WO2011031089A2 - 세정액 조성물 - Google Patents

세정액 조성물 Download PDF

Info

Publication number
WO2011031089A2
WO2011031089A2 PCT/KR2010/006174 KR2010006174W WO2011031089A2 WO 2011031089 A2 WO2011031089 A2 WO 2011031089A2 KR 2010006174 W KR2010006174 W KR 2010006174W WO 2011031089 A2 WO2011031089 A2 WO 2011031089A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
cleaning liquid
liquid composition
methyl
aqueous cleaning
Prior art date
Application number
PCT/KR2010/006174
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2011031089A3 (ko
Inventor
윤효중
방순홍
김성식
이승용
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to CN2010800381376A priority Critical patent/CN102498197A/zh
Publication of WO2011031089A2 publication Critical patent/WO2011031089A2/ko
Publication of WO2011031089A3 publication Critical patent/WO2011031089A3/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/28—Organic compounds containing halogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5022—Organic solvents containing oxygen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/263—Ethers

Definitions

  • the present invention relates to an aqueous cleaning liquid composition for cleaning a surface of a substrate used in a flat panel display device and a method of cleaning a substrate using the same.
  • the present invention relates to a cleaning liquid composition for removing organic contaminants, metal-resist deposits, metal oxides, metal complexes, etc. formed in the channel portion of the thin film transistor, and a cleaning method using the same.
  • FPDs typified by liquid crystal displays are manufactured through processes such as film formation, exposure, and etching, like semiconductor devices. That is, the etching process for the gate metal, the active layer, and the insulating layer source-drain metal is completed, and the photoresist layer used as a mask is peeled off using a stripping solution, followed by dry etching using a patterned source-drain as a mask. It is prepared by the process of patterning the channel portion by overetching the n + a-si and a-si: H layer using the method.
  • the photoresist used as a mask before forming the channel portion is removed by a resist stripping solution.
  • a chemical reaction between the photoresist and the wiring material decomposed / dissolved by the stripping solution used to remove the photoresist occurs to form a metal-resist deposit. It is promoted and an oxide film is formed.
  • the dry etching gas used for patterning the channel portion may form a metal complex salt with a metal wiring material forming a source-drain.
  • the metal-resist deposits, metal oxides, and metal complexes formed after the resist stripping and dry etching are contaminated with the channel portions even though they are present in the trace portions, resulting in leakage current between the source and drain metal wirings, and consequently the yield of the device. Lowers. Therefore, it is necessary to minimize such metal-resist deposits, metal oxides, metal complexes, and the like before entering the post process. Therefore, there is a need for a cleaning process for removing the contamination of the channel portion.
  • Conventional techniques applicable to the cleaning process for removing channel contamination as mentioned above include a stripping solution or cleaning agent for removing a resist-denatured film generated after dry etching or ashing in a device manufacturing process for semiconductor or flat panel displays. .
  • such a conventional stripping agent or cleaning agent does not prevent the corrosion of the metallization formed on the recent highly integrated and densified substrates to a practical level, and also removes metal oxides, metal-resist residues, metal complex salts, and the like. Since it is not sufficient, it is not suitable for use in a cleaning process for removing contamination of the channel portion.
  • the present invention relates to organic contaminants, metal-resist deposits, metal oxides and metal complexes formed in the channel portion of the thin film transistor of the liquid crystal display device, in particular, contaminants generated during the manufacture of a flat panel display device.
  • An object of the present invention is to provide an aqueous cleaning liquid composition which can be effectively removed without corrosion of the lower film quality such as alloy wiring and insulating film.
  • the present invention is 0.05 to 20% by weight of the organic amine compound, 0.1 to 40% by weight of the glycol ether compound, 0.001 to 5% by weight of the water-soluble fluorine-based compound excluding hydrofluoric acid, the compound represented by the formula (1)
  • An aqueous cleaning liquid composition comprising 1.0 wt% and residual water:
  • R1, R2 and R3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group of C1 ⁇ C5, a cycloalkyl group of C3 ⁇ C10, an allyl group of C3 ⁇ C5, an aryl group of C5 ⁇ C12, an amine group, C1 ⁇ C5 alkylamino group, nitro group, cyano group, mercapto group, C1-C5 alkyl mercapto group, hydroxy group, C1-C5 hydroxyalkyl group, carboxyl group, C2-C5 carboxyalkyl group, acyl group, C1-C5
  • the monovalent group which has an alkoxy group or C4-C12 heterocycle is shown.
  • the aqueous cleaning liquid composition of the present invention is maintained at a temperature of 20 to 80 °C, and provides a cleaning method of the thin film transistor channel portion, characterized in that for 10 seconds to 10 minutes to clean the channel portion of the thin film transistor.
  • the aqueous cleaning liquid composition of the present invention is maintained at a temperature of 20 to 80 °C, and provides a method for producing a thin film transistor comprising the step of cleaning the channel portion of the thin film transistor for 10 seconds to 10 minutes.
  • the water-based cleaning liquid composition of the present invention is excellent in cleaning power for organic contaminants and metal-resist deposits, metal oxides and metal complexes formed in the channel portion of the thin film transistor of the liquid crystal display device, in particular, during the manufacturing of the flat panel display device. In addition, it is excellent in the corrosion prevention effect on the metal wiring formed on the board
  • the present invention is 0.05 to 20% by weight of the organic amine compound, 0.1 to 40% by weight of the glycol ether compound, 0.001 to 5% by weight of the water-soluble fluorine-based compound excluding hydrofluoric acid, the compound represented by the formula (1) It relates to an aqueous cleaning liquid composition comprising 1.0% by weight and the balance of water:
  • R1, R2 and R3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group of C1 ⁇ C5, a cycloalkyl group of C3 ⁇ C10, an allyl group of C3 ⁇ C5, an aryl group of C5 ⁇ C12, an amine group, C1 ⁇ C5 alkylamino group, nitro group, cyano group, mercapto group, C1-C5 alkyl mercapto group, hydroxy group, C1-C5 hydroxyalkyl group, carboxyl group, C2-C5 carboxyalkyl group, acyl group, C1-C5
  • the monovalent group which has an alkoxy group or C4-C12 heterocycle is shown.
  • the organic amine compound included in the cleaning liquid composition of the present invention is preferably contained in 0.05% by weight to 20% by weight relative to the total weight of the composition, more preferably contained in 0.1% by weight to 10% by weight.
  • the organic amine compound is included in less than 0.05% by weight, sufficient cleaning effects on microparticles, organic contaminants and inorganic contaminants may not be achieved, and when the organic amine compound exceeds 20% by weight, the pH of the organic amine compound may be increased to increase corrosion of metal wires.
  • organic amine compound examples include primary amines such as methylamine, ethylamine, isopropylamine, and monoisopropylamine; Secondary amines such as diethylamine, diisopropylamine and dibutylamine; Tertiary amines such as trimethylamine, triethylamine, triisopropylamine and tributylamine; Tetramethylammonium hydroxide, choline, monoethanolamine, diethanolamine, 2-amino ethanol, 2- (ethylamino) ethanol, 2- (methylamino) ethanol, N-methyldiethanolamine, dimethylaminoethanol, di Alkanolamines such as ethylaminoethanol, nitrilotriethanol, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, 1-amino-2-propanol, triethanolamine, monopropanolamine, dibutanolamine, and the like, and the like can be given.
  • the glycol ether compound contained in the cleaning liquid composition of the present invention serves as a solvent for dissolving organic contaminants.
  • the compound lowers the surface tension of the cleaning liquid to increase the wettability to the substrate, thereby improving the cleaning power.
  • the glycol ether compound is preferably included in an amount of 0.1 to 40% by weight, more preferably 0.5 to 20% by weight based on the total weight of the composition. If the glycol ether compound is included in less than 0.1% by weight can not be expected to increase the solubility of the contaminants by the component, when the content exceeds 40% by weight no increase in the wettability effect.
  • the glycol ether compound may be ethylene glycol monobutyl ether (BG), diethylene glycol monomethyl ether (MDG), diethylene glycol monoethyl ether (carbitol), diethylene glycol monobutyl ether (BDG), dipropylene glycol monomethyl Ether (DPM), dipropylene glycol monoethyl ether (MFDG), triethylene glycol monobutyl ether (BTG), triethylene glycol monoethyl ether (MTG), propylene glycol monomethyl ether (MFG), and the like.
  • BG ethylene glycol monobutyl ether
  • MDG diethylene glycol monomethyl ether
  • BDG diethylene glycol monoethyl ether
  • DPM dipropylene glycol monoethyl ether
  • MFDG dipropylene glycol monoethyl ether
  • BGG triethylene glycol monobutyl ether
  • MMG propylene glycol monomethyl ether
  • the fluorine-based compound other than hydrofluoric acid included in the cleaning liquid composition of the present invention serves to improve the removability of metal-resist deposits, metal oxides and metal complexes present in the channel portion.
  • Hydrofluoric acid in fluorine compounds is not used in the present invention because of its risk and reactivity. Hydrofluoric acid is a weak acid, but it is very toxic and it is very difficult to handle, and it can be harmful to human body by generating hydrogen or fluorine gas when reacting with organic amine which is alkali among detergent components. Therefore, other fluorine compounds which are more stable or easier to handle than hydrofluoric acid are used.
  • the fluorine-based compound is preferably contained in an amount of 0.001 to 5% by weight, and more preferably 0.01 to 2% by weight based on the total weight of the composition.
  • the fluorine-based compound is contained in less than 0.001% by weight, the removal effect on the metal-resist deposits, metal oxides, metal complexes, etc. of the cleaning liquid composition is insignificant, and when included in more than 5% by weight, the pH of the cleaning liquid composition is reduced to organic. The problem arises that the cleaning power for inorganic contaminants is rather lowered and the corrosion to the lower film of the channel portion is increased.
  • fluorine-based compound examples include boric fluoride (HBF 4 ), ammonium fluoride (NH 4 F), ammonium bifluoride (NH 4 HF 2 ), tetramethyl ammonium fluoride ((CH 3 ) 4 NF), and tetrahydrofluoric acid.
  • Ethyl ammonium fluoride ((CH 3 CH 2 ) 4 NF) methylamine hydrogen fluoride salt, ethylamine hydrogen fluoride salt, propylamine hydrogen fluoride salt, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more thereof. Can be.
  • the compound represented by the following Chemical Formula 1 included in the cleaning solution composition of the present invention serves to minimize corrosion of the conductive metal film and the insulating film below as a corrosion inhibitor.
  • the lone pair of electrons of the nitrogen atom present in the triazole ring is bonded electronically with copper to effectively suppress corrosion of the copper wiring.
  • the compound represented by the following Formula 1 is preferably included in 0.001 to 1.0% by weight based on the total weight of the composition, more preferably 0.01 to 0.5% by weight.
  • content of the compound represented by the formula (1) is contained less than 0.001% by weight, it is difficult to expect the anti-corrosion effect of the lower conductive metal film and the insulating film, if it exceeds 1.0% by weight further increase the effect is insignificant economically desirable Not.
  • R1, R2 and R3 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group of C1 ⁇ C5, a cycloalkyl group of C3 ⁇ C10, an allyl group of C3 ⁇ C5, an aryl group of C5 ⁇ C12, an amine group, C1 ⁇ C5 alkylamino group, nitro group, cyano group, mercapto group, C1-C5 alkyl mercapto group, hydroxy group, C1-C5 hydroxyalkyl group, carboxyl group, C2-C5 carboxyalkyl group, acyl group, C1-C5
  • the monovalent group which has an alkoxy group or C4-C12 heterocycle is shown.
  • the compound examples include 2,2 '-[[[benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bisethanol, [[[methyl-1 H-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] Bismethanol, 2,2 '-[[[ethyl-1H-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bisethanol, [[[methyl-1H-benzotriazol-1-yl] methyl] imino ] Biscarboxylic acid, [[[methyl-1H-benzotriazol-1-yl] methyl] imino] bismethylamine, 2,2 '-[[[amine-1H-benzotriazol-1-yl] methyl] Imino] bisethanol and the like, and these may be used alone or in combination of two or more.
  • the substituent (R3) substituted in the benzene ring is not limited to the bonding position thereof. That is, it can be combined at any of positions 4, 5, 6 and 7.
  • the water contained in the aqueous cleaning liquid composition of the present invention is preferably deionized water, and it is preferable that the sum of the components of the aqueous cleaning liquid composition of the present invention is 100%.
  • the aqueous cleaning liquid composition of the present invention exhibits an excellent effect on the substrate cleaning of the flat panel display device, and particularly, the cleaning of the channel portion of the thin film transistor.
  • the corrosion resistance to copper or copper alloy is excellent, it can be preferably used for cleaning the channel portion of the thin film transistor including copper or copper alloy wiring.
  • a method of spraying the cleaning solution on the contaminated substrate surface a method of dipping the substrate into a bath containing the cleaning solution, and the like may be used. That is, a spray method, a spin method, a dipping method, or a dipping method using ultrasonic waves may be used.
  • An organic amine compound, a water-soluble glycol ether compound, a fluorine-based compound except for hydrofluoric acid, a compound of Formula 1, and water were mixed in the amounts shown in Table 1 to prepare an aqueous cleaning liquid composition.
  • Example 1 Organoamine compounds Glycol ether compounds Fluorine compound Compound of Formula 1 Deionized water Kinds Content (% by weight) Kinds Content (% by weight) Kinds Content (% by weight) Kinds Content (% by weight) Content (% by weight)
  • Example 1 A-1 1.0 B-1 15 C-1 0.2 D-1 0.1 Remaining amount
  • Example 2 A-1 1.0 B-1 20 C-1 0.5 D-2 0.2 Remaining amount
  • Example 3 A-1 5.0 B-2 10 C-2 0.5 D-1 0.2 Remaining amount
  • Example 4 A-1 5.0 B-2 15 C-2 0.2 D-2 0.1 Remaining amount
  • Example 5 A-1 5.0 B-2 20 C-2 0.5 D-1 0.2 Remaining amount
  • Example 6 A-2 1.0 B-1 15 C-1 0.2 D-1 0.1 Remaining amount
  • Example 7 A-2 1.0 B-1 20 C-1 0.5 D-1 0.2 Remaining amount
  • Example 8 A-2 5.0 B-1 10 C-1 0.2 D-1 0.1 Remaining amount
  • Example 9 A-2
  • A-1 monoethanolamine (MEA)
  • B-2 diethylene glycol monobutyl ether (BDG)
  • a glass substrate having an aluminum thickness of 2000 mm 2 and a copper thickness of 2500 mm 2 was deposited on the cleaning liquid compositions of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 2 for 30 minutes.
  • the temperature of the cleaning liquid composition was 40 °C
  • the thickness of the metal film was measured before and after deposition to calculate the dissolution rate of the metal film from the thickness change of the metal film. The evaluation results are shown in Table 2 below.
  • Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 2 were used at room temperature for 2 minutes using a spray-type glass substrate cleaning device. It wash
  • ⁇ excellent (40 ° or more reduced), ⁇ : good (less than 40 ° to 30 °), ⁇ : poor (less than 30 ° to 20 °), X: poor (less than 20 °)
  • the cleaning liquid compositions of Examples 1 to 15 are not only excellent anticorrosive effect on the metal wiring by including the compound of Formula 1 as a corrosion inhibitor, but also added to the channel contaminants by the addition of fluorine compounds. It also showed an excellent effect in terms of removal power.
  • Comparative Example 1 cleaning liquid composition was good cleaning power but poor anticorrosive effect on the metal wiring, the cleaning liquid composition of Comparative Example 2 was not enough cleaning effect on the contaminants of the channel portion as well.
  • Glass substrates for flat panel displays have suitable contact angles for post-processing for film deposition.
  • organic contaminants are present on the glass substrate, they become hydrophobic, like fingerprints or oil films. Therefore, when the contact angle of the contaminated glass substrate is measured, the wettability of the hydrophobic surface is inferior, thereby increasing the contact angle due to the surface tension of water.
  • the hydrophobic contaminants are removed from the glass substrate through cleaning, only the characteristics of the glass substrate itself are reduced, thereby reducing the contact angle.
  • the surface of the substrate is made hydrophilic through surface modification or the like, the contact angle is further reduced than the initial stage.
  • the cleaning solution composition of the present invention is very excellent in preventing the corrosion of copper compared to the conventional cleaning solution composition.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 평판표시장치(FPD)를 제조하는 공정에 있어서, 박막트랜지스터의 채널부에 형성되는 오염물을 제거하기 위한 수계 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것이다. 본 발명의 수계 세정액 조성물은 박막트랜지스터의 채널부에 형성되는 유기오염물 및 금속-레지스트 침착물, 금속산화물, 금속 착화물에 대한 세정력이 우수할 뿐만 아니라, 기판상에 형성되어 있는 금속배선 특히, 구리 및 구리합금 배선, 및 절연막의 부식방지 효과도 우수하다. 또한, 다량의 탈이온수를 포함하고 있어 취급이 용이하며 환경적으로 유리하다.

Description

세정액 조성물
본 발명은 평판표시장치에 이용되는 기판의 표면을 세정하기 위한 수계 세정액 조성물 및 이를 이용한 기판의 세정방법에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 박막트랜지스터의 채널부에 형성되는 유기오염물, 금속-레지스트 침착물, 금속산화물, 금속 착화물을 등을 제거하기 위한 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것이다.
액정표시장치로 대표되는 FPD는, 반도체 디바이스와 같이, 성막, 노광, 에칭 등의 공정을 거쳐 제조된다. 즉, 게이트 메탈, 활성층 및 절연층 소오스-드레인 메탈에 대한 에칭과정이 완료되고, 마스크로 사용된 포토레지스트층을 박리액을 이용하여 박리한 후, 패턴이 형성된 소오스-드레인을 마스크로 하여 드라이 에칭 방법을 이용해 n+ a-si과 a-si:H층을 과식각하여 채널부를 패터닝하는 공정에 의해 제조된다.
상기에서 채널부를 형성하기 전 마스크로 사용되는 포토레지스트는 레지스트 박리액에 의하여 제거된다. 이 때, 포토레지스트를 제거하기 위해 사용된 박리액에 의해 분해/용해된 포토레지스트와 배선 재료의 화학반응이 일어나 금속-레지스트 침착물이 형성되며, 금속 배선의 경우 채널부의 측벽 노출 부분의 산화가 촉진되어 산화막이 형성된다. 또한, 채널부를 패터닝하기 위해 사용한 드라이 에칭 가스는 소오스-드레인을 형성하는 금속 배선재료와 금속 착염을 형성하기도 한다. 이렇게 레지스트 박리 및 드라이 에칭 후에 형성된 금속-레지스트 침착물, 금속 산화물, 금속착염물 등은 채널부에 극미량으로 존재하더라도 채널부를 오염시켜 소오스-드레인 금속 배선 간에 누설 전류를 발생시키며, 결과적으로 디바이스의 수율을 저하시킨다. 따라서, 후공정에 들어가기 전에 이러한 금속-레지스트 침착물, 금속 산화물, 금속착염물 등을 최대한 저감시킬 필요가 있다. 따라서 이러한 채널부의 오염을 제거하기 위한 세정공정의 필요성이 대두되고 있다.
상기와 같은 채널부 오염을 제거하기 위한 세정공정에 적용가능한 종래의 기술로는 반도체 혹은 평판디스플레이용 디바이스 제조 공정중 드라이 에칭 혹은 에싱 후에 발생하는 레지스트 변성막을 제거하기 위한 박리액 또는 세정제를 들 수 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 박리액 또는 세정제는 최근의 고집적 및 고밀도화된 기판 위에 형성된 금속배선의 부식을 실용적인 수준까지 방지하지 못할 뿐 아니라, 금속 산화물, 금속-레지스트 잔사, 금속착염물 등에 대한 제거력도 충분하지 않기 때문에 채널부의 오염을 제거하기 위한 세정공정에 사용하기에는 부적합하다.
본 발명은 평판표시장치 제조시에 발생되는 오염물 특히, 액정표시소자의 박막트랜지스터의 채널부에 형성되는 유기오염물, 금속-레지스트 침착물, 금속산화물, 금속 착화물을, 금속배선 특히, 구리 및 구리합금 배선, 및 절연막 등의 하부막질의 부식 없이 효과적으로 제거할 수 있는 수계 세정액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 유기아민화합물 0.05중량% 내지 20중량%, 글리콜에테르 화합물 0.1 내지 40중량%, 불화수소산을 제외한 수용성 불소계 화합물 0.001 내지 5중량%, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 0.001 내지 1.0중량% 및 잔량의 물을 포함하는 수계 세정액 조성물을 제공한다:
화학식 1
Figure PCTKR2010006174-appb-C000001
상기 화학식에서 R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, C1~C5의 알킬기, C3~C10의 시클로알킬기, C3~C5의 알릴기, C5~C12의 아릴기, 아민기, C1~C5의 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 메르캅토기, C1~C5의 알킬메르캅토기, 히드록시기, C1~C5의 히드록시알킬기, 카르복시기, C2~C5의 카르복시알킬기, 아실기, C1~C5의 알콕시기 또는 C4~C12의 복소환을 갖는 1가의 기를 나타낸다.
또한, 본 발명은,
본 발명의 수계 세정액 조성물을 20 내지 80℃의 온도로 유지시키고, 박막트랜지스터의 채널부를 10초 내지 10분 동안 세정하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 채널부의 세정방법을 제공한다.
또한, 본 발명은,
본 발명의 수계 세정액 조성물을 20 내지 80℃의 온도로 유지시키고, 박막트랜지스터의 채널부를 10초 내지 10분 동안 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 수계 세정액 조성물은 평판표시장치 제조시 발생되는 오염물 특히, 액정표시소자의 박막트랜지스터의 채널부에 형성되는 유기오염물 및 금속-레지스트 침착물, 금속산화물, 금속 착화물에 대한 세정력이 우수할 뿐만 아니라, 기판상에 형성되어 있는 금속배선 특히, 구리 및 구리합금 배선, 및 절연막에 대한 부식방지 효과가 우수하다.
또한, 다량의 탈이온수를 포함하고 있어 취급이 용이하며 환경적으로 유리하다.
본 발명은 조성물 총 중량에 대하여 유기아민화합물 0.05중량% 내지 20중량%, 글리콜에테르 화합물 0.1 내지 40중량%, 불화수소산을 제외한 수용성 불소계 화합물 0.001 내지 5중량%, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 0.001 내지 1.0중량% 및 잔량의 물을 포함하는 수계 세정액 조성물에 관한 것이다:
[화학식1]
Figure PCTKR2010006174-appb-I000001
상기 화학식에서 R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, C1~C5의 알킬기, C3~C10의 시클로알킬기, C3~C5의 알릴기, C5~C12의 아릴기, 아민기, C1~C5의 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 메르캅토기, C1~C5의 알킬메르캅토기, 히드록시기, C1~C5의 히드록시알킬기, 카르복시기, C2~C5의 카르복시알킬기, 아실기, C1~C5의 알콕시기 또는 C4~C12의 복소환을 갖는 1가의 기를 나타낸다.
본 발명의 세정액 조성물에 포함되는 유기아민 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.05중량% 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.1중량% 내지 10중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 상기 유기아민 화합물이 0.05중량% 미만으로 포함되면, 미세입자, 유기 오염물 및 무기 오염물에 대해 충분한 세정효과를 달성할 수 없고, 20중량%를 초과하면 pH가 높아져 금속 배선에 대한 부식이 증가한다.
상기 유기아민 화합물로는 메틸아민, 에틸아민, 이소프로필아민, 모노이소프로필아민 등의 1급 아민; 디에틸아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민 등의 2급 아민; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리이소프로필아민, 트리부틸아민 등의 3급 아민; 테트라메틸암모늄 히드록시드, 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 2-아미노 에탄올, 2-(에틸아미노)에탄올, 2-(메틸아미노)에탄올, N-메틸디에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, 니트리로트리에탄올, 2-(2-아미노에톡시) 에탄올, 1-아미노-2-프로판올, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, 디부탄올아민 등의 알칸올아민 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물에 포함되는 글리콜에테르화합물은 유기오염물을 용해시키는 용제역할을 한다. 또한 상기 화합물은 용제로서의 기능 외에도 세정액의 표면장력을 저하시켜 기판에 대한 습윤성을 증가시키므로 세정력을 향상시켜 준다.
상기 글리콜에테르 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 40중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 20중량%로 포함된다. 글리콜에테르 화합물이 0.1중량% 미만으로 포함되면 상기 성분에 의한 오염물에 대한 용해력 증가를 기대할 수 없고, 40중량%를 초과하는 경우에는 더 이상 습윤성 증가 효과가 증가하지 않는다.
상기 글리콜에테르 화합물로는 에틸렌글리콜모노부틸에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(carbitol), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(MFDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BTG), 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(MTG), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(MFG) 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물에 포함되는 불화수소산을 제외한 불소계 화합물은 채널부에 존재하는 금속-레지스트 침착물, 금속 산화물 및 금속착화물에 대한 제거성을 향상시키는 역할을 한다. 불소계 화합물 중 불화수소산은 그 자체의 위험성 및 반응성 때문에 본 발명에서는 사용되지 않는다. 불화수소산은 약산이지만 매우 유독한 물질로 취급이 상당히 까다로우며, 세정제 성분중 알칼리인 유기아민과 반응시 수소 또는 불소가스의 발생으로 인체에 유해할 수 있다. 따라서 불화수소산보다는 안정성이나 취급이 용이한 다른 불소계 화합물을 사용한다.
상기 불소계 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.001 내지 5중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 0.01 내지 2중량%로 포함되는 것이 더 바람직하다. 상기 불소계 화합물이 0.001 중량% 미만으로 포함되면 세정액 조성물의 금속-레지스트 침착물, 금속 산화물, 금속 착화물 등에 대한 제거효과가 미진하고, 5중량% 초과하여 포함되면, 세정액 조성물의 pH를 감소시켜 유기/무기 오염물에 대한 세정력을 오히려 저하시키고, 채널부의 하부막질에 대한 부식을 증가시키는 문제가 발생한다.
상기 불소계 화합물로는 불화수소산을 제외한 불화붕소산(HBF4), 불화암모늄(NH4F), 중불화암모늄(NH4HF2), 테트라메틸 암모늄플로라이드((CH3)4NF), 테트라에틸 암모늄플로라이드((CH3CH2)4NF), 메틸아민 불화수소염, 에틸아민 불화수소염, 프로필아민 불화수소염 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
본발명의 세정액 조성물에 포함되는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물은 부식 방지제로서 하부의 도전성 금속막과 절연막의 부식을 최소화하는 역할을 한다. 특히, 트리아졸 고리에 존재하는 질소 원자의 비공유전자쌍은 구리와 전자적으로 결합하여 구리 배선의 부식을 효과적으로 억제한다.
하기 화학식 1로 표시되는 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 0.001 내지 1.0중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.5중량%이다. 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량이 0.001중량% 미만으로 포함되는 경우 하부의 도전성 금속막과 절연막의 부식방지 효과를 기대하기 어렵고, 1.0중량%를 초과하는 경우에는 더 이상의 효과 증가가 미미하여 경제적으로 바람직하지 않다.
[화학식1]
Figure PCTKR2010006174-appb-I000002
상기 화학식에서 R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, C1~C5의 알킬기, C3~C10의 시클로알킬기, C3~C5의 알릴기, C5~C12의 아릴기, 아민기, C1~C5의 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 메르캅토기, C1~C5의 알킬메르캅토기, 히드록시기, C1~C5의 히드록시알킬기, 카르복시기, C2~C5의 카르복시알킬기, 아실기, C1~C5의 알콕시기 또는 C4~C12의 복소환을 갖는 1가의 기를 나타낸다.
상기 화합물의 구체적인 예로는 2,2'-[[[벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, [[[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, [[[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, [[[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2'-[[[아민-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올 등을 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 구체적으로 예시된 화합물들에서 벤젠고리에 치환된 치환기(R3)는 그 결합 위치가 한정되지 않는다. 즉, 4, 5, 6, 7번의 어느 위치에도 결합될 수 있다.
본 발명의 수계 세정액 조성물에 포함되는 물은 탈이온수인 것이 바람직하고, 본 발명의 수계 세정액 조성물의 구성요소들의 합이 100%가 되도록 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 수계 세정액 조성물은 평판표시장치의 기판 세정에 우수한 효과를 나타내며, 특히, 박막트랜지스터의 채널부 세정시에 매우 우수한 효과를 나타낸다. 또한, 구리 또는 구리합금에 대한 방식력이 우수하기 때문에 구리 또는 구리합금 배선을 포함하는 박막트랜지스터의 채널부 세정에 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명의 세정용액을 이용한 세정방법으로는 오염된 기판표면에 세정용액을 분사하는 방법, 기판을 세정용액이 담겨있는 배쓰(bath)에 디핑(dipping)하는 방법 등이 사용될 수 있다. 즉, 스프레이(Spray)방식, 스핀(Spin)방식, 디핑(Dipping)방식, 또는 초음파를 이용한 디핑방식 등이 사용될 수 있다.
이와 같은 습식공정을 통해 기판상의 유기오염물이나 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다. 세정시 세정액의 온도는 20 내지 80℃로 유지시키는 것이 바람직하며, 유기오염물이나 파티클의 제거효율을 향상시키기 위해서는 습식공정 시간을 길게 하는 것이 유리하나 생산성을 고려해 볼 때 습식공정 시간은 30초 내지 10분 정도가 바람직하다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예 1 내지 실시예 15, 비교예 1 및 비교예 2: 세정액 조성물의 제조
유기아민화합물, 수용성 글리콜에테르 화합물, 불산을 제외한 불소계 화합물, 화학식1의 화합물 및 물을 하기 표 1에 기재된 함량으로 혼합하여 수계 세정액 조성물을 제조하였다.
표 1
유기아민화합물 글리콜에테르 화합물 불소계 화합물 화학식1의 화합물 탈이온수
종류 함량(중량%) 종류 함량(중량%) 종류 함량(중량%) 종류 함량(중량%) 함량(중량%)
실시예1 A-1 1.0 B-1 15 C-1 0.2 D-1 0.1 잔량
실시예2 A-1 1.0 B-1 20 C-1 0.5 D-2 0.2 잔량
실시예3 A-1 5.0 B-2 10 C-2 0.5 D-1 0.2 잔량
실시예4 A-1 5.0 B-2 15 C-2 0.2 D-2 0.1 잔량
실시예5 A-1 5.0 B-2 20 C-2 0.5 D-1 0.2 잔량
실시예6 A-2 1.0 B-1 15 C-1 0.2 D-1 0.1 잔량
실시예7 A-2 1.0 B-1 20 C-1 0.5 D-1 0.2 잔량
실시예8 A-2 5.0 B-1 10 C-1 0.2 D-1 0.1 잔량
실시예9 A-2 5.0 B-2 15 C-1 0.5 D-1 0.2 잔량
실시예10 A-2 5.0 B-2 20 C-1 0.2 D-1 0.1 잔량
실시예11 A-3 1.0 B-1 15 C-1 0.5 D-1 0.2 잔량
실시예12 A-3 1.0 B-1 20 C-1 0.2 D-1 0.1 잔량
실시예13 A-3 5.0 B-1 10 C-1 0.5 D-1 0.2 잔량
실시예14 A-3 5.0 B-2 15 C-1 0.5 D-1 0.2 잔량
실시예15 A-3 5.0 B-2 20 C-1 0.5 D-1 0.2 잔량
비교예1 A-1 5.0 - - - - - - 잔량
비교예2 A-2 5.0 B-2 20 - - - - 잔량
A-1: 모노에탄올아민(MEA)
A-2: 1-아미노-2-프로판올(MIPA)
A-3: 디메틸 아미노에탄올(DMAE)
B-1: 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG)
B-2: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG)
C-1: 불화암모늄
C-2: 중불화암모늄
D-1: 2,2'-[[[4-에틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올
D-2: [[[4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올
시험예: 수계 세정액 조성물의 특성평가
<부식방지력 평가>
먼저, 알루미늄 두께가 2000Å 구리 두께가 2500Å 형성된 유리기판을 실시예1 내지 실시예15 및 비교예1 내지 비교예2의 세정액 조성물에 30분간 침적시켰다. 이때 세정액 조성물의 온도는 40℃였으며, 금속 막의 두께를 침적 이전 및 이후에 측정하여 금속 막의 용해속도를 금속 막의 두께 변화로부터 계산하였다. 평가한 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
<유기 오염물 제거력 평가>
5cmⅩ5cm 크기의 유리기판을 대기 중에 24시간 방치하여 대기 중의 각종 유기물, 무기물, 파티클 등에 오염시켰다. 스프레이식 유리 기판 세정장치를 이용하여 2분동안 40℃에서 실시예1 내지 실시예15 및 비교예1 내지 비교예2의 세정액 조성물로 세정하였다 세정 후 초순수에 30초 세척한 후 질소로 건조하였다. 상기 유리기판 위에 0.5㎕의 초순수 방울을 떨어뜨려 세정후의 접촉각을 측정하고 그 결과를 하기 표2에 나타내었다.
<채널부 오염물 제거력 평가>
채널부의 드라이 에칭이 완료된 패터닝된 기판에 오염으로 인하여 누설전류가 발생하는 부분을 표기한 후, 스프레이식 유리기판 세정장치를 이용하여 2분동안 상온에서 실시예1 내지 실시예15 및 비교예1 내지 비교예2의 세정액 조성물로 세정하였다. 세정후 초순수에 30초간 세척한 후 질소로 건조하였다. 상기 기판을 SEM-EDAX로 측정하여 채널부에 금속-레지스트 침착물, 금속산화물 및 금속착화물 등의 검출 여부를 확인하였다.
<부식방지력 평가 기준>
금속 막의 두께 변화에 따라
◎: 우수(2 Å/min 미만), ○: 양호(5 Å/min 미만), △: 미흡(10 Å/min 미만), Ⅹ: 불량(10 Å/min 이상)
<유기 오염물 제거력 평가 기준>
접촉각 감소량에 따라
◎: 우수(40°이상 감소), ○: 양호(40°미만~30°감소), △: 미흡(30°미만~20°감소), Ⅹ: 불량(20°미만감소)
<채널부 유기/금속원소 검출>
○: 검출됨, Ⅹ: 검출 안됨.
표 2
Cu 에칭속도 (Å/분) 접촉각 EDAX측정 결과
상온 40℃
실시예1 ◎ ○ ○ Ⅹ
실시예2 ◎ ○ ○ Ⅹ
실시예3 ◎ ○ ○ Ⅹ
실시예4 ◎ ○ ○ Ⅹ
실시예5 ○ ○ ○ Ⅹ
실시예6 ○ ○ ○ Ⅹ
실시예7 ◎ ○ ○ Ⅹ
실시예8 ◎ ○ ○ Ⅹ
실시예9 ○ ○ ○ Ⅹ
실시예10 ○ ○ ○ Ⅹ
실시예11 ○ ○ ○ Ⅹ
실시예12 ○ ○ ○ Ⅹ
실시예13 ◎ ◎ ○ Ⅹ
실시예14 ○ ◎ ○ Ⅹ
실시예15 ○ ◎ ○ Ⅹ
비교예1 Ⅹ Ⅹ ○ ○
비교예2 Ⅹ Ⅹ △ ○
상기 표 2에서 확인되는 바와 같이, 실시예1 내지 실시예15의 세정액 조성물은 부식방지제로서 화학식1의 화합물을 포함함으로써 금속 배선에 대한 방식 효과가 뛰어날 뿐만 아니라, 불소 화합물의 첨가로 채널부 오염물에 대한 제거력 면에서도 우수한 효과를 나타내었다. 그러나 비교예1 세정액 조성물의 경우 세정력은 양호하나 금속 배선에 대한 방식효과가 불량하였으며, 비교예2의 세정액 조성물은 방식효과뿐만 아니라 채널부 오염물에 대한 세정효과도 미흡하였다.
상기 실험에서 물에 대한 접촉각과 유/무기 오염물의 제거력과의 상관관계에 대하여 부연하여 설명하면 다음과 같다.
평판디스플레이용 유리기판의 경우 막증착을 위한 후공정을 위해 적정한 접촉각을 갖고 있다. 하지만 유기 오염물이 유리기판에 존재할 때, 이는 지문이나 기름막처럼 소수성을 띄게 된다. 따라서 오염된 유리기판의 접촉각을 측정하면 소수성인 표면의 젖음성이 떨어지기 때문에 물의 표면장력에 의해 접촉각이 증가하게 된다. 이 때, 세정을 통해 유리기판에서 소수성의 오염물을 제거하면 유리기판 자체의 특성만 갖게 되어 접촉각이 감소하게 된다. 또한, 표면개질 등을 통해 기판 표면을 친수성을 띄게 만들면, 초기보다 접촉각은 더욱 감소하게 된다.
<금속 패턴 부식방지력 평가>
상기 실시예1 내지 실시예5 및 실시예11 내지 15에서 제조한 각각의 세정액 조성물을 사용하여, 5cm x 5cm 크기로 형성된 유리기판 위에 구리의 패턴이 형성된 기판을 스프레이식 유리 기판 세정장치를 이용하여 2분동안 40℃에서 세정하였다. 세정 후 초순수에 30초 세척한 후 질소로 건조하였다. 그 결과는 하기 표 3과 같다.
<부식 평가 기준>
○: 부식 없음, △: 부식 약간발생, X: 다량 부식발생
표 3
Cu 패턴 부식
상온 40℃
실시예1 ○ ○
실시예2 ○ ○
실시예3 ○ ○
실시예4 ○ ○
실시예5 ○ ○
실시예11 ○ ○
실시예12 ○ ○
실시예13 ○ ○
실시예14 ○ ○
실시예15 ○ ○
비교예1 X X
상기 표 3에서 확인되는 바와 같이, 본 발명의 세정액 조성물은 종래의 세정액 조성물과 비교하여 구리의 부식에 대한 방지효과가 매우 우수함을 알 수 있다.

Claims (9)

  1. 조성물 총 중량에 대하여 유기아민화합물 0.05중량% 내지 20중량%, 글리콜에테르 화합물 0.1 내지 40중량%, 불화수소산을 제외한 수용성 불소계 화합물 0.001 내지 5중량%, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 0.001 내지 1.0중량% 및 잔량의 물을 포함하는 수계 세정액 조성물:
    [화학식1]
    Figure PCTKR2010006174-appb-I000003
    상기 화학식에서 R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, C1~C5의 알킬기, C3~C10의 시클로알킬기, C3~C5의 알릴기, C5~C12의 아릴기, 아민기, C1~C5의 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 메르캅토기, C1~C5의 알킬메르캅토기, 히드록시기, C1~C5의 히드록시알킬기, 카르복시기, C2~C5의 카르복시알킬기, 아실기, C1~C5의 알콕시기 또는 C4~C12의 복소환을 갖는 1가의 기를 나타낸다.
  2. 청구항 1항에 있어서, 상기 유기아민화합물은 1급 아민, 2급 아민, 3급 아민 및 알칸올아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것임을 특징으로 하는 수계 세정액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 글리콜에테르 화합물은 에틸렌글리콜모노부틸에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(carbitol), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(MFDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BTG), 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(MTG) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(MFG)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것임을 특징으로 하는 수계 세정액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 불화수소산을 제외한 수용성 불소계 화합물은 불화붕소산(HBF4), 불화암모늄(NH4F), 중불화암모늄(NH4HF2), 테트라메틸 암모늄플로라이드((CH3)4NF), 테트라에틸 암모늄플로라이드((CH3CH2)4NF), 메틸아민 불화수소염, 에틸아민 불화수소염, 및 프로필아민 불화수소염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것임을 특징으로 하는 수계 세정액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 2,2'-[[[벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, [[[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, [[[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, [[[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 및 2,2'-[[[아민-1H-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 것임을 특징으로 하는 수계 세정액 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 수계 세정액 조성물은 박막트랜지스터의 채널부 세정에 사용되는 것임을 특징으로 하는 수계 세정액 조성물.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 박막트랜지스터 채널부는 구리 또는 구리합금 배선을 포함하는 것임을 특징으로 하는 수계 세정액 조성물.
  8. 청구항 1의 수계 세정액 조성물을 20 내지 80℃의 온도로 유지시키고, 박막트랜지스터의 채널부를 10초 내지 10분 동안 세정하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 채널부의 세정방법.
  9. 청구항 1의 수계 세정액 조성물을 20 내지 80℃의 온도로 유지시키고, 박막트랜지스터의 채널부를 10초 내지 10분 동안 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
PCT/KR2010/006174 2009-09-11 2010-09-10 세정액 조성물 WO2011031089A2 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010800381376A CN102498197A (zh) 2009-09-11 2010-09-10 清洗组成物

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2009-0086046 2009-09-11
KR1020090086046A KR20110028109A (ko) 2009-09-11 2009-09-11 세정액 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2011031089A2 true WO2011031089A2 (ko) 2011-03-17
WO2011031089A3 WO2011031089A3 (ko) 2011-08-04

Family

ID=43732966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2010/006174 WO2011031089A2 (ko) 2009-09-11 2010-09-10 세정액 조성물

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR20110028109A (ko)
CN (1) CN102498197A (ko)
TW (1) TW201127952A (ko)
WO (1) WO2011031089A2 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101378B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-02 주식회사 엘지화학 Ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정액 조성물
KR101275659B1 (ko) * 2011-12-26 2013-06-17 원광대학교산학협력단 편물기를 이용한 3차원 세포지지체 제조 방법 및 그 세포지지체
KR101895621B1 (ko) * 2012-07-19 2018-09-05 동우 화인켐 주식회사 유-무기 하이브리드형 배향막 제거 조성물
TWI593783B (zh) * 2012-07-24 2017-08-01 Ｌｔｃ股份有限公司 用於移除與防止於金屬線路表面形成氧化物之組合物
KR101932774B1 (ko) * 2013-03-15 2018-12-26 동우 화인켐 주식회사 평판표시장치용 세정제 조성물 및 이를 이용한 세정방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010030323A (ko) * 1999-09-10 2001-04-16 나까네 히사시 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법
KR20050006191A (ko) * 2002-04-26 2005-01-15 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 포토레지스트 박리 방법
KR20050076756A (ko) * 2004-01-23 2005-07-27 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 박리 세정액, 그 박리 세정액을 사용한 반도체기판세정방법 및 금속배선 형성방법
KR20060048757A (ko) * 2004-07-01 2006-05-18 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 탈거 및 세정용 조성물 및 이의 용도
KR20060049205A (ko) * 2004-06-15 2006-05-18 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 기판으로부터 잔사를 제거하기 위한 조성물 및 그의 사용방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010030323A (ko) * 1999-09-10 2001-04-16 나까네 히사시 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법
KR20050006191A (ko) * 2002-04-26 2005-01-15 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 포토레지스트 박리 방법
KR20050076756A (ko) * 2004-01-23 2005-07-27 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 박리 세정액, 그 박리 세정액을 사용한 반도체기판세정방법 및 금속배선 형성방법
KR20060049205A (ko) * 2004-06-15 2006-05-18 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 기판으로부터 잔사를 제거하기 위한 조성물 및 그의 사용방법
KR20060048757A (ko) * 2004-07-01 2006-05-18 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 탈거 및 세정용 조성물 및 이의 용도

Also Published As

Publication number Publication date
CN102498197A (zh) 2012-06-13
WO2011031089A3 (ko) 2011-08-04
TW201127952A (en) 2011-08-16
KR20110028109A (ko) 2011-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6455479B1 (en) Stripping composition
US6943142B2 (en) Aqueous stripping and cleaning composition
CN1784487B (zh) 非水的、非腐蚀性的微电子清洁组合物
KR100609277B1 (ko) 포토레지스트용 박리액 및 이를 사용한 포토레지스트의박리방법
KR101420471B1 (ko) 포토레지스트 박리제조성물
ES2345616T3 (es) Composiciones de limpieza no acuosas para microelectronica que contienen fructosa.
US9327966B2 (en) Semi-aqueous polymer removal compositions with enhanced compatibility to copper, tungsten, and porous low-K dielectrics
CN1302327A (zh) 用于去除抗光蚀剂和蚀刻残留物的含有氟化物的酸性组合物
JP3514435B2 (ja) ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
WO2011031089A2 (ko) 세정액 조성물
JPWO2010119753A1 (ja) フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法
KR20110007828A (ko) 구리 또는 구리합금 배선용 박리액 조성물
KR20070003764A (ko) 포토레지스트 박리용 조성물 및 박리방법
KR20080017849A (ko) 아미드계 화합물을 포함하는 포토레지스트 박리액 및 이를이용한 박리 방법
KR20130070061A (ko) 전자재료용 세정액 조성물
KR20130068903A (ko) 전자재료용 세정액 조성물
KR20130019729A (ko) 평판표시장치용 세정액 조성물 및 평판표시장치의 세정 방법
KR20110028239A (ko) 평판표시장치 제조용 기판의 세정액 조성물
KR20080111268A (ko) 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법
KR19990007139A (ko) 포토레지스트 박리용 조성물
JP2004287288A (ja) レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法
JP5717519B2 (ja) フォトレジスト用剥離液
TW200424760A (en) Photoresist remover composition
KR100544888B1 (ko) 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물
KR20080017848A (ko) 포토레지스트 박리액 및 이를 이용한 박리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080038137.6

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10815634

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10815634

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2