JPH0339319A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び半導体装置Info
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- JPH0339319A JPH0339319A JP17595089A JP17595089A JPH0339319A JP H0339319 A JPH0339319 A JP H0339319A JP 17595089 A JP17595089 A JP 17595089A JP 17595089 A JP17595089 A JP 17595089A JP H0339319 A JPH0339319 A JP H0339319A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
及皇上立扛且立互
本発明は、成形材料、粉体塗装用材料、半導体の封止材
等、特に半導体封止材として好適に用いられるエポキシ
樹脂組成物及び該組成物の硬化物で封止された半導体装
置に関する。
等、特に半導体封止材として好適に用いられるエポキシ
樹脂組成物及び該組成物の硬化物で封止された半導体装
置に関する。
の び が しようとする課
エポキシ樹脂及びこれに無機充填剤等を配合したエポキ
シ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂に比べて成形
性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れてい
るため、各種成形材料、粉体塗装用材料、電気絶縁材料
などとして広く利用され、特に最近においては半導体の
封止材として注目されている。
シ樹脂組成物は、一般に他の熱硬化性樹脂に比べて成形
性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れてい
るため、各種成形材料、粉体塗装用材料、電気絶縁材料
などとして広く利用され、特に最近においては半導体の
封止材として注目されている。
この場合、エポキシ樹脂中には種々の遊離不純物が存在
するのでこれら不純物を低減させる必要がある。しかし
、特に遊離不純物として存在する加水分解性塩素の低減
には限界があるため、エポキシ樹脂組成物を半導体の封
止材として用いる場合、アルミニウム配線腐食を満足に
防止することが難しいという問題がある。
するのでこれら不純物を低減させる必要がある。しかし
、特に遊離不純物として存在する加水分解性塩素の低減
には限界があるため、エポキシ樹脂組成物を半導体の封
止材として用いる場合、アルミニウム配線腐食を満足に
防止することが難しいという問題がある。
このアルミニウム配線腐食は、硬化促進剤として有機リ
ン化合物を使用することである程度は改善することがで
きるが、その改善度は十分ではない。
ン化合物を使用することである程度は改善することがで
きるが、その改善度は十分ではない。
また、下記一般式
%式%()
(但し、式中Aは1種又は2種以上の3〜5価の遷移金
属を示し、X=1〜5、y=1〜7.z=0.2〜3、
w=0.2〜3、n=O〜2である。) で示され、平均粒径が5ミクロン以下で最大粒径が30
ミクロン以下の無機イオン交換体を配合し。
属を示し、X=1〜5、y=1〜7.z=0.2〜3、
w=0.2〜3、n=O〜2である。) で示され、平均粒径が5ミクロン以下で最大粒径が30
ミクロン以下の無機イオン交換体を配合し。
加水分解性塩素濃度を低減させたエポキシ樹脂組成物が
提案されているが、このエポキシ樹脂組成物は硬化促進
剤として有機リン化合物を配合すると組成物の硬化性が
劣化すると共に、満足に塩素イオンを捕捉することも困
難になってしまい、この場合もアルミニウム配線腐食の
防止効果は不十分である。
提案されているが、このエポキシ樹脂組成物は硬化促進
剤として有機リン化合物を配合すると組成物の硬化性が
劣化すると共に、満足に塩素イオンを捕捉することも困
難になってしまい、この場合もアルミニウム配線腐食の
防止効果は不十分である。
従って、エポキシ樹脂組成物においては、その硬化物の
アルミニウム配線腐食の十分な改善が望まれている。
アルミニウム配線腐食の十分な改善が望まれている。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、加水分解性
塩素等の遊離不純物濃度が低く、半導体の封止材として
使用した場合、良好に硬化してアルミニウム配線腐食が
非常に少ない硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及びこ
の組成物の硬化物により封止された半導体装置を提供す
ることを目的とする。
塩素等の遊離不純物濃度が低く、半導体の封止材として
使用した場合、良好に硬化してアルミニウム配線腐食が
非常に少ない硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物及びこ
の組成物の硬化物により封止された半導体装置を提供す
ることを目的とする。
を するための び
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた
結果、硬化性エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、及び
硬化促進剤として有機リン化合物を含有するエポキシ樹
脂組成物に下記一般式(1)%式%(1) (但し、式中a、bはそれぞれ1〜2、Cは4〜10、
dは0.02〜0.2、eは0.2〜3、fはO〜2の
数である。) で示される無機イオン交換体を好ましくは組成物全体の
0.5%(重量%、以下同じ)以上配合した場合、この
無機イオン交換体が加水分解性塩素。
結果、硬化性エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、及び
硬化促進剤として有機リン化合物を含有するエポキシ樹
脂組成物に下記一般式(1)%式%(1) (但し、式中a、bはそれぞれ1〜2、Cは4〜10、
dは0.02〜0.2、eは0.2〜3、fはO〜2の
数である。) で示される無機イオン交換体を好ましくは組成物全体の
0.5%(重量%、以下同じ)以上配合した場合、この
無機イオン交換体が加水分解性塩素。
臭素等の遊離不純物を確実に捕捉し、該組成物の硬化物
によるアルミニウム配線腐食を効果的に抑制する上、組
成物の硬化性も良好で、半導体の封止材等として好適に
用いることができるエポキシ樹脂組成物が得られること
を知見し5本発明をなすに至った。
によるアルミニウム配線腐食を効果的に抑制する上、組
成物の硬化性も良好で、半導体の封止材等として好適に
用いることができるエポキシ樹脂組成物が得られること
を知見し5本発明をなすに至った。
従って、本発明は、硬化性エポキシ樹脂、硬化剤、無機
充填剤、及び硬化促進剤として有機リン化合物を含有し
てなるエポキシ樹脂組成物に下記一般式(1) %式%(1) (但し、式中a、bはそれぞれ1〜2、Cは4〜10、
dは0.02〜0.2.eは0.2〜3、fはO〜2の
数である。) で示される無機イオン交換体を配合してなることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物及びこの組成物の硬化物によ
り封止された半導体装置を提供する。
充填剤、及び硬化促進剤として有機リン化合物を含有し
てなるエポキシ樹脂組成物に下記一般式(1) %式%(1) (但し、式中a、bはそれぞれ1〜2、Cは4〜10、
dは0.02〜0.2.eは0.2〜3、fはO〜2の
数である。) で示される無機イオン交換体を配合してなることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物及びこの組成物の硬化物によ
り封止された半導体装置を提供する。
以下1本発明につき更に詳しく説明する。
まず、本発明の組成物を構成する硬化性エポキシ樹脂は
1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂
であって、このエポキシ樹脂は後述するような各種硬化
剤によって硬化させることが可能な限り分子構造1分子
量等に特に制限はなく、従来から知られている種々のも
のを使用することができる6例えば、エピクロルヒドリ
ンとビスフェノールをはじめとする各種ノボラック樹脂
とから合成されるエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、
塩素や臭素原子等のハロゲン原子を導入したエポキシ樹
脂などを用いることができる。
1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂
であって、このエポキシ樹脂は後述するような各種硬化
剤によって硬化させることが可能な限り分子構造1分子
量等に特に制限はなく、従来から知られている種々のも
のを使用することができる6例えば、エピクロルヒドリ
ンとビスフェノールをはじめとする各種ノボラック樹脂
とから合成されるエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、
塩素や臭素原子等のハロゲン原子を導入したエポキシ樹
脂などを用いることができる。
これらのなかでは置換及び非置換のノボラック型エポキ
シ樹脂並びにビスフェノールA型エポキシ樹脂が好まし
く用いられる。上記エポキシ樹脂は、1種を単独で又は
2種以上を混合して使用してもよい。
シ樹脂並びにビスフェノールA型エポキシ樹脂が好まし
く用いられる。上記エポキシ樹脂は、1種を単独で又は
2種以上を混合して使用してもよい。
なお、上記エポキシ樹脂の使用に際して、モノエポキシ
化合物を適宜併用することは差し支えない。モノエポキ
シ化合物としては、スチレンオキシド、シクロヘキセン
オキシド、プロピレンオキシド、メチルグリシジルエー
テル、エチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジル
エーテル、アリルグリシジルエーテル、オクチレンオキ
シド、ドデセンオキシドなどが例示される。
化合物を適宜併用することは差し支えない。モノエポキ
シ化合物としては、スチレンオキシド、シクロヘキセン
オキシド、プロピレンオキシド、メチルグリシジルエー
テル、エチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジル
エーテル、アリルグリシジルエーテル、オクチレンオキ
シド、ドデセンオキシドなどが例示される。
また、硬化剤としてはジアミノジフェニルメタン、ジア
ミノジフェニルスルホン、メタフェニレンジアミン等に
代表されるアミン系硬化剤、無水フタル酸、無水ピロメ
リット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の酸
無水物系硬化剤、あるいはフェノールノボラック、クレ
ゾールノボラック等の1分子中に2個以上の水酸基を有
するフェノールノボラック硬化剤等が例示される。
ミノジフェニルスルホン、メタフェニレンジアミン等に
代表されるアミン系硬化剤、無水フタル酸、無水ピロメ
リット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の酸
無水物系硬化剤、あるいはフェノールノボラック、クレ
ゾールノボラック等の1分子中に2個以上の水酸基を有
するフェノールノボラック硬化剤等が例示される。
更に、本発明は、上記した硬化剤とエポキシ樹脂との反
応を促進する目的で用いる硬化促進剤として有機リン化
合物を配合するが、有機リン化合物としては、例えばト
リフェニルフォスフイン。
応を促進する目的で用いる硬化促進剤として有機リン化
合物を配合するが、有機リン化合物としては、例えばト
リフェニルフォスフイン。
トリス(p−アニシル)ホスフィン、トリス(p −ト
リル)ホスフィン、テトラフェニルホスフィンテトラフ
ェニルボレート等が挙げられる。
リル)ホスフィン、テトラフェニルホスフィンテトラフ
ェニルボレート等が挙げられる。
なお、前記硬化剤の使用量は通常使用される量であり、
硬化促進剤の配合量も通常の範囲とすることができる。
硬化促進剤の配合量も通常の範囲とすることができる。
本発明において使用される無機充填剤は、その種類に制
限はなく、エポキシ樹脂組成物の用途等に応じて適宜選
択され、例えば結晶性シリカ、非結晶性シリカ等の天然
シリカ、合成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、
マイカ、窒化ケイ素、ボロンナイトライド、アルミナな
どから選ばれる1種又は2種以上を使用することができ
る。
限はなく、エポキシ樹脂組成物の用途等に応じて適宜選
択され、例えば結晶性シリカ、非結晶性シリカ等の天然
シリカ、合成高純度シリカ、合成球状シリカ、タルク、
マイカ、窒化ケイ素、ボロンナイトライド、アルミナな
どから選ばれる1種又は2種以上を使用することができ
る。
また、無機充填剤の配合量は、エポキシ樹脂と硬化剤の
総量100重量部に対し100〜1000重量部とする
ことが好ましく、より好ましくは250〜750重量部
である。配合量が100重量部未満では得られるエポキ
シ樹脂組成物が耐クラツク性などの物性面で満足する結
果が得られない場合が生じ、一方1000重量部を超え
ると流動性が悪くなり、無機充填剤の分散が困難となる
場合がある。
総量100重量部に対し100〜1000重量部とする
ことが好ましく、より好ましくは250〜750重量部
である。配合量が100重量部未満では得られるエポキ
シ樹脂組成物が耐クラツク性などの物性面で満足する結
果が得られない場合が生じ、一方1000重量部を超え
ると流動性が悪くなり、無機充填剤の分散が困難となる
場合がある。
本発明の組成物には、上記エポキシ樹脂、硬化剤、硬化
促進剤、無機充填剤と共に、下記式(I)S baB
1b0c(No、)d(OH)e−f(HzO)
・(■)(但し、式中a、bはそれぞれl〜2、Cは4
〜10、dは0.02〜0.2、eは0.2〜3゜fは
O〜2の数である。) で示される無機イオン交換体を配合する。
促進剤、無機充填剤と共に、下記式(I)S baB
1b0c(No、)d(OH)e−f(HzO)
・(■)(但し、式中a、bはそれぞれl〜2、Cは4
〜10、dは0.02〜0.2、eは0.2〜3゜fは
O〜2の数である。) で示される無機イオン交換体を配合する。
この場合、(り式の無機イオン交換体は、エポキシ樹脂
組成物中の遊離不純物イオンを捕捉する効果を有するも
ので、(1)式中のNo1基の数dは0.02〜0.2
、好ましくは0.05〜0.1である。dが0.02よ
り小さいと十分に不純物イオンを捕捉することができず
、dが0.2より大きいと組成物の硬化性が悪くなる。
組成物中の遊離不純物イオンを捕捉する効果を有するも
ので、(1)式中のNo1基の数dは0.02〜0.2
、好ましくは0.05〜0.1である。dが0.02よ
り小さいと十分に不純物イオンを捕捉することができず
、dが0.2より大きいと組成物の硬化性が悪くなる。
また、(り式中のa、bそれぞれ1〜2に対してCは5
〜8、eは0.5〜1.5、fは0.2〜lの範囲であ
ることが好ましい。具体的にはS bJ lx、zoi
、5(NOi)。、、5(OH)。4・0.4H,0な
どを挙げることができる。
〜8、eは0.5〜1.5、fは0.2〜lの範囲であ
ることが好ましい。具体的にはS bJ lx、zoi
、5(NOi)。、、5(OH)。4・0.4H,0な
どを挙げることができる。
また、(1)式の無機イオン交換体は平均粒径が5ミク
ロン以下、特に0.1〜2ミクロンであることが不純物
イオンを捕捉する効果を高めるために好ましい。
ロン以下、特に0.1〜2ミクロンであることが不純物
イオンを捕捉する効果を高めるために好ましい。
更に、無機イオン交換体の配合量は、組成物全体の0.
5%以上、特に1〜5%とすることが好ましく、配合量
が0.5%に満たないと不純物イオンの捕捉が不十分と
なってしまう場合がある。
5%以上、特に1〜5%とすることが好ましく、配合量
が0.5%に満たないと不純物イオンの捕捉が不十分と
なってしまう場合がある。
本発明の組成物には、更に必要によりその目的、用途な
どに応じ、各種の添加剤を配合することができる1例え
ばワックス類、ステアリン酸などの脂肪酸及びその金属
塩等の離型剤、カーボンブラック等の顔料、染料、酸化
防止剤、難燃化剤、表面処理剤(γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン等)、各種低応力剤、その他の
添加剤などを通常の添加量で配合し得る。
どに応じ、各種の添加剤を配合することができる1例え
ばワックス類、ステアリン酸などの脂肪酸及びその金属
塩等の離型剤、カーボンブラック等の顔料、染料、酸化
防止剤、難燃化剤、表面処理剤(γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン等)、各種低応力剤、その他の
添加剤などを通常の添加量で配合し得る。
本発明の組成物は、上述した成分の所定量を均一に撹拌
、混合し、予め70〜95℃に加熱しであるニーダ−、
ロール、エクストルーダーなどで混線、冷却し、粉砕す
るなどの方法で得ることができる。なお、成分の配合順
序に特に制限はない。
、混合し、予め70〜95℃に加熱しであるニーダ−、
ロール、エクストルーダーなどで混線、冷却し、粉砕す
るなどの方法で得ることができる。なお、成分の配合順
序に特に制限はない。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、成形材料、粉体塗装用
材料として好適に使用し得るほか、IC1LSI、トラ
ンジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導体装置の封
止用、プリント回路板の製造などにも有効に使用できる
。
材料として好適に使用し得るほか、IC1LSI、トラ
ンジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導体装置の封
止用、プリント回路板の製造などにも有効に使用できる
。
なお、半導体装置の封止を行なう場合は、従来より採用
されている成形法、例えばトランスファ成形、インジェ
クション成形、注型法などを採用して行なうことができ
る。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は150
〜180℃、ポストキュアーは’150−180℃で2
〜16時間行なうことが好ましい。
されている成形法、例えばトランスファ成形、インジェ
クション成形、注型法などを採用して行なうことができ
る。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は150
〜180℃、ポストキュアーは’150−180℃で2
〜16時間行なうことが好ましい。
見咀食羞果
以上説明したように、本発明のエポキシ樹脂組成物は、
速やかに硬化してアルミニウム配線腐食の非常に少ない
硬化物を与えるもので、半導体の封止材などとして好適
に使用でき1本発明の組成物により封止された半導体装
置は高品質なものである。
速やかに硬化してアルミニウム配線腐食の非常に少ない
硬化物を与えるもので、半導体の封止材などとして好適
に使用でき1本発明の組成物により封止された半導体装
置は高品質なものである。
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない
。
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない
。
なお、以下の例において部はいずれも重量部である。
〔実施例1,2、比較例1〜3〕
エポキシ当量200のエポキシ化クレゾールノボラック
樹脂(硬化性エポキシ樹脂)、フェノール当量110の
フェノールノボラック樹脂、トリフェニルフォスフイン
、2−フェニルイミダゾール、下記式 で示されるポリシロキサン、下記に示す無機イオン交換
体をそれぞれ第1表に示す配合量で使用し。
樹脂(硬化性エポキシ樹脂)、フェノール当量110の
フェノールノボラック樹脂、トリフェニルフォスフイン
、2−フェニルイミダゾール、下記式 で示されるポリシロキサン、下記に示す無機イオン交換
体をそれぞれ第1表に示す配合量で使用し。
コレに臭m化エポキシノボラック樹脂tol、二酸化ア
ンチモン10部、3−グリシドキシプロビルトリメトキ
シシラン1.5部、ワックスE 1.5部、カーボンブ
ラック1.0部及び溶融シリカ300部を加えて得られ
た配合物を熱2本ロールで均一に溶融混合してエポキシ
樹脂組成物(実施例1,2.比較例1〜3)を製造した
。
ンチモン10部、3−グリシドキシプロビルトリメトキ
シシラン1.5部、ワックスE 1.5部、カーボンブ
ラック1.0部及び溶融シリカ300部を加えて得られ
た配合物を熱2本ロールで均一に溶融混合してエポキシ
樹脂組成物(実施例1,2.比較例1〜3)を製造した
。
無機イオン交換体A:
S bi B i z、 * Ox、 a (NOa)
a、as (OH)。8・Q、4I−1,0無機イオン
交換体B: S b*B it、zos、4(NOi)。、5(OH
)。、・0.5H,0無機イオン交換体C: S bd31x、zOs、*(OH)a、s・0.5H
,0これらのエポキシ樹脂組成物につき、以下の(イ)
〜(ホ)の諸試験を行なった。
a、as (OH)。8・Q、4I−1,0無機イオン
交換体B: S b*B it、zos、4(NOi)。、5(OH
)。、・0.5H,0無機イオン交換体C: S bd31x、zOs、*(OH)a、s・0.5H
,0これらのエポキシ樹脂組成物につき、以下の(イ)
〜(ホ)の諸試験を行なった。
結果を第1表に併記する。
(イ)スパイラルフロー値
EMNI規格に準じた金型を使用して、175’C,7
部kg/aJの条件で測定した。
部kg/aJの条件で測定した。
(ロ)熱時硬度
JIS K6911に準じて175℃、 70kg/
aJ、成形時間2分の条件で1010X4X100の抗
折捧を成形し、熱時硬度をパーコール硬度計GY2J−
935(バーパーコールマン社製)を用いて測定した。
aJ、成形時間2分の条件で1010X4X100の抗
折捧を成形し、熱時硬度をパーコール硬度計GY2J−
935(バーパーコールマン社製)を用いて測定した。
(ハ)ガラス転移温度
175℃、70kg/cd、成形時間2分で成形した後
、180℃、4時間で硬化させ、この硬化物の4mφX
15mの試験片を用いて、デイラトメータートこより毎
分5℃の速さで昇温した時の値を測定した。
、180℃、4時間で硬化させ、この硬化物の4mφX
15mの試験片を用いて、デイラトメータートこより毎
分5℃の速さで昇温した時の値を測定した。
(ニ)抽出水純度
(ハ)と同様の硬化物の50mφX3mn+の試験片を
250℃、20時間の条件で劣化させたものと劣化を行
なわないものについて、下記試験を行なった。
250℃、20時間の条件で劣化させたものと劣化を行
なわないものについて、下記試験を行なった。
試料を粉砕し、70メツシユふるいをパスした粉末5g
及び純水50+n!Qを加圧容器へ入れ、160℃、2
0時間後に抽出水の分析を行なった。
及び純水50+n!Qを加圧容器へ入れ、160℃、2
0時間後に抽出水の分析を行なった。
(ホ)50%腐食発生時間
(ハ)と同様の成形、硬化条件で14pinDIP T
EG素子(アルミ配線@:5ミクロン)を封止し、14
0℃、85%RHの条件でプレッシャークツカーテスト
を行ない、アルミニウム配線の腐食発生率が50%とな
った時の時間を調べた。
EG素子(アルミ配線@:5ミクロン)を封止し、14
0℃、85%RHの条件でプレッシャークツカーテスト
を行ない、アルミニウム配線の腐食発生率が50%とな
った時の時間を調べた。
第1表の結果より、本発明の組成物は硬化性が良好であ
り、かつ遊離不純物濃度が低く高純度で、硬化物はアル
ミニウム配線腐食が非常に少ないことが確認された。
り、かつ遊離不純物濃度が低く高純度で、硬化物はアル
ミニウム配線腐食が非常に少ないことが確認された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、硬化性エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤、及び硬
化促進剤として有機リン化合物を含有してなるエポキシ
樹脂組成物に下記一般式(1)Sb_aBi_bO_c
(NO_3)_d(OH)_e・f(H_2O)・・・
(I)(但し、式中a、bはそれぞれ1〜2、cは4〜
10、dは0.02〜0.2、eは0.2〜3、fは0
〜2の数である。) で示される無機イオン交換体を配合してなることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物。 2、請求項1記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により
封止された半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1175950A JPH0653789B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1175950A JPH0653789B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0339319A true JPH0339319A (ja) | 1991-02-20 |
JPH0653789B2 JPH0653789B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=16005085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1175950A Expired - Lifetime JPH0653789B2 (ja) | 1989-07-07 | 1989-07-07 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0653789B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05287054A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び半導体装置 |
WO2006075500A1 (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Toagosei Co., Ltd. | イットリウム化合物による無機陰イオン交換体およびそれを用いた電子部品封止用樹脂組成物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61285242A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPS63146917A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
1989
- 1989-07-07 JP JP1175950A patent/JPH0653789B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61285242A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-16 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPS63146917A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05287054A (ja) * | 1992-04-07 | 1993-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び半導体装置 |
WO2006075500A1 (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Toagosei Co., Ltd. | イットリウム化合物による無機陰イオン交換体およびそれを用いた電子部品封止用樹脂組成物 |
JPWO2006075500A1 (ja) * | 2005-01-11 | 2008-06-12 | 東亞合成株式会社 | イットリウム化合物による無機陰イオン交換体およびそれを用いた電子部品封止用樹脂組成物 |
JP5176323B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2013-04-03 | 東亞合成株式会社 | イットリウム化合物による無機陰イオン交換体およびそれを用いた電子部品封止用樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0653789B2 (ja) | 1994-07-20 |
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