KR101342353B1 - 신규 광산발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 자외선, 원자외선, 전자선, EUV, X선, 엑시머 레이저, γ선 또는 싱크로트론 방사선의 고에너지선에 감응하여, 하기 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 화학 증폭형 레지스트 재료용 광산발생제를 제공한다.
<화학식 1a>
<화학식 1b>
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다.)
본 발명의 광산발생제는 술포네이트에 부피가 큰 스테로이드 구조를 가지고 있기 때문에 적절한 산 확산 제어를 행할 수 있다. 또한, 레지스트 재료 중의 수지류와의 상용성도 양호하고, 이들 술폰산을 발생하는 광산발생제는 디바이스 제조 공정에서의 도포, 노광 전 소성, 노광, 노광 후 소성, 현상 공정에 문제없이 사용할 수 있고, 소밀 의존성, 노광 여유도의 문제도 해결할 수 있다.
화학 증폭형 레지스트 재료용 광산발생제, 광산발생제, 레지스트 재료, 패턴 형성 방법
Description
본 발명은 레지스트 재료의 광산발생제 등으로서 바람직하게 이용되는 신규 광산발생제, 이것을 이용한 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
최근 LSI의 고집적화와 고속도화에 따라서 패턴 룰의 미세화가 요구되고 있는 가운데, 차세대의 미세 가공 기술로서 원자외선 리소그래피 및 진공 자외선 리소그래피가 유망시되고 있다. 그 중에서도 ArF 엑시머 레이저광을 광원으로 한 포토리소그래피는 0.13 ㎛ 이하의 초미세 가공에 불가결한 기술이다.
ArF 리소그래피는 130 nm 노드의 디바이스 제작으로부터 부분적으로 사용되기 시작하여, 90 nm 노드 디바이스부터는 메인 리소그래피 기술이 되었다. 다음 45 nm 노드의 리소그래피 기술로서 당초 F2 레이저를 이용한 157 nm 리소그래피가 유망시되었지만, 여러 문제에 의한 개발 지연이 지적되었기 때문에, 투영 렌즈와 웨이퍼 사이에 물, 에틸렌글리콜, 글리세린 등의 공기보다 굴절률이 높은 액체를 삽입함으로써, 투영 렌즈의 개구수(NA)를 1.0 이상으로 설계할 수 있고, 고해상도 를 달성할 수 있는 ArF 액침 리소그래피가 급부상해왔다(예를 들면, 비특허 문헌 1: Journal of photopolymer Science and Technology, Vol.17, N0.4, p587(2004) 참조).
ArF 리소그래피에서는 정밀하면서 또한 고가인 광학계 재료의 열화를 막기 위해서, 적은 노광량으로 충분한 해상성을 발휘할 수 있는 감도가 높은 레지스트 재료가 요구되고 있고, 실현하는 방책으로는, 그의 각 성분으로서 파장 193 nm에서 고투명한 것을 선택하는 것이 가장 일반적이다. 예를 들면 기재 수지에 대해서는 폴리아크릴산 및 그의 유도체, 노르보르넨-무수 말레산 교대 중합체, 폴리노르보르넨 및 개환 복분해 중합체, 개환 복분해 중합체 수소 첨가물 등이 제안되어 있고, 수지 단체의 투명성을 높인다는 점에서는 어느 정도의 성과를 얻고 있다.
또한, 광산발생제도 다양한 검토가 행해져 왔다. 종래의 KrF 엑시머 레이저광을 광원으로 한 화학 증폭형 레지스트 재료에 이용되어 왔던 알칸 또는 아렌술폰산을 발생하는 광산발생제를 상기 ArF 화학 증폭형 레지스트 재료의 성분으로서 이용한 경우에는, 수지의 산 불안정기를 절단하기 위한 산 강도가 충분하지 못하여, 해상을 전혀 할 수 없거나, 또는 저감도로 디바이스 제조에 적합하지 않은 것을 알았다.
이 때문에, ArF 화학 증폭형 레지스트 재료의 광산발생제로서는, 산 강도가 높은 퍼플루오로알칸술폰산을 발생하는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 이들 퍼플루오로알칸술폰산을 발생하는 광산발생제는 이미 KrF 레지스트 재료로서 개발되어 왔던 것이며, 예를 들면 특허 문헌 1: 일본 특허 공개 제2000-122296호 공보 또 는 특허 문헌 2: 일본 특허 공개 (평)11-282168호 공보에는 퍼플루오로헥산술폰산, 퍼플루오로옥탄술폰산, 퍼플루오로-4-에틸시클로헥산술폰산, 퍼플루오로부탄술폰산을 발생하는 광산발생제가 기재되어 있다. 또한, 신규 산발생제로서 특허 문헌 3 내지 5: 일본 특허 공개 제2002-214774호 공보, 일본 특허 공개 제2003-140332호 공보, 미국 특허 제2002/0197558호 명세서에서 퍼플루오로알킬에테르술폰산이 발생하는 산발생제가 제안되고 있다.
한편으로 퍼플루오로옥탄술폰산 또는 그의 유도체는 그의 머릿 문자를 취하여 PFOS로서 알려져 있고, C-F 결합에서 유래하는 안정성(비분해성)이나 소수성, 친유성에서 유래하는 생태 농축성, 축적성이 문제가 되고 있다. 미국 환경청(EPA)은 최중요 신규 이용 규칙(Significant New Use Rule)에 PFOS 관련 13 물질을 제정하고, 동 75 물질에도 포토레지스트 분야에서의 이용은 면제 항목이 되는 것을 제정하였다. 또한, 퍼플루오로알칸술폰산 또는 그의 유도체의 183가지 물질에도 최중요 신규 이용 규칙의 적용이 제안되고 있다.
이러한 PFOS에 관한 문제에 대처하기 위해서 각 회사로부터 불소의 치환율을 저하시킨 부분 불소 치환 알칸술폰산의 개발이 행해지고 있다. 예를 들면, 특허 문헌 6: 일본 특허 공표 제2004-531749호 공보에는 α,α-디플루오로알칸과 황 화합물에 의해 α,α-디플루오로알칸술폰산염을 개발하고, 노광에 의해 이러한 술폰산을 발생하는 광산발생제, 구체적으로는 디(4-tert-부틸페닐)요오도늄-1,1-디플루오로-2-(1-나프틸)에탄술포네이트를 함유하는 레지스트 재료가 공개되어 있고, 또한 특허 문헌 7: 일본 특허 공개 제2004-2252호 공보에는 α,α,β,β-테트라플루 오로-α-요오도알칸과 황 화합물에 의한 α,α,β,β-테트라플루오로알칸술폰산염의 개발과 이러한 술폰산을 발생하는 광산발생제 및 레지스트 재료가 공개되어 있다. 또한, 특허 문헌 3: 일본 특허 공개 제2002-214774호 공보에는 합성 방법에 대한 기재가 없지만, 명세서 중에는 디플루오로술포아세트산알킬에스테르(1-(알콕시카르보닐)-1,1-디플루오로메탄술포네이트), 디플루오로술포아세트산아미드(1-카르바모일-1,1-디플루오로메탄술포네이트) 등을 갖는 광산발생제가 개시되고, 또한 특허 문헌 8: 일본 특허 공개 제2005-266766호 공보에는 퍼플루오로알킬렌디술포닐디플루오라이드로부터 유도되는 술포닐아미드 구조를 갖는 부분 불소화알칸술폰산을 발생하는 화합물을 함유하는 감광성 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 상기 특허 문헌의 물질은, 모두 불소 치환율은 감소되었지만, 기본 골격이 분해되기 어려운 탄화수소 골격이고, 에스테르기 등의 용이하게 분해 가능한 치환기를 갖지 않기 때문에 분해성이 부족하며, 알칸술폰산의 크기를 변화시키기 위한 분자 설계에 제한이 있고, 또한 불소 함유의 출발 물질이 고가인 등의 문제를 가지고 있다.
또한, 특허 문헌 9: 일본 특허 공개 제2007-145797호 공보에는, 트리페닐술포늄 2-(아다만탄-1-카르보닐옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트 등의 탄소수 1 내지 20의 알칸카르보닐옥시 또는 아렌카르보닐옥시 1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트가 개시되어 있지만, 확산성의 제어는 아직 불충분하다.
또한, 특허 문헌 10: 일본 특허 공개 제2007-161707호 공보에는, 다환식 탄화수소기를 갖는 부분 불소화알칸술폰산을 발생하는 광산발생제가 개시되어 있지 만, 본 발명자들의 검토에서는 레지스트 용제에의 용해성이 열악하여 실사용에 견디지 못한다.
또한, 액침 노광에 있어서, 노광 후의 레지스트 웨이퍼 상에 미소한 물방울이 남는 것에 의한 결함에서 기인하는 레지스트 패턴 형상의 불량, 현상 후의 레지스트 패턴의 붕괴나 T-탑 형상화라는 문제점이 있어, 액침 리소그래피에서도 현상 후에 양호한 레지스트 패턴을 얻을 수 있는 패턴 형성 방법이 요구되고 있다.
또한, 미세한 패턴을 형성하고자 하는 경우, 광학 콘트라스트가 다른 성긴 패턴, 치밀한 패턴에서의 치수차(소밀 의존성)의 문제가 커져 왔다. 소밀 의존성의 개선에는 저확산성 산을 발생하는 광산발생제의 사용 등으로 어느 정도 목적은 달성되지만, 만족할 수 있는 것은 아니다. 또한, 실제 디바이스 제조시에는 어느 정도의 노광량이 어긋날 수 있기 때문에, 노광량이 다소 어긋났을 때라도 거의 동일한 패턴 형상을 유지하는 노광 여유도를 갖는 것이 요구되고 있다. 패턴 룰의 미세화가 한층 더 요구되는 가운데, 감도, 기판 밀착성, 에칭 내성에 있어서 우수한 성능을 발휘할 뿐 아니라, 해상성의 열화를 수반하지 않는, 소밀 의존성의 개선책이나 노광 여유도를 갖는 것이 필요해지고 있는 것이다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2000-122296호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 (평)11-282168호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 제2002-214774호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 제2003-140332호 공보
[특허 문헌 5] 미국 특허 제2002/0197558호 명세서
[특허 문헌 6] 일본 특허 공표 제2004-531749호 공보
[특허 문헌 7] 일본 특허 공개 제2004-2252호 공보
[특허 문헌 8] 일본 특허 공개 제2005-266766호 공보
[특허 문헌 9] 일본 특허 공개 제2007-145797호 공보
[특허 문헌 10] 일본 특허 공개 제2007-161707호 공보
[비특허 문헌 1] Journal of photopolymer Science and Technology, Vol.17, N0.4, p587(2004)
광산발생제의 발생 산으로서는, 레지스트 재료 중의 산 불안정기를 절단하는 데 충분한 산 강도가 있는 것, 레지스트 재료 중에서 보호 안정성이 양호한 것, 레지스트 재료 중에서 적당한 확산이 있는 것, 휘발성이 적은 것, 물에 대한 용출이 적은 것, 현상 후, 박리 후의 이물질이 적은 것, 리소그래피 용도 종료 후에는 환경에 부하를 주지 않고 양호한 분해성을 갖는 것 등이 요구되지만, 종래의 광산발생제로부터 발생한 산은 이들을 만족시키지 못한다.
또한, 종래의 광산발생제를 이용한 레지스트 재료에서는 해상성의 열화를 수반하지 않고 소밀 의존성, 노광 여유도의 문제를 해결할 수 없다.
본 발명은 상기 종래의 광산발생제의 문제점을 해결한 것으로, 특히 ArF 액침 노광시 물에 대한 용출을 억제할 수 있으면서, 또한 액침 노광 특유의 이물질의 생성을 억제하고, 소밀 의존성, 노광 여유도의 문제를 만족시켜 효과적으로 사용할 수 있는 등, 레지스트 재료의 광산발생제로서 바람직한 신규 광산발생제, 이것을 이용한 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제에 대하여 예의 검토한 결과, 공업적으로 입수 용이한 2-브로모-2,2-디플루오로에탄올을 출발 원료로 하고, 스테로이드 골격을 갖는 1,1-디플루오로-2-아실옥시프로판-1-술포네이트 또는 1,1-디플루오로-2-알킬옥시카르보닐옥시프로판-1-술포네이트를 갖는 오늄염, 옥심, 이미드로 대표되는 화합물이 화학 증폭형 레지스트 재료용 광산발생제로서 효과적인 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기 신규 광산발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법을 제공한다.
청구항 1:
자외선, 원자외선, 전자선, EUV, X선, 엑시머 레이저, γ선 또는 싱크로트론 방사선의 고에너지선에 감응하여, 하기 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 화학 증폭형 레지스트 재료용 광산발생제.
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다.)
청구항 2:
하기 화학식 1c 또는 1d 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 청구항 1에 기재된 광산발생제.
(식 중, Z는 산소 원자 또는 -O-(CH2)L-COO-을 나타낸다. L은 1 내지 5의 정수를 나타낸다.)
청구항 3:
하기 화학식 2a 또는 2b 중 어느 것으로 표시되는 술포늄염.
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상 알킬기, 알케닐기 또는 옥소알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 아르알킬기 또는 아릴옥소알킬기를 나타내거나, 또는 R2, R3 및 R4 중 어느 2개 이상이 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성할 수도 있다.)
청구항 4:
하기 화학식 3a 또는 3b 중 어느 것으로 표시되는 술포늄염.
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 알케닐기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 14의 아릴기를 나타낸다. m은 1 내지 5의 정수, n은 0(영) 또는 1을 나타낸다. Ph는 페닐기를 나타낸다. Ph'는 페닐기의 수소 원자 m개를 R5(O)n-기로 치환한 기를 나타낸다.)
청구항 5:
하기 화학식 4a 또는 4b 중 어느 것으로 표시되는 요오도늄염.
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 알케닐기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 14의 아릴기를 나타낸다. m은 1 내지 5의 정수, n은 0(영) 또는 1을 나타낸다. Ph는 페닐기를 나타낸다. Ph'는 페닐기의 수소 원자 m개를 R5(O)n-기로 치환한 기를 나타낸다.)
청구항 6:
기재 수지, 산발생제 및 유기 용제를 함유하여 이루어지는 레지스트 재료에 있어서, 상기 산발생제가 청구항 1에 기재된 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
청구항 7:
기재 수지, 산발생제 및 유기 용제를 함유하여 이루어지는 레지스트 재료에 있어서, 상기 산발생제가 청구항 2에 기재된 하기 화학식 1c 또는 1d 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
<화학식 1c>
<화학식 1d>
(식 중, Z는 산소 원자 또는 -O-(CH2)L-COO-을 나타낸다. L은 1 내지 5의 정수를 나타낸다.)
청구항 8:
기재 수지가 폴리(메트)아크릴산 및 그의 유도체, 시클로올레핀 유도체-무수 말레산 교대 중합체, 시클로올레핀 유도체와 무수 말레산과 폴리아크릴산 또는 그의 유도체와의 3 또는 4원 이상의 공중합체, 시클로올레핀 유도체-α-트리플루오로메틸아크릴산 유도체 공중합체, 폴리노르보르넨, 개환복분해 중합체 및 개환복분해 중합체 수소 첨가물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 고분자 중합체인 것을 특징으로 하는 청구항 6 또는 7에 기재된 레지스트 재료.
청구항 9:
기재 수지가 규소 원자를 함유하는 고분자 구조체인 것을 특징으로 하는 청 구항 6 또는 7에 기재된 레지스트 재료.
청구항 10:
기재 수지가 불소 원자를 함유하는 고분자 구조체인 것을 특징으로 하는 청구항 6 또는 7에 기재된 레지스트 재료.
청구항 11:
기재 수지가 하기 화학식 8 및/또는 12로 표시되는 반복 단위와, 하기 화학식 9 내지 11, 13 및 14로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 갖는 고분자 중합체인 것을 특징으로 하는 청구항 6 또는 7에 기재된 레지스트 재료.
(식 중, R11은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다. XA는 산 불안정기를 나타낸다. YL은 락톤 구조를 갖는 치환기를 나타낸다. ZA는 수소 원자, 탄소수 1 내지 15의 플루오로알킬기 또는 탄소수 1 내지 15의 플루오로알코올 함유 치환기를 나타낸다.)
(식 중, R11, XA는 상기와 동일하다. G는 산소 원자 또는 카르복실기(-C(=O)O-)를 나타낸다.)
청구항 12:
청구항 8 내지 11 중 어느 하나에 기재된 기재 수지, 청구항 1에 기재된 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제 및 용제를 함유하고, 상기 기재 수지가 현상액에 불용 또는 난용이며, 산의 작용에 의해서 현상액에 가용이 되는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.
청구항 13:
청구항 8 내지 11 중 어느 하나에 기재된 기재 수지, 청구항 2에 기재된 화학식 1c 또는 1d 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제 및 용제를 함유하고, 상기 기재 수지가 현상액에 불용 또는 난용이며, 산의 작용에 의해서 현상액에 가용이 되는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.
청구항 14:
억제제를 더 첨가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 청구항 12 또는 13에 기재된 레지스트 재료.
청구항 15:
용해 저지제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 청구항 12 내지 14 중 어느 한 항에 기재된 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.
청구항 16:
청구항 6 내지 15 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 재료를 기판 상에 도포하는 공정, 가열 처리 후 포토마스크를 통해 파장 300 nm 이하의 고에너지선으로 노광하는 공정, 및 필요에 따라서 가열 처리한 후에 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
청구항 17:
파장 193 nm의 ArF 엑시머 레이저를 이용하여, 레지스트 재료가 도포된 기판과 투영 렌즈 사이에 물, 글리세린, 에틸렌글리콜 등의 액체를 삽입하는 액침 리소그래피법인 것을 특징으로 하는 청구항 16에 기재된 패턴 형성 방법.
본 발명의 광산발생제는 술포네이트에 부피가 큰 스테로이드 구조를 가지고 있기 때문에 적절한 산 확산 제어를 행할 수 있다. 또한, 레지스트 재료 중의 수지류와의 상용성도 양호하고, 이들 술폰산을 발생하는 광산발생제는 디바이스 제조 공정에서의 도포, 노광 전 소성, 노광, 노광 후 소성, 현상 공정에 문제없이 사용할 수 있고, 소밀 의존성, 노광 여유도의 문제도 해결할 수 있다. 또한 ArF 액침 노광시의 물에의 용출도 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼 상에 남는 물의 영향도 적어 결함도 억제할 수 있다. 디바이스 제조 후의 레지스트 폐액 처리시에는, β 위치의 아실옥시기, 또는 알킬카르보네이트기가 알칼리 가수분해되기 때문에, 보다 저분자량이며 저축적성인 불소 화합물로 변환이 가능하고, 연소에 의한 폐기시에도 불소 치환율이 낮기 때문에 연소성이 높다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
광산발생제
본 발명의 광산발생제는 술포늄염, 요오도늄염, 옥심술포네이트, 술포닐옥시이미드로 대표되는 화합물이며, 이것은 자외선, 원자외선, 전자선, EUV, X선, 엑시머 레이저, γ선 또는 싱크로트론 방사선의 고에너지선에 감응하여, 하기 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하고, 화학 증폭형 레지스트 재료용 광산발생제로서 효과적이다.
<화학식 1a>
<화학식 1b>
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 S, N, O 등의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다.)
또한, 본 명세서 중에 있어서의 스테로이드 골격이란, 3개의 육원환 및 1개의 오원환이 연결된 하기
로 나타내어지는 골격을 갖는 화합물의 총칭이다.
상기 화학식 1a 또는 1b에 있어서의 R1은 스테로이드 골격을 갖는 치환 또는 비치환된 탄소수 20 내지 50의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 상기 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산은 콜레스타놀, 콜레스테롤 또는 콜산의 유도체인 것이 바람직하다. 상기 R1은 관능기로서 수산기, 알콕실기, 아실기, 카르보닐기 등을 포함할 수도 있다.
상기 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산으로서, 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 하기 화학식 중 Ac는 아세틸기이다.
R1로서는, 특히 하기 화학식 5a, 5b 또는 5c로 표시되는 것이 바람직하다. 또한, 하기 화학식에 있어서 결합 위치는 점선으로 나타낸 것이다.
(식 중, k는 1 내지 5의 정수를 나타낸다.)
상기 술폰산을 발생하는 광산발생제 중에서는, 특히 하기 화학식 1c 또는 1d 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제가 바람직하다.
<화학식 1c>
<화학식 1d>
(식 중, Z는 산소 원자 또는 -O-(CH2)L-COO-을 나타낸다. L은 1 내지 5의 정수를 나타낸다.)
술포늄염
본 발명에 따른 술포늄염은 하기 화학식 2a 또는 2b 중 어느 것으로 표시되는 것이다.
<화학식 2a>
<화학식 2b>
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상 알킬기, 알케닐기 또는 옥소알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 아르알킬기 또는 아릴옥소알킬기를 나타내거나, 또는 R2, R3 및 R4 중 어느 2개 이상이 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성할 수도 있다.)
상기 화학식 2a 또는 2b에 있어서의 R1은 상기한 바와 같다. R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상 알킬기, 알케닐기 또는 옥소알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 18의 아릴기, 아르알킬기 또는 아릴옥소알킬기를 나타내거나, 또는 R2, R3 및 R4 중 어느 2개 이상이 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성할 수도 있다. 구체적으로는, 알킬기로서 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로프로필메틸기, 4-메틸시클로헥실기, 시클로헥실메틸기, 노르 보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. 알케닐기로서는 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기, 시클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 옥소알킬기로서는 2-옥소시클로펜틸기, 2-옥소시클로헥실기, 2-옥소프로필기, 2-옥소에틸기, 2-시클로펜틸-2-옥소에틸기, 2-시클로헥실-2-옥소에틸기, 2-(4-메틸시클로헥실)-2-옥소에틸기 등을 들 수 있다. 아릴기로서는 페닐기, 나프틸기, 티에닐기 등이나, 4-히드록시페닐기, 4-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 2-메톡시페닐기, 4-에톡시페닐기, 4-tert-부톡시페닐기, 3-tert-부톡시페닐기 등의 알콕시페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 4-에틸페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 4-n-부틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기 등의 알킬페닐기, 메틸나프틸기, 에틸나프틸기 등의 알킬나프틸기, 메톡시나프틸기, 에톡시나프틸기 등의 알콕시나프틸기, 디메틸나프틸기, 디에틸나프틸기 등의 디알킬나프틸기, 디메톡시나프틸기, 디에톡시나프틸기 등의 디알콕시나프틸기 등을 들 수 있다. 아르알킬기로서는 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기 등을 들 수 있다. 아릴옥소알킬기로서는 2-페닐-2-옥소에틸기, 2-(1-나프틸)-2-옥소에틸기, 2-(2-나프틸)-2-옥소에틸기 등의 2-아릴-2-옥소에틸기 등을 들 수 있다. 또한, R2, R3 및 R4 중 어느 2개 이상이 서로 결합하여 황 원자를 통해 환상 구조를 형성하는 경우에는, 이들 환상 구조를 형성하는 기로서는, 1,4-부틸렌, 3-옥사-1,5-펜틸렌 등의 2가 유기기를 들 수 있다. 또한 치환기로서 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기 등의 중합 가능한 치환기를 갖는 아릴기를 들 수 있고, 구체적으로는 4-아크릴로일옥시페닐기, 4-메타크릴로일옥시페닐기, 4-아크릴로일옥 시-3,5-디메틸페닐기, 4-메타크릴로일옥시-3,5-디메틸페닐기, 4-비닐옥시페닐기, 4-비닐페닐기 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로 술포늄 양이온을 나타내면, 트리페닐술포늄, 4-히드록시페닐디페닐술포늄, 비스(4-히드록시페닐)페닐술포늄, 트리스(4-히드록시페닐)술포늄, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 비스(4-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리스(4-tert-부톡시페닐)술포늄, 3-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 비스(3-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리스(3-tert-부톡시페닐)술포늄, 3,4-디-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 비스(3,4-디-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리스(3,4-디-tert-부톡시페닐)술포늄, 디페닐(4-티오페녹시페닐)술포늄, 4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐디페닐술포늄, 트리스(4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)술포늄, (4-tert-부톡시페닐)비스(4-디메틸아미노페닐)술포늄, 트리스(4-디메틸아미노페닐)술포늄, 2-나프틸디페닐술포늄, (4-히드록시-3,5-디메틸페닐)디페닐술포늄, (4-n-헥실옥시-3,5-디메틸페닐)디페닐술포늄, 디메틸(2-나프틸)술포늄, 4-히드록시페닐디메틸술포늄, 4-메톡시페닐디메틸술포늄, 트리메틸술포늄, 2-옥소시클로헥실시클로헥실메틸술포늄, 트리나프틸술포늄, 트리벤질술포늄, 디페닐메틸술포늄, 디메틸페닐술포늄, 2-옥소-2-페닐에틸티아시클로펜타늄, 디페닐 2-티에닐술포늄, 4-n-부톡시나프틸-1-티아시클로펜타늄, 2-n-부톡시나프틸-1-티아시클로펜타늄, 4-메톡시나프틸-1-티아시클로펜타늄, 2-메톡시나프틸-1-티아시클로펜타늄 등을 들 수 있다. 보다 바람직하게는 트리페닐술포늄, 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 트리스(4-tert-부틸페닐)술포늄, 4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐디페닐술포늄 등을 들 수 있다. 또한 4-메타크릴로일옥시페닐디페닐술포늄, 4-아크릴로일옥시페닐디페닐술포늄, 4-메타크릴로일옥시페닐디메틸술포늄, 4-아크릴로일옥시페닐디메틸술포늄, (4-메타크릴로일옥시-3,5-디메틸페닐)디페닐술포늄, (4-아크릴로일옥시-3,5-디메틸페닐)디페닐술포늄 등을 들 수 있다. 이들 중합 가능한 술포늄 양이온에 대해서는 일본 특허 공개 (평)4-230645호 공보, 일본 특허 공개 제2005-84365호 공보 등을 참고로 할 수 있고, 이들 중합 가능한 술포늄염은 후술하는 고분자량체의 구성 성분의 단량체로서 사용할 수 있다.
이 경우, 술포늄염으로서, 특히 하기 화학식 3a 또는 3b 중 어느 것으로 표시되는 것을 들 수 있다.
<화학식 3a>
<화학식 3b>
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 알케닐기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 14의 아릴기를 나타낸다. m은 1 내지 5의 정수, n은 0(영) 또는 1을 나타낸다. Ph는 페닐기를 나타낸다. Ph'는 페닐기의 수소 원자 m개를 R5(O)n-기로 치환한 기를 나타낸다.)
상기 화학식 3a 또는 3b 중의 R1은 상기한 바와 같고, R5-(O)n-기의 치환 위치는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 페닐기의 4 위치 또는 3 위치가 바람직하다. 보다 바람직하게는 4 위치이다. R5로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, sec-프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 페닐기, 4-메톡시페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 또한 n=1의 경우에 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기를 들 수 있다. m은 1 내지 5의 정수이고, 바람직하게는 1이다. n은 0(영) 또는 1이다.
구체적인 술포늄 양이온으로서는, 4-메틸페닐디페닐술포늄, 4-에틸페닐디페닐술포늄, 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄, 4-시클로헥실페닐디페닐술포늄, 4-n-헥실페닐디페닐술포늄, 4-n-옥틸페닐디페닐술포늄, 4-메톡시페닐디페닐술포늄, 4-에톡시페닐디페닐술포늄, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 4-시클로헥실옥시페닐디페닐술포늄, 4-n-헥실옥시페닐디페닐술포늄, 4-n-옥틸옥시페닐디페닐술포늄, 4-도데실옥시페닐디페닐술포늄, 4-트리플루오로메틸페닐디페닐술포늄, 4-트리플루오로메틸옥시페닐디페닐술포늄, 4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐디페닐술포늄, 4-메타크릴로일옥시페닐디페닐술포늄, 4-아크릴로일옥시페닐디페닐술포늄, (4-n-헥실옥시-3,5-디메틸페닐)디페닐술포늄), (4-메타크릴로일옥시-3,5-디메틸페닐)디페닐술포 늄, (4-아크릴로일옥시-3,5-디메틸페닐)디페닐술포늄 등을 들 수 있다.
요오도늄염
본 발명은 요오도늄염도 제공하지만, 본 발명의 요오도늄염은 하기 화학식 4a 또는 4b 중 어느 것으로 표시되는 것이다.
<화학식 4a>
<화학식 4b>
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 알케닐기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 14의 아릴기를 나타낸다. m은 1 내지 5의 정수, n은 0(영) 또는 1을 나타낸다. Ph는 페닐기를 나타낸다. Ph'는 페닐기의 수소 원자 m개를 R5(O)n-기로 치환한 기를 나타낸다.)
상기 화학식 4a 또는 4b 중의 R1, R5, m, n은 상기한 바와 같다. R5-(O)n-기의 치환 위치는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 페닐기의 4 위치 또는 3 위치가 바람직하다. 보다 바람직하게는 4 위치이다. 구체적인 요오도늄 양이온으로서는, 비스(4-메틸페닐)요오도늄, 비스(4-에틸페닐)요오도늄, 비스(4-tert-부틸페닐)요오 도늄, 비스(4-(1,1-디메틸프로필)페닐)요오도늄, 4-메톡시페닐페닐요오도늄, 4-tert-부톡시페닐페닐요오도늄, 4-아크릴로일옥시페닐페닐요오도늄, 4-메타크릴로일옥시페닐페닐요오도늄 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄이 바람직하게 이용된다.
N-술포닐옥시이미드 화합물
본 발명은 하기 화학식 6a 또는 6b 중 어느 것으로 표시되는 N-술포닐옥시이미드 화합물도 제공한다.
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. Z는 산소 원자 또는 -O-(CH2)L-COO-을 나타낸다. L은 1 내지 5의 정수를 나타낸다. X, Y는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내거나, 또는 X 및 Y가 서로 결합하여 이들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 포화 또는 불포화의 탄 소수 6 내지 12의 환을 형성할 수도 있다. W는 단결합, 이중 결합, 메틸렌기 또는 산소 원자를 나타낸다.)
상기 화학식 6a 또는 6b 중의 X, Y는 서로 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내거나, 또는 X 및 Y가 서로 결합하여 이들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 포화 또는 불포화의 탄소수 6 내지 12의 환을 형성할 수도 있다. W는 단결합, 이중 결합, 메틸렌기 또는 산소 원자를 나타낸다. R1, Z, L은 상기와 동일하다. 술포네이트부를 제외한 이미드 골격을 구체적으로 하기에 나타낸다. 또한, 이미드 골격은 일본 특허 공개 제2003-252855호 공보를 참고로 할 수 있다.
옥심술포네이트 화합물
또한, 본 발명은 하기 화학식 7a 또는 7b 중 어느 것으로 표시되는 옥심술포네이트 화합물도 제공한다.
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. Z는 산소 원자 또는 -O-(CH2)L-COO-을 나타낸다. L은 1 내지 5의 정수를 나타낸다. q는 0 또는 1을 나타내지만, q가 0인 경우, p는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기를 나타내고, q가 1인 경우에는, p는 단결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴렌기를 나타낸다. EWG는 시아노기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로프로필기, 5H-퍼플루오로펜틸기, 6H-퍼플루오로헥실기, 니트로기 또는 메틸기를 나타내고, q가 1인 경우, 피차의 EWG가 서로 결합하여 이들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 탄소수 6의 환을 형성할 수도 있다.)
상기 화학식 7a 또는 7b 중의 R1, Z, L은 상기와 동일하지만, q가 0인 경 우, p는 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기를 나타내고, q가 1인 경우에는, p는 단결합, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴렌기를 나타낸다. EWG는 시아노기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로프로필기, 5H-퍼플루오로펜틸기, 6H-퍼플루오로헥실기, 니트로기 또는 메틸기를 나타내고, q가 1인 경우, 피차의 EWG가 서로 결합하여 이들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 탄소수 6의 환을 형성할 수도 있다. 이들 옥심술포네이트의 골격은 미국 특허 제6261738호 명세서, 일본 특허 공개 (평)9-95479호 공보, 일본 특허 공개 (평)9-208554호 공보, 일본 특허 공개 (평)9-230588호 공보, 일본 특허 제2906999호 공보, 일본 특허 공개 (평)9-301948호 공보, 일본 특허 공개 제2000-314956호 공보, 일본 특허 공개 제2001-233842호 공보, 국제 공개 제2004/074242호 공보에 기재되어 있다.
술포네이트 부위를 제외한 보다 구체적인 옥심술포네이트의 골격을 하기에 나타낸다.
여기서, 본 발명의 상기 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제의 예 중 하나로서, 상기 화학식 2a 또는 2b로 표시되는 술포늄염의 합성 방법에 대하여 서술한다.
후술하는 바와 같이 하여 합성되는 트리페닐술포늄 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트를, 스테로이드 구조를 갖는 지방족 카르복실산할라이드와 염기성 조건하에 반응시킴으로써, 카르복실산에스테르 구조 및 스테로이드 구조를 갖는 상기 화학식 1c에 있어서 Z가 산소 원자인 경우의 술포늄염을 얻을 수 있다.
후술하는 바와 같이 하여 합성되는 트리페닐술포늄 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트를 염기성 조건하에서 클로로알킬카르복실산클로라이드와 반응시 킴으로써 2-(클로로알킬카르보닐옥시)-1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트를 제조하고, 이것과 스테로이드 구조를 갖는 지방족 카르복실산나트륨을 반응시킴으로써, 카르복실산에스테르 구조 및 스테로이드 구조를 갖는 상기 화학식 1c에 있어서 Z가 -O-(CH2)L-COO-(L은 1 내지 5의 정수를 나타냄)인 경우의 술포늄염을 얻을 수 있다.
또한, 후술하는 바와 같이 하여 합성되는 트리페닐술포늄 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트를, 스테로이드 구조를 갖는 할로포름산에스테르와 염기성 조건하에 반응시킴으로써, 카르보네이트 구조 및 스테로이드 구조를 갖는 상기 화학식 2b의 술포늄염을 얻을 수 있다.
본 발명의 상기 화학식 3a 또는 3b 중 어느 것으로 표시되는 술포늄염, 상기 화학식 4a 또는 4b 중 어느 것으로 표시되는 요오도늄염도 상술한 방법과 동일하게 하여 합성할 수 있다.
본 발명의 상기 화학식 6a, 6b로 표시되는 이미드술포네이트나 상기 화학식 7a, 7b로 표시되는 옥심술포네이트를 합성하는 경우에는, 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트 부위를 갖는 이미드술포네이트나 옥심술포네이트를, 스테로이드 구조를 갖는 지방족 카르복실산할라이드나 지방족 카르복실산 무수물과 염기성 조건하에 반응시킴으로써, 스테로이드 구조를 갖는 이미드술포네이트나 옥심술포네이트를 얻을 수 있다.
또한, 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트 부위를 갖는 이미드술포네 이트나 옥심술포네이트의 합성에 대하여 서술한다.
1,1-디플루오로-2-아실옥시에탄술폰산염을 염화티오닐, 옥시염화인, 오염화인 등의 클로로화제와 반응시킴으로써, 대응하는 술포닐클로라이드 또는 술폰산 무수물로 하고, 통상법에 의해 N-히드록시디카르복실이미드나 옥심류와 반응시켜 1,1-디플루오로-2-아실옥시에탄술포네이트를 얻는다. 이어서 아실옥시기의 가수분해를 행함으로써, 목적하는 중간 원료인 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트 부위를 갖는 이미드술포네이트나 옥심술포네이트를 얻을 수 있다.
이미드술포네이트나 옥심술포네이트의 합성은 상기 일본 특허 공개 제2003-252855호 공보, 미국 특허 제6261738호 명세서, 일본 특허 공개 (평)9-95479호 공보, 일본 특허 공개 (평)9-208554호 공보, 일본 특허 공개 (평)9-230588호 공보, 일본 특허 제2906999호 공보, 일본 특허 공개 (평)9-301948호 공보, 일본 특허 공개 제2000-314956호 공보, 일본 특허 공개 제2001-233842호 공보, 국제 공개 제2004/074242호 공보를 참고로 할 수 있다.
여기서, 트리페닐술포늄 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트의 합성을 간단하게 서술한다.
2-브로모-2,2-디플루오로에탄올과 카르복실산클로라이드와의 반응으로 2-브로모-2,2-디플루오로에틸알칸카르복실레이트 또는 2-브로모-2,2-디플루오로에틸아렌카르복실레이트를 얻고, 이어서 차아황산나트륨 등의 황 화합물에 의해 브로모기를 술핀산나트륨으로 하고, 이어서 과산화수소 등의 산화제에 의해 술핀산을 술폰산으로 변환시킨다.
(상기 식 중, R6은 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타낸다.)
에스테르화, 할로겐화알칸으로부터 술핀산나트륨화, 술폰산화는 공지되어 있지만, 후자 두 가지 처방은 일본 특허 공개 제2004-2252호 공보 등에 자세하게 기재되어 있다.
얻어진 술폰산나트륨과 술포늄염 화합물의 이온 교환 반응에 의해 목적하는 술포늄염을 얻을 수 있다. 이온 교환 반응은 일본 특허 공개 제2007-145797호 공보 등에 자세하게 기재되어 있다.
(상기 식 중, R2 내지 R4, R6은 상기와 동일한 의미이다.)
또한, 상기한 바와 같이 도입된 R6CO-로 표시되는 아실기를 에스테르 가수분해 또는 가용제분해함으로써, 트리페닐술포늄 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트를 합성할 수 있다. 공정의 개략을 나타낸다.
(상기 식 중, R2 내지 R4, R6은 상기와 동일한 의미이다.)
이 처방에 의해, 앞의 음이온 합성시의 조건(차아황산나트륨 등의 황 화합물에 의해 브로모기를 술핀산나트륨으로 하고, 이어서 과산화수소 등의 산화제에 의해 술핀산을 술폰산으로 변환시킴)에 대하여 R6이 불안정한 치환기인 경우에도, 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트로부터 R6을 도입할 수 있다.
또한, 화학식 3a, 3b로 표시되는 술포늄염, 화학식 4a, 4b로 표시되는 요오도늄염도 동일하게 합성할 수 있다.
원료인 술포늄염이나 요오도늄염은 문헌 [The Chemistry of sulfonium group Part 1 John-Wiley & Sons(1981)], [Advanced Photochemistry, vol.17 John-Wiley & Sons(1992)], [J. Org. Chem., 1988. 53. 5571-5573] 또는 일본 특허 공개 (평)8-311018호 공보, 일본 특허 공개 (평)9-15848호 공보, 일본 특허 공개 제2001-122850호 공보, 일본 특허 공개 (평)7-25846호 공보, 일본 특허 공개 제2001-181221호 공보, 일본 특허 공개 제2002-193887호 공보, 일본 특허 공개 제2002-193925호 공보 등을 참고로 합성할 수 있다. 또한, 중합 가능한 치환기로서 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 갖는 오늄 양이온은 일본 특허 공개 (평)4-230645호 공보, 일본 특허 공개 제2005-84365호 공보 등에 기재된 방법으로, 기존의 히드록시페닐디페닐술포늄할라이드를 염기성 조건하에서 아크릴로일클로라이드 또는 메타크릴로일클로라이드와 반응시킴으로써 합성할 수 있다.
본 발명은, 첫째로는 고에너지선 조사에 의해 상기 화학식 1a 또는 1b 중 어 느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 화학 증폭형 레지스트 재료용 광산발생제를 제공한다. 둘째로는, 화학 증폭형 레지스트 재료용 광산발생제로서 유용한 술포늄염, 요오도늄염, N-술포닐옥시이미드 화합물, 옥심술포네이트를 제공하고, 셋째로는, 고에너지선 조사에 의해 상기 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 화학 증폭형 레지스트 재료용 광산발생제 및 산의 작용으로 알칼리 현상액에의 용해성이 변화되는 수지를 함유하는 레지스트 재료를 제공한다.
여기서, 본 발명의 레지스트 재료는
(A) 상기 광산발생제(즉, 화학식 1a 또는 1b의 술폰산을 발생하는 광산발생제),
(B) 유기 용제,
(C) 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에의 용해성이 변화되는 기재 수지,
필요에 따라서
(D) 억제제,
또한 필요에 따라서
(E) 수불용 또는 난용이며 알칼리 현상액 가용인 계면활성제 및/또는 물 및 알칼리 현상액에 불용 또는 난용인 계면활성제,
또한 필요에 따라서
(F) 상기 광산발생제 이외의 광산발생제,
또한 필요에 따라서
(G) 유기산 유도체 및/또는 불소 치환 알코올,
또한 필요에 따라서
(H) 중량 평균 분자량 3,000 이하의 용해 저지제
를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료,
또는
(A) 상기 광산발생제,
(B) 유기 용제,
(C') 알칼리 가용성 수지로서, 가교제에 의해서 알칼리 난용이 되는 기재 수지,
(I) 산에 의해서 가교하는 가교제,
필요에 따라서
(D) 억제제,
또한 필요에 따라서
(E) 수불용 또는 난용이며 알칼리 현상액 가용인 계면활성제 및/또는 물 및 알칼리 현상액에 불용 또는 난용인 계면활성제,
또한 필요에 따라서
(F) 상기 광산발생제 이외의 광산발생제
를 함유하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 네가티브형 레지스트 재료이다.
본 발명의 (A) 성분의 광산발생제는 상술한 바와 같지만, 보다 구체적으로는 상기 화학식 3a, 3b, 4a, 4b, 6a, 6b, 7a 또는 7b의 화합물을 들 수 있고, 그의 배합량은 레지스트 재료 중의 기재 수지 100 부(질량부, 이하 동일함)에 대하여 0.1 내지 10 부, 특히 1 내지 7 부이다.
본 발명에서 사용되는 (B) 성분인 유기 용제로서는, 기재 수지, 산발생제, 그 밖의 첨가제 등이 용해 가능한 유기 용제라면 어느 것일 수도 있다. 이러한 유기 용제로서는, 예를 들면 시클로헥사논, 메틸아밀케톤 등의 케톤류, 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올 등의 알코올류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 락트산에틸, 피루브산에틸, 아세트산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산 tert-부틸, 프로피온산 tert-부틸, 프로필렌글리콜모노 tert-부틸에테르아세테이트 등의 에스테르류, γ-부티로락톤 등의 락톤류를 들 수 있고, 이들 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서는, 이들 유기 용제 중에서도 레지스트 성분 중의 산발생제의 용해성이 가장 우수한 디에틸렌글리콜디메틸에테르나 1-에톡시-2-프로판올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥사논 및 그의 혼합 용제가 바람직하게 사용된다.
유기 용제의 사용량은 기재 수지 100 부에 대하여 200 내지 3,000 부, 특히 400 내지 2,000 부인 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 기재 수지로서는 폴리(메트)아크릴산 및 그의 유도체, 시 클로올레핀 유도체-무수 말레산 교대 중합체, 시클로올레핀 유도체와 무수 말레산과 폴리아크릴산 또는 그의 유도체와의 3 또는 4원 이상의 공중합체, 시클로올레핀 유도체-α-트리플루오로메틸아크릴산 유도체 공중합체, 폴리노르보르넨, 개환복분해 중합체 및 개환복분해 중합체 수소 첨가물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 고분자 중합체를 사용할 수 있다.
이 경우, 기재 수지가 규소 원자를 함유하는 것일 수도 있고, 또한 불소 원자를 갖는 것일 수도 있다.
본 발명에서 사용되는 (C) 성분 또는 (C') 성분의 기재 수지는, KrF 엑시머 레이저 레지스트 재료용으로서는 폴리히드록시스티렌(PHS) 및 PHS와 스티렌, (메트)아크릴산에스테르, 그 밖의 중합성 올레핀 화합물 등과의 공중합체, ArF 엑시머 레이저 레지스트 재료용으로서는, 폴리(메트)아크릴산에스테르계, 시클로올레핀과 무수 말레산과의 교대 공중합계 및 비닐에테르류 또는 (메트)아크릴산에스테르를 포함하는 공중합계, 폴리노르보르넨계, 시클로올레핀 개환 복분해 중합계, 시클로올레핀 개환 복분해 중합체 수소 첨가물 등을 들 수 있고, F2 엑시머 레이저 레지스트 재료용으로서 상기 KrF, ArF용 중합체의 불소 치환체 등을 들 수 있지만, 이들 중합계 중합체로 한정되는 것은 아니다. 또한, 중합 가능한 치환기를 갖는 본 발명의 술포늄염, 요오도늄염, 구체적으로는 (4-아크릴로일옥시페닐)디페닐술포늄 양이온, (4-메타크릴로일옥시페닐)디페닐술포늄 양이온, (4-아크릴로일옥시페닐)페닐요오도늄 양이온, (4-메타크릴로일옥시페닐)페닐요오도늄 양이온 등의 오늄 양이온 과 시클로헥산디카르복실산수소 1-(디플루오로술포메틸)-2,2,2-트리플루오로에틸 등의 음이온의 조합에 의한 술포늄염, 요오도늄염을 이들 기재 수지의 중합 성분으로서 사용할 수 있다. 기재 수지는 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 포지티브형 레지스트 재료의 경우, 페놀 또는 카르복실기, 또는 불소화알킬알코올의 수산기를 산 불안정기로 치환함으로써 미노광부의 용해 속도를 저하시키는 경우가 일반적이다.
또한, 본 발명에서 사용되는 (C) 성분은 하기 화학식 8로 표시되는 산 불안정기 이외에 하기 화학식 9 내지 11로 표시되는 반복 단위 중 어느 1종 이상을 함유할 수 있다.
<화학식 8>
<화학식 9>
<화학식 10>
<화학식 11>
(식 중, R11은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다. XA는 산 불안정기를 나타낸다. YL은 락톤 구조를 갖는 치환기를 나타낸다. ZA는 수소 원자, 탄소수 1 내지 15의 플루오로알킬기 또는 탄소수 1 내지 15의 플루오로알코올 함유 치환기를 나타낸다.)
상기 화학식 8로 표시되는 반복 단위를 함유하는 중합체는 산의 작용으로 분해되어 카르복실산을 발생하고, 알칼리 가용성이 되는 중합체를 제공한다. 산 불안정기 XA로서는 여러 가지 사용할 수 있지만, 구체적으로는 하기 화학식(L1) 내지 (L4)로 표시되는 기, 탄소수 4 내지 20, 바람직하게는 4 내지 15의 3급 알킬기, 각 알킬기가 각각 탄소수 1 내지 6인 트리알킬실릴기, 탄소수 4 내지 20인 옥소알킬기 등을 들 수 있다.
여기서, 파선은 결합손을 나타낸다(이하, 동일함).
또한, 화학식(L1)에 있어서 RL01, RL02는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 18, 바람직하게는 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, n-옥틸기, 노르보르닐기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기, 아다만틸기 등을 예시할 수 있다. RL03은 탄소수 1 내지 18, 바람직하게는 탄소수 1 내지 10의 산소 원자 등의 헤테로 원자를 가질 수 있는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 이들 수소 원자의 일부가 수산기, 알콕시기, 옥소기, 아미노기, 알킬아미노기 등으로 치환된 것을 들 수 있고, 구체적으로는 하기의 치환 알킬기 등을 예시할 수 있다.
RL01과 RL02, RL01과 RL03, RL02와 RL03은 서로 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자나 산소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있고, 환을 형성하는 경우에는 RL01, RL02, RL03 중 환 형성에 관여하는 기는 각각 탄소수 1 내지 18, 바람직하게는 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상 알킬렌기를 나타낸다.
화학식(L2)에 있어서, RL04는 탄소수 4 내지 20, 바람직하게는 4 내지 15의 3 급 알킬기이고, 각 알킬기가 각각 탄소수 1 내지 6의 트리알킬실릴기, 탄소수 4 내지 20의 옥소알킬기 또는 상기 화학식(L1)로 표시되는 기를 나타내고, 3급 알킬기로서는 구체적으로는 tert-부틸기, tert-아밀기, 1,1-디에틸프로필기, 2-시클로펜틸프로판-2-일기, 2-시클로헥실프로판-2-일기, 2-(비시클로[2.2.1]헵탄-2-일)프로판-2-일기, 2-(아다만탄-1-일)프로판-2-일기, 1-에틸시클로펜틸기, 1-부틸시클로펜틸기, 1-에틸시클로헥실기, 1-부틸시클로헥실기, 1-에틸-2-시클로펜테닐기, 1-에틸-2-시클로헥세닐기, 2-메틸-2-아다만틸기, 2-에틸-2-아다만틸기 등을 예시할 수 있고, 트리알킬실릴기로서는, 구체적으로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 디메틸-tert-부틸실릴기 등을 예시할 수 있고, 옥소알킬기로서는, 구체적으로는 3-옥소시클로헥실기, 4-메틸-2-옥소옥산-4-일기, 5-메틸-2-옥소옥솔란-5-일기 등을 예시할 수 있다. y는 0 내지 6의 정수이다.
화학식(L3)에 있어서, RL05는 탄소수 1 내지 8의 치환될 수도 있는 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수도 있는 아릴기를 나타내고, 치환될 수도 있는 알킬기로서는, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, tert-아밀기, n-펜틸기, n-헥실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 이들 수소 원자의 일부가 수산기, 알콕시기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 옥소기, 아미노기, 알킬아미노기, 시아노기, 머캅토기, 알킬티오기, 술포기 등으로 치환된 것 등을 예시할 수 있고, 치환될 수도 있는 아릴기로서는, 구체적으로는 페닐기, 메틸 페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피레닐기 등을 예시할 수 있다. m은 0 또는 1, n은 0, 1, 2, 3 중 어느 것이고, 2m+n=2 또는 3을 만족시키는 수이다.
화학식(L4)에 있어서, RL06은 탄소수 1 내지 8의 치환될 수도 있는 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수도 있는 아릴기를 나타내고, 구체적으로는 RL05와 동일한 것 등을 예시할 수 있다. RL07 내지 RL16은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 1가 탄화수소기를 나타내고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, tert-아밀기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로펜틸에틸기, 시클로펜틸부틸기, 시클로헥실메틸기, 시클로헥실에틸기, 시클로헥실부틸기 등의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 이들 수소 원자의 일부가 수산기, 알콕시기, 카르복시기, 알콕시카르보닐기, 옥소기, 아미노기, 알킬아미노기, 시아노기, 머캅토기, 알킬티오기, 술포기 등으로 치환된 것 등을 예시할 수 있다. RL07 내지 RL16은 이들 중 2개가 서로 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있고(예를 들면, RL07과 RL08, RL07과 RL09, RL08과 RL10, RL09와 RL10, RL11과 RL12, RL13과 RL14 등), 그 경우에는 그의 결합에 관여하는 기는 탄소수 1 내지 15의 2가 탄화수소기를 나타내고, 구체적으로는 상기 1가의 탄화수소기로 예시한 것으로부터 수소 원자를 1개 제거한 것 등을 예시할 수 있다. 또한, RL07 내지 RL16은 인접하는 탄소에 결합하는 것들로 아무것도 개재하지 않고 결합하여 이중 결합을 형성할 수도 있다(예를 들면, RL07과 RL09, RL09와 RL15, RL13과 RL15 등).
상기 화학식(L1)로 표시되는 산 불안정기 중 직쇄상 또는 분지상의 것으로서는, 구체적으로는 하기의 기를 예시할 수 있다.
상기 화학식(L1)로 표시되는 산 불안정기 중 환상의 것으로서는, 구체적으로는 테트라히드로푸란-2-일기, 2-메틸테트라히드로푸란-2-일기, 테트라히드로피란-2-일기, 2-메틸테트라히드로피란-2-일기 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식(L2)의 산 불안정기로서는, 구체적으로는 tert-부톡시카르보닐기, tert-부톡시카르보닐메틸기, tert-아밀옥시카르보닐기, tert-아밀옥시카르보닐메틸기, 1,1-디에틸프로필옥시카르보닐기, 1,1-디에틸프로필옥시카르보닐메틸기, 1-에틸시클로펜틸옥시카르보닐기, 1-에틸시클로펜틸옥시카르보닐메틸기, 1-에틸-2-시클로펜테닐옥시카르보닐기, 1-에틸-2-시클로펜테닐옥시카르보닐메틸기, 1-에톡시에톡시카르보닐메틸기, 2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐메틸기, 2-테트라히드로 푸라닐옥시카르보닐메틸기 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식(L3)의 산 불안정기로서는, 구체적으로는 1-메틸시클로펜틸, 1-에틸시클로펜틸, 1-n-프로필시클로펜틸, 1-이소프로필시클로펜틸, 1-n-부틸시클로펜틸, 1-sec-부틸시클로펜틸, 1-시클로헥실시클로펜틸, 1-(4-메톡시-n-부틸)시클로펜틸, 1-메틸시클로헥실, 1-에틸시클로헥실, 3-메틸-1-시클로펜텐-3-일, 3-에틸-1-시클로펜텐-3-일, 3-메틸-1-시클로헥센-3-일, 3-에틸-1-시클로헥센-3-일 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식(L4)의 산 불안정기로서는, 하기 화학식(L4-1) 내지 (L4-4)로 표시되는 기가 특히 바람직하다.
상기 화학식(L4-1) 내지 (L4-4) 중, 파선은 결합 위치 및 결합 방향을 나타낸다. RL41은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 등의 1가 탄화수소기를 나타내고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, tert-아밀기, n-펜틸기, n-헥실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식(L4-1) 내지 (L4-4)는 에난티오 이성체(enantiomer)나 디아스테레오 이성체(diastereomer)가 존재할 수 있지만, 상기 화학식(L4-1) 내지 (L4-4)는 이들 입체 이성체 모두를 대표하여 나타낸다. 이들 입체 이성체는 단독으로 이용 할 수도 있고, 혼합물로서 이용할 수도 있다.
예를 들면, 상기 화학식(L4-3)은 하기 화학식(L4-3-1), (L4-3-2)로 표시되는 기로부터 선택되는 1종 또는 2종의 혼합물을 대표하여 나타내는 것으로 한다.
또한, 상기 화학식(L4-4)는 하기 화학식(L4-4-1) 내지 (L4-4-4)로 표시되는 기로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 대표하여 나타내는 것으로 한다.
상기 화학식(L4-1) 내지 (L4-4), (L4-3-1), (L4-3-2), 및 화학식(L4-4-1) 내지 (L4-4-4)는 이들 에난티오 이성체 및 에난티오 이성체 혼합물도 대표하여 나타내는 것으로 한다.
또한, 화학식(L4-1) 내지 (L4-4), (L4-3-1), (L4-3-2), 및 화학식(L4-4-1) 내지 (L4-4-4)의 결합 방향이 각각 비시클로[2.2.1]헵탄환에 대하여 엑소측이기 때문에, 산 촉매 이탈 반응에 있어서의 고반응성이 실현된다(일본 특허 공개 제2000-336121호 공보 참조). 이들 비시클로[2.2.1]헵탄 골격을 갖는 3급 엑소-알킬기를 치환기로 하는 단량체의 제조에 있어서, 하기 화학식(L4-1-엔도) 내지 (L4-4-엔도)로 표시되는 엔도-알킬기로 치환된 단량체를 포함하는 경우가 있지만, 양호한 반응성의 실현을 위해서는 엑소 비율이 50 ％ 이상인 것이 바람직하고, 엑소 비율이 80 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
(일본 특허 공개 제2000-336121호 공보 참조)
상기 화학식(L4)의 산 불안정기로서는, 구체적으로는 하기의 기를 예시할 수 있다.
또한, 탄소수 4 내지 20의 3급 알킬기, 각 알킬기가 각각 탄소수 1 내지 6인 트리알킬실릴기, 탄소수 4 내지 20인 옥소알킬기로서는, 구체적으로는 RL04로 예시된 것과 동일한 것 등을 예시할 수 있다.
상기 화학식 8로 표시되는 반복 단위로서 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있지만 이들로 한정되지 않는다.
상기 화학식 9로 표시되는 반복 단위로서 구체적으로는 이하의 것이다.
상기 화학식 10으로 표시되는 반복 단위로서 구체적으로는 이하의 것이다.
상기 화학식 11로 표시되는 반복 단위로서 구체적으로는 이하의 것이다.
본 발명의 레지스트 재료에 이용되는 고분자 화합물은 상기 이외의 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 단량체로부터 얻어지는 반복 단위, 예를 들면 메타크릴산메틸, 크로톤산메틸, 말레산디메틸, 이타콘산디메틸 등의 치환 아크릴산에스테르류, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등의 불포화 카르복실산, 노르보르넨, 노르보르넨 유도체, 테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데센 유도체 등의 환상 올레핀류, 무수 이타콘산 등의 불포화 산 무수물, 그 밖의 단량체로부터 얻어지는 반복 단위를 포함할 수도 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 재료에 이용되는 고분자 화합물은 ArF 노광 이외의 리소그래피, 예를 들면 KrF 리소그래피, 전자선 리소그래피, EUV 리소그래피 등에도 적용이 가능하다.
이 경우, 본 발명의 레지스트 재료에 이용되는 고분자 화합물은 하기 화학식 12 내지 14로 표시되는 반복 단위 중 어느 1종 이상을 함유할 수 있고, 상술한 화 학식 8 내지 11로 표시되는 반복 단위 중 어느 1종 이상을 더 함유할 수도 있다.
<화학식 12>
<화학식 13>
<화학식 14>
(식 중, R11, XA는 상기와 동일하다. G는 산소 원자 또는 카르복실기(-C(=O)O-)를 나타낸다.)
상기 화학식 12로 표시되는 반복 단위를 함유하는 중합체는 산의 작용으로 분해되어 페놀성 수산기 및/또는 카르복실산을 발생하여 알칼리 가용성이 되는 중합체를 제공한다. 산 불안정기 XA로서는 여러 가지 사용할 수 있지만, 구체적으로는 상술한 화학식(L1) 내지 (L4)로 표시되는 기, 탄소수 4 내지 20, 바람직하게는 4 내지 15의 3급 알킬기, 각 알킬기가 각각 탄소수 1 내지 6인 트리알킬실릴기, 탄소수 4 내지 20의 옥소알킬기 등을 들 수 있다.
상기 화학식 12로 표시되는 반복 단위로서 구체적으로는 하기의 것을 예시할 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
또한, 상기 화학식 12 내지 14로 표시되는 반복 단위 중 어느 1종에 더하여 상기 화학식 8 내지 11로 표시되는 반복 단위 중에서, 특히 상기 화학식 8로 표시되는 반복 단위를 함유하는 것을 바람직하게 사용할 수 있다.
따라서, 본 발명에서 사용되는 기재 수지로서는, 하기 화학식 8 및/또는 12로 표시되는 반복 단위와, 하기 화학식 9 내지 11 및 13 및 14로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 갖는 고분자 중합체인 것이 바람직하다.
<화학식 8>
<화학식 9>
<화학식 10>
<화학식 11>
(식 중, R11은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다. XA는 산 불안정기를 나타낸다. YL은 락톤 구조를 갖는 치환기를 나타낸다. ZA는 수소 원자, 탄소수 1 내지 15의 플루오로알킬기 또는 탄소수 1 내지 15의 플루오로알코올 함유 치환기를 나타낸다.)
<화학식 12>
<화학식 13>
<화학식 14>
(식 중, R11, XA는 상기와 동일하다. G는 산소 원자 또는 카르복실기(-C(=O)O-)를 나타낸다.)
본 발명의 레지스트 재료에 이용되는 상기 화학식 12 내지 14로 표시되는 반복 단위 중 어느 1종 이상을 함유하는 고분자 화합물에는, 상기 이외의 탄소-탄소이중 결합을 함유하는 단량체로부터 얻어지는 반복 단위, 예를 들면 메타크릴산메틸, 크로톤산메틸, 말레산디메틸, 이타콘산디메틸 등의 치환 아크릴산에스테르류, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등의 불포화 카르복실산, 노르보르넨, 노르보르넨 유도체, 테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데센 유도체, 노르보르나디엔류 등의 환상 올레핀류, 무수 이타콘산 등의 불포화산 무수물, 스티렌, 아세나프틸렌, 비닐나프탈렌, 히드록시비닐나프탈렌, 그 밖의 단량체로부터 얻어지는 반복 단위를 포함할 수도 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 재료에 이용되는 고분자 화합물의 중량 평균 분자량은 1,000 내지 500,000, 바람직하게는 3,000 내지 100,000이다. 이 범위를 벗어 나면, 에칭 내성이 극단적으로 저하되거나, 노광 전후의 용해 속도차를 확보할 수 없게 되어 해상성이 저하되거나 하는 경우가 있다. 분자량의 측정 방법은 폴리스티렌 환산에 의한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)나 광 산란법 등을 들 수 있다.
본 발명의 레지스트 재료에 이용되는 고분자 화합물에 있어서, 각 단량체로부터 얻어지는 각 반복 단위의 바람직한 함유 비율은, 예를 들면 이하에 나타내는 범위(몰％)로 할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
(I) 상기 화학식 8 및/또는 12로 표시되는 구성 단위의 1종 또는 2종 이상을 1 몰％ 초과 50 몰％ 이하, 바람직하게는 5 내지 40 몰％, 보다 바람직하게는 10 내지 30 몰％ 함유하고,
(II) 상기 화학식 9 내지 11 및/또는 13, 14로 표시되는 구성 단위의 1종 또는 2종 이상을 50 내지 99 몰％, 바람직하게는 60 내지 95 몰％, 보다 바람직하게는 70 내지 90 몰％ 함유하고, 필요에 따라서
(III) 그 밖의 단량체에 기초하는 구성 단위의 1종 또는 2종 이상을 0 내지 80 몰％, 바람직하게는 0 내지 70 몰％, 보다 바람직하게는 0 내지 50 몰％ 함유할 수 있다.
본 발명의 레지스트 재료에 이용되는 고분자 화합물을 제조하는 공중합 반응은 여러 가지 예시할 수 있지만, 바람직하게는 라디칼 중합, 음이온 중합 또는 배위 중합이다.
라디칼 중합 반응의 반응 조건은 (가) 용제로서 벤젠 등의 탄화수소류, 테트라히드로푸란 등의 에테르류, 에탄올 등의 알코올류, 또는 메틸이소부틸케톤 등의 케톤류를 이용하고, (나) 중합 개시제로서 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물, 또는 과산화벤조일, 과산화라우로일 등의 과산화물을 이용하며, (다) 반응 온도를 0 내지 100 ℃ 정도로 유지하고, (라) 반응 시간을 0.5 내지 48 시간 정도로 하는 것이 바람직하지만, 이 범위를 벗어나는 경우를 배제하는 것은 아니다.
음이온 중합 반응의 반응 조건은 (가) 용제로서 벤젠 등의 탄화수소류, 테트라히드로푸란 등의 에테르류, 또는 액체 암모니아를 이용하고, (나) 중합 개시제로서 나트륨, 칼륨 등의 금속, n-부틸리튬, sec-부틸리튬 등의 알킬 금속, 케틸, 또는 그리냐르 반응제를 이용하며, (다) 반응 온도를 -78 내지 0 ℃ 정도로 유지하고, (라) 반응 시간을 0.5 내지 48 시간 정도로 하며, (마) 정지제로서 메탄올 등의 양성자 공여성 화합물, 요오드화메틸 등의 할로겐화물, 그 밖의 친전자성 물질을 이용하는 것이 바람직하지만, 이 범위를 벗어나는 경우를 배제하는 것은 아니다.
배위 중합의 반응 조건은 (가) 용제로서 n-헵탄, 톨루엔 등의 탄화수소류를 이용하고, (나) 촉매로서 티탄 등의 전이 금속과 알킬알루미늄으로 이루어지는 지글러-나타 촉매, 크롬 및 니켈 화합물을 금속 산화물에 담지한 필립스 촉매, 텅스텐 및 레늄 혼합 촉매로 대표되는 올레핀-복분해 혼합 촉매 등을 이용하며, (다) 반응 온도를 0 내지 100 ℃ 정도로 유지하고, (라) 반응 시간을 0.5 내지 48 시간 정도로 하는 것이 바람직하지만, 이 범위를 벗어나는 경우를 배제하는 것은 아니다.
또한, 상기 중합 방법에 의해 제조한 고분자 화합물의 산 불안정기의 일부 또는 전부를 탈보호하여 후술하는 네가티브형 재료에 사용할 수 있다. 또한 산 불안정기를 탈보호한 고분자 화합물에 다시 산 불안정기를 도입하여, 중합시에 도입한 산 불안정기와는 다른 치환기를 도입할 수도 있다.
예를 들면, 4-에톡시에톡시스티렌을 상술한 라디칼 중합에 의해 고분자 화합물로 하고, 이어서 아세트산, 피리디늄토실레이트 등에 의해 에톡시에톡시기를 제거하여 폴리히드록시스티렌과의 공중합체로 할 수 있다. 이것은 네가티브형 레지스트 재료의 기재 수지로서 사용할 수 있다. 또한, 상기 공중합체의 히드록시스티렌 단위를 디 tert-부틸디카르보네이트, 클로로아세트산 tert-부틸, 각종 비닐에테르 등과 반응시킴으로써 중합시의 산 불안정기(에톡시에톡시기)와는 다른 산 불안정기의 도입을 행할 수 있다.
또한, 개환복분해 중합체의 수소 첨가물의 합성법은 일본 특허 공개 제2003-66612호 공보의 실시예에 구체적인 기재가 있다. 또한, 구체적인 예로서는 이하의 반복 단위를 갖는 것을 들 수 있지만 이것으로 한정되지 않는다.
또한, 상기 고분자 화합물은 1종으로 한정되지 않고 2종 이상을 첨가할 수 있다. 복수종의 고분자 화합물을 이용함으로써 레지스트 재료의 성능을 조정할 수 있다.
또한, 본 발명의 레지스트 재료에는, (D) 성분인 억제제를 1종 또는 2종 이 상 배합할 수 있다.
억제제란, 본 기술 분야에서 널리 일반적으로 이용되는 용어이고, 산발생제로부터 발생하는 산 등이 레지스트막 중에 확산될 때의 확산 속도를 억제할 수 있는 화합물을 말한다. 억제제의 배합에 의해, 레지스트 감도의 조정이 용이해질 뿐 아니라, 레지스트막 중에서의 산의 확산 속도가 억제되어 해상도가 향상되고, 노광 후의 감도 변화를 억제하거나, 기판이나 환경 의존성을 적게 하며, 노광 여유도나 패턴 프로파일 등을 향상시킬 수 있다.
이러한 억제제로서는, 1급, 2급, 3급 지방족 아민류, 혼성 아민류, 방향족 아민류, 복소환 아민류, 카르복시기를 갖는 질소 함유 화합물, 술포닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 수산기를 갖는 질소 함유 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물, 아미드류, 이미드류, 카바메이트류, 암모늄염류 등을 들 수 있다.
또한, 하기 화학식(B)-1로 표시되는 아민 화합물이 예시된다.
(상기 식 중, n=1, 2 또는 3이다. 측쇄 X는 동일하거나 또는 상이할 수도 있고, 하기 화학식(X)-1 내지 (X)-3으로 표시할 수 있다. 측쇄 Y는 동일하거나 또는 상이한 수소 원자 또는 직쇄상, 분지상 또는 환상의, 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 나타내고, 에테르기 또는 히드록실기를 포함할 수도 있다. 또한, X끼리 결합하여 환을 형성할 수도 있다.
여기서 R300, R302, R305는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상 알킬렌기이고, R301, R304는 수소 원자, 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 50의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기, 락톤환을 1개 또는 복수개 포함할 수도 있다.
R303은 단결합, 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상 알킬렌기이고, R306은 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 50의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 히드록시기, 에테르기, 에스테르기 또는 락톤환을 1개 또는 복수개 포함할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식(B)-2로 표시되는 환상 구조를 갖는 아민 화합물이 예시된다.
(상기 식 중, X는 상술한 바와 같고, R307은 탄소수 2 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환될 수도 있는 알킬렌기이고, 카르보닐기, 에테르기, 에스테르기 또는 술피드를 1개 또는 복수개 포함할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식(B)-3 내지 (B)-6으로 표시되는 시아노기를 포함하는 아민 화합물이 예시된다.
(상기 식 중, X, R307, n은 상술한 바와 같고, R308, R309는 동일하거나 또는 상이한 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상 알킬렌기이다.)
또한, 하기 화학식(B)-7로 표시되는 이미다졸 골격 및 극성 관능기를 갖는 아민 화합물이 예시된다.
(상기 식 중, R310은 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 2 내지 50의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 에스테르기, 아세탈기, 시아노기, 수산기, 카르보닐기, 에테르기, 술피드기, 카르보네이트기 등의 극성 관능기를 1개 이상 포함할 수도 있다. R311, R312, R313은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기이다.)
또한, 하기 화학식(B)-8로 표시되는 벤즈이미다졸 골격 및 극성 관능기를 갖는 아민 화합물이 예시된다.
(상기 식 중, R314는 수소 원자, 탄소수 1 내지 50의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 아릴기 또는 아르알킬기이다. R315는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 50의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이고, 에스테르기, 아세탈기, 시아노기, 수산기, 카르보닐기, 에테르기, 술피드기, 카르보네이트기 등의 극성 관능기를 1개 이상 포함할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식(B)-9 및 (B)-10으로 표시되는 극성 관능기를 갖는 질소 함유 복소환 화합물이 예시된다.
(상기 식 중, A는 질소 원자 또는 ≡C-R322이다. B는 질소 원자 또는 ≡C-R323이다. R316은 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 2 내지 50의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 극성 관능기를 갖는 알킬기이고, 에스테르기, 아세탈기, 시아노기, 수산기, 카르보닐기, 에테르기, 술피드기, 카르보네이트기 등의 극성 관능기를 1개 이상 포함할 수도 있다. R317, R318, R319, R320은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 아릴기이거나, 또는 R317과 R318, R319와 R320은 각각 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 벤젠환, 나프탈렌환 또는 피리딘환을 형성할 수도 있다. R321은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 아릴기이다. R322, R323은 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 아릴기이다. R321과 R323은 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 벤젠환 또는 나프탈렌환을 형성할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식(B)-11 내지 (B)-14로 표시되는 방향족 카르복실산에스테르 구조를 갖는 아민 화합물이 예시된다.
(상기 식 중, R324는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 4 내지 20의 헤테로 방향족기이며, 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 아실옥시기, 또는, 탄소수 1 내지 10의 알킬티오기로 치환될 수도 있다. R325는 CO2R326, OR327 또는 시아노기이다. R326은 일부 메틸렌기가 산소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 10의 알킬기이다. R327은 일부 메틸렌기가 산소 원자로 치환될 수도 있는 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 아실기이다. R328은 단일 결합, 메틸렌기, 에틸렌기, 황 원자 또는 -O(CH2CH2O)n-기이다. n=0, 1, 2, 3 또는 4이다. R329는 수소 원자, 메틸기, 에틸기 또는 페닐기이다. X는 질소 원자 또는 CR330이다. Y는 질소 원자 또는 CR331이다. Z는 질소 원자 또는 CR332이다. R330, R331, R332는 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기 또는 페닐기이거나, 또는 R330과 R331 또는 R331과 R332가 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 탄소수 6 내지 20의 방향환 또는 탄소수 2 내지 20의 헤테로 방향환을 형성할 수도 있다.)
또한, 하기 화학식(B)-15로 표시되는 7-옥사노르보르난-2-카르복실산에스테르 구조를 갖는 아민 화합물이 예시된다.
(상기 식 중, R333은 수소 또는 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기이다. R334 및 R335는 각각 독립적으로 에테르, 카르보닐, 에스테르, 알코올, 술피드, 니트릴, 아민, 이민, 아미드 등의 극성 관능기를 1개 또는 복수개 포함할 수 있는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 또는 탄소수 7 내지 20의 아르알킬기이며, 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환될 수도 있다. R334와 R335는 상호 결합하여 이들이 결합하는 질소 원자와 함께 탄소수 2 내지 20의 헤테로환 또는 헤테로 방향환을 형성할 수도 있다.)
이하, 본 발명에서 바람직하게 사용되는 억제제를 구체적으로 예시하지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
1급 지방족 아민류로서, 메틸아민, 에틸아민, n-프로필아민, 이소프로필아 민, n-부틸아민, 이소부틸아민, sec-부틸아민, tert-부틸아민, 펜틸아민, tert-아밀아민, 시클로펜틸아민, 헥실아민, 시클로헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 노닐아민, 데실아민, 도데실아민, 세틸아민, 메틸렌디아민, 에틸렌디아민, 테트라에틸렌펜타민 등이 예시되고, 2급 지방족 아민류로서, 디메틸아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디이소프로필아민, 디-n-부틸아민, 디이소부틸아민, 디-sec-부틸아민, 디펜틸아민, 디시클로펜틸아민, 디헥실아민, 디시클로헥실아민, 디헵틸아민, 디옥틸아민, 디노닐아민, 디데실아민, 디도데실아민, 디세틸아민, N,N'-디메틸메틸렌디아민, N,N'-디메틸에틸렌디아민, 디메틸테트라에틸렌펜타민 등이 예시되고, 3급 지방족 아민류로서, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리이소프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리이소부틸아민, 트리-sec-부틸아민, 트리펜틸아민, 트리시클로펜틸아민, 트리헥실아민, 트리시클로헥실아민, 트리헵틸아민, 트리옥틸아민, 트리노닐아민, 트리데실아민, 트리도데실아민, 트리세틸아민, N,N,N',N'-테트라메틸메틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라메틸테트라에틸렌펜타민 등이 예시된다.
또한, 혼성 아민류로서는, 예를 들면 디메틸에틸아민, 메틸에틸프로필아민, 벤질아민, 페네틸아민, 벤질디메틸아민 등이 예시된다. 방향족 아민류 및 복소환 아민류의 구체적인 예로서는, 아닐린 유도체(예를 들면 아닐린, N-메틸아닐린, N-에틸아닐린, N-프로필아닐린, N,N-디메틸아닐린, N,N-비스(히드록시에틸)아닐린, 2-메틸아닐린, 3-메틸아닐린, 4-메틸아닐린, 에틸아닐린, 프로필아닐린, 디메틸아닐린, 2,6-디이소프로필아닐린, 트리메틸아닐린, 2-니트로아닐린, 3-니트로아닐린, 4-니트로아닐린, 2,4-디니트로아닐린, 2,6-디니트로아닐린, 3,5-디니트로아닐린, N,N-디메틸톨루이딘 등), 디페닐(p-톨릴)아민, 메틸디페닐아민, 트리페닐아민, 페닐렌디아민, 나프틸아민, 디아미노나프탈렌, 피롤 유도체(예를 들면 피롤-2H-피롤, 1-메틸피롤, 2,4-디메틸피롤, 2,5-디메틸피롤, N-메틸피롤 등), 옥사졸 유도체(예를 들면 옥사졸, 이소옥사졸 등), 티아졸 유도체(예를 들면 티아졸, 이소티아졸 등), 이미다졸 유도체(예를 들면 이미다졸, 4-메틸이미다졸, 4-메틸-2-페닐이미다졸 등), 피라졸 유도체, 푸라잔 유도체, 피롤린 유도체(예를 들면 피롤린, 2-메틸-1-피롤린 등), 피롤리딘 유도체(예를 들면 피롤리딘, N-메틸피롤리딘, 피롤리디논, N-메틸피롤리돈 등), 이미다졸린 유도체, 이미다졸리딘 유도체, 피리딘 유도체(예를 들면 피리딘, 메틸피리딘, 에틸피리딘, 프로필피리딘, 부틸피리딘, 4-(1-부틸펜틸)피리딘, 디메틸피리딘, 트리메틸피리딘, 트리에틸피리딘, 페닐피리딘, 3-메틸-2-페닐피리딘, 4-tert-부틸피리딘, 디페닐피리딘, 벤질피리딘, 메톡시피리딘, 부톡시피리딘, 디메톡시피리딘, 4-피롤리디노피리딘, 2-(1-에틸프로필)피리딘, 아미노피리딘, 디메틸아미노피리딘 등), 피리다진 유도체, 피리미딘 유도체, 피라진 유도체, 피라졸린 유도체, 피라졸리딘 유도체, 피페리딘 유도체, 피페라진 유도체, 모르폴린 유도체, 인돌 유도체, 이소인돌 유도체, 1H-인다졸 유도체, 인돌린 유도체, 퀴놀린 유도체(예를 들면 퀴놀린, 3-퀴놀린카르보니트릴 등), 이소퀴놀린 유도체, 신놀린 유도체, 퀴나졸린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 프탈라진 유도체, 푸린 유도체, 프테리딘 유도체, 카르바졸 유도체, 페난트리딘 유도체, 아크리딘 유도체, 페나진 유도체, 1,10-페난트롤린 유도체, 아데닌 유도체, 아데노신 유도체, 구아닌 유도체, 구아노신 유도체, 우라실 유도체, 우리딘 유도체 등이 예시된다.
또한, 카르복시기를 갖는 질소 함유 화합물로서는, 예를 들면 아미노벤조산, 인돌카르복실산, 아미노산 유도체(예를 들면 니코틴산, 알라닌, 아르기닌, 아스파라긴산, 글루탐산, 글리신, 히스티딘, 이소류신, 글리실류신, 류신, 메티오닌, 페닐알라닌, 트레오닌, 리신, 3-아미노피라진-2-카르복실산, 메톡시알라닌) 등이 예시되고, 술포닐기를 갖는 질소 함유 화합물로서 3-피리딘술폰산 등이 예시되고, 수산기를 갖는 질소 함유 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 질소 함유 화합물, 알코올성 질소 함유 화합물로서는, 2-히드록시피리딘, 아미노크레졸, 2,4-퀴놀린디올, 3-인돌메탄올히드레이트, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 트리이소프로판올아민, 2,2'-이미노디에탄올, 2-아미노에탄올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 4-(2-히드록시에틸)모르폴린, 2-(2-히드록시에틸)피리딘, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-[2-(2-히드록시에톡시)에틸]피페라진, 피페리딘에탄올, 1-(2-히드록시에틸)피롤리딘, 1-(2-히드록시에틸)-2-피롤리디논, 3-피페리디노-1,2-프로판디올, 3-피롤리디노-1,2-프로판디올, 8-히드록시유롤리딘, 3-퀴누클리딘올, 3-트로판올, 1-메틸-2-피롤리딘에탄올, 1-아지리딘에탄올, N-(2-히드록시에틸)프탈이미드, N-(2-히드록시에틸)이소니코틴아미드 등이 예시된다. 아미드류로서는, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 프로피온아미드, 벤즈아미드, 1-시클로헥실피롤리돈 등이 예시된다. 이미드류로서는, 프탈이미드, 숙신이미드, 말레이미드 등이 예시된다. 카바메이트류로서는, N- t-부톡시카르보닐-N,N-디시클로헥실아민, N-t-부톡시카르보닐벤즈이미다졸, 옥사졸리디논 등이 예시된다.
암모늄염류로서는, 피리디늄=p-톨루엔술포네이트, 트리에틸암모늄=p-톨루엔술포네이트, 트리옥틸암모늄=p-톨루엔술포네이트, 트리에틸암모늄=2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 트리옥틸암모늄=2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 트리에틸암모늄=캄포술포네이트, 트리옥틸암모늄=캄포술포네이트, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드, 벤질트리메틸암모늄히드록시드, 테트라메틸암모늄=p-톨루엔술포네이트, 테트라부틸암모늄=p-톨루엔술포네이트, 벤질트리메틸암모늄=p-톨루엔술포네이트, 테트라메틸암모늄=캄포술포네이트, 테트라부틸암모늄=캄포술포네이트, 벤질트리메틸암모늄=캄포술포네이트, 테트라메틸암모늄=2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 테트라부틸암모늄=2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 벤질트리메틸암모늄=2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 아세트산=테트라메틸암모늄, 아세트산=테트라부틸암모늄, 아세트산=벤질트리메틸암모늄, 벤조산=테트라메틸암모늄, 벤조산=테트라부틸암모늄, 벤조산=벤질트리메틸암모늄 등이 예시된다.
3급 아민류로서는, 또한 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-히드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 4,7,13,16,21,24-헥사옥사-1,10-디아자비시클로[8.8.8]헥사코산, 4,7,13,18-테트라 옥사-1,10-디아자비시클로[8.5.5]에이코산, 1,4,10,13-테트라옥사-7,16-디아자비시클로옥타데칸, 1-아자-12-크라운-4, 1-아자-15-크라운-5, 1-아자-18-크라운-6, 트리스(2-포르밀옥시에틸)아민, 트리스(2-아세톡시에틸)아민, 트리스(2-프로피오닐옥시에틸)아민, 트리스(2-부티릴옥시에틸)아민, 트리스(2-이소부티릴옥시에틸)아민, 트리스(2-발레릴옥시에틸)아민, 트리스(2-피발로일옥시에틸)아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(아세톡시아세톡시)에틸아민, 트리스(2-메톡시카르보닐옥시에틸)아민, 트리스(2-tert-부톡시카르보닐옥시에틸)아민, 트리스[2-(2-옥소프로폭시)에틸]아민, 트리스[2-(메톡시카르보닐메틸)옥시에틸]아민, 트리스[2-(tert-부톡시카르보닐메틸옥시)에틸]아민, 트리스[2-(시클로헥실옥시카르보닐메틸옥시)에틸]아민, 트리스(2-메톡시카르보닐에틸)아민, 트리스(2-에톡시카르보닐에틸)아민, 트리스(2-벤조일옥시에틸)아민, 트리스[2-(4-메톡시벤조일옥시)에틸]아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(2-히드록시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-아세톡시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-[(메톡시카르보닐)메톡시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-[(메톡시카르보닐)메톡시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(2-옥소프로폭시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(2-옥소프로폭시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(테트라히드로푸르푸릴옥시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-(테트라히드로푸르푸릴옥시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-[(2-옥소테트라히드로푸란-3-일)옥시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-아세톡시에틸)2-[(2-옥소테트라히드로푸란-3-일)옥시카르보닐]에틸아민, N,N-비스(2-히드록시에틸)2-(4-히드록시부톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)2-(4-포르밀옥시부톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)2-(2-포르밀옥시에톡시카르보닐)에틸아민, N,N-비스(2-메톡시에틸)2-(메톡시카르보닐)에틸아민, N-(2-히드록시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-아세톡시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-히드록시에틸)비스[2-(에톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-아세톡시에틸)비스[2-(에톡시카르보닐)에틸]아민, N-(3-히드록시-1-프로필)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(3-아세톡시-1-프로필)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-(2-메톡시에틸)비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-부틸비스[2-(메톡시카르보닐)에틸]아민, N-부틸비스[2-(2-메톡시에톡시카르보닐)에틸]아민, N-메틸비스(2-아세톡시에틸)아민, N-에틸비스(2-아세톡시에틸)아민, N-메틸비스(2-피발로일옥시에틸)아민, N-에틸비스[2-(메톡시카르보닐옥시)에틸]아민, N-에틸비스[2-(tert-부톡시카르보닐옥시)에틸]아민, 트리스(메톡시카르보닐메틸)아민, 트리스(에톡시카르보닐메틸)아민, N-부틸비스(메톡시카르보닐메틸)아민, N-헥실비스(메톡시카르보닐메틸)아민, β-(디에틸아미노)-δ-발레로락톤이 예시된다.
또한, 1-[2-(메톡시메톡시)에틸]피롤리딘, 1-[2-(메톡시메톡시)에틸]피페리딘, 4-[2-(메톡시메톡시)에틸]모르폴린, 1-[2-(메톡시메톡시)에틸]이미다졸, 1-[2- (메톡시메톡시)에틸]벤즈이미다졸, 1-[2-(메톡시메톡시)에틸]-2-페닐벤즈이미다졸, 1-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]피롤리딘, 1-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]피페리딘, 4-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]모르폴린, 1-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]이미다졸, 1-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]벤즈이미다졸, 1-[2-[(2-메톡시에톡시)메톡시]에틸]-2-페닐벤즈이미다졸, 1-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에틸]피롤리딘, 1-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에틸]피페리딘, 4-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에틸]모르폴린, 1-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에틸]이미다졸, 1-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에틸]벤즈이미다졸, 1-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에틸]-2-페닐벤즈이미다졸, 1-[2-[2-(2-부톡시에톡시)에톡시]에틸]피롤리딘, 1-[2-[2-(2-부톡시에톡시)에톡시]에틸]피페리딘, 4-[2-[2-(2-부톡시에톡시)에톡시]에틸]모르폴린, 1-[2-[2-(2-부톡시에톡시)에톡시]에틸]이미다졸, 1-[2-[2-(2-부톡시에톡시)에톡시]에틸]벤즈이미다졸, 1-[2-[2-(2-부톡시에톡시)에톡시]에틸]-2-페닐벤즈이미다졸, 1-[2-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에톡시]에틸]피롤리딘, 1-[2-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에톡시]에틸]피페리딘, 4-[2-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에톡시]에틸]모르폴린, 1-[2-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에톡시]에틸]이미다졸, 1-[2-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에톡시]에틸]벤즈이미다졸, 1-[2-[2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]에톡시]에틸]-2-페닐벤즈이미다졸, 4-[2-{2-[2-(2-부톡시에톡시)에톡시]에톡시}에틸]모르폴린, 아세트산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 아세트산 2-피페리디노에틸, 아세트산 2-모르폴리노에틸, 아세트산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 아세트산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 아세트산 2-(2-페닐-1-벤즈 이미다졸릴)에틸, 모르폴리노아세트산 2-메톡시에틸, 2-메톡시아세트산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 2-메톡시아세트산 2-피페리디노에틸, 2-메톡시아세트산 2-모르폴리노에틸, 2-메톡시아세트산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 2-메톡시아세트산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 2-메톡시아세트산 2-(2-페닐-1-벤즈이미다졸릴)에틸, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산 2-피페리디노에틸, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산 2-모르폴리노에틸, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 2-(2-메톡시에톡시)아세트산 2-(2-페닐-1-벤즈이미다졸릴)에틸, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산 2-피페리디노에틸, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산 2-모르폴리노에틸, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 2-[2-(2-메톡시에톡시)에톡시]아세트산 2-(2-페닐-1-벤즈이미다졸릴)에틸, 부티르산 2-모르폴리노에틸, 헥산산 2-모르폴리노에틸, 옥탄산 2-모르폴리노에틸, 데칸산 2-모르폴리노에틸, 라우르산 2-모르폴리노에틸, 미리스트산 2-모르폴리노에틸, 팔미트산 2-모르폴리노에틸, 스테아르산 2-모르폴리노에틸, 베헨산 2-모르폴리노에틸, 콜산 2-모르폴리노에틸, 트리스(O-아세틸)콜산 2-모르폴리노에틸, 트리스(O-포르밀)콜산 2-모르폴리노에틸, 디히드로콜산 2-모르폴리노에틸, 시클로펜탄카르복실산 2-모르폴리노에틸, 시클로헥산카르복실산 2-모르폴리노에틸, 7-옥사노르보르난-2-카르복실산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 7-옥사노르보르난-2-카르복실산 2-피페리디노에틸, 7-옥사노르보르난-2-카르 복실산 2-모르폴리노에틸, 7-옥사노르보르난-2-카르복실산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 7-옥사노르보르난-2-카르복실산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 7-옥사노르보르난-2-카르복실산 2-(2-페닐-1-벤즈이미다졸릴)에틸, 아다만탄카르복실산 2-모르폴리노에틸, 포름산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 프로피온산 2-피페리디노에틸, 아세톡시아세트산 2-모르폴리노에틸, 메톡시아세트산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 벤조산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 벤조산 2-피페리디노에틸, 벤조산 2-모르폴리노에틸, 벤조산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 벤조산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 벤조산 2-(2-페닐-1-벤즈이미다졸릴)에틸, 4-메톡시벤조산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 4-메톡시벤조산 2-피페리디노에틸, 4-메톡시벤조산 2-모르폴리노에틸, 4-메톡시벤조산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 4-메톡시벤조산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 4-메톡시벤조산 2-(2-페닐-1-벤즈이미다졸릴)에틸, 4-페닐벤조산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 4-페닐벤조산 2-피페리디노에틸, 4-페닐벤조산 2-모르폴리노에틸, 4-페닐벤조산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 4-페닐벤조산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 4-페닐벤조산 2-(2-페닐-1-벤즈이미다졸릴)에틸, 1-나프탈렌카르복실산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 1-나프탈렌카르복실산 2-피페리디노에틸, 1-나프탈렌카르복실산 2-모르폴리노에틸, 1-나프탈렌카르복실산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 1-나프탈렌카르복실산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 1-나프탈렌카르복실산 2-(2-페닐-1-벤즈이미다졸릴)에틸, 2-나프탈렌카르복실산 2-(1-피롤리디닐)에틸, 2-나프탈렌카르복실산 2-피페리디노에틸, 2-나프탈렌카르복실산 2-모르폴리노에틸, 2-나프탈렌카르복실산 2-(1-이미다졸릴)에틸, 2-나프탈렌카르복실산 2-(1-벤즈이미다졸릴)에틸, 2-나프탈렌카르복실산 2-(2-페닐-1-벤즈이미다졸릴)에틸, 4-[2-(메톡 시카르보닐옥시)에틸]모르폴린, 1-[2-(t-부톡시카르보닐옥시)에틸]피페리딘, 4-[2-(2-메톡시에톡시카르보닐옥시)에틸]모르폴린, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산메틸, 3-피페리디노프로피온산메틸, 3-모르폴리노프로피온산메틸, 3-(티오모르폴리노)프로피온산메틸, 2-메틸-3-(1-피롤리디닐)프로피온산메틸, 3-모르폴리노프로피온산에틸, 3-피페리디노프로피온산메톡시카르보닐메틸, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산 2-히드록시에틸, 3-모르폴리노프로피온산 2-아세톡시에틸, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산 2-옥소테트라히드로푸란-3-일, 3-모르폴리노프로피온산테트라히드로푸르푸릴, 3-피페리디노프로피온산글리시딜, 3-모르폴리노프로피온산 2-메톡시에틸, 3-(1-피롤리디닐)프로피온산 2-(2-메톡시에톡시)에틸, 3-모르폴리노프로피온산부틸, 3-피페리디노프로피온산시클로헥실, α-(1-피롤리디닐)메틸-γ-부티로락톤, β-피페리디노-γ-부티로락톤, β-모르폴리노-δ-발레로락톤, 1-피롤리디닐아세트산메틸, 피페리디노아세트산메틸, 모르폴리노아세트산메틸, 티오모르폴리노아세트산메틸, 1-피롤리디닐아세트산에틸이 예시된다.
또한, 3-(디에틸아미노)프로피오노니트릴, N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-아세톡시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-시아노에틸)-N-(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-아세톡시에틸)-N-(2-시아노에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-시아노에틸)-N-에틸-3-아미노프로피오노니트릴, N- (2-시아노에틸)-N-(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-아세톡시에틸)-N-(2-시아노에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(3-히드록시-1-프로필)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(3-아세톡시-1-프로필)-N-(2-시아노에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-(3-포르밀옥시-1-프로필)-3-아미노프로피오노니트릴, N-(2-시아노에틸)-N-테트라히드로푸르푸릴-3-아미노프로피오노니트릴, N,N-비스(2-시아노에틸)-3-아미노프로피오노니트릴, 디에틸아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-히드록시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-아세톡시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스(2-메톡시에틸)아미노아세토니트릴, N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-시아노메틸-N-(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산메틸, N-(2-아세톡시에틸)-N-시아노메틸-3-아미노프로피온산메틸, N-시아노메틸-N-(2-히드록시에틸)아미노아세토니트릴, N-(2-아세톡시에틸)-N-(시아노메틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(2-포르밀옥시에틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(2-메톡시에틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-[2-(메톡시메톡시)에틸]아미노아세토니트릴, N-(시아노메틸)-N-(3-히드록시-1-프로필)아미노아세토니트릴, N-(3-아세톡시-1-프로필)-N-(시아노메틸)아미노아세토니트릴, N-시아노메틸-N-(3-포르밀옥시-1-프로필)아미노아세토니트릴, N,N-비스(시아노메틸)아미노아세토니트릴, 1- 피롤리딘프로피오노니트릴, 1-피페리딘프로피오노니트릴, 4-모르폴린프로피오노니트릴, 1-피롤리딘아세토니트릴, 1-피페리딘아세토니트릴, 4-모르폴린아세토니트릴, 3-디에틸아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-아세톡시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산시아노메틸, N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피온산시아노메틸, 3-디에틸아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-아세톡시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-포르밀옥시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스(2-메톡시에틸)-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), N,N-비스[2-(메톡시메톡시)에틸]-3-아미노프로피온산(2-시아노에틸), 1-피롤리딘프로피온산시아노메틸, 1-피페리딘프로피온산시아노메틸, 4-모르폴린프로피온산시아노메틸, 1-피롤리딘프로피온산(2-시아노에틸), 1-피페리딘프로피온산(2-시아노에틸), 4-모르폴린프로피온산(2-시아노에틸)이 예시된다.
또한, 억제제의 배합량은 전체 기재 수지 100 부에 대하여 0.001 내지 5 부, 특히 0.01 내지 3 부인 것이 바람직하다. 배합량이 0.001 부보다 적으면 배합 효과가 없고, 5 부를 초과하면 감도가 너무 저하되는 경우가 있다.
본 발명의 레지스트 재료에는, 상기 성분 이외에 임의 성분으로서 도포성을 향상시키기 위해서 관용되고 있는 계면활성제(E)를 첨가할 수 있다. 또한, 임의 성분의 첨가량은 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 통상량으로 할 수 있 다.
계면활성제의 예로서는 특별히 한정되지 않지만, 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌세틸에테르, 폴리옥시에틸렌올레인에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 블럭 공중합체류, 소르비탄모노라우레이트, 소르비탄모노팔미테이트, 소르비탄모노스테아레이트 등의 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리올레에이트, 폴리옥시에틸렌소르비탄트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르의 비이온계 계면활성제, 에프톱 EF301, EF303, EF352((주)제무코 제조), 메가팩 F171, F172, F173, R08, R30, R90, R94(다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조), 플로라이드 FC-430, FC-431, FC-4430, FC-4432(스미또모 쓰리엠(주) 제조), 아사히가드 AG710, 서플론 S-381, S-382, S-386, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106, KH-10, KH-20, KH-30, KH-40(아사히 가라스(주) 제조), 서피놀 E1004(닛신 가가꾸 고교(주) 제조) 등의 불소계 계면활성제, 오르가노실록산 중합체 KP341, X-70-092, X-70-093(신에쓰 가가꾸 고교(주) 제조), 아크릴산계 또는 메타크릴산계 폴리플로우 No.75, No.95(교에이샤 유시 가가꾸 고교(주) 제조)를 들 수 있고, 또한 하기 구조식(surf-1)의 부분 불소화 옥세탄 개환 중합물계 계면활성제도 바람직하게 이용된다.
여기서, R, Rf, A, B, C, m', n'는 상술한 계면활성제 이외의 기재에 상관없이 상기 화학식(surf-1)에만 적용된다. R은 2 내지 4가의 탄소수 2 내지 5의 지방족기를 나타내고, 구체적으로는 2가의 것으로서 에틸렌, 1,4-부틸렌, 1,2-프로필렌, 2,2-디메틸-1,3-프로필렌, 1,5-펜틸렌을 들 수 있고, 3 또는 4가의 것으로서는 하기의 것을 들 수 있다.
(식 중, 파선은 결합손을 나타내고, 각각 글리세롤, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 펜타에리트리톨로부터 파생한 부분 구조이다.)
이들 중에서 바람직하게 이용되는 것은 1,4-부틸렌 또는 2,2-디메틸-1,3-프로필렌이다.
Rf는 트리플루오로메틸기 또는 펜타플루오로에틸기를 나타내고, 바람직하게는 트리플루오로메틸기이다. m'는 0 내지 3의 정수, n'는 1 내지 4의 정수이고, m'와 n'의 합은 R의 가수를 나타내고, 2 내지 4의 정수이다. A는 1, B는 2 내지 25의 정수, C는 0 내지 10의 정수를 나타낸다. 바람직하게는 B는 4 내지 20의 정수를 나타내고, C는 0 또는 1이다. 또한, 상기 구조의 각 구성 단위는 그의 배열을 규정한 것이 아니라 블럭적이라도 랜덤적으로 결합할 수도 있다. 부분 불소화 옥세탄 개환 중합물계 계면활성제의 제조에 대해서는 미국 특허 제5,650,483호 명세서 등에 상세하게 기재되어 있다.
상기 계면활성제 중에서도 FC-4430, 서플론 S-381, 서피놀 E1004, KH-20, KH-30, 및 상기 구조식(surf-1)으로 나타낸 옥세탄 개환 중합물이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
본 발명의 화학 증폭형 레지스트 재료 중의 계면활성제의 첨가량으로서는, 레지스트 재료 중의 기재 수지 100 부에 대하여 2 부 이하, 바람직하게는 1 부 이하이고, 배합하는 경우에는 0.01 부 이상으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 레지스트 재료에는, 물을 이용한 액침 노광에 있어서 특히 레지스트 보호막을 이용하지 않는 경우, 스핀 코팅 후의 레지스트 표면에 배향함으로써, 물의 침투나 침출을 감소시키는 기능을 갖는 계면활성제를 첨가할 수 있다. 이 계면활성제는 고분자형 계면활성제이고, 물에 용해되지 않고 알칼리 현상액에 용해되는 성질이고, 특히 발수성이 높으며 활수성을 향상시키는 것이 바람직하다. 이러한 고분자형 계면활성제는 하기에 나타낼 수 있다.
(식 중, R114는 각각 동일하거나 또는 상이할 수도 있고, 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기, R115는 각각 동일하거나 또는 상이할 수도 있 고, 수소 원자, 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 불소화알킬기를 나타내고, 동일 단량체 내의 R115는 각각 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있고, 그 경우에 합계하여 탄소수 2 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기 또는 불소화알킬렌기를 나타낸다. R116은 불소 원자, 수소 원자, R117과 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 탄소수의 합이 3 내지 10인 비방향환을 형성할 수도 있다. R117은 탄소수 1 내지 6의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이며, 1개 이상의 수소 원자가 불소 원자로 치환될 수도 있다. R118은 1개 이상의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상 알킬기이며, R117과 R118이 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있고, 그 경우 R117, R118 및 이들이 결합하는 탄소 원자에서 탄소수의 총합이 2 내지 12인 3가 유기기를 나타낸다. R119는 단결합 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬렌기, R120은 동일하거나 또는 상이할 수도 있으며 단결합 또는 -O-, -CR114R114-이다. R121은 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상 알킬렌기이고, 동일 단량체 내의 R115와 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수도 있다. R122는 1,2-에틸렌기, 1,3-프로필렌기, 1,4-부틸렌기를 나타내고, Rf는 탄소수 3 내지 6의 직쇄의 퍼플루오로알킬기 또는 3H-퍼플루오로프로필기, 4H-퍼플루오로부틸기, 5H-퍼플루오로펜틸기, 6H-퍼플루오로헥실기를 나타낸다. X2는 각각 동일하거나 또는 상이할 수도 있으며 -C(=O)-O-, -O- 또는 -C(=O)-R123-C(=O)-O-이고, R123은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬렌기이다. 또한, 0≤(a'-1)<1, 0≤(a'-2)<1, 0≤(a'-3)<1, 0<(a'-1)+(a'-2)+(a'-3)<1, 0≤b'<1, 0≤c'<1이고, 0<(a'-1)+(a'-2)+(a'-3)+b'+c'≤1이다.)
상기 고분자형 계면활성제의 첨가량은 레지스트 재료의 기재 수지 100 부에 대하여 0.001 내지 20 부, 바람직하게는 0.01 내지 10 부의 범위이다. 이들은 일본 특허 공개 제2007-297590호 공보에 자세하게 기재되어 있다.
또한, 본 발명의 화학식 1a 또는 1b의 광산발생제 이외에, (F) 성분인 광산발생제를 첨가하는 경우에는, 고에너지선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이면 어느 것이어도 상관없다. 바람직한 광산발생제로서는, 술포늄염, 요오도늄염, N-술포닐옥시디카르복시이미드, 옥심-O-아릴술포네이트형 산발생제 등이 있다. 이하에 상술하지만, 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
술포늄염은 술포늄 양이온과 술포네이트 또는 비스(치환 알킬술포닐)이미드, 트리스(치환 알킬술포닐)메티드의 염이고, 술포늄 양이온으로서 트리페닐술포늄, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 비스(4-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리스(4-tert-부톡시페닐)술포늄, 3-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 비스(3-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리스(3-tert-부톡시페닐)술포늄, 3,4-디-tert-부톡시페닐디페닐 술포늄, 비스(3,4-디-tert-부톡시페닐)페닐술포늄, 트리스(3,4-디-tert-부톡시페닐)술포늄, 디페닐(4-티오페녹시페닐)술포늄, 4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐디페닐술포늄, 트리스(4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)술포늄, (4-tert-부톡시페닐)비스(4-디메틸아미노페닐)술포늄, 트리스(4-디메틸아미노페닐)술포늄, 4-메틸페닐디페닐술포늄, 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄, 비스(4-메틸페닐)페닐술포늄, 비스(4-tert-부틸페닐)페닐술포늄, 트리스(4-메틸페닐)술포늄, 트리스(4-tert-부틸페닐)술포늄, 트리스(페닐메틸)술포늄, 2-나프틸디페닐술포늄, 디메틸(2-나프틸)술포늄, 4-히드록시페닐디메틸술포늄, 4-메톡시페닐디메틸술포늄, 트리메틸술포늄, 2-옥소시클로헥실시클로헥실메틸술포늄, 트리나프틸술포늄, 트리벤질술포늄, 디페닐메틸술포늄, 디메틸페닐술포늄, 2-옥소프로필티아시클로펜타늄, 2-옥소부틸티아시클로펜타늄, 2-옥소-3,3-디메틸부틸티아시클로펜타늄, 2-옥소-2-페닐에틸티아시클로펜타늄, 4-n-부톡시나프틸-1-티아시클로펜타늄, 2-n-부톡시나프틸-1-티아시클로펜타늄 등을 들 수 있고, 술포네이트로서는, 트리플루오로메탄술포네이트, 펜타플루오로에탄술포네이트, 헵타플루오로프로판술포네이트, 노나플루오로부탄술포네이트, 트리데카플루오로헥산술포네이트, 퍼플루오로(4-에틸시클로헥산)술포네이트, 헵타데카플루오로옥탄술포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄술포네이트, 펜타플루오로벤젠술포네이트, 4-(트리플루오로메틸)벤젠술포네이트, 4-플루오로벤젠술포네이트, 메시틸렌술포네이트, 2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트, 벤젠술포네이트, 4-(p-톨루엔술포닐옥시)벤젠술포네이트, 6-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-2-술포네이트, 4-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-1-술포네이트, 5-(p-톨루 엔술포닐옥시)나프탈렌-1-술포네이트, 8-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-1-술포네이트, 나프탈렌술포네이트, 캄포술포네이트, 옥탄술포네이트, 도데실벤젠술포네이트, 부탄술포네이트, 메탄술포네이트, 1,1-디플루오로-2-나프틸에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-3-엔-8-일)에탄술포네이트, 2-벤조일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(4-페닐벤조일옥시)프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-피발로일옥시프로판술포네이트, 2-시클로헥산카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-프로일옥시프로판술포네이트, 2-나프토일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(4-tert-부틸벤조일옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(1-아다만탄카르보닐옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아세틸옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-히드록시프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-토실옥시프로판술포네이트, 1,1-디플루오로-2-토실옥시에탄술포네이트, 아다만탄메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 1-(3-히드록시메틸아다만탄)메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 1-(헥사히드로-2-옥소-3,5-메타노-2H-시클로펜타[b]푸란-6-일옥시카르보닐)디플루오로메탄술포네이트, 4-옥소-1-아다만틸옥시카르보닐디플루오로메탄술포네이트 등을 들 수 있고, 비스(치환 알킬술포닐)이미드로서는 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드, 비 스(펜타플루오로에틸술포닐)이미드, 비스(헵타플루오로프로필술포닐)이미드, 퍼플루오로(1,3-프로필렌비스술포닐)이미드 등을 들 수 있고, 트리스(치환 알킬술포닐)메티드로서는 트리스(트리플루오로메틸술포닐)메티드를 들 수 있고, 이들의 조합의 술포늄염을 들 수 있다.
요오도늄염은 요오도늄 양이온과 술포네이트 또는 비스(치환 알킬술포닐)이미드, 트리스(치환 알킬술포닐)메티드의 염이고, 요오도늄 양이온으로서는 디페닐요오도늄, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄, 4-tert-부톡시페닐페닐요오도늄, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 등을 들 수 있고, 술포네이트로서는 트리플루오로메탄술포네이트, 펜타플루오로에탄술포네이트, 헵타플루오로프로판술포네이트, 노나플루오로부탄술포네이트, 트리데카플루오로헥산술포네이트, 퍼플루오로(4-에틸시클로헥산)술포네이트, 헵타데카플루오로옥탄술포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄술포네이트, 펜타플루오로벤젠술포네이트, 4-(트리플루오로메틸)벤젠술포네이트, 4-플루오로벤젠술포네이트, 메시틸렌술포네이트, 2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트, 벤젠술포네이트, 4-(p-톨루엔술포닐옥시)벤젠술포네이트, 6-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-2-술포네이트, 4-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-1-술포네이트, 5-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-1-술포네이트, 8-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-1-술포네이트, 나프탈렌술포네이트, 캄포술포네이트, 옥탄술포네이트, 도데실벤젠술포네이트, 부탄술포네이트, 메탄술포네이트, 1,1-디플루오로-2-나프틸에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1,1,2,2-테 트라플루오로-2-(테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-3-엔-8-일)에탄술포네이트, 2-벤조일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(4-페닐벤조일옥시)프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-피발로일옥시프로판술포네이트, 2-시클로헥산카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-프로일옥시프로판술포네이트, 2-나프토일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(4-tert-부틸벤조일옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(1-아다만탄카르보닐옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아세틸옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-히드록시프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-토실옥시프로판술포네이트, 1,1-디플루오로-2-토실옥시에탄술포네이트, 아다만탄메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 1-(3-히드록시메틸아다만탄)메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 1-(헥사히드로-2-옥소-3,5-메타노-2H-시클로펜타[b]푸란-6-일옥시카르보닐)디플루오로메탄술포네이트, 4-옥소-1-아다만틸옥시카르보닐디플루오로메탄술포네이트 등을 들 수 있고, 비스(치환 알킬술포닐)이미드로서는 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드, 비스(펜타플루오로에틸술포닐)이미드, 비스(헵타플루오로프로필술포닐)이미드, 퍼플루오로(1,3-프로필렌비스술포닐)이미드 등을 들 수 있고, 트리스(치환 알킬술포닐)메티드로서는 트리스(트리플루오로메틸술포닐)메티드를 들 수 있고, 이들의 조합의 요오도늄염을 들 수 있다.
N-술포닐옥시디카르복시이미드형 광산발생제로서는, 숙신산이미드, 나프탈렌디카르복시이미드, 프탈산이미드, 시클로헥실디카르복시이미드, 5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드, 7-옥사비시클로[2.2.1]-5-헵텐-2,3-디카르복시이미드 등의 이미드 골격과 트리플루오로메탄술포네이트, 펜타플루오로에탄술포네이트, 헵타플루오로프로판술포네이트, 노나플루오로부탄술포네이트, 트리데카플루오로헥산술포네이트, 퍼플루오로(4-에틸시클로헥산)술포네이트, 헵타데카플루오로옥탄술포네이트, 2,2,2-트리플루오로에탄술포네이트, 펜타플루오로벤젠술포네이트, 4-(트리플루오로메틸)벤젠술포네이트, 4-플루오로벤젠술포네이트, 메시틸렌술포네이트, 2,4,6-트리이소프로필벤젠술포네이트, 톨루엔술포네이트, 벤젠술포네이트, 4-(p-톨루엔술포닐옥시)벤젠술포네이트, 6-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-2-술포네이트, 4-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-1-술포네이트, 5-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-1-술포네이트, 8-(p-톨루엔술포닐옥시)나프탈렌-1-술포네이트, 나프탈렌술포네이트, 캄포술포네이트, 옥탄술포네이트, 도데실벤젠술포네이트, 부탄술포네이트, 메탄술포네이트, 1,1-디플루오로-2-나프틸에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(노르보르난-2-일)에탄술포네이트, 1,1,2,2-테트라플루오로-2-(테트라시클로[6.2.1.13,6.02,7]도데카-3-엔-8-일)에탄술포네이트, 2-벤조일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(4-페닐벤조일옥시)프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-피발로일옥시프로판술포네이트, 2-시클로헥산카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-프로일옥시프 로판술포네이트, 2-나프토일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(4-tert-부틸벤조일옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(1-아다만탄카르보닐옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아세틸옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-히드록시프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-토실옥시프로판술포네이트, 1,1-디플루오로-2-토실옥시에탄술포네이트, 아다만탄메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 1-(3-히드록시메틸아다만탄)메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 1-(헥사히드로-2-옥소-3,5-메타노-2H-시클로펜타[b]푸란-6-일옥시카르보닐)디플루오로메탄술포네이트, 4-옥소-1-아다만틸옥시카르보닐디플루오로메탄술포네이트 등의 조합의 화합물을 들 수 있다.
O-아릴술포닐옥심 화합물 또는 O-알킬술포닐옥심 화합물(옥심술포네이트)형광산발생제로서는, 트리플루오로메틸기와 같은 전자 흡인기로 화합물의 안정성을 증가시킨 하기 화학식(Ox-1)로 표시되는 옥심술포네이트를 들 수 있다.
(상기 식 중, R401은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 할로알킬술포닐 또는 할로벤젠술포닐기를 나타낸다. R402는 탄소수 1 내지 11의 할로알킬기를 나타낸다. Ar401은 치환 또는 비치환된 방향족기 또는 헤테로 방향족기를 나타낸다.)
구체적으로는, 2-(2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐 옥시이미노)펜틸)플루오렌, 2-(2,2,3,3,4,4-펜타플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)부틸)플루오렌, 2-(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-데카플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)헥실)플루오렌, 2-(2,2,3,3,4,4,5,5-옥타플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)펜틸)-4-비페닐, 2-(2,2,3,3,4,4-펜타플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)부틸)-4-비페닐, 2-(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-데카플루오로-1-(노나플루오로부틸술포닐옥시이미노)헥실)-4-비페닐 등을 들 수 있고, 또한 상기 골격에 2-벤조일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-(4-페닐벤조일옥시)프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-피발로일옥시프로판술포네이트, 2-시클로헥산카르보닐옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-프로일옥시프로판술포네이트, 2-나프토일옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(4-tert-부틸벤조일옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-(1-아다만탄카르보닐옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 2-아세틸옥시-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-히드록시프로판술포네이트, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-토실옥시프로판술포네이트, 1,1-디플루오로-2-토실옥시에탄술포네이트, 아다만탄메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 1-(3-히드록시메틸아다만탄)메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 메톡시카르보닐디플루오로메탄술포네이트, 1-(헥사히드로-2-옥소-3,5-메타노-2H-시클로펜타[b]푸란-6-일옥시카르보닐)디플루오로메탄술포네이트, 4-옥소-1-아다만틸옥시카르보닐디플루오로메탄술포네이트를 치환한 화합물을 들 수 있다.
그 중에서도 보다 바람직하게 이용되는 것은 하기 화학식(F)-1로 표시되는 산발생제이다.
여기서, 식 중 R405, R406, R407은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 20의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 1가 탄화수소기, 특히 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄화수소기로서 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, tert-아밀기, n-펜틸기, n-헥실기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 에틸시클로펜틸기, 부틸시클로펜틸기, 에틸시클로헥실기, 부틸시클로헥실기, 아다만틸기, 에틸아다만틸기, 부틸아다만틸기, 및 이들 기의 임의의 탄소-탄소 결합 사이에 -O-, -S-, -SO-, -SO2-, -NH-, -C(=O)-, -C(=O)O-, -C(=O)NH- 등의 헤테로 원자단이 삽입된 기나, 임의의 수소 원자가 -OH, -NH2, -CHO, -CO2H 등의 관능기로 치환된 기를 예시할 수 있다. R408은 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄소수 7 내지 30의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 1가 탄화수소기를 나타내고, 구체적으로는 이하의 것을 예시할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
보다 구체적으로는, 이하의 것을 예시할 수 있다.
본 발명의 화학 증폭형 레지스트 재료에서의 (F) 성분으로서 첨가하는 광산발생제의 첨가량은 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위라면 얼마이어도 좋지만, 레지스트 재료 중의 기재 수지 100 부에 대하여 0.1 내지 10 부, 바람직하게는 0.1 내지 5 부이다. (F) 성분의 광산발생제의 비율이 너무 많은 경우에는, 해상성의 열화나 현상/레지스트 박리시의 이물질의 문제가 일어날 가능성이 있다. 상기 (F) 성분의 광산발생제는 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 이용할 수도 있다. 또한, 노광 파장에서의 투과율이 낮은 광산발생제를 이용하고, 그 첨가량으로 레지스트막 중의 투과율을 제어할 수도 있다.
또한, 광산발생제를 2종 이상 혼합하여 이용하고, 한쪽 광산발생제가 소위 약산을 발생하는 오늄염인 경우, 산 확산 제어의 기능을 갖게 할 수도 있다. 즉, 강산(예를 들면 불소 치환된 술폰산)을 발생하는 광산발생제와 약산(예를 들면 불소 치환되지 않은 술폰산 또는 카르복실산)을 발생하는 오늄염을 혼합하여 이용한 경우, 고에너지선 조사에 의해 광산발생제로부터 발생한 강산이 미반응의 약산 음이온을 갖는 오늄염과 충돌하면 염 교환에 의해 약산을 방출하여 강산 음이온을 갖는 오늄염을 발생한다. 이 과정에서 강산이 보다 촉매능이 낮은 약산으로 교환되기 때문에 외관상, 산이 실활되어 산 확산의 제어를 행할 수 있다.
여기서 강산을 발생하는 광산발생제가 오늄염인 경우에는 상기한 바와 같이 고에너지선 조사에 의해 생긴 강산이 약산으로 교환될 수 있지만, 고에너지선 조사에 의해 생긴 약산은 미반응의 강산을 발생하는 오늄염과 충돌하여 염 교환을 행할 수는 없다. 이들은 오늄 양이온이 보다 강산인 음이온과 이온쌍을 형성하기 쉽다는 현상에서 기인한다.
또한, 본 발명의 레지스트 재료에, 산에 의해 분해되어 산을 발생하는 화합물(산 증식 화합물)을 첨가할 수도 있다. 이들 화합물에 대해서는 문헌[J. Photopolym. Sci. and Tech., 8. 43-44, 45-46(1995)], [J. Photopolym. Sci. and Tech., 9. 29-30(1996)]에 기재되어 있다.
산 증식 화합물의 예로서는, tert-부틸-2-메틸-2-토실옥시메틸아세토아세테이트, 2-페닐-2-(2-토실옥시에틸)-1,3-디옥솔란 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 공지된 광산발생제 중에서 안정성, 특히 열 안정성이 열악한 화합물은 산 증식 화합물적인 성질을 나타내는 경우가 많다.
본 발명의 레지스트 재료에서의 산 증식 화합물의 첨가량으로서는, 레지스트 재료 중의 기재 수지 100 부에 대하여 2 부 이하, 바람직하게는 1 부 이하이다. 첨가량이 너무 많은 경우에는 확산의 제어가 어렵고, 해상성의 열화, 패턴 형상의 열화가 발생한다.
(G) 성분인 유기산 유도체의 예로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 구체적으로 페놀, 크레졸, 카테콜, 레조르시놀, 피로갈롤, 플루오로글리신, 비스(4-히드록시페닐)메탄, 2,2-비스(4'-히드록시페닐)프로판, 비스(4-히드록시페닐)술폰, 1,1,1-트리스(4'-히드록시페닐)에탄, 1,1,2-트리스(4'-히드록시페닐)에탄, 히드록시벤조페논, 4-히드록시페닐아세트산, 3-히드록시페닐아세트산, 2-히드록시페닐아세트산, 3-(4-히드록시페닐)프로피온산, 3-(2-히드록시페닐)프로피온산, 2,5-디히드록시페닐아세트산, 3,4-디히드록시페닐아세트산, 1,2-페닐렌이아세트산, 1,3-페닐렌이아세트산, 1,4-페닐렌이아세트산, 1,2-페닐렌디옥시이아세트산, 1,4-페닐렌디프로판산, 벤조산, 살리실산, 4,4-비스(4'-히드록시페닐)발레르산, 4-tert-부톡시페닐아세트산, 4-(4-히드록시페닐)부티르산, 3,4-디히드록시만델산, 4-히드록시만델산 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 살리실산, 4,4-비스(4'-히드록시페닐)발레르산이 바람직하다. 이들은 단독 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
또한, 불소 치환 알코올로서는, 알코올의 α 위치 이외가 불소에 의해 치환된 화합물을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지는 않지만, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로판올 말단을 갖는 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 하기 화합물을 예시할 수 있다.
단, 상기 식 중, R"는 상술한 기재 수지에서 설명한 화학식(L1) 내지 (L4)로 표시되는 탄소수 2 내지 30의 아세탈기, 탄소수 4 내지 30의 3급 알킬기 등이다.
본 발명의 화학 증폭형 레지스트 재료 중의 유기산 유도체 또는 불소 치환 알코올의 첨가량으로서는, 레지스트 재료 중 기재 수지 100 부에 대하여 5 부 이하, 바람직하게는 1 부 이하이다. 첨가량이 5 부보다 많은 경우에는 해상성을 열화시킬 가능성이 있다. 또한, 레지스트 중의 조성의 조합에 의해 이러한 유기산 유도체 등은 첨가하지 않을 수도 있다.
(H) 성분인 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 중량 평균 분자량 3,000 이하의 화합물(용해 저지제)로서는, 2,500 이하의 저분자량의 페놀 또는 카르복실산 유도체, 불소 치환 알코올의 히드록실기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 산에 불안정한 치환기로 치환한 화합물을 첨가할 수 있다.
중량 평균 분자량 2,500 이하의 페놀 또는 카르복실산 유도체로서는, 비스페놀 A, 비스페놀 H, 비스페놀 S, 4,4-비스(4'-히드록시페닐)발레르산, 트리스(4-히드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리스(4'-히드록시페닐)에탄, 1,1,2-트리스(4'-히드록시페닐)에탄, 페놀프탈레인, 티몰프탈레인, 콜산, 데옥시콜산, 리토콜산 등을 들 수 있으며, 불소 치환 알코올로서는, 상기 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로판올 말단을 갖는 화합물로서 구체적으로 예시된 것과 동일한 화합물을 들 수 있다. 산에 불안정한 치환기로서는 상기 중합체의 산 불안정기로서 예시한 것을 다시 들 수 있다.
바람직하게 사용되는 용해 저지제의 예로서는, 비스(4-(2'-테트라히드로피라닐옥시)페닐)메탄, 비스(4-(2'-테트라히드로푸라닐옥시)페닐)메탄, 비스(4-tert-부톡시페닐)메탄, 비스(4-tert-부톡시카르보닐옥시페닐)메탄, 비스(4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)메탄, 비스(4-(1'-에톡시에톡시)페닐)메탄, 비스(4-(1'-에톡시프로필옥시)페닐)메탄, 2,2-비스(4'-(2"-테트라히드로피라닐옥시))프로판, 2,2-비스(4'-(2"-테트라히드로푸라닐옥시)페닐)프로판, 2,2-비스(4'-tert-부톡시페닐)프로판, 2,2-비스(4'-tert-부톡시카르보닐옥시페닐)프로판, 2,2-비스(4-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)프로판, 2,2-비스(4'-(1"-에톡시에톡시)페닐)프로판, 2,2-비스(4'-(1"-에톡시프로필옥시)페닐)프로판, 4,4-비스(4'-(2"-테트라히드로피라닐옥 시)페닐)발레르산 tert-부틸, 4,4-비스(4'-(2"-테트라히드로푸라닐옥시)페닐)발레르산 tert-부틸, 4,4-비스(4'-tert-부톡시페닐)발레르산 tert-부틸, 4,4-비스(4-tert-부톡시카르보닐옥시페닐)발레르산 tert-부틸, 4,4-비스(4'-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)발레르산 tert-부틸, 4,4-비스(4'-(1"-에톡시에톡시)페닐)발레르산 tert-부틸, 4,4-비스(4'-(1"-에톡시프로필옥시)페닐)발레르산 tert-부틸, 트리스(4-(2'-테트라히드로피라닐옥시)페닐)메탄, 트리스(4-(2'-테트라히드로푸라닐옥시)페닐)메탄, 트리스(4-tert-부톡시페닐)메탄, 트리스(4-tert-부톡시카르보닐옥시페닐)메탄, 트리스(4-tert-부톡시카르보닐옥시메틸페닐)메탄, 트리스(4-(1'-에톡시에톡시)페닐)메탄, 트리스(4-(1'-에톡시프로필옥시)페닐)메탄, 1,1,2-트리스(4'-(2"-테트라히드로피라닐옥시)페닐)에탄, 1,1,2-트리스(4'-(2"-테트라히드로푸라닐옥시)페닐)에탄, 1,1,2-트리스(4'-tert-부톡시페닐)에탄, 1,1,2-트리스(4'-tert-부톡시카르보닐옥시페닐)에탄, 1,1,2-트리스(4'-tert-부톡시카르보닐메틸옥시페닐)에탄, 1,1,2-트리스(4'-(1'-에톡시에톡시)페닐)에탄, 1,1,2-트리스(4'-(1'-에톡시프로필옥시)페닐)에탄, 콜산 tert-부틸에스테르, 데옥시콜산 tert-부틸에스테르, 리토콜산 tert-부틸에스테르 등을 들 수 있다. 또는 일본 특허 공개 제2003-107706호 공보에 기재된 화합물을 들 수 있다.
본 발명의 레지스트 재료 중의 (H) 성분인 용해 저지제의 첨가량으로서는, 레지스트 재료 중 기재 수지 100 부에 대하여 20 부 이하, 바람직하게는 15 부 이하이다. 20 부보다 많으면 단량체 성분이 증가하기 때문에 레지스트 재료의 내열성이 저하된다.
본 발명의 네가티브형 레지스트 재료에 사용되는 (C') 성분인 알칼리 가용성 수지이며, 가교제에 의해 알칼리 난용성이 되는 수지로서는, 상술한 (C) 성분인 수지의 산 불안정기를 치환하기 전의 기재 수지를 이용하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 폴리(p-히드록시스티렌), 폴리(m-히드록시스티렌), 폴리(4-히드록시-2-메틸스티렌), 폴리(4-히드록시-3-메틸스티렌), 폴리(α-메틸-p-히드록시스티렌), 부분 수소 첨가 (p-히드록시스티렌) 공중합체, (p-히드록시스티렌-α-메틸-p-히드록시스티렌) 공중합체, (p-히드록시스티렌-α-메틸스티렌) 공중합체, (p-히드록시스티렌-스티렌) 공중합체, (p-히드록시스티렌-m-히드록시스티렌) 공중합체, (p-히드록시스티렌-스티렌) 공중합체, (p-히드록시스티렌-아크릴산) 공중합체, (p-히드록시스티렌-메타크릴산) 공중합체, (p-히드록시스티렌-메틸아크릴레이트) 공중합체, (p-히드록시스티렌-아크릴산-메틸메타크릴레이트) 공중합체, (p-히드록시스티렌-메틸아크릴레이트) 공중합체, (p-히드록시스티렌-메타크릴산-메틸메타크릴레이트) 공중합체, 폴리메타크릴산, 폴리아크릴산, (아크릴산-메틸아크릴레이트) 공중합체, (메타크릴산-메틸메타크릴레이트) 공중합체, (아크릴산-말레이미드) 공중합체, (메타크릴산-말레이미드) 공중합체, (p-히드록시스티렌-아크릴산-말레이미드) 공중합체, (p-히드록시스티렌-메타크릴산-말레이미드) 공중합체 등을 들 수 있지만, 이들의 조합으로 한정되는 것은 아니다.
또한, 다양한 기능을 가지게 하기 위해서, 상기 산 불안정기 보호화 중합체의 페놀성 수산기, 카르복실기의 일부에 치환기를 도입할 수도 있다. 예를 들면, 기판과의 밀착성을 향상시키기 위한 치환기나 에칭 내성 향상을 위한 치환기, 특히 미노광부, 저노광부의 알칼리 현상액에 대한 용해 속도가 너무 높지 않도록 제어하기 위해서 산이나 알칼리에 비교적 안정한 치환기를 도입하는 것이 바람직하다. 치환기의 예로서, 예를 들면 2-히드록시에틸기, 2-히드록시프로필기, 메톡시메틸기, 메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 메톡시카르보닐메틸기, 에톡시카르보닐메틸기, 4-메틸-2-옥소-4-옥솔라닐기, 4-메틸-2-옥소-4-옥사닐기, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 아세틸기, 피발로일기, 아다만틸기, 이소보로닐기, 시클로헥실기 등을 들 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 또한, 산 분해성의 치환기, 예를 들면 tert-부톡시카르보닐기나, tert-부틸기, tert-부톡시카르보닐메틸기 등의 비교적 산 분해되기 어려운 치환기를 도입할 수 있다.
본 발명의 네가티브형 레지스트 재료 중에서의 상기 (C') 성분인 수지(기재 수지)의 첨가량으로서는 임의적이지만, 네가티브형 레지스트 재료 중의 전체 고형분 100 부에 대하여 65 내지 99 부, 바람직하게는 65 내지 98 부이다.
또한, (I) 성분인 산의 작용에 의해 가교 구조를 형성하는 산 가교제로서, 분자내에 2개 이상의 히드록시메틸기, 알콕시메틸기, 에폭시기 또는 비닐에테르기를 갖는 화합물을 들 수 있고, 치환 글리콜우릴 유도체, 요소 유도체, 헥사(메톡시메틸)멜라민 등이 본 발명의 화학 증폭 네가티브형 레지스트 재료의 산 가교제로서 바람직하게 이용된다. 예를 들면, N,N,N',N'-테트라메톡시메틸요소와 헥사메톡시메틸멜라민, 테트라히드록시메틸 치환 글리콜우릴류 및 테트라메톡시메틸글리콜우릴과 같은 테트라알콕시메틸 치환 글리콜우릴류, 치환 및 비치환 비스-히드록시메 틸페놀류, 비스페놀 A 등의 페놀성 화합물과 에피클로로히드린 등의 축합물을 들 수 있다. 특히 바람직한 가교제는 1,3,5,7-테트라메톡시메틸글리콜우릴 등의 1,3,5,7-테트라알콕시메틸글리콜우릴 또는 1,3,5,7-테트라히드록시메틸글리콜우릴, 2,6-디히드록시메틸 p-크레졸, 2,6-디히드록시메틸페놀, 2,2',6,6'-테트라히드록시메틸-비스페놀 A 및 1,4-비스-[2-(2-히드록시프로필)]-벤젠, N,N,N',N'-테트라메톡시메틸요소와 헥사메톡시메틸멜라민 등을 들 수 있다.
본 발명의 화학 증폭형 레지스트 재료 중의 (I) 성분인 산 가교제의 첨가량은 임의적이지만, 레지스트 재료 중 기재 수지 100 부에 대하여 1 내지 20 부, 바람직하게는 5 내지 15 부이다. 이들 가교제는 단독일 수도 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 화학 증폭형 레지스트 재료에는 자외선 흡수제를 배합할 수 있다. 특별히 한정되지 않지만, 일본 특허 공개 (평)11-190904호 공보에 기재된 것을 사용할 수 있고, 바람직하게는 비스(4-히드록시페닐)술폭시드, 비스(4-tert-부톡시페닐)술폭시드, 비스(4-tert-부톡시카르보닐옥시페닐)술폭시드, 비스[4-(1-에톡시에톡시)페닐]술폭시드 등의 디아릴술폭시드 유도체, 비스(4-히드록시페닐)술폰, 비스(4-tert-부톡시페닐)술폰, 비스(4-tert-부톡시카르보닐옥시페닐)술폰, 비스[4-(1-에톡시에톡시)페닐]술폰, 비스[4-(1-에톡시프로폭시)페닐]술폰 등의 디아릴술폰 유도체, 벤조퀴논디아지드, 나프토퀴논디아지드, 안트라퀴논디아지드, 디아조플루오렌, 디아조테트랄론, 디아조페난트론 등의 디아조 화합물, 나프토퀴논-1,2-디아지드-5-술폰산클로라이드와 2,3,4-트리히드록시벤조페논과의 완전 또는 부 분 에스테르 화합물, 나프토퀴논-1,2-디아지드-4-술폰산클로라이드와 2,4,4'-트리히드록시벤조페논과의 완전 또는 부분 에스테르 화합물 등의 퀴논디아지드기 함유 화합물 등, 9-안트라센카르복실산 tert-부틸, 9-안트라센카르복실산 tert-아밀, 9-안트라센카르복실산 tert-메톡시메틸, 9-안트라센카르복실산 tert-에톡시에틸, 9-안트라센카르복실산 2-tert-테트라히드로피라닐, 9-안트라센카르복실산 2-tert-테트라히드로푸라닐 등을 들 수 있다.
상기 자외선 흡수제의 배합량은 레지스트 재료의 종류에 의해 첨가될 수도 첨가되지 않을 수도 있지만, 첨가하는 경우에는 기재 수지 100 부에 대하여 0 내지 10 부, 보다 바람직하게는 0.5 내지 10 부, 더욱 바람직하게는 1 내지 5 부이다.
본 발명의 화학 증폭형 레지스트 재료를 사용하여 패턴을 형성하기 위해서는, 공지된 리소그래피 기술을 채용하여 행할 수 있고, 예를 들면 집적 회로 제조용 기판(Si, SiO2, SiN, SiON, TiN, WSi, BPSG, SOG, 유기 반사 방지막 등) 또는 마스크 회로 제조용 기판(Cr, CrO, CrON, MoSi 등) 상에 스핀 코팅, 롤 코팅, 플로우 코팅, 침지 코팅, 분무 코팅, 닥터 코팅 등의 적당한 도포 방법에 의해, 도포막 두께가 0.1 내지 2.0 ㎛가 되도록 도포하고, 핫 플레이트 상에서 60 내지 150 ℃, 1 내지 10 분간, 바람직하게는 80 내지 140 ℃, 1 내지 5 분간 예비 베이킹한다. 이어서, 자외선, 원자외선, 전자선, EUV, X선, 엑시머 레이저, γ선, 싱크로트론 방사선 등으로부터 선택되는 광원, 바람직하게는 300 nm 이하의 노광 파장으로 목적하는 패턴을 소정의 마스크를 통해 노광을 행한다.
이 중에서 더욱 바람직한 광원으로서는, 엑시머 레이저, 특히 KrF 엑시머 레이저나 245 내지 255 nm의 원자외선, ArF 엑시머 레이저를 들 수 있다. 노광량은 1 내지 200 mJ/cm2 정도, 바람직하게는 10 내지 100 mJ/cm2 정도가 되도록 노광하는 것이 바람직하다. 핫 플레이트 상에서 60 내지 150 ℃에서 1 내지 5 분간, 바람직하게는 80 내지 140 ℃에서 1 내지 3 분간 노광후 베이킹(PEB)한다.
또한, 0.1 내지 5 질량％, 바람직하게는 2 내지 3 질량％의 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH) 등의 알칼리 수용액의 현상액을 이용하여 0.1 내지 3 분간, 바람직하게는 0.5 내지 2 분간, 침지(dip)법, 퍼들(puddle)법, 분무(spray)법 등의 통상법에 의해 현상함으로써 기판 상에 목적하는 패턴이 형성된다.
또한, 본 발명의 레지스트 재료는 특히 고에너지선 중에서도 254 내지 193 nm의 원자외선, 157 nm의 진공 자외선, 전자선, X선, 엑시머 레이저, γ선, 싱크로트론 방사선에 의한 미세 패턴화에 최적이다. 또한, 상기 범위의 상한 및 하한으로부터 벗어나는 경우에는, 목적하는 패턴을 얻을 수 없는 경우가 있다.
본 발명에 있어서는 특히 노광시에 파장 193 nm의 ArF 엑시머 레이저를 이용하고, 기판과 투영 렌즈 사이에 물, 글리세린, 에틸렌글리콜 등의 액체를 삽입하는 액침 리소그래피법이 바람직하게 채용된다.
[실시예]
이하, 합성예 및 실시예와 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 제한되는 것은 아니다.
[합성예 1-1] 트리페닐술포늄클로라이드의 합성
디페닐술폭시드 40 g(0.2 몰)을 디클로로메탄 400 g에 용해시키고, 빙냉하에 교반하였다. 트리메틸실릴클로라이드 65 g(0.6 몰)을 20 ℃를 초과하지 않는 온도에서 적하하고, 또한 이 온도에서 30 분간 숙성을 행하였다. 이어서, 금속 마그네슘 14.6 g(0.6 몰)과 클로로벤젠 67.5 g(0.6 몰), 테트라히드로푸란(THF) 168 g으로 별도로 제조한 그리냐르 시약을 20 ℃를 초과하지 않는 온도에서 적하하였다. 반응의 숙성을 1 시간 행한 후, 20 ℃를 초과하지 않는 온도에서 물 50 g을 첨가하여 반응을 정지시키고, 또한 물 150 g과 12 규정 염산 10 g과 디에틸에테르 200 g을 첨가하였다.
수층을 분취하고, 디에틸에테르 100 g으로 세정하여 트리페닐술포늄클로라이드 수용액을 얻었다. 이것은 더 이상의 단리 조작을 행하지 않고 수용액 그대로 다음 반응에 이용하였다.
[합성예 1-2] 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄브롬화물의 합성
합성예 1-1의 클로로벤젠 대신에 4-tert-부틸브로모벤젠을 이용하고, 추출시의 물의 양을 증가시키는 것 이외에는 합성예 1-1과 동일하게 하여 목적물을 얻었다.
[합성예 1-3] 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄염화물의 합성
합성예 1-1의 클로로벤젠 대신에 4-tert-부톡시클로로벤젠을, 용제로서 트리에틸아민을 5 질량％ 포함하는 디클로로메탄 용제를 이용하고, 추출시의 물의 양을 증가시키는 것 이외에는 합성예 1-1과 동일하게 하여 목적물을 얻었다.
[합성예 1-4] 트리스(4-메틸페닐)술포늄염화물의 합성
합성예 1-1의 디페닐술폭시드 대신에 비스(4-메틸페닐)술폭시드를 이용하고, 클로로벤젠 대신에 4-클로로톨루엔을 이용하며, 추출시의 물의 양을 증가시키는 것 이외에는 합성예 1-1과 동일하게 하여 목적물을 얻었다.
[합성예 1-5] 트리스(4-tert-부틸페닐)술포늄브롬화물의 합성
합성예 1-1의 디페닐술폭시드 대신에 비스(4-tert-부틸페닐)술폭시드를, 클로로벤젠 대신에 4-tert-부틸브로모벤젠을 이용하고, 추출시의 물의 양을 증가시키는 것 이외에는 합성예 1-1과 동일하게 하여 목적물을 얻었다.
[합성예 1-6] 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄하이드로젠술페이트의 합성
tert-부틸벤젠 84 g(0.5 몰), 요오드산칼륨 53 g(0.25 몰), 무수 아세트산 50 g의 혼합물을 빙냉하에 교반하고, 무수 아세트산 35 g과 진한 황산 95 g의 혼합물을 30 ℃를 초과하지 않는 온도에서 적하하였다. 이어서, 실온에서 3 시간 숙성을 행하고, 다시 빙냉시켜 물 250 g을 적하하여 반응을 정지시켰다. 이 반응액을 디클로로메탄 400 g을 이용하여 추출하고, 유기층에 아황산수소나트륨 6 g을 첨가하여 탈색시켰다. 또한, 이 유기층을 물 250 g으로 세정하는 것을 3회 반복하였다. 세정한 유기층을 감압 농축시킴으로써 목적하는 조생성물을 얻었다. 더 이상의 정제는 하지 않고 그대로 다음 반응에 이용하였다.
[합성예 1-7] 디메틸페닐술포늄황산염의 합성
티오아니솔 6.2 g(0.05 몰)과 디메틸황산 6.9 g(0.055 몰)을 실온에서 12 시간 교반하였다. 반응액에 물 100 g과 디에틸에테르 50 ml를 첨가하고, 수층을 분 취하여 목적하는 디메틸페닐술포늄황산염 수용액을 얻었다.
[합성예 1-8] 페나실테트라히드로티오페늄브로마이드의 합성
페나실브로마이드 88.2 g(0.44 몰), 테트라히드로티오펜 39.1 g(0.44 몰)을 니트로메탄 220 g에 용해시키고 실온에서 4 시간 교반을 행하였다. 반응액에 물 800 g과 디에틸에테르 400 g을 첨가하고, 분리한 수층을 분취하여 목적하는 페나실테트라히드로티오페늄브로마이드 수용액을 얻었다.
[합성예 1-9] 2-(피발로일옥시)-1,1-디플루오로에탄술폰산나트륨의 합성[Anion-1]
피발산클로라이드와 2-브로모-2,2-디플루오로에탄올을 테트라히드로푸란 중에서 혼합, 빙냉시켰다. 트리에틸아민을 첨가하고, 통상적인 분액 조작과 용제 증류 제거를 행하여 피발산=2-브로모-2,2-디플루오로에틸을 얻었다. 이어서 차아황산나트륨에 의해 술핀산나트륨화, 과산화수소에 의한 산화를 행하여 목적하는 2-(피발로일옥시)-1,1-디플루오로에탄술폰산나트륨을 얻었다.
카르복실산에스테르의 합성은 공지되어 있고, 또한 알킬할라이드로부터의 술핀산, 술폰산의 합성은 공지되어 있다. 후자는 예를 들면 일본 특허 공개 제2004-2252호 공보 등에 기재되어 있다.
[합성예 1-10] 트리페닐술포늄-2-(피발로일옥시)-1,1-디플루오로에탄술포네이트의 합성
2-(피발로일옥시)-1,1-디플루오로에탄술폰산나트륨(순도 63 ％) 159 g(0.37몰)과 트리페닐술포늄=요오다이드 132 g(0.34 몰)을 디클로로메탄 700 g과 물 400 g에 용해시켰다. 분리한 유기층을 물 200 g으로 3회 세정하고, 유기층을 농축시켰다. 잔사에 디에틸에테르를 첨가하여 재결정을 행하고, 목적물을 백색 결정으로서 얻었다. 수량 164 g(수율 95 ％)
[합성예 1-11] 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄-2-(피발로일옥시)-1,1-디플루오로에탄술포네이트의 합성
2-(피발로일옥시)-1,1-디플루오로에탄술폰산나트륨(순도 70 ％) 20 g(0.052 몰)과 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄=브로마이드 수용액 217 g(0.052 몰)을 디클로로메탄 150 g에 용해시켰다. 분리한 유기층을 물 50 g으로 3회 세정하고, 유기층을 농축시켰다. 잔사에 디에틸에테르를 첨가하여 재결정을 행하고, 목적물을 백색 결정으로서 얻었다. 수량 26 g(수율 79 ％)
[합성예 1-12] 트리페닐술포늄-1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트의 합성[PAG1]
트리페닐술포늄-2-(피발로일옥시)-1,1-디플루오로에탄술포네이트 243.5 g(0.48 몰)을 메탄올 760 g에 용해시키고, 빙냉시켰다. 수산화나트륨 수용액[수산화나트륨 40 g을 물 120 g에 용해시킨 것]을 5 ℃를 초과하지 않는 온도에서 적하하였다. 실온에서 8 시간 숙성을 행하고, 10 ℃를 초과하지 않는 온도에서 묽은 염산(12 규정 염산 99.8 g과 물 200 g)을 첨가하여 반응을 정지시키고, 메탄올을 감압 제거하였다. 디클로로메탄 1,000 g을 첨가하고, 포화 식염수 30 g으로 3회 유기층을 세정한 후, 유기층을 농축시키고, 잔사에 디이소프로필에테르 1 L를 첨가하여 결정화시켰다. 그 결정을 여과, 건조시킴으로써 목적물을 얻었다. 수량 187 g(순도 78 ％, 환산 수율 78 ％)
얻어진 목적물(PAG1)의 구조를 하기에 나타내었다.
[합성예 1-13] 트리페닐술포늄-1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트의 합성[PAG1]
트리페닐술포늄-2-(피발로일옥시)-1,1-디플루오로에탄술포네이트 50.9 g(0.1 몰)을 메탄올 200 g에 용해시키고, 빙냉시켰다. 28 질량％ 나트륨메톡시드ㆍ메탄올 용액 2.0 g을 첨가하고, 실온에서 24 시간 숙성을 행하고, 10 ℃를 초과하지 않는 온도에서 12 규정 염산 1.0 g을 첨가하여 반응을 정지시키고, 메탄올을 감압 제거하였다. 디클로로메탄 250 g을 첨가하고, 무기염을 여과 후, 여액을 농축시키고, 잔사에 디이소프로필에테르 150 g을 첨가하여 결정화시켰다. 그 결정을 여과, 건조시킴으로써 목적물을 얻었다. 수량 42 g(순도 99 ％, 환산 수율 99 ％)
[합성예 1-14 내지 1-20]
합성예 1-2 내지 1-8에서 제조한 술포늄염 또는 요오도늄염을 이용하는 것 이외에는 합성예 1-10 및 합성예 1-12와 동일하게 하여 목적물을 합성하였다. 이들 오늄염(PAG2 내지 PAG8)을 하기에 나타내었다.
[합성예 1-21] 트리페닐술포늄 2-[4-(10,13-디메틸-3,7,12-트리옥소-헥사데카히드로-시클로펜타[a]페난트렌-17-일)-펜타노일옥시]-1,1-디플루오로술포에탄술 포네이트의 합성[PAG-A]
트리페닐술포늄 1,1-디플루오로-2-히드록시에탄술포네이트(순도 62.1 ％) 7.2 g(0.01 몰), 디히드로콜산클로라이드 4.21 g(0.01 몰), 디클로로메탄 20 g의 혼합 현탁액에, 트리에틸아민 1.0 g(0.01 몰), N,N-디메틸아미노피리딘 0.24 g(0.002 몰), 디클로로메탄 5 g의 혼합 용액을 적하하고, 실온에서 2 시간 교반하였다. 그 후, 12 규정 염산 2 g과 물 20 g으로 제조한 묽은 염산 수용액을 첨가하여 유기층을 분취하고, 이어서 이 유기층을 물 20 g으로 세정하고, 디클로로메탄을 감압 증류 제거하였다. 잔사에 메틸이소부틸케톤 30 g, 디클로로메탄 15 g, 0.2 ％ 수산화나트륨 수용액 10 g을 첨가하고, 유기층을 분취하고, 이어서 이 유기층을 물 20 g으로 세정하고, 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거하였다. 얻어진 잔사에 에테르를 첨가함으로써 재결정 정제를 행하고, 여과 건조시켜 목적물을 얻었다[백색 결정 4.1 g(수율 51 ％)]. 목적물의 구조를 하기에 나타내었다.
얻어진 목적물의 스펙트럼 데이터를 하기에 나타내었다. 핵 자기 공명 스펙트럼(1H-NMR, 19F-NMR/DMSO-d6)의 결과를 도 1 및 도 2에 나타내었다. 또한, 1H-NMR에서 미량의 잔여 용제(디에틸에테르, 물)가 관측되었다.
PAG1, 즉 트리페닐술포늄-2-히드록시-1,1-디플루오로에탄술포네이트 대신에, PAG2 내지 8 중 어느 것을 이용하고, 그 이외에는 합성예 1-21과 동일한 조작을 행함으로써, PAG-A의 양이온종이 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 트리스(4-메틸페닐)술포늄, 트리스(4-tert-부틸페닐)술포늄, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄, 디메틸페닐술포늄, 페나실테트라히드로티오페늄 중 어느 것으로 변화된 화합물을 합성할 수 있다.
[합성예 1-22] 트리페닐술포늄 2-{4-[4-(10,13-디메틸-3,7,12-트리옥소-헥사데카히드로-시클로펜타[a]페난트렌-17-일)-펜타노일옥시]-아세톡시}-1,1-디플루오로술포에탄술포네이트의 합성[PAG-B]
[합성예 1-22-1] 트리페닐술포늄 2-(2-클로로아세톡시)-1,1-디플루오로술포에탄술포네이트의 합성[PAG 중간체 4]
트리페닐술포늄 1,1-디플루오로 2-히드록시에탄술포네이트 6.34 g(0.02 몰), 클로로아세틸클로라이드 1.86 g(0.02 몰), 아세토니트릴 32 g의 혼합 용액에, 피리딘 1.42 g(0.02 몰)을 적하하고, 실온에서 4 시간 교반하였다. 그 후, 12 규정 염산 3 g과 물 30 g으로 제조한 묽은 염산 수용액을 첨가하여 반응 용액을 농축시켰다. 농축 후 디클로로메탄 30 g을 첨가하여 유기층을 분취하고, 이어서 이 유기층을 물 20 g으로 세정하고, 디클로로메탄을 감압 증류 제거하였다. 잔사에 메틸이 소부틸케톤 20 g, 디클로로메탄 10 g, 희석 암모니아수 15 g을 첨가하고, 유기층을 분취하고, 이어서 이 유기층을 물 20 g으로 세정하고, 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거하였다. 얻어진 잔사에 에테르를 첨가함으로써 재결정 정제를 행하고, 여과 건조시켜 목적물을 얻었다[백색 결정 5.5 g(수율 67 ％)]. 목적물의 구조를 하기에 나타내었다.
얻어진 목적물의 스펙트럼 데이터를 하기에 나타내었다. 핵 자기 공명 스펙트럼(1H-NMR, 19F-NMR/DMSO-d6)의 결과를 도 3 및 도 4에 나타내었다. 또한, 1H-NMR에서 미량의 물이 관측되었다.
[합성예 1-22-2] 트리페닐술포늄 2-{4-[4-(10,13-디메틸-3,7,12-트리옥소-헥사데카히드로-시클로펜타[a]페난트렌-17-일)-펜타노일옥시]-아세톡시}-1,1-디플루오로술포에탄술포네이트의 합성[PAG-B]
합성예 1-22-1에서 얻어진 트리페닐술포늄 2-(2-클로로아세톡시)-1,1-디플루오로술포에탄술포네이트 5.04 g(0.01 몰), 디히드로콜산나트륨 5.09 g(0.01 몰), 요오드화나트륨 0.27 g(0.002 몰), 디메틸포름아미드 30 g을 첨가하고, 90 ℃에서 12 시간 가열 교반하였다. 반응액을 실온으로 복귀시킨 후, 물 40 g과 디클로로메탄 70 g을 첨가하여 유기층을 분취하고, 물 40 g을 첨가하여 세정, 이어서 디클로로메탄을 감압 증류 제거하였다. 잔사에 메틸이소부틸케톤 40 g, 디클로로메탄 20 g, 0.1 ％ 수산화나트륨 수용액 30 g을 첨가하고, 유기층을 분취하고, 이어서 이 유기층을 물 30 g으로 세정하고, 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거하였다. 얻어진 잔사에 에테르를 첨가함으로써 재결정 정제를 행하고, 여과 건조시켜 목적물을 얻었다[백색 결정 3.4 g(수율 39 ％)]. 목적물의 구조를 하기에 나타내었다.
얻어진 목적물의 스펙트럼 데이터를 하기에 나타내었다. 핵 자기 공명 스펙트럼(1H-NMR, 19F-NMR/DMSO-d6)의 결과를 도 5 및 도 6에 나타내었다. 또한, 1H-NMR에서 미량의 잔여 용제(디이소프로필에테르, 메틸이소부틸케톤, 물)가 관측되었다.
PAG1, 즉 트리페닐술포늄-2-히드록시-1,1-디플루오로에탄술포네이트 대신에 PAG2 내지 8 중 어느 것을 이용하고, 그 이외에는 합성예 1-22와 동일한 조작을 행 함으로써, PAG-B의 양이온종이 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 트리스(4-메틸페닐)술포늄, 트리스(4-tert-부틸페닐)술포늄, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄, 디메틸페닐술포늄, 페나실테트라히드로티오페늄 중 어느 것으로 변화된 화합물을 합성할 수 있다.
[합성예 1-23] 트리페닐술포늄 2-{4-[4-(10,13-디메틸-3,7,12-트리옥소-헥사데카히드로-시클로펜타[a]페난트렌-17-일)-펜타노일옥시]-부티릴옥시}-1,1-디플루오로술포에탄술포네이트의 합성[PAG-C]
[합성예 1-23-1] 트리페닐술포늄 2-(4-클로로부티릴옥시)-1,1-디플루오로술포에탄술포네이트의 합성[PAG 중간체 5]
트리페닐술포늄 1,1-디플루오로 2-히드록시에탄술포네이트 6.34 g(0.015 몰), 클로로부티르산클로라이드 1.9 g(0.013 몰), 아세토니트릴 32 g의 혼합 용액에 피리딘 1.42 g(0.018 몰)을 적하하고, 실온에서 4 시간 교반하였다. 그 후, 12 규정 염산 3 g과 물 30 g으로 제조한 묽은 염산 수용액을 첨가하여 반응 용액을 농축시켰다. 농축 후 디클로로메탄 30 g을 첨가하여 유기층을 분취하고, 이어서 이 유기층을 물 20 g으로 세정하고, 디클로로메탄을 감압 증류 제거하였다. 잔사에 메틸이소부틸케톤 20 g을 첨가하고, 메틸이소부틸케톤을 감압 증류 제거하였다. 얻어진 잔사에 에테르를 첨가함으로써 데칸테이션을 행하고, 진공 건조시켜 목적물을 얻었다[갈색 오일 6.52 g(수율 87 ％)]. 목적물의 구조를 하기에 나타내었다.
얻어진 목적물의 스펙트럼 데이터를 하기에 나타내었다. 핵 자기 공명 스펙트럼(1H-NMR, 19F-NMR/DMSO-d6)의 결과를 도 7 및 도 8에 나타내었다. 또한, 1H-NMR에서 미량의 물이 관측되었다.
[합성예 1-23-2] 트리페닐술포늄 2-{4-[4-(10,13-디메틸-3,7,12-트리옥소-헥사데카히드로-시클로펜타[a]페난트렌-17-일)-펜타노일옥시]-부티릴옥시}-1,1-디플루오로술포에탄술포네이트의 합성[PAG-C]
합성예 1-23-1에서 얻어진 트리페닐술포늄 2-(2-클로로부틸옥시)-1,1-디플루오로술포에탄술포네이트 6.44 g(0.010 몰)을 포함한 디메틸포름아미드 용액 14.8 g, 디히드로콜산나트륨 5.06 g(0.012 몰), 요오드화나트륨 0.29 g(0.002 몰), 디메틸포름아미드 25 g을 첨가하고, 90 ℃에서 12 시간 가열 교반하였다. 반응액을 실온으로 복귀시킨 후, 물 30 g과 디클로로메탄 60 g을 첨가하여 유기층을 분취하고, 물 40 g을 첨가하여 세정, 이어서 디클로로메탄을 감압 증류 제거하였다. 잔사에 메틸이소부틸케톤 30 g을 첨가하여 농축시켰다. 얻어진 고체를 메틸이소부틸케톤 으로 세정, 또한 디이소프로필에테르로 세정하고, 여과 건조시켜 목적물을 얻었다[백색 결정 6.6 g(수율 76 ％)]. 목적물의 구조를 하기에 나타내었다.
얻어진 목적물의 스펙트럼 데이터를 하기에 나타내었다. 핵 자기 공명 스펙트럼(1H-NMR, 19F-NMR/DMSO-d6)의 결과를 도 9 및 도 10에 나타내었다. 또한, 1H-NMR에서 미량의 잔여 용제(디이소프로필에테르, 메틸이소부틸케톤, 물)가 관측되었다.
PAG1, 즉 트리페닐술포늄-2-히드록시-1,1-디플루오로에탄술포네이트 대신에, PAG2 내지 8 중 어느 것을 이용하고, 그 이외에는 합성예 1-23과 동일한 조작을 행함으로써, PAG-C의 양이온종이 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 트리스(4-메틸페닐)술포늄, 트리스(4-tert-부틸페닐)술포늄, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄, 디메틸페닐술포늄, 페나실테트라히드로티오페늄 중 어느 것으로 변화된 화합물을 합성할 수 있다.
[합성예 1-24] 트리페닐술포늄 2-콜레스테릴옥시카르보닐옥시-1,1-디플루오 로에탄술포네이트의 합성[PAG-D]
트리페닐술포늄-2-히드록시-1,1-디플루오로에탄술포네이트 4.2 g(0.01 몰), 클로로포름산콜레스테릴 4.49 g(0.01 몰), 디클로로메탄 25 g의 혼합 용액에, 트리에틸아민 1.0 g(0.01 몰), N,N-디메틸아미노피리딘 0.24 g(0.002 몰), 디클로로메탄 5.0 g의 혼합 용액을 적하하고, 실온에서 4 시간 교반하였다. 그 후, 12 규정 염산 2 g과 물 20 g으로 제조한 묽은 염산 수용액을 첨가하여 유기층을 분취하고, 이어서 이 유기층을 물 20 g으로 세정하고, 디클로로메탄을 감압 증류 제거하였다. 잔사에 메틸이소부틸케톤 30 g을 첨가하고, 감압 증류 제거하여 이것을 칼럼 크로마토그래피로 정제한 결과, 목적물을 얻었다[백색 결정 3.7 g(수율 44 ％)]. 목적물의 구조를 하기에 나타내었다.
얻어진 목적물의 스펙트럼 데이터를 하기에 나타내었다. 핵 자기 공명 스펙트럼(1H-NMR, 19F-NMR/CDCl3-d6)의 결과를 도 11 및 도 12에 나타내었다.
PAG1, 즉 트리페닐술포늄-2-히드록시-1,1-디플루오로에탄술포네이트 대신에, PAG2 내지 8 중 어느 것을 이용하고, 그 이외에는 합성예 1-24와 동일한 조작을 행함으로써, PAG-D의 양이온종이 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄, 4-tert-부톡시페닐디페닐술포늄, 트리스(4-메틸페닐)술포늄, 트리스(4-tert-부틸페닐)술포늄, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄, 디메틸페닐술포늄, 페나실테트라히드로티오페늄 중 어느 것으로 변화된 화합물을 합성할 수 있다.
[참고예 1-1] 디플루오로술포아세트산콜레스타닐에스테르 나트륨염의 합성
디플루오로술포아세트산나트륨과 콜레스타놀을 일본 특허 공개 제2006-257078호 공보에 기재된 방법에 의해 에스테르화하여 목적물을 얻었다. 정제를 행하지 않고 조제물로서 후속 공정의 양이온 교환 반응을 행하였다.
[참고예 1-2] 트리페닐술포늄 디플루오로술포아세트산콜레스타닐에스테르의 합성[PAG-E]
합성예 1-1의 트리페닐술포늄클로라이드 수용액(0.018 몰 상당)과 참고예 1-1의 디플루오로술포아세트산콜레스타닐에스테르 나트륨염 조제물(0.018 몰)을 디클로로메탄 50 g과 메틸이소부틸케톤 50 g에 용해시키고, 물 50 g으로 5회 유기층을 세정한 후, 유기층을 농축시키고, 잔사에 디에틸에테르 40 g을 첨가하여 결정화시켰다. 그 결정을 여과, 건조시킴으로써 목적물을 얻었다[백색 결정 1.5 g(2 단계 수율 10 ％)]. 목적물의 구조를 하기에 나타내었다.
얻어진 술포늄염의 적외 흡수 스펙트럼(IR), 비행 시간형 질량 분석(TOF-MS)의 결과를 나타내었다. 또한 핵 자기 공명 스펙트럼(1H-NMR, 19F-NMR)의 결과를 도 13 및 도 14에 나타내었다. 또한, 1H-NMR에서 미량의 잔여 용제(디에틸에테르, 물)가 관측되었다.
[참고예 1-3] 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄 디플루오로술포아세트산콜레스타닐에스테르의 합성[PAG-F]
합성예 1-2의 4-tert-부틸페닐디페닐술포늄브롬화물 수용액을 이용하는 것 이외에는 참고예 1-2와 동일하게 하여 목적물을 얻었다[백색 결정 1.2 g(2 단계 수율 4 ％)]. 목적물의 구조를 하기에 나타내었다.
얻어진 술포늄염의 적외 흡수 스펙트럼(IR), 비행 시간형 질량 분석(TOF-MS)의 결과를 나타내었다. 또한 핵 자기 공명 스펙트럼(1H-NMR, 19F-NMR)의 결과를 도 15 및 도 16에 나타내었다. 또한, 1H-NMR에서 미량의 잔여 용제(디에틸에테르, 물) 가 관측되었다.
참고예 1-2에 나타낸 PAG-E는 일본 특허 공개 제2007-161707호 공보에 기재되어 있고, 참고예 1-3에 나타낸 PAG-F는 이보다 용이하게 추정되는 화합물이지만, 이들은 레지스트 재료에 이용되는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트나 시클로헥사논에 대한 용해성이 매우 나빠서, 실용에 견디지 못하였다. 본 발명자들의 검토에 따르면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트와 시클로헥사논의 혼합 용제(질량비 7:3)에 1 질량％ 용해시킬 수 없었다. 한편으로, 합성예 1-21 내지 1-24에 나타내어진 PAG-A, PAG-B, PAG-C, PAG-D는 상술한 용제에 대하여 가용이며, 실용적이었다.
본 발명의 레지스트 재료에 이용하는 고분자 화합물을 이하에 나타내는 처방으로 합성하였다.
[합성예 2-1] 중합체 1의 합성
질소 분위기로 한 플라스크에 168.6 g의 메타크릴산 2-에틸아다만탄-2-일, 85.5 g의 메타크릴산 3-히드록시-1-아다만틸, 172.1 g의 메타크릴산 2-옥소테트라히드로푸란-3-일, 510 g의 PMA(프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트)를 취하고, 단량체 용액을 제조하였다. 14.86 g의 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2.6 g의 2-머캅토에탄올, 127 g의 PMA(프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트)를 취하여 개시제 용액으로 하였다. 질소 분위기로 한 다른 플라스크에 292 g의 PMA(프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트)를 취하고, 교반하면서 80 ℃까지 가열한 후, 상기 단량체 용액과 개시제 용액을 동시에 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후, 중합액의 온도를 80 ℃로 유지한 채로 2 시간 교반을 계속하고, 이어서 실온까지 냉각시켰다. 얻어진 중합액을 격렬하게 교반한 12 kg의 메탄올에 적하하고, 석출된 공중합체를 여과 분별하였다. 공중합체를 메탄올 3 kg으로 2회 세정한 후, 50 ℃에서 20 시간 진공 건조시켜 384 g의 백색 분말형 공중합체를 얻었다. 공중합체를 13C-NMR로 분석한 결과, 공중합 조성비는 상기 단량체순으로 33/18/49 몰％였다. GPC로 분석한 결과, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은 6,000이었다.
[합성예 2-2 내지 25] 중합체 2 내지 25의 합성
각 단량체의 종류, 배합비를 변경한 것 이외에는, 실시예 2-1과 동일한 절차에 의해 하기 표 1에 나타낸 수지를 제조하였다. 표 1 중, 각 단위의 구조를 표 2 내지 6에 나타내었다. 또한, 표 1에 있어서 도입비는 몰비를 나타내었다.
[합성예 2-26 내지 32] 중합체 26 내지 32의 합성
상술한 처방에 의해 얻어진 중합체 19 내지 25를 메탄올, 테트라히드로푸란 혼합 용제에 용해시키고, 옥살산을 첨가하여 40 ℃에서 탈보호 반응을 행하였다. 피리딘으로 중화 처리한 후에 통상적인 재침전 정제를 행함으로써 히드록시스티렌 단위를 갖는 고분자 화합물을 얻었다.
[합성예 2-33 내지 35] 중합체 33 내지 35의 합성
중합체 26, 28에 산성 조건하에서 에틸비닐에테르 또는 염기성 조건하에서 1-클로로-1-메톡시-2-메틸프로판을 반응시켜 목적하는 중합체 33 내지 35를 얻었다.
합성예 2-26 내지 35의 폴리히드록시스티렌 유도체의 탈보호와 보호에 대해서는 일본 특허 공개 제2004-115630호 공보, 일본 특허 공개 제2005-8766호 공보 등에 자세하게 기재되어 있다.
그 밖에, 공지된 기술에 의해 하기 중합체를 제조하였다.
[실시예 1 내지 33 및 비교예 1 내지 3]
레지스트 재료의 해상성의 평가
상기 합성예에서 나타낸 광산발생제와 중합체를 기재 수지로서 사용하고, 억제제를 표 7에 나타내는 조성으로 KH-20(세이미케미칼(주) 제조) 0.01 질량％를 포함하는 용매 중에 용해시켜 레지스트 재료를 조합하고, 또한 레지스트 재료를 0.2 μm의 테플론(등록 상표)제 필터로 여과함으로써 레지스트액을 각각 제조하였다.
또한, 표 7에 있어서, 용제 및 억제제, 비교예에서 이용한 광산발생제, 산 가교제는 하기와 같았다.
P-01은 중합체 1을 나타내고, 다른 P-02 내지 P38은 각각 중합체 2 내지 중합체 38을 나타내었다.
PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
CyHO: 시클로헥사논
EL: 락트산에틸
Base-1: 트리에탄올아민
Base-2: 트리스[2-(메톡시메톡시)에틸]아민
PAG-Y: 트리페닐술포늄 퍼플루오로-1-부탄술포네이트
PAG-Z: 트리페닐술포늄 2-(아다만탄-1-카르보닐옥시)-1,1,3,3,3-펜타플루오로프로판-1-술포네이트(일본 특허 공개 제2007-145797호 공보에 기재된 화합물)
TMGU: 1,3,4,6-테트라메톡시메틸글리콜우릴
[실시예 34 내지 58, 비교예 4, 5]
해상성 및 마스크 충실성의 평가: ArF 노광
실리콘 기판 상에 반사 방지막 용액(닛산 가가꾸 고교(주) 제조, ARC-29A)을 도포하고, 200 ℃에서 60 초간 베이킹하여 제조한 반사 방지막(78 nm 막 두께) 기판 상에 레지스트 용액을 스핀 코팅하고, 핫 플레이트를 이용하여 120 ℃에서 60 초간 베이킹하여 160 nm 막 두께의 레지스트막을 제조하였다. 이것을 ArF 엑시머 레이저 마이크로스테퍼((주)니콘 제조, NSR-S307E, NA=0.85, 4/5 륜대(輪帶) 조명, Cr 마스크)를 이용하여 노광하고, 표 8 내에 나타낸 온도에서 60 초간 베이킹(PEB)을 실시하며, 2.38 질량％의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 60 초간 현상을 행하였다.
레지스트의 평가는, 80 nm 그룹의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상하는 노광량을 최적 노광량(Eop, mJ/cm2)으로 하고, 이 노광량에서 분리된 라인 앤드 스페이스의 최소 선폭(nm)을 평가 레지스트의 해상도라 하였다. 소밀 의존성의 평가로서, 상기 최적 노광량에 있어서 마스크 상의 치수 130 nm의 고립 라인 패턴(1:10의 고립 라인 패턴)의 웨이퍼 상의 실치수를 측정하여, 마스크 충실성(웨이퍼 상의 치수, 치수가 클수록 양호함)이라 하였다. 노광 여유도의 평가는 상기 최적 노광량을 변화시켰을 때에 패턴 크기가 80 nm±10 ％를 허용하는 노광량 폭을 구하고, 이 값을 최적 노광량으로 나누어 백분율 표시하였다. 값이 클수록 노광량 변화에 의한 성능 변화가 작고, 노광 여유도가 양호하였다.
각 레지스트 재료의 평가 결과를 표 8에 나타내었다.
[실시예 59 내지 61, 비교예 6]
상기 실시예의 R-01, R-02, R-03 및 비교예의 R-101의 레지스트 재료를 이용하여 유사적인 액침 노광을 행하였다. 구체적으로는 상기와 동일한 공정으로 125 nm의 레지스트막을 형성하고, ArF 엑시머 레이저 마이크로스테퍼((주)니콘 제조, S307E, 다이폴(dipole))를 이용하여 노광하였다. 노광을 행한 직후에 웨이퍼 전체면을 순수에 침지시키고, 60 초간 레지스트 노광면을 순수에 침지시켰다(퍼들). 웨이퍼 스핀에 의해 순수를 떨어낸 후, 통상 그대로의 PEB 공정, 이어서 현상을 행하였다. 현상 후에 형성된 패턴 중의 결함수를 결함 검사 장치 WINWIN50-1200L(도쿄 세이미쯔(주) 제조)에 의해 검사하고, 다음 식에 따라서 결함 밀도를 구하였다. 결과를 표 9에 나타내었다.
결함 밀도(개/cm2)=검출된 총 결함수/검사 면적
형성한 패턴: 80 nm/피치 160 nm 라인 앤드 스페이스 반복 패턴
결함 검사 조건: 광원 UV, 검사 픽셀 크기 0.125 ㎛, 셀 투 셀 모드
또한, 주사형 전자 현미경을 이용하여 레지스트 단면의 패턴 형상을 관찰하였다. 결과를 표 9에 나타내었다.
표 8, 9의 결과로부터, 본 발명의 레지스트 재료가 고해상성이며 소밀 의존성이 낮고, 또한 종래 제품에 비해 물에 의한 장시간의 린스에 대해서도 형상 변화, 결함의 발현이 없으며, 액침 노광에 충분히 대응할 수 있는 것이 확인되었다.
[실시예 62, 63, 비교예 7]
해상성의 평가: EB 노광
본 발명의 레지스트 재료(R-26, R-33) 및 비교용 레지스트 재료(R-103)를 유기 반사 방지막(브류어 사이언스사 제조, DUV-44)을 610 Å로 도포한 8 인치 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고, 100 ℃, 60 초간의 열 처리를 실시하여 두께 2,000Å의 레지스트막을 형성하였다. 또한, 전자선 노광 장치((주)히타치 하이테크놀로지즈 제조, HL-800D, 가속 전압 50 keV)를 이용하여 노광하고, 120 ℃, 60 초간의 열 처리(PEB: post exposure bake(노광후 베이킹))를 실시하고, 2.38 질량％의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 현상을 행하면, 포지티브형 패턴(실시예 62, 비교예 7) 및 네가티브형 패턴(실시예 63)을 얻을 수 있었다.
얻어진 레지스트 패턴을 다음과 같이 평가하였다.
0.12 μm의 라인 앤드 스페이스의 상부와 하부를 1:1로 해상하는 노광량을 최적 노광량(감도: Eop)으로 하여, 이 노광량에서 분리된 라인 앤드 스페이스의 최소 선폭을 평가 레지스트의 해상도라 하였다. 또한, 해상된 레지스트 패턴의 형상은 주사형 전자 현미경을 이용하여 레지스트 단면을 관찰하였다.
진공 중의 PED(post exposure delay; 노광후 지연)를 평가하기 위해서는, 전자선 노광 장치에 의해 노광한 후, 24 시간 진공이 된 장치 내에 방치하고, 그 후에 PEB 및 현상을 행하였다. 얻어진 0.12 μm의 라인 앤드 스페이스 패턴의 라인부의 치수 변화율을 나타내었다. 예를 들면 0.012 μm 증가한 경우에는 +10 ％라고 기재하였다. 이 변화가 적을수록 안정성이 우수하였다. 평가 결과를 표 10에 나타내었다.
표 10 중의 결과로부터, 본 발명의 레지스트 재료가 EB 노광에서도 해상 성능, 진공 중의 PED가 우수한 것이 확인되었다. 따라서, 폴리히드록시스티렌 유도체를 이용한 EUV 리소그래피, KrF 리소그래피 등에서도 동일하게 기능하는 것을 기대할 수 있었다.
도 1은 합성예 1-21의 PAG-A의 1H-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 2는 합성예 1-21의 PAG-A의 19F-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 3은 합성예 1-22-1의 PAG 중간체 4의 1H-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 4는 합성예 1-22-1의 PAG 중간체 4의 19F-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 5는 합성예 1-22-2의 PAG-B의 1H-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 6은 합성예 1-22-2의 PAG-B의 19F-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 7은 합성예 1-23-1의 PAG 중간체 5의 1H-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 8은 합성예 1-23-1의 PAG 중간체 5의 19F-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 9는 합성예 1-23-2의 PAG-C의 1H-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 10은 합성예 1-23-2의 PAG-C의 19F-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 11은 합성예 1-24의 PAG-D의 1H-NMR/CDCl3을 나타낸 도면이다.
도 12는 합성예 1-24의 PAG-D의 19F-NMR/CDCl3을 나타낸 도면이다.
도 13은 참고예 1-2의 PAG-E의 1H-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 14는 참고예 1-2의 PAG-E의 19F-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 15는 참고예 1-3의 PAG-F의 1H-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
도 16은 참고예 1-3의 PAG-F의 19F-NMR/DMSO-d6을 나타낸 도면이다.
Claims (17)
- 자외선, 원자외선, 전자선, EUV, X선, 엑시머 레이저, γ선 또는 싱크로트론 방사선의 고에너지선에 감응하여, 하기 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 화학 증폭형 레지스트 재료용 광산발생제.<화학식 1a>
<화학식 1b>
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다.) - 제1항에 있어서, 하기 화학식 1c 또는 1d 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제.<화학식 1c>
<화학식 1d>
(식 중, Z는 산소 원자 또는 -O-(CH2)L-COO-을 나타낸다. L은 1 내지 5의 정수를 나타낸다.) - 하기 화학식 2a 또는 2b 중 어느 것으로 표시되는 술포늄염.<화학식 2a>
<화학식 2b>
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상 알킬기, 알케닐기 또는 옥소알킬기를 나타내거나, 또는 페닐기, 나프틸기, 티에닐기, 4-히드록시페닐기, 4-메톡시페닐기, 3-메톡시페닐기, 2-메톡시페닐기, 4-에톡시페닐기, 4-tert-부톡시페닐기, 3-tert-부톡시페닐기, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 4-에틸페닐기, 4-tert-부틸페닐기, 4-n-부틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 메틸나프틸기, 에틸나프틸기, 메톡시나프틸기, 에톡시나프틸기, 디메틸나프틸기, 디에틸나프틸기, 디메톡시나프틸기 또는 디에톡시나프틸기를 나타내거나, 또는 R2, R3 및 R4 중 어느 2개 이상이 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 환을 형성할 수도 있다.) - 하기 화학식 3a 또는 3b 중 어느 것으로 표시되는 술포늄염.<화학식 3a>
<화학식 3b>
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. R5는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, sec-프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 페닐기, 4-메톡시페닐기 또는 4-tert-부틸페닐기를 나타낸다. m은 1 내지 5의 정수, n은 0(영) 또는 1을 나타낸다. Ph는 페닐기를 나타낸다. Ph'는 페닐기의 수소 원자 m개를 R5(O)n-기로 치환한 기를 나타낸다.) - 하기 화학식 4a 또는 4b 중 어느 것으로 표시되는 요오도늄염.<화학식 4a>
<화학식 4b>
(식 중, R1은 스테로이드 골격을 갖는 탄소수 20 내지 50의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가 탄화수소기를 나타낸다. R5는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, sec-프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 시클로헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 페닐기, 4-메톡시페닐기 또는 4-tert-부틸페닐기를 나타낸다. m은 1 내지 5의 정수, n은 0(영) 또는 1을 나타낸다. Ph는 페닐기를 나타낸다. Ph'는 페닐기의 수소 원자 m개를 R5(O)n-기로 치환한 기를 나타낸다.) - 기재 수지, 산발생제 및 유기 용제를 함유하여 이루어지는 레지스트 재료에 있어서, 상기 산발생제가 제1항에 기재된 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
- 기재 수지, 산발생제 및 유기 용제를 함유하여 이루어지는 레지스트 재료에 있어서, 상기 산발생제가 제2항에 기재된 하기 화학식 1c 또는 1d 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.<화학식 1c>
<화학식 1d>
(식 중, Z는 산소 원자 또는 -O-(CH2)L-COO-을 나타낸다. L은 1 내지 5의 정수를 나타낸다.) - 제6항 또는 제7항에 있어서, 기재 수지가 폴리(메트)아크릴산 및 그의 유도체, 시클로올레핀 유도체-무수 말레산 교대 중합체, 시클로올레핀 유도체와 무수 말레산과 폴리아크릴산 또는 그의 유도체와의 3 또는 4원 이상의 공중합체, 시클로올레핀 유도체-α-트리플루오로메틸아크릴산 유도체 공중합체, 폴리노르보르넨, 개환복분해 중합체 및 개환복분해 중합체 수소 첨가물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 고분자 중합체인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 기재 수지가 규소 원자를 함유하는 고분자 구조체인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 기재 수지가 불소 원자를 함유하는 고분자 구조체인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 기재 수지가 하기 화학식 8 및/또는 12로 표시되는 반복 단위와, 하기 화학식 9 내지 11, 13 및 14로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 갖는 고분자 중합체인 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.<화학식 8>
<화학식 9>
<화학식 10>
<화학식 11>
(식 중, R11은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다. XA는 산 불안정기를 나타낸다. YL은 락톤 구조를 갖는 치환기를 나타낸다. ZA는 수소 원자, 탄소수 1 내지 15의 플루오로알킬기 또는 탄소수 1 내지 15의 플루오로알코올 함유 치환기를 나타낸다.)<화학식 12>
<화학식 13>
<화학식 14>
(식 중, R11, XA는 상기와 동일하다. G는 산소 원자 또는 카르복실기(-C(=O)O-)를 나타낸다.) - 폴리(메트)아크릴산 및 그의 유도체, 시클로올레핀 유도체-무수 말레산 교대 중합체, 시클로올레핀 유도체와 무수 말레산과 폴리아크릴산 또는 그의 유도체와의 3 또는 4원 이상의 공중합체, 시클로올레핀 유도체-α-트리플루오로메틸아크릴산 유도체 공중합체, 폴리노르보르넨, 개환복분해 중합체 및 개환복분해 중합체 수소 첨가물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 고분자 중합체,규소 원자를 함유하는 고분자 구조체,불소 원자를 함유하는 고분자 구조체, 및하기 화학식 8 및/또는 12로 표시되는 반복 단위와, 하기 화학식 9 내지 11, 13 및 14로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 갖는 고분자 중합체 중에서 선택되는 기재 수지,제1항에 기재된 화학식 1a 또는 1b 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제, 및용제를 함유하고,상기 기재 수지가 현상액에 불용 또는 난용이며, 산의 작용에 의해서 현상액에 가용이 되는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.<화학식 8>
<화학식 9>
<화학식 10>
<화학식 11>
(식 중, R11은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다. XA는 산 불안정기를 나타낸다. YL은 락톤 구조를 갖는 치환기를 나타낸다. ZA는 수소 원자, 탄소수 1 내지 15의 플루오로알킬기 또는 탄소수 1 내지 15의 플루오로알코올 함유 치환기를 나타낸다.)<화학식 12>
<화학식 13>
<화학식 14>
(식 중, R11, XA는 상기와 동일하다. G는 산소 원자 또는 카르복실기(-C(=O)O-)를 나타낸다.) - 폴리(메트)아크릴산 및 그의 유도체, 시클로올레핀 유도체-무수 말레산 교대 중합체, 시클로올레핀 유도체와 무수 말레산과 폴리아크릴산 또는 그의 유도체와의 3 또는 4원 이상의 공중합체, 시클로올레핀 유도체-α-트리플루오로메틸아크릴산 유도체 공중합체, 폴리노르보르넨, 개환복분해 중합체 및 개환복분해 중합체 수소 첨가물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 고분자 중합체,규소 원자를 함유하는 고분자 구조체,불소 원자를 함유하는 고분자 구조체, 및하기 화학식 8 및/또는 12로 표시되는 반복 단위와, 하기 화학식 9 내지 11, 13 및 14로부터 선택되는 1종 이상의 반복 단위를 갖는 고분자 중합체 중에서 선택되는 기재 수지,제2항에 기재된 화학식 1c 또는 1d 중 어느 것으로 표시되는 술폰산을 발생하는 광산발생제, 및용제를 함유하고,상기 기재 수지가 현상액에 불용 또는 난용이며, 산의 작용에 의해서 현상액에 가용이 되는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.<화학식 8>
<화학식 9>
<화학식 10>
<화학식 11>
(식 중, R11은 수소 원자, 불소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. R12 및 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 수산기를 나타낸다. XA는 산 불안정기를 나타낸다. YL은 락톤 구조를 갖는 치환기를 나타낸다. ZA는 수소 원자, 탄소수 1 내지 15의 플루오로알킬기 또는 탄소수 1 내지 15의 플루오로알코 올 함유 치환기를 나타낸다.)<화학식 12>
<화학식 13>
<화학식 14>
(식 중, R11, XA는 상기와 동일하다. G는 산소 원자 또는 카르복실기(-C(=O)O-)를 나타낸다.) - 제12항 또는 제13항에 있어서, 억제제를 더 첨가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.
- 제12항 또는 제13항에 있어서, 용해 저지제를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.
- 제6항, 제7항, 제12항 및 제13항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 재료를 기판 상에 도포하는 공정, 가열 처리 후 포토마스크를 통해 파장 300 nm 이하의 고에너지선으로 노광하는 공정, 및 필요에 따라서 가열 처리한 후에 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
- 제16항에 있어서, 파장 193 nm의 ArF 엑시머 레이저를 이용하여, 레지스트 재료가 도포된 기판과 투영 렌즈 사이에 물, 글리세린, 에틸렌글리콜 등의 액체를 삽입하는 액침 리소그래피법인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
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| JP5652404B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2015-01-14 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP5464131B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2014-04-09 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5809798B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2015-11-11 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | コラート光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト |
| JP5131488B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2013-01-30 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素単量体及び含フッ素高分子化合物 |
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| JP5216032B2 (ja) | 2010-02-02 | 2013-06-19 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニウム塩、高分子化合物、高分子化合物の製造方法、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5068831B2 (ja) | 2010-02-05 | 2012-11-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法 |
| JP5598351B2 (ja) * | 2010-02-16 | 2014-10-01 | 信越化学工業株式会社 | 電子線用又はｅｕｖ用化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| CN102781911B (zh) | 2010-02-24 | 2015-07-22 | 巴斯夫欧洲公司 | 潜酸及其用途 |
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| US9223204B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-12-29 | Fujitsu Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, and pattern-forming method using the same |
| KR20110131904A (ko) * | 2010-06-01 | 2011-12-07 | 금호석유화학 주식회사 | 광산발생제, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| JP5474867B2 (ja) * | 2010-06-01 | 2014-04-16 | コリア クンホ ペトロケミカル カンパニー リミテッド | 光酸発生剤、この製造方法、及びこれを含むレジスト組成物 |
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| US8835094B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-09-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Fluoroalcohol, fluorinated monomer, polymer, resist composition and patterning process |
| JP5617504B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-11-05 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
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| JP6039194B2 (ja) * | 2011-03-02 | 2016-12-07 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP5491450B2 (ja) | 2011-05-30 | 2014-05-14 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。 |
| JP5594243B2 (ja) | 2011-07-14 | 2014-09-24 | 信越化学工業株式会社 | 重合性エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
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| JP5651636B2 (ja) * | 2011-07-28 | 2015-01-14 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
| JP5611907B2 (ja) | 2011-08-17 | 2014-10-22 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP6019849B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2016-11-02 | セントラル硝子株式会社 | 含フッ素スルホン酸塩類、含フッ素スルホン酸塩樹脂、レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| JP5678864B2 (ja) | 2011-10-26 | 2015-03-04 | 信越化学工業株式会社 | ＡｒＦ液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
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| JP5703247B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2015-04-15 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、フォトマスクブランクス、及び、パターン形成方法 |
| US9851639B2 (en) | 2012-03-31 | 2017-12-26 | International Business Machines Corporation | Photoacid generating polymers containing a urethane linkage for lithography |
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| US9164384B2 (en) | 2013-04-26 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and resist composition |
| JP2015036786A (ja) * | 2013-08-14 | 2015-02-23 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、並びに、これを用いた、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
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| KR102325949B1 (ko) | 2014-11-27 | 2021-11-12 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 고분자, 포토레지스트 조성물, 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| EP3035121B1 (en) | 2014-12-18 | 2019-03-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Monomer, polymer, resist composition, and patterning process |
| JP6518475B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2019-05-22 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、酸発生剤及び化合物 |
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| JP6718406B2 (ja) | 2017-03-31 | 2020-07-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
| JP6853716B2 (ja) | 2017-03-31 | 2021-03-31 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
| US11042090B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-06-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming organic film |
| US10514605B2 (en) | 2017-08-04 | 2019-12-24 | International Business Machines Corporation | Resist multilayer film-attached substrate and patterning process |
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| US10871711B2 (en) | 2017-09-25 | 2020-12-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
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| JP7308168B2 (ja) | 2019-04-16 | 2023-07-13 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び有機膜形成用化合物 |
| JP7308167B2 (ja) | 2019-04-16 | 2023-07-13 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び有機膜形成用化合物 |
| JP7082087B2 (ja) | 2019-05-08 | 2022-06-07 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、パターン形成方法及び重合体 |
| JP7103993B2 (ja) | 2019-05-16 | 2022-07-20 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、パターン形成方法及び重合体 |
| JP7390964B2 (ja) | 2019-05-27 | 2023-12-04 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、半導体装置製造用基板、及び有機膜の形成方法 |
| JP7209588B2 (ja) | 2019-06-04 | 2023-01-20 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、パターン形成方法及び重合体 |
| JP7161451B2 (ja) | 2019-07-05 | 2022-10-26 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、及びパターン形成方法 |
| JP7194651B2 (ja) | 2019-07-12 | 2022-12-22 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法及び重合体 |
| JP7354986B2 (ja) | 2019-11-20 | 2023-10-03 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP7217695B2 (ja) | 2019-11-28 | 2023-02-03 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、パターン形成方法、及び重合体 |
| JP7145143B2 (ja) | 2019-12-12 | 2022-09-30 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成材料、有機膜の形成方法、パターン形成方法、および化合物 |
| JP7285209B2 (ja) | 2019-12-26 | 2023-06-01 | 信越化学工業株式会社 | 下層膜形成材料、下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 |
| JP7388346B2 (ja) | 2020-02-14 | 2023-11-29 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP7271461B2 (ja) | 2020-02-19 | 2023-05-11 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料およびパターン形成方法 |
| JP7316237B2 (ja) | 2020-03-02 | 2023-07-27 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成材料、有機膜形成方法、パターン形成方法及び化合物 |
| JP7465679B2 (ja) | 2020-03-05 | 2024-04-11 | 信越化学工業株式会社 | 塗布型有機膜形成用組成物、パターン形成方法、重合体および重合体の製造方法 |
| JP2021152639A (ja) | 2020-03-23 | 2021-09-30 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び有機膜形成用化合物 |
| JP7368322B2 (ja) | 2020-06-12 | 2023-10-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
| JP7352530B2 (ja) | 2020-10-05 | 2023-09-28 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び有機膜形成用化合物 |
| JP7445583B2 (ja) | 2020-11-25 | 2024-03-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
| JP7401424B2 (ja) | 2020-12-25 | 2023-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成材料、ならびにパターン形成方法および重合体 |
| JP7472011B2 (ja) | 2020-12-25 | 2024-04-22 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成材料、パターン形成方法ならびに化合物及び重合体 |
| JP2022124133A (ja) | 2021-02-15 | 2022-08-25 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用材料、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法、及び有機膜形成用化合物 |
| CN113214427B (zh) * | 2021-04-28 | 2022-04-12 | 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 | 一种生物基ArF光刻胶成膜树脂、光刻胶组合物及其制备方法 |
| JP2023008657A (ja) | 2021-07-06 | 2023-01-19 | 信越化学工業株式会社 | 密着膜形成材料、これを用いた密着膜の形成方法、及び密着膜形成材料を用いたパターン形成方法 |
| JP2023045354A (ja) | 2021-09-22 | 2023-04-03 | 信越化学工業株式会社 | 密着膜形成材料、パターン形成方法、及び密着膜の形成方法 |
| JP2023048891A (ja) | 2021-09-28 | 2023-04-07 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、パターン形成方法並びに有機膜形成用化合物及び重合体 |
| JP2023056788A (ja) | 2021-10-08 | 2023-04-20 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成材料、パターン形成方法ならびに化合物 |
| JP2023070577A (ja) | 2021-11-09 | 2023-05-19 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜の形成方法 |
| JP2023070641A (ja) | 2021-11-09 | 2023-05-19 | 信越化学工業株式会社 | 半導体基板パターン倒壊抑制用充填膜形成材料及び半導体基板の処理方法 |
| JP2023074248A (ja) | 2021-11-17 | 2023-05-29 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、パターン形成方法並びに有機膜形成用化合物及び重合体 |
| JP2023077221A (ja) | 2021-11-24 | 2023-06-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
| JP2023077955A (ja) | 2021-11-25 | 2023-06-06 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成材料、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、パターン形成方法 |
| JP2023094359A (ja) | 2021-12-23 | 2023-07-05 | 信越化学工業株式会社 | 密着膜形成材料、パターン形成方法、及び密着膜の形成方法 |
| CN114414711B (zh) * | 2021-12-29 | 2023-10-13 | 北京彤程创展科技有限公司 | 一种光刻胶中鎓盐类光致产酸剂的鉴定方法 |
| TWI830581B (zh) | 2022-01-21 | 2024-01-21 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 對於鹼性過氧化氫水之保護膜形成組成物、半導體裝置製造用基板、保護膜之形成方法、及圖案形成方法 |
| CN114409726B (zh) * | 2022-01-24 | 2023-07-04 | 东华大学 | 桦木醇环烯烃衍生物及其用途和制备方法 |
| JP2023124171A (ja) | 2022-02-25 | 2023-09-06 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用平坦化剤、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法 |
| JP2023129266A (ja) | 2022-03-03 | 2023-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法 |
| JP2023128578A (ja) | 2022-03-03 | 2023-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、パターン形成方法、及び化合物 |
| CN114933627B (zh) * | 2022-05-06 | 2023-09-29 | 宁波南大光电材料有限公司 | 含氟类胆固醇阴离子光致产酸剂、制备及其光刻胶组合物 |
| JP2023166976A (ja) | 2022-05-10 | 2023-11-22 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法 |
| JP2023169812A (ja) | 2022-05-17 | 2023-11-30 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニウム塩、レジスト組成物及びパターン形成方法 |
| JP2023180781A (ja) | 2022-06-10 | 2023-12-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 |
| JP2024008372A (ja) | 2022-07-08 | 2024-01-19 | 信越化学工業株式会社 | 金属酸化膜形成用組成物、パターン形成方法、及び金属酸化膜形成方法 |
| JP2024024828A (ja) | 2022-08-10 | 2024-02-26 | 信越化学工業株式会社 | ウェハエッジ保護膜形成方法、パターン形成方法、及びウェハエッジ保護膜形成用組成物 |
| JP2024027460A (ja) | 2022-08-17 | 2024-03-01 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2024027459A (ja) | 2022-08-17 | 2024-03-01 | 信越化学工業株式会社 | 密着膜形成用組成物、パターン形成方法、及び密着膜の形成方法 |
| IL305619A (en) | 2022-09-14 | 2024-04-01 | Shinetsu Chemical Co | Compound for forming a metal-containing layer, composition for forming a metal-containing layer, printing method, and semiconductor masking sensitizer |
| JP2024068637A (ja) | 2022-11-08 | 2024-05-20 | 信越化学工業株式会社 | 金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048672A (en) | 1998-02-20 | 2000-04-11 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions and methods and articles of manufacture comprising same |
Family Cites Families (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0473547A1 (de) | 1990-08-27 | 1992-03-04 | Ciba-Geigy Ag | Olefinisch ungesättigte Oniumsalze |
| US5807977A (en) | 1992-07-10 | 1998-09-15 | Aerojet General Corporation | Polymers and prepolymers from mono-substituted fluorinated oxetane monomers |
| JPH0725846A (ja) | 1993-07-14 | 1995-01-27 | Nec Corp | アルキルスルホニウム塩 |
| US5635332A (en) | 1993-07-14 | 1997-06-03 | Nec Corporation | Alkylsulfonium salts and photoresist compositions containing the same |
| JP2906999B2 (ja) | 1994-04-26 | 1999-06-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料 |
| JP3063615B2 (ja) | 1995-03-16 | 2000-07-12 | 信越化学工業株式会社 | トリアリールスルホニウム塩の製造方法 |
| JP3399166B2 (ja) | 1995-06-29 | 2003-04-21 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JP3830183B2 (ja) | 1995-09-29 | 2006-10-04 | 東京応化工業株式会社 | オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤 |
| JP3587413B2 (ja) | 1995-12-20 | 2004-11-10 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 |
| JP3798458B2 (ja) | 1996-02-02 | 2006-07-19 | 東京応化工業株式会社 | オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤 |
| TW513399B (en) | 1996-03-05 | 2002-12-11 | Shinetsu Chemical Co | Method for preparing triarylsulfonium salts |
| JP3879139B2 (ja) | 1996-05-08 | 2007-02-07 | 住友化学株式会社 | グリオキシム系エステル、その製法および用途 |
| US6136502A (en) | 1997-10-08 | 2000-10-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
| JP3796559B2 (ja) | 1997-10-08 | 2006-07-12 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US7704668B1 (en) | 1998-08-04 | 2010-04-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions and methods and articles of manufacture comprising same |
| KR100441734B1 (ko) | 1998-11-02 | 2004-08-04 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규한 에스테르 화합물, 고분자 화합물, 레지스트 재료및 패턴 형성 방법 |
| JP2000336121A (ja) | 1998-11-02 | 2000-12-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
| SG78412A1 (en) | 1999-03-31 | 2001-02-20 | Ciba Sc Holding Ag | Oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
| NL1014545C2 (nl) | 1999-03-31 | 2002-02-26 | Ciba Sc Holding Ag | Oxim-derivaten en de toepassing daarvan als latente zuren. |
| JP4462397B2 (ja) | 1999-08-16 | 2010-05-12 | 信越化学工業株式会社 | 新規オニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| KR100538501B1 (ko) | 1999-08-16 | 2005-12-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규한 오늄염, 레지스트 재료용 광산발생제, 레지스트재료 및 패턴 형성 방법 |
| NL1016815C2 (nl) | 1999-12-15 | 2002-05-14 | Ciba Sc Holding Ag | Oximester-fotoinitiatoren. |
| SG98433A1 (en) | 1999-12-21 | 2003-09-19 | Ciba Sc Holding Ag | Iodonium salts as latent acid donors |
| JP4023086B2 (ja) | 1999-12-27 | 2007-12-19 | 和光純薬工業株式会社 | スルホニウム塩化合物 |
| US6723483B1 (en) | 1999-12-27 | 2004-04-20 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Sulfonium salt compounds |
| JP2002055442A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| US6749987B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-06-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photosensitive composition |
| JP4150509B2 (ja) | 2000-11-20 | 2008-09-17 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| AU2002239563A1 (en) | 2000-11-03 | 2002-06-03 | Shipley Company, L.L.C. | Photoacid generators and photoresists comprising same |
| JP2002193887A (ja) | 2000-12-26 | 2002-07-10 | Nippon Soda Co Ltd | ヨードニウム塩化合物の製造方法 |
| US6855476B2 (en) | 2001-04-05 | 2005-02-15 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Photoacid generators for use in photoresist compositions |
| US6830866B2 (en) | 2001-06-15 | 2004-12-14 | Shi-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
| JP4013044B2 (ja) | 2001-06-15 | 2007-11-28 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料、及びパターン形成方法 |
| JP4110319B2 (ja) | 2001-06-29 | 2008-07-02 | Ｊｓｒ株式会社 | 感放射線性酸発生剤および感放射線性樹脂組成物 |
| JP3826777B2 (ja) | 2001-12-05 | 2006-09-27 | Ｊｓｒ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP4054978B2 (ja) | 2001-08-24 | 2008-03-05 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US7105267B2 (en) | 2001-08-24 | 2006-09-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist compositions and patterning process |
| JP3945200B2 (ja) | 2001-09-27 | 2007-07-18 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4210836B2 (ja) | 2001-12-26 | 2009-01-21 | 信越化学工業株式会社 | 新規ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4025162B2 (ja) | 2002-09-25 | 2007-12-19 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| WO2004074242A2 (en) | 2003-02-19 | 2004-09-02 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | Halogenated oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
| JP4088784B2 (ja) | 2003-06-19 | 2008-05-21 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物の製造方法及びレジスト材料 |
| JP4244755B2 (ja) | 2003-09-09 | 2009-03-25 | Ｊｓｒ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| JP4491335B2 (ja) | 2004-02-16 | 2010-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
| US7449573B2 (en) | 2004-02-16 | 2008-11-11 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition, and method of pattern formation with the photosensitive composition |
| US7304175B2 (en) | 2005-02-16 | 2007-12-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same |
| TWI332122B (en) | 2005-04-06 | 2010-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Novel sulfonate salts and derivatives, photoacid generators, resist compositions and patterning process |
| JP4816921B2 (ja) | 2005-04-06 | 2011-11-16 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| US7786322B2 (en) | 2005-11-21 | 2010-08-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same |
| JP5070814B2 (ja) | 2005-11-21 | 2012-11-14 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩 |
| US7771913B2 (en) | 2006-04-04 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
| JP4842844B2 (ja) | 2006-04-04 | 2011-12-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| US7527912B2 (en) * | 2006-09-28 | 2009-05-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoacid generators, resist compositions, and patterning process |
| JP4803377B2 (ja) * | 2006-10-25 | 2011-10-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US7569326B2 (en) * | 2006-10-27 | 2009-08-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt having polymerizable anion, polymer, resist composition, and patterning process |
| JP4475435B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2010-06-09 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP5019071B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-09-05 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4655128B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2011-03-23 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4743450B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2011-08-10 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4743451B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2011-08-10 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| JP4771101B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2011-09-14 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
-
2008
- 2008-05-01 JP JP2008119563A patent/JP4569786B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-30 TW TW098114446A patent/TWI435170B/zh active
- 2009-04-30 KR KR1020090038010A patent/KR101342353B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-30 US US12/433,370 patent/US8114571B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6048672A (en) | 1998-02-20 | 2000-04-11 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions and methods and articles of manufacture comprising same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090115678A (ko) | 2009-11-05 |
| US8114571B2 (en) | 2012-02-14 |
| TWI435170B (zh) | 2014-04-21 |
| TW201009493A (en) | 2010-03-01 |
| JP2009269953A (ja) | 2009-11-19 |
| US20090274978A1 (en) | 2009-11-05 |
| JP4569786B2 (ja) | 2010-10-27 |
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