KR20050043706A - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

처리액을 안정하게 도포할 수 있음과 동시에, 소형화된 기판처리장치 및 처리액을 안정하게 도포할 수 있는 기판처리방법을 제공한다.
수직반송유니트(7)와 레지스트도포처리유니트(CT)가 간격(h)을 두고 배치되어 있다. 이 때문에 수직반송유니트(7)의 진동에 의해 글래스 기판(G)으로의 레지스트 도포처리가 불안정하게 되는 것을 방지할 수 있다. 또한 수직반송유니트(7)의 주위에 레지스트 도포처리유니트(CT) 및 감압건조유니트(53b,53b)가 배치되어 있다. 이 때문에 수직반송유니트(7), 감압건조유니트(53b,53b) 및 레지스트 도포처리유니트(CT)가 일방향으로 병렬설치되는 것을 회피하여 도포현상처리장치(1)의 소형화를 도모할 수 있다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 액정표시디바이스등에 사용되는 글래스기판을 처리하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
LCD(Liquid Crystal Display)등의 제조에 있어서는, LCD용의 글래스기판 상에 ITO(Indium Tin Oxide)의 얇은 막이나 전극패턴을 형성하기 위해서, 반도체디바이스의 제조에 사용되는 것과 같은 포토리소그래피기술이 이용된다. 포토리소그래피기술에서는, 포토레지스트를 글래스기판에 도포하고, 이것을 노광하며, 또한 현상한다.
종래로부터, 글래스기판에 대하여 일련의 처리를 실시하기 위한 복수의 처리부를 가지는 장치가 사용되고 있다. 이 장치는, 예를들면 글래스기판을 반송하기 위해서, 장치의 길이방향으로 이동 가능한 이동(반송)부재를 구비하고 있다. 이 이동부재의 이동방향(장치의 길이방향)에 교차하는 방향의 양측에, 복수의 액처리유니트나 열처리유니트가 배치되어 있다. 액처리유니트, 프로세스 플로우를 의식하여 글래스기판에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포처리유니트, 글래스기판에 도포된 레지스트를 감압하에서 건조하기 위한 감압건조유니트 및 도포된 레지스트의 가장자리를 제거하기 위한 가장자리 테두리바 등이 장치의 길이방향에 일렬로 배열되어 구성되어 있다(예를들면, 특허문헌1 참조).
[특허문헌1] 일본 특허공개 2002-334918호 공보(단락[0021], [0023], 도 1, 도 2).
그러나, 특허문헌1의 기술로서는, 장치가 이동부재를 구비하고 있으며, 레지스트도포시에 예컨대, 이동부재가 레지스트 도포처리유니트 부근을 이동하기 때문에, 레지스트의 도포처리가 이동부재에 의한 진동의 영향을 받기 쉽다. 이 때문에 예컨대, 도포를 마친 레지스트내에 거품이 들어가거나, 레지스트의 막두께가 불균일하게 되는 등 레지스트 도포처리가 불안정하게 된다고 하는 문제가 있다.
또한, 특허문헌1의 기술로서는, 장치가 이동부재를 안내하는 반송축이나 레지스트 도포처리유니트, 감압건조유니트 및 가장자리 테두리바등이 장치의 길이 방향에 일렬로 배열되어 있기 때문에, 장치의 전장이 커진다고 하는 문제가 있다.
상기와 같은 종래의 문제를 감안하여 본 발명은, 처리액을 안정하게 도포할 수 있음과 동시에 소형화된 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은, 열적인 영향을 주지 않고 처리액을 도포할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 관한 기판처리장치는, 기판을 반송하기 위한 반송부와, 상기 반송부의 주위이고 해당 반송부의 제1측에 소정의 간격을 두고 배치되어, 상기 기판에 처리액을 도포하는 도포처리부와, 상기 반송부의 주위이고 상기 제1측과는 다른 제2측에 인접하여 배치되어, 상기 기판에 도포된 처리액을 감압하에서 건조하는 제1 감압건조처리부를 구비한다.
이러한 구성에 의하면, 반송부와 도포처리부가 소정간격을 두고 배치되어 있으므로, 반송부의 진동에 의해 기판으로의 처리액의 도포처리가 불안정하게 되는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 예를들면 처리액중에 거품이 들어가거나, 도포막의 막두께가 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반송부의 주위에 도포처리부 및 제1 감압건조처리부가 배치되어 있기 때문에, 반송부, 제1 감압건조처리부 및 도포처리부가 일방향으로 배열되는 것을 회피하여 기판처리장치의 소형화를 꾀할 수 있다. 본 발명에 있어서, 도포처리부와 반송부와의 간격인 「소정의 간격」은, 제1 감압건조처리부와 반송부가「인접」하여 배치될 때의 해당 제1 감압건조처리부와 반송부와의 간격보다 넓은 것으로 한다. 이하,「소정의 간격」과「인접」을 비교하여 사용하는 경우는, 이상과 같은 취지로 한다.
본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 제1 감압건조처리부상에 배치되어, 상기 기판을 얹어놓기 위한 제1 재치부와, 상기 반송부를 상기 제1 감압건조처리부로 끼도록 배치되어, 상기 기판에 도포된 처리액을 감압하에서 건조하는 제2 감압건조처리부와, 상기 제2 감압건조처리부상에 배치되어, 상기 기판을 얹어놓기 위한 제2 재치부를 더욱 구비하는 것을 특징으로 한다. 이 때문에, 반송부가 제1 및 제2 감압건조처리부 및 제1 및 제2 재치부를 이용할 수 있으므로, 처리의 효율화를 꾀할 수 있다. 또한, 제 1 제2의 감압건조처리부의 위에, 각각 제1, 제2 재치부가 배치되어 있다. 이 때문에, 기판처리장치의 스페이스 절감화를 꾀할 수 있다.
본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 제1 및 제2 감압건조처리부의 적어도 한쪽은 해당 제1 및 제2 감압건조처리부의 내외로 상기 기판을 반입 및 반출할 때에 개폐되는 게이트 밸브를 상기 반송부측에 가지고 있는 것을 특징으로 한다. 이로써, 예를들면 종래의 감압건조처리부의 뚜껑부재가 상하운동하는 구조를 채용하는 것이 불필요하게 되므로, 제1 및 제2 감압건조처리부의 위에 각각 제1 및 제2 재치부를 용이하게 적층할 수 있다.
본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 반송부와 상기 도포처리부를 얹어놓기 위한 기초대가 분리되어 있는 것을 특징으로 한다. 이 때문에, 반송부의 진동에 의해 도포처리가 불안정하게 되는 것을 보다 확실히 억제할 수 있다.
본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 제1 감압건조처리부는, 상기반송부와 상기 도포처리부가 배열되는 배열방향으로 슬라이드하는 슬라이드커버, 또는 회동가능한 개폐커버를 상부에 가지고 있는 것을 특징으로 한다. 이로써 예들들면 제1 감압건조처리부의 상기 배열방향측에 형성된 스페이스를 이용하여 슬라이드커버를 배열방향으로 슬라이드시키거나, 개폐커버를 회전운동시킬 수 있으므로, 제1 감압건조처리부내를 용이하게 확인하거나 유지관리할 수 있다.
본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 반송부와 상기 제1 감압건조처리부에 인접하여 배치되어, 상기 기판을 세정건조하는 세정건조처리부를 더욱 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 관점에 관한 기판처리장치는, 기판에 처리액을 도포하는 도포처리부와, 상기 도포처리부에 소정의 간격을 두고 배치되어, 상기 기판을 상기 도포처리부에 반송가능한 제1 반송부와, 상기 기판에 열처리하는 열처리부와, 상기 열처리부에 인접하여 배치되고, 상기 기판을 해당 열처리부에 반송가능한 제2 반송부와, 상기 제1 반송부와 상기 제2 반송부의 사이에 배치되어, 상기 기판에 도포된 처리액을 감압하에서 건조하는 감압건조처리부를 구비한다.
이러한 구성에 의하면, 제1 반송부와 도포처리부가 소정간격을 두고 배치되어 있기 때문에, 제1 반송부의 진동에 의해 기판으로의 처리액의 도포처리가 불안정하게 되는 것을 억제할 수 있다. 또한 제1 반송부와 제2 반송부의 사이에 감압건조처리부가 배치되어, 결국 제1 반송부와 제2 반송부가 감압건조처리부의 크기정도 만큼의 간격을 벌여 배치된다. 따라서, 제1 반송부에 소정의 간격을 두고 배치된 도포처리부와, 제2 반송부에 인접하여 배치된 열처리부의 거리를 벌릴 수 있다. 이로써 열처리부가 도포처리부에 열적인 영향을 주는 것을 방지할 수 있어, 최적의 환경에서 도포처리를 할 수 있다.
본 발명에 관한 기판처리방법은, 기판을 반송하기 위한 반송부와, 상기 기판에 도포된 처리액을 감압하에서 건조하는 제1 감압건조처리부를 구비하는 기판처리장치의 기판처리방법으로서, 상기 반송부를 정지 또는 반송속도를 저하시키는 공정과, 상기 반송부를 정지 또는 반송속도를 저하시키는 공정후에, 상기 도포처리부에 의해 상기 기판에 상기 처리액을 도포하는 공정을 구비한다.
이로써, 반송부의 진동이 억제된 상태에서, 도포처리부에 의해 기판에 처리액을 도포할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 관한 기판처리방법은, 기판을 반송하기 위한 반송부와, 상기 기판에 도포된 처리액을 감압하에서 건조하는 제1 감압건조처리부를 구비하는 기판처리장치의 기판처리방법으로서, 상기 도포처리부의 구동을 정지하는 공정과, 상기 도포처리부의 구동을 정지하는 공정후에, 상기 반송부의 구동을 개시하는 공정을 구비한다.
이로써, 도포처리부의 처리에 대한 반송부, 제1 감압건조처리부의 진동의 영향을 없앨 수 있다.
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 근거하여 설명한다.
[제1 실시형태]
도 1은 본 발명이 적용되는 LCD 기판의 도포현상처리장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 그 정면도, 또한 도 3은 그 배면도이다.
이 도포현상처리장치(1)는, 복수의 글래스기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 얹어놓은 카세트스테이션(2)과, 글래스기판(G)에 레지스트도포 및 현상을 포함하는 일련의 처리를 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 구비한 처리부(3)와, 노광장치(32)와의 사이에서 글래스기판(G)의 주고받음을 하기 위한 인터페이스부(4)를 구비하고 있으며, 처리부(3)의 양끝단에 각각 카세트스테이션(2) 및 인터페이스부(4)가 배치되어 있다.
카세트스테이션(2)은 카세트(C)와 처리부(3)와의 사이에서 LCD 기판의 반송을 행하기 위한 반송기구(10)를 구비하고 있다. 그리고, 카세트스테이션(2)에서 카세트(C)의 반입 및 반출이 행하여진다. 또한, 반송기구(10)는 카세트의 배열방향을 따라서 설정된 반송로(12)상을 이동 가능한 반송아암(11)을 구비하고, 이 반송아암(11)에 의해 카세트(C)와 처리부(3)와의 사이에서 글래스기판(G)의 반송이 행하여진다.
처리부(3)에는, X방향을 따라서 글래스기판(G)에 레지스트의 도포, 건조처리를 실시하는 레지스트 도포처리블록(15)을 포함하는 각 처리유니트가 병렬설치된 상류부(3b) 및 현상처리유니트(DEV)를 포함하는 각 처리유니트가 병렬설치된 하류부(3c)가 설치된다.
상류부(3b)에 있어서, 카세트스테이션(2) 측단부에는, 카세트스테이션(2)측에서, 글래스기판(G)상의 유기물을 제거하기 위한 엑시머 UV 처리유니트(e-UV)(19)와, 글래스기판(G)에 스크러빙 브러시로 세정처리를 실시하는 스크러버 세정처리유니트(SCR)(20)가 설치된다.
스크러버 세정처리유니트(SCR)(20)의 옆에는, 글래스기판(G)에 대하여 열적처리를 하는 유니트가 다단으로 적층된 열처리계블록(24)이 배치되어 있다. 열처리계블록(24)의 옆(도 1의 위쪽)에는, 글래스기판(G)을 반송하기 위한 도시하지 않은 반송아암을 가지는 수직반송유니트(S/A)(5)가 배치되어 있다. 수직반송유니트(5)의 반송아암은, 후술하는 바와 같이, X, Y 및 Z 방향으로 이동가능하게 되고, 또한 θ방향으로 회전운동 가능하게 되어 있다. 즉, 수직반송유니트(5)의 반송아암이 열처리계블록(24)에 있어서의 각 열처리계블록에 억세스하여 글래스기판(G)의 반송이 행하여지도록 되어 있다. 또, 수직반송유니트(6,7,8)에 대하여도 수직반송유니트(5)와 동일한 구성을 가지고 있다.
수직반송유니트(5)의 옆에는 글래스기판(G)에 대하여 열적처리를 하는 유니트가 다단으로 적층된 열처리계블록(25)이 배치되어 있다.
수직반송유니트(5)의 옆에는, 글래스기판(G)에 레지스트의 도포, 건조처리를 실시하는 레지스트 도포처리블록(15)이 배치되어 있다. 레지스트 도포처리블록(15)은, 글래스기판(G)에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포처리유니트(CT)와, 레지스트 도포처리유니트(CT)등에 글래스기판(G)을 반송하는 수직반송유니트(7)와, 수직반송유니트(7)의 X방향 양측에 배치된 EXT/VD 적층유니트(53,55)로 구성되어 있다. EXT/VD 적층유니트(53,55)에서는, 글래스기판(G)에 도포된 레지스트의 건조처리등이 행하여진다.
레지스트 도포처리블록(15)의 옆에는, 수직반송유니트(8)가 설치되고, 그 Y 방향 옆(도 1의 아래쪽)에는, 다단구성의 열처리계블록(26)이 배치되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 열처리계블록(24)에는, 글래스기판(G)에 레지스트 도포전의 가열처리를 실시하는 베이킹유니트(BAKE)가 2단, HMDS가스에 의해 소수화처리를 실시하는 어드히전유니트(AD)가 아래로부터 순차로 적층되어 있다. 열처리계블록(25)은, 글래스기판(G)에 냉각처리를 실시하는 쿨링유니트(C0L)가 2단, 어드히전유니트(AD)가 아래로부터 순차로 적층되어 구성되어 있다. 열처리계블록(26)에는, 글래스기판(G)에 레지스트 도포후의 가열처리를 하는 프리베이킹유니트(PREBAKE)가 3단 적층되어 있다.
하류부(3c)에 있어서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 인터페이스부(4)측 끝단부에, 열처리계블록(29)이 설치되어 있고, 이것에는, 쿨링유니트(COL), 노광후 현상처리전의 가열처리를 행하는 포스트익스포저 베이킹유니트(PEBAKE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되어 있다.
열처리계블록(29)에 인접하여 현상처리를 행하는 현상처리유니트(DEV)가 X 방향으로 연장하여 설치되어 있다. 이 현상처리유니트(DEV)의 옆에는, ｉ선 처리유니트(ｉ-UV)(33)가 설치된다. ｉ선 처리유니트(ｉ-UV)(33)에 인접하여 열처리계블록(28) 및 (27)이 배치되어 있다. 열처리계블록(28)과 (27)의 사이에는, 양블록(28) 및 (27)에 있어서의 각 열처리계블록에 억세스 가능한 수직반송유니트(6)가 설치된다.
열처리계블록(28)에는, 쿨링유니트(COL), 글래스기판(G)에 현상후의 가열처리를 행하는 포스트 베이킹유니트(POBAKE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되어 있다. 열처리계블록(27)도 마찬가지로, 쿨링유니트(COL), 포스트베이킹유니트(POBA KE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되어 있다.
인터페이스부(4)에는, 정면측에 타이틀러 및 주변노광유니트(TITLER/EE)(22)가 설치되고, 타이틀러 및 주변노광유니트(TITLER/EE)(22)의 옆(도 1의 위쪽)에는, 익스텐션 쿨링유니트(EXTCOL)(35)가 설치된다. 인터페이스부(4)의 배면측에는, 버퍼카세트(34)가 배치되어 있다. 익스텐션 쿨링유니트(EXTCOL)(35)와 버퍼카세트(34)와의 X 방향의 옆에는, 타이틀러 및 주변노광유니트(TITLER/EE)(22)에 인접하여 배치되고, 노광장치(32)와의 사이에서 글래스기판(G)의 주고받음을 행하는 인터페이스유니트(I/F)가 배치되어 있다. 이 인터페이스유니트(I/F)도 상기 수직반송유니트(5)와 동일한 구성을 가지고 있다.
이상과 같이 구성된 도포현상처리장치(1)의 처리공정에 대하여 설명한다. 우선 카세트(C)내의 글래스기판(G)을 처리부(3)에 있어서의 상류부(3b)에 반송한다. 상류부(3b)에서는, 엑시머 UV 처리유니트(e-UV)(19)에 있어서 표면개질(表面改質)·유기물제거처리를 행하여, 다음에 스크러버세정처리유니트(SCR)(20)에 있어서 글래스기판(G)을 대략 수평으로 반송하면서 세정처리 및 건조처리를 행한다. 계속해서 열처리계블록(24)의 최하단부에서 수직반송유니트(5)의 반송아암에 의해 글래스기판(G)을 취출하고, 동열처리계블록(24)의 베이킹유니트(BAKE)에서 가열처리, 어드히전유니트(AD)에서 글래스기판(G)과 레지스트막과의 밀착성을 높이기 위해 글래스기판(G)에 HMDS 가스를 분무하는 처리를 행한다. 그 후, 글래스기판(G)을 수직반송유니트(5)의 반송아암에 의해 열처리계블록(25)에 반송하여, 열처리계블록(25)의 쿨링유니트(COL)에 의해 냉각처리를 한다.
다음에, 글래스기판(G)을 수직반송유니트(5)의 반송아암에 의해 레지스트도포처리블록(15)에 건네주고, 레지스트 도포처리블록(15)에 있어서 후술하는 레지스트의 도포, 건조처리를 한다.
다음에, 레지스트가 도포, 건조된 글래스기판(G)을 수직반송유니트(8)의 반송아암에 의해 받아 열처리계블록(26)으로 건네 준다. 열처리계블록(26)에 있어서의 프리베이킹유니트(PREBAKE)에서 가열처리를 한 후, 수직반송유니트(8)에 의해 열처리계블록(29)에 기판을 건네 주고, 그 열처리계블록(29)에 있어서의 쿨링유니트(COL)에서 냉각처리를 한다. 계속해서 수직반송유니트(8)에 의해 글래스기판(G)을 익스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35)에 반송하고, 익스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35)로 냉각처리함과 동시에, 인터페이스유니트(I/F)에 의해 노광장치(32)로 반송하여, 노광장치(32)에서 노광처리 한다.
다음에, 글래스기판(G)을 인터페이스유니트(I/F) 및 수직반송유니트(8)의 반송아암을 통해 열처리계블록(29)의 포스트 익스포저베이킹유니트(PEBAKE)에 반송하고, 여기서 가열처리를 행한 후, 쿨링유니트(COL)에서 냉각처리를 행한다. 그리고 글래스기판(G)을 현상처리유니트(DEV)에 있어서 글래스기판(G)을 대략 수평으로 반송하면서 현상처리, 린스처리 및 건조처리를 한다.
다음에, 글래스기판(G)을 ｉ선 처리유니트는(ｉ-UV)(33)으로 ｉ선 처리를 실시하고, 열처리계블록(28)에 있어서의 최하단으로부터 수직반송유니트(6)의 반송아암(6a)에 의해 받아들여, 열처리계블록(28) 또는 (27)에 있어서의 포스트베이킹유니트(POBAKE)에서 가열처리를 하고, 쿨링유니트(COL)에서 냉각처리를 한다. 그리고 글래스기판(G)을 반송기구(10)에 주고받음 카세트(C)에 수용한다.
도 4는 레지스트도포처리블록(15)의 평면도, 도 5는 정면도이다. 또한, 도 5에 있어서, 레지스트도포처리유니트(CT)는 도시를 생략하였다.
도 4에 도시한 바와 같이, 레지스트도포처리블록(15)는, 수직반송유니트(7)를 구비하고 있다. 수직반송유니트(7)는, 수직반송유니트(7)를 얹어놓기 위한 기초대(65A) 상에 재치되어 있다. 기초대(65A)에는 예컨대, 콘크리트가 사용되고 있다. 수직반송유니트(7)의 X 방향의 일측에 인접하여, 글래스기판(G)에 도포된 레지스트를 건조하기 위한 EXT/VD 적층유니트(53)가, 기초대(65A) 상에 재치되어 있다. 수직반송유니트(7)를 EXT/VD 적층유니트(53)로 끼이도록, EXT/VD 적층유니트(53)와 같은 구성의 EXT/VD 적층유니트(55)가 기초대(65A) 상에 재치되어 있다.
수직반송유니트(7)의 Y 방향의 일측에는, 수직반송유니트(7)로부터 소정간격(h)을 두고 글래스기판(G)에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포처리유니트(CT)가 배치되어 있다. 레지스트 도포처리유니트(CT)는, 기초대(65A)와는 다른 기초대(65B)상에 재치되어 있다. 기초대(65B)에는, 예를 들면 콘크리트가 사용되고 있다. 이 간격(h)은, 수직반송유니트(7)의 작동시에 생기는 진동이 레지스트 도포처리유니트(CT)에 전달되지 않는 간격으로 설정되어 있다. 예를들면, 간격(h)는, 5(cm)로 되어 있다. 이와 같이, 수직반송유니트(7)의 주위에는, 레지스트 도포처리유니트(CT), EXT/VD 적층유니트(53,55)가 배치되어 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, EXT/VD 적층유니트(53,55)는 글래스기판(G)에 도포된 레지스트를 감압하에서 건조시키는 감압건조유니트(53b,55b)를 가지고 있다. 감압건조유니트(53b,55b)는, 기둥형상토대(53h)를 통해 기초대(65A) 상에 재치되어 있다. 레지스트의 감압건조처리는 감압건조유니트(53b,55b)내에서 행하여진다. 또한, 감압건조유니트(53b,55b)에는, 도시를 생략한 진공펌프가 접속되어 있고, 이 진공펌프에 의해 감압건조유니트(53b,55b)내가 감압된다.
감압건조유니트(53b,55b)상에는, 예를들면, 레지스트 도포처리중에 글래스기판(G)이 재치되는 익스텐션(53a,55a)가 배치되어 있다.
도 6은 수직반송유니트(7)와 EXT/VD 적층유니트(55)를 나타내는 단면도이다. 감압건조유니트(55b)의 수직반송유니트(7)측의 측벽에는, 글래스기판(G)을 반입 및 반출할 때에, 상하 이동가능한 게이트밸브(55c)가 설치된다. 게이트밸브(55c)를 닫는 것으로, 감압건조유니트(55b)내의 밀폐상태가 확보된다. 감압건조유니트(55b)는, 글래스기판(G)을 얹어놓기 위한 유지대(55e), 반송아암(7a)에 재치된 글래스기판(G)을 유지대(55e)에 주고받기 위한 핀(55p), 감압건조유니트(55b)의 내압을 측정하기 위한 내압계, 글래스기판(G)에 도포된 레지스트를 건조시키기 위한 히터등을 가지고 있다. 유지대(55e)의 화살표방향의 상하구동은, 예를들면 에어실린더(55s)에 의해 행하여진다. 익스텐션(55a)는, 감압건조유니트(55b)와 같이 구성되어 있다. 즉, 재치대(55u)에 글래스기판(G)을 주고받기 위해서, 실린더(55x)의 구동에 의해 핀(55v)가 상하 이동가능하게 구성되어 있다.
수직반송유니트(7)[또는(5,6,8)은, 수직반송유니트(7)의 중앙에 배치된 기둥형상의 수직반송축으로 따라 상하이동 가능한 승강대(7b)를 가지고 있다. 이 승강대(7b)는, 수직반송축의 주위에 회전가능하게 구성되어 있다. 이 승강대(7b)에는, 글래스기판(G)을 얹어 놓은 상태로 수평이동가능한 반송아암(7a)가 설치된다. 반송아암(7a)에 재치된 글래스기판(G)은, 반송아암(7a)에 의해 X 방향으로 반송되고, 감압건조유니트(55b)내에 반입된다. 도시를 생략한 제어부에 의해 핀(55p)의 상하이동, 감압건조유니트(55b)내의 압력, 게이트밸브(55c)의 개폐동작이 제어되어 있다. 반송아암(7a)의 상하이동, 수평이동은, 도시를 생략한 모터에 의해 행하여지고 있다. 또한, 감압건조유니트(53b)에 대하여도 마찬가지로 구성되어 있다.
도 7에 도시하도록, 레지스트 도포처리유니트(CT)는, 기판(G)을 수용하는 컵(CL), 레지스트를 도포하기 위한 긴 형상의 슬릿노즐(202)을 수용하는 유지체(201)나 슬릿노즐(202)을 구동하기 위한 모터(203)등을 가지고 있다. 모터(203)의 구동에 의해 슬릿노즐(202)은, 가이드레일(204)을 따라, X 방향으로 이동가능하게 되어 있다. 레지스트 도포처리유니트(CT)는, X 방향, 즉 레지스트의 도포방향으로 긴 형상을 가지고 있다. 슬릿노즐(202)에 의해, 글래스기판(G)상의 소정범위에 레지스트가 도포되도록 설정되어 있다. 이 때문에, 글래스기판(G)의 둘레가장자리부에 도포된 레지스트를 제거하는 가장자리 테두리바(ER)는 설치되지 않는다.
도 8에 도시한 바와 같이, 열처리계블록(24)은, 예를 들면 2단의 베이킹유니트(BAKE)(24a,24b)가 X 방향으로 슬라이드 가능하게 구성되어 있는(도 1 참조). 예를들면, 베이킹유니트(BAKE)(24a,24b)내의 유지관리시에, 베이킹유니트(BAKE) (24a,24b)를 X 방향으로 슬라이드할 수 있도록 구성되어 있다.
다음에, 레지스트의 도포처리순서에 대하여 도 9를 참조하면서 설명한다.
먼저, 도 1에 나타내는 수직반송유니트(5)의 반송아암(5a)에 의해 익스텐션(53a)의 재치대(53u)에 글래스기판(G)을 얹어 놓는다. 이어서, 이 글래스기판(G)을, 수직반송유니트(7)의 반송아암(7a)에 의해 받아, 레지스트 도포처리유니트(CT)안에 반송한다(스텝1).
이어서, 수직반송유니트(7), 익스텐션(53a) 및 감압건조유니트(53b)의 구동을 정지 또는 반송속도를 저하시킨다(스텝2).
이어서, 도 7에 나타내는 모터(203)를 구동하여 슬릿노즐(202)을 글래스기판(G)상에서 이동시켜, 글래스기판(G)을 향하여 레지스트를 도포하고, 도포종료후에 모터(203)를 정지한다(스텝3).
모터(203)를 정지후, 수직반송유니트(7)의 구동을 개시 또는 반송속도를 빠르게 하고(스텝4), 레지스트가 도포된 글래스기판(G)을 반송아암(7a)에서 받는다.
다음에, 도 6에 나타내는 감압건조유니트(55b)의 게이트밸브(55c)를 개방하고, 레지스트가 도포된 글래스기판(G)을 반송아암(7a)에 의해 감압건조유니트(55b)내에 반송하여, 유지대(55e)상에 얹어 놓는다. 반송아암(7a)을 감압건조유니트(55b)밖으로 되돌린 후, 게이트밸브(55c)를 닫아 감압건조유니트(55b)내를 밀폐상태로 한다.
이어서, 진공펌프를 구동시켜 감압건조유니트(55b)내를 소정압력이 될때까지 감압하여 히터를 가열하여 감압하에서 글래스기판(G)에 도포된 레지스트를 건조한다.
감압건조처리가 실시된 글래스기판(G)을 반송아암(7a)에 의해 감압건조유니트(55b)에서 받고, 익스텐션(55a)에 얹어 놓는다.
익스텐션(55a)에 재치된 글래스기판(G)을 수직반송유니트(8)의 반송아암에 의해 더욱 하류의 처리부로 반송한다.
또한, 본 실시형태에서는, 일단 익스텐션(53a)에 글래스기판(G)을 얹어놓은 후, 레지스트 도포처리유니트(CT)로 레지스트를 도포하고, 감압건조유니트(55b)내에서 감압건조처리하는 예를 나타냈지만, 예를들면 1번째 장의 글래스기판(G)을 감압건조유니트(55b)에서 처리중에, 2번째 장의 글래스기판(G)을 레지스트도포처리유니트(CT)나 감압건조유니트(53b)로 처리하는 것으로, 처리시간을 단축할 수 있다.
이와 같이 본 실시형태에 의하면, 수직반송유니트(7)와 레지스트 도포처리유니트(CT)가 간격(h)을 두고 배치되어 있다. 이 때문에, 수직반송유니트(7)의 진동에 의해, 예를들면, 도포를 마친 레지스트내에 거품이 들어가거나, 레지스트의 막두께가 불균일하게 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 수직반송유니트(7)의 주위에 레지스트 도포처리유니트(CT) 및 감압건조유니트(53b,55b)가 배치되어 있다. 이 때문에, 수직반송유니트(7), 감압건조유니트(53b,55b) 및 레지스트 도포처리유니트(CT)가 일방향으로 병렬설치되는 것을 회피하여, 도포현상처리장치(1)의 소형화를 도모할 수 있다.
본 실시형태의 도포현상처리장치(1)에서는, 감압건조유니트(55b)상에 익스텐션(55a)가 배치되고, 수직반송유니트(7)를 EXT/VD 적층유니트(53)로 끼이도록, EXT/VD 적층유니트(55)가 얹어놓여 있다. 이 때문에, 수직반송유니트(7)가 각각 2개의 감압건조유니트(53b,55b) 및 익스텐션(53a,55a)을 이용할 수 있고, 레지스트도포, 건조처리의 효율화를 꾀할 수 있다. 또한, 익스텐션(53a)와 감압건조유니트(53b), 익스텐션(55a)와 감압건조유니트(55b)를 각각 적층하는 것으로, 도포현상처리장치(1)의 스페이스 절감화를 꾀할 수 있다.
본 실시형태의 도포현상처리장치(1)로서는, 감압건조유니트(55b)가, 감압건조유니트(55b)내외로의 글래스기판(G)의 반입 및 반출시에 개폐되는 게이트밸브(55c)를 수직반송유니트(7)측에 가지고 있다. 이로써, 예를들면 종래와 같이 뚜껑부재가 상하 이동하는 구조를 채용하는 것이 불필요하게 되므로, 감압건조유니트(55b)의 위에 익스텐션(55a)을 용이하게 적층할 수 있다.
본 실시형태의 도포현상처리장치(1)로서는, 수직반송유니트(7)와 레지스트 도포처리유니트(CT)가, 각각 기초대(65A,65B)상에 얹어놓여 있다. 즉, 수직반송유니트(7)와 레지스트 도포처리유니트(CT)를 얹어 놓기 위한 재치대가 부리되어 있다. 이 때문에, 수직반송유니트(7)의 진동이 레지스트 도포처리유니트(CT)에 전달되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
본 실시형태의 도포현상처리장치(1)에서는, 글래스기판(G)을 반송하는 수직반송유니트(7)의 구동을 정지 또는 반송속도를 저하시킨 후, 레지스트 도포처리유니트(CT)에 의해 글래스기판(G)에 레지스트액을 도포한다. 이로써 수직반송유니트(7)의 구동에 의한 진동이 없는 또는 억제된 상태에서, 글래스기판(G)에 레지스트액을 도포할 수 있다. 또한, 글래스기판(G)에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포처리유니트(CT)의 모터(203), 감압건조유니트(53b,55b)의 구동을 정지한 후, 글래스기판(G)을 반송하는 수직반송유니트(7)의 구동을 개시한다. 이로써 레지스트 도포처리유니트(CT)에 대한 수직반송유니트(7), 감압건조유니트(53b,55b)의 진동의 영향을 없앨 수 있다.
본 실시형태의 도포현상처리장치(1)에서는, 예를들면 수직반송유니트(7)와 수직반송유니트(5)(또는 8)가 감압건조유니트(53)(또는 55)의 크기정도 만큼의 간격을 벌려 배치되어 있다. 따라서, 수직반송유니트(7)에 소정의 간격(h)을 두고 배치된 레지스트 도포처리유니트(CT)와, 수직반송유니트(5)(또는 8)에 인접하여 배치된 열처리계블록(24)(또는 26)과의 거리를 벌릴 수 있다. 이로써, 열처리계블록(24)(또는 26)이 레지스트 도포처리유니트(CT)에 열적인 영향을 주는 것을 방지할 수 있어, 최적의 환경에서 도포처리할 수 있다.
[제2 실시형태]
다음에 본 발명의 제2 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또, 이하의 실시형태에 있어서는, 제1 실시형태와 동일한 부재등에는 동일한 부호를 부여하여 그 설명을 생략하고, 다른 부분을 중심으로 설명한다.
도 10에 도시한 바와 같이, 본 실시형태의 도포현상처리장치(1A)는, 카세트스테이션(2)과, 글래스기판(G)에 레지스트도포를 포함하는 일련의 처리를 실시하기 위한 복수의 처리유니트를 구비한 처리부(3)를 구비하고 있다.
카세트스테이션(2)의 옆에는, 글래스기판(G)의 방향을 바꾸기 위한 회전기구부(70)가 배치되어 있다. 회전기구부(70)는, 베이킹유니트가 2단 적층되고 또한 하층에 글래스기판(G)을 반송하기 위한 회전기구를 가지는 도시하지 않은 재치대가 배치되어 구성되어 있다. 회전기구부(70)의 Y 방향의 옆에는 제1 실시형태의 수직반송유니트(5)와 마찬가지로 구성된 수직반송유니트(76)가 배치되어 있다. 또한 수직반송유니트(76)의 옆에는, 회전기구부(70)와 같은 구성의 회전기구부(73)가 배치되어 있다. 회전기구부(70)의 옆에는 엑시머 UV 처리유니트(e-UV)(19), 스크러버세정처리유니트(SCR)(20)가 X 방향으로 병렬설치되어 있다. 스크러버세정처리유니트(SCR)(20)의 옆에는 열처리계블록(124)이 배치되어 있다. 열처리계블록(124)은, 쿨링유니트, 디하이드레스 어드히전유니트(AP)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되어 구성되어 있다. 디하이드레스 어드히전유니트(AP)는, 어드히전유니트(AD)와 거의 같은 구조를 가지고 있으며, 기판(G)을 가열하기위한 가열판을 가지고, 기판(G)의 건조처리와 소수화처리를 한다.
수직반송유니트(76) 및 회전기구부(73)의 옆에는, 레지스트를 글래스기판(G)에 도포, 건조하기 위한 레지스트 도포처리블록(15)이 배치되어 있다. 레지스트 도포처리블록(15)의 더욱 옆에는, 수직반송유니트(5)가 배치되어 있다. 수직반송유니트(5)의 옆에는, 열처리계블록(172)이 배치되어 있다. 열처리계블록(172)은, 쿨링유니트가 2단, 디하이드레스 어드히전유니트(AP)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되어 구성되어 있다.
레지스트 도포처리블록(15)은, 수직반송유니트(76)에 인접하여 배치된 EXT/VD 적층유니트(55)를 구비하고 있다. EXT/VD 적층유니트(55)의 옆에는, 수직반송유니트(7)가 배치되어 있다. 또한 수직반송유니트(7)의 옆에는, EXT/VD 적층유니트(53)가 배치되어 있다. 수직반송유니트(7)의 Y 방향의 옆에는, 스크러버세정처리유니트(SCR)(20)가, 수직반송유니트(7) 및 EXT/VD 적층유니트(53)에 인접하여 배치되어 있다. 레지스트 도포처리유니트(CT)는, 수직반송유니트(7)로부터 Y 방향으로 간격(h)을 두고 배치되어 있다. 이 간격(h)은, 수직반송유니트(7)의 구동시에 생기는 진동이, 레지스트 도포처리유니트(CT)에 전달되지 않도록 설정되어 있다.
제1 실시형태와 같이 엑시머 UV 처리유니트(e-UV)(19)로 글래스기판(G)상의 유기물을 제거하고, 스크러버세정처리유니트(SCR)(20)에서 글래스기판(G)에 스크러빙브러시로 세정처리를 실시한다. 이어서, 열처리계블록(124)에서 열처리를 실시한다. 이 글래스기판(G)을 수직반송유니트(5)의 반송아암에 의해 EXT/VD 적층유니트(53)의 익스텐션(53a)에 반송한다. 이 글래스기판(G)을 수직반송유니트(7)의 반송아암에 의해 레지스트 도포처리유니트(CT)에 반송한다. 레지스트도포처리유니트(CT)내에서 레지스트도포처리를 한다. 레지스트가 도포된 글래스기판(G)을 수직반송유니트(7)의 반송아암에 의해 받아, 감압건조유니트(53b)에 반송한다. 감압건조유니트(55b)내에서 글래스기판(G)에 도포된 레지스트에 감압건조처리를 실시한다. 그리고, 수직반송유니트(7)의 반송아암에 의해 익스텐션(55a)에 글래스기판(G)을 배치한다. 레지스트의 도포, 감압건조처리가 실시된 글래스기판(G)은, 예를들면 수직반송유니트(76), 회전기구부(73)를 통해 카세트 스테이션(2)에 반송된다.
이와 같이 본 실시형태에 의하면, 수직반송유니트(7)의 Y 방향의 옆에는, 레지스트 도포처리유니트(CT)가, 수직반송유니트(7)로부터 간격(h)을 두고 배치되어 있다. 이 때문에, 수직반송유니트(7)의 진동에 의해 글래스기판(G)에의 레지스트의 도포처리가 불안정하게 되는 것을 방지할 수 있다.
[제3 실시형태]
다음에 본 발명의 제3 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 11은 제3 실시형태에 관한 도포현상처리장치의 전체구성을 나타내는 평면도이다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 도포현상처리장치(1B)는, 제1 실시형태의 레지스트 도포처리블록(15)대신에 레지스트 도포처리블록(15B)을 구비하고 있다. 레지스트 도포처리블록(15B)은, 제1 실시형태의 EXT/VD 적층유니트(53)의 위치에, EXT/VD 적층유니트(53) 대신에 레지스트 도포처리유니트(CT)가 배치되어 있다. 이때, 레지스트 도포처리유니트(CT)의 도포방향이 Y 방향이 되도록, 레지스트 도포처리유니트(CT)가 배치되어 있다. 제1 실시형태의 레지스트 도포처리유니트(CT)의 위치에, 레지스트 도포처리유니트(CT)대신에 감압건조블록(53d)이 배치되어 있다. 감압건조블록(53d)은, 제1 실시형태의 감압건조유니트(53b)가 Z 방향에 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 레지스트 도포처리유니트(CT)는, 수직반송유니트(5,7)로부터 각각 간격(h)를 두고 배치되어 있다. 이 간격(h)는, 수직반송유니트(5,7)의 구동시에 생기는 진동이 레지스트 도포처리유니트(CT)에 전달되지 않도록 설정되어 있다.
수직반송유니트(5)의 반송아암에 의해 글래스기판(G)을 레지스트 도포처리유니트(CT)에 반송한다. 레지스트도포처리유니트(CT)내에서 제1 실시형태와 마찬가지로 레지스트도포처리를 한다. 레지스트가 도포된 글래스기판(G)을 수직반송유니트(7)의 반송아암에 의해 받고, 감압건조블록(53d) 에서 그 상단 또는 하단의 감압건조유니트(53b)에 반송한다. 감압건조유니트내에서 제1 실시형태와 같이 감압하에서 글래스기판(G)에 도포된 레지스트에 건조처리를 실시한다. 그리고, 수직반송유니트(7)의 반송아암에 의해 익스텐션을 가지는 EXT 적층유니트(155)에 글래스기판(G)을 배치한다.
이와 같이 본 실시형태에 의하면, 레지스트도포처리유니트(CT)는, 수직반송유니트(5,7)로부터 각각 간격(h)을 두고 배치되어 있다. 이 때문에, 수직반송유니트(5,7)의 진동에 의해 글래스기판(G)에의 레지스트의 도포처리가 불안정하게 되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 감압건조유니트(53b)가 2단으로 적층되어 있는 예를 나타내였다. 그러나, 수직반송유니트(7)의 주위에 감압건조유니트(53b)를 1개 배치하도록 하여도 좋다. 이와 같이 하는 것으로, 낮은 코스트화 및 스페이스 절감화를 도모할 수 있다.
[제4 실시형태]
다음에 본 발명의 제4 실시형태에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다.
도 12는 제4 실시형태에 관한 도포현상처리장치의 전체구성을 나타내는 평면도이다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 도포현상처리장치(1C)에서는, 수직반송유니트(5)의 옆에, 글래스기판(G)을 반송하기 위한 슬라이더[도 13에 나타내는 슬라이더(25d)]를 가지는 슬라이더 반송유니트(25c)가 배치되어 있다. 슬라이더 반송유니트(25c)의 옆에는, 레지스트 도포처리블록(15C)이 배치되어 있다. 또한, 열처리계블록(27)과 카세트 스테이션(2)과의 사이에는, 글래스기판(G)을 반송하기 위한 반송부(80)가 배치되어 있다.
레지스트 도포처리블록(15C)은, 슬라이더 반송유니트(25c)에 인접하여 배치된 레지스트 도포처리유니트(CT), 수직반송유니트(7)및 VD 적층유니트(55f)를 가지고 있다. VD 적층유니트(55f)는, 감압건조유니트(53b)가 2단 적층되어 구성되어 있다. 수직반송유니트(7)의 Y 방향 옆에는, 열처리계블록(26)이 배치되어 있다. 열처리계블록(26)은, 글래스기판(G)에 냉각처리를 실시하는 쿨링유니트(COL)가 2단, 어드히전유니트(AD)가 아래로부터 순차로 적층되어 구성되어 있다. 열처리계블록(26)과 VD 적층유니트(55f)와 인접하고 수직반송유니트(8)가 배치되어 있다.
도 13에 나타낸 바와 같이, 슬라이더 반송유니트(25c)는, X 방향으로 슬라이드하여 글래스기판(G)을 반송하기 위한 슬라이더(25d)를 가지고 있다. 슬라이더(25d)는, 예컨대, 도시를 생략한 모터에 접속되어 있고, 이 모터의 구동에 의해 슬라이드 가능하게 구성되어 있다. 슬라이더(25d)의 위쪽에는, 2단의 쿨링유니트(COL), 어드히전유니트(AD)가 아래로부터 순차로 적층되어 있다.
다음에 본 실시형태의 도포현상처리장치(1C)의 동작에 대하여 다른 부분을 중심으로 설명한다. 수직반송유니트(5)의 반송아암(5a)으로 받은 글래스기판(G)을, 슬라이더 반송유니트(25c)의 슬라이더(25d)에 의해 레지스트 도포처리유니트(CT)에 반송한다. 이하의 스텝에 대하여는 제3 실시형태와 거의 같다.
이와 같이 본 실시형태에 의하면, 슬라이더(25d)에 의해 글래스기판(G)을 레지스트 도포처리유니트(CT)에 반송할 수 있다.
본 발명은 이상 설명한 실시형태에는 한정되는 것이 아니라 여러 가지의 변형이 가능하다
상기 제1 및 제2 실시형태에서는, 수직반송유니트(7)의 옆에 EXT/VD 적층유니트(53)가 배치되고, 수직반송유니트(7)를 EXT/VD 적층유니트(53)로 끼이도록 EXT/VD 적층유니트(55)가 배치되어 있는 예를 나타내었다.
그렇지만, 이 배치에 한정되는 것이 아니라, 예컨대, 도 14에 나타낸 바와 같이, X 방향 일측에 감압건조유니트(53b)를 1단 배치하고, X 방향 타측에 아래쪽에서 감압건조유니트(55b), 익스텐션(55a), 또한 익스텐션(55d)를 얹어놓도록 구성하여도 좋다. 이 때, 도 15에 나타낸 바와 같이, 수직반송유니트(7)와 레지스트 도포처리유니트(CT)가 배열된 배열방향(Y 방향)에 슬라이드 가능한 슬라이드커버(53c), 또는 도 16에 나타낸 바와 같이, 감압건조유니트(53b)의 상부에 설치된 회동축의 주위에 화살표방향으로 회전운동 가능한 개폐커버(53g)를, 감압건조유니트(53b)의 상부에 설치하도록 하여도 좋다. 이로써, 예컨대 작업원이 도 15에 나타내는 스페이스(S1)등에 들어가, 도 15에 나타내는 배열(화살표)방향으로 슬라이드커버(53c)를 슬라이드시키거나, 도 16에 나타내는 화살표방향으로 개폐커버(53g)를 개폐(회전운동)하여, 감압건조유니트(53b)내를 용이하게 확인하거나 유지관리하거나 할 수 있다.
상기 제 1, 제3 및 제4 실시형태에서는, 열처리계블록(27,28)이 수직반송유니트(6)를 통해 X 방향으로 직선형상으로 배열되는 예를 나타내었다(도 1참조). 이에 대하여, 도 17에 나타낸 바와 같이, 엑시머 UV 처리유니트(e-UV)(19)와 스크러버 세정처리유니트(SCR)(20)와의 사이에, 열처리계블록(27)을 배치하여, 열처리계블록(27,28) 및 수직반송유니트(6)가 Y 방향으로 일렬로 배열되도록 하여도 좋다. 이러한 구성에서는, 열처리계블록(27)의 유지관리성을 향상시킬 수 있다. 열처리계블록(28)과 카세트스테이션(2)의 사이에, 처리를 마친 글래스기판(G)을 검사하기 위한 검사부(INS)(28A)를 배치하여도 좋다. 검사부(INS)(28A)의 X 방향의 길이는, 도 1에 나타내는 수직반송유니트(6)와 열처리계블록(27)의 X 방향의 길이의 합계와 같게 되도록 설정할 수 있다. 익스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35)는, 회전기구를 가지고 있다. 이 회전기구는, 예를들면 도시를 생략한 온도조정판을 회전시키는 것으로, 기판(G)을 90도 회전시킬 수 있도록 구성되어 있다. 이로써 예를들면 인터페이스유니트(I/F)가 기판을 기판의 긴 변과 평행하게 반송할 수 있다.
이와 같이하면, 엑시머 UV 처리유니트(e-UV)(19)와 스크러버 세정처리유니트(SCR)(20)와의 사이에, 열처리계블록(27)이 배치되기 때문에, 도포현상처리장치의 길이방향의 길이가 열처리계블록(27)의 1개분 만큼 커진다. 그렇지만, 검사부(28A)를 장치내에 조립할 수 있다. 즉, 도포현상처리장치의 길이방향의 길이를 필요 이상으로 길게하지 않고, 검사부(28A)를 장치내에 조립할 수 있다. 따라서, 장치의 대형화를 억제하면서 처리를 마친 글래스기판(G)을 장치내에서 검사할 수 있다.
검사부(INS)(28A)에 있어서, 처리를 마친 글래스기판(G)은, X 방향으로 반송되고, 예를들면 패턴의 선폭, 높이 등의 검사가 행하여진다. 또한, 열처리계블록(25)은, 쿨링유니트(COL)가 2단 순차로 적층되어 구성되도록 하여도 좋다. 또한, 열처리계블록(26)에는, 쿨링유니트(COL)가 1단, 프리베이킹유니트(PREBAKE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되도록 하여도 좋다.
도 18은, 도 17에 나타내는 도포현상처리장치의 변형예를 모식적으로 나타내는 정면도이다. 이 변형예의 도포현상처리장치에 있어서는, 도 17에 나타내는 도포현상처리장치와 다른 부분을 중심으로 설명한다.
도 18에 나타낸 바와 같이, 엑시머 UV 처리유니트(e-UV)(19)와 검사부(INS)와의 사이에서 수직반송유니트(6)에 인접하도록 열처리계블록(27)을 배치한다. 이로써, 도포현상처리장치의 전장을 단축하여 스페이스 절감화를 도모할 수 있다.
엑시머 UV 처리유니트(e-UV)(19)와 검사부(INS)와의 사이에는, 기판(G)을 얹어놓기 위한 재치대를 회전시키는 회전기구(도시하지 않음)를 가지는 셔틀(18A)이, X 방향으로 이동가능하게 설치된다. 또한, 수직반송유니트(5)와 수직반송유니트(6)와의 사이에는, 이 사이를 X 방향으로 이동가능한 기판재치대를 가지는 셔틀(18B)가 설치된다. 이에 따라, 셔틀(18A,18B)에 의해서 기판(G)을 X 방향으로 반송할 수 있다. 또한, 셔틀(18A,18B), 수직반송유니트(5,6)등을 사용하는 것에 의해, 전처리를 하지 않고서, 예를들면 세정처리만, 레지스트도포처리만, 현상상처리만을 행하기 위해서, 도포현상처리장치를 이용할 수 있다. 열처리계블록(27), 수직반송유니트(6), EXT/VD 적층유니트(55), 레지스트 도포처리유니트(CT) 및 후술하는 버퍼 익스텐션 쿨링유니트(BUF/EXTCOL)(135)에서는, 기판의 짧은 변을 따르는 방향에 기판의 주고받음이 행하여진다(다른 유니트에서는, 기판의 긴 변을 따르는 방향에 기판의 주고받음이 행하여진다.). 이 때문에, 예를들면 셔틀(18A)에서 열처리계블록(27)에 기판을 반송할 때에는, 기판의 반송방향의 관계로서, 셔틀(18A)에서 기판을 90도 회전해야만 한다. 이 도포현상처리장치로서는, 셔틀(18A)에 설치된 회전기구에 의해 기판재치대를 90도 회전시켜 기판을 회전시킬 수 있다. 따라서, 예를들면 카세트스테이션(2)과 수직반송유니트(6)와의 사이에서 기판(G)의 주고받음이 가능해진다.
도 17에 나타내는 EXT/VD 적층유니트(53)의 위치에, 도 18에 나타낸 바와 같이 열처리계블록(25)이 배치되어 있다. 이 경우에는, EXT/VD 적층유니트(53)를 1개로 할 수 있기 때문에, 저코스트화를 꾀할 수 있다.
도 17에 나타내는 익스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35) 대신에, 익스텐션쿨링유니트(EXTCOL)상에 버퍼카세트가 적층된 버퍼익스텐션쿨링유니트(BUF/EXTCOL)(135)가 배치되어 있다. 버퍼카세트를 적층하는 것으로 빈 스페이스에는, 기판(G)을 기판(G)의 긴 변을 따라 반송하는 것이 가능한, 예들들면 로울러반송등에 의한 제1 평류반송부(CONV)(134)가 설치되어 있다. 이로써, 장치를 대형화하지 않고, 장치내에 제1 평류반송부(CONV)(134)를 설치할 수 있다.
이 제1 평류반송부(CONV)(134)와 노광장치(32)와의 사이에는, 인터페이스유니트(I/F)에 인접하여 제2 평류반송부(CONV)(136)가 배치되어 있다. 제2 평류반송부(CONV)(136)는, 기판(G)을 90도 회전시키기 위한 도시하지 않은 회전기구를 구비하고 있다. 이로써 인터페이스유니트(I/F)에 의해 기판(G)을 제2 평류반송부(CONV)(136)에 반송하고, 제2 평류반송부(CONV)(136)로 기판을 90도 회전시킨 후, 제2, 제1 평류반송부(CONV)에 의해 기판(G)의 긴 변을 X 방향으로 하여 반송할 수 있다. 제1, 제2 평류반송부(CONV)를 이용하는 것으로, 수직반송유니트(8)의 공정수를 감소시킬 수 있다.
또, 제1, 제2 실시형태에서는, 수직반송유니트(7)의 주위에, 감압건조유니트(53b,55b)가 배치되어 있는 예를 나타내었다. 그러나, 어느 한쪽을 설치하도록 하여도 좋다. 이와 같이 함으로써, 저코스트화 및 스페이스 절감화를 꾀할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 처리액을 안정하게 도포할 수 있음과 동시에, 기판처리장치를 소형화할 수 있다. 또한, 열적인 영향을 주지 않고서 최적의 환경으로 처리액을 도포할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 관한 도포현상처리장치의 전체구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 도포현상처리장치의 정면도이다.
도 3은 도 1에 나타내는 도포현상처리장치의 배면도이다.
도 4는 레지스트 도포처리블록의 평면도이다.
도 5는 레지스트 도포처리블록의 정면도이다.
도 6은 수직반송유니트와 EXT/VD 적층유니트를 나타내는 단면도이다.
도 7은 레지스트 도포처리유니트의 평면도이다.
도 8은 도포현상처리장치의 열처리계 블록의 정면도이다.
도 9는 도포현상처리장치를 사용한 레지스트의 도포처리순서를 나타내는 플로우챠트이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에 관한 도포현상처리장치의 전체구성을 나타내는 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시형태에 관한 도포현상처리장치의 전체구성을 나타내는 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시형태에 관한 도포현상처리장치의 전체구성을 나타내는 평면도이다.
도 13은 제4 실시형태에 관한 도포현상처리장치의 열처리계블록의 정면도이다.
도 14는 레지스트 도포처리블록의 변형예를 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 15는 감압건조유니트의 슬라이드커버의 개방상태를 나타내는 평면도이다.
도 16은 감압건조유니트의 개폐커버의 개방상태를 나타내는 측면도이다.
도 17은 본 발명의 도포현상처리장치의 변형예를 모식적으로 나타내는 정면도이다.
도 18은 도 17에 나타내는 도포현상처리장치의 변형예를 모식적으로 나타내는 정면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
G : 글래스 기판 CT : 레지스트도포처리유니트
h : 간격 1A,1B,1C : 도포현상처리장치
7 : 수직반송유니트 7a : 아암
15,15A,15B,15C : 레지스트 도포처리블록
20 : 스크러버 세정처리유니트 25d : 슬라이더
53,55 : EXT/VD 적층유니트 53a,55a : 익스텐션
53b,55b : 감압건조유니트 53c : 슬라이드 커버
53g : 개폐커버 55c : 게이트밸브
65A,65B : 기초대

Claims (9)

  1. 기판을 반송하기 위한 반송부와,
    상기 반송부의 주위이고, 해당 반송부의 제1 측에 소정의 간격을 두고 배치되며, 상기 기판에 처리액을 도포하는 도포처리부와,
    상기 반송부의 주위이고, 상기 제1 측과는 다른 제2 측에 인접하여 배치되며, 상기 기판에 도포된 처리액을 감압하에서 건조하는 제1 감압건조처리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 감압건조처리부 상에 배치되고, 상기 기판을 얹어놓기 위한 제1 재치부와,
    상기 반송부를 상기 제1 감압건조처리부로 끼이도록 배치하고, 상기 기판에 도포된 처리액을 감압하에서 건조하는 제2 감압건조처리부와,
    상기 제2 감압건조처리부 상에 배치되고, 상기 기판을 얹어놓기 위한 제2 재치부를 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 감압건조처리부의 적어도 한쪽은, 해당 제1 및 제2 감압건조처리부의 내외로 상기 기판을 반입 및 반출할 때에 개폐되는 게이트밸브를 상기 반송부측에 가지고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 반송부와 상기 도포처리부를 얹어놓기 위한 기초대가 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 감압건조처리부는, 상기 반송부와 상기 도포처리부가 배열되는 배열방향으로 슬라이드하는 슬라이드커버, 또는 회전운동가능한 개폐커버를 상부에 가지고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 반송부와 상기 제1 감압건조처리부에 인접하여 배치되고, 상기 기판을 세정건조하는 세정건조처리부를 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 기판에 처리액을 도포하는 도포처리부와,
    상기 도포처리부에 소정의 간격을 두고 배치되고, 상기 기판을 상기 도포처리부에 반송가능한 제1 반송부와,
    상기 기판에 열처리하는 열처리부와,
    상기 열처리부에 인접하여 배치되고, 상기 기판을 해당 열처리부에 반송가능한 제2 반송부와,
    상기 제1 반송부와 상기 제2 반송부의 사이에 배치되고, 상기 기판에 도포된 처리액을 감압하에서 건조하는 감압건조처리부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 기판을 반송하기 위한 반송부와, 상기 기판에 처리액을 도포하는 도포처리부를 구비하는 기판처리장치의 기판처리방법으로서,
    상기 반송부의 구동을 정지 또는 반송속도를 저하시키는 공정과,
    상기 반송부의 구동을 정지 또는 반송속도를 저하시키는 공정후에, 상기 도포처리부에 의해 상기 기판에 상기 처리액을 도포하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  9. 기판을 반송하기 위한 반송부와, 상기 기판에 처리액을 도포하는 도포처리부를 구비하는 기판처리장치의 기판처리방법으로서,
    상기 도포처리부의 구동을 정지하는 공정과,
    상기 도포처리부의 구동을 정지하는 공정 후에, 상기 반송부의 구동을 개시하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4680030B2 (ja) * 2005-10-31 2011-05-11 東京応化工業株式会社 減圧処理装置
JP2007173365A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Tokyo Electron Ltd 塗布乾燥処理システム及び塗布乾燥処理方法
JP4670677B2 (ja) * 2006-02-17 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法、塗布装置及び記憶媒体
JP4816217B2 (ja) * 2006-04-14 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP4969138B2 (ja) * 2006-04-17 2012-07-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4602390B2 (ja) * 2007-11-01 2010-12-22 Ｓｄフューチャーテクノロジー株式会社 塗布乾燥装置
JP2010191310A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法、及び半導体トランジスタの製造方法
JP5417186B2 (ja) * 2010-01-08 2014-02-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4935927B2 (ja) * 2010-12-27 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、現像装置、塗布方法、現像方法及び記憶媒体
JP5849576B2 (ja) * 2011-09-29 2016-01-27 大日本印刷株式会社 塗布システム
JP7186605B2 (ja) * 2018-12-27 2022-12-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5946093B2 (ja) * 1977-07-01 1984-11-10 日本電気株式会社 半導体ウエハのホトレジスト塗布装置
JPS63107138A (ja) * 1986-10-24 1988-05-12 Hitachi Ltd ウエハ処理装置
JPS63258014A (ja) * 1987-04-15 1988-10-25 Nec Kyushu Ltd 半導体装置の製造装置
JP2517669B2 (ja) * 1989-05-24 1996-07-24 キヤノン株式会社 露光装置
JP3200282B2 (ja) * 1993-07-21 2001-08-20 キヤノン株式会社 処理システム及びこれを用いたデバイス製造方法
JP3964475B2 (ja) * 1995-04-19 2007-08-22 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法と装置
JPH10135593A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Shirai Denshi Kogyo Kk プリント回路用基板
JPH10209021A (ja) * 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 荷電ビーム露光装置
JPH10284574A (ja) * 1997-03-31 1998-10-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP3928902B2 (ja) * 1998-02-20 2007-06-13 平田機工株式会社 基板製造ラインおよび基板製造方法
KR100609766B1 (ko) * 1998-07-29 2006-08-09 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리방법 및 기판처리장치
US6676757B2 (en) * 1999-12-17 2004-01-13 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus and coating unit
JP3908916B2 (ja) * 2000-09-13 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2002263548A (ja) * 2001-03-12 2002-09-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 被膜形成装置及び被膜形成方法
JP4619562B2 (ja) * 2001-03-27 2011-01-26 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2003059894A (ja) * 2001-06-05 2003-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3920638B2 (ja) * 2001-12-26 2007-05-30 東京エレクトロン株式会社 減圧乾燥装置

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