WO2009017253A1 - 接着剤用液状樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

接着剤用液状樹脂組成物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2009017253A1
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epoxy resin
solvent
temperature
adhesive
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PCT/JP2008/064167
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Koji Makihara
Takeshi Masuda
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
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    • H01L2924/12044OLED

Definitions

  • the present invention relates to a liquid resin composition for an adhesive, a semiconductor device produced using the same, and a method for producing the semiconductor device.
  • a film type dielectric material is used instead of using a liquid type dielectric material. After the film type die attach material is attached to the support, it is heated. While mounting the semiconductor element, support the semiconductor element with die attach material heated by sticking it to the dicing sheet after it is pasted to the dicing sheet with the film-shaped dielectric material attached to the back side of the semiconductor wafer.
  • film-type die attach materials must have a suitable film for each size of the semiconductor element to be used and the thickness of the die attach material.
  • a method of replacing a film material by forming a die attach material layer on a support substrate by printing and semi-curing it is also being used.
  • Adhesives for such applications must always proceed to a certain semi-cured state, where they must be stopped. For this reason, it is often used to design a curing system up to a semi-cured state and a curing system up to the complete curing. (For example, see Patent Document 3.)
  • a mixed system of acryl resin and epoxy resin can be considered.
  • the thickness of the adhesive layer when mounting a semiconductor element on a support substrate tends to be about 30 ⁇ m or even thinner, and at such a thickness, it is difficult to control the curing reaction of the acrylic resin, and it is near room temperature. The stickiness will remain. The stickiness near room temperature causes the support substrates printed with adhesive to adhere to each other, which causes a problem in the automatic transport of the support substrate in the process of mounting semiconductor elements.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 200 2-2 94 1 7 7
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 200 3-34 7 3 2 1
  • Patent Document 3 Special Publication 200 5— 5 1 3 1 9 2
  • Patent Document 4 Japanese Patent Application Laid-Open No. 200 1-2 20 5 5 6
  • an object of the present invention is to provide a liquid resin composition for an adhesive that is excellent in continuous printability at the time of printing and has good semiconductor element mountability after solvent volatilization, and has no stickiness at room temperature. It is. Disclosure of the invention
  • a liquid resin composition for an adhesive containing a curing accelerator (D)
  • the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C) are dissolved in the solvent (A),
  • the curing accelerator (D) is converted into the solvent (A) by using the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C).
  • the temperature is from a temperature higher than the temperature at which the solvent (A) is volatilized to a curing temperature.
  • a liquid resin composition for an adhesive characterized in that the force becomes a size that cannot be visually observed within a range, or dissolves in the adhesive layer.
  • the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C) are dissolved in the solvent (A),
  • the curing accelerator (E) is a curing accelerator having a cation part and an anion part.
  • the curing accelerator having the cation part and the anion part is a curing accelerator represented by the following general formula (1):
  • RR 2 and R 3 each represent one kind selected from a hydrogen atom, a methyl group, a methoxy group, and a phenolic hydroxyl group, and It may be one or different.
  • n is 0-2.
  • Rene ring or an aromatic group represented by the following general formula (2) is shown.
  • R 4 , R ⁇ R 6 and R 7 each represent one selected from a hydrogen atom, a halogen atom and an organic group having 1 to 6 carbon atoms, and they may be the same or different from each other
  • V represents a single bond, an ether group, a sulfone group, a sulfide group, a carbonyl group or an organic group having 1 to 13 carbon atoms o)
  • the curing accelerator having the cation part and the anion part is a curing accelerator represented by the following general formula (4): (1) or (2) Liquid resin composition.
  • RR 2 and R 3 each represent one selected from a hydrogen atom, a methyl group, a methoxy group, and a phenolic hydroxyl group, and may be the same or different from each other.
  • Y 1 and Y 2 are either an oxygen atom, a nitrogen atom, or a sulfur atom, and they may be the same or different Good.
  • X represents an organic group, which may be the same or different.
  • At least one of ⁇ 3 , ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 5 and ⁇ 6 is a group formed by the release of one proton by a Proton donor that has at least one Proton released out of the molecule, They may be the same or different from each other.
  • the solvent (A) has a boiling point of 200 ° C or higher.
  • the liquid resin composition for adhesive according to any one of the above, a printing process for printing on the support substrate, and the solvent is volatilized from the liquid resin composition for adhesive,
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising: a volatilizing step for forming an adhesive layer; a mounting step for mounting a semiconductor element; and a curing step for curing the adhesive layer.
  • the liquid resin composition for an adhesive according to the first embodiment of the present invention (hereinafter also referred to as the liquid resin composition for an adhesive of the present invention (1)) is composed of at least a solvent (A) and two in one molecule.
  • Liquid for adhesive containing epoxy resin (B) having two or more epoxy groups, epoxy resin having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, curing agent (C), and curing accelerator (D) A resin composition comprising:
  • the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C) are dissolved in the solvent (A),
  • the curing accelerator (D) is from normal temperature to the temperature at which the solvent (A) is volatilized. In the temperature range, the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C) are dissolved in the solvent (A) in the varnish (W) and from the varnish (W) to the solvent (A). In the adhesive layer obtained by volatilization, it exists in a size that can be visually observed, and cannot be visually observed in a temperature range from a temperature higher than the temperature at which the solvent (A) is volatilized to the curing temperature. It is a liquid resin composition for an adhesive that becomes a size or dissolves in the adhesive layer.
  • the temperature at which the solvent (A) is volatilized may be equal to or lower than the boiling point of the solvent (A) as long as the solvent (A) is volatilized.
  • the curing temperature is a temperature at which the adhesive layer obtained by volatilizing the solvent (A) from the liquid resin composition for adhesive of the present invention is cured.
  • the liquid resin composition for adhesives (1) of the present invention is a liquid resin composition for adhesives used for bonding a semiconductor element onto a support substrate.
  • the liquid resin composition for adhesives (1) of this invention is the printing process which prints the liquid resin composition layer for adhesives on a support substrate by continuous printing, Then, for adhesives printed on the support substrate A volatilization step of forming an adhesive layer on the support substrate by volatilizing the solvent (A) from the liquid resin composition layer, and then a mounting step of mounting a semiconductor element on the support substrate on which the adhesive layer is formed After performing the above, it is used in a method for manufacturing a semiconductor device having a step of bonding a semiconductor element onto a supporting substrate by performing a curing step of curing the adhesive layer.
  • the volatilization temperature for volatilizing the solvent (A) in the volatilization step is 25 to 150 ° (: preferably 80 to 120 ° C.
  • the adhesive layer is cured in the curing step.
  • the curing temperature is 90 to 170 ° C., preferably 140 to 160 ° C.
  • the temperature at which the semiconductor element is mounted is about the same as the volatilization temperature.
  • the curing temperature is higher than the volatilization temperature
  • the solvent (A) according to the liquid resin composition for adhesives (1) of the present invention dissolves the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C). Is a solvent .
  • the boiling point of the solvent (A) is 20 T : It is preferable that it is above, it is especially preferable that it is 2200-2600C, and 2100-2500C is more preferable. If the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C) do not dissolve in the solvent (A), the surface after printing will not be smooth, and there will be defects (for example, semiconductors) The device may not be horizontal, etc.) and air may remain when mounted on the support substrate.
  • the boiling point of the solvent (A) is less than 200 ° C, the viscosity change due to the volatilization of the solvent becomes too large during printing, resulting in uneven thickness and fading.
  • the boiling point of the solvent (A) is higher at 2600, it takes too much time for the solvent to volatilize, the amount of residual volatiles becomes too much, and stickiness remains. There is a possibility.
  • the solvent (A) is not particularly limited as long as it can dissolve the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C).
  • a solvent having a halogen atom is preferable because it is used for a semiconductor. Absent.
  • a solvent that deteriorates the storage stability of the liquid resin composition for an adhesive such as a solvent containing a primary amine or a secondary amine is not preferable.
  • the solvent (A) may be used alone or in combination of two or more.
  • Solvents (A) include, for example, ethyl benzoate, propyl benzoate, butyl benzoate, butyl lactone, dibutyl oxalate, dimethyl maleate, jetyl maleate, ethylene glycol monobutyrate, propylene carbonate, N-methylpyrrole Don, 2- (hexyloxy) ethanol, diethylene glycol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylenoglycol monomethylol ether, dipropylene glycol.
  • Examples thereof include coal monomethylol ether, methyl salicylate, diethylene glycol monoethylenoate etherate, diethylene glycol monobutinoleate tenaceta.
  • ethyl benzoate having a boiling point of 2 10 to 2500 ° C.
  • propyl benzoate butyl benzoate
  • ⁇ -petit oral ratatone dibutyl oxalate
  • jetyl maleate ethylene glycol monobutyrate
  • carbonic acid Propylene, diethylene glycol, ethylene glycol monobutinoleate ⁇ /, triethylene glycolenomonomethylenoate, dipropylene glycol, tripropylene glycol monomethyl etherenole, methyl salicylate, diethylene glycol monoethyl / lei Tenoleate, diethylene glycol monobutynoate noate acetate and the like are preferred.
  • epoxy resin ( ⁇ ) having two or more epoxy groups in one molecule of the liquid resin composition for adhesives (1) of the present invention (hereinafter also simply referred to as an epoxy resin ( ⁇ )), Phenolic novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, dicyclopentagen type epoxy resin, and other triphenylmethine skeleton Epoxy tree, epoxy resin having naphthalene skeleton, epoxy resin having anthracene skeleton, and the like. Of these, epoxy resins that are solid at room temperature are preferred. Epoxy resin ( ⁇ ) may be used alone or in combination of two or more.
  • those that are solid at room temperature include epoxy resins with a softening point of 55 ° C or higher, such as cresol novolac type epoxy resins, phenol aralkyl type epoxy resins, biphenyls.
  • Epoxy resin curing agent (C) having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule according to the liquid resin composition for adhesives (1) of the present invention (hereinafter also simply referred to as epoxy resin curing agent (C)) )
  • Bisphenols such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol monole S, phenol novolac, cresol novolac, etc., a compound obtained by the reaction of phenol or its derivative with formaldehyde, phenol or its derivative and benzaldehyde.
  • examples of the epoxy resin curing agent that is solid at room temperature include epoxy resin curing agents having a softening point of 55 or more, such as phenol novolac, phenol aralkyl type phenol resin, bif? Examples thereof include an enilaralkyl type phenol resin and bisphenol F, and a phenol novolac and a phenol noral quinol type phenol resin are preferable.
  • the softening point of the epoxy resin hardener (C) is high, the softening point of the mixture decreases when mixed with the epoxy resin (B).
  • the softening point of the epoxy resin hardener (C) is 1 5 It can be 0 ° C. If both epoxy resin (B) and epoxy resin curing agent (C) are not sticky at room temperature after volatilization of solvent (A), a partially liquid epoxy resin ( B) or a liquid epoxy resin curing agent (C) may be used.
  • Liquid epoxy resin (B) or liquid epoxy resin curing agent ( C) includes semi-solid resins with a softening point of less than 55 ° C, and includes cresol novolac epoxy resins, bisphenol A epoxy resins, and arylphenol epoxy resin hardeners.
  • the ratio of the epoxy resin (B) to the epoxy resin curing agent (C) is preferably such that the phenolic hydroxyl group is 0.7 to 1.3 with respect to the epoxy group 1.
  • a more preferable ratio of the phenolic hydroxyl group to the epoxy group 1 is 0.9 to 1.2.
  • the curing accelerator (D) according to the liquid resin composition for adhesives (1) of the present invention promotes the reaction between the epoxy group of the epoxy resin (B) and the phenolic hydroxyl group of the epoxy resin curing agent (C). It is a curing accelerator.
  • the curing accelerator (D) is a varnish in which the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C) are dissolved in the solvent (A).
  • W and in the adhesive layer obtained by volatilizing the solvent (A) from the varnish (W), and present in a size that can be visually observed, and higher than the temperature at which the solvent (A) is volatilized.
  • the curing accelerator (D) is in the temperature range from room temperature to 100 ° C. It can be visually observed in the varnish (W) during volatilization of the solvent (A) at 100 ° C and in the adhesive layer obtained by volatilizing the solvent (A) from the varnish (W). It exists in the size of about. Then, to cure the adhesive layer, it becomes a size that cannot be visually observed at some temperature during heating from 100 ° C to 175 ° C, or on the adhesive layer. Dissolve.
  • the curing accelerator (D) having such properties, in the printing process and the volatilization process, The curing reaction hardly occurs, and the curing reaction occurs when heating up to the curing temperature in the curing process after the mounting process.
  • Curing Accelerator (D) Force In the temperature range from room temperature to the temperature at which the solvent (A) is volatilized, it becomes a size that cannot be visually observed or dissolved in the varnish (W) or adhesive layer. The reaction gradually progresses even at normal temperature, so the storage stability at room temperature deteriorates, the curing reaction progresses in the volatilization process, and sufficient adhesion cannot be obtained in the subsequent semiconductor element mounting process. Even if the volatilization process is completed with adhesive strength, the storage stability when left at room temperature after the volatilization process is extremely short.
  • the temperature at which the curing accelerator (D) existing in a size that can be visually observed becomes a size that cannot be visually observed or is dissolved in the adhesive layer is set to a value of the curing accelerator (D). Stated as state change temperature. Since the state change temperature of the curing accelerator (D) varies depending on the type of the curing accelerator (D), a curing accelerator (D) having a higher state change temperature than the volatilization temperature may be appropriately selected.
  • the state change temperature of the promoter (D) is preferably 100 to 160 ° C., particularly preferably 120 to 150.
  • the state change temperature of the curing accelerator (D) means that 95% by weight of the varnish (W) is mixed with 5% by weight of the curing accelerator (D), heated, and visually observed.
  • Curing Accelerator (D) Force Existing in Size That Can Be Observed at a Temperature of 10% by Weight Curing Accelerator (90% by weight in a varnish (W) or 90% by weight D), and measured with a DSC (Differential Scanning Calorimeter, Seiko Instruments, DSC 220) at a rate of temperature increase of 5 ° CZ, the curing accelerator (D) force, and the endothermic peak during dissolution. This is the temperature at which appears.
  • the curing reaction initiation temperature of the curing accelerator (D) is preferably 130 ° C or higher, more preferably 140 ° C or higher.
  • the curing reaction start temperature is defined as DSC (Differential Scanning Calorimeter, Seiko Instruments Measured at a heating rate of 7 ° CZ using DSC 2 20) manufactured by Mentsu Co., Ltd .: This is the temperature at which the line connecting the bottoms of the reaction peaks begins.
  • the liquid resin composition for adhesives of the second form of the present invention (hereinafter also referred to as the liquid resin composition for adhesives of the present invention (2)) is at least a solvent (A) and in one molecule.
  • a liquid resin composition comprising:
  • the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C) are dissolved in the solvent (A),
  • the curing accelerator (E) 1 is a liquid resin composition for adhesives, which is a curing accelerator having a cation part and an anion part.
  • the liquid resin composition for adhesives (2) of the present invention is a liquid resin composition for adhesives used for bonding a semiconductor element onto a support substrate.
  • the solvent (A), the epoxy resin (B) and the epoxy resin curing agent (C) according to the liquid resin composition for adhesives (2) of the present invention are related to the liquid resin composition for adhesives (1) of the present invention. Same as solvent (A), epoxy resin (B) and epoxy resin curing agent (C).
  • the curing accelerator (E) according to the liquid resin composition for adhesives (2) of the present invention is a curing accelerator having a cation part and an anion part, and the curing accelerator (E
  • RR 2 and R 3 each represent one selected from a hydrogen atom, a methyl group, a methoxy group, and a phenolic hydroxyl group, and may be the same or different from each other.
  • N is 0 to 2.
  • A represents a naphthalene ring or an aromatic group represented by the following general formula (2).
  • R 4 , R 5 , R 6 and R 7 each represent one selected from a hydrogen atom, a halogen atom and an organic group having 1 to 6 carbon atoms, and are identical to each other.
  • V may be a single bond, an ether group, a sulfone group, a sulfide group, a carbonyl group, or an organic group having 1 to 13 carbon atoms.
  • the anion portion when n is 0, is a conjugate base of a compound having one or more phenolic hydroxyl groups and phenoxide groups in one molecule.
  • the anion portion when n is larger than 0, is composed of a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule and one or more phenolic hydroxyl groups and phenol in one molecule. It is a molecular association with a conjugate base of a compound having an enoxide group.
  • Examples of the curing accelerator represented by the general formula (1) include the following general formula.
  • RR 2 and R 3 each represent one selected from a hydrogen atom, a methyl group, a methoxy group, and a phenolic hydroxyl group, and may be the same or different from each other.
  • N is 0 to 2.
  • the curing accelerator (E) having a cation part and an anion part according to the liquid resin composition for an adhesive (2) of the present invention includes the following general formula ( The curing accelerator represented by 4) can be mentioned.
  • RR 2 and R 3 each represent one selected from a hydrogen atom, a methyl group, a methoxy group, and a phenolic hydroxyl group, and may be the same or different from each other.
  • Y 1 and Y 2 are oxygen atoms, Either a nitrogen atom or a sulfur atom, which may be the same or different.
  • X represents an organic group.
  • Z represents a substituted or unsubstituted aromatic cyclic organic group or a heterocyclic organic group.
  • X, Y 1 and Y 2 form a chelate structure with a silicon atom.
  • Examples of the curing accelerator represented by the general formula (4) include the following general formula (5).
  • RR 2 and R 3 each represent one selected from a hydrogen atom, a methyl group, a methoxy group, and a phenolic hydroxyl group, and may be the same or different from each other.
  • P h is a phenyl group.
  • the curing accelerator (E) having a cation part and an anion part according to the liquid resin composition for adhesives (2) of the present invention is represented by the following general formula (6): And the curing accelerator represented.
  • R 1 R 2 and R 3 each represent one selected from a hydrogen atom, a methyl group, a methoxy group, and a phenolic hydroxyl group, and they may be the same or different from each other. be good Rere. ⁇ 3, ⁇ 4,.
  • one at least of Upsilon 5 and Upsilon 6 are pro tons donor to one chromatic least pro tons of releasing the molecules outside are one releasing pro ton And they may be the same or different from each other.
  • ⁇ 3 , ⁇ 4 , ⁇ 5 and ⁇ 6 are organic groups or aliphatic groups having an aromatic ring or a heterocyclic ring, and ⁇ 3 , ⁇ 4 , ⁇ 5 and ⁇ At least one of the six is aromatic aromatic rubonic acid having one or more carboxyl groups, and aromatic carboxylic acid having at least one acid anhydride group and / or carboxyl group in one molecule.
  • a proton donor selected from the group consisting of phenol compounds having one or more hydroxyl groups in one molecule and aromatic compounds each having at least one carboxyl group and phenolic hydroxyl group in one molecule.
  • a group formed by releasing one of them may be the same or different from each other.
  • Examples of the curing accelerator represented by the general formula (6) include the following general formula (7).
  • the liquid resin composition for an adhesive of the present invention (2) is a printing step of printing the liquid resin composition layer for an adhesive on a supporting substrate by continuous printing, From the liquid resin composition layer for adhesive printed on the support substrate, the solvent (A) was volatilized to volatilize the adhesive layer on the support substrate, and then the adhesive layer was formed.
  • the semiconductor device is used in a method for manufacturing a semiconductor device having a step of bonding a semiconductor element on a support substrate by performing a curing step of curing an adhesive layer after mounting the semiconductor element on the support substrate.
  • the volatilization temperature for volatilizing the solvent (A) in the volatilization step is 25 to 1550 ° C, preferably 80 to 120 ° C.
  • the curing temperature for curing the adhesive layer in the curing step is 90 to 170 ° C., preferably 140 to 160 ° C.
  • the temperature at which the semiconductor element is mounted is about the same as the volatilization temperature.
  • the curing temperature is higher than the volatilization temperature.
  • the curing accelerator (E) is large enough to be visually observed in the volatilization process at the volatilization temperature in the varnish (W) and in the adhesive layer obtained by volatilizing the solvent (A) from the varnish (W). It exists.
  • the curing accelerator (E) hardly accelerates the curing reaction.
  • the curing accelerator (E) is visually observed while being heated to the curing temperature, that is, at a temperature in the temperature range from a temperature higher than the volatilization temperature to the curing temperature in order to perform the curing process. The size becomes unobservable, or dissolves in the adhesive layer. As a result, the curing accelerator (E) accelerates the curing reaction.
  • liquid resin composition for adhesives (2) of the present invention by utilizing the action of such a curing accelerator (E), a curing reaction hardly occurs in the volatilization process, and only in the curing process.
  • the curing reaction can be easily controlled by causing the curing reaction.
  • the curing accelerator (E) force that existed in a size that can be visually observed is a force that cannot be visually observed, or the temperature at which it dissolves in the adhesive layer. It is described as change temperature. Since the state change temperature of the curing accelerator (E) varies depending on the type of the curing accelerator (E), a curing accelerator (E) having a higher state changing temperature than the volatilization temperature may be selected.
  • the state change temperature of (E) is preferably 100 to 160 ° C., particularly preferably 120 to 150.
  • the state change temperature of the curing accelerator (E) is such that 95% by weight of varnish (W) is mixed with 5% by weight of curing accelerator (D), heated and visually observed.
  • D Existence of curing accelerator (D) force Temperature that would not be visually observable, or 90% by weight of varnish (W), 10% by weight of curing accelerator (E), and DSC It is a temperature at which an endothermic peak appears when it is dissolved, as measured with a differential scanning calorimeter (DSC 220, manufactured by Seiko Instruments Inc., DSC 220).
  • the curing reaction start temperature of the curing accelerator (E) is preferably 130 ° C. or higher, more preferably 140 ° C. or higher.
  • the curing reaction start temperature is The liquid resin composition for adhesive was measured with a DSC (Differential Scanning Calorimeter, Seiko Instruments Co., Ltd., DSC 2 20) at a heating rate of 7 ° CZ and the line connecting the bottoms of the reaction peaks was measured. It is the starting temperature.
  • the viscosity of the liquid resin composition for adhesives (1) and (2) of the present invention is 10 to 600 Pa ⁇ s, preferably 20 to 300 Pa ⁇ s, more preferably 30 to 200 Pa. ⁇ S.
  • the viscosity of the liquid resin composition is a value measured at 25 ° C. and 2.5 rpm by using an E-type viscometer (manufactured by Toyo Sangyo Co., Ltd., 3 ° cone).
  • the liquid resin composition for adhesives (1) and (2) of the present invention can further contain a filler.
  • a filler organic fillers such as silicone and urethane particles and inorganic fillers such as silica and calcium carbonate are used to improve printability.
  • any material can be used as long as it functions as a viscosity adjusting material for maintaining the shape of the printed matter and suppressing movement to a place other than the opening portion of the mask.
  • the liquid resin composition for adhesives (1) and (2) of the present invention may further contain a coupling agent, a leveling agent, an antifoaming agent, a surfactant and the like as necessary.
  • the liquid resin composition for adhesives (1) and (2) of the present invention is excellent in continuous printability at the time of printing and has good semiconductor element mounting property after solvent volatilization, but is not sticky at room temperature. This is a liquid resin composition for adhesives.
  • the liquid resin composition for adhesives (1) and (2) of the present invention is printed on a support substrate on which a semiconductor element is mounted.
  • the support substrate is a printed circuit board such as a lead frame, an organic substrate, or a flexible substrate.
  • a semiconductor element is mounted on the support substrate and electrically connected by a gold wire.
  • it may be the semiconductor element itself or other things.
  • As a printing method of the liquid resin composition for adhesive, screen printing, stencil printing, and the like are possible, but from the viewpoint of surface smoothness, it is preferably applied by a stencil printing method using a stencil mask.
  • the stencil printing method can be performed by a known method.
  • the supporting substrate on which the liquid resin composition for adhesive is printed is heated in an oven or a hot platen to perform a volatilization process for volatilizing the solvent (A).
  • the adhesive layer obtained by volatilizing the solvent in the volatilization process contains a large amount of volatile components, it may cause stickiness of the adhesive layer and void in the semiconductor element mounting process.
  • the volatile content of the adhesive layer after the process is preferably 1% by weight or less.
  • the temperature of the volatilization process may be in the range below the temperature at which the solvent evaporates and the state of the curing accelerator changes. However, from the viewpoint of productivity, etc., 80 ° or more is required to complete the process within 120 minutes. Is preferred. Further, in order to prevent warpage from occurring by exposing the support substrate before sealing to a high temperature, it is preferably 1550 ° C. or less, more preferably 120 ° C. or less.
  • the volatile content of the adhesive layer after the volatilization process means a stencil mask with a thickness of 50 ⁇ m, a urethane squeegee with a length of 27 cm, a squeegee load of 2 kg, and a squeegee speed of 2 O m mZ s.
  • a more preferred weight loss rate is 0.5% by weight or less, and particularly preferred is 0.1% by weight or less.
  • the adhesive layer is preferably free from tack (stickiness) at room temperature. If there is stickiness, they stick to each other when the support substrates are placed on top of each other In addition, there is a risk of problems occurring in the support substrate pick-up process of the semiconductor device mounting apparatus. For this reason, the liquid resin composition for adhesive was printed on a support substrate using a 50 ⁇ thick stencil mask and a urethane squeegee with a length of 27 cm, a squeegee load of 2 kg, and a squeegee speed of 20 mm / s.
  • the adhesive layer after heat treatment for 80 ⁇ 3 minutes in a dryer at 100 ° C ⁇ 5 ° C has a tack force at 25 ° C of not more than 0.05 N, which is an index of stickiness. It is preferable that it exists.
  • Tack force was measured using a tuck force measuring machine (RHE S CA) Probe descending speed (I mmersion Speed) 30 mm / min, test speed 600 mm / min, contact load (P reload) 0.2 N Adhesion retention time (Press Time) 1.0 second, measured with probe 5.1 ⁇ (SUS 3 04).
  • the thus obtained support substrate for mounting a semiconductor element with an adhesive layer is usually set on top of the die bonder, picked up (a process of taking the support substrate one by one from the top), and then carried onto the heater block.
  • the semiconductor element is mounted in a heated state.
  • picking up the support substrate it is necessary to peel off at the interface between the adhesive layer printed on the support substrate to be picked up and the back surface (back side) where the adhesive of the other support substrate is not printed.
  • the adhesive layer has a tack force at 25 ° C greater than 0.05 N, the support substrate for mounting semiconductor elements with the adhesive layer will stick, and the support substrate cannot be picked up. There is a risk of problems such as two supporting substrates overlapping and part of the adhesive layer remaining on the back side of the supporting substrate.
  • Support substrates for mounting semiconductor elements with adhesive layers are lead frames, organic substrates
  • the liquid resin composition for adhesive is printed on the substrate and the solvent is volatilized.
  • the second semiconductor element mounted on the lead frame, organic substrate, etc.
  • the semiconductor element mounting temperature is preferably 150 ° C or lower, more preferably 1300 ° C or lower. Mounting semiconductor elements at high temperatures often causes warping. A load is applied in the semiconductor element mounting process, but the load is governed by the type of die bonder. Some models, such as some LOC (Lead On Chip) bonders, can apply a load of about 20 N per semiconductor element, but are usually performed with a load of about 3-5 N.
  • the semiconductor elements can be mounted at 5 N or less, more preferably 1 to 4 N.
  • the mounting time time during which the semiconductor element is pressed against the support
  • the mounting time is preferably 10 seconds or less from the viewpoint of productivity, more preferably 3 seconds or less, and particularly preferably 1 second or less.
  • a liquid resin composition for adhesive was used with a stencil mask with a thickness of 50 ⁇ m, a urethane squeegee with a length of 27 cm, a squeegee load of 2 kg, and a squeegee speed of 20
  • the shear strength is measured by picking up semiconductor elements separated into 6 x 6 mm on a die bonder, bond weight 1.0 N, support substrate heating temperature 100 ° C, mounting time 8 seconds (support P BGA (P lastic B all G) under the condition of the temperature of the substrate surface rising to 100 ° C (including 7 seconds) rid Array) Board (Package size 3 5 X 3 5 mm, Core material: BT (Bismaleimide Triazine) resin, Solder resist: PS R4000 AUS 308 (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.), thickness 56 mm ) Shear strength at 100 ° C of the sample mounted on). The shear strength was measured with a die shear tester (D age, series 4000).
  • the adhesive layer After mounting the semiconductor element, the adhesive layer is hardened and electrical connection is made with a gold wire.
  • the adhesive layer is cured at a temperature equal to or higher than the temperature change state of the curing accelerator. This temperature is preferably 200 or less, more preferably 180 ° C. or less, and particularly preferably 160 ° C. or less in consideration of the warp of the support substrate and the decomposition temperature of the adhesive layer.
  • the viscosity of the obtained liquid resin composition A for adhesive was 45 Pa ⁇ s. Viscosity was measured at 25 ° C and 2.5 rpm using an E-type viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd., 3 ° cone). )
  • 3-Glycidoxyprovir trimethoxysilane 0.2 part by weight Curing accelerator of the following formula (9) (state change temperature 1 20 ° C, curing reaction start temperature 1 40 ° C) 0.2 part by weight Aerosil 20 OV ( DEGUS SA Co., Ltd.) 4.0 parts by weight Organic filler with an average particle size of 6 ⁇ (C-800, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.)
  • the viscosity of the obtained liquid resin composition for adhesives was 45 Pa ⁇ s. • Liquid resin composition C for adhesives
  • 3-Glycidoxyprovir trimethyoxysilane 0.2 parts by weight Curing accelerator of the above formula (8) (state change temperature 140 ° C, curing reaction start temperature 1 60 ° C) 0.2 part by weight Aerosil 20 OV (DEGUS 4.0 parts by weight Organic filler with an average particle size of 6 ⁇ (C-800, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.)
  • the viscosity of the obtained liquid resin composition C for adhesive was 40 Pa ⁇ s.
  • 3-Glycidoxyprovir trimethoxysilane 0.2 parts by weight Curing accelerator of the above formula (8) (state change temperature 140 ° C, curing reaction start temperature 1 60 ° C) 0.2 parts by weight Aerosil 200 V (DEGUS SA) 4. 0 parts by weight Organic filler with an average particle size of 6 m (C—800, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.)
  • 2,4-Diamino 1 _ [2, -Methylimidazolyl (1,)] 1-ethyl-S-triazine (state change temperature 80 ° C or less, curing reaction start temperature 100 ° C) 0.2 parts by weight OV (manufactured by DEGUS SA) 4.0 parts by weight Organic filler with an average particle size of 6 ⁇ (C-800, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.)
  • 3-Glycidoxyprovir trimethoxysilane 0.2 parts by weight Triphenylphosphine (state change temperature 80 ° C or less, curing reaction start temperature 120 ° C) 0.2 parts by weight Aerosil 20 OV ( DEGUS SA) 4.0 parts by weight Organic filler with an average particle size of 6 / zm (C—800, manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.)
  • the viscosity of the obtained liquid resin composition J for adhesive was 40 Pa ⁇ s.
  • the above liquid resin compositions A to J for adhesives are used as substrates for BOC (Board On Chip) type semiconductor devices, that is, BT (Bismaleimide Triazine) resin substrates (resist: PSR 400 0AUS 3 0 8 (Manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd.), thickness 0.56 mm).
  • the squeegee moving speed and squeegee load were adjusted so that the thickness of the stencil mask used was 50 / m and the printing thickness was 35 ⁇ ⁇ 5 after the solvent was volatilized.
  • the liquid resin composition for adhesives is printed on a slide glass so as to have a thickness of 50 ⁇ m, and is heated at 100 ° C. for 80 minutes.
  • the slide glass with an adhesive layer was obtained by volatilizing the solvent from the liquid resin composition for adhesive.
  • the state change temperature was higher than 100 ° C and lower than 175 ° C, and the state change temperature was 1 75 ° C. Those exceeding C were designated as X (above volatilization temperature).
  • the curing reaction start temperature was measured with DSC (Differential Scanning Calorimeter, Seiko Instruments Inc., DSC 220) at a heating rate of 7 ° C / min for liquid resin compositions A to J for adhesives. The measurement was performed at the temperature at which the line connecting the bottoms of the reaction peaks started.
  • DSC Different Scanning Calorimeter, Seiko Instruments Inc., DSC 220
  • Table 1 shows the measurement results. The amount is in parts by weight.
  • Example 1 The following tests were conducted using a semiconductor support substrate with an adhesive layer and a slide glass with an adhesive layer, prepared using the above liquid resin composition A for adhesive.
  • Volatile content was measured as the volatile content of the adhesive layer after the volatilization process.
  • a volatilization process that is, 100 ° C
  • probe lowering speed 30 mmZm in, test speed 6 0 OmmZm in, adhesion load (preceding load) with a tack force measuring machine (RHE S CA) 0 2 N, adhesion retention time (pressing time) 1. 0 sec, probe 5.1 mm ⁇ (S US 3 04 )
  • liquid resin composition for adhesive is placed on the stencil mask used for printing. After printing twice in succession, the cycle of resting for 1 hour is left as it is for 1 cycle, and continuous printing is performed. Sex was evaluated. During this cycle, if the liquid resin composition for the adhesive dries and the printed material is drowned, it is judged as NG. Also, it is dried on the stencil mask and does not clog, but the thickness after evaporation of the solvent is 3 5 / im soil 5 NG when deviating from ⁇ m.
  • the time during which the semiconductor element could be mounted was defined as the life of the adhesive layer.
  • a simulated semiconductor wafer (P hase 8 manufactured by Hitachi UL SI) with a circuit surface side protected with polyimide resin (CRC-8880 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.)
  • the semiconductor element prepared by cutting to X 5 mm was mounted on the surface of the polyimide resin side with the above adhesive layer (BOC (BOC (B It is mounted toward the adhesive layer of the BT resin substrate, which is an oard On Chip) type package), and is electrically connected with a gold wire.
  • BOC BOC (B It is mounted toward the adhesive layer of the BT resin substrate, which is an oard On Chip) type package
  • Comparative Examples 1 and 2 the solvent dries in the middle of continuous printing. As a result, the continuous printability was NG. In Comparative Example 35, when the solvent was volatilized, the curing progressed too much and the semiconductor element could not be mounted.
  • the adhesive layer after solvent volatilization is not sticky at room temperature, and it is possible to provide a semiconductor support substrate with an adhesive layer that is excellent in continuous printability. Furthermore, by providing a semiconductor device using a semiconductor support substrate with an adhesive layer, productivity can be improved.

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Abstract

少なくとも溶剤(A)と、1分子中に二つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂(B)と、1分子中に二つ以上のフェノール性水酸基を有するエポキシ樹脂硬化剤(C)と、硬化促進剤(D)とを含有する接着剤用液状樹脂組成物であって、該エポキシ樹脂(B)および該エポキシ樹脂硬化剤(C)は、該溶剤(A)に溶解しており、該硬化促進剤(D)は、常温から該溶剤(A)を揮発させる温度までの温度範囲では、該エポキシ樹脂(B)と、該エポキシ樹脂硬化剤(C)とを該溶剤(A)に溶解したワニス(W)中、および該ワニス(W)から該溶剤(A)を揮発させて得られる接着剤層中で、目視で観察できる大きさで存在しており、且つ、該溶剤(A)を揮発させる温度より高い温度から硬化温度までの温度範囲で、目視で観察できない大きさになるか、または該接着剤層に溶解することを特徴とする接着剤用液状樹脂組成物。本発明によれば、印刷時の連続印刷性に優れ、かつ溶剤揮発後に良好な半導体素子搭載性を有しつつも、室温ではべたつきのない接着剤用液状樹脂組成物を提供することができる。

Description

明細書 接着剤用液状樹脂組成物、 半導体装置及び半導体装置の製造方法 技術分野
本発明は、 接着剤用液状樹脂組成物、 それを用いて作製した半導体装 置および半導体装置の製造方法に関するものである。 背景技術
近年の携帯電話、 携帯情報端末、 D V C (デジタル ビデオ カメラ ) などの高機能化、 小型化、 軽量化の進展は著しいものがあり、 半導体 パッケージの高機能化、 小型化、 軽量化が強く求められている。 そこで 半導体パッケージの高機能化のため機能の異なる複数の半導体素子、 ま たは同一機能の複数の半導体素子を 1つのパッケージに搭載する、 小型 化 ·軽量化のため半導体素子の大きさとパッケージの大きさを可能な限 り近づけるといった試みがなされてきている。 このため半導体素子の薄 型化はより進み、 半導体素子と金属または有機基板といった支持体のヮ ィャボンドパッドの距離は益々近くなってきている。
従来の半導体組立工程におけるダイアタッチ工程では、 支持体に液状 のダイアタッチ材を塗布して室温で半導体素子を搭載後加熱硬化するこ とで半導体素子を支持体に接着していたが、 半導体素子表面やワイヤボ ンドパッドへのダイアタッチ材の付着の問題、 ダイアタッチ材のブリー ド (ダイアタッチ材の液状成分のみが毛細管現象で伝わる現象) による 汚染問題が無視できなくなってきている。
そこで液状のダイァタツチ材の替わりにフィルム状のダイァタツチ材 を用い、 フィルム状のダイアタッチ材を支持体に貼り付けた後、 加熱し ながら半導体素子を搭載する方法、 半導体ウェハ裏面にフィルム状ダイ ァタツチ材を貼り付けた状態でダイシングシートに貼り付けた後個片化 することで得られたダイアタッチ材付き半導体素子を加熱しながら支持 体に搭載する方法、 ダイシンダシート機能を有するダイアタッチフィル ムに半導体ウェハを貼り付け個片化することで得られたダイァタツチ材 付き半導体素子を加熱しながら支持体に搭載する方法などが採用されて いる。 (例えば、 特許文献 1、 2参照。 )
一方、 フィルム状のダイアタッチ材は、 使用する半導体素子の大きさ とダイアタッチ材の厚み毎に、 それぞれに見合ったフィルムを揃えてお かなければならず、 品種管理も複雑になることから、 ダイアタッチ材層 を印刷によって支持基板上に形成し、 半硬化して、 フィルム材の代用と する方法も行われるようになってきている。 この様な用途の接着剤は、 常に一定の半硬化状態まで反応を進め、 そこで反応を停止させなければ ならない。 そのため、 半硬化状態までの硬化系と、 そこから先の完全硬 化までの硬化系を別々に設計することが良く用いられる。 (例えば、特許 文献 3参照。 )
この様な二段階の硬化系接着剤には、 ァクリル樹脂とエポキシ樹脂の 混合系が考えられる。 半導体素子を支持基板に搭載する場合の接着剤層 の厚みは、 3 0 μ m程度またはさらに薄くなる傾向であり、 このような 厚みでは、 アクリル系樹脂の硬化反応制御が困難であり、 常温付近での ベたつきが残ってしまう。 室温付近のベたつきは、 接着剤を印刷した支 持基板同士が接着する原因となり、 半導体素子を搭載する工程で、 支持 基板の自動搬送に問題が生じる。
しかし、 一段階の硬化系接着剤とすると、 反応温度による問題が生じ る。 つまり、 乾燥に時間の掛かる高沸点溶剤を使用すると、 半導体素子 を搭載する前に接着剤の硬化が進んでしまい、 半導体素子搭載性が低下 する。 一方、 溶剤を低沸点のものに変えると、 印刷中に乾いてしまい、 連続印刷性が劣る。 また半導体素子搭載性を優先させる為に、 高分子性 のゴムなどを多量に導入すると、 連続印刷中に糸状のカスが発生するた め好ましくなレ、(例えば、 特許文献 4参照。 ) 。 このように、 半硬化時の 常温付近でのベたつきを無く し、 かつ連続印刷性と半導体素子搭載性を 両立する接着剤の実現は困難であった。
(特許文献 1) 特開 200 2— 2 94 1 7 7号公報
(特許文献 2) 特開 200 3— 34 7 3 2 1号公報
(特許文献 3 ) 特表 200 5— 5 1 3 1 9 2号公報
(特許文献 4 ) 特開 200 1— 2 20 5 5 6号公報
従って、 本発明の目的は、 印刷時の連続印刷性に優れ、 かつ溶剤揮発 後に良好な半導体素子搭載性を有しつつも、 室温ではべたつきのない接 着剤用液状樹脂組成物を提供するものである。 発明の開示
このような目的は、 下記 (1 ) 〜 ( 1 1 ) に記載の本発明により達成 される。
(1 ) 少なくとも溶剤 (A) と、 1分子中に二つ以上のエポキシ基を有 するエポキシ樹脂 (B) と、 1分子中に二つ以上のフエノール性水酸基 を有するエポキシ樹脂硬化剤 (C) と、 硬化促進剤 (D) とを含有する 接着剤用液状樹脂組成物であって、
該エポキシ樹脂 (B) およぴ該エポキシ樹脂硬化剤 (C) は、 該溶剤 ( A) に溶解しており、
該硬化促進剤 (D) は、 常温から該溶剤 (A) を揮発させる温度までの 温度範囲では、 該エポキシ樹脂 (B) と、 該エポキシ樹脂硬化剤 (C) とを該溶剤 (A) に溶解したワニス (W) 中、 および該ワニス (W) か ら該溶剤 (A) を揮発させて得られる接着剤層中で、 目視で観察できる 大きさで存在しており、 且つ、 該溶剤 (A) を揮発させる温度より高い 温度から硬化温度までの温度範囲で、 目視で観察できない大きさになる 力 、 または該接着剤層に溶解することを特徴とする接着剤用液状樹脂組 成物。
(2) 少なく とも溶剤 (A) と、 1分子中に二つ以上のエポキシ基を有 するエポキシ樹脂 (B) と、 1分子中に二つ以上のフエノール性水酸基 を有するエポキシ樹脂硬化剤 (C) と、 硬化促進剤 (E) とを含有する 接着剤用液状樹脂組成物であって、
該エポキシ樹脂 (B) および該エポキシ樹脂硬化剤 (C) は、 該溶剤 ( A) に溶角军しており、
該硬化促進剤 (E) 力 カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤 であることを特徴とする接着剤用液状樹脂組成物。
(3) 前記カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤が、 下記一般 式 ( 1) で表される硬化促進剤であることを特徴とする ( 1 ) または (
2) に記載の接着剤用液状樹脂組成物。
Figure imgf000005_0001
(式中、 R R2および R3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基、 メ ト キシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互いに同 一であっても異なっていてもよい。 nは、 0〜2である。 Aは
レン環または下記一般式 (2) で表される芳香族基を示す。 )
Figure imgf000006_0001
(式中、 R4、 R\ R6および R7は、 それぞれ、 水素原子、 ハロゲン原 子および炭素数 1〜6の有機基から選択される 1種を示し、 互いに同一 であっても異なっていてもよい。 Vは、 単結合、 エーテル基、 スルホン 基、 スルフィ ド基、 カルボニル基または炭素数 1〜 1 3の有機基を示す o )
(4) 前記カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤が、 下記一般 式 (4) で表される硬化促進剤であることを特徴とする (1) または ( 2) に記載の接着剤用液状樹脂組成物。
Figure imgf000006_0002
(式中、 R R2および R3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基、 メ ト キシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互いに同 一であっても異なっていてもよい。 Y1および Y2は、 酸素原子、 窒素原 子、 硫黄原子のいずれかであり、 互いに同一であっても異なっていても よい。 Xは、 有機基を示し、 同一であっても異なっていてもよい。 Zは
、 置換または無置換の芳香族環式有機基または複素環式有機基を表す。 )
(5) 前記カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤が、 下記一般 式 (6) で表される硬化促進剤であることを特徴とする ( 1) または ( 2) に記載の接着剤用液状樹脂組成物。
Figure imgf000007_0001
(式中、 R1 R2および R3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基、 メ ト キシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互いに同 一であっても異なっていてもよい。 Υ3、 Υ Υ5および Υ6のうち少な く とも 1つは、 分子外に放出するプロ トンを少なく とも 1個有するプロ トン供与体がプロ トンを 1個放出してなる基であり、 それらは互いに同 一であっても異なっていてもよい。 )
(6) 前記エポキシ樹脂 (Β) 、 常温で固形のエポキシ樹脂であるこ とを特徴とする ( 1) 〜 (5) のいずれか記載の接着剤用液状樹脂組成 物
(7) 前記エポキシ樹脂硬化剤 (C) 、 常温で固形のエポキシ樹脂硬 化剤であることを特徴とする ( 1 ) 〜 (6) のいずれか記載の接着剤用 液状樹脂組成物。 (8) 前記溶剤 (A) の沸点が 200°C以上であることを特徴とする ( 1) 〜 (7) のいずれか記載の接着剤用液状樹脂組成物。
(9) 前記硬化促進剤の硬化反応開始温度が、 1 3 0°C以上であること を特徴とする (1 ) 〜 (8) のいずれか記載の接着剤用液状樹脂組成物
( 1 0) ( 1 ) 〜 (9) いずれか記載の接着剤用液状樹脂組成物を、 支 持基板に印刷する印刷工程と、 接着剤用液状樹脂組成物から、 溶剤を揮 発させて、 接着剤層を形成させる揮発工程と、 半導体素子を搭載する搭 載工程と、 該接着剤層を硬化させる硬化工程と、 を有することを特徴と する半導体装置の製造方法。
(1 1) ( 1 ) 〜 (9) のいずれか記載の接着剤用液状樹脂組成物を用 いて作製したことを特徴とする半導体装置。
本発明により、 印刷時の連続印刷性に優れ、 かつ溶剤揮発後に良好な 半導体素子搭載性を有しつつも、 室温ではべたつきのない接着剤用液状 樹脂組成物を提供することができる。 発明を実施するための最良の形態
本発明における第一の形態の接着剤用液状樹脂組成物 (以下、 本発明 の接着剤用液状樹脂組成物 (1 ) とも記載する。 ) は、 少なくとも溶剤 (A) と、 1分子中に二つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂 (B ) と、 1分子中に二つ以上のフエノール性水酸基を有するエポキシ樹脂 硬化剤 (C) と、 硬化促進剤 (D) とを含有する接着剤用液状樹脂組成 物であって、
該エポキシ榭脂 (B) および該エポキシ樹脂硬化剤 (C) は、 該溶剤 ( A) に溶解しており、
該硬化促進剤 (D) は、 常温から該溶剤 (A) を揮発させる温度までの 温度範囲では、 該エポキシ樹脂 (B) と、 該エポキシ樹脂硬化剤 (C) とを該溶剤 (A) に溶解したワニス (W) 中、 および該ワニス (W) か ら該溶剤 (A) を揮発させて得られる接着剤層中で、 目視で観察できる 大きさで存在しており、 且つ、 該溶剤 (A) を揮発させる温度より高い 温度から硬化温度までの温度範囲で、 目視で観察できない大きさになる かまたは該接着剤層に溶解する接着剤用液状樹脂組成物である。
本発明において、 溶剤 (A) を揮発させる温度とは、 溶剤 (A) が揮 発する温度であれば、 溶剤 (A) の沸点以下であってもよい。 また、 硬 化温度とは、 本発明の接着剤用液状樹脂組成物から溶剤 (A) を揮発さ せて得られる接着剤層を、 硬化させる温度である。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 ( 1) は、 半導体素子を支持基板上 に接着するために用いられる接着剤用の液状樹脂組成物である。そして、 本発明の接着剤用液状樹脂組成物 ( 1 ) は、 連続印刷によって、 支持基 板に接着剤用液状樹脂組成物層を印刷する印刷工程、 次いで、 支持基板 に印刷された接着剤用液状榭脂組成物層から、 溶剤 (A) を揮発させる ことにより、 支持基板に接着剤層を形成させる揮発工程、 次いで、 接着 剤層が形成された支持基板に、 半導体素子を搭載する搭載工程を行った 後、 接着剤層を硬化する硬化工程を行うことにより、 半導体素子を支持 基板上に接着する工程を有する半導体装置の製造方法に用いられる。 このとき、 揮発工程で、 溶剤 (A) を揮発させる揮発温度は、 2 5〜 1 50° (:、 好ましくは 8 0〜 1 20°Cである。 また、 硬化工程で、 接着 剤層を硬化させる硬化温度は、 9 0〜 1 70°C、 好ましくは 1 4 0〜 1 6 0°Cである。 また、 搭載工程で、 半導体素子を搭載する温度は、 揮発 温度と同程度の温度である。 なお、 硬化温度は、 揮発温度より高い。 本発明の接着剤用液状樹脂組成物 ( 1) に係る溶剤 (A) は、 ェポキ シ樹脂 (B) およびエポキシ樹脂硬化剤 (C) を溶解させる溶剤である 。 そして、 本発明の接着剤用液状樹脂組成物は、 スク リーン印刷、 ステ ンシル印刷などで該支持基板の半導体素子搭載面側に印刷されるので、 溶剤 (A ) の沸点は、 2 0 0 T:以上であることが好ましく、 2 0 0〜2 6 0 °Cであることが特に好ましく、 2 1 0〜 2 5 0 °Cがより好ましい。 エポキシ樹脂 (B ) およびエポキシ樹脂硬化剤 (C ) が溶剤 (A ) に溶 解しない場合には、 印刷後の表面が平滑にならず、 半導体素子を搭載し た際に、 不具合 (例えば、 半導体素子が水平にならない.など) が発生す る恐れがあると共に、 支持基板に搭載する際にエアが残る恐れがある。 また、 溶剤 (A) の沸点が 2 0 0 °C未満の場合には、 印刷時に溶剤の揮 発による粘度変化が大きくなり過ぎて、 厚みが不均一になることや、 か すれの原因となる恐れがあり、 また、 溶剤 (A ) の沸点が 2 6 0でより 高い場合には、 溶剤の揮発に時間がかかり過ぎること、 残揮発分量が多 くなり過ぎて、 ベたつきが残ることなどの可能性がある。
このような溶剤 (A ) としては、 エポキシ樹脂 (B ) およびエポキシ 樹脂硬化剤 (C ) の溶解するものであれば、 特に限定されないが、 半導 体用途であるためハロゲン原子を有する溶剤は好ましくない。 また、 第 1ァミンまたは第 2アミンを含む溶剤のように、 接着剤用液状樹脂組成 物の保存性を悪化させるような溶剤は好ましくない。 溶剤 (A ) は、 1 種でも、 複数種を併用してもよい。
溶剤 (A ) としては、 例えば、 安息香酸ェチル、 安息香酸プロピル、 安息香酸ブチル、 ーブチロラク トン、 シユウ酸ジブチル、 マレイン酸 ジメチル、 マレイン酸ジェチル、 エチレングリ コールモノ酪酸エステル 、 炭酸プロピレン、 N—メチルピロ リ ドン、 2— (へキシルォキシ)エタ ノーノレ、 ジエチレングリ コール、 ジエチレングリ コールモノェチルエー テル、 ジエチレングリ コールモノブチルエーテル、 ト リエチノレグリ コー ルモノメチノレエーテル、 ジプロピレングリ コール. ト リプロピレングリ コールモノメチノレエーテル、 サリチル酸メチル、 ジエチレングリコール モノェチノレエーテノレァセタート、 ジエチレングリ コーノレモノブチノレエー テルァセター十などが挙げられる。 なかでも、 沸点が 2 1 0〜2 5 0 °C である安息香酸ェチル、 安息香酸プロピル、 安息香酸プチル、 γ —プチ 口ラタ トン、 シユウ酸ジブチル、 マレイン酸ジェチル、 エチレングリコ ールモノ酪酸エステル、 炭酸プロピレン、 ジエチレングリ コール、 ジェ チレングリコーノレモノブチノレエーテ^/、 トリエチレングリコーノレモノメ チノレエーテノレ、 ジプロピレングリ コール、 ト リプロピレングリ コーノレモ ノメチルエーテノレ、 サリチル酸メチル、 ジエチレングリコールモノェチ /レエーテノレァセター ト、 ジエチレングリ コーノレモノブチノレエーテノレァセ タートなどが、 好ましい。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 ( 1 ) に係る 1分子中に二つ以上の エポキシ基を有するエポキシ樹脂 (Β ) (以下、 単に、 エポキシ樹脂 ( Β ) とも記載する。 ) としては、 フエノールノボラック型エポキシ樹脂 、 ク レゾ一ルノボラック型エポキシ榭脂、 フエノールァラルキル型ェポ キシ樹脂、 ビフエニルァラルキル型エポキシ樹脂、 ジシクロペンタジェ ン型エポキシ樹脂、 その他トリフエニルメチン骨格を有するエポキシ樹 月旨、 ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、 アントラセン骨格を有する エポキシ樹脂などが挙げられる。 これらのうち、 常温で固形のエポキシ 樹脂が好ましい。 エポキシ樹脂 (Β ) は、 1種でも、 複数種を併用して もよい。 エポキシ樹脂 (Β ) のうち、 常温で固形のエポキシ樹脂として は、 軟化点 5 5 °C以上のエポキシ樹脂が挙げられ、 クレゾールノボラッ ク型エポキシ樹脂、 フヱノールァラルキル型エポキシ樹脂、 ビフヱニル ァラルキル型エポキシ樹脂、 ジシクロペンタジェン型エポキシ樹脂など が挙げられ、 クレゾ一ルノボラック型エポキシ樹脂、 フエノールァラル キル型エポキシ樹脂、 ジシク口ペンタジェン型エポキシ樹脂が好ましい 本発明の接着剤用液状樹脂組成物 ( 1 ) に係る 1分子中に二つ以上の フエノール性水酸基を有するエポキシ樹脂硬化剤 (C ) (以下、 単に、 エポキシ樹脂硬化剤 (C ) とも記載する。 ) としては、 ビスフヱノール A、 ビスフエノール F、 ビスフエノ一ノレ Sなどのビスフエノール類、 フ エノールノボラック、 クレゾールノボラックなどフエノールまたはその 誘導体とホルムアルデヒ ドとの反応により得られる化合物、 フヱノール またはその誘導体とベンズアルデヒ ドとの反応により得られる化合物、 フエノールァラルキル型フヱノール樹脂、 ビフヱニルァラルキル型フエ ノール樹脂、 その他ナフタレン骨格を有するもの、 アントラセン骨格を 有するもので 1分子内にフエノール性水酸基を二つ以上有する化合物な どが挙げられる。 エポキシ樹脂硬化剤 (C ) のうち、 常温で固形のェポ キシ樹脂硬化剤が好ましい。 エポキシ樹脂硬化剤 (C ) は、 1種でも、 複数種を併用してもよい。 エポキシ樹脂硬化剤 (C ) のうち、 常温で固 形のエポキシ樹脂硬化剤としては、 軟化点 5 5 以上のエポキシ樹脂硬 化剤が挙げられ、 フエノールノボラック、 フエノールァラルキル型フエ ノール樹脂、 ビフエニルァラルキル型フエノール樹脂、 ビスフエノール Fなどが挙げられ、 フエノールノボラック、 フエノーノレアラルキノレ型フ ェノール樹脂が好ましい。
エポキシ榭脂硬化剤 (C ) の軟化点が高くても、 エポキシ樹脂 (B ) と混合すると、 混合物の軟化点は下がるので、 エポキシ樹脂硬化剤 (C ) としては、 例えば、 軟化点が 1 5 0 °C位のものでもよレ、。 なお、 ェポ キシ樹脂 (B ) およびエポキシ樹脂硬化剤 (C ) のどちらも、 溶剤 (A ) を揮発させた後に、 室温付近でベたつかないのであれば、 一部が液状 のエポキシ樹脂 (B ) または液状のエポキシ樹脂硬化剤 (C ) であって もよい。 液状のエポキシ樹脂 (B ) または液状のエポキシ樹脂硬化剤 ( C) とは、 軟化点 5 5°C未満の半固形樹脂を含み、 ク レゾールノボラッ ク型エポキシ樹脂、 ビスフエノール A型エポキシ樹脂、 ァリルフエノー ル型エポキシ樹脂硬化剤などが挙げられる。
エポキシ樹脂 (B) とエポキシ樹脂硬化剤 (C) の割合は、 エポキシ 基 1に対してフエノール性水酸基が 0. 7〜 1. 3となることが好まし レ、。 より好ましい割合は、 エポキシ基 1に対してフヱノール性水酸基が 0. 9〜: 1. 2である。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 ( 1 ) に係る硬化促進剤 (D) は、 エポキシ榭脂 (B) のエポキシ基とエポキシ樹脂硬化剤 (C) のフエノ ール性水酸基の反応を促進する硬化促進剤である。
硬化促進剤 (D) は、 常温から溶剤 (A) を揮発させる温度までの温 度範囲では、 エポキシ樹脂 (B) と、 エポキシ樹脂硬化剤 (C) とが溶 剤 (A) に溶解したワニス (W) 中、 およびワニス (W) から溶剤 (A ) を揮発させて得られる接着層中に、 目視で観察できる大きさで存在し ており、 且つ、 溶剤 (A) を揮発させる温度より高い温度から硬化温度 までの温度範囲のどこかで、 目視で観察できない大きさになるか、 また は接着剤層に溶解する。 例えば、 溶媒 (A) を揮発させる温度が 1 00 °Cであり、 硬化温度が 1 7 5°Cの場合、 硬化促進剤 (D) は、 室温から 1 00°Cまでの温度範囲では、 つまり、 1 0 0°Cで溶剤 (A) を揮発さ せる間のワニス (W) 中、 およびワニス (W) から溶剤 (A) を揮発さ せて得られる接着剤層中で、 目視で観察できる程度の大きさで存在して いる。 そして、 接着剤層を硬化させるために、 1 00°Cから 1 7 5°Cま で加熱している間のどこかの温度で、 目視で観察できない大きさになる か、 または接着剤層に溶解する。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 (1 ) では、 このような性質を有す る硬化促進剤 (D) を用いることにより、 印刷工程および揮発工程では 、 硬化反応が殆ど起こらず、 搭載工程後、 硬化工程で、 硬化温度まで加 熱する際に、 硬化反応が起こる。 硬化促進剤 (D) 力 常温から溶剤 ( A) を揮発させる温度までの温度範囲で、 目視で観察できない大きさに なったり、 ワニス (W) または接着剤層に溶解したのでは、 印刷前の常 温でも反応が徐々に進むので、 常温での保存性が悪化したり、 揮発工程 で硬化反応が進んでしまい、 その後の半導体素子の搭載工程で、 十分な 接着力が得られなかったり、 例え接着力がある状態で揮発工程が終わつ ても、 この揮発工程後の状態で常温に放置した際の保存性が極端に短く なってしまう。
本発明において、 目視で観察できる大きさで存在していた硬化促進剤 (D) が、 目視で観察できない大きさになるか、 または接着剤層に溶解 する温度を、 硬化促進剤 (D) の状態変化温度と記載する。 この硬化促 進剤 (D) の状態変化温度は、 硬化促進剤 (D) の種類によって異なる ため、 揮発温度より状態変化温度が高い硬化促進剤 (D) を適宜選択す ればよいが、 硬化促進剤 (D) の状態変化温度は、 好ましくは 1 00〜 1 6 0°C、 特に好ましくは 1 20〜 1 50 である。 なお、 本発明にお いて、 硬化促進剤 (D) の状態変化温度とは、 9 5重量%のワニス (W ) に対し、 5重量%の硬化促進剤 (D) を混ぜ、 加熱し、 目視で観察で きる大きさで存在していた硬化促進剤 (D) 力 目視で観察できない大 きさになる温度、 または 90重量%のワニス (W) に、 1 0重量%の硬 化促進剤 (D) を混ぜ、 D S C (示差走査熱量計、 セイコーインスツルメ ンッ社製、 D S C 2 20)により昇温速度 5 °CZ分で測定し、硬化促進剤 (D) 力 、 溶解する際の吸熱ピークが表れる温度のことである。
硬化促進剤 (D) の硬化反応開始温度は、 1 30°C以上が好ましく、 さらに好ましくは 1 40°C以上である。 なお、 硬化反応開始温度とは、 接着剤用液状樹脂組成物を D S C (示差走査熱量計、セイコーィンスツル メンッ社製、 D S C 2 2 0)により昇温速度 7 °CZ分で測定し:反応ピー クの裾を結んだ線の始まる温度である。
本発明における第二の形態の接着剤用液状樹脂組成物 (以下、 本発明 の接着剤用液状樹脂組成物 (2) とも記載する。 ) は、 少なく とも溶剤 (A) と、 1分子中に二つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂 (B ) と、 1分子中に二つ以上のフエノール性水酸基を有するエポキシ樹脂 硬化剤 (C) と、 硬化促進剤 (E) とを含有する接着剤用液状樹脂組成 物であって、
該エポキシ樹脂 (B) およぴ該エポキシ樹脂硬化剤 (C) は、 該溶剤 ( A) に溶解しており、
該硬化促進剤 (E) 1 カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤 である接着剤用液状樹脂組成物である。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 (2) は、 半導体素子を支持基板上 に接着するために用いられる接着剤用の液状樹脂組成物である。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 (2) に係る溶剤 (A) 、 エポキシ 樹脂 (B) およびエポキシ樹脂硬化剤 (C) は、 本発明の接着剤用液状 樹脂組成物 ( 1) に係る溶剤 (A) 、 エポキシ樹脂 (B) およびェポキ シ樹脂硬化剤 (C) と同様である。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 (2) に係る硬化促進剤 (E) は、 カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤であり、 硬化促進剤 (E
) としては、 下記一般式 (1 ) で表される硬化促進剤が挙げられる。
Figure imgf000016_0001
(式 ( 1 ) 中、 R R 2および R 3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基 、 メ トキシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互 いに同一であっても異なっていてもよい。 nは、 0〜2である。 Aは、 ナフタレン環または下記一般式 (2 ) で表される芳香族基を示す。
Figure imgf000016_0002
(式 (2 ) 中、 R 4、 R 5、 R 6および R 7は、 それぞれ、 水素原子、 ハロ ゲン原子および炭素数 1〜 6の有機基から選択される 1種を示し、 互い に同一であっても異なっていてもよい。 Vは、 単結合、 エーテル基、 ス ルホン基、 スルフィ ド基、 カルボニル基または炭素数 1〜 1 3の有機基 を示す。 )
なお、 上記一般式 ( 1 ) で表される硬化促進剤において、 nが 0の場 合は、 ァニオン部は、 1分子内に 1個以上のフヱノール性水酸基および フエノキシド基を有する化合物の共役塩基であり、 また、 nが 0より大 きい場合は、 ァニオン部は、 1分子内に 2個以上のフエノール性水酸基 を有する化合物と、 1分子内に 1個以上のフエノール性水酸基およびフ エノキシド基を有する化合物の共役塩基との分子会合体である。
前記一般式 ( 1 ) で表される硬化促進剤としては、 下記一般式 が挙げられる。
Figure imgf000017_0001
(式 (3) 中、 R R 2および R 3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基 、 メ トキシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互 いに同一であっても異なっていてもよい。 nは、 0〜2である。 ) また、 本発明の接着剤用液状樹脂組成物 (2) に係るカチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤 (E) としては、 下記一般式 (4) で表 される硬化促進剤が挙げられる。
Figure imgf000017_0002
(式 (4) 中、 R R2および R3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基 、 メ トキシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互 いに同一であっても異なっていてもよい。 Y1および Y2は、 酸素原子、 窒素原子、 硫黄原子のいずれかであり、 互いに同一であっても異なって いてもよい。 Xは、 有機基を示す。 Zは、 置換または無置換の芳香族環 式有機基または複素環式有機基を表す。 )
前記一般式 (4) 中、 X、 Y1および Y2は、 珪素原子とキレート構造 を形成する。
前記一般式 (4) で表される硬化促進剤としては、 下記一般式 (5) が挙げられる。
Figure imgf000018_0001
(式中、 R R 2および R 3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基、 メ ト キシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互いに同 一であっても異なっていてもよい。 P hは、 フエニル基である。 ) また、 本発明の接着剤用液状樹脂組成物 (2) に係るカチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤 (E) としては、 下記一般式 (6) で表 される硬化促進剤が挙げられる。
Figure imgf000019_0001
(式 (6) 中、 R1 R 2および R 3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基 、 メ トキシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互 いに同一であっても異なっていてもよレヽ。 Υ3、 Υ4、. Υ5および Υ6のうち 少なく とも 1つは、 分子外に放出するプロ トンを少なく とも 1個有する プロ トン供与体がプロ トンを 1個放出してなる基であり、 それらは互い に同一であっても異なっていてもよい。 )
前記一般式 (6) の Υ3、 Υ4、 Υ5および Υ6は、 芳香環若しぐは複素 環を有する有機基または脂肪族基であって、 Υ3、 Υ4、 Υ5および Υ6 のうち少なく とも 1つは、 1個以上のカルボキシル基を有する芳香族力 ルボン酸、 1分子内に酸無水物基および またはカルボキシル基とをそ れぞれ少なく とも 1個有する芳香族カルボン酸、 1分子内に 1個以上の 水酸基を有するフヱノール化合物、 および 1分子内にカルボキシル基と フエノール性水酸基とをそれぞれ少なく とも 1個有する芳香族化合物の 群から選ばれるプロ トン供与体がプロ トンを 1個放出してなる基であり 、 それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。
前記一般式 (6) で表される硬化促進剤としては、 下記一般式 ( 7) が挙げられる。
Figure imgf000020_0001
(式 (7 ) 中、 R R 2および R 3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基 、 メ トキシ基およびフ ノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互 いに同一であっても異なっていてもよい。 Bは、 ホウ素原子である。 ) 本発明の接着剤用液状樹脂組成物 (2 ) は、 連続印刷によって、 支持 基板に接着剤用液状樹脂組成物層を印刷する印刷工程、 次いで、 支持基 板に印刷された接着剤用液状樹脂組成物層から、 溶剤 (A ) を揮発させ ることにより、 支持基板に接着剤層を形成させる揮発工程、 次いで、 接 着剤層が形成された支持基板に、 半導体素子を搭載した後、 接着剤層を 硬化する硬化工程を行うことにより、 半導体素子を支持基板上に接着す る工程を有する半導体装置の製造方法に用いられる。
このとき、 揮発工程で、 溶剤 (A ) を揮発させる揮発温度は、 2 5〜 1 5 0 °C , 好ましくは 8 0〜 1 2 0 °Cである。 また、 硬化工程で、 接着 剤層を硬化させる硬化温度は、 9 0〜 1 7 0 °C、 好ましくは 1 4 0〜 1 6 0 °Cである。 また、 搭載工程で、 半導体素子を搭載する温度は、 揮発 温度と同程度の温度である。 なお、 硬化温度は、 揮発温度より高い。 硬化促進剤 (E ) は、 揮発工程において、 揮発温度では、 ワニス (W ) 中およびワニス (W) から溶剤 (A ) を揮発させて得られる接着剤層 中で、 目視で観察できる程度の大きさで存在している。 このような状態 では、 硬化促進剤 (E) は、 殆ど硬化反応を促進させない。 そして、 硬 化促進剤 (E) は、 硬化工程を行うために、 硬化温度まで加熱される間 に、 つまり、 揮発温度より高い温度から硬化温度までの温度範囲のどこ かの温度で、 目視では観察できない程度の大きさになるか、 または接着 剤層に溶解する。 このことにより、 硬化促進剤 (E) は、 硬化反応を促 進させる。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 (2) では、 このような硬化促進剤 (E) の作用を利用することにより、 揮発工程では、 硬化反応が殆ど起 こさせず、 専ら硬化工程で、 硬化反応を起こさせるという、 硬化反応の 制御が容易となる。
本発明において、 目視で観察できる大きさで存在していた硬化促進剤 (E) 力 目視で観察できない大きさになる力 、 または接着剤層に溶解 する温度を、 硬化促進剤 (E) の状態変化温度と記載する。 この硬化促 進剤 (E) の状態変化温度は、 硬化促進剤 (E) の種類によって異なる ため、 揮発温度より状態変化温度が高い硬化促進剤 (E) を選択すれば よいが、 硬化促進剤 (E) の状態変化温度は、 好ましくは 1 00〜 1 6 0°C、 特に好ましくは 1 20〜 1 50でである。 なお、 硬化促進剤 (E ) の状態変化温度とは、 9 5重量%のワニス (W) に対し、 5重量%の 硬化促進剤 (D) を混ぜ、 加熱し、 目視で観察できる大きさで存在して いた硬化促進剤 (D) 力 目視で観察できない大きさになる温度、 また は 9 0重量%のワニス (W) に対し、 1 0重量%の硬化促進剤 (E) を 混ぜ、 D S C (示差走査熱量計、 セィコーィンスツルメンッ社製、 D S C 2 20)により昇温速度 5 °C/分で測定し、溶解する際の吸熱ピークが表 れる温度のことである。
硬化促進剤 (E) の硬化反応開始温度は、 1 3 0°C以上が好ましく、 さらに好ましくは 1 40°C以上である。 なお、 硬化反応開始温度とは、 接着剤用液状樹脂組成物を D S C (示差走査熱量計、セィコーィンスツル メンッ社製、 D S C 2 20)により昇温速度 7 °CZ分で測定し、反応ピー クの裾を結んだ線の始まる温度である。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 ( 1 ) および (2) の粘度は、 1 0 〜 6 00 P a · s、 好ましくは 20〜300 P a · s、 より好ましくは 3 0〜200 P a · sである。 なお、 本発明において、 液状樹脂組成物 の粘度は、 E型粘度計 (東洋産業株式会社製、 3度コーン) を用いて、 25°C、 2. 5 r p mで測定された値である。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 ( 1 ) および (2) は、 さらにフィ ラーを含有することができる。 フイラ一としては、 シリコーンやウレタ ン粒子などの有機フィラーや、 シリカや炭酸カルシウムなどの無機フィ ラーであり、 印刷性を向上させる為に使用される。 即ち、 印刷物の形状 保持やマスクの開孔部以外の場所への移動を抑制するための粘度調整材 として機能するものなら何でも用いることができる。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 ( 1 ) および (2) は、 さらに必要 によりカップリング剤、 レべリング剤、 消泡剤、 界面活性剤などを含有 することもできる。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物 (1 ) および (2) は、 印刷時の連 続印刷性に優れ、 かつ溶剤揮発後に良好な半導体素子搭載性を有しつつ も、 室温ではべたつきのない接着剤用液状樹脂組成物である。
本発明の接着剤用液状樹脂組成物( 1 )および( 2 )を用いる半導体装置 の製造方法について説明する。
先ず、 本発明の接着剤用液状樹脂組成物(1)および(2)を、 半導体素 子を搭載する支持基板上に印刷する。 ここで、 支持基板としては、 リー ドフレームや有機基板、 フレキシブル基板などのプリント基板であり、 支持基板に半導体素子を搭載し、 金線により電気的接続を行うものであ るが、 半導体素子自体やその他のものであっても構わない。 接着剤用液 状樹脂組成物の印刷方法としてはスク リーン印刷、 ステンシル印刷など が可能であるが、 表面の平滑性の観点からステンシルマスクを使ったス テンシル印刷法により塗布されることが好ましい。 ステンシル印刷法は 公知の方法にて行うことが可能である。
次いで、 接着剤用液状樹脂組成物が印刷された支持基板を、 オーブン や熱盤上で加熱することにより、 溶剤 (A ) を揮発させる揮発工程を行 う。 揮発工程で溶剤を揮発させて得られた接着剤層が、 揮発分を多量に 含んでいる場合、 接着剤層のベたつきの原因、 半導体素子搭載工程での ボイ ドの原因となり うるので、 揮発工程後の接着剤層の揮発分が 1重量 %以下であることが好ましい。 揮発工程の温度は、 溶剤が蒸発し、 かつ 硬化促進剤の状態変化温度未満の範囲であれば良いが、 生産性などの観 点から、 1 2 0分以内に完了させる為に 8 0で以上が好ましい。 また、 封止前の支持基板を高温に晒すことで、 反りが発生するのを防ぐ為に、 1 5 0 °C以下が好ましく、 1 2 0 °C以下がより好ましい。
揮発工程後の接着剤層の揮発分とは、 5 0 μ m厚みのステンシルマス ク、 長さ 2 7 c mのウレタンスキージを用い、 スキージ荷重 2 k g、 ス キージ速度 2 O m mZ sで支持基板上に印刷し、 揮発工程、 即ち 1 0 0 °C ± 5 °Cの乾燥機中で 8 0 ± 3分間加熱処理した後、 取り出した支持基 板が冷却される前にスパチュラにてサンプリングした接着剤層 5〜 3 0 m gを、 熱天秤法 (T G A) で室温から 3◦ 0 °Cまで 1 0 °C/分で昇温 して測定した重量減少曲線における 2 0 0 °Cでの重量減少率である。 よ り好ましい重量減少率は 0 . 5重量%以下であり、 特に好ましいのは 0 . 1重量%以下である。
また接着剤層は室温でタック (ベたつき) がないことが好ましい。 ベ たつきがある場合には支持基板同士を重ねて置いた時に互いにくつ付き 合い、 半導体素子搭載装置の支持基板ピックァップ工程において不具合 が発生する恐れがある。 このため接着剤用液状樹脂組成物を、 50 μπι 厚みのステンシノレマスク、 長さ 2 7 c mのウレタンスキージを用い、 ス キージ荷重 2 k g、 スキージ速度 20 mm/ sで支持基板上に印刷し、 1 00°C± 5°Cの乾燥機中で 8 0 ± 3分間加熱処理した後の接着剤層は 、 ベたつきの指標となる 25°Cでのタック力が 0. 0 5 N以下であるこ とが好ましい。 タック力はタック力測定機 (RHE S CA社製) を用い プローブ下降速度 ( I mme r s i o n S p e e d) 30 mm/m i n、 テス ト速度 600 mm/m i n、 密着荷重 (P r e l o a d) 0. 2 N、 密着保持時間 (P r e s s T i me) 1. 0秒、 プローブ 5. 1 πιπιΦ (SUS 3 04) で測定した値である。
このようにして得られた接着剤層付き半導体素子搭載用支持基板は、 通常ダイボンダ一に重ねてセッ トし、 ピックアップ (支持基板を上から 一枚ずつ取る工程) され、 ヒーターブロック上へ運ばれ、 加熱状態で半 導体素子が搭載される。 支持基板のピックアップ時には、 ピックアップ する支持基板上に印刷された接着剤層と他の支持基板の接着剤が印刷さ れていない裏面(裏側)との界面で剥がれる必要がある。 接着剤層の 25 °Cでのタック力が 0. 05 Nより大きい場合には重ねられた接着剤層付 き半導体素子搭載用支持基板がくつっき、 支持基板がピックアップでき ない、 支持基板のピックアップ時に支持基板が二枚重なって取れてしま う、 接着剤層の一部が支持基板の裏面に残るなどの問題が生じる恐れが 接着剤層付き半導体素子搭載用支持基板とは、 リードフレーム、 有機 基板などに接着剤用液状樹脂組成物を印刷し、 溶剤を揮発させたもので あり、 半導体素子を積層する場合には、 リードフレーム、 有機基板など に搭載された第 2の半導体素子に接着剤用液状樹脂組成物を印刷し、 揮 発させたものである。 半導体素子搭載温度は 1 50°C以下が好ましく、 より好ましいのは 1 3 0°C以下である。 高温での半導体素子搭載はしば しば反りの原因となる。 また半導体素子搭載工程においては荷重をかけ るが、 荷重はダイボンダ一の種類により支配される。 一部 LOC (L e a d On C h i p ) ボンダ一のように半導体素子あたり 20 Nほど の荷重をかけられる機種もあるが、 通常は 3〜 5 N程度の荷重で行われ る。 半導体素子の薄型化、 機械的強度の低い半導体素子を考慮すると 5 N以下、 より好ましくは 1〜4 Nで搭載できることが好ましい。 搭載時 間 (半導体素子を支持体に加圧している時間) は生産性の観点から 1 0 秒以下が好ましく、 より好ましいのは 3秒以下で、 特に好ましくは 1秒 以下である。
このように半導体素子を低温で搭載するためには、 接着剤用液状樹脂 組成物を、 50 μ m厚みのステンシルマスク、 長さ 2 7 c mのウレタン スキージを用い、 スキージ荷重 2 k g、 スキージ速度 20 mm/ sで支 持基板上に印刷し、 1 00°C± 5°Cの乾燥機中で 8 0 ± 3分間加熱処理 後の接着剤層に半導体素子 (ダミー素子も含まれる) を 1 00°Cで搭載 し、 1 00°Cでせん断強度が 1 N以上であることが好ましい。 これは加 熱処理後の接着剤層の 1 00 でのせん断強度の異なる種々の接着剤層 付き支持基板に半導体素子を搭載する実験を行った結果、 1 00°Cでの せん断強度が 1 N以上であれば搭載後の半導体素子のずれがなかったの に对し、 1 Nに満たない場合にはしばしば半導体素子がずれてしまった からである。
ここでせん断強度の測定は、 6 X 6 mmに個片化された半導体素子を ダイボンダー上でピックアップしボンド加重 1. 0 N、 支持基板加熱温 度 1 0 0°C、 搭載時間 8秒 (支持基板表面の温度が 1 0 0°Cまで昇温す る時間 7秒を含む) の条件で P BGA (P l a s t i c B a l l G r i d A r r a y) 基板 (パッケージサイズ 3 5 X 3 5 mm, コア材 : B T (ビスマレイ ミ ド一 ト リァジン) 樹脂、 ソルダーレジス ト : P S R4000 AUS 308 (太陽インキ製造 (株) 製) 、 厚み 56m m) に搭載したサンプルの 1 00°Cでのせん断強度である。 せん断強度 の測定はダイシェアテスター (D a g e社製、 シリーズ 4000) にて 行った値である。
半導体素子を搭載後に接着剤層の硬化を行い、 金線で電気的接続を行 う。 接着剤層の硬化は、 硬化促進剤の状態変化温度以上の温度で行う。 この温度は、 支持基板の反りや接着剤層の分解温度を考慮して、 好まし くは 200で以下、 更に好ましくは 1 80°C以下、 特に好ましいのは 1 60°C以下である。
この様にして電気的接続を行った後は樹脂封止をし、 支持基板として リ一ドフレームを使用する場合には必要に応じてリ一ド加工、 外装めつ きなどを施し半導体装置を得る。 また支持基板として有機基板を用いる 場合には必要に応じて半田ボールァタツチなどを行い半導体装置を得る
(実施例)
[接着剤用液状樹脂組成物]
•接着剤用液状樹脂組成物 A
ジエチレングリコールモノブチルエーテルァセタート (沸点 24 7°C)
22. 5重量部 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂 (軟化点 70°C、 エポキシ 当量 2 1 0) 33. 4重量部 フエノールノボラック樹脂 (軟化点 1 10°C、 水酸基当量 1 04)
1 6. 6重量部 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 80°C、 2時間攪拌する ことで褐色透明のワニスを得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原 料を添加し、 室温で三本ロールにより混練し接着剤用液状樹脂組成物 A を得た。
3—グリシドキシプロビルトリメ トキシシラン 0. 2重量部 下記式 (8) の硬化促進剤(状態変化温度 1 40°C、硬化反応開始温度 1 6 0°C) 0. 2重量部 ァエロジル 2 0 O V (DEGUS SA社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 mの有機フィラー (C一 & 00、 根上工業 (株) 製)
2 3. 0重量部
Figure imgf000027_0001
得られた接着剤用液状樹脂組成物 Aの粘度は 4 5 P a · sであった。 なお粘度の測定は E型粘度計 (東機産業 (株) 製、 3度コーン) を用い て 2 5°C、 2. 5 r pmでの値である (以下に示す粘度も同様に測定し た) 。
•接着剤用液状樹脂組成物 B
ジエチレングリコールモノブチルエーテルァセタート (沸点 24 7°C)
2 2. 5重量部 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂 (軟化点 7 0° ( 、 エポキシ 当量 2 1 0) 3 3. 4重量部 フユノールノボラック樹脂 (軟化点 1 1 0°C、 水酸基当量 1 04)
1 6. 6重量部 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 8 0°C、 2時間攪拌する ことで褐色透明のワニスを得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原 料を添加し、 室温で三本ロールにより混練し接着剤用液状樹脂組成物 B を得た。
3—グリシドキシプロビルトリメ トキシシラン 0. 2重量部 下記式 (9) の硬化促進剤 (状態変化温度 1 20°C、 硬化反応開始温度 1 40°C) 0. 2重量部 ァエロジル 20 OV (DEGUS SA社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 μ πの有機フィラー (C一 8 00、 根上工業 (株) 製)
2 3. 0重量部
Figure imgf000028_0001
得られた接着剤用液状樹脂組成物 Βの粘度は 4 5 P a · sであった。 •接着剤用液状樹脂組成物 C
γ—プチ口ラタ トン (沸点 20 6°C) 2 2. 5重量部 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂 (軟化点 70°C、 エポキシ 当量 2 1 0) 3 3. 4重量部 フエノールノポラック樹脂 (軟化点 1 1 0°C、 水酸基当量 1 04) 1 6. 6重量咅 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 80°C、 2時間攪拌する ことで褐色透明のワニスを得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原 料を添加し、 室温で三本ロールにより混練し接着剤用液状樹脂組成物 C を得た。
3—グリシドキシプロビルトリメ トキシシラン 0. 2重量部 前記式 (8) の硬化促進剤 (状態変化温度 140°C、 硬化反応開始温度 1 60°C) 0. 2重量部 ァエロジル 20 OV (DEGUS SA社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 μπιの有機フィラー (C一 800、 根上工業 (株) 製)
23. 0重量部 得られた接着剤用液状榭脂組成物 Cの粘度は 40 P a · sであった。
•接着剤用液状樹脂組成物 D
ジエチレングリコールモノェチルエーテルァセタート (沸点 21 7°C)
22. 5重量部 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂 (軟化点 70°C、 エポキシ 当量 21 0) 33. 4重量部 フエノールノボラック樹脂 (軟化点 1 1 0°C、 水酸基当量 104)
1 6. 6重量部 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 80°C、 2時間攪拌する ことで褐色透明のワニスを得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原 料を添加し、 室温で三本ロールにより混練し接着剤用液状樹脂組成物 D を得た。
3—グリシドキシプロビルトリメ トキシシラン 0. 2重量部 前記式 (8) の硬化促進剤 (状態変化温度 140°C、 硬化反応開始温度 1 6 0°C) 0. 2重量部 ァエロジル 200 V (DEGUS SA社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 mの有機フィラー (C— 8 00、 根上工業 (株) 製)
2 3. 0重量部 得られた接着剤用液状榭脂組成物 Dの粘度は 4 5 P a · sであった。 •接着剤用液状樹脂組成物 E
ジエチレングリ コールモノブチルエーテルァセタート (沸点 24 7V)
2 2. 5重量部 オルソク レゾールノボラック型エポキシ樹脂 (軟化点 70°C、 エポキシ 当量 2 1 0) 3 3. 4重量部 フヱノールノポラック樹脂 (軟化点 1 1 0°C、 水酸基当量 1 04)
1 6. 6重量部 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 8 0°C、 2時間攪拌する ことで褐色透明のワニスを得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原 料を添加し、 室温で三本ロールにより混練し接着剤用液状樹脂組成物 E を得た。
3—グリシドキシプロビルト リメ トキシシラン 0. 2重量部 下記式 ( 1 0) の硬化促進剤 (状態変化温度 1 4 0°C、 硬化反応開始温 度 1 60°C、 n = 0. 5 ) 0. 2重量部 ァエロジル 20 O V (DEGUS SA社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 μ πιの有機フィラー (C一 8 00、 根上工業 (株) 製)
2 3. 0重量部 得られた接着剤用液状樹脂組成物 Εの粘度は 4 7 P a · sであった。
Figure imgf000031_0001
(式 (10) 中、 n = 0. 5である。 )
•接着剤用液状樹脂組成物 F
シクロへキサノン (沸点 1 56°C) 22. 5重量部 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂 (軟化点 70Ό、 エポキシ 当量 21 0) 33. 4重量部 フエノールノボラック樹脂 (軟化点 1 1 0°C、 水酸基当量 104)
1 6. 6重量部 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 80°C、 2時間攪拌する ことで褐色透明の液体を得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原料 を添加し、 室温で三本口ールにより混練し接着剤用液状樹脂組成物 Fを 得た。
3—グリシドキシプロビルトリメ トキシシラン 0. 2重量部 前記式 (8) の硬化促進剤(状態変化温度 140°C、 硬化反応開始温度 1 60 °C) 0. 2重量部 ァエロジル 20 OV (DEGUS SA社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 /imの有機フィラー (C— 800、 根上工業 (株) 製)
23. 0重量部 得られた接着剤用液状樹脂組成物 Fの粘度は 1 O P a · sであった。 ,接着剤用液状樹脂組成物 G
シクロへキサノン (沸点 1 5 6°C) 22. 5重量部 オルソクレゾールノボラック型ェポキシ樹脂 (軟化点 7 0 °C、 エポキシ 当量 2 1 0 ) 3 3. 4重量部 フエ.ノールノボラック樹脂 (軟化点 1 1 0 °C、 水酸基当量 1 0 4 )
1 6. 6重量部 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 8 0 °C、 2時間攪拌する ことで褐色透明のワニスを得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原 料を添加し、 室温で三本ロールにより混練し接着剤用液状樹脂組成物 G を得た。 ·
3—グリシドキシプロビルトリメ トキシシラン 0. 2重量部 2 , 4—ジァミノー 6 — [2, 一メチルイミダゾリルー ( 1,) ] —ェチ ルー s—トリアジン (状態変化温度 8 0°C以下、硬化反応開始温度 1 0 0 °C) 0. 2重量部 ァエロジル 2 0 O V (D E GU S S A社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 μ mの有機フィラー (C— 8 0 0、 根上工業 (株) 製)
2 3. 0重量部 得られた接着剤用液状樹脂組成物 Gの粘度は 1 1 P a · sであった。 •接着剤用液状樹脂組成物 H
ジエチレングリコールモノブチルエーテルァセタート (沸点 2 4 7°C)
2 2. 5重量部 オルソクレゾールノボラック型ェポキシ樹脂 (軟化点 7 0 ° (:、 エポキシ 当量 2 1 0 ) 3 3. 4重量部 フエノールノボラック樹脂 (軟化点 1 1 0°C、 水酸基当量 1 0 4 )
1 6. 6重量部 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 8 0°C、 2時間攪拌する ことで褐色透明のワニスを得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原 料を添加し、 室温で三本ロールにより混練し接着剤用液状樹脂組成物 H を得た。
3—グリ シドキシプロビルト リメ トキシシラン 0. 2重量部
2, 4—ジァミノ一 6 _ [2, ーメチルイ ミダゾリルー ( 1,) ]一ェチル -S-トリアジン(状態変化温度 80°C以下、硬化反応開始温度 1 00°C ) 0. 2重量部 ァエロジル 2 0 O V (DEGUS SA社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 μ πιの有機フィラー (C— 800、 根上工業 (株) 製)
2 3. 0重量部 得られた接着剤用液状樹脂組成物 Ηの粘度は 4 5 P a · sであった。 ·接着剤用液状榭脂組成物 I
ジエチレンダリコールモノブチルエーテルァセタート (沸点 24 7°C)
2 2. 5重量部 オルソク レゾールノボラック型エポキシ樹脂 (軟化点 70°C、 エポキシ 当量 2 1 0) 3 3. 4重量部 フエノールノポラック樹脂 (軟化点 1 1 0°C、 水酸基当量 1 04)
1 6. 6重量部 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 8 0°C、 2時間攪拌する ことで褐色透明のワニスを得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原 料を添加し、 室温で三本ロールにより混練し接着剤用液状榭脂組成物 I を得た。
3—グリシドキシプロビルト リメ トキシシラン 0. 2重量部 ト リ フヱニルフォスフィン (状態変化温度 8 0°C以下、 硬化反応開始温 度 1 20 °C) 0. 2重量部 ァエロジル 20 O V (DEGUS SA社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 /z mの有機フィラー (C— 8 00、 根上工業 (株) 製)
2 3. 0重量部 得られた接着剤用液状樹脂組成物 Iの粘度は 4 5 P a · sであった。 •接着剤用液状樹脂組成物 J
γ—プチ口ラタ トン (沸点 20 6°C) 2 2. 5重量部 オルソク レゾールノボラック型エポキシ樹脂 (軟化点 70°C、 エポキシ 当量 2 1 0) 3 3. 4重量部 フエノールノボラック樹脂 (軟化点 1 1 0°C、 水酸基当量 1 04)
1 6. 6重量部 上記の原料をセパラブルフラスコに配合し、 8 0 、 2時間攪拌する ことで褐色透明のワニスを得た。 これを室温まで冷却した後に以下の原 料を添加し、 室温で三本ロールにより混練し接着剤用液状樹脂組成物 J を得た。
3—グリシドキシプロビルト リメ トキシシラン 0. 2重量部
2, 4—ジァミノ _ 6— [ 2 '―メチルイ ミダゾリル一 (1,) ]_ェチル - S-トリァジン(状態変化温度 8 0°C以下、硬化反応開始温度 1 00°C ) 0. 2重量部 ァエロジル 20 O V (DEGUS SA社製) 4. 0重量部 平均粒径 6 μπιの有機フィラー (C— 8 00、 根上工業 (株) 製)
2 3. 0重量部 得られた接着剤用液状樹脂組成物 Jの粘度は 4 0 P a · sであった。 上記の接着剤用液状樹脂組成物 A〜 Jを、 BOC (B o a r d On C h i p) 型半導体装置用の基板、 即ち B T (ビスマレイミ ドー トリ ァジン) 樹脂基板 (レジス ト : P SR 400 0AUS 3 0 8 (太陽ィン キ製造 (株) 製) 、 厚み 0. 5 6 mm) に印刷した。 用いたステンシル マスクの厚みは 50 / m、 印刷厚みは、 溶剤を揮発させた後の厚みが 3 5 μ ± 5になるようにスキージ移動速度とスキージ荷重を調整した。 こ れを 1 00°C、 80分加熱処理し、 接着剤用液状樹脂組成物から溶剤を 揮発させることで接着剤層付き半導体支持基板を得た。 印刷は、 印刷装 置 (トーレエンジニアリ ング製、 VE 500) にメタルスキージ (ステ ンレスタイプ, 長さ 27 cm) を用い、 荷重約 20N、 スキージ移動速 度 25 mm/ sで行った。
また、 上記の接着剤用液状樹脂組成物 A〜 Jを用いて、 スライ ドガラ ス上に接着剤用液状樹脂組成物を 50 μ mの厚さとなるように印刷し、 1 00°C80分加熱処理を行い、 接着剤用液状樹脂組成物から溶剤を揮 発させることで接着剤層付きスライ ドガラスを得た。
[硬化促進剤の状態変化温度およぴ評価]
上記接着剤用液状樹脂組成物 A〜 Jの作製時のワニスを使用し、 この ワニス 95重量%に対し、 5重量%の硬化促進剤を混ぜ、 熱盤上で加熱 し、 目視で観察できる大きさで存在していた硬化促進剤が、 目視で観察 できない大きさになる温度を状態変化温度とした。 以下の試験では、 溶 剤の揮発温度を 1 00°Cとして行ったので、 状態変化温度が 100 未 満のものは X、 状態変化温度が 1 00°C以上のものは〇とした (常温〜 揮発温度) 。 また、 以下の試験では、 硬化温度を 1 7 5°Cとして行った ので、 状態変化温度が 1 00°Cより高い温度且つ 1 7 5 °C以下のものを 〇、 状態変化温度が 1 75°Cを超えているものを Xとした (揮発温度以 上) 。
硬化反応開始温度は、接着剤用液状樹脂組成物 A〜 Jを D S C (示差走 査熱量計、セィコーインスツルメンッ社製、 D S C 220)により昇温速 度 7 °C/分で測定し、 反応ピークの裾を結んだ線の始まる温度で測定し た。
測定結果を第 1表に示す。 配合量は、 重量部である。
[実施例 1] 上記接着剤用液状樹脂組成物 Aを用いて作製した接着剤層付き半導体 支持基板と接着剤層付きスライ ドガラスを用いて以下の試験を行った。
[揮発分]
揮発分は、 揮発工程後の接着剤層の揮発分として測定した。 50 / m 厚みのステンシノレマスク、 長さ 2 7 c mのウレタンスキージを用い、 ス キージ荷重 2 k g、 スキージ速度 20 mm/ sで支持基板上に印刷し、 揮発工程、 即ち 1 0 0°C± 5°Cの乾燥機中で 8 0 ± 3分間加熱処理した 後、 取り出した支持基板が冷却される前にスパチュラにてサンプリング した接着剤層 5〜 3 0 m gを、 熱天枰法 (TGA) で室温から 3 00°C まで 1 0°CZ分で昇温して測定した重量減少曲線における 2 00°Cでの 重量減少率とした。
[半導体素子搭載性、 タック性試験]
接着剤層付きスライ ドガラスの下からヒータで加熱し、 ダイボンダ一 にて 6 X 6 mm角の半導体素子を、 ボンド加重 2. 0 N、 加熱温度 1 0 0°C20秒 (スライ ドガラス表面の温度が 1 00°Cまで昇温する時間 1 5秒を含む) の条件で搭載できるか確認した (半導体素子搭載性) 。 この時 6 X 6 mm角半導体素子が、 接着剤層と接触する面積が 9 0% 以上であれば OKとした。 半導体素子を 8個搭載し、 1つでも 9 0%未 満の半導体素子があれば NGとした。 なお、 接触面積の求め方は、 スラ イ ドガラスの裏面から、 半導体素子の接触面を写真撮影し、 接触部の面 積から計算した。 半導体素子搭載性試験で NGとならないものは、 室温 でのタック性試験を行った。
上記半導体素子を搭載した試験片を用い、 タック力測定機 (RHE S CA社製) にてプローブ下降速度 (没入速度) 3 0mmZm i n、 テス ト速度 6 0 OmmZm i n、 密着荷重 (先行荷重) 0. 2 N、 密着保持 時間 (押し付け時間) 1. 0秒、 プローブ 5. 1 mm φ (S US 3 04 ) で行った。
[連続印刷性]
約 20 gの接着剤用液状樹脂組成物を印刷に用いるステンシルマスク 上に置き、 2回連続で印刷後、 そのままの状態で 1時間休止するサイク ルを 1サイクルとして、 1 0サイクル行い、 連続印刷性を評価した。 こ のサイクル中に、 接着剤用液状樹脂組成物が乾燥し、 印刷物が掠れたら NGとし、 また、 ステンシルマスク上で乾燥し、 掠れはしないが、 溶剤 揮発後の厚みが 3 5 /i m土 5 μ mから外れたら NGとした。
[常温放置試験]
上記の接着剤層付きスライ ドガラスを常温に放置した場合、 半導体素 子の搭載が出来る時間を、 接着剤層のライフとした。 半導体素子の搭載 の要否は、 半導体素子搭載性試験と同様に、 接着剤層付きスライ ドガラ スを用い n = 8で行った。
[耐湿半田性試験]
オートダイボンダ一を用いて、 回路面側をポリイミ ド樹脂 (CRC— 8 8 00 住友ベークライ ト (株) 製) で保護した模擬半導体ウェハ ( P h a s e 8 日立 UL S I社製) を、 1 0. 5 X 5 mmに切断して用 意した半導体素子を、 搭載条件 1 00°C、 8秒、 荷重 300 gにて、 ポ リイミ ド樹脂側の面を上記接着剤層付き半導体支持基板 (BOC (B o a r d On C h i p) 型パッケージ) である B T樹脂基板の接着剤 層に向けて搭載し、 金線にて電気接続を行つ 。 これを、 半導体用封止 材 (ΕΜΕ— G 70 0 住友べ一クライ ト (株) 製) にて 1 7 5°C 90 秒成形、 4時間の後硬化を行い、 1 2. 3 X 8. 3 mmサイズの半導体 装置に個片化した。 この半導体装置を用いて、 乾燥 ( 1 25°C20時間 ) 、 吸湿処理 (8 5°C、 相対湿度 8 5 %、 1 6 8時間) 、 リフロー半田 処理 (最高温度 2 5 5〜 2 6 0°C、 2 0秒、 】 £05〇レべル1相当、 連続 3回処理) の耐湿半田性試験を行った。 n = 1 0で試験し、 内部不 良について超音波探傷装置 5 MH zプローブを用いて透過観察した。 内 部剥離や割れがある半導体装置の数を不良として数えた。
結果は第 1表の通りである。
[実施例 2 ]
上記接着剤用液状樹脂組成物 Bを用いて、 接着剤層付き半導体支持基 板と接着剤層付きスライ ドガラスを作製し、 実施例 1 と同様に試験を行 つた。
[実施例 3 ]
上記接着剤用液状樹脂組成物 Cを用いて、 接着剤層付き半導体支持基 板と接着剤層付きスライ ドガラスを作製し、 実施例 1 と同様に試験を行 つた。
[実施例 4 ]
上記接着剤用液状樹脂組成物 Dを用いて、 接着剤層付き半導体支持基 板と接着剤層付きスライ ドガラスを作製し、 実施例 1 と同様に試験を行 つた。
[実施例 5 ]
上記接着剤用液状樹脂組成物 Eを用いて、 接着剤層付き半導体支持基 板と接着剤層付きスライ ドガラスを作製し、 実施例 1 と同様に試験を行 つた。
[比較例 1〜5 ]
上記接着剤用液状樹脂組成物 F〜 Jを用いて、 接着剤層付き半導体支 持基板と接着剤層付きスライ ドガラスを作製し実施例 1 と同様に試験を 行った。
なお比較例 1、 2では連続印刷の途中で溶剤が乾いてしまい、 掠れて しまったため、 連続印刷性 N Gとなった。 比較例 3 5では、 溶剤を揮 発させたところで、 硬化が進みすぎてしまい、 半導体素子搭載が出来な かったため、 半導体素子搭載性 N Gとした。
第 1表
Figure imgf000039_0001
産業上の利用可能性
本発明に用いる接着剤用液状樹脂組成物を使用することにより、 溶剤 揮発後の接着剤層は、室温ではべたつかず、且つ、連続印刷性に優れた、 接着剤層付き半導体支持基板が提供可能となり、 さらには接着剤層付き 半導体支持基板を用いた半導体装置を提供することで、 生産性の向上が' 可能となる。

Claims

請求の範囲
1. 少なく とも溶剤 (A) と、 1分子中に二つ以上のエポキシ基を有す るエポキシ樹脂 (B) と、 1分子中に二つ以上のフヱノール性水酸基を 有するエポキシ樹脂硬化剤 (C) と、 硬化促進剤 (D) とを含有する接 着剤用液状樹脂組成物であって、
該エポキシ樹脂 (B) および該エポキシ樹脂硬化剤 (C) は、 該溶剤 ( A) に溶解しており、
該硬化促進剤 (D) は、 常温から該溶剤 (A) を揮発させる温度までの 温度範囲では、 該エポキシ樹脂 (B) と、 該エポキシ樹脂硬化剤 (C) とを該溶剤 (A) に溶解したワニス (W) 中、 および該ワニス (W) か ら該溶剤 (A) を揮発させて得られる接着剤層中で、 目視で観察できる 大きさで存在しており、 且つ、 該溶剤 (A) を揮発させる温度より高い 温度から硬化温度までの温度範囲で、 目視で観察できない大きさになる か、 または該接着剤層に溶解することを特徴とする接着剤用液状樹脂組 成物。
2. 少なく とも溶剤 (A) と、 1分子中に二つ以上のエポキシ基を有す るエポキシ樹脂 (B) と、 1分子中に二つ以上のフエノール性水酸基を 有するエポキシ樹脂硬化剤 (C) と、 硬化促進剤 (E) とを含有する接 着剤用液状樹脂組成物であって、
該エポキシ樹脂 (B) および該エポキシ樹脂硬化剤 (C) は、 該溶剤 ( A) に溶解しており、
該硬化促進剤 (E) 力 カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤 であることを特徴とする接着剤用液状樹脂組成物。
3. 前記カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤が、 下記一般式 (1 ) で表される硬化促進剤であることを特徴とする請求項 1また請求 項 2に記載の接着剤用液状樹脂組成物
Figure imgf000041_0001
(式中、 R R2および R3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基、 メ ト キシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互いに同 一であっても異なっていてもよい。 nは、 0〜2である。 Aは、 ナフタ レン環または下記一般式 (2) で表される芳香族基を示す。 )
Figure imgf000041_0002
(式中、 R4、 R5、 R6および R7は、 それぞれ、 水素原子、 ハロゲン原 子おょぴ炭素数 1〜6の有機基から選択される 1種を示し、 互いに同一 であっても異なっていてもよい。 Vは、 単結合、 エーテル基、 スルホン 基、 スルフィ ド基、 カルボニル基または炭素数 1〜 1 3の有機基を示す o )
4. 前記カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤が、 下記一般式 (4) で表される硬化促進剤であることを特徴とする請求項 1また請求 項 2に記載の接着剤用液状樹脂組成物。
Figure imgf000042_0001
(式中、 R 1 R 2および R 3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基、 メ ト キシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互いに同 一であっても異なっていてもよい。 Y 1および Y 2は、 酸素原子、 窒素原 子、 硫黄原子のいずれかであり、 互いに同一であっても異なっていても よい。 Xは、 有機基を示し、 同一であっても異なっていてもよい。 Zは 、 置換または無置換の芳香族環式有機基または複素環式有機基を表す。 )
5 . 前記カチオン部と、 ァニオン部を有する硬化促進剤が、 下記一般式 ( 6 ) で表される硬化促進剤であることを特徴とする請求項 1また請求 項 2に記載の接着剤用液状樹脂組成物。
Figure imgf000042_0002
(式中、 R1 R2および R3は、 それぞれ、 水素原子、 メチル基、 メ ト キシ基およびフエノール性水酸基から選択される 1種を示し、 互いに同 一であっても異なっていてもよい。 Υ3、 Υ4、 Υ5および Υ6のうち少なく とも 1つは、 分子外に放出するプロ トンを少なく とも 1個有するプロ ト ン供与体がプロトンを 1個放出してなる基であり、 それらは互いに同一 であっても異なっていてもよい。 )
6. 前記エポキシ樹脂 (Β) 力 常温で固形のエポキシ樹脂であること を特徴とする請求項 1〜 5のいずれか 1項に記載の接着剤用液状樹脂組 成物。
7. 前記エポキシ樹脂硬化剤 (C) 力 常温で固形のエポキシ樹脂硬化 剤であることを特徵とする請求項 1〜6のいずれか 1項に記載の接着剤 用液状樹脂組成物。
8. 前記溶剤 (Α) の沸点が 200°C以上であることを特徴とする請求 項 1〜 7のいずれか 1項に記載の接着剤用液状樹脂組成物。
9. 前記硬化促進剤の硬化反応開始温度が、 1 3 0°C以上であることを 特徴とする請求項 1〜8のいずれか 1項に記載の接着剤用液状樹脂組成 物。
1 0. 請求項 1〜 9いずれか 1項に記載の接着剤用液状樹脂組成物を、 支持基板に印刷する印刷工程と、 接着剤用液状樹脂組成物から、 溶剤を 揮発させて、 接着剤層を形成させる揮発工程と、 半導体素子を搭載する 搭載工程と、 該接着剤層を硬化させる硬化工程と、 を有することを特徴 とする半導体装置の製造方法。
1 1. 請求項 1〜9のいずれか 1項に記載の接着剤用液状榭脂組成物を 用いて作製したことを特徴とする半導体装置。
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