KR101476544B1 - 개선된 비아 랜딩 프로파일을 위한 신규한 패터닝 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명개시는 스페이서 엘리먼트가 제1 상호연결층의 제1 유전체층 내에 임베딩되어 있는 금속 바디에 인접하여 형성되어 있는 반도체 구조물 및 이러한 반도체 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 금속 바디의 엣지에 대해 오정렬되어 있는 비아는 제1 상호연결층 위에 배치된 제2 상호연결층 내의 제2 유전체 물질 내에서 형성되고 금속 바디에 전기적으로 결합된 도전성 물질로 채워진다. 본 방법은 제1 상호연결층의 유전체 물질에서의 비아 서브구조 결함들에 의해 제공되는 다양한 문제점들에 직면하지 않으면서 통상적인 갭 충전 금속화 쟁점들을 제거시키는 상호연결 구조물의 형성을 가능하게 해준다.
Description
본 발명은 개선된 비아 랜딩 프로파일을 위한 신규한 패터닝 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스들에서는 유전체 물질속을 에칭하여 유전체 물질에 의해 덮혀 있는 도전성 또는 반도체 피처에 대한 전기적 접촉을 이루어내는 것이 알려져 있다. 전기적 접촉은 예컨대 비아를 통해, 또는 다마신 방법에 의해 형성된 컨덕터의 형성에 의해 행해질 수 있다.
도 1에서는, 예컨대 금속화 구조물 상에 비아를 갖는 반도체 기판이 도시된다. 도 1에서, 제1 에칭 저지층(104)을 갖는 기판(102)이 제공된다. 에칭 저지층(104) 위에는 금속 바디(118), 예컨대, 제1 유전체층(106) 내에 임베딩된 구리 금속 바디를 포함한 제1 상호연결층(101)이 위치한다. 배리어 층(116)은 금속 바디(118)의 바닥면과 측벽들을 에워싼다. 제1 상호연결층(101)은 제2 에칭 저지층(104')에 의해 제2 상호연결층(101')으로부터 분리된다. 제2 상호연결층(101')은 도전성 물질(134)로 채워지는 비아 개구부(140)를 갖는 제2 유전체 물질(106')을 포함한다. 제2 배리어층(132)은 제2 유전체 물질(106')로부터 도전성 물질(134)을 분리시킨다.
반도체 집적 회로 디바이스들의 임계 치수가 축소됨에 따라, 비아 개구부(140)와 구리 금속 바디(118)간의 오정렬은 보다 현저해진다. 오정렬이 발생할 때, 랜딩 금속 바디(118)를 캡슐화하고 있는 유전체층(106)은 에칭되는데, 그 결과 금속 바디(118) 옆에 비아 서브구조 결함(150)을 야기시킨다. 이러한 결함들은 총체적인 배선 신뢰성의 저하뿐만이 아니라 비아의 배선 연결 강도의 저하를 초래시킨다.
상호연결 구조물들을 위한 현재 방법들과 관련된 문제점들을 살펴보면, 유전체 물질 내에 손상된 영역들을 도입시키는 것 없이, 비아와 배선간 연결의 강도와 신뢰성을 개선시키는 새롭고 개선된 집적 기법을 개발하기 위한 끊임없는 요구가 존재한다.
따라서, 본 발명개시는 반도체 구조물 및 반도체 구조물의 제조 방법에 관한 것이다. 본 방법은 통상적인 갭 충전(gap-fill) 금속화 쟁점들을 제거시키는 상호연결 구조물들을 정의할 뿐만이 아니라, 비아가 자신이 전기적으로 결합되어 있는 금속 바디와 완벽하게 정렬되지 않을 때 보다 나은 비아 랜딩 프로파일을 제공하기 위한 공정을 제공한다.
그러므로, 본 발명개시는 금속 바디가 내부에 구비되어 있는 제1 유전체층을 포함한 제1 상호연결층을 포함하는 반도체 구조물에 관한 것이다. 금속 바디는 제1 엣지와 제2 엣지를 갖는 대향 측벽들 및 바닥면에 의해 정의된다. 반도체 구조물은 금속 바디에 인접해 있는 스페이서 엘리먼트를 더 포함하며, 스페이서 엘리먼트는 금속 바디의 측벽과 접해 있는 측벽을 갖는다. 반도체 구조물은 적어도 하나의 개구부가 내부에 구비되어 있는 제2 유전체 물질을 포함하고 제1 상호연결층 위에 놓여있는 제2 상호연결층을 더 포함한다. 개구부는 제1 상호연결층의 금속 바디에 전기적으로 결합된 도전성 물질로 채워진다.
본 발명개시는 또한 금속 바디가 내부에 임베딩되어 있는 제1 유전체층을 형성함으로써 제1 상호연결층을 제공하는 단계를 포함하는 반도체 구조물을 형성하는 방법에 관한 것이며, 금속 바디는 제1 엣지와 제2 엣지를 갖는 대향 측벽들과 바닥면을 포함한다. 본 방법은 제1 유전체층 내에 제2 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하며, 제2 개구부는 금속 바디에 인접해 있고 금속 바디와 접해 있는 측벽을 갖는다. 본 방법은 제2 개구부 내에 스페이서 엘리먼트를 형성하는 단계를 더 포함한다. 본 방법은 제2 유전체층을 형성하고 제2 유전체층 내에 적어도 하나의 듀얼 다마신 트렌치 및 비아 구조물을 형성하고, 이러한 구조물을 도전성 물질로 채움으로써 제2 상호연결층을 제공하는 단계를 더 포함하고, 비아 구조물은 제1 상호연결층 내의 금속 바디와 연결되며, 도전성 물질은 제1 상호연결층의 금속 바디와 전기적으로 결합된다.
본 발명개시는 또한 반도체 바디 위에 있는 제1 유전체층과 제1 유전체층 내에 위치하는 금속 바디를 포함하는 반도체 구조물에 관한 것이며, 금속 바디는 제1 엣지를 정의하는 제1 측벽과, 제2 엣지를 정의하는 반대쪽의 제2 측벽을 갖는다. 반도체 구조물은 금속 바디의 제1 엣지에 접하게 형성되어 제1 엣지와 계면을 형성하는 스페이서 엘리먼트와, 제1제1 유전체층 위에 있고, 상기 계면 위에 걸쳐 있는 바닥면을 갖는 도전성 다마신 구조물을 갖는 제2 유전체층을 더 포함하며, 도전성 다마신 구조물은 금속 바디와 도전성 접촉을 이룬다.
제1 상호연결층(201)의 유전체 물질(206) 내에서 상당히 감소된 비아 구조 결함(250)을 가지면서, 통상적인 갭 충전 금속화 쟁점들을 제거시키는 반도체 구조물이 제공된다.
도 1은 통상적인 공정에 따라 형성된 반도체 구조물을 도시하는 부분적 단면도이다.
도 2a 내지 도 2j는 본 발명개시에 따라 반도체 디바이스를 형성하는 하나의 실시예의 단계들을 도시하는 부분적 단면도들이다.
도 3은 본 발명개시에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법의 몇가지 실시예들의 흐름도를 도시한다.
도 2a 내지 도 2j는 본 발명개시에 따라 반도체 디바이스를 형성하는 하나의 실시예의 단계들을 도시하는 부분적 단면도들이다.
도 3은 본 발명개시에 따른 반도체 디바이스의 제조 방법의 몇가지 실시예들의 흐름도를 도시한다.
본 설명은 도면을 참조하여 이루어지며, 도면에서 동일한 참조 부호는 일반적으로 도면 전체에 걸쳐 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 사용되며, 다양한 구조물들은 반드시 실척도로 작도될 필요는 없다. 이하의 설명에서, 설명을 목적으로, 본 발명의 이해를 원활하게 하기 위해 다수의 특정 세부사항들이 설명된다. 하지만, 여기서 설명된 하나 이상의 양태들은 이러한 특정한 상세사항들의 보다 덜한 수준으로 실시될 수 있다는 것은 본 발명분야의 당업자에게 자명할 수 있다. 다른 예시들에서, 공지된 구조물들 및 디바이스들은 본 발명의 이해를 원활하게 하기 위해 블록도 형태로 도시된다.
트랜지스터 및 상호연결 엘리먼트들을 생성하기 위해 반도체 디바이스들은 복수의 상이한 처리 단계들을 이용하여 반도체 웨이퍼들 상에서 제조되거나 제작된다. 반도체 웨이퍼와 연관된 트랜지스터 단자들을 전기적으로 연결하기 위해, 도전성(예컨대, 금속) 트렌치들, 비아들 등이 반도체 디바이스의 일부로서 유전체 물질들에서 형성된다. 트렌치들과 비아들은 반도체 디바이스들의 내부 회로들, 트랜지스터들, 및 반도체 디바이스 외부의 회로들 사이에 전기적 신호들 및 전력을 커플링시킨다.
상호연결 엘리먼트들을 형성할 때에, 반도체 웨이퍼는 반도체 디바이스들의 희망하는 전자 회로를 형성하기 위해 예컨대 마스킹, 에칭, 및 증착 공정들 처리를 겪을 수 있다. 특히, 상호연결부들을 위한 트렌치들과 비아들로서 역할을 하는, 반도체 웨이퍼 상의 로우 k 유전체층과 같은 유전체층 내의 리세싱된 영역들의 패턴을 형성하기 위해 다수의 마스킹 및 에칭 단계들이 수행될 수 있다. 그 후 반도체 웨이퍼 위에 금속층을 퇴적시키기 위해 퇴적(deposition) 공정이 수행될 수 있고 이로써 트렌치들 및 비아들 둘 다 내에 그리고 반도체 웨이퍼의 리세싱되지 않은 영역들 상에 금속을 퇴적시킨다. 패턴화된 트렌치들 및 비아들과 같은, 상호연결부들을 격리시키기 위해, 반도체 웨이퍼의 리세싱되지 않은 영역들 상에 퇴적된 금속은 제거된다.
집적 회로들의 피처 크기들의 계속되는 감소는 후속하는 금속화 레벨들이 서로에 대해 훨씬 더 정확하게 정렬되어야 한다라는 일반적인 문제를 불러일으킨다. 하지만, 하나의 레벨이 다른 레벨 상으로 리소그래피방식으로 매핑될 때 일정한 본질적인 오정렬은 불가피하다. 그러므로, 하나의 비아 레벨의 콘택트들이 그 아래에 있는 금속화 레벨의 각각의 상호연결부들 상에 신뢰적으로 랜딩(land)할 수 있도록 보장하는 일정한 허용치들을 설계는 병합시켜야 한다.
도 2a 내지 도 2j는 본 발명개시에 따른 제조 공정 내 스테이지들에서의 반도체 구조물을 형성하는 방법의 하나의 실시예를 나타내는 복수의 부분적 단면도들을 도시한다. 도 2a를 참조하면, 개구부(214)가 형성되어 있는 반도체 기판(202) 상에 제1 상호연결층(201)이 제공된다. 기판(202)은 실리콘 또는 게르마늄, 또는 실리콘 온 절연체 구조물(silicon on insulator structure; SOI)과 같은 반도체 물질로 구성된, 반도체 웨이퍼 또는 기판을 포함한다는 것으로 이해될 것이다. 반도체 구조물은 (금속 또는 실리콘과 같은) 하나 이상의 도전층들 및/또는 절연층들, 기판(예컨대, 액정 디스플레이(liquid crystal display; LCD), 플라즈마 디스플레이, 전기 발광(electro-luminescence; EL) 램프 디스플레이, 또는 발광 다이오드(light emitting diode; LED) 기판과 같은 디스플레이 기판) 내 또는 이러한 기판 위에 형성된 하나 이상의 능동 또는 수동 디바이스들 등을 더 포함할 수 있다.
제1 상호연결층(201)은 제1 에칭 저지층(204)을 포함한다. 에칭 저지층(204)은, 일 실시예에서, 유전체 에칭 저지 물질들, 예컨대 SiO2, SiN, SiC, SiCN을 포함한다. 또다른 실시예에서, 에칭 저지 물질은 AlN을 포함할 수 있다. 에칭 저지층은 비제한적인 예시로서 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 방법, 플라즈마 강화 화학적 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 방법 및 물리적 기상 증착(physical vapor deposition; PVD) 스퍼터링 방법을 포함한 방법들을 활용하여 퇴적될 수 있다. 하나의 실시예에서, 에칭 저지층(204) 두께는 약 10 옹스트롬에서부터 약 500 옹스트롬까지의 범위에 있을 것이다.
제1 상호연결층(201)은 제1 에칭 저지층(204) 위에 위치하는 제1 유전체층(206)을 더 포함한다. 하나의 실시예에서, 제1 유전체층(206)은 3.0 미만의 유전상수를 갖는 로우 k 유전체 물질을 포함한다. 로우 k 유전체는 약 3 보다 작은 k를 갖는 유전체들을 포함한다. 이러한 유전체들은, 예컨대 탄소 도핑 실리콘 이산화물(이것은 또한 OSG(organosilicate glass)라고도 부른다) 및 탄소 산화물을 포함한다. 로우 k 물질들은 또한 다른 것들 중에서도, BPSG(borophosphosilicate glass), BSG(borosilicate glass), 및 PSG(phosphosilicate glass)를 포함할 수 있다. 제1 유전체층(206)은 예컨대, TEOS(tetraethyl orthosilicate), 화학적 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 CVD(PECVD), 저압 CVD(LPCVD), 또는 스핀 온 코팅 기술들을 이용하여 형성될 수 있다. 제1 유전체층은 SiCOH 또는 SiO2와 같은 물질을 포함할 수 있다. 제1 유전체층(206)은 약 600 옹스트롬에서부터 약 3000 옹스트롬까지의 두께를 가질 것이다.
캡핑(capping) 층(208)이 제1 유전체층(206) 위에서 형성된다. 캡핑층(208)은 실리콘 산화카바이드, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물 등과 같은, 탄소, 실리콘, 질소, 및 산소의 조합들을 포함한다. 형성 방법은 화학적 기상 증착(CVD), 물리적 기상 증착(PVD), (스핀 온 글래스용) 스핀 온, 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 등과 같은 통상적으로 이용되는 방법들을 포함한다. 캡핑층의 두께는 약 50 옹스트롬 내지 약 500 옹스트롬 사이에 있다.
하드 마스크층(210)은 캡핑층(208) 위에 위치한다. 하드 마스크층(208)은 후속 포토리소그래피 공정에서 제1 유전체층(206) 내에 개구부(214)를 형성하기 위해 이용된다. 몇몇의 실시예들에서, 하드 마스크층(210)은 티타늄 질화물과 같은 물질을 포함한다. 하나의 실시예에서 하드 마스크층(210)은 약 100 옹스트롬에서부터 약 500 옹스트롬까지의 두께를 가질 것이다.
도 2b에서, 제1 유전체층(206) 내의 개구부(214)를 채워서 제1 유전체층(206) 내에 임베딩되는 금속 바디(218)를 형성하도록 금속이 퇴적된다(미도시됨). 금속 바디(218)는 제1 및 제2 엣지들(223(a), 223(b))을 갖는 대향 측벽들(222(a), 222(b))과 바닥면(221)에 의해 정의된다. 하나의 실시예에서, 금속 바디(218)는 Al, W, Cu, Cu 합금들 등과 같은 원소들로 형성될 수 있다. 금속 바디(218)는 예컨대 다른 것들 중에서도, 플라즈마 기상 증착 기술을 이용하여 형성될 수 있다. 하나의 실시예에서, 금속 바디(218)는 약 300 옹스트롬에서부터 약 1500 옹스트롬까지의 높이를 가질 수 있다.
개구부(214)를 금속 바디(218)로 채우기 전에, 제1 배리어층(216)이 퇴적되어 개구부(214)를 라이닝(line)하고 금속 바디(218)의 대향 측벽들(222(a), 222(b))과 바닥면(221)을 에워싼다. 하나의 실시예에서, 제1 배리어층(216)은 Ta, TaN, Co, W, TiSiN, TaSiN, 또는 이들의 조합과 같은 물질을 포함할 수 있다. 제1 배리어층(216)은 약 15 Å 내지 약 1500 Å의 두께로 형성될 수 있다. 그런 후 화학적 기계적 폴리싱(chemical mechanical polishing; CMP) 공정(미도시됨)이 수행되어, 도 2b에서 도시된 바와 같이, 과잉의 금속을 제거하여 금속 바디(218)의 윗면(219)을 노출시킨다.
CMP 공정에 이어서, 도 2c에서 도시된 바와 같이, 제2 하드 마스크층(208')이 금속 바디(218)와 제1 유전체층(206) 위에 퇴적된다. 도 2d에서 도시된 바와 같이, 하드 마스크층(208') 내에 개구부(224)를 제공하도록 하드 마스크층(208')은 포토리소그래피방식으로 패턴화된다. 개구부(224)는 금속 바디(218)의 제1 엣지(223(a)) 위에 배치되도록 위치한다. 그런 후 에칭 공정(미도시됨)이 수행되어 제1 유전체층(206)과 금속 바디(218)의 측벽(222(a))을 에칭함으로써, 도 2e에서 도시된 바와 같이, 제1 유전체층(206)과 금속 바디(218) 내에 제2 개구부(226)를 형성한다. 제2 개구부(226)는 금속 바디(218)에 인접해 있고, 제2 개구부(226)는 금속 바디(218)와 접해 있는 측벽(219)을 포함한다.
그런 후 스페이서 물질(230)의 퇴적에 의해, 제2 개구부(226)를 채우고 하드 마스크층(208') 위에 위치한 스페이서 엘리먼트(228)가 도 2f에서 형성된다. 하나의 실시예에서, 스페이서 물질은 유전체 물질들, 예컨대 SiO2, SiN, SiC, SiCN을 포함할 수 있다. 또다른 실시예에서, 스페이서 물질(230)은 AlN을 포함할 수 있다. 하나의 실시예에서, 스페이서 엘리먼트(228)는 에칭 저지층(204)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 또다른 실시예에서, 스페이서 엘리먼트(228)와 에칭 저지층(204)은 상이한 물질들로 형성될 수 있다. 하나의 실시예에서, 스페이서 엘리먼트(228)는 원자층 증착과 같은 방법에 의해 퇴적될 수 있다. 하나의 실시예에서, 스페이서 엘리먼트(228)는 1500 Å 이상의 높이를 가질 수 있다. 하나의 실시예에서, 스페이서 엘리먼트의 높이는 금속 바디(218)의 높이 이상일 것이다. 스페이서 엘리먼트(228)의 형성에 후속하여, 도 2g에서 도시된 바와 같이, 스페이서 엘리먼트(228), 금속 바디(218) 및 제1 배리어층(216)이 각각 실질적으로 동일 평면인 윗면을 갖도록, 하드 마스크층(208') 및 하드 마스크층(208') 위에 있는 스페이서 물질은 CMP 공정(미도시됨)에 의해서 제거된다.
제1 상호연결층(201)의 형성 이후, 도 2h에서 도시된 바와 같이, 제2 에칭 저지층(204')이 제1 상호연결층(201) 위에 퇴적된다. 제2 에칭 저지층(204')은 제1 에칭 저지층(204)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 그런 후 제2 에칭 저지층(204') 위에 제2 유전체 물질(206')을 퇴적시킴으로써 제2 상호연결층(201')이 제1 상호연결 구조물(201) 위에서 형성될 수 있다. 제2 유전체 물질(206')은 제1 유전체 물질(206)과 동일하거나 상이한 물질들을 포함할 수 있다. 제1 유전체 물질(206)을 위한 공정 기술들 및 두께 범위들은 제2 유전체 물질(206')에 대해 적용가능하다.
유전체 캡핑층(230)은, 도 2h에서 도시된 바와 같이, 제2 상호연결층(201') 위에 형성된다. 유전체 캡핑층(230)은 예컨대 화학적 기상 증착(CVD), PECVD 등과 같은 통상적인 공정을 활용하여 형성될 수 있다. 캡핑층(230)은 SiC, SiO2, SiN 또는 SiCN과 같은 임의의 적절한 유전체 캡핑 물질을 포함할 수 있다. 캡핑층(230)은 약 50 옹스트롬 내지 약 500 옹스트롬의 두께로 형성될 수 있다.
이전에 설명한 바와 같이, 통상적인 포토리소그래피 기술들을 활용하여 제2 유전체층(206') 내에 듀얼 다마신 트렌치 및 비아 구조물(232)과 같은 적어도 하나의 개구부가 형성된다. 하나의 실시예에서, 에칭은 반응성 이온 에칭, 이온 빔 에칭, 플라즈마 에칭 등과 같은 드라이 에칭을 포함할 수 있다. 도 2i에서 도시된 바와 같이, 에칭 공정은 제2 유전체층(206') 내에 적어도 하나의 듀얼 다마신 트렌치 및 비아 구조물(232)을 제공한다. 적어도 하나의 듀얼 다마신 트렌치 및 비아 구조물(232)은, 금속 바디(218)의 엣지(223(a))에 대해 오정렬되고 스페이서 엘리먼트(228)와 금속 바디(218)의 윗면 내로 연장하여 비아 서브구조 결함(250)을 형성하는 비아를 포함할 수 있다. 오정렬된 비아의 일부분은 금속 바디(218) 상에 랜딩되는 반면에, 오정렬된 비아의 다른 부분들은 인접한 스페이서 엘리먼트(228)에서 형성된다. 그 후, 도시된 바와 같이, 도 1과 비교하여, 도 2i의 반도체 구조물은 제1 상호연결층(201)의 유전체 물질(206) 내에서 상당히 감소된 비아 구조 결함(250)을 가지면서, 통상적인 갭 충전 금속화 쟁점들을 제거시킨다.
도 2j에서 도시된 바와 같이, 제2 배리어층은 제2 유전체 물질(206')과 도전성 물질(240) 사이에 배치된다. 제2 배리어층은 제1 배리어층(216)과 동일한 물질을 포함하거나 또는 제1 배리어층(216)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 그런 후 도전성 물질(240)이 듀얼 다마신 트렌치 및 비아 구조물(232)을 채우도록 퇴적되어 도전성 물질(240)은 제1 상호연결층(201)의 금속 바디(218)에 전기적으로 결합된다. 그런 후 CMP 공정이 수행되어 도전성 물질(240)을 평탄화시킬 수 있다.
도 3은 본 발명개시의 실시예에 따른 반도체 구조물의 형성을 위한 방법(300)의 몇가지 실시예들의 흐름도를 도시한다. 아래에서 방법(300)은 일련의 동작들 또는 이벤트들로서 도시되고 설명되지만, 이러한 동작들 또는 이벤트들의 나타난 순서는 제한적인 의미로서 해석되어서는 안된다는 것을 알 것이다. 예를 들어, 몇몇의 동작들은 여기서 도시되고 및/또는 설명된 것 이외에도 이와 다른 순서로 발생할 수 있고 및/또는 다른 동작들 또는 이벤트들과 동시적으로 발생할 수 있다. 또한, 여기서의 설명의 하나 이상의 양태들 또는 실시예들을 구현하기 위해 도시된 동작들 모두가 필요한 것은 아닐 수 있다. 더 나아가, 여기서 도시된 동작들 중 하나 이상은 하나 이상의 별개의 동작들 및/또는 단계들로 수행될 수 있다.
단계(302)에서, 제1 상호연결층이 제공된다. 제1 상호연결층은 금속 바디, 예컨대 구리 금속 바디가 내부에 임베딩되어 있는 유전체 물질을 포함한다. 그런 후 단계(304)에서 개구부가 제1 유전체층 내에서 형성된다.
단계(306)에서, 스페이서 엘리먼트가 개구부 내에서 형성된다. 스페이서 엘리먼트는 금속 바디의 측벽과 접해 있는 측벽을 갖는다.
단계(308)에서, 제2 상호연결층이 제1 상호연결층 위에 제공된다. 제2 상호연결층은 제2 유전체 물질을 포함한다.
단계(310)에서, 개구부가 에칭에 의해 제2 유전체층 내에 형성된다.
단계(312)에서, 개구부는 도전성 물질로 채워지고 도전성 물질은 제1 상호연결층의 금속 바디에 전기적으로 결합된다. 그 후, 방법은 종료된다.
본 명세서 및 첨부된 도면들의 판독 및/또는 이해에 기초하여 등가적인 변경들 및/또는 수정들이 본 발명분야의 당업자에게 떠오를 수 있다는 것이 이해될 것이다. 여기서의 발명개시는 이러한 모든 변경들과 수정들을 포함하며, 일반적으로 이들에 의해 제한되는 것은 아니다. 또한, 여러가지 구현예들 중 하나만의 구현예에 대한 특정한 특징 또는 양태가 개시되어왔을 수 있으나, 이러한 특징 또는 양태는 희망하는 바에 따라 다른 구현예들의 하나 이상의 다른 특징들 및/또는 양태들과 결합될 수 있다. 더 나아가, 용어들 "구비한다", "가짐", "갖는다", "함께", 및/또는 이들의 변형물들이 여기서 이용되는 범위에서, 이러한 용어들은 "포함한다"와 같이 포괄적인 의미인 것으로 받아들어야 한다. 또한, "예시적인"은 최상의 것 보다는 단지 일례를 의미하는 것에 불과하다. 여기서 도시된 피처들, 층들, 및/또는 엘리먼트들은 단순함과 이해의 편리성을 목적으로 서로에 대한 특정한 치수 및/또는 배향을 갖고 도시되었다는 것과, 실제의 치수 및/또는 배향은 여기서 도시된 것과는 실질적으로 다를 수 있다는 것을 또한 이해해야 한다.
Claims (10)
- 반도체 구조물에 있어서,
반도체 기판;
금속 바디 - 상기 금속 바디는 제1 엣지와 제2 엣지를 각각 정의하는 제1 측벽과 제2 측벽, 및 바닥면을 포함함 - 가 임베딩되어 있는 제1 유전체 물질과 상기 금속 바디에 인접한 스페이서 엘리먼트 - 상기 스페이서 엘리먼트는 상기 금속 바디의 상기 제1 측벽에 접해 있는 측벽을 가짐 - 를 포함하고, 상기 반도체 기판 위에 있는 제1 상호연결층; 및
적어도 하나의 비아 - 상기 비아는 상기 제1 상호연결층의 금속 바디에 전기적으로 결합된 도전성 물질로 채워짐 - 가 내부에 구비되어 있는 제2 유전체 물질을 포함하고, 상기 제1 상호연결층 위에 있는 제2 상호연결층을 포함하는 반도체 구조물. - 제1항에 있어서, 상기 제2 유전체 물질 내의 적어도 하나의 비아는 상기 금속 바디의 제1 엣지 위에 있고 상기 스페이서 엘리먼트의 윗면 안으로 연장하는 비아를 포함하는 것인, 반도체 구조물.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서 엘리먼트의 높이는 상기 금속 바디의 높이 이상인 것인, 반도체 구조물.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 상호연결층은, 상기 제1 유전체 물질과 상기 금속 바디 사이에 배치되어 있고 상기 금속 바디의 상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽 및 상기 바닥면을 에워싸는 제1 배리어층을 더 포함하며,
상기 제2 상호연결층은 상기 제2 유전체 물질과 상기 도전성 물질 사이에 배치된 제2 배리어층을 더 포함하는 것인, 반도체 구조물. - 제1항에 있어서, 상기 스페이서 엘리먼트는 SiC, SiN, SiCN, SiO2, 또는 AlN을 포함하는 것인, 반도체 구조물.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 유전체 물질 또는 상기 제2 유전체 물질은 3.0 미만의 k값을 갖는 로우 k 유전체 물질을 포함하는 것인, 반도체 구조물.
- 제4항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 제1 유전체 물질 사이에 배치되어 있는 제1 에칭 저지층(etch stop layer; ESL)과 상기 제1 상호연결층과 상기 제2 상호연결층 사이에 배치되어 있는 제2 ESL을 더 포함하는, 반도체 구조물.
- 반도체 구조물을 형성하는 방법에 있어서,
반도체 기판을 제공하는 단계;
제1 유전체층을 형성하고 상기 제1 유전체층 내에 제1 개구부를 형성함으로써 상기 반도체 기판 위에 제1 상호연결층을 제공하는 단계로서, 상기 제1 개구부 내에는 금속 바디가 임베딩되어 있고, 상기 금속 바디는 바닥면, 제1 측벽 및 이에 대향하는 제2 측벽을 포함하고, 상기 제1 측벽과 상기 제2 측벽은 제1 엣지와 제2 엣지를 각각 정의하는 것인, 상기 제1 상호연결층 제공 단계;
상기 제1 유전체층 내에 제2 개구부를 형성하는 단계로서, 상기 제2 개구부는 상기 금속 바디에 인접해 있고, 상기 금속 바디의 제1 측벽에 접해 있는 측벽을 갖는 것인, 상기 제2 개구부 형성 단계;
상기 제2 개구부를 채우는 스페이서 엘리먼트를 형성하는 단계; 및
제2 유전체층을 형성하고 상기 제2 유전체층 내에 적어도 하나의 비아를 형성하며, 상기 비아를 도전성 물질로 채움으로써 제2 상호연결층을 제공하는 단계로서, 상기 비아는 상기 금속 바디로 연장하고, 상기 도전성 물질은 상기 제1 상호연결층의 금속 바디와 전기적으로 결합되는 것인, 상기 제2 상호연결층 제공 단계를 포함하는 반도체 구조물 형성 방법. - 제8항에 있어서, 상기 반도체 기판과 상기 제1 유전체층 사이에 제1 에칭 저지층(etch stop layer; ESL)을 형성하는 단계와 상기 제1 상호연결층과 상기 제2 상호연결층 사이에 제2 ESL을 형성하는 단계를 더 포함하는, 반도체 구조물 형성 방법.
- 반도체 구조물에 있어서,
반도체 바디 위에 있는 제1 유전체층;
상기 제1 유전체층 내에 위치하며, 제1 엣지를 정의하는 제1 측벽과 제2 엣지를 정의하고 상기 제1 측벽에 대향하는 제2 측벽을 갖는 금속 바디;
상기 금속 바디의 제1 엣지에 접하게 형성되며, 상기 제1 엣지와 계면을 형성하는 스페이서 엘리먼트; 및
상기 계면 위에 걸쳐 있는 바닥면을 갖는 도전성 다마신 구조물을 가지며 상기 제1 유전체층 위에 있는 제2 유전체층으로서, 상기 도전성 다마신 구조물은 상기 금속 바디와 도전성 접촉을 이루는 것인, 상기 제2 유전체층을 포함하는 반도체 구조물.
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US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
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US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
EP3238246A4 (en) * | 2014-12-24 | 2018-08-22 | Intel Corporation | Structure and method to self align via to top and bottom of tight pitch metal interconnect layers |
US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US9685368B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-06-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Interconnect structure having an etch stop layer over conductive lines |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
KR102616823B1 (ko) | 2015-12-16 | 2023-12-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US9711391B1 (en) | 2016-01-20 | 2017-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2017138299A1 (ja) * | 2016-02-08 | 2017-08-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールとその製造方法 |
US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
KR102592471B1 (ko) * | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
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US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
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US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
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US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
WO2018125109A1 (en) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Intel Corporation | Subtractive plug etching |
WO2018125111A1 (en) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Intel Corporation | Self-aligned via |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
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KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10727123B2 (en) * | 2018-06-18 | 2020-07-28 | International Business Machines Corporation | Interconnect structure with fully self-aligned via pattern formation |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
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TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
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JP2020155490A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
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KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
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JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
TWI801614B (zh) * | 2019-06-21 | 2023-05-11 | 聯華電子股份有限公司 | 半導體元件及其製作方法 |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
US11824002B2 (en) * | 2019-06-28 | 2023-11-21 | Intel Corporation | Variable pitch and stack height for high performance interconnects |
CN112151497B (zh) | 2019-06-28 | 2023-08-22 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体结构以及形成半导体结构的方法 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11600519B2 (en) * | 2019-09-16 | 2023-03-07 | International Business Machines Corporation | Skip-via proximity interconnect |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US11121087B2 (en) * | 2019-12-24 | 2021-09-14 | Globalfoundries U.S. Inc. | Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an IC product and a corresponding IC product |
US11158574B2 (en) | 2019-12-24 | 2021-10-26 | Globalfoundries U.S. Inc. | Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an IC product and a corresponding IC product |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
US11211291B2 (en) * | 2020-04-03 | 2021-12-28 | International Business Machines Corporation | Via formation with robust hardmask removal |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
CN113764332B (zh) * | 2020-06-07 | 2024-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11456209B2 (en) * | 2020-07-31 | 2022-09-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Spacers for semiconductor devices including a backside power rails |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
US11776901B2 (en) * | 2021-03-10 | 2023-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Via landing on first and second barrier layers to reduce cleaning time of conductive structure |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
KR20240087395A (ko) * | 2022-12-12 | 2024-06-19 | 삼성전자주식회사 | 배선 구조물 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0165454B1 (ko) * | 1995-10-25 | 1999-02-01 | 김광호 | 트렌치 소자분리방법 |
KR20030002529A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 다층 배선 형성 방법 |
KR101005737B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2011-01-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5756396A (en) * | 1996-05-06 | 1998-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd | Method of making a multi-layer wiring structure having conductive sidewall etch stoppers and a stacked plug interconnect |
US5899738A (en) | 1997-05-23 | 1999-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for making metal plugs in stacked vias for multilevel interconnections and contact openings while retaining the alignment marks without requiring extra masking steps |
US5942801A (en) * | 1997-12-18 | 1999-08-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Borderless vias with HSQ gap filled metal patterns having high etching resistance |
MY144573A (en) * | 1998-09-14 | 2011-10-14 | Ibiden Co Ltd | Printed circuit board and method for its production |
US6187672B1 (en) * | 1998-09-22 | 2001-02-13 | Conexant Systems, Inc. | Interconnect with low dielectric constant insulators for semiconductor integrated circuit manufacturing |
JP2000174123A (ja) * | 1998-12-09 | 2000-06-23 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US6159839A (en) | 1999-02-11 | 2000-12-12 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for fabricating borderless and self-aligned polysilicon and metal contact landing plugs for multilevel interconnections |
US6136695A (en) | 1999-08-04 | 2000-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for fabricating a self-aligned contact |
US20030038371A1 (en) * | 2001-08-22 | 2003-02-27 | Chen-Chiu Hsue | Method of forming a metallic interconnect structure with a metallic spacer |
US6766602B2 (en) * | 2002-08-08 | 2004-07-27 | Caterpillar Inc. | Corner tooth adapter arrangement for an excavating implement |
US6960529B1 (en) * | 2003-02-24 | 2005-11-01 | Ami Semiconductor, Inc. | Methods for sidewall protection of metal interconnect for unlanded vias using physical vapor deposition |
KR100532437B1 (ko) * | 2003-05-26 | 2005-11-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
KR100587635B1 (ko) * | 2003-06-10 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조 방법 |
TWI281231B (en) * | 2004-12-20 | 2007-05-11 | Hynix Semiconductor Inc | Method for forming storage node of capacitor in semiconductor device |
US7838428B2 (en) * | 2006-03-23 | 2010-11-23 | International Business Machines Corporation | Method of repairing process induced dielectric damage by the use of GCIB surface treatment using gas clusters of organic molecular species |
US7800228B2 (en) * | 2006-05-17 | 2010-09-21 | International Business Machines Corporation | Reliable via contact interconnect structure |
US7772702B2 (en) * | 2006-09-21 | 2010-08-10 | Intel Corporation | Dielectric spacers for metal interconnects and method to form the same |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR0165454B1 (ko) * | 1995-10-25 | 1999-02-01 | 김광호 | 트렌치 소자분리방법 |
KR20030002529A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 다층 배선 형성 방법 |
KR101005737B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2011-01-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
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