JP2002069157A - 半導体封止用樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置、半導体ウエハ、ならびに半導体装置の実装構造 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置、半導体ウエハ、ならびに半導体装置の実装構造

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JP2002069157A JP2000254026A JP2000254026A JP2002069157A JP 2002069157 A JP2002069157 A JP 2002069157A JP 2000254026 A JP2000254026 A JP 2000254026A JP 2000254026 A JP2000254026 A JP 2000254026A JP 2002069157 A JP2002069157 A JP 2002069157A
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忠昭 原田
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 エポキシ樹脂系の封止材であって、８０℃以
下の比較的低温下で低粘度を示し、特に吐出性や塗布作
業性に優れ、しかも貯蔵安定性に優れた半導体封止用樹
脂組成物、半導体装置、半導体ウエハ、および半導体装
置の実装構造を提供する。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール
樹脂、（Ｃ）潜在性硬化促進剤を含有する半導体封止用
樹脂組成物であり、２５℃において固形状もしくは４０
０Ｐａ・ｓ以上の粘度を有し、かつ８０℃において２０
０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有することを特徴とする。潜在
性硬化促進剤としては、マイクロカプセル型硬化促進剤
を用いることが好ましい。この半導体封止用樹脂組成物
を用いて半導体素子を配線回路基板上に実装、封止する
ことによって半導体装置が得られる。回路基板と半導体
素子の間の空隙のみを封止したり、半導体素子を内包す
るように封止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エポキシ樹脂系の
封止材であり、８０℃以下の比較的低温下で低粘度を示
し、特に吐出、塗布作業性に優れ、しかも貯蔵安定性に
優れた半導体封止用樹脂組成物、およびそれを用いた半
導体装置、半導体ウエハ、ならびに半導体装置の実装構
造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＴＡＢ（Tape Automated Bon
ding）、ＣＯＢ（Chip On Board、）などにおける半導
体封止には、液状の封止材が用いられている。通常、上
記液状封止材は、室温（２５℃）で使用され、ディスペ
ンサーや印刷などによって半導体素子を樹脂封止するこ
とによって、半導体装置が製造される。このような液状
封止材としては、一般に、液状のエポキシ樹脂と、酸無
水物系硬化剤と、通常の硬化促進剤とを含有してなるエ
ポキシ樹脂組成物が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような液状封止材は、硬化剤として酸無水物系硬化剤を
用いているので封止材の液状化が容易であり、その結
果、吐出性や塗布作業性は良好であるが、吸湿率が高く
なって耐湿信頼性に劣るという問題がある。また、上記
液状封止材は、室温で液状であるために貯蔵安定性が悪
く、室温貯蔵時に粘度が次第に大きく上昇する。従っ
て、貯蔵時には樹脂を凍らせて固形化するなどの特別な
貯蔵手段を講じる必要がある。
【０００４】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たものであって、耐湿信頼性および貯蔵安定性に優れる
と共に、吐出性や塗布作業性にも優れた半導体封止用樹
脂組成物、およびそれを用いた半導体装置、半導体ウエ
ハ、ならびに半導体装置の実装構造を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは耐
湿信頼性および貯蔵安定性に優れると共に、吐出性や塗
布作業性にも優れた半導体封止用の材料を得るために鋭
意検討を重ねた結果、エポキシ樹脂とフェノール樹脂と
潜在性硬化促進剤とを含有し、しかも２５℃および８０
℃の各温度において特定の溶融粘度を有する樹脂組成物
を半導体封止用途に用いると、所期の目的を達成できる
ことを見い出し、本発明を完成するに至った
【０００６】即ち、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有する半導体封止用樹脂組成物であって、２５℃
において固形状もしくは４００Ｐａ・ｓ以上の粘度を有
し、かつ８０℃において２００Ｐａ・ｓ以下の粘度を有
することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物を提供す
ることを第１の要旨とするものである。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）潜在性硬化促進剤。
【０００７】また、本発明は、配線回路基板上に、複数
の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配
線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によ
って封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂
層が、上記半導体封止用樹脂組成物によって形成されて
いることを特徴とする半導体装置を提供することを第２
の要旨とするものである。
【０００８】さらに、本発明は、配線回路基板上に半導
体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気
的に接続され、上記半導体素子を内包するように半導体
素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装
置であって、封止樹脂層が上記半導体封止用樹脂組成物
によって形成されていることを特徴とする半導体装置を
提供することを第３の要旨とするものである。
【０００９】また、本発明は、実装用外部基板上に、半
導体装置が搭載され、実装用基板と半導体装置との間の
空隙が封止樹脂層によって封止されてなる実装構造であ
って、上記封止樹脂層が、前記半導体封止用樹脂組成物
によって形成されていることを特徴とする半導体装置の
実装構造を提供することを第４の要旨とするものであ
る。
【００１０】さらに、本発明は、突起状電極部が配設さ
れた半導体素子が複数形成された半導体ウエハの上記突
起状電極部配設面に、前記半導体封止用樹脂組成物から
なる所定の厚みの封止用樹脂層が、上記突起状電極部の
少なくとも先端部を上記封止用樹脂層から露出するよう
形成されていることを特徴とする半導体ウエハを提供す
ることを第５の要旨とするものである。
【００１１】また、本発明は、上記第５の要旨の半導体
ウエハを個々の半導体ウエハを切断して得られる半導体
装置を、切断された半導体装置の封止用樹脂層形成面
と、実装用外部基板とを対面させた状態で加熱圧着、ま
たは半田リフローによる熱処理を行うことにより両者が
電気的に接続され、上記封止用樹脂層が加熱硬化によっ
て上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を
形成してなることを特徴とする半導体装置を提供するこ
とを第６の要旨とするものである。
【００１２】また、本発明は、個々の配線回路が形成さ
れたマトリックス状の配線回路基板上に搭載された複数
の半導体素子全体の上に、半導体素子を内包するように
半導体素子の周囲を封止樹脂層によって封止してなる半
導体装置であって、封止樹脂層が前記半導体封止用樹脂
組成物によって形成されていることを特徴とする半導体
装置を提供することを第７の要旨とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て詳しく説明する。
【００１４】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、エポ
キシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成分）と、
潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）を含むものであり、２５℃
および８０℃の各温度でそれぞれ特定の粘度を有する液
状性状もしくは２５℃で固形状の性状を有するものであ
る。
【００１５】そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物
においては、必須の構成成分であるエポキシ樹脂（Ａ成
分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）の性質によって、その
組み合わせを大別することができる。第１の態様はエポ
キシ樹脂（Ａ成分）としての液状エポキシ樹脂と、フェ
ノール樹脂（Ｂ成分）としての固形状フェノール樹脂を
組み合わせた態様であり、第２の態様はエポキシ樹脂
（Ａ成分）としての固形状エポキシ樹脂と、フェノール
樹脂（Ｂ成分）としての液状フェノール樹脂を組み合わ
せた態様であり、第３の態様はエポキシ樹脂（Ａ成分）
としての固形状エポキシ樹脂と、フェノール樹脂（Ｂ成
分）としての固形状フェノール樹脂を組み合わせた態様
である。
【００１６】なお、エポキシ樹脂（Ａ成分）としての液
状エポキシ樹脂と、フェノール樹脂（Ｂ成分）としての
液状フェノール樹脂とを組み合わせた態様は、室温貯蔵
時に粘度変化が生じやすいために、本発明の半導体封止
用樹脂組成物として用いることは好ましくない。
【００１７】また、残りの潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）
や、これら以外の任意成分としての他の添加剤に関して
は上記３態様とも共通のものを用いることできる。
【００１８】まず、第１の態様であるエポキシ樹脂（Ａ
成分）としての液状エポキシ樹脂と、フェノール樹脂
（Ｂ成分）としての固形状フェノール樹脂を用いた半導
体封止用樹脂組成物について述べる。
【００１９】上記液状エポキシ樹脂としては、２５℃
（室温）で液状を呈するものであれば特に限定されるも
のではなく、各種のエポキシ樹脂を用いることができ
る。具体的には、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、
アリル化ビスフェノール型エポキシ樹脂などが挙げられ
る。これらは単独で、もしくは二種以上併せて用いるこ
とができる。なお、本発明における液状エポキシ樹脂と
は、単独で用いた場合、２５℃で液状を呈することはも
ちろん、二種以上併用した場合においても最終的にエポ
キシ樹脂成分として２５℃で液状を呈するものをも含む
という趣旨である。
【００２０】そして、本発明における上記液状エポキシ
樹脂としては、エポキシ当量が１１０〜２２０ｇ／ｅｑ
のものを用いることが好ましく、特にエポキシ当量が１
４０〜２００ｇ／ｅｑのものを用いることが好適であ
る。
【００２１】一方、上記固形状フェノール樹脂として
は、上記液状エポキシ樹脂の硬化剤として作用するもの
であって、２５℃（室温）で固形状を呈するものであれ
ば特に限定されるものではなく、各種のフェノール樹脂
を用いることができる。また、所期の目的を損なわない
範囲であれば、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒド
ロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無
水フタル酸などの酸無水物系硬化剤やアミン類、フタル
酸類を併用してもよい。上記固形状フェノール樹脂とし
ては、具体的には、多官能固形フェノール樹脂、ビスフ
ェノール樹脂、ナフタレン型フェノール樹脂、フェノー
ルノボラック樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹
脂、テルペンフェノール樹脂、テルペンジフェノール樹
脂、ジヒドロキシナフタレン樹脂、アリル化フェノール
樹脂、アセチル化フェノール樹脂などが挙げられる。こ
れらは単独で、もしくは二種以上併せて用いられる。
【００２２】ここで、多官能固形フェノール樹脂とは、
フェノール性水酸基を２個以上有する芳香族環を少なく
とも１個有し、かつ１分子中のフェノール性水酸基の総
数が３個以上であり、しかも芳香族環を少なくとも１分
子中に２個以上有する固形状フェノール樹脂をいう。こ
のような多官能固形フェノール樹脂としては、例えば、
三官能固形フェノール樹脂、四官能固形フェノール樹
脂、五官能固形フェノール樹脂などが挙げられる。な
お、多官能固形フェノール樹脂を用いる場合には、数平
均分子量が４５０以下のものを用いることが好適であ
る。なお、上記固形状フェノール樹脂とは、単独で用い
た場合に２５℃で固形状を呈することはもちろん、二種
以上併用した場合においても最終的にフェノール樹脂成
分として２５℃で固形状を呈するものをも含むという趣
旨である。
【００２３】上記固形状フェノール樹脂のうち三官能固
形フェノール樹脂としては、例えば下記の一般式で表さ
れる構造のフェノール樹脂などが挙げられる。
【００２４】
【化１】
【００２５】
【化２】
【００２６】なお、上記一般式のうち、Ｒ3〜Ｒ7は、水
素原子またはメチル基であり、互いに同じであっても異
なっていてもよい。
【００２７】また、上記固形状フェノール樹脂のうち四
官能固形フェノール樹脂としては、例えば下記の一般式
で表される構造のフェノール樹脂などが挙げられる。
【００２８】
【化３】
【００２９】なお、上記一般式のうち、Ｒ3〜Ｒ7は、水
素原子またはメチル基であり、互いに同じであっても異
なっていてもよい。
【００３０】
【化４】
【００３１】なお、上記一般式のうち、Ｒ3〜Ｒ10は、
水素原子またはメチル基であり、互いに同じであっても
異なっていてもよい。
【００３２】また、上記固形状フェノール樹脂のうち五
官能固形フェノール樹脂としては、例えば下記の一般式
で表される構造のフェノール樹脂などが挙げられる。
【００３３】
【化５】
【００３４】なお、上記一般式のうち、Ｒ3〜Ｒ10は、
水素原子またはメチル基であり、互いに同じであっても
異なっていてもよい。
【００３５】そして、上記固形状フェノール樹脂として
は、水酸基当量が３０〜２６０ｇ／ｅｑで、軟化点が４
０〜１００℃または融点が５０〜２１０℃のものを用い
ることが好ましく、なかでも水酸基当量が５０〜１１０
ｇ／ｅｑで、軟化点が６０〜９０℃または融点が７０〜
１９０℃のものを用いることが好適である。
【００３６】また、第1の態様において、上記液状エポ
キシ樹脂と固形状フェノール樹脂との配合割合は、液状
エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たり、固形状フェ
ノール樹脂中の水酸基が０．６〜１．４当量となるよう
に配合することが好ましく、より好ましくは０．７〜
１．１当量である。
【００３７】第１の態様において、上記液状エポキシ樹
脂と固形状フェノール樹脂との組み合わせにおいては、
例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂と多官能固形
フェノール樹脂とを組み合わせて用いることが、流動性
や耐熱性、硬化性の点から好ましい。
【００３８】次に、第２の態様であるエポキシ樹脂（Ａ
成分）としての固形状エポキシ樹脂と、フェノール樹脂
（Ｂ成分）としての液状フェノール樹脂を用いた半導体
封止用樹脂組成物について述べる。
【００３９】上記固形状エポキシ樹脂としては、２５℃
（室温）で固形状を呈するものであれば特に限定される
ものではなく、各種のエポキシ樹脂を用いることができ
る。具体的には、多官能固形エポキシ樹脂、結晶性エポ
キシ樹脂、二官能固形エポキシ樹脂、トリグリシジルイ
ソシアヌレートなどが挙げられる。これらは単独で、も
しくは二種以上併せて用いられる。ここで、多官能固形
エポキシ樹脂とは、１分子中のエポキシ基の総数が３個
以上である固形状エポキシ樹脂をいう。このような多官
能固形エポキシ樹脂としては、具体的には、四官能ナフ
タレン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ
樹脂、ジシクロペンタジエン型、三井化学社製のテクモ
アＶＧ３１０１Ｌ、オルソクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂などが挙げられる。
【００４０】また、結晶性エポキシ樹脂とは、Ｘ線回折
によって多数の結晶のピークが現れる固形エポキシ樹脂
であって、物理的にはシャープな融点を示し、かつ溶融
時には分子間相互作用がほとんどなくなるため極端に粘
度が低下する性質を有するものをいう。このような結晶
性エポキシ樹脂としては、具体的には、ビスフェノール
型、ビフェニル型、スチルベン型などが挙げられる。な
お、上記固形状エポキシ樹脂とは、単独で用いた場合に
２５℃で固形状を呈することはもちろん、二種以上併用
した場合において最終的にエポキシ樹脂成分として２５
℃で固形状を呈するものをも含むという趣旨である。
【００４１】上記固形状エポキシ樹脂のうち四官能ナフ
タレン型エポキシ樹脂としては、例えば市販されている
商品名ＥＸＡ−４７０１（大日本インキ社製）などが挙
げられる。なお、上記ＥＸＡ−４７０１は、下記の構造
式で表される。
【００４２】
【化６】
【００４３】また、上記固形状エポキシ樹脂のうちトリ
フェニルメタン型エポキシ樹脂としては、例えば市販さ
れている商品名ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（日本化薬社製）
などが挙げられる。なお、上記ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ
は、下記の構造式で表される。
【００４４】
【化７】
【００４５】上記構造式において、ｎは０または正の数
を示す。
【００４６】そして、上記固形状エポキシ樹脂として
は、エポキシ当量が１４０〜２７０ｇ／ｅｑで、軟化点
が５０〜１００℃または融点が４０〜１５０℃のものを
用いることが好ましく、なかでもエポキシ当量が１５０
〜２２０ｇ／ｅｑで、軟化点が６０〜８０℃または融点
が５０〜１３０℃のものを用いることが好適である。
【００４７】上記固形状エポキシ樹脂と共に用いられる
液状フェノール樹脂としては、上記固形状エポキシ樹脂
の硬化剤として作用するものであって、２５℃で液状を
呈するものであれば特に限定されるものではなく、各種
のフェノール樹脂を用いることができる。具体的には、
アリル化フェノールノボラック、ジアリル化ビスフェノ
ールＡ、アセチル化フェノール、ジアリルビスフェノー
ルＦなどが挙げられる。これらは単独で、もしくは二種
以上併せて用いられる。なお、上記液状フェノール樹脂
とは、単独で用いた場合に２５℃で液状を呈することは
もちろん、二種以上併用した場合において最終的にフェ
ノール樹脂成分として２５℃で液状を呈するものをも含
むという趣旨である。
【００４８】そして、上記液状フェノール樹脂として
は、水酸基当量が８０〜２００ｇ／ｅｑのものを用いる
ことが好ましく、特に、水酸基当量が１００〜１７０ｇ
／ｅｑのものを用いることが好適である。
【００４９】また、第2の態様において、固形状エポキ
シ樹脂と液状フェノール樹脂との配合割合は、固形状エ
ポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たり、液状フェノー
ル樹脂中の水酸基が０．７〜１．４当量となるように配
合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．１
当量である。
【００５０】第２の態様において、上記固形状エポキシ
樹脂と液状フェノール樹脂との組み合わせにおいては、
例えば、四官能ナフタレン型エポキシ樹脂とアリル化フ
ェノールノボラックとを組み合わせて用いることが、耐
熱性と流動性の点から好ましい。
【００５１】最後に、第３の態様であるエポキシ樹脂
（Ａ成分）としての固形状エポキシ樹脂と、フェノール
樹脂（Ｂ成分）としての固形状フェノール樹脂を用いた
半導体封止用樹脂組成物について述べる。
【００５２】上記固形状エポキシ樹脂としては、前記第
２の態様に記載の固形状エポキシ樹脂と同様のものを用
いることができる。
【００５３】また、固形状エポキシ樹脂のうち、結晶性
エポキシ樹脂を用いる場合には、融点が９０℃以上のも
のを用いると、８０℃以下での流動性が悪くなるという
理由から、二種以上のものを組み合わせて用いることが
好ましい
【００５４】このような結晶性エポキシ樹脂としては、
例えば市販されている商品名ＧＫ−４１３７（新日鉄化
学社製）、商品名ＧＫ−５０７９（新日鉄化学社製）、
商品名ＹＤＣ−１３１２（東都化成社製）などが挙げら
れる。なお、上記ＧＫ−４１３７は、下記の構造式で表
される。
【００５５】
【化８】
【００５６】また、上記ＧＫ−５０７９は、下記の化学
式で表される。
【００５７】
【化９】 さらに、上記ＹＤＣ−１３１２は、下記の化学式で表さ
れる。
【００５８】
【化１０】
【００５９】また、上記結晶性エポキシ樹脂のうちビフ
ェニル型エポキシ樹脂は、下記の一般式で表される。
【００６０】
【化１１】
【００６１】なお、上記一般式中、Ｒ3〜Ｒ6は水素原
子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、またはｔｅｒｔ−ブチル基などの直鎖または分岐鎖
の低級アルキル基であり、Ｒ3〜Ｒ6は互いに同一であっ
ても異なっていてもよいものである。
【００６２】そして、上記ビフェニル型エポキシ樹脂と
して、上記Ｒ3〜Ｒ6の全てがメチル基であるビフェニル
型エポキシ樹脂と、上記Ｒ3〜Ｒ6の全てが水素原子であ
るビフェニル型エポキシ樹脂とが略同量で含有されてい
る混合物を用いてもよい。
【００６３】上記固形状エポキシ樹脂と共に用いられる
固形状フェノール樹脂としては、前記第１の態様にて記
載した固形状フェノール樹脂と同様のものを用いること
ができる。
【００６４】また、第3の態様において、上記固形状エ
ポキシ樹脂と固形状フェノール樹脂との配合割合は、固
形状エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たり、固形状
フェノール樹脂中の水酸基が０．６〜１．４当量となる
ように配合することが好適である。より好適には、０．
７〜１．１当量である。
【００６５】上記第３の態様における固形状エポキシ樹
脂と固形状フェノール樹脂との組み合わせでは、例え
ば、商品名ＧＫ−４１３７（新日鉄化学社製）のような
結晶性エポキシ樹脂と、多官能固形フェノール樹脂との
組み合わせ、あるいは四官能ナフタレン型エポキシ樹脂
またはトリフェニルメタン型エポキシ樹脂と二官能のビ
スフェノール樹脂との組み合わせで用いることが、硬化
性や耐熱性、流動性の点から好ましい。
【００６６】そして、本発明の半導体封止用樹脂組成物
には、上記第１〜第３の態様における各エポキシ樹脂お
よび各フェノール樹脂と共に、潜在性硬化促進剤（Ｃ成
分）が必須成分として含有されている。
【００６７】上記潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）は、これ
を含有してなる半導体封止用樹脂組成物の５０℃雰囲気
下で７２時間放置後における８０℃での粘度が、放置前
の粘度の１０倍以下になるものであり、例えば、各種の
硬化促進剤からなるコア部が、ウレア結合を有するシェ
ル部で被覆されたコア／シェル構造を有するマイクロカ
プセル型硬化促進剤を用いることが好ましい。さらに好
ましくは、そのシェル部に存在する反応性アミノ基がブ
ロック化されているマイクロカプセル型硬化促進剤を用
いる。
【００６８】このようなマイクロカプセル型硬化促進剤
を用いることにより、これを含有してなる本発明の半導
体封止用樹脂組成物は、可使時間が非常に長くなり、貯
蔵安定性に特に優れるようになる。なお、通常の硬化促
進剤を少量配合した場合であっても、放置前の粘度に対
し１０倍以下、通常、１〜３倍となるのであれば、本発
明における潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）に併用して使用
することができる。
【００６９】上記マイクロカプセル型硬化促進剤におい
て、コア部として内包される硬化促進剤としては、硬化
反応を促進する作用を有するものであれば特に限定され
るものではなく、自体公知のものを用いることができ
る。そして、この場合、マイクロカプセルを調製する際
の作業性や得られるマイクロカプセルの特性の点から、
室温で液状を呈するものが好ましい。なお、本発明にお
いては室温で液状とは、硬化促進剤自身の性状が室温
（２５℃）で液状を呈する場合のほか、室温で固体であ
っても任意の有機溶剤などに溶解もしくは分散させて、
溶液もしくは分散液状にしたものをも含む意味である。
【００７０】このようなマイクロカプセルに内包される
硬化促進剤としては、例えば、アミン系、イミダゾール
系、リン系、ホウ素系、リン−ホウ素系などの硬化促進
剤が挙げられる。具体的には、エチルグアニジン、トリ
メチルグアニジン、フェニルグアニジン、ジフェニルグ
アニジンなどのアルキル置換グアニジン類、３−（３，
４−ジクロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素、３−
フェニル−１，１−ジメチル尿素、３−（４−クロロフ
ェニル）−１，１−ジメチル尿素などの３−置換フェニ
ル−１，１−ジメチル尿素類、２−メチルイミダゾリ
ン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダ
ゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリンなどのイミダゾ
リン類、２−アミノピリジンなどのモノアミノピリジン
類、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシ−３−ア
リロキシプロピル）アミン−Ｎ′−ラクトイミド等のア
ミンイミド系類、エチルホスフィン、プロピルホスフィ
ン、ブチルホスフィン、フェニルホスフィン、トリメチ
ルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホス
フィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフ
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホ
スフィン／トリフェニルボラン錯体、テトラフェニルホ
スホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化
合物、１，８−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデセ
ン−７、１，４−ジアザビシクロ〔２，２，２〕オクタ
ンなどのジアザビシクロアルケン系化合物などが挙げら
れる。これらは単独でもしくは二種以上併せて用いるこ
とができる。特に、硬化促進剤含有マイクロカプセルの
作製の容易さや、取り扱い性の容易さの点から、イミダ
ゾール系化合物や有機リン系化合物を用いることが好適
である。
【００７１】前記ウレア結合を構造単位とするシェル部
を構成する重合体は、例えば、多価イソシアネート類と
多価アミン類との重付加反応によって得ることができ
る。また、多価イソシアネート類と水との反応によって
も得ることができる。
【００７２】上記多価イソシアネート類としては、分子
内に２個以上のイソシアネート基を有する化合物であれ
ばよく、具体的には、ｍ−フェニレンジイソシアネー
ト、ｐ−フェニレンジイソシアネート、２，４−トリレ
ンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネー
ト、ナフタレン−１，４−ジイソシアネート、ジフェニ
ルメタン−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジ
メトキシ−４，４′−ビフェニルジイソシアネート、
３，３′−ジメチルジフェニルメタン−４，４′−ジイ
ソシアネート、キシリレン−１，４−ジイソシアネー
ト、４，４′−ジフェニルプロパンジイソシアネート、
トリメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、プロピレン−１，２−ジイソシアネート、
ブチレン−１，２−ジイソシアネート、シクロヘキシレ
ン−１，２−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−
１，４−ジイソシアネートなどのジイソシアネート類、
ｐ−フェニレンジイソチオシアネート、キシリレン−
１，４−ジイソチオシアネート、エチリジンジイソチオ
シアネートなどのトリイソシアネート類、４，４′−ジ
メチルジフェニルメタン−２，２′，５，５′−テトラ
イソシアネートなどのテトライソシアネート類、ヘキサ
メチレンジイソシアネートとヘキサントリオールとの付
加物、２，４−トリレンジイソシアネートとプレンツカ
テコールとの付加物、トリレンジイソシアネートとヘキ
サントリオールとの付加物、トリレンジイソシアネート
とトリメチロールプロパンの付加物、キシリレンジイソ
シアネートとトリメチロールプロパンの付加物、ヘキサ
メチレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの
付加物、トリフェニルジメチレントリイソシアネート、
テトラフェニルトリメチレンテトライソシアネート、ペ
ンタフェニルテトラメチレンペンタイソシアネート、リ
ジンイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート
などの脂肪族多価イソシアネートの三量体のようなイソ
シアネートプレポリマーなどが挙げられ、これらは単独
で、もしくは二種以上併せて用いることができる。
【００７３】これらの多価イソシアネート類の中でも、
マイクロカプセルを調製する際の造膜性や機械的強度の
点から、トリレンジイソシアネートとトリメチロールプ
ロパンの付加物、キシリレンジイソシアネートとトリメ
チロールプロパンの付加物、トリフェニルジメチレント
リイソシアネートなどのポリメチレンポリフェニルイソ
シアネート類に代表されるイソシアネートプレポリマー
を用いることが特に好ましいものである。
【００７４】一方、上記多価イソシアネート類と反応さ
せる多価アミン類としては、分子内に２個以上のアミノ
基を有する化合物であればよく、具体的にはジエチレン
トリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレン
ペンタミン、１，６−ヘキサメチレンジアミン、１，８
−オクタメチレンジアミン、１，１２−ドデカメチレン
ジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジ
アミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシリレンジア
ミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミ
ン、メンタンジアミン、ビス（４−アミノ−３−メチル
シクロヘキシル）メタン、イソホロンジアミン、１，３
−ジアミノシクロヘキサン、スピロアセタール系ジアミ
ンなどが挙げられ、これらは単独でもしくは２種以上併
せて用いることができる。
【００７５】また、上記多価イソシアネート類と水との
反応では、まず、多価イソシアネート類の加水分解によ
ってアミンが形成され、このアミンが未反応のイソシア
ネート基と反応（いわゆる自己重付加反応）することに
よって、ウレア結合を構造単位とする重合体を主成分と
した重合体が形成される。
【００７６】さらに、マイクロカプセル型硬化促進剤の
シェル部（壁膜）を形成する重合体として、例えば、上
記多価イソシアネートとともに多価アルコールを併用し
て、ウレタン結合を構造単位に組み込んだポリウレタン
−ポリウレアを用いることもできる。
【００７７】このときに用いる多価アルコールとして
は、脂肪族、芳香族または脂環族の何れであってもよ
く、例えば、カテコール、レゾルシノール、１，２−ジ
ヒドロキシ−４−メチルベンゼン、１，３−ジヒドロキ
シ−５−メチルベンゼン、３，４−ジヒドロキシ−１−
メチルベンゼン、３，５−ジヒドロキシ−１−メチルベ
ンゼン、２，４−ジヒドロキシエチルベンゼン、１，３
−ナフタレンジオール、１，５−ナフタレンジオール、
２，７−ナフタレンジオール、２，３−ナフタレンジオ
ール、ｏ，ｏ′−ビフェノール、ｐ，ｐ′−ビフェノー
ル、ビスフェノールＡ、ビス−（２−ヒドロキシフェニ
ル）メタン、キシリレンジオール、エチレングリコー
ル、１，３−プロピレングリコール、１，４−ブチレン
グリコール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキ
サンジオール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オ
クタンジオール、１，１，１−トリメチロールプロパ
ン、ヘキサントリオール、ペンタエリスリトール、グリ
セリン、ソルビトールなどが挙げられ、これらは単独
で、もしくは二種以上併せて用いられる。
【００７８】上記マイクロカプセル型硬化促進剤は、自
体公知のマイクロカプセルの製法によって作製すること
ができるが、例えば、下記に示す３段階の工程を経由す
ることにより作製することができる。
【００７９】〔第１工程〕コア成分である硬化促進剤
を、壁膜（シェル）の原料である多価イソシアネート中
に溶解もしくは微分散して油相を形成する。次いで、分
散安定剤を含有する水系媒体（水相）中に、上記油相を
油滴状に分散させてＯ／Ｗ型（油相／水相型）のエマル
ジョンを作製する。次に、上記Ｏ／Ｗ型エマルジョンの
水相に、多価アミンを添加して溶解することにより、油
相中の多価イソシアネートとの間で界面重合させて重付
加反応させる。あるいは上記Ｏ／Ｗ型エマルジョンを加
温することによって、油相中の多価イソシアネートを水
相との界面で水と反応させてアミンを生成させ、引き続
き自己重付加反応させる。このようにして、ウレア結合
を分子内に有するポリウレア系の重合体をシェル部とす
るマイクロカプセルを作製し、マイクロカプセル型硬化
促進剤を分散する液が得られる。
【００８０】一方、固体状の硬化促進剤を有機溶剤に溶
解させてコア成分とする場合には、Ｓ／Ｏ／Ｗ（固相／
油相／水相）タイプのエマルジョンとする。また、この
エマルジョンタイプは硬化促進剤が親油性の場合であ
り、硬化促進剤が親水性を有する場合には上記エマルジ
ョンタイプになりにくいが、この場合には溶解度の調整
を行うことによりＯ／Ｏ（油相／油相）型のエマルジョ
ンタイプや、Ｓ／Ｏ／Ｏ（固相／油相／油相）型のエマ
ルジョンタイプとして界面重合を行えばよい。
【００８１】この場合の有機溶剤としては、室温で液状
であれば特に限定されるものではないが、少なくともシ
ェル部を溶解しないものを選択する必要がある。具体的
には、酢酸エチル、メチルエチルケトン、アセトン、塩
化メチレン、キシレン、トルエン、テトラヒドロフラン
などの有機溶剤や、フェニルキシリルエタン、ジアルキ
ルナフタレンなどのオイル類を用いることができる。
【００８２】〔第２工程〕上記第１工程で得られたマイ
クロカプセル分散液に対して、ブロック化剤を添加し溶
解もしくは分散させる。このとき、遠心分離などにより
一旦水相中の分散安定剤や未反応アミンを取り除いた後
に、上記ブロック化剤を添加することが効果的である。
【００８３】〔第３工程〕上記第２工程でアミノ基をブ
ロック化剤でブロックしたマイクロカプセル分散液を、
遠心分離や濾過などによって過剰のブロック化剤を除去
した後、乾燥することにより、粉末状のマイクロカプセ
ル型硬化促進剤を作製することができる。
【００８４】上記第１工程において、水系媒体（水相）
に添加する分散安定剤としては、ポリビニルアルコー
ル、ヒドロキシメチルセルロースなどの水溶性高分子
類、アニオン系界面活性剤、非イオン系界面活性剤、カ
チオン系界面活性剤などの界面活性剤類などが挙げられ
る。また、コロイダルシリカ、粘度鉱物などの親水性無
機コロイド物質類などを使用することもできる。これら
分散安定剤の添加量は、水相中、０．１〜１０重量％と
なるよう設定することが好ましい。
【００８５】また、上記第２工程において使用するブロ
ック化剤としては、アミノ基と反応性を有する化合物で
あれば特に限定されるものではないが、例えば、エポキ
シ化合物、アルデヒド化合物、酸無水物、エステル化合
物、イソシアネート化合物などのアミノ基と反応し共有
結合を形成する化合物が挙げられる。さらに、酢酸、ギ
酸、乳酸、シュウ酸、コハク酸などの有機カルボン酸
類、ｐ−トルエンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン
酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などの有機スルホン酸
類、フェノール化合物、ホウ酸、リン酸、硝酸、亜硝
酸、塩酸などの無機酸類、シリカ、アエロジルなどの酸
性表面を有する固体物質などのアミノ基と中和反応し塩
を形成する酸性化合物などが挙げられる。そして、これ
ら化合物のなかでも、酸性化合物は壁膜表面および壁膜
内部に存在するアミノ基を効果的にブロックする化合物
として好ましく用いられ、特にギ酸や有機スルホン酸類
が好ましく用いられる。
【００８６】上記ブロック化剤の添加量は、壁膜表面お
よび壁膜内部に存在するアミノ基と当量モル数のブロッ
ク化剤が添加される。実用的には、例えば、ブロック化
剤として酸性化合物を用いる場合、マイクロカプセルの
調製（界面重合）直後の分散液に酸性物質（酸性化合
物）を添加し、分散液のｐＨを塩基性から酸性、好まし
くはｐＨ２〜５に調整し、そののち、遠心分離や濾過な
どの手段により過剰の酸性化合物を除去する方法が挙げ
られる。
【００８７】また、上記第１〜第３工程からなるマイク
ロカプセル型硬化促進剤の製法において、第２工程とし
て、マイクロカプセル分散液を酸性陽イオン交換樹脂カ
ラムを通すことにより、未反応の遊離アミンを除去した
り、残存アミノ基を中和させる手法も用いられる。
【００８８】得られたマイクロカプセル型硬化促進剤の
平均粒径は、特に限定されるものではないが、例えば、
均一な分散性の観点から、０．０５〜５００μｍの範囲
に設定することが好ましく、より好ましくは０．１〜３
０μｍである。上記マイクロカプセル型硬化促進剤の形
状としては、分散性の点から球状が好ましいが楕円状で
あってもよい。なお、マイクロカプセルの形状が真球状
ではなく楕円状や偏平状などのように一律に粒径が定ま
らない場合には、その最長径と最短径との単純平均値を
平均粒径とする。
【００８９】さらに、上記マイクロカプセル型硬化促進
剤において、内包される硬化促進剤の量は、マイクロカ
プセル全量の１０〜９５重量％に設定することが好まし
く、特に好ましくは３０〜８０重量％である。即ち、硬
化促進剤の内包量が１０重量％に満たない場合には、硬
化反応の時間が長くなりすぎて反応性に乏しくなり、逆
に硬化促進剤の内包量が９５重量％を超えると、壁膜の
厚みが薄すぎてコア部（硬化剤）の隔離性や機械的強度
に乏しくなる恐れがあるからである。
【００９０】また、上記マイクロカプセル型硬化促進剤
の粒径に対するシェル部の厚みの比率は、３〜２５％に
設定することが好ましく、特に好ましくは５〜２５％に
設定される。上記比率が３％未満ではエポキシ樹脂組成
物製造時の混練工程において加わる剪断力に対して充分
な機械的強度が得られず、また、２５％を超えると内包
される硬化促進剤の放出が不充分となる傾向が見られる
からである。
【００９１】そして、上記潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）
の配合量は、前記各態様共にフェノール樹脂（Ｂ成分）
１００重量部に対して、０．１〜４０重量部に設定する
ことが好ましい。特に好ましくは５〜２０重量部であ
る。潜在性硬化促進剤の配合量が、０．１重量部に満た
ない場合には、硬化速度が遅すぎて強度の低下を引き起
こし、４０重量部を超えると、硬化速度が速すぎて流動
性が損なわれる恐れがあるからである。
【００９２】なお、本発明において、Ｃ成分である潜在
性硬化促進剤として、上記した硬化促進剤含有マイクロ
カプセル以外に、所期の目的を損なわなければ、市販の
マイクロカプセル型硬化促進剤を用いることができる。
市販品としては、例えば商品名ＭＣＥ−９９５７（日本
化薬社製、メチルメタアクリレートを壁膜として使用し
ているもの）、旭チバ社製のノバキュアー（商品名ＨＸ
−３７４８，３７４１，３７４２，ＨＸ−３９２１Ｈ
Ｒ，ＨＸ−３９４１ＨＰ）などが挙げられる。また、マ
イクロカプセル型硬化促進剤以外の硬化促進剤であって
も、ジシアンジアミドや、富士化成工業社製のフジキュ
アーＦＸＲ−１０３０、ＦＸＥ−１０００などの触媒活
性が弱いものや、通常の硬化促進剤を少量添加し触媒活
性を弱くしたものを潜在性効果促進剤として用いてもよ
い。
【００９３】さらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物
には、上記Ａ〜Ｃ成分と共に必要に応じて無機質充填剤
や難燃剤、ワックス、レベリング剤、消泡剤、顔料、染
料、シランカップリング剤、チタネート系カップリング
剤、フラックス剤などの各種添加剤を適宜配合すること
ができる。
【００９４】無機質充填剤としては、特に限定されるも
のではなく各種無機質充填剤を用いることができる。具
体的には、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫
酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化ケイ
素、窒化ケイ素、アエロジルなどが挙げられるが、導電
性または半導電性を付与するためにニッケル、金、銅、
銀、錫、鉛、ビスマスなどの導電性粒子を加えてもよ
い。なかでも、球状シリカ粉末、特に球状溶融シリカ粉
末が用いることが好ましい。さらに、平均粒径０．０１
〜６０μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは
０．１〜１５μｍの範囲のものである。なお、本発明に
おいて、「球状」とは、フロー式粒子像分析装置（ＳＹ
ＳＭＥＸ社製のＦＰＩＡ−１００型）を用いて測定され
る真球度が平均で０．８５以上であることをいう。
【００９５】そして、上記無機質充填剤の含有割合は、
半導体封止用樹脂組成物全体中の１５〜８５重量％とな
るように設定することが好ましく、特に好ましくは５０
〜８０重量％である。即ち、無機質充填剤の含有割合が
１５重量％に満たない場合には、２５℃での粘度が低く
なりすぎて貯蔵時に無機質充填剤の沈降が生じると共
に、吸湿率が高くなって耐湿信頼性が悪くなる傾向が見
られる。また、８５重量％を超えると、流動性が低下し
て吐出性や塗布作業性が悪くなる傾向が見られるからで
ある。
【００９６】上記シランカップリング剤としては、例え
ばγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−グ
リシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−
（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキ
シシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ラン、アミノ基含有シランなどが挙げられ、これらは単
独で、もしくは二種以上併せて用いられる。
【００９７】上記難燃剤としては、ノボラック型ブロム
化エポキシ樹脂、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、水酸化マ
グネシウム、水酸化アルミニウムなどの金属化合物、赤
リン、リン酸エステルなどのリン系化合物などが挙げら
れ、これらは単独で、もしくは二種以上併せて用いられ
る。
【００９８】上記ワックスとしては、高級脂肪酸、高級
脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム、アミド系など
の化合物が挙げられ、これらは単独で、もしくは二種以
上併せて用いられる。
【００９９】さらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物
には、上記他の添加剤以外に、シリコーンオイルやシリ
コーンゴム、合成ゴム、反応性希釈剤などの成分を配合
して低応力化を図ったり、耐湿信頼性テストにおける信
頼性向上を目的としてハイドロタルサイト類、水酸化ビ
スマスなどのイオン捕捉剤を適宜配合してもよい。
【０１００】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、例え
ば、次のようにして製造することができる。すなわち、
上記Ａ〜Ｃ成分および必要に応じて他の添加剤を混合し
た後、万能攪拌釜などの混練機にかけ加熱状態で混練り
して溶融混合する。次いで、これを室温（２５℃程度）
にて冷却することによって目的とする本発明の半導体封
止用樹脂組成物を製造することができる。なお、得られ
る半導体封止用樹脂組成物の流動性を調整するために、
トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、
ジアセトンアルコールなどの有機溶剤を一種もしくは二
種以上併用して添加することもできる。
【０１０１】このようにして得られた半導体封止用樹脂
組成物は、固形状であるか、もしくは液状であれば、そ
の粘度が２５℃で４００Ｐａ・ｓ以上で、かつ８０℃で
２００Ｐａ・ｓ以下、好ましくは、２５℃で７００Ｐａ
・ｓ以上で、かつ８０℃で０．１〜５Ｐａ・ｓの範囲に
設定されていなければならない。即ち、２５℃で４００
Ｐａ・ｓに満たない場合や、８０℃で２００Ｐａ・ｓを
超える粘度の場合には、貯蔵安定性や吐出性、塗布作業
性が悪くなり、所期の特性を満足させることができない
のである。
【０１０２】なお、本発明において、半導体封止用樹脂
組成物の２５℃および８０℃における各粘度は、Ｅ型粘
度計を用いて測定される。具体的には、以下に示す通り
である。
【０１０３】〔２５℃における粘度〕東機産業社製ＲＥ
８０Ｕ形でロータは３°×Ｒ７．７を用い、コーンロー
タ回転数１ｒｐｍで１分間前処理後、０．１ｒｐｍで１
０分間放置後の値を測定する。
【０１０４】〔８０℃における粘度〕東機産業社製ＲＥ
８０Ｒ形で、粘度１００Ｐａ・ｓに満たない場合は、ロ
ータ３°×Ｒ１４、粘度１００Ｐａ・ｓ以上になるもの
はロータ３°×Ｒ７．７を用い、コーンロータ回転数１
ｒｐｍで１分間前処理後、０．５ｒｐｍで１０分間放置
後の値を測定する。
【０１０５】本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いた
半導体装置の製造は、自体公知の各種方法によって行う
ことができる。例えば、フリップチップ、ＣＯＢ、グラ
フトップ、キャビティーフィルなどによる実装において
は、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程
度）された上記半導体封止用樹脂組成物を、ディスペン
サーを用いてポッティングした後、加熱し硬化させて封
止樹脂層を形成することにより半導体装置を製造するこ
とができる。また、予め加温せずに、固形または半固形
の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子上などに対して
直接貼り付け、または塗布を行い、その後加熱し硬化さ
せて封止樹脂層を形成することによって半導体装置を製
造することもできる。なお、上記実装は真空下で行って
もよい。
【０１０６】上記半導体装置の製造方法のうち、フリッ
プチップ実装について、サイドフィル封止方法と、プレ
スバンプ封止方法と、印刷封止方法を例示して以下に具
体的に説明する。
【０１０７】〔サイドフィル封止方法〕まず、配線回路
基板上に複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載
されたものを準備する。そして、予め加温（４０〜１３
０℃程度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回
路基板と半導体素子との空隙に、加温（４０〜９０℃程
度、好適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止
用樹脂組成物を、ディスペンサーを用いて注入して充填
したのち、加熱し硬化させて封止樹脂層を形成すること
によって、フリップチップ実装による半導体装置を製造
することができる。
【０１０８】なお、予め加温せずに、固形または半固形
の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子上あるいはその
近傍に対して直接貼り付け、または塗布を行い、そのの
ち加熱し硬化させて上記半導体素子と配線回路基板との
空隙に封止樹脂層を形成することも可能である。
【０１０９】また、上記サイドフィル封止方法による半
導体装置の製造は、真空下で行ってもよい。真空下で行
う装置としては、例えば、武蔵エンジニアリング社製の
型式ＭＢＣ−Ｖシリーズなどが挙げられる。さらに、上
記真空下で半導体装置を製造する際、真空下で配線回路
基板と半導体素子との空隙に半導体封止用樹脂組成物
を、ディスペンサーを用いて注入し充填した後、大気圧
に戻してさらに半導体封止用樹脂組成物を充填するとい
う差圧充填を行ってもよい。
【０１１０】〔プレスバンプ封止方法〕まず、配線回路
基板上に加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０
℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物を、ディス
ペンサーを用いてポッティングする。そののち、フリッ
プチップボンダーなどによるプレスバンプ接続方式によ
って、半導体素子と配線回路基板との電気的接続と同時
に封止樹脂層を形成することにより、フリップチップ実
装による半導体装置を製造することができる。
【０１１１】なお、予め加温せずに、固形または半固形
の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子あるいは配線回
路基板に対して直接貼り付け、または塗布を行い、その
のちプレスバンプ接続方式により、半導体素子と配線回
路基板との接続と同時に封止樹脂層を形成することも可
能である。
【０１１２】上記プレスバンプ封止方法による半導体装
置の製造は、必要に応じて真空下で行ってもよい。
【０１１３】また、ディスペンサーを用いてポッティン
グする代わりに、可能であれば印刷により塗布し、その
のち、フリップチップボンダーなどによるプレスバンプ
接続方式によって、半導体素子と配線回路基板との電気
的接続と同時に封止樹脂層を形成してもよい。なお、印
刷による塗布は印刷雰囲気全体を加温したり、マスク、
スキージなどを部分的に加温してもよい（加温の目安は
４０〜１００℃である）。
【０１１４】〔印刷封止方法〕まず、配線回路基板上に
複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたも
のを準備する。そして、予め加温（４０〜１３０℃程
度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回路基板
と半導体素子との空隙に、加温（４０〜９０℃程度、好
適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂
組成物を、ディスペンサーを用いて滴下し、印刷封止に
て封止樹脂層を形成することによって、フリップチップ
実装による半導体装置を製造することができる。
【０１１５】上記印刷封止については、真空差圧を利用
した東レエンジニアリング社製の真空印刷封止装置（型
式ＶＰＥ−１００シリーズ）を用いるのが、封止樹脂層
に気泡が入りにくいという点で好ましい。
【０１１６】なお、予め加温せずに、固形または半固形
の半導体封止用樹脂組成物をステージ、スキージなどに
対して直接貼り付け、塗布などを行ない、印刷封止する
ことも可能である。
【０１１７】次に、上記半導体装置の製造方法のうち、
キャビティーフィル形態の半導体装置の製造方法につい
て、以下に具体的に説明する。
【０１１８】まず、配線回路基板上に半導体素子が搭載
され、両者がボンディングワイヤーなどで電気的に接続
されたものを準備する。そして、予め加温（４０〜１３
０℃程度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回
路基板と半導体素子に、加温（４０〜９０℃程度、好適
には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組
成物を、ディスペンサーを用いてポッティングし加熱硬
化して半導体素子を内包するよう封止樹脂層を形成する
ことにより、キャビティーフィル形態の半導体装置を製
造することができる。
【０１１９】なお、予め加温せずに、固形または半固形
の半導体封止用樹脂組成物を、直接貼り付けまたは塗布
を行い、そののち加熱し硬化させて上記半導体素子を内
包するよう封止樹脂層を形成することも可能である。
【０１２０】また、上記封止方法による半導体装置の製
造は、真空下で行ってもよい。真空下で行う装置として
は、例えば武蔵エンジニアリング社製の型式ＭＢＣ−Ｖ
シリーズなどが挙げられる。
【０１２１】他の製造方法について述べる。即ち、ま
ず、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボ
ンディングワイヤーなどで電気的に接続されたものを準
備する。そして、予め加温（４０〜１３０℃程度、好適
には６０〜１００℃程度）された配線回路基板と半導体
素子上に、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８
０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物を印刷な
どにより供給し、加熱硬化して半導体素子を内包するよ
う封止樹脂層を形成することにより、キャビティーフィ
ル形態の半導体装置を製造することができる。
【０１２２】上記印刷封止による半導体装置の製造は、
真空下で行ってもよい。さらに、真空下で半導体装置を
製造する際、真空下で印刷封止した後、雰囲気の気圧を
上げて半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、
その状態のままでさらに仕上げ印刷を行ってもよい。
【０１２３】上記半導体封止用樹脂組成物を加熱硬化さ
せる方法としては、特に限定するものではないが、例え
ば、対流式乾燥機、ＩＲリフロー炉、ホットプレートな
ど用いた加熱方法などが挙げられる。
【０１２４】また、本発明の半導体封止用樹脂組成物を
用いることによる上記実装用基板と半導体装置との間の
空隙の充填方法としては、例えば、先の半導体装置の製
造方法のうちのフリップチップ実装について述べた場合
と同様のサイドフィル封止方法、プレスバンプ封止方
法、印刷封止方法などが挙げられる。なお、上記の半導
体封止用樹脂組成物に、ニッケル、金、銀、銅、錫、
鉛、ビスマスなどの導電性粒子を分散させ、ＡＣＦ（An
isotropic Conductive Film ）、ＡＣＰ（Anisotropic
Conductive Paste）としてフリップチップ実装に用いて
もよい。その他の使用方法として、上記半導体封止用樹
脂組成物を配線回路基板上にダム材として用いたり、配
線回路基板と放熱板との接着剤やダイボンド剤として用
いてもよい。
【０１２５】本発明の半導体封止用樹脂組成物を、半導
体ウエハやマトリックス状の配線回路基板に対して用い
た半導体装置の製造は、自体公知の各種方法により行う
ことができる。
【０１２６】突起状電極部が配設された半導体素子が複
数形成された半導体ウエハに対して用いた場合について
述べる。即ち、上記突起状電極部配設面に、加温（４０
〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程度）された上記
半導体封止用樹脂組成物を、ディスペンサーを用いて塗
布して半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹
脂層を形成する。上記半導体封止用樹脂組成物からなる
所定の厚みの樹脂層を形成する際には、上記突起状電極
部の少なくとも先端部を上記樹脂層より露出させるよう
設定する。次いで、上記樹脂層が形成された半導体ウエ
ハを切断して半導体装置を作製する。
【０１２７】上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂
層の形成方法としては、マスクの開口部を通して印刷に
より行う方法が挙げられる。
【０１２８】上記形成された樹脂層は、最終的に加熱硬
化されていればよく、加熱硬化工程は半導体ウエハの切
断前であっても切断後であってもよい。
【０１２９】一方、個々の配線回路が形成されたマトリ
ックス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素
子全体上に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して上
記半導体素子を内包するよう樹脂層を形成する。次い
で、上記樹脂層を加熱硬化して複数の半導体素子を樹脂
封止したのち、樹脂封止された複数の半導体素子を個々
の半導体装置に切断することにより半導体装置を作製す
る。
【０１３０】上記形成された樹脂層は、最終的に加熱硬
化されていればよく、加熱硬化工程は個々の半導体素子
に切断する前であっても切断後であってもよい。
【０１３１】上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂
層の形成方法としては、先に述べた方法と同様、ディス
ペンサーを用いる方法、マスクの開口部を通して印刷に
よって行う方法などが挙げられる。
【０１３２】また、突起状電極部が配設された半導体素
子が複数形成された半導体ウエハの、上記突起状電極部
配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して所定
の厚みの樹脂層を形成したのち、上記樹脂層が形成され
た半導体ウエハを個々の半導体装置に切断する。次い
で、上記切断された半導体装置の樹脂層形成面と、実装
用外部基板とを対面させた状態で、実装用外部基板と半
導体装置とを加熱圧着、または半田リフローによる熱処
理を行うことにより、両者を電気的に接続させると共
に、上記樹脂層を加熱して硬化させることにより、上記
半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成し
て樹脂封止する。このようにして半導体装置を作製す
る。なお、加熱硬化は、半導体ウエハを切断する前に行
ってもよい。
【０１３３】さらに、個々の配線回路が形成されたマト
リックス状の配線回路基板上に上記半導体封止用樹脂組
成物を供給して樹脂層を形成したのち、上記樹脂層が形
成された配線回路基板を個々の配線回路基板に切断す
る。次いで、複数の接続用電極部が各々に配設された半
導体素子の接続用電極部配設面と、上記切断された配線
回路基板とを対面させた状態で、半導体素子と配線回路
基板とを加熱圧着、または半田リフローによる熱処理を
行うことにより両者を電気的に接続させると共に、上記
樹脂層を加熱溶融して硬化させることにより、半導体素
子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封
止する。このようにして半導体装置を作製する。
【０１３４】上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂
層の形成方法としては、先に述べた方法と同様、ディス
ペンサーを用いる方法や、マスクの開口部を通して印刷
により行う方法などが挙げられる。
【０１３５】
【実施例】次に、本発明を実施例を用いてさらに詳細に
説明するが、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変
形、応用が可能であることは云うまでもない。
【０１３６】＜第１の態様＞以下に第１の態様の実施例
および比較例を記載する。
【０１３７】第１の態様の実施例および比較例に用いる
Ａ成分（液状エポキシ樹脂）、Ｂ成分（固形状フェノー
ル樹脂）、Ｃ成分（潜在性硬化促進剤）は以下の通りで
ある。
【０１３８】［Ａ成分Ａ１−１］：ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂（２５℃で液状、エポキシ当量１５８ｇ／
ｅｑ、東都化成社製、エポトートＹＤＦ−８１７０）
【０１３９】［Ａ成分Ａ１−２］：ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂（２５℃で液状、エポキシ当量１７０ｇ／
ｅｑ、ダウケミカル社製、ＤＥＲ−３３２）
【０１４０】［Ｂ成分Ｂ１−１］：下記構造式にて表さ
れる四官能フェノール樹脂（２５℃で固形、融点１５６
℃、純度９３．６％）
【化１２】
【０１４１】［Ｂ成分Ｂ１−２］：下記構造式にて表さ
れる三官能フェノール樹脂（２５℃で固形、融点９４
℃、純度９８％）
【０１４２】
【化１３】
【０１４３】［Ｂ成分Ｂ１−３］：トリフェニルメタン
型フェノール樹脂（２５℃で固形、水酸基当量１０１ｇ
／ｅｑ、融点１１０℃、１５０℃での粘度０．３〜０．
４Ｐａ・ｓ、明和化成社製、ＭＥＨ−７５００（３，４
Ｐ）
【０１４４】［Ｂ成分Ｂ１−４］：三官能フェノール樹
脂および四官能フェノール樹脂の混合物（液体クロマト
グラフィー分析による全ピーク面積に対するピーク面積
比率＝約６５：約３０、２５℃で固形、融点１３２℃、
本州化学工業社製、ＭＨＤ−２４４ＬＧ）
【０１４５】［酸無水物系硬化剤］（任意成分）：メチ
ルヘキサヒドロ無水フタル酸
【０１４６】［Ｃ成分Ｃ１−１］：前述の方法に準じて
マイクロカプセル型硬化促進剤を作製した。即ち、ま
ず、キシリレンジイソシアネート３モルとトリメチロー
ルプロパン１モルとの付加物１１重量部、トリレンジイ
ソシアネート３モルとトリメチロールプロパン１モルと
の付加物４．６重量部を、硬化促進剤としてのトリフェ
ニルホスフィン７重量部と酢酸エチル３．９重量部との
混合液中に均一に溶解させて油相を調製した。
【０１４７】次いで、蒸留水１００重量部とポリビニル
アルコール５重量部からなる水相を別途調製し、この中
に上記にて調製した油相を添加してホモミキサーにて乳
化してエマルジョン状態にし、これを還流管、攪拌機、
滴下ロートを備えた重合反応器に仕込んだ。
【０１４８】一方、トリエチレンテトラミン３重量部を
含む水溶液１０重量部を調製し、これを上記重合反応器
に備えた滴下ロート内に入れ、反応器中のエマルジョン
に滴下して７０℃で３時間界面重合を行い、マイクロカ
プセル型硬化促進剤の水性分散液を得た。続いて、遠心
分離によって水相中のポリビニルアルコールなどを除去
したのち、蒸留水１００重量部を加え再び分散を行い、
分散液を得た。
【０１４９】この分散液にギ酸を滴下して系をｐＨ３に
調整した。これにより壁膜表面および内部のアミノ基が
ギ酸によってブロックされたマイクロカプセル型硬化促
進剤を作製した。このようにして得られたマイクロカプ
セル型硬化促進剤は遠心分離にて分別、水洗を繰り返し
たのち、乾燥することによって自由流動性を有する粉末
状粒子として単離した。このマイクロカプセル型硬化促
進剤の平均粒径は２μｍであった。また、マイクロカプ
セルの粒径に対するシェル厚み比率は１５％であり、マ
イクロカプセル内のトリフェニルホスフィンの内包量は
全体の３０重量％であった。
【０１５０】［硬化促進剤Ｃ１−２］：日本化薬社製の
ＭＣＥ−９９５７
【０１５１】［硬化促進剤Ｃ１−３］：２−エチル−４
−メチルイミダゾール
【０１５２】実施例１−１、１−３、１−４ 表１に示す配合割合で、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
を仕込み、１５０℃で２分間混合し、固形分を全て溶解
した。次に、６５℃の温度に調節した後、潜在性硬化促
進剤を加えて２分間均一に混合した。
【０１５３】実施例１−２、比較例１−１、従来例 表１に示す配合割合で、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
を仕込み、１１０℃で５分間混合し、固形分を全て溶解
した。次に、６５℃の温度に調節した後、潜在性硬化促
進剤を加えて２分間均一に混合した。
【０１５４】
【表１】
【０１５５】このようにして得られた実施例、比較例、
および従来例の半導体封止用樹脂組成物について、２５
℃および８０℃における各粘度を、Ｅ型粘度計を用いて
前述の方法に従って測定した。さらに、ガラス転移温度
（Ｔｇ）、貯蔵安定性（粘度変化の度合い）、吐出性お
よび塗布作業性、可使時間について、下記の方法に従っ
て測定、評価し、その結果を表1に併記した。
【０１５６】また、上記半導体封止用樹脂組成物を用い
て作製した半導体装置の耐湿信頼性を下記の方法に従っ
て測定、評価し、その結果を表１に併記した。
【０１５７】＜ガラス転移温度（Ｔｇ）＞予め脱泡処理
した半導体封止用樹脂組成物を１５０℃で３時間硬化さ
せて得たテストピースを、リガク社製のＴＭＡ装置（型
番ＭＧ８００ＧＭ）を用いて測定した。なお、測定条件
は、昇温５℃／ｍｉｎで荷重３０ｇにて行った。そし
て、横軸を温度，縦軸を伸びとするグラフ図を作成し、
５０〜７０℃間の接線と２００〜２３０℃間の接線との
交点をＴｇとして求めた。
【０１５８】＜貯蔵安定性＞（粘度変化の度合い）２５
℃の雰囲気に放置し（３０日）、放置前後の粘度をＥ型
粘度計を用いて測定した（測定温度：８０℃、従来例に
ついては測定温度：２５℃）。判定基準は以下の通りで
ある。
【０１５９】◎：放置後の粘度が放置前の粘度の1.5倍
以下となったもの ○：放置後の粘度が放置前の粘度の1.5倍を超え、3.0倍
以下のもの △：放置後の粘度が放置前の粘度の3.0倍を超え、10倍
以下のもの ×：放置後の粘度が放置前の粘度の10倍を超えるもの
【０１６０】なお、Ｅ型粘度計を用いての粘度の測定
は、前記２５℃または８０℃における粘度の測定方法と
同様にして行った。
【０１６１】＜吐出性、塗布作業性＞８０℃に加温した
半導体封止用樹脂組成物を、ディスペンサーを用いて時
間と圧力の一定条件で吐出した時の吐出量で評価した。
即ち、武蔵エンジニアリング社製のシリンジ１０ｃｃ、
金属ニードルＳＮ−１７Ｇ（内径２．４ｍｍ）を用い、
圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で１０秒後の吐出量を測定した。判
定基準は以下の通りである。
【０１６２】◎：吐出量が１０００ｍｇ以上のもの ○：吐出量が２００ｍｇ以上、１０００ｍｇ未満のもの △：吐出量が５０ｍｇ以上、２００ｍｇ未満のもの ×：吐出量が５０ｍｇ未満のもの
【０１６３】なお、上記条件で５０ｍｇ未満であれば、
半導体の樹脂封止が不可のレベルである。
【０１６４】＜可使時間（粘度変化）＞ 各半導体封止
用樹脂組成物について、５０℃×７２時間放置前後の粘
度をＥ型粘度計を用いて測定した（測定温度：８０℃、
従来例については測定温度：２５℃）。判定基準は以下
の通りである。
【０１６５】◎：放置後の粘度が放置前の粘度の1.5倍
以下のもの ○：放置後の粘度が放置前の粘度の1.5倍を超え、3.0倍
以下のもの △：放置後の粘度が放置前の粘度の3.0倍を超え、10倍
以下のもの ×：放置後の粘度が放置前の粘度の１０倍を超えるもの
【０１６６】なお、Ｅ型粘度計を用いての粘度の測定
は、前記２５℃または８０℃における粘度の測定方法と
同様にして行った。
【０１６７】＜耐湿信頼性＞上記各半導体封止用樹脂組
成物を用いて、次のようして半導体装置を製造した。即
ち、まず、半導体チップを実装したデュアルインライン
パッケージ（ＤＩＰ）フレームをＤＩＰ金型にセット
し、金型を１４０℃に加温した（従来例については１１
０℃）。次いで、予め脱泡処理を行ない、６０〜１２０
℃に加熱した溶融状の半導体封止用樹脂組成物を滴下
し、１５０℃で３時間の条件で硬化して（従来例につい
ては１１０℃で２０時間の条件で硬化）、半導体装置を
作製した。そして、耐湿下、１３０℃×８５％ＲＨ×
２．３ａｔｍ（印加バイアス３０Ｖ）に投入し、各パタ
ーンの導通チェックを行ない、不導通になれば不良品と
する。なお、導通チェックは室温に取り出した後に行っ
た。パッケージの不良率〔（不良パターン数／全パター
ン数）×１００〕が５０％以上になった時間を確認し
た。なお、その他の条件は、以下のとおりである。
【０１６８】・評価パッケージ：ＤＩＰ１６・リードフ
レーム：４．２アロイ，厚み０．２５ｍｍ・チップ
：シンコー社製の全面Ａｌモデル素子３×６ｍｍ
（Ａｌパターン厚み５μｍ，幅５μｍ）・ワイヤー
：９９．９９％ Ｇｏｌｄ ＳＲ ２５μｍφ・Ａｇ
ペースト ：日立化成社製のＥＮ−４０００・評価ｎ数
：１０パッケージ／試料（１パッケージに、＋極
２パターン、−極２パターンが配線されているので計４
０パターン測定できる。）・ＰＣＴ条件 ：１３０℃
×８５％ＲＨ×２．３ａｔｍ（印加バイアス３０Ｖ）
【０１６９】上記表１の結果から明らかなように、実施
例品は従来例品に比べて、可使時間が長く、貯蔵安定性
に優れていることがわかる。そして、吐出性および塗布
作業性にも優れており、得られる半導体装置の耐湿信頼
性も良好であることがわかる。
【０１７０】また、比較例品は、２５℃での粘度が４０
０Ｐａ・ｓ未満であって、さらに潜在性硬化促進剤を用
いずに、通常の硬化促進剤を用いているので、可使時間
や貯蔵安定性が悪くなることがわかる。
【０１７１】＜第２の態様＞以下に第２の態様の実施例
および比較例を記載する。
【０１７２】第２の態様の実施例および比較例に用いる
Ａ成分（固形状エポキシ樹脂）、Ｂ成分（液状フェノー
ル樹脂）、Ｃ成分（潜在性硬化促進剤）は以下の通りで
ある。
【０１７３】［Ａ成分Ａ２−１］：下記の構造式で表さ
れる四官能ナフタレン型エポキシ樹脂（２５℃で固形：
エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ、軟化点６８℃）
【０１７４】
【化１４】
【０１７５】［Ａ成分Ａ２−２］：下記の構造式で表さ
れるトリフェニルメタン型エポキシ樹脂（２５℃で固
形：エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、軟化点６２℃）
【０１７６】
【化１５】
【０１７７】上記式において、ｎ≒１．８である。
【０１７８】［Ｂ成分Ｂ２−１］：アリル化フェノール
ノボラック樹脂（２５℃で液状：水酸基当量１３５ｇ／
ｅｑ、昭和化成社製、ＭＥＨ−８００５Ｈ）
【０１７９】［Ｃ成分Ｃ２−１］：先の第１の態様にお
ける実施例および比較例で用いた硬化促進剤Ｃ１−１と
同じマイクロカプセル型硬化促進剤を用いた。
【０１８０】［Ｃ成分Ｃ２−２］：日本化薬社製のＭＣ
Ｅ−９９５７（前記Ｃ１−２と同じ）。
【０１８１】［Ｃ成分Ｃ２−３］：２−エチル−４−メ
チルイミダゾール（前記Ｃ１−３と同じ）。
【０１８２】実施例２−１〜２−３、比較例２−１ 表２に示す配合割合で、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
を仕込み、１１０℃で５分間混合し、固形分を全て溶解
した。次に、６５℃の温度に調節した後、潜在性硬化促
進剤を加えて２分間均一に混合した。
【０１８３】
【表２】
【０１８４】このようにして得られた実施例および比較
例の半導体封止用樹脂組成物について、前記第１の態様
と同様の評価を行い、その結果を表２に併記した。
【０１８５】上記表２の結果から明らかなように、実施
例品は可使時間が長く、貯蔵安定性にも優れていること
がわかる。そして、吐出性や塗布作業性にも優れてお
り、得られる半導体装置の耐湿信頼性も良好であること
がわかる。特に、実施例２−１および２−２品は、潜在
性硬化促進剤として特定のマイクロカプセル型硬化促進
剤を用いているため、市販のマイクロカプセル型硬化促
進剤を用いたものに比べて、可使時間が非常に長く、貯
蔵安定性に優れている。
【０１８６】これに対し、比較例品は、潜在性硬化促進
剤ではない硬化促進剤を用いているために、可使時間が
短くなり、貯蔵時の粘度が大きく変化していることがわ
かる。
【０１８７】＜第３の態様＞以下に第３の態様の実施例
および比較例を記載する。
【０１８８】第３の態様の実施例および比較例に用いる
Ａ成分（固形状エポキシ樹脂）、Ｂ成分（固形状フェノ
ール樹脂）、Ｃ成分（潜在性硬化促進剤）は以下の通り
である。
【０１８９】［Ａ成分Ａ３−１］：下記の構造式で表さ
れる結晶性エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量
１７４ｇ／ｅｑ、融点７９℃）
【０１９０】
【化１６】
【０１９１】［Ａ成分Ａ３−２］：下記の構造式で表さ
れる結晶性エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量
１７３ｇ／ｅｑ、融点１４５℃）
【０１９２】
【化１７】
【０１９３】［Ａ成分Ａ３−３］：下記の構造式で表さ
れる結晶性エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量
１９５ｇ／ｅｑ、融点１０５℃、油化シェル社製）
【０１９４】
【化１８】
【０１９５】［Ａ成分Ａ３−４］：下記の構造式で表さ
れる結晶性エポキシ樹脂（２５℃で固形：エポキシ当量
１９０ｇ／ｅｑ、融点７８℃）
【０１９６】
【化１９】
【０１９７】［Ａ成分Ａ３−５］：下記の構造で表され
るトリフェニルメタン型エポキシ樹脂（２５℃で固形：
エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、軟化点６２℃）
【０１９８】
【化２０】
【０１９９】［Ａ成分Ａ３−６］：下記の構造式で表さ
れる四官能ナフタレン型エポキシ樹脂（２５℃で固形：
エポキシ当量１６７ｇ／ｅｑ、軟化点６８℃）
【０２００】
【化２１】
【０２０１】［Ｂ成分Ｂ３−１］：三官能フェノール樹
脂および四官能フェノール樹脂の混合物（液体クロマト
グラフィー分析による全ピーク面積に対するピーク面積
比率＝約６５：約３０、２５℃で固形、融点１３２℃、
本州化学工業社製、ＭＨＤ−２４４ＬＧ）
【０２０２】［Ｂ成分Ｂ３−２］：下記の構造式で表さ
れる三官能フェノール樹脂（２５℃で固形：純度９８
％、融点９４℃）
【０２０３】
【化２２】
【０２０４】［Ｂ成分Ｂ３−３］：下記の化学式で表さ
れるフェノール樹脂（２５℃で固形）。
【０２０５】
【化２３】
【０２０６】［Ｃ成分Ｃ３−１］：前記第１の態様にて
用いたマイクロカプセル型硬化促進剤Ｃ１−１を用い
た。
【０２０７】［Ｃ成分Ｃ３−２］：日本化薬社製のＭＣ
Ｅ−９９５７（前記Ｃ１−２と同じ）。
【０２０８】〔Ｃ成分Ｃ３−３〕：２−エチル−４−メ
チルイミダゾール（前記Ｃ１−３と同じ）。
【０２０９】実施例３−１、３−３、３−５ 表３に示す配合割合で、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
を仕込み、１５０℃で１０分間混合し、固形分を全て溶
解した。次に、７５℃の温度に調節した後、潜在性硬化
促進剤を加えて２分間均一に混合した。
【０２１０】実施例３−２、３−５、比較例３−１ 表３に示す配合割合で、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
を仕込み、１３０℃で１０分間混合し、固形分を全て溶
解した。次に、６５℃の温度に調節した後、潜在性硬化
促進剤を加えて２分間均一に混合した。
【０２１１】
【表３】
【０２１２】このようにして得られた実施例および比較
例の半導体封止用樹脂組成物について、前記第１の態様
と同様の評価を行い、その結果を表３に併記した。
【０２１３】上記表３の結果から明らかなように、実施
例品は可使時間が長く、貯蔵安定性にも優れていること
がわかる。そして、吐出性や塗布作業性にも優れてお
り、得られる半導体装置の耐湿信頼性も良好であること
がわかる。特に、実施例３−１〜３−４品は、潜在性硬
化促進剤として特定のマイクロカプセル型硬化促進剤を
用いているために、可使時間が非常に長く、貯蔵安定性
に特に優れている。
【０２１４】これに対し、比較例３−１品は、潜在性硬
化促進剤ではない硬化促進剤を用いているために、可使
時間が短く、貯蔵安定性も悪くなっていることがわか
る。
【０２１５】
【発明の効果】以上のように、本発明はエポキシ樹脂
（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成分）と、潜在性硬
化促進剤（Ｃ成分）とを必須成分として含有する半導体
封止用樹脂組成物であって、２５℃で固体であるか、も
しくは２５℃および８０℃の各温度における半導体封止
用樹脂組成物の粘度が特定の範囲に設定された性状を有
するものである。このため、従来の液状封止材に比べ可
使時間が長くなると共に、貯蔵安定性に優れている。し
かも、室温で固形または半固形であっても、４０〜８０
℃程度の比較的低い温度で急激に粘度が低下して液状化
できるので、吐出性や塗布作業性に優れている。特に、
本発明の半導体封止用樹脂組成物は、常温では固形状ま
たは半固形状であるため、半導体素子または配線回路基
板において封止後硬化しない状態であっても、常温で自
由に取り扱いができることから、この半導体封止用樹脂
組成物を半導体ウェハやマトリックス状の配線回路基板
などに塗布した後、個々の素子および配線回路基板に切
断してフリップチップボンダーなどで配線回路基板と半
導体素子とを熱圧着などによる接続が可能となる。
【０２１６】そして、上記潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）
として、特定のシェル部で硬化促進剤からなるコア部が
被覆されたコア／シェル構造を有するマイクロカプセル
型硬化促進剤を用いた場合には、それを含有してなる半
導体封止用樹脂組成物は、可使時間が非常に長くなり、
貯蔵安定性に特に優れるという利点がある。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半
    導体封止用樹脂組成物であって、２５℃において固形状
    もしくは４００Ｐａ・ｓ以上の粘度を有し、かつ８０℃
    において２００Ｐａ・ｓ以下の粘度を有することを特徴
    とする半導体封止用樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）フェノール樹脂。 （Ｃ）潜在性硬化促進剤。
  2. 【請求項２】 （Ａ）成分が、液状または固形状のエポ
    キシ樹脂であり、（Ｂ）成分が液状または固形状のフェ
    ノール樹脂である請求項１記載の半導体封止用樹脂組成
    物。
  3. 【請求項３】 （Ｂ）成分が、多官能性フェノール樹脂
    である請求項１または２記載の半導体封止用樹脂組成
    物。
  4. 【請求項４】 （Ｃ）成分が、硬化促進剤をコア部と、
    ウレア結合を有するシェル部からなるマイクロカプセル
    型硬化促進剤である請求項１記載の半導体封止用樹脂組
    成物。
  5. 【請求項５】 配線回路基板上に、複数の接続用電極部
    を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半
    導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されて
    なる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、請求項１
    記載の半導体封止用樹脂組成物によって形成されている
    ことを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 封止樹脂層が半導体封止用樹脂組成物の
    充填、硬化によって形成されるか、またはシート状に形
    成された半導体封止用樹脂組成物を介在、硬化によって
    形成される請求項５記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 配線回路基板上に半導体素子が搭載さ
    れ、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、
    上記半導体素子を内包するように半導体素子の周囲を封
    止樹脂層によって封止してなる半導体装置であって、封
    止樹脂層が請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物によ
    って形成されていることを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項８】 配線回路基板上に半導体素子を搭載して
    配線回路基板と半導体素子を電気的に接続した後、上記
    半導体素子搭載面側の配線回路基板上に半導体封止用樹
    脂組成物を供給、硬化させてなる請求項７記載の半導体
    装置。
  9. 【請求項９】 実装用外部基板上に、半導体装置が搭載
    され、実装用基板と半導体装置との間の空隙が封止樹脂
    層によって封止されてなる実装構造であって、上記封止
    樹脂層が、請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物によ
    って形成されていることを特徴とする半導体装置の実装
    構造。
  10. 【請求項１０】 突起状電極部が配設された半導体素子
    が複数形成された半導体ウエハの上記突起状電極部配設
    面に、請求項１記載の半導体封止用樹脂組成物からなる
    所定の厚みの封止用樹脂層が、上記突起状電極部の少な
    くとも先端部を上記封止用樹脂層から露出するよう形成
    されていることを特徴とする半導体ウエハ。
  11. 【請求項１１】 封止用樹脂層が、マスクの開口部を通
    した印刷によって形成されている請求項１０記載の半導
    体ウエハ。
  12. 【請求項１２】 請求項１０記載の半導体ウエハを個々
    の半導体素子に切断して得られる半導体装置を、切断さ
    れた半導体装置の封止用樹脂層形成面と、実装用外部基
    板とを対面させた状態で加熱圧着、または半田リフロー
    による熱処理を行うことにより両者が電気的に接続さ
    れ、上記封止用樹脂層が加熱硬化によって、上記半導体
    装置と実装用外部基板との間に封止樹脂層を形成してな
    ることを特徴とする半導体装置。
  13. 【請求項１３】 個々の配線回路が形成されたマトリッ
    クス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素子
    全体の上に、半導体素子を内包するように半導体素子の
    周囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置であ
    って、封止樹脂層が請求項１記載の半導体封止用樹脂組
    成物によって形成されていることを特徴とする半導体装
    置。
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