KR102296893B1 - 무기 물질을 변색층으로 사용한 플라스마 처리 감지 표시기 - Google Patents

무기 물질을 변색층으로 사용한 플라스마 처리 감지 표시기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자 기기 특성에 영향을 주지 않을 정도로 변색층의 기체화 또는 플라스마 처리에 의한 변색층의 미세한 파편의 흩어짐이 억제됨과 함께 우수한 열 저항을 나타내는, 플라스마 처리에 의해 색이 변하는 플라스마 처리 감지 표시기를 제공한다. 특히, 플라스마 처리에 의해 색이 변하는 변색층을 포함하고, 상기 변색층은 간단한 물질 형태로 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 원소 및/또는 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 무기 화합물을 포함하는 플라스마 처리 감지 표시기를 제공한다.

Description

무기 물질을 변색층으로 사용한 플라스마 처리 감지 표시기{PLASMA PROCESSING DETECTION INDICATOR USING INORGANIC SUBSTANCE AS A COLOR-CHANGE LAYER}
본 발명은 무기 물질이 변색층으로 사용되는 플라스마 처리 감지 표시기에 관한 것이고, 상기 표시기는 특히 전자 기기 생산 장비에의 사용을 위한 표시기로서 유용하다.
전자 기기의 생산 과정에서, 전형적으로 다양한 처리가 전자 기기 기판(처리되야 하는 기판) 상으로 수행된다. 예를 들어, 반도체 전자 기기의 경우에는 반도체 웨이퍼(웨이퍼)가 로딩되고, 후에 단열 막 또는 금속 막의 막 형성 단계, 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 단계, 포토레지스트 패턴을 이용한 박막을 가공하는 식각 단계, 반도체 웨이퍼 상에 전도성 층을 형성하는 불순물-첨가 단계(또한 도핑 또는 디퓨전 단계로 불리는), 막의 평평하지 않은 표면을 평평한 표면으로 만들기 위한 CMP 연마 단계(기계 화학적 평탄화), 및 뒤이어 패턴 또는 전기적 특성의 완료를 검사하기 위한 반도체 웨이퍼의 전기적 특성 검사 단계(이러한 단계들은 집합적으로 전공정이라 불릴 수 있다). 그 후에, 반도체 칩 형성의 후공정이 따라온다. 또한, 이 전공정은 상기 전자 기기가 반도체일 경우뿐만 아니라 다른 전자 기기가 제조 될 때도 수행된다. (예, 발광 다이오드(light-emitting diodes, LED), 태양광 배터리(solar batteries), 액정 디스플레이(liquid crystal displays) 및 유기 EL(전자 발광) 디스플레이(organic EL (Electro-Luminescence) displays))
상기 전공정은 앞서 설명된 단계 이외에, 플라스마, 오존, 자외선 또는 이의 동류를 이용한 세척 단계 및 플라스마, 라디칼을 포함하는 기체 및 이의 동류 (또한 애싱 또는 애쉬 제거로 불리우는)를 이용하여 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함한다. 상기 막 형성 단계는 또한 웨이퍼 표면에서 막 형성을 위해 반응성 기체를 화학적으로 반응시키는 CVD 및 금속 막 형성을 위한 스퍼터링 방법을 포함한다. 상기 식각 단계는 플라스마 내의 화학 반응에 의해 수행되는 드라이 식각 및 이온 빔에 의한 식각을 포함한다. “플라스마(plasma)”는 분리된 기체, 이온들, 라디칼들 및 전자들이 플라스마 내에 있는 것을 나타낸다.
전자 기기의 생산 단계에서, 위에서 설명된 다양한 처리가 성능, 신뢰성 및 전자 기기의 이의 동류를 확보하기 위해서 반드시 적절히 수행되어야 한다. 따라서, 막 형성 단계, 식각 단계, 애싱(ashing) 단계, 불순물 첨가 단계, 세척 단계로 대표되는 상기 플라스마 처리에서 플라스마 처리의 완료를 확인하기 위해서 예를 들어 분광기와 함께 플라스마 방사 분석 및 플라스마 처리 대기 안에서 색이 변하는 변색층을 포함하는 플라스마 처리 탐지 표시기에 의해 완료 체크 및 이의 동류가 수행된다.
플라스마 처리 감지 표시기의 하나의 예로서, 특허 헌 1은 플라스마 처리 감지를 위한 1) 안트라퀴논 착색제(anthraquinone colorants), 아조(azo) 착색제 또는 프탈로시아닌(phthalocyanine) 착색제 중 적어도 하나 및 2) 바인더 레진, 양이온 계면 활성제 또는 증량제(extenders) 중 적어도 하나를 포함하는 잉크 조성물을 개시하되, 플라스마 처리에 사용되는 플라스마 생성 기체는 산소 또는 질소 중 적어도 하나를 포함한다. 또한, 특허 문헌 1은 기초 물질 상에 형성된 상기 잉크 조성물을 포함하는 변색층을 포함하는 플라스마 처리 감지기를 개시하였다.
특허 문헌 2는 불활성 기체 플라스마 처리를 감지하기 위한 1) 안트라퀴논 착색제, 아조 착색제 및 프탈로시아닌 착색제의 적어도 하나 및 2) 바인더 레진, 양이온 계면 활성제 및 증량제의 적어도 하나를 포함하는 잉크 조성물을 개시하였고, 상기 불활성 기체는 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 제논으로 구성된 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함한다. 또한, 특허 문헌 2는 기초 물질 상에 형성된 잉크 조성물을 포함하는 변색층인 플라스마 처리 감지 표시기를 개시한다.
그러나 방사 분석 또는 전통적인 플라스마 처리 감지 표시기를 사용하는 체크 방법은 전자 기기 생산 장비 내에 표시기로 사용되기에는 성능이 불충분할 수 있다. 특히, 전자 기기 생산 장비에 제공되는 창을 통해서 수행되는 측정 및 분석의 제한으로 인해, 전자 기기 생산 장비의 내부가 보이지 않을 때 방사 분석을 이용하는 체크 방법과 함께 능률적인 측정 또는 분석을 수행하기에 어려운 경향이 있다. 비록 전통적인 플라스마 처리 감지 표시기의 사용이 편리하고, 변색층의 변화를 통해 플라스마 처리의 완료를 확인하기 위한 훌륭한 수단이라고 할지라도, 착색제, 바인더 레진 및 계면 활성제와 같은 상기 변색층에 포함된 유기 성분은 전자 기기 생산 장비의 감소된 청결성에 이르게 할 가능성이 있을 수 있고, 또는 유기 성분의 기체화 또는 플라스마 처리에 의한 유기 성분의 미세한 파편의 흩어짐으로 인한 전자 기기의 오염이 있을 수 있다. 상기 유기 성분의 기체화는 전자 기기 생산 장비의 진공 성능을 역으로 영향을 줄 수 있다. 추가로, 주로 유기 성분으로 구성된 종래의 변색층의 불충분한 열 저항 때문에, 전자 기기 생산 장비가 높은 온도를 가질 때 그것을 표시기로 사용하는 것은 어렵다.
따라서, 전자 기기 특성에 영향을 주지 않을 정도로 변색층의 기체화 또는 플라스마 처리에 의한 변색층의 미세한 파편의 흩어짐이 억제됨과 함께 우수한 열 저항을 나타내는, 플라스마 처리에 의해 색이 변하는 변색층을 포함하는 플라스마 처리 감지 표시기의 개발을 위한 요구가 있어왔다.
특허 문헌 1: JP2013-98196 특허 문헌 2: JP2013-95764
본 발명의 목적은 전자 기기 특성에 영향을 주지 않을 정도로 변색층의 기체화 또는 플라스마 처리에 의한 변색층의 미세한 파편의 흩어짐이 억제됨과 함께 우수한 열 저항을 나타내는, 플라스마 처리에 의해 색이 변하는 변색층을 포함하는 플라스마 처리 감지 표시기를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 광범위한 연구를 수행하였고, 특정 금속 원소의 단순한 물질 형태로의 사용 및/또는 상기 금속 원소를 변색 물질로 포함하는 무기 화합물이 변색층에 포함되는 것이 상기 목적을 달성할 수 있음을 발견하였다. 그러고는 상기 발명자들은 본 발명을 완성하였다.
특히, 본 발명은 하기의 플라스마 처리 감지 표시기에 관한 것이다.
아이템 1. 플라스마 처리에 의해 색이 변하는 변색층을 포함하고, 상기 변색층은 간단한 물질 형태로 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 원소 및/또는 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 무기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 2. 상기 무기 화합물 내에 포함된 적어도 하나의 금속 원소의 원자가는 Mo(II) 내지 Mo(VI), W(II) 내지 W(VI), Sn(II), Sn(IV), V(II) 내지 V(V), Ce(III) 내지 Ce(IV), Te(II), Te(IV), Te(VI), Bi(III), 및 Bi (V)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 아이템 1에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 3. 상기 무기 화합물은 산화물(oxides), 수산화물(hydroxides), 탄산염(carbonates), 산화물 염(oxide salts), 산소산(oxo acid), 산소산 염(oxoacid salts) 및 적어도 하나의 금속 원소의 옥소 착물(oxo complexes) 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 아이템 1 또는 아이템 2에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 4. 상기 변색층은 산화 몰리브덴(IV)(molybdenum(IV) oxide), 산화 몰리브덴(VI)(molybdenum(VI) oxide), 산화 텅스텐(VI)(tungsten(VI) oxide), 산화 주석(IV)(tin(IV) oxide), 산화 바나듐(II)(vanadium(II) oxide), 산화 바나듐(III)(vanadium(III) oxide), 산화 바나듐(IV)(vanadium(IV) oxide), 산화 바나듐(V)(vanadium(V) oxide), 산화 세륨(IV)(cerium(IV) oxide), 산화 텔루륨(IV)(tellurium(IV) oxide), 산화 비스무트(III)(bismuth(III) oxide), 수산화 세륨(IV)(cerium(IV) hydroxide), 수산화 비스무트(III)(bismuth(III) hydroxide), 수산화 바나듐(III)(vanadium(III) hydroxide), 수산화 몰리브덴(V)(molybdenum(V) hydroxide), 산화 비스무트(III) 탄산염(bismuth(III) carbonate oxide), 산화 바나듐(IV) 황산염(vanadium(IV) oxide sulfate), 몰리브덴산 암모늄(ammonium molybdate), 몰리브덴산 나트륨(sodium molybdate), 몰리브덴산 칼륨(potassium molybdate), 텅스텐산 나트륨(sodium tungstate), 텅스텐산 암모늄(ammonium tungstate), 오로토바다듐산 나트륨(sodium orthovanadate), 메타바나듐산 암모늄(ammonium metavanadate), 및 메타바나듐산 나트륨(sodium metavanadate)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 아이템 1 내지 아이템 3의 어떤 하나에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 5. 상기 변색층은 산화 몰리브덴(VI)(molybdenum(VI) oxide), 산화 텅스텐(VI)(tungsten(VI) oxide), 산화 바나듐(III)(vanadium(III) oxide), 산화 바나듐(V)(vanadium(V) oxide), 및 산화 비스무트(III)(bismuth(III) oxide)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 아이템 1 내지 아이템 3의 어떤 하나에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 6. 상기 변색층을 지지하는 기초 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 아이템 1 내지 아이템 5의 어떤 하나에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 7. 표시기는 전자 기기 생산 장비에서 사용을 위한 것을 특징으로 하는 아이템 1 내지 아이템 6의 어떤 하나에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 8. 상기 표시기의 형상은 전자 기기 생산 장비 내에서 사용되는 전자 기기 기판의 형상과 동일한 것을 특징으로 하는 아이템 7에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 9. 상기 전자 기기 생상 장비는 막 형성 단계, 식각 단계, 애싱(ashing) 단계, 불순물 첨가 단계, 및 세척 단계로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 플라스마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 아이템 7 또는 아이템 8에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 10. 플라스마 처리에 의해서 색이 변하지 않는 비변색층을 포함하는 것을 특징으로 하는 아이템 1 내지 아이템 9의 어떤 하나에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 11. 상기 비변색층은 산화 티타늄(IV)(titanium(IV) oxide), 산화 지르코늄(IV)(zirconium(IV) oxide), 산화 이트륨(III)(yttrium(III) oxide), 황산 바륨(barium sulfate), 산화 마그네슘(magnesium oxide), 이산화 규소(silicon dioxide), 알루미나(alumina), 알루미늄(aluminum), 은(silver), 이트륨(yttrium), 지르코늄(zirconium), 티타늄(titanium), 및 백금(platinum )으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 아이템 10에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
아이템 12. 상기 비변색층 및 상기 변색층은 기초 물질 상에 순차적으로 형성되어 있되, 상기 비변색층은 기초 물질의 주면 상에 형성되고, 변색층은 비변색층의 주면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 아이템 10 또는 아이템 11에 따른 플라스마 처리 감지 표시기.
본 발명의 플라스마 처리 감지 표시기에서, 특정 금속 원소의 단순한 물질 형태 및/또는 금속 원소를 포함하는 무기 화합물이 변색 물질로 사용되어 변색층 내에 포함된다. 상기 변색층의 색은 상기 금속 원소의 원자가가 플라스마 처리에 의해 변하기 때문에 화학적으로 변한다. 이것은 변색층의 기체화 또는 플라스마 처리에 의한 변색층의 미세한 파편의 흩어짐을 전자 기기 특성에 영향을 미치지 않을 정도로 억제한다. 추가로, 변색 물질은 무기 화합물의 하나 또는 그 이상을 포함하기 때문에, 상기 지시기는 전자 기기 생산에 가해지는 공정 온도에 저항할 수 있는 열 저항성을 나타낸다.
본 발명의 플라스마 처리 감지 표시기는 진공 및 고온 조건뿐만 아니라 높은 청정 환경에서 반드시 처리 되야하는 전자 기기 생산 장비 내의 사용을 위한 플라스마 처리 감지 표시기로 사용하는 것이 특히 유용하다. 전자 기기의 예는 반도체, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드, 파워 기기, 태양광 배터리, 액정 디스플레이 및 유기 EL 디스플레이를 포함한다.
도 1은 실험 예 1 및 실험 예 3에서 사용된 CCP(CCP: 축전 결합 플라스마) 타입의 플라스마 식각 장치의 약단면도이다. 상기 도의 “TMP”는 터보 분자 펌프(turbo-molecular pump)의 약어이다.( 동일한 것이 도 2에 적용됨)
도 2는 실험 예 2에 사용된 ICP(ICP: 유도 결합 플라스마) 타입의 플라스마 식각 장치의 약단면도이다.
도 3은 실험 예 4의 결과(온도 증가의 시간에서 탈기체 특성)를 나타내고 있다.
이하는 본 발명에 따른 플라스마 처리 감지 표시기를 상세히 설명한다.
본 발명(이하는 “본 발명의 표시기(the indicator of the present invention)”로 지칭될 수 있다)에 따른 플라스마 처리 감지 표시기는 플라스마 처리에 의해 색이 변하는 변색층을 포함한다. 상기 변색층은 간단한 물질 형태로 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 원소 및/또는 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 무기 화합물을 포함한다.
본 발명의 특색과 함께하는 플라스마 처리 감지 표시기에서, 간단한 물질 형태의 특정 금속 원소 및/또는 상기 원소를 포함하는 무기 화합물이 변색층에 포함되는 변색 물질로서 사용된다. 상기 변색층의 색은 플라스마 처리에 의해 금속 원소의 원자가가 변화하여 화학적으로 변한다. 이는 변색층의 기체화 또는 플라스마 처리에 의한 변색층의 미세한 파편의 흩어짐을 전자 기기 특성에 영향을 주지 않을 정도로 억제한다. 추가로, 상기 변색 물질은 하나 또는 그 이상의 무기 성분을 포함하기 때문에, 상기 표시기는 전자 기기 생산에서 가해지는 공정 온도에 저항 할 수 있는 열 저항을 나타낸다.
본 발명의 상기 표시기는 진공 및 고온 조건뿐만 아니라 높은 청정 환경에서 반드시 처리되야 하는 전자 기기 생산 장비에의 사용을 위한 플라스마 처리 감지 표시기로 특히 유용하다. 전자 기기의 예는 반도체, 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드, 파워 기기, 태양광 배터리, 액정 디스플레이 및 유기 EL 디스플레이를 포함한다.
변색층 (Color-Changing Layer)
본 발명의 상기 표시기는 플라스마 처리에 의해 색이 변하는 변색층을 포함하고, 상기 변색층은 간단한 물질 형태로 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 원소 및/또는 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 무기 화합물을 포함한다. 특히, 본 발명에서 플라스마 처리는 적어도 하나의 금속 원소의 원자가를 변하게 하고, 따라서 화학적으로 색을 변화시킨다. 유기 성분과 달리, 플라스마 처리에 의한 적어도 하나의 금속 원소를 포함하는 간단한 물질 형태 및 적어도 하나의 금속 원소를 포함하는 유기 화합물의 기체화 또는 미세한 파편의 흩어짐은 전자 기기의 특성에 영향을 주지 않을 정도로 억제된다. 추가로, 간단한 물질 형태의 적어도 하나의 금속 원소 및 적어도 하나의 금속 원소를 포함하는 무기 화합물은 전자 기기 생산에 가해지는 공정 온도에 저항할 수 있는 열 저항을 나타낸다.
상기 금속 원소는 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi의 적어도 하나이면 충분하다. 무기 화합물의 예는 산화물, 수산화물, 탄산염, 산화물 염, 산소산, 산소산 염 및 적어도 하나의 금속 원소의 옥소 착물으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함한다. 이러한 무기 화합물의 금속 원소의 원자가는 Mo(II) 내지 Mo(VI), W(II) 내지 W(VI), Sn(II), Sn(IV), V(II) 내지 V(V), Ce(III) 내지 Ce(IV), Te(II), Te(IV), Te(VI), Bi(III), 및 Bi (V) 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것이 바람직하다.
상기 무기 화합물의 특정 예는 산화 몰리브덴 (IV), 산화 몰리브덴 (VI), 산화 텅스텐(VI), 산화 주석(IV), 산화 바나듐(II), 산화 바나듐(III), 산화 바나듐(IV), 산화 바나듐(V), 산화 세륨(IV), 산화 텔루륨(IV), 산화 비스무트 (III), 수산화 세륨(IV), 수산화 비스무트(III), 수산화 바나듐 (III), 수산화 몰리브덴(V), 산화 비스무트(III) 탄산염, 산화 바나듐(IV) 황산염, 몰리브덴산 암모늄, 몰리브덴산 나트륨, 몰리브덴산 칼륨, 텅스텐산 나트륨, 텅스텐산 암모늄, 오로토바다듐산 나트륨, 메타바나듐산 암모늄, 및 메타바나듐산 나트륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함한다.
이러한 무기 화합물은 산화 몰리브덴(IV), 산화 몰리브덴(VI), 산화 텅스텐(VI), 산화 주석(IV), 산화 바나듐(II), 산화 바나듐(III), 산화 바나듐(IV), 산화 바나듐(V), 산화 세륨(IV) , 산화 텔루륨(IV), 산화 비스무트(III), 수산화 세륨(IV), 수산화 비스무트(III), 수산화 바나듐(III), 수산화 몰리브덴(V), 산화 비스무트(III) 탄산염, 및 산화 바나듐(IV) 황산염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화 금속인 것이 더욱 바람직하다. 산화 금속으로서, 소량의 결정수(crystalline water)를 그들의 분자 내에 포함하는 것은 받아 들일 수 있지만 물 분자(습기 기체)의 배출 가능성을 배제하기 위해 결정수를 포함하지 않는 것이 바람직할 수도 있다.
앞서 설명된 산화 금속은 산화 몰리브덴(VI), 산화 텅스텐(VI), 산화 바나듐(III), 산화 바나듐(V), 및 산화 비스무트(III)의 적어도 하나인 것이 바람직하다.
본 발명의 표시기의 상기 변색층은 간단한 물질 형태의 금속 원소 및/또는 상기 금속 원소를 포함하는 무기 화합물(이후에, 이것들은 집합적으로 “본 발명의 무기 분말(the inorganic powder of the present invention)”로 지칭될 수 있다)을 포함한다. 상기 변색층은 주로 본 발명의 무기 분말로 형성되는 것이 바람직하고, 상기 본 발명의 무기 분말은 있지만 유기 성분 및 기타는 부재하는 것이 바람직하다. 본 발명의 무기 분말은 이하에 설명될 소결 물질, 소성 물질, 집합체(건조 물질), 및 이의 동류의 형태를 포함한다.
비록 변색층 형성을 위한 방법은 제한되지 않지만, 예를 들어 실시 예 1에서는 변색층은 본 발명의 무기 분말(또는 그것의 시작 분말 물질)을 금형에 의해 프레스 기계를 이용해 펠릿으로 형성되고, 상기 펠릿을 전기로로 소결하여 형성될 수 있다. 실시 예 2에서, 변색층은 본 발명의 무기 분말(또는 그것의 시작 분말 물질)을 포함하는 슬러리의 준비, 기판 상에 슬러리의 도포, 용매의 증발, 및 대기 중에서 상기 기판을 소성함으로써 형성될 수 있다. 추가적으로, 실시 예 3에서는 변색층은 본 발명의 무기 분말을 포함하는 슬러리의 준비, 기판 상에 슬러리의 도포, 용매의 증발, 및 대기 중에서 상기 기판을 건조함으로써 형성 될 수 있다.
본 발명의 무기 분말을 위한 상기 시작 분말 물질은 소성에 의해 본 발명의 무기 분말로 변환되는 분말을 의미한다. 상기 시작 분말 물질은 수화물, 탄산염, 아세틸아세톤 착물, 산화물 염, 산소산, 산소산 염 및 옥소 착물을 포함하고, 각각은 상기 금속 원소(Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi의 적어도 하나)를 포함한다. 상기 산소산은 오르토산(ortho acids) 및 메타산(meta acids)뿐만 아니라, 이소폴리 산(isopoly acids) 및 헤테로폴리 산(heteropoly acids)과 같은 응축된 산소산(condensed oxoacids)을 포함한다.
특히, 본 발명의 무기 분말을 위한 상기 시작 분말 물질은 바나듐(III) 아세틸아세토네이트(vanadium(III) acetylacetonate), 질산 비스무트(III)(bismuth(III) nitrate), 수산화 비스무트(III)(bismuth(III) hydroxide), 수산화 질산염 비스무트(III)(bismuth(III) hydroxide nitrate), 산화 탄산염 비스무트(III)(bismuth(III) carbonate oxide), 산화 아세트산염 비스무트(III)(acetate oxide bismuth(III)), 황산 비스무트(III)(bismuth(III) sulfate), 염화 비스무트(III)(bismuth(III) chloride), 육암모늄 칠몰리브덴산 사수화물(hexaammonium heptamolybdate tetrahydrate), 암모늄 텅스텐산 파라 오수화물(ammonium tungstate para pentahydrate), 바나듐산(V) 암모늄(ammonium vanadate(V)), 이산화 몰리브덴 아세토나토(molybdenum dioxide acetonato), 텅스텐산(tungstic acid), 몰리브덴산(molybdic acid), 이소폴리 텅스텐산(isopolytungstic acid), 이소폴리 몰리브덴 산(isopolymolybdic acid), 및 이소폴리 바나듐 산(isopolyvanadium acid)을 포함한다. 본 발명에서 이러한 시작 분말 물질은 실시 예 1 또는 실시 예 2에서 소성에 의해 본 발명의 무기 분말로 변환된다. 그러나, 소성 조건에 따라서 본 발명의 무기 분말로 완전히 변환되지 않는 경우도 있을 수 있다. 따라서, 소성 조건에 따라서 본 발명의 무기 분말 내에 소량의 미반응 성분 또는 유기 성분이 어느 정도 남고, 상기 나머지가 본 발명의 효과에 영향을 주지 않는다면 그것은 받아들일 수 있다.
실시 예 1에서(금형 + 소결), 변색층은 세라믹 소결 물질 형성을 위한 종래 방법을 따라서 형성될 수 있고, 실시 예 2 및 3(슬러리 도포 + 소성 또는 건조)에서는 상기 층은 관련 기술의 종래 방법을 따라서 형성 될 수 있다. 실시 예 2 및 3에서 슬러리의 코팅 막 형성을 위한 방법으로서, 알려진 넓은 범위의 프린트 방법 및 코팅 방법이 사용가능 하다. 예를 들어 이러한 방법은 스핀 코팅(spin coating), 슬릿 코팅(slit coating), 스프레이(spray), 딥 코팅(dip coating), 실크 스크린 인쇄(silk-screen printing), 그라비어 인쇄(gravure printing), 블록판 인쇄(offset printing), 활판 인쇄(relief printing) 및 플렉서 인쇄(flexographic printing)를 포함한다.
실시 예 1은 일반적으로 약 1 내지 4 mm 두께를 갖는 변색층을 형성하기에 적합하다. 실시 예 2 및 3은 일반적으로 약 10 nm 내지 1 mm 두께를 갖는 변색층을 형성하기에 적합하다. 추가로, 실시 예 2 또는 3이 적용될 때, 본 발명의 무기 분말 또는 그것의 시작 분말 물질을 포함하는 슬러리의 코팅 막이 형성된 기판은 또한 이후에 설명되는 본 발명의 표시기의 기초 물질(상기 변색층을 지지하기 위한 기초 물질)로 사용될 수 있다.
상기 본 발명의 표시기의 변색층의 두께는 제한되지 않는다. 그러나 약 500 nm 내지 2 mm인 것이 바람직하고, 약 1 내지 100 μm인 것이 더욱 바람직하다.
변색층을 지지하는 기초 물질(Base Material That Supports Color-Changing Layer)
본 발명의 표시기는 상기 변색층을 지지하는 기초 물질을 포함할 수 있다.
상기 변색층이 그 위에 형성되고, 상기층을 지지하는 것을 허락하는 어떠한 기초 물질이 사용될 수 있다. 사용할 수 있는 기초 물질의 예는 금속 또는 합금, 세라믹, 쿼츠, 콘크리트, 플라스틱(예, 폴리에틸렌 테레프탈염산(polyethylene terephthalate, PET), 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene, PTFE), 폴리에텔 에텔 케톤(polyether ether ketone, PEEK), 폴리프로필렌(polypropylene), 나일론(nylon), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리설폰(polysulfone), 폴리카보네이트(polycarbonate), 및 폴리이미드(polyimide)), 섬유(비직조 직물(non-woven fabrics), 직조 직물(woven fabrics), 유리 섬유 필터(glass fiber filters), 및 다른 섬유 시트(other fiber sheets)), 및 이들의 복합체 물질을 포함한다. 실리콘(silicon), 갈륨 아세나이드(gallium arsenide), 실리콘 카바이드(silicon carbide), 사파이어(sapphire), 글래스(glass), 갈륨 나이트라이드(gallium nitride), 및 게르마늄(germanium)과 같은 일반적으로 전자 기기 기판으로 알려진 것은 본 발명의 표시기의 기초 물질로 사용될 수 있다. 상기 기초 물질의 두께는 표시기의 타입에 따라 적절하게 결정될 수 있다.
비변색층 (Non-Color-Changing Layer)
상기 변색층의 가시성을 높이기 위해, 상기 본 발명의 표시기는 하층으로서, 플라스마 처리에 의해 색이 변하지 않는 비변색층과 함께 제공될 수 있다. 상기 비변색층은 기체화 되지 않을 뿐만 아니라, 열 저항일 것이 요구된다. 상기 비변색층은 바람직하게 흰색층(white layer), 금속층(metal layer), 및 이의 동류이다.
상기 흰색층은 예를 들어 산화 티타늄(IV), 산화 지르코늄(IV), 산화 이트륨(III), 황산 바륨, 산화 마그네슘, 이산화 규소, 또는 알루미나의 형태일 수 있다.
상기 금속층은 예를 들어 알루미늄, 은, 이트륨, 지르코늄, 티타늄 또는 백금의 형태일 수 있다.
상기 비변색층의 형성 방법의 예는 물리기상증착(PVD), 화학기상증착(CVD), 및 스퍼터링을 포함한다. 상기 층은 비변색층을 슬러리를 포함하는 물질의 준비, 상기 슬러리를 기판 상에 도포, 용매의 증발, 및 대기 중에서 상기 기판을 소성함으로써 형성될 수 있다. 스럴리 도포 및 프린트 방법의 예는 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 스프레이, 딥 코팅, 실크 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄, 블록판 인쇄, 활판 인쇄 및 플렉서 인쇄와 같은 종래에 알려진 넓은 범위를 포함한다. 상기 비변색층의 두께는 상기 표시기의 타입에 따라서 적절하게 결정될 수 있다.
본 발명에서, 플라스마 처리의 완성이 확인되는 한 변색층 및 비변색층의 어떠한 조합도 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 변색층 및 상기 비변색층은 변색층의 색 변화가 상기 변색층 및 비변색층 사이의 색 차이의 1차 식별을 가능하게, 또는 상기 색 변화는 변색층 및 비변색층 사이의 색의 차이를 처음으로 제거하는 것으로 형성될 수 있다. 본 발명에서, 변색층 및 비변색층을 상기 색 변화가 상기 변색층 및 비변색층 사이의 색 차이의 1차 식별을 가능하게 형성하는 것이 특히 바람직하다.
상기 색 차이의 식별을 가능하게 하기 위해서, 예를 들어 변색층의 색의 변화로 인해 나타나는 캐릭터, 패턴 및 문양의 적어도 하나가 나타나는 변색층 및 비변색층이 형성될 수 있다. 본 발명에서, 캐릭터, 패턴 및 문양은 색 변화 색의 변화의 신호를 보내는 어떠한 정보도 포함한다. 예를 들어, 이러한 캐릭터는 의도한 사용 또는 다른 목적에 따라서 적절하게 디자인될 수 있다.
상기 변색층 및 비변색층은 색 변화 전에 다른 색을 가질 수 있다. 상기 변색층 및 비변색층 양쪽 모두, 예를 들어 상기 층 사이에 색 변화 후에 처음으로 식별 될 수 있는 상당히 같은 색 및 색 차이(컨트라스트)를 가질 수 있다.
본 발명에서, 상기 층구조의 바람직한 실시 예의 예시는 (i) 변색층이 기초 물질의 적어도 하나의 주면에 근접하게 형성된 표시기; 및 (ii) 비변색층은 기초 물질의 주면에 근접하게 형성되고, 변색층은 비변색층의 주면에 근접하게 형성됨과 함께 상기 비변색층 및 변색층이 형성된 표시기를 포함한다.
본 발명의 표시기의 형상( Shape of the Indicator of the Present Invention)
본 발명의 표시기의 형상은 제한되지 않고, 알려진 플라스마 처리 탐지 표시기에 적용되는 넓은 범위의 형상이 사용될 수 있다. 본 발명의 표시기의 형상이 전자 기기 생산 장비에 사용되는 전자 기기 기판의 형상과 동일하게 만들어질 때, 표시기를 “더미 기판(dummy substrate)”으로서 사용하여 하여 플라스마 처리가 전자 기기 기판 전체에 걸쳐 균질하게 수행되는지 쉽게 감지할 수 있다.
여기서 사용된 구문 “본 발명의 표시기의 형상이 전자 기기 생산 장비에 사용된 전자 기기 기판의 형상과 동일하게 만들어졌다(the shape of the indicator of the present invention is made identical to the shape of the electronic device substrate used in electronic device production equipment)”는 다음의 의미 둘 다를 포함한다: (i) 상기 표시기의 형상은 전자 기기 생산 장비에 사용되는 전자 기기 기판의 형상과 완전히 동일하다; 및 (ii) 상기 표시기의 형상은 전자 기기 생산 장비에 사용되는 전자 기기 기판의 형상과 상기 표시기가 플라스마 처리를 수행하는 전자 기기 생산 장비에서 전자 기기 기판 상의 세팅 포지션에 놓여질 수 있을 정도로 상당히 동일하다.
위에서 (ii)의 구문 “상당히 동일한(substantially the same)”의 의미는 예를 들어 하기의 의미를 포함한다: 전자 기기 기판의 주면(상기 기판의 주면의 형상이 원형일 때, 직경; 상기 기판의 주면의 형상이 정사각형, 사각형, 또는 이의 동류일 때, 길이 및 넓이) 및 본 발명의 표시기의 주면 사이의 길이의 차이가 ±5.0 mm 안; 및 전자 기기 기판 및 본 발명의 표시기 사이의 두께 차이가 약 ±1000 μm 안.
본 발명의 표시기는 전자 기기 생산 장비에의 사용으로 제한되는 것은 아니다. 하지만 전자 기기 생산 장비에 사용될 때, 상기 표시기는 플라스마 처리에 의한 막 형성 단계, 식각 단계, 애싱 단계, 불순물 주입 단계, 및 세척 단계으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 단계를 수행하는 전자 기기 생산 장비에 사용되는 것이 바람직하다.
플라스마(Plasma)
플라스마는 특별히 제한되지 않고, 플라스마 발생용 기체와 함께 발생하는 플라스마를 사용할 수 있다. 플라스마는 산소, 질소, 수소, 염소, 아르곤, 실란, 암모니아, 브롬화 황(sulfur bromide), 삼염화 붕소(boron trichloride), 브롬화 수소(hydrogen bromide), 수증기, 아산화질소(nitrous oxide), 테트라에톡시실란(tetraethoxysilane), 삼불화 질소(nitrogen trifluoride), 사불화 탄소(carbon tetrafluoride), 퍼플루오로 시클로부탄(perfluoro cyclobutane), 이불화메탄(difluoromethane), 삼불화메탄(trifluoromethane), 사염화 탄소(carbon tetrachloride), 사염화 규소(silicon tetrachloride), 육불화 황(sulfur hexafluoride), 육불화에탄(hexafluoroethane), 사염화 티타늄(titanium tetrachloride), 디클로로실란(dichlorosilane), 트리메틸갈륨(trimethylgallium), 트리메틸인듐(trimethylindium) 및 트리메틸알루미늄(trimethylaluminum)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 플라스마 생성 기체로부터 생성되는 플라스마인 것이 바람직하다. 이러한 플라스마 생성 기체는 사불화 탄소(carbon tetrafluoride), 퍼플루오르 시클로부탄(perfluoro cyclobutane), 삼불화 메탄(trifluoromethane), 육불화 황(sulfur hexafluoride), 및 아르곤 및 산소의 혼합 기체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것이 더욱 바람직하다.
플라스마는 플라스마 처리 장치(플라스마 발생용 기체를 포함하는 분위기에서 교류 전력(alternating-current power), 직류 전력(direct-current power), 펄스 전력(pulse power), 고주파 전력(high-frequency power), 마이크로파 전력(microwave power) 또는 이의 동류를 플라스마를 생성하기 위해 인가함으로써 플라스마 처리를 수행하기 위한 장치)와 함께 생성될 수 있다. 특히 전자 기기 생산 장비에서, 플라스마 처리는 막 형성 단계, 식각 단계, 애싱 단계, 불순물 주입 단계, 세척 단계 및 이후에 설명되는 동류에서 사용될 수 있다.
막 형성 단계에서, 예를 들어 막은 반도체 웨이퍼 상에 플라스마 CVD(화학 기상 증착)의 플라스마 및 열 에너지 둘 다 이용함으로써 상대적으로 높은 성장속도에서 400°C 또는 그 이하의 저온에서 성장될 수 있다. 특히, 물질 기체가 감압된 반응 챔버 내부로 도입되고, 상기 기체는 플라스마 여기에 의해 반응을 허락하는 이온화된 라디칼이다. 플라스마 CVD는 축전 결합 플라스마(양극 접합 타입 또는 평행 평판 타입), 유도 결합 플라스마, 및 ECR(전자 맴돌이 공명, electron cyclotron resonance) 플라스마를 포함한다.
다른 막 형성 단계는 스퍼터링에 의한 단계이다. 특정 예는 고주파 방사 스퍼터링 장치에서, 불활성 기체(예, 아르곤)가 약 1 Torr 내지10-4 Torr이고, 수 십 내지 수 천의 전압이 반도체 웨이퍼 및 타겟 사이로 가해지고, 이온화된 아르곤은 타겟을 향해 가속되고 타겟과 충둘을 할 때이다; 이것은 타겟 물질이 스퍼터되게 하고 반도체 웨이퍼 상에 증착되게 한다. 이 단계에서, 고 에너지 γ- 전자는 동시에 타겟으로 부터 생성된다. 아르곤 원자와 충돌 할 때, 상기 γ- 전자는 아르곤 원자(Ar+)를 이온화 하고, 그것에 의하여 플라스마를 유지한다.
다른 막 형성 단계는 이온 플레이팅에 의한 단계이다. 특정 예는 내부가 약 10-5 Torr 내지 10-7 Torr 의 고진공 조건으로 만들어지고, 불활성 기체(예, 아르곤) 또는 반응성 기체(예, 수소 및 탄화수소)가 그 안으로 주사된다. 그 후, 공정 장비의 열이온 음극(전자 건)으로부터, 증착 물질 쪽으로 이온 및 전자가 각자 존재하는 플라스마를 발생시키기 위해 전자 빔이 방사된다. 그 후, 금속은 열이 가해지고 전자 빔에 의해 고온에서 기화되고, 상기 기화된 금속 입자는 양 전압이 가해지고, 상기 전자 및 상기 금속 입자가 플라스마 내에서 충돌하는 것을 허락한다. 이는 상기 금속 입자가 양 이온이 되는 것을 야기하고, 물체 쪽으로 나아가는 것을 진행되게 하고, 동시에 상기 금속 입자는 화학 반응을 증진시키기 위해 반응성 기체에 묶인다. 화하 반응이 증진된 상기 입자는 처리되어야 하는 음 전자가 더해진 상기 물체 쪽으로 가속되고, 상기 물체와 고 에너지와 함께 충돌되고, 그것에 의하여 금속 화합물로서 표면 상에 증착된다. 이온 플레이팅과 유사한 기상증착 방법은 또한 막 형성 단계의 일 예이다.
추가로, 상기 산화 및 질화 단계는 반도체 웨이퍼 표면을 예를 들어 ECR 플라스마 또는 표면 플라스마 파를 사용하는 플라스마 산화를 통해 산화막으로 변환하는 방법 및 상기 반도체 웨이퍼 표면을 암모니아 기체 도입 및 플라스마 여기에 의한 암모니아 기체의 분리, 분해 및 이온화에 의한 질화물 막으로 변환하는 방법을 포함한다.
식각 단계에서, 예를 들어 반응성 이온 식각 장치(reactivity ion etching apparatus, RIE)에서는 원형 평판 전극이 평행하게 놓여지고, 반응성 기체는 감압 반응 챔버(챔버) 내에 도입된다. 그 후, 상기 도입된 반응 기체는 플라스마 여기에 의해서 라디칼화 또는 이온화 되고, 라디칼 또는 이온이 전극 사이로 존재한다. 상기 식각 단계는 이러한 라디칼 또는 이온 및 상기 물질 사이의 화학 반응을 이용하여반도체 웨이퍼 상의 물질을 기화시키는 것을 야기하는 것 및 물리적 스퍼터링 식각 둘 다의 효과를 사용한다. 플라스마 식각 장치로서, 평행 평판형 식각 장치 뿐만 아니라 통형(원통형) 식각 장치가 사용될 수 있다.
다른 식각 단계는 리버스(reverse) 스퍼터링이다. 리버스 스퍼터링은 스퍼터링과 원리에서 비슷하다. 리버스 스퍼터링은 플라스마 내의 이온화된 아르곤이 반도체 웨이퍼와 충돌하는 것이 허락된 식각 방법이다. 또한, 리버스 스퍼터링과 비슷한 이온 빔 에칭은 상기 식각 단계의 예이다.
애싱 단계에서, 예를 들어 포토레지스트는 갑압 하에서 산소 기체의 플라스마 여기에 의해 얻어지는 산소 플라스마를 사용하여 분해되고, 휘발된다.
분순물 첨가 단계에서, 예를 들어 도핑을 위한 불순물 원자를 포함하는 기체는 감압 챔버로 도입되고, 플라스마는 불순물을 이온화하기 위해 여기된다. 네거티브 바이어스 전압이 불순물 이온으로 상기 웨이퍼를 도핑하기 위해 반도체 웨이퍼에 가해진다.
상기 세척 단계는 웨이퍼 상에 각각의 단계를 수행하기 전에 웨이퍼에 충격을 가하지 않으면서 반도체 웨이퍼에 부착된 다른 물질을 제거하기 위한 단계이다. 예시는 산소 기체 플라스마와 함께 화학 반응을 야기하는 플라스마 세척 및 불활성 기체(예, 아르곤)에 의해 물리적으로 이종 물질을 제거하는 플라스마 세척(리버스 스퍼터링)을 포함한다.
실시 예
이하는 본 발명을 실시 예 및 비교 예를 보여줌으로써 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명이 실시 예에 제한되는 것은 아니다.
실시 예 1 내지 5: 펠릿 형태 내에 변색층을 포함하는 표시기의 준비
이하는 본 발명의 무기 분말(산화 금속 분말)로서 실시 예에서 사용을 위해 준비되었다.
- 실시 예 1: MoO3 분말 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 평균 분말 크기: 60 μm, 0.3 g)
- 실시 예 2: WO3 분말 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 평균 분말 크기: 60 μm, 0.3 g)
- 실시 예 3: V2O3 분말 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 평균 분말 크기: 60 μm, 0.3 g)
- 실시 예 4: V2O5 분말 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 평균 분말 크기: 60 μm, 0.3 g)
- 실시 예 5: Bi2O3 분말 (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 평균 분말 크기: 60 μm, 0.3 g)
각자의 금속 산화물 파우더는 압축 기기로 금형에 넣어 펠릿으로 제조되고, 그 후 전자로에서 소결하였고(600°C, 1 시간), 그것에 의하여 펠릿 형태(φ= 7 mm, t = 2 mm) 내에 변색층을 포함하는 표시기를 준비하였다.
실시 예 6: 기초 물질 상에 얇은 변색층의 증착으로 형성된 표시기의 준비
하기의 표 1에 나타난 슬러리 배합이 준비되었고, 쿼츠 기판 상에 도포되고, 소성되었고, 그것에 의하여 상기 기판 상에 500 nm의 Bi2O3 박막이 형성되었다.
Figure 112016113256032-pct00001
특히, 위에 보여진 Bi2O3 를 포함하는 슬러리 배합은 기판인 4인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅(2000 rpm, 20 초)되었고, 그 후 상기 코팅된 막은 120°C, 10분간 대기 중에서 건조되었고, 그 후 상기 코팅 막은 550°C, 10분간 대기 중에서 소성 되었고, 그것에 의하여 Bi2O3 박막이 형성되었다. 이것은 기초 물질 상에 얇은 변색층을 갖는 표시기를 준비하였다.
실험 예 1
도 1은 CCP 타입 (CCP: 축전 결합 플라스마) 플라스마 식각 장치의 약단면도이다.
상기 장치는 진공 용기 내부에 평행 평판(parallel-plate) 전극 및 반응성 기체가 물질의 표면으로 공급되어 샤워 같은 방법으로 처리되는 샤워 구조를 갖는 상부 전극과 함께 제공된다. 하부 전극은 플라스마 여기를 위한 고주파 전력 공급 부품 및 처리되야 하는 물체의 냉각을 위한 순환할 수 있는 냉각 매체를 통한 냉각 부품와 함께 제공된다.
식각이 실제로 수행될 때, 상기 진공 용기는 기체 배출이 되고, 그 후 반응성 기체가 상기 상부 전극의 샤워 부분에서 도입된다. 고주파 전력은 평행평판 전극의 공간에서 플라스마를 생성하는 상기 상부 전극을 통해 공급되고, 상기 생성된 여기된 종은 처리되야 하는 물체의 표면 상에 식각을 수행하는 화학 반응을 야기한다.
실험 예 1에서, 실시 예 1 내지 5에서 준비된 표시기가 이 장치에 놓여지고, 사불화 탄소(CF4) 기체가 반응성 기체로서 그 안으로 도입되었고, 플라스마 처리가 수행되었다. 각각의 표시기의 변색층의 색 변화가 평가되었다.
표 2는 플라스마 처리 조건을 보여준다.
Figure 112016113256032-pct00002
표3은 각각의 표시기의 변색층의 색 변화 평가의 결과를 보여준다.
Figure 112016113256032-pct00003
표 3에 나타난 결과로부터 분명하듯이, 실시 예 1 내지 5의 각각의 표시기의 변색층이 플라스마 처리에 의해 색이 변화되었다. 실시 예 1 내지 5에서 사용된 상기 산화 금속은 금속 원소의 원자가 차이에 의존해서 다른 색을 나타내는 것으로 알려졌고, 그것은 플라스마 처리가 색 변화에 이르게 하는 산화 금속의 원자가를 변화시키는 것으로 추정된다.
실험 예 2
도 2은 ICP 타입 (ICP: 유도 결합 플라스마) 플라스마 식각 장치의 약단면도이다.
상기 장치는 내부를 비울 수 있는 챔버 및 처리되어야 하는 물체인 웨이퍼가 위치하는 스테이지와 함께 제공된다. 상기 챔버는 반응성 기체가 도입되는 기체 주입부 및 상기 챔버를 비우기 위한 배기 배출부와 함께 제공된다. 상기 스테이지는 정전기적으로 웨이퍼를 흡착하기 위한 정전기 흡착 전력원 및 냉각 순환을 위한 냉각 매체를 통한 냉각 장치와 함께 제공된다. 플라스마 여기를 위한 코일 및 고주파 전력원은 상부 전극으로서 위의 상기 챔버에 제공된다.
에칭이 실제로 수행될 때, 웨이퍼는 챔버 내부로 웨이퍼 주입부를 통해 운반되고, 전자기적 흡착 전력원에 의해 전자기적으로 스테이지 상으로 흡착된다. 그 후에, 반응성 기체가 상기 챔버 내로 도입된다. 상기 챔버는 진공 펌프와 함께 감압되고, 비워지고, 미리 정해진 압력으로 조정된다. 그 후에, 고주파 전력은 상기 반응성 기체를 여기 시키기 위해 상기 상부 전극에 가해지고, 그렇게 함으로써 상기 웨이퍼의 상부 공간에 플라스마를 생성한다. 대안적으로, 바이어스가 스테이지로 연결된 고주파 전력원에 의해 가해질 수도 있다. 후자의 경우 일 때, 플라스마 내의 이온은 상기 웨이퍼에 가속된 방법으로 들어간다. 상기 생성된 플라스마 여기된 종의 행동은 상기 웨이퍼의 표면을 식각한다. 상기의 플라스마 처리 중에, 상기 냉각 장치를 통한 헬륨 기체 유동은 스테이지로 제공되고, 따라서 웨이퍼를 냉각한다.
실험 예 2에서, 실시 예 1 내지 5에서 준비된 상기 표시기는 이 장치에 놓여지고, 사불화 탄소 기체(CF4), 육불화 황 기체(SF6), 퍼플루오르 시클로부탄 기체(C4F8), 삼불화메탄 기체 (CHF3), 산소(O2), 아르곤 (Ar), 염소 (Cl2), 또는 수소 (H2)이 개별적으로 플라스마 처리를 수행하기 위해 반응성 기체로서 도입된다. 각각의 표시기의 변색층의 색 변화가 평가되었다.
표 4는 플라스마 처리 조건을 보여준다.
Figure 112016113256032-pct00004
표 5는 각각의 표시기의 변색층의 색 변화 평가의 결과를 보여준다.
Figure 112016113256032-pct00005
상기 표에서, "√"는 색 변화가 일어난 것을 의미하고, "-"는 색 변화가 일어나지 않은 것을 의미한다.
실험 예 3
실시 예 6의한 표시기가 실험 예 1에서 사용된 플라스마 식각 장치 내에 위치되고, 사불화 탄소 기체가 반응성 기체로서 플라스마 처리를 수행하기 위해 그 안으로 도입되었다. 상기 표시기의 변색층의 색 변화가 평가되었다.
표 6은 플라스마 처리 조건을 보여준다.
Figure 112016113256032-pct00006
플라스마 처리 후에, 실험 예 1처럼 색 변화는 엷은 노랑에서 갈색으로 변화되었다. 이것은 Bi2O3는 박막의 형태에서 조차도 색이 변할 수 있다는 것을 확인한 것이다.
실험 예4
실시 예 5에 의해 준비된 표시기 및 선행 문헌 1에 따른 그것의 변색층에 유기 성분을 포함하는 플라스마 처리 감지 표시기가 준비되었고, 그들의 온도가 증가할 때 탈기체 특성이 비교되었다. 상기 선행 문헌 1의 플라스마 처리 탐지 표시기는 기초 물질 상에 형성된 변색층을 갖는다; 상기 변색층은 하기 표 7에 나타난 조합의 잉크 조성물을 도포하여 형성되고, 상기 코팅된 막이 건조되었다.
Figure 112016113256032-pct00007
특히, 실시 예 5의 표시기 및 선행 문헌 1의 표시기는 개별적으로 온도가 상승될 수 있는 스테이지에 설치되었고, 개별적으로 진공 장치에 놓여졌다. 장치의 내부가 1.0 E - 6 Pa의 진공도를 달성하기 위해 비워진 후에, 탈기체 특성이 상기 스테이지의 온도가 30°C/분으로 올려지면서, 상기 진공 장치 내부의 진공도 변화에 기초하여 연구되었다. 도 3은 탈기체 특성의 결과를 나타낸다.
도 3에 나타난 결과로부터 분명하듯이, 선행 문헌 1의 표시기는 150°C to 200°C의 온도 범위에서 진공 정도가 큰 변화를 나타낸 반면에, 실시 예 5의 표시기는 선행 문헌 1의 표시기보다 진공 정도가 적은 변화를 나타냈다. 이것은 본 발명에 따른 무기 물질을 변색 물질로서 포함하는 표시기는 선행 문헌 1을 따르는 표시기의 변색층 내에 유기 성분을 포함하는 표시기보다 기체를 적게 배출하는 것을 알린다.
온도가 증가된 후에, 각 샘플의 색은 관찰되었다. 상기 관찰 결과는 ~을 알린다. 선행 문헌 1의 표시기는 열 때문에 색이 변한 반면에, 실시 예 5의 표시기는 열 때문에 색 변화를 나타내지 않았다.
이것의 그럴듯한 이유는 선행 문헌 1의 표시기는 변색층에 유기 성분을 포함하고 있고, 상기 유기 성분은 200°C 온도 부근에서 분해되고, 기체 방출 및 변색 착색제의 색 변화를 수반하기 때문이다; 그러나 실시 예 5에 의해 준비된 상대적으로 높은 분해 온도를 갖는 무기 성분을 포함하는 표시기는 따라서 우수한 탈기체 특성 및 열 저항을 나타낸다.

Claims (12)

  1. 플라스마 처리에 의해 색이 변하는 변색층을 포함하고,
    상기 변색층은 무기 분말을 포함하며,
    상기 무기 분말은 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 원소의 단체(單體) 및/또는 Mo, W, Sn, V, Ce, Te, 및 Bi 으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 원소를 포함하는 무기 화합물로 형성되며,
    상기 변색층은 상기 무기 분말 이외에 유기 성분을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 무기 화합물 내에 포함된 적어도 하나의 금속 원소의 원자가는 Mo(II) 내지 Mo(VI), W(II) 내지 W(VI), Sn(II), Sn(IV), V(II) 내지 V(V), Ce(III) 내지 Ce(IV), Te(II), Te(IV), Te(VI), Bi(III), 및 Bi (V)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 무기 화합물은 산화물, 수산화물, 탄산염, 산화물 염, 산소산(oxo acid), 산소산 염 및 적어도 하나의 금속 원소의 옥소(oxo) 착물으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 변색층은 산화 몰리브덴(IV), 산화 몰리브덴(VI), 산화 텅스텐(VI), 산화 주석(IV), 산화 바나듐(II), 산화 바나듐(III), 산화 바나듐(IV), 산화 바나듐(V), 산화 세륨(IV), 산화 텔루륨(IV), 산화 비스무트(III), 수산화 세륨(IV), 수산화 비스무트(III), 수산화 바나듐(III), 수산화 몰리브덴(V), 산화 비스무트(III) 탄산염, 산화 바나듐(IV) 황산염, 몰리브덴산 암모늄, 몰리브덴산 나트륨, 몰리브덴산 칼륨, 텅스텐산 나트륨, 텅스텐산 암모늄, 오로토바다듐산 나트륨, 메타바나듐산 암모늄, 및 메타바나듐산 나트륨으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 변색층은 산화 몰리브덴(VI), 산화 텅스텐(VI), 산화 바나듐(III), 산화 바나듐(V), 및 산화 비스무트(III)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 변색층을 지지하는 기재를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    표시기는 전자 기기 생산 장비에서 사용을 위한 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 표시기의 형상은 전자 기기 생산 장비에서 사용을 위한 전자 기기 기판의 형상과 동일한 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 전자 기기 생산 장비는 막 형성 단계, 식각 단계, 애싱(ashing) 단계, 불순물 첨가 단계, 및 세척 단계로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 플라스마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    플라스마 처리에 의해서 색이 변하지 않는 비변색층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 비변색층은 산화 티타늄(IV), 산화 지르코늄(IV), 산화 이트륨(III) , 황산 바륨, 산화 마그네슘, 이산화 규소, 알루미나, 알루미늄, 은, 이트륨, 지르코늄, 티타늄, 및 백금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 비변색층 및 상기 변색층은 기재 상에 순차적으로 형성되어 있되, 상기 비변색층은 기재의 주면 상에 형성되고, 변색층은 비변색층의 주면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 감지 표시기.


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