JPS58222152A - 新規なジスアゾ化合物及びその製造法 - Google Patents
新規なジスアゾ化合物及びその製造法Info
- Publication number
- JPS58222152A JPS58222152A JP10399682A JP10399682A JPS58222152A JP S58222152 A JPS58222152 A JP S58222152A JP 10399682 A JP10399682 A JP 10399682A JP 10399682 A JP10399682 A JP 10399682A JP S58222152 A JPS58222152 A JP S58222152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- disazo compound
- naphthalene
- formula
- benzene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なジスアゾ化合物及びその製造法に関する
。
。
従来より電子写真法において、セレン、硫化カドミラｌ
い酸化亜鉛などの無機光導電性材料を用いた無機感光体
が広く用いられている。ここにいう「電子写真法」とは
、一般に光導電性の感光体をまず暗所で、例えばコロナ
放電によって帯電せしめ、次いで像露光し、露光部のみ
の電荷を選択的に放電せしめ、非露光部に静電潜像を残
し、この潜像をトナー等を用いた現像手段で可視化して
画像を形成する画像形成法の一つである。
い酸化亜鉛などの無機光導電性材料を用いた無機感光体
が広く用いられている。ここにいう「電子写真法」とは
、一般に光導電性の感光体をまず暗所で、例えばコロナ
放電によって帯電せしめ、次いで像露光し、露光部のみ
の電荷を選択的に放電せしめ、非露光部に静電潜像を残
し、この潜像をトナー等を用いた現像手段で可視化して
画像を形成する画像形成法の一つである。
このような電子写真法において感光体に要求される基本
的な特性としては、＋１１暗所で適当な電位に帯電でき
ること、（２）暗１′□′・所にお番プる電荷の保持性
に優れ、電荷の放電が少ないこと、（３）光感度が人で
光照射によって速やかに電荷が放電すること、更には機
械的強度、可撓性に優れていることなどがあげられる。
的な特性としては、＋１１暗所で適当な電位に帯電でき
ること、（２）暗１′□′・所にお番プる電荷の保持性
に優れ、電荷の放電が少ないこと、（３）光感度が人で
光照射によって速やかに電荷が放電すること、更には機
械的強度、可撓性に優れていることなどがあげられる。
前記従来の無機感光体はいくつかの長所をもっている反
面、さまざまな欠点をも有している。
面、さまざまな欠点をも有している。
例えば、現在広く用いられているセレン感光体は前記ｆ
ｉｌ〜（３）の条件についてはかなりの程度まで満足づ
るｂのの、機械的強度、可撓性については満足のいくも
のではない。特に最近の電子写真法においては様々なプ
ロセスが採られるようになってきたことから、それらの
プロセスのいずれにも適合する感光体が要求される様に
なってきており、例えば形状については可撓性のあるベ
ルト状の：ｂのが要求されるようになってきているが、
前記セレン感光体は可撓性が低く、そうした形状のもの
として作成することが困麹である。又セレン感光体以外
の他の無機感光体についても同様の欠点を挙げることが
できる。
ｉｌ〜（３）の条件についてはかなりの程度まで満足づ
るｂのの、機械的強度、可撓性については満足のいくも
のではない。特に最近の電子写真法においては様々なプ
ロセスが採られるようになってきたことから、それらの
プロセスのいずれにも適合する感光体が要求される様に
なってきており、例えば形状については可撓性のあるベ
ルト状の：ｂのが要求されるようになってきているが、
前記セレン感光体は可撓性が低く、そうした形状のもの
として作成することが困麹である。又セレン感光体以外
の他の無機感光体についても同様の欠点を挙げることが
できる。
そこで近年、これらの無機感光体の欠点を排除するため
にいろいろな有機光導電性材料を用いた電子写真用感光
体が研究、開発され、実用に供されている。例えば、支
持体上にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールと２．４．７−
１−リニトロフルオレンー９−オンとを含有する感光層
を設けた感光体（米国特許第３４８４２３７ ＠公報参
照）、ビリリウム塩系色素で増感したポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール含有の感光層を設けた感光体（特公昭４８
−２５６５８号公報参照）、有機顔料を主成分とする感
光層を設けた感光体（特開昭４７−３７５４３号公報参
照）、染料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感
光層を設けた感光体く特開昭４７−１０７３５月公報に
記載）などが挙げられる。これらの有機゛感光体は、前
記無機感光体の機械的特性及び可撓性をある程度までは
改善１ノたものの概して光感度が低く電子写真用感光体
としての要求を充分に満足するものではない。
にいろいろな有機光導電性材料を用いた電子写真用感光
体が研究、開発され、実用に供されている。例えば、支
持体上にポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールと２．４．７−
１−リニトロフルオレンー９−オンとを含有する感光層
を設けた感光体（米国特許第３４８４２３７ ＠公報参
照）、ビリリウム塩系色素で増感したポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール含有の感光層を設けた感光体（特公昭４８
−２５６５８号公報参照）、有機顔料を主成分とする感
光層を設けた感光体（特開昭４７−３７５４３号公報参
照）、染料と樹脂とからなる共晶錯体を主成分とする感
光層を設けた感光体く特開昭４７−１０７３５月公報に
記載）などが挙げられる。これらの有機゛感光体は、前
記無機感光体の機械的特性及び可撓性をある程度までは
改善１ノたものの概して光感度が低く電子写真用感光体
としての要求を充分に満足するものではない。
一般に電子写真感光体の特性は用いる材料、製造法等に
より大いに左右されるが、とりわ（プ光導電性材料に負
うところが大である。その為、従来より光導電性材料の
研究は盛んに行なわれており、本発明もこれに係るもの
である。
より大いに左右されるが、とりわ（プ光導電性材料に負
うところが大である。その為、従来より光導電性材料の
研究は盛んに行なわれており、本発明もこれに係るもの
である。
５一
本発明の目的は、前記従来の感光体の光導電性材料のも
つ欠点を解決した、特に光導電性材料として有用な新規
なジスアゾ化合物を提供することであり、更には該化合
物の製造法を提供することである。
つ欠点を解決した、特に光導電性材料として有用な新規
なジスアゾ化合物を提供することであり、更には該化合
物の製造法を提供することである。
即ち本発明の第１は、一般式（、■）
（式中Ｘはベンゼン環、ナフタレン環、カルバゾール環
、ベンゾフラン環またはそれらの置換体を、Ａ ｒ ＋
はベンゼン環、ナフタレン環、ジベンゾフラン環または
それらの置換体 。
、ベンゾフラン環またはそれらの置換体を、Ａ ｒ ＋
はベンゼン環、ナフタレン環、ジベンゾフラン環または
それらの置換体 。
を示す。）
で表わされる新規なジスアゾ化合物を提供することであ
る。
る。
本発明の第２は、一般式（Ｉ）
−〇−
（式中Ｘはアニオン官能基を示す。）
で表わされるテトラゾニウム塩と、
一般式（Ｉ）
（式中×はベンゼン環、ナフタレン環、カルバゾール環
、ベンゾフラン環またはそれらの置換体を、Ａｒ１はベ
ンゼン環、ナフタレン環、ジベンゾフラン環またはそれ
らの置換体を示す。） で表わされる化合物（以下カップリング成分という）と
を反応させることにより得られる前記一般式（Ｉ）で表
わされる新規なジスアゾ化合物の製造法を提供すること
である。
、ベンゾフラン環またはそれらの置換体を、Ａｒ１はベ
ンゼン環、ナフタレン環、ジベンゾフラン環またはそれ
らの置換体を示す。） で表わされる化合物（以下カップリング成分という）と
を反応させることにより得られる前記一般式（Ｉ）で表
わされる新規なジスアゾ化合物の製造法を提供すること
である。
前記本発明の新規なジスアゾ化合物は常温において有色
の結晶であり、その具体例を分解点、元素分析値及び赤
外線吸収スペクトルデータと共に下記表１に示した。
の結晶であり、その具体例を分解点、元素分析値及び赤
外線吸収スペクトルデータと共に下記表１に示した。
７一
本発明の新規なジスアゾ化合物は、加配一般式＜１［）
で表わされるテし・ラゾニウム塩と、一般式（ＩＩＩ）
で表わされるカップリング成分（Ｉｎ’）とを反応させ
ることによって得られる。
で表わされるテし・ラゾニウム塩と、一般式（ＩＩＩ）
で表わされるカップリング成分（Ｉｎ’）とを反応させ
ることによって得られる。
テトラゾニウム塩は例えば１．６−ビス（４−二トロフ
ェニル） −１，３，５−ヘキサトリエンを還元して１
，６−ビス（４〜アミノフエニル）−１，３，５−ヘキ
サトリエンを得、次いでジアゾ化することにより得るこ
とができる。１．６−ビス（４−アミノフェニル）−１
，３，５−ヘキサ１ヘリエンの製造については、例えば
５−（４−二トロフ■ニル） −２，４−ペンタジェ
ナールと４−二トロペンジルホスホン酸ジエチルとのい
わゆるＷ １ｔｔｉｏ −Ｈｏｒｎｅｒ反応によって得
られた １，６−ビス（４−二］ヘロフェニル）−１，
３，５−ヘキサトリエンをＮ 、Ｎ−ジメチルホルム
アミド等の有機溶媒中で鉄−塩酸等の還元剤を用いて還
元することにより得られる工・・この還元は ７０〜１
２０℃の反応温度で３０分〜２時間で完結する。
ェニル） −１，３，５−ヘキサトリエンを還元して１
，６−ビス（４〜アミノフエニル）−１，３，５−ヘキ
サトリエンを得、次いでジアゾ化することにより得るこ
とができる。１．６−ビス（４−アミノフェニル）−１
，３，５−ヘキサ１ヘリエンの製造については、例えば
５−（４−二トロフ■ニル） −２，４−ペンタジェ
ナールと４−二トロペンジルホスホン酸ジエチルとのい
わゆるＷ １ｔｔｉｏ −Ｈｏｒｎｅｒ反応によって得
られた １，６−ビス（４−二］ヘロフェニル）−１，
３，５−ヘキサトリエンをＮ 、Ｎ−ジメチルホルム
アミド等の有機溶媒中で鉄−塩酸等の還元剤を用いて還
元することにより得られる工・・この還元は ７０〜１
２０℃の反応温度で３０分〜２時間で完結する。
ついで得られた１、６−ビス（４−アミノフェニル）
、−１，３，５−ヘキサトリエンのジアゾ化は、これを
希塩酸、希硫酸のような希薄無機酸中に加え、更にこれ
に亜硝酸ナトリウム水溶液を一１０℃〜１０℃で添加す
ることにより行なわれる。
、−１，３，５−ヘキサトリエンのジアゾ化は、これを
希塩酸、希硫酸のような希薄無機酸中に加え、更にこれ
に亜硝酸ナトリウム水溶液を一１０℃〜１０℃で添加す
ることにより行なわれる。
このジアゾ化反応は３０分〜３時間で完結する。
この場合、反応混合物に例えば硼弗化水素酸などを加え
てテトラゾニウム塩として沈澱させ、濾過して結晶を得
ることが望ましい。次いで、１ｑられたテトラゾニウム
塩に上記カップリング成分をテトラゾニウム塩に対して
１〜１０倍モル、好ましくは２〜５倍モル量を添加して
、カップリング反応を起こす。実際には、この反応はＮ
。
てテトラゾニウム塩として沈澱させ、濾過して結晶を得
ることが望ましい。次いで、１ｑられたテトラゾニウム
塩に上記カップリング成分をテトラゾニウム塩に対して
１〜１０倍モル、好ましくは２〜５倍モル量を添加して
、カップリング反応を起こす。実際には、この反応はＮ
。
Ｎ−ジメチルホルムアミドやジメチルスルホキシドなど
の有機溶媒にテトラゾニウム塩およびカップリング成分
を混合溶解しておき、これに約−１０℃〜１０℃にて酢
酸ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液を滴下するこ
とにより行なわれる。反応は５分〜３０分で完結し、目
的とする′１・１ 本発明の新規なジスアゾ化合物が得られる。
の有機溶媒にテトラゾニウム塩およびカップリング成分
を混合溶解しておき、これに約−１０℃〜１０℃にて酢
酸ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液を滴下するこ
とにより行なわれる。反応は５分〜３０分で完結し、目
的とする′１・１ 本発明の新規なジスアゾ化合物が得られる。
上記のようにして得られる本発明のジスアゾ化合物は電
子写真用感光体の光導電性材料として特に有用である。
子写真用感光体の光導電性材料として特に有用である。
（１） ジスアゾ化合物をポリエステル、ポリアミド
、ポリウレタン、ポリケトン、ポリカーボネート、ポリ
スチレン、ポリビニルトルエン、などの適当な樹脂結合
剤に、微細粒子（直径約０．０５〜５μ）として分散し
た層を導電性支持体上に設けた感光体、 （２） 上記（１）の系に、更に無機光導電性材料（
例えば、公知の硫化カドミウム、硫化カドミウム−セレ
ンその他）或いは有機光導電性１ａ ＊！１（例えば、
公知のポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ンその他）を添加した感光体、 （３） ジスアゾ化合物の薄層（約０．０５〜１０μ
）を導電性支持体上に適当な方法によって形成せしめ、
更にイの上に他の光導電性物質の層形成せしめ積層タイ
プの感光体 等が新規ジスアゾ化合物の用途例として挙げることがで
きる。
、ポリウレタン、ポリケトン、ポリカーボネート、ポリ
スチレン、ポリビニルトルエン、などの適当な樹脂結合
剤に、微細粒子（直径約０．０５〜５μ）として分散し
た層を導電性支持体上に設けた感光体、 （２） 上記（１）の系に、更に無機光導電性材料（
例えば、公知の硫化カドミウム、硫化カドミウム−セレ
ンその他）或いは有機光導電性１ａ ＊！１（例えば、
公知のポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ンその他）を添加した感光体、 （３） ジスアゾ化合物の薄層（約０．０５〜１０μ
）を導電性支持体上に適当な方法によって形成せしめ、
更にイの上に他の光導電性物質の層形成せしめ積層タイ
プの感光体 等が新規ジスアゾ化合物の用途例として挙げることがで
きる。
１７−
このようにして作られた感光体は、従来のそれに比較し
て何等の遜色もなく本発明の目的を充分達成できるもの
である。
て何等の遜色もなく本発明の目的を充分達成できるもの
である。
次に本発明の新規ジスアゾ化合物による効果を感光体の
用途例で説明する。
用途例で説明する。
ポリエステル樹脂（デュポン社製、ポリエステルアドヒ
ーシブ ４９０００） １重量部、表１に示した化合物
番号１９のジスアゾ顔料１重量部及びテトラヒドロフラ
ン２６重用部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分
散液をアルミニウム蒸着したボ１フエステルフィルムー
トにドクターブレードを用いて塗布し １００℃で１０
分間乾燥して厚さ７μの感光層を持った感光体を１ｑた
。
ーシブ ４９０００） １重量部、表１に示した化合物
番号１９のジスアゾ顔料１重量部及びテトラヒドロフラ
ン２６重用部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分
散液をアルミニウム蒸着したボ１フエステルフィルムー
トにドクターブレードを用いて塗布し １００℃で１０
分間乾燥して厚さ７μの感光層を持った感光体を１ｑた
。
次にこの感光体の感光層面に市販の静電複写紙試験装置
にｊ；す＋６ ｋＶのコロナ放電を２０秒間行なって
正帯電させた後、２０秒間暗所に放置し、その時の表面
電位Ｖｐｏ（ボルト）を測定し、次いでタングステンラ
ンプから、その表面が照度２０ルツクスになるよう感光
層に光照射を施し、その表面電位がＶｐｏの１／２にな
るまでの時間１８− （秒）を求めて露光量Ｅ１／２（ルックス・秒）求めた
。その結果は、Ｖｐｏ＝９５Ｖ、 Ｅ １／ ２＝９．
６ルツクス・秒であった。
にｊ；す＋６ ｋＶのコロナ放電を２０秒間行なって
正帯電させた後、２０秒間暗所に放置し、その時の表面
電位Ｖｐｏ（ボルト）を測定し、次いでタングステンラ
ンプから、その表面が照度２０ルツクスになるよう感光
層に光照射を施し、その表面電位がＶｐｏの１／２にな
るまでの時間１８− （秒）を求めて露光量Ｅ１／２（ルックス・秒）求めた
。その結果は、Ｖｐｏ＝９５Ｖ、 Ｅ １／ ２＝９．
６ルツクス・秒であった。
以下に実施例を示す。
実施例１（テトラゾニウム塩の製造）
水２００ｒｒｌβ及び８１硫酸１８ｍ Ａより成る希硫
酸中に１．６−ビス（４−アミノフＴニル）−１，３，
５−ヘキサトリエン１４．０ｇを加え、６０℃で３０分
間かきまぜを行なった後−１℃に急冷した。次いで、こ
れに亜硝酸ナトリウム８．１ｇを水２５ｍ℃に溶解した
溶液を、−１〜−２℃で５０分を要して滴下した。その
後同渇麿で１０分間攪拌を行なった後、微量の未反応物
を濾過除去１ノだ。濾液に４２％硼弗化水素酸６０ｍＡ
を加え、析出した結晶を濾取し、少量のメタノールで洗
浄した後乾燥して、２０．６０ （収率８４．０％）
のテトラゾニウムジフルオロボレートの赤色針状結晶を
１ｑた。
酸中に１．６−ビス（４−アミノフＴニル）−１，３，
５−ヘキサトリエン１４．０ｇを加え、６０℃で３０分
間かきまぜを行なった後−１℃に急冷した。次いで、こ
れに亜硝酸ナトリウム８．１ｇを水２５ｍ℃に溶解した
溶液を、−１〜−２℃で５０分を要して滴下した。その
後同渇麿で１０分間攪拌を行なった後、微量の未反応物
を濾過除去１ノだ。濾液に４２％硼弗化水素酸６０ｍＡ
を加え、析出した結晶を濾取し、少量のメタノールで洗
浄した後乾燥して、２０．６０ （収率８４．０％）
のテトラゾニウムジフルオロボレートの赤色針状結晶を
１ｑた。
得られたテトラゾニウム塩１よ、分解点１１３℃、赤外
線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は第１図に示すとお
りであり、２２００Ｃ１１１−’にＮ２に基づく吸収帯
が認められた。
線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は第１図に示すとお
りであり、２２００Ｃ１１１−’にＮ２に基づく吸収帯
が認められた。
実施例２（ジスアゾ化合物のＮＯ，１の製造）２−ヒド
ロキシ−３−カフトエ酸アニリド（カップリング成分）
１．１１（ｌをＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１４
０ｍＪ２に溶解し、この溶液中に実施例１で得られたテ
トラゾニウム塩０．９７９を加えた。次いで、酢酸ナト
リウム０，６９ ａを水７ｍ℃に溶解した溶液を、２２
〜２６℃で４０分を要して滴下した。その後室温で３時
間攪拌を行った後生成した沈澱を戸数し、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド２００ｍβで３回、次いで水２００ｍ
βで２回洗浄した。減圧下で加熱乾燥し、表１に示した
化合物Ｎ０１１のジスアゾ化合物１．３５（１（収率８
３．３％）を得た。得られたジスアゾ化合物の赤外線吸
収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を第２図に示した。
ロキシ−３−カフトエ酸アニリド（カップリング成分）
１．１１（ｌをＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１４
０ｍＪ２に溶解し、この溶液中に実施例１で得られたテ
トラゾニウム塩０．９７９を加えた。次いで、酢酸ナト
リウム０，６９ ａを水７ｍ℃に溶解した溶液を、２２
〜２６℃で４０分を要して滴下した。その後室温で３時
間攪拌を行った後生成した沈澱を戸数し、Ｎ、Ｎ−ジメ
チルホルムアミド２００ｍβで３回、次いで水２００ｍ
βで２回洗浄した。減圧下で加熱乾燥し、表１に示した
化合物Ｎ０１１のジスアゾ化合物１．３５（１（収率８
３．３％）を得た。得られたジスアゾ化合物の赤外線吸
収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）を第２図に示した。
実施例３〜１９（ジスアゾ化合物Ｎ０８２〜１８の製造
） 実施例２においてカップリング成分として下記表２の化
合物を用いた他は実施例２と同じ方法で表１に示したジ
スアゾ化合物Ｎ０．２〜１８を製造した。
） 実施例２においてカップリング成分として下記表２の化
合物を用いた他は実施例２と同じ方法で表１に示したジ
スアゾ化合物Ｎ０．２〜１８を製造した。
２１−
表 ２
実施例２０（ジスアゾ化合物Ｎｏ、１９の製３！Ｉ）２
−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイル−１１１−１
−ベンゾ（ａ）ノＪルバゾール（カップリング成分）
１．４８（ｌを Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１４
０ｍｊ２に溶解し、この溶液中に実施例１で得られたテ
トラゾニウム塩０．９２（］を加えた。
−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイル−１１１−１
−ベンゾ（ａ）ノＪルバゾール（カップリング成分）
１．４８（ｌを Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１４
０ｍｊ２に溶解し、この溶液中に実施例１で得られたテ
トラゾニウム塩０．９２（］を加えた。
次いで酢酸ナトリウム ０．６９（ｌを水７ＩＩｌβに
溶解した溶液を２８〜３０℃で５分を要して滴下した。
溶解した溶液を２８〜３０℃で５分を要して滴下した。
その後室温で３時間攪拌を行った後、生成した沈澱を濾
取し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２００ｍβで４回
、次いで水２００１１１Ｊ２で２回洗浄した。
取し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２００ｍβで４回
、次いで水２００１１１Ｊ２で２回洗浄した。
減圧下で加熱乾燥して表１に示した化合物Ｎｏ。
１９のジスアゾ化合物１．６５０ （収率８３．３％）
を得た。
を得た。
得られたジスアゾ化合物の赤外線吸収スペクトル（ＫＢ
ｒ錠剤法）を第３図に示した。
ｒ錠剤法）を第３図に示した。
実施例２１〜３７（ジスアゾ化合物ＮＯ，２０〜３６の
製造） 実施例２０においてカップリング成分として下表３の化
合物を用いた他は実施例２０と同じ方法で表１に示した
ジスアゾ化合物Ｎ０．２０〜３６を製造した。
製造） 実施例２０においてカップリング成分として下表３の化
合物を用いた他は実施例２０と同じ方法で表１に示した
ジスアゾ化合物Ｎ０．２０〜３６を製造した。
２５−
表 ３
２６−
第１図は実施例１で１ｑられたテトラゾニウム珈の赤外
線吸収スペクトル図であり、第２図、並びに第３図は実
施例２並び３で得られ１ｃジスアゾ化合物Ｎ０１１及び
ジスアゾ化合物Ｎ０．１９の各々の赤外線吸収スペクト
ル図である。 特許出願人 株式会社リコー 代理人 弁理士 小松秀岳
線吸収スペクトル図であり、第２図、並びに第３図は実
施例２並び３で得られ１ｃジスアゾ化合物Ｎ０１１及び
ジスアゾ化合物Ｎ０．１９の各々の赤外線吸収スペクト
ル図である。 特許出願人 株式会社リコー 代理人 弁理士 小松秀岳
Claims (2)
- （１）一般式（Ｉ） （Ｉ） （式中Ｘはベンゼン環、ナフタレン環、カルバゾール環
、ベンゾフラン環またはそれらの置換体を、Ａ ｒ ＋
はベンゼン環、ナフタレン環、ジベンゾフラン環または
それらの置換体を示す。） で表される新規なジスアゾ化合物。 - （２） 一般式（Ｉ） （Ｉ） ゛ （式中Ｘはアニオン官能基を示す。） で表わされるテＩ・ラゾニウム塩と、 一般式（Ｉ） （式中Ｘはベンゼン環、ナフタレン環、カルバゾール環
、ベンゾフラン環またはそれらの置換体を、Ａｃ１はベ
ンゼン環、ナフタレン環、ジベンゾフラン環またはそれ
らの置換体を示す。） で表わされる化合物とを反応させることを特徴とする一
般式（Ｉ） ″ 〈式中Ｘはベンゼン環、ナフタレン環、カルバゾール環
、ベンゾフラン環またはそれらの置換体を、Ａｃ１はベ
ンピン環、ナフタレン環、ジベンゾフラン環またはそれ
らの置換体を示′？ｌ′。） で表わされる新規なジスアゾ化合物の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10399682A JPS58222152A (ja) | 1982-06-18 | 1982-06-18 | 新規なジスアゾ化合物及びその製造法 |
| US06/500,051 US4486519A (en) | 1982-06-18 | 1983-06-01 | Bisazo compounds and electrophotographic photoconductors comprising the bisazo compounds |
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1982
- 1982-06-18 JP JP10399682A patent/JPS58222152A/ja active Granted
Cited By (7)
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Also Published As
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