JP2727408B2 - 半導体チップ試験装置 - Google Patents
半導体チップ試験装置Info
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- JP2727408B2 JP2727408B2 JP5317594A JP5317594A JP2727408B2 JP 2727408 B2 JP2727408 B2 JP 2727408B2 JP 5317594 A JP5317594 A JP 5317594A JP 5317594 A JP5317594 A JP 5317594A JP 2727408 B2 JP2727408 B2 JP 2727408B2
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- semiconductor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ上の半導
体チップの特性を試験するための試験装置、さらに詳し
く言えばウエハの状態でチップに切断する前にチップの
バーンインテスト等を行うことができる半導体チップ試
験装置に関する。
体チップの特性を試験するための試験装置、さらに詳し
く言えばウエハの状態でチップに切断する前にチップの
バーンインテスト等を行うことができる半導体チップ試
験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウエハの状態でチップの特性を試験、ウ
エハプローブテスト、をする装置が提案され実施されて
いる。半導体ＩＣのバーンインテストまたは加速エイジ
ングテストについて多くの研究がなされ、ウエハからチ
ップを切り出してリードフレームに接続しモールドした
ものについてのバーンインテストはすでに行われてい
る。バーンインテストによりいわゆる初期不良の問題を
解決することができる。しかし完成の段階で不良品を出
すよりももっと早い段階で不良のチップを排除すること
ができると無駄が少なくなる。またこのバーンインテス
トにより得られたデータはただちに製造工程の分析に利
用できプロセス改良のデータが得られる。そのためにウ
エハの状態でチップを切り出す前にバーンインテストを
行いたいという強い要請がある。例えば集積回路のウエ
ハレベルのバーンイン試験（特開平３−８９５２８号）
の発明は、スクラブレーンにより分離された部分に接触
パッドを設ける構成を提案している。
エハプローブテスト、をする装置が提案され実施されて
いる。半導体ＩＣのバーンインテストまたは加速エイジ
ングテストについて多くの研究がなされ、ウエハからチ
ップを切り出してリードフレームに接続しモールドした
ものについてのバーンインテストはすでに行われてい
る。バーンインテストによりいわゆる初期不良の問題を
解決することができる。しかし完成の段階で不良品を出
すよりももっと早い段階で不良のチップを排除すること
ができると無駄が少なくなる。またこのバーンインテス
トにより得られたデータはただちに製造工程の分析に利
用できプロセス改良のデータが得られる。そのためにウ
エハの状態でチップを切り出す前にバーンインテストを
行いたいという強い要請がある。例えば集積回路のウエ
ハレベルのバーンイン試験（特開平３−８９５２８号）
の発明は、スクラブレーンにより分離された部分に接触
パッドを設ける構成を提案している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述の発明のようにバ
ーンインテストをするための構造をウエハ側に設けるこ
とは、ウエハの利用率を下げるだけではなく工程が複雑
になる可能性がある。本発明の目的はウエハに検査のた
めの特段の構成を設けることなく、しかも個々の半導体
チップに分離する以前の状態で、同時並列的に半導体チ
ップを試験する半導体チップ試験装置を提供することに
ある。本発明のさらに他の目的は、ウエハ段階でバーン
インテストを行うことができる半導体チップ試験装置、
さらに詳しく言えば温度を上げたまま（または下げたま
まで）直流のみならずダイナミックなテストをすること
ができる半導体チップ試験装置を提供することにある。
ーンインテストをするための構造をウエハ側に設けるこ
とは、ウエハの利用率を下げるだけではなく工程が複雑
になる可能性がある。本発明の目的はウエハに検査のた
めの特段の構成を設けることなく、しかも個々の半導体
チップに分離する以前の状態で、同時並列的に半導体チ
ップを試験する半導体チップ試験装置を提供することに
ある。本発明のさらに他の目的は、ウエハ段階でバーン
インテストを行うことができる半導体チップ試験装置、
さらに詳しく言えば温度を上げたまま（または下げたま
まで）直流のみならずダイナミックなテストをすること
ができる半導体チップ試験装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による半導体チップ試験装置は、ウエハ治具
（Ａ）で半導体ウエハ（Ｗ）を支持し、プローブ治具
（Ｂ）でプローブ組立を支持し、各治具に関連し設けら
れた治具位置合わせ手段（ＡＬＤ）により前記プローブ
治具と前記ウエハ治具を位置合わせ対面結合し、前記半
導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップの特性
を、個々の半導体チップに分離する以前の状態で、同時
並列的に試験する半導体チップ試験装置であって、前記
プローブは前記ウエハに形成された半導体チップの表面
に形成されている個々のボンディングパッドに対面して
接触する位置にそれぞれ電気接点が形成されており、前
記電気接点と前記プローブ治具側の前記治具位置合わせ
手段との相対位置関係、または、前記半導体ウエハ上に
形成されている個々の半導体チップのボンディングパッ
ドの位置と前記ウエハ治具側の前記治具位置合わせ手段
との相対位置関係は相対位置調整手段（ＡＪＤ）により
調節されたのちに支持されるように構成されている。
に、本発明による半導体チップ試験装置は、ウエハ治具
（Ａ）で半導体ウエハ（Ｗ）を支持し、プローブ治具
（Ｂ）でプローブ組立を支持し、各治具に関連し設けら
れた治具位置合わせ手段（ＡＬＤ）により前記プローブ
治具と前記ウエハ治具を位置合わせ対面結合し、前記半
導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップの特性
を、個々の半導体チップに分離する以前の状態で、同時
並列的に試験する半導体チップ試験装置であって、前記
プローブは前記ウエハに形成された半導体チップの表面
に形成されている個々のボンディングパッドに対面して
接触する位置にそれぞれ電気接点が形成されており、前
記電気接点と前記プローブ治具側の前記治具位置合わせ
手段との相対位置関係、または、前記半導体ウエハ上に
形成されている個々の半導体チップのボンディングパッ
ドの位置と前記ウエハ治具側の前記治具位置合わせ手段
との相対位置関係は相対位置調整手段（ＡＪＤ）により
調節されたのちに支持されるように構成されている。
【０００５】
【実施例】以下図面等を参照して、本発明をさらに詳し
く説明する。図１は、本発明による半導体チップ試験装
置の基本構成を示す略図である。図５は、前記半導体チ
ップ試験装置の試験の対象である半導体チップが多数設
けられている半導体ウエハを一部拡大して示した図であ
る。半導体ウエハ１０には多数の半導体チップ１１，１
２，１３，１４，１５・・・が設けられており、各チッ
プには１〜２０のパッド１６が設けられており、チップ
内部の回路はこれらのパッド１６に接続されている。通
常これらのチップを切断した後にパッドとリードフレー
ムをリードボンディングにより接続してパッケージング
して半導体ＩＣが構成される。本発明による半導体チッ
プ試験装置はこれらのチップを切断して分離しない前に
バーンインテストなどを行うことができるものである。
図１に示すように本発明による半導体チップ試験装置は
基本的にウエハ治具Ａとプローブ治具Ｂから構成されて
いる。ウエハ治具Ａで半導体ウエハＷを支持し、プロー
ブ治具Ｂでプローブ組立Ｐを支持する。各治具Ａ，Ｂに
関連して治具位置合わせ手段ＡＬＤが設けられており、
これにより前記プローブ治具Ｂと前記ウエハ治具Ａは位
置合わせ対面結合させられる。前記半導体ウエハＷ上に
形成された前述の半導体チップ（１１〜１５・・）の特
性は、個々の半導体チップに分離する以前の状態で、同
時並列的に試験される。
く説明する。図１は、本発明による半導体チップ試験装
置の基本構成を示す略図である。図５は、前記半導体チ
ップ試験装置の試験の対象である半導体チップが多数設
けられている半導体ウエハを一部拡大して示した図であ
る。半導体ウエハ１０には多数の半導体チップ１１，１
２，１３，１４，１５・・・が設けられており、各チッ
プには１〜２０のパッド１６が設けられており、チップ
内部の回路はこれらのパッド１６に接続されている。通
常これらのチップを切断した後にパッドとリードフレー
ムをリードボンディングにより接続してパッケージング
して半導体ＩＣが構成される。本発明による半導体チッ
プ試験装置はこれらのチップを切断して分離しない前に
バーンインテストなどを行うことができるものである。
図１に示すように本発明による半導体チップ試験装置は
基本的にウエハ治具Ａとプローブ治具Ｂから構成されて
いる。ウエハ治具Ａで半導体ウエハＷを支持し、プロー
ブ治具Ｂでプローブ組立Ｐを支持する。各治具Ａ，Ｂに
関連して治具位置合わせ手段ＡＬＤが設けられており、
これにより前記プローブ治具Ｂと前記ウエハ治具Ａは位
置合わせ対面結合させられる。前記半導体ウエハＷ上に
形成された前述の半導体チップ（１１〜１５・・）の特
性は、個々の半導体チップに分離する以前の状態で、同
時並列的に試験される。
【０００６】前記プローブ組立Ｐには前記ウエハＷに形
成された半導体チップの表面に形成されている個々のボ
ンディングパッド１６に対面して接触する位置にそれぞ
れ電気接点が形成されている。前記電気接点と前記プロ
ーブ治具Ｂ側の前記治具位置合わせ手段ＡＬＤとの相対
位置関係はプローブ治具側の位置調整手段ＡＪＤにより
調整される。前記プローブ治具Ｂおよびウエハ治具Ａ
は、半導体ウエハＷの線膨張率と近似する線膨張率を持
つ材料、例えばインバー合金などで構成されている。こ
れにより半導体チップ試験装置の温度変化により治具と
半導体ウエハ間の結合に不具合が生じないようにしてあ
る。すなわちこれにより個々の半導体チップとその半導
体チップに対応する接点群とが温度変化による位置ずれ
を生じない構造にしてある。また前記半導体ウエハＷ上
に形成されている個々の半導体チップのボンディングパ
ッド１６の位置と前記ウエハ治具Ａ側の前記治具位置合
わせ手段ＡＬＤとの相対位置関係はウエハ治具Ａ側の相
対位置調整手段ＡＪＤにより調節される。前記相対位置
調整手段ＡＪＤは前述のようにプローブ治具側およびウ
エハ治具側の両方で行っても良いし、いずれか一方でも
良い。図３、図４に示すようにウエハ治具とプローブ治
具を略同一平面に配置して工具顕微鏡などを利用して位
置合わせをすれば、極めて高い精度の位置調整が可能と
なる。
成された半導体チップの表面に形成されている個々のボ
ンディングパッド１６に対面して接触する位置にそれぞ
れ電気接点が形成されている。前記電気接点と前記プロ
ーブ治具Ｂ側の前記治具位置合わせ手段ＡＬＤとの相対
位置関係はプローブ治具側の位置調整手段ＡＪＤにより
調整される。前記プローブ治具Ｂおよびウエハ治具Ａ
は、半導体ウエハＷの線膨張率と近似する線膨張率を持
つ材料、例えばインバー合金などで構成されている。こ
れにより半導体チップ試験装置の温度変化により治具と
半導体ウエハ間の結合に不具合が生じないようにしてあ
る。すなわちこれにより個々の半導体チップとその半導
体チップに対応する接点群とが温度変化による位置ずれ
を生じない構造にしてある。また前記半導体ウエハＷ上
に形成されている個々の半導体チップのボンディングパ
ッド１６の位置と前記ウエハ治具Ａ側の前記治具位置合
わせ手段ＡＬＤとの相対位置関係はウエハ治具Ａ側の相
対位置調整手段ＡＪＤにより調節される。前記相対位置
調整手段ＡＪＤは前述のようにプローブ治具側およびウ
エハ治具側の両方で行っても良いし、いずれか一方でも
良い。図３、図４に示すようにウエハ治具とプローブ治
具を略同一平面に配置して工具顕微鏡などを利用して位
置合わせをすれば、極めて高い精度の位置調整が可能と
なる。
【０００７】前記ウエハ治具Ａ側および前記プローブ治
具Ｂ側にそれぞれの治具を加熱する加熱手段Ｈが設けら
れている。この加熱手段により加熱されたウエハＷの温
度は接触センサＳにより検出され、その検出出力により
加熱手段の温度制御がなされる。プローブ治具Ｂ側には
プローブを駆動し、プローブを介してウエハＷに動作電
力を供給しウエハチップから得られるチップの情報を外
部に中継するための中継回路ＣＰＤが設けられている。
具Ｂ側にそれぞれの治具を加熱する加熱手段Ｈが設けら
れている。この加熱手段により加熱されたウエハＷの温
度は接触センサＳにより検出され、その検出出力により
加熱手段の温度制御がなされる。プローブ治具Ｂ側には
プローブを駆動し、プローブを介してウエハＷに動作電
力を供給しウエハチップから得られるチップの情報を外
部に中継するための中継回路ＣＰＤが設けられている。
【０００８】図２は、本発明による半導体チップ試験装
置の第１の実施例の正面断面図、図３は前記第１の実施
例装置のウエハ治具を示す斜視図、図４は前記第１の実
施例装置のプローブ治具を示す斜視図である。この半導
体チップ試験装置の実施例では、図３に示されているよ
うに当初、前記ウエハ治具１００に半導体ウエハ１０を
その回路形成面を上にして搭載する。そのボンディング
パッドの位置と前記ウエハ治具１００側の前記治具位置
合わせ手段ＡＬＤの一部を構成する位置決めピン１２
０，１２０との相対位置を図２に示すウエハ位置角度微
動調節機構１０１，１０４，１０５により調節後に前記
ウエハ１０の背面を真空吸着孔１０６で真空吸着保持し
た後に、ウエハ１０の回路形成面を下向きにして前記プ
ローブ治具２００に結合する。このようにウエハ１０の
回路形成面を下向きにするのはバーンインテストの際に
ウエハの表面に異物が降下したりして試験の状態が変わ
ることをさけるためである。
置の第１の実施例の正面断面図、図３は前記第１の実施
例装置のウエハ治具を示す斜視図、図４は前記第１の実
施例装置のプローブ治具を示す斜視図である。この半導
体チップ試験装置の実施例では、図３に示されているよ
うに当初、前記ウエハ治具１００に半導体ウエハ１０を
その回路形成面を上にして搭載する。そのボンディング
パッドの位置と前記ウエハ治具１００側の前記治具位置
合わせ手段ＡＬＤの一部を構成する位置決めピン１２
０，１２０との相対位置を図２に示すウエハ位置角度微
動調節機構１０１，１０４，１０５により調節後に前記
ウエハ１０の背面を真空吸着孔１０６で真空吸着保持し
た後に、ウエハ１０の回路形成面を下向きにして前記プ
ローブ治具２００に結合する。このようにウエハ１０の
回路形成面を下向きにするのはバーンインテストの際に
ウエハの表面に異物が降下したりして試験の状態が変わ
ることをさけるためである。
【０００９】真空吸着孔１０６には真空配管１１０を介
して負圧が接続されている。ウエハ位置角度微動調節機
構は図２，図３に示すように複数本の調節ねじ１０１・
・１０１，調節用板１０４およびばね１０５を含み、ウ
エハ１０は基準面内でその位置，角度（Ｘ，Ｙ，θ）が
調節される。ウエハ治具１００の中には熱媒体通路１０
２が設けられている。この熱媒体通路には熱媒体循環ホ
ース１１１，１１２を介して温度制御された熱媒体が供
給される。熱媒体として高温熱媒体では熱媒油や窒素ガ
スなど、低温熱媒体としてはエタノール，フロリナー
ト，乾燥空気などを使用できるし、窒素ガスなどは高温
低温両用でもよい。また同様にプローブ治具２００内に
も熱媒体通路２０３が設けられており、熱媒体循環ホー
ス２１１，２１２を介して熱媒体が供給される。これら
の熱媒体通路はそれぞれ治具ごとに独立して構成しても
良いし、ウエハ治具１００とプローブ治具２００を結合
したときに相互に連通するようにしても良い。その場合
には一方側から熱媒体を供給することができる。プロー
ブ治具２００にはプローブ組立２０を介してウエハ１０
のチップに動作電力を供給し、チップから得られた動作
情報を外部に伝達する中継回路ＣＰＤ２０１が設けられ
ており中継回路ＣＰＤ２０１は接続ケーブル２０５を介
して外部のコントローラ（ＣＰＵ）回路などに接続され
ている。
して負圧が接続されている。ウエハ位置角度微動調節機
構は図２，図３に示すように複数本の調節ねじ１０１・
・１０１，調節用板１０４およびばね１０５を含み、ウ
エハ１０は基準面内でその位置，角度（Ｘ，Ｙ，θ）が
調節される。ウエハ治具１００の中には熱媒体通路１０
２が設けられている。この熱媒体通路には熱媒体循環ホ
ース１１１，１１２を介して温度制御された熱媒体が供
給される。熱媒体として高温熱媒体では熱媒油や窒素ガ
スなど、低温熱媒体としてはエタノール，フロリナー
ト，乾燥空気などを使用できるし、窒素ガスなどは高温
低温両用でもよい。また同様にプローブ治具２００内に
も熱媒体通路２０３が設けられており、熱媒体循環ホー
ス２１１，２１２を介して熱媒体が供給される。これら
の熱媒体通路はそれぞれ治具ごとに独立して構成しても
良いし、ウエハ治具１００とプローブ治具２００を結合
したときに相互に連通するようにしても良い。その場合
には一方側から熱媒体を供給することができる。プロー
ブ治具２００にはプローブ組立２０を介してウエハ１０
のチップに動作電力を供給し、チップから得られた動作
情報を外部に伝達する中継回路ＣＰＤ２０１が設けられ
ており中継回路ＣＰＤ２０１は接続ケーブル２０５を介
して外部のコントローラ（ＣＰＵ）回路などに接続され
ている。
【００１０】この実施例において位置合わせ手段ＡＬＤ
はウエハ治具１００側のピン１２０，１２０とプローブ
治具２００側の前記ピン１２０，１２０に対応する孔２
２０，２２０から構成されている。この位置合わせ手段
として市販されているダイセット機構を用いることがで
きる。前記プローブ治具２００と前記ウエハ治具１００
とは、位置決めされた状態で結合後にねじ等の固定手段
により固定される構造である。前記プローブ治具２００
と前記ウエハ治具１００とは、位置合わせ結合された状
態で気密構造となるように両者の間にはパッキング１０
３（図２参照）が設けられている。内部を減圧すること
によって相互に大気圧により密着固定され機密容器構造
を形成することができる。そして前記機密容器構造に乾
燥空気，窒素ガスまたはアルゴンガスを封入してウエハ
の表面を不活性気体で覆うようにしてウエハの表面を安
定化させることができる。前記実施例ではプローブ治具
と前記ウエハ治具を熱媒体で加熱する例を示したが他の
加熱手段で加熱することができる。例えば前記プローブ
治具とウエハ治具の加熱手段として電力加熱手段である
ニクロム線ヒータを用いることができる。前記ウエハ治
具にはウエハの温度を測定する温度検出手段であるサー
ミスタ（図１のセンサＳ）を直接ウエハの裏面に接触さ
せてある。このセンサＳの出力により加熱手段の加熱
量、冷却するときには冷却量を調整する。
はウエハ治具１００側のピン１２０，１２０とプローブ
治具２００側の前記ピン１２０，１２０に対応する孔２
２０，２２０から構成されている。この位置合わせ手段
として市販されているダイセット機構を用いることがで
きる。前記プローブ治具２００と前記ウエハ治具１００
とは、位置決めされた状態で結合後にねじ等の固定手段
により固定される構造である。前記プローブ治具２００
と前記ウエハ治具１００とは、位置合わせ結合された状
態で気密構造となるように両者の間にはパッキング１０
３（図２参照）が設けられている。内部を減圧すること
によって相互に大気圧により密着固定され機密容器構造
を形成することができる。そして前記機密容器構造に乾
燥空気，窒素ガスまたはアルゴンガスを封入してウエハ
の表面を不活性気体で覆うようにしてウエハの表面を安
定化させることができる。前記実施例ではプローブ治具
と前記ウエハ治具を熱媒体で加熱する例を示したが他の
加熱手段で加熱することができる。例えば前記プローブ
治具とウエハ治具の加熱手段として電力加熱手段である
ニクロム線ヒータを用いることができる。前記ウエハ治
具にはウエハの温度を測定する温度検出手段であるサー
ミスタ（図１のセンサＳ）を直接ウエハの裏面に接触さ
せてある。このセンサＳの出力により加熱手段の加熱
量、冷却するときには冷却量を調整する。
【００１１】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
る半導体チップ試験装置は、ウエハ治具（Ａ）で半導体
ウエハ（Ｗ）を支持し、プローブ治具（Ｂ）でプローブ
組立を支持し、各治具に関連し設けられた治具位置合わ
せ手段（ＡＬＤ）により前記プローブ治具と前記ウエハ
治具を位置合わせ対面結合し、前記半導体ウエハ上に形
成された複数の半導体チップの特性を、個々の半導体チ
ップに分離する以前の状態で、同時並列的に試験するこ
とができる。前記プローブ組立には前記ウエハに形成さ
れた半導体チップの表面に形成されている個々のボンデ
ィングパッドに対面して接触する位置にそれぞれ電気接
点が形成されており、前記電気接点と前記プローブ治具
側の前記治具位置合わせ手段との相対位置関係、また
は、前記半導体ウエハ上に形成されている個々の半導体
チップのボンディングパッドの位置と前記ウエハ治具側
の前記治具位置合わせ手段との相対位置関係は相対位置
調整手段（ＡＪＤ）により調節されるので半導体チップ
のボンディングパッドとプローブの電気接点を正しく対
応させて接触させることができる。本発明による装置に
よれば、前記半導体ウエハ上に形成された複数の半導体
チップの特性を、個々の半導体チップに分離する以前の
状態で、同時並列的にバーンインテストなどをすること
ができる。
る半導体チップ試験装置は、ウエハ治具（Ａ）で半導体
ウエハ（Ｗ）を支持し、プローブ治具（Ｂ）でプローブ
組立を支持し、各治具に関連し設けられた治具位置合わ
せ手段（ＡＬＤ）により前記プローブ治具と前記ウエハ
治具を位置合わせ対面結合し、前記半導体ウエハ上に形
成された複数の半導体チップの特性を、個々の半導体チ
ップに分離する以前の状態で、同時並列的に試験するこ
とができる。前記プローブ組立には前記ウエハに形成さ
れた半導体チップの表面に形成されている個々のボンデ
ィングパッドに対面して接触する位置にそれぞれ電気接
点が形成されており、前記電気接点と前記プローブ治具
側の前記治具位置合わせ手段との相対位置関係、また
は、前記半導体ウエハ上に形成されている個々の半導体
チップのボンディングパッドの位置と前記ウエハ治具側
の前記治具位置合わせ手段との相対位置関係は相対位置
調整手段（ＡＪＤ）により調節されるので半導体チップ
のボンディングパッドとプローブの電気接点を正しく対
応させて接触させることができる。本発明による装置に
よれば、前記半導体ウエハ上に形成された複数の半導体
チップの特性を、個々の半導体チップに分離する以前の
状態で、同時並列的にバーンインテストなどをすること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体チップ試験装置の基本構成
を示す略図である。
を示す略図である。
【図２】本発明による半導体チップ試験装置の第１の実
施例の正面断面図である。
施例の正面断面図である。
【図３】前記第１の実施例装置のウエハ治具を示す斜視
図である。
図である。
【図４】前記第１の実施例装置のプローブ治具を示す斜
視図である。
視図である。
【図５】本発明による半導体チップ試験装置の試験の対
象であるウエハの一部を拡大して示した略図である。
象であるウエハの一部を拡大して示した略図である。
Ａ，１００ ウエハ治具 Ｂ，２００ プローブ治具 Ｃ チェンバ Ｈ 加熱手段 Ｐ，２０ プローブ組立 Ｓ ウエハ温度センサ ＡＬＤ 治具位置合わせ手段 ＡＪＤ プローブ，ウエハ位置調整手段 ＣＰＤ （プローブ駆動，チップ駆動，チップ情報）中
継回路 Ｗ，１０ ウエハ １０１ 調節ねじ １０２ 熱媒体通路 １０３ パッキング １０４ 調節用板 １０５ ばね １０６ 真空吸着孔 １１０ 真空配管 １１１，１１２ 熱媒体循環ホース １２０ 位置決めピン ２０１ 中継回路ＣＰＤ ２０３ 熱媒体通路 ２０５ 接続ケーブル ２１０ 真空配管 ２１１，２１２ 熱媒体循環ホース ２２０ 位置決め孔
継回路 Ｗ，１０ ウエハ １０１ 調節ねじ １０２ 熱媒体通路 １０３ パッキング １０４ 調節用板 １０５ ばね １０６ 真空吸着孔 １１０ 真空配管 １１１，１１２ 熱媒体循環ホース １２０ 位置決めピン ２０１ 中継回路ＣＰＤ ２０３ 熱媒体通路 ２０５ 接続ケーブル ２１０ 真空配管 ２１１，２１２ 熱媒体循環ホース ２２０ 位置決め孔
Claims (12)
- 【請求項１】 ウエハ治具（Ａ）で半導体ウエハ（Ｗ）
を支持し、プローブ治具（Ｂ）でプローブ組立を支持
し、各治具に関連し設けられた治具位置合わせ手段（Ａ
ＬＤ）により前記プローブ治具と前記ウエハ治具を位置
合わせ対面結合し、前記半導体ウエハ上に形成された複
数の半導体チップの特性を、個々の半導体チップに分離
する以前の状態で、同時並列的に試験する半導体チップ
試験装置であって、 前記プローブは前記ウエハに形成された半導体チップの
表面に形成されている個々のボンディングパッドに対面
して接触する位置にそれぞれ電気接点が形成されてお
り、 前記電気接点と前記プローブ治具側の前記治具位置合わ
せ手段との相対位置関係、または、前記半導体ウエハ上
に形成されている個々の半導体チップのボンディングパ
ッドの位置と前記ウエハ治具側の前記治具位置合わせ手
段との相対位置関係は相対位置調整手段（ＡＪＤ）によ
り調節されたのちに支持されるように構成した半導体チ
ップ試験装置。 - 【請求項２】 前記相対位置調整手段（ＡＪＤ）は、前
記半導体ウエハの前記ウエハ治具との相対角度と位置を
微調整することができる機構である請求項１記載の半導
体チップ試験装置。 - 【請求項３】 前記プローブ治具およびウエハ治具は、
半導体ウエハの線膨張率と近似の線膨張率を持つ材料で
構成した請求項１記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項４】 前記半導体チップ試験装置は、当初、前
記ウエハ治具に半導体ウエハをその回路形成面を上にし
て搭載し、そのボンディングパッドの位置と前記ウエハ
治具側の前記治具位置合わせ手段との相対位置調節後に
前記ウエハ背面を真空吸着保持した後にウエハの回路形
成面を下向きにして前記プローブ治具に結合する構造で
ある請求項１記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項５】 前記プローブ治具と前記ウエハ治具と
は、位置決めされた状態で結合後に固定手段により固定
される構造である請求項１記載の半導体チップ試験装
置。 - 【請求項６】 前記プローブ治具と前記ウエハ治具と
は、位置合わせ結合された状態で気密構造となり内部を
減圧することによって大気圧により密着固定される請求
項１記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項７】 前記プローブ治具と前記ウエハ治具と
は、位置合わせ結合された状態で気密構造となり内部に
乾燥空気または窒素ガスまたはアルゴンガスが封入され
る請求項１記載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項８】 前記プローブ治具と前記ウエハ治具は、
温度調節手段により温度調節される請求項１記載の半導
体チップ試験装置。 - 【請求項９】 前記温度調節手段は加熱手段であり、熱
媒流体が供給される熱媒流通路をもつ請求項８記載の半
導体チップ試験装置。 - 【請求項１０】 前記流体通路は、前記プローブ治具と
前記ウエハ治具とが位置決めされた状態で各治具のそれ
ぞれの流体通路が連通させられる構造である請求項９記
載の半導体チップ試験装置。 - 【請求項１１】 前記プローブ治具とウエハ治具の温度
調節手段は、電力加熱手段である請求項８記載の半導体
チップ試験装置。 - 【請求項１２】 前記ウエハ治具にはウエハの温度を測
定する温度検出手段が設けられており温度調節手段の調
節量は前記温度検出手段の検出出力にしたがって調整さ
れる請求項８記載の半導体チップ試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317594A JP2727408B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 半導体チップ試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5317594A JP2727408B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 半導体チップ試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240449A JPH07240449A (ja) | 1995-09-12 |
| JP2727408B2 true JP2727408B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=12935531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5317594A Expired - Lifetime JP2727408B2 (ja) | 1994-02-25 | 1994-02-25 | 半導体チップ試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2727408B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009141906A1 (ja) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | 株式会社アドバンテスト | 試験用ウエハユニットおよび試験システム |
| KR102060005B1 (ko) * | 2013-06-07 | 2019-12-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 회로기판 부품 실장 장치 및 그 방법 |
| CN117007948B (zh) * | 2023-10-07 | 2023-12-15 | 江苏昊扬微电子有限公司 | 一种芯片试验装置 |
-
1994
- 1994-02-25 JP JP5317594A patent/JP2727408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07240449A (ja) | 1995-09-12 |
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