JPS5838465B2 - ジスアゾ化合物及びその製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なジスアゾ化合物及びその製造法に関する
。

従来、有機化合物の中には電子写真方式において使用さ
れる感光体の光導電性素材として例えばインジゴ系化合
物、フタロシアニン系化合物などの有用なものがあるこ
とが知られている。

ここにいう「電子写真方式」とは一般に光導電性の感光
体をまず暗所で、例えばコロナ放電などにより帯電せし
め、ついで像露光して露光部のみの電荷を選択的に放電
させることにより静電潜像を得て、この潜像部をトナー
などを用いた現像手段で可視化して画像を形成するよう
にした画像形成法の一つである。

このような電子写真方式における感光体に要求される基
本的な特性としては、（１）暗所において適当な電位に
帯電されること、（２）暗所における電荷の放電が少な
いこと、（３）光照射により速やかに電荷を放電するこ
と、などが挙げられる。

しかし従来の光導電性有機化合物はこれらの要求を必ら
ずしも充分に満足していないのが実情である。

一力、セレンや酸化亜鉛は光導電性無機材料として知ら
れており、中でもセレンは広く実用に供されていること
は事実である。

しかし最近の電子写真方式においては様々なプロセスが
採られるようになって来たことから、これらプロセスの
いずれにも適合する感光体が要求されるようになって来
ており、換言すれば一例として前述の基本的特性に加え
て例えばその形状についても可撓性のあるベルト状の感
光体などが要求されるようになって来ている。

しかしセレンの場合は一般にこのような形状のものに作
成することは困難である。

本発明の目的は以上のような感光体の光導電性素材の持
つ欠点を除去した、殊に光導電性素材として有用な新規
なジスアゾ化合物及びその製造法を提供することにある
。

即ち本発明の一つは、一般式 （但しＲ１は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニト
ロ基、低級ジアルキルアミノ基又はハロゲンＲ２はニト
ロ基、ｎは０，１，２又は３の整数であり、ｎが２又は
３の整数である場合にはＲ１は同−又は異なった基のい
ずれでもよい。

）を表わす。

〕で示される新規なジスアゾ化合物である。

この新規なジスアゾ化合物は常温において有色の結晶体
であり、その具体例を示せば次の通りである。

なおこれらのジスアゾ化合物のうち、（Ｉ） 、 （Ｉ
（） 。

（Ｖｌ） 、 （ｖＩｌｌ 、 （Ｄｏ 、 （ＸＩ、
及ヒ（ｘｌＩＩ）ノ赤外線吸収スヘクトル（ＫＢｒ錠剤
）を第２図、第３図、第４図、第５図、第６図、第７図
及び第８図に夫々示した。

これらのジスアゾ化合物は下記のような手段によって製
造することができる。

即ち本発明の他の一つは例えば１，４−ビス（４−ニト
ロスチリル）ベンゼンを還元して得られる式 テ示すれる１、４−ビス（４−アミノスチリル）ベンゼ
ンをジアゾ化して式 （但しＸはアニオン官能基を表わす。

）で示されるテトラゾニウム塩とし、これを一般式〔但
しくａ） 、 （ｂ）において、Ｒ１は低級アルキル基
、低級アルコキシ基、ニトロ基、低級ジアルキルアミン
基又はハロゲンＲ２はニトロ基、ｎは０，１゜２又は３
の整数であり、ｎが２又は３の整数である場合には、Ｒ
１は同−又は異なった基のいずれでもよい。

〕で示される化合物と反応させることを特徴とする前記
の新規ジスアゾ化合物の製造法である。

ここで使用される１、４−ビス（４−アミノスチリル）
ベンゼンは新規化合物であって、例えば式 で示される１、４−ビス（４−ニトロスチリル）ベンゼ
ン（Ｗ、５ｔｉｌｚらの方法によって得られる。

西ドイツ国特許公告公報第１，１０８，２１９号参照）
を還元して得られる。

この還元は、ニトロ基の還元によく用いられる鉄−塩酸
等の還元剤の存在下に、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
等の有機溶媒中、８００〜１１０℃の温度で約３０分〜
２時間反応させることにより達成される。

次にこうして得られた１、４−ビス（４−アミノスチリ
ル）ベンゼンのジアゾ化は、これを希塩酸或いは希硫酸
のような希薄無機酸中で亜硝酸ナトリウム水溶液を一１
０℃〜１０℃で添加することにより行なわれる。

このジアゾ化反応は３０分から３時間で完結する。

更に反応混合物に例えば硼弗化水素酸などを加えてテト
ラゾニウム塩として沈澱させ、濾過して結晶を得ること
が望ましい。

このテトラゾニウム塩も新規化合物である。

ついでこのテトラゾニウム塩に前記（ａ）又は（ｂ）の
化合物（カップラー）を添加して、テトラゾニウム塩と
カップリング成分とのカップリング反応を起こさせる。

実際にはこの反応はＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドなど
の有機溶媒にテトラゾニウム塩及びカップリング成分を
混合溶解しておき、これに約−１０°〜１０℃の温度で
酢酸ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液を滴下する
ことにより行なわれる。

この反応は５分から３時間で完結する。

本発明のジスアゾ化合物は、電子写真用感光体の光導電
性素材として有用である。

従って、例えば （１） ジスアゾ化合物をポリエステル、ポリアミド
、ポリウレタン ポリケトン ポリカーボネートポリス
チレン、ポリビニルトルエンなどの適当な樹脂に直径約
０．０５〜５μの微細粒子として分散した層を導電性支
持体上に設けた感光体（２）上記（１）の系に、更に無
機光導電性材料（例えば公知の硫化カドミウム、硫化カ
ドミウム〜セレン合金等）或いは有機光導電性材料（例
えば公知のポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニル
ピレン等）を添加した感光体 （３）導電性支持体上に適当な方法で厚さ約０．０５〜
１０μのジスアゾ化合物の薄層を形成せしめ、更にその
上に他の光導電性物質を形成せしめた積層タイプの感光
体 などが、新規ジスアゾ化合物の用途例として挙げること
ができる。

このようにして作られた感光体は従来品に比べて何等の
遜色もなく本発明の目的を充分達成できるものである。

次に本発明の新規ジスアゾ化合物による効果を感光体の
用途例で説明する。

ポリエステル樹脂（デュポン社製、ポリエステルアドヒ
ーシブ４９０００）１重量部１，４１のジスアゾ顔料１
重量部及びテトラヒドロフラン２６重量部をボールミル
中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着し
たポリエステルフィルム上にドクターブレードを用いて
塗布し１００℃で１０分間乾燥して厚さ７μの感光層を
持った感光体を得た。

次にこの感光体の感光層面に市販の静電複写紙試験装置
により＋６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行なって正帯電
させた後、２０秒間暗所に放置し、その時の表面電位■
、。

（ボルト）を測定し、ついでタングステンランプから、
その表面照度が２０ルツクスになるよう感光層に光照射
を施し、その表面電位が■ｐｏの１／２になる迄の時間
（秒）を求めて半減露光量Ｅｌ／２（ルックス・秒）（
光感度）とした。

その結果は■、。＝６５０Ｖ 。Ｅｌ／２＝６．５ルツ
クス・秒と、高光感度を示した。

以下に実施例により本発明の詳細を示す。

実施例 １ （１，４−ビス（４−アミノスチリル）ベンゼンの製造
） 鉄粉５０ｇ、濃塩酸１２ｒｒＬｌ、水５０ｍ１及びＮ。

Ｎ−ジメチルホルムアミド８００ＴＩＬｌからなる混合
物中に、１，４−ビス（４−ニトロスチリル）ベンゼン
２５．９ｇを加え、９０〜１００℃の温度で１．５時間
激しく攪拌した後、熱時に１０φ炭酸ナトリウム水溶液
でｐＨ８とし、不溶分を熱ｐ過する。

ｐ液から黄色の結晶が析出するから、これを済取する。

水洗、乾燥した後、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアルデヒド
から再結晶して黄色結晶（融点３００°Ｃ以上）の１，
４−ビス（４−アミノスチリル）ベンゼン２ｏ、９ｇ（
収率９５．７係）を得る。

計算値 元素分析値 （ｃ２．Ｈ２ｏＮ２）実測値Ｃ（φ）
８４．５８ ８４．３０Ｈ（係） ６．
４５ ６．４６Ｎ（倒） ８．９７
８．９５赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤） νＮＨ： ３４００〜３５００ｃｘ ’δｔｒａｎｓ
−（ＣＨ＝ＣＨ）：９６２ＣｒｒＬ−１このものの赤
外吸収スペクトルを第１図に示す。

実施例 ２ （ジスアゾ化合物／％Ｉの製造） 実施例１で得られた１、４−ビス（４−アミノスチリル
）ベンゼン１６．１．９を濃塩酸１００７７１１及び水
１００ＴＬｌから調製した希塩酸を加えて６０℃で約３
０分間よく攪拌する。

次にこの混合物を約Ｏ℃に冷却し、これに、亜硝酸ナト
リウム７．５ｇを水１２１１１１に溶解した溶液を一１
°〜０℃で約３０分間に亘って添加する。

その後、同温度で３０分間間柱攪拌し、少量の未反応物
を済別し、そのろ液を４２％硼弗化水素酸８０ｍ７１！
中に注入して、析出する結晶を炉取し水洗した後、乾燥
して２６．５ｇ（収率８９．８％）のテトラゾニウムジ
フルオロボレートを赤橙色結晶（分解点、約１３０℃）
として得る。

このようにして得たテトラゾニウム塩２．０．９と、カ
ップリング成分として２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸
アニリド２．２ｇとを、冷却したＮ、Ｎジメチルホルム
アミド３７０ＴＬｌに溶解し、これに酢酸ナトリウム３
．９ｇ及び水６２ｍ１からなる溶液を４〜８°Ｃで１時
間に亘って滴下し、冷却を中止した後、更に室温で３時
間攪拌する。

その後、生成した沈澱を炉取し、水３００７７１１で３
回洗浄してからＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド３０９縦
で８回洗浄する。

更にアセトンでＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドを洗い流
し、７０℃で２ｍｍＨｇの減圧下に乾燥して化合物／１
６１のジスアゾ化合物２．９ｇ（収率８５．３咎）を得
る。

実施例 ３〜１５ （ジスアゾ化合物ＡＩＩ〜■の製造） カップリング成分として表記の化合物を用いた他は実施
例２と同じ方法で腐ＩＩ〜別のジスアゾ化合物を製造し
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のジスアゾ化合物製造の為の中間体であ
る１、４−ビス（４−アミノスチリル）ベンゼン、第２
〜８図は本発明の各種ジスアゾ化合物の赤外線吸収スペ
クトルである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １一般式 （但しＲ１は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ニト
   ロ基、低級ジアルキルアミン基又はハロゲン、Ｒ２はニ
   トロ基、ｎは０，１，２又は３の整数であり、ｎが２又
   は３の整数である場合はＲ１は同−又は異なった基のい
   ずれでもよい。 ）を表わす。 〕で示されるジスアゾ化合物。 ２式 （但しＸはアニオン官能基を表わす。 で示されるテトラゾニウム塩を一般式 （） ） ［但しくａ） 、 （ｂ）において、Ｒ１は低級アルキ
   ル基、低級アルコキシ基、ニトロ基、低級ジアルキルミ
   ノ基又はハロゲン、Ｒ２はニトロ基、ｎは０，１゜２又
   は３の整数であり、ｎが２又は３の整数である場合には
   Ｒｏは同−又は異なった基のいずれでもよい。 〕で示される化合物と反応させることを特徴とする一般
   式 （但しＲ１、Ｒ２、ｎｌ＊前述の通り）を表わす。 〕で示されるジスアゾ化合物の製造法。