JP2002121260A

JP2002121260A - 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製法

Info

Publication number: JP2002121260A
Application number: JP2000306516A
Authority: JP
Inventors: Tadaaki Harada; 忠昭原田; Toshitsugu Hosokawa; 敏嗣細川
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1999-10-06
Filing date: 2000-10-05
Publication date: 2002-04-23

Abstract

(57)【要約】【課題】耐湿信頼性および貯蔵安定性に優れるととも
に、吐出および塗布作業性にも優れた半導体封止用樹脂
組成物を提供する。【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導
体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂組
成物が２５℃で粘度７００Ｐａ・ｓ以上または２５℃で
固体で、かつ８０℃で粘度５００Ｐａ・ｓ以下に設定さ
れている。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）酸無水物系硬化剤。（Ｃ）潜在性硬化促進剤。（Ｄ）無機質充填剤。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エポキシ樹脂系の
封止剤であり、８０℃以下の比較的低温下で低粘度を示
し、特に吐出，塗布作業性に優れ、しかも貯蔵安定性に
優れた半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導
体装置ならびに半導体装置の製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、ＴＡＢ（Tape Automated Bon
ding，テープオートメイティドボンディング），ＣＯＢ
（Chip On Board ，チップオンボード）等における半導
体封止には、液状封止剤が用いられている。そして、上
記液状封止剤は、室温（２５℃）で使用され、ディスペ
ンサー、印刷等によって半導体素子を樹脂封止すること
により、半導体装置が製造される。このような液状封止
剤としては、一般に、液状のエポキシ樹脂と、液状の酸
無水物系硬化剤と、通常の硬化促進剤と、シリカ粉末と
を含有してなるエポキシ樹脂組成物が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記液
状封止剤は、室温で液状であるため貯蔵安定性が悪く、
室温貯蔵時に粘度が大きく上昇したり、シリカ粉末が沈
降したりするため、樹脂を凍らせて固形化する等の、特
別の貯蔵手段を講じる必要がある。

【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、可使時間が長くおよび貯蔵安定性に優れるとと
もに、吐出および塗布作業性にも優れた半導体封止用樹
脂組成物およびそれを用いた半導体装置、ならびにその
半導体装置の製法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半
導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂
組成物が２５℃で粘度７００Ｐａ・ｓ以上または２５℃
で固体で、かつ８０℃で粘度５００Ｐａ・ｓ以下に設定
されている半導体封止用樹脂組成物を第１の要旨とす
る。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）酸無水物系硬化剤。（Ｃ）潜在性硬化促進剤。（Ｄ）無機質充填剤。

【０００６】また、本発明は、配線回路基板上に、複数
の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配
線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によ
って封止されてなる半導体装置であって、上記封止樹脂
層が、上記半導体封止用樹脂組成物によって形成されて
いる半導体装置を第２の要旨とする。

【０００７】さらに、本発明は、配線回路基板上に、複
数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記
配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層に
よって封止されてなる半導体装置の製法であって、上記
配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上記半導体
封止用樹脂組成物を充填した後、硬化させることにより
上記封止樹脂層を形成する半導体装置の製法を第３の要
旨とする。

【０００８】そして、配線回路基板面上に半導体素子が
搭載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続
され、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周
囲を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置であっ
て、上記封止樹脂層が、上記半導体封止用樹脂組成物に
よって形成されている半導体装置を第４の要旨とする。

【０００９】また、配線回路基板面上に半導体素子が搭
載され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続さ
れ、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲
を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置の製法で
あって、上記配線回路基板面上に半導体素子を搭載して
配線回路基板と半導体素子を電気的に接続した後、上記
半導体素子搭載面側の配線回路基板上に上記半導体封止
用樹脂組成物を供給して硬化させることにより上記封止
樹脂層を形成する半導体装置の製法を第５の要旨とす
る。

【００１０】さらに、実装用基板上に、複数の接続用電
極部を介して樹脂封止層が形成された半導体装置が、そ
れ自体の配線回路基板を対面させた状態で搭載され、上
記実装用基板と半導体装置との間の空隙が封止樹脂層に
よって封止されてなる半導体製品であって、上記封止樹
脂層が、上記半導体封止用樹脂組成物によって形成され
ている半導体製品を第６の要旨とする。

【００１１】そして、突起状電極部が配設された半導体
素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極
部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物からなる所定
の厚みの樹脂層を、上記突起状電極部の少なくとも先端
部を上記樹脂層から露出するよう形成する工程と、上記
樹脂層が形成された半導体ウェハを、個々の半導体素子
に切断する工程とを備えた半導体装置の製法を第７の要
旨とする。

【００１２】また、個々の配線回路が形成されたマトリ
ックス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素
子全体上に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して半
導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成する工程と、上記
半導体素子を内蔵するよう樹脂層が形成されたマトリッ
クス状の配線回路基板を樹脂層とともに個々の半導体素
子毎に切断する工程とを備えた半導体装置の製法を第８
の要旨とする。

【００１３】さらに、突起状電極部が配設された半導体
素子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極
部配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物からなる所定
の厚みの樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層が形成さ
れた半導体ウェハを個々の半導体素子に切断する工程
と、上記切断された半導体素子の樹脂層形成面と、配線
回路基板とを対面させた状態で、配線回路基板と半導体
素子とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続さ
せるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることに
より、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂
層を形成して樹脂封止する工程とを備えた半導体装置の
製法を第９の要旨とする。

【００１４】そして、個々の配線回路が形成されたマト
リックス状の配線回路基板面に、上記半導体封止用樹脂
組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層
が形成された配線回路基板を個々の配線回路基板に切断
する工程と、複数の接続用電極部が各々に配設された半
導体素子の接続用電極部配設面と、切断された配線回路
基板とを対面させた状態で、半導体素子と配線回路基板
とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させる
とともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることによ
り、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層
を形成して樹脂封止する工程とを備えた半導体装置の製
法を第１０の要旨とする。

【００１５】すなわち、本発明者は、可使時間が長く貯
蔵安定性に優れるとともに、吐出および塗布作業性にも
優れた封止材料を得るため一連の研究を重ねた。その結
果、エポキシ樹脂と酸無水物系硬化剤と潜在性硬化促進
剤と無機質充填剤とを用い、しかも２５℃および８０℃
の各温度において特定の状態・粘度を有する樹脂組成物
を用いると、所期の目的を達成できることを見出し本発
明に到達した。

【００１６】特に、上記エポキシ樹脂として、多官能エ
ポキシ樹脂を用いた場合には、ガラス転移温度（Ｔｇ）
が高くなり、耐熱性が高くなるという利点がある。

【００１７】そして、上記潜在性硬化促進剤として、特
定のシェル部で硬化促進剤からなるコア部が被覆された
コア／シェル構造を有するマイクロカプセル型硬化促進
剤を用いた場合、それを含有してなる半導体封止用樹脂
組成物は、可使時間が非常に長くなり、貯蔵安定性に特
に優れるという利点がある。

【００１８】さらに、無機質充填剤として球状溶融シリ
カ粉末を用い、これが半導体封止用樹脂組成物全体中に
特定の割合で含有されている場合には、流動性に優れる
ようになり、吐出および塗布作業性に特に優れるという
利点がある。

【００１９】

【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて詳しく説明する。

【００２０】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、エポ
キシ樹脂（Ａ成分）と、酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）
と、潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）と、無機質充填剤（Ｄ
成分）とを用いて得られるものであり、２５℃および８
０℃の各温度でそれぞれ特定の状態・粘度を有するもの
である。

【００２１】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特
に限定するものではなく各種のエポキシ樹脂を用いるこ
とができる。例えば、多官能固形エポキシ樹脂、結晶性
エポキシ樹脂、二官能固形エポキシ樹脂、トリグリシジ
ルイソシアヌレート、ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等があげられる。
これらは単独であるいは２種以上併せて用いられる。こ
こで、多官能固形エポキシ樹脂とは、１分子中のエポキ
シ基の総数が３個以上である固形エポキシ樹脂をいう。
このような多官能固形エポキシ樹脂としては、例えば、
四官能ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン
型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹
脂、三井化学社製のテクモアＶＧ３１０１Ｌ、オルソク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂等があげられる。ま
た、結晶性エポキシ樹脂とは、Ｘ線回折により多数の結
晶のピークが表れる固形エポキシ樹脂であって、物理的
にはシャープな融点を示し、かつ溶融時には分子間相互
作用が殆どなくなるため極端に粘度が低下する性質を有
するものをいう。このような結晶性エポキシ樹脂として
は、例えば、ビスフェノール型、ビフェニル型、スチル
ベン型等があげられる。そして、結晶性エポキシ樹脂の
なかでも融点が９０℃以上のものを用いる場合は、８０
℃以下での流動性が良くなるという理由から、２種以上
のものを組み合わせて用いることが好ましい。

【００２２】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）のうち結晶性
エポキシ樹脂としては、例えば市販されている商品名Ｇ
Ｋ−４１３７（新日鉄化学社製）、商品名ＧＫ−５０７
９（新日鉄化学社製）、商品名ＹＤＣ−１３１２（東都
化成社製）等があげられる。なお、上記ＧＫ−４１３７
は、下記の化学式（２）で表される。また、上記ＧＫ−
５０７９は、下記の化学式（３）で表される。また、上
記ＹＤＣ−１３１２は、下記の化学式（４）で表され
る。

【００２３】

【化２】

【００２４】

【化３】

【００２５】

【化４】

【００２６】さらに、上記結晶性エポキシ樹脂のうちビ
フェニル型エポキシ樹脂は、下記の一般式（５）で表さ
れる。

【００２７】

【化５】

【００２８】上記一般式（５）中のＲ₃〜Ｒ₆で表され
る炭素数１〜５のアルキル基としては、メチル基、エチ
ル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチ
ル基等の直鎖状または分岐状の低級アルキル基があげら
れ、上記Ｒ₃〜Ｒ₆は互いに同一であっても異なってい
てもよい。

【００２９】そして、上記ビフェニル型エポキシ樹脂と
して、上記Ｒ₃〜Ｒ₆が全てメチル基である下記の式
（６）で表される構造のビフェニル型エポキシ樹脂と、
上記Ｒ ₃〜Ｒ₆が全て水素である下記の式（７）で表さ
れる構造のビフェニル型エポキシ樹脂とが略同量で含有
されている混合物を用いてもよい。

【００３０】

【化６】

【００３１】

【化７】

【００３２】そして、Ａ成分であるエポキシ樹脂として
は、エポキシ当量が１４０〜２７０ｇ／ｅｑで、軟化点
が５０〜１００℃または融点が４０〜１５０℃のものを
用いることが好ましく、なかでもエポキシ当量が１５０
〜２２０ｇ／ｅｑで、軟化点が６０〜８０℃または融点
が６０〜１３０℃のものを用いることが好適である。

【００３３】上記Ａ成分とともに用いられる酸無水物系
硬化剤（Ｂ成分）としては、上記エポキシ樹脂（Ａ成
分）の硬化剤として作用するものであって、特に限定す
るものではなく各種の酸無水物を用いることができる
が、所期の目的を損なわない範囲であれば、各種フェノ
ール樹脂、アミン類、フタル酸類等を併用してもよい。
上記酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）としては、ヘキサヒド
ロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テ
トラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸、無水トリメリ
ット酸等があげられる。これらは単独であるいは２種以
上併せて用いられる。

【００３４】そして、Ｂ成分である酸無水物としては、
当量が１００〜２００のものを用いることが好ましく、
なかでも当量が１５０〜１８０で、かつ、常温で液状の
ものを用いることが好適である。

【００３５】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と酸無水物系
硬化剤（Ｂ成分）との配合割合は、上記エポキシ樹脂に
対し０．６〜１．４当量となるように配合することが好
適である。より好適には、０．７〜１．１当量である。

【００３６】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と酸無水物系
硬化剤（Ｂ成分）との組み合わせにおいては、例えば、
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂〔特に商品名ＹＤＦ−
８１７０（東都化成社製）〕とメチルヘキサヒドロ無水
フタル酸〔メチル化ＨＨＰＡ（例えばリカシッドＭＨ−
７００，新日本理化社製）〕とを組み合わせて用いるこ
とが、硬化性、耐熱性、流動性の点から好ましい。

【００３７】上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられ
る潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）は、これを含有してなる
半導体封止用樹脂組成物の５０℃雰囲気下７２時間放置
後における粘度（測定温度：８０℃）が、放置前におけ
る粘度の１０倍以下になるものであり、例えば、各種の
硬化促進剤からなるコア部が、下記の一般式（１）で表
される構造単位を有する重合体を主成分とするシェル部
で被覆されたコア／シェル構造を有し、そのシェル部に
存在する反応性アミノ基がブロック化されているマイク
ロカプセル型硬化促進剤があげられる。このようなマイ
クロカプセル型硬化促進剤を用いることにより、これを
含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、可使時間が非
常に長くなり、貯蔵安定性に特に優れるようになる。な
お、通常の硬化促進剤を少量にした場合であっても、放
置前の粘度に対し１０倍以下、通常、１〜３倍となるの
であれば潜在性硬化促進剤として考える。

【００３８】

【化８】

【００３９】上記マイクロカプセル型硬化促進剤におい
て、コア部として内包される硬化促進剤としては、硬化
反応を促進する作用を有するものであれば特に限定する
ものではなく、従来公知のものが用いられる。そして、
この場合、マイクロカプセルを調整する際の作業性や得
られるマイクロカプセルの特性の点から、室温で液状を
示すものが好ましい。なお、室温で液状とは、硬化促進
剤自身の性状が室温（２５℃）で液状を示す場合のほ
か、室温で固体であっても任意の有機溶剤等に溶解もし
くは分散させて液状にしたものをも含むものである。

【００４０】そして、上記内包される硬化促進剤として
は、例えば、アミン系、イミダゾール系、リン系、ホウ
素系、リン−ホウ素系等の硬化促進剤があげられる。具
体的には、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダ
ゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−イ
ソプロピルイミダゾール、２−ドデシルイミダゾール、
２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダ
ゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２
−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイ
ミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾー
ル等のイミダゾール類、エチルグアニジン、トリメチル
グアニジン、フェニルグアニジン、ジフェニルグアニジ
ン等のアルキル置換グアニジン類、３−（３，４−ジク
ロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素、３−フェニル
−１，１−ジメチル尿素、３−（４−クロロフェニル）
−１，１−ジメチル尿素等の３−置換フェニル−１，１
−ジメチル尿素類、２−メチルイミダゾリン、２−フェ
ニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−
ヘプタデシルイミダゾリン等のイミダゾリン類、２−ア
ミノピリジン等のモノアミノピリジン類、Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−Ｎ−（２−ヒドロキシ−３−アリロキシプロピ
ル）アミン−Ｎ′−ラクトイミド等のアミンイミド系
類、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホ
スフィン、フェニルホスフィン、トリメチルホスフィ
ン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、ト
リオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ
シクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン／
トリフェニルボラン錯体、テトラフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレート等の有機リン系化合物、１，８
−ジアザビシクロ〔５，４，０〕ウンデセン−７等のジ
アザビシクロアルケン系化合物、１，４−ジアザビシク
ロ〔２，２，２〕オクタン等があげられる。これらは単
独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、硬
化促進剤含有マイクロカプセルの作製の容易さ、また取
扱い性の容易さという点から、上記イミダゾール系化合
物や有機リン系化合物が好適に用いられる。

【００４１】前記式（１）で表される構造単位を有する
重合体を主成分とする重合体は、例えば、多価イソシア
ネート類と多価アミン類との重付加反応によって得られ
る。あるいは、多価イソシアネート類と水との反応によ
って得られる。

【００４２】上記多価イソシアネート類としては、分子
内に２個以上のイソシアネート基を有する化合物であれ
ばよく、具体的には、ｍ−フェニレンジイソシアネー
ト、ｐ−フェニレンジイソシアネート、２，４−トリレ
ンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネー
ト、ナフタレン−１，４−ジイソシアネート、ジフェニ
ルメタン−４，４′−ジイソシアネート、３，３′−ジ
メトキシ−４，４′−ビフェニルジイソシアネート、
３，３′−ジメチルジフェニルメタン−４，４′−ジイ
ソシアネート、キシリレン−１，４−ジイソシアネー
ト、４，４′−ジフェニルプロパンジイソシアネート、
トリメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、プロピレン−１，２−ジイソシアネート、
ブチレン−１，２−ジイソシアネート、シクロヘキシレ
ン−１，２−ジイソシアネート、シクロヘキシレン−
１，４−ジイソシアネート等のジイソシアネート類、ｐ
−フェニレンジイソチオシアネート、キシリレン−１，
４−ジイソチオシアネート、エチリジンジイソチオシア
ネート等のトリイソシアネート類、４，４′−ジメチル
ジフェニルメタン−２，２′，５，５′−テトライソシ
アネート等のテトライソシアネート類、ヘキサメチレン
ジイソシアネートとヘキサントリオールとの付加物、
２，４−トリレンジイソシアネートとプレンツカテコー
ルとの付加物、トリレンジイソシアネートとヘキサント
リオールとの付加物、トリレンジイソシアネートとトリ
メチロールプロパンの付加物、キシリレンジイソシアネ
ートとトリメチロールプロパンの付加物、ヘキサメチレ
ンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの付加
物、トリフェニルジメチレントリイソシアネート、テト
ラフェニルトリメチレンテトライソシアネート、ペンタ
フェニルテトラメチレンペンタイソシアネート、リジン
イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等の
脂肪族多価イソシアネートの三量体のようなイソシアネ
ートプレポリマー等があげられる。これらは単独でもし
くは２種以上併せて用いられる。

【００４３】上記多価イソシアネート類のなかでもマイ
クロカプセルを調製する際の造膜性や機械的強度の点か
ら、トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパ
ンの付加物（Ｘ）、および、キシリレンジイソシアネー
トとトリメチロールプロパンの付加物（Ｙ）の少なくと
も一方である３価のイソシアネートプレポリマーを用い
ることが好ましい。また、トリフェニルジメチレントリ
イソシアネートも好ましい多価イソシアネートとして用
いることもできる。

【００４４】一方、上記多価イソシアネート類と反応さ
せる多価アミン類としては、分子内に２個以上のアミノ
基を有する化合物であればよく、具体的にはジエチレン
トリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレン
ペンタミン、１，６−ヘキサメチレンジアミン、１，８
−オクタメチレンジアミン、１，１２−ドデカメチレン
ジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジ
アミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシリレンジア
ミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミ
ン、メンタンジアミン、ビス（４−アミノ−３−メチル
シクロヘキシル）メタン、イソホロンジアミン、１，３
−ジアミノシクロヘキサン、スピロアセタール系ジアミ
ン等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併
せて用いられる。

【００４５】また、上記多価イソシアネート類と水との
反応では、まず、多価イソシアネート類の加水分解によ
ってアミンが形成され、このアミンが未反応のイソシア
ネート基と反応（いわゆる自己重付加反応）することに
よって、前記一般式（１）で表される構造単位を有する
重合体を主成分とする重合体が形成される。

【００４６】さらに、上記シェル部（壁膜）を形成する
重合体として、例えば、上記多価イソシアネートととも
に多価アルコールを併用して、ウレタン結合を併有した
ポリウレタン−ポリウレアをあげることもできる。

【００４７】上記多価アルコールとしては、脂肪族、芳
香族または脂環族のいずれであってもよく、例えば、カ
テコール、レゾルシノール、１，２−ジヒドロキシ−４
−メチルベンゼン、１，３−ジヒドロキシ−５−メチル
ベンゼン、３，４−ジヒドロキシ−１−メチルベンゼ
ン、３，５−ジヒドロキシ−１−メチルベンゼン、２，
４−ジヒドロキシエチルベンゼン、１，３−ナフタレン
ジオール、１，５−ナフタレンジオール、２，７−ナフ
タレンジオール、２，３−ナフタレンジオール、ｏ，
ｏ′−ビフェノール、ｐ，ｐ′−ビフェノール、ビスフ
ェノールＡ、ビス−（２−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、キシリレンジオール、エチレングリコール、１，３
−プロピレングリコール、１，４−ブチレングリコー
ル、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオ
ール、１，７−ヘプタンジオール、１，８−オクタンジ
オール、１，１，１−トリメチロールプロパン、ヘキサ
ントリオール、ペンタエリスリトール、グリセリン、ソ
ルビトール等があげられる。これらは単独でもしくは２
種以上併せて用いられる。

【００４８】上記マイクロカプセル型硬化促進剤は、例
えば、下記に示す３段階の工程を経由することにより作
製することができる。

【００４９】〔第１工程〕コア成分である硬化促進剤
を、壁膜（シェル）の原料である多価イソシアネート中
に溶解もしくは微分散して油相を形成する。ついで、分
散安定剤を含有する水系媒体（水相）中に、上記油相を
油滴状に分散させてＯ／Ｗ型（油相／水相型）のエマル
ジョンを作製する。つぎに、上記Ｏ／Ｗ型エマルジョン
の水相に、多価アミンを添加して溶解することにより、
油相中の多価イソシアネートとの間で界面重合させて重
付加反応を生起する。あるいは、上記Ｏ／Ｗ型エマルジ
ョンを加温することによって、油相中の多価イソシアネ
ートが水相との界面で水と反応してアミンを生成し、引
き続き自己重付加反応を生起する。このようにして、ポ
リウレア系の重合体、好ましくは前記一般式（１）で表
される構造単位を有するポリウレアをシェル部（壁膜）
とするマイクロカプセルを作製することにより、マイク
ロカプセル分散液が得られる。

【００５０】一方、固体状の硬化促進剤を有機溶剤に溶
解してコア成分とする場合には、Ｓ／Ｏ／Ｗ（固相／油
相／水相）タイプのエマルジョンとなる。また、このエ
マルジョンタイプは硬化促進剤が親油性の場合であり、
硬化促進剤が親水性を有する場合には上記エマルジョン
タイプに形成され難いが、この場合には溶解度の調整を
行うことによりＯ／Ｏ（油相／油相）型のエマルジョン
タイプや、Ｓ／Ｏ／Ｏ（固相／油相／油相）型のエマル
ジョンタイプとして界面重合を行えばよい。

【００５１】この場合の有機溶剤としては、室温で液状
であれば特に限定するものではないが、少なくともシェ
ル部（壁膜）を溶解しないものを選択する必要がある。
具体的には、酢酸エチル、メチルエチルケトン、アセト
ン、塩化メチレン、キシレン、トルエン、テトラヒドロ
フラン等の有機溶剤のほか、フェニルキシリルエタン、
ジアルキルナフタレン等のオイル類を用いることができ
る。

【００５２】〔第２工程〕上記第１工程で得られたマイ
クロカプセル分散液に対して、ブロック化剤を添加し溶
解もしくは分散させる。このとき、遠心分離等により一
度水相中の分散安定剤や未反応アミンを取り除いた後
に、上記ブロック化剤を添加することが効果的である。

【００５３】〔第３工程〕上記第２工程でアミノ基をブ
ロック化剤でブロックしたマイクロカプセル分散液を、
遠心分離や濾過等により、過剰のブロック化剤を取り除
いた後、乾燥することにより、粉末状のマイクロカプセ
ル型硬化促進剤を作製することができる。

【００５４】まず、上記第１工程において、水系媒体
（水相）に添加する分散安定剤としては、ポリビニルア
ルコール、ヒドロキシメチルセルロース等の水溶性高分
子類、アニオン系界面活性剤、非イオン系界面活性剤、
カチオン系界面活性剤等の界面活性剤類等があげられ
る。また、コロイダルシリカ、粘度鉱物等の親水性無機
コロイド物質類等を使用することもできる。これら分散
安定剤の添加量は、水相中、０．１〜１０重量％となる
よう設定することが好ましい。

【００５５】また、上記第２工程において使用するブロ
ック化剤としては、アミノ基と反応性を有する化合物で
あれば特に限定するものではないが、例えば、エポキシ
化合物、アルデヒド化合物、酸無水物、エステル化合
物、イソシアネート化合物等のアミノ基と反応し共有結
合を形成する化合物があげられる。さらに、酢酸、蟻
酸、乳酸、蓚酸、琥珀酸等の有機カルボン酸類、ｐ−ト
ルエンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、ドデシ
ルベンゼンスルホン酸等の有機スルホン酸類、フェノー
ル化合物、ホウ酸、リン酸、硝酸、亜硝酸、塩酸等の無
機酸類、シリカ、アエロジル等の酸性表面を有する固体
物質等のアミノ基と中和反応し塩を形成する酸性化合物
があげられる。そして、これら化合物のなかでも、上記
酸性化合物は壁膜表面および壁膜内部に存在するアミノ
基を効果的にブロックする化合物として好ましく用いら
れ、特に蟻酸、有機スルホン酸類が好ましく用いられ
る。

【００５６】上記ブロック化剤の添加量は、壁膜表面お
よび壁膜内部に存在するアミノ基と等量モル数のブロッ
ク化剤が添加される。実用的には、例えば、ブロック化
剤として酸性化合物を用いる場合、マイクロカプセル調
製（界面重合）直後の分散液に酸性物質（酸性化合物）
を添加し、分散液のｐＨを塩基性から酸性、好ましくは
ｐＨ２〜５に調整し、しかる後、遠心分離や濾過等の手
段により過剰の酸性化合物を除去する方法があげられ
る。

【００５７】また、上記第１〜第３工程からなるマイク
ロカプセル型硬化促進剤の製法において、第２工程とし
て、マイクロカプセル分散液を酸性陽イオン交換樹脂カ
ラムを通すことにより、未反応の遊離アミンを除去した
り、残存アミノ基を中和させる手法も用いられる。

【００５８】得られたマイクロカプセル型硬化促進剤の
平均粒径は、特に限定されるものではないが、例えば、
均一な分散性の観点から、０．０５〜５００μｍの範囲
に設定することが好ましく、より好ましくは０．１〜３
０μｍである。上記マイクロカプセル型硬化促進剤の形
状としては球状が好ましいが楕円状であってもよい。そ
して、このマイクロカプセルの形状が真球状ではなく楕
円状や偏平状等のように一律に粒径が定まらない場合に
は、その最長径と最短径との単純平均値を平均粒径とす
る。

【００５９】さらに、上記マイクロカプセル型硬化促進
剤において、内包される硬化促進剤の量は、マイクロカ
プセル全量の１０〜９５重量％に設定することが好まし
く、特に好ましくは３０〜８０重量％である。すなわ
ち、硬化促進剤の内包量が１０重量％未満では、硬化反
応の時間が長くなりすぎて反応性に乏しくなり、逆に硬
化促進剤の内包量が９５重量％を超えると、壁膜の厚み
が薄すぎてコア部（硬化剤）の隔離性や機械的強度に乏
しくなる恐れがあるからである。

【００６０】また、上記マイクロカプセル型硬化促進剤
の粒径に対するシェル部（壁膜）の厚みの比率は３〜２
５％に設定することが好ましく、特に好ましくは５〜２
５％に設定される。すなわち、上記比率が３％未満では
エポキシ樹脂組成物製造時の混練工程において加わる剪
断力（シェア）に対して充分な機械的強度が得られず、
また、２５％を超えると内包される硬化促進剤の放出が
不充分となる傾向がみられるからである。

【００６１】そして、上記潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）
の配合量は、前記酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）１００重
量部（以下「部」と略す）に対して０．１〜４０部に設
定することが好ましい。特に好ましくは５〜２０部であ
る。すなわち、上記潜在性硬化促進剤の配合量が、０．
１部未満では、硬化速度が遅すぎて強度の低下を引き起
こし、４０部を超えると、硬化速度が速過ぎて流動性が
損なわれるおそれがあるからである。

【００６２】なお、本発明において、Ｃ成分である潜在
性硬化促進剤として、上記した硬化促進剤含有マイクロ
カプセル以外に、所期の目的を損なわなければ、市販の
マイクロカプセル型硬化促進剤を用いることができる。
市販品としては、例えば商品名ＭＣＥ−９９５７（日本
化薬社製、メチルメタアクリレートを壁膜として使用し
ているもの）、旭チバ社製のノバキュアー（商品名ＨＸ
−３７４８，３７４１，３７４２，ＨＸ−３９２１Ｈ
Ｒ，ＨＸ−３９４１ＨＰ）等があげられる。また、マイ
クロカプセル型硬化促進剤以外の硬化促進剤であっても
ジシアンジアミド、または、富士化成工業社製のフジキ
ュアーＦＸＲ−１０３０、ＦＸＥ−１０００等の触媒活
性が弱いものや、通常の硬化促進剤を少量添加し触媒活
性を弱くしたものでもよい。

【００６３】上記Ａ〜Ｃ成分とともに用いられる無機質
充填剤（Ｄ成分）としては、特に限定するものではなく
各種の無機質充填剤を用いることができる。例えば、シ
リカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、
アルミナ、酸化ベリリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、
アエロジル等があげられるが、ニッケル、金、銅、銀、
錫、鉛、Ｂｉ等の導電性粒子を加えてもよい。なかで
も、球状シリカ粉末、具体的には、球状溶融シリカ粉末
が特に好ましく用いられる。さらに、平均粒径０．０１
〜６０μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは
０．１〜１５μｍの範囲のものである。なお、本発明に
おいて、球状とは、フロー式粒子像分析装置（ＳＹＳＭ
ＥＸ社製のＦＰＩＡ−１００型）を用いて測定される真
球度が平均で０．８５以上であることをいう。

【００６４】そして、上記無機質充填剤（Ｄ成分）の含
有割合は、半導体封止用樹脂組成物全体中の５０〜９２
重量％となるように設定することが好ましく、特に好ま
しくは６０〜８８重量％である。すなわち、無機質充填
剤の含有割合が５０重量％未満では、硬化物の線膨張係
数が大きくなり、応力が発生しやすくなる傾向がみら
れ、９２重量％を超えると、流動性が低下し、吐出およ
び塗布作業性が悪くなる傾向がみられるからである。

【００６５】さらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物
には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に、必要に応じて他の添加剤
を適宜配合することができる。

【００６６】上記他の添加剤としては、例えば難燃剤、
ワックス、エチルアルコール、メチルアルコール等のア
ルコール類、ポリプロピレングリコール、ポリエチレン
グリコール、グリセリン等のグリコール類、レベリング
剤、消泡剤、フラックス、顔料、染料、シランカップリ
ング剤、チタネート系カップリング剤等があげられる。
上記シランカップリング剤としては、例えば、γ−メル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アミノ基
含有シラン等があげられ、これらは単独でもしくは２種
以上併せて用いられる。

【００６７】また、上記難燃剤としては、ノボラック型
ブロム化エポキシ樹脂、ブロム化ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、水
酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム等の金属化合
物、赤リン、リン酸エステル等のリン系化合物等があげ
られ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられ
る。

【００６８】さらに、上記難燃剤以外に、下記の一般式
（８）で表される多面体形状の金属水酸化物を用いるこ
とができる。この金属水酸化物は、結晶形状が多面体形
状を有するものであり、従来の六角板形状を有するも
の、あるいは、鱗片状等のように、いわゆる厚みの薄い
平板形状の結晶形状を有するものではなく、縦、横とと
もに厚み方向（ｃ軸方向）への結晶成長が大きい、例え
ば、板状結晶のものが厚み方向（ｃ軸方向）に結晶成長
してより立体的かつ球状に近似させた粒状の結晶形状、
例えば、略１２面体、略８面体、略４面体等の形状を有
する金属水酸化物をいう。

【００６９】

【化９】

【００７０】このような結晶形状が多面体形状を有する
金属水酸化物は、例えば、金属水酸化物の製造工程にお
ける各種条件等を制御することにより、縦，横とともに
厚み方向（ｃ軸方向）への結晶成長が大きい、所望の多
面体形状、例えば、略１２面体、略８面体、略４面体等
の形状を有する金属水酸化物を得ることができ、通常、
これらの混合物からなる。

【００７１】上記多面体形状を有する金属水酸化物の具
体的な代表例としては、Ｍｇ_1-XＮｉ_X（ＯＨ）
₂〔０．０１＜Ｘ＜０．５〕、Ｍｇ_1-XＺｎ_X（ＯＨ）
₂〔０．０１＜Ｘ＜０．５〕等があげられる。これら金
属水酸化物の市販品としては、例えば、タテホ化学工業
社製のエコーマグをあげることができる。

【００７２】また、上記多面体形状を有する金属水酸化
物のアスペクト比は、通常１〜８、好ましくは１〜７、
特に好ましくは１〜４である。ここでいうアスペクト比
とは、金属水酸化物の長径と短径との比で表したもので
ある。すなわち、アスペクト比が８を超えると、この金
属水酸化物を含有するエポキシ樹脂組成物が溶融したと
きの粘度低下に対する効果が乏しくなる。

【００７３】上記ワックスとしては、高級脂肪酸、高級
脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム、アミド系等の
化合物があげられ、単独でもしくは２種以上併せて用い
られる。

【００７４】さらに、本発明の半導体封止用樹脂組成物
には、上記他の添加剤以外に、シリコーンオイルおよび
シリコーンゴム、合成ゴム、反応性希釈剤等の成分を配
合して低応力化を図ったり、耐湿信頼性テストにおける
信頼性向上を目的としてハイドロタルサイト類、水酸化
ビスマス等のイオントラップ剤を配合してもよい。

【００７５】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、例え
ば、つぎのようにして製造することができる。すなわ
ち、上記Ａ〜Ｄ成分ならびに必要に応じて他の添加剤を
混合した後、万能攪拌釜等の混練機にかけ加熱状態で混
練りして溶融混合する。つぎに、これを室温（２５℃程
度）にて冷却することにより目的とする半導体封止用樹
脂組成物を製造することができる。なお、半導体封止用
樹脂組成物の流動性を調整するため、有機溶剤を添加す
ることもできる。上記有機溶剤としては、例えば、トル
エン、キシレン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセ
トン、ジアセトンアルコール等があげられる。これらは
単独でもしくは２種以上併せて用いられる。

【００７６】このようにして得られた半導体封止用樹脂
組成物は、２５℃において固体を示すかあるいは２５℃
で粘度７００Ｐａ・ｓ以上で、かつ８０℃で粘度５００
Ｐａ・ｓ以下に設定されていなければならない。特に好
ましくは、２５℃において固体を示すかあるいは２５℃
で粘度７００Ｐａ・ｓ以上で、かつ８０℃で粘度３００
Ｐａ・ｓ以下である。すなわち、２５℃で７００Ｐａ・
ｓ未満では、貯蔵安定性に劣り、８０℃で５００Ｐａ・
ｓを超えると、吐出および塗布作業性が悪くなり、いず
れも初期の特性を満足させることができないからであ
る。

【００７７】なお、上記半導体封止用樹脂組成物の２５
℃および８０℃における各粘度は、上記各温度において
Ｅ型粘度計を用いて測定される。具体的には、以下に示
すとおりである。

【００７８】〔２５℃における粘度〕東機産業社製ＲＥ
８０Ｕ形でロータは３°×Ｒ７．７を用い、コーンロー
タ回転数１ｒｐｍで１分間前処理後、０．１ｒｐｍで１
０分間放置後の値を測定する。

【００７９】〔８０℃における粘度〕東機産業社製ＲＥ
８０Ｒ形で、粘度１００Ｐａ・ｓ未満になるものはロー
タ３°×Ｒ１４、粘度１００Ｐａ・ｓ以上になるものは
ロータ３°×Ｒ７．７を用い、コーンロータ回転数１ｒ
ｐｍで１分間前処理後、０．５ｒｐｍで１０分間放置後
の値を測定する。

【００８０】本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いて
の半導体装置の製造は、従来公知の各種の方法により行
うことができる。例えば、フリップチップ、ＣＯＢ、グ
ラフトップ、キャビティーフィル等による実装において
は、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程
度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサ
ーを用いてポッティングした後、加熱し硬化させて封止
樹脂層を形成することにより半導体装置を製造すること
ができる。また、予め加温せずに、固形または半固形の
半導体封止用樹脂組成物を半導体素子上等に対して直接
貼りつけまたは塗布を行ない、その後加熱し硬化させて
封止樹脂層を形成することにより半導体装置を製造する
こともできる。なお、上記実装は、真空下で行ってもよ
い。

【００８１】上記半導体装置の製造方法のうちのフリッ
プチップ実装について、サイドフィル封止方法と、プレ
スバンプ封止方法と、印刷封止方法を例として具体的に
説明する。

【００８２】〔サイドフィル封止方法〕まず、配線回路
基板上に複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載
されたものを準備する。そして、予め加温（４０〜１３
０℃程度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回
路基板と半導体素子との空隙に、加温（４０〜９０℃程
度、好適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止
用樹脂組成物をディスペンサーを用いて注入し充填した
後、加熱し硬化させて封止樹脂層を形成することによ
り、フリップチップ実装による半導体装置を製造するこ
とができる。

【００８３】なお、予め加温せずに、固形または半固形
の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子上あるいはその
近傍に対して直接貼りつけまたは塗布を行ない、その後
加熱し硬化させて上記半導体素子と配線回路基板との空
隙に封止樹脂層を形成することも可能である。

【００８４】また、上記サイドフィル封止方法による半
導体装置の製造は、真空下で行ってもよい。真空下で行
う装置としては、例えば武蔵エンジニアリング社製の型
式ＭＢＣ−Ｖシリーズ等があげられる。さらに、上記真
空下で半導体装置を製造する際、真空下で配線回路基板
と半導体素子との空隙に半導体封止用樹脂組成物をディ
スペンサーを用いて注入し充填した後、大気圧に戻して
さらに半導体封止用樹脂組成物を充填するという差圧充
填を行ってもよい。

【００８５】〔プレスバンプ封止方法〕まず、配線回路
基板上に加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０
℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物をディスペ
ンサーを用いてポッティングする。その後、フリップチ
ップボンダー等によるプレスバンプ接続方式により、半
導体素子と配線回路基板との電気的接続と同時に封止樹
脂層を形成することにより、フリップチップ実装による
半導体装置を製造することができる。

【００８６】なお、予め加温せずに、固形または半固形
の半導体封止用樹脂組成物を半導体素子あるいは配線回
路基板に対して直接貼りつけまたは塗布を行い、その後
プレスバンプ接続方式により、半導体素子と配線回路基
板との電気的接続と同時に封止樹脂層を形成することも
可能である。

【００８７】また、上記プレスバンプ封止方法による半
導体装置の製造は、必要に応じて真空下で行ってもよ
い。

【００８８】また、ディスペンサーを用いてポッティン
グする代わりに、可能であれば、印刷により塗布し、そ
の後、フリップチップボンダー等によるプレスバンプ接
続方式により、半導体素子と配線回路基板との電気的接
続と同時に封止樹脂層を形成してもよい。なお、印刷に
よる塗布は印刷雰囲気全体を加温したり、マスク、スキ
ージ等を部分的に加温してもよい（加温の目安は４０〜
１００℃である）。

【００８９】〔印刷封止方法〕まず、配線回路基板上に
複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載されたも
のを準備する。そして、予め加温（４０〜１３０℃程
度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回路基板
と半導体素子との空隙に、加温（４０〜９０℃程度、好
適には６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂
組成物をディスペンサーを用いて滴下し、印刷封止にて
封止樹脂層を形成することにより、フリップチップ実装
による半導体装置を製造することができる。

【００９０】上記印刷封止については、真空差圧を利用
した東レエンジニアリング社製の真空印刷封止装置（型
式ＶＰＥ−１００シリーズ）を用いるのが、封止樹脂層
に気泡が入りにくいという点で好ましい。

【００９１】なお、予め加温せずに、固形または半固形
の半導体封止用樹脂組成物をステージ、スキージ等に対
して直接貼りつけ、塗布等を行ない、印刷封止すること
も可能である。

【００９２】一方、上記半導体装置の製造方法のうちの
キャビティーフィル形態の半導体装置の製造方法につい
て、具体的に説明する。

【００９３】まず、配線回路基板上に半導体素子が搭載
され、両者がボンディングワイヤー等で電気的に接続さ
れたものを準備する。そして、予め加温（４０〜１３０
℃程度、好適には６０〜１００℃程度）された配線回路
基板と半導体素子に、加温（４０〜９０℃程度、好適に
は６０〜８０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成
物をディスペンサーを用いてポッティングし加熱硬化し
て半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成すること
により、キャビティーフィル形態の半導体装置を製造す
ることができる。

【００９４】なお、予め加温せずに、固形または半固形
の半導体封止用樹脂組成物を、直接貼りつけ、または塗
布を行い、その後加熱し硬化させて上記半導体素子を内
蔵するよう封止樹脂層を形成することも可能である。

【００９５】また、上記封止方法による半導体装置の製
造は、真空下で行ってもよい。真空下で行う装置として
は、例えば武蔵エンジニアリング社製の型式ＭＢＣ−Ｖ
シリーズ等があげられる。

【００９６】他の製造方法について述べる。すなわち、
まず、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者が
ボンディングワイヤー等で電気的に接続されたものを準
備する。そして、予め加温（４０〜１３０℃程度、好適
には６０〜１００℃程度）された配線回路基板と半導体
素子上に、加温（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８
０℃程度）された上記半導体封止用樹脂組成物を印刷等
により供給し、加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう
封止樹脂層を形成することにより、キャビティーフィル
形態の半導体装置を製造することができる。

【００９７】上記印刷封止による半導体装置の製造は、
真空下で行ってもよい。さらに、真空下で半導体装置を
製造する際、真空下で印刷封止した後、雰囲気の気圧を
上げて半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、
その状態のままでさらに仕上げ印刷を行ってもよい。

【００９８】このようにして得られた半導体装置は、例
えば、実装用基板（マザーボード）の搭載に用いられ半
導体製品の製造に供される。すなわち、実装用基板（マ
ザーボート）上に、複数の接続用電極部を介して、半導
体装置を搭載するとともに、上記実装用基板と半導体装
置との間の空隙を、本発明の半導体封止用樹脂組成物を
用いて充填し、加熱硬化させることにより封止樹脂層を
形成して半導体製品を製造する。

【００９９】上記半導体封止用樹脂組成物を加熱硬化さ
せる方法としては、特に限定するものではないが、例え
ば、対流式乾燥機、ＩＲリフロー炉、ホットプレート等
を用いた加熱方法等があげられる。

【０１００】また、本発明の半導体封止用樹脂組成物を
用いることによる上記実装用基板と半導体装置との間の
空隙の充填方法としては、例えば、先の半導体装置の製
造方法のうちのフリップチップ実装について述べたのと
同様の方法、サイドフィル封止方法、プレスバンプ封止
方法、印刷封止方法等があげられる。なお、上記の半導
体封止用樹脂組成物に、ニッケル、金、銀、銅、錫、
鉛、Ｂｉ等の導電性粒子を分散させ、ＡＣＦ（Anisotro
pic Conductive Film ）、ＡＣＰ（AnisotropicConduct
ive Paste）としてフリップチップ実装に用いてもよ
い。その他の使用方法として、上記半導体封止用樹脂組
成物を配線回路基板上のダム材として用いたり、配線回
路基板と放熱板との接着剤およびダイボンド剤として用
いてもよい。

【０１０１】本発明の半導体封止用樹脂組成物を、半導
体ウェハやマトリックス状の配線回路基板に対して用い
た半導体装置の製造は、従来公知の各種の方法により行
うことができる。

【０１０２】突起状電極部が配設された半導体素子が複
数形成された半導体ウェハに対して用いた場合について
述べる。すなわち、上記突起状電極部配設面に、加温
（４０〜９０℃程度、好適には６０〜８０℃程度）され
た上記半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用い
て塗布して半導体封止用樹脂組成物からなる所定の厚み
の樹脂層を形成する。上記半導体封止用樹脂組成物から
なる所定の厚みの樹脂層を形成する際には、上記突起状
電極部の少なくとも先端部を上記樹脂層より露出させる
よう設定する。ついで、上記樹脂層が形成された半導体
ウェハを切断して半導体装置を作製する。

【０１０３】上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂
層の形成方法としては、マスクの開口部を通して印刷に
より行う方法があげられる。

【０１０４】上記形成された樹脂層は、最終的に加熱硬
化されていればよく、加熱硬化工程は半導体ウェハの切
断前であっても切断後であってもよい。

【０１０５】一方、個々の配線回路が形成されたマトリ
ックス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素
子全体上に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して上
記半導体素子を内蔵するよう樹脂層を形成する。つい
で、上記樹脂層を加熱硬化して複数の半導体素子を樹脂
封止した後、樹脂封止された複数の半導体素子を個々の
半導体素子毎に切断することにより半導体装置を作製す
る。

【０１０６】上記形成された樹脂層は、最終的に加熱硬
化されていればよく、加熱硬化工程は半導体素子毎の切
断前であっても切断後であってもよい。

【０１０７】上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂
層の形成方法としては、先に述べた方法と同様、ディス
ペンサーを用いる方法、マスクの開口部を通して印刷に
より行う方法等があげられる。

【０１０８】また、突起状電極部が配設された半導体素
子が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部
配設面に、上記半導体封止用樹脂組成物を供給して所定
の厚みの樹脂層を形成した後、上記樹脂層が形成された
半導体ウェハを個々の半導体素子に切断する。ついで、
上記切断された半導体素子の樹脂層形成面と、複数の配
線回路基板とを対面させた状態で、配線回路基板と半導
体素子とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続
させるとともに、上記樹脂層を溶融して硬化させること
により、上記半導体素子と配線回路基板との間に封止樹
脂層を形成して樹脂封止する。このようにして半導体装
置を作製する。

【０１０９】さらに、個々の配線回路が形成されたマト
リックス状の配線回路基板上に上記半導体封止用樹脂組
成物を供給して樹脂層を形成した後、上記樹脂層が形成
された配線回路基板を個々の配線回路基板に切断する。
ついで、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体
素子の接続用電極部配設面と、上記切断された配線回路
基板とを対面させた状態で、半導体素子と配線回路基板
とを加熱圧着することにより両者を電気的に接続させる
とともに、上記樹脂層を溶融して硬化させることによ
り、半導体素子と配線回路基板との間に封止樹脂層を形
成して樹脂封止する。このようにして半導体装置を作製
する。

【０１１０】上記半導体封止用樹脂組成物からなる樹脂
層の形成方法としては、先に述べた方法と同様、ディス
ペンサーを用いる方法、マスクの開口部を通して印刷に
より行う方法等があげられる。

【０１１１】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。

【０１１２】まず、実施例に先立って下記に示す各成分
を準備した。

【０１１３】〔エポキシ樹脂ａ１〕下記の化学式（２）
で表される結晶性エポキシ樹脂（エポキシ当量１７４ｇ
／ｅｑ、融点７９℃、新日鉄化学社製のＧＫ−４１３
７）。

【０１１４】

【化１０】

【０１１５】〔エポキシ樹脂ａ２〕ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂（２５℃で液状：エポキシ当量１５８ｇ／
ｅｑ、東都化成社製のエポトートＹＤＦ−８１７
０）。

【０１１６】〔エポキシ樹脂ａ３〕ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂（２５℃で固体：エポキシ当量４５０ｇ／
ｅｑ、油化シェル社製のエピコート１００１Ｗ）。

【０１１７】〔エポキシ樹脂ａ４〕下記の化学式（３）
で表される結晶性エポキシ樹脂（エポキシ当量１９０ｇ
／ｅｑ、融点７８℃、新日鉄化学社製のＧＫ−５０７
９）。

【０１１８】

【化１１】

【０１１９】〔酸無水物〕メチルヘキサヒドロ無水フタ
ル酸（メチル化ＨＨＰＡ、新日本理化社製、リカシッド
ＭＨ−７００）。

【０１２０】〔硬化促進剤ｃ１〕前述した方法に準じて
マイクロカプセル型硬化促進剤を作製した。すなわち、
まず、キシリレンジイソシアネート３モルとトリメチロ
ールプロパン１モルとの付加物１１部、トリレンジイソ
シアネート３モルとトリメチロールプロパン１モルとの
付加物４．６部を、硬化促進剤としてのトリフェニルホ
スフィン７部と酢酸エチル３．９部との混合液中に均一
に溶解させて油相を調製した。また、蒸留水１００部と
ポリビニルアルコール５部からなる水相を別途調製し、
このなかに上記調製した油相を添加してホモミキサーに
て乳化しエマルジョン状態にし、これを還流管、攪拌
機、滴下ロートを備えた重合反応器に仕込んだ。

【０１２１】一方、トリエチレンテトラミン３部を含む
水溶液１０部を調製し、これを上記重合反応器に備えた
滴下ロート内に入れ、反応器中のエマルジョンに滴下し
て７０℃で３時間界面重合を行い、マイクロカプセル型
硬化促進剤の水性サスペンジョンを得た。続いて、遠心
分離により水相中のポリビニルアルコール等を除去した
後、蒸留水１００部を加え再び分散を行いサスペンジョ
ンを得た。

【０１２２】このサスペンジョンに対し、蟻酸を滴下し
系のｐＨを３に調整した。これにより壁膜表面および内
部のアミノ基が蟻酸によりブロックされたマイクロカプ
セル型硬化促進剤を作製した。このようにして得られた
マイクロカプセル型硬化促進剤は遠心分離にて分別、水
洗を繰り返した後、乾燥することによって自由流動性を
有する粉末状粒子として単離した。このマイクロカプセ
ル型硬化促進剤の平均粒径は２μｍであった。また、マ
イクロカプセルの粒径に対するシェル厚み比率は１５％
であり、トリフェニルホスフィンの内包量は全体の３０
重量％であった。

【０１２３】〔硬化促進剤ｃ２〕日本化薬社製のＭＣＥ
−９９５７。

【０１２４】〔硬化促進剤ｃ３〕２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール（四国化成工業社製のキュアゾール２Ｅ
４ＭＺ）。

【０１２５】〔無機質充填剤ｄ１〕球状溶融シリカ粉末
（平均粒径０．５６μｍ、アドマテックス社製のＳＥ−
２１００）。

【０１２６】〔無機質充填剤ｄ２〕球状溶融シリカ粉末
（平均粒径１５μｍ、電気化学工業社製のＦＢ−４８
Ｘ）。

【０１２７】

【実施例１〜４、比較例】上記各成分を後記の表１に示
す配合割合で配合し、万能攪拌釜にて混練りして溶融混
合した。つぎに、これを室温にて冷却することにより目
的とする半導体封止用樹脂組成物を作製した。なお、混
練り条件については、つぎに示すとおりである。すなわ
ち、まず、エポキシ樹脂および酸無水物を仕込み、１０
０℃で２０分間混合した。その後、８０℃に温度を下げ
て無機質充填剤を加えて２０分間混合した。そして、７
０℃まで温度を下げ、硬化促進剤を加え２分間混合し受
け入れた。

【０１２８】

【表１】

【０１２９】このようにして得られた実施例および比較
例の半導体封止用樹脂組成物について、２５℃および８
０℃における各粘度をＥ型粘度計を用い前述の方法に従
って測定した。さらに、ガラス転移温度（Ｔｇ）、貯蔵
安定性（無機質充填剤の沈降度合い、粘度変化の度合
い）、吐出および塗布作業性、可使時間について、下記
の方法に従って測定・評価した。また、上記半導体封止
用樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の耐湿信頼性
を下記の方法に従って測定・評価した。そして、これら
の結果を後記の表２に示した。

【０１３０】〔ガラス転移温度（Ｔｇ）〕予め脱泡処理
した半導体封止用樹脂組成物を用いて１５０℃で３時間
硬化させたテストピースを、リガク社製のＴＭＡ装置
（型番ＭＧ８００ＧＭ）を用い測定した。なお、測定条
件は、昇温５℃／ｍｉｎで荷重３０ｇで行った。そし
て、横軸を温度，縦軸を伸びとするグラフ図を作成し、
５０〜７０℃間の接線と２００〜２３０℃間の接線との
交点をＴｇとして求めた。

【０１３１】〔貯蔵安定性〕＊１：無機質充填剤の沈降度合い内径１６ｍｍφ、高さ１８０ｍｍの試験管に半導体封止
用樹脂組成物を入れて密栓し（試料高さ：１２０ｍ
ｍ）、２５℃で３０日間放置後、無機質充填剤の沈降度
合いを確認した。沈降有無の判断としては、無機質充填
剤が沈降するとその部分の半導体封止用樹脂組成物の濁
度レベルが変わるため、目視にて濁度変化を確認した。
濁度が減少（透明度が増す）したものを沈降有りとし
た。沈降部分の高さが１ｍｍ以上のものを沈降有りとし
て×を表示し、沈降部分が全くないものを沈降無しとし
て◎を表示した。＊２：粘度変化の度合い２５℃の雰囲気に放置し（３０日）、放置前後の粘度を
Ｅ型粘度計を用いて測定した（測定温度：８０℃、従来
例については測定温度：２５℃）。そして、放置後の粘
度が放置前の粘度の１．５倍以下のものに◎、放置後の
粘度が放置前の粘度の１．５倍を超え３．０倍以下のも
のに○、放置後の粘度が放置前の粘度の３．０倍を超え
１０倍以下のものに△、放置後の粘度が放置前の粘度の
１０倍を超えるものに×をつけた。なお、Ｅ型粘度計を
用いての粘度の測定は、前記２５℃または８０℃におけ
る粘度の測定方法と同様にして行った。

【０１３２】〔吐出性、塗布作業性〕８０℃に加温した
半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて時間
と圧力の一定条件で吐出した時の吐出量で評価した。す
なわち、武蔵エンジニアリング社製のシリンジ１０ｃ
ｃ、金属ニードルＳＮ−１７Ｇ（内径２．４ｍｍ）を用
い、圧力４９．０５×１０⁴Ｎ／ｍ²で１０秒後の吐出
量を測定した。その結果、吐出量が１０００ｍｇ以上の
ものを◎、２００ｍｇ以上１０００ｍｇ未満のものを
○、５０ｍｇ以上２００ｍｇ未満のものを△、５０ｍｇ
未満のものを×とした。なお、上記条件で５０ｍｇ未満
であれば、半導体の樹脂封止が不可のレベルである。

【０１３３】〔可使時間（粘度変化）〕各半導体封止用
樹脂組成物について、５０℃×７２時間放置前後の粘度
をＥ型粘度計を用いて測定した（測定温度：８０℃、比
較例については測定温度：２５℃）。そして、放置後の
粘度が放置前の粘度の１．５倍以下のものに◎、放置後
の粘度が放置前の粘度の１．５倍を超え３．０倍以下の
ものに○、放置後の粘度が放置前の粘度の３．０倍を超
え１０倍以下のものに△、放置後の粘度が放置前の粘度
の１０倍を超えるものに×をつけた。なお、Ｅ型粘度計
を用いての粘度の測定は、前記２５℃または８０℃にお
ける粘度の測定方法と同様にして行った。

【０１３４】

【表２】

【０１３５】上記表２の結果から、全ての実施例品は、
比較例品に比べ、無機質充填剤の沈降がなく、また可使
時間が長く、貯蔵安定性に優れていることがわかる。そ
して、吐出および塗布作業性にも優れていることがわか
る。また、実施例１〜３品は、潜在性硬化促進剤として
特定のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いているた
め、市販のマイクロカプセル型硬化促進剤を用いたもの
に比べ、可使時間が非常に長く、貯蔵安定性に特に優れ
ている。

【０１３６】これに対し、比較例品は貯蔵安定性が悪く
なり、潜在性硬化促進剤ではない硬化促進剤を用いてい
るため、可使時間が短くなっていることがわかる。

【０１３７】つぎに、上記半導体装置の製法に関する実
施例について説明する。

【０１３８】

【実施例５】前記実施例１で作製した半導体封止用樹脂
組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボ
ンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備し
た。そして、予め７０℃に加温された配線回路基板と半
導体素子上に、７０℃に加温された上記半導体封止用樹
脂組成物を０．６７ｋＰａの真空下でマスクの開口部を
通じて印刷により塗布した。つぎに、雰囲気圧を２０ｋ
Ｐａに設定し、上記半導体封止用樹脂組成物中のボイド
抜きを行い、その２０ｋＰａの状態を維持したまま上記
７０℃に加温された上記半導体封止用樹脂組成物を用い
て仕上げ印刷を行った。その後、１２０℃×１６時間の
条件で加熱硬化して半導体素子を内蔵するよう封止樹脂
層を形成することにより、キャビティーフィル形態の半
導体装置を製造した。

【０１３９】

【実施例６】前記実施例１で作製した半導体封止用樹脂
組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、予め１００℃に加温された配線回路基板上に７０℃
に加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペンサー
を用いてポッティングした。その後、フリップチップボ
ンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子（大き
さ：９．５ｍｍ×９．５ｍｍ）を搭載し、熱圧着接続
（条件：１４０℃×２０Ｎ×６０分＋２２０℃×５Ｎ×
２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用電極
部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導
体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリ
ップチップ実装による半導体装置を製造した。

【０１４０】

【実施例７】前記実施例１で作製した半導体封止用樹脂
組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子
が搭載されたものを準備した。そして、予め１００℃に
加温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、
７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペ
ンサーを用いて充填した。その後、１２０℃×１６時間
で加熱硬化させて配線回路基板と半導体素子との空隙に
封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実装に
よる半導体装置を製造した。

【０１４１】

【実施例８】前記実施例１で作製した半導体封止用樹脂
組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子
が搭載されたものを準備した。そして、予め７０℃に加
温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、
０．６７ｋＰａの真空下で７０℃に加温された半導体封
止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて充填した。そ
の後、１２０℃×１６時間で加熱硬化させて配線回路基
板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することに
よりフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

【０１４２】

【実施例９】前記実施例１で作製した半導体封止用樹脂
組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、配線回路基板上に接続用電極部を介して半導体素子
が搭載されたものを準備した。そして、予め７０℃に加
温された配線回路基板および半導体素子との空隙に、
０．６７ｋＰａの真空下で７０℃に加温された半導体封
止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて充填した。そ
の後、さらに大気圧に戻し、上記７０℃に加温された半
導体封止用樹脂組成物を充填（差圧充填）した後、１２
０℃×１６時間で加熱硬化させて配線回路基板と半導体
素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリッ
プチップ実装による半導体装置を製造した。

【０１４３】

【実施例１０】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、予め１００℃に加温された配線回路基板上に７０℃
に加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペンサー
を用いてポッティングした。その後、フリップチップボ
ンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載
し、熱圧着接続（条件：１４０℃×２０Ｎ×６０分＋２
２０℃×５Ｎ×２分）により半導体素子と配線回路基板
とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線
回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成する
ことによりフリップチップ実装による半導体装置を製造
した。

【０１４４】

【実施例１１】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、予め１００℃に加温された半導体素子上に７０℃に
加温された半導体封止用樹脂組成物をディスペンサーを
用いてポッティングした。その後、フリップチップボン
ダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配
線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１４０℃×２
０Ｎ×６０分＋２２０℃×５Ｎ×２分）により半導体素
子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続
すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止
樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による
半導体装置を製造した。

【０１４５】

【実施例１２】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に
加温された半導体封止用樹脂組成物を、０．６７ｋＰａ
の真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。
その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線回路
基板上に半導体素子を搭載し、熱圧着接続（条件：１４
０℃×２０Ｎ×６０分＋２２０℃×５Ｎ×２分）により
半導体素子と配線回路基板とを接続用電極部により電気
的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との空
隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ実
装による半導体装置を製造した。

【０１４６】

【実施例１３】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、予め７０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加
温された半導体封止用樹脂組成物を、０．６７ｋＰａの
真空下でディスペンサーを用いてポッティングした。そ
の後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素子
上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧着
接続（条件：１４０℃×２０Ｎ×６０分＋２２０℃×５
Ｎ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続用
電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板と
半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することにより
フリップチップ実装による半導体装置を製造した。

【０１４７】

【実施例１４】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、予め７０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加
温された半導体封止用樹脂組成物をマスクの開口部を通
じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボン
ダーを用い、上記半導体素子上に７０℃に加温された配
線回路基板を搭載し、熱圧着接続（条件：１４０℃×２
０Ｎ×６０分＋２２０℃×５Ｎ×２分）により半導体素
子と配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続
すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止
樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による
半導体装置を製造した。

【０１４８】

【実施例１５】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に
加温された半導体封止用樹脂組成物をマスクの開口部を
通じて印刷により塗布した。その後、フリップチップボ
ンダーを用い、上記配線回路基板上に半導体素子を搭載
し、熱圧着接続（条件：１４０℃×２０Ｎ×６０分＋２
２０℃×５Ｎ×２分）により半導体素子と配線回路基板
とを接続用電極部により電気的に接続すると同時に配線
回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成する
ことによりフリップチップ実装による半導体装置を製造
した。

【０１４９】

【実施例１６】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、予め７０℃に加温された半導体素子上に７０℃に加
温された半導体封止用樹脂組成物を、０．６７ｋＰａの
真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布した。
その後、フリップチップボンダーを用い、上記半導体素
子上に７０℃に加温された配線回路基板を搭載し、熱圧
着接続（条件：１４０℃×２０Ｎ×６０分＋２２０℃×
５Ｎ×２分）により半導体素子と配線回路基板とを接続
用電極部により電気的に接続すると同時に配線回路基板
と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成することによ
りフリップチップ実装による半導体装置を製造した。

【０１５０】

【実施例１７】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、予め７０℃に加温された配線回路基板上に７０℃に
加温された半導体封止用樹脂組成物を、０．６７ｋＰａ
の真空下でマスクの開口部を通じて印刷により塗布し
た。その後、フリップチップボンダーを用い、上記配線
回路基板上に半導体素子（大きさ：９．５ｍｍ×９．５
ｍｍ）を搭載し、熱圧着接続（条件：１４０℃×２０Ｎ
×６０分＋２２０℃×５Ｎ×２分）により半導体素子と
配線回路基板とを接続用電極部により電気的に接続する
と同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂
層を形成することによりフリップチップ実装による半導
体装置を製造した。

【０１５１】

【実施例１８】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボ
ンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備し
た。そして、予め１００℃に加温された半導体素子上
に、７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物をディ
スペンサーを用いてポッティングした。その後、１２０
℃×１６時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよ
う封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル
形態の半導体装置を製造した。

【０１５２】

【実施例１９】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボ
ンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備し
た。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、
７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物を、０．６
７ｋＰａの真空下でディスペンサーを用いてポッティン
グした。その後、１２０℃×１６時間で加熱硬化させて
半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することに
よりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。

【０１５３】

【実施例２０】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボ
ンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備し
た。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、
７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物をマスクの
開口部を通じて印刷により塗布した。その後、１２０℃
×１６時間で加熱硬化させて半導体素子を内蔵するよう
封止樹脂層を形成することによりキャビティーフィル形
態の半導体装置を製造した。

【０１５４】

【実施例２１】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボ
ンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備し
た。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、
７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物を、０．６
７ｋＰａの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により
塗布した。その後、１２０℃×１６時間で加熱硬化させ
て半導体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成すること
によりキャビティーフィル形態の半導体装置を製造し
た。

【０１５５】

【実施例２２】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置を作製した。すなわ
ち、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、両者がボ
ンディングワイヤーで電気的に接続されたものを準備し
た。そして、予め７０℃に加温された半導体素子上に、
７０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物を、０．６
７ｋＰａの真空下でマスクの開口部を通じて印刷により
塗布した。つぎに、雰囲気圧を２０ｋＰａに設定し、上
記半導体封止用樹脂組成物中のボイド抜きを行い、その
２０ｋＰａの状態を維持したまま７０℃に加温された上
記半導体封止用樹脂組成物を用いて仕上げ印刷を行っ
た。その後、１２０℃×１６時間で加熱硬化させて半導
体素子を内蔵するよう封止樹脂層を形成することにより
キャビティーフィル形態の半導体装置を製造した。

【０１５６】

【実施例２３】実装用基板（マザーボード）上に、上記
実施例１２で作製した半導体装置を載置し、電気的に接
続して１００℃に加温したものを準備した。その後、７
０℃に加温された半導体封止用樹脂組成物（前記実施例
１で作製した樹脂組成物）を、実装用基板と半導体装置
との間の空隙にディスペンサーを用いて充填した。そし
て、１２０℃×１６時間で硬化することにより半導体装
置と実装用基板との空隙に封止樹脂層を形成して半導体
製品を製造した。

【０１５７】上記のようにして得られた各半導体装置お
よび半導体製品の封止樹脂層について、気泡の有無を目
視により確認した。その結果を下記の表３〜表５に示
す。

【０１５８】

【表３】

【０１５９】

【表４】

【０１６０】

【表５】

【０１６１】上記表３〜表５の結果から、実施例１８、
２０を除き殆どの半導体装置および半導体製品の封止樹
脂層には気泡が無い、あるいは少量の気泡が確認される
程度であった。

【０１６２】つぎに、本発明の半導体封止用樹脂組成物
を半導体ウェハおよびマトリックス状の配線回路基板に
用いた半導体装置の製法に関する実施例について述べ
る。

【０１６３】

【実施例２４】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置（ウェハレベルＣＳ
Ｐ）を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された
半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体
封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて、厚み１５
０μｍとなるよう塗布することにより樹脂層を形成し
た。その後、０．６７ｋＰａの真空下で脱泡し、１２０
℃×１６時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形
成した。そして、さらに上記突起状電極部の先端部が上
記封止樹脂層より露出するよう樹脂部を研磨した後、ダ
イサーにて切断して個片化して半導体装置（ウェハレベ
ルＣＳＰ）を作製した。

【０１６４】

【実施例２５】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置（ウェハレベルＣＳ
Ｐ）を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された
半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体
封止用樹脂組成物を０．６７ｋＰａの真空下でマスクの
開口部を通じて厚み１５０μｍとなるよう印刷封止し
た。その後、０．６７ｋＰａの真空下で脱泡し、１２０
℃×１６時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形
成した。そして、さらに上記突起状電極部の先端部が上
記封止樹脂層より露出するよう樹脂部を研磨した後、ダ
イサーにて切断して個片化して半導体装置（ウェハレベ
ルＣＳＰ）を作製した。

【０１６５】

【実施例２６】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにして半導体装置（ウェハレベルＣＳ
Ｐ）を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された
半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体
封止用樹脂組成物を０．６７ｋＰａの真空下でマスクの
開口部を通じて厚み１５０μｍとなるよう印刷封止し
た。その後、２０ｋＰａに戻して泡抜きを行い、さらに
２０ｋＰａの真空下で仕上げ印刷を行った。仕上げ印刷
した後、１２０℃×１６時間で加熱硬化することにより
封止樹脂層を形成した。そして、さらに上記突起状電極
部の先端部が上記封止樹脂層より露出するよう樹脂部を
研磨した後、ダイサーにて切断して個片化して半導体装
置（ウェハレベルＣＳＰ）を作製した。

【０１６６】

【実施例２７】個々の配線回路が形成されたマトリック
ス状の配線回路基板上に、ボンディングワイヤーを介し
て複数の半導体素子を搭載した。そして、前記実施例１
で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空
下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体
装置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。すなわち、予め
７０℃に加温された、マトリックス状の配線回路基板上
に搭載された半導体素子全面に、ディスペンサーを用い
て上記半導体封止用樹脂組成物を塗布し、半導体素子を
内蔵するよう樹脂層を形成した。樹脂層を形成した後、
０．６７ｋＰａの真空下で脱泡し、その後１２０℃×１
６時間で加熱硬化することにより封止樹脂層を形成し
た。その後、ダイサーにて切断して個片化して半導体装
置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。

【０１６７】

【実施例２８】個々の配線回路が形成されたマトリック
ス状の配線回路基板上に、ボンディングワイヤーを介し
て複数の半導体素子を搭載した。そして、前記実施例１
で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空
下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体
装置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。すなわち、予め
７０℃に加温された、マトリックス状の配線回路基板上
に搭載された半導体素子全面に、上記半導体封止用樹脂
組成物を０．６７ｋＰａの真空下でマスクの開口部を通
じて印刷封止した。その後１２０℃×１６時間で加熱硬
化することにより封止樹脂層を形成した。その後、ダイ
サーにて切断して個片化して半導体装置（ＭＡＰ−ＢＧ
Ａ法）を作製した。

【０１６８】

【実施例２９】個々の配線回路が形成されたマトリック
ス状の配線回路基板上に、ボンディングワイヤーを介し
て複数の半導体素子を搭載した。そして、前記実施例１
で作製した半導体封止用樹脂組成物を予め７０℃の真空
下で減圧脱泡したものを用い、つぎのようにして半導体
装置（ＭＡＰ−ＢＧＡ法）を作製した。すなわち、予め
７０℃に加温された、マトリックス状の配線回路基板上
に搭載された半導体素子全面に、上記半導体封止用樹脂
組成物を０．６７ｋＰａの真空下でマスクの開口部を通
じて印刷封止した。印刷封止した後、２０ｋＰａに戻し
て泡抜きを行い、さらに２０ｋＰａの真空下で仕上げ印
刷を行った。仕上げ印刷した後、１２０℃×１６時間で
加熱硬化することにより封止樹脂層を形成した。その
後、ダイサーにて切断して個片化して半導体装置（ＭＡ
Ｐ−ＢＧＡ法）を作製した。

【０１６９】

【実施例３０】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体
装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された
半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体
封止用樹脂組成物をディスペンサーを用いて、厚み５０
μｍとなるよう塗布することにより樹脂層を形成した。
その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予
め７０℃に加温された配線回路基板と、上記個片化した
半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップ
ボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１４０℃×２０Ｎ
×６０分＋２２０℃×５Ｎ×２分）することにより半導
体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電
気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との
空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ
実装による半導体装置を製造した。

【０１７０】

【実施例３１】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体
装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された
半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体
封止用樹脂組成物を、マスクの開口部を通じて厚み５０
μｍとなるよう印刷封止した。その後、ダイサーにて切
断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された配
線回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成
面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着
接続（条件：１４０℃×２０Ｎ×６０分＋２２０℃×５
Ｎ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板と
を上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に
配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成
することによりフリップチップ実装による半導体装置を
製造した。

【０１７１】

【実施例３２】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体
装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された
半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体
封止用樹脂組成物を、マスクの開口部を通じて厚み５０
μｍとなるよう印刷封止した。その後、０．６７ｋＰａ
の真空下で泡抜きを行った。その後、ダイサーにて切断
して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された配線
回路基板と、上記個片化した半導体素子の樹脂層形成面
とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧着接
続（条件：１４０℃×２０Ｎ×６０分＋２２０℃×５Ｎ
×２分）することにより半導体素子と配線回路基板とを
上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時に配
線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形成す
ることによりフリップチップ実装による半導体装置を製
造した。

【０１７２】

【実施例３３】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体
装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
突起状電極部が配設された半導体素子が複数形成された
半導体ウェハの上記突起状電極部配設面に、上記半導体
封止用樹脂組成物を、マスクの開口部を通じて、０．６
７ｋＰａの真空下で厚み５０μｍとなるよう印刷封止し
た。その後、２０ｋＰａの真空下に戻し泡抜きを行っ
た。さらに、２０ｋＰａの条件で仕上げ印刷を行った。
その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予
め７０℃に加温された配線回路基板と、上記個片化した
半導体素子の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップ
ボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１４０℃×２０Ｎ
×６０分＋２２０℃×５Ｎ×２分）することにより半導
体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介して電
気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素子との
空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップチップ
実装による半導体装置を製造した。

【０１７３】

【実施例３４】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体
装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路
基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をディスペン
サーを用いて０．６７ｋＰａの真空下で塗布することに
より樹脂層を形成した。その後、ダイサーにて切断して
個片化した。つぎに、予め７０℃に加温された、複数の
接続用電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電
極部配設面と、上記個片化した配線回路基板の樹脂層形
成面とを対峙させフリップチップボンダーを用いて熱圧
着接続（条件：１４０℃×２０Ｎ×６０分＋２２０℃×
５Ｎ×２分）することにより半導体素子と配線回路基板
とを上記突起状電極部を介して電気的に接続すると同時
に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止樹脂層を形
成することによりフリップチップ実装による半導体装置
を製造した。

【０１７４】

【実施例３５】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体
装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路
基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をマスクの開
口部を通じて印刷することにより樹脂層を形成した。そ
の後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予め
７０℃に加温された、複数の接続用電極部が各々に配設
された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片化
した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリップ
チップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１４０℃×
２０Ｎ×６０分＋２２０℃×５Ｎ×２分）することによ
り半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を介
して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体素
子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリップ
チップ実装による半導体装置を製造した。

【０１７５】

【実施例３６】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体
装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路
基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をマスクの開
口部を通じて印刷して樹脂層を形成した後、０．６７ｋ
Ｐａの真空下で泡抜きを行った。その後、ダイサーにて
切断して個片化した。つぎに、予め７０℃に加温され
た、複数の接続用電極部が各々に配設された半導体素子
の接続用電極部配設面と、上記個片化した配線回路基板
の樹脂層形成面とを対峙させフリップチップボンダーを
用いて熱圧着接続（条件：１４０℃×２０Ｎ×６０分＋
２２０℃×５Ｎ×２分）することにより半導体素子と配
線回路基板とを上記突起状電極部を介して電気的に接続
すると同時に配線回路基板と半導体素子との空隙に封止
樹脂層を形成することによりフリップチップ実装による
半導体装置を製造した。

【０１７６】

【実施例３７】前記実施例１で作製した半導体封止用樹
脂組成物を予め７０℃の真空下で減圧脱泡したものを用
い、つぎのようにしてフリップチップ実装による半導体
装置を作製した。すなわち、予め７０℃に加温された、
個々の配線回路が形成されたマトリックス状の配線回路
基板全面に、上記半導体封止用樹脂組成物をマスクの開
口部を通じて０．６７ｋＰａの真空下で印刷して樹脂層
を形成した後、２０ｋＰａの真空下に戻し泡抜きを行っ
た。さらに、２０ｋＰａの条件で仕上げ印刷を行った。
その後、ダイサーにて切断して個片化した。つぎに、予
め７０℃に加温された、複数の接続用電極部が各々に配
設された半導体素子の接続用電極部配設面と、上記個片
化した配線回路基板の樹脂層形成面とを対峙させフリッ
プチップボンダーを用いて熱圧着接続（条件：１４０℃
×２０Ｎ×６０分＋２２０℃×５Ｎ×２分）することに
より半導体素子と配線回路基板とを上記突起状電極部を
介して電気的に接続すると同時に配線回路基板と半導体
素子との空隙に封止樹脂層を形成することによりフリッ
プチップ実装による半導体装置を製造した。

【０１７７】上記のようにして得られた各半導体装置の
封止樹脂層について、気泡の有無を目視により確認し
た。その結果を下記の表６〜表７に示す。

【０１７８】

【表６】

【０１７９】

【表７】

【０１８０】上記表６〜表７の結果、半導体装置の封止
樹脂層には気泡が無い、あるいは少量の気泡が確認され
る程度であった。

【０１８１】

【発明の効果】以上のように、本発明は、エポキシ樹脂
（Ａ成分）と、酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）と、潜在性
硬化促進剤（Ｃ成分）と、無機質充填剤（Ｄ成分）とを
含有する半導体封止用樹脂組成物であって、２５℃およ
び８０℃の各温度における、半導体封止用樹脂組成物の
状態・粘度が特定の範囲に設定されている。このため、
従来の液状封止剤に比べ可使時間が長くなり、貯蔵安定
性に優れている。しかも、室温で固形または半固形であ
っても、４０〜８０℃程度の低い温度で急激に粘度が低
下して液状化できるため、吐出および塗布作業性に優れ
ている。なかでも、本発明の半導体封止用樹脂組成物
は、常温では固形または半固形であるため、半導体素子
または配線回路基板において封止後硬化しない状態であ
っても、常温で自由に取り扱いができることから、この
半導体封止用樹脂組成物を半導体ウェハやマトリックス
状の配線回路基板等に塗布した後、個々の素子および配
線回路基板に切断してフリップチップボンダー等で配線
回路基板と半導体素子とを熱圧着等による接続が可能と
なる。また、本発明の半導体封止用樹脂組成物は、室温
下において、固形または半固形の状態で貯蔵できるた
め、無機質充填剤（Ｄ成分）が沈降してしまうことがな
い。したがって、固形または半固形の状態で貯蔵し、そ
の後、必要に応じて低い温度下で液状化して用いること
ができるため、良好な封止を行うことができ、結果、信
頼性の高い半導体装置が得られる。

【０１８２】そして、上記潜在性硬化促進剤（Ｃ成分）
として、特定のシェル部で硬化促進剤からなるコア部が
被覆されたコア／シェル構造を有するマイクロカプセル
型硬化促進剤を用いた場合には、それを含有してなる半
導体封止用樹脂組成物は、可使時間が非常に長くなり、
貯蔵安定性に特に優れるという利点がある。

【０１８３】さらに、上記無機質充填剤（Ｄ成分）とし
て球状溶融シリカを用い、これが半導体封止用樹脂組成
物全体中に特定の割合で含有されている場合には、それ
を含有してなる半導体封止用樹脂組成物は、流動性に優
れるようになり、吐出および塗布作業性に優れるという
利点がある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CD00W CD03W CD05W CD06W CD07W CK013 EF116 EF126 EN006 ER027 ET017 EU047 EU117 EW137 EY017 FD14X FD146 FD157 FD203 GQ00 GQ01 4J036 AA01 AC01 AD08 AF05 AF06 AJ08 DB15 DB21 DB22 DC02 DC25 DC26 DC38 DC40 DC41 DC46 DD07 FB07 HA07 JA07 4M109 AA01 BA03 CA05 CA12 EA02 EA03 EB02 EB04 EB13 EC01 EC20 5F061 AA01 BA03 CA05 CA12 CB03 CB13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半
導体封止用樹脂組成物であって、上記半導体封止用樹脂
組成物が２５℃で粘度７００Ｐａ・ｓ以上または２５℃
で固体で、かつ８０℃で粘度５００Ｐａ・ｓ以下に設定
されていることを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）酸無水物系硬化剤。（Ｃ）潜在性硬化促進剤。（Ｄ）無機質充填剤。
【請求項２】上記（Ａ）成分であるエポキシ樹脂が、
結晶性エポキシ樹脂である請求項１記載の半導体封止用
樹脂組成物。
【請求項３】上記（Ａ）成分であるエポキシ樹脂が、
多官能エポキシ樹脂である請求項１記載の半導体封止用
樹脂組成物。
【請求項４】上記（Ｃ）成分である潜在性硬化促進剤
が、硬化促進剤からなるコア部が、下記の一般式（１）
で表される構造単位を有する重合体を主成分とするシェ
ル部で被覆されたコア／シェル構造を有するマイクロカ
プセル型硬化促進剤である請求項１〜３のいずれか一項
に記載の半導体封止用樹脂組成物。【化１】
【請求項５】上記（Ｃ）成分であるマイクロカプセル
型硬化促進剤のシェル部が、下記の（Ｘ）および（Ｙ）
の少なくとも一方と、アミン化合物とを反応させること
により形成されたものである請求項４記載の半導体封止
用樹脂組成物。（Ｘ）トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロ
パンの付加物。（Ｙ）キシリレンジイソシアネートとトリメチロールプ
ロパンの付加物。
【請求項６】上記（Ｄ）成分である無機質充填剤が、
球状溶融シリカ粉末であって、上記球状溶融シリカ粉末
が、半導体封止用樹脂組成物全体中に５０〜９２重量％
の割合で含有されている請求項１〜５のいずれか一項に
記載の半導体封止用樹脂組成物。
【請求項７】配線回路基板上に、複数の接続用電極部
を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半
導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されて
なる半導体装置であって、上記封止樹脂層が、請求項１
〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物に
よって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】配線回路基板上に、複数の接続用電極部
を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半
導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されて
なる半導体装置の製法であって、上記配線回路基板と半
導体素子との間の空隙に、請求項１〜６のいずれか一項
に記載の半導体封止用樹脂組成物を充填した後、硬化さ
せることにより上記封止樹脂層を形成することを特徴と
する半導体装置の製法。
【請求項９】配線回路基板面上に半導体素子が搭載さ
れ、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続され、
上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲を封
止樹脂層によって封止してなる半導体装置であって、上
記封止樹脂層が、請求項１〜６のいずれか一項に記載の
半導体封止用樹脂組成物によって形成されていることを
特徴とする半導体装置。
【請求項１０】配線回路基板面上に半導体素子が搭載
され、配線回路基板と半導体素子とが電気的に接続さ
れ、上記半導体素子を内蔵するように半導体素子の周囲
を封止樹脂層によって封止してなる半導体装置の製法で
あって、上記配線回路基板面上に半導体素子を搭載して
配線回路基板と半導体素子を電気的に接続した後、上記
半導体素子搭載面側の配線回路基板上に請求項１〜６の
いずれか一項に記載の半導体封止用樹脂組成物を供給し
て硬化させることにより上記封止樹脂層を形成すること
を特徴とする半導体装置の製法。
【請求項１１】実装用基板上に、複数の接続用電極部
を介して樹脂封止層が形成された半導体装置が、それ自
体の配線回路基板を対面させた状態で搭載され、上記実
装用基板と半導体装置との間の空隙が封止樹脂層によっ
て封止されてなる半導体製品であって、上記封止樹脂層
が、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封止用
樹脂組成物によって形成されていることを特徴とする半
導体製品。
【請求項１２】突起状電極部が配設された半導体素子
が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配
設面に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封
止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を、上記突
起状電極部の少なくとも先端部を上記樹脂層から露出す
るよう形成する工程と、上記樹脂層が形成された半導体
ウェハを、個々の半導体素子に切断する工程とを備えた
ことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項１３】上記樹脂層を形成する工程が、マスク
の開口部を通して印刷により行われる請求項１２記載の
半導体装置の製法。
【請求項１４】個々の配線回路が形成されたマトリッ
クス状の配線回路基板上に搭載された複数の半導体素子
全体上に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体
封止用樹脂組成物を供給して半導体素子を内蔵するよう
樹脂層を形成する工程と、上記半導体素子を内蔵するよ
う樹脂層が形成されたマトリックス状の配線回路基板
を、樹脂層とともに個々の半導体素子毎に切断する工程
とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項１５】上記樹脂層を形成する工程が、マスク
の開口部を通して印刷により行われる請求項１４記載の
半導体装置の製法。
【請求項１６】突起状電極部が配設された半導体素子
が複数形成された半導体ウェハの、上記突起状電極部配
設面に、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体封
止用樹脂組成物からなる所定の厚みの樹脂層を形成する
工程と、上記樹脂層が形成された半導体ウェハを個々の
半導体素子に切断する工程と、上記切断された半導体素
子の樹脂層形成面と、配線回路基板とを対面させた状態
で、配線回路基板と半導体素子とを加熱圧着することに
より両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を
溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線
回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工
程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項１７】上記半導体封止用樹脂組成物からなる
樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印刷
により行われる請求項１６記載の半導体装置の製法。
【請求項１８】上記半導体封止用樹脂組成物からなる
樹脂層を形成する工程が、ディスペンサーを用いて行わ
れる請求項１６記載の半導体装置の製法。
【請求項１９】個々の配線回路が形成されたマトリッ
クス状の配線回路基板面に、請求項１〜６のいずれか一
項に記載の半導体封止用樹脂組成物を塗布して樹脂層を
形成する工程と、上記樹脂層が形成された配線回路基板
を個々の配線回路基板に切断する工程と、複数の接続用
電極部が各々に配設された半導体素子の接続用電極部配
設面と、切断された配線回路基板とを対面させた状態
で、半導体素子と配線回路基板とを加熱圧着することに
より両者を電気的に接続させるとともに、上記樹脂層を
溶融して硬化させることにより、上記半導体素子と配線
回路基板との間に封止樹脂層を形成して樹脂封止する工
程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。
【請求項２０】上記半導体封止用樹脂組成物を塗布し
て樹脂層を形成する工程が、マスクの開口部を通して印
刷により行われる請求項１９記載の半導体装置の製法。
【請求項２１】上記半導体封止用樹脂組成物を塗布し
て樹脂層を形成する工程が、ディスペンサーを用いて行
われる請求項１９記載の半導体装置の製法。