KR20050006191A - 포토레지스트 박리 방법 - Google Patents

포토레지스트 박리 방법 Download PDF

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KR20050006191A
KR20050006191A KR10-2004-7017197A KR20047017197A KR20050006191A KR 20050006191 A KR20050006191 A KR 20050006191A KR 20047017197 A KR20047017197 A KR 20047017197A KR 20050006191 A KR20050006191 A KR 20050006191A
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Abstract

(I): 적어도 구리 (Cu) 배선과 저유전체층을 갖는 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 그 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 저유전체층을 선택적으로 에칭하는 공정, (II): 상기 (I) 공정을 거친 기판을 오존수 및/또는 과산화수소수에 접촉시키는 공정, 및 (III): 상기 (II) 공정을 거친 기판을, 적어도 제 4 급 암모늄 수산화물을 함유하는 포토레지스트용 박리액에 접촉시키는 공정을 포함하는 포토레지스트 박리 방법을 개시한다. 본 발명에 의해 듀얼 다마신법 등 적어도 Cu 배선과 저유전체층을 갖는 기판 상의 미세 패턴 형성에 있어서, O2플라즈마 애싱처리를 실시하지 않는 프로세스에서도, 에칭 후의 포토레지스트막, 에칭 잔사물을 효과적으로 박리할 수 있고, 또한 저유전체층의 유전율에 악영향을 미치지 않고, 방식성도 우수한 포토레지스트 박리 방법이 제공된다.

Description

포토레지스트 박리 방법{METHOD FOR REMOVING PHOTORESIST}
IC 나 LSI 등의 반도체 소자는 규소웨이퍼 등의 기판 상에 CVD 증착 등에 의해 형성된 도전성 금속층, 절연층이나 저유전체층 상에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광, 현상처리를 하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이 패턴을 마스크로 하여 상기 CVD 증착된 도전성 금속층, 절연층이나 저유전체층을 선택적으로 에칭하여 미세회로를 형성한 후, 불필요한 포토레지스트층을 박리액으로 제거하여 제조된다.
최근, 반도체 소자의 고집적화와 칩 사이즈의 축소화에 따라 배선회로의 미세화 및 다층화가 진행되는 가운데, 반도체 소자에서는 사용하는 금속층의 저항 (배선저항) 과 배선용량에 기인하는 배선지연 등도 문제시되게 되었다. 이 때문에, 배선재료로서 종래 주로 사용되어 온 알루미늄 (Al) 보다 저항이 적은 금속,예를 들어 구리 (Cu) 등을 사용하는 것이 제안되었으며, 최근에는 Al 배선 (Al, Al 합금 등, Al 을 주성분으로 하는 금속배선) 을 사용한 것과, Cu 배선 (Cu, Cu 합금 등, Cu 를 주성분으로 하는 금속배선) 을 사용한 것의 2 종류의 디바이스가 사용되게 되었다.
Cu 금속배선의 형성에 있어서는 Cu 의 에칭내성이 낮은 경우도 있어, 듀얼 다마신법을 이용하여 Cu 를 에칭하지 않고 Cu 다층배선을 형성하는 방법이 이용되고 있다. 듀얼 다마신법으로서는 여러 가지 방법이 제안되어 있지만, 그 일례를 들면, 기판 상에 Cu 층, 저유전체층 (SiOC 층 등) 등을 다층 적층한 후, 최상층에 포토레지스트층을 형성하고, 이어서 그 포토레지스트층을 선택적으로 노광, 현상하여 포토레지스트 패턴 (제 1 포토레지스트 패턴) 을 형성한다. 이 제 1 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 저유전체층을 에칭한 후, O2플라즈마 애싱처리 등에 의해 제 1 포토레지스트 패턴을 박리하여 기판 상의 Cu 층에 연통하는 비아홀을 형성한다. 이어서, 잔존하는 다층 적층의 최상층에 새롭게 포토레지스트 패턴 (제 2 포토레지스트 패턴) 을 형성하고, 이것을 마스크로 하여 잔존하는 저유전체층을 부분적으로 에칭하여 상기 비아홀에 연통하는 배선용의 홈 (트렌치) 을 형성한다. 그리고 O2플라즈마 애싱처리 등에 의해 제 2 포토레지스트 패턴을 박리한 후, 비아홀, 트렌치 내에 전해도금 등에 의해 Cu 를 충전함으로써, 다층 Cu 배선이 형성된다.
또, Cu 층과 저유전체층 사이에 에칭 스토퍼층으로서의 배리어층 (SiN 층,SiC 층 등) 을 형성한 기판을 사용하는 경우도 있다. 이러한 경우에는 비아홀이나 트렌치를 형성 (에칭) 한 후, 기판 상에 노출되는 배리어층을 잔존시킨 채로, 또는 그 배리어층을 제거한 후, 포토레지스트 박리처리를 실시하고, 이어서 비아홀, 트렌치 내에 Cu 를 충전한다.
이러한 듀얼 다마신법에 있어서는 상기 비아홀, 트렌치 형성의 에칭처리, 플라즈마 애싱처리 등에 의해, 저유전체층에 유래하는 Si 계 잔사물 (Si 디포지션) 이 발생되기 쉽고, 이것이 트렌치의 개구부 외주에 Si 계 디포지션으로서 잔사물이 형성되는 경우가 있다. 또한 포토레지스트 유래의 잔사물도 발생되기 쉽다. 따라서 이들 잔사물이 완전히 제거되지 않으면, 반도체 제조의 수율 저하를 초래하는 등의 문제를 일으킨다.
이와 같이 종래, 금속배선패턴 형성에서는 포토레지스트 패턴이나 에칭 후 잔사물의 제거에 O2플라즈마 애싱처리를 사용하고 있었다. 그러나 패턴의 초미세화가 진행되는 가운데, Cu 배선기판에 사용되는 저유전체층은 보다 낮은 유전율의 재료가 사용되게 되어, 현재는 유전율 3 이하의 저유전체층을 사용하는 프로세스가 개발되고 있는 단계에 있다. 이러한 저유전율의 재료 (low-k 재) 는 애싱내성이 약하거나 없는 것으로 알려져 있으며, low-k 재를 사용하는 경우에는 에칭 후, O2플라즈마 애싱 공정을 실시하지 않는 프로세스를 채용할 필요가 있다.
따라서 미세화, 다층화가 진행된 반도체 소자 제조에 있어서의 포토리소그래피에 있어서, 종래부터 관용되고 있는 O2플라즈마 애싱처리를 실시하지 않는 프로세스에서도, O2플라즈마 애싱 공정을 채용하는 프로세스와 같은 정도이거나 그 이상의 포토레지스트 박리성, 에칭후 잔사물의 박리성이 우수한 포토레지스트 박리 방법의 빠른 개발이 요망되고 있다.
또한 Cu 배선을 사용한 듀얼 다마신법에 있어서, 배리어층 (에칭 스토퍼층) 을 갖는 기판을 사용하여 Cu 층 상에 배리어층을 잔존시킨 채로 포토레지스트나 에칭후 잔사물을 박리하는 경우에는 Cu 층을 포토레지스트용 박리액에 직접 접촉시키지 않고 박리처리를 할 수 있기 때문에, 이에 따라 이들 박리처리를 보다 효율적으로 실시하는 것이 바람직하다.
또, 일본 공개특허공보 평 11-74180 호 (특허문헌 1) 에는 포토레지스트의 박리에 앞서, Al 등의 금속배선을 사용한 반도체기판을 산화제 (과산화수소) 를 함유하는 세정액으로 세정한 후, 박리액을 사용하여 포토레지스트 박리를 실시하는 기술이 개시되어 있다. 그리고 상기 박리액으로서, 동 문헌 1 의 [0007]에는 알칸올아민을 주제로 하는 박리액, 불소계 박리액과 함께, 일본 공개특허공보 소63-147168호 (특허문헌 2) 에 기재되어 있는 테트라메틸히드록실암모늄 (TMAH) 계 박리액도 사용되는 것으로 한 줄 기재 (예시 열거) 되어 있다. 그러나, 특허문헌 1 에서 실제로 효과를 확인한 박리액은 모노에탄올아민계의 것이며, 또한 특허문헌 1, 2 어디에도, 본원발명이 기도하는 듀얼 다마신법에 적합한 포토레지스트 박리 방법에 관해서는 전혀 기재되어 있지도 않고 시사되어 있지도 않다.
또한 일본 공개특허공보 평11-233405호 (특허문헌 3) 에는 Al 등의 금속배선을 사용한 반도체기판을 건식 에칭 후, 포토레지스트 패턴을 산화제 및 유기산으로 이루어지는 세정액으로 세정한 후, 레지스트 박리액으로 제거하는 반도체 소자의 제조방법이 개시되어 있지만, 그 공보에서도, 실제로 효과를 확인한 박리액은 모노에탄올아민계의 것이며, 또한 본원발명이 기도하는 듀얼 다마신법에 적합한 포토레지스트 박리 방법에 관해서는 전혀 기재되어 있지도 않고 시사되어 있지도 않다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 평11-74180호
특허문헌 2: 일본 공개특허공보 소63-147168호
특허문헌 3: 일본 공개특허공보 평11-233405호
본 발명은 적어도 구리 (Cu) 배선과 저유전체층을 갖는 기판 상에 형성된 포토레지스트를 박리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 특히, IC 나 LSI 등의 반도체 소자 등의 제조에 있어서, 종래부터 관용되고 있는 O2플라즈마 애싱 공정을 포함하지 않는 프로세스에서의 포토레지스트의 박리 방법에 바람직하게 적용된다.
발명의 개시
본 발명은 상기 사정을을 감안하여 이루어진 것으로, 적어도 구리 (Cu) 배선과 저유전체층을 갖는 기판의 미세 패턴 형성에 있어서, O2플라즈마 애싱처리를 하지 않는 프로세스에서도, 에칭 후의 포토레지스트막, 에칭 잔사물을 효과적으로 박리할 수 있고, 또한 저유전체층의 유전율에 악영향을 미치지 않고, 방식성도 우수한 포토레지스트 박리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명은
(I) 적어도 구리 (Cu) 배선과 저유전체층을 갖는 기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 저유전체층을 선택적으로 에칭하는 공정,
(II) 상기 (I) 공정을 거친 기판을 오존수 및/또는 과산화수소수에 접촉시키는 공정, 및
(III) 상기 (II) 공정을 거친 기판을, 적어도 제 4 급 암모늄 수산화물을 함유하는 포토레지스트용 박리액에 접촉시키는 공정
을 포함하는, 포토레지스트 박리 방법을 제공한다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명에 관해서 상세히 기술한다.
(I) 공정:
공지된 포토리소그래피 기술을 적용할 수 있다. 예를 들어, 규소웨이퍼 등의 기판 상에 구리 (Cu) 배선을 형성하고 그 위에 저유전체층을 형성한다. 원하는 바에 따라, 중간층으로서 Cu 배선 상에 배리어층 (에칭 스토퍼층) 을 형성해도 되고, 또한 절연층 등을 형성하여 다층 적층시켜도 된다.
본 발명에 있어서, 구리 (Cu) 배선이란 순구리로 이루어지는 배선, 구리를 주성분으로 함유하는 구리합금 (예를 들어 Al-Si-Cu, Al-Cu 등) 으로 이루어지는 배선을 모두 포함한다. 본 발명에서는 금속배선으로서 Al 계 배선 등, Cu 배선 이외의 금속배선을 형성해도 된다. 금속층의 형성은 CVD 증착, 전해도금법 등에 의해 실시되지만 특별히 한정되는 것은 아니다.
배리어층 (에칭 스토퍼층) 으로서는 SiN 층, SiC 층, Ta 층, TaN 층 등을 들 수 있지만, 이들 예시에 한정되는 것은 아니다.
저유전체층으로서는 본 발명에서는 유전율 3 이하의 재료가 특히 바람직하게 사용된다. 또 유전율이란 전속밀도를 D, 전계의 세기를 E 라고 하면, D ＝ εE의 관계로 표현되는 비례 상수 (ε) 를 말한다.
상기 저유전체층으로서는「블랙다이아몬드」(Applied Materials 사 제),「코랄」(Novelus Systems 사 제),「Aurora」(일본 ASM 사 제) 등의 카본이 도핑된 규소 옥사이드 (SiOC) 계 재료「OCD T-7」,「OCD T-9」,「OCD T-11」,「OCD T-31」,「OCD T-39」(모두 도쿄오카고교사 제) 등의 MSQ (메틸실세스퀴옥산) 계 재료;「OCD T-12」,「OCD T-32」(모두 도쿄오카코교사 제) 등의 HSQ (히드록실세스퀴옥산) 계 재료 등의 저유전율 재료 (low-k 재료) 를 바람직한 것으로 들 수 있지만, 이들 예시에 한정되는 것은 아니다.
저유전체층은 상기 예시한 저유전율 재료 (low-k 재료) 를 도포한 후, 통상 350℃ 이상의 고온에서 소성하여 결정화함으로써 형성된다.
이어서 포토레지스트 조성물을 저유전체층 상에 도포, 건조시킨 후, 노광, 현상 등에 의해 공지된 포토리소그래피 기술에 의해 포토레지스트 패턴을 형성한다.
포토레지스트 조성물로서는 KrF, ArF, F2엑시머레이저, 또는 전자선용에 관용되는 포토레지스트 조성물이 바람직하게 사용되지만, 특별히 한정되는 것은 아니다.
노광, 현상조건은 목적에 따라 사용하는 포토레지스트에 의해 적절히 선택할 수 있다. 노광은 예를 들어 자외선, 원자외선, 엑시머레이저, X 선, 전자선 등의 활성광선을 발광하는 광원, 예를 들어, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 크세논 램프 등에 의해 원하는 마스크패턴을 통해 포토레지스트층을 노광하거나, 또는 전자선을 조작하면서 포토레지스트층에 묘화한다. 그 후, 필요에 따라 노광후 가열처리 (포스트 익스포저 베이크) 를 실시한다.
현상방법은 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 포토레지스트가 도포된 기판을 현상액에 일정시간 침지한 후, 수세하여 건조시키는 침지 현상, 도포된 포토레지스트의 표면에 현상액을 적하하여 일정 시간 정치한 후, 수세 건조시키는 패들 현상, 포토레지스트 표면에 현상액을 스프레이한 후에 수세 건조시키는 스프레이 현상등, 목적으로 따른 여러 가지의 현상을 실시할 수 있다.
이어서, 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하고, 상기 저유전체층을 선택적으로 건식 에칭 등에 의해 에칭하여 비아홀 또는 트렌치 (배선용 홈) 를 형성한다. 본 발명에서는 듀얼 다마신법 등이 바람직하게 적용된다.
(II) 공정:
상기 에칭공정 후의 기판을 오존수 및/또는 과산화수소수에 접촉시킨다. 그 (II) 공정은 후속하는 (III) 공정에 앞서, 포토레지스트 패턴, 에칭후 잔사물 등의 분해를 목적으로 한다.
오존수는 순수 중에 오존가스를 버블링 등의 수단에 의해 용해시킨 것을 사용하는 것이 바람직하다. 오존 함유 농도는 1ppm 이상 ~ 포화농도가 바람직하다. 과산화수소수는 농도 0.1 ~ 60 질량% 정도의 수용액이 바람직하고, 특히 0.5 ~ 35 질량% 정도의 수용액이 바람직하다.
접촉 방법은 상기 현상액처리의 경우에 나타낸 바와 같은 침지법, 패들법,샤워법 등을 들 수 있다. 바람직하게는 오존수 및/또는 과산화수소수에 5 ~ 60 분 정도 침지한다.
(III) 공정:
상기 (II) 공정을 거친 기판을, 적어도 제 4 급 암모늄 수산화물을 함유하는 포토레지스트용 박리액에 접촉시켜 포토레지스트 패턴, 에칭후 잔사물을 제거한다.
상기 제 4 급 암모늄 수산화물로서는 하기 일반식 (I)
〔식 중, R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로, 탄소원자수 1 ~ 4 의 알킬기 또는 하이드록시알킬기를 나타낸다〕
로 표현되는 제 4 급 암모늄 수산화물이 바람직하다. 구체적으로는 테트라메틸암모늄하이드록사이드〔＝ TMAH〕, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드, 메틸트리프로필암모늄하이드록사이드, 메틸트리부틸암모늄하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄하이드록사이드〔＝ 콜린〕, (2-하이드록시에틸)트리에틸암모늄하이드록사이드, (2-하이드록시에틸)트리프로필암모늄하이드록사이드, (1-하이드록시프로필)트리메틸암모늄하이드록사이드 등이 예시된다. 그중에서도 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 메틸트리부틸암모늄하이드록사이드, 메틸트리프로필암모늄하이드록사이드, 콜린 등이, Cu, Si 계 잔사물의 박리성, 포토레지스트 박리성 관점에서 바람직하다. 제 4 급 암모늄 수산화물은 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.
제 4 급 암모늄 수산화물의 배합량은 포토레지스트용 박리액 중, 1 ~ 20 질량% 정도가 바람직하고, 특히 2 ~ 10 질량% 정도가 바람직하다.
본 발명에 사용되는 포토레지스트용 박리액은 제 4 급 암모늄 수산화물에 첨가하여 통상, 물, 수용성 유기용매가 함유된다. 물의 배합량은 5 ~ 60 질량% 정도가 바람직하고, 특히 10 ~ 50 질량% 가 바람직하다. 잔부는 수용성 유기용매이다.
수용성 유기용매로서는 디메틸술폭사이드 등의 술폭사이드류: 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-하이드록시에틸)술폰, 테트라메틸렌술폰〔＝ 술포란〕등의 술폰류; N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드 등의 아미드류; N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-프로필-2-피롤리돈, N-하이드록시메틸-2-피롤리돈, N-하이드록시에틸-2-피롤리돈 등의 락탐류; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논류; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 다가 알코올류 및 그 유도체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 디메틸술폭사이드, 디메틸이미다졸리디논, N-메틸-2-피롤리돈, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 술포란, N,N-디메틸아세트아미드, 및 N,N-디메틸포름아미드 등이 바람직하게 사용된다. 수용성 유기용매는 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.
상기 포토레지스트용 박리액에는 추가로 원하는 바에 따라 수용성 아민을 배합해도 된다. 수용성 아민으로서는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, N,N-디부틸에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-부틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민 등의 알칸올아민류; 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 프로필렌디아민, N,N-디에틸에틸렌디아민, 1,4-부탄디아민, N-에틸-에틸렌디아민, 1,2-프로판디아민, 1,3-프로판디아민, 1,6-헥산디아민 등의 폴리알킬렌폴리아민류: 2-에틸-헥실아민, 디옥틸아민, 트리부틸아민, 트리프로필아민, 트리알릴아민, 헵틸아민, 시클로헥실아민 등의 지방족 아민; 벤질아민, 디페닐아민 등의 방향족 아민류: 피페라진, N-메틸-피페라진, 메틸-피페라진, 하이드록시에틸피페라진 등의 고리형 아민류 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N-메틸에탄올아민 등이, 포토레지스트나 에칭 잔사물의 제거성, 금속배선에 대한 방식성 등의 관점에서 바람직하게 사용된다. 수용성 아민을 배합하는 경우, 그배합량은 포토레지스트용 박리액 중, 10 ~ 50 질량% 정도로 하는 것이 바람직하다.
또한, 주로 박리성 제거 관점에서, 추가로 카르복실기 함유 산성 화합물, 불화수소산과 금속이온을 함유하지 않는 염기와의 염 등을 배합해도 된다.
카르복실기 함유 산성 화합물로서는 아세트산, 프로피온산, 글리콜산 등을 바람직한 것으로 들 수 있다. 카르복실기 함유 산성 화합물을 배합하는 경우, 포토레지스트용 박리액 중 2 ~ 20 질량% 정도로 하는 것이 바람직하다.
불화수소산과 금속이온을 함유하지 않는 염기와의 염으로서는 불화암모늄 등을 바람직한 것으로 들 수 있다. 불화수소산과 금속이온을 함유하지 않는 염기와의 염을 배합하는 경우, 포토레지스트용 박리액 중 0.1 ~ 10 질량% 정도로 하는 것이 바람직하다.
상기 포토레지스트용 박리액에는 추가로 원하는 바에 따라, 특히 중간층으로서의 배리어층 (에칭 스토퍼층) 을 형성하지 않는 기판을 사용하는 경우나, 또는 배리어층을 형성한 기판을 사용하는 경우로서 배리어층을 에칭제거한 후에 포토레지스트 박리처리를 하는 경우에는 Cu 배선의 방식성 등의 관점에서, 방식제로서 방향족 하이드록시 화합물, 벤조트리아졸계 화합물, 및 메르캅토기 함유 화합물 중에서 선택되는 적어도 1 종을 배합하는 것이 바람직하다.
상기 방향족 하이드록시 화합물로서는 구체적으로는 페놀, 크레졸, 자일레놀, 피로카테콜〔＝ 1,2-디하이드록시벤젠〕, tert-부틸카테콜, 레졸시놀, 히드로퀴논, 피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 살리실알코올, p-하이드록시벤질알코올, o-하이드록시벤질알코올, p-하이드록시페네틸알코올, p-아미노페놀, m-아미노페놀, 디아미노페놀, 아미노레졸시놀, p-하이드록시벤조산, o-하이드록시벤조산, 2,4-디하이드록시벤조산, 2, 5-디하이드록시벤조산, 3,4-디하이드록시벤조산, 3,5-디하이드록시벤조산, 갈릭산 등을 들 수 있다. 그 중에서도 피로카테콜, 피로갈롤, 갈릭산 등이 바람직하게 사용된다. 방향족 하이드록시 화합물은 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.
상기 벤조트리아졸계 화합물로서는 하기 일반식 (II)
〔식 중, R5, R6은 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환의 탄소원자수 1 ~ 10 의 탄화수소기, 카르복실기, 아미노기, 수산기, 시아노기, 포르밀기, 술포닐알킬기, 또는 술포기를 나타내고; Q 는 수소원자, 수산기, 치환 또는 비치환의 탄소원자수 1 ~ 10 의 탄화수소기 (단, 그 구조 중에 아미드결합, 에스테르결합을 갖고 있어도 된다), 아릴기, 또는 하기 식 (III)
(식 (III) 중, R7은 탄소원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타내고; R8, R9는 각각 독립적으로, 수소원자, 수산기, 또는 탄소원자수 1 ~ 6 의 하이드록시알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타낸다) 으로 표현되는 기를 나타낸다〕
로 표현되는 벤조트리아졸계 화합물을 들 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 기 Q, R5, R6의 각 정의 중, 탄화수소기로서는 방향족 탄화수소기 또는 지방족 탄화수소기 중 어느 것이어도 되고, 또한 포화, 불포화결합을 갖고 있어도 되고, 또한 직쇄, 분기쇄 중 어느 것이어도 된다 치환 탄화수소기로서는 예를 들어 하이드록시알킬기, 알콕시알킬기 등이 예시된다.
또한, 순 Cu 배선이 형성된 기판의 경우, 상기 일반식 (II) 중, Q 로서는 특히 상기 식 (III) 으로 표현되는 기인 것이 바람직하다. 그 중에서도 식 (III) 중, R8, R9로서, 각각 독립으로, 탄소원자수 1 ~ 6 의 하이드록시알킬기 또는 알콕시알킬기를 선택하는 것이 바람직하다.
또한 상기 일반식 (II) 중, Q 로서 수용성의 기를 나타내는 것도 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 수소원자, 탄소원자수 1 ~ 3 의 알킬기 (즉, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기), 탄소원자수 1 ~ 3 의 하이드록시알킬기, 수산기 등이, 무기재료층 (예를 들어, 폴리규소막, 비정질 규소막 등) 을 기판 상에 갖는 경우, 그 방식성의 관점에서 바람직하다.
벤조트리아졸계 화합물로서는 구체적으로는 예를 들어 벤조트리아졸, 5,6-디메틸벤조트리아졸, 1-하이드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 1-아미노벤조트리아졸, 1-페닐벤조트리아졸, 1-하이드록시메틸벤조트리아졸, 1-벤조트리아졸카르복실산메틸, 5-벤조트리아졸카르복실산, 1-메톡시-벤조트리아졸, 1-(2,2-디하이드록시에틸)-벤조트리아졸, 1-(2,3-디하이드록시프로필)벤조트리아졸, 또는「IRGAMET」시리즈로서 치바 스페셜리티 케미컬즈에서 시판되고 있는, 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 2,2'-{[(5-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄, 또는 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스프로판 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-(2,3-디하이드록시프로필)-벤조트리아졸, 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 2,2'-{[(5-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올 등이 바람직하게 사용된다. 벤조트리아졸계 화합물은 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.
상기 메르캅토기 함유 화합물로서는 메르캅토기에 결합하는 탄소원자의 α위, β위의 적어도 일방에 수산기 및/또는 카르복실기를 갖는 구조의 화합물이 바람직하다. 이러한 화합물로서, 구체적으로는 1-티오글리세롤, 3-(2-아미노페닐티오)-2-하이드록시프로필메르캅탄, 3-(2-하이드록시에틸티오)-2-하이드록시프로필메르캅탄, 2-메르캅토프로피온산, 및 3-메르캅토프로피온산 등을 바람직한 것으로 들 수 있다. 그 중에서도 1-티오글리세롤이 특히 바람직하게 사용된다. 메르캅토기 함유 화합물은 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.
방향족 하이드록시 화합물, 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토기 함유 화합물을 배합하는 경우, 그 배합량은 사용하는 포토레지스트용 박리액에 따라서도 달라지지만, 상기 각 군의 화합물을 병용하는 경우, 각각을 0.1 ~ 10 질량% 정도씩 배합하는 것이 바람직하고, 특히 0.5 ~ 5 질량% 정도씩 배합하는 것이 보다 바람직하다. 또한 종합계 배합량의 상한은 15 질량% 이하 정도로 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 포토레지스트용 박리액에는 추가로, 침투성 향상의 관점에서 아세틸렌알코올에 대하여 알킬렌옥사이드를 부가한 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물을 배합해도 된다.
상기 아세틸렌알코올로서는 하기 일반식 (IV)
(단, R10은 수소원자 또는 하기 식 (V)
로 표현되는 기를 나타내고 ; R11, R12, R13, R14는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타낸다)
로 표현되는 화합물이 바람직하게 사용된다.
이 아세틸렌알코올은 예를 들어「사피놀」,「올핀」(이상 모두 Air Product and Chemicals Inc. 제) 등의 시리즈로서 시판되고 있고, 바람직하게 사용된다. 그 중에서도 그 물성면에서「사피놀 104」,「사피놀 82」또는 이들의 혼합물이 가장 바람직하게 사용된다. 그 외에「올핀 B」,「올핀 P」,「올핀 Y」등도 사용할 수 있다.
상기 아세틸렌알코올에 부가되는 알킬렌옥사이드로서는 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 또는 그 혼합물이 바람직하게 사용된다.
본 발명에서는 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물로서 하기 일반식 (VI)
(단, R15는 수소원자 또는 하기 식 (VII)
로 표현되는 기를 나타내고; R16, R17, R18, R19는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타낸다)
로 표현되는 화합물이 바람직하게 사용된다. 여기서 (n ＋ m) 은 1 ~ 30 까지의 정수를 나타내고, 이 에틸렌옥사이드의 부가수에 따라서 물에 대한 용해성, 표면장력 등의 특성이 미묘히 변한다.
아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물은 계면활성제로서 그 자체는 공지된 물질이다. 이들은「사피놀」(Air Product and Chemicals Inc. 제) 의 시리즈, 또는「아세틸레놀」(가와껭 파인 케미컬 (주) 제) 의 시리즈 등으로서 시판되고, 바람직하게 사용된다. 그 중에서도 에틸렌옥사이드의 부가수에 의한 물에 대한용해성, 표면장력 등의 특성 변화 등을 고려하면「사피놀 440」(n ＋ m ＝ 3.5),「사피놀 465」(n ＋ m ＝ 10),「사피놀 485」(n ＋ m ＝ 30),「아세틸레놀 EL」(n ＋ m ＝ 4),「아세틸레놀 EH」(n ＋ m ＝ 10), 또는 이들의 혼합물이 바람직하게 사용된다. 특히「아세틸레놀 EL」과「아세틸레놀 EH」의 혼합물이 바람직하게 사용된다. 그 중에서도,「아세틸레놀 EL」과「아세틸레놀 EH」를 2:8 ~ 4:6 (질량비) 의 비율로 혼합한 것이 특히 바람직하게 사용된다.
이 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물을 배합함으로써, 박리액 자체의 침투성을 향상시켜, 습윤성을 향상시킬 수 있다.
본 발명 박리액 중에 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물을 배합하는 경우, 배합량은 0.05 ~ 5 질량% 정도가 바람직하고, 특히 0.1 ~ 2 질량% 정도가 바람직하다.
본 발명에 사용되는 포토레지스트용 박리액은 네거티브형 및 포지티브형 포토레지스트를 포함해서 알칼리 수용액으로 현상가능한 포토레지스트에 유리하게 사용할 수 있다. 이러한 포토레지스트로서는 (i) 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락수지를 함유하는 포지티브형 포토레지스트, (ii) 노광에 의해 산을 발생하는 화합물, 산에 의해 분해하여 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 화합물 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 포지티브형 포토레지스트, (iii) 노광에 의해 산을 발생하는 화합물, 산에 의해 분해하여 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 기를 갖는 알칼리 가용성 수지를 함유하는 포지티브형 포토레지스트, 및 (iv) 빛에 의해 산을 발생하는 화합물, 가교제 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 네거티브형포토레지스트 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것이 아니다.
당해 (III) 공정에서는 이러한 포토레지스트용 박리액을 (II) 공정처리를 거친 기판에 접촉시켜, 에칭 후 잔사물, 포토레지스트 패턴을 박리 제거한다. 접촉방법은 특별히 한정되지 않지만, 통상, 침지법, 패들법, 스프레이법에 의해 실시된다. 박리시간은 박리되기에 충분한 시간이면 되고, 특별히 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서는 박리액에 의한 제거 공정 전에, 오존수 및/또는 과산화수소수에 의한 분해처리를 실시하고, 이어서 상기 제 4 급 암모늄 수산화물을 적어도 함유하는 포토레지스트용 박리액으로 박리처리를 하는 점에서, O2플라즈마 애싱처리를 실시하지 않더라도, 이와 동등 또는 그 이상의 박리효과로 에칭 후 잔사물, 포토레지스트 패턴을 제거할 수 있고, 또한 저유전체층의 방식성이 우수하다. 따라서, 애싱 내성이 거의 없는 것으로 알려져 있는 저유전체층 (low-k 층) 을 형성한 기판에 있어서도, 그 저유전체층에 유전율의 변동을 미치는 등의 악영향이 없고, 또한 부식이 없는, 우수한 포토레지스트 박리효과가 얻어진다.
상기 박리공정 후, 관용적으로 실시되고 있는 유기용매, 물 등을 사용한 린스처리 및 건조처리를 실시해도 된다. 유기용매로서는 저급알코올이 바람직하고, 그 중에서도 이소프로필알코올 등이 바람직하게 사용된다.
또, 본 발명에 바람직하게 적용되는 듀얼 다마신법은 공지된 방법을 사용할 수 있고, 비아홀을 먼저 형성한 후 트렌치를 형성하는 「비아 퍼스트」법, 트렌치를 형성한 후 비아홀을 형성하는 「트렌치 퍼스트」법 중 어느 것이나 포함될 수있지만, 이들에 한정되는 것이 아니다.
「비아 퍼스트법」에서는 포토레지스트 패턴 (제 1 포토레지스트 패턴) 을 마스크로 하여 저유전체층을 에칭하여, 기판 상의 금속층에 연통 (배리어층을 갖는 기판을 사용한 경우에는 배리어층을 통해 금속층에 연통)시켜 비아홀을 형성한 후, 본 발명에 사용되는 포토레지스트용 박리액에 접촉시켜 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 박리한다. 계속해서 잔존하는 저유전체층 상에 새로운 포토레지스트 패턴 (제 2 포토레지스트 패턴) 을 형성하고, 이것을 마스크로 하여 저유전체층을 부분적으로 에칭하여 상기 비아홀에 연통하는 트렌치를 형성한다. 그 후 (배리어층을 갖는 기판을 사용한 경우에는 기판 상에 노출하는 배리어층을 에칭제거하기 전, 또는 그 배리어층을 제거한 후에), 본 발명에 사용되는 포토레지스트용 박리액에 접촉시켜 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 박리한다.
한편,「트렌치 퍼스트」법에서는 우선 포토레지스트 패턴 (제 1 포토레지스트 패턴) 을 마스크로 하여 저유전체층을 소정의 두께분만큼 에칭하여 트렌치를 형성한 후, 본 발명에 사용되는 포토레지스트용 박리액에 접촉시켜 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 박리한다. 계속해서 잔존하는 저유전체층 상에 새로운 포토레지스트 패턴 (제 2 포토레지스트 패턴) 을 형성하고 이것을 마스크로 하여 트렌치와 연통시켜 저유전체층을 에칭하여 그 하부가 기판 상의 Cu 층과 연통 (배리어층을 갖는 기판을 사용한 경우에는 배리어층을 통해 기판 상의 Cu 층과 연통) 하는 비아홀을 형성한다. 그 후 (배리어층을 갖는 기판을 사용한 경우에는 기판 상에 노출하는 배리어층을 에칭 제거하기 전, 또는 그 배리어층을 제거한 후에), 본 발명에 사용되는 포토레지스트용 박리액에 접촉시켜 상기 제 2 포토레지스트 패턴을 박리한다.
상기 어느 한 공정 후, 비아홀, 트렌치 내에 전해도금 등에 의해 Cu 를 충전함으로써 다층 Cu 배선이 형성된다.
다음에, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지겠만, 본 발명은 전혀 이들 예에 한정되지 않는다. 또, 배합량은 특별히 기재하지 않는 한 질량% 로 나타낸다.
실시예 1 ~ 6
Cu 배선이 형성되고, 그 상층에 SiOC 층 (카본이 도핑된 옥사이드층; low-k 층) 이 적층된 기판 상에, 포지티브형 포토레지스트인 TDUR-P722 (도쿄오카코교 (주) 제) 를 도포하여 140℃ 에서 90 초간 가열하여 포토레지스트층을 형성하였다. 이것을 S-203B (니콘 (주) 제) 를 사용하여 선택적으로 노광처리하고, 이어서 140℃ 에서 90 초간 포스트 익스포저 베이크 처리를 실시하고, 2.38 질량% 테트라암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액으로 현상처리하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이어서 SiOC 층을 에칭하였다.
상기 에칭처리 후의 기판을, 순수에 대하여 오존가스를 15 분간 버블링함으로써 얻어진 오존수에 15 분간 접촉시키고, 계속해서 하기 표 1 에 나타내는 조성의 포토레지스트용 박리액 (박리액 A ~ F) 에 침지 (60℃, 30 분간) 처리하였다.
이 때의 기판 표면을 SEM (주사형 전자현미경) 에 의해 관찰한 바, 포토레지스트 패턴, 에칭 잔사물은 완전히 제거되어 있었다. 또한 저유전체층의 부식도 관찰되지 않았다.
실시예 7 ~ 12
상기 실시예 1 ~ 6 과 동일하게 하여 얻은 에칭처리 후의 기판을, 60℃ 로 가열한 30질량% 과산화수소수에 30 분간 접촉시키고, 계속해서 하기 표 1 에 나타내는 조성의 포토레지스트용 박리액 (박리액 A ~ F) 에 침지 (60℃, 30 분간) 처리하였다.
이 때의 기판 표면을 SEM (주사형 전자현미경) 에 의해 관찰한 바, 포토레지스트 패턴, 에칭 잔사물은 완전히 제거되어 있었다. 또한 저유전체층의 부식도 관찰되지 않았다.
비교예 1 ~ 6
상기 실시예 1 ~ 6 과 동일하게 하여 얻은 에칭처리 후의 기판을, 오존수에 접촉시키는 공정을 제외한 것 이외에는 각각 실시예 1 ~ 6 과 완전히 동일하게 하여 처리하였다.
이 때의 기판 표면을 SEM (주사형 전자현미경) 에 의해 관찰한 바, 기판 표면에는 포토레지스트 패턴, 에칭 잔사물이 완전하게 제거되지는 않고 잔존하고 있었다.
배합성분 (질량%)
박리액 A TPAH(5) NMP(31) 물(40) DGA(20) IR42(2) 1-티오글리세롤(2)
박리액 B TBAH(5) NMP(30) 물(30) DGA(32) IR42(1) 1-티오글리세롤(2)
박리액 C TPAH(5) NMP(22,5) 물(40) DGA(30) IR42(1) 1-티오글리세롤(1.5)
박리액 D TPAH(5) NMP(33) 물(40) MEA(20) IR42(2) -
박리액 E TPAH(15) NMP(17) 물(35) DGA(30) - 1-티오글리세롤(3)
박리액 F TPAH(5) NMP(32.5) 물(20) DGA(40) IR42(1) 1-티오글리세롤(1.5)
표 1 에 나타내는 각 성분은 다음과 같다.
TPAH: 테트라프로필암모늄하이드록사이드
TBAH: 테트라부틸암모늄하이드록사이드
NMP: N-메틸-2-피롤리돈
DGA: 2-(2-아미노에톡시)에탄올
MEA: 모노에탄올아민
IR42: 2,2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올
실시예 13 ~ 18
Cu 배선이 형성되고, 그 상층에 SiN 층 (배리어층), SiOC 층 (카본이 도핑된 옥사이드층; low-k 층) 이 차례로 적층된 기판 상에, 포지티브형 포토레지스트인 TDUR-P722 (도쿄오카코교 (주) 제) 를 도포하고, 140℃ 에서 90 초간 가열하여 포토레지스트층을 형성하였다. 이것을 S-203B (니콘 (주) 제) 를 사용하여 선택적으로 노광처리하고, 이어서 140℃ 에서 90 초간 포스트 익스포저 베이크 처리를 실시하여, 2.38 질량% 테트라암모늄하이드록사이드 (TMAH) 수용액으로 현상처리하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이어서 SiOC 층을 에칭하였다.
상기 에칭처리 후의 기판을, 순수에 대하여 오존가스를 15 분간 버블링함으로써 얻어진 오존수에 15 분간 접촉시키고, 계속해서 하기 표 2 에 나타내는 조성의 포토레지스트용 박리액 (박리액 G ~ L ) 에 침지 (60℃, 30 분간) 처리하였다.
이 때의 기판 표면을 SEM (주사형 전자현미경) 에 의해 관찰한 바, 포토레지스트 패턴, 에칭 잔사물은 완전히 제거되어 있었다. 또한 저유전체층의 부식도 관찰되지 않았다.
실시예 19 ~ 24
상기 실시예 13 ~ 18 과 동일하게 하여 얻은 에칭처리 후의 기판을, 60℃ 로 가열한 30 질량% 과산화수소수에 30분간 접촉시키고, 계속해서 하기 표 2 에 나타내는 조성의 포토레지스트용 박리액 (박리액 G ~ L) 에 침지 (60℃, 30 분간) 처리한 것 이외에는 실시예 13 ~ 18 과 동일하게 하여 처리하였다.
이 때의 기판 표면을 SEM (주사형 전자현미경) 에 의해 관찰한 바, 포토레지스트 패턴, 에칭 잔사물은 완전히 제거되어 있었다. 또한 저유전체층의 부식도 관찰되지 않았다.
비교예 7 ~ 12
상기 실시예 13 ~ 18 과 동일하게 하여 얻은 에칭처리 후의 기판을, 오존수 및/또는 과산화수소수에 접촉시키는 공정을 거치지 않고, 하기 표 2 에 나타내는 조성의 포토레지스트용 박리액 (박리액 G ~ L) 에 침지 (60℃, 30 분간) 처리하였다.
이 때의 기판 표면을 SEM (주사형 전자현미경) 에 의해 관찰한 바, 기판 표면에는 포토레지스트 패턴, 에칭 잔사물이 완전히 제거되지는 않고 잔존하고 있었다.
배합성분 (질량%)
박리액 G TMAH (10) DMSO (50) 물 (40) -
박리액 H Choline (10) DMSO (70) 물 (20) -
박리액 I TPAH (15) DMSO (40) 물 (45) -
박리액 J TBAH (5) DMSO (40) ＋ NMP (30) 물 (25) -
박리액 K MTPAH (5) DMSO (30) ＋ NMP (15) 물 (20) DGA (30)
박리액 L MTBAH (10) DMSO (10) ＋ SLF (5) 물 (40) DGA (35)
표 2 에 나타내는 각 성분은 다음과 같다.
TMAH: 테트라메틸암모늄하이드록사이드
Choline: (2-하이드록시에틸)트리메틸암모늄하이드록사이드〔＝ 콜린〕
TPAH: 테트라프로필암모늄하이드록사이드
TBAH: 테트라부틸암모늄하이드록사이드
MTPAH: 메틸트리프로필암모늄하이드록사이드
MTBAH: 메틸트리부틸암모늄하이드록사이드
DMSO: 디메틸술폭사이드
NMP: N-메틸-2-피롤리돈
SLF: 술포란
DGA: 2-(2-아미노에톡시)에탄올
이상 상세히 기술한 바와 같이 본 발명에 의하면 적어도 Cu 배선과 저유전체층을 갖는 기판의 미세 패턴 형성에 있어서, O2플라즈마 애싱처리를 실시하지 않는 프로세스에서도, 에칭 후의 포토레지스트막, 에칭 잔사물을 효과적으로 박리할 수있고, 또한 저유전체층의 유전율에 악영향을 미치지 않고, 저유전체층의 방식성도 우수한 포토레지스트 박리 방법이 제공된다.
이상과 같이, 본 발명의 포토레지스트 박리 방법은 듀얼 다마신법 등, 적어도 Cu 배선과 저유전체층을 갖는 기판을 사용하여 미세패턴의 형성에 적용되고, 특히 IC 나 LSI 등의 반도체 소자 등의 제조에 있어서, 종래부터 관용되고 있는 O2플라즈마 애싱 공정을 포함하지 않는 프로세스에서의 포토레지스트의 박리 방법에 바람직하게 적용된다.

Claims (8)

  1. (I) 적어도 구리 (Cu) 배선과 저유전체층을 갖는 기판 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 저유전체층을 선택적으로 에칭하는 공정,
    (II) 상기 (I) 공정을 거친 기판을 오존수 및/또는 과산화수소수에 접촉시키는 공정, 및
    (III) 상기 (II) 공정을 거친 기판을, 적어도 제 4 급 암모늄 수산화물을 함유하는 포토레지스트용 박리액에 접촉시키는 공정
    을 포함하는 포토레지스트 박리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 유전율 3 이하의 저유전체층인 포토레지스트 박리 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 제 4 급 암모늄 수산화물이 (a) 하기 일반식 (I)
    〔식 중, R1, R2, R3, R4는 각각 독립적으로, 탄소원자수 1 ~ 4 의 알킬기 또는 하이드록시알킬기를 나타낸다〕
    로 표현되는 제 4 급 암모늄 수산화물인 포토레지스트 박리 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 포토레지스트용 박리액이, 제 4 급 암모늄 수산화물을 1 ~ 20 질량%, 물을 5 ~ 60 질량%, 및 수용성 유기용매를 함유하는 포토레지스트 박리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 수용성 유기용매가 디메틸술폭사이드, 디메틸이미다졸리디논, N-메틸-2-피롤리돈, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 술포란, N,N-디메틸아세트아미드, 및 N,N-디메틸포름아미드 중에서 선택되는 1 종 이상인 포토레지스트 박리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 포토레지스트용 박리액이 추가로 수용성 아민을 함유하는 포토레지스트 박리 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 포토레지스트용 박리액이 추가로 방향족 하이드록시 화합물, 벤조트리아졸계 화합물, 메르캅토기 함유 화합물 중에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 포토레지스트 박리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 듀얼 다마신 구조 형성 프로세스에 이용하는 포토레지스트 박리 방법.
KR1020047017197A 2002-04-26 2003-04-25 포토레지스트 박리 방법 KR100781925B1 (ko)

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