KR20030068414A - 광학기록 재료 - Google Patents

광학기록 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR20030068414A
KR20030068414A KR10-2003-0008182A KR20030008182A KR20030068414A KR 20030068414 A KR20030068414 A KR 20030068414A KR 20030008182 A KR20030008182 A KR 20030008182A KR 20030068414 A KR20030068414 A KR 20030068414A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical recording
group
formula
compound
ring
Prior art date
Application number
KR10-2003-0008182A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100814215B1 (ko
Inventor
야노도루
Original Assignee
아사히 덴카 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아사히 덴카 고교 가부시키가이샤 filed Critical 아사히 덴카 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20030068414A publication Critical patent/KR20030068414A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100814215B1 publication Critical patent/KR100814215B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/02—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups
    • C09B23/08—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups more than three >CH- groups, e.g. polycarbocyanines
    • C09B23/083—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups more than three >CH- groups, e.g. polycarbocyanines five >CH- groups
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
    • C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
    • C09B23/02—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups
    • C09B23/06—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing an odd number of >CH- or >C[alkyl]- groups three >CH- groups, e.g. carbocyanines
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
    • G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
    • G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Abstract

본 발명은 베이스 상에 광학 기록층이 형성된 광학기록 매체의 상기 광학 기록층에 이용되며, 하기의 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 화합물을 함유하여 이루어지는 광학기록 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
<화학식 1>
<화학식 2>
(화학식 1 또는 화학식 2 중, 고리(A) 및 고리(B)는 치환기를 가져도 되는 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리를 나타내고, R1은 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내며, R2, R3은 탄소수 1∼4의 알킬기, 벤질기 또는 연결하여 3∼6원 고리를 형성하는 기를 나타내고, X는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤질기 또는 시아노기를 나타내며, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 유기기를 나타내고, Anm-는 m가의 음이온을 나타내며, m은1 또는 2의 정수를 나타내고, p는 전하를 중성으로 보존하는 계수를 나타낸다.)

Description

광학기록 재료 {Optical recording material}
본 발명은, 정보를 레이저 등에 의한 열적 정보 패턴으로서 부여함으로써 기록하는 광학기록 매체에 사용되는 광학기록 재료에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가시 및 근적외 영역의 파장을 갖고, 또한 저에너지의 레이저 등에 의해 고밀도의 광학기록 및 재생이 가능한 광학기록 매체에 사용되는 광학기록 재료에 관한 것이다.
광학기록 매체는, 일반적으로 기억 용량이 크고, 기록 또는 재생이 비접촉으로 실행되는 등의 우수한 특징을 갖고 있기 때문에 널리 보급되어 있다. WORM, CD-R, DVD-R 등의 추기형(追記型) 광디스크에서는 광학 기록층의 미소 면적에 레이저를 집광시켜서 광학 기록층의 성상을 변화시켜 기록하고, 미기록 부분과의 반사광량의 차이에 의해 재생을 실행하고 있다.
광디스크로 대표되는 광학기록 매체의 광학 기록층에는, 광학 기록층을 형성하는 것이 용이하기 때문에, 유기계의 색소가 사용되고 있으며, 특히 시아닌계의 화합물이 감도가 높고, 고속화에 대응할 수 있다는 점에서 검토되고 있다.
현재, 상기 광디스크에 있어서는, 기록 및 재생에 사용하는 반도체 레이저의파장은, CD-R은 750∼830nm, DVD-R은 620∼690nm이고, 또한 더욱 고밀도인 600nm 이하의 광디스크도 개발되고 있다. 이들 광디스크에 대응한 시아닌계의 화합물은, 예를 들면 일본 특허공개 소59-55795호 공보, 일본 특허공개 평5-173282호 공보, 일본 특허공개 평10-278426호 공보, 일본 특허공개 평11-53761호 공보, 일본 특허공개 평11-170695호 공보, 일본 특허공개 평11-227331호 공보, 일본 특허공개 평11-277904호 공보, 일본 특허공개 평11-34499호 공보, 일본 특허공개 2000-108510호 공보, 일본 특허공개 2000-289335호 공보, 일본 특허공표 2001-506933호 공보 등에서 보고되어 있다.
그러나, 상기 시아닌계 화합물은 열분해 특성에 문제가 있다. 고속 기록에는 열간섭이 작은 것이 필요하고, 광학기록 재료로서는 분해 온도가 낮은 것 및 열분해가 급준(急峻)한 것이 적합한데, 상기 보고된 각 시아닌계 화합물은 이 점에서 충분한 특성을 갖고 있는 것은 아니었다.
따라서, 본 발명의 목적은 고속 기록에 대응할 수 있는 광학기록 매체에 합치된 시아닌계 화합물을 함유하여 이루어지는 광학기록 재료를 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 고속 기록에 대응할 수 있는 감도를 실현하는데는 열분해 거동(heat decomposition behavior)의 적정화 및 흡수 파장의 적정화가 유효하다고 생각하고 검토를 거듭한 결과, 특정의 분자 구조를 갖는 시아닌계 화합물이 상기과제를 해결할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명에 도달하였다.
본 발명은 상기 발견에 기초하여 이루어진 것으로, 하기의 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학기록 재료, 및 베이스 상에 상기 광학기록 재료로 이루어지는 박막을 형성한 것을 특징으로 하는 광학기록 매체를 제공하는 것이다.
(화학식 1 또는 화학식 2 중, 고리(A) 및 고리(B)는 치환기를 가져도 되는 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리를 나타내고, R1은 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내며, R2, R3은 탄소수 1∼4의 알킬기, 벤질기 또는 연결하여 3∼6원 고리를 형성하는 기를 나타내고, X는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤질기 또는 시아노기를 나타내며, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 유기기를 나타내고, Anm-는 m가의 음이온을 나타내며, m은1 또는 2의 정수를 나타내고, p는 전하를 중성으로 보존하는 계수를 나타낸다.)
본 발명은 고속 기록에 대응할 수 있는 광학기록 매체에 합치된 시아닌계 화합물을 함유하여 이루어지는 광학기록 재료를 제공할 수 있는 것이다.
(발명의 실시형태)
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 시아닌계 화합물은, 특정 부위에 벤질기를 갖고, 광학기록 재료에 사용되는 다른 시아닌계 화합물보다도 분해 온도가 낮으며, 흡수 파장이 적정하다는 특징을 갖는 것이다.
일본 특허공개 평5-173282호 공보, 일본 특허공개 평10-278426호 공보, 일본 특허공개 평11-227331호 공보, 일본 특허공개 평11-277904호 공보에는, 본 발명에 따른 상기 화학식 1 및/또는 화학식 2로 표현되는 화합물을 일부 포함하는 개념인 시아닌계 화합물의 화학식이 기재되어 있다. 이들 보고에는, 인돌 골격의 3-포지션에 결합하는 치환기로서 아랄킬기가 기재되어 있으나, 구체적으로 벤질기는 예시되어 있지 않으며, 시아닌계 화합물에 벤질기, 아랄킬기를 도입하는 방법, 벤질기의 효과에 대해서도 기재되어 있지 않다.
상기 화학식 1 또는 화학식 2에 있어서, 고리(A) 및 고리(B)로 표현되는 치환기를 가져도 되는 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리의 치환기로서는, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등의 할로겐기; 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸, 아밀, 이소아밀, 제3아밀, 헥실, 시클로헥실, 헵틸, 이소헵틸, 제3헵틸, n-옥틸, 이소옥틸, 제3옥틸, 2-에틸헥실 등의 알킬기; 페닐, 나프틸, 2-메틸페닐, 3-메틸페닐, 4-메틸페닐, 4-비닐페닐, 3-이소프로필페닐 등의 아릴기; 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 제2부톡시, 제3부톡시 등의 알콕시기; 메틸티오, 에틸티오, 프로필티오, 이소프로필티오, 부틸티오, 제2부틸티오, 제3부틸티오 등의 알킬티오기; 니트로기, 시아노기 등을 들 수 있다. R1으로 표현되는 탄소수 1∼4의 알킬기로서는, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸 등을 들 수 있다. R2 및 R3으로 표현되는 탄소수 1∼4의 알킬기로서는, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸 등을 들 수 있고, R2와 R3이 연결하여 형성되는 3∼6원 고리의 기로서는, 시클로프로판-1,1-딜, 시클로부탄-1,1-딜, 2,4-디메틸시클로부탄-1,1-딜, 3-디메틸시클로부탄-1,1-딜, 시클로펜탄-1,1-딜, 시클로헥산-1,1-딜, 테트라히드로피란-4,4-딜, 치암-4,4-딜, 피페리딘-4,4-딜, N-치환 피페리딘-4,4-딜, 몰포린(morpholine)-2,2-딜, 몰포린-3,3-딜, N-치환 몰포린-2,2-딜, N-치환 몰포린-3,3-딜 등을 들 수 있으며, N-치환기로서는 고리(A)에서 예시한 것을 들 수 있다.
또한, X로 표현되는 할로겐 원자로서는, 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있고, 탄소수 1∼4의 알킬기로서는, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸을 들 수 있으며, 페닐기, 벤질기의 치환기로서는, 고리(A)에서 들었던 치환기를 들 수 있다. Y1 또는 Y2로 표현되는 유기기로서는 특별히 제한을 받지 않으며, 예를 들면 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 제2부틸, 제3부틸, 이소부틸, 아밀, 이소아밀, 제3아밀, 헥실, 시클로헥실, 시클로헥실메틸, 2-시클로헥실에틸, 헵틸, 이소헵틸, 제3헵틸, n-옥틸, 이소옥틸, 제3옥틸,2-에틸헥실, 노닐, 이소노닐, 데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 펩타데실, 옥타데실 등의 알킬기; 비닐, 1-메틸에테닐, 2-메틸에테닐, 프로페닐, 부테닐, 이소부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 헵테닐, 옥테닐, 데세닐, 펜타데세닐, 1-페닐프로펜-3-일 등의 알케닐기; 페닐, 나프틸, 2-메틸페닐, 3-메틸페닐, 4-메틸페닐, 4-비닐페닐, 3-이소프로필페닐, 4-이소프로필페닐, 4-부틸페닐, 4-이소부틸페닐, 4-제3부틸페닐, 4-헥실페닐, 4-시클로헥실페닐, 4-옥틸페닐, 4-(2-에틸헥실)페닐, 4-스테아릴페닐, 2,3-디메틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,5-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 3,4-디메틸페닐, 3,5-디메틸페닐, 2,4-디제3부틸페닐, 시클로헥실페닐 등의 알킬아릴기; 벤질, 페네틸, 2-페닐프로판-2-일, 디페닐메틸, 트리페닐메틸, 스티릴, 신나밀 등의 아릴알킬기 및 이들의 탄화 수소기가 에테르 결합, 티오에테르 결합으로 중단된 것, 예를 들면, 2-메톡시에틸, 3-메톡시프로필, 4-메톡시부틸, 2-부톡시에틸, 메톡시에톡시에틸, 메톡시에톡시에톡시에틸, 3-메톡시부틸, 2-페녹시에틸, 2-메틸티오에틸, 2-페닐티오에틸을 들 수 있고, 또한 이들의 기는 알콕시기, 알케닐기, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자 등으로 치환되어 있어도 된다.
또한, Anm-로 표현되는 음이온으로서는, 예를 들면 일가의 것으로서, 염소 음이온, 브롬 음이온, 요오드 음이온, 불소 음이온 등의 할로겐 음이온; 과염소산 음이온, 염소산 음이온, 티오시안산 음이온, 6불화인 음이온, 6불화안티몬 음이온, 4불화붕소 음이온 등의 무기계 음이온; 벤젠술폰산 음이온, 톨루엔술폰산 음이온,트리플루오로메탄술폰산 음이온 등의 유기 술폰산 음이온; 옥틸인산 음이온, 도데실인산 음이온, 옥타데실인산 음이온, 페닐인산 음이온, 노닐페닐인산 음이온, 2,2'-메틸렌비스(4,6-디제3부틸페닐)포스폰산 음이온 등의 유기 인산계 음이온 등을 들 수 있으며, 2가의 것으로서는 예를 들면, 벤젠디술폰산 음이온, 나프탈렌디술폰산 음이온 등을 들 수 있다. 또한, 여기(勵起) 상태에 있는 활성 분자를 탈여기시키는(켄칭(quenching)시키는) 기능을 갖는 켄처(quencher) 음이온이나 시클로펜타디에닐 고리에 카르복실기나 포스폰산기, 술폰산기 등의 음이온성기를 갖는 페로센, 루테오센 등의 메타로센 화합물 음이온 등도 필요에 따라 사용할 수 있다.
상기 켄처 음이온으로서는 예를 들면, 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표현되는 것, 일본 특허공개 소60-234892호 공보, 일본 특허공개 평5-43814호 공보, 일본 특허공개 평6-239028호 공보, 일본 특허공개 평9-309886호 공보, 일본 특허공개 평10-45767호 공보 등에 기재된 바와 같은 음이온을 들 수 있다.
(화학식 3 또는 화학식 4 중, M은 니켈 원자 또는 구리 원자를 나타내고, R4및 R5는 할로겐 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 탄소수 6∼30의 아릴기, -SO2-Z기를 나타내며, Z는 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되는 아릴기, 디알킬아미노기, 디아릴아미노기, 피페리디노기, 몰포리노(morpholino)기를 나타내고, a 및 b는 각각 0∼4를 나타낸다; R6, R7, R8 및 R9는 각각 독립적으로 알킬기, 알킬페닐기, 알콕시페닐기 또는 할로겐화페닐기를 나타낸다.)
상기 화학식 1 또는 화학식 2에 있어서, X에 대해서는 수소 원자가 열분해 특성, 특히 열분해 온도가 고속 기록에 적합하기 때문에 바람직하고, 또한 Y1에 대해서는 R1과 동일한 기가 제조 공정이 적기 때문에 저비용이므로 바람직하다. 또한, R2, R3에 대해서는 이들이 연결하여 3∼6원 고리를 형성하는 기인 것이 UV 흡수가 기록에 이용되는 레이저광에 특히 적합하기 때문에 바람직하다.
본 발명에 따른 상기의 화학식 1로 표현되는 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물 No.1∼51을 들 수 있다. 이하의 예시에서는 음이온을 생략한 시아닌 양이온으로 나타내고 있다.
또한, 상기 화학식 2로 표현되는 화합물의 구체예로서는, 상기 예시의 화합물 No.1∼51의 폴리메틴 사슬의 탄소수가 5인 화합물을 들 수 있다.
상기 본 발명에 따른 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 시아닌계 화합물은, 제조법에 의해 제한을 받는 것은 아니다. 이들 시아닌계 화합물의 제조 방법으로서는 예를 들면, R1과 Y1이 같은 경우에는 이하의 루트를 들 수 있다. 또한, R1과 Y1이 다른 경우에는 미리 히드라진 화합물에 Y1기를 도입한 것을 합성하고, 그것을 원료로 하여 하기와 동일하게 제조하는 루트를 들 수 있다.
(식 중, 고리(A), 고리(B), R1, R2, R3, X, Y2, Anm-, p는 상기 화학식 1 또는 화학식 2와 동일하며, D는 할로겐, 치환 설포닐옥시를 나타낸다.)
상기의 D로 표현되는 할로겐으로서는 염소, 브롬, 요오드를 들 수 있고, 치환 설포닐옥시로서는, 페닐설포닐옥시, 4-메틸페닐설포닐옥시, 4-클로로페닐설포닐옥시 등을 들 수 있다.
본 발명의 광학기록 재료로서의 상기 시아닌계 화합물은, 광학기록 매체의 광학 기록층으로서 적용되며, 상기 광학 기록층의 형성 시에는 특별히 제한을 받지 않는다. 일반적으로는 메탄올, 에탄올 등의 저급 알콜류; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 부틸디글리콜 등의 에테르알콜류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알콜 등의 케톤류, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세트산메톡시에틸 등의 에스테르류; 아크릴산에틸, 아크릴산부틸 등의 아크릴산에스테르류, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 등의 불화알콜류; 벤젠, 톨루엔, 키실렌 등의 탄화수소류; 메틸렌디클로라이드, 디클로로에탄, 클로로포름 등의 염소화탄화수소류 등의 유기 용매에 용해한 용액을 베이스 상에 스핀코트, 스프레이, 디핑 등으로 도포하는 습식 도포법이 이용된다. 그 외의 방법으로서는 증착법, 스퍼터링법 등을 들 수 있다.
상기 광학 기록층의 두께는 통상적으로 0.001∼10㎛이고, 바람직하게는 0.01∼5㎛의 범위가 적당하다. 또한, 본 발명의 광학기록 재료를 광학기록 매체의 광학 기록층에 함유시킬 때의 상기 광학 기록층에 대한 사용량은, 바람직하게는 50∼100중량%이다.
또한, 상기 광학 기록층은 본 발명의 광학기록 재료 외에 필요에 따라서 시아닌계 화합물, 아조계 화합물, 프타로시아닌계 화합물 등의 광학 기록층에 이용되는 화합물; 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리스틸렌, 폴리카보네이트 등의 수지류를 함유해도 되고, 계면활성제; 대전방지제; 윤활제; 난연제; 힌더드아민 등의 라디칼 포착제; 페로센 유도체 등의 피트 형성 촉진제; 분산제; 산화 방지제; 가교제; 내광성 부여제 등을 함유해도 된다.
또한, 상기 광학 기록층은 일중항 산소(singlet oxygen) 등의 켄처로서 방향족 니트로소 화합물, 아미늄 화합물, 이미늄 화합물, 비스이미늄 화합물, 천이금속킬레이트 화합물 등을 함유해도 된다. 이들은 광학 기록층에 대하여 바람직하게는 0∼50중량%의 범위에서 사용된다.
이러한 광학 기록층을 쌓는 베이스의 재질은, 기입(기록)광 및 읽기(재생)광에 대하여 실질적으로 투명한 것이라면 특별히 제한은 없으며, 예를 들면 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트 등의 수지, 유리 등이 이용된다. 또한, 그 형상은 용도에 따라 테이프, 드럼, 벨트, 디스크 등의 임의의 형상의 것을 사용할 수 있다.
또한 상기 광학 기록층 상에, 금, 은, 알루미늄, 구리 등을 이용하여 증착법 또는 스퍼터링법에 의해 반사막을 형성할 수도 있고, 아크릴 수지, 자외선 경화성 수지 등에 의한 보호층을 형성할 수도 있다.
본 발명의 광학기록 재료는 기록, 재생에 반도체 레이저를 이용하는 광학기록 매체에 바람직하며, 특히 고속 기록 타입인 CD-R, DVD-R 등의 광디스크에 바람직하다.
이하에 제조예, 제조 실시예, 평가예 및 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하다. 그러나, 본 발명은 이하의 실시예 등에 의해 어떠한 제한을 받는 것은 아니다.
[제조예 1] (중간체 화합물(A)의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 4-메틸페닐히드라진 염산염 39.7g과 에탄올 117.2g을 넣고, 질소 기류하 70℃에서 발열에 주의하면서 3-페닐에틸메틸케톤 40.8g을 적하(滴下)하였다. 부가적으로 35% 염산수 114.7g을 적하하고, 2시간환류(還流)하였다. 냉각 후에 톨루엔 500.0g과 물 500.0g을 첨가하고, 50% 수산화나트륨 수용액을 더 첨가하여, pH를 8이상으로 하여 유수(油水)분리를 실시하였다. 유상(油相; oil phase)을 온수 500.0g으로 3회 세정하고, 탈수, 탈용매를 실시하였다. 얻어진 잔사를 에탄올 117.2g으로 정석(晶析)을 실시하였다. 얻어진 결정을 여과하고, 80℃에서의 진공 건조를 실시하여, 백색 결정 35.6g(수율: 60.8%)을 얻었다. 얻어진 백색 결정 11.8g, 요오드화메틸 28.4g, 메탄올 19.6g을 반응 플라스크에 넣고, 오토클레이브 안 100℃에서 5시간 반응시켰다. 탈용매 후, 아세트산에틸 40.0g을 첨가하여 30분 환류시키고, 실온까지 냉각한 후, 결정을 여과하고, 80℃에서 진공 건조를 실시하여, 중간체(A)의 황색 결정 11.4g(수율: 58.3%)을 얻었다.
[제조예 2] (중간체 화합물(B)의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 4-메톡시페닐히드라진 염산염 34.9g과 에탄올 100.0g을 넣고, 질소 기류하 80℃에서 발열에 주의하면서 3-페닐에틸메틸케톤 35.6g을 적하하였다. 1시간 환류한 후, 황산 5.9g을 적하하고, 2시간 더 환류하였다. 냉각 후에 톨루엔 200.0g과 물 200.0g을 첨가하고, 50% 수산화나트륨 수용액을 더 첨가하여, pH를 8이상으로 하여 유수분리를 실시하였다. 유상을 온수 200.0g으로 3회 세정하고, 탈수, 탈용매를 실시하였다. 얻어진 잔사를 톨루엔 100.0g으로 정석을 실시하였다. 얻어진 결정을 여과하고, 80℃에서의 진공 건조를 실시하여, 백색 결정 25.4g(수율: 50.5%)을 얻었다. 얻어진 백색 결정 10.1g, 요오드화메틸 28.4g, 메탄올 19.6g을 반응 플라스크에 넣고, 오토클레이브 안 100℃에서 5시간 반응시켰다. 탈용매 후, 아세트산에틸 32.0g을 첨가하여 30분 환류시키고, 실온까지 냉각한 후, 결정을 여과하고, 80℃에서 진공 건조를 실시하여, 중간체(B)의 황색 결정 9.5g(수율: 58.3%)을 얻었다.
[제조예 3] (중간체 화합물(C)의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 2-나프틸히드라진 79.1g과 에탄올 274.1g을 넣고, 질소 기류하 55℃에서 3-페닐에틸메틸케톤 88.9g을 적하하였다. 30분 교반한 후, 발열에 주의하면서 황산 49.0g을 적하하고 1시간 환류하였다. 냉각 후에 톨루엔 1000.0g과 물 1000.0g을 첨가하고, 50% 수산화나트륨 수용액을 더 첨가하여, pH를 8이상으로 하여 유수분리를 실시하였다. 유상을 온수 500.0g으로 3회 세정하고, 탈수, 탈용매를 실시하였다. 얻어진 잔사를 톨루엔 137.0g으로 정석을 실시하였다. 얻어진 결정을 여과하고, 80℃에서의 진공 건조를 실시하여, 백색 결정 72.4g(수율: 53.4%)을 얻었다. 얻어진 백색 결정 13.6g, 요오드화메틸 28.4g, 메탄올 21.4g을 반응 플라스크에 넣고, 오토클레이브 안 100℃에서 15시간 반응시켰다. 탈용매 후, 아세트산에틸 100.0g과 메탄올 6.0g의 혼합 용매로 정석을 실시하였다. 결정을 여과하고, 140℃에서 진공 건조를 실시하여, 중간체(C)의 조(粗)결정(HPLC 순도: 60%) 6.9g(수율: 32.3%)을 얻었다.
[제조예 4] (중간체 화합물(D)의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 페닐히드라진 황산염 157.0g과 에탄올 221.0g을 넣고, 질소 기류하 70℃에서 발열에 주의하면서 3-페닐에틸메틸케톤 178.0g을 적하하였다. 부가적으로 황산 4.9g을 적하하고, 8시간 환류하였다. 냉각 후에 톨루엔 250.0g과 온수 300.0g을 첨가하고, 50% 수산화나트륨 수용액을 더 첨가하여, pH를 8이상으로 하여 유수분리를 실시하였다. 유상을 온수 300.0g으로 3회 세정하고, 탈수, 탈용매를 실시하였다. 얻어진 잔사를 에탄올 300.0g으로 정석을 실시하였다. 얻어진 결정을 여과하고, 80℃에서의 진공 건조를 실시하여, 백색 결정 161.1g(수율: 52.5%)을 얻었다. 얻어진 백색 결정 22.1g, 요오드화메틸 56.8g, 메탄올 37.7g을 반응 플라스크에 넣고, 오토클레이브 안 100℃에서 16시간 반응시켰다. 탈용매 후, 메탄올 3.80g을 첨가하여 가열 용해하고, 아세트산에틸 38.0g을 첨가하여 실온까지 냉각하고 정석을 실시하였다. 결정을 여과하고, 80℃에서 진공 건조를 실시하여, 중간체(D)의 백색 결정 17.5g(수율: 46.4%)을 얻었다.
[제조예 5] (중간체 화합물(E)의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 4-이소프로필페닐히드라진 염산염 19.0g과 에탄올 54.0g을 넣고, 질소 기류하 70℃에서 발열에 주의하면서 3-페닐에틸메틸케톤 18.1g을 적하하였다. 1시간 환류한 후, 황산 2.0g을 적하하고, 1시간 더 환류하였다. 냉각 후에 톨루엔 120.0g과 물 120.0g을 첨가하고, 부가적으로 50% 수산화나트륨 수용액을 첨가하여, pH를 8이상으로 하여 유수분리를 실시하였다. 유상을 온수 60.0g으로 3회 세정하고, 탈수, 탈용매를 실시하였다. 얻어진 잔사를 톨루엔 100.0g으로 정석을 실시하였다. 얻어진 결정을 여과하고, 80℃에서의 진공 건조를 실시하여 엷은 갈색 결정 18.1g(수율: 67.4%)을 얻었다. 얻어진 엷은 갈색 결정 10.5g, 요오드화메틸 28.4g, 메탄올 16.8g을 반응 플라스크에 넣고, 오토클레이브 안 100℃에서 5시간 반응시켰다. 탈용매 후, 아세트산에틸 40.0g을 첨가하여 30분 환류시키고, 실온까지 냉각한 후, 결정을 여과하고, 80℃에서 진공 건조를 실시하여, 중간체(E)의 황색 결정 10.3g(수율: 59.6%)을 얻었다.
[제조 실시예 1] (화합물 No.4 6불화인염의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 중간체(A) 4.5g, 화학식 6으로 표현되는 중간체(a) 3.9g, 무수아세트산 3.1g, 피리딘 15.8g을 넣고, 50℃에서 3시간 반응시켰다. 클로로포름 50.0g, 물 50.0g, 6불화인칼륨 5.5g을 첨가하고, 30분 교반하여 염교환(鹽交換)을 실시하였다. 수층을 제거한 후, 물 50.0g, 6불화인칼륨 1.0g을 더 첨가하고, 30분 교반한 후, 수상(水相; water phase)을 제거한 유상을 50.0g의 물로 3회 세정하고, 무수황산나트륨 건조 후, 감압 탈용매하여 잔사를 얻었다. 이 잔사에 메탄올 30.0g을 첨가하여 정석을 실시하고, 여과된 결정을 세정한 후, 140℃ 진공 건조하여 목적물인 화합물 No.4의 6불화인염의 녹색 결정 2.5g(수율: 38.9%)을 얻었다. 이것에 대하여 하기 분석을 실시하여, 구조 등을 확인하였다.
<분석결과>
① 순도: HPLC 측정; 99.3%
② 구조해석:1H-NMR 측정
(화학적 이동 ppm ; 다중도 ; 프로톤수)
(1.77 ; s ; 3) (1.79 ; s ; 3) (2.04 ; s ; 3) (3.34 ; s ; 3) (3.37∼3.41 ; d ; 1) (3.59∼3.63 ; d ; 1) (4.21 ; s ; 3) (6.45∼6.50 ; d ; 1) (6.63∼6.66 ; d ; 2) (6.99∼7.05 ; m ; 3) (7.07∼7.09 ; d ; 1) (7.17∼7.19 ; d ; 1) (7.55 ; s ; 1) (7.58∼7.65 ; m ; 2) (7.80∼7.83 ; d ; 1) (7.92∼7.95 ; d ; 1) (8.06∼8.09 ; d ; 1) (8.31∼8.54 ; t ; 1) (8.63∼8.66 ; d ; 1)
③ 광학적 특성: 클로로포름 용매에서의 UV 스펙트럼 측정
λmax; 593nm, ε; 1.17×105
[제조 실시예 2] (화합물 No.7 6불화인염의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 중간체(B) 4.1g, 중간체(a) 4.5g, 무수아세트산 3.1g, 피리딘 15.8g을 넣고, 50℃에서 3시간 반응시켰다. 클로로포름 50.0g, 물 50.0g, 6불화인칼륨 5.5g을 첨가하고, 30분 교반하여 염교환을 실시하였다. 수층을 제거한 후, 물 50.0g, 6불화인칼륨 1.0g을 더 첨가하고, 30분 교반한 후, 수상을 제거한 유상을 50.0g의 물로 3회 세정하고, 무수황산나트륨 건조 후, 감압 탈용매하여 잔사를 얻었다. 이 잔사에 메탄올 100.0g을 첨가하여 정석을 실시하고, 여과된 결정을 세정한 후, 140℃ 진공 건조하여 목적물인 화합물 No.7의 6불화인염의 녹색 결정 2.4g(수율: 35.7%)을 얻었다. 이것에 대하여 하기 분석을 실시하여, 구조 등을 확인하였다.
<분석결과>
① 순도: HPLC 측정; 99.1%
② 구조해석:1H-NMR 측정
(화학적 이동 ppm ; 다중도 ; 프로톤수)
(1.83 ; s ; 3) (2.00 ; s ; 3) (2.06 ; s ; 3) (3.49 ; s ; 3) (3.55∼3.58 ; d ; 1) (3.69∼3.72 ; d ; 1) (3.89 ; s ; 3) (4.34 ; s ; 3) (6.56∼6.60 ; d ; 1) (6.66∼6.69 ; d ; 1) (6.79∼6.80 ; d ; 2) (6.95∼6.97 ; d ; 1) (7.02∼7.09 ; m ; 3) (7.12∼7.15 ; d ; 1) (7.36 ; s ; 1) (7.58∼7.66 ; m ; 2) (7.75∼7.77 ; d ; 1) (7.91∼7.93 ; d ; 1) (8.06∼8.08 ; d ; 1) (8.68∼8.78 ; t+d ; 2)
③ 광학적 특성: 클로로포름 용매에서의 UV 스펙트럼 측정
λmax; 602nm, ε; 1.09×105
[제조 실시예 3] (화합물 No.34 6불화인염의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 중간체(C) 6.0g, N,N'-디페닐아미딘 1.4g, 무수아세트산 2.1g, 피리딘 11.1g을 넣고, 55℃에서 2시간 반응시켰다. 클로로포름 20.0g, 물 40.0g, 6불화인칼륨 3.9g을 첨가하고, 50℃에서 30분 교반하여 염교환을 실시하였다. 수층을 제거한 후, 물 50.0g, 6불화인칼륨 1.0g을 더 첨가하고, 30분 교반한 후, 수상을 제거한 유상을 40.0g의 물로 3회 세정하고, 무수황산나트륨 건조 후, 감압 탈용매하여 잔사를 얻었다. 이 잔사에 메탄올 40.0g을 첨가하여 정석을 실시하고, 여과된 결정을 디메틸포름아미드 5.0g에 가열 용해시키고, 이것에 메탄올을 첨가하여 재결정을 실시하였다. 결정을 세정한 후, 80℃에서 진공 건조하여 목적물인 화합물 No.34의 6불화인염의 녹색 결정 0.6g(수율: 10.6%)을 얻었다. 이것에 대하여 하기 분석을 실시하여, 구조 등을 확인하였다.
<분석결과>
① 순도: HPLC 측정; 98.0%
② 구조해석:1H-NMR 측정
(화학적 이동 ppm ; 다중도 ; 프로톤수)
(2.19 ; s ; 6) (3.56 ; s ; 6) (3.68∼3.72 ; d ; 2) (4.20∼4.24 ; d ; 2) (6.49∼6.52 ; d ; 4) (6.64∼6.68 ; d ; 2) (6.85∼6.90 ; t ; 6) (6.94∼6.98 ; t ; 2) (7.54∼7.60 ; m ; 4) (7.75∼7.80 ; t ; 2) (8.02∼8.09 ; m ; 4) (8.51∼8.53 ; d ; 2) (8.82∼8.90 ; t ; 3)
③ 광학적 특성: 클로로포름 용매에서의 UV 스펙트럼 측정
λmax; 608nm, ε; 1.23×105
[제조 실시예 4] (화합물 No.36 6불화인염의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 중간체(D) 7.5g, N,N'-디페닐아미딘 2.0g, 무수아세트산 3.1g, 피리딘 15.8g을 넣고, 60℃에서 3시간 반응시켰다. 클로로포름 25.0g, 물 25.0g, 6불화인칼륨 5.5g을 첨가하고, 30분 교반하여 염교환을 실시하였다. 수층을 제거한 후, 물 25.0g, 6불화인칼륨 1.0g을 더 첨가하고, 30분 교반한 후, 수상을 제거한 유상을 25.0g의 물로 3회 세정하고, 무수황산나트륨 건조 후, 감압 탈용매하여 잔사를 얻었다. 이 잔사에 메탄올 60.0g을 첨가하여 정석을 실시하고, 여과된 결정을 세정한 후, 140℃에서 진공 건조하여 목적물인 화합물 No.36의 6불화인염의 적색 결정 2.2g(수율: 33.6%)을 얻었다. 이것에 대하여 하기 분석을 실시하여, 구조 등을 확인하였다.
<분석결과>
① 순도: HPLC 측정; 100%
② 구조해석:1H-NMR 측정
(화학적 이동 ppm ; 다중도 ; 프로톤수)
(1.91 ; s ; 6) (3.40∼3.52 ; m+s ; 2+6) (3.59∼3.71 ; m ; 2) (6.52∼6.60 ; d ; 2) (6.64∼6.72 ; m ; 4) (6.98∼7.09 ; m ; 6) (7.19∼7.25 ; d ; 2) (7.28∼7.39 ; m ; 4) (7.73∼7.76 ; d ; 2) (8.60∼8.66 ; t ; 1)
③ 광학적 특성: 클로로포름 용매에서의 UV 스펙트럼 측정
λmax; 561nm, ε; 1.42×105
[제조 실시예 5] (화합물 No.41 6불화인염의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 중간체(D) 5.4g, 화학식 7로 표현되는 중간체(b) 3.8g, 무수아세트산 3.1g, 피리딘 15.8g을 넣고, 25℃에서 10시간 반응시켰다. 50℃로 가온하고나서 클로로포름 30.0g, 물 30.0g, 6불화인칼륨 5.5g을 첨가하고, 30분 교반하여 염교환을 실시하였다. 수층을 제거한 후, 물 30.0g, 6불화인칼륨 1.0g을 더 첨가하고, 30분 교반한 후, 수상을 제거한 유상을 30.0g의 물로 3회 세정하고, 무수황산나트륨 건조 후, 감압 탈용매하여 잔사를 얻었다. 이 잔사에 디메틸포름아미드 2.0g을 첨가하고 가열 용해한 용액에 메탄올 20.0g을 첨가하여 정석을 실시하고, 여과된 결정을 다시 디메틸포름아미드 4.0g과 메탄올 20.0g을 이용하여 재결정하였다. 이것을 여과하여 얻은 결정을 세정한 후, 140℃ 진공 건조하여 목적물인 화합물 No.41의 6불화인염의 짙은 녹색 결정 1.4g(수율: 20.9%)을 얻었다. 이것에 대하여 하기 분석을 실시하여, 구조 등을 확인하였다.
<분석결과>
① 순도: HPLC 측정; 99.0%
② 구조해석:1H-NMR 측정
(화학적 이동 ppm ; 다중도 ; 프로톤수)
(1.66∼1.89 ; br ; 4) (1.80 ; s ; 3) (2.49∼2.62 ; br+br ; 4) (2.49∼2.62 ; m ; 2) (3.38 ; s ; 3) (3.42∼3.47 ; m ; 2) (4.04 ; s ; 3) (6.56∼6.79 ; m ; 4) (6.98∼7.06 ; m ; 3) (7.14∼7.17 ; d ; 1) (7.21∼7.26 ; t ; 1) (7.31∼7.36 ; t ; 1) (7.54∼7.59 ; t ; 1) (7.62∼7.65 ; d ; 1) (7.69∼7.74 ; t ; 1) (7.81∼7.84 ; d ; 1) (7.86∼8.17 ; m ; 2) (8.30∼8.37 ; m ; 2)
③ 광학적 특성: 클로로포름 용매에서의 UV 스펙트럼 측정
λmax; 579nm, ε; 1.00×105
[제조 실시예 6] (화합물 No.43 6불화인염의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 중간체(A) 3.9g, 화학식 8로 표현되는 중간체(c) 4.9g, 무수아세트산 3.1g, 피리딘 15.8g을 넣고, 50℃에서 3시간 반응시켰다. 클로로포름 50.0g, 물 50.0g, 6불화인칼륨 5.5g을 첨가하고, 30분 교반하여 염교환을 실시하였다. 수층을 제거한 후, 물 50.0g, 6불화인칼륨 1.0g을 더 첨가하고, 30분 교반한 후, 수상을 제거한 유상을 50.0g의 물로 3회 세정하고, 무수황산나트륨 건조 후, 감압 탈용매하여 잔사를 얻었다. 이 잔사에 메탄올 30.0g을 첨가하여 정석을 실시하고, 여과된 결정을 세정한 후, 140℃ 진공 건조하여 목적물인 화합물 No.43의 6불화인염의 녹색 결정 4.3g(수율: 62.9%)을 얻었다. 이것에 대하여 하기 분석을 실시하여, 구조 등을 확인하였다.
<분석결과>
① 순도: HPLC 측정; 99.3%
② 구조해석:1H-NMR 측정
(화학적 이동 ppm ; 다중도 ; 프로톤수)
(1.74∼1.96 ; br ; 7) (2.09∼2.19 ; br ; 6) (2.32 ; s ; 3) (3.36 ; s ;3) (3.41∼3.45 ; d ; 1) (3.52∼3.56 ; d ; 1) (4.30 ; s ; 3) (6.44∼6.48 ; d ; 1) (6.52∼6.55 ; d ; 1) (6.64∼6.66 ; d ; 2) (6.88∼6.96 ; m ; 4) (7.09∼7.11 ; d ; 1) (7.42 ; s ; 1) (7.42∼7.57 ; m ; 2) (7.78∼7.80 ; d ; 1) (7.96∼7.99 ; d ; 2) (8.06∼8.08 ; d ; 1) (8.57∼8.59 ; d ; 1) (8.66∼8.73 ; t ; 1)
③ 광학적 특정: 클로로포름 용매에서의 UV 스펙트럼 측정
λmax; 596nm, ε; 1.34×105
[제조 실시예 7] (화합물 No.44 6불화인염의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 중간체(E) 4.2g, 중간체(c) 4.9g, 무수아세트산 3.1g, 피리딘 15.8g을 넣고, 50℃에서 3시간 반응시켰다. 클로로포름 50.0g, 물 50.0g, 6불화인칼륨 5.5g을 첨가하고, 30분 교반하여 염교환을 실시하였다. 수층을 제거한 후, 물 50.0g, 6불화인칼륨 1.0g을 더 첨가하고, 30분 교반한 후, 수상을 제거한 유상을 50.0g의 물로 3회 세정하고, 무수황산나트륨 건조 후, 감압 탈용매하여 잔사를 얻었다. 이 잔사에 메탄올 30.0g을 첨가하여 정석을 실시하고, 여과된 결정을 세정한 후, 140℃ 진공 건조하여 목적물인 화합물 No.44의 6불화인염의 녹색 결정 3.3g(수율: 46.3%)을 얻었다. 이것에 대하여 하기 분석을 실시하여, 구조 등을 확인하였다.
<분석결과>
① 순도: HPLC 측정; 99.5%
② 구조해석:1H-NMR 측정
(화학적 이동 ppm ; 다중도 ; 프로톤수)
(1.30∼1.35 ; t ; 6) (1.88∼2.08 ; br ; 7) (2.24∼2.34 ; br ; 6) (3.03∼3.07 ; m ; 1) (3.53∼3.58 ; s+d ; 4) (3.69∼3.73 ; d ; 1) (4.43 ; s ; 3) (6.63∼6.66 ; d ; 1) (6.68∼6.71 ; d ; 1) (6.81∼6.83 ; d ; 2) (7.03∼7.12 ; m ; 4) (7.27∼7.30 ; d ; 1) (7.62∼7.72 ; m ; 3) (7.92∼7.94 ; d ; 1) (8.10∼8.13 ; d ; 1) (8.20∼8.22 ; d ; 1) (8.72∼8.74 ; d ; 1) (8.83∼8.90 ; t ; 1)
③ 광학적 특성: 클로로포름 용매에서의 UV 스펙트럼 측정
λmax; 597nm, ε; 1.15×105
[제조 실시예 8] (펜타메틴형 시아닌계 화합물의 제조)
질소 치환한 반응 플라스크에 중간체(A) 3.9g, 화학식 9로 표현되는 중간체(d) 4.5g, 무수아세트산 3.1g, 피리딘 15.8g을 넣고, 25℃에서 10시간 반응시켰다. 클로로포름 30.0g, 물 30.0g, 6불화인칼륨 5.5g을 첨가하고, 50℃에서 30분 교반하여 염교환을 실시하였다. 수층을 제거한 후, 물 30.0g, 6불화인칼륨 1.0g을 더 첨가하고, 30분 교반한 후, 수상을 제거한 유상을 30.0g의 물로 3회 세정하고, 무수황산나트륨 건조 후, 감압 탈용매하여 잔사를 얻었다. 이 잔사에 메탄올 45.0g을 첨가하여 정석을 실시하고, 여과된 결정을 세정한 후, 150℃ 진공 건조하여 목적물인 화학식 10으로 표현되는 펜타메틴형 화합물 No.52의 6불화인염의 녹색 결정 4.7g(수율: 70.4%)을 얻었다. 이것에 대하여 하기 분석을 실시하여, 구조 등을 확인하였다.
<분석결과>
① 순도: HPLC 측정; 100%
② 구조해석:1H-NMR 측정
(화학적 이동 ppm ; 다중도 ; 프로톤수)
(1.79 ; s ; 3) (1.96∼1.99 ; d ; 6) (2.40 ; s ; 3) (3.28 ; s ; 3) (3.48∼3.52 ; d ; 1) (3.66∼3.70 ; d ; 1) (3.73 ; s ; 3) (6.22∼6.26 ; d ; 1) (6.31∼6.36 ; d ; 1) (6.55∼6.63 ; m ; 3) (6.95∼7.05 ; m ; 4) (7.13∼7.15 ; d ; 1) (7.48∼7.50 ; t ; 1) (7.58 ; s ; 1) (7.64∼7.70 ; t ; 1) (7.73∼7.76 ; d ; 1) (8.04∼8.09 ; t ; 2) (8.23∼8.26 ; d ; 1) (8.41∼8.49 ; m ; 2)
③ 광학적 특성: 메탄올 용매에서의 UV 스펙트럼 측정
λmax; 667nm, ε; 2.26×105
[평가예]
상기의 제조 실시예에서 얻은 화합물 및 이하에 나타내는 비교 화합물 1∼5에 대하여, 질소 기류 중의 시차열 분석을 실시하여, 열분해 온도와 열분해의 급준성을 평가하였다. 열분해 온도는 DTA의 발열의 정점 온도로 비교 평가하고, 급준성은 DSC의 융해∼발열분해 종료 온도 및 그 폭으로 평가하였다. 결과를 표 1∼4에 나타낸다.
시아닌 화합물양이온 시아닌 화합물음이온 열분해 온도(℃) 열분해 급준성(℃)
평가예 1 화합물 No.4 PF6 - 242.5 8.5
평가예 2 화합물 No.7 PF6 - 247.5 12.4
평가예 3 화합물 No.41 PF6 - 227.1 9.8
평가예 4 화합물 No.43 PF6 - 252.2 2.7
평가예 5 화합물 No.44 PF6 - 241.9 13.9
비교평가예 1 비교화합물 1 PF6 - 282.5 19.5
비교평가예 2 비교화합물 2 PF6 - 276.5 25.0
시아닌 화합물양이온 시아닌 화합물음이온 열분해 온도(℃) 열분해 급준성(℃)
평가예 6 화합물 No.34 PF6 - 229.1 1.0
비교평가예 3 비교화합물 3 PF6 - 292.0 2.0
시아닌 화합물양이온 시아닌 화합물음이온 열분해 온도(℃) 열분해 급준성(℃)
평가예 7 화합물 No.36 PF6 - 246.6 4.2
비교평가예 4 비교화합물 4 PF6 - 300.0 10.8
시아닌 화합물양이온 시아닌 화합물음이온 열분해 온도(℃) 열분해 급준성(℃)
평가예 8 화합물 No.52 PF6 - 222.0 50.0
비교평가예 5 비교화합물 5 PF6 - 247.0 64.3
상기 표 1∼4의 결과로부터, 본 발명에 따른 3-포지션에 벤질기를 도입한 시안계 화합물이 저온에서 분해되고, 열분해의 급준성도 우수하다는 것을 확인할 수 있다. 이들의 성질은 고속 기록에 적합한 것이다.
[실시예 1∼6] (기록 매체의 제조 및 평가)
티탄킬레이트 화합물(T-50: 니뽄소다 가부시키가이샤 제품)을 도포, 가수 분해하여 베이스층(0.01㎛)을 형성한 직경 12cm의 폴리카보네이트 디스크 기판 상에, 상기의 제조 실시예 1∼3, 5, 7∼8에서 얻은 시아닌계 화합물에 대하여, 2,2,3,3-테트라플루오로프로판올 용액(농도 2%)에 의한 스핀코팅법으로 도포하고 두께 100nm의 광학 기록층을 형성하여, 광학기록 매체를 얻었다. 이들의 광학기록 매체에 대하여, 현재, 광학기록 디스크에 이용되고 있는 기록광의 파장에 대하여, UV 스펙트럼 흡수의 측정에 의한 평가를 실시하였다. 각 기록 매체의 λmax의 강도를1로 하고, 이것에 대한 상대 강도의 값이 0.15보다 작으면 기록 및 재생 특성이 악화되고, 0.50을 넘으면 광학 기록층의 내광성이 나빠지며, 기록의 보존 안정성이 나빠진다. 따라서, 상대 강도가 바람직한 범위인 0.15∼0.50을 나타내는 것을 적정 기록광 파장으로 하였다. 결과를 표 5에 나타낸다.
시아닌 화합물 λmaxnm 적정 기록 광파장(상대강도)
실시예 1 화합물 No.4PF6 -염 610 635nm(0.477), 650nm(0.208)
실시예 2 화합물 No.7PF6 -염 619 650nm(0.305), 660nm(0.188)
실시예 3 화합물 No.34PF6 -염 620 650nm(0.316), 660nm(0.181)
실시예 4 화합물 No.41PF6 -염 594 620nm(0.444), 635nm(0.180)
실시예 5 화합물 No.44PF6 -염 610 635nm(0.455), 650nm(0.200)
실시예 6 화합물 No.52PF6 -염 706 770nm(0.292), 780nm(0.180), 790nm(0.151)
본 발명은 고속 기록에 대응할 수 있는 광학매체에 합치된 시아닌계 화합물을 함유하여 이루어지는 광학기록 재료를 제공할 수 있는 것이다.

Claims (5)

  1. 베이스 상에 광학 기록층이 형성된 광학기록 매체의 상기 광학 기록층에 이용되고,하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표현되는 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학기록 재료.
    <화학식 1>
    <화학식 2>
    (화학식 1 또는 화학식 2 중, 고리(A) 및 고리(B)는, 치환기를 가져도 되는 벤젠고리 또는 나프탈렌고리를 나타내고, R1은 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타내며, R2, R3은 탄소수 1∼4의 알킬기, 벤질기 또는 연결하여 3∼6원 고리를 형성하는 기를 나타내고, X는 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼4의 알킬기, 치환기를 가져도 되는 페닐기, 치환기를 가져도 되는 벤질기 또는 시아노기를 나타내며, Y1 및 Y2는 각각 독립적으로 유기기를 나타내고, Anm-는 m가의 음이온을 나타내며, m은 1또는 2의 정수를 나타내고, p는 전하를 중성으로 보존하는 계수를 나타낸다.)
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1 또는 화학식 2에서 R2, R3가 연결하여 3∼6원 고리를 형성하는 기인 것을 특징으로 하는 광학기록 재료.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 화학식 1 또는 화학식 2에서 X가 수소 원자인 것을 특징으로 하는 광학기록 재료.
  4. 제1항 내지 제3항에 있어서, 상기 화학식 1 또는 화학식 2에서 Y1이 R1과 동일한 기인 것을 특징으로 하는 광학기록 재료.
  5. 베이스 상에, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 광학기록 재료로 구성되는 박막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학기록 매체.
KR1020030008182A 2002-02-12 2003-02-10 광학기록 재료 KR100814215B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002033599A JP3659922B2 (ja) 2002-02-12 2002-02-12 光学記録材料
JPJP-P-2002-00033599 2002-02-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030068414A true KR20030068414A (ko) 2003-08-21
KR100814215B1 KR100814215B1 (ko) 2008-03-17

Family

ID=27678004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030008182A KR100814215B1 (ko) 2002-02-12 2003-02-10 광학기록 재료

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3659922B2 (ko)
KR (1) KR100814215B1 (ko)
CN (1) CN1266693C (ko)
TW (2) TW200306334A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101018722B1 (ko) * 2003-10-31 2011-03-04 가부시키가이샤 아데카 광기록매체
KR101272743B1 (ko) * 2004-11-25 2013-06-10 가부시키가이샤 아데카 시아닌 화합물, 이 화합물을 이용한 광학기록재료, 및광학기록매체
KR101491756B1 (ko) * 2006-03-31 2015-02-11 가부시키가이샤 아데카 인돌륨 화합물 및 광학기록재료

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3708094B2 (ja) * 2003-08-07 2005-10-19 旭電化工業株式会社 シアニン化合物、光学記録材料及び光学記録媒体
JP3698708B2 (ja) * 2003-08-07 2005-09-21 旭電化工業株式会社 シアニン化合物、光学記録材料及び光学記録媒体
JP4614751B2 (ja) * 2003-12-10 2011-01-19 株式会社Ａｄｅｋａ シアニン化合物、該化合物を用いた光学フィルター、光学記録材料及び光学記録媒体
CN100581837C (zh) * 2004-07-29 2010-01-20 株式会社艾迪科 光学记录材料和光学记录介质
JP4640769B2 (ja) * 2004-10-07 2011-03-02 株式会社Ａｄｅｋａ シアニン化合物及び光学記録材料
JP4381958B2 (ja) * 2004-10-27 2009-12-09 ソニー株式会社 光記録媒体及びこれを用いた光記録再生方法
JP2006124542A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Asahi Denka Kogyo Kk インドリウム化合物及び光学記録材料
CN101057283A (zh) 2004-11-10 2007-10-17 株式会社理光 光学记录介质、其记录和再现方法及光学记录和再现装置
WO2006123807A1 (ja) * 2005-05-17 2006-11-23 Mitsui Chemicals, Inc. トリメチン二量体化合物及びこれを用いた光記録媒体
JP2007090576A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Tdk Corp 光記録材料及び光記録媒体
JP4953645B2 (ja) * 2006-01-27 2012-06-13 ソニー株式会社 光記録媒体及びその製造方法
WO2007105297A1 (ja) 2006-03-13 2007-09-20 Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo メチン系色素とその用途
JP4982695B2 (ja) 2006-03-16 2012-07-25 株式会社リコー 光記録媒体
CN101410460B (zh) * 2006-03-31 2013-01-09 株式会社艾迪科 花青化合物以及光学记录材料
EP2020302B8 (en) * 2006-05-23 2012-04-18 Adeka Corporation Optical recording material and cyanine compound
JP4806377B2 (ja) * 2006-09-06 2011-11-02 株式会社リコー 光記録媒体
JP5086027B2 (ja) * 2007-10-15 2012-11-28 株式会社Ａｄｅｋａ インドリウム化合物及び該化合物を用いた光学記録材料
JP5086026B2 (ja) 2007-10-15 2012-11-28 株式会社Ａｄｅｋａ インドリウム化合物及び該化合物を用いた光学記録材料
CN101255129B (zh) * 2008-03-26 2011-12-28 太仓市茜泾化工有限公司 一种花菁的合成工艺
WO2015022767A1 (ja) * 2013-08-14 2015-02-19 ソニー株式会社 光媒体再生装置および光媒体再生方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0443078A (ja) * 1990-06-09 1992-02-13 Mitsubishi Paper Mills Ltd 光情報記録媒体
DE69300515T2 (de) * 1992-04-23 1996-05-09 Eastman Kodak Co Stabilisatoren fuer cyanin-ir-farbstoffe.
JP4127925B2 (ja) * 1999-04-06 2008-07-30 株式会社Ａｄｅｋａ 光学記録材料
JP4467206B2 (ja) * 2000-06-01 2010-05-26 株式会社Ａｄｅｋａ 光学記録材料

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101018722B1 (ko) * 2003-10-31 2011-03-04 가부시키가이샤 아데카 광기록매체
KR101272743B1 (ko) * 2004-11-25 2013-06-10 가부시키가이샤 아데카 시아닌 화합물, 이 화합물을 이용한 광학기록재료, 및광학기록매체
KR101491756B1 (ko) * 2006-03-31 2015-02-11 가부시키가이샤 아데카 인돌륨 화합물 및 광학기록재료

Also Published As

Publication number Publication date
TWI359146B (ko) 2012-03-01
TW200306334A (en) 2003-11-16
JP3659922B2 (ja) 2005-06-15
JP2003231359A (ja) 2003-08-19
CN1266693C (zh) 2006-07-26
TW201035080A (en) 2010-10-01
CN1438639A (zh) 2003-08-27
TWI341858B (ko) 2011-05-11
KR100814215B1 (ko) 2008-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100814215B1 (ko) 광학기록 재료
KR101099292B1 (ko) 광학 기록 재료 및 광학 기록 매체
JP3698708B2 (ja) シアニン化合物、光学記録材料及び光学記録媒体
KR101027229B1 (ko) 시아닌 화합물, 광학 기록 재료 및 광학 기록 매체
KR101272743B1 (ko) 시아닌 화합물, 이 화합물을 이용한 광학기록재료, 및광학기록매체
JP4488963B2 (ja) 光学記録材料
JP4467206B2 (ja) 光学記録材料
KR101497384B1 (ko) 가교형 시아닌화합물 및 상기 화합물을 사용한 광학기록재료
KR20070068373A (ko) 인돌륨 화합물 및 광학기록재료
TWI436979B (zh) Indolium (INDOLIUM) compound and an optical recording material using the same
KR101491756B1 (ko) 인돌륨 화합물 및 광학기록재료
JP2001047740A (ja) 光学記録材料
JP4056295B2 (ja) 光学記録材料
TWI412033B (zh) Optical recording materials and anthocyanin compounds
JP4869018B2 (ja) 光学記録材料
JP4401032B2 (ja) 光学記録材料
JP4265724B2 (ja) 光学記録材料
JP4454177B2 (ja) 光学記録材料
TWI407434B (zh) An optical recording material and an optical recording medium including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121221

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150123

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160302

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170303

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee