JP3251194B2 - 半導体ウェハ収納器 - Google Patents
半導体ウェハ収納器Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ収納
器に関し、詳しくは、複数の半導体集積回路素子が形成
された半導体ウェハを収納し、収納した半導体ウェハの
各半導体集積回路素子の電気的特性を一括して検査する
際に用いる半導体ウェハ収納器に関する。
器に関し、詳しくは、複数の半導体集積回路素子が形成
された半導体ウェハを収納し、収納した半導体ウェハの
各半導体集積回路素子の電気的特性を一括して検査する
際に用いる半導体ウェハ収納器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置は、半導体集
積回路素子とリードフレームとがボンディングワイヤに
よって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリ
ードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより
封止された状態で供給されて、プリント基板に実装され
る。
積回路素子とリードフレームとがボンディングワイヤに
よって電気的に接続された後、半導体集積回路素子とリ
ードフレームのリードとが樹脂又はセラミックスにより
封止された状態で供給されて、プリント基板に実装され
る。
【０００３】ところが、電子機器の小型化及び低価格化
の要求から、半導体集積回路装置を半導体ウェハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。
の要求から、半導体集積回路装置を半導体ウェハから切
り出したままのベアチップ状態で回路基板に実装する方
法が開発されており、品質が保証されたベアチップを低
価格で供給することが望まれている。
【０００４】ベアチップに対して品質保証を行なうため
には、半導体集積回路素子の電気的特性をウェハ状態で
一括して検査する必要がある。
には、半導体集積回路素子の電気的特性をウェハ状態で
一括して検査する必要がある。
【０００５】そこで、例えば、特開平８−５６６６号公
報の図６に示されるように、半導体集積回路素子が形成
された半導体ウェハを保持する保持板と、該保持板に保
持された半導体ウェハと対向するように設けられ、該半
導体ウェハの半導体集積回路素子の検査用端子と接続さ
れるバンプを有するプローブシートと、該プローブシー
トを保持する配線基板と、保持板と配線基板との間に設
けられ、保持板及び配線基板と共に密封空間を形成する
弾性材よりなる環状のシール材とを備えた半導体ウェハ
収納器が提案されている。
報の図６に示されるように、半導体集積回路素子が形成
された半導体ウェハを保持する保持板と、該保持板に保
持された半導体ウェハと対向するように設けられ、該半
導体ウェハの半導体集積回路素子の検査用端子と接続さ
れるバンプを有するプローブシートと、該プローブシー
トを保持する配線基板と、保持板と配線基板との間に設
けられ、保持板及び配線基板と共に密封空間を形成する
弾性材よりなる環状のシール材とを備えた半導体ウェハ
収納器が提案されている。
【０００６】この半導体ウェハ収納器においては、保持
板、配線基板及びシール材により形成される密封空間を
減圧することにより、保持板に保持された半導体ウェハ
と配線基板に保持されたプローブシートとを互いに接近
させて、半導体集積回路素子の検査用電極とプローブシ
ートのバンプとの電気的な接続を図っている。
板、配線基板及びシール材により形成される密封空間を
減圧することにより、保持板に保持された半導体ウェハ
と配線基板に保持されたプローブシートとを互いに接近
させて、半導体集積回路素子の検査用電極とプローブシ
ートのバンプとの電気的な接続を図っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本件発明者
らが、前記の半導体ウェハ収納器を用いて、該半導体ウ
ェハ収納器に収納された半導体ウェハに形成されている
半導体集積回路素子の電気的特性を一括してバーンイン
しようとしたところ、以下に説明するような種々の問題
が発生した。
らが、前記の半導体ウェハ収納器を用いて、該半導体ウ
ェハ収納器に収納された半導体ウェハに形成されている
半導体集積回路素子の電気的特性を一括してバーンイン
しようとしたところ、以下に説明するような種々の問題
が発生した。
【０００８】まず、図５に示すように、半導体ウェハ１
をウェハボックス２に収納した状態でアライメント装置
３に投入し、該アライメント装置３の内部において、半
導体ウェハ１を半導体ウェハ収納器４に収納すると共
に、半導体ウェハ収納器の保持板に保持された半導体ウ
ェハの半導体集積回路素子の各検査用電極と、配線基板
に保持されたプローブシートの各バンプとのアライメン
トを行なった後、保持板、配線基板及びシール材により
形成される密封空間を減圧して、半導体ウェハ１とプロ
ーブシートとを互いに接近させて、半導体集積回路素子
の各検査用電極とプローブシートの各バンプとを電気的
に接続させる。
をウェハボックス２に収納した状態でアライメント装置
３に投入し、該アライメント装置３の内部において、半
導体ウェハ１を半導体ウェハ収納器４に収納すると共
に、半導体ウェハ収納器の保持板に保持された半導体ウ
ェハの半導体集積回路素子の各検査用電極と、配線基板
に保持されたプローブシートの各バンプとのアライメン
トを行なった後、保持板、配線基板及びシール材により
形成される密封空間を減圧して、半導体ウェハ１とプロ
ーブシートとを互いに接近させて、半導体集積回路素子
の各検査用電極とプローブシートの各バンプとを電気的
に接続させる。
【０００９】次に、密封空間が減圧されている各半導体
ウェハ収納器４をラック５に収納してバーンイン装置６
に移動し、該バーンイン装置６の内部において、半導体
ウェハ１に形成されている半導体集積回路素子の電気的
特性の検査を行なったところ、アライメント装置３から
バーンイン装置６への移動中において、密封空間の圧力
が変化し、これに伴って、半導体集積回路素子の検査用
電極とプローブシートのバンプとの接続状態が変化する
という第１の問題が発生した。すなわち、密封空間の減
圧状態が解放されて密封空間が大気圧に近づくと、シー
ル部材１４の弾性力により半導体ウェハ１とプローブシ
ートとの接近状態が解放されてしまうので、半導体集積
回路素子の検査用電極とプローブシートのバンプとの位
置が互いにずれてしまう。検査用電極とバンプとの位置
がずれると、検査用電極とバンプとの電気的接続が確保
できないため、バーンインを確実に行なうことができな
いので、アライメントをやり直さねばならないが、従来
の半導体ウェハ収納器によると、密封空間の圧力の変化
を検出することができない。このため、検査用電極とバ
ンプとの電気的接続が確保されていない状態で、バーン
イン工程が行なわれてしまうという問題である。
ウェハ収納器４をラック５に収納してバーンイン装置６
に移動し、該バーンイン装置６の内部において、半導体
ウェハ１に形成されている半導体集積回路素子の電気的
特性の検査を行なったところ、アライメント装置３から
バーンイン装置６への移動中において、密封空間の圧力
が変化し、これに伴って、半導体集積回路素子の検査用
電極とプローブシートのバンプとの接続状態が変化する
という第１の問題が発生した。すなわち、密封空間の減
圧状態が解放されて密封空間が大気圧に近づくと、シー
ル部材１４の弾性力により半導体ウェハ１とプローブシ
ートとの接近状態が解放されてしまうので、半導体集積
回路素子の検査用電極とプローブシートのバンプとの位
置が互いにずれてしまう。検査用電極とバンプとの位置
がずれると、検査用電極とバンプとの電気的接続が確保
できないため、バーンインを確実に行なうことができな
いので、アライメントをやり直さねばならないが、従来
の半導体ウェハ収納器によると、密封空間の圧力の変化
を検出することができない。このため、検査用電極とバ
ンプとの電気的接続が確保されていない状態で、バーン
イン工程が行なわれてしまうという問題である。
【００１０】また、ウェハ収納器４をアライメント装置
３からバーンイン装置６に移動する際に、プローブシー
トがウェハ収納器４の内部において移動し、これによ
り、半導体集積回路素子の検査用電極とプローブシート
のバンプとが位置ずれして、検査用電極とバンプとの接
続状態が変化するという第２の問題も発生した。この場
合にも、アライメントをやり直さねばならないが、従来
の半導体ウェハ収納器によると、プローブシートの移動
を検出することができない。このため、検査用電極とバ
ンプとの電気的接続が確保されていない状態で、バーン
イン工程が行なわれてしまうという問題である。
３からバーンイン装置６に移動する際に、プローブシー
トがウェハ収納器４の内部において移動し、これによ
り、半導体集積回路素子の検査用電極とプローブシート
のバンプとが位置ずれして、検査用電極とバンプとの接
続状態が変化するという第２の問題も発生した。この場
合にも、アライメントをやり直さねばならないが、従来
の半導体ウェハ収納器によると、プローブシートの移動
を検出することができない。このため、検査用電極とバ
ンプとの電気的接続が確保されていない状態で、バーン
イン工程が行なわれてしまうという問題である。
【００１１】確実なバーンインを行なうことができな
い。
い。
【００１２】また、半導体ウェハ１に形成されている多
数の半導体集積回路素子には、良品のものと不良品のも
のとが混在しているので、バーンイン工程の前に行なわ
れる電気的特性検査によって不良品と判断された半導体
集積回路素子には絶縁性樹脂が塗布される等の対策が講
じられる。このため、バーンイン工程において、不良の
半導体集積回路素子には電流が流れない一方、良品の半
導体集積回路素子には電流が流れるので、バーンイン時
における半導体ウェハ１の温度が部位によって異なる。
このため、バーンインの条件が半導体集積回路素子によ
って異なるので、均一な条件下で正確なバーンインを行
なうことができないという第３の問題も発生した。
数の半導体集積回路素子には、良品のものと不良品のも
のとが混在しているので、バーンイン工程の前に行なわ
れる電気的特性検査によって不良品と判断された半導体
集積回路素子には絶縁性樹脂が塗布される等の対策が講
じられる。このため、バーンイン工程において、不良の
半導体集積回路素子には電流が流れない一方、良品の半
導体集積回路素子には電流が流れるので、バーンイン時
における半導体ウェハ１の温度が部位によって異なる。
このため、バーンインの条件が半導体集積回路素子によ
って異なるので、均一な条件下で正確なバーンインを行
なうことができないという第３の問題も発生した。
【００１３】前記に鑑み、本発明は、半導体ウェハを保
持する保持板、プローブカード等のコンタクタ及び弾性
シール材によって形成される密封空間の圧力変化を検出
できるようにすることを第１の目的とし、プローブカー
ドの移動を検出できるようにすることを第２の目的と
し、バーンイン時における半導体ウェハの温度を均一に
保持できるようにすることを第３の目的とする。
持する保持板、プローブカード等のコンタクタ及び弾性
シール材によって形成される密封空間の圧力変化を検出
できるようにすることを第１の目的とし、プローブカー
ドの移動を検出できるようにすることを第２の目的と
し、バーンイン時における半導体ウェハの温度を均一に
保持できるようにすることを第３の目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記の第１の目的を達成
するため、本発明に係る第１の半導体ウェハ収納器は、
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集積回路素
子が形成されている半導体ウェハを保持するウェハ保持
板と、該ウェハ保持板に保持される半導体ウェハと対向
するように設けられ、検査用電極と接続されるプローブ
端子を有するコンタクタと、ウェハ保持板とコンタクタ
との間に設けられ、ウェハ保持板及びコンタクタと共に
密封空間を形成する弾性材よりなる環状のシール材と、
密封空間と連通するように設けられ、該密封空間を減圧
して、ウェハ保持板に保持された半導体ウェハの半導体
集積回路素子の各検査用電極とコンタクタの各プローブ
端子とを接続させるための吸引通路と、減圧されている
密封空間の圧力変動を検出する圧力変動検出手段とを備
えている。
するため、本発明に係る第１の半導体ウェハ収納器は、
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体集積回路素
子が形成されている半導体ウェハを保持するウェハ保持
板と、該ウェハ保持板に保持される半導体ウェハと対向
するように設けられ、検査用電極と接続されるプローブ
端子を有するコンタクタと、ウェハ保持板とコンタクタ
との間に設けられ、ウェハ保持板及びコンタクタと共に
密封空間を形成する弾性材よりなる環状のシール材と、
密封空間と連通するように設けられ、該密封空間を減圧
して、ウェハ保持板に保持された半導体ウェハの半導体
集積回路素子の各検査用電極とコンタクタの各プローブ
端子とを接続させるための吸引通路と、減圧されている
密封空間の圧力変動を検出する圧力変動検出手段とを備
えている。
【００１５】第１の半導体ウェハ収納器によると、ウェ
ハ保持板、コンタクタ及び環状のシール材によって形成
される密封空間の圧力変動を検出する圧力変動検出手段
を備えているため、密封空間の圧力が高くなって、ウェ
ハ保持板に保持されている半導体ウェハの集積回路素子
の検査用電極とコンタクタのプローブ端子との接続が確
保できない恐れが発生したときには、この事態発生を圧
力変動検出手段によって検出することができる。
ハ保持板、コンタクタ及び環状のシール材によって形成
される密封空間の圧力変動を検出する圧力変動検出手段
を備えているため、密封空間の圧力が高くなって、ウェ
ハ保持板に保持されている半導体ウェハの集積回路素子
の検査用電極とコンタクタのプローブ端子との接続が確
保できない恐れが発生したときには、この事態発生を圧
力変動検出手段によって検出することができる。
【００１６】第１の半導体ウェハ収納器において、圧力
変動検出手段は、内部が密封空間と連通するように設け
られた筒状体と、筒状体の内部に、該筒状体の内周面に
対して密接状態で且つ摺動可能に設けられ、密封空間の
減圧状態の変動に伴って移動する弁体と、弁体の移動を
検出する検出手段とを有していることが好ましい。
変動検出手段は、内部が密封空間と連通するように設け
られた筒状体と、筒状体の内部に、該筒状体の内周面に
対して密接状態で且つ摺動可能に設けられ、密封空間の
減圧状態の変動に伴って移動する弁体と、弁体の移動を
検出する検出手段とを有していることが好ましい。
【００１７】前記の第２の目的を達成するため、本発明
に係る第２の半導体ウェハ収納器は、それぞれが検査用
電極を有する複数の半導体集積回路素子が形成されてい
る半導体ウェハを保持するウェハ保持板と、該ウェハ保
持板に保持される半導体ウェハと対向するように設けら
れ、検査用電極と接続されるプローブ端子を有するコン
タクタと、ウェハ保持板とコンタクタとを互いに接近さ
せて、ウェハ保持板に保持される半導体ウェハの複数の
半導体集積回路素子の各検査用電極とコンタクタの各プ
ローブ端子とを接続させる電極接続手段と、コンタクタ
の移動を検出する移動検出手段とを備えている。
に係る第２の半導体ウェハ収納器は、それぞれが検査用
電極を有する複数の半導体集積回路素子が形成されてい
る半導体ウェハを保持するウェハ保持板と、該ウェハ保
持板に保持される半導体ウェハと対向するように設けら
れ、検査用電極と接続されるプローブ端子を有するコン
タクタと、ウェハ保持板とコンタクタとを互いに接近さ
せて、ウェハ保持板に保持される半導体ウェハの複数の
半導体集積回路素子の各検査用電極とコンタクタの各プ
ローブ端子とを接続させる電極接続手段と、コンタクタ
の移動を検出する移動検出手段とを備えている。
【００１８】第２の半導体ウェハ収納器によると、コン
タクタの移動を検出する移動検出手段を備えているた
め、コンタクタが移動して、ウェハ保持板に保持されて
いる半導体ウェハの半導体集積回路素子の検査用電極と
コンタクタのプローブ端子とが位置ずれして、検査用電
極とプローブ端子との接続が確保できない恐れが発生し
たときには、この事態発生を移動検出手段により検出す
ることができる。
タクタの移動を検出する移動検出手段を備えているた
め、コンタクタが移動して、ウェハ保持板に保持されて
いる半導体ウェハの半導体集積回路素子の検査用電極と
コンタクタのプローブ端子とが位置ずれして、検査用電
極とプローブ端子との接続が確保できない恐れが発生し
たときには、この事態発生を移動検出手段により検出す
ることができる。
【００１９】第２の半導体ウェハ収納器において、移動
検出手段は、超音波又は光ビームをコンタクタに向かっ
て出射する出射手段と、出射手段から出射された後、コ
ンタクタによって反射されてくる超音波又は光ビームが
入射する入射手段と、出射手段から出射された超音波又
は光ビームの振動数と、入射手段に入射する超音波又は
光ビームの振動数との差に基づいて、コンタクタの移動
を検出する検出手段とを有していることが好ましい。
検出手段は、超音波又は光ビームをコンタクタに向かっ
て出射する出射手段と、出射手段から出射された後、コ
ンタクタによって反射されてくる超音波又は光ビームが
入射する入射手段と、出射手段から出射された超音波又
は光ビームの振動数と、入射手段に入射する超音波又は
光ビームの振動数との差に基づいて、コンタクタの移動
を検出する検出手段とを有していることが好ましい。
【００２０】前記の第３の目的を達成するため、本発明
に係る第３の半導体ウェハ収納器は、それぞれが検査用
電極を有する複数の半導体集積回路素子が形成されてい
る半導体ウェハを保持するウェハ保持板と、該ウェハ保
持板に保持される半導体ウェハと対向するように設けら
れ、検査用電極と接続されるプローブ端子を有するコン
タクタと、ウェハ保持板に設けられ、バーンイン時に半
導体ウェハから発生する熱を放出する放熱手段とを備え
ている。
に係る第３の半導体ウェハ収納器は、それぞれが検査用
電極を有する複数の半導体集積回路素子が形成されてい
る半導体ウェハを保持するウェハ保持板と、該ウェハ保
持板に保持される半導体ウェハと対向するように設けら
れ、検査用電極と接続されるプローブ端子を有するコン
タクタと、ウェハ保持板に設けられ、バーンイン時に半
導体ウェハから発生する熱を放出する放熱手段とを備え
ている。
【００２１】第３の半導体ウェハ収納器によると、バー
ンイン時に半導体ウェハから発生する熱を放出する放熱
手段を備えているため、半導体ウェハに形成されている
複数の半導体集積回路素子に良品と不良品とが混在し、
バーンイン工程において半導体ウェハの温度上昇の程度
が部位によって異なっても、半導体ウェハから発生する
熱が放熱手段によって半導体ウェハ収納器の周囲の環境
中に放出されるので、半導体ウェハにおける部位による
温度差を回避することができる。
ンイン時に半導体ウェハから発生する熱を放出する放熱
手段を備えているため、半導体ウェハに形成されている
複数の半導体集積回路素子に良品と不良品とが混在し、
バーンイン工程において半導体ウェハの温度上昇の程度
が部位によって異なっても、半導体ウェハから発生する
熱が放熱手段によって半導体ウェハ収納器の周囲の環境
中に放出されるので、半導体ウェハにおける部位による
温度差を回避することができる。
【００２２】第３の半導体ウェハ収納器において、放熱
手段は、保持板における半導体ウェハを保持する面の反
対側の面に形成された放熱用フィンであることが好まし
い。
手段は、保持板における半導体ウェハを保持する面の反
対側の面に形成された放熱用フィンであることが好まし
い。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態に係る
半導体ウェハ収納器の全体構造を示し、図２（ａ）は該
半導体ウェハ収納器の断面構造を示している。
半導体ウェハ収納器の全体構造を示し、図２（ａ）は該
半導体ウェハ収納器の断面構造を示している。
【００２４】図１及び図２（ａ）に示すように、半導体
ウェハ収納器は、半導体ウェハ１０を保持する保持板１
１と、該保持板１１に保持された半導体ウェハ１０と対
向するように設けられたコンタクタとしてのプローブカ
ード１２と、保持板１１とプローブカード１２との間に
設けられ、保持板１１及びプローブカード１２と共に密
封空間１３を形成する弾性材よりなる環状のシール材１
４とを備えている。
ウェハ収納器は、半導体ウェハ１０を保持する保持板１
１と、該保持板１１に保持された半導体ウェハ１０と対
向するように設けられたコンタクタとしてのプローブカ
ード１２と、保持板１１とプローブカード１２との間に
設けられ、保持板１１及びプローブカード１２と共に密
封空間１３を形成する弾性材よりなる環状のシール材１
４とを備えている。
【００２５】半導体ウェハ１０には多数の半導体集積回
路素子が形成されており、図２（ｂ）に示すように、各
半導体集積回路素子には、電源電圧若しくは接地電圧が
印加されたり、信号が入力若しくは出力されたりする検
査用電極１０ａが形成されている。また、プローブカー
ド１２には、検査用電極１０ａと接続され、各半導体集
積回路素子に電源電圧若しくは接地電圧を印加したり又
は各半導体集積回路素子に信号を入出力するためのプロ
ーブ端子としてのバンプ１２ａが形成されている。尚、
図２（ａ）においては、図示の都合上、検査用電極１０
ａ及びバンプ１２ａは省略している。
路素子が形成されており、図２（ｂ）に示すように、各
半導体集積回路素子には、電源電圧若しくは接地電圧が
印加されたり、信号が入力若しくは出力されたりする検
査用電極１０ａが形成されている。また、プローブカー
ド１２には、検査用電極１０ａと接続され、各半導体集
積回路素子に電源電圧若しくは接地電圧を印加したり又
は各半導体集積回路素子に信号を入出力するためのプロ
ーブ端子としてのバンプ１２ａが形成されている。尚、
図２（ａ）においては、図示の都合上、検査用電極１０
ａ及びバンプ１２ａは省略している。
【００２６】図２（ａ）に示すように、保持板１１の内
部には、半導体ウェハ１０を保持する保持部１１ａにお
いて開口する多数の吸引口１５ａを有する第１の吸気通
路１５が設けられており、該第１の吸気通路１５を減圧
することにより、半導体ウェハ１０は保持板１１に吸引
されて保持される。また、保持板１１の内部には、密封
空間１３と連通する第２の吸気通路１６が設けられてお
り、該第２の吸気通路１６から密封空間１３を例えば−
７０ｍｍＨｇの圧力に減圧することにより、図２（ｂ）
に示すように、半導体ウェハ１０の各検査用電極１０ａ
とプローブカード１２の各バンプ１２ａとが電気的に接
続する。尚、第１の吸気通路１５の減圧が完了したと
き、及び第２の吸気通路１６からの密封空間１３の減圧
が完了したときには、第１の吸気通路１５及び第２の吸
気通路１６はそれぞれ図示しない弁手段によって閉塞さ
れる。
部には、半導体ウェハ１０を保持する保持部１１ａにお
いて開口する多数の吸引口１５ａを有する第１の吸気通
路１５が設けられており、該第１の吸気通路１５を減圧
することにより、半導体ウェハ１０は保持板１１に吸引
されて保持される。また、保持板１１の内部には、密封
空間１３と連通する第２の吸気通路１６が設けられてお
り、該第２の吸気通路１６から密封空間１３を例えば−
７０ｍｍＨｇの圧力に減圧することにより、図２（ｂ）
に示すように、半導体ウェハ１０の各検査用電極１０ａ
とプローブカード１２の各バンプ１２ａとが電気的に接
続する。尚、第１の吸気通路１５の減圧が完了したと
き、及び第２の吸気通路１６からの密封空間１３の減圧
が完了したときには、第１の吸気通路１５及び第２の吸
気通路１６はそれぞれ図示しない弁手段によって閉塞さ
れる。
【００２７】本実施形態の第１の特徴として、図２
（ａ）に示すように、保持板１１の内部には、一端にお
いて密封空間１３と連通する連通路１７が形成されてお
り、保持板１１の側面には、連通路１７の他端と連通し
て密封空間１３の減圧状態を検出する減圧インジケータ
１８が設けられている。
（ａ）に示すように、保持板１１の内部には、一端にお
いて密封空間１３と連通する連通路１７が形成されてお
り、保持板１１の側面には、連通路１７の他端と連通し
て密封空間１３の減圧状態を検出する減圧インジケータ
１８が設けられている。
【００２８】図３（ａ）は、第１のタイプの減圧インジ
ケータ１８の断面構造を示しており、該第１のタイプの
減圧インジケータ１８は、内径が相対的に大きい大径部
１９ａと内径が相対的に小さい小径部１９ｂとからなる
筒状体１９と、筒状体１９の小径部１９ｂ内に設けられ
該小径部１９ｂの内壁面と密接状態で摺動可能な弁体２
０と、筒状体１９の大径部１９ａ内に固定されており中
央に開口部を有するばね保持具２１と、一端がばね保持
具２１に固定されていると共に他端が弁体２０に固定さ
れているコイルばね２２とを有している。
ケータ１８の断面構造を示しており、該第１のタイプの
減圧インジケータ１８は、内径が相対的に大きい大径部
１９ａと内径が相対的に小さい小径部１９ｂとからなる
筒状体１９と、筒状体１９の小径部１９ｂ内に設けられ
該小径部１９ｂの内壁面と密接状態で摺動可能な弁体２
０と、筒状体１９の大径部１９ａ内に固定されており中
央に開口部を有するばね保持具２１と、一端がばね保持
具２１に固定されていると共に他端が弁体２０に固定さ
れているコイルばね２２とを有している。
【００２９】筒状体１９の内部空間は、弁体２０によっ
て左右に区画されており、内部空間の左側部分は連通路
１７ひいては密封空間１３と連通して密封空間１３と同
じ圧力である一方、内部空間の右側部分は図示しない孔
部を介して大気と連通して大気圧に保持されている。従
って、密封空間１３が減圧されて圧力が低くなると弁体
２０は左側に移動する一方、密封空間１３の圧力が高く
なると弁体２０は右側へ移動する。
て左右に区画されており、内部空間の左側部分は連通路
１７ひいては密封空間１３と連通して密封空間１３と同
じ圧力である一方、内部空間の右側部分は図示しない孔
部を介して大気と連通して大気圧に保持されている。従
って、密封空間１３が減圧されて圧力が低くなると弁体
２０は左側に移動する一方、密封空間１３の圧力が高く
なると弁体２０は右側へ移動する。
【００３０】筒状体１９の外側には、密封空間１３の圧
力が適正値例えば−９０ｍｍＨｇのときに、弁体２０が
減圧力によって左方に引っ張られる力と、弁体２０がコ
イルばね２２によって右方に押圧される力とが釣り合う
ことにより、弁体２０が静止する位置に、例えば赤外線
遮断センサよりなる透過型の近接スイッチ２３が設けら
れている。密封空間１３の圧力が高くなると、弁体２０
がコイルばね２２により右方へ押圧される力が密封空間
１３の減圧力よりも大きくなるため、弁体２０は近接ス
イッチ２３から右方にずれるので、近接スイッチ２３は
警告信号を出力する。また、密封空間１３の圧力が低く
なると、弁体２０が密封空間１３の減圧力により左方に
引っ張られる力がコイルばね２２の押圧力よりも大きく
なるため、弁体２０は近接スイッチ２３から左方にずれ
るので、やはり近接スイッチ２３は警告信号を出力す
る。これにより、密封空間１３の圧力は常に適正値に監
視されているので、密封空間１３の減圧状態が変化して
半導体ウェハ１０の検査用電極１０ａとプローブカード
１２のバンプ１２ａとが電気的に接続しなくなる事態を
確実に検知することができる。
力が適正値例えば−９０ｍｍＨｇのときに、弁体２０が
減圧力によって左方に引っ張られる力と、弁体２０がコ
イルばね２２によって右方に押圧される力とが釣り合う
ことにより、弁体２０が静止する位置に、例えば赤外線
遮断センサよりなる透過型の近接スイッチ２３が設けら
れている。密封空間１３の圧力が高くなると、弁体２０
がコイルばね２２により右方へ押圧される力が密封空間
１３の減圧力よりも大きくなるため、弁体２０は近接ス
イッチ２３から右方にずれるので、近接スイッチ２３は
警告信号を出力する。また、密封空間１３の圧力が低く
なると、弁体２０が密封空間１３の減圧力により左方に
引っ張られる力がコイルばね２２の押圧力よりも大きく
なるため、弁体２０は近接スイッチ２３から左方にずれ
るので、やはり近接スイッチ２３は警告信号を出力す
る。これにより、密封空間１３の圧力は常に適正値に監
視されているので、密封空間１３の減圧状態が変化して
半導体ウェハ１０の検査用電極１０ａとプローブカード
１２のバンプ１２ａとが電気的に接続しなくなる事態を
確実に検知することができる。
【００３１】図３（ｂ）は、第２のタイプの減圧インジ
ケータ１８の断面構造を示しており、該第２のタイプの
減圧インジケータ１８は、第１のタイプと同様の筒状体
１９と、第１のタイプよりも薄型の弁体２０と、第１の
タイプと同様のばね保持具２１及びコイルばね２２とを
有している。
ケータ１８の断面構造を示しており、該第２のタイプの
減圧インジケータ１８は、第１のタイプと同様の筒状体
１９と、第１のタイプよりも薄型の弁体２０と、第１の
タイプと同様のばね保持具２１及びコイルばね２２とを
有している。
【００３２】第２のタイプの特徴として、筒状体１９の
外側における弁体２０の左右両側には、所定の間隔をお
いて一対の近接スイッチ２３Ａ，２３Ｂが設けられてお
り、密封空間１３の圧力が適正値からずれて、弁体２０
が左側の近接スイッチ２３Ａに接近したり又は右側の近
接スイッチ２３Ｂに接近したりすると、近接スイッチ２
３Ａ，２３Ｂが警告信号を出力する。これにより、密封
空間１３の圧力は常に適正値に監視されているので、密
封空間１３の減圧状態が変化して半導体ウェハ１０の検
査用電極１０ａとプローブカード１２のバンプ１２ａと
が電気的に接続しなくなる事態を確実に検知することが
できる。
外側における弁体２０の左右両側には、所定の間隔をお
いて一対の近接スイッチ２３Ａ，２３Ｂが設けられてお
り、密封空間１３の圧力が適正値からずれて、弁体２０
が左側の近接スイッチ２３Ａに接近したり又は右側の近
接スイッチ２３Ｂに接近したりすると、近接スイッチ２
３Ａ，２３Ｂが警告信号を出力する。これにより、密封
空間１３の圧力は常に適正値に監視されているので、密
封空間１３の減圧状態が変化して半導体ウェハ１０の検
査用電極１０ａとプローブカード１２のバンプ１２ａと
が電気的に接続しなくなる事態を確実に検知することが
できる。
【００３３】図３（ｃ）は、第３のタイプの減圧インジ
ケータ１８の断面構造を示しており、該第３のタイプの
減圧インジケータ１８は、全体に亘って内径が等しい透
明な筒状体１９と、該筒状体１９の内壁面と２つのＯリ
ング２０ａを介して密接状態で摺動可能な弁体２０とを
有している。
ケータ１８の断面構造を示しており、該第３のタイプの
減圧インジケータ１８は、全体に亘って内径が等しい透
明な筒状体１９と、該筒状体１９の内壁面と２つのＯリ
ング２０ａを介して密接状態で摺動可能な弁体２０とを
有している。
【００３４】筒状体１９の内部空間は、弁体２０によっ
て左右に区画されており、内部空間の左側部分は連通路
１７ひいては密封空間１３と連通して密封空間１３と同
じ圧力である一方、内部空間の右側部分は図示しない孔
部を介して大気と連通して大気圧に保持されている。従
って、密封空間１３の圧力が低くなると弁体２０は左方
に移動する一方、密封空間１３の圧力が高くなると弁体
２０は右方に移動する。この場合、筒状体１９は透明で
あるので、弁体２０の移動を目視することができる。こ
れにより、密封空間１３の減圧状態が変化して半導体ウ
ェハ１０の検査用電極１０ａとプローブカード１２のバ
ンプ１２ａとが電気的に接続しなくなる事態を確実に検
知することができる。尚、密封空間１３の圧力が適正値
であるときの弁体２０の位置と対応する筒状体１９の部
位に印を付けておくと、密封空間１３の圧力を適正値に
監視することが可能になる。
て左右に区画されており、内部空間の左側部分は連通路
１７ひいては密封空間１３と連通して密封空間１３と同
じ圧力である一方、内部空間の右側部分は図示しない孔
部を介して大気と連通して大気圧に保持されている。従
って、密封空間１３の圧力が低くなると弁体２０は左方
に移動する一方、密封空間１３の圧力が高くなると弁体
２０は右方に移動する。この場合、筒状体１９は透明で
あるので、弁体２０の移動を目視することができる。こ
れにより、密封空間１３の減圧状態が変化して半導体ウ
ェハ１０の検査用電極１０ａとプローブカード１２のバ
ンプ１２ａとが電気的に接続しなくなる事態を確実に検
知することができる。尚、密封空間１３の圧力が適正値
であるときの弁体２０の位置と対応する筒状体１９の部
位に印を付けておくと、密封空間１３の圧力を適正値に
監視することが可能になる。
【００３５】本実施形態の第２の特徴として、図１及び
図２に示すように、保持板１１の上面の周縁部には、プ
ローブカード１２の移動を検出する移動検出器２５が設
けられている。
図２に示すように、保持板１１の上面の周縁部には、プ
ローブカード１２の移動を検出する移動検出器２５が設
けられている。
【００３６】図４に示すように、移動検出器２５は、超
音波をプローブカード１２の側面に向かって出射する送
信器２６と、送信器２６から出射されプローブカード１
２の側面によって反射されてきた超音波を受信する受信
器２７と、送信器２６から出射された出射超音波の周波
数ｆ0 と受信器２７に受信された反射超音波の周波数ｆ
1 との差：ｆR ＝ｆ0 −ｆ1 を求める図示しない演算器
とを有している。プローブカード１２が移動検出器２５
に接近するように移動すると、ドップラー効果によりｆ
R が正の値になり、プローブカード１２が移動検出器２
５から遠ざかるように移動すると、ドップラー効果によ
りｆR が負の値になり、プローブカード１２が移動しな
いときには、ｆR は０になる。従って、ｆR の値の変化
によってプローブカード１２の移動を検出することがで
きる。
音波をプローブカード１２の側面に向かって出射する送
信器２６と、送信器２６から出射されプローブカード１
２の側面によって反射されてきた超音波を受信する受信
器２７と、送信器２６から出射された出射超音波の周波
数ｆ0 と受信器２７に受信された反射超音波の周波数ｆ
1 との差：ｆR ＝ｆ0 −ｆ1 を求める図示しない演算器
とを有している。プローブカード１２が移動検出器２５
に接近するように移動すると、ドップラー効果によりｆ
R が正の値になり、プローブカード１２が移動検出器２
５から遠ざかるように移動すると、ドップラー効果によ
りｆR が負の値になり、プローブカード１２が移動しな
いときには、ｆR は０になる。従って、ｆR の値の変化
によってプローブカード１２の移動を検出することがで
きる。
【００３７】尚、前記実施形態においては、送信器２６
からは超音波が出射されたが、これに代えて、ドップラ
ー効果が得られるレーザビーム等の光ビームをプローブ
カード１２に向かって出射するようにしてもよい。
からは超音波が出射されたが、これに代えて、ドップラ
ー効果が得られるレーザビーム等の光ビームをプローブ
カード１２に向かって出射するようにしてもよい。
【００３８】また、図１においては、移動検出器２５は
１個所に設けられた場合を示しているが、移動検出器２
５をプローブカード１２の中心に対して互いに直角な方
向に２個所設けると、プローブカード１２のあらゆる方
向への移動を正確に検出することができる。
１個所に設けられた場合を示しているが、移動検出器２
５をプローブカード１２の中心に対して互いに直角な方
向に２個所設けると、プローブカード１２のあらゆる方
向への移動を正確に検出することができる。
【００３９】また、プローブカード１２の周縁部におけ
る保持板１０側の面を乱反射面に形成しておくと共に、
送信器２６及び受信器２７を保持板１０におけるプロー
ブカード１２と対向する部位に埋め込むように設けても
よい。
る保持板１０側の面を乱反射面に形成しておくと共に、
送信器２６及び受信器２７を保持板１０におけるプロー
ブカード１２と対向する部位に埋め込むように設けても
よい。
【００４０】さらに、プローブカード１２の移動を検出
する移動検出器２５に代えて、プローブカード１２の位
置変化を検出する位置ずれ検出器を設けてもよい。
する移動検出器２５に代えて、プローブカード１２の位
置変化を検出する位置ずれ検出器を設けてもよい。
【００４１】本実施形態の第３の特徴として、図１及び
図２に示すように、保持板１１の下面には多数の放熱用
フィン２８が設けられている。
図２に示すように、保持板１１の下面には多数の放熱用
フィン２８が設けられている。
【００４２】前述したように、バーンイン工程において
は、不良の半導体集積回路素子には電流が流れない一
方、良品の半導体集積回路素子には電流が流れるため、
バーンイン時における半導体ウェハ１０の温度が部位に
よって高くなったり低くなったりするが、保持板１１の
下面に放熱用フィン２８が設けられているため、放熱用
フィン２８によって保持板１１に蓄えられた熱が放出さ
れるので、保持板１１ひいては該保持板１１に保持され
ている半導体ウェハ１０の温度はバーンイン工程が行な
われる雰囲気の温度に近づく。このため、半導体ウェハ
１０の温度が部位によって異なる事態は解消する。
は、不良の半導体集積回路素子には電流が流れない一
方、良品の半導体集積回路素子には電流が流れるため、
バーンイン時における半導体ウェハ１０の温度が部位に
よって高くなったり低くなったりするが、保持板１１の
下面に放熱用フィン２８が設けられているため、放熱用
フィン２８によって保持板１１に蓄えられた熱が放出さ
れるので、保持板１１ひいては該保持板１１に保持され
ている半導体ウェハ１０の温度はバーンイン工程が行な
われる雰囲気の温度に近づく。このため、半導体ウェハ
１０の温度が部位によって異なる事態は解消する。
【００４３】尚、前記実施形態においては、コンタクタ
としてプローブカードの例を示したが、コンタクタとし
ては、プローブカードのほかに、バンプ等のプローブ端
子を有し周縁部が剛性体に保持されたプローブシート、
又はプローブ端子を有するプローブシートと、該プロー
ブシートのプローブ端子と電気的に接続される配線を有
する配線基板とからなる構造のもの等を用いることがで
きる。
としてプローブカードの例を示したが、コンタクタとし
ては、プローブカードのほかに、バンプ等のプローブ端
子を有し周縁部が剛性体に保持されたプローブシート、
又はプローブ端子を有するプローブシートと、該プロー
ブシートのプローブ端子と電気的に接続される配線を有
する配線基板とからなる構造のもの等を用いることがで
きる。
【００４４】
【発明の効果】第１の半導体ウェハ収納器によると、ウ
ェハ保持板、コンタクタ及び環状のシール材によって形
成される密封空間の圧力が高くなって、ウェハ保持板に
保持されている半導体ウェハの半導体集積回路素子の検
査用電極とコンタクタのプローブ端子との電気的な接続
が得られない恐れが発生したときには、この事態発生を
圧力変動検出手段により密封空間の圧力変動として検出
できるため、半導体集積回路素子の検査用電極とコンタ
クタのプローブ端子とが電気的に接続されない状態で不
正確なバーンインを行なってしまう事態を回避すること
ができる。
ェハ保持板、コンタクタ及び環状のシール材によって形
成される密封空間の圧力が高くなって、ウェハ保持板に
保持されている半導体ウェハの半導体集積回路素子の検
査用電極とコンタクタのプローブ端子との電気的な接続
が得られない恐れが発生したときには、この事態発生を
圧力変動検出手段により密封空間の圧力変動として検出
できるため、半導体集積回路素子の検査用電極とコンタ
クタのプローブ端子とが電気的に接続されない状態で不
正確なバーンインを行なってしまう事態を回避すること
ができる。
【００４５】第１の半導体ウェハ収納器において、圧力
変動検出手段が、筒状体と、該筒状体の内周面に対して
密接状態で摺動可能な弁体と、該弁体の移動を検出する
検出手段とを有していると、電気的な構成を用いること
なく機械的な構成により、簡易且つ確実に、密封空間の
圧力変動を検出することができる。
変動検出手段が、筒状体と、該筒状体の内周面に対して
密接状態で摺動可能な弁体と、該弁体の移動を検出する
検出手段とを有していると、電気的な構成を用いること
なく機械的な構成により、簡易且つ確実に、密封空間の
圧力変動を検出することができる。
【００４６】第２の半導体ウェハ収納器によると、コン
タクタが移動して、ウェハ保持板に保持されている半導
体ウェハの検査用電極とコンタクタのプローブ端子との
電気的な接続が得られない恐れが発生したときには、こ
の事態発生を移動検出手段によりコンタクタの移動とし
て検出できるため、半導体集積回路素子の検査用電極と
コンタクタのプローブ端子とが電気的に接続されない状
態で不正確なバーンインを行なってしまう事態を回避す
ることができる。
タクタが移動して、ウェハ保持板に保持されている半導
体ウェハの検査用電極とコンタクタのプローブ端子との
電気的な接続が得られない恐れが発生したときには、こ
の事態発生を移動検出手段によりコンタクタの移動とし
て検出できるため、半導体集積回路素子の検査用電極と
コンタクタのプローブ端子とが電気的に接続されない状
態で不正確なバーンインを行なってしまう事態を回避す
ることができる。
【００４７】第２の半導体ウェハ収納器において、移動
検出手段が、超音波又は光ビームを出射する出射手段
と、コンタクタから反射されてくる超音波又は光ビーム
が入射する入射手段と、出射された超音波又は光ビーム
の振動数と入射する超音波又は光ビームの振動数との差
に基づいてコンタクタの移動を検出する検出手段とを有
していると、ドップラー効果によりコンタクタの移動を
検出できるため、コンタクタの極めて僅かな移動、ひい
てはコンタクタの僅かな位置ずれをも確実に検出するこ
とができる。従って、コンタクタの僅かな移動に起因し
て、半導体集積回路素子の検査用電極とコンタクタのプ
ローブ端子とが電気的に接続しなくなる事態をも確実に
検出することができる。
検出手段が、超音波又は光ビームを出射する出射手段
と、コンタクタから反射されてくる超音波又は光ビーム
が入射する入射手段と、出射された超音波又は光ビーム
の振動数と入射する超音波又は光ビームの振動数との差
に基づいてコンタクタの移動を検出する検出手段とを有
していると、ドップラー効果によりコンタクタの移動を
検出できるため、コンタクタの極めて僅かな移動、ひい
てはコンタクタの僅かな位置ずれをも確実に検出するこ
とができる。従って、コンタクタの僅かな移動に起因し
て、半導体集積回路素子の検査用電極とコンタクタのプ
ローブ端子とが電気的に接続しなくなる事態をも確実に
検出することができる。
【００４８】第３の半導体ウェハ収納器によると、良品
及び不良品の半導体集積回路素子の混在に起因して、バ
ーンイン工程において半導体ウェハの部位によって温度
上昇の程度が異なっても、半導体ウェハから発生する熱
が放熱手段により周囲の環境中に放出されるため、半導
体ウェハにおける温度差が回避されるので、全ての良品
の半導体集積回路素子に対して均一な条件でバーンイン
を行なうことができる。
及び不良品の半導体集積回路素子の混在に起因して、バ
ーンイン工程において半導体ウェハの部位によって温度
上昇の程度が異なっても、半導体ウェハから発生する熱
が放熱手段により周囲の環境中に放出されるため、半導
体ウェハにおける温度差が回避されるので、全ての良品
の半導体集積回路素子に対して均一な条件でバーンイン
を行なうことができる。
【００４９】第３の半導体ウェハ収納器において、放熱
手段が保持板における半導体ウェハを保持する面の反対
側に形成された放熱用フィンであると、バーンイン工程
において半導体ウェハに発生した熱は保持板に伝わった
後、放熱用フィンから周囲の環境中に速やかに放出され
るので、簡単な構造を付加するだけで、全ての良品の半
導体集積回路素子に対する均一な条件のバーンインを行
なうことができる。
手段が保持板における半導体ウェハを保持する面の反対
側に形成された放熱用フィンであると、バーンイン工程
において半導体ウェハに発生した熱は保持板に伝わった
後、放熱用フィンから周囲の環境中に速やかに放出され
るので、簡単な構造を付加するだけで、全ての良品の半
導体集積回路素子に対する均一な条件のバーンインを行
なうことができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体ウェハ収納器
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】（ａ）は前記一実施形態に係る半導体ウェハ収
納器の断面図であり、（ｂ）は前記一実施形態に係る半
導体ウェハ収納器に保持されている半導体ウェハの検査
用電極とプローブカードのバンプとの接続状態を示す断
面図である。
納器の断面図であり、（ｂ）は前記一実施形態に係る半
導体ウェハ収納器に保持されている半導体ウェハの検査
用電極とプローブカードのバンプとの接続状態を示す断
面図である。
【図３】（ａ）は前記一実施形態に係る半導体ウェハ収
納器に設けられた第１のタイプの減圧インジケータの断
面図であり、（ｂ）は前記一実施形態に係る半導体ウェ
ハ収納器に設けられた第２のタイプの減圧インジケータ
の断面図であり、（ｃ）は前記一実施形態に係る半導体
ウェハ収納器に設けられた第３のタイプの減圧インジケ
ータの断面図である。
納器に設けられた第１のタイプの減圧インジケータの断
面図であり、（ｂ）は前記一実施形態に係る半導体ウェ
ハ収納器に設けられた第２のタイプの減圧インジケータ
の断面図であり、（ｃ）は前記一実施形態に係る半導体
ウェハ収納器に設けられた第３のタイプの減圧インジケ
ータの断面図である。
【図４】前記一実施形態に係る半導体ウェハ収納器に設
けられた移動検出器の断面図である。
けられた移動検出器の断面図である。
【図５】従来及び本発明に係る半導体ウェハ収納器がア
ライメント装置からバーンイン装置へ移動する状態を示
す斜視図である。
ライメント装置からバーンイン装置へ移動する状態を示
す斜視図である。
１０ 半導体ウェハ １０ａ 検査用電極 １１ 保持板 １１ａ 保持部 １２ プローブカード １２ａ バンプ １３ 密封空間 １４ シール材 １５ 第１の吸気通路 １５ａ 吸引口 １６ 第２の吸気通路 １７ 連通路 １８ 減圧インジケータ １９ 筒状体 １９ａ 大径部 １９ｂ 小径部 ２０ 弁体 ２１ ばね保持具 ２２ コイルばね ２３、２３Ａ、２３Ｂ 近接スイッチ ２５ 移動検出器 ２６ 送信器 ２７ 受信器 ２８ 放熱用フィン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−5666（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−330372（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−115971（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−37945（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/64 - 21/68 G01R 31/28
Claims (6)
- 【請求項１】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
導体集積回路素子が形成されている半導体ウェハを保持
するウェハ保持板と、 前記ウェハ保持板に保持される半導体ウェハと対向する
ように設けられ、前記検査用電極と接続されるプローブ
端子を有するコンタクタと、 前記ウェハ保持板と前記コンタクタとの間に設けられ、
前記ウェハ保持板及びコンタクタと共に密封空間を形成
する弾性材よりなる環状のシール材と、 前記密封空間と連通するように設けられており、前記密
封空間を減圧して、前記ウェハ保持板に保持された半導
体ウェハの半導体集積回路素子の各検査用電極と前記コ
ンタクタの各プローブ端子とを接続させるための吸引通
路と、 減圧されている前記密封空間の圧力変動を検出する圧力
変動検出手段とを備えていることを特徴とする半導体ウ
ェハ収納器。 - 【請求項２】 前記圧力変動検出手段は、 内部が前記密封空間と連通するように設けられた筒状体
と、 前記筒状体の内部に、該筒状体の内周面に対して密接状
態で且つ摺動可能に設けられ、前記密封空間の減圧状態
の変動に伴って移動する弁体と、 前記弁体の移動を検出する検出手段とを有していること
を特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ収納器。 - 【請求項３】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
導体集積回路素子が形成されている半導体ウェハを保持
するウェハ保持板と、 前記ウェハ保持板に保持される半導体ウェハと対向する
ように設けられ、前記検査用電極と接続されるプローブ
端子を有するコンタクタと、 前記ウェハ保持板と前記コンタクタとを互いに接近させ
て、前記ウェハ保持板に保持される半導体ウェハの複数
の半導体集積回路素子の各検査用電極と前記コンタクタ
の各プローブ端子とを接続させる電極接続手段と、 前記コンタクタの移動を検出する移動検出手段とを備え
ていることを特徴とする半導体ウェハ収納器。 - 【請求項４】 前記移動検出手段は、 超音波又は光ビームを前記コンタクタに向かって出射す
る出射手段と、 前記出射手段から出射された後、前記コンタクタから反
射されてくる超音波又は光ビームが入射する入射手段
と、 前記出射手段から出射された超音波又は光ビームの振動
数と、前記入射手段に入射する超音波又は光ビームの振
動数との差に基づいて、前記コンタクタの移動を検出す
る検出手段とを有していることを特徴とする請求項３に
記載の半導体ウェハ収納器。 - 【請求項５】 それぞれが検査用電極を有する複数の半
導体集積回路素子が形成されている半導体ウェハを保持
するウェハ保持板と、 前記ウェハ保持板に保持される半導体ウェハと対向する
ように設けられ、前記検査用電極と接続されるプローブ
端子を有するコンタクタと、 前記ウェハ保持板に設けられ、バーンイン時に半導体ウ
ェハから発生する熱を放出する放熱手段とを備えている
ことを特徴とする半導体ウェハ収納器。 - 【請求項６】 前記放熱手段は、前記保持板における半
導体ウェハを保持する面の反対側の面に形成された放熱
用フィンであることを特徴とする請求項５に記載の半導
体ウェハ収納器。
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