にすることで、耐湿性を向上
させることを検討するに至った。そして不純物イオンを
イオン交換して捕捉するために、イオン交換物質として
最もよく知られているイオン交換樹脂をエポキシ樹脂に
配合することが検討されたが、イオン交換樹脂は交換能
力が不十分であるばかりでなく、半田浸漬などの熱ショ
ックに耐えることができずイオン交換能力を喪失すると
いう問題があり、またこの上うな有機系のイオン交換樹
脂に対して無8i系のものとして、MgやAI、Siを
主要構成成分とする酸化物がハaデンイオンやアルカリ
イオンに対して有効な吸着剤として知られているが、こ
のものではエポキシ樹脂封止材料における数ppln〜
数+1〕pmのオーダーの僅かのイオンに対してはイオ
ン交換能力が低すぎ、十分な効果を得ることができない
という問題がある。
[発明の目的] 本発明は上記の点に鑑みてなされたものであって、高温
条件化においても能力高く不純物をイオン交換して捕捉
し、耐湿性を高めることができる半導体封止用エポキシ
樹脂組成物を提供することを目的とするものである。
[発明の構成1 本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポ
キシ樹脂に、アンチモンとビスマスとを主要構成成分と
する無機イオン交換体を配合して成ることを特徴とする
ものである。
無機イオン交換体としては主要構成成分とじて一4= アンチモンとビスマスとを含むものを用いるが、次の一
般式で表される化合物を用いるのが好ましい。
S bB 1xoy(OH)z(N O3)11+ ・
n(H20)[Xは0.2〜2.0、yは1.0〜5.
0.2は0.1〜3.0、胃は0.1〜3 、’0 、
口は0.5〜3.0]このイオン交換体は無機質である
ために400〜450℃程度の温度までは熱に対して安
定であって、イオン交換能力が低下することはない。従
って半田処理によってイオン交換能力が低下するような
ことはない。
本発明で使用されるエポキシ樹脂は、エピクロルヒドリ
ンを原料の−っとする従来より半導体封止用に用いられ
ているものであれば任意のものを用いることができ、例
えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂などを用いることができる。特に
エポキシ当量180〜220程度のオルソクレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂が良好な耐湿性を得る上で使用
に適しているが、もちろんこれに限定されるものではな
い。
このエポキシ樹脂に上記無機イオン交換体を混合して半
導体側止用のエポキシ樹脂組成物を得ることができるの
であるが、この組成物にはさらに必要に応じて硬化剤、
硬化促進剤、難燃剤、充てん剤、離型剤等を配合するこ
とができる。硬化剤としては、三級アミン類や、無水マ
レイン酸、無水コハク酸、無水7タル酸、無水テトラヒ
ドロ7タル酸等の酸無水物、フェノール7ボラツク、ク
レゾールノボラック、第三ブチルフェノールノボラック
、ノニルフェノール/ボラック等の7ボラツク型7エ7
−ル樹脂などを用いることができ、これらの中から1つ
又は複数種を組み合わせて使用することができる。耐湿
性及び成形特性を向上させる為には7エ7−ル/ボラツ
ク又は7エ7−ルノボラツクと無水酸化物とを組み合わ
せて用いるのが望ましい。硬化促進剤は任意に用いられ
るものでありイミダゾール類や、1,8ジアザビシクロ
(5,4,,0)ウンテ゛セン、その塩、有機7オスフ
イン等から選んで使用される。イミダゾール類としては
例えば2ウンデシルイミグゾール、2メチルイミグゾー
ル、1シアノエチル2エチル4メチルイミダゾール、2
フエニルイミグゾール、2ヘプタデシルイミグゾールな
どが挙げられる。1,8ノアザビシクロ(5,4,0)
ウンデセンの塩としては7エ7−ル、2エチルヘキサン
酸、オレイン酸、酸性炭酸塩等との塩が挙げられる。難
燃剤はブロム化エポキシ樹脂、塩化パラフィン、臭化ト
ルエン、水臭化ベンゼン、三酸化アンチモンなどから選
択される。充てん剤は周知の無機光てん剤、例えば溶融
シリカ粉末、石英ガラス粉末、グラスファイバー、タル
ク、アルミナ粉末、ケイ酸カルシウム粉末、炭化カルシ
ウム粉末、硫酸バリウム粉末から選択される。本発明で
は上記光てん剤の中の1つ又はそれ以上のものが使用さ
れるが、その中でも特に溶融シリカ粉末が低い熱膨張係
数を持つことから最適である。充てん剤の混入量は使用
されるエポキシ樹脂、硬化剤、充てん剤によって異なる
。シリカ粉末としては成型特性を向上させるように10
〜30μの平均粒径のものを用いるのがが好ましい、さ
らに離型剤としてはカルナバワックスや合成ワックス、
直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド、エステルなどの中から
選択して使用される。
また、カーボンブラックなどの着色剤やエポキシシラン
などのカップリング剤等を混合して用いるようにしても
よい。
しかして上記エポキシ樹脂組成物は、加熱して溶融させ
た状態で混練し、さらに冷却したのちに粉砕し、エポキ
シ樹脂封止材料として用いられる。
そしてこのエポキシ樹脂封止材料に配合される上記無機
イオン交換体は400 ’C以上でも安定したイオン交
換能力を持つために、半田処理の際の高温の作用でイオ
ン交換能力が低下することなく半導体封止パッケージ゛
の中に含まれる不純物イオンに対して優れたイオン交換
作用を示す。ここで不純物イオンとは半導体のアルミニ
ウム導線などを腐食させるイオンを指すものであり、例
えば塩素イオンC1〜や臭素イオンBr−のようなハロ
ゲンイオン、そしてナトリウムイオンNa+やカリウム
イオンに+のようなアルカリ金属イオンが挙げられる。
塩素イオンCI−はエポキシ樹脂の合成原料であるエピ
クロルヒドリンや半導体パッケージを半田処理する際の
7ラツクスなどに起因する。また臭素イオンBr−は難
燃性を増す為にエポキシ樹脂組成物に混合されるブロム
化エポキシ樹脂などに起因する。さらにナトリウムイオ
ンNa+やカリウムイオンに4−はエポキシ樹脂を調製
する際に使用されるアルカリ金属を含む触媒や、エポキ
シ樹脂組成物に添加されるシリカ粉末iこ付着する物質
などに起因する。
そしてこれらの不純物イオンを本発明で用いる無機イオ
ン交換体に捕捉する作用は、無機イオン交換体に含まれ
る可動性のOH基に起因し、この水酸基がイオン交換基
として働くと共に交換能力や交換速度を無機イオン交換
体に含まれるNO3基が高めていると考えられており、
そのメカニズムは次のように考えられる。すなわちハロ
ゲンイオン、例えば塩素イオンCI−に対してOH基が
陰イオン交換基として次のように作用し、ハロゲンイオ
ンを無機イオン交換体内に捕捉する、:とができる。
R−OH+CI−→ R−CI+0H−(Rは無機イオ
ン交換体の主体を示す。)またアルカリ金属イオン、例
えばナトリウムイオンNa+に対してはOH基が陽イオ
ン交換基として次のように作用し、アルカリ金属イオン
を無機イオン交換体内に捕捉することができる。
R−OH+Na”   → R−0−Na+H”(Rは
w、mイオン交換体の主体を示す。)上記のようにして
ハロゲンイオンやアルカリ金属イオンが無機イオン交換
体にイオン交換されて捕捉されることによって生成され
るR−CIやR□O−Hは非常に安定した物質であり、
二次分解されて再びこれらからハロゲンイオンやアルカ
リ金属イオンが解放されることはなく、さらにイオン交
換によって放出されるイオンはOH−やH“であってア
ルミニウム腐食には全く影響を及ぼすことはない。この
ように無機イオン交換体はイオン交換能力が高くまたイ
オン交換後の安定性も高く、これらの特性はイオン交換
樹脂や、MFl、A1、Siを主要構成成分とする吸着
剤酸化物では期待することができないものであり、さら
には無機イオン交換体はこのようにハロゲンイオンのよ
うなアニオンに対しでも、アルカリ金属イオンのような
カチオンに対してもそれぞれイオン交換能力を有し、こ
のような単一物質でアニオンとカチオンとの両イオンを
イオン交換できることもイオン交換樹脂や吸着剤酸化物
では期待することができない特性である。従って本発明
に係る無機イオン交換体を配合したエポキシ樹脂組成物
による半導体封止材料においては、ハロゲンイオンやア
ルカリ金属イオンによって半導体のアルミニウム導体が
腐食されることを防止することができ、半導体パッケー
ジの耐湿性を向上させることができるものであり、特に
無機イオン交換体は高温でも安定であるために半田処理
後における耐湿性を向上させる効果が大きく、さらには
高温高湿条件下で半導体パッケージが使用される場合で
も十分な耐湿性を保持させることができるものである。
ここで、無機イオン交換体としては、平均粒径が5μ以
下の微粒子のものを使用するのがよい。
平均粒径が5μを超えて大きくなるとその合計表面積が
小さくなるためにイオン交換能力が低下する傾向が生じ
、添加量の割合に対する効果が十分ではなくなることが
ある。また最大粒径は組成物に対する均一な分散のため
に100μ以下がよい。
最大粒径が100μより大トいと分散性の低下を招くば
かりでなくイオン交換能力の低下が大きくなり、さらに
は封止の際の成形性の低下を招くおそれがある。さらに
無機イオン交換体の配合量は、エポキシ樹脂組成物の全
量100重量部に対して0.1〜10重量部が望ましい
。0.1重量部未満の場合には耐湿性の向上の大きな効
果を得ることは難しく、また逆に10重量部を超えても
イオン交換能力は大幅に増大することはないものであっ
て耐湿性の向上を大きく期待することはできず経済的で
ないばかりでなく、封止材料の取り扱いや特性が低下す
ることがある。
次に、本発明を具体的に説明する。
まず数種類のイオン交換物質についてそのイオン交換能
力を確認した。試験した物質は第1表に示すように、主
要構成成分としてアンチモンとビスマスを有する無機イ
オン交換体である「A〜G」、イオン交換性陰イオンと
してアミ7基を持つポリスチレン系のイオン交換樹脂で
ある「H」、マグネシウムやアルミニウム、ケイ素を有
する無機質吸収剤であるl”I、JJ、アンチモンを有
する無機イオン交換体であるrKJである。光透過法で
測定した各イオン交換物質の平均粒径を第1表に示す。
また試験は次の条件でおこなった。
[イオン交換能力J’= 100 ppm/ 100 
mlの濃度で塩素イオンが存在する水溶液中に、水溶液
100mN当たり1gの量でイオン交換物質を添加し、
これを121℃で20時間加熱処理した後の水溶液の残
留塩素イオンの濃度をイオンクロマトグラフィーで測定
した。
「350“Cイオン交換能力」・・・イオン交換物質を
350“Cで2時間加熱処理したのち、100 ppI
Il/ 100 m(lの濃度で塩素イオンが存在する
水溶液中に水溶液100m1当たり1gの量でイオン交
換物質を添加し、これを121℃で20時間加熱処理し
た後の水溶液の残留塩素イオンの濃度をイオ第1表 第1表の結果、アンチモンとビスマスを有する無機イオ
ン交換体の「A−GJでは、イオン交換能力が高いと共
に高温が作用したあとでもイオン交換能力が大きく低下
しないことが確認される。
実 0]〜11、  11〜3 次に、以下に示す各材料に第1表で示した各イオン交換
物質を第2表の添加量で配合し、これを回転混合機で5
分間混合したのちにさらに二軸のロールで混練した。混
線は前ロールが50〜70°C1後ロールが100〜1
20℃の加熱条件でロールに全材料が巻ききった後10
回線ることによっておこなった。このように混練した材
料をシート状で取り出し、これを室温で冷却してカッタ
ーミルで粉砕することによってエポキシ樹脂封止材料を
得た。ここで、第2表におけるイオン交換物質の添加量
は配合材料の全量を100重量部としたときの重量部で
示す。
・オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキ
シ当量195.軟化温度75°C)・・・160重量部 ・硬化剤(7エ7−ル/ボラック樹脂:分子量700、
水酸基当量700)  ・・・90重量部・硬化促進剤
(2−ウンデシルイミグゾール)・・・3重量部 ・難燃剤(ブロム化エポキシ樹脂:エポキシ当量250
、軟化温度90℃)・・・20重量部・難燃剤(三酸化
アンチモン)・・・30重量部・離型剤(カルナバワッ
クス)・・・4重量部・着色剤(カーボンブラック)・
・・4重量部・充てん剤(溶融シリカ:平均粒径20μ
)・・・640重量部 上記のようにして得た各エポキシ樹脂封止材料について
、次の試験をおこなった。
「イオン交換能力(抽出水分析)」・・・各エポキシ樹
脂封止材料を175℃で5時間加熱することによって硬
化させ、これを100メツシユを通過するように粉砕し
、不純物イオンをイオン交換して除去したイオン交換水
46gとメタノール4gの水溶液に100メツシユより
も小さく粉砕した試料を5g投入し、この溶液を151
°Cで100時間加熱したのちに濾過し、濾液をイオン
クロマトグラフィーで測定し、水中に抽出された塩素イ
オンとナトリウムイオンの濃度を測定した。
「耐湿性」・・・各エポキシ樹脂封止材料を金型温度1
75±5°C1硬化時間90秒、注入圧カフ0kg/c
m2、アフターキュアー175°C,5時間の条件で、
2 、3 X 3.2 +n+nの半導体チップと5μ
幅のくし状のアルミニウム導体とを封止して18リード
のスモールアウトフィン半導体パッケージ(SOP)を
成形した。このパッケージの外部リード線を回路板の半
田付けに即した形に曲げた後に260℃の半田浴に10
秒間浸し、次にこのように半田処理したパッケージを温
度151°C1圧力5気圧、相対湿度100%の条件で
プレッシャークッカーテス)(PCT)をおこない、半
導体チップのアルミニウム導線の50%が腐食するまで
の時間を測定した。この腐食の判定はマルチビン電気測
定器を用いてくし状のアルミニウム導体の断線が現れた
かどうかによっておこなった。
第2表 第2表の結果、イオン交換物質としてアンチモンとビス
マスを有する無機イオン交換体を用いた各実施例のもの
では、[イオン交換能力(抽出水分析)の項目に見られ
るようにイオンの抽出量が少なく、イオンの発生を少な
く抑えることができることが確認され、従って「耐湿性
」の項目にみられるように半田処理後の耐湿性が高まる
ことが確認される。
[発明の効果] 上述のように本発明は、主要構成成分としてアンチモン
とビスマスを含む無機イオン交換体をエポキシ樹脂に配
合するようにしたものであるから、この無機イオン交換
体は不純物イオンをイオン交換して捕捉する能力が優れ
ているものであって、不純物イオンによる半導体の金属
腐食を防止する耐湿性を高めることができるものであり
、しかもこの無機イオン交換体は高温が作用してもイオ
ン交換能力が低下することはなく、半田処理後において
も不純物イオンを捕捉することができて耐湿性が低下す
ることを防止することができるもので代理人 弁理士 
石 1)艮 七 手続補正書(自発) 昭和62年4月13日

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エポキシ樹脂に、アンチモンとビスマスとを主要
    構成成分とする無機イオン交換体を配合して成ることを
    特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  2. (2)無機イオン交換体は一般式が、 AsBi_xO_y(OH)_z(NO_3)_w・_
    n(H_2O) [xは0.2〜2.0、yは1.0〜5.0、zは0.
    1〜3.0、wは0.1〜3.0、nは0.5〜3.0
    ]で表される化合物であることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  3. (3)無機イオン交換体はエポキシ樹脂組成物100重
    量部に対して0.1〜10重量部配合されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の半導
    体封止用エポキシ樹脂組成物。
  4. (4)無機イオン交換体は平均粒径が5μ以下で最大粒
    径が100μ以下の粒度の微粒子であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項乃至第3項のいずれかに記載の
    半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
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