JPH11186349A - ウェハバーンイン装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バーンイン検査が終了した半導体ウェハ又は
トラブルが発生した半導体ウェハが収納されているウェ
ハカセット毎に、ウェハバーンイン装置に対して投入及
び取り出しを行なえるようにする。 【解決手段】 ウェハバーンイン装置は、上下方向又は
左右方向に並んで配置された複数のウェハバーンインユ
ニット３を備えている。各ウェハバーンインユニット３
は、複数の半導体集積回路が形成された半導体ウェハが
保持されるウェハトレイと、半導体ウェハの複数の半導
体集積回路の各外部電極と対向する位置にプローブ端子
を有するプローブカードとが一体化されてなるウェハカ
セット４を収納するウェハカセット収納部と、ウェハカ
セットのウェハトレイに保持される半導体ウェハの温度
を制御する温度制御手段３７と、ウェハカセットのウェ
ハトレイに保持される半導体ウェハの複数の半導体集積
回路を駆動するドライバボード３６とを有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ上に
形成されたチップの複数の半導体集積回路をウェハ状態
で一括に検査するために用いられるウェハバーンイン装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路装置を搭載した電
子機器の小型化及び低価格化の進歩はめざましく、これ
に伴って、半導体集積回路装置に対する小型化及び低価
格化の要求が強くなっている。

【０００３】通常、半導体集積回路装置は、半導体チッ
プとリードフレームとがボンディングワイヤによって電
気的に接続された後、半導体チップが樹脂又はセラミク
スにより封止された状態で供給され、プリント基板に実
装される。ところが、電子機器の小型化の要求から、半
導体集積回路装置を半導体から切り出したままの状態
（以後、この状態の半導体集積回路装置をベアチップ又
は単にチップと呼ぶ。）で直接回路基板に実装する方法
が開発され、品質が保証されたベアチップを低価格で供
給することが望まれている。

【０００４】ベアチップに対して品質保証を行うために
は、半導体集積回路装置をウェハ状態でバーンインする
必要がある。

【０００５】しかしながら、ベアチップに対するバーン
インは、半導体ウェハの取り扱いが非常に複雑になるの
で、低価格化の要求に応えられない。また、一の半導体
ウェハ上に形成されている複数のベアチップを１個又は
数個ずつ何度にも分けてバーンインを行なうのは、多く
の時間を要するので、時間的にもコスト的にも現実的で
ないので、すべてのベアチップをウェハ状態で一括して
バーンインを行なうことが要求される。

【０００６】そこで、特開平８−５６６６号公報の例え
ば図１に示されるような半導体ウェハ収納器が提案され
ている。該半導体ウェハ収納器は、半導体ウェハを保持
するウェハトレイ（保持板）と、半導体ウェハの複数の
集積回路端子と電気的に接続される複数のプローブ端子
（バンプ）を有するプローブシートと、該プローブシー
トとの間に異方導電性ゴムシートを介在させるように設
けられ内部に配線を有する配線基板と、該配線基板に、
プローブシートの複数のプローブ端子と異方性導電ゴム
及び配線を介して電気的に接続されるように設けられ、
検査用の電源電圧又は信号が入力される外部電極（外部
コネクタ）と、ウェハトレイに保持された半導体ウェハ
の各集積回路素子とプローブシートの各プローブ端子と
が電気的に接続されるように、ウェハトレイと配線基板
とを接近させる手段とを備えている。

【０００７】尚、プローブシート、異方導電性ゴム及び
配線基板は一体的に設けられているので、以下において
は、プローブシート、異方導電性ゴム及び配線基板が一
体的に設けられてなるものを便宜上プローブカードと称
する。

【０００８】また、特開平８−５６６６号公報の図６に
は、ウェハトレイと配線基板、つまりウェハトレイとプ
ローブカードとを接近させる手段として、ウェハトレ
イ、配線基板、及びウェハトレイと配線基板との間に介
在するシール材によって形成される密封区間を減圧する
ための吸引孔、該吸引孔を開閉する開閉弁及び図示しな
い減圧手段が示されており、該減圧手段によって密封空
間が減圧されると、ウェハトレイ及びプローブカードは
一体化される。従って、以下においては、ウェハトレイ
及びプローブカードが一体化されてなるものを便宜上ウ
ェハカセットと称する。

【０００９】また、特開平８−５６６６号公報の図１４
（ｂ）には、複数のウェハカセットを収納し、各ウェハ
カセットに保持されている半導体ウェハに対して同時に
バーンインを行なうウェハバーンイン装置が示されてい
る。

【００１０】以下、特開平８−５６６６号公報の図１４
（ｂ）に示されている従来のウェハバーンイン装置１０
０について、図７を参照しながら説明する。

【００１１】従来のウェハバーンイン装置１００は、半
導体ウェハ１０１を保持しているウェハトレイ１０２と
プローブカード１０３とが減圧力によって一体化されて
なる複数のウェハカセット１０４を収納するラック１１
０と、該ラック１１０に収納されている各ウェハカセッ
ト１０４の密封空間の減圧状態を維持する真空ポンプ１
１１と、各ウェハカセット１０４に収納されている半導
体ウェハ１０１の複数の半導体集積回路を駆動するため
の、電源供給回路、出力信号検出器及びパターンジェネ
レータ等が形成されたエクステンション（延長）ボード
１１２とから構成されている。

【００１２】そして、従来のウェハバーンイン装置にお
いては、半導体ウェハ１０１の各半導体集積回路にエク
ステンションボード１１２から電源電圧及び入力信号が
入力されると共に、各半導体集積回路から出力される出
力信号はエクステンションボード１１２の出力信号検出
器により検出される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来の
ウェハバーンイン装置においては、半導体ウェハの温度
の制御、半導体ウェハの各集積回路を駆動する駆動回路
の制御、及びウェハカセットのウェハバーンイン装置に
対する投入及び取り出しは、ラックに収納されている複
数のウェハカセットに対して一括して行なう構造になっ
ている。

【００１４】ところが、図８に示すように、バーンイン
時間の経過に対する不良発生率、及び不良発生率が所定
値以下になる収束ポイントに達するまでのバーンイン時
間の経過は、半導体ウェハ毎に異なっている。すなわ
ち、半導体ウェハＡ、半導体ウェハＢ及び半導体ウェハ
Ｃの順に、バーンイン時間の経過に対する不良発生率が
異なっていると共に、収束ポイントに達するまでのバー
ンイン時間は長くなっている。

【００１５】従って、例えば半導体ウェハＡについては
収束ポイントに達しているため、バーンイン検査を終了
することはできるが、半導体ウェハＣについては収束ポ
イントに達していないため、バーンイン検査を終了する
ことはできない。従って、半導体ウェハＣが収束ポイン
トに達するまで、半導体ウェハＡが収納されているウェ
ハカセットをウェハバーンイン装置から取り出すことが
できない。

【００１６】また、特定のウェハカセットに収納されて
いる半導体ウェハに対するバーンイン検査にトラブルが
発生することがあるが、半導体ウェハに対する温度制御
及び半導体ウェハの各半導体集積回路を駆動する駆動回
路の制御は、ラックに収納されている全てのウェハカセ
ットの半導体ウェハに対して一括して行なわれるので、
全ての半導体ウェハに対するバーンイン検査が終了する
まで、トラブルが発生しているウェハカセットを取り出
すことができない。

【００１７】このため、従来のウェハバーンイン装置に
おいては、バーンイン検査に要する時間が長くなってし
まうので、半導体装置の生産効率が低下するという問題
がある。

【００１８】前記に鑑み、本発明は、バーンイン検査が
終了した半導体ウェハ又はトラブルが発生した半導体ウ
ェハが収納されているウェハカセット毎にウェハバーン
イン装置装置から取り出せると共に、ウェハバーンイン
装置におけるウェハカセットが取り出された場所に新た
なウェハカセットを投入できるようにして、ウェハバー
ンイン検査の効率を向上させることを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るウェハバーンイン装置は、上下方向又
は左右方向に並んで配置された複数のウェハバーンイン
ユニットを備え、複数のウェハバーンインユニットのそ
れぞれは、複数の半導体集積回路が形成された半導体ウ
ェハが保持されるウェハトレイと、該ウェハトレイに保
持される半導体ウェハと対向するように配置され複数の
半導体集積回路の各外部電極と対向する位置にプローブ
端子を有するプローブカードとが一体化されてなるウェ
ハカセットを収納するウェハカセット収納部と、ウェハ
カセット収納部に収納されたウェハカセットのウェハト
レイに保持される半導体ウェハの温度を制御する温度制
御手段と、ウェハカセット収納部に収納されたウェハカ
セットのウェハトレイに保持される半導体ウェハの複数
の半導体集積回路を駆動する駆動回路とを有している。

【００２０】本発明のウェハバーンイン装置によると、
該ウェハバーンイン装置を構成する複数のウェハバーン
インユニットのそれぞれが、ウェハトレイとプローブカ
ードとが一体化されてなるウェハカセットを収納するウ
ェハカセット収納部と、ウェハトレイに保持される半導
体ウェハの温度を制御する温度制御手段と、ウェハトレ
イに保持される半導体ウェハの複数の半導体集積回路を
駆動する駆動回路とを有しているため、ウェハカセット
に保持されている半導体ウェハ毎に温度制御及び半導体
集積回路の駆動を行なうことができると共に、バーンイ
ン検査が終了したウェハカセット毎又はトラブルが発生
したウェハカセット毎に取り出すことができ、ウェハカ
セットが取り出されたウェハカセット収納部に新しいウ
ェハカセットを投入することができる。

【００２１】本発明のウェハバーンイン装置において、
複数のウェハバーンインユニットのそれぞれは、ウェハ
カセット収納部に収納されたウェハカセットのウェハト
レイに保持される半導体ウェハから出力される出力信号
に基づいて、該半導体ウェハにおけるバーンイン時間の
経過に対する不良発生率を検出する不良発生率検出回路
を有していることが好ましい。

【００２２】また、本発明のウェハバーンイン装置にお
いては、複数のウェハバーンインユニットのそれぞれ
は、真空ポンプ、データ管理用ラインバス又は電圧供給
源等よりなる外部装置に対して互いに独立に接続される
外部装置接続部を有していることが好ましい。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態に係るウェハ
バーンイン装置について図面を参照しながら説明する。

【００２４】図１は本発明の一実施形態に係るウェハバ
ーンイン装置１の概略全体構成を示している。図１に示
すように、ウェハバーンイン装置１は、正面に向かって
右側部分に、検査データの送受信及び温度制御等を行な
う制御部２が設けられ、正面に向かって左側部分に複数
個例えば７個のウェハバーンインユニット３が上下方向
に並んで設けられており、各ウェハバーンインユニット
３には、ウェハカセット４がカセット単位で投入され、
投入されたウェハカセット４に収納されている半導体ウ
ェハに対して独立にバーンイン検査を行なう。尚、本実
施形態においては、図１に示すように、ウェハカセット
４は方形状のカセット補助基板５の下面に保持された状
態でウェハバーンインユニット３に投入される。

【００２５】図２はウェハカセット４の分解構造を示し
ており、ウェハカセット４は、ウェハ保持部１１ａを有
するアルミニウム等の金属板よりなるウェハトレイ１１
と、ウェハトレイ１１の周縁部の溝に嵌合されたシリコ
ンゴム等からなるリング状のシール材１２と、該ウェハ
トレイ１１のウェハ保持部１１ａに保持される半導体ウ
ェハ１３と、ウェハトレイ１１に嵌合されたシール材１
２の上に保持されるガラス基板よりなり多層配線層を有
するプローブカード１４とから構成されており、ウェハ
トレイ１１には、ウェハトレイ１１、シール材１２及び
プローブカード１４によって形成される密封空間の圧力
を調整するための真空バルブ１５が設けられている。

【００２６】プローブカード１４には、半導体ウェハ１
３に形成されている各半導体集積回路の各外部電極と対
向するようにプローブ端子としての多数のバンプが主面
（下面）に形成されていると共に、外部と接続される外
部電極が周縁部に形成されており、プローブカード１４
の各バンプと半導体ウェハ１３の各外部電極とは多層配
線層のいずれかに形成されている配線を介して電気的に
接続されている。尚、プローブカード１４の構造として
は、特に限定されず、特開平８−５６６６号公報に示さ
れているような、プローブシート、異方導電性ゴム及び
配線基板よりなるものでもよいし、異方導電性ゴム及び
配線基板のうちの一方又は両方を有しない構造でもよ
い。

【００２７】ウェハトレイ１１に保持されている半導体
ウェハ１３とプローブカード１４とを、半導体ウェハ１
３の各外部電極とプローブカード１４の各バンプとが対
向するように位置合わせした後、ウェハトレイ１１、シ
ール材１２及びプローブカード１４によって形成される
密封空間を真空バルブ１５から減圧すると、半導体ウェ
ハ１３の各外部電極とプローブカード１４の各バンプと
は接触する。この状態でウェハカセット４はウェハバー
ンインユニット３に投入される。

【００２８】図３は、本実施形態に係るウェハバーンイ
ン装置１における各ウェハバーンインユニット３の内部
構造を示しており、ウェハバーンインユニット３の上部
には保持基板２１が水平方向に配置されている。尚、図
３においては、３ａはウェハバーンインユニット３に設
けられた、ウェハカセット４を出し入れするための開口
部である。

【００２９】保持基板２１の左右両側には間隔をおいて
支持棒２２が吊持されており、各支持棒２２の周面には
上下動可能に筒状部材２３がそれぞれ嵌合されている。
左右の筒状部材２３にはカセット支持板２４が固定され
ており、該カセット支持板２４は筒状部材２３と共に上
下動する。また、保持基板２１における支持棒２２が吊
持されている部位の内側の上面には間隔をおいて支持板
上下動用モータ２５が設けられており、該支持板上下動
用モータ２５の回転軸２６の下部には雄ねじが形成され
ている。一方、カセット支持板２４における筒状部材２
３が固定されている部位の内側の上面には、内周面に雌
ねじが形成されたねじ部材２７が固定され、該ねじ部材
２７の雌ねじと支持板上下動用モータ２５の回転軸２６
の雄ねじとは螺合しており、カセット支持部材２４は支
持板上下動用モータ２５の回転軸２６の回転に伴って上
下動する。

【００３０】カセット支持板２４の下面にはＬ字状のカ
セット保持部材２８が間隔をおいて設けられており、該
カセット保持部材２８の底部にウェハカセット４が載置
される。尚、図３に示すように、カセット補助基板５の
上面には、レバー６により図３の前後方向に回動する係
合部材７が設けられており、該係合部材７がウェハトレ
イ１１の下面に前後方向から係合することにより、ウェ
ハカセット４はカセット補助基板５に着脱可能に固定さ
れる。

【００３１】カセット補助基板５の側面に下部コネクタ
２９が設けられていると共に、カセット支持板２４の下
面における下部コネクタ２９と対向する部位には、カセ
ット補助基板５の内部に形成された配線層及びプローブ
カード１４のバンプに電気的に接続されている上部コネ
クタ３０が設けられており、カセット支持板２４の下動
に伴って上部コネクタ３０が下動すると、下部コネクタ
２９と上部コネクタ３０とは結合して電気的に接続され
る。

【００３２】保持基板２１の中央部の上面にはコネクタ
離脱用モータ３１が設けられており、該コネクタ離脱用
モータ３１の回転軸３２の下部には雄ねじが形成されて
いる。また、ねじ部材２７同士の間には水平方向に連結
部材３３が固定され、該連結部材３３はハット状のコネ
クタ離脱部材３４を回転不能且つ上下動可能に保持して
いる。コネクタ離脱部材３４の上面には、内周面に雌ね
じが形成されたねじ部材３５が固定され、該ねじ部材３
５の雌ねじとコネクタ離脱用モータ３１の回転軸３２の
雄ねじとは螺合しており、コネクタ離脱部材３４はコネ
クタ離脱用モータ３１の回転軸３２の回転に伴って下動
し、カセット補助基板５ひいては下部コネクタ２９の上
動を阻止する。これにより、支持板上下動用モータ２５
の回転軸２６の回転に伴ってカセット支持部材２４ひい
ては上部コネクタ３０が上動すると、下部コネクタ２９
と上部コネクタ３０との結合が解除される。

【００３３】支持板上下動用モータ２５及びコネクタ離
脱用モータ３１の上にはドライバボード３６が設けられ
ており、該ドライバボード３６には、支持板上下動用モ
ータ２５及びコネクタ離脱用モータ３１を駆動するモー
タ駆動回路、上部コネクタ３０と電気的に接続されてお
り、ウェハカセット４に収納されている半導体ウェハ１
３の半導体集積回路を駆動するウェハ駆動回路、並びに
ウェハカセット４に収納されている半導体ウェハ１３か
らの出力信号に基づきバーンイン時間の経過に対する不
良発生率を検出する不良発生率検出回路、並びに不良発
生率検出回路が検出した不良発生率に基づき不良発生率
が収束しているか否かを判定する不良発生率収束判定回
路が設けられている。

【００３４】ウェハカセット４の下側には、該ウェハカ
セット４を構成するウェハトレイ１１ひいては半導体ウ
ェハ１３の温度を制御する温度制御手段３７が設けられ
ており、該温度制御手段３７は支持棒２２の下端部に固
定された温度制御手段保持板３８の上に載置されてい
る。

【００３５】図４は、ウェハバーンインユニット３の概
略全体構成を示しており、ウェハバーンインユニット３
の背面には、真空ポンプと接続される真空ポンプ接続
部、データ管理用バスラインと接続されるデータ入出力
部、及び電圧供給源と接続される電圧供給部がそれぞれ
設けられている。

【００３６】以上説明したように、本実施形態に係るウ
ェハバーンイン装置１によると、半導体ウェハ１３が収
納されたウェハカセット４を保持するカセット保持手
段、ウェハカセット４に収納された半導体ウェハ１３の
半導体集積回路を駆動するウェハ駆動回路、該ウェハ駆
動回路と電気的に接続され且つカセット補助基板５の下
部コネクタ２９と着脱可能に結合する上部コネクタ３
０、該上部コネクタ３０を下部コネクタ２９に対して結
合するコネクタ結合手段、上部コネクタ３０と下部コネ
クタ２９との結合を離脱させるコネクタ離脱手段、及び
ウェハカセット４に収納された半導体ウェハ１３の温度
を制御する温度制御手段をウェハバーンインユニット３
毎に備えていると共に、これらカセット保持手段、ウェ
ハ駆動回路、コネクタ結合手段、コネクタ離脱手段及び
温度制御手段はウェハバーンインユニット３毎に駆動可
能であるから、ウェハバーンインユニット３毎にバーン
イン検査を行なうことができると共に、いずれかのウェ
ハバーンインユニット３にウェハカセット４が投入され
ていなくても他のウェハバーンインユニット３に対して
バーンイン検査を行なうことができる。

【００３７】また、図７に示した従来のウェハバーンイ
ン装置１００においては、ラック１１０のウェハカセッ
ト出し入れ用の開口部の反対側にエクステンションボー
ド１１２が配置されていたが、本実施形態によると、ウ
ェハカセット４の上方つまりウェハカセット４の表裏方
向側にドライバーボード３６が設けられていると共に、
該ドライバ−ボード３６は、カセット補助基板５に設け
られた下部コネクタ２９及びカセット支持板２４に設け
られた上部コネクタ３０を介してウェハカセット４に接
続されるため、従来のウェハバーンイン装置に比べて、
信号線の配線長が短くなる。このため、ドライバボード
３６からプローブカード１４に出力される種々の電気信
号に、波形の鈍り、オーバーシュート及びアンダーシュ
ート等の信号劣化が生じ難くなるので、所定のバーンイ
ン検査を確実に行なうことができる。

【００３８】さらに、カセット保持手段、ウェハ駆動回
路、コネクタ結合手段、コネクタ離脱手段及び温度制御
手段はウェハバーンインユニット３毎に設けられている
ため、図４に示すように、背面に設けられた真空ポンプ
接続部、データ入出力部及び電圧供給部に、真空ポン
プ、データ管理用バスライン及び電圧供給部を接続する
ことにより、独立したウェハバーンイン装置として用い
ることができる。

【００３９】図５は、本実施形態の第１変形例に係るウ
ェハバーンイン装置の概略全体構成を示しており、正面
に向かって右側部分に、検査データの送受信及び温度制
御等を行なう制御部２が設けられ、正面に向かって左側
部分に例えば１０個のウェハバーンインユニット３が上
下方向に５個づつ２列に並んで設けられている。

【００４０】図６は、本実施形態の第２変形例に係るウ
ェハバーンイン装置の概略全体構成を示しており、上側
部分に検査データの送受信及び温度制御等を行なう制御
部２が設けられ、下側部分に例えば６個のウェハバーン
インユニット３が水平方向に３個づつ２段に並んで設け
られている。

【００４１】図１、図５及び図６の対比から明らかなよ
うに、ウェハバーンインユニット３の組み合わせによっ
て、ウェハバーンイン装置の大きさ及び処理能力を選択
することができる。

【００４２】

【発明の効果】本発明に係るウェハバーンイン装置によ
ると、ウェハカセットに保持されている半導体ウェハ毎
に温度制御及び半導体集積回路の駆動を行なうことがで
きると共に、バーンイン検査が終了したウェハカセット
毎又はトラブルが発生したウェハカセット毎に取り出す
ことができ、ウェハカセットが取り出されたウェハカセ
ット収納部に新しいウェハカセットを投入することがで
きるため、バーンイン検査に要する時間を短縮できるの
で、半導体装置の生産効率を向上させることができる。

【００４３】本発明に係るウェハバーンイン装置におけ
る各ウェハバーンインユニットが、不良発生率検出回路
を有していると、半導体ウェハから出力される出力信号
に基づいてバーンイン時間の経過に対する不良発生率を
検出できるため、バーンイン時間をウェハカセット毎に
調整することができる。

【００４４】また、本発明に係るウェハバーンイン装置
における各ウェハバーンインユニットが、真空ポンプ、
データ管理用ラインバス又は電圧供給源等よりなる外部
装置に対して互いに独立に接続される外部装置接続部を
有していると、一のウェハバーンインユニットを取り出
しても、他のウェハバーンインユニットに投入されてい
るウェハカセットに収納されている半導体ウェハに対し
て正常にバーンイン検査を行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るウェハバーンイン装
置の概略全体構成を示す斜視図である。

【図２】本発明の一実施形態に係るウェハバーンイン装
置に投入されるウェハカセットの一例を示す分解斜視図
である。

【図３】本発明の一実施形態に係るウェハバーンイン装
置のカセット収納部の内部構造を示す正面図である。

【図４】本発明の一実施形態に係るウェハバーンイン装
置のウェハバーンインユニットの概略図である。

【図５】本発明の一実施形態に係るウェハバーンイン装
置の第１変形例の概略全体構成を示す斜視図である。

【図６】本発明の一実施形態に係るウェハバーンイン装
置の第２変形例の概略全体構成を示す斜視図である。

【図７】従来のウェハバーンイン装置の概略全体構成を
示す斜視図である。

【図８】半導体ウェハ毎に、バーンイン時間の経過に対
する不良発生率及び不良発生率が所定値以下になる収束
ポイントに達するまでのバーンイン時間が異なることを
示す特性図である。

【符号の説明】

１ ウェハバーンイン装置 ２ 制御部 ３ ウェハバーンインユニット ３ａ 開口部 ４ ウェハカセット ５ カセット補助基板 ６ レバー ７ 係合部材 １１ ウェハトレイ １１ａ ウェハ保持部 １２ シール部材 １３ 半導体ウェハ １４ プローブカード １５ 真空バルブ ２１ 保持基板 ２２ 支持棒 ２３ 筒状部材 ２４ カセット支持板 ２５ 支持板上下動用モータ ２６ 回転軸 ２７ ねじ部材 ２８ カセット保持部材 ２９ 下部コネクタ ３０ 上部コネクタ ３１ コネクタ離脱用モータ ３２ 回転軸 ３３ 連結部材 ３４ コネクタ離脱部材 ３５ ねじ部材 ３６ ドライバボード ３７ 温度制御手段

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上下方向又は左右方向に並んで配置され
   た複数のウェハバーンインユニットを備え、 前記複数のウェハバーンインユニットのそれぞれは、 複数の半導体集積回路が形成された半導体ウェハが保持
   されるウェハトレイと、該ウェハトレイに保持される半
   導体ウェハと対向するように配置され複数の半導体集積
   回路の各外部電極と対向する位置にプローブ端子を有す
   るプローブカードとが一体化されてなるウェハカセット
   を収納するウェハカセット収納部と、前記ウェハカセッ
   ト収納部に収納されたウェハカセットのウェハトレイに
   保持される半導体ウェハの温度を制御する温度制御手段
   と、 前記ウェハカセット収納部に収納されたウェハカセット
   のウェハトレイに保持される半導体ウェハの複数の半導
   体集積回路を駆動する駆動回路とを有していることを特
   徴とするウェハバーンイン装置。
2. 【請求項２】 前記複数のウェハバーンインユニットの
   それぞれは、前記ウェハカセット収納部に収納されたウ
   ェハカセットのウェハトレイに保持される半導体ウェハ
   から出力される出力信号に基づいて、該半導体ウェハに
   おけるバーンイン時間の経過に対する不良発生率を検出
   する不良発生率検出回路を有していることを特徴とする
   ウェハバーンイン装置。
3. 【請求項３】 前記複数のウェハバーンインユニットの
   それぞれは、真空ポンプ、データ管理用ラインバス又は
   電圧供給源等よりなる外部装置に対して互いに独立に接
   続される外部装置接続部を有していることを特徴とする
   ウェハバーンイン装置。