JP2010524235A - 熱膨張係数の異なる信号分配ボード及びウェハチャックをもつエレクトロニックテスター - Google Patents
熱膨張係数の異なる信号分配ボード及びウェハチャックをもつエレクトロニックテスター Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明は、マイクロエレクトロニック回路を載せた基板を取り外し可能に保持してテストするためのポータブル支持構造体を含む種類のテスター装置に係る。ポータブル構造体が固定構造体によって保持されるときには固定構造体上のインターフェイスが第1インターフェイスに接続され、そしてポータブル支持構造体が固定構造体から除去されるときにはそれが第1インターフェイスから切断される。これらインターフェイスを通して電気テスターが接続され、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストすることができる。
【選択図】図3
Description
CTE比X温度増加比=χ
12:ウェハチャックコンポーネント
14:圧力差基板空洞シール
16:オフセットリング
18:基板吸収通路バルブ
36:円形凹所
40:下部アンカー部分
50:基板吸引通路
52:第1部分
54:第2部分
56:第3部分
62:空気出口開口
64、66、68:円形溝
70:スロット
74:座部
76:ボールバルブコンポーネント
80:圧力解放開口
82:ウェハ基板
92:金属端子
108:ポータブルパック
114:バッキングプレート
116:信号分配ボード
118:バッキング部材
120:開口
122:縁
124:基板
128:クランプリング
134:金属座部
140:圧力差空洞
142:溝
144:減圧通路
154:入口開口
168:スロット
170:コンタクタ
172:ピン
174:スタンドオフ
176:接着剤
178:第1コンポーネント
179:第2コンポーネント
180:固定構造体
181:フレーム
182:スプリング
185:保持構造体
187:アクチュエータ
188:コンタクト部
189:インターフェイス組立体
190:熱チャック
191:金属線
192:装着構成体
193:ランド
194:シリンダ
196:ピストン
198:接続断片
200:基板
202:ピストン
206:信号・電力ボード
208:第1コンポーネント
210:第2コンポーネント
212:スプリング
214:基板
216:コンタクト部
218:金属線
220:装着断片
226:熱インターフェイス空洞シール
230:アダプタ
240:真空溝
242:真空ポート
244:真空ポートシール
268:第1の螺旋
270:第2の螺旋
302:電気テスター
Claims (548)
- マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、
前記ポータブル支持構造体上にあって、前記端子への接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第1のインターフェイスを形成するための複数のランドであって、前記ポータブル支持構造体が固定構造体により取り外し可能に保持されたときにその固定構造体の第2のインターフェイスを形成する複数の部材に接続されるような複数のランドと、
を備え、前記部材は、前記ランドに一致し且つ前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有し、前記固定構造体の構造部に対して移動できるようにされた、ポータブルパック。 - 前記ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含み、前記コンタクト部は、第2のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である、請求項1に記載のポータブルパック。
- 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも1.5である、請求項2に記載のポータブルパック。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項3に記載のポータブルパック。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項3に記載のポータブルパック。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項3に記載のポータブルパック。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にシールを形成して、それら第1及び第2のコンポーネントの表面とこのシールとで包囲空洞を形成し、
前記包囲空洞内の圧力を下げて、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動させる、
ことを含む請求項2に記載のポータブルパック。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項7に記載のポータブルパック。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項7に記載のポータブルパック。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項7に記載のポータブルパック。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項7に記載のポータブルパック。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項11に記載のポータブルパック。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項2に記載のポータブルパック。
- 前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項2に記載のポータブルパック。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項14に記載のポータブルパック。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第2の面に取り付けられる、請求項14に記載のポータブルパック。
- 前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項1に記載のポータブルパック。
- 前記基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項1に記載のポータブルパック。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項1に記載のポータブルパック。
- マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記端子への接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第1のインターフェイスを形成する複数のランドと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体に第2のインターフェイスを形成する複数の部材であって、これら部材は、前記ランドに一致し且つ前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有し、前記固定構造体の構造部に対して移動できるようにされ、前記第2のインターフェイスは、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されるときに前記第1のインターフェイスに接続され、且つ前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されるときには前記第1のインターフェイスから切断されるような複数の部材と、
前記第2のインターフェイス、前記第1のインターフェイス及び前記コンタクト部を通して前記端子に接続された電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストするようにした電気テスターと、
を備えたテスター装置。 - 前記ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含み、前記コンタクト部は、第2のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である、請求項20に記載のテスター装置。
- 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも1.5である、請求項21に記載のテスター装置。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項22に記載のテスター装置。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項22に記載のテスター装置。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項22に記載のテスター装置。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にあり、それらの第1及び第2のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項21に記載のテスター装置。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項26に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項26に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項26に記載のテスター装置。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項26に記載のテスター装置。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項30に記載のテスター装置。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項21に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項21に記載のテスター装置。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項33に記載のテスター装置。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第2の面に取り付けられる、請求項33に記載のテスター装置。
- 前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項20に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項20に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項37に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項38に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体に熱チャックを更に含み、この熱チャックは、入口及び出口をもつ熱制御通路を有し、入口と出口との間には入口から出口へ流体が流れるようにするための少なくとも1つの区分があり、熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達する、請求項20に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項40に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項41に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項42に記載のテスター装置。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項41に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3の区分は、第1螺旋上に位置されない第2螺旋の区分である、請求項41に記載のテスター装置。
- ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項40に記載のテスター装置。
- 前記ヒータは、電気ヒータである、請求項46に記載のテスター装置。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項46に記載のテスター装置。
- 熱は、最初、流体が21℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項48に記載のテスター装置。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は100℃より高い、請求項46に記載のテスター装置。
- 流体は、再循環される、請求項46に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第1インターフェイスを前記第2インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第1及び第2のアクチュエータ断片を有する少なくとも1つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項20に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項52に記載のテスター装置。
- テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項20に記載のテスター装置。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項20に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項20に記載のテスター装置。
- 基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するポータブル支持構造体に基板を保持するステップと、
固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第2インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間で前記端子、前記コンタクト部、前記第1及び第2のインターフェイスを通して信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、
を備えた方法。 - 前記基板は、前記ポータブル支持構造体の前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に保持され、前記コンタクト部は、前記第2コンポーネント上にあり、更に、
前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動するステップ、
を備えた請求項57に記載の方法。 - 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも1.5である、請求項58に記載の方法。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項59に記載の方法。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項59に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項59に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第1及び第2コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項58に記載の方法。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び端子を取り巻く、請求項63に記載の方法。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1のコンポーネントに固定される、請求項63に記載の方法。
- 前記基板空洞シールは、リップシールで形成される、請求項63に記載の方法。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、前記圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、更に、
前記第1バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、
前記第1バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにする、
ことを含む請求項63に記載の方法。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブが設けられ、更に、
前記真空解放バルブを開いて、前記圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じて、前記圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
ことを含む請求項67に記載の方法。 - 前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項67に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持するステップを更に含む、請求項58に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限するステップを含む、請求項58に記載の方法。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項71に記載の方法。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1の面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を含み、前記スタンドオフは、第2の面に取り付けられる、請求項71に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項57に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項74に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項75に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項76に記載の方法。
- 前記固定構造体上の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも1つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
を更に備えた請求項57に記載の方法。 - 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項78に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、前記第2区分と第3区分との間に位置される、請求項79に記載の方法。
- 前記第2区分と第3区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度であり、前記第1区分と第4区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度である、請求項80に記載の方法。
- 前記第1区分の流体と第4区分の流体との間の温度差は、前記第2区分の流体と第3区分の流体との間より大きい、請求項81に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、前記第1区分と第2区分との間に位置される、請求項80に記載の方法。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項79に記載の方法。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3区分は、第1螺旋上に位置されない第2の螺旋の区分である、請求項79に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は21℃より高い、請求項78に記載の方法。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項86に記載の方法。
- 流体が21℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項87に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに、流体の温度は100℃より高い、請求項86に記載の方法。
- 流体は、再循環される、請求項86に記載の方法。
- マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項57に記載の方法。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項57に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項57に記載の方法。
- 間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有し、前記第2コンポーネントは、信号分配ボード及びコンタクタを含み、信号分配ボードのCTEとコンタクタのCTEとのCTE比が1に等しくないようなポータブル支持構造体と、
前記第2コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、これらコンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するように前記コンポーネントが互いに移動可能とされている複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第1インターフェイスであって、前記ポータブル支持構造体が取り外されて固定構造体により保持されるときにその固定構造体上の第2インターフェイスに接続される第1インターフェイスと、
を備えたポータブルパック。 - 前記コンタクタは、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1のコンタクタ温度から第2のコンタクタ温度へ加熱し、前記信号分配ボードは、第1の信号分配ボード温度から第2の信号分配ボード温度へ加熱し、そして第2の信号分配ボード温度と第1の信号分配ボード温度の差と、第2のコンタクタ温度と第1のコンタクタ温度の差との温度変化比にCTE比を乗算したものは、CTE比よりも1に近い、請求項94に記載のポータブルパック。
- 前記CTE比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項94に記載のポータブルパック。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項94に記載のポータブルパック。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にあり、それらの第1及び第2のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項94に記載のポータブルパック。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項98に記載のポータブルパック。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項98に記載のポータブルパック。
- 前記圧力差空洞シールはリップシールである、請求項98に記載のポータブルパック。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項98に記載のポータブルパック。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項102に記載のポータブルパック。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項94に記載のポータブルパック。
- 前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項94に記載のポータブルパック。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項105に記載のポータブルパック。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第2の面に取り付けられる、請求項105に記載のポータブルパック。
- 前記第1インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第2インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項94に記載のポータブルパック。
- 前記ランド及び前記端子は、平行な平面内にある、請求項108に記載のポータブルパック。
- 前記基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項94に記載のポータブルパック。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項94に記載のポータブルパック。
- 間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有し、前記第2コンポーネントは、信号分配ボード及びコンタクタを含み、信号分配ボードのCTEとコンタクタのCTEとのCTE比が1に等しくないようなポータブル支持構造体と、
前記第2コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、これらコンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するように前記コンポーネントが互いに移動可能とされている複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあって前記コンタクト部に接続された第1インターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第2インターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されたときには前記第1インターフェイスに接続され、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されたときには前記第1インターフェイスから切断されるような第2インターフェイスと、
前記第2インターフェイス、第1インターフェイス及びコンタクト部を通して前記端子に接続される電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストする電気テスターと、
を備えたテスター装置。 - 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項112に記載のテスター装置。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項112に記載のテスター装置。
- 前記第1コンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項112に記載のテスター装置。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にあり、それらの第1及び第2のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項112に記載のテスター装置。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項116に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項116に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項116に記載のテスター装置。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項116に記載のテスター装置。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項120に記載のテスター装置。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項112に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項112に記載のテスター装置。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項123に記載のテスター装置。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第2の面に取り付けられる、請求項123に記載のテスター装置。
- 前記第1インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第2インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項112に記載のテスター装置。
- 前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項126に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項126に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項128に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項129に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体に熱チャックを更に含み、この熱チャックは、入口及び出口をもつ熱制御通路を有し、入口と出口との間には入口から出口へ流体が流れるようにするための少なくとも1つの区分があり、熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達する、請求項112に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項131に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項132に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項133に記載のテスター装置。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項132に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3の区分は、第1螺旋上に位置されない第2螺旋の区分である、請求項132に記載のテスター装置。
- ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項131に記載のテスター装置。
- 前記ヒータは、電気ヒータである、請求項137に記載のテスター装置。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項137に記載のテスター装置。
- 熱は、最初、流体が21℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項139に記載のテスター装置。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は100℃より高い、請求項137に記載のテスター装置。
- 流体は、再循環される、請求項137に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第1インターフェイスを前記第2インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第1及び第2のアクチュエータ断片を有する少なくとも1つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項112に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項143に記載のテスター装置。
- テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項112に記載のテスター装置。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項112に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項112に記載のテスター装置。
- 基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
ポータブル支持構造体の第1及び第2のコンポーネント間に基板を支持するステップであって、その第2コンポーネントは、マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するものであるステップと、
前記コンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するために前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動するステップであって、前記ポータブル支持構造体は、基板と一緒に、第1及び第2要素を含み、第1要素のCTEと第2要素のCTEとのCTE比が1に等しくないようなステップと、
前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスが固定構造体の第2インターフェイスに接続されるようにして固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記端子、コンタクト部、第1及び第2のインターフェイスを通して電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップであって、前記ポータブル支持構造体の第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に基板が支持され、そして前記第2コンポーネント上にコンタクト部があるようなステップと、更に、
前記コンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するために前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動するステップ、
を備えた方法。 - 前記第2要素は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に低い第2要素温度から第2の基板温度へ加熱し、前記第1要素は、低い第1要素温度から高い第1要素温度へ加熱し、そして高い第2要素温度と低い第2要素温度の差と、高い第1要素温度と低い第1要素温度の差との温度変化比にCTE比を乗算したものは、CTE比よりも1に近い、請求項148に記載の方法。
- 前記CTE比に前記温度変化比を乗算したものは、0.8ないし1.2である、請求項148に記載の方法。
- 前記第1及び第2の要素は、前記基板の同じ側にある信号分配ボード及びコンタクタである、請求項148に記載の方法。
- 前記要素の1つは、基板である、請求項148に記載の方法。
- 第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、それら第1及び第2のコンポーネントの表面とこの圧力差空洞シールとで包囲空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項148に記載の方法。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項153に記載の方法。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項153に記載の方法。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、
前記第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、
前記第1バルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにする、請求項152に記載の方法。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、
前記真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項156に記載の方法。 - 圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項156に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することを更に含む、請求項148に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限することを含む、請求項148に記載の方法。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項160に記載の方法。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1の面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を更に含み、前記スタンドオフは、第2の面に取り付けられる、請求項160に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第2インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項148に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項163に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項164に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項165に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項166に記載の方法。
- 前記固定構造体上の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも1つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
を更に備えた請求項148に記載の方法。 - 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項168に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項169に記載の方法。
- 前記第2区分と第3区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度であり、前記第1区分と第4区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度である、請求項170に記載の方法。
- 前記第1区分の流体と第4区分の流体との間の温度差は、前記第2区分の流体と第3区分の流体との間より大きい、請求項171に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項170に記載の方法。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項169に記載の方法。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3区分は、第1螺旋上に位置されない第2の螺旋の区分である、請求項169に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は21℃より高い、請求項168に記載の方法。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項176に記載の方法。
- 流体が21℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項177に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに、流体の温度は100℃より高い、請求項176に記載の方法。
- 流体は、再循環される、請求項176に記載の方法。
- マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項148に記載の方法。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項148に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項148に記載の方法。
- 間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有するものであるポータブル支持構造体と、
前記第2コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に圧力差空洞シールがあり、この圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成するような複数のコンタクト部と、
前記コンポーネントの1つを通して形成された減圧通路であって、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有している減圧通路と、
前記減圧通路を有するコンポーネントに設けられた第1バルブであって、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出して、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動して、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保することができると共に、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる第1バルブと、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第1インターフェイスであって、前記ポータブル支持構造体が取り外されて固定構造体により保持されるときにその固定構造体上の第2インターフェイスに接続される第1インターフェイスと、
を備えたポータブルパック。 - 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも1.5である、請求項184に記載のポータブルパック。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項185に記載のポータブルパック。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項185に記載のポータブルパック。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項185に記載のポータブルパック。
- 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項184に記載のポータブルパック。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項184に記載のポータブルパック。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項184に記載のポータブルパック。
- 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項184に記載のポータブルパック。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項184に記載のポータブルパック。
- 前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項184に記載のポータブルパック。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項194に記載のポータブルパック。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第2の面に取り付けられる、請求項194に記載のポータブルパック。
- 前記第1インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第2インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動するように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項184に記載のポータブルパック。
- 前記ランド及び前記端子は、平行な平面内にある、請求項197に記載のポータブルパック。
- 前記基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項184に記載のポータブルパック。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項184に記載のポータブルパック。
- 間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有するものであるポータブル支持構造体と、
前記第2コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にあり、前記第1及び第2のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記コンポーネントの1つを通して形成された減圧通路であって、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有している減圧通路と、
前記減圧通路を有するコンポーネントに設けられた第1バルブであって、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出して、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動して、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保することができると共に、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる第1バルブと、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第1インターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第2インターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されたときには前記第1インターフェイスに接続され、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されたときには前記第1インターフェイスから切断されるような第2インターフェイスと、
前記第2インターフェイス、第1インターフェイス及びコンタクト部を通して前記端子に接続される電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストする電気テスターと、
を備えたテスター装置。 - 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも1.5である、請求項201に記載のテスター装置。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項202に記載のテスター装置。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項202に記載のテスター装置。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項202に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項201に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項201に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項201に記載のテスター装置。
- 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項201に記載のテスター装置。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項201に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項201に記載のテスター装置。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項211に記載のテスター装置。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第2の面に取り付けられる、請求項211に記載のテスター装置。
- 前記第1インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第2インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対し又はそれに対して移動するように前記ランドに一致し且つ前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項201に記載のテスター装置。
- 前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項214に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項214に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項216に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項217に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体に熱チャックを更に含み、この熱チャックは、入口及び出口をもつ熱制御通路を有し、入口と出口との間には入口から出口へ流体が流れるようにするための少なくとも1つの区分があり、熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達する、請求項201に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項219に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項220に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項221に記載のテスター装置。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項220に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3の区分は、第1螺旋上に位置されない第2螺旋の区分である、請求項220に記載のテスター装置。
- ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項219に記載のテスター装置。
- 前記ヒータは、電気ヒータである、請求項225に記載のテスター装置。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項225に記載のテスター装置。
- 熱は、最初、流体が21℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項227に記載のテスター装置。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は100℃より高い、請求項225に記載のテスター装置。
- 流体は、再循環される、請求項225に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第1インターフェイスを前記第2インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第1及び第2のアクチュエータ断片を有する少なくとも1つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項201に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項231に記載のテスター装置。
- テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項201に記載のテスター装置。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項201に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項201に記載のテスター装置。
- 基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
ポータブル支持構造体の第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に基板を保持するステップであって、第2コンポーネントは、マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有し、前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあるようにしたステップと、
前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第1及び第2コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記第1バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させ、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するステップと、
前記第1バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにするステップと、
前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスが固定構造体の第2インターフェイスに接続されるようにして固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記端子、コンタクト部、第1及び第2のインターフェイスを通して、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、更に、
前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第1及び第2コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を備えた方法。 - 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも1.5である、請求項236に記載の方法。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項237に記載の方法。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項237に記載の方法。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項237に記載の方法。
- 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項236に記載の方法。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項236に記載の方法。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項236に記載の方法。
- 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、更に、
前記真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そして
前記バルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
請求項236に記載の方法。 - 前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項236に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持するステップを更に含む、請求項236に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限するステップを更に含む、請求項236に記載の方法。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項247に記載の方法。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1の面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を含み、前記スタンドオフは、第2の面に取り付けられる、請求項247に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第2インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項236に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項250に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項251に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項252に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項253に記載の方法。
- 前記固定構造体上の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも1つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
を更に備えた請求項236に記載の方法。 - 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項255に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項256に記載の方法。
- 前記第2区分と第3区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度であり、前記第1区分と第4区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度である、請求項257に記載の方法。
- 前記第1区分の流体と第4区分の流体との間の温度差は、前記第2区分の流体と第3区分の流体との間より大きい、請求項258に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項257に記載の方法。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項256に記載の方法。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3区分は、第1螺旋上に位置されない第2の螺旋の区分である、請求項256に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は21℃より高い、請求項255に記載の方法。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項263に記載の方法。
- 流体が21℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項264に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに、流体の温度は100℃より高い、請求項263に記載の方法。
- 流体は、再循環される、請求項263に記載の方法。
- マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項236に記載の方法。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項236に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項236に記載の方法。
- 間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有するものであるポータブル支持構造体と、
前記第2コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、これらコンタクト部を端子により弾力で押圧できるようにこれらコンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために前記コンポーネントが互いに移動可能であるようにされた複数のコンタクト部と、
接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層と、
前記第2の面に取り付けられたスタンドオフであって、少なくとも1つの前記コンタクト部の押圧を制限する表面を有するスタンドオフと、
前記ポータブル支持構造体上にあって前記コンタクト部に接続された第1インターフェイスであって、前記ポータブル支持構造体が取り外されて固定構造体により保持されるときにその固定構造体上の第2インターフェイスに接続される第1インターフェイスと、
を備えたポータブルパック。 - 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも1.5である、請求項271に記載のポータブルパック。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項272に記載のポータブルパック。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項272に記載のポータブルパック。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項272に記載のポータブルパック。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にあり、それらの第1及び第2のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向かって移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項271に記載のポータブルパック。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項276に記載のポータブルパック。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項276に記載のポータブルパック。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項276に記載のポータブルパック。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項276に記載のポータブルパック。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項280に記載のポータブルパック。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項271に記載のポータブルパック。
- 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項271に記載のポータブルパック。
- 前記第1インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第2インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項271に記載のポータブルパック。
- 前記ランド及び前記端子は、平行な平面内にある、請求項284に記載のポータブルパック。
- 前記基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項271に記載のポータブルパック。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項271に記載のポータブルパック。
- 間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含むポータブル支持構造体であって、前記基板は、マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有するようなポータブル支持構造体と、
前記第2コンポーネント上にあり前記端子と接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部であって、これらコンタクト部を前記端子によって弾力で押圧できるようにこれらコンタクト部と前記端子との間に適切な接触を確保するために前記コンポーネントが互いに移動可能とされている複数のコンタクト部と、
接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層と、
前記第2の面に取り付けられたスタンドオフであって、少なくとも1つの前記コンタクト部の押圧を制限する表面を有するスタンドオフと、
前記ポータブル支持構造体上にあって前記コンタクト部に接続された第1インターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第2インターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されたときには前記第1インターフェイスに接続され、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されたときには前記第1インターフェイスから切断されるような第2インターフェイスと、
前記第2インターフェイス、第1インターフェイス及びコンタクト部を通して前記端子に接続される電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストする電気テスターと、
を備えたテスター装置。 - 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも1.5である、請求項288に記載のテスター装置。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項289に記載のテスター装置。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項289に記載のテスター装置。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項289に記載のテスター装置。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にあり、それらの第1及び第2のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向かって移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項288に記載のテスター装置。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項293に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項293に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項293に記載のテスター装置。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにすることができる、請求項293に記載のテスター装置。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項297に記載のテスター装置。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項288に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項288に記載のテスター装置。
- 前記第1インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第2インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項288に記載のテスター装置。
- 前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項301に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項301に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項303に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項304に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体に熱チャックを更に含み、この熱チャックは、入口及び出口をもつ熱制御通路を有し、入口と出口との間には入口から出口へ流体が流れるようにするための少なくとも1つの区分があり、熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達する、請求項288に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項306に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項307に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項308に記載のテスター装置。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項307に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3の区分は、第1螺旋上に位置されない第2螺旋の区分である、請求項307に記載のテスター装置。
- ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項306に記載のテスター装置。
- 前記ヒータは、電気ヒータである、請求項312に記載のテスター装置。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項312に記載のテスター装置。
- 熱は、最初、流体が21℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項314に記載のテスター装置。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は100℃より高い、請求項312に記載のテスター装置。
- 流体は、再循環される、請求項312に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第1インターフェイスを前記第2インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第1及び第2のアクチュエータ断片を有する少なくとも1つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項288に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項318に記載のテスター装置。
- テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項288に記載のテスター装置。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項288に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項288に記載のテスター装置。
- 基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
ポータブル支持構造体の第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に基板を保持するステップであって、第2コンポーネントは、マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するようなステップと、
前記第1及び第2コンポーネントを互いに向かって相対的に移動させて、端子に対してコンタクト部を弾力で押圧し、コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するステップと、
前記第2コンポーネントにおけるスタンドオフの表面で少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限するステップであって、前記スタンドオフは、接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層と共に前記第1コンポーネントに取り付けられ、前記スタンドオフは、前記第2の面に取り付けられるようなステップと、
前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスが固定構造体の第2インターフェイスに接続されるようにしてその固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
ポータブル支持構造体の第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に基板が保持され且つ前記第2コンポーネントにコンタクト部があるようにして、前記端子、コンタクト部、第1及び第2のインターフェイスを通して、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、更に、
前記第1及び第2コンポーネントを互いに向かって相対的に移動させて、コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するステップと、
を備えた方法。 - 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも1.5である、請求項323に記載の方法。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項324に記載の方法。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項324に記載の方法。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項324に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第1及び第2コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項323に記載の方法。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び端子を取り巻く、請求項328に記載の方法。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1のコンポーネントに固定される、請求項328に記載の方法。
- 前記基板空洞シールは、リップシールで形成される、請求項328に記載の方法。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、前記圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、更に、
前記第1バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、
前記第1バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにする、
ことを含む請求項328に記載の方法。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブが設けられ、更に、
前記真空解放バルブを開いて、前記圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じて、前記圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
請求項332に記載の方法。 - 前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項332に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することを更に含む、請求項323に記載の方法。
- 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項323に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第2インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項323に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項337に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項338に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項339に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項340に記載の方法。
- 前記固定構造体上の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも1つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
を更に備えた請求項323に記載の方法。 - 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項342に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項343に記載の方法。
- 前記第2区分と第3区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度であり、前記第1区分と第4区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度である、請求項344に記載の方法。
- 前記第1区分の流体と第4区分の流体との間の温度差は、前記第2区分の流体と第3区分の流体との間より大きい、請求項345に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項344に記載の方法。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項343に記載の方法。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3区分は、第1螺旋上に位置されない第2の螺旋の区分である、請求項343に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は、21℃より高い、請求項342に記載の方法。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項350に記載の方法。
- 流体が21℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項351に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに、流体の温度は100℃より高い、請求項350に記載の方法。
- 流体は、再循環される、請求項350に記載の方法。
- マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項323に記載の方法。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項323に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項323に記載の方法。
- 入口、出口が設けられると共に、その流体入口から流体出口への流体の経路に沿って互いに前後に直列に少なくとも第1、第2及び第3の区分が設けられた熱制御通路を有する熱チャックを備え、断面平面図において前記第3区分が前記第1区分と第2区分との間に位置された、熱制御装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項358に記載の熱制御装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項359に記載の熱制御装置。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項358に記載の熱制御装置。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3の区分は、第1螺旋上に位置されない第2螺旋の区分である、請求項358に記載の熱制御装置。
- マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記端子への接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第1のインターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第2インターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されたときには前記第1インターフェイスに接続され、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されたときには前記第1インターフェイスから切断されるような第2インターフェイスと、
前記固定構造体上の熱チャックであって、この熱チャックは、入口、出口が設けられると共に、その流体入口から流体出口への流体の経路に沿って互いに前後に直列に少なくとも第1、第2及び第3の区分が設けられた熱制御通路を有し、断面平面図においてその第3区分が第1区分と第2区分との間に位置され、その熱制御通路において基板と流体との間で熱チャックを通して熱が伝達されるような熱チャックと、
前記第2インターフェイス、第1インターフェイス及びコンタクト部を通して前記端子に接続される電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストする電気テスターと、
を備えたテスター装置。 - 前記ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含み、前記コンタクト部は、第2のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である、請求項363に記載のテスター装置。
- 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも1.5である、請求項364に記載のテスター装置。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項365に記載のテスター装置。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項365に記載のテスター装置。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項365に記載のテスター装置。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にあり、それらの第1及び第2のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項364に記載のテスター装置。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項369に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項369に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項369に記載のテスター装置。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにする、請求項369に記載のテスター装置。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項373に記載のテスター装置。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項364に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項364に記載のテスター装置。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項376に記載のテスター装置。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第2の面に取り付けられる、請求項376に記載のテスター装置。
- 前記第1インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第2インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項363に記載のテスター装置。
- 前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項379に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項379に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項381に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項382に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項363に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項384に記載のテスター装置。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項363に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3の区分は、第1螺旋上に位置されない第2螺旋の区分である、請求項363に記載のテスター装置。
- ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項363に記載のテスター装置。
- 前記ヒータは、電気ヒータである、請求項388に記載のテスター装置。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項388に記載のテスター装置。
- 熱は、最初、流体が21℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項390に記載のテスター装置。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は100℃より高い、請求項388に記載のテスター装置。
- 流体は、再循環される、請求項388に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第1インターフェイスを前記第2インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第1及び第2のアクチュエータ断片を有する少なくとも1つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項363に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項394に記載のテスター装置。
- テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項363に記載のテスター装置。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項363に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項363に記載のテスター装置。
- 基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するポータブル支持構造体に基板を保持するステップと、
前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスが固定構造体の第2インターフェイスに接続されるようにして固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記固定構造体の熱チャックにおける熱制御通路を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップであって、前記熱制御通路は、流体経路に沿って互いに前後に直列に少なくとも第1、第2及び第3の区分を備え、断面平面図において第3区分が第1区分と第2区分との間に位置されるようなステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間に熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
前記端子、コンタクト部、第1及び第2のインターフェイスを通して、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、
を備えた方法。 - 前記基板は、前記ポータブル支持構造体の第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に保持され、そして前記コンタクト部は、前記第2コンポーネントにあり、更に、
前記第1及び第2コンポーネントを互いに向けて相対的に移動して前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するステップ、
を備えた請求項399に記載の方法。 - 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも1.5である、請求項400に記載の方法。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項401に記載の方法。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項401に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項401に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に圧力差空洞シールを配置して、前記第1及び第2コンポーネントの表面及び圧力差空洞シールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記圧力差空洞シールの空洞内の圧力を下げて、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項400に記載の方法。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び端子を取り巻く、請求項405に記載の方法。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1のコンポーネントに固定される、請求項405に記載の方法。
- 前記基板空洞シールは、リップシールで形成される、請求項405に記載の方法。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、前記圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、更に、
前記第1バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、
前記第1バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにする、
ことを含む請求項405に記載の方法。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブが設けられ、更に、
前記真空解放バルブを開いて、前記圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じて、前記圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
ことを含む請求項409に記載の方法。 - 前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項409に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持するステップを更に含む、請求項400に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限するステップを含む、請求項400に記載の方法。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項413に記載の方法。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1の面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を含み、前記スタンドオフは、第2の面に取り付けられる、請求項413に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第2インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項399に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項416に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項417に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項418に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項419に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、この第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項399に記載の方法。
- 前記第2区分と第3区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度であり、前記第1区分と第4区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度である、請求項421に記載の方法。
- 前記第1区分の流体と第4区分の流体との間の温度差は、前記第2区分の流体と第3区分の流体との間より大きい、請求項422に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、前記第1区分と第2区分との間に位置される、請求項421に記載の方法。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項399に記載の方法。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3区分は、第1螺旋上に位置されない第2の螺旋の区分である、請求項399に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は21℃より高い、請求項399に記載の方法。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項427に記載の方法。
- 流体が21℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項428に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに、流体の温度は100℃より高い、請求項427に記載の方法。
- 流体は、再循環される、請求項427に記載の方法。
- マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項399に記載の方法。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項399に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項399に記載の方法。
- マイクロエレクトロニック回路を載せ且つマイクロエレクトロニック回路に接続された複数の端子を有する基板を保持するためのポータブル支持構造体と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記端子への接触をなすために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
前記ポータブル支持構造体上にあり前記コンタクト部に接続された第1のインターフェイスと、
固定構造体であって、前記ポータブル支持構造体は、この固定構造体により保持されるべく受け入れることができ且つ固定構造体から除去できるようにされた固定構造体と、
前記固定構造体上の第2のインターフェイスであって、前記ポータブル構造体が前記固定構造体により保持されるときに前記第1のインターフェイスに接続され、且つ前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体から除去されるときには前記第1のインターフェイスから切断されるような第2インターフェイスと、
流体が熱制御通路の外部にあるときに流体に熱を伝達するヒータと、
前記固定構造体上にあり、入口と、出口と、その入口から出口へ流体を流すための入口と出口との間の少なくとも1つの区分とをもつ熱制御通路を有する熱チャックであって、その熱制御通路においてこの熱チャックを通して基板と流体との間に熱を伝達するような熱チャックと、
前記第2のインターフェイス、前記第1のインターフェイス及び前記コンタクト部を通して前記端子に接続された電気テスターであって、この電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送してマイクロエレクトロニック回路をテストするようにした電気テスターと、
を備えたテスター装置。 - 前記ポータブル支持構造体は、間に基板を保持するための第1及び第2のコンポーネントを含み、前記コンタクト部は、第2のコンポーネント上に配置され、そしてそれらコンポーネントは、前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために互いに移動可能である、請求項435に記載のテスター装置。
- 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との比は、少なくとも1.5である、請求項436に記載のテスター装置。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項437に記載のテスター装置。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項437に記載のテスター装置。
- 前記第1のコンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項437に記載のテスター装置。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にあり、それらの第1及び第2のコンポーネントの表面とで包囲された圧力差空洞を形成する圧力差空洞シールと、
前記圧力差空洞内にあり、前記圧力差空洞から空気を除去して、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向かって相対的に移動できるようにする減圧通路と、
を更に備えた請求項436に記載のテスター装置。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び前記端子を取り巻く、請求項441に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1コンポーネントに固定される、請求項441に記載のテスター装置。
- 前記圧力差空洞シールは、リップシールである、請求項441に記載のテスター装置。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、この第1バルブを開くと、圧力差空洞から空気を出すことができ、このバルブを閉じると、圧力差空洞に空気が入らないようにする、請求項441に記載のテスター装置。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブがあり、この真空解放バルブを開くと、圧力差空洞へ空気を入れることができ、そしてこのバルブを閉じると、圧力差空洞から空気を逃さないようにする、請求項445に記載のテスター装置。 - 前記第1コンポーネントに基板吸引通路を更に備え、これを通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持することができる、請求項436に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、前記端子によって弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントにスタンドオフを備え、このスタンドオフは、少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限する表面を有する、請求項436に記載のテスター装置。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項448に記載のテスター装置。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を更に備え、前記スタンドオフは、前記第2の面に取り付けられる、請求項448に記載のテスター装置。
- 前記第1インターフェイスは、複数のランドを含み、そして前記第2インターフェイスは、前記固定構造体の構造部に対して移動できるように前記ランドに一致し前記ランドにより弾力で押圧できる接触面を有する複数の部材を含む、請求項435に記載のテスター装置。
- 前記ランド及び端子は、平行な平面内にある、請求項451に記載のテスター装置。
- 前記固定構造体は、熱チャックを備え、前記ポータブル支持構造体は、この熱チャックに接触し、前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間で熱を伝達できるようにする、請求項451に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体と熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通して熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項453に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックの両方に接触する熱インターフェイス空洞シールを更に含み、この熱インターフェイス空洞シールは、前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成する、請求項454に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項435に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第2区分と第3区分との間に位置される、請求項456に記載のテスター装置。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、第1区分と第2区分との間に位置される、請求項457に記載のテスター装置。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項456に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3の区分は、第1螺旋上に位置されない第2螺旋の区分である、請求項456に記載のテスター装置。
- ヒータを更に備え、流体が前記熱制御通路の外側にあるときにこのヒータにより流体に熱が伝達される、請求項435に記載のテスター装置。
- 前記ヒータは、電気ヒータである、請求項461に記載のテスター装置。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項461に記載のテスター装置。
- 熱は、最初、流体が21℃より上で流体入口に入った後に流体から基板へ伝達される、請求項463に記載のテスター装置。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は100℃より高い、請求項461に記載のテスター装置。
- 流体は、再循環される、請求項461に記載のテスター装置。
- 前記ポータブル支持構造体を前記固定構造体に対して移動して前記第1インターフェイスを前記第2インターフェイスに係合させるために互いに対して作動できる第1及び第2のアクチュエータ断片を有する少なくとも1つのインターフェイスアクチュエータを更に備えた、請求項435に記載のテスター装置。
- 前記第1及び第2の断片は、各々、シリンダ及びピストンであり、ピストンは、シリンダの内面に沿ってスライドする、請求項467に記載のテスター装置。
- テスターによりマイクロエレクトロニック回路において実行されるテストは、バーンインテストである、請求項435に記載のテスター装置。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項435に記載のテスター装置。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項435に記載のテスター装置。
- 基板により保持されたマイクロエレクトロニック回路をテストする方法において、
マイクロエレクトロニック回路に接続された基板の端子に対するコンタクト部を有するポータブル支持構造体に基板を保持するステップと、
前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスが固定構造体の第2インターフェイスに接続されるようにして固定構造体により前記ポータブル支持構造体を受け入れるステップと、
前記固定構造体の熱チャックにおける熱制御通路の少なくとも1つの区分を通して流体入口から流体出口へ流体を通過させるステップであって、流体が流体入口に入るときに流体の温度は21℃より高いステップと、
前記熱制御通路の流体と基板との間で熱を伝達して基板の温度を制御するステップと、
前記端子、コンタクト部、第1及び第2のインターフェイスを通して、電気テスターとマイクロエレクトロニック回路との間に信号を伝送して、マイクロエレクトロニック回路をテストするステップと、
を備えた方法。 - 前記基板は、前記ポータブル支持構造体の第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間に保持され、前記コンタクト部は、前記第2コンポーネントにあり、更に、
前記コンタクト部と端子との間に適切な接触を確保するために前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動するステップ、
を備えた請求項472に記載の方法。 - 前記第2のコンポーネントは、分配ボードを備え、この分配ボードの熱膨張係数と前記第1コンポーネントの熱膨張係数との熱膨張係数比は、少なくとも1.5である、請求項473に記載の方法。
- 前記基板は、マイクロエレクトロニック回路のテスト中に第1の基板温度から第2の基板温度へ加熱し、前記分配ボードは、第1の分配ボード温度から第2の分配ボード温度へ加熱し、そして第2の分配ボード温度と第1の分配ボード温度の差と、第2の基板温度と第1の基板温度の差との温度変化比は、少なくとも1.5である、請求項474に記載の方法。
- 前記熱膨張係数比に前記温度変化比を乗算したものは、0.85ないし1.15である、請求項474に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントは、基板を支持する表面を有する基板チャックである、請求項474に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントと第2コンポーネントとの間にシールを形成して、前記第1及び第2コンポーネントの表面及びこのシールによって包囲された空洞を形成するステップと、
前記包囲空洞内の圧力を下げて、前記第1及び第2のコンポーネントを互いに向けて相対的に移動させるステップと、
を更に備えた請求項473に記載の方法。 - 前記圧力差空洞シールは、前記コンタクト部及び端子を取り巻く、請求項478に記載の方法。
- 前記圧力差空洞シールは、前記第1及び第2のコンポーネントが離れるときは前記第1のコンポーネントに固定される、請求項478に記載の方法。
- 前記基板空洞シールは、リップシールで形成される、請求項478に記載の方法。
- 前記コンポーネントの1つを通して減圧通路が形成され、この減圧通路は、前記圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
前記減圧通路を有するコンポーネントには第1バルブがあり、更に、
前記第1バルブを開いて、前記圧力差空洞から空気を出せるようにし、
前記第1バルブを閉じて、前記圧力差空洞に空気が入らないようにする、
ことを含む請求項478に記載の方法。 - 前記第1バルブは、チェックバルブであり、このチェックバルブを有するコンポーネントを通して真空解放通路が形成され、この真空解放通路は、圧力差空洞に入口開口を、そして圧力差空洞の外側に出口開口を有し、
真空解放通路を有するコンポーネントには第2の真空解放バルブが設けられ、更に、
前記真空解放バルブを開いて、前記圧力差空洞へ空気を入れることができ、
前記バルブを閉じて、前記圧力差空洞から空気を逃さないようにする、
ことを含む請求項482に記載の方法。 - 前記圧力差空洞内の圧力は、前記ポータブル支持構造体が前記固定構造体により受け入れられる前に生成される、請求項482に記載の方法。
- 前記第1コンポーネントの基板吸引通路を通して空気を圧送して、前記第1コンポーネントに面する基板の側の圧力を下げ、前記第1コンポーネントに対して基板を保持するステップを更に含む、請求項473に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、前記端子により弾力で押圧することができ、更に、
前記第2コンポーネントのスタンドオフの表面で少なくとも1つのコンタクト部の押圧を制限するステップを含む、請求項473に記載の方法。 - 前記コンタクト部とコンタクト部との間に複数の分離されたスタンドオフが配置される、請求項486に記載の方法。
- 接着性であって前記第2コンポーネントに取り付けられる第1の面と、接着性である第2の反対の面とを有する層を含み、前記スタンドオフは、第2の面に取り付けられる、請求項486に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体の第1インターフェイスのランドを、前記固定構造体の第2インターフェイスの複数の一致する部材に対して配置するステップと、
前記ランドで前記部材を弾力で押圧するステップと、
を更に備えた請求項472に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面を、前記固定構造体の熱チャックの表面に対して配置するステップと、
それら表面を通して熱を伝達するステップと、
を更に備えた請求項489に記載の方法。 - 前記ポータブル支持構造体の表面と前記熱チャックとの間に画成された熱インターフェイス空洞の空気圧を下げるステップを更に備えた、請求項490に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞が画成され、前記熱チャックを通してその熱インターフェイス真空へ至る熱インターフェイス真空通路が形成される、請求項491に記載の方法。
- 前記ポータブル支持構造体と前記熱チャックとの間に熱インターフェイス空洞シールを配置し、その熱インターフェイス空洞シールと前記ポータブル支持構造体及び前記熱チャックとで熱インターフェイス空洞を画成するステップを更に備えた、請求項492に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、第1、第2及び第3区分を流体の経路に沿って互いに前後に直列に有し、断面平面図において第1区分と第2区分との間に第3区分が位置される、請求項472に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、前記第2区分と第3区分との間に位置される、請求項494に記載の方法。
- 前記第2区分と第3区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度であり、前記第1区分と第4区分との間の熱チャックの温度は、前記第1区分の流体の温度から第2区分の流体の温度である、請求項495に記載の方法。
- 前記第1区分の流体と第4区分の流体との間の温度差は、前記第2区分の流体と第3区分の流体との間より大きい、請求項496に記載の方法。
- 前記熱制御通路は、流体の通路に沿って前記第3区分の後に第4区分を直列に有し、該第4区分は、前記第1区分と第2区分との間に位置される、請求項495に記載の方法。
- 前記第1、第2及び第3区分は、第1螺旋の区分である、請求項494に記載の方法。
- 前記第1及び第2区分は、第1螺旋の区分であり、そして前記第3区分は、第1螺旋上に位置されない第2の螺旋の区分である、請求項494に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに流体の温度は21℃より高い、請求項472に記載の方法。
- 21℃より上で流体入口に入る流体へ基板から熱が伝達される、請求項501に記載の方法。
- 流体が21℃より上で流体入口に入った後に熱が最初に流体から基板へ伝達される、請求項502に記載の方法。
- 流体が流体入口に入るときに、流体の温度は100℃より高い、請求項501に記載の方法。
- 流体は、再循環される、請求項501に記載の方法。
- マイクロエレクトロニック回路で実行されるテストは、バーンインテストである、請求項472に記載の方法。
- 基板は、複数のマイクロエレクトロニック回路をもつウェハである、請求項472に記載の方法。
- 前記コンタクト部は、ピンであり、各ピンは、各コンタクト部が各々の端子により押圧されたときにそのスプリング力に抗して押圧されるスプリングを有する、請求項472に記載の方法。
- 少なくとも1つの集積回路を載せ且つその集積回路に接続された端子を有する少なくとも1つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターを備え、集積回路をテストするためにこの電気テスターと集積回路との間に電流が導通され、この電気テスターは、互いに並列に接続された複数のn+1個の電源回路を含み、これらn+1個の電源回路により集積回路へ電力が供給され、電源回路の1つがフェイルした場合にも、n個の電源回路によって集積回路へ電力が依然供給されるようにした、テスター装置。
- 電流分担回路を更に備え、これは、
(i)n+1個の電源回路のうちの1つの電源回路の電力の減少を少なくとも検出し、
(ii)n+1個の電源回路のうちの1つの電源回路からの接続をスイッチオフして、n+1個の電源回路のうちの1つの電源回路からの電流を排除し、電流がn個の電源回路で分担されるようにする、
請求項509に記載のテスター装置。 - 前記電流分担回路は、前記電源回路の各々からのパワーロスを各々検出する複数の欠陥検出回路を備えた、請求項510に記載のテスター装置。
- 複数の電源回路の少なくとも1つから付勢される電源制御回路を更に備え、この電源制御回路は、前記電源回路を、複数の電源回路のうちの第1の個数により電力が供給されるテストモードと、第1の個数より小さい第2の個数の電源回路により電力が供給される節電モードとの間でスイッチングさせる、請求項509に記載のテスター装置。
- 前記集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を更に備えた、請求項509に記載のテスター装置。
- 少なくとも1つの基板を保持するための支持構造体と、
前記端子に接触させるために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
を備え、前記電気テスターは、前記コンタクト部を通して前記端子に接続され、前記電気テスターと集積回路との間に電流が導通して、集積回路をテストするようにした、請求項509に記載のテスター装置。 - 少なくとも1つの基板によって保持された少なくとも1つの回路をテストする方法において、
集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置するステップと、
前記端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して、集積回路をテストするステップであって、互いに並列に接続された複数のn+1個の電源回路を通して電力を供給して、これらn+1個の電源回路により少なくとも1つの基板の集積回路へ電力が供給されるようにし、電源回路の1つがフェイルしても、n個の電源回路によって集積回路へ電流を依然供給するようにしたステップと、
を備えた方法。 - n+1個の電源のうちの1つの電源の電力の減少を少なくとも検出するステップと、
n+1個の電源のうちの1つの電源からの接続をスイッチオフして、n+1個の電源のうちの1つの電源からの電流を排除し、電流がn個の電源回路で分担されるようにするステップと、
を更に備えた請求項515に記載の方法。 - 前記電源回路の各々からのパワーロスを個別の欠陥検出回路で検出するステップを更に備えた、請求項515に記載の方法。
- 前記複数の電源回路の少なくとも1つから電源制御回路へ電力を供給するステップと、
前記電源制御回路を使用して、前記複数の電源回路のうちの第1の個数により電力が供給されるテストモードと、第1の個数より小さい第2の個数の電源回路により電力が供給される節電モードとの間をスイッチングさせるステップと、
を更に備えた請求項515に記載の方法。 - 前記集積回路へ信号を与えるステップを更に備えた、請求項515に記載の方法。
- 少なくとも1つの集積回路を載せ且つその集積回路に接続された端子を有する少なくとも1つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターであって、前記集積回路をテストするためにこの電気テスターと前記集積回路の間に電流が導通され、更に、この電気テスターは、前記コンタクト部に接続された複数の電源回路を含み、前記コンタクト部に接続されたこれら複数の電源回路を通して電力を供給するようにした電気テスターと、
前記複数の電源回路の少なくとも1つから付勢される電源制御回路であって、前記電源回路を、複数の電源回路のうちの第1の個数により電力が供給されるテストモードと、第1の個数より小さい第2の個数の電源回路により電力が供給される節電モードとの間でスイッチングさせる電源制御回路と、
を備えたテスター装置。 - 互いに並列に接続された複数のn+1個の電源回路があり、これらn+1個の電源回路により集積回路へ電力が供給され、電源回路の1つがフェイルしても、n個の電源回路によって集積回路へ電力が依然供給される、請求項520に記載のテスター装置。
- 電流分担回路を更に備え、これは、
(i)n+1個の電源回路のうちの1つの電源回路の電力の減少を少なくとも検出し、
(ii)n+1個の電源回路のうちの1つの電源回路からの接続をスイッチオフして、n+1個の電源回路のうちの1つの電源回路からの電流を排除し、電流がn個の電源回路で分担されるようにする、
請求項521に記載のテスター装置。 - 前記電流分担回路は、前記電源回路の各々からのパワーロスを各々検出する複数の欠陥検出回路を備えた、請求項522に記載のテスター装置。
- 前記集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を更に備えた、請求項520に記載のテスター装置。
- 少なくとも1つの基板を保持するための支持構造体と、
前記端子に接触させるために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
を備え、前記電気テスタは、前記コンタクト部を通して前記端子に接続されて、前記電気テスターと集積回路との間に電流が導通して、集積回路をテストするようにした、請求項520に記載のテスター装置。 - 少なくとも1つの基板によって保持された少なくとも1つの回路をテストする方法において、
集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置するステップと、
前記端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して、集積回路をテストするステップであって、前記コンタクト部に接続された電源回路を通して電力を供給するようにしたステップと、
前記電源回路を、複数の電源回路のうちの第1の個数により電力が供給されるテストモードと、第1の個数より小さい第2の個数の電源回路により電力が供給される節電モードとの間でスイッチングさせるステップと、
を備えた方法。 - 互いに並列に接続された複数のn+1個の電源回路があり、これらn+1個の電源回路により少なくとも1つの基板の集積回路へ電力が供給され、電源回路の1つがフェイルしても、n個の電源回路によって集積回路へ電流を依然供給するようにした、請求項526に記載の方法。
- n+1個の電源のうちの1つの電源の電力の減少を少なくとも検出するステップと、
n+1個の電源のうちの1つの電源からの接続をスイッチオフして、n+1個の電源のうちの1つの電源からの電流を排除し、電流がn個の電源回路で分担されるようにするステップと、
を更に備えた請求項527に記載の方法。 - 前記電源回路の各々からのパワーロスを個別の欠陥検出回路で検出するステップを更に備えた、請求項528に記載の方法。
- 前記集積回路へ信号を与えるステップを更に備えた、請求項526に記載の方法。
- 少なくとも1つの集積回路を載せ且つその集積回路に接続された端子を有する少なくとも1つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターを備え、前記集積回路をテストするためにこの電気テスターと前記集積回路の間に電流が導通され、更に、この電気テスターは、前記コンタクト部に接続された電源回路を含み、前記コンタクト部に接続されたこの電源回路を通して電力が供給され、前記電源回路は、異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第1コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第2コンフィギュレーションとの間での電流スイッチングを行うよう構成可能な電流コンフィギュレーション回路を有する、テスター装置。
- 前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第1コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を含む、請求項531に記載のテスター装置。
- 個別のチャンネルへの電流を増幅する電流増幅器を更に備えた、請求項531に記載のテスター装置。
- 前記集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を更に備えた、請求項531に記載のテスター装置。
- 少なくとも1つの基板を保持するための支持構造体と、
前記端子に接触させるために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
を備え、前記電気テスターは、前記コンタクト部を通して前記端子に接続され、前記電気テスターと集積回路との間に電流が導通して、集積回路をテストするようにした、請求項531に記載のテスター装置。 - 少なくとも1つの基板によって保持された少なくとも1つの回路をテストする方法において、
集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置するステップと、
前記端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して、集積回路をテストするステップと、
異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第1コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第2コンフィギュレーションとの間でスイッチングするステップと、
を備えた方法。 - 前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第1コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を含む、請求項536に記載の方法。
- 前記個別のチャンネルへの電流を増幅するステップを更に備えた、請求項536に記載の方法。
- 前記集積回路へ信号を与えるステップを更に備えた、請求項536に記載の方法。
- 少なくとも1つの集積回路を載せ且つその集積回路に接続された端子を有する少なくとも1つの基板の複数の端子へコンタクト部を通して接続される電気テスターを備え、前記集積回路をテストするためにこの電気テスターと前記集積回路の間に電流が導通され、更に、この電気テスターは、前記コンタクト部に接続された電源回路を含み、前記コンタクト部に接続されたこの電源回路を通して電力が供給され、前記電源回路は、個別のチャンネルへの電流を増幅する電流増幅器を有する、テスター装置。
- 異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第1コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第2コンフィギュレーションとの間での電流スイッチングを行うよう構成可能な電流コンフィギュレーション回路を更に備えた、請求項540に記載のテスター装置。
- 前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第1コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を含む、請求項541に記載のテスター装置。
- 前記集積回路へ信号を与える信号エレクトロニック装置を更に備えた、請求項540に記載のテスター装置。
- 少なくとも1つの基板を保持するための支持構造体と、
前記端子に接触させるために前記端子に一致する複数のコンタクト部と、
を備え、前記電気テスターは、前記コンタクト部を通して前記端子に接続され、前記電気テスターと集積回路との間に電流が導通して、集積回路をテストするようにした、請求項540に記載のテスター装置。 - 少なくとも1つの基板によって保持された少なくとも1つの回路をテストする方法において、
集積回路に接続された基板の端子に対してコンタクト部を配置するステップと、
個別のチャンネルへの電流を増幅するステップと、
前記端子及びコンタクト部を通して電気テスターと集積回路との間に電流を導通して、集積回路をテストするステップと、
を備えた方法。 - 異なる大きさの個別の電流が個別のチャンネルへ供給される第1コンフィギュレーションと、個別のチャンネルへの電流が共通の基準に従う第2コンフィギュレーションとの間を電流コンフィギュレーション回路でスイッチングするステップを更に備えた、請求項545に記載の方法。
- 前記電流コンフィギュレーション回路は、その電流コンフィギュレーション回路が前記第1コンフィギュレーションにあるときには個別の基準に従う出力電流を各々有する複数の電流増幅器を含む、請求項546に記載の方法。
- 前記集積回路へ信号を与えるステップを更に備えた、請求項545に記載の方法。
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