JP2002033364A - バーンイン装置及びバーンイン方法 - Google Patents

バーンイン装置及びバーンイン方法

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JP2002033364A
JP2002033364A JP2000218391A JP2000218391A JP2002033364A JP 2002033364 A JP2002033364 A JP 2002033364A JP 2000218391 A JP2000218391 A JP 2000218391A JP 2000218391 A JP2000218391 A JP 2000218391A JP 2002033364 A JP2002033364 A JP 2002033364A
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wafer
burn
stress
temperature
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Hiromitsu Sugimoto
拡光 杉本
Shigehisa Yamamoto
茂久 山本
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Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
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Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
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    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
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  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 メモリセルアレイ部のみならず、周辺回路部
やロジック回路部においてもバーンインの加速化を図る
ことが可能なバーンイン装置を得る。 【解決手段】 まず、評価対象であるウェハ3を恒温槽
1a内に投入し、高温の温度ストレスを印加する。次
に、ウェハ3を恒温槽1b内に投入し、低温の温度スト
レスを印加する。恒温槽1a,1bによる温度ストレス
の印加は、繰り返し行ってもよい。ウェハ3に所定の温
度ストレスが印加された場合は、ウェハ3を評価部5に
搬送する。そして、評価部5において、各チップ30内
に故障箇所が発生したか否かを判定する。その判定の結
果、故障が発生していると判定されたチップ30に関し
ては、その故障箇所に関して救済を実施するか否かを判
定し、救済が可能であれば救済を実施する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ウェハの状態で
半導体装置の信頼性試験を行う、ウェハレベルバーンイ
ン装置の構造及びバーンイン方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置のバーンイン試験は、半導体
装置が製品として実際に使用される際の条件よりも高い
電圧ストレス、あるいは高い温度ストレスを半導体装置
に印加して、ストレス印加後の半導体装置の電気的特性
を評価することにより、初期故障が発生している半導体
装置、あるいは特性が正常分布からかけ離れている半導
体装置をスクリーニングするための加速試験である。
【0003】従来は、ウェハテストを実施した後に、ウ
ェハテストに合格した良品チップのアセンブリを行い、
パッケージ(樹脂、セラミック、プラスチック等のパッ
ケージ)に封止されたパッケージ状態で、半導体装置の
バーンイン試験が行われていた。具体的には、パッケー
ジングされた半導体装置をバーンインボード上に多数配
置し、恒温槽中でバーンインストレスを一括して印加す
る。そして、ストレス印加後の各半導体装置の電気的特
性をそれぞれ評価する。
【0004】図13は、バーンイン試験の評価対象であ
る半導体記憶装置の構造を模式的に示す上面図である。
チップ30は、複数のメモリセルアレイ部31と、周辺
回路部32と、ロジック回路部33とを有している。各
メモリセルアレイ部31には、行列状に配置された複数
のメモリセルと、メモリセルアレイの各行ごとに設けら
れた複数のワード線と、メモリセルアレイの各列ごとに
設けられた複数のビット線とが形成されている。周辺回
路部32には、センスアンプ等の周辺回路が、複数の配
線とともに形成されている。ロジック回路部33には、
ランダムロジック回路が、複数の配線とともに形成され
ている。
【0005】このような半導体記憶装置を対象としてバ
ーンイン試験を効率的に行う手法として、全てのビット
線及び全てのワード線を一斉に選択して、全てのメモリ
セルに一括して電気的ストレスを印加する手法(特開平
5−144910号公報)や、全てのビット線及び半分
のワード線を一斉に選択して、当該ワード線に繋がるメ
モリセル(全体の半分のメモリセル)に一括して電気的
ストレスを印加する手法(特開平4−756号公報)が
提案されている。このような手法では、メモリセルアレ
イ部31においてワード線の選択率が実使用状態よりも
向上され、実使用状態のようにワード線を1本ずつ選択
してバーンイン試験を行う場合と比較すると、バーンイ
ン試験に要する時間を短縮することができる。即ち、バ
ーンインの加速化を図ることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、周辺回
路部32の配線やロジック回路部33の配線に関して
は、構造上、電気的に全ての配線を一括して選択できな
い部分が存在するため、電気的ストレスを印加すること
による従来のバーンイン試験では、周辺回路部32やロ
ジック回路部33においてバーンインの加速化を図るこ
とは困難であるという問題があった。
【0007】本発明はかかる問題を解決するために成さ
れたものであり、メモリセルアレイ部のみならず、周辺
回路部やロジック回路部においてもバーンインの加速化
を図ることが可能なバーンイン装置、及びバーンイン方
法を得ることを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項1
に記載のバーンイン装置は、評価対象であるウェハに第
1の温度ストレスを印加する第1のストレス印加部と、
ウェハに、第1の温度ストレスとは異なる第2の温度ス
トレスを印加する第2のストレス印加部と、第1及び第
2の温度ストレスがそれぞれ印加された後のウェハに関
して、故障が発生しているか否かを評価する評価部とを
備えるものである。
【0009】また、この発明のうち請求項2に記載のバ
ーンイン装置は、請求項1に記載のバーンイン装置であ
って、ウェハには、第1及び第2のストレス印加部によ
って、第1及び第2の温度ストレスが繰り返し印加され
ることを特徴とするものである。
【0010】また、この発明のうち請求項3に記載のバ
ーンイン装置は、請求項1又は2に記載のバーンイン装
置であって、第1及び第2のストレス印加部はいずれ
も、内部が恒温に保持された恒温槽であることを特徴と
するものである。
【0011】また、この発明のうち請求項4に記載のバ
ーンイン装置は、請求項1又は2に記載のバーンイン装
置であって、ウェハを他のウェハとともに格納した状態
で、第1及び第2のストレス印加部によって第1及び第
2の温度ストレスをそれぞれ印加するためのウェハカセ
ットをさらに備えることを特徴とするものである。
【0012】また、この発明のうち請求項5に記載のバ
ーンイン装置は、請求項4に記載のバーンイン装置であ
って、バーンイン装置内に投入されたウェハカセットを
格納するウェハカセット格納部をさらに備え、第1及び
第2のストレス印加部は、ウェハカセット格納部に配設
されていることを特徴とするものである。
【0013】また、この発明のうち請求項6に記載のバ
ーンイン装置は、請求項1又は2に記載のバーンイン装
置であって、第1及び第2のストレス印加部はいずれ
も、内部が恒温に保持された恒温槽であり、第1及び第
2のストレス印加部の内部を順に通ってウェハを搬送す
るベルトコンベアをさらに備えることを特徴とするもの
である。
【0014】また、この発明のうち請求項7に記載のバ
ーンイン装置は、請求項6に記載のバーンイン装置であ
って、バーンイン装置内に投入された、ウェハが他のウ
ェハとともに格納されているウェハカセットを格納する
ウェハカセット格納部をさらに備え、ベルトコンベアと
第1及び第2のストレス印加部とは、ウェハカセット格
納部と評価部との間のウェハの搬送経路中に配設されて
いることを特徴とするものである。
【0015】また、この発明のうち請求項8に記載のバ
ーンイン装置は、請求項1又は2に記載のバーンイン装
置であって、第1及び第2のストレス印加部はいずれ
も、ウェハを載置可能であり、温度設定が可能なウェハ
ステージであることを特徴とするものである。
【0016】また、この発明のうち請求項9に記載のバ
ーンイン装置は、請求項3又は8に記載のバーンイン装
置であって、バーンイン装置内に投入された、ウェハが
他のウェハとともに格納されているウェハカセットを格
納するウェハカセット格納部をさらに備え、第1及び第
2のストレス印加部は、ウェハカセット格納部と評価部
との間のウェハの搬送経路中に配設されていることを特
徴とするものである。
【0017】また、この発明のうち請求項10に記載の
バーンイン装置は、請求項1〜9のいずれか一つに記載
のバーンイン装置であって、バーンイン装置が内部に配
設された密閉筐体をさらに備え、密閉筐体の内部空間は
真空状態に維持されていることを特徴とするものであ
る。
【0018】また、この発明のうち請求項11に記載の
バーンイン装置は、請求項1〜9のいずれか一つに記載
のバーンイン装置であって、バーンイン装置が内部に配
設された密閉筐体をさらに備え、密閉筐体の内部空間は
不活性ガスによって充填されていることを特徴とするも
のである。
【0019】また、この発明のうち請求項12に記載の
バーンイン装置は、請求項1又は2に記載のバーンイン
装置であって、第1及び第2のストレス印加部はいずれ
も、内部が恒温に保持された恒温槽であり、第1及び第
2のストレス印加部の内部を順に通って評価部にウェハ
を搬送するベルトコンベアをさらに備え、ベルトコンベ
アと第1及び第2のストレス印加部とは、バーンイン工
程の前に行われる処理を実施する処理装置と、評価部と
の間に配設されていることを特徴とするものである。
【0020】また、この発明のうち請求項13に記載の
バーンイン方法は、(a)評価対象であるウェハに、第
1の温度ストレスを印加するステップと、(b)ウェハ
に、第1の温度ストレスとは異なる第2の温度ストレス
を印加するステップと、(c)ステップ(a)及び
(b)よりも後に実行され、ウェハに故障が発生してい
るか否かを評価するステップとを備えるものである。
【0021】また、この発明のうち請求項14に記載の
バーンイン方法は、請求項13に記載のバーンイン方法
であって、工程(a)及び(b)は繰り返し実行される
ことを特徴とするものである。
【0022】また、この発明のうち請求項15に記載の
バーンイン方法は、請求項13に記載のバーンイン方法
であって、(d)ステップ(a)及び(b)と、ステッ
プ(c)との間に実行され、ウェハに所定のバーンイン
ストレスが印加されたか否かを判定するステップと、
(e)ステップ(d)において、所定のバーンインスト
レスが印加されていないと判定されたウェハに対して、
ステップ(a)及び(b)を繰り返し実行するステップ
とをさらに備えることを特徴とするものである。
【0023】また、この発明のうち請求項16に記載の
バーンイン方法は、請求項13〜15のいずれか一つに
記載のバーンイン方法であって、(f)ステップ(c)
よりも後に実行され、ウェハ内で故障が発生している箇
所に対して、救済を実施するステップをさらに備えるこ
とを特徴とするものである。
【0024】
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1は、本発明の
実施の形態1に係るバーンイン装置の構成を模式的に示
す斜視図である。バーンイン装置は、ウェハ投入口2a
を有する恒温槽1aと、ウェハ投入口2bを有する恒温
槽1bと、評価部5とを備えている。評価部5は、チッ
プ30における故障発生の有無(及び故障箇所)を電気
的試験によって解析する、周知の故障解析装置によって
構成されている。恒温槽1aの内部は、例えば200〜
300℃程度の高温に保たれており、恒温槽1bの内部
は、例えば−80〜−40℃程度の低温に保たれてい
る。但し、恒温槽1a,1bの上記温度条件は一例であ
り、これに限定するものではない。また、図1には2個
の恒温槽1a,1bのみを示したが、内部温度が互いに
異なる3個以上の恒温槽を設けてもよい。
【0025】また、ウェハ3内には複数のチップ30が
形成されており、各チップ30は、図13に示したよう
に、複数のメモリセルアレイ部31と、周辺回路部32
と、ロジック回路部33とを有している。各メモリセル
アレイ部31には、行列状に配置された複数のメモリセ
ルと、メモリセルアレイの各行ごとに設けられた複数の
ワード線と、メモリセルアレイの各列ごとに設けられた
複数のビット線とが形成されている。周辺回路部32に
は、センスアンプ等の周辺回路が、複数の配線とともに
形成されている。ロジック回路部33には、ランダムロ
ジック回路が、複数の配線とともに形成されている。
【0026】図2は、本発明の実施の形態1に係るバー
ンイン方法を説明するためのフローチャートである。以
下、図1,2を参照して、本実施の形態1に係るバーン
イン方法について説明する。まず、ウェハ搬送アーム等
の搬送器具4を用いて、評価対象であるウェハ3を、ウ
ェハ投入口2aから恒温槽1a内に投入する(ステップ
SP1)。ウェハ3は、恒温槽1a内で数秒から数分間
恒温状態に保持され、これにより、高温(この例では2
00〜300℃程度)の温度ストレスがウェハ3の全面
に関して均一に印加される。
【0027】次に、搬送器具4を用いて、恒温槽1a内
からウェハ3を取り出し、取り出したそのウェハ3を、
ウェハ投入口2bから恒温槽1b内に投入する(ステッ
プSP2)。ウェハ3は、恒温槽1b内で数秒から数分
間恒温状態に保持され、これにより、低温(この例では
−80〜−40℃程度)の温度ストレスがウェハ3の全
面に関して均一に印加される。
【0028】次に、ウェハ3に所定の温度ストレスを印
加したかどうかを判定する(ステップSP3)。例え
ば、バーンイン装置に試験のステップを予め設定してお
き、ストレスの印加回数又は印加時間が設定値に達した
か否かによって、所定ストレスの印加が終了したか否か
を判定する。ステップSP3において、ストレスの印加
回数又は印加時間が設定値に達していないと判定された
場合は、ステップSP1,SP2に戻り、恒温槽1a,
1bによる温度ストレスの印加を繰り返し実施する。
【0029】一方、ステップSP3において、所定スト
レスが印加されたと判定された場合は、搬送器具4を用
いて、恒温槽1b内からウェハ3を取り出し、取り出し
たそのウェハ3を評価部5に搬送する。そして、評価部
5において、各チップ30内に故障箇所が発生したか否
かを判定(PASS/FAIL判定)する(ステップS
P4)。具体的には、チップ30内に作り込まれている
回路に外部から電流を印加し、回路内を流れる電流値を
測定することで故障の発生の有無を判定する。さらに、
故障が発生している場合は、その故障箇所を割り出す。
あるいは、上記回路に外部からアドレスデータを入力
し、その出力結果から故障発生の有無を判定する。さら
に、故障が発生している場合は、その故障箇所を割り出
す。
【0030】ステップSP4におけるPASS/FAI
L判定の結果、故障が発生していると判定されたチップ
30に関しては、その故障箇所に関して、救済を実施す
るか否かを判定する(ステップSP5)。ここで、「救
済」とは、断線等によってある回路が故障している場合
に、その回路を、予め準備しておいた別の同等の回路に
置き換えることを意味する。置き換え用の回路が準備さ
れていない箇所が故障箇所である場合や、置き換え用の
回路を準備していたが、その箇所が故障したチップが多
く、置き換え用の回路を使い果たしてしまった場合等
は、その箇所は救済が不可能であり、救済を実施しない
と判定する。
【0031】救済が可能であるか不可能であるかは、故
障箇所と置き換え用の回路の個数との関係を表すデータ
をバーンイン装置に予め教示しておき、装置がそのデー
タを参照することにより、各故障箇所に関して救済可能
/不可能を自動的に判定する。但し、故障箇所に関する
情報に基づいて、作業者が救済可否の判定を行ってもよ
い。ステップSP5における判定の結果が「YES」で
ある場合は、その故障箇所に関して救済を実施する(ス
テップSP6)。
【0032】ステップSP4において「PASS」と判
定されたチップ30、及びステップSP6において救済
が実施されたチップ30に関しては、アセンブリ工程や
パッケージング工程を経て、製品として出荷される。一
方、ステップSP5において「NO」と判定されたチッ
プ30(即ち、故障が発生しており、かつ救済が不可能
であるチップ)に関しては、アセンブリ工程等は行わ
ず、不良チップとして処理される。
【0033】このように本実施の形態1に係るバーンイ
ン装置及びバーンイン方法によれば、バーンインストレ
スとして、従来のような電気的ストレスではなく温度ス
トレスを印加することによって、バーンイン試験を行う
構成とした。従って、配線とコンタクトホールとの熱膨
張率の差に起因して両者の界面に発生する応力が強い箇
所を、故障箇所として加速的に顕在化することができ
る。換言すれば、温度ストレスに弱い半導体装置をバー
ンイン試験によってスクリーニングすることが可能とな
る。
【0034】しかも、バーンインストレスとして温度ス
トレスのみを印加するため、電気的ストレスを印加する
ためのプローブ針をチップ上に形成されているパッドへ
針当てすることなく、バーンインストレスを印加でき
る。その結果、針当てに伴うチップの損傷等の問題が生
じることを回避することができる。
【0035】しかも、従来のように電気的ストレスを印
加する場合は、回路によっては電気的ストレスが十分に
かからず、印加ストレスの不均一が発生する場合があっ
た。これに対して、本実施の形態1に係るバーンイン装
置及びバーンイン方法によれば、バーンインストレスと
して温度ストレスを使用するため、ウェハ3内の各チッ
プ30、あるいは各チップ30内の各領域31〜33に
均一にバーンインストレスを印加できる。そのため、電
気的ストレスを印加する場合と比較すると、印加ストレ
スの均一性を高めることができ、一度に広い範囲を対象
として、信頼性の高いバーンイン試験を行うことが可能
となる。
【0036】また、本実施の形態1に係るバーンイン装
置及びバーンイン方法によれば、評価対象である半導体
装置は、パッケージングが成された状態ではなく、アセ
ンブリ及びパッケージングが成される前の、熱伝導率が
高いウェハの状態で、恒温槽1a,1b内に投入されて
温度ストレスが印加される。従って、パッケージングが
成された状態の半導体装置に対して温度ストレスを印加
する場合と比較すると、効率的かつ広い温度幅で温度ス
トレスを印加することができ、バーンイン試験の所要時
間を短縮することができる。
【0037】しかも、救済が可能な故障箇所について
は、救済を実施した後にアセンブリ及びパッケージング
を行うことによって良品デバイスとして出荷できるた
め、1枚のウェハあたりの、良品デバイスとして得られ
るチップの個数を増加することができる。
【0038】また、本実施の形態1に係るバーンイン装
置及びバーンイン方法によれば、半導体装置への温度ス
トレスの印加を、互いに内部温度が異なる複数の恒温槽
1a,1bを用いて行う。そのため、一つの恒温槽で内
部温度を順に変化させて温度ストレスを印加する場合と
比較すると、恒温槽の昇温・降温過程を省略できるた
め、全体としてバーンイン試験の所要時間を短縮するこ
とができるとともに、恒温槽自体の寿命を延命化するこ
とができる。
【0039】実施の形態2.図3は、本発明の実施の形
態2に係るバーンイン装置の構成を模式的に示す斜視図
である。但し、図1に示した評価部5の記載は省略して
ある。上記実施の形態1では、恒温槽1a,1b内にウ
ェハ3が1枚ずつ投入されたが、本実施の形態2では、
ウェハカセット6内に格納された複数のウェハ3を、ウ
ェハカセット6ごとまとめて恒温槽1aa,1bb内に
投入する構成とした。恒温槽1aa,1bbには、ウェ
ハカセット6を内部に投入するためのウェハカセット投
入口2aa,2bbがそれぞれ設けられている。本実施
の形態2に係るバーンイン装置のその他の構成・動作
は、上記実施の形態1に係るバーンイン装置の構成・動
作と同様である。
【0040】なお、本実施の形態2においても上記実施
の形態1と同様に、恒温槽1aaによる温度ストレスの
印加と、恒温槽1bbによる温度ストレスの印加とを繰
り返し実施することが可能である。
【0041】このように本実施の形態2に係るバーンイ
ン装置及びバーンイン方法によれば、複数のウェハ3が
格納されたウェハカセット6を恒温槽1aa,1bb内
に投入するため、一度に複数のウェハ3に対して温度ス
トレスを均一に印加することができ、処理効率の向上を
図ることが可能となる。
【0042】実施の形態3.図4は、本発明の実施の形
態3に係るバーンイン装置の構成を模式的に示す斜視図
である。但し、図1に示した評価部5の記載は省略して
ある。複数のウェハ3が、ベルトコンベア7上に連続的
に載置されて搬送されている。恒温槽1a,1bは、ベ
ルトコンベア7によるウェハ3の搬送経路中に配置され
ており、ベルトコンベア7は、恒温槽1a,1bの内部
を通過している。
【0043】ウェハ3に所定の温度ストレスを印加する
ために、ベルトコンベア7は、各ウェハ3が恒温槽1
a,1b内に投入された時点で一時停止される。あるい
は、一時停止するのではなく、ウェハ3が恒温槽1a,
1b内をゆっくりと通過するように、ベルトコンベア7
を遅い速度で継続的に駆動してもよい。ウェハは熱伝導
率が高いため、このような処理は十分に可能である。本
実施の形態3に係るバーンイン装置のその他の構成・動
作は、上記実施の形態1に係るバーンイン装置の構成・
動作と同様である。
【0044】なお、ベルトコンベア7を順方向及び逆方
向に駆動可能とすることにより、一枚のウェハ3に対し
て、恒温槽1aによる温度ストレスの印加と、恒温槽1
bによる温度ストレスの印加とを繰り返し実施すること
が可能となる。この場合、ベルトコンベア7上に載置さ
れるウェハ3同士の間隔を、恒温槽1aと恒温槽1bと
の間隔よりも広げることが望ましい。あるいは、ベルト
コンベア7によるウェハ3の搬送経路中に、恒温槽1
a,1bを複数対配設することによっても、恒温槽1a
による温度ストレスの印加と、恒温槽1bによる温度ス
トレスの印加とを繰り返し実施することが可能となる。
後述する実施の形態10についても同様である。
【0045】このように本実施の形態3に係るバーンイ
ン装置及びバーンイン方法によれば、ウェハ3をベルト
コンベア7上に載置して恒温槽1a,1b内を続けて通
過させるため、ベルトコンベア7上に複数のウェハ3を
載置することにより、複数のウェハ3に対して所定の温
度ストレスを連続的に印加することが可能となる。
【0046】実施の形態4.図5は、本発明の実施の形
態4に係るバーンイン装置の構成を模式的に示す斜視図
である。但し、図1に示した評価部5の記載は省略して
ある。上記実施の形態1では、ウェハ3を恒温槽1a,
1b内に投入することによって、所定の温度ストレスを
印加した。これに対して、本実施の形態4に係るバーン
イン装置及びバーンイン方法では、ヒータや冷却器等を
内部に有し、温度設定が可能な複数のウェハステージ8
a,8bを配置し、搬送器具4によって、ウェハ3をウ
ェハステージ8a,8b上に順に載置する構成としたも
のである。但し、搬送器具4によってウェハ3を移動す
るのではなく、ウェハ3を固定してウェハステージ8
a,8bを可動とする構成としてもよい。ウェハは熱伝
導率が高いため、ウェハステージ8a,8bとの面的接
触によって、ウェハ3に所定の温度ストレスを印加する
ことが可能である。本実施の形態4に係るバーンイン装
置のその他の構成・動作は、上記実施の形態1に係るバ
ーンイン装置の構成・動作と同様である。
【0047】なお、本実施の形態4においても上記実施
の形態1と同様に、ウェハステージ8aによる温度スト
レスの印加と、ウェハステージ8bによる温度ストレス
の印加とを繰り返し実施することが可能である。
【0048】このように本実施の形態4に係るバーンイ
ン装置及びバーンイン方法によれば、恒温槽1a,1b
内にウェハ3を投入する代わりに、ウェハステージ8
a,8b上にウェハ3を載置することによっても、ウェ
ハ3に所定の温度ストレスを印加することができ、上記
実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
【0049】しかも、恒温槽1a,1bを用いる上記実
施の形態1と比較すると、バーンイン装置の小型化を図
ることもできる。
【0050】実施の形態5.図6は、本発明の実施の形
態5に係るバーンイン装置の構成を模式的に示す斜視図
である。但し、図1に示した評価部5の記載は省略して
ある。図6に示した本実施の形態6に係るバーンイン装
置は、図1に示した上記実施の形態1に係るバーンイン
装置の全体を、密閉筐体9内に配設したものである。密
閉筐体9の側壁には吸気口10が設けられており、密閉
筐体9内の空気を吸気口10から外部に排気することに
より、密閉筐体9内は真空状態に維持されている。
【0051】図7は、本発明の実施の形態5に係るバー
ンイン装置の他の構成を模式的に示す斜視図である。但
し、図1に示した評価部5の記載は省略してある。図7
に示した本実施の形態6に係るバーンイン装置は、図1
に示した上記実施の形態1に係るバーンイン装置の全体
を、側壁にガス導入口11を有する密閉筐体9内に配設
したものである。密閉筐体9内は、ガス導入口11から
導入された窒素等の不活性ガスによって充填されてい
る。
【0052】本実施の形態5に係るバーンイン装置のそ
の他の構成・動作は、上記実施の形態1に係るバーンイ
ン装置の構成・動作と同様である。なお、以上の説明で
は図1に示した上記実施の形態1に係るバーンイン装置
を基礎として本実施の形態5に係る発明を適用する場合
の例について述べたが、図3〜5に示した上記実施の形
態2〜4に係るバーンイン装置を基礎として本実施の形
態5に係る発明を適用することも可能である。
【0053】図6に示した本実施の形態5に係るバーン
イン装置によれば、バーンイン装置を密閉筐体9内に配
設し、密閉筐体9内を真空状態に維持した。そのため、
ウェハ3に高温の温度ストレスを印加した場合の、大気
中の酸素によるウェハ3の酸化を防止することが可能と
なるとともに、低温の温度ストレスを印加した後に常温
大気中にウェハ3を取り出した場合の、ウェハ3表面へ
の結露の付着を防止することが可能となる。
【0054】また、図7に示した本実施の形態5に係る
バーンイン装置によれば、バーンイン装置を密閉筐体9
内に配設し、密閉筐体9内を不活性ガスによって充填し
た。そのため、ウェハ3に高温の温度ストレスを印加し
た場合の、大気中の酸素によるウェハ3の酸化を防止す
ることが可能となる。なお、低温の温度ストレスを印加
した後に常温大気中にウェハ3を取り出した場合の、ウ
ェハ3表面への結露の付着を防止するためには、乾燥さ
せた不活性ガスによって密閉筐体9内を充填することが
望ましい。
【0055】実施の形態6.図8は、本発明の実施の形
態6に係るバーンイン装置12の構成を模式的に示す斜
視図である。バーンイン装置12はウェハカセット投入
口14を有しており、評価対象であるウェハ3は、ウェ
ハカセット15内に複数格納された状態で、外部からウ
ェハカセット投入口14を通してバーンイン装置12内
に投入される。
【0056】バーンイン装置12内に投入されたウェハ
3は、ウェハカセット15から取り出され、ウェハ搬送
装置13によって、一枚ずつ評価部5に搬送される。な
お、図8にはウェハ搬送装置13が1個のみ示されてい
るが、実際には複数用意されている。本実施の形態6に
係るバーンイン装置12では、バーンイン装置12内に
おけるウェハカセット15の格納場所から、評価部5ま
での搬送経路中に、上記実施の形態1に係る恒温槽1
a,1bが配置されている。ウェハカセット15から取
り出されたウェハ3は、まず恒温槽1a,1bに順に搬
送されて、上記実施の形態1に係るバーンイン方法に従
って所定の温度ストレスが印加された後に、評価部5に
搬送される。そして、評価部5の有する評価用のウェハ
ステージ16上に載置されて、ウェハ3の特性が評価さ
れる。ウェハカセット15から取り出された複数のウェ
ハ3は、複数のウェハ搬送装置13によって、上記の搬
送順序に従って次々と搬送される。
【0057】このように本実施の形態6に係るバーンイ
ン装置及びバーンイン方法によれば、装置内におけるウ
ェハカセット15の格納場所から評価部5までの搬送経
路中に、上記実施の形態1に係る恒温槽1a,1bが配
置されており、ウェハカセット15から取り出された複
数のウェハ3は、複数のウェハ搬送装置13によって、
次々と搬送される。従って、評価部5において一のウェ
ハ3に関する評価が行われている間に、次のウェハ3に
対して、恒温槽1a,1bによる所定の温度ストレスの
印加を実行することができる。これにより、評価部5で
の待機時間を利用して温度ストレスの印加を実行するこ
とができるため、処理効率の向上を図ることができる。
【0058】なお、バーンイン装置12の筐体を密閉筐
体として、その内部空間を真空状態に維持することによ
り、あるいは不活性ガスで充填することにより、上記実
施の形態5に係るバーンイン装置と同様の効果を得るこ
とも可能である。後述する実施の形態7〜9についても
同様である。
【0059】実施の形態7.図9は、本発明の実施の形
態7に係るバーンイン装置17の構成を模式的に示す斜
視図である。バーンイン装置17はウェハカセット投入
口14を有しており、評価対象であるウェハ3は、ウェ
ハカセット6内に複数格納された状態で、外部からウェ
ハカセット投入口14を通してバーンイン装置17内に
投入される。なお、図9にはウェハカセット6が1個の
み示されているが、実際には複数用意されている。
【0060】本実施の形態7に係るバーンイン装置17
には、装置内におけるウェハカセット6の格納場所(ウ
ェハカセット格納部)に、上記実施の形態2に係る恒温
槽1aa,1bbが配置されている。ウェハカセット投
入口14から装置内に投入されたウェハカセット6は、
上記実施の形態2に係るバーンイン方法に従って、恒温
槽1aa,1bbに順に搬送される。そして、恒温槽1
aa,1bbによってウェハ3に所定の温度ストレスが
印加された後、恒温槽1aa,1bbからウェハカセッ
ト6が取り出される。その後、ウェハカセット6からウ
ェハ3が取り出され、ウェハ搬送装置13(図9には示
さない)によって評価部5に搬送されて、評価部5にお
いてウェハ3の特性が評価される。また、恒温槽1a
a,1bbからウェハカセット6が取り出されるととも
に、次のウェハカセット6がバーンイン装置17内に投
入され、上記と同様に恒温槽1aa,1bbに順に搬送
される。
【0061】このように本実施の形態7に係るバーンイ
ン装置及びバーンイン方法によれば、バーンイン装置1
7内におけるウェハカセット6の格納場所に、上記実施
の形態2に係る恒温槽1aa,1bbが配置されてお
り、恒温槽1aa,1bbから一のウェハカセット6が
取り出されるとともに、次のウェハカセット6が恒温槽
1aa,1bbに搬送される。従って、上記一のウェハ
カセット6内に格納されていた複数のウェハ3に関する
評価が評価部5で行われている間に、次のウェハカセッ
ト6内に格納されている複数のウェハ3に対して、恒温
槽1aa,1bbによる所定の温度ストレスの印加を実
行することができる。これにより、装置内におけるウェ
ハカセットの格納場所での待機時間を利用して温度スト
レスの印加を実行することができるため、処理効率の向
上を図ることができる。
【0062】実施の形態8.図10は、本発明の実施の
形態8に係るバーンイン装置18の構成を模式的に示す
斜視図である。バーンイン装置18はウェハカセット投
入口14を有しており、評価対象であるウェハ3は、ウ
ェハカセット15内に複数格納された状態で、外部から
ウェハカセット投入口14を通してバーンイン装置18
内に投入される。
【0063】バーンイン装置18内に投入されたウェハ
3は、ウェハカセット15から取り出され、図4に示し
た上記実施の形態3に係るベルトコンベア7によって、
一枚ずつ評価部5に搬送される。本実施の形態8に係る
バーンイン装置18では、バーンイン装置18内におけ
るウェハカセット15の格納場所から評価部5までの、
ベルトコンベア7によるウェハ3の搬送経路中に、上記
実施の形態3に係る恒温槽1a,1bが配置されてい
る。ウェハカセット15から取り出されたウェハ3は、
ベルトコンベア7によって、まず恒温槽1a,1bに順
に搬送されて、上記実施の形態3に係るバーンイン方法
に従って所定の温度ストレスが印加された後に、評価部
5に搬送される。そして、評価部5の有する評価用のウ
ェハステージ16上に載置されて、ウェハ3の特性が評
価される。ウェハカセット15から取り出された複数の
ウェハ3は、ベルトコンベア7によって、上記の搬送順
序に従って次々と搬送される。
【0064】このように本実施の形態8に係るバーンイ
ン装置及びバーンイン方法によれば、装置内におけるウ
ェハカセット15の格納場所から評価部5までの搬送経
路中に、上記実施の形態3に係るベルトコンベア7及び
恒温槽1a,1bが配置されており、ウェハカセット1
5から取り出された複数のウェハ3は、ベルトコンベア
7によって次々と搬送される。従って、評価部5におい
て一のウェハ3に関する評価が行われている間に、次の
ウェハ3に対して、恒温槽1a,1bによる所定の温度
ストレスの印加を実行することができる。これにより、
評価部5での待機時間を利用して温度ストレスの印加を
実行することができるため、処理効率の向上を図ること
ができる。
【0065】実施の形態9.図11は、本発明の実施の
形態9に係るバーンイン装置19の構成を模式的に示す
斜視図である。バーンイン装置19はウェハカセット投
入口14を有しており、評価対象であるウェハ3は、ウ
ェハカセット15内に複数格納された状態で、外部から
ウェハカセット投入口14を通してバーンイン装置19
内に投入される。
【0066】バーンイン装置19内に投入されたウェハ
3は、ウェハカセット15から取り出され、ウェハ搬送
装置13(図11には示さない)によって、一枚ずつ評
価部5に搬送される。本実施の形態9に係るバーンイン
装置19では、バーンイン装置19内におけるウェハカ
セット15の格納場所から、評価部5までの搬送経路中
に、上記実施の形態4に係るウェハステージ8a,8b
が配置されている。ウェハカセット15から取り出され
たウェハ3は、まずウェハステージ8a,8bに順に搬
送されて、上記実施の形態4に係るバーンイン方法に従
って所定の温度ストレスが印加された後に、評価部5に
搬送される。そして、評価部5の有する評価用のウェハ
ステージ16上に載置されて、ウェハ3の特性が評価さ
れる。ウェハカセット15から取り出された複数のウェ
ハ3は、複数のウェハ搬送装置13によって、上記の搬
送順序に従って次々と搬送される。
【0067】このように本実施の形態9に係るバーンイ
ン装置及びバーンイン方法によれば、装置内におけるウ
ェハカセット15の格納場所から評価部5までの搬送経
路中に、上記実施の形態4に係るウェハステージ8a,
8bが配置されており、ウェハカセット15から取り出
された複数のウェハ3は、複数のウェハ搬送装置13に
よって、次々と搬送される。従って、評価部5において
一のウェハ3に関する評価が行われている間に、次のウ
ェハ3に対して、ウェハステージ8a,8bによる所定
の温度ストレスの印加を実行することができる。これに
より、評価部5での待機時間を利用して温度ストレスの
印加を実行することができるため、処理効率の向上を図
ることができる。
【0068】実施の形態10.図12は、本発明の実施
の形態10に係るバーンイン装置22の構成を模式的に
示す斜視図である。バーンイン装置22は、評価部5に
相当する評価装置21と、該評価装置21と前段の試験
装置20との間を繋ぐベルトコンベア7と、ベルトコン
ベア7によるウェハ3の搬送経路中に配置された恒温槽
1a,1bとを備えている。試験装置20は、例えば、
バーンイン試験前のウェハテストを行うための装置であ
る。
【0069】ウェハテストに合格したウェハ3は、ベル
トコンベア7上に連続的に載置され、上記実施の形態3
に係るバーンイン方法に従って、恒温槽1a,1bによ
って所定の温度ストレスが印加された後、評価装置21
内に搬送される。そして、搬送装置21によってウェハ
3の特性が評価される。なお、以上の説明では、ウェハ
テストを行う試験装置20が、バーンイン装置22の前
段に配設されている場合を例にとり説明したが、バーン
イン工程の前にウェハ3に対して行われる処理を実施す
る処理装置であればいずれの装置であってもよく、試験
装置20に限定するものではない。
【0070】このように、本実施の形態10に係るバー
ンイン装置及びバーンイン方法によれば、評価装置21
と前段の試験装置20との間のウェハ3の搬送経路中
に、上記実施の形態3に係るベルトコンベア7及び恒温
槽1a,1bが配置されており、試験装置20から搬出
された複数のウェハ3は、ベルトコンベア7によって次
々と搬送される。従って、評価装置21において一のウ
ェハ3に関する評価が行われている間に、次のウェハ3
に対して、恒温槽1a,1bによる所定の温度ストレス
の印加を実行することができる。これにより、評価装置
21での待機時間を利用して温度ストレスの印加を実行
することができるため、処理効率の向上を図ることがで
きる。
【0071】
【発明の効果】この発明のうち請求項1に係るものによ
れば、温度ストレスに弱い半導体装置をスクリーニング
することができる。また、電気的ストレスを印加するた
めのプローブ針をウェハに針当てする必要がないため、
ウェハの損傷を回避することができる。また、ウェハ内
の全ての領域に均一にバーンインストレスを印加でき
る。
【0072】しかも、パッケージングが成された状態の
チップに対して温度ストレスを印加する場合と比較する
と、効率的に温度ストレスを印加できるため、バーンイ
ン試験の所要時間を短縮することができる。また、救済
が可能な故障箇所については、救済を実施することも可
能である。
【0073】さらに、一つのストレス印加部を用いて第
1及び第2の温度ストレスを印加する場合と比較する
と、該ストレス印加部の昇温・降温過程を省略できるた
め、全体としてバーンイン試験の所要時間を短縮するこ
とができるとともに、ストレス印加部自体の寿命を延命
化することができる。
【0074】また、この発明のうち請求項2に係るもの
によれば、第1及び第2の温度ストレスを繰り返し印加
することにより、ウェハに対して強いバーンインストレ
スを印加することができる。
【0075】また、この発明のうち請求項3に係るもの
によれば、一つの恒温槽で内部温度を順に変化させて第
1及び第2の温度ストレスを印加する場合と比較する
と、恒温槽の昇温・降温過程を省略できるため、全体と
してバーンイン試験の所要時間を短縮することができる
とともに、恒温槽自体の寿命を延命化することができ
る。
【0076】また、この発明のうち請求項4に係るもの
によれば、複数のウェハが格納されたウェハカセットを
第1及び第2のストレス印加部内に投入するため、一度
に複数のウェハに対して温度ストレスを均一に印加する
ことができ、処理効率の向上を図ることが可能となる。
【0077】また、この発明のうち請求項5に係るもの
によれば、第1及び第2のストレス印加部から一のウェ
ハカセットを取り出すとともに、次のウェハカセットを
第1及び第2のストレス印加部に投入することにより、
上記一のウェハカセット内に格納されていた複数のウェ
ハに関する評価が評価部において行われている間に、上
記次のウェハカセット内に格納されている複数のウェハ
に対して、第1及び第2の温度ストレスを印加すること
ができる。従って、ウェハカセット格納部での待機時間
を利用して温度ストレスの印加を実行できるため、処理
効率の向上を図ることができる。
【0078】また、この発明のうち請求項6に係るもの
によれば、ベルトコンベア上に複数のウェハを載置する
ことにより、複数のウェハに対して第1及び第2の温度
ストレスを連続的に印加することが可能となる。
【0079】また、この発明のうち請求項7に係るもの
によれば、評価部において一のウェハに関する評価が行
われている間に、ウェハカセットから取り出した次のウ
ェハに対して、第1及び第2のストレス印加部によって
第1及び第2の温度ストレスをそれぞれ印加することが
できる。従って、評価部での待機時間を利用して温度ス
トレスの印加を実行することができるため、処理効率の
向上を図ることができる。
【0080】また、この発明のうち請求項8に係るもの
によれば、第1及び第2のストレス印加部として恒温槽
を用いる場合と比較すると、バーンイン装置の小型化を
図ることができる。
【0081】また、この発明のうち請求項9に係るもの
によれば、評価部において一のウェハに関する評価が行
われている間に、ウェハカセットから取り出した次のウ
ェハに対して、第1及び第2のストレス印加部によって
第1及び第2の温度ストレスをそれぞれ印加することが
できる。従って、評価部での待機時間を利用して温度ス
トレスの印加を実行することができるため、処理効率の
向上を図ることができる。
【0082】また、この発明のうち請求項10に係るも
のによれば、ウェハに高温の温度ストレスを印加した場
合の、大気中の酸素によるウェハの酸化を防止すること
が可能となる。また、低温の温度ストレスを印加した後
に常温大気中にウェハを取り出した場合の、ウェハ表面
への結露の付着を防止することが可能となる。
【0083】また、この発明のうち請求項11に係るも
のによれば、ウェハに高温の温度ストレスを印加した場
合の、大気中の酸素によるウェハの酸化を防止すること
が可能となる。
【0084】また、この発明のうち請求項12に係るも
のによれば、評価部において一のウェハに関する評価が
行われている間に、処理装置からベルトコンベアによっ
て搬出された次のウェハに対して、第1及び第2のスト
レス印加部によって温度ストレスを印加できる。従っ
て、評価部での待機時間を利用して温度ストレスの印加
を実行できるため、処理効率の向上を図ることができ
る。
【0085】また、この発明のうち請求項13に係るも
のによれば、温度ストレスに弱い半導体装置をスクリー
ニングすることができる。また、電気的ストレスを印加
するためのプローブ針をウェハに針当てする必要がない
ため、ウェハの損傷を回避することができる。また、ウ
ェハ内の全ての領域に均一にバーンインストレスを印加
できる。
【0086】しかも、パッケージングが成された状態の
チップに対して温度ストレスを印加する場合と比較する
と、効率的に温度ストレスを印加できるため、バーンイ
ン試験の所要時間を短縮することができる。
【0087】また、この発明のうち請求項14に係るも
のによれば、第1及び第2の温度ストレスを繰り返し印
加することにより、ウェハに対して強いバーンインスト
レスを印加することができる。
【0088】また、この発明のうち請求項15に係るも
のによれば、十分なバーンインストレスが印加されてい
ないウェハに対してステップ(a)及び(b)を繰り返
し実行することによって、印加するバーンインストレス
の均一化を図ることができ、バーンイン試験の信頼性を
高めることができる。
【0089】また、この発明のうち請求項16に係るも
のによれば、救済を実施した後にアセンブリ及びパッケ
ージングを行うことによって良品デバイスとして出荷で
きるため、1枚のウェハあたりの、良品デバイスとして
得られるチップの個数を増加することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1に係るバーンイン装置
の構成を模式的に示す斜視図である。
【図2】 本発明の実施の形態1に係るバーンイン方法
を説明するためのフローチャートである。
【図3】 本発明の実施の形態2に係るバーンイン装置
の構成を模式的に示す斜視図である。
【図4】 本発明の実施の形態3に係るバーンイン装置
の構成を模式的に示す斜視図である。
【図5】 本発明の実施の形態4に係るバーンイン装置
の構成を模式的に示す斜視図である。
【図6】 本発明の実施の形態5に係るバーンイン装置
の構成を模式的に示す斜視図である。
【図7】 本発明の実施の形態5に係るバーンイン装置
の他の構成を模式的に示す斜視図である。
【図8】 本発明の実施の形態6に係るバーンイン装置
の構成を模式的に示す斜視図である。
【図9】 本発明の実施の形態7に係るバーンイン装置
の構成を模式的に示す斜視図である。
【図10】 本発明の実施の形態8に係るバーンイン装
置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図11】 本発明の実施の形態9に係るバーンイン装
置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図12】 本発明の実施の形態10に係るバーンイン
装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図13】 バーンイン試験の評価対象である半導体記
憶装置の構造を模式的に示す上面図である。
【符号の説明】
1a,1aa,1b,1bb 恒温槽、3 ウェハ、5
評価部、6 ウェハカセット、7 ベルトコンベア、
8a,8b ウェハステージ、9 密閉筐体、10 吸
気口、11 ガス導入口、12,17〜19,22 バ
ーンイン装置、20 試験装置、21 評価装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 茂久 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 2G003 AA10 AB01 AB18 AC04 AD02 AG11 AH04 AH05 AH07 2G014 AA02 AB59 AC19 2G032 AA00 AB02 AD01 AE01 AE08 AE11 AL00 4M106 AA01 BA14 CA56 CA60 CA62 DD22 DD30 DJ04 DJ38

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 評価対象であるウェハに第1の温度スト
    レスを印加する第1のストレス印加部と、 前記ウェハに、前記第1の温度ストレスとは異なる第2
    の温度ストレスを印加する第2のストレス印加部と、 前記第1及び第2の温度ストレスがそれぞれ印加された
    後の前記ウェハに関して、故障が発生しているか否かを
    評価する評価部とを備えるバーンイン装置。
  2. 【請求項2】 前記ウェハには、前記第1及び第2のス
    トレス印加部によって、前記第1及び第2の温度ストレ
    スが繰り返し印加される、請求項1に記載のバーンイン
    装置。
  3. 【請求項3】 前記第1及び第2のストレス印加部はい
    ずれも、内部が恒温に保持された恒温槽であることを特
    徴とする、請求項1又は2に記載のバーンイン装置。
  4. 【請求項4】 前記ウェハを他のウェハとともに格納し
    た状態で、前記第1及び第2のストレス印加部によって
    前記第1及び第2の温度ストレスをそれぞれ印加するた
    めのウェハカセットをさらに備える、請求項1又は2に
    記載のバーンイン装置。
  5. 【請求項5】 前記バーンイン装置内に投入された前記
    ウェハカセットを格納するウェハカセット格納部をさら
    に備え、 前記第1及び第2のストレス印加部は、前記ウェハカセ
    ット格納部に配設されていることを特徴とする、請求項
    4に記載のバーンイン装置。
  6. 【請求項6】 前記第1及び第2のストレス印加部はい
    ずれも、内部が恒温に保持された恒温槽であり、 前記第1及び第2のストレス印加部の内部を順に通って
    前記ウェハを搬送するベルトコンベアをさらに備える、
    請求項1又は2に記載のバーンイン装置。
  7. 【請求項7】 前記バーンイン装置内に投入された、前
    記ウェハが他のウェハとともに格納されているウェハカ
    セットを格納するウェハカセット格納部をさらに備え、 前記ベルトコンベアと前記第1及び第2のストレス印加
    部とは、前記ウェハカセット格納部と前記評価部との間
    の前記ウェハの搬送経路中に配設されていることを特徴
    とする、請求項6に記載のバーンイン装置。
  8. 【請求項8】 前記第1及び第2のストレス印加部はい
    ずれも、前記ウェハを載置可能であり、温度設定が可能
    なウェハステージであることを特徴とする、請求項1又
    は2に記載のバーンイン装置。
  9. 【請求項9】 前記バーンイン装置内に投入された、前
    記ウェハが他のウェハとともに格納されているウェハカ
    セットを格納するウェハカセット格納部をさらに備え、 前記第1及び第2のストレス印加部は、前記ウェハカセ
    ット格納部と前記評価部との間の前記ウェハの搬送経路
    中に配設されていることを特徴とする、請求項3又は8
    に記載のバーンイン装置。
  10. 【請求項10】 前記バーンイン装置が内部に配設され
    た密閉筐体をさらに備え、 前記密閉筐体の内部空間は真空状態に維持されている、
    請求項1〜9のいずれか一つに記載のバーンイン装置。
  11. 【請求項11】 前記バーンイン装置が内部に配設され
    た密閉筐体をさらに備え、 前記密閉筐体の内部空間は不活性ガスによって充填され
    ている、請求項1〜9のいずれか一つに記載のバーンイ
    ン装置。
  12. 【請求項12】 前記第1及び第2のストレス印加部は
    いずれも、内部が恒温に保持された恒温槽であり、 前記第1及び第2のストレス印加部の内部を順に通って
    前記評価部にウェハを搬送するベルトコンベアをさらに
    備え、 前記ベルトコンベアと前記第1及び前記第2のストレス
    印加部とは、バーンイン工程の前に行われる処理を実施
    する処理装置と、前記評価部との間に配設されているこ
    とを特徴とする、請求項1又は2に記載のバーンイン装
    置。
  13. 【請求項13】 (a)評価対象であるウェハに、第1
    の温度ストレスを印加するステップと、 (b)前記ウェハに、前記第1の温度ストレスとは異な
    る第2の温度ストレスを印加するステップと、 (c)前記ステップ(a)及び(b)よりも後に実行さ
    れ、前記ウェハに故障が発生しているか否かを評価する
    ステップとを備えるバーンイン方法。
  14. 【請求項14】 前記工程(a)及び(b)は繰り返し
    実行される、請求項13に記載のバーンイン方法。
  15. 【請求項15】 (d)前記ステップ(a)及び(b)
    と、前記ステップ(c)との間に実行され、前記ウェハ
    に所定のバーンインストレスが印加されたか否かを判定
    するステップと、 (e)前記ステップ(d)において、前記所定のバーン
    インストレスが印加されていないと判定された前記ウェ
    ハに対して、前記ステップ(a)及び(b)を繰り返し
    実行するステップとをさらに備える、請求項13に記載
    のバーンイン方法。
  16. 【請求項16】 (f)前記ステップ(c)よりも後に
    実行され、前記ウェハ内で故障が発生している箇所に対
    して、救済を実施するステップをさらに備える、請求項
    13〜15のいずれか一つに記載のバーンイン方法。
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