KR20070088647A - 전자 사진용 감광체 - Google Patents

전자 사진용 감광체 Download PDF

Info

Publication number
KR20070088647A
KR20070088647A KR1020077011687A KR20077011687A KR20070088647A KR 20070088647 A KR20070088647 A KR 20070088647A KR 1020077011687 A KR1020077011687 A KR 1020077011687A KR 20077011687 A KR20077011687 A KR 20077011687A KR 20070088647 A KR20070088647 A KR 20070088647A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
group
formula
alkyl group
Prior art date
Application number
KR1020077011687A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101207139B1 (ko
Inventor
가쯔미 아베
아쯔시 다께스에
다께히로 나까지마
마꼬또 고이께
신야 나가이
Original Assignee
호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 filed Critical 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20070088647A publication Critical patent/KR20070088647A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101207139B1 publication Critical patent/KR101207139B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503—Inert supplements
    • G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
    • G03G5/0517—Organic non-macromolecular compounds comprising one or more cyclic groups consisting of carbon-atoms only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503—Inert supplements
    • G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503—Inert supplements
    • G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
    • G03G5/0514—Organic non-macromolecular compounds not comprising cyclic groups
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503—Inert supplements
    • G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
    • G03G5/0521—Organic non-macromolecular compounds comprising one or more heterocyclic groups
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
    • G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
    • G03G5/0614—Amines
    • G03G5/06142—Amines arylamine
    • G03G5/06144—Amines arylamine diamine
    • G03G5/061446—Amines arylamine diamine terphenyl-diamine
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622—Heterocyclic compounds
    • G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
    • G03G5/0627—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
    • G03G5/0633—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing three hetero atoms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664—Dyes
    • G03G5/0675—Azo dyes
    • G03G5/0679—Disazo dyes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664—Dyes
    • G03G5/0675—Azo dyes
    • G03G5/0679—Disazo dyes
    • G03G5/0683—Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups
    • G03G5/0685—Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

본 발명은 대전 전위, 잔류 전위 등의 전자 사진 특성을 손상하지 않고, 나아가 반복 안정성도 우수한 전자 사진용 감광체를 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명은 도전성 지지체 상에 특정한 p-터페닐 화합물의 1종 이상과 첨가제를 함유하는 층을 갖는 전자 사진용 감광체를 제공한다.
전자 사진용 감광체, p-터페닐 화합물, 반복 안정성

Description

전자 사진용 감광체 {Electrophotographic Photosensitive Body}
본 발명은 전자 사진용 감광체에 관한 것이다. 상세하게는 반복 사용에 있어서도 대전 전위 및 잔류 전위의 변화가 작고, 내구성이 우수한 전자 사진용 감광체에 관한 것이다.
종래, 전자 사진용 감광체에는 셀레늄, 산화아연, 황화카드뮴, 실리콘 등의 무기계 광 도전성 물질이 널리 이용되어 왔다. 이들 무기 물질은 많은 장점을 갖고 있음과 동시에, 여러가지 결점도 갖고 있었다. 예를 들면, 셀레늄은 제조 조건이 까다롭고, 열이나 기계적 충격으로 결정화하기 쉽다는 결점이 있으며, 산화아연이나 황화카드뮴은 내습성이나 기계적 강도에 문제가 있고, 증감제로서 첨가한 색소에 의해 대전이나 노광의 열화가 발생하여 내구성이 부족하다는 등의 결점이 있다. 실리콘도 제조 조건이 까다롭고, 자극성이 강한 가스를 사용하기 때문에 비용이 고가이며, 습도에 민감하기 때문에 취급에 주의를 요한다. 또한, 셀레늄이나 황화카드뮴에는 독성 문제도 있다.
이들 무기 감광체가 갖는 결점을 개선한 여러가지 유기 화합물을 이용한 유기 감광체가 널리 사용되고 있다. 유기 감광체에는 전하 발생제와 전하 수송제를 결착 수지 중에 분산시킨 단층형 감광체와, 전하 발생층과 전하 수송층으로 기능 분리한 적층형 감광체가 있다. 기능 분리형이라고 칭해지는 이러한 감광체의 특징은 각각의 기능에 적합한 재료를 넓은 범위에서 선택할 수 있는 것이며, 임의의 성능을 갖는 감광체를 용이하게 제조할 수 있기 때문에 많은 연구가 진행되어 왔다.
그러나, 유기 재료는 무기 재료에는 없는 많은 장점을 갖지만, 전자 사진용 감광체에 요구되는 모든 특성을 충분히 만족하는 것을 얻지 못하고 있는 것이 현실이다. 즉, 반복 사용에 의한 대전 전위의 저하, 잔류 전위의 상승, 감도 변화 등에 의해 화상 품질의 열화를 야기한다. 이 열화의 원인에 대하여 전부 해명되어 있는 것은 아니지만, 몇가지 인자로서 코로나 방전에 의한 대전시에 발생하는 오존, NOX 등의 활성 가스, 노광, 제전광에 포함되는 자외선 및 열에 의한 전하 수송제 등의 분해 등을 고려할 수 있다. 이들 열화 억제를 위해, 히드라존 화합물과 산화 방지제를 조합하는 방법(예를 들면, 특허 문헌 1 참조), 부타디엔 화합물과 산화 방지제를 조합하는 방법(예를 들면, 특허 문헌 2 참조) 등이 알려져 있지만, 초기 감도가 양호한 것은 반복 사용에 의한 열화가 충분히 개선되지 않고, 또한 반복 사용에 의한 열화가 적은 것은 초기 감도, 대전성에 문제가 있다. 이상과 같이 열화 억제를 위한 효과가 아직 충분히 얻어지고 있지 못한 것이 현실이다.
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 (평)1-44946호 공보
특허 문헌 2: 일본 특허 공개 (평)1-118845호 공보
이상의 점으로부터, 본 발명에서는 초기에는 감도가 높고, 잔류 전위가 낮으며, 오존, 광, 열 등에 대하여 안정하고, 반복 사용에 있어서도 피로 열화가 적은 전자 사진용 감광체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 도전성 지지체 상에 하기 화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물로부터 선택되는 p-터페닐 화합물의 1종 이상과, 첨가제를 함유하는 층을 갖는, 대전 전위, 잔류 전위 등의 전자 사진 특성이 안정된 고내구성의 전자 사진용 감광체에 관한 것이다.
Figure 112007037735950-PCT00001
Figure 112007037735950-PCT00002
Figure 112007037735950-PCT00003
Figure 112007037735950-PCT00004
Figure 112007037735950-PCT00005
또한, 본 발명의 바람직한 양태에 있어서는, 상기 첨가제가 하기 화학식 A1로 표시되는 유기 아인산 에스테르계 화합물; 하기 화학식 A2로 표시되는 트리페닐화 인계 화합물; 하기 화학식 A3으로 표시되는 티오에테르계 화합물; 하기 화학식 A4로 표시되는 히드로퀴논계 화합물; 하기 화학식 A5로 표시되는 벤조트리아졸계 화합물; 하기 화학식 A6으로 표시되는 벤조트리아졸-알킬렌 비스페놀계 화합물; 하기 화학식 A7로 표시되는 히드록시벤조페논계 화합물; 하기 화학식 A8 또는 하기 화학식 A9로 표시되는 힌더드 페놀계 화합물; 하기 화학식 A10으로 표시되는 힌더드 아민계 화합물; 하기 화학식 A11로 표시되는 살리실레이트계 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고, 상기 층이 상기 첨가제를 상기 p-터페닐 화합물에 대하여 0.05 내지 30 질량％ 함유한다.
Figure 112007037735950-PCT00006
식 중, R1, R2 및 R3은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내되, 단 R1, R2 및 R3이 모두 동시에 수소 원자가 되는 경우는 없다.
Figure 112007037735950-PCT00007
식 중, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 치환 또는 비치환의 알콕시기 또는 치환 또는 비치환의 아미노기 또는 치환 또는 비치환의 알킬기를 나타낸다.
Figure 112007037735950-PCT00008
식 중, R10 및 R11은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타낸다.
Figure 112007037735950-PCT00009
식 중, R12, R13, R14 및 R15는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 아릴기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 실릴기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기 또는 치환 또는 비치환의 포스피노기를 나타낸다.
Figure 112007037735950-PCT00010
식 중, R16, R17 및 R18은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타낸다.
Figure 112007037735950-PCT00011
식 중, R19는 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 알콕시기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내고, R20은 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 아릴기, 치환 또는 비치환의 알콕시기 또는 치환 또는 비치환의 아랄킬기를 나타내고, R21은 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내며, R22 및 R23은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 아릴기 또는 치환 또는 비치환의 알킬아릴기를 나타낸다.
Figure 112007037735950-PCT00012
식 중, R24는 수소 원자 또는 수산기를 나타내고, R25 및 R26은 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내고, R27은 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 아랄킬기를 나타낸다.
Figure 112007037735950-PCT00013
식 중, R27은 치환 또는 비치환의 알킬기를 나타내고, R28, R29, R30 또는 R31은 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아릴기 또는 치환 또는 비치환의 알콕시기를 나타낸다.
Figure 112007037735950-PCT00014
식 중, R32는 치환 또는 비치환의 알킬기를 나타내고, R33, R34 및 R35는 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 알콕시기를 나타내고, q는 2, 3 또는 4의 정수를 나타내고, E는 q=2일 때에는 산소 원자, 황 원자 또는 지방족의 2가 기를 나타내고, q=3일 때에는 지방족의 3가 기 또는 방향족의 3가 기를 나타내며, q=4일 때에는 지방족의 4가 기를 나타낸다.
Figure 112007037735950-PCT00015
식 중, R36, R37, R38 및 R39는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내고, Z는 질소 함유 복소환을 형성하는 데 필요한 원자단을 나타내며, R36 및 R37의 조합, R38 및 R39의 조합에 있어서 그 중 하나는 Z 중에 편입되어 이중 결합을 형성할 수도 있고, u는 수소 원자, 산소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 아실기를 나타내고, j는 수산기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 벤조일기 또는 그 밖의 유기 잔기를 나타낸다.
Figure 112007037735950-PCT00016
식 중, R40 및 R41은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타낸다.
본 발명의 전자 사진용 감광체는, p-터페닐 화합물을 1종 이상 함유하고, 첨가제를 1종 또는 2종 이상 더 함유한 감광층을 갖는 것이다.
본 발명에 따르면, 전하 수송제로서 특정한 구조를 갖는 p-터페닐 화합물과, 첨가제로서 특정한 구조를 갖는 것을 조합함으로써, 대전 전위 및 잔류 전위의 변화가 작고, 내구성이 우수한 전자 사진용 감광체를 제공할 수 있다.
도 1은 기능 분리형 전자 사진용 감광체의 층 구성을 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 기능 분리형 전자 사진용 감광체의 층 구성을 나타내는 모식 단면도이다.
도 3은 전하 발생층과 도전성 지지체 사이에 언더코팅층을 설치한 기능 분리형 전자 사진용 감광체의 층 구성을 나타내는 모식 단면도이다.
도 4는 전하 수송층과 도전성 지지체 사이에 언더코팅층을 설치하고, 또한 전하 발생층 상에 보호층을 설치한 기능 분리형 전자 사진용 감광체의 층 구성을 나타내는 모식 단면도이다.
도 5는 전하 발생층과 도전성 지지체 사이에 언더코팅층을 설치하고, 또한 전하 수송층 상에 보호층을 설치한 기능 분리형 전자 사진용 감광체의 층 구성을 나타내는 모식 단면도이다.
도 6은 단층형 전자 사진용 감광체의 층 구성을 나타내는 모식 단면도이다.
도 7은 감광층과 도전성 지지체 사이에 언더코팅층을 설치한 단층형 전자 사진용 감광체의 층 구성을 나타내는 모식 단면도이다.
또한, 도면 중에 이용한 부호는 각각 이하의 것을 나타낸다.
1: 도전성 지지체
2: 전하 발생층
3: 전하 수송층
4: 감광층
5: 언더코팅층
6: 전하 수송 물질 함유층
7: 전하 발생 물질
8: 보호층
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
전하 수송제로서는, 화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물의 p-터페닐 화합물을 들 수 있다.
감광층의 형태로서는 여러가지의 것이 존재하며, 본 발명의 전자 사진용 감광체의 감광층은 그 중 어느 하나일 수 있다. 대표예로서 도 1 내지 도 7에 이들의 감광체를 나타내었다.
도 1 및 도 2는 도전성 지지체 (1) 상에 전하 발생 물질을 주성분으로서 함유하는 전하 발생층 (2)와 전하 수송 물질 및 결착 수지를 주성분으로서 함유하는 전하 수송층 (3)의 적층체를 포함하는 감광층 (4)를 설치한 것이다. 이 때, 도 3,도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 감광층 (4)는 도전성 지지체 상에 설치한 전하를 조정하기 위한 언더코팅층 (5)를 통해 설치할 수도 있고, 최외층으로서 보호층 (8)을 설치할 수도 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 도 6 및 도 7에 나타낸 바와 같이 전하 발생 물질 (7)을 전하 수송 물질과 결착 수지를 주성분으로 하는 층 (6) 중에 용해 또는 분산시켜 이루어지는 감광층 (4)를 도전성 지지체 (1) 상에 직접, 또는 언더코팅층 (5)를 통해 설치할 수도 있다.
본 발명의 감광체는 다음과 같이 하여 통상법에 따라 제조할 수 있다. 예를 들면, 화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물로부터 선택되는 p-터페닐 화합물의 1종 이상과, 하기 화학식 A1 내지 A11로부터 선택되는 첨가제의 1종 이상을 결착 수지와 함께 적당한 용제 중에 용해하고, 필요에 따라 전하 발생 물질, 전자 흡인성 화합물 또는 가소제, 안료 등을 첨가하여 도포액을 제조한다. 이 도포액을 도전성 지지체 상에 도포, 건조하여 몇㎛ 내지 수십㎛의 감광층을 형성시킴으로써 감광체를 제조할 수 있다. 전하 발생층과 전하 수송층의 2층으로 이루어지는 감광층의 경우에는, 화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물로부터 선택되는 p-터페닐 화합물의 1종 이상과, 화학식 A1 내지 A11로부터 선택되는 첨가제의 1종 이상을 결착 수지와 함께 적당한 용제 중에 용해하여 가소제, 안료 등을 첨가하여 제조된 도포액을, 전하 발생층 상에 도포하거나, 또는 도포액을 도포하여 얻어지는 전하 수송층 상에 전하 발생층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. 또한, 이와 같이 하여 제조되는 감광체에는 필요에 따라 언더코팅층, 보호층을 설치할 수도 있다.
화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물의 p-터페닐 화합물은, 예를 들면 4,4''-디요오도-p-터페닐 또는 4,4''-디브로모-p-터페닐과 해당하는 아미노 화합물을 울만 반응 등의 축합 반응에 의해 합성할 수 있다. 해당하는 아미노 화합물은, 예를 들면 아미노인단과 p-요오도톨루엔 또는 p-브로모톨루엔의 울만 반응 등의 축합 반응, 해당하는 아닐린 유도체와 해당하는 요오도벤젠 유도체 또는 해당하는 브로모벤젠 유도체의 울만 반응 등의 축합 반응에 의해 합성할 수 있다. 아미노인단은, 예를 들면 인단의 할로겐화(예를 들면, 비특허 문헌 1 참조)를 경유한 후의 아미노화(예를 들면, 비특허 문헌 2 참조) 등에 의해 합성할 수 있다.
비특허 문헌 1: 실험 화학 강좌(제4판, 일본 화학회편) 19, 363 내지 482쪽
비특허 문헌 2: 실험 화학 강좌(제4판, 일본 화학회편) 20, 279 내지 318쪽
본 발명에서 사용되는 각 구성 재료는 하기와 같다. 우선 화학식 A1 내지 A11로 표시되는 첨가제의 구체예를 이하에 나타내지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
Figure 112007037735950-PCT00017
Figure 112007037735950-PCT00018
Figure 112007037735950-PCT00019
Figure 112007037735950-PCT00020
Figure 112007037735950-PCT00021
Figure 112007037735950-PCT00022
Figure 112007037735950-PCT00023
Figure 112007037735950-PCT00024
Figure 112007037735950-PCT00025
Figure 112007037735950-PCT00026
Figure 112007037735950-PCT00027
Figure 112007037735950-PCT00028
Figure 112007037735950-PCT00029
Figure 112007037735950-PCT00030
Figure 112007037735950-PCT00031
Figure 112007037735950-PCT00032
Figure 112007037735950-PCT00033
Figure 112007037735950-PCT00034
본 발명의 감광체에 있어서, 첨가제의 비율은 p-터페닐 화합물에 대하여 0.05 내지 30 질량％이다. 바람직한 사용량으로서 첨가제의 비율은 p-터페닐 화합물에 대하여 0.1 내지 20 질량％의 경우이다.
본 발명의 감광층이 형성되는 도전성 지지체로서, 공지된 전자 사진용 감광체에 사용되고 있는 재료를 사용할 수 있다. 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인레스, 구리, 아연, 바나듐, 몰리브덴, 크롬, 티탄, 니켈, 인듐, 금이나 백금 등의 금속 드럼, 시트 또는 이들 금속의 적층물, 증착물, 또는 금속 분말, 카본 블랙, 요오드화 구리, 고분자 전해질 등의 도전성 물질을 적당한 결합제와 함께 도포하여 도전 처리한 플라스틱 필름, 플라스틱 드럼, 종이, 종이관, 또는 도전성 물질을 함유시킴으로써 도전성을 부여한 플라스틱 필름이나 플라스틱 드럼 등을 사용할 수 있다.
또한, 필요에 따라 도전성 지지체와 감광층 사이에 수지 또는 수지와 안료를 포함하는 언더코팅층을 설치할 수도 있다. 언더코팅층에 분산하는 안료는, 일반적으로 사용되는 분체일 수 있지만, 근적외에 흡수가 거의 없는 백색, 또는 이에 가까운 것이 고감도화를 고려했을 경우 바람직하다. 이러한 안료로서는, 예를 들면 산화티탄, 산화아연, 산화주석, 산화인듐, 산화지르코늄, 알루미나, 실리카로 대표되는 금속 산화물 등을 들 수 있으며, 흡습성이 없고, 환경 변동이 적은 것이 바람직하다.
또한, 언더코팅층에 사용하는 수지로서는, 그 위에 감광층을 용제로 도포하는 것도 함께 고려한다면, 일반적인 유기 용제에 대하여 내용제성이 높은 수지가 바람직하다. 이러한 수지로서는 폴리비닐알코올, 카제인, 폴리아크릴산나트륨 등의 수용성 수지, 공중합 나일론, 메톡시메틸화 나일론 등의 알코올 가용성 수지, 폴리우레탄, 멜라민 수지, 에폭시 수지 등의 삼차원 메쉬 구조를 형성하는 경화형 수지 등을 들 수 있다.
본 발명에서의 전하 발생층은 전하 발생제, 결착 수지, 및 필요에 따라 첨가되는 첨가제 등을 포함하며, 그 제조 방법으로서는, 예를 들면 도공법, 증착법, CVD법 등을 들 수 있다.
전하 발생제로서는, 각종 결정형의 티타닐 프탈로시아닌, Cu-Kα의 X선 회절 스펙트럼에서의 회절각 2θ±0.2°가 9.3, 10.6, 13.2, 15.1, 20.8, 23.3, 26.3에서 강한 피크를 갖는 티타닐 프탈로시아닌, 회절각 2θ±0.2°가 7.5, 10.3, 12.6, 22.5, 24.3, 25.4, 28.6에서 강한 피크를 갖는 티타닐 프탈로시아닌, 회절각 2θ±0.2°가 9.6, 24.1, 27.2에서 강한 피크를 갖는 티타닐 프탈로시아닌, τ형, X형 등의 각종 결정형의 무금속 프탈로시아닌, 구리 프탈로시아닌, 알루미늄 프탈로시아닌, 아연 프탈로시아닌, α형, β형, Y형 옥소티타닐 프탈로시아닌, 코발트 프탈로시아닌, 히드록시 갈륨 프탈로시아닌, 클로로 알루미늄 프탈로시아닌, 클로로 인듐 프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌계 안료; 트리페닐아민 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 3 참조), 카르바졸 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 4 참조), 플루오렌 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 5 참조), 옥사디아졸 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 6 참조), 비스스틸벤 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 7 참조), 디벤조티오펜 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 8 참조), 디스티릴벤젠 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 9 참조), 디스티릴카르바졸 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 10 참조), 디스티릴옥사디아졸 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 11 참조), 스틸벤 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 12 참조), 카르바졸 골격을 갖는 트리스 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 13 내지 14 참조), 안트라퀴논 골격을 갖는 아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 15 참조), 디페닐폴리엔 골격을 갖는 비스아조 안료(예를 들면, 특허 문헌 16 내지 20 참조) 등의 아조계 안료; 페릴렌산 무수물, 페릴렌산 이미드 등의 페릴렌 안료; 안트라퀴논 유도체, 안트안트론 유도체, 디벤즈피렌퀴논 유도체, 피란트론 유도체, 비오란트론 유도체 및 이소비오란트론 유도체 등의 다환 퀴논 안료; 디페닐메탄 및 트리페닐메탄계 안료; 시아닌 및 아조메틴계 안료; 인디고이드계 안료, 비스벤즈이미다졸계 안료, 아즐레늄염, 피릴륨염, 티아피릴륨염, 벤조피릴륨염, 스쿠아릴륨염 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 필요에 따라 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
특허 문헌 3: 일본 특허 공개 (소)53-132347호 공보
특허 문헌 4: 일본 특허 공개 (소)53-95033호 공보
특허 문헌 5: 일본 특허 공개 (소)54-22834호 공보
특허 문헌 6: 일본 특허 공개 (소)54-12742호 공보
특허 문헌 7: 일본 특허 공개 (소)54-17733호 공보
특허 문헌 8: 일본 특허 공개 (소)54-21728호 공보
특허 문헌 9: 일본 특허 공개 (소)53-133445호 공보
특허 문헌 10: 일본 특허 공개 (소)54-17734호 공보
특허 문헌 11: 일본 특허 공개 (소)54-2129호 공보
특허 문헌 12: 일본 특허 공개 (소)53-138229호 공보
특허 문헌 13: 일본 특허 공개 (소)57-195767호 공보
특허 문헌 14: 일본 특허 공개 (소)57-195768호 공보
특허 문헌 15: 일본 특허 공개 (소)57-202545호 공보
특허 문헌 16: 일본 특허 공개 (소)59-129857호 공보
특허 문헌 17: 일본 특허 공개 (소)62-267363호 공보
특허 문헌 18: 일본 특허 공개 (소)64-79753호 공보
특허 문헌 19: 일본 특허 공고 (평)3-34503호 공보
특허 문헌 20: 일본 특허 공고 (평)4-52459호 공보
전하 발생층의 결착 수지로서 사용되는 것은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 폴리카르보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세탈, 폴리비닐포르말, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아크릴아미드, 스티렌-아크릴 공중합체, 스티렌-무수 말레산 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 실리콘 수지, 페녹시 수지 등이 있다. 이들은 단독으로, 또는 필요에 따라 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
필요에 따라 사용되는 첨가제로서는, 예를 들면 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광 안정제, 분산제, 점착제, 증감제 등을 들 수 있다. 이상과 같은 재료를 사용하여 제조된 전하 발생층의 막 두께는 0.1 내지 2.0 ㎛이고, 바람직하게는 0.1 내지 1.0 ㎛이다. 본 발명에서의 전하 수송층은, 전하 수송제와 결착 수지 및 필요에 따라 전자 수용 물질과 첨가제를 용제에 용해하고, 그것을 전하 발생층 상 또는 도전성 지지체 상, 언더코팅층 상에 도공한 후, 건조시켜 형성할 수 있다.
전하 수송층의 결착 수지로서 사용되는 것은 스티렌, 아세트산 비닐, 염화비닐, 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 부타디엔 등의 비닐 화합물의 중합체 및 공중합체, 폴리비닐아세탈, 폴리카르보네이트(예를 들면, 특허 문헌 21 내지 24 참조), 폴리에스테르, 폴리페닐렌옥시드, 폴리우레탄 셀룰로오스 에스테르, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등, 전하 수송제 및 첨가제와 상용성이 있는 각종 수지를 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 필요에 따라 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 결착 수지의 사용량은, 통상 전하 수송제에 대하여 0.4 내지 10 질량배, 바람직하게는 0.5 내지 5 질량배의 범위이다. 특히 유효한 수지의 구체예로서는 「유피론 Z」(미쯔비시 엔지니어링 플라스틱사 제조), 「비스페놀 A-비페놀 코폴리카르보네이트」(이데미쯔 고산사 제조) 등의 폴리카르보네이트계 수지를 들 수 있다.
특허 문헌 21: 일본 특허 공개 (소)60-172044호 공보
특허 문헌 22: 일본 특허 공개 (소)62-247374호 공보
특허 문헌 23: 일본 특허 공개 (소)63-148263호 공보
특허 문헌 24: 일본 특허 공개 (평)2-254459호 공보
전하 수송층의 용제로서 사용되는 것은 전하 수송제, 결착 수지, 전자 수용 물질 및 첨가제를 용해시키는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 아세토니트릴, N,N-디메틸포름아미드, 아세트산 에틸 등의 극성 유기 용제, 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠 등의 방향족 유기 용제, 클로로포름, 트리클로로에틸렌, 디클로로메탄, 1,2-디클로로에탄, 사염화탄소 등의 염소계 탄화수소 용제 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 필요에 따라 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 감광층에는 감도의 향상이나 잔류 전위의 감소, 또는 반복 사용시의 피로 감소를 목적으로서 전자 수용 물질을 함유시킬 수 있다. 이러한 전자 수용성 물질로서는, 예를 들면 무수 숙신산, 무수 말레산, 디브로모 무수 숙신산, 무수 프탈산, 테트라클로로 무수 프탈산, 테트라브로모 무수 프탈산, 3-니트로 무수 프탈산, 4-니트로 무수 프탈산, 무수 피로멜리트산, 무수 멜리트산, 테트라시아노에틸렌, 테트라시아노퀴노디메탄, o-디니트로벤젠, m-디니트로벤젠, 1,3,5-트리니트로벤젠, p-니트로벤조니트릴, 피크릴 클로라이드, 퀴논클로로이미드, 클로라닐, 브로마닐, 디클로로디시아노-p-벤조퀴논, 안트라퀴논, 디니트로안트라퀴논, 2,3-디클로로-1,4-나프토퀴논, 1-니트로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 테레프타랄 말레노니트릴, 9-안트릴메틸리덴 말레노니트릴, 9-플루오레닐리덴 말로노니트릴, 폴리니트로-9-플루오레닐리덴 말로노니트릴, 4-니트로벤즈알데히드, 9-벤조일안트라센, 인단디온, 3,5-디니트로벤조페논, 4-클로로나프탈산 무수물, 3-벤잘프탈라이드, 3-(α-시아노-p-니트로벤잘)-4,5,6,7-테트라클로로프탈라이드, 피크르산, o-니트로벤조산, p-니트로벤조산, 3,5-디니트로벤조산, 펜타플루오로벤조산, 5-니트로살리실산, 3,5-디니트로살리실산, 프탈산, 멜리트산, 그 밖의 전자 친화력이 큰 화합물을 들 수 있다.
감광체의 표면에는, 필요에 따라 표면 보호층을 설치할 수도 있다. 사용되는 재료로서는 폴리에스테르, 폴리아미드 등의 수지, 또한 이들 수지에 전기 저항을 조절할 수 있는 금속, 금속 산화물 등을 혼합하여 사용할 수도 있다. 이 표면 보호층은 전하 발생제의 광 흡수 파장 영역에서 될 수 있는 한 투명한 것이 바람직하다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것이 아니다. 실시예 중의 부는 질량부를 나타내고, ％는 중량％를 나타낸다.
<실시예 1>
[합성 실시예 1(화합물 (1)의 합성)]
페닐-p-톨릴아민 11.5 g(0.063 mol), 4,4''-디요오도-p-터페닐 14.5 g(0.030 mol), 무수 탄산칼륨 5.0 g(0.036 mol), 구리분 0.38 g(0.006 mol), n-도데칸 15 ㎖를 혼합하고, 질소 가스를 도입하면서 200 내지 210 ℃까지 가열하여 30 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 톨루엔 400 ㎖로 반응 생성물을 추출하고, 불용분을 여과 분리 제거한 후, 여과액을 농축 건고(乾固)시켰다. 얻어진 고형물을 칼럼 크로마토그래피(담체; 실리카 겔, 용리액; 톨루엔:헥산=1:4)에 의해 정제하여 N,N'-디페닐-N,N'-디-p-톨릴-4,4''-디아미노-p-터페닐(화합물 (1)) 13.6 g(수율; 76.4 ％, 융점; 167.2 내지 168.2 ℃)을 얻었다.
원소 분석, IR 측정에 의해 화합물 (1)이라고 동정하였다. 원소 분석치는 이하와 같다. 탄소: 89.23 ％(89.15 ％), 수소: 6.14 ％(6.12 ％), 질소: 4.60 ％(4.73 ％)(계산치를 괄호 안에 나타냄).
<실시예 2>
[합성 실시예 2(화합물 (2)의 합성)]
(4-메톡시-2-메틸페닐)페닐아민 14.1 g(0.066 mol), 4,4''-디요오도-p-터페닐 14.5 g(0.030 mol), 무수 탄산칼륨 5.0 g(0.036 mol), 구리분 0.38 g(0.006 mol), n-도데칸 15 ㎖를 혼합하고, 질소 가스를 도입하면서 200 내지 210 ℃까지 가열하여 30 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 톨루엔 400 ㎖로 반응 생성물을 추출하여 불용분을 여과 분리 제거한 후, 여과액을 농축 건고시켰다. 얻어진 고형물을 칼럼 크로마토그래피(담체; 실리카 겔, 용리액; 톨루엔:헥산=1:2)에 의해 정제하여 N,N'-디(4-메톡시-2-메틸페닐)-N,N'-디페닐-4,4''-디아미노-p-터페닐(화합물 (2)) 15.7 g(수율; 80.0 ％, 융점; 180.8 내지 183.4 ℃)을 얻었다.
원소 분석, IR 측정에 의해 화합물 (2)라고 동정하였다. 원소 분석치는 이하와 같다. 탄소: 84.67 ％(84.63 ％), 수소: 6.23 ％(6.18 ％), 질소: 4.26 ％(4.29 ％)(계산치를 괄호 안에 나타냄).
<실시예 3>
[합성 실시예 3(화합물 (3)의 합성)]
5-아미노인단(도꾜 가세이 고교 제조) 33.3 g(0.25 mol)을 빙초산 250 ㎖에 용해한 후, 50 ℃로 가열하고, 무수 아세트산 51.0 g(0.5 mol)을 적하하였다. 적하 종료 후, 4 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 반응액을 빙수 1500 ㎖ 중에 교반하면서 첨가하였다. 석출된 결정을 여과 분리하고, 물 1000 ㎖로 세정하였다. 얻어진 결정을 건조하여 5-(N-아세틸아미노)인단 37.06 g(수율; 84.6 ％, 융점; 100.5 내지 103.5 ℃)을 얻었다.
5-(N-아세틸아미노)인단 26.28 g(0.15 mol), p-요오도톨루엔 43.61 g(0.20 mol), 무수 탄산칼륨 25.88 g(0.188 mol), 구리분 2.38 g(0.038 mol)을 혼합하고, 질소 가스를 도입하면서 200 ℃까지 가열하여 6 시간 교반하였다. 반응 종료 후 냉각하고, 물 20 ㎖에 용해한 수산화칼륨 22.3 g 및 이소아밀알코올 50 ㎖를 첨가하여 130 ℃에서 2 시간 가수분해하였다. 가수분해 종료 후, 물 250 ㎖를 첨가하여 공비 증류에 의해 이소아밀알코올을 제거한 후, 톨루엔 200 ㎖를 첨가하여 반응물을 용해하였다. 여과 후, 황산마그네슘으로 탈수하였다. 황산마그네슘을 여과 분리한 후, 여과액을 농축하고, 칼럼 크로마토그래피(담체; 실리카 겔, 용리액; 톨루엔:헥산=1:4)에 의해 정제하여 인단-5-일-p-톨릴아민 32.3 g을 얻었다.
인단-5-일-p-톨릴아민 18.1 g(0.081 mol), 4,4''-디요오도-p-터페닐 18.9 g(0.039 mol), 무수 탄산칼륨 7.2 g(0.052 mol), 구리분 0.76 g(0.012 mol), n-도데칸 30 ㎖를 혼합하고, 질소 가스를 도입하면서 200 내지 210 ℃까지 가열하여 30 시간 교반하였다. 반응 종료 후, 톨루엔 400 ㎖로 반응 생성물을 추출하고, 불용분을 여과 분리 제거한 후, 여과액을 농축 건고시켰다. 얻어진 고형물을 칼럼 크로마토그래피(담체; 실리카 겔, 용리액; 톨루엔:헥산=1:4)에 의해 정제하여 N,N'-비스인단-5-일-N,N'-디-p-톨릴-4,4''-디아미노-p-터페닐(화합물 (3)) 19.9 g(수율; 75.7 ％, 융점; 207.4 내지 208.1 ℃)을 얻었다.
원소 분석, IR 측정에 의해 화합물 (3)이라고 동정하였다. 원소 분석치는 이하와 같다. 탄소: 89.13 ％(89.25 ％), 수소: 6.63 ％(6.59 ％), 질소: 4.24 ％(4.16 ％)(계산치를 괄호 안에 나타냄).
<실시예 4>
[감광체 실시예 1]
알코올 가용성 폴리아미드(아밀란 CM-4000, 도레이 제조) 1 부를 메탄올 13 부에 용해하였다. 여기에 산화티탄(타이페이크 CR-EL, 이시하라 산교 제조) 5 부를 첨가하고, 페인트 셰이커로 8 시간 분산시켜 언더코팅층용 도포액을 제조한 후, 알루미늄 증착 PET 필름의 알루미늄면 상에 와이어 바를 이용하여 도포 건조하여 두께 1 ㎛의 언더코팅층을 형성하였다.
이어서, Cu-Kα의 X선 회절 스펙트럼에서의 회절각 2θ±0.2°가 9.6, 24.1, 27.2에서 강한 피크를 갖는 하기 티타닐 프탈로시아닌(전하 발생제 No.1)
Figure 112007037735950-PCT00035
1.5 부를 폴리비닐부티랄 수지(에스렉 BL-S, 세끼스이 가가꾸 고교(주) 제조)의 3 ％ 시클로헥사논 용액 50 부에 첨가하고, 초음파 분산기로 1 시간 분산하였다. 얻어진 분산액을 상기 언더코팅층 상에 와이어 바를 이용하여 도포한 후, 상압하 110 ℃에서 1 시간 건조하여 막 두께 0.6 ㎛의 전하 발생층을 형성하였다.
한편, 첨가제로서 예시 화합물 1-(6) 5.3 부 및 전하 수송제로서 화합물 (1)의 p-터페닐 화합물(전하 수송제 No.1) 100 부를 폴리카르보네이트 수지(유피론 Z, 미쯔비시 엔지니어링 플라스틱(주) 제조)의 13.0 ％ 테트라히드로푸란 용액 962 부에 첨가하여 초음파를 쏘여 첨가제와 p-터페닐 화합물을 완전히 용해시켰다. 이 용액을 상기 전하 발생층 상에 와이어 바로 도포하고, 상압하 110 ℃에서 30 분간 건조하여 막 두께 20 ㎛의 전하 수송층을 형성하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 5>
[감광체 실시예 2]
실시예 4에 있어서, 예시 화합물 1-(6)을 사용하는 대신에 예시 화합물 3-(6)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 6>
[감광체 실시예 3]
실시예 4에 있어서, 예시 화합물 1-(6)을 사용하는 대신에 예시 화합물 4-(8)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 7>
[감광체 실시예 4]
실시예 4에 있어서, 예시 화합물 1-(6)을 사용하는 대신에 예시 화합물 6-(5)를 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 8>
[감광체 실시예 5]
실시예 4에 있어서, 예시 화합물 1-(6)을 사용하는 대신에 예시 화합물 10-(6)을 사용한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 9>
[감광체 실시예 6]
실시예 5에 있어서, 전하 발생제 No.1을 사용하는 대신에 Cu-Kα의 X선 회절 스펙트럼에서의 회절각 2θ±0.2°가 7.5, 10.3, 12.6, 22.5, 24.3, 25.4, 28.6에서 강한 피크를 갖는 티타닐 프탈로시아닌(전하 발생제 No.2)을 사용하고, 전하 수송제 No.1을 사용하는 대신에 화합물 (2)의 p-터페닐 화합물(전하 수송제 No.2)을 사용한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 10>
[감광체 실시예 7]
실시예 9에 있어서, 예시 화합물 3-(6)을 사용하는 대신에 예시 화합물 3-(10)을 사용한 것 이외에는, 실시예 9와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 11>
[감광체 실시예 8]
실시예 5에 있어서, 전하 발생제 No.1을 사용하는 대신에 Cu-Kα의 X선 회절 스펙트럼에서의 회절각 2θ±0.2°가 9.3, 10.6, 13.2, 15.1, 20.8, 23.3, 26.3에서 강한 피크를 갖는 티타닐 프탈로시아닌(전하 발생제 No.3)을 사용하고, 전하 수송제 No.1을 사용하는 대신에 화합물 (3)의 p-터페닐 화합물(전자 수송제 No.3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 12>
[감광체 실시예 9]
실시예 11에 있어서, 예시 화합물 3-(6)을 사용하는 대신에 예시 화합물 6-(5)을 사용한 것 이외에는, 실시예 11과 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 13>
[감광체 실시예 10]
알코올 가용성 폴리아미드(아밀란 CM-8000, 도레이 제조) 10 부를 메탄올 190 부에 용해한 후, 알루미늄 증착 PET 필름의 알루미늄면 상에 와이어 바를 이용하여 도포 건조하여 두께 1 ㎛의 언더코팅층을 형성하였다.
이어서, 전하 발생제로서 하기 τ형 무금속 프탈로시아닌(전하 발생제 No.4)
Figure 112007037735950-PCT00036
1.5 부를 폴리비닐부티랄 수지(에스렉 BL-S, 세끼스이 가가꾸 고교(주) 제조)의 3 ％ 시클로헥사논 용액 50 부에 첨가하여 초음파 분산기로 1 시간 분산하였다. 얻어진 분산액을 상기 언더코팅층 상에 와이어 바를 이용하여 도포한 후, 상압하 110 ℃에서 1 시간 건조하여 막 두께 0.6 ㎛의 전하 발생층을 형성하였다.
한편, 첨가제로서 예시 화합물 6-(5) 5.3 부 및 전하 수송제로서 전하 수송제 No.3의 100 부를 폴리카르보네이트 수지(유피론 Z, 미쯔비시 엔지니어링 플라스틱(주) 제조)의 13.0 ％ 테트라히드로푸란 용액 962 부에 첨가하여 초음파를 쏘여 첨가제와 p-터페닐 화합물을 완전히 용해시켰다. 이 용액을 상기 전하 발생층 상에 와이어 바로 도포하고, 상압하 110 ℃에서 30 분간 건조하여 막 두께 20 ㎛의 전하 수송층을 형성하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 14>
[감광체 실시예 11]
실시예 9에 있어서, 전하 수송제 No.2를 사용하는 대신에 전하 수송제 No.3과 화합물 (4)의 p-터페닐 화합물(전하 수송제 No.4)의 8:2 질량비의 혼합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 9와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 15>
[감광체 실시예 12]
실시예 14에 있어서, 예시 화합물 3-(6)을 사용하는 대신에 예시 화합물 6-(5)을 사용한 것 이외에는, 실시예 14와 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 16>
[감광체 실시예 13]
전하 발생제로서 하기 비스아조 안료(전하 발생제 No.5)
Figure 112007037735950-PCT00037
1.0 부 및 폴리비닐부티랄 수지(에스렉 BL-S, 세끼스이 가가꾸 고교(주) 제조)의 5 ％ 시클로헥사논 용액 8.6 부를 시클로헥사논 83 부에 첨가하고, 볼밀로 분쇄 분산 처리를 48 시간 행하였다. 얻어진 분산액을 도전성 지지체인 알루미늄 증착 PET 필름의 알루미늄면 상에 와이어 바를 이용하여 도포 건조하여 두께 0.8 ㎛의 전하 발생층을 형성하였다.
한편, 첨가제로서 예시 화합물 3-(6) 5.3 부 및 전하 수송제로서 전하 수송제 No.1 100 부를 폴리카르보네이트 수지(유피론 Z, 미쯔비시 엔지니어링 플라스 틱(주) 제조)의 13.0 ％ 테트라히드로푸란 용액 962 부에 첨가하여 초음파를 쏘여 첨가제와 p-터페닐 화합물을 완전히 용해시켰다. 이 용액을 상기 전하 발생층 상에 와이어 바로 도포하고, 상압하 110 ℃에서 30 분간 건조하여 막 두께 20 ㎛의 전하 수송층을 형성하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 17>
[감광체 실시예 14]
실시예 17에 있어서, 전하 발생제 No.5를 사용하는 대신에 하기 비스아조 안료(전하 발생제 No.6)
Figure 112007037735950-PCT00038
를 사용한 것 이외에는, 실시예 17과 동일하게 하여 감광체를 제조하였다.
<실시예 18>
[감광체 실시예 15]
전하 발생제로서 하기 비스아조 안료(전하 발생제 No.7)
Figure 112007037735950-PCT00039
1.0 부 및 폴리에스테르 수지(바이론 200, 도요보(주) 제조)의 5 ％ 테트라히드로푸란 용액 8.6 부를 테트라히드로푸란 83 부에 첨가하고, 볼밀로 분쇄 분산 처리를 48 시간 행하였다. 얻어진 분산액을 도전성 지지체인 알루미늄 증착 PET 필름의 알루미늄면 상에 와이어 바를 이용하여 도포 건조하여 두께 0.8 ㎛의 전하 발생층 을 형성하였다.
한편, 첨가제로서 예시 화합물 3-(6) 5.3 부 및 전하 수송제로서 전하 수송제 No.1 100 부를 폴리카르보네이트 수지(유피론 Z, 미쯔비시 엔지니어링 플라스틱(주) 제조)의 13.0 ％ 테트라히드로푸란 용액 962 부에 첨가하여 초음파를 쏘여 첨가제와 p-터페닐 화합물을 완전히 용해시켰다. 이 용액을 상기 전하 발생층 상에 와이어 바로 도포하고, 상압하 110 ℃에서 30 분간 건조하여 막 두께 20 ㎛의 전하 수송층을 형성하여 감광체를 제조하였다.
<비교예 1>
실시예 4에 있어서, 예시 화합물 1-(6)을 제외한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 비교용 감광체를 제조하였다.
<비교예 2>
실시예 9에 있어서, 예시 화합물 3-(6)을 제외한 것 이외에는, 실시예 9와 동일하게 하여 비교용 감광체를 제조하였다.
<비교예 3>
실시예 14에 있어서, 예시 화합물 3-(6)을 제외한 것 이외에는, 실시예 14와 동일하게 하여 비교용 감광체를 제조하였다.
<비교예 4>
실시예 17에 있어서, 예시 화합물 3-(6)을 제외한 것 이외에는, 실시예 17과 동일하게 하여 비교용 감광체를 제조하였다.
<실시예 19>
실시예 4 내지 15 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 감광체를 감광 드럼 특성 측정 장치(상품명 「ELYSIA-II」 트렉ㆍ재팬(주) 제조)를 이용하여 전자 사진 특성 평가를 행하였다. 우선, 감광체를 암소에서 -5.5 kV의 코로나 방전을 행하고, 이어서 70 lux의 이레스 램프를 점등했을 때의 대전 전위 V0을 측정하였다. 이어서, 이미지 노광 780 nm-30 μW의 단색광으로 노광하고, 잔류 전위 Vr을 구하였다. 이어서, 상기 감광체를 형광등 조명하의 실내에서 20 ppm의 오존 가스 중에 5 일간 노출시킨 후, 노출 전과 동일하게 하여 대전 전위 V0과 잔류 전위 Vr을 측정하였다. 결과를 하기 표 11에 나타내었다.
Figure 112007037735950-PCT00040
<실시예 20>
실시예 16 내지 18 및 비교예 4에서 제조한 감광체를 감광 드럼 특성 측정 장치(상품명 「ELYSIA-II」트렉ㆍ재팬(주) 제조)를 이용하여 전자 사진 특성 평가를 행하였다. 우선, 감광체를 암소에서 -4.8 kV의 코로나 방전을 행하고, 이어서 70 lux의 이레스 램프를 점등했을 때의 대전 전위 V0을 측정하였다. 이어서, 이미지 노광 40 lux의 백색광으로 노광하고, 잔류 전위 Vr을 구하였다. 이어서, 상기 감광체를 형광등 조명하의 실내에서 20 ppm의 오존 가스 중에 5 일간 노출시킨 후, 노출 전과 동일하게 하여 대전 전위 V0과 잔류 전위 Vr을 측정하였다. 결과를 하기 표 12에 나타내었다.
Figure 112007037735950-PCT00041
이상과 같이, 본 발명은 전하 수송제로서 특정한 구조를 갖는 p-터페닐 화합물과, 첨가제로서 특정한 구조를 갖는 것을 조합함으로써 대전 전위 및 잔류 전위의 변화가 작고, 내구성이 우수한 전자 사진용 감광체를 제공할 수 있다.
본 발명을 특정한 실시 양태를 참조하여 상세하게 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 이탈하지 않고 여러가지 변경이나 수정을 가할 수 있다는 것은 당업자에게 있어서 명확하다.
본 출원은 2004년 11월 24일자로 출원한 일본 특허 출원(특원 2004-338784)에 기초하는 것이며, 그 내용을 여기에 참조로서 삽입한다.
본 발명은 전자 사진 특성의 변화가 작은, 고내구성을 실현할 수 있는 전자 사진 감광체로서 유용하다.

Claims (3)

  1. 도전성 지지체 상에 하기 화학식 1 내지 5로 표시되는 화합물로부터 선택되는 p-터페닐 화합물의 1종 이상과, 첨가제를 함유하는 층을 갖는 전자 사진용 감광체.
    <화학식 1>
    Figure 112007037735950-PCT00042
    <화학식 2>
    Figure 112007037735950-PCT00043
    <화학식 3>
    Figure 112007037735950-PCT00044
    <화학식 4>
    Figure 112007037735950-PCT00045
    <화학식 5>
    Figure 112007037735950-PCT00046
  2. 제1항에 있어서, 상기 첨가제가 하기 화학식 A1로 표시되는 유기 아인산 에스테르계 화합물; 하기 화학식 A2로 표시되는 트리페닐화 인계 화합물; 하기 화학식 A3으로 표시되는 티오에테르계 화합물; 하기 화학식 A4로 표시되는 히드로퀴논계 화합물; 하기 화학식 A5로 표시되는 벤조트리아졸계 화합물; 하기 화학식 A6으로 표시되는 벤조트리아졸-알킬렌 비스페놀계 화합물; 하기 화학식 A7로 표시되는 히드록시벤조페논계 화합물; 하기 화학식 A8 또는 하기 화학식 A9로 표시되는 힌더드 페놀계 화합물; 하기 화학식 A10으로 표시되는 힌더드 아민계 화합물; 및 하기 화학식 A11로 표시되는 살리실레이트계 화합물로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고, 상기 층이 상기 첨가제를 상기 p-터페닐 화합물에 대하여 0.05 내지 30 질량％ 함유하는 전자 사진용 감광체.
    <화학식 A1>
    Figure 112007037735950-PCT00047
    식 중, R1, R2 및 R3은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴 기를 나타내되, 단 R1, R2 및 R3이 모두 동시에 수소 원자가 되는 경우는 없다.
    <화학식 A2>
    Figure 112007037735950-PCT00048
    식 중, R4, R5, R6, R7, R8 및 R9는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 할로겐 원자, 수산기, 치환 또는 비치환의 알콕시기 또는 치환 또는 비치환의 아미노기 또는 치환 또는 비치환의 알킬기를 나타낸다.
    <화학식 A3>
    Figure 112007037735950-PCT00049
    식 중, R10 및 R11은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타낸다.
    <화학식 A4>
    Figure 112007037735950-PCT00050
    식 중, R12, R13, R14 및 R15는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기, 치환 또는 비치환의 아릴기, 치환 또는 비치환의 아미노기, 치환 또는 비치환의 아릴티오기, 치환 또는 비치환의 아실기, 치환 또는 비치환의 실릴기, 치환 또는 비치환의 아릴옥시기 또는 치환 또는 비치환의 포스피노기를 나타낸다.
    <화학식 A5>
    Figure 112007037735950-PCT00051
    식 중, R16, R17 및 R18은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타낸다.
    <화학식 A6>
    Figure 112007037735950-PCT00052
    식 중, R19는 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 알콕시기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내고, R20은 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환의 아릴기, 치환 또는 비치환의 알콕시기 또는 치환 또는 비치환의 아랄킬기를 나타내고, R21은 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내며, R22 및 R23은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 시클로알킬기, 치환 또는 비 치환의 아릴기 또는 치환 또는 비치환의 알킬아릴기를 나타낸다.
    <화학식 A7>
    Figure 112007037735950-PCT00053
    식 중, R24는 수소 원자 또는 수산기를 나타내고, R25 및 R26은 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내고, R27은 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 아랄킬기를 나타낸다.
    <화학식 A8>
    Figure 112007037735950-PCT00054
    식 중, R27은 치환 또는 비치환의 알킬기를 나타내고, R28, R29, R30 또는 R31은 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 아릴기 또는 치환 또는 비치환의 알콕시기를 나타낸다.
    <화학식 A9>
    Figure 112007037735950-PCT00055
    식 중, R32는 치환 또는 비치환의 알킬기를 나타내고, R33, R34 및 R35는 동일 하거나 또는 상이할 수 있으며, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 알콕시기를 나타내고, q는 2, 3 또는 4의 정수를 나타내고, E는 q=2일 때에는 산소 원자, 황 원자 또는 지방족의 2가 기를 나타내고, q=3일 때에는 지방족의 3가 기 또는 방향족의 3가 기를 나타내며, q=4일 때에는 지방족의 4가 기를 나타낸다.
    <화학식 A10>
    Figure 112007037735950-PCT00056
    식 중, R36, R37, R38 및 R39는 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내고, Z는 질소 함유 복소환을 형성하는 데 필요한 원자단을 나타내며, R36 및 R37의 조합, R38 및 R39의 조합에 있어서 그 중 하나는 Z 중에 편입되어 이중 결합을 형성할 수도 있고, u는 수소 원자, 산소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기 또는 치환 또는 비치환의 아실기를 나타내고, j는 수산기, 치환 또는 비치환의 아실옥시기, 치환 또는 비치환의 벤조일기 또는 그 밖의 유기 잔기를 나타낸다.
    <화학식 A11>
    Figure 112007037735950-PCT00057
    식 중, R40 및 R41은 동일하거나 또는 상이할 수 있고, 수소 원자, 치환 또는 비치환의 알킬기, 치환 또는 비치환의 알케닐기 또는 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타낸다.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 첨가제를 상기 p-터페닐 화합물에 대하여 0.1 내지 20 질량％ 함유하는 전자 사진용 감광체.
KR1020077011687A 2004-11-24 2005-11-21 전자 사진용 감광체 KR101207139B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00338784 2004-11-24
JP2004338784 2004-11-24
PCT/JP2005/021746 WO2006057373A1 (ja) 2004-11-24 2005-11-21 電子写真用感光体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070088647A true KR20070088647A (ko) 2007-08-29
KR101207139B1 KR101207139B1 (ko) 2012-11-30

Family

ID=36498106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077011687A KR101207139B1 (ko) 2004-11-24 2005-11-21 전자 사진용 감광체

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7919219B2 (ko)
EP (3) EP1818725B1 (ko)
JP (2) JP4879753B2 (ko)
KR (1) KR101207139B1 (ko)
CN (1) CN101065711B (ko)
TW (1) TWI401550B (ko)
WO (1) WO2006057373A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101196635B1 (ko) 2004-05-25 2012-11-02 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 ｐ?터페닐 화합물 및 이 화합물을 이용한 전자 사진용 감광체
EP2485092A1 (en) * 2004-11-22 2012-08-08 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Electrophotographic photosensitive body
WO2007086439A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Hodogaya Chemical Co., Ltd. ｐ－ターフェニル化合物混合物及び該化合物混合物を用いた電子写真用感光体
CN107111256B (zh) * 2014-11-10 2021-08-10 三菱化学株式会社 电子照相感光体、图像形成装置及感光层形成用涂布液
JP6055497B2 (ja) * 2015-02-02 2016-12-27 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
JP6662111B2 (ja) * 2015-03-13 2020-03-11 三菱ケミカル株式会社 正帯電用単層型電子写真感光体、電子写真感光体カートリッジ、及び画像形成装置
JP7230522B2 (ja) * 2019-01-18 2023-03-01 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US203298A (en) 1878-05-07 Improvement in dental-engine hand-pieces
JPS6027012B2 (ja) 1977-01-31 1985-06-26 株式会社リコー 電子写真用感光体
JPS6027013B2 (ja) 1977-04-25 1985-06-26 株式会社リコー 電子写真用感光体
JPS6027014B2 (ja) 1977-04-27 1985-06-26 株式会社リコー 電子写真用感光体
JPS5814791B2 (ja) 1977-05-09 1983-03-22 三洋電機株式会社 抜き取りパルス発生装置
JPS6027016B2 (ja) 1977-06-30 1985-06-26 株式会社リコー 電子写真感光体
JPS6027015B2 (ja) 1977-06-08 1985-06-26 株式会社リコー 電子写真用感光体
JPS6032858B2 (ja) 1977-07-08 1985-07-30 株式会社リコー 電子写真用感光体
JPS6027017B2 (ja) 1977-07-08 1985-06-26 株式会社リコー 電子写真用感光体
JPS6029109B2 (ja) 1977-07-22 1985-07-09 株式会社リコー 電子写真用感光体
JPS6027018B2 (ja) 1977-07-19 1985-06-26 株式会社リコー 電子写真用感光体
JPS57195768A (en) 1981-05-28 1982-12-01 Ricoh Co Ltd Novel trisazo compound and production thereof
JPS57195767A (en) 1981-05-28 1982-12-01 Ricoh Co Ltd Novel trisazo compound and production thereof
JPS57202545A (en) 1981-06-08 1982-12-11 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS58222152A (ja) 1982-06-18 1983-12-23 Ricoh Co Ltd 新規なジスアゾ化合物及びその製造法
JPS59129857A (ja) 1983-01-17 1984-07-26 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS59136351A (ja) 1983-01-26 1984-08-04 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS60172044A (ja) 1984-02-16 1985-09-05 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体の製造方法
JPS62112163A (ja) 1985-11-11 1987-05-23 Fuji Photo Film Co Ltd 電子写真感光体
JPH071393B2 (ja) 1985-12-10 1995-01-11 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体の製造方法
JPS62147462A (ja) 1985-12-20 1987-07-01 Canon Inc 電子写真感光体
JPH0820739B2 (ja) 1986-12-12 1996-03-04 三菱化学株式会社 電子写真感光体
JPH0753829B2 (ja) 1986-05-15 1995-06-07 株式会社リコー 新規なビスアゾ化合物及びその製造方法
JPS6444946A (en) 1987-08-13 1989-02-17 Konishiroku Photo Ind Electrophotographic sensitive body
JP2643952B2 (ja) 1987-09-22 1997-08-25 株式会社リコー 電子写真用感光体
US4877702A (en) 1987-10-30 1989-10-31 Mita Industrial Co., Ltd. Electrophotographic sensitive material
JPH01118143A (ja) * 1987-10-30 1989-05-10 Mita Ind Co Ltd 電子写真用感光体
JPH01118845A (ja) 1987-11-02 1989-05-11 Hitachi Chem Co Ltd 電子写真感光体
JP2639074B2 (ja) 1989-03-29 1997-08-06 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体
JPH0673018A (ja) 1992-08-27 1994-03-15 Shikoku Chem Corp ４（５）−シアノイミダゾール化合物の合成方法
JP2001305764A (ja) 2000-04-21 2001-11-02 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用感光体及びこれを用いた電子写真装置
JP2002328480A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Hodogaya Chem Co Ltd 電子写真用感光体
US6790574B2 (en) * 2001-09-27 2004-09-14 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Electrophotographic photoreceptor
JP2003202687A (ja) * 2001-10-30 2003-07-18 Hodogaya Chem Co Ltd 電子写真用感光体
KR100538218B1 (ko) * 2002-07-16 2005-12-21 삼성전자주식회사 전자 사진용 감광체
JP3681379B2 (ja) 2003-05-19 2005-08-10 大洋化学株式会社 収納袋の排気弁
US7166397B2 (en) * 2003-12-23 2007-01-23 Xerox Corporation Imaging members
KR101196635B1 (ko) * 2004-05-25 2012-11-02 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 ｐ?터페닐 화합물 및 이 화합물을 이용한 전자 사진용 감광체
EP2485092A1 (en) * 2004-11-22 2012-08-08 Hodogaya Chemical Co., Ltd. Electrophotographic photosensitive body

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006057373A1 (ja) 2006-06-01
EP1818725A1 (en) 2007-08-15
KR101207139B1 (ko) 2012-11-30
JP4879753B2 (ja) 2012-02-22
EP1818725A4 (en) 2009-01-07
TW200627099A (en) 2006-08-01
US20080044750A1 (en) 2008-02-21
JP2011170388A (ja) 2011-09-01
EP2341392A1 (en) 2011-07-06
US7919219B2 (en) 2011-04-05
JP4880080B2 (ja) 2012-02-22
JPWO2006057373A1 (ja) 2008-06-05
TWI401550B (zh) 2013-07-11
EP2341393A1 (en) 2011-07-06
CN101065711B (zh) 2010-11-24
EP1818725B1 (en) 2014-09-10
CN101065711A (zh) 2007-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5209325B2 (ja) ｐ−ターフェニル化合物混合物及び該化合物混合物を用いた電子写真用感光体
KR20070018962A (ko) ｐ­터페닐 화합물 및 이 화합물을 이용한 전자 사진용감광체
KR101207139B1 (ko) 전자 사진용 감광체
KR101245402B1 (ko) 전자 사진용 감광체
KR101342850B1 (ko) 전자 사진용 감광체
KR101367061B1 (ko) 전자 사진용 감광체
KR101327122B1 (ko) 전자사진용 감광체
JP4871547B2 (ja) アミン化合物、アミン化合物を有する電子写真感光体並びに該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2730744B2 (ja) 電子写真感光体
JP2003202687A (ja) 電子写真用感光体
JP2005049863A (ja) 電子写真感光体用電荷輸送物質、及びそれを用いた電子写真感光体
JPH0375658A (ja) 電子写真感光体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161028

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171027

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191029

Year of fee payment: 8