JPH08340030A - バーンイン装置およびバーンイン用ウエハトレイ - Google Patents
バーンイン装置およびバーンイン用ウエハトレイInfo
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- JPH08340030A JPH08340030A JP8273396A JP8273396A JPH08340030A JP H08340030 A JPH08340030 A JP H08340030A JP 8273396 A JP8273396 A JP 8273396A JP 8273396 A JP8273396 A JP 8273396A JP H08340030 A JPH08340030 A JP H08340030A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ウエハ状態でバーンインテストを行うことがで
き、しかもコンパクトなバーンイン装置およびバーンイ
ン用ウエハトレイを提供すること。 【解決手段】半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応
した複数のバンプ３５を有する配線基板３０と、半導体
ウエハ１を収容するための収容部としての凹部２１を有
する収容容器２０とによりバーンイン用ウエハトレイ１
０が構成される。そして、凹部２１内に半導体ウエハ１
が収容された状態で複数のバンプ３５が半導体ウエハの
パッドに接触するように配線基板３０と収容容器２０と
を圧着する。その状態で、電気的負荷発生器５０から電
気信号を半導体ウエハ１の各チップに加え、また、ヒー
ター電源６２および冷媒供給源６１から収容容器２０の
冷媒通路２３およびヒーター２４にそれぞれ冷媒を通流
しまたは給電することにより半導体１１に温度的負荷を
与える。
き、しかもコンパクトなバーンイン装置およびバーンイ
ン用ウエハトレイを提供すること。 【解決手段】半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応
した複数のバンプ３５を有する配線基板３０と、半導体
ウエハ１を収容するための収容部としての凹部２１を有
する収容容器２０とによりバーンイン用ウエハトレイ１
０が構成される。そして、凹部２１内に半導体ウエハ１
が収容された状態で複数のバンプ３５が半導体ウエハの
パッドに接触するように配線基板３０と収容容器２０と
を圧着する。その状態で、電気的負荷発生器５０から電
気信号を半導体ウエハ１の各チップに加え、また、ヒー
ター電源６２および冷媒供給源６１から収容容器２０の
冷媒通路２３およびヒーター２４にそれぞれ冷媒を通流
しまたは給電することにより半導体１１に温度的負荷を
与える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハに対
して熱的および電気的スクリーニングを行うバーンイン
装置およびそれに用いるバーンイン用ウエハトレイに関
する。
して熱的および電気的スクリーニングを行うバーンイン
装置およびそれに用いるバーンイン用ウエハトレイに関
する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路（ＩＣ）チップは、半導体ウェ
ハ上に成膜などのプロセスを経て形成され、その後分断
されてパッケージングされることにより製品化されてい
くが、このような半導体デバイスの製造工程では、従来
から、プローブ装置を用いて、半導体ウエハの状態で半
導体デバイスの電気的な特性の試験及び判定を行い、こ
の試験判定の結果良品と判定されたもののみをパッケー
ジング等の後工程に送ることによって生産性の向上を図
っている。
ハ上に成膜などのプロセスを経て形成され、その後分断
されてパッケージングされることにより製品化されてい
くが、このような半導体デバイスの製造工程では、従来
から、プローブ装置を用いて、半導体ウエハの状態で半
導体デバイスの電気的な特性の試験及び判定を行い、こ
の試験判定の結果良品と判定されたもののみをパッケー
ジング等の後工程に送ることによって生産性の向上を図
っている。
【０００３】一方、プロセス中の成膜欠陥などに起因し
てＩＣ内に潜在的な欠陥が含まれることがある。このよ
うなＩＣチップは実装後にやがて欠陥が顕在化してトラ
ブルを起こす確率が高いため、予め過酷な条件下でスト
レスを加速させて欠陥を顕在化させる必要があり、この
ためバーンインテストとよばれるストレス負荷テスト
（スクリーニング）が行われている。
てＩＣ内に潜在的な欠陥が含まれることがある。このよ
うなＩＣチップは実装後にやがて欠陥が顕在化してトラ
ブルを起こす確率が高いため、予め過酷な条件下でスト
レスを加速させて欠陥を顕在化させる必要があり、この
ためバーンインテストとよばれるストレス負荷テスト
（スクリーニング）が行われている。
【０００４】従来バーンインテストは、パッケージされ
たＩＣチップをストレス負荷器内に装着して加熱あるい
は冷却すると共に、ＩＣチップの端子に電圧や検査パル
スを与え、例えば特定の端子から出力されるパルスを測
定することにより行われていた。
たＩＣチップをストレス負荷器内に装着して加熱あるい
は冷却すると共に、ＩＣチップの端子に電圧や検査パル
スを与え、例えば特定の端子から出力されるパルスを測
定することにより行われていた。
【０００５】しかしながら、このようにしてバーンイン
テストを行う場合には、パッケージされたＩＣチップを
ストレス負荷器に装着し、テスト終了後に取り外さなけ
ればならないので作業が面倒であり、このためバーンイ
ンテスト工程全体に要する時間が長く、スループット向
上の妨げの一因になっている。また、パッケージされた
ＩＣをバーンインする従来のシステムでは、搭載する配
線基板が大きいため、装置全体が大きいものとなり、こ
れを設置するための大きなスペースが必要となる。
テストを行う場合には、パッケージされたＩＣチップを
ストレス負荷器に装着し、テスト終了後に取り外さなけ
ればならないので作業が面倒であり、このためバーンイ
ンテスト工程全体に要する時間が長く、スループット向
上の妨げの一因になっている。また、パッケージされた
ＩＣをバーンインする従来のシステムでは、搭載する配
線基板が大きいため、装置全体が大きいものとなり、こ
れを設置するための大きなスペースが必要となる。
【０００６】さらには、大容量の恒温槽を持つことから
発熱量が非常に大きくなり、室温管理上、他のＩＣ製
造、検査工程から隔離されており、そのため運搬作業が
必要となり、生産性の低下を招く原因となる。
発熱量が非常に大きくなり、室温管理上、他のＩＣ製
造、検査工程から隔離されており、そのため運搬作業が
必要となり、生産性の低下を招く原因となる。
【０００７】このような不都合を回避するために、ウエ
ハ状態でバーンインテストを行うことが考えられるが、
ウエハ状態でバーンインテストを行う場合には、極めて
多くの端子が必要であるため、配線が非常に複雑にな
り、ウエハトレイが大きなものとなってしまい、結果と
してバーンイン装置自体がかなり大きなものとなってし
まう。
ハ状態でバーンインテストを行うことが考えられるが、
ウエハ状態でバーンインテストを行う場合には、極めて
多くの端子が必要であるため、配線が非常に複雑にな
り、ウエハトレイが大きなものとなってしまい、結果と
してバーンイン装置自体がかなり大きなものとなってし
まう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、ウエハ状態でバーンイン
テストを行うことができ、しかもコンパクトなバーンイ
ン装置およびそれに用いられるバーンイン用ウエハトレ
イを提供することを課題とする。
鑑みてなされたものであって、ウエハ状態でバーンイン
テストを行うことができ、しかもコンパクトなバーンイ
ン装置およびそれに用いられるバーンイン用ウエハトレ
イを提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体ウエハに電気的負荷および温度的
負荷を与えてスクリーニングを行うバーンイン装置であ
って、半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応した複
数の第１の端子、電気的信号が印加される複数の第２の
端子、およびこれら第１の端子および第２の端子を繋ぐ
複数の配線を有する配線基板と、半導体ウエハを収容す
るための収容部を有しその中に半導体ウエハが収容され
た状態で前記複数の第１の端子が半導体ウエハのパッド
に接触するように前記配線基板に圧着される収容容器
と、前記配線基板の第２の端子に接続され、前記配線お
よび前記第１の端子を介して電気信号を前記半導体ウエ
ハの各チップに印加する電気的信号印加手段と、前記半
導体ウエハの温度を制御する温度制御手段と、を備え、
前記配線基板の第２の端子は、前記収容容器の外側に一
括して配置されている、バーンイン装置を提供する。
に、本発明は、半導体ウエハに電気的負荷および温度的
負荷を与えてスクリーニングを行うバーンイン装置であ
って、半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応した複
数の第１の端子、電気的信号が印加される複数の第２の
端子、およびこれら第１の端子および第２の端子を繋ぐ
複数の配線を有する配線基板と、半導体ウエハを収容す
るための収容部を有しその中に半導体ウエハが収容され
た状態で前記複数の第１の端子が半導体ウエハのパッド
に接触するように前記配線基板に圧着される収容容器
と、前記配線基板の第２の端子に接続され、前記配線お
よび前記第１の端子を介して電気信号を前記半導体ウエ
ハの各チップに印加する電気的信号印加手段と、前記半
導体ウエハの温度を制御する温度制御手段と、を備え、
前記配線基板の第２の端子は、前記収容容器の外側に一
括して配置されている、バーンイン装置を提供する。
【００１０】本発明は、また、半導体ウエハに電気信号
および温度的負荷を与えてスクリーニングを行うバーン
イン装置に用いられるバーンイン用ウエハトレイであっ
て、半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応した複数
の第１の端子、電気的信号が印加される複数の第２の端
子、およびこれら第１の端子および第２の端子を繋ぐ複
数の配線を有する配線基板と、半導体ウエハを収容する
ための収容部を有しその中に半導体ウエハが収容された
状態で前記複数の第１の端子が半導体ウエハのパッドに
接触するように前記配線基板に圧着される収容容器と、
を備え、前記配線基板の第２の端子は、前記収容容器の
外側に一括して配置されている、バーンイン用ウエハト
レイを提供する。
および温度的負荷を与えてスクリーニングを行うバーン
イン装置に用いられるバーンイン用ウエハトレイであっ
て、半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応した複数
の第１の端子、電気的信号が印加される複数の第２の端
子、およびこれら第１の端子および第２の端子を繋ぐ複
数の配線を有する配線基板と、半導体ウエハを収容する
ための収容部を有しその中に半導体ウエハが収容された
状態で前記複数の第１の端子が半導体ウエハのパッドに
接触するように前記配線基板に圧着される収容容器と、
を備え、前記配線基板の第２の端子は、前記収容容器の
外側に一括して配置されている、バーンイン用ウエハト
レイを提供する。
【００１１】本発明は、さらに、半導体ウエハに電気的
負荷および温度的負荷を与えてスクリーニングを行うバ
ーンイン装置であって、半導体ウエハ上の各チップのパ
ッドに対応した複数の第１の端子、電気的信号が印加さ
れる複数の第２の端子、およびこれら第１の端子および
第２の端子を繋ぐ複数の配線を有する配線基板と、半導
体ウエハを収容するための収容部を有しその中に半導体
ウエハが収容された状態で前記複数の第１の端子が半導
体ウエハのパッドに接触するように前記配線基板に圧着
される収容容器と、を備え、前記配線基板の第２の端子
が前記収容容器の外側に一括して配置されている、複数
のウエハトレイと、前記複数のウエハトレイが収容され
るチャンバーと、前記複数のウエハトレイにおける各配
線基板の第２の端子に接続され、これら配線基板の配線
および第１の端子を介して電気信号を各ウエハトレイに
収容された半導体ウエハの各チップに印加する電気的信
号印加手段と、前記複数のウエハトレイ内の各半導体ウ
エハの温度を制御する温度制御手段と、を備えた、バー
ンイン装置を提供する。
負荷および温度的負荷を与えてスクリーニングを行うバ
ーンイン装置であって、半導体ウエハ上の各チップのパ
ッドに対応した複数の第１の端子、電気的信号が印加さ
れる複数の第２の端子、およびこれら第１の端子および
第２の端子を繋ぐ複数の配線を有する配線基板と、半導
体ウエハを収容するための収容部を有しその中に半導体
ウエハが収容された状態で前記複数の第１の端子が半導
体ウエハのパッドに接触するように前記配線基板に圧着
される収容容器と、を備え、前記配線基板の第２の端子
が前記収容容器の外側に一括して配置されている、複数
のウエハトレイと、前記複数のウエハトレイが収容され
るチャンバーと、前記複数のウエハトレイにおける各配
線基板の第２の端子に接続され、これら配線基板の配線
および第１の端子を介して電気信号を各ウエハトレイに
収容された半導体ウエハの各チップに印加する電気的信
号印加手段と、前記複数のウエハトレイ内の各半導体ウ
エハの温度を制御する温度制御手段と、を備えた、バー
ンイン装置を提供する。
【００１２】本発明によれば、半導体ウエハ上の各チッ
プのパッドに対応した複数の端子を有する配線基板と、
半導体ウエハを収容するための収容部を有する収容容器
とを、その収容部の中に半導体ウエハが収容された状態
で前記複数の端子が半導体ウエハのパッドに接触するよ
うに圧着してバーンインテストを行うにあたり、前記配
線基板の電気信号が印加される配線端子が前記収容容器
の外側に一括して配置され、半導体ウエハに対応する部
分周辺に存在しないので、収容容器および配線基板の面
積を著しく小さくすることができる。従って、半導体ウ
エハの状態でバーンインテストを行うためのウエハトレ
イをコンパクト化することができ、ひいてはバーンイン
装置自体をコンパクト化することができる。
プのパッドに対応した複数の端子を有する配線基板と、
半導体ウエハを収容するための収容部を有する収容容器
とを、その収容部の中に半導体ウエハが収容された状態
で前記複数の端子が半導体ウエハのパッドに接触するよ
うに圧着してバーンインテストを行うにあたり、前記配
線基板の電気信号が印加される配線端子が前記収容容器
の外側に一括して配置され、半導体ウエハに対応する部
分周辺に存在しないので、収容容器および配線基板の面
積を著しく小さくすることができる。従って、半導体ウ
エハの状態でバーンインテストを行うためのウエハトレ
イをコンパクト化することができ、ひいてはバーンイン
装置自体をコンパクト化することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明する。図１は本発明の一実施形態に係る
バーンイン装置を示す断面図である。このバーンイン装
置は半導体ウエハを保持するウエハトレイ１０を有し、
このウエハトレイ１０は、半導体ウエハが収容される収
容容器２０と、半導体ウエハ上の各チップのパッドに対
応した複数の端子を有する配線基板３０とを有してい
る。そして、収容容器２０内に半導体ウエハを収容した
状態で、これら収容容器２０と配線基板３０とが圧着さ
れる。
て具体的に説明する。図１は本発明の一実施形態に係る
バーンイン装置を示す断面図である。このバーンイン装
置は半導体ウエハを保持するウエハトレイ１０を有し、
このウエハトレイ１０は、半導体ウエハが収容される収
容容器２０と、半導体ウエハ上の各チップのパッドに対
応した複数の端子を有する配線基板３０とを有してい
る。そして、収容容器２０内に半導体ウエハを収容した
状態で、これら収容容器２０と配線基板３０とが圧着さ
れる。
【００１４】収容容器２０は金属またはセラミックで形
成され、半導体ウエハを収容する収容部としての凹部２
１を有しており、その凹部２１に半導体ウエハ１がクッ
ション材２を介して収容される。クッション材２として
は、例えば、シリコーンゴム、発泡ゴム、発泡ウレタン
等のエラストマが用いられる。
成され、半導体ウエハを収容する収容部としての凹部２
１を有しており、その凹部２１に半導体ウエハ１がクッ
ション材２を介して収容される。クッション材２として
は、例えば、シリコーンゴム、発泡ゴム、発泡ウレタン
等のエラストマが用いられる。
【００１５】収容容器２０の背面部２２には、冷媒が通
流する冷媒通路２３が形成されており、加熱源としての
ヒーター２４が埋設されている。また、そこには凹部２
１に連通する排気路２５が形成されている。さらに、収
容容器２０の配線基板３０と圧着される部分には気密状
態を保つためのシール材２６が設けられている。
流する冷媒通路２３が形成されており、加熱源としての
ヒーター２４が埋設されている。また、そこには凹部２
１に連通する排気路２５が形成されている。さらに、収
容容器２０の配線基板３０と圧着される部分には気密状
態を保つためのシール材２６が設けられている。
【００１６】配線基板３０は、ガラス基板３１の上に設
けられており、例えばポリイミドで形成された樹脂層３
２および例えば銅で形成された配線層３３（図では便宜
上１層のみ示しているが通常は多層）を有している。配
線基板３０の半導体ウエハ１と対向する面には、半導体
ウエハ１上の各チップのパッドに対応する複数のバンプ
３５が形成されている。
けられており、例えばポリイミドで形成された樹脂層３
２および例えば銅で形成された配線層３３（図では便宜
上１層のみ示しているが通常は多層）を有している。配
線基板３０の半導体ウエハ１と対向する面には、半導体
ウエハ１上の各チップのパッドに対応する複数のバンプ
３５が形成されている。
【００１７】この配線基板３０は、例えば従来のマルチ
チップモジュールの製造方法によって製造することがで
き、配線層３３は通常のフォトリソグラフィーの技術で
パターン形成することができる。配線基板３０は図２に
示すように樹脂層３２と配線層３３とが多層に積層され
た多層配線で構成されており、各配線はインピーダンス
制御されている。
チップモジュールの製造方法によって製造することがで
き、配線層３３は通常のフォトリソグラフィーの技術で
パターン形成することができる。配線基板３０は図２に
示すように樹脂層３２と配線層３３とが多層に積層され
た多層配線で構成されており、各配線はインピーダンス
制御されている。
【００１８】なお、基板３１は、熱膨張係数が半導体ウ
エハ１を構成するシリコンと同程度であることが好まし
く、熱膨張係数が半導体ウエハ（すなわちシリコン）と
同程度の材料であればガラス基板に限るものではない。
基板３１を半導体ウエハと同程度の熱膨張係数を有する
材料で形成することにより、熱が加えられた場合に両者
を同等の変化量にすることができ、熱応力歪等の発生を
抑制することができる。このため、ＩＣの破壊を防止す
ることができるので歩留りを向上させることができる。
エハ１を構成するシリコンと同程度であることが好まし
く、熱膨張係数が半導体ウエハ（すなわちシリコン）と
同程度の材料であればガラス基板に限るものではない。
基板３１を半導体ウエハと同程度の熱膨張係数を有する
材料で形成することにより、熱が加えられた場合に両者
を同等の変化量にすることができ、熱応力歪等の発生を
抑制することができる。このため、ＩＣの破壊を防止す
ることができるので歩留りを向上させることができる。
【００１９】また、配線基板３０は、その一端が収容容
器２０の外側に延出しており、その端部に多数の配線端
子３６が一括して配列されている。この配線端子３６は
半導体ウエハ１の多数のパッドに対応する多数のバンプ
３５からの配線に接続されており、これら配線端子３６
にはコネクタ４０の導体部４１が接続可能となってい
る。なお、実際にテストが行われる場合には、コネクタ
４０が適宜の手段により、配線基板３０に固定される。
器２０の外側に延出しており、その端部に多数の配線端
子３６が一括して配列されている。この配線端子３６は
半導体ウエハ１の多数のパッドに対応する多数のバンプ
３５からの配線に接続されており、これら配線端子３６
にはコネクタ４０の導体部４１が接続可能となってい
る。なお、実際にテストが行われる場合には、コネクタ
４０が適宜の手段により、配線基板３０に固定される。
【００２０】コネクタ４０の他端には電気信号発生器５
０が接続されており、この電気信号発生器５０から所定
の電気信号が配線基板３０の配線およびバンプ３５を通
って、半導体ウエハ１上の各チップに印加される。
０が接続されており、この電気信号発生器５０から所定
の電気信号が配線基板３０の配線およびバンプ３５を通
って、半導体ウエハ１上の各チップに印加される。
【００２１】また、前記冷媒通路２３には冷媒供給管２
７を介して冷媒供給源６１が接続されており、また、前
記ヒータ２４にはコネクタ２９を介してヒーター電源６
２が接続されている。そして、これらは温度制御手段を
構成しており、これらにより半導体ウエハ１に温度的負
荷が付与される。
７を介して冷媒供給源６１が接続されており、また、前
記ヒータ２４にはコネクタ２９を介してヒーター電源６
２が接続されている。そして、これらは温度制御手段を
構成しており、これらにより半導体ウエハ１に温度的負
荷が付与される。
【００２２】これら電気信号発生器５０、冷媒供給源６
１およびヒーター電源６２は、コントローラ７０に接続
されており、バーンインテストのレシピに基づいてコン
トローラ７０により制御される。
１およびヒーター電源６２は、コントローラ７０に接続
されており、バーンインテストのレシピに基づいてコン
トローラ７０により制御される。
【００２３】前記排気路２５は排気管２８を介して排気
装置８０に接続されており、シール材２６を介して収容
容器２０および配線基板３０を圧接した状態で、排気装
置８０により収容容器２０の凹部２１内を排気すること
により、これらが圧着され、図３に示すようにこれらが
一体化した状態となる。
装置８０に接続されており、シール材２６を介して収容
容器２０および配線基板３０を圧接した状態で、排気装
置８０により収容容器２０の凹部２１内を排気すること
により、これらが圧着され、図３に示すようにこれらが
一体化した状態となる。
【００２４】以上のように構成されるバーンイン装置に
おいては、まず、図１に示す状態から収容容器２０また
は基板３１と一体化された配線基板３０を移動させて、
シール材２６を介してこれらを所定の位置に位置決めし
た状態で合わせる。
おいては、まず、図１に示す状態から収容容器２０また
は基板３１と一体化された配線基板３０を移動させて、
シール材２６を介してこれらを所定の位置に位置決めし
た状態で合わせる。
【００２５】次いで、排気装置８０により収容容器２０
の凹部２１内を排気して収容容器２０と配線基板３０と
を圧着する。この状態では半導体ウエハ１上の各チップ
のパッドが配線基板３０の対応するバンプ３５に接触し
ている。
の凹部２１内を排気して収容容器２０と配線基板３０と
を圧着する。この状態では半導体ウエハ１上の各チップ
のパッドが配線基板３０の対応するバンプ３５に接触し
ている。
【００２６】その後、予め設定されたレシピに基づくコ
ントローラ７０の指令により、電気的負荷発生器５０か
らコネクタ４０および配線端子３６を介して半導体ウエ
ハ１上の各チップに所定の電気的負荷を印加するととも
に、冷媒供給源６１から冷媒通路２３に冷媒を供給する
か、またはヒーター電源６２からヒーター２４に給電す
ることにより所定の温度的負荷を付与する。
ントローラ７０の指令により、電気的負荷発生器５０か
らコネクタ４０および配線端子３６を介して半導体ウエ
ハ１上の各チップに所定の電気的負荷を印加するととも
に、冷媒供給源６１から冷媒通路２３に冷媒を供給する
か、またはヒーター電源６２からヒーター２４に給電す
ることにより所定の温度的負荷を付与する。
【００２７】この場合に、配線基板３０の電気信号が印
加される配線端子が前記収容容器の外側に一括して配置
され、半導体ウエハ１の周囲部分には存在しないので、
収容容器２０および配線基板３０の面積を著しく小さく
することができる。従って、半導体ウエハの状態でバー
ンインを行うためのウエハトレイ１０をコンパクト化す
ることができ、ひいてはバーンイン装置自体をコンパク
ト化することができる。また、配線基板上でバーンイン
を行うことが可能であるため、バーンイン操作を簡単に
行うことができる。
加される配線端子が前記収容容器の外側に一括して配置
され、半導体ウエハ１の周囲部分には存在しないので、
収容容器２０および配線基板３０の面積を著しく小さく
することができる。従って、半導体ウエハの状態でバー
ンインを行うためのウエハトレイ１０をコンパクト化す
ることができ、ひいてはバーンイン装置自体をコンパク
ト化することができる。また、配線基板上でバーンイン
を行うことが可能であるため、バーンイン操作を簡単に
行うことができる。
【００２８】次に、本発明のバーンイン装置に用いられ
るウエハトレイの他の態様について説明する。この態様
においてはウエハトレイにおけるクッション材２の位置
が従前の態様とは異なる。すなわち、この態様のウエハ
トレイ１０ａは、図４に示すように、クッション材２が
配線基板３０とガラス基板３１との間に配された構造を
有している。このような構成により、ウエハ１を固定し
た状態で配線基板３０をフレキシブルにして位置合せが
できるので、ウエハ１を動かす必要がなく、高精度で位
置合せすることができる。
るウエハトレイの他の態様について説明する。この態様
においてはウエハトレイにおけるクッション材２の位置
が従前の態様とは異なる。すなわち、この態様のウエハ
トレイ１０ａは、図４に示すように、クッション材２が
配線基板３０とガラス基板３１との間に配された構造を
有している。このような構成により、ウエハ１を固定し
た状態で配線基板３０をフレキシブルにして位置合せが
できるので、ウエハ１を動かす必要がなく、高精度で位
置合せすることができる。
【００２９】次に、以上説明したバーンイン装置の実際
の応用例について説明する。図５はその応用例としての
バーンインテストユニットを説明するための図であり、
上述したバーンイン用ウエハトレイ１０を複数並置し、
これらの中に収容した半導体ウエハに対して一括してバ
ーンインテストを行うものである。
の応用例について説明する。図５はその応用例としての
バーンインテストユニットを説明するための図であり、
上述したバーンイン用ウエハトレイ１０を複数並置し、
これらの中に収容した半導体ウエハに対して一括してバ
ーンインテストを行うものである。
【００３０】このバーンインテストユニットは、複数
（図では５個）のバーンイン用トレイと、これらを収容
する恒温槽９０と、ヒーター電源、電気信号発生器およ
びコントローラを一括して収容する電気的ユニット１０
０と、冷媒を各トレイに供給するための冷媒供給装置１
１０と、各トレイ内の凹部２１を排気する排気装置１２
０とを備えている。
（図では５個）のバーンイン用トレイと、これらを収容
する恒温槽９０と、ヒーター電源、電気信号発生器およ
びコントローラを一括して収容する電気的ユニット１０
０と、冷媒を各トレイに供給するための冷媒供給装置１
１０と、各トレイ内の凹部２１を排気する排気装置１２
０とを備えている。
【００３１】電気的ユニット１００内のヒーター用電源
からは給電線１０１およびコネクタ２９を介して各ウエ
ハトレイ１０のヒーターに給電される。また、電気的ユ
ニット１００内の電気信号発生器からは配線１０２、コ
ネクタおよび配線基板を介して、各ウエハトレイ１０内
の半導体ウエハの対応するチップに所定の電気信号が印
加される。
からは給電線１０１およびコネクタ２９を介して各ウエ
ハトレイ１０のヒーターに給電される。また、電気的ユ
ニット１００内の電気信号発生器からは配線１０２、コ
ネクタおよび配線基板を介して、各ウエハトレイ１０内
の半導体ウエハの対応するチップに所定の電気信号が印
加される。
【００３２】冷媒供給装置１１０からは、冷媒供給配管
１１１および冷媒供給管２７を介して、各ウエハトレイ
内に冷媒が供給される。また、排気装置１２０は、排気
管２８および排気用配管１２１を介して、各ウエハトレ
イ内の凹部を一括して排気できるように構成されてい
る。
１１１および冷媒供給管２７を介して、各ウエハトレイ
内に冷媒が供給される。また、排気装置１２０は、排気
管２８および排気用配管１２１を介して、各ウエハトレ
イ内の凹部を一括して排気できるように構成されてい
る。
【００３３】このように構成されるバーンインテストユ
ニットによれば、複数の半導体ウエハのバーンインテス
トを一括して行うことができるので極めて高効率であ
り、また電気的ユニット、冷媒供給装置、排気装置を共
通化することができるので全体の装置構成がコンパクト
化される。
ニットによれば、複数の半導体ウエハのバーンインテス
トを一括して行うことができるので極めて高効率であ
り、また電気的ユニット、冷媒供給装置、排気装置を共
通化することができるので全体の装置構成がコンパクト
化される。
【００３４】上記態様においては、収容容器内に冷媒通
路およびヒーターを設けたが、必ずしもこれらが設けら
れていることが必要ではない。このような例を、図６を
参照して説明する。この図に示すように温度コントロー
ル機構を有しないウエハトレイ１０ｂを用い、複数枚の
トレイ１０ｂを温度コントロール可能なチャンバー１３
０内に設置し、温度コントローラ１４０によりチャンバ
ー１３０内の温度を制御し、複数のトレイ１０ｂ内の各
半導体ウエハに対する温度負荷の付与を一括して行うよ
うにすることも可能である。そして、この場合には、電
気信号発生器１５０から各トレイ内の半導体ウエハに一
括して電気的負荷が付与される。
路およびヒーターを設けたが、必ずしもこれらが設けら
れていることが必要ではない。このような例を、図６を
参照して説明する。この図に示すように温度コントロー
ル機構を有しないウエハトレイ１０ｂを用い、複数枚の
トレイ１０ｂを温度コントロール可能なチャンバー１３
０内に設置し、温度コントローラ１４０によりチャンバ
ー１３０内の温度を制御し、複数のトレイ１０ｂ内の各
半導体ウエハに対する温度負荷の付与を一括して行うよ
うにすることも可能である。そして、この場合には、電
気信号発生器１５０から各トレイ内の半導体ウエハに一
括して電気的負荷が付与される。
【００３５】また、この際に使用するウエハトレイとし
ては、図７に示すような構造を有するものを用いること
ができる。すなわち、このウエハトレイ１０ｃは、温度
コントロール機能を有しない収容容器２０´と、配線基
板３０´とを備えており、配線基板３０´の収容容器２
０´外側に延出した端部には複数の配線端子３６´を有
する差し込み式の配線端子部３６ａを有している。さら
に、収容容器２０´の配線端子側端部には排気管２８´
が設けられている。
ては、図７に示すような構造を有するものを用いること
ができる。すなわち、このウエハトレイ１０ｃは、温度
コントロール機能を有しない収容容器２０´と、配線基
板３０´とを備えており、配線基板３０´の収容容器２
０´外側に延出した端部には複数の配線端子３６´を有
する差し込み式の配線端子部３６ａを有している。さら
に、収容容器２０´の配線端子側端部には排気管２８´
が設けられている。
【００３６】このようなウエハトレイ１０ｃは、図８に
示すように、チャンバー２００内に収容される。このチ
ャンバー２００は、各ウエハトレイ１０ｃが挿入される
複数の凹部２０１を有しており、それらの底部にはそれ
ぞれウエハトレイ１０ｃの配線端子部３６ａが差し込ま
れるソケット２０２が設けられている。
示すように、チャンバー２００内に収容される。このチ
ャンバー２００は、各ウエハトレイ１０ｃが挿入される
複数の凹部２０１を有しており、それらの底部にはそれ
ぞれウエハトレイ１０ｃの配線端子部３６ａが差し込ま
れるソケット２０２が設けられている。
【００３７】各凹部２０１の底部にはまた排気管２８´
が嵌め込まれる排気口（図示せず）が設けられており、
これら孔はパイプ１８１を介して排気装置１８０に接続
されており、この排気装置１８０により挿入された複数
のウエハトレイ１０ｃの収容容器２０´内を一括して排
気することができる。
が嵌め込まれる排気口（図示せず）が設けられており、
これら孔はパイプ１８１を介して排気装置１８０に接続
されており、この排気装置１８０により挿入された複数
のウエハトレイ１０ｃの収容容器２０´内を一括して排
気することができる。
【００３８】チャンバー２００の内部には加熱装置およ
び冷却装置が内蔵されており、温度コントローラ１６０
によりこれらを制御することにより、複数のトレイ１０
ｃ内の各半導体ウエハに対する温度負荷の付与を一括し
て行うことができる。また、信号発生器１７０から各ト
レイ内の半導体ウエハに一括して電気的負荷が付与され
る。
び冷却装置が内蔵されており、温度コントローラ１６０
によりこれらを制御することにより、複数のトレイ１０
ｃ内の各半導体ウエハに対する温度負荷の付与を一括し
て行うことができる。また、信号発生器１７０から各ト
レイ内の半導体ウエハに一括して電気的負荷が付与され
る。
【００３９】このような構成を採用することにより、複
数のウエハトレイ１０ｃをチャンバー２００に差し込む
だけでバーンインテストを行うことができ、極めて簡便
であり、全体の装置構成もよりコンパクトなものにな
る。なお、上記各態様において、配線基板としてマルチ
チップモジュールを応用したものを用いたが、これにか
ぎらず種々のものを使用することができる。
数のウエハトレイ１０ｃをチャンバー２００に差し込む
だけでバーンインテストを行うことができ、極めて簡便
であり、全体の装置構成もよりコンパクトなものにな
る。なお、上記各態様において、配線基板としてマルチ
チップモジュールを応用したものを用いたが、これにか
ぎらず種々のものを使用することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応した複数の端
子を有する配線基板と、半導体ウエハを収容するための
凹部を有する収容容器とを、その凹部の中に半導体ウエ
ハが収容された状態で前記複数の端子が半導体ウエハの
パッドに接触するように圧着してバーンインテストを行
うにあたり、前記配線基板の電気信号が印加される配線
端子が前記収容容器の外側に一括して配置されているの
で、収容容器および配線基板の面積を小さくすることが
できる。従って、半導体ウエハの状態でバーンインテス
トを行うためのウエハトレイをコンパクト化することが
でき、ひいてはバーンイン装置自体をコンパクト化する
ことができる。
半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応した複数の端
子を有する配線基板と、半導体ウエハを収容するための
凹部を有する収容容器とを、その凹部の中に半導体ウエ
ハが収容された状態で前記複数の端子が半導体ウエハの
パッドに接触するように圧着してバーンインテストを行
うにあたり、前記配線基板の電気信号が印加される配線
端子が前記収容容器の外側に一括して配置されているの
で、収容容器および配線基板の面積を小さくすることが
できる。従って、半導体ウエハの状態でバーンインテス
トを行うためのウエハトレイをコンパクト化することが
でき、ひいてはバーンイン装置自体をコンパクト化する
ことができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るバーンイン装置を示
す断面図。
す断面図。
【図２】本発明のバーンイン装置の配線基板として用い
られる多層配線基板を模式的に示す図。
られる多層配線基板を模式的に示す図。
【図３】図１のバーンイン装置の主要部をなすバーンイ
ン用ウエハトレイの一態様を示す斜視図。
ン用ウエハトレイの一態様を示す斜視図。
【図４】本発明のバーンイン装置の主要部をなすバーン
イン用ウエハトレイの他の態様を示す断面図。
イン用ウエハトレイの他の態様を示す断面図。
【図５】本発明のバーンイン装置の応用例としてのバー
ンインテストユニットを示す斜視図。
ンインテストユニットを示す斜視図。
【図６】本発明の他の実施形態に係るバーンイン装置を
示す断面図。
示す断面図。
【図７】本発明のさらに他の実施形態に係るバーンイン
用ウエハトレイを示す斜視図。
用ウエハトレイを示す斜視図。
【図８】図７に示すウエハトレイが適用されるバーンイ
ン装置を模式的に示す図。
ン装置を模式的に示す図。
１……半導体ウエハ １０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ……バーンイン用ウエハ
トレイ ２０、２０´……収容容器 ２１……凹部（収容部） ２２……背面部 ２３……冷媒通路 ２４……ヒータ ２５……排気路 ２６……シール材 ３０、３０´……配線基板 ３１……ガラス基板 ３２……樹脂層 ３３……配線層 ３５……バンプ ３６、３６´……配線端子 ３６ａ……配線端子部 ４０……コネクター ４１……導体部 ５０……電気信号発生器 ６１……冷媒供給源 ６２……ヒーター電源 ７０……コントローラ ８０……排気装置 ９０……恒温槽 １００……電気的ユニット １１０……冷媒供給装置 １２０……排気装置
トレイ ２０、２０´……収容容器 ２１……凹部（収容部） ２２……背面部 ２３……冷媒通路 ２４……ヒータ ２５……排気路 ２６……シール材 ３０、３０´……配線基板 ３１……ガラス基板 ３２……樹脂層 ３３……配線層 ３５……バンプ ３６、３６´……配線端子 ３６ａ……配線端子部 ４０……コネクター ４１……導体部 ５０……電気信号発生器 ６１……冷媒供給源 ６２……ヒーター電源 ７０……コントローラ ８０……排気装置 ９０……恒温槽 １００……電気的ユニット １１０……冷媒供給装置 １２０……排気装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ
Claims (21)
- 【請求項１】 半導体ウエハに電気的負荷および温度的
負荷を与えてスクリーニングを行うバーンイン装置であ
って、 半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応した複数の第
１の端子、電気的信号が印加される複数の第２の端子、
およびこれら第１の端子および第２の端子を繋ぐ複数の
配線を有する配線基板と、 半導体ウエハを収容するための収容部を有しその中に半
導体ウエハが収容された状態で前記複数の第１の端子が
半導体ウエハのパッドに接触するように前記配線基板に
圧着される収容容器と、 前記配線基板の第２の端子に接続され、前記配線および
前記第１の端子を介して電気信号を前記半導体ウエハの
各チップに印加する電気的信号印加手段と、 前記半導体ウエハの温度を制御する温度制御手段と、を
備え、 前記配線基板の第２の端子は、前記収容容器の外側に一
括して配置されていることを特徴とするバーンイン装
置。 - 【請求項２】 前記配線基板は多層構造を有しているこ
とを特徴とする請求項１に記載のバーンイン装置。 - 【請求項３】 前記収容容器と前記配線基板とを合わせ
た状態で前記収容部内を排気して、これらを圧着する排
気手段をさらに有することを特徴とする請求項１または
請求項２に記載のバーンイン装置。 - 【請求項４】 前記温度的負荷付与手段は、前記収容容
器に設けられた、冷媒通路およびヒーターを有すること
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に
記載のバーンイン装置。 - 【請求項５】 前記配線基板を支持する基体をさらに有
することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれ
か１項に記載のバーンイン装置。 - 【請求項６】 前記基体は、半導体ウエハとほぼ同等の
熱膨張率を有することを特徴とする請求項５に記載のバ
ーンイン装置。 - 【請求項７】 前記収容容器と半導体ウエハとの間に設
けられたクッション材を有することを特徴とする請求項
１ないし請求項６のいずれか１項に記載のバーンイン装
置。 - 【請求項８】 前記配線基板と前記基体との間にクッシ
ョン材を有することを特徴とする請求項５または請求項
６に記載のバーンイン装置。 - 【請求項９】 半導体ウエハに電気信号および温度的負
荷を与えてスクリーニングを行うバーンイン装置に用い
られるバーンイン用ウエハトレイであって、 半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応した複数の第
１の端子、電気的信号が印加される複数の第２の端子、
およびこれら第１の端子および第２の端子を繋ぐ複数の
配線を有する配線基板と、 半導体ウエハを収容するための収容部を有しその中に半
導体ウエハが収容された状態で前記複数の第１の端子が
半導体ウエハのパッドに接触するように前記配線基板に
圧着される収容容器と、を備え、 前記配線基板の第２の端子は、前記収容容器の外側に一
括して配置されていることを特徴とするバーンイン用ウ
エハトレイ。 - 【請求項１０】 前記配線基板は多層構造を有している
ことを特徴とする請求項９に記載のバーンイン用ウエハ
トレイ。 - 【請求項１１】 前記収容容器と前記配線基板とを合わ
せた状態で前記収容部内を排気するための排気部をさら
に有することを特徴とする請求項９または請求項１０に
記載のバーンイン用ウエハトレイ。 - 【請求項１２】 前記収容容器は、冷媒通路およびヒー
ターを有することを特徴とする請求項９ないし請求項１
２のいずれか１項に記載のバーンイン用ウエハトレイ。 - 【請求項１３】 前記配線基板を支持する基体をさらに
有することを特徴とする請求項９ないし請求項１２に記
載のバーンイン用ウエハトレイ。 - 【請求項１４】 前記基体は、半導体ウエハとほぼ同等
の熱膨張率を有することを特徴とする請求項１３に記載
のバーンイン用ウエハトレイ。 - 【請求項１５】 前記収容容器と半導体ウエハとの間に
設けられたクッション材を有することを特徴とする請求
項９ないし請求項１４に記載のバーンイン用ウエハトレ
イ。 - 【請求項１６】 前記配線基板と前記基体との間にクッ
ション材を有することを特徴とする請求項１３または請
求項１４に記載のバーンイン用ウエハトレイ。 - 【請求項１７】 前記配線基板は、複数の第２の端子が
形成された差し込み式の配線端子部を有することを特徴
とする請求項９ないし請求項１６のいずれか１項に記載
のバーンイン用ウエハトレイ。 - 【請求項１８】 前記排気部は前記収容容器の配線端子
側端部に設けられていることを特徴とする請求項１７に
記載のバーンイン用ウエハトレイ。 - 【請求項１９】 半導体ウエハに電気的負荷および温度
的負荷を与えてスクリーニングを行うバーンイン装置で
あって、 半導体ウエハ上の各チップのパッドに対応した複数の第
１の端子、電気的信号が印加される複数の第２の端子、
およびこれら第１の端子および第２の端子を繋ぐ複数の
配線を有する配線基板と、半導体ウエハを収容するため
の収容部を有しその中に半導体ウエハが収容された状態
で前記複数の第１の端子が半導体ウエハのパッドに接触
するように前記配線基板に圧着される収容容器と、を備
え、前記配線基板の第２の端子が前記収容容器の外側に
一括して配置されている、複数のウエハトレイと、 前記複数のウエハトレイが収容されるチャンバーと、 前記複数のウエハトレイにおける各配線基板の第２の端
子に接続され、これら配線基板の配線および第１の端子
を介して電気信号を各ウエハトレイに収容された半導体
ウエハの各チップに印加する電気的信号印加手段と、 前記複数のウエハトレイ内の各半導体ウエハの温度を制
御する温度制御手段と、を備えたことを特徴とするバー
ンイン装置。 - 【請求項２０】 前記各ウエハトレイの収容部内を一括
して排気する排気手段をさらに有することを特徴とする
請求項１９に記載のバーンイン装置。 - 【請求項２１】 前記各ウエハトレイの配線基板は前記
複数の第２の端子が形成された差し込み式の配線端子部
を有し、前記チャンバーにはこれら配線端子部が差し込
まれる複数の差し込み部を有することを特徴とする請求
項１９または請求項２０に記載のバーンイン装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8273396A JPH08340030A (ja) | 1995-04-13 | 1996-04-04 | バーンイン装置およびバーンイン用ウエハトレイ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-88000 | 1995-04-13 | ||
| JP8800095 | 1995-04-13 | ||
| JP8273396A JPH08340030A (ja) | 1995-04-13 | 1996-04-04 | バーンイン装置およびバーンイン用ウエハトレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340030A true JPH08340030A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=26423744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8273396A Pending JPH08340030A (ja) | 1995-04-13 | 1996-04-04 | バーンイン装置およびバーンイン用ウエハトレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08340030A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084215A (en) * | 1997-11-05 | 2000-07-04 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer holder with spring-mounted temperature measurement apparatus disposed therein |
| US6239602B1 (en) | 1998-06-02 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Limited | Temperature managing apparatus for multi-stage container |
| US6268740B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | System for testing semiconductor device formed on semiconductor wafer |
| US6307390B1 (en) | 1998-04-13 | 2001-10-23 | Tokyo Electron Limited | Aligner and method for inspecting semiconductor wafer using shell |
| US6466046B1 (en) | 1998-12-18 | 2002-10-15 | Fujitsu Limited | Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor |
| US6518779B1 (en) | 1997-10-20 | 2003-02-11 | Matsushita Electrical Industrial Do., Ltd. | Probe card |
| JP2007526636A (ja) * | 2004-02-16 | 2007-09-13 | デルタ デザイン インコーポレーティッド | Ｉｃチップの温度を設定温度近くに維持するためのデュアルフィードバック制御システム |
| JP2007306010A (ja) * | 2007-06-04 | 2007-11-22 | Tokyo Electron Ltd | シェル |
| JP2010524235A (ja) * | 2007-04-05 | 2010-07-15 | エイアー テスト システムズ | 熱膨張係数の異なる信号分配ボード及びウェハチャックをもつエレクトロニックテスター |
| JP2010527515A (ja) * | 2007-05-15 | 2010-08-12 | ロナルド・シー・シューバート | ウェーハプローブ試験および検査システム |
| US8456186B2 (en) | 2001-11-30 | 2013-06-04 | Tokyo Electron Limited | Reliability evaluation test apparatus, reliability evaluation test system, contactor, and reliability evaluation test method |
| JP2020145260A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持台、検査装置、及び、検査方法 |
| US11448695B2 (en) | 2007-12-19 | 2022-09-20 | Aehr Test Systems | System for testing an integrated circuit of a device and its method of use |
| US11592465B2 (en) | 2009-03-25 | 2023-02-28 | Aehr Test Systems | Pressure relief valve |
| US11635459B2 (en) | 2017-03-03 | 2023-04-25 | Aehr Test Systems | Electronics tester |
| US11835575B2 (en) | 2020-10-07 | 2023-12-05 | Aehr Test Systems | Electronics tester |
| US11860221B2 (en) | 2005-04-27 | 2024-01-02 | Aehr Test Systems | Apparatus for testing electronic devices |
| US12007451B2 (en) | 2016-01-08 | 2024-06-11 | Aehr Test Systems | Method and system for thermal control of devices in an electronics tester |
-
1996
- 1996-04-04 JP JP8273396A patent/JPH08340030A/ja active Pending
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518779B1 (en) | 1997-10-20 | 2003-02-11 | Matsushita Electrical Industrial Do., Ltd. | Probe card |
| US6084215A (en) * | 1997-11-05 | 2000-07-04 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer holder with spring-mounted temperature measurement apparatus disposed therein |
| US6307390B1 (en) | 1998-04-13 | 2001-10-23 | Tokyo Electron Limited | Aligner and method for inspecting semiconductor wafer using shell |
| US6268740B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-07-31 | Tokyo Electron Limited | System for testing semiconductor device formed on semiconductor wafer |
| US6239602B1 (en) | 1998-06-02 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Limited | Temperature managing apparatus for multi-stage container |
| US6466046B1 (en) | 1998-12-18 | 2002-10-15 | Fujitsu Limited | Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor |
| US6603325B2 (en) | 1998-12-18 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor |
| US6781395B2 (en) | 1998-12-18 | 2004-08-24 | Fujitsu Limited | Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor |
| US8456186B2 (en) | 2001-11-30 | 2013-06-04 | Tokyo Electron Limited | Reliability evaluation test apparatus, reliability evaluation test system, contactor, and reliability evaluation test method |
| JP4651626B2 (ja) * | 2004-02-16 | 2011-03-16 | デルタ デザイン インコーポレーティッド | Ｉｃチップの温度を設定温度近くに維持するためのデュアルフィードバック制御システム |
| JP2007526636A (ja) * | 2004-02-16 | 2007-09-13 | デルタ デザイン インコーポレーティッド | Ｉｃチップの温度を設定温度近くに維持するためのデュアルフィードバック制御システム |
| US11860221B2 (en) | 2005-04-27 | 2024-01-02 | Aehr Test Systems | Apparatus for testing electronic devices |
| JP2014057084A (ja) * | 2007-04-05 | 2014-03-27 | Aehr Test Systems | 熱膨張係数の異なる信号分配ボード及びウェハチャックをもつエレクトロニックテスター |
| JP2019153813A (ja) * | 2007-04-05 | 2019-09-12 | エイアー テスト システムズ | 熱チャック内の二重螺旋熱制御通路を有するエレクトロニックテスター |
| JP2010524235A (ja) * | 2007-04-05 | 2010-07-15 | エイアー テスト システムズ | 熱膨張係数の異なる信号分配ボード及びウェハチャックをもつエレクトロニックテスター |
| JP2015073119A (ja) * | 2007-04-05 | 2015-04-16 | エイアー テスト システムズ | 熱膨張係数の異なる信号分配ボード及びウェハチャックをもつエレクトロニックテスター |
| JP2017041640A (ja) * | 2007-04-05 | 2017-02-23 | エイアー テスト システムズ | ポータブルパックのコンポーネント内に一体に形成されたバルブを有するエレクトロニックテスター |
| US9857418B2 (en) | 2007-04-05 | 2018-01-02 | Aehr Test Systems | Electronics tester with group and individual current configurations |
| US10151793B2 (en) | 2007-04-05 | 2018-12-11 | Aehr Test Systems | Electronics tester with double-spiral thermal control passage in a thermal chuck |
| US10976362B2 (en) | 2007-04-05 | 2021-04-13 | Aehr Test Systems | Electronics tester with power saving state |
| US10718808B2 (en) | 2007-04-05 | 2020-07-21 | Aehr Test Systems | Electronics tester with current amplification |
| JP2010527515A (ja) * | 2007-05-15 | 2010-08-12 | ロナルド・シー・シューバート | ウェーハプローブ試験および検査システム |
| JP2007306010A (ja) * | 2007-06-04 | 2007-11-22 | Tokyo Electron Ltd | シェル |
| US11448695B2 (en) | 2007-12-19 | 2022-09-20 | Aehr Test Systems | System for testing an integrated circuit of a device and its method of use |
| US11592465B2 (en) | 2009-03-25 | 2023-02-28 | Aehr Test Systems | Pressure relief valve |
| US11977098B2 (en) | 2009-03-25 | 2024-05-07 | Aehr Test Systems | System for testing an integrated circuit of a device and its method of use |
| US12007451B2 (en) | 2016-01-08 | 2024-06-11 | Aehr Test Systems | Method and system for thermal control of devices in an electronics tester |
| US11635459B2 (en) | 2017-03-03 | 2023-04-25 | Aehr Test Systems | Electronics tester |
| US11821940B2 (en) | 2017-03-03 | 2023-11-21 | Aehr Test Systems | Electronics tester |
| JP2020145260A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板保持台、検査装置、及び、検査方法 |
| US11835575B2 (en) | 2020-10-07 | 2023-12-05 | Aehr Test Systems | Electronics tester |
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