KR20000047454A - 반도체 장치용 접촉자 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험장치 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 방법 및 반도체장치용 접촉자의 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치에 대하여 전기적인 접촉을 얻는 반도체 장치용 접촉자 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 장치 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 방법 및 반도체 장치용 접촉자의 세정 방법에 관한 것이며, 미세화된 단자를 갖는 반도체 장치에 대하여 확실하게 접촉 전극을 접속할 수 있음과 동시에, 단자 및 접촉 전극의 손상을 방지하는 것을 과제로 한다.
배선 기판(11A)이 베이스 유니트(12A)에 지지됨으로써, 배선 기판(11A)의 접촉 전극(14)과 반도체 장치(20)의 단자(21)가 접촉 압력을 갖고 전기적으로 접속하도록 구성된 반도체 장치용 접촉자에 있어서, 베이스 유니트(12A)와 배선 기판(11A) 간에서 위치 유지력을 발생시키는 위치 유지력 발생 기구(17)와, 반도체 장치(20)와 배선 기판(11A)과의 접촉 압력을 발생시키는 접촉 압력 발생 기구(16)를 설치하고, 또한 위치 유지력과 접촉 압력이 독립하여 조작할 수 있도록 구성한다.
Description
본 발명은 반도체 장치용 접촉자 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 장치 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 방법 및 반도체 장치용 접촉자의 세정 방법에 관한 것이며, 특히 웨이퍼, 베어칩, BGA(Ball Grid Array), SOP(Small 0utline Package), QFP(Quad Flat Package) 등의 반도체 장치(이하, 이들 각종 반도체 소자 및 반도체 장치를 총칭하여 반도체 장치라 함)에 대하여 전기적인 접촉을 얻는 반도체 장치용 접촉자 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 장치 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 방법 및 반도체 장치용 접촉자의 세정 방법에 관한 것이다.
근년의 반도체 장치는 소형화, 고속화, 고밀도화가 요구되고 있다. 이 때문에 이들 반도체 장치에 배치된 단자에 대해서도, 소형화, 고속화, 고밀도화에 대응하고자 미세화가 도모되고 있다. 또한, 반도체 장치의 시험 효율을 향상시키는 점에서는 다수의 반도체 장치를 일괄하여 접촉하는, 예컨대 웨이퍼 레벨에서 일괄 접촉할 필요가 생기고 있다.
그런데, 반도체 장치의 단자 및 반도체 장치용 접촉자에 설치된 접촉 전극에는 높이의 분산(dispersion)이 존재하고, 따라서 미세화된 모든 단자에 대하여 접촉 전극을 접속하는 것은 기술적으로 대단히 곤란한 것으로 되고 있다.
도l은 종래의 일례인 반도체 장치용 접촉자(1)(이하, 간단히 접촉자라 함)를 나타내고 있다. 동 도면에 나타낸 바와 같이, 종래의 접촉자(1)는 대략하여 배선 기판(2), 이방성 도전 시트(4), 다층 기판(5) 및 베이스 부재(6) 등으로 구성되어 있었다.
배선 기판(2)은 수지로 되는 베이스 필름 상에 배선 패턴이 형성된 구성으로 되고 있다. 또한, 배선 패턴의 일부에는 반도체 장치(8)(도면에서는 반도체 장치로서 웨이퍼를 사용한 예를 나타내고 있음)의 단자가 접속되는 접촉 전극(3)이 형성되어 있다. 이 접촉 전극(3)은 베이스 필름에 형성된 관통공 또는 비아(via)(도시하지 않음)를 개재하여 배선 기판(2)의 상면(접촉 전극(3)이 형성되어 있은 면과는 반대측의 면)에 인출된 구성으로 되어 있다.
또한, 다층 기판(5)은 다층 배선 프린트 기판이고, 글라스-에폭시로 되는 기재 상에 배선 패턴을 형성한 배선 기판층을 다수 적층한 구성으로 되어 있다. 또한, 각 배선층 간은 관통공 등에 의해 전기적으로 접속된 구성으로 되어 있다. 따라서 종래에는 다층 기판(5)으로서 대단히 단단한(강성이 높은) 것을 사용하고 있었다.
이방성 도전 시트(4)는 도시되는 접촉자(1)에서는 배선 기판(2)과 다층 기판(5) 간에 개입되어 있다. 이 이방성 도전 시트(4)는 탄성을 가짐과 동시에, 도면 중 상하 방향으로만 도전성을 갖는 구성으로 되어 있고, 압압력(押壓力)이 인가된 부위만 도통을 할 수 있는 구성으로 되어 있다.
이와 같이 이방성 도전 시트(4)를 사용하는 것은 가령 배선 기판(2)을 강성이 높은 다층 기판(5)에 직접 배설한 구성에서는, 반도체 장치(8)의 단자 또는 배선 기판(2)의 접촉 전극(3)에 높이의 분산이 있는 경우, 이 것을 흡수할 수 없어서, 다수의 단자에 대하여 확실하게 접촉 전극(3)을 접속할 수 없기 때문이다. 또, 상기의 배선 기판(2), 이방성 도전 시트(4) 및 다층 기판(5)은 일체화된 구성으로 되어 있다.
또한, 베이스 부재(6)는 반도체 장치(8)의 형상에 대응한 오목(凹)형의 장착부(7)가 형성되어 있고, 반도체 장치(8)는 이 장착부(7) 내에 장착됨으로써 베이스 부재(6)에 지지되는 구성으로 되어 있다.
상기 구성으로 된 접촉자(1)와 반도체 장치(8)를 접촉(전기적으로 접속)하기 위해서는 반도체 장치(8)를 베이스 부재(6)의 장착부(7)에 장착한 뒤에 배선 기판(2)을 반도체 장치(8)에 압압한다. 이에 의해, 접촉 전극(3)은 반도체 장치(8)의 단자와 접속하여, 배선 기판(2)과 반도체 장치(8) 간에서 전기적 도통을 도모할 수 있다.
한편, 도1에 나타내는 접촉자(1)에서는 이방성 도전 시트(4)를 배선 기판(2)과 다층 기판(5) 간에 개입 하였지만, 종래의 접촉자로서, 이방성 도전 시트를 배선 기판과 반도체 장치 간에 개입하는 구성의 것도 제공되어 있다.
또한, 배선 기판과 반도체 장치와의 접촉 압력(밀착력)을 향상시키기 위해서, 반도체 장치 웨이퍼를 장착하는 베이스 부재와 배선 기판 간에 밀봉 부재를 설치함과 동시에, 이 밀봉 부재에 의해 밀폐되는 영역 내를 부압으로 하고, 이에 의해 대기압으로 배선 기판을 반도체 장치 웨이퍼에 압접시키는 구성으로 한 접촉자도 제공되어 있다.
그런데, 배선 기판(2)을 반도체 장치(8)에 접속시킬 때에 필요로 하는 힘으로서는 두개의 힘이 작용한다. 그 하나는 배선 기판(2)에 배설된 접촉 전극(3)을 반도체 장치(8)의 단자에 접속시키는 데 요하는 접촉 압력(이하, 이 압력을 접촉 압력이라 함)이고, 또 하나는 배선 기판(2)을 베이스 부재(6)에 위치 결정한 상태로 유지하기 위한 압력(이하, 이 압력을 위치 유지력이라 함)이다.
이 접촉 압력과 위치 유지력은 상기와 같이 각각 다른 기능을 발휘하는 것이고, 각각의 기능에 알맞는 힘으로 설정할 필요가 있다. 즉, 접촉 압력의 경우에는 배선 기판(2)의 접촉 전극(3)과 반도체 장치(8)의 단자가 양호하게 전기적으로 접속하고, 또한 접촉 전극(3) 및 단자에 변형 등이 발생하지 않는 값으로 접촉 압력을 설정할 필요가 있다. 또한, 위치 유지력의 경우에는 다소의 외력이 인가된 정도로는 배선 기판(2)과 베이스 부재(6)와의 위치가 어긋나지 않는 값으로 위치 유지력을 설정할 필요가 있다. 따라서, 배선 기판(2)과 반도체 장치(8)를 이상적인 상태로 접촉하려고 한 경우, 통상 위치 유지력 쪽이 접촉 압력에 비하여 큰 힘을 요한다.
그런데, 종래의 접촉자(1)에서는 접촉 압력과 위치 유지력을 독립하여 설정할 수 있는 구성으로 되어 있지 않았다. 따라서, 예컨대 상기한 부압을 사용하여 배선 기판과 반도체 장치를 접촉하는 구성에서는 접촉 압력을 해제하려고 부압을 해제하면, 배선 기판과 반도체 장치의 위치를 유지하는 힘도 해제되어 위치가 어긋나 버리는 문제점이 있었다.
또한, 종래의 접촉자는 접촉 압력과 지지력이 동일하기 때문에, 위치 유지력을 상승시키려고 하면 접촉 압력도 상승해 버려서, 반도체 장치의 단자에 과잉 손상을 주는 위험이 있었다.
또한, 종래의 접촉자(1)에서는 배선 기판(2)의 플렉시빌리티(유연성)가 이방성 도전 시트(4)의 탄성에 의해 규정되어 있어, 이 탄성 이상으로 접촉 전극(3) 및 단자 높이의 분산을 흡수할 수 없었다. 이 때문에 미세 피치로 단자 높이에 분산이 있는 경우에는, 반도체 장치(8)의 모든 단자에 접촉 전극(3)을 접속할 수 없었다.
본 발명은 상기의 점에 비추어 이루어진 것으로, 미세화된 단자를 갖는 반도체 장치에 대하여 확실하게 접촉 전극을 접속할 수 있음과 동시에, 단자 및 접촉 전극의 손상을 방지할 수 있는 반도체 장치용 접촉자 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 장치 및 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 배선 기판에 설치된 접촉 전극에 부착된 오염을 제거함으로써 안정한 접촉을 실현하는 반도체 장치용 접촉자의 세정 방법을 제공하는 것에 있다.
도1은 종래의 접촉자(반도체 장치용 접촉자)의 일례를 나타내는 도면.
도2는 본 발명의 제1 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도3은 본 발명의 제1 실시예인 접촉자를 구성하는 베이스 유니트의 평면도.
도4는 본 발명의 제2 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도5는 본 발명의 제3 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도6은 본 발명의 제4 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도7은 본 발명의 제5 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도8은 본 발명의 제6 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도9는 본 발명의 제7 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도10은 본 발명의 제8 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도11은 본 발명의 제9 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도12는 본 발명의 제10 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도13은 본 발명의 제11 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도14는 본 발명의 제12 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도15는 본 발명의 제13 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도16은 본 발명의 제14 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도17은 본 발명의 제15 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도18은 본 발명의 제16 실시예인 접촉자를 설명하기 위한 도면.
도19는 본 발명의 일 실시예인 접촉자를 사용한 시험 장치를 설명하기 위한 도면.
도20은 본 발명의 제1 실시예인 접촉자를 사용한 시험 방법을 설명하기 위한 도면.
도21은 본 발명의 제2 실시예인 접촉자를 사용한 시험 방법을 설명하기 위한 도면.
도22는 본 발명의 일 실시예인 반도체 장치용 접촉자의 세정 방법을 설명하기 위한 도면.
[부호의 설명]
10A∼101 접촉자(반도체 장치용 접촉자)
11A∼11E 배선 기판
12A∼12H 베이스 유니트
15 장착부
16 접촉자 압력 발생 장치
17 위치 유지력 발생 장치
18 접속 영역
20 LSI
21 단자
24 제1 밀봉 부재
25 제2 밀봉 부재
26 제l 흡기 배관
27 제2 흡기 배관
28 접촉 압력 발생용 개구부
29 위치 유지력 발생용 개구부
30 연통용 단차부
31 제1 폐영역
32 제2 폐영역
35A∼35C 커버 유니트
36 커버 유니트 개구부
37 위치 유지력 발생용 나사
38 승강 소자
39A,39B 백업 시트
40 변형 용이부
42A,42B 배선층
44 관통공
45 전자 부품
46 장력 부여기구
47 테이퍼면
48 삽입 오목부
49 돌기 부품
50 방열핀부
51 온도 제어 장치
52 지지 기구
53 LSI 지지용 흡기 배관
54 마찰 증대 시트
55 제3 밀봉 부재
56 제4 밀봉 부재
60 시험 장치
61 시험 장치 체임버
62 압축 공기 생성 장치
65A,65B CCD 카메라
70 세정 부재
상기의 과제를 해결하기 위해 본 발명에서는 다음에 기술하는 여러가지의 수단을 강구하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명은
복수의 단자를 갖는 반도체 장치를 지지하는 베이스 유니트와,
상기 반도체 장치 상의 전부 또는 일부의 단자에 대응한 위치에 접촉 전극을 갖는 배선 기판을 설치하며,
상기 배선 기판이 상기 베이스 유니트에 지지됨으로써, 상기 배선 기판의 접촉 전극과 상기 반도체 장치의 단자가 접촉 압력을 갖고 전기적으로 접속하도록 구성된 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 베이스 유니트와 상기 배선 기판 간의 위치 유지력을 발생시키는 위치 유지력 발생 기구와,
상기 반도체 장치와 상기 배선 기판의 접촉 압력을 발생시키는 접촉 압력 발생 기구를 설치하고,
또한, 상기 위치 유지력과 상기 접촉 압력이 독립하여 조작할 수 있는 구성으로 한 것을 특징으로 한 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
적어도, 상기 접촉 전극이 상기 단자와 접속하는 상기 배선 기판의 접속 영역에 유연성을 갖게 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
또한, 상기 배선 기판을 지지함과 동시에, 상기 배선 기판의 상기 접촉 전극이 상기 단자와 접속하는 접속 영역에 개구부를 갖는 커버 유니트를 더 설치한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 배선 기판이 단수 또는 복수의 상기 반도체 장치에 동시에 접속할 수 있는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 배선 기판이 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 접촉 압력 발생 기구를
장착 상태에 있는 상기 반도체 장치를 둘러싸도록 상기 베이스 유니트에 배설함과 동시에, 상기 배선 기판이 상기 베이스 유니트에 장착된 상태로 상기 배선 기판과 기밀하게 접하는 제l 밀봉 부재와,
상기 제1 밀봉 부재의 배설 위치로부터 상기 반도체 장치의 장착 위치측으로 개구되어 있고, 흡기 처리함으로써 상기 베이스 유니트와, 상기 배선 기판과, 상기 제1 밀봉 부재에 의해 형성되는 영역을 부압으로 하는 제1 흡기 배관으로 구성하고,
또한, 상기 제l 흡기 배관이 발생시키는 부압력을 상기 반도체 장치와 상기 배선 기판과의 접촉 압력으로서 사용하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 접촉 압력 발생 기구를
상기 베이스 유니트가 장착 상태에 있는 상기 반도체 장치의 하부에 배설하고, 상기 반도체 장치를 상기 배선 기판을 향하여 승강시키는 승강 기구으로 구성한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 배선 기판의 상기 접촉 전극이 상기 단자와 접속하는 접속 영역과 별도의 위치에 상기 위치 유지력 발생 기구를 설치함과 동시에,
상기 위치 유지력 발생 기구를
상기 배선 기판이 상기 베이스 유니트에 장착된 상태로 상기 배선 기판과 기밀하게 접함과 동시에에 폐영역을 형성하는 제2 밀봉 부재와,
상기 제2 밀봉 부재에 의해 형성되는 폐영역 내에 개구되어 있고, 흡기 처리함으로써 상기 폐영역 내를 부압으로 하는 제2 흡기 배관으로 구성하고,
또한, 상기 제2 흡기 배관이 발생시키는 부압력을 상기 배선 기판과 상기 베이스 유니트와의 위치 유지력으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 위치 유지력 발생 기구로서 체결 기구를 사용하여, 상기 체결 기구가 발생시키는 체결력을 상기 배선 기판과 상기 베이스 유니트와의 위치 유지력으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 배선 기판의 상기 접촉 전극이 상기 단자와 접속하는 접속 영역의 외주 위치에 변형 용이부를 형성한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 배선 기판을 복수의 배선층을 적층한 구성으로 함과 동시에,
상기 배선층에 형성된 상기 접촉 전극이 선택적으로 상기 반도체 장치의 단자에 접속하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 배선 기판은 상기 반도체 장치가 접속되는 접속면과, 상기 접속면의 반대면을 도통하는 도통부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 반대면에 전자 부품을 탑재한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 배선 기판에 대하여, 소정의 장력을 부여하는 장력 부여 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 베이스 유니트에 방열 기능을 갖게 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서, 상기 베이스 유니트에 온도 인가 기구, 흡열 기구 및 온도 검출 기구 중 어느 하나의 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 베이스 유니트에 상기 반도체 장치를 상기 베이스 유니트에 강제적으로 지지하는 지지 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
적어도 상기 배선 기판 또는 상기 베이스 유니트의 한편에 상기 배선 기판과 상기 베이스 유니트 간에 발생하는 마찰을 증대시키는 마찰 증대부를 설치한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 배선 기판과 상기 커버 유니트 간에 제3 밀봉 부재를 배설함과 동시에, 상기 베이스 유니트 상에 상기 배선 기판과 기밀하게 접하는 제4 밀봉 부재를 배설하며,
상기 배선 기판이 상기 베이스 유니트에 지지된 상태에서, 상기 배선 기판이 상기 제3 및 제4 밀봉 부재에 협지되는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 반도체 장치용 접촉자에 있어서,
상기 배선 기판과 상기 반도체 장치를 접속하는 접속면과 반대면에 요철(凹凸)을 갖는 백업 시트를 배설한 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 관한 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 장치는
상기 한 반도체 장치용 접촉자와,
상기 반도체 장치용 접촉자를 내부에 수납함과 동시에, 내부 분위기를 양압으로 할 수 있도록 구성된 체임버를 설치하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 한 반도체 장치용 접촉자를 사용하여 상기 반도체 장치에 대하여 시험을 하는 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 방법으로서,
상기 반도체 장치의 단자와 상기 배선 기판의 전극의 위치를 인식 처리하여, 상기 단자와 상기 전극의 위치 어긋남을 산출하여 위치 보정량을 산출하고,
상기 위치 보정량에 근거하여 상기 배선 기판과 상기 베이스 유니트의 위치를 맞추고,
상기 위치 맞춤이 행하여진 상태에서 상기 위치 유지력 발생 기구를 구동하여, 상기 배선 기판과 상기 베이스 유니트 간에 위치 유지력을 발생시키고,
다음에 상기 위치 유지력을 발생시킨 상태를 유지하면서, 상기 접촉 압력 발생 기구를 구동하여, 상기 배선 기판과 상기 반도체 장치 간에 접촉 압력을 발생시켜서, 상기 반도체 장치에 대하여 시험을 하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 한 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 방법에 있어서,
상기 반도체 장치와 상기 배선 기판의 위치 인식 시에, 상기 반도체 장치의 상면으로부터 상기 배선 기판을 투과하면서 위치 맞춤을 하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명은
상기 한 반도체 장치용 접촉자에 설치된 상기 배선 기판의 단자에 대하여 세정 처리하는 반도체 장치용 접촉자의 세정 방법으로서,
상기 베이스 유니트에 상기 배선 기판에 설치된 단자와 접촉함으로써 세정 처리하는 세정 부재를 배설하여,
상기 위치 유지력 발생 기구를 구동시킴으로써, 상기 배선 기판을 상기 베이스 유니트에 지지시켜서,
상기 배선 기판이 상기 베이스 유니트에 지지된 상태를 유지하면서, 상기 접촉 압력 발생 기구를 반복 구동/구동 정지하는 것을 특징으로 하는 것이다.
상기한 각 수단은 다음과 동시에 작용한다.
본 발명에 의하면,
베이스 유니트와 배선 기판 간의 위치 유지력을 발생시키는 위치 유지력 발생 기구와, 반도체 장치와 배선 기판의 접촉 압력을 발생시키는 접촉 압력 발생 기구를 각각 설치함으로써 위치 유지력과 접촉 압력을 독립하여 조작할 수 있다.
이에 의해, 접촉 압력과 위치 유지력이 서로 영향주는 것을 방지할 수 있고, 배선 기판을 베이스 유니트에 지지하기 위한 알맞는 위치 유지력과, 반도체 장치를 배선 기판에 접속하는 데 알맞는 접촉 압력을 독립하여 발생시킬 수 있다. 따라서, 배선 기판과 베이스 유니트 간의 위치 결정을 정확히 행할 수 있음과 동시에, 반도체 장치와 배선 기판을 안정한 접촉 상태로 유지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
적어도 배선 기판의 접촉 전극이 단자와 접속하는 접속 영역에 유연성을 갖게 함으로써 접촉 압력 발생 기구가 접촉 압력을 발생시켰을 때, 유연성을 갖는 배선 기판의 접속 영역은 반도체 장치의 단자에 균일하게 접속한다. 따라서, 반도체 장치의 단자수가 많은 경우에도, 모든 단자에 확실하게 배선 기판의 접촉 전극을 접속할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
배선 기판을 지지하는 커버 유니트를 설치함으로써 유연성을 갖는 배선 기판이라도, 반도체 장치에 대하여 배선 기판을 소정의 접촉 압력을 갖고 접속할 수 있다. 또한 커버 유니트는 상기 접속 영역과 대향하는 위치에 개구부가 형성되어 있기 때문에, 이 접속 영역에서는 유연성을 유지하고 있다. 따라서, 배선 기판을 커버 유니트에 지지시킨 구성으로 하여도, 반도체 장치의 모든 단자와 배선 기판의 접촉 전극을 확실하게 접속시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
배선 기판이 단수 또는 복수의 반도체 장치에 동시에 접속할 수 있는 구성으로 함으로써 이 반도체 장치용 접촉자를 사용함으로써 시험 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명과 같이,
웨이퍼를 배선 기판으로서 사용하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면,
접촉 압력 발생 기구를 구성하는 제l 밀봉 부재가 장착 상태에 있는 반도체 장치를 둘러싸도록 베이스 유니트에 배설되고, 또한 베이스 유니트에 장착된 상태의 배선 기판과 기밀하게 접한다. 또한, 접촉 압력 발생 기구를 구성하는 제l 흡기 배관은 제l 밀봉 부재의 배설 위치로부터 반도체 장치의 장착 위치측으로 개구하고 있기 때문에, 이 제1 흡기 배관에 의하여 흡기 처리함으로써 베이스 유니트, 배선 기판 및 제1 밀봉 부재에 의해 형성되는 영역은 부압이 되어, 배선 기판은 베이스 유니트에 고착된다.
이와 같이 부압력을 접촉 압력으로서 사용하여 반도체 장치와 배선 기판을 접촉시킴으로써, 균일한 상태로 배선 기판을 반도체 장치에 접속시킬 수 있다. 즉, 상기한 영역 내에 발생하는 부압력은 이 영역의 내벽 모두에 대하여 균일한 크기로 인가된다.
따라서, 배선 기판도 그 전면(커버 유니트를 설치하고 있은 경우에는 개구의 형성 영역 내)에서 균일한 부압이 인가되기 때문에, 배선 기판을 반도체 장치에 대하여 균일한 상태로 접속할 수 있다. 이에 의해, 반도체 장치의 단자수가 많은 경우에도, 모든 단자에 확실하게 배선 기판의 접촉 전극을 접속할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
접촉 압력 발생 기구를 구성하는 승강 기구를 베이스 유니트와 장착 상태에 있는 반도체 장치의 하부에 배설하고, 이 승강 기구에 의해 반도체 장치를 배선 기판을 향하여 승강하는 구성으로 함으로써 비교적 간단한 구성으로 반도체 장치와 배선 기판 간에 접촉 압력을 발생시키는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면,
배선 기판의 접촉 전극이 단자와 접속하는 접속 영역과는 별도의 위치, 즉 접촉 압력이 발생하는 위치와는 다른 위치에 위치 유지력 발생 기구를 설치함으로써 위치 유지력이 작용하는 위치와 접촉 압력이 발생하는 위치를 분리할 수 있다.
또한, 위치 유지력 발생 기구를 구성하는 제2 밀봉 부재는 베이스 유니트에 장착된 상태의 배선 기판과 기밀하게 접하여 폐영역을 형성한다. 또한, 위치 유지력 발생 기구를 구성하는 제2 흡기 배관은 이 폐영역에 개구하고 있기 때문에, 제2 흡기 배관에 의하여 흡기 처리함으로써 폐영역은 부압이 된다. 이 부압은 위치 유지력으로서 작용하고, 따라서 배선 기판은 베이스 유니트에 고착된다.
이 때, 상기와 같이 위치 유지력 발생 기구는 접촉 압력이 발생하는 위치와는 다른 위치에서 위치 유지력을 발생시키기 때문에, 접촉 압력과 위치 유지력을 독립하여 배선 기판에 인가하는 것이 가능하다. 따라서, 배선 기판과 베이스 유니트 간의 위치 결정을 정확히 행할 수 있음과 동시에, 반도체 장치와 배선 기판을 안정한 접촉 상태로 유지할 수 있다.
또한, 부압력을 위치 유지력으로서 사용하기 때문에, 위치 유지력은 상기의 폐영역의 내벽 전면에 균일하게 인가된다. 따라서, 배선 기판을 베이스 유니트에 대하여 균일한 위치 유지력으로 지지할 수 있어, 장착 시에 배선 기판 또는 커버 유니트에 경사가 발생하는 것을 방지할 수 있고, 이에 의해서도 안정한 접촉 상태를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
위치 유지력 발생 기구로서 체결 기구를 사용하고, 이 체결 기구가 발생시키는 체결력을 배선 기판과 베이스 유니트와의 위치 유지력으로서 사용함으로써 비교적 간단하고 저가의 구성으로, 위치 유지력 발생 기구를 실현할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면,
배선 기판의 단자가 접속하는 접속 영역의 외주 위치에 변형 용이부를 형성함으로써 배선 기판의 외주가 보다 유연하게 되어, 반도체 장치와의 접촉성을 안정시키는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면,
배선 기판을 복수의 배선층을 적층한 구성으로 함과 동시에, 이 배선층에 형성된 접촉 전극이 선택적으로 반도체 장치의 단자와 접속하도록 구성함으로써 단층의 배선 기판에 비교하여 접촉 전극을 다수 배설하는 것이 가능하여, 고밀도화에 따라 반도체 장치의 단자수가 증대하여도, 이에 확실하게 대응할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
배선 기판에 도통부를 설치하고, 이 도통부가 반도체 장치가 접속되는 접속면과 이 접속면의 반대면을 도통하는 구성으로 함으로써 배선 기판의 반대면으로부터 반도체 장치에 대하여 도통을 취하는 것이 가능하다. 따라서, 이 배선 기판의 반대면으로부터 반도체 장치에 대하여 시험을 하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면,
상기 반대면에 전자 부품을 탑재함으로써 배선 기판 자체에 반도체 장치에 대한 시험을 하는 기능을 갖게 할 수 있어, 보다 다기능의 반도체 시험을 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
배선 기판에 대하여 소정의 장력을 부여하는 장력 부여 기구를 설치함으로써, 배선 기판이 헐거워지는 것을 억제할 수 있고, 반도체 장치에 대하여 안정한 위치 결정이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면,
베이스 유니트에 방열 기능을 갖게 함으로써 시험 중에 반도체 장치가 발열하여도 신속하게 외부로 방열하는 것이 가능하다.
또, 본 발명에 의하면,
베이스 유니트에 적어도 온도 인가 기구, 흡열 기구 및 온도 검출 기구 중의 어느 하나의 기구를 설치함으로써 시험 중에 반도체 장치의 온도 상태를 적절히 조정하는 것이 가능하고, 또한 열팽창에 의한 위치 어긋남을 조정하는 데도 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
베이스 유니트에 반도체 장치를 이 베이스 유니트에 강제적으로 지지하는 지지 기구를 설치함으로써 배선 기판 또는 커버 유니트와 베이스 유니트를 위치 결정하기 전에 반도체 장치를 베이스 유니트에 고정하는 것이 가능해져서, 보다 고정밀도의 위치 결정이 가능하다. 또한, 지지 기구에 의한 지지 위치를 적당히 설정하거나, 또 복수 배설함으로써 반도체 장치가 휘는 것을 교정하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면,
적어도 배선 기판 또는 베이스 유니트의 한편에 배선 기판과 베이스 유니트 간에 발생하는 마찰을 증대시키는 마찰 증대부를 설치함으로써 커버 유니트를 베이스 유니트에 위치 유지할 때에, 위치 유지력을 증대시키는 것이 가능해져서 안정한 유지를 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
배선 기판이 베이스 유니트에 지지된 상태에서, 배선 기판이 제3 및 제4 밀봉 부재에 협지되는 구성으로 함으로써 접촉 압력(부압)에 대하여 밀봉성을 향상시킬 수 있어, 배선 기판과 반도체 장치를 확실하게 접속시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
배선 기판의 반대면에 요철을 갖는 백업 시트를 배설함으로써 이 백업 시트에 의해 단자 또는 접촉 전극의 높이의 분산이 흡수되어, 또한 적당한 접촉 압력을 백업 시트에도 발생시키기 때문에, 더욱 안정한 접촉이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면,
내부 분위기를 양압으로 할 수 있도록 구성된 체임버 내에 반도체 장치용 접촉자를 배설함으로써 부압에 의한 접촉에서는 접촉 압력이 부족하는 경우에도, 체임버 내의 분위기를 고압으로 함으로써 상대적으로 접촉 압력을 증대시킬 수 있고, 따라서 안정한 접촉 압력을 얻는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면,
반도체 장치의 단자와 배선 기판의 전극의 위치를 인식 처리하고, 이에 의해 얻어진 위치 보정량에 근거하여 배선 기판과 베이스 유니트의 위치를 맞추기 때문에, 고정밀도의 위치 결정을 할 수 있다.
또한, 위치 맞춤이 행하여진 상태에서, 우선 위치 유지력 발생 기구를 구동하여 배선 기판과 베이스 유니트 간에 위치 유지력을 발생시킴으로써, 접촉 압력의 인가 전에 이 위치 결정된 상태를 유지하면서 배선 기판과 베이스 유니트를 고정할 수 있다.
따라서, 이어서 실시되는 접촉 압력 발생 기구를 사용하여 배선 기판과 반도체 장치 간에 접촉력을 발생시켰을 때, 반도체 장치의 단자에 대하여 배선 기판의 접촉 전극을 확실하게 접속시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면,
반도체 장치와 배선 기판의 위치 인식 시에, 반도체 장치의 상면으로부터 배선 기판을 투과하면서 위치를 맞출 수 있기 때문에 위치 인식을 용이하게 하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면,
배선 기판 또는 커버 유니트와, 베이스 유니트의 위치를 유지한 채로, 반도체 장치와 배선 기판을 접촉시킬 때에 실시하는 접촉 압력의 인가 및 인가 해제의 조작을 되풀이함으로써 세정 부재는 배선 기판에 배설된 접촉 전극과 교호로 접촉한다. 이에 의해, 접촉 전극에 부착한 산화막 등의 불필요한 막은 세정 부재에 의해 제거되어, 안정한 접촉 상태를 유지시킬 수 있다.
[실시예]
다음에 본 발명의 실시의 형태에 관해서 도면과 함께 설명한다.
도2 내지 도3은 본 발명의 제1 실시예인 반도체 장치용 접촉자(10A)(이하, 반도체 장치용 접촉자를 간단히 접촉자라 함)를 나타내고 있다.
또, 이하 설명하는 각 실시예의 접촉자(10A∼10I)는 웨이퍼, 베어칩, BGA(Ball Grid Array), SOP(Small 0utline Package), QFP(Quad Flat Package) 등의 각종 반도체 소자 및 반도체 장치(이하, 이들을 총칭하여 반도체 장치라 함)에 대하여 적용할 수 있지만, 이하의 설명에서는 반도체 장치(20)로서 웨이퍼를 사용한 예에 대해서 설명하는 것으로 한다.
접촉자(10A)는 개략적으로 배선 기판(11A)과 베이스 유니트(12A)으로 구성되어 있다.
배선 기판(11A)은 베이스 필름(13) 상에 도시하지 않은 배선 패턴을 형성한 구성으로 되어 있다. 베이스 필름(13)은 예컨대 폴리이미드(PI) 등의 수지로 되고, 25∼100㎛정도의 두께를 갖는 구성으로 되어 있다. 또한, 배선 패턴은 동박 또는 알루미늄박 등의 도전재를 소정 형상으로 패턴 형성한 배선 패턴을 형성한 구성으로 되어 있다. 또한, 이 배선 패턴에는 반도체 장치(20)에 형성된 단자(21)(도9참조)와 전기적으로 접속하는 접촉 전극(14)이 형성되어 있다.
이 배선 기판(11A)은 접촉 전극(14)이 반도체 장치(20)의 단자(21)와 접속하는 영역(이하, 이 영역을 접속 영역(18)이라 함)에 유연성을 갖게 한 구성으로 하고 있다. 접속 영역(18)에 유연성을 갖게 하는 구성으로서는 예를 들어 베이스 필름(13)의 접속 영역(18)에 대응하는 부분의 두께를 엷게 하는 것 등이 생각된다. 또한, 배선 기판(11A)의 접속 영역(18)의 외주에 위치하는 영역은 소정의 강성을 유지한 구성으로 되어 있다.
베이스 유니트(12A)는 예컨대 알루미늄이나 스테인리스 등의 금속 또는 경질 수지에 의해 형성되어 있다. 이 베이스 유니트(12A)는 그 중앙에 반도체 장치(20)를 장착하는 오목형의 장착부(15)가 형성됨과 동시에, 접촉 압력 발생 기구(16) 및 위치 유지력 발생 기구(17)가 설치되어 있다.
접촉 압력 발생 기구(16)는 개략적으로 제l 밀봉 부재(24)와 제1 흡기 배관(26)으로 구성되어 있다.
제1 밀봉 부재(24)는 예컨대 O링이고, 도3에 나타낸 바와 같이, 장착부(15)에 장착된 상태에 있는 반도체 장치(20)를 둘러싸도록 베이스 유니트(12A)에 배설하고 있다. 구체적으로는 베이스 유니트(12A)에는 장착부(15)를 둘러싸도록 제1 볼록부(凸)(22)가 형성되어 있고, 제1 밀봉 부재(24)는 이 제1 볼록부(22) 내에 배설하고 있다.
또한, 제l 밀봉 부재(24)는 베이스 유니트(12A)의 상면에서 약간량 돌출하도록 구성되어 있다. 따라서, 도2b에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(11A)이 베이스 유니트(12A)에 장착된 상태에서, 제1 밀봉 부재(24)는 배선 기판(11A)과 기밀하게 접한다.
따라서 배선 기판(11A)이 베이스 유니트(12A)에 장착된 상태로, 배선 기판(11A), 베이스 유니트(12A) 및 제1 밀봉 부재(24)는 협동하여 밀폐된 공간 영역(이하, 이 영역을 제1 폐영역(31)이라 함)을 형성한다. 이 제1의 폐영역(31)은 적어도 상기한 접속 영역(18)을 그 내부에 포함하도록 설정되어 있다.
또한, 제1 흡기 배관(26)은 베이스 유니트(12A)의 내부에 배설되어 있고, 그 일단부는 제1 밀봉 부재(24)의 배설 위치로부터 장착부(15)에 치우친 위치, 즉 반도체 장치(20)의 장착 위치측의 위치에 개구되어 있다(이하, 이 개구를 접촉 압력 발생용 개구부(28)라 함). 따라서, 이 접촉 압력 발생용 개구부(28)는 상기한 제1 폐영역(31) 내에 개구한 구성으로 되어 있다. 또, 본 실시예에서는 도3에 나타낸 바와 같이, 접촉 압력 발생용 개구부(28)는 제1 폐영역(31) 내에 4개 개구한 구성으로 되어 있다.
한편, 제l 흡기 배관(26)의 타단부는 베이스 유니트(12A)의 측면에 인출되어, 도시하지 않은 제l 진공 장치에 접속되어 있다. 따라서, 제1 진공 장치를 구동함으로써 제1 흡기 배관(26)을 개재하여 제1 폐영역(31)은 흡기 처리되고, 따라서 제1 폐영역(31) 내는 부압이 된다.
이 때, 장착부(15)의 외주 부분에는 베이스 유니트(12A)의 상면으로부터 약간량 오목하게 들어간 연통용 단부(30)가 형성되어 있다. 따라서, 장착부(15)도 제1 폐영역(31) 내에 포함하게 되어, 장착부(15) 내도 부압이 인가되는 구성으로 되어 있다. 또한, 이 장착부(15)도 포함시킨 제1 폐영역(31) 내의 부압의 크기는 제1 진공 장치의 구동 제어에 의해 임의로 설정할 수 있다.
상기한 바와 같이, 제1 폐영역(31)은 접속 영역(18)을 포함하는 구성으로 되어 있다. 따라서, 배선 기판(11A)이 제1 밀봉 부재(24) 상에 재치된 상태로 제1 진공 장치를 구동하여, 제1 폐영역(31) 내를 부압으로 함으로써 배선 기판(11A)의 접속 영역(18)은 반도체 장치(20)를 향하여 압압되고, 따라서 배선 기판(11A)의 접촉 전극(14)을 반도체 장치(20)의 단자에 압접시킬 수 있다.
이 때, 접촉 압력 발생 기구(16)가 발생시키는 부압력은 배선 기판(11A)의 접촉 전극(14)을 반도체 장치(20)의 단자에 압접하는 접촉자(1) 접촉 압력으로서 작용한다. 또한, 이 접촉 압력은 상기한 바와 같이 제1 진공 장치의 구동 제어에 의해 임의로 설정할 수 있다. 또, 제1 진공 장치의 출력이 일정한 경우에는 접촉 압력 발생용 개구부(28)의 개구수 및 개구경을 조정가능한 구성으로 함으로써 접촉 압력을 제어하는 구성으로 하는 것도 가능하다.
한편, 본 실시예의 위치 유지력 발생 기구(17)는 개략적으로 제2 밀봉 부재(25)와 제2 흡기 배관(27)으로 구성되어 있다.
제2 밀봉 부재(25)는 예컨대 O링이고, 도3에 나타낸 바와 같이, 상기한 제1 밀봉 부재(24)를 둘러싸도록 베이스 유니트(12A)에 배설되어 있다. 구체적으로는 베이스 유니트(12A)에는 제1 밀봉 부재(24)의 배설 위치를 둘러싸도록 제2 볼록부(23)가 형성되어 있고, 제2 밀봉 부재(25)는 이 제2 볼록부(23) 내에 배설되어 있다.
또한, 제2 밀봉 부재(25)는 베이스 유니트(12A)의 상면에서 약간량 돌출하도록 구성되어 있다. 이 돌출량은 상기한 제1 밀봉 부재(24)의 토출량과 거의 같게 설정되어 있다. 따라서, 도2b에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(11A)이 베이스 유니트(12A)에 장착된 상태에서, 제1 및 제2 밀봉 부재(24,25)는 배선 기판(11A)과 기밀하게 접한다.
따라서, 배선 기판(11A)이 베이스 유니트(12A)에 장착된 상태로, 배선 기판(11A), 베이스 유니트(12A), 제1 밀봉 부재(24) 및 제2 밀봉 부재(25)는 협동하여 밀폐된 공간 영역(이하, 이 영역을 제2 폐영역(32)이라 함)을 형성한다. 이 제2 폐영역(32)은 제1 폐영역(31)과 제1 밀봉 부재(24)에 의해 기밀하게 구획되어 있기 때문에, 완전히 독립한 영역이 된다.
또한, 제2 흡기 배관(27)은 베이스 유니트(12A)의 내부에 배설되어 있고, 그 일단부는 제1 밀봉 부재(24)와 제2 밀봉 부재(25) 간의 위치에 개구되어 있다(이하, 이 개구를 위치 유지력 발생용 개구부(29)라 함). 따라서, 이 위치 유지력 발생용 개구부(29)는 상기한 제2 폐영역(32) 내에 개구한 구성으로 되어 있다. 또, 본 실시예에서는 도3에 나타낸 바와 같이, 위치 유지력 발생용 개구부(29)는 제2 폐영역(32) 내에 8개 개구한 구성으로 되어 있다.
한편, 제l 흡기 배관(26)의 타단부는 베이스 유니트(12A)의 측면에 인출되어, 도시하지 않은 제2 진공 장치에 접속되어 있다. 따라서, 진공 장치를 구동함으로써 제2 흡기 배관(27)을 개재하여 제2 폐영역(32)은 흡기 처리되고, 따라서 제2 폐영역(32) 내는 부압으로 된다. 또한, 제2 폐영역(32) 내의 부압의 크기는 제2 진공 장치의 구동제어에 의해 임의로 설정할 수 있다.
또, 상기한 제1 진공 장치와 제2 진공 장치는 동일한 것이어도 좋지만, 접속되는 제1 흡기 배관(26)과 제2 흡기 배관(27)에서 각각 독립한 진공도를 설정할 수 있는 구성일 것이 필요하다.
상기 구성에서, 배선 기판(11A)이 제1 및 제2 밀봉 부재(24,25) 상에 재치된 상태로 제2 진공 장치를 구동하여, 제2 폐영역(32) 내를 부압으로 함으로써 배선 기판(11A)은 베이스 유니트(12A)를 향하여 압압되고, 따라서 배선 기판(11A)을 베이스 유니트(12A)에 지지(고착)할 수 있다.
이 때, 위치 유지력 발생 기구(17)가 발생시키는 부압력은 배선 기판(11A)을 베이스 유니트(12A)에 고착 지지하는 위치 유지력으로서 작용한다. 또한, 이 위치 유지력은 상기한 바와 같이 제2 진공 장치의 구동 제어에 의해 임의로 설정할 수 있다. 또한, 상기한 바와 같이 제1 폐영역(31)과 제2 폐영역(32)은 기밀하게 구획된 상태에 있기 때문에, 제1 폐영역(31)에 발생시키는 접촉 압력과, 제2 폐영역에 발생시키는 위치 유지력을 각각 독립하여 설정할 수 있다.
또, 제2 진공 장치의 출력이 일정한 경우에는 위치 유지력 발생용 개구부(29)의 개구수 및 개구경을 조정 가능한 구성으로 함으로써 위치 유지력을 제어하는 구성으로 하는 것도 가능하다.
상기한 접촉자(1)를 사용하여 반도체 장치(20)에 접촉 처리를 하려면, 우선 베이스 유니트(12A)의 장착부(15)에 반도체 장치(20)를 장착한다. 이어서, 반도체 장치(20)가 장착된 베이스 유니트(12A)의 상부에 반도체 장치(20)와 위치 결정한 뒤에 배선 기판(11A)을 재치한다. 이 상태에서, 제l 및 제2 밀봉 부재(24,25)는 배선 기판(11A)과 접한다.
이어서, 우선 제2 진공 장치를 구동시켜서, 제2 폐영역(32)에 위치 유지력(부압)을 발생시킨다. 이 때, 제2 진공 장치의 구동 제어함에 의해 제2 폐영역(32)에 발생시키는 위치 유지력은 배선 기판(11A)을 베이스 유니트(12A)에 확실하게 지지하기에 충분한 강한 값이 되도록 설정되어 있다.
이에 의해, 배선 기판(11A)을 베이스 유니트(12A)에 확실하게 지지할 수 있다. 단지, 이 상태에서는 제1 폐영역(31)에는 접촉 압력(부압)은 발생하고 있지 않고, 또한 제l 폐영역(31)은 제2 폐영역(32)으로부터 완전히 독립하고 있기 때문에, 배선 기판(11A)의 접속 영역(18)은 반도체 장치(20)로부터 이간한 상태로 되어 있다.
이어서, 배선 기판(11A)의 접촉 전극(14)과 반도체 장치(20)의 단자(21)를 접속시키기 위해, 제l 진공 장치를 구동시켜서 제l 폐영역(31)에 접촉 압력(부압)을 발생시킨다. 이 때, 제1 진공 장치를 구동 제어함으로써 제1 폐영역(31)에 발생시키는 위치 유지력은 접촉 전극(14)과 단자(21)를 접속하는 데 알맞는 값이 되도록 설정되어 있다. 따라서, 접촉 전극(14)과 단자(21)와의 접속 상태를 양호한 것으로 할 수 있고, 또한 이 접속시에 접촉 전극(14) 및 단자(21)에 손상이 발생하는 일도 없다.
또한, 본 실시예에서는 상기한 바와 같이 배선 기판(11A)의 접촉 전극(14)이 형성된 접속 영역(18)은 다른 부위에 비교하여 유연성을 갖는 구성으로 되어 있다. 따라서, 접촉 압력의 인가에 의해, 유연성을 갖는 접속 영역(18)은 반도체 장치(20)의 모든 단자(21)에 균일하게 접속한다. 따라서, 본 실시예와 같이 반도체 장치(20)로서 웨이퍼를 사용하고, 따라서 그 단자수가 많은 경우에도, 모든 단자(21)에 확실하게 배선 기판(11A)의 접촉 전극(14)을 접속할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 실시예에 관한 접촉자(10A)에서는, 반도체 장치(20)와 배선 기판(11A)의 접촉 압력을 발생시키는 접촉 압력 발생 기구(16)와, 베이스 유니트(12A)와 배선 기판(11A) 간에 위치 유지력을 발생시키는 위치 유지력 발생 기구(17)를 각각 독립하여 설치하고 있기 때문에, 위치 유지력과 접촉 압력을 독립하여 제어할 수 있다.
이에 의해, 접촉 압력과 위치 유지력이 서로 영향주는 것을 방지할 수 있어, 배선 기판(20)을 베이스 유니트(12A)에 지지하기 위한 알맞는 위치 유지력과, 반도체 장치(20)를 배선 기판(11A)에 접속하는 데 알맞는 접촉 압력을 독립하여 발생시키는 것이 가능하다. 따라서, 배선 기판(11A)과 베이스 유니트(12A) 간의 위치 결정을 정확히 할 수 있음과 동시에, 반도체 장치(20)와 배선 기판(11A)을 확실하고 안정한 접촉 상태로 유지할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 부압력을 접촉 압력으로 사용하여 반도체 장치(20)와 배선 기판(11A)을 접촉시키는 구성으로 하였기 때문에, 균일한 상태로 배선 기판(11A)을 반도체 장치(20)에 접속시키는 것이 가능하다. 즉, 제1 폐영역(31) 내에 발생하는 접촉 압력(부압력)은 이 영역(31)의 내벽 전체에 대하여 균일한 크기로 인가된다.
따라서, 배선 기판(11A)도 그 전면에 균일한 접촉 압력(부압력)이 인가되기 때문에, 배선 기판(11A)을 반도체 장치(20)에 대하여 균일한 상태로 접속할 수 있다. 따라서, 이로 인해서도 반도체 장치(20)의 단자수가 많을 경우에도, 모든 단자(21)에 확실하게 접촉 전극(14)을 접속할 수 있다.
마찬가지로 본 실시예에서는 부압력을 위치 유지력으로서도 사용하기 때문에, 위치 유지력(부압력)은 제2 폐영역(32)의 내벽 전면에 균일하게 인가된다. 따라서, 배선 후판(11A)을 베이스 유니트(12A)에 대하여 균일한 위치 유지력으로 지지할 수 있고, 장착시에 배선 기판(11A)에 경사가 발생하는 것을 방지할 수 있어서, 이로 인해서도 안정한 접촉 상태를 실현할 수 있다.
또, 상기한 실시예에서는 반도체 장치(20)로서 1매의 웨이퍼를 사용한 구성을 나타냈지만, 장착부(15)에 복수의 상기 반도체 장치를 장착하여, 이 복수의 반도체 장치에 대하여 배선 기판이 일괄적이며 동시에 접속하는 구성으로 하는 것도 가능하다. 따라서 이 구성에 의해 반도체 장치(20)에 대해 시험할 경우, 시험 효율의 향상을 도모할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제2 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도4는 제2 실시예에 관한 접촉자(10B)를 나타내고 있다. 또, 도4에서, 도2 내지 도3을 사용하여 설명한 제l 실시예에 관한 접촉자(10A)와 동일한 구성에 대해서는 동일 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다. 또한, 이하 설명하는 각 실시예에 대해서도 동일하다.
상기한 제1 실시예에 관한 접촉자(10A)에서는, 베이스 유니트(12A)에 대하여 직접 배선 기판(11A)을 장착(흡착)하는 구성을 하고 있었다. 이에 비하여, 본 실시예에 관한 접촉자(10B)는 배선 기판(11B)을 지지하는 커버 유니트(35A)를 설치한 것을 특징을 하고 있다.
이 커버 유니트(35A)는 열팽창에 의해 영향을 적게 하기 위해, 베이스 유니트(12A)와 동일한 재료로 형성되어 있다. 또한, 베이스 유니트(12A)의 중앙에는 배선 기판(11B)의 접속 영역에 대응한 커버 유니트 개구부(36)가 형성되어 있다.
또한, 본 실시예에서 사용되는 배선 기판(11B)은 제1 실시예에서 사용한 배선 기판(11A)과 달라서, 그 전체에 걸쳐 유연성을 갖는 구성으로 되어 있다. 따라서, 배선 기판(11B)은 전체에 걸쳐 균일한 구성이기 때문에, 배선 기판(11A)에 비교해 비용의 절감을 도모할 수 있다. 이 배선 기판(11B)은 커버 유니트(35A)의 저면(베이스 유니트(12A)와 대향하는 면)에 접착 등에 의해 고착된다.
이와 같이 전체에 걸쳐 유연성을 갖는 배선 기판(11B)을 커버 유니트(35A)를 사용하지 않고 베이스 유니트(12A)에 장착하려고 할 경우, 특히 제2 폐영역(32)에서, 배선 기판(11B)은 강한 위치 유지력에 의해 크게 변형하게 되고, 이에 따라 접속 영역도 변형하여 양호한 접속을 할 수 없게 된다. 이 때문에 제1 실시예에서 사용한 배선 기판(11A)은 접속 영역(18)의 외주 부분을 강성을 유지시킨 구성을 하고 있었다.
그런데, 본 실시예와 같이 전체에 걸쳐 유연성을 갖는 배선 기판(11B)을 커버 유니트(35A)에 배설함으로써 유연성을 갖는 배선 기판(11B)이라도, 반도체 장치(20)에 대하여 배선 기판(11B)을 소정의 접촉 압력을 갖고 접속할 수 있다. 또한, 커버 유니트(35A)는 접속 영역과 대향하는 위치에 커버 유니트 개구부(36)가 형성되어 있기 때문에, 이 접속 영역에서 배선 기판(11B)은 유연성을 유지하고 있다.
따라서, 배선 기판(11B)을 커버 유니트(35A)에 지지시킨 구성으로 하여, 반도체 장치(20)의 모든 단자(21)에 대하여 배선 기판(11B)의 접촉 전극(14)을 확실하게 접속시킬 수 있다. 또한, 위치 유지력이 작용하는 제2 폐영역(32)은 도4b에 나타낸 바와 같이, 금속제의 커버 유니트(35A)의 저면에 대향한 구성으로 되어 있기 때문에, 위치 유지력을 강화하여도 배선 기판(11B)에 변형이 발생하는 일은 없다. 따라서, 배선 기판(11B)을 베이스 유니트(12)에 확실하게 지지할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제3 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도5는 제3 실시예에 관한 접촉자(10C)를 나타내고 있다. 상기한 제1 및 제2 실시예에 관한 접촉자(10A,10B)에서는 위치 유지력 발생 기구(17)로서 부압력을 이용한 구성을 나타내었지만, 본 실시예에서는 위치 유지력 발생 기구(17)로서 체결 기구를 사용한 것을 특징으로 하는 것이다.
여기서, 체결 기구란 기계적으로 발생시키는 힘에 의해, 배선 기판을 베이스 유니트에 지지하는 기구를 말한다. 이 체결 기구는 여러 가지의 구성을 생각할 수 있지만, 본 실시예에서는 체결 기구로서 나사(37)(이하, 위치 유지력 발생용 나사라 함)를 사용한 구성으로 하고 있다.
이 위치 유지력 발생용 나사(37)는 커버 유니트(35B)에 형성된 삽입공에 삽입되어 있고, 또한 베이스 유니트(12B)에는 위치 유지력 발생용 나사(37)가 체결되는 나사공이 형성되어 있다. 그리고, 배선 기판(11B)과 반도체 장치(20)를 위치 결정한 상태에서 커버 유니트(35B)를 베이스 유니트(12B)에 장착하여, 위치 유지력 발생용 나사(37)를 체결함으로써 커버 유니트(35B)(배선 기판(11B))는 베이스 유니트(12B)에 지지된다. 또한, 위치 유지력은 위치 유지력 발생용 나사(37)의 조임 정도에 의해 조정할 수 있다.
이와 같이 위치 유지력 발생용 나사(37)가 발생시키는 체결력을 배선 기판(11B)과 베이스 유니트(12B)와의 위치 유지력으로 사용함으로써 비교적 간단하고 또한 저가인 구성으로 위치 유지력 발생 기구(17)를 실현할 수 있다.
도6은 본 발명의 제4 실시예에 관한 접촉자(10D)를 나타내고 있다. 본 실시예에서는 제1 및 제2 실시예에서 나타낸 부압력을 이용한 위치 유지력 발생 기구와, 제3 실시예에서 나타낸 체결 기구으로 구성된 위치 유지력 발생 기구를 함께 설치한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 실시예와 같이, 제1 및 제2 실시예에서 나타낸 부압력을 이용한 위치 유지력 발생 기구와, 제3 실시예에서 나타낸 체결 기구를 사용한 위치 유지력 발생 기구는 반드시 별개로 설치할 필요는 없고 적당히 짝지워 사용하는 것도 가능하다.
이어서, 본 발명의 제5 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도7은 제5 실시예에 관한 접촉자(10E)를 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 접촉자(10E)는 접촉 압력 발생 기구(16)로서 승강 기구를 사용한 것을 특징으로 하는 것이다.
여기서, 승강 기구란 장착부(15)에 장착된 반도체 장치(20)를 배선 기판(11B)을 향하여 이동시킴으로써, 접촉 압력을 발생시키는 기구이다. 본 실시예에서는 승강 기구로서 피에조 소자(압전소자) 등의 전기적으로 그 두께를 변화시키는 승강 소자(38)를 사용한 구성으로 하고 있다.
이 승강 소자(38)는 베이스 유니트(12D)의 장착부(15)의 하부에 배설하고 있다. 따라서, 이 승강 소자(38)에 대하여 전압을 인가함으로써 승강 소자(38)의 상부에 재치된 반도체 장치(20)는 상방으로 이동하고, 또한 전압 인가를 정지함으로써 반도체 장치(20)는 하방으로 이동한다. 이 때, 상방 이동에 따라 반도체 장치(20)가 위치 유지력 발생 기구(17)(제1 및 제2 밀봉 부재(24,25), 제2 흡기 배관(27) 및 위치 유지력 발생용 개구부(29) 등으로 구성된다)에 의해 지지된 배선 기판(11B)에 압압하면, 이 압압력은 접촉 압력으로서 작용한다.
따라서, 이 승강 소자(38)(승강 기구)에 의해 반도체 장치(20)와 배선 기판(11B) 간에 접촉 압력을 발생시킬 수 있다. 또한, 본 실시예와 같이 접촉 압력 발생 기구(16)로서 승강 기구를 사용함으로써 비교적 간단한 구성으로 반도체 장치(20)와 배선 기판(11B) 간에 접촉 압력을 발생시키는 것이 가능하다. 또, 이 접촉 압력의 조정은 승강 소자(38)의 전압을 제어함으로써 행할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제6 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도8은 제6 실시예에 관한 접촉자에 설치되는 배선 기판(11C)을 확대하여 나타내고 있다. 도8a는 배선 기판(11C)이 배설된 커버 유니트(35A)의 커버 유니트 개구부(36) 근처를 확대하여 나타내는 평면도이고, 도8b는 배선 기판(11C)이 배설된 커버 유니트(35A)의 단면도이다.
본 실시예에서는 배선 기판(11C)의 접속 영역(18)(접촉 전극(14)이 반도체 장치(20)의 단자(21)와 접속하는 영역)의 외주 위치에 변형 용이부(40)를 형성한 것을 특징으로 하는 것이다. 본 실시예에서는 이 변형 용이부(40)를 접속 영역(18)의 외주를 따라서 복수개 형성한 소공(41)으로 구성하고 있다.
이 소공(41)을 형성하려면 에칭, 펀칭 및 레이저에 의한 천공 등의 각종 방법을 사용할 수 있다. 또한 본 실시예에서는 소공(41)을 형성함으로써 부압의 기친밀성이 손상되는 것을 방지하기 위해, 배선 기판(11C)의 배면에 백업 시트(39A)를 설치한 구성으로 하고 있다.
이와 같이 소공(41)을 형성하여 변형 용이부(40)를 형성함으로써 배선 기판(11C)의 외주 위치는 보다 유연하게 되어 반도체 장치(20)와의 접촉성을 또한 안정시키는 것이 가능하다. 또, 변형 용이부(40)의 형성 위치는 접속 영역(18)의 외주 위치에 한정되는 것이 아니고, 반도체 장치(20)의 단자(21)가 형성되어 있지 않은 영역과 대향하는 위치에 형성하는 것도 가능하다. 또한, 변형 용이부(40)의 구성은 소공(41)을 사용한 구성으로 한정되는 것이 아니고, 예컨대 에칭 등에 의하여 베이스 필름(13)의 두께를 엷게 하여도 실현할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제7 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도9는 제7 실시예에 관한 접촉자에 설치되는 배선 기판(11D)의 근처를 확대하여 나타내고 있다. 도9a는 배선 기판(11D)이 배설된 커버 유니트(35A)의 커버 유니트 개구부(36) 근처를 확대하여 나타내는 평면도이고, 도9b는 배선 기판(11D)이 반도체 장치(20)의 단자(21)에 접속한 상태를 확대하여 나타내는 도면이다.
본 실시예에서는 배선 기판(11D)을 복수(본 실시예에서는 2층)의 배선층(42A,42B)을 적층한 구성으로 함과 동시에, 이 배선층(42A,42B)에 형성된 접촉 전극(14A,14B)이 선택적으로 반도체 장치(20)의 단자(21)와 접속하도록 구성한 것을 특징으로 하는 것이다. 또, 본 실시예에서는 반도체 장치(20)의 단자(21)는 범프로 되어 있다.
상기한 배선 기판(11D)은 반도체 장치(20)의 단자(21)와 접속하는 소정 위치에 삽입공(43)이 형성되어 있고, 이 삽입공(43) 내에는 상기 삽입공 위치에 대응한 단자(21)와 접속하는 접촉 전극(14A,14B)이 연장하도록 구성되어 있다. 따라서, 배선 기판(11D)을 반도체 장치(20)에 접촉하였을 때, 범프로 구성된 단자(21)는 삽입공(43) 내에 삽입하여, 소정의 접촉 전극(14A,14B)과 접촉하여, 전기적인 도통이 도모된다.
따라서, 본 실시예의 구성에 의하면, 단층의 배선 기판에 비교하여 접촉 전극(14A,14B)을 다수 배설하는 것이 가능하고, 고밀도화에 따라 반도체 장치(20)의 단자수가 증대하여도, 이에 확실하게 대응할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제8 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도10은 제8 실시예에 관한 접촉자에 설치되는 배선 기판(11E)의 근처를 확대하여 나타내고 있다. 본 실시예에서는 배선 기판(11E)에 도통부로서 기능하는 관통공(44)을 설치하고, 이 관통공(44)에 의해 배선 기판(11E)의 반도체 장치(20)가 접속되는 접속면(11E-1)과, 이 접속면(11E-1)의 반대면(11E-2)을 도통하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 실시예와 같이 배선 기판(11E)에 관통공(44)을 설치함으로써 배선 기판(11E)의 반대면(11E-2)으로부터, 즉 커버 유니트(35A)의 커버 유니트 개구부(36)를 개재하여 반도체 장치(20)에 대하여 도통을 취하는 것이 가능하다. 이 때문에 배선 기판(11E)의 반대면(11E-2)으로부터 반도체 장치(20)에 대하여 시험을 하는 것이 가능하다.
이어서, 본 발명의 제9 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도11은 제9 실시예에 관한 접촉자에 설치되는 배선 기판(11E)의 근처를 확대하여 나타내고 있다. 본 실시예는 먼저 설명한 제8 실시예에서 사용한 배선 기판(11E)을 사용함과 동시에, 반대면(11E-2)에 전자 부품(45)을 탑재한 것을 특징으로 하는 것이다. 여기서 사용하는 전자 부품(45)으로서는 콘덴서, 저항, 퓨즈 및 자기 번인 회로를 구성하는 소자 등을 생각할 수 있다.
이와 같이 배선 기판(11E)의 반대면(11E-2)에 전자 부품(45)을 탑재함으로써 배선 기판 자체에 반도체 장치(20)에 대하여 시험을 하는 기능을 갖게 할 수 있어, 보다 다기능의 반도체 시험을 하는 것이 가능하다.
이어서, 본 발명의 제10 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도12는 제10 실시예에 관한 접촉자에 설치되는 배선 기판(11B)의 근처를 확대하여 나타내고 있다. 본 실시예는 배선 기판(11B)에 대하여 소정의 장력 F를 부여하는 장력 부여 기구(46)를 설치한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 실시예에 관한 장력 부여 기구(46)는 커버 유니트(35C)의 베이스 유니트(12A)(도12에는 도시하지 않음)와 대향하는 하면에 형성된 테이퍼면(47)과, 이 테이퍼면(47)의 일부에 형성된 삽입 오목부(48)와, 이 삽입 오목부(48)에 삽입하는 돌기(49A)를 갖는 돌기 부품(49) 등으로 구성되어 있다.
도12a는 돌기 부품(49)이 삽입 오목부(48)에 삽입하기 전의 상태를 나타내고 있다. 이 상태에서, 배선 기판(11B)과 테이퍼면(47) 간에는 공극이 형성되어 있다.
또한, 도12a에 나타낸 상태에서 돌기 부품(49)의 돌기(49A)를 삽입 오목부(48)에 삽입하면 도12b에 나타낸 바와 같이, 배선 기판(11B)의 일부는 돌기(49A)와 함께 삽입 오목부(48) 내에 밀어 넣은 상태가 된다. 이에 의해, 배선 기판(11B)에는 장력 F가 발생하여, 배선 기판(11B)에 발생하는 휨을 늘릴 수 있고, 따라서 반도체 장치(20)에 대하여 배선 기판(11B)의 안정한 위치 결정을 하는 것이 가능하다.
이어서, 본 발명의 제11 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도13은 제11 실시예인 접촉자(10F)의 개략 구성도이다. 동 도면에서, 도시의 편의상, 접촉 압력 발생 기구(16) 및 위치 유지력 발생 기구(17)의 도시는 생략하고 있다.
본 실시예는 베이스 유니트(12E)에 방열 기능을 갖게 한 것을 특징으로 한 것이다. 이 때문에 베이스 유니트(12E)의 재질로서 열전도성이 양호한 재료를 사용함과 동시에, 배면측(반도체 장치(20)의 장착측에 대하여 반대측)에 방열핀부(50)를 형성한 구성을 하고 있다. 이 구성으로 함으로써 접촉자(10F)를 사용하여 반도체 장치(20)에 시험을 실시할 때에, 반도체 장치(20)가 발열하여도, 이 열을 신속하게 외부로 방열하는 것이 가능하다.
이어서, 본 발명의 제12 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도14는 제12 실시예인 접촉자(10G)의 개략 구성도이다. 동 도면에서도, 도시의 편의상, 접촉 압력 발생 기구(16) 및 위치 유지력 발생 기구(17)의 도시는 생략하고 있다.
본 실시예는 베이스 유니트(12E)에 온도 제어 장치(51)를 설치한 것을 특징으로 하는 것이다. 이 온도 제어 장치(51)는 그 내부에 적어도 온도 인가 기구, 흡열 기구 및 온도 검출 기구 중 어느 하나의 기구를 설치한 구성으로 되어 있다.
이와 같이 베이스 유니트(12E) 내에 온도 제어 장치(51)를 배설함으로써 시험 중에 반도체 장치(20)의 온도 상태를 적정 온도로 조정하는 것이 가능하고, 또한 베이스 유니트(12E)의 열팽창에 의한 위치 어긋남을 조정할 수도 있다. 또, 온도 제어 장치(51) 내에 설치되는 온도 인가 기구로서는 예컨대 전기 히터를 사용할 수 있고, 또한 온도 제어 장치(51) 내에 설치되는 흡열 기구로서는 예컨대 펠티어 소자 등을 사용할 수 있다.
이어서, 본 발명의 제13 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도15는 제13 실시예인 접촉자(10H)의 구성도이다. 본 실시예에 관한 접촉자(10H)는 베이스 유니트(12G)에 반도체 장치(20)를 장착부(15)에 강제적으로 지지하는 지지 기구(52)를 설치한 것을 특징으로 한다.
본 실시예에서는 지지 기구(52)를 베이스 유니트(12G) 내에 배설한 지지용 흡기 배관(53)으로 구성하고 있다. 이 지지용 흡기 배관(53)의 내측 단부는 베이스 유니트(12G)의 장착부(15)에 개구되어 있고(이하, 이 개구를 반도체 장치 지지용 개구(53A)라 함), 또한 타단부는 베이스 유니트(12G)의 측면에 인출되어, 제3 진공 장치에 접속되어 있다. 따라서, 제3 진공 장치를 구동함으로써 장착부(15)에 장착된 반도체 장치(20)는 반도체 장치 지지용 개구(53A)에 흡인됨으로써 베이스 유니트(12G)에 지지된다.
이와 같이 반도체 장치(20)를 장착부(15)(베이스 유니트(12G))에 강제적으로 지지하는 지지 기구(52)를 설치함으로써 배선 기판(11B)(커버 유니트(35A))과 베이스 유니트(12G)를 위치 결정하기 전에 반도체 장치(20)를 베이스 유니트(12G)에 고정하는 것이 가능하고, 그 후에 반도체 장치(20)가 장착부(15) 내에서 변위하는 것을 방지할 수 있어(장착부(15)와 반도체 장치(20) 간에는 착탈을 원활히 하기 위해서 미소 간격이 형성되어 있다), 보다 고정밀도의 위치 결정이 가능하다.
또한, 본 실시예와 같이 반도체 장치(20)로서 웨이퍼를 사용한 경우에는 웨이퍼에 휘어짐이 발생하는 경우가 있다. 이러한 경우에 대응하도록, 반도체 장치 지지용 개구(53A)를 장착부(15) 내에 복수개 형성하여, 장착된 웨이퍼(반도체 장치(20))의 배면을 전면적으로 그리고 균일하게 흡인 처리하는 구성으로 함으로써 웨이퍼(반도체 장치(20))의 휘어짐을 교정하는 것도 가능하다.
이어서, 본 발명의 제14 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도16은 제14 실시예인 접촉자(101)의 구성도이다. 본 실시예에 관한 접촉자(101)는 적어도 배선 기판(11B), 커버 유니트(35A) 또는 베이스 유니트(12A)의 한편에 배선 기판(11B)(커버 유니트(35A))와 베이스 유니트(12A) 간에 발생하는 마찰을 증대시키는 마찰 증대부를 설치한 것을 특징으로 하는 것이다.
본 실시예에서는 이 마찰 증대부를 표면의 마찰 계수가 높은 마찰 증대 시트(54)(구체적 재료로는 고무 등)으로 구성하고 있다. 또한, 이 마찰 증대 시트(54)의 배설 위치는 배선 기판(11B)의 외주 위치로 하고 있다.
이와 같이 배선 기판(11B)(커버 유니트(35A))과 베이스 유니트(12A) 간의 마찰을 증대시키는 마찰 증대 시트(54)를 설치함으로써 커버 유니트(35A)를 베이스 유니트(12A)에 위치 유지할 때에, 위치 유지력을 증대시키는 것이 가능하여, 양자(12A,35A) 간에서 미끄러짐이 없는 안정한 지지를 할 수 있다.
또, 본 실시예에서는 마찰 증대부로서 마찰 증대 시트(54)를 사용했지만, 마찰 증대부는 이에 한정되는 것이 아니고, 예컨대 커버 유니트, 베이스 유니트에 직접 조면부를 형성함으로써 마찰 증대부를 구성하여도 좋다.
이어서, 본 발명의 제15 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도17은 제15 실시예인 접촉자에 설치되는 배선 기판(11B)의 근처를 확대하여 나타내고 있다. 본 실시예에 관한 접촉자(101)는 배선 기판(11A)과 커버 유니트(35A) 간에 제3 밀봉 부재(55)를 배설함과 동시에, 베이스 유니트(12H)에 제4 밀봉 부재(56)를 설치하고, 배선 기판(11B)이 베이스 유니트(12H)에 지지된 상태에서, 배선 기판(11B)이 제3 및 제4 밀봉 부재(55,56)에 협지되는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 것이다.
제3 밀봉 부재(55)는 시트 상의 밀봉 부재이고, 예컨대 실리콘계, 불소계의 수지에 의해 형성되어 있다. 또한, 제4 밀봉 부재(56)는 예컨대 구형상을 갖고 있고, 제3 밀봉 부재(55)와 같이 실리콘계, 불소계의 수지에 의해 형성되어 있다.
또한, 본 실시예에서는 제4 밀봉 부재(56)가 제1 흡기 배관(26)의 접촉 압력 발생용 개구부(28)의 내측에 배설되어 있지만, 제4 밀봉 부재(56)는 상기한 바와 같이 구형상으로 되어 있기 때문에, 접촉 압력 발생용 개구부(28)는 연통용 단차부(30)를 개재하여 장착부(15)와 연통하고 있다. 따라서, 상기한 제1 폐영역(31)에 접촉 압력을 발생시킬 때, 제4 밀봉 부재(56)가 방해가 되는 일은 없다.
본 실시예와 같이 제3 및 제4 밀봉 부재(55,56)를 설치하고, 이 제3 및 제4 밀봉 부재(55,56)가 배선 기판(11B)을 협지하도록 구성함으로써 배선 기판(11B)과 커버 유니트(35A) 간의 밀봉성을 향상시킬 수 있다. 이 때문에 제1 폐영역(31)에 접촉 압력을 확실하게 발생시킬 수 있어, 반도체 장치(20)에 대하여 배선 기판(11B)을 확실하게 접속시킬 수 있다.
이어서, 본 발명의 제16 실시예인 접촉자에 대해서 설명한다.
도18은 제16 실시예인 접촉자에 설치되는 배선 기판(11B)의 근처를 확대하여 나타내고 있다. 본 실시예에서는 배선 기판(11B)의 반대면(반도체 장치(20)와 접속하는 측과 반대측의 면)에 요철을 갖는 백업 시트(39B)를 배설한 것을 특징으로 하는 것이다.
이 백업 시트(39B)는 예컨대 실리콘 고무 등의 탄성체에 의해 형성되어 있고, 접촉 전극(14)의 형성 위치와 대향하는 위치에 볼록부를 갖는 구성으로 되어 있다. 이와 같이 백업 시트(39B)에 탄성을 갖게 함으로써 반도체 장치(20)의 단자(21) 또는 배선 기판(11B)의 접촉 전극(14)의 높이의 분산이 존재하여도, 이 높이의 분산은 백업 시트(39B)가 변형함으로써 흡수된다. 또한, 백업 시트(39B)는 단자(21)에 압축됨으로써 탄성 복원력을 발생하기 때문에, 이 탄성 복원력은 접촉 압력으로서 작용한다. 이와 같이 본 실시예의 구성에서는 백업 시트(39B)에도 접촉 압력이 발생하기 때문에, 또한 안정한 접속을 하는 것이 가능하다.
이어서, 본 발명의 일 실시예인 접촉자를 사용한 시험 장치에 대해서 설명한다. 도19는 본 발명의 일 실시예인 시험 장치(60)의 개략 구성도이다.
시험 장치(60)는 개략적으로 접촉자(10B), 시험 장치 체임버(61) 및 압축 공기 생성 장치(62) 등에 의해 구성되어 있다.
접촉자(10B)는 먼저 도4를 사용하여 설명한 제2 실시예에 관한 접촉자이다. 또, 시험 장치(60)에 적용 가능한 접촉자는 제2 실시예에 관한 접촉자(10B)에 한정시키는 것이 아니고, 상기한 각 실시예에 관한 접촉자의 모두를 사용하는 것이 가능하다.
시험 장치 체임버(61)는 밀폐 용기이고, 상기의 접촉자(10B)는 이 시험 장치 체임버(61) 내에 배설되어 있다. 또한, 접촉자(10B)는 시험 장치 체임버(61) 내에 장착된 상태에서, 제1 및 제2 흡기 배관(26,27)은 시험 장치 체임버(61)의 외부로 인출되어, 상기한 제1 및 제2 진공 장치에 접속되고 있다. 또, 도면 중 63은 접촉자(10B)를 장착하기 위한 기대이다.
또한, 압축 공기 생성 장치(62)는 압축 펌프으로 구성되고, 압축 공기를 시험 장치 체임버(61)에 도입할 수 있는 구성으로 되어 있다. 따라서, 압축 공기 생성 장치(62)가 구동함으로써 시험 장치 체임버(61) 내의 압력은 양압이 된다.
상기한 바와 같이 본 실시예에 관한 시험 장치(60)는 압축 공기 생성 장치(62)를 설치함으로써 내부 분위기를 양압으로 할 수 있도록 구성된 시험 장치 체임버(61) 내에 접촉자(10B)를 배설한 구성으로 되어 있기 때문에, 상기한 제1 폐영역(31)에 발생하는 부압에 의한 접촉 압력으로는 접촉 전극(14)을 반도체 장치(20)의 단자(21)에 접속하기에 충분한 압력을 낼 수 없는 경우에도, 확실하게 접촉 전극(14)을 단자(21)에 접속하는 것이 가능하다.
즉, 압축 공기 생성 장치(62)에 의해 시험 장치 체임버(61) 내의 압력을 양압으로 할 수 있면, 이 양압에 의해 제1 폐영역(31)에는 상대적으로 강한 부압이 발생한다(접촉 압력은 제1 폐영역(31)의 외부의 분위기 압력과, 제1 진공 장치가 생성하는 부압력에 의해 결정된다). 따라서, 시험 장치 체임버(61) 내의 분위기를 고압으로 함으로써 상대적으로 접촉 압력은 증대하고, 이에 의해 접촉 전극(14)을 반도체 장치(20)의 단자(21)에 접속하기에 충분한 접촉 압력을 얻는 것이 가능하다.
이어서, 본 발명의 제1 실시예인 접촉자를 사용한 시험 방법에 대해서 설명한다. 또, 이하의 설명에서는 먼저 도4를 사용하여 설명한 제2 실시예인 접촉자(10B)를 사용하여 반도체 장치(20)에 대하여 시험을 하는 방법을 설명하지만, 본 발명 방법의 적용은 제2 실시예인 접촉자(10B)에 한정시키는 것이 아니고, 상기한 각 실시예에 관한 접촉자의 모든 것을 사용하는 것이 가능하다.
반도체 장치(20)에 대하여 접촉자(10B)를 사용하여 시험을 하기 위해서는 우선 반도체 장치(20)를 베이스 유니트(12A)의 장착부(15)에 장착한다. 이어서, 도20에 나타낸 바와 같이, CCD 카메라(65A)를 사용하여, 반도체 장치(20)의 단자(21)와 배선 기판(11B)의 접촉 전극(14)(단자(21) 및 접촉 전극(14)은 도시하지 않음)의 위치를 인식 처리한다.
또, 본 실시예에 관한CCD 카메라(65A)는 그 상부 및 하부를 동시에 촬상할 수 있는 구성이기 때문에, 단자(21)와 접촉 전극(14)의 인식 처리를 동시에 할 수 있어, 인식 처리에 요하는 시간의 단축을 도모하고 있다.
상기한 바와 같이 단자(21) 및 접촉 전극(14)의 위치 인식 처리가 종료하면, 이어서 이 위치 인식 처리의 결과로부터, 단자(21)와 접촉 전극(14) 간의 위치 어긋남을 검출하여 위치 보정량을 산출한다.
이어서, 이 위치 보정량에 근거하여 배선 기판(11B)과 베이스 유니트(12A)의 위치를 맞추고, 이 위치 맞춤이 행하여진 상태에서 상기한 위치 유지력 발생 기구(17)를 구동하여 제2 폐영역(32)에 부압력을 발생시켜서, 배선 기판(11B)(커버 유니트(35A))와 베이스 유니트(12A) 간에 위치 유지력을 발생시킨다. 이에 의해, 배선 기판11은 반도체 장치(20)와 위치 결정된 상태로 지지된 상태가 된다.
다음에 이 위치 유지력을 발생시킨 상태를 유지하면서, 상기한 접촉 압력 발생 기구(16)를 구동하여 제1 폐영역(31)에 부압력을 발생시켜서, 배선 기판(11B)과 반도체 장치(20) 간에 접촉 압력을 발생시킨다. 이에 의해, 배선 기판(11B)은 반도체 장치(20)에 접속하여, 소정의 시험을 할 수 있는 상태가 된다.
상기한 바와 같이 본 실시예에 관한 시험 방법에 의하면, 반도체 장치(20)의 단자(21)와 배선 기판(11B)의 접촉 전극(14)의 위치를 인식 처리하고, 이에 의해 얻어진 위치 보정량에 근거하여 배선 기판(11B)과 반도체 장치(20)(베이스 유니트(12A))의 위치를 맞추기 때문에, 고정밀도의 위치 결정을 할 수 있다.
또한, 위치 맞춤이 행하여진 상태에서, 우선 위치 유지력 발생 기구(17)를 구동하여 배선 기판(11B)과 베이스 유니트(12A) 간에 위치 유지력을 발생시키기 때문에, 배선 기판(11B)과 반도체 장치(20)가 위치 결정된 상태를 유지하면서, 접촉 압력의 인가 전에 배선 기판(11B)을 베이스 유니트(12A)에 고정할 수 있다.
따라서, 다음에 실시되는 접촉 압력 발생 기구(16)를 사용하여 배선 기판(11B)과 반도체 장치(20) 간에 접촉력을 발생시켰을 때, 배선 기판(11B)과 반도체 장치(20) 간에 위치 어긋남이 발생하는 일이 없어, 반도체 장치(20)의 단자(21)에 대하여 배선 기판(11B)의 접촉 전극(14)을 확실하게 접속시킬 수 있다.
이어서, 본 발명의 제2 실시예인 접촉자를 사용한 시험 방법에 대해서 설명한다. 또, 본 실시예의 설명에서, 먼저 설명한 제1 실시예에 관한 시험 방법과 동일한 사항에 대해서는 그 설명을 생략하고, 특징이 되는 사항만을 설명하는 것으로 한다.
상기한 제1 실시예에 관한 시험 방법에서는 위치 인식 처리를 하기 위해서, CCD 카메라(65A)로서 상부 및 하부를 함께 촬상할 수 있는 구성의 것을 사용하고, 이 것을 배선 기판(11B)과 반도체 장치(20) 간에 이동시킴으로써 인식 처리를 하였다. 그런데, 상부 및 하부를 함께 촬상할 수 있는, CCD 카메라(65A)는 고가이고, 또 인식 시에 배선 기판(11B)과 반도체 장치(20) 간에서 CCD 카메라(65A)를 이동시키는 것은 조작성이 그다지 좋지 않다.
이 때문에 본 실시예에서는 반도체 장치(20)와 배선 기판(11B)의 위치 인식 처리를 할 때에, 도21에 나타낸 바와 같이, CCD 카메라(65B)를 커버 유니트(35A)의 상부에 위치시켜서, 반도체 장치(20)의 상면으로부터 배선 기판(11B)을 투과하면서 위치 맞춤을 행할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 것이다.
이 때문에 배선 기판(11B)은 투과하여 반도체 장치(20)가 보이도록, 투명한 PI 테이프가 사용되어 있다. 또한, CCD 카메라(65B)는 제1 실시예에 관한 방법과 같이 상하를 촬상할 필요가 없기 때문에, 저가의 한 방향만을 촬상할 수 있는 구성의 것을 사용한다. 이와 같이, 본 실시예의 방법에 의하면, 반도체 장치(20)와 배선 기판(11B)의 위치 인식 시에, 반도체 장치(20)의 상면으로부터 배선 기판(11B)을 투과하면서 위치를 맞출 수 있기 때문에 위치 인식을 용이하게 할 수 있다.
이어서, 본 발명의 일 실시예인 접촉자의 세정 방법에 관해서 도22를 사용하여 설명한다. 본 실시예에 관한 세정 방법은 상기한 각 실시예에 관한 접촉자(10A∼10I)에 관해서 적용할 수 있고, 각 접촉자(10A∼10I)에 설치되어 있은 배선 기판(11A∼11E)의 접촉 전극(14)을 세정 처리하기 위한 방법이다. 또, 이하의 설명에서는 제2 실시예에 관한 접촉자(10B)에 관해서 세정 처리하는 예에 대해서 설명한다.
배선 기판(11B)의 접촉 전극(14)에 대하여 세정 처리를 하기 위해서는, 우선 베이스 헤드(12A)에 설치되어 있은 장착부(15)에 반도체 장치(20) 대신에 세정 부재(70)를 장착한다. 이 세정 부재(70)로서는 미세한 요철이 붙은 포장 재료 시트의 사용을 생각할 수 있다.
세정 부재(70)가 베이스 헤드(12A)의 장착부(15)에 장착되면, 이어서 상기한 위치 유지력 발생 기구(17)를 구동시킴으로써, 배선 기판(11B)(커버 유니트(35A))을 베이스 유니트(12A)에 지지시킨다.
다음에 이 배선 기판(11B)(커버 유니트(35A))이 베이스 유니트(12A)에 지지된 상태를 유지하면서, 접촉 압력 발생 기구(16)를 반복 구동/구동 정지를 행한다. 이에 의해, 상기한 제1 폐영역(31)에는 교호로 접촉 압력이 인가된 상태와, 이 것이 해제된 상태를 교호로 반복하게 된다. 즉, 배선 기판(11A)은 도면 중 화살표 H로 나타내는 방향으로 진동하는 상태가 된다.
이에 의해, 세정 부재(70)는 배선 기판(11B)에 배설된 접촉 전극(14)과 반복 접촉, 활강 접촉 또는 충돌하게 됨으로써, 접촉 전극(14)에 부착한 산화막 등의 불필요한 막을 세정 부재(70)에 의해 제거할 수 있다. 따라서, 접촉 전극(14)을 항상 양호한 상태로 유지할 수 있어, 반도체 장치(20)에 대한 배선 기판(11B)의 전기적 접속의 접속의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상술과 같이 본 발명에 의하면, 다음에 기술하는 여러 가지 효과를 실현할 수 있다.
본 발명에 의하면, 위치 유지력과 접촉 압력을 독립하여 조작하는 것이 가능하기 때문에, 접촉 압력과 위치 유지력이 서로 영향주는 것을 방지할 수 있어, 배선 기판을 베이스 유니트에 지지하기 위한 알맞는 위치 유지력과, 반도체 장치를 배선 기판에 접속하는 데 알맞는 접촉 압력을 독립하여 발생시킬 수 있다. 따라서, 배선 기판과 베이스 유니트 간의 위치 결정을 정확히 행할 수 있음과 동시에, 반도체 장치와 배선 기판을 안정한 접촉 상태로 유지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 접촉 압력 발생 기구가 접촉 압력을 발생시켰을 때, 유연성을 갖는 배선 기판의 접속 영역은 반도체 장치의 단자에 균일하게 접속하기 때문에, 반도체 장치의 단자수가 많은 경우에도 모든 단자에 대하여 배선 기판의 접촉 전극을 확실하게 접속할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 유연성을 갖는 배선 기판이라도, 반도체 장치에 대하여 배선 기판을 소정의 접촉 압력을 갖고 접속할 수 있다. 또한, 배선 기판을 커버 유니트에 지지시킨 구성으로 하여도, 반도체 장치의 모든 단자와 배선 기판의 접촉 전극을 확실하게 접속시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 시험 효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 부압력을 접촉 압력으로서 사용하여 반도체 장치와 배선 기판을 접촉시킴으로써, 균일한 상태로 배선 기판을 반도체 장치에 접속시킬 수 있고, 따라서 반도체 장치의 단자수가 많은 경우에도, 모든 단자에 배선 기판의 접촉 전극을 확실하게 접속할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 비교적 간단한 구성으로 반도체 장치와 배선 기판 간에 접촉 압력을 발생시키는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 위치 유지력이 작용하는 위치와 접촉 압력이 발생하는 위치를 분리할 수 있기 때문에, 배선 기판과 베이스 유니트 간의 위치 결정을 정확히 행할 수 있음과 동시에 반도체 장치와 배선 기판을 안정한 접촉 상태로 유지할 수 있다.
또한, 부압력을 위치 유지력으로서 사용하기 때문에, 위치 유지력은 상기한 폐영역의 내벽 전면에 균일하게 인가되고, 따라서 배선 기판 또는 커버 유니트에 경사가 발생하는 것을 방지할 수 있고, 이로 인해서도 안정한 접촉 상태를 실현할 수 있다.
또, 본 발명에 의하면, 비교적 간단하고 저가의 구성으로, 위치 유지력 발생 기구를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 배선 기판의 외주는 보다 유연하게 되어, 반도체 장치와의 접촉성을 안정시키는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 단층의 배선 기판에 비해 접촉 전극을 다수 배설하는 것이 가능하여, 고밀도화에 따라 반도체 장치의 단자수가 증대하여 이에 확실하게 대응할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 배선 기판의 반대면으로부터 반도체 장치에 대하여 도통을 취하는 것이 가능해서, 이 반대면으로부터 반도체 장치에 대하여 시험을 하는 것이 가능하다.
또, 본 발명에 의하면, 배선 기판 자체에 반도체 장치에 대한 시험을 하는 기능을 갖게 할 수 있어, 보다 다기능의 반도체 시험을 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 배선 기판이 헐거워지는 것을 억제할 수 있고, 반도체 장치에 대하여 안정한 위치 결정이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 시험 중에 반도체 장치가 발열하여도 신속하게 외부로 방열하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 시험 중에 반도체 장치의 온도 상태를 적절히 조정하는 것이 가능하고, 또한 열팽창에 의한 위치 어긋남을 조정할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 배선 기판 또는 커버 유니트와 베이스 유니트를 위치 결정하기 전에 반도체 장치를 베이스 유니트에 고정하는 것이 가능하여, 보다 고정밀도의 위치 결정이 가능하다. 또한, 지지 기구에 의한지지 위치를 적당히 설정하거나 복수 배설함으로써 반도체 장치의 휘어짐을 교정하는 것도 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 커버 유니트를 베이스 유니트의 위치에 지지할 때에, 위치 유지력을 증대시키는 일이 가능하여, 안정한 지지를 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 접촉 압력(부압)에 대하여 밀봉성을 향상시킬 수 있어, 배선 기판과 반도체 장치를 확실하게 접속시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 백업 시트에 의해 단자 또는 접촉 전극의 높이의 분산은 흡수 되고, 또한 적당한 접촉 압력을 백업 시트에서도 발생시키기 때문에, 안정한 접촉이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 부압에 의한 접촉에서는 접촉 압력이 부족할 경우에도, 체임버 내의 분위기를 고압으로 함으로써 상대적으로 접촉 압력을 증대시킬 수 있고, 따라서 안정한 접촉 압력을 얻는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 인식 처리에 의해 얻어진 위치 보정량에 근거하여 배선 기판과 베이스 유니트의 위치를 맞추기 때문에, 고정밀도의 위치 결정을 할 수 있다.
또한, 위치 맞춤이 행하여진 상태에서, 우선 위치 유지력 발생 기구를 구동하여 배선 기판과 베이스 유니트를 고정하고, 이어서 접촉 압력 발생 기구를 사용하여 배선 기판과 반도체 장치 간에 접촉력을 발생시키기 때문에, 접촉 시에 반도체 장치의 단자에 대하여 배선 기판의 접촉 전극을 확실하게 접속시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 장치와 배선 기판의 위치 인식을 행할 때에, 반도체 장치의 상면으로부터 배선 기판을 투과하면서 위치를 맞출 수 있기 때문에 위치 인식을 용이하게 하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 접촉 전극에 부착한 산화막 등의 불필요한 막은 세정 부재에 의해 제거되기 때문에 배선 기판의 접촉 상태를 항상 안정한 상태로 유지할 수 있다.
Claims (10)
- 복수의 단자를 갖는 반도체 장치를 지지하는 베이스 유니트와,상기 반도체 장치 상의 전부 또는 일부의 단자에 대응한 위치에 접촉 전극을 갖는 배선 기판을 설치하며,상기 배선 기판이 상기 베이스 유니트에 지지됨으로써, 상기 배선 기판의 접촉 전극과 상기 반도체 장치의 단자가 접촉 압력을 갖고 전기적으로 접속하도록 구성된 반도체 장치용 접촉자에 있어서,상기 베이스 유니트와 상기 배선 기판 간의 위치 유지력을 발생시키는 위치 유지력 발생 기구와,상기 반도체 장치와 상기 배선 기판의 접촉 압력을 발생시키는 접촉 압력 발생 기구를 설치하고,또한, 상기 위치 유지력과 상기 접촉 압력이 독립하여 조작할 수 있는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자.
- 제1항에 있어서,적어도, 상기 접촉 전극이 상기 단자와 접속하는 상기 배선 기판의 접속 영역에 유연성을 갖게 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 접촉 압력 발생 기구를장착 상태에 있는 상기 반도체 장치를 둘러싸도록 상기 베이스 유니트에 배설함과 동시에, 상기 배선 기판이 상기 베이스 유니트에 장착된 상태로 상기 배선 기판과 기밀하게 접하는 제1 밀봉 부재와,상기 제1 밀봉 부재의 배설 위치로부터 상기 반도체 장치의 장착 위치측으로 개구되어 있고, 흡기 처리함으로써 상기 베이스 유니트와, 상기 배선 기판과, 상기 제1 밀봉 부재에 의해 형성되는 영역을 부압으로 하는 제1 흡기 배관으로 구성하고,또한, 상기 제1 흡기 배관이 발생시키는 부압력을 상기 반도체 장치와 상기 배선 기판과의 접촉 압력으로서 사용하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 접촉 압력 발생 기구를상기 베이스 유니트가 장착 상태에 있는 상기 반도체 장치의 하부에 배설하고, 상기 반도체 장치를 상기 배선 기판을 향하여 승강시키는 승강 기구로 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 배선 기판의 상기 접촉 전극이 상기 단자와 접속하는 접속 영역과 별도의 위치에 상기 위치 유지력 발생 기구를 설치함과 동시에,상기 위치 유지력 발생 기구를상기 배선 기판이 상기 베이스 유니트에 장착된 상태로 상기 배선 기판과 기밀하게 서로 접함과 동시에 폐영역을 형성하는 제2 밀봉 부재와,상기 제2 밀봉 부재에 의해 형성되는 폐영역 내에 개구되어 있고, 흡기 처리함으로써 상기 폐영역 내를 부압으로 하는 제2 흡기 배관으로 구성하고,또한, 상기 제2 흡기 배관이 발생시키는 부압력을 상기 배선 기판과 상기 베이스 유니트와의 위치 유지력으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 베이스 유니트에 온도 인가 기구, 흡열 기구 및 온도 검출 기구 중 어느 하나의 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 베이스 유니트에 상기 반도체 장치를 상기 베이스 유니트에 강제적으로 지지하는 지지 기구를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 배선 기판의 상기 반도체 장치와 접속하는 접속면과 반대면에 요철을 갖는 백업 시트를 배설한 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자.
- 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항의 반도체 장치용 접촉자와,상기 반도체 장치용 접촉자를 내부에 수납함과 동시에, 내부 분위기를 양압으로 할 수 있도록 구성된 체임버를 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 장치.
- 제l항 내지 제9항 중 어느 한 항의 반도체 장치용 접촉자를 사용하여 상기 반도체 장치에 대하여 시험을 하는 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 방법으로서,상기 반도체 장치의 단자와 상기 배선 기판의 전극의 위치를 인식 처리하여, 상기 단자와 상기 전극의 위치 어긋남을 산출하여 위치 보정량을 산출하고,상기 위치 보정량에 근거하여 상기 배선 기판과 상기 베이스 유니트의 위치를 맞추고,상기 위치 맞춤이 행하여진 상태에서 상기 위치 유지력 발생 기구를 구동하여, 상기 배선 기판과 상기 베이스 유니트 간에 위치 유지력을 발생시키고,다음에 상기 위치 유지력을 발생시킨 상태를 유지하면서, 상기 접촉 압력 발생 기구를 구동하여, 상기 배선 기판과 상기 반도체 장치 간에 접촉 압력을 발생시켜서, 상기 반도체 장치에 대하여 시험을 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치용 접촉자를 사용한 시험 방법.
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