KR20060076499A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 본 발명의 사상은 제1 접합영역이 형성된 반도체 기판 상에 제1 식각 정지막, 제1 층간 절연막, 제2 층간 절연막, 제2 식각 정지막, 버퍼 산화막, 하드마스크용 제1 도전막을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 결과물에서 상기 제1 식각 정지막이 노출될 때까지 패터닝하여 상기 제1 접합영역을 노출하기 위한 콘택홀을 정의하는 단계, 상기 패터닝된 막질들을 식각 마스크로 상기 제1 식각 정지막을 패터닝하는 단계, 상기 결과물 상에 상기 하드마스크용 제1 도전막과 동일한 도전막을 형성하고, 상기 버퍼산화막이 노출될 때까지 평탄화 공정을 수행하여, 콘택 플러그를 정의하는 단계, 상기 콘택플러그가 형성된 결과물 상에 제3 층간 절연막, 하드마스크용 제2 도전막 및 반사방지막을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 결과물에서 상기 제2 식각 정지막이 노출될 때까지 패터닝하여 상기 콘택플러그를 노출하기 위한 트렌치를 정의하는 단계, 상기 패터닝된 막질들을 식각 마스크로 상기 제2 식각 정지막을 패터닝하는 단계 및 상기 결과물 상에 상기 하드마스크용 제2 도전막과 동일한 도전막을 형성하여, 금속배선을 정의하는 단계를 포함한다.
금속배선

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법{Method of forming metal line in semiconductor device}
도 1 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이고,
도 8 및 도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
12, 20: 식각 정지막 14, 18, 28: 층간 절연막
22: 버퍼 산화막 24: 하드 마스크용 폴리 실리콘막
30: 하드마스크용 텅스텐막 32: 반사 방지막
16: 소스 콘택플러그 26: 드레인 콘택 플러그
34: 금속배선
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 금속배선 형성 공정에 있어서, 상기 금속배선을 정의하기 위한 식각 공정시 식각 정지시점을 정의하는 식각 정지막을 형성한다.
그러나 금속배선을 정의하기 위한 식각공정시 오버식각이 진행되면 하부막질들에 손상을 가하게 되어 반도체 소자의 열화를 가져오게 되는 단점이 있다.
따라서 금속배선을 정의하기 위한 식각 공정시 오버식각이 되더라도 하부막질들에 가해지는 손상을 최소화하는 기술이 요구되고 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 사상은 금속배선을 정의하기 위한 식각 공정시 오버식각이 되더라도 하부막질들에 가해지는 손상을 최소화할 수 있는 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 사상은 제1 접합영역이 형성된 반도체 기판 상에 제1 식각 정지막, 제1 층간 절연막, 제2 층간 절연막, 제2 식각 정지막, 버퍼 산화막, 하드마스크용 제1 도전막을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 결과물에서 상기 제1 식각 정지막이 노출될 때까지 패터닝하여 상기 제1 접합영역을 노출하기 위한 콘택홀을 정의하는 단계, 상기 패터닝된 막질들을 식각 마스크로 상기 제1 식각 정지막을 패터닝하는 단계, 상기 결과물 상에 상기 하드마스크용 제1 도전막과 동일한 도전막을 형성하고, 상기 버퍼산화막이 노출될 때까지 평탄화 공정을 수행하여, 콘택 플러그를 정의하는 단계, 상기 콘택플러그가 형성된 결과물 상에 제3 층간 절연막, 하드마스크용 제2 도전막 및 반사방지막을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 반사방지막을 패터닝하여 트렌치가 형성될 영역을 정의하면서 동시에 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막으로 형성하는 단계, 상기 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막을 식각 마스크로 상기 하드마스크를 패터닝하는 단계, 상기 결과물에서 상기 제2 식각 정지막이 노출될 때까지 패터닝하여 상기 콘택플러그를 노출하기 위한 트렌치를 정의하는 단계, 상기 패터닝된 막질들을 식각 마스크로 상기 제2 식각 정지막을 패터닝하는 단계 및 상기 결과물 상에 상기 하드마스크용 제2 도전막과 동일한 도전막을 형성하고, 상기 제3 층간 절연막이 노출될 때까지 평탄화 공정을 수행하여, 금속배선을 정의하는 단계를 포함한다.
상기 하드마스크용 제1 도전막은 폴리실리콘막인 것이 바람직하다.
상기 하드마스크용 제2 도전막은 텅스텐막인 것이 바람직하다.
상기 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막의 패터닝 공정은 HBr가스를 사용한 식각공정을 통해 수행하는 것이 바람직하다.
상기 하드 마스크의 패터닝 공정은 SF6, Cl2, O2, BCl3 및 N 2 의 조합으로 형성된 화합물을 통해 수행되는 식각공정인 것이 바람직하다.
상기 제2 식각 정지막이 노출될 때까지만 수행하는 식각 공정은 C4F8, CH2F 2, Ar 및 O2의 혼합가스, C4F8, CH2F2 및 Ar의 혼합가스, C5F8, Ar 및 O2 의 혼합가스, C5F8, Ar 및 O2 CH2F2의 혼합가스 중 어느 하나의 혼합가스를 통해 수행하는 것이 바람직하다.
상기 버퍼산화막이 노출될 때까지 수행되는 상기 폴리실리콘막의 평탄화 공정시 상기 폴리실리콘막인 하드 마스크까지 제거되는 것이 바람직하다.
상기 제2 식각정지막이 노출될 때까지 수행되는 상기 텅스텐막의 평탄화 공정시 상기 텅스텐막인 하드 마스크까지 제거되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있지만 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되어지는 것이다. 또한 어떤 막이 다른 막 또는 반도체 기판의 '상'에 있다 또는 접촉하고 있다 라고 기재되는 경우에, 상기 어떤 막은 상기 다른 막 또는 반도체 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는 그 사이에 제 3의 막이 개재되어질 수도 있다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자의 콘택 플러그 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 반도체 기판(10) 상의 소정 영역에 서로 평행한 복수개의 소자 분리막들(미도시)을 형성하여 활성영역을 정의한다. 낸드 플래쉬 메모리소자는 셀 영역(미도시) 및 주변회로 영역(미도시)으로 크게 구분 정의되는 데, 셀 지역은 복수개의 스트링으로 구성되며, 각 스트링에는 소스 선택 트랜지스터(미도시), 복수개의 메모리셀들(미도시) 및 드레인 선택 트랜지스터(미도시)가 직렬로 연결되어 형성된다. 주변회로 영역(미도시)은 주변 트랜지스터가 형성된다.
상기 형성된 트랜지스터 및 메모리셀들이 구비된 전체 구조 상부에 이온주입공정을 수행하여, 소스 선택 트랜지스터 일측의 반도체 기판 내부에 소스 영역(미도시)을 형성하고, 드레인 선택 트랜지스터 일측의 반도체 기판 내부에 드레인 영역(미도시)을 형성하고, 상기 메모리셀들 사이에는 불순물 영역(미도시)을 형성한다.
상기 전체 구조상에 제1 식각 정지막(12) 및 제1 층간 절연막(14)을 형성하고, 상기 소스 영역을 노출하는 소스 콘택 플러그(16)를 형성한다.
상기 소스 콘택 플러그(16)가 구비된 전체 구조상에 제2 층간 절연막(18), 제2 식각 정지막(20), 버퍼 산화막(22), 하드 마스크용 폴리 실리콘막(24)을 순차적으로 형성한다.
상기 패터닝 공정을 위한 하드 마스크로는 폴리 실리콘막을 형성하는 데, 이를 형성하는 것은 이후 하드 마스크 상부에 형성될 포토레지스트에 대해 식각공정 수행시 마진확보를 위함이고, 후속 콘택홀 내에 폴리 실리콘막 매립 후 수행되는 에치백 공정과 같은 평탄화 공정시 동시에 제거될 수 있도록 하기 위해 형성된다.
상기 하드 마스크용 폴리 실리콘막(24)의 소정 영역 상에 드레인 콘택 플러그를 형성하기 위한 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성한다.
도 2를 참조하면, 상기 형성된 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 식각 마스크로 하부의 제1 식각 정지막(12)이 노출될 때까지 식각공정을 수행한다.
이어서, 상기 식각된 막질들을 식각 마스크로 상기 노출된 제1 식각 정지막(12)에 식각 공정을 수행하여 드레인 영역을 노출하는 드레인 콘택홀(DT)을 형성한다.
상기 제1 식각 정지막에서 정지된 식각 공정후 제1 식각 정지막의 식각공정을 수행함으로써, 반도체 기판의 손실이 최소화되도록 균일하게 조절하여 균일한 콘택저항을 구현하도록 한다.
도 3을 참조하면, 상기 드레인 콘택홀(DT)이 형성된 결과물 상부에 폴리 실리콘막을 형성하고, 상기 버퍼 산화막(22)이 노출될 때까지 에치백 공정과 같은 평탄화 공정을 수행하여 드레인 콘택 플러그(26)를 형성한다.
상기 에치백 공정시 드레인 콘택 플러그 내부의 폴리 실리콘막과 인접한 절연막질간에 단차를 가지도록 한다.
상기 드레인 콘택 플러그(26)형성을 위한 에치백 공정시 하부의 하드 마스크용 폴리 실리콘막(24)까지 제거된다.
도 4를 참조하면, 상기 드레인 콘택 플러그(26)가 형성된 결과물 상에 제3 층간 절연막(28), 하드마스크용 텅스텐막(30) 및 반사 방지막(32)을 순차적으로 형 성한다. 상기 반사방지막(32)상부에 금속배선을 정의하기 위한 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 형성한다.
상기 하드 마스크를 텅스텐막으로 형성하는 것은 후속 트렌치 내에 텅스텐 매립 후 수행되는 평탄화 공정시 동시에 제거될 수 있도록 하기 위해 형성된다.
도 5를 참조하면, 상기 형성된 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 식각 마스크로 상기 반사방지막을 식각하여, 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막(32)을 형성한다.
상기 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막(32)의 형성을 위한 식각 공정시 HBr가스를 사용하면 폴리머가 다량 발생하게 되어 반사방지막 패턴 하부에 증착됨으로써 상기와 같은 삼각형 형상의 프로파일이 형성된다.
상기 제2 포토레지스트 패턴(PR2) 및 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사 방지막(32)을 식각 마스크로 하드마스크용 텅스텐막(30)을 패터닝한다.
상기 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막으로 형성으로 인해, 하부의 하드 마스크용 텅스텐막의 CD를 증가시킬 수 있다.
상기 텅스텐막인 하드 마스크의 패터닝을 위한 식각 공정은 SF6, Cl2, O2, BCl3, N2 의 조합으로 형성된 화합물을 통해 수행된다.
도 6을 참조하면, 상기 패터닝된 하드 마스크용 텅스텐막(30)과 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사 방지막(32)을 식각 마스크로 하부의 제2 식각 정지막(20)이 노출될 때까지 식각 공정을 수행하여 트렌치(MT)를 형성한다.
상기 트렌치(MT) 하부에는 제2 식각 정지막(20)이 잔존하고 있는 데, 후속 공정인 금속배선용 도전막 매립 공정시 제2 식각 정지막 상부에 금속배선용 도전막이 형성된다. 이때, 상기 형성된 드레인 콘택 플러그(26)와 이후 형성된 금속배선이 접촉되도록 하기 위해, 상기 드레인 콘택 플러그 상부에 형성된 제2 식각 정지막(20)은 제거하는 공정을 수행한다.
상기 트렌치 식각 공정이 식각정지막이 노출될 때 정지됨으로써, 균일한 두께의 금속배선이 구현되고, 이로 인해 하부의 콘택형성을 위한 식각 공정시 하부 산화막의 두께를 낮게 적용하여 콘택 식각 마진을 확보하게 된다.
상기 제2 식각 정지막이 노출될 때까지만 수행하는 식각 공정은 산화막인 층간 절연막과 식각 정지막에 대한 높은 선택비를 가진 공정으로 수행하는 데, 이때 수행되는 식각공정은 C4F8, CH2F2, Ar 및 O2의 혼합가스, C4F8, CH2F2 및 Ar의 혼합가스, C5F8, Ar 및 O2 의 혼합가스, C5F8, Ar 및 O 2 CH2F2의 혼합가스를 사용하여 수행한다.
도 7을 참조하면, 상기 트렌치(MT)가 형성된 결과물 상에 텅스텐막과 같은 도전막을 형성하고 상기 제3 층간 절연막(28)이 노출될 때까지 평탄화 공정을 수행하여, 금속배선(34)의 형성공정을 완료한다.
상기 트렌치 내에 텅스텐 매립 후 수행되는 평탄화 공정시 상기 하드마스크용 텅스텐막(30) 또한 동시에 제거될 수 있다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하는 단면도들이다.
도 8을 참조하면, 상기 제1 실시예의 도 3의 단계까지 동일하고, 상기 도 3의 단계가 완료된 결과물 상에 제3 층간 절연막(28), 반사방지막(32)을 순차적으로 형성한다. 상기 반사방지막(32)상부에 금속배선을 정의하기 위한 제2 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 상기 형성된 제2 포토레지스트 패턴(미도시)을 식각 마스크로 상기 반사방지막을 식각하여, 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막(32)을 형성한다.
상기 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사 방지막(32) 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하부의 제2 식각 정지막(20)이 노출될 때까지 식각 공정을 수행하여 트렌치(MT)를 형성한다.
상기 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사 방지막(32) 및 상기 제2 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용함으로써, 제3 층간 절연막(28), 버퍼산화막(22)은 경사면(slope)을 가지도록 패터닝된다.
상기 트렌치(MT) 하부에는 제2 식각 정지막(20)이 잔존하고 있는 데, 후속 공정인 금속배선용 도전막 매립 공정시 제2 식각 정지막 상부에 금속배선용 도전막이 형성된다. 이때, 상기 형성된 드레인 콘택 플러그(26)와 이후 형성된 금속배선이 접촉되도록 하기 위해, 상기 드레인 콘택 플러그 상부에 형성된 제2 식각 정지막(20)은 제거하는 공정을 수행한다.
도 9를 참조하면, 상기 결과물 전면에 상기 트렌치(MT)가 형성된 결과물 상에 텅스텐막과 같은 도전막을 형성하고 상기 제3 층간 절연막(28)이 노출될 때까지 평탄화 공정을 수행하여, 금속배선(34)의 형성공정을 완료한다.
본 발명에 의하면, 식각정지막이 노출될 때까지만 트렌치 및 콘택홀 형성 식각을 수행함으로써, 금속배선을 정의하기 위한 식각 공정시 오버식각이 되더라도 하부의 절연막에 가해지는 손상을 최소화할 수 있으면서 동시에 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막을 구비함으로써, DICD를 증가시켜 포토레지스트 마진을 확보할 수 있다.
또한 하부의 절연막들의 손상을 방지하는 막질의 형성을 생략할 수 있게 되어, 금속배선의 충분한 폭을 확보할 수 있게 됨으로써, 공정수의 단축 및 비용절감의 효과가 있다.
또한, 식각정지막이 노출될 때까지만 트렌치 및 콘택홀 형성 식각을 수행함으로써, 트렌치 및 콘택홀의 일정한 깊이조절이 가능하게 되어 트렌치 및 콘택홀이 형성되는 절연막을 원하는 높이까지만 형성하게 되고, 상기 절연막에 대한 식각 마진 또한 확보할 수 있게 된다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 식각정지막이 노출될 때까지만 트렌치 및 콘택홀 형성 식각을 수행함으로써, 금속배선을 정의하기 위한 식각 공정시 오버식각이 되더라도 하부의 절연막에 가해지는 손상을 최소화할 수 있으면서 동시에 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막을 구비함으로써, 현상 후 임계크기(DICD: development inspection critical dimention)를 증가시켜 포토레지스 트 마진을 확보할 수 있는 효과가 있다.
또한 하부의 절연막들의 손상을 방지하는 막질의 형성을 생략할 수 있게 되어, 금속배선의 충분한 폭을 확보할 수 있게 됨으로써, 공정수의 단축 및 비용절감의 효과가 있다.
또한, 식각정지막이 노출될 때까지만 트렌치 및 콘택홀 형성 식각을 수행함으로써, 트렌치 및 콘택홀의 일정한 깊이조절이 가능하게 되어 트렌치 및 콘택홀이 형성되는 절연막을 원하는 높이까지만 형성하게 되고, 상기 절연막에 대한 식각 마진 또한 확보할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 실시 예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 변형이나 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이며, 그러한 변형이나 변경은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 할 것이다.

Claims (8)

  1. 제1 접합영역이 형성된 반도체 기판 상에 제1 식각 정지막, 제1 층간 절연막, 제2 층간 절연막, 제2 식각 정지막, 버퍼 산화막, 하드마스크용 제1 도전막을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 결과물에서 상기 제1 식각 정지막이 노출될 때까지 패터닝하여 상기 제1 접합영역을 노출하기 위한 콘택홀을 정의하는 단계;
    상기 패터닝된 막질들을 식각 마스크로 상기 제1 식각 정지막을 패터닝하는 단계;
    상기 결과물 상에 상기 하드마스크용 제1 도전막과 동일한 도전막을 형성하고, 상기 버퍼산화막이 노출될 때까지 평탄화 공정을 수행하여, 콘택 플러그를 정의하는 단계;
    상기 콘택플러그가 형성된 결과물 상에 제3 층간 절연막, 하드마스크용 제2 도전막 및 반사방지막을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 반사방지막을 패터닝하여 트렌치가 형성될 영역을 정의하면서 동시에 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막으로 형성하는 단계;
    상기 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막을 식각 마스크로 상기 하드마스크를 패터닝하는 단계;
    상기 결과물에서 상기 제2 식각 정지막이 노출될 때까지 패터닝하여 상기 콘택플러그를 노출하기 위한 트렌치를 정의하는 단계;
    상기 패터닝된 막질들을 식각 마스크로 상기 제2 식각 정지막을 패터닝하는 단계; 및
    상기 결과물 상에 상기 하드마스크용 제2 도전막과 동일한 도전막을 형성하고, 상기 제3 층간 절연막이 노출될 때까지 평탄화 공정을 수행하여, 금속배선을 정의하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 하드마스크용 제1 도전막은
    폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 하드마스크용 제2 도전막은
    텅스텐막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 삼각형 형상의 프로파일을 갖는 반사방지막의 패터닝 공정은
    HBr가스를 사용한 식각공정을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  5. 제1 항 또는 제3 항에 있어서, 상기 하드 마스크의 패터닝 공정은
    SF6, Cl2, O2, BCl3 및 N2 의 조합으로 형성된 화합물을 통해 수행되는 식각공정인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 제2 식각 정지막이 노출될 때까지만 수행하는 식각 공정은 C4F8, CH2F2, Ar 및 O2의 혼합가스, C4 F8, CH2F2 및 Ar의 혼합가스, C5F8, Ar 및 O2 의 혼합가스, C5F8, Ar 및 O2 CH2F2 의 혼합가스 중 어느 하나의 혼합가스를 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  7. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 버퍼산화막이 노출될 때까지 수행되는 상기 폴리실리콘막의 평탄화 공정시 상기 폴리실리콘막인 하드 마스크까지 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  8. 제1 항 또는 제3 항에 있어서,
    상기 제2 식각정지막이 노출될 때까지 수행되는 상기 텅스텐막의 평탄화 공정시 상기 텅스텐막인 하드 마스크까지 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
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